Особенности диэлектрических аномалий Pb1-xGexTe(Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

БАРЫШНИКОВ Александр Сергеевич

Особенности диэлектрических аномалий РЬ1-хСехТе(Са) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода

(01.04.07 - физика конденсированного состояния)

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Благовещенск - 2008

003450579

Работа выполнена на кафедре общей физики Благовещенского государственного педагогического университета

Научный руководитель:

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор С.В, Ланкин

доктор физико-математических наук, профессор Е.А.Ванина; кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник Ю.Н.Маловицкий

Ведущая организация

Дальневосточный государственный университет путей сообщения, г.Хабаровск

Защита состоится 19 ноября 2008г. в 12 часов на заседании регионального диссертационного совета ДМ 212.006.02 при Амурском государственном университете по адресу: 675027 г. Благовещенск, Игнатьевское шоссе, 21, конференцзал АмГУ.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Амурского государственного университета.

Автореферат разослан « 15 » октября 2008г.

Ученый секретарь диссертационного совета ДМ 212.006.02,

кандидат физико-математических наук Еремин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Соединения А4Вб, к которым относится РЬ|_хОехТе, представляют собой полупроводники с узкой запрещенной зоной 0.2+0.4 еУ), в то же время они являются сегнетоэлектриками. Особенности физических свойств Р^^веДе вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода были исследованы различными методами, включая измерения теплоемкости [1], электропроводности [2], диэлектрической проницаемости [3,4]. Детальное изучение фазовых переходов в сегнетоэлектриках А4В6 показало, что хотя в ряде из них (БиТе, РЬ^пДе) фазовые переходы могут быть удовлетворительно описаны в рамках теории, предполагающей сильное элекгрон-фононное взаимодействие [5], однако, свойства РЬ^СеДе не укладываются в рамки этой модели. Для объяснения этих отличий было предположено, что положение атомов ве в узлах решетки РЬТе неустойчиво, и атомы Се, смещаясь га узлов, становятся нецентральными. Позднее в работе [7] при изучении тонкой структуры спектров рентгеновского поглощения (ЕХАРБ) в области А'-края поглощения ве и ¿-края РЬ на синхротронном излучении было установлено, что как ниже, так и выше Тс атомы Се смещены го узлов в направлении <111>, а величина смещения составляет -0.8А.

На то, что за возникновение фазового перехода в РЬ^ОеДе действительно ответственна нецентральность Се, указывает целый ряд необычных свойств этого смешанного кристалла. Во-первых, в РЬ,. хСехТе очень резко увеличивается температура фазового перехода при увеличении концентрации Бе, достигая значений Тс я 200 К при х = 0.1; во-вторых, температурная зависимость диэлектрической проницаемости отличается от закона Кюри - Вейсса. Кроме того, без привлечения концепции о нецентральности йе нельзя объяснить и особенности электропроводности.

В литературе показано, что РЬ^ОеДе относится к кристаллам с нецентральными примесями, которые являются весьма перспективными объектами для изучения кооперативных явлений в неупорядоченных системах дипольных частиц. Однако к настоящему времени и в теории, и в эксперименте сделаны лишь первые шаги. Поэтому представляют интерес экспериментальные исследования РЬ).хСехТе с целенаправленным поиском проявления кооперативных эффектов в диэлектрических свойствах этих веществ.

Целью диссертационной работы является исследование свойств РЬ! -хСехТе, обусловленных наличием сегнетоэлектрического фазового перехода и спонтанной поляризации, и явлений, обусловленных проявлением кооперативных эффектов.

В качестве объекта исследования были выбраны поликристаллические образцы РЬьхСехТе(Оа) с содержанием Бе 2, 3, 5 а1% и ва 11.5 аХ%.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать методику исследования диэлектрических свойств сегнетоэлектриков - полупроводников в частотном диапазоне 103-107 Гц.

2. Исследовать температурно-частотную зависимость комплексной диэлектрической проницаемости РЬЬхСехТе(Оа) вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода.

3. Изучить влияние содержания ве на температуру фазового перехода и диэлектрические свойства РЬ^хОехТе.

4. Сопоставить полученные экспериментальные результаты с теоретическими оценками и результатами работ других авторов.

Научная новизна.

Впервые обнаружено, что для РЬ(-хСехТе(Са) не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода Т„ но и абсолютное значение с существенно растет с ростом содержания ве. Впервые выделены и исследованы релаксационные потери в РЬ1_хОехТе(Са).

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Для РЬЬхСехТе(Оа) (*=0.02; 0.03; 0.05) в интервале температур 77-

180 К не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс, но е' существенно растет с ростом содержания ве.

2. В составах РЬЬхОехТе(Са) на температурной зависимости диэлектрической проницаемости наблюдаются два пика: при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и добавочный при Т\ >ТС, обусловленный кооперативным эффектом.

3. Увеличение концентрации свободных носителей для РЬ1_хОехТе(Оа) приводит к уменьшению е', увеличению е" и снижению температуры сегнетоэлектрического фазового перехода.

4. Наличие спонтанной поляризации в РЬо.<иСео.о5Те(Оа) ниже фазо-

вого перехода ведет к появлению полярных компонент термотока.

Эти компоненты пропорциональны вектору спонтанной поляриза-

ции и не зависят от направления температурного градиента.

Практическая и научная значимость.

В практическом плане внимание исследователей к соединениям группы А4В6 связано с наличием ряда особых физических свойств, позволяющих успешно использовать эти материалы при изготовлении термоэлектрических преобразователей энергии, фотоприемников, туннельных диодов и других приборов.

В теоретическом плане эти вещества интересны тем, что в них наиболее сильно проявляется влияние электронных параметров на сег-нетоэлектрические свойства и сегнетоэлектрических на электронные. При разработке и эксплуатации приборов на основе Pbj-xGexTe должна быть учтена зависимость электрофизических свойств этих материалов от примесей, температуры и частоты.

Значимость результатов, полученных в диссертации, состоит в том, что они существенно расширяют сведения о температурно-частотной зависимости диэлектрической проницаемости и уточняют представления о влиянии Ge на сегнетоэлектрические свойства Pbi_xGexTe, что является важным как в общефизическом плане, так и в плане конкретных приложений.

Апробация работы.

Основные результаты диссертации докладывались на: VI Международной конференции «Реальная структура и свойства ацентрич-ных кристаллов» (Александров, 2003); IX Российско-Китайском Симпозиуме «Новые материалы и технологии» (Астрахань, 2007); XI Международной конференции по физике диэлектриков (Санкт-Петербург, 2008); Всероссийском семинаре "Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках" (Тверь, 2002); региональных научных конференциях "Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование" (Владивосток, 2003, 2007); региональной школе-симпозиуме «Физика и химия твердого тела» ДВО РАН, АНЦ (Благовещенск, 2003); VIII межрегиональной научно-практической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов (г. Нерюнгри,

2007); Девятой региональной межвузовской научно-практической конференции «Молодежь XXI века: шаг в будущее» (Благовещенск,

2008).

По теме исследования опубликовано 10 статей, из них 3 в журналах, входящих в списки ВАК.

Объем работы и её структура.

Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения, включает 5 таблиц, 36 рисунков и библиографию из 192 наименований.

Общийобъём диссертации -109 стр. машинописного текста.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснованы выбор направления и актуальность проведенных исследований. Сформулированы цель и задачи работы, указаны новизна и практическая значимость полученных результатов, приведены основные положения, выносимые на защиту.

Первая глава «Сегнетоэлектрики-полупроводники А4В6» носит обзорный характер. В ней анализируются существующие в настоящее время теоретические подходы к описанию структурных фазовых переходов в сегнетоэлектриках-полупроводниках, а также механизмы влияния примесей и свободных носителей на параметры сегнетоэлек-трического кристалла.

Элементарная ячейка кристаллической решетки А4В6 содержит по одному атому каждого из компонентов, так что на одну элементарную ячейку приходится 10 валентных электронов. Экстремумы зоны проводимости и валентной зоны расположены в - точках зоны Брил-люэна. Более того, многочисленные экспериментальные факты свидетельствуют о том, что симметрия электронных состояний в ближайших экстремальных точках пустой и заполненной зон описывается

одномерными (без учета спина) спинорными представлениями Ь+6 и Ц группы Д«.

Под электронным спектром здесь понимается конфигурация энергетических зон в к - пространстве, определяющая зависимость энергии электрона от импульса, эффективную массу, подвижность и ширину запрещенной зоны Ек.

Расчёты показывают, что неадиабатические поправки к частотам нормальных колебаний кристаллической решетки определяются отношением со,/Ее где ю, - характерная фононная частота, а Ея- средняя ширина запрещенной зоны, и, таким образом, влияние электронной подсистемы будет увеличиваться по мере уменьшения ширины запрещенной зоны.

Для узкощельных полупроводников - сегнетоэлектриков РЬТе, БпТе, веТе {Ег= 0.2 ч- 0.4 эВ)

Е [Ё2

где Б2 = т* - масса на дне зоны.

Свободные носители в этих соединениях возникают, главным образом, за счет нестехиометрии. Электроны и дырки, которые находятся в долине [111], описываются двухзонной моделью. Для описания законов дисперсии используются простая параболическая модель или непараболические модели Кейна и Коэна. Для РЬТе эффективная масса в вершине зоны ~ 0.02то и анизотропия К = т/т, -10. Область применимости данных моделей ограничивается концентрацией носителей п, р < 1019 sm"3.

Исследование электропроводности в области фазового перехода в твердых растворах Pbi_xGexTe в сегнетофазе показало зависимость подвижности от диэлектрической проницаемости. При Т < Тс наблюдается резкое падение электропроводности, предполагающее переход от зонного к прыжковому механизму электропроводности.

Введение галлия приводит к возникновению в запрещенной зоне РЬТе глубокого уровня ян-теллеровского типа, расположенного примерно на 70 meV ниже дна зоны проводимости. В то же время есть экспериментальные данные, указывающие на возможность существования мелкого метастабильного уровня, индуцированного галлием, под дном зоны проводимости.

Соединения РЬТе, SnTe, GeTe являются простейшими двухатомными сегнетоэлектриками, для которых параметр порядка представляет собой просто относительное смещение двух атомов в элементарной ячейке.

В этих веществах наиболее сильно проявляются эффекты, связанные с электроп-фононным взаимодействием. Имеется ряд экспериментальных фактов по зависимости температуры Кюри от концентрации свободных носителей. Однако исследование других сегнетоэлек-трических характеристик, таких как Ps, е , затруднено наличием высокой проводимости.

Первые диэлектрические измерения в кристаллах Pb,_xGexTe (с х = 0.03, 0.045 и 0.06) были проведены на /?-л-переходах. На температурной зависимости емкости С(Т) при температуре, близкой к температуре фазового перехода, определенной из рентгеновских исследований, наблюдался резкий пик. При подаче на р-и-переход обратного смещения U пик уменьшался по амплитуде и смещался в сторону белее высоких температур, при прямом смещении пик увеличивался и сдвигался в сторону низких температур.

Измерения решеточной диэлектрической проницаемости в полупроводниках группы А4В6 с помощью традиционных методов можно провести только на высокоомных кристаллах или керамических образцах, которые удается получить путем легирования А4В6 элемен-

тами III группы. Исследование комплексной диэлектрической проницаемости РЬ^ОеДеСва) вблизи фазового перехода на частоте ~106 проводилось в работах [3].

Исследование фазового перехода в соединениях группы А4Вб показало, что хотя в ряде из них (БпТе, РЬ1_х8пхТе) фазовые переходы могут быть удовлетворительно описаны в рамках теории, предполагающей сильное электрон-фононное взаимодействие, однако некоторые свойства твердого раствора такого, как РЬ^хСехТе (теплопроводность, концентрационная зависимость температуры фазового перехода и др.), не укладываются в рамки этой модели. Для объяснения этих отличий Ю.А. Логачев, Б.Я. Мойжес предположили, что положение атомов Се в узлах РЬ в решетке РЬТе неустойчиво, и атомы ве, немного смещаясь из узлов, становятся нецентральными.

Возникновению нецентральности ве способствует большая разница ионных радиусов и поляризуемостей замещающих атомов. Уже в первых работах отмечалось, что в ионных кристаллах нецентральное положение атомов малого радиуса становится возможным в результате нарушения баланса между силами поляризации и силами отталкивания.

Как показали исследования ряда авторов, РЬ^СеДе относится к кристаллам с нецентральными примесями, которые являются весьма перспективными объектами для изучения кооперативных явлений в неупорядоченных системах дипольных частиц. Особый интерес представляет то, что РЬ1.хСехТе относится к сильно поляризуемым кристаллам с нецентральными ионами, в которых при низких температурах должен существовать концентрационный фазовый переход ди-польное стекло - сегнетоэлектрик. Однако к настоящему времени и в теории, и в эксперименте сделаны лишь первые шаги. Поэтому представляются весьма актуальными экспериментальные исследования РЬ,_хСехТе для целенаправленного поиска проявления кооперативных эффектов в диэлектрических свойствах этих веществ.

Во второй главе «Методика измерения электрических свойств сегнетоэлектриков-полупроводников» приводятся описание и характеристики используемых приборов и методик для исследования свойств сильно проводящих веществ.

Для исследования диэлектрических свойств вблизи фазового перехода наиболее перспективны твердые растворы РЬ(.хСехТе с содержанием 1-1.5 ва. В- [10] было показано, что легирование РЬ>1.хОехТе галлием приводит к возникновению глубокого примесного уровня ян-теллеровского типа, расположенного примерно на 70 теУ ниже дна зоны проводимости, что приводит к значительному падению

проводимости в области низких температур. Наличие низкой проводимости и высоких значений диэлектрической проницаемости вблизи фазового перехода позволяет определять диэлектрическую проницаемость непосредственно из ёмкости образца.

Это дает возможность провести измерения диэлектрических свойств Pb,.xGexTe(Ga) на частотах 10rV107 Hz [3]. Современные цифровые микропроцессорные измерители импеданса типа LCR-819 фирмы Good Will Instrument Co., Ltd, имея базовую точность 0.02%, позволяют производить измерения с на частоте 103 н-105 Hz даже при tg8 ~103.

В эксперименте использовались поликристаллические составы Pb,.xGexTe(Ga) с содержанием Ge 2, 3 и 5 at%. Образцы имели размеры 8x8x1 mm, в качестве электродов использовалась индий - галлие-вая паста. Измерения проводились при медленном отогреве образца после охлаждения до 77 К. Температура фиксировалась медь-константановой термопарой, вторая (опорная) термопара находилась при температуре тающего льда. Точность измерения температуры составляла ~ 0.5 К. Для измерения электрических параметров образцов использовались цифровые измерители импеданса: на частотах 103 - 105 Hz - LCR-819 и на частоте 106 Hz - Е7-12.

Измерение концентрации носителей в Pbi_xGexTe(Ga) проводилось по стандартной методике. Индукция магнитного поля В составляла 0.2-0.6 Т., ток через образец - 1-4 мА. Для устранения погрешности за счет несимметричности расположения контактов измерение разности потенциалов проводилось два раза при противоположных направлениях магнитного поля. Поскольку знак продольного падения напряжения не зависит от направления магнитного поля, а знак эде Холла при этом меняется на противоположный, то эде Холла будет равна среднему значению разности измеренных напряжений (с учетом знака).

Для исследования полярной составляющей термоэде сегнето-электриков-полупроводников была создана установка, позволяющая в автоматизированном режиме проводить измерения силы тока, напряжения, сопротивления и градиента температур на концах образца в диапазоне от 77 К до 160К.

Для измерения перечисленных параметров использовались стандартные цифровые приборы: для регистрации силы тока, напряжения и сопротивления - Щ 68003, для измерения температуры - Ф-266. В качестве устройства сопряжения с компьютером служил высокоскоростной многофункциональный адаптер ввода/вывода данных Advantech PCL-812PG.

100 т. К

Созданное программное обеспечение позволяло провести математическую и статистическую обработку результатов, давало возможность сохранять результаты измерений в базе данных и осуществлять построение графиков соответствующих функциональных зависимостей, получаемых в результате эксперимента.

В третьей главе приводятся полученные автором экспериментальные результаты по зависимости диэлектрических свойств

РЬ1.хСехТе(Оа) от температуры, частоты, содержания Ое и концентрации свободных носителей и результаты по " влиянию спонтанной поляризации на свойства данных составов. Как показали измерения, для

Pb0.95Ge0.02Te с добавкой Са 1а?/о концентрация носителей, определенная из постоянной Холла, составляла 1.8*1016 ст"3 при 300 К и 3*1014 ст"3 при 90 К. Температура фазового перехода соответствовала ~ 62 К. Выше фазового перехода в интервале 65-90 К е(Т) на частоте 106 Иг можно описать законом Кю-ри-Вейсса с постоянными С =1.1*105 К и Т0=56 К. При температуре

порядка 135-140К на низких частотах диэлектрическая проницаемость имеет максимум, с ростом частоты она уменьшается, и максимум расплывается, выше 150 К tg5 резко растет, и измерение г затруднительно. На

60 80 100 120 МО 180 ,

т к рис. 1 представлена

Рис.2 Температурная зависимость диэлекгри- температурная зави-ческой проницаемости РЬ097СеоозТе(Оа) на симость диэлектри-частотах: 103 Нг, 104 Нг, 105 Нг, 10б Нг. ческой проницаемо-

Рис. 1 Температурная зависимость диэлектрической проницаемости РЬо.адСео 02Те (С5а) на различных частотах.

9

0

; 1

0 « ! *

* »о»' ,

р

О О ° о *». „а»»''*'!".. 1

о : .

* в0 „ ' д ° а о □ а <° «

д ■ в3

■

200 180 160 140 120 lOO

40 20 О

it

60 80 100 120 140 160 180 200 Т. К

Рис.3 Температурная зависимость диэлектрической проницаемости Pb0 9sGeo osTe(Ga) на частотах 104 Hz, 105 Hz, 106 Hz.

сти РЬо.98Сео.огТе(Оа) на частотах: 1 - 104 Нг; 2 - 105 Нг; 3 - 10б Нг. Тс - температура сегнетоэлектрическо-го фазового перехода, Т, - температура аномалии в поведении е'(7) при Т > Тс. Для Pb0.97Ge0.03Te с добавкой ва 1 а1% концентрация носителей, определенная из постоянной Холла, составляет 1.8*1016сга"3 при 300 К и 2*1013 ст"3 при 77 К. При температуре 90 К наблюдается сег-нетоэлектрический фазовый переход (рис.2). Цифры на графике соответствуют разным частотам измерения: 1 - 103 Нг; 2 - 104 Ш; 3 - 105 Нг; 4- 106Нг.

Выше фазового перехода в интервале 93-105 К е(Т) на частоте 106 Нг можно описать законом Кюри-Вейсса с постоянными С = 2.2*105 К и Т0=79 К. Отличие температуры Кюри-Вейсса Т0 от температуры фазового перехода Тс свидетельствует о переходе первого рода. Для температур выше 105 К наблюдается значительное отклонение от закона Кюри-Вейсса. Как и для РЬо^СеодоТе, с имеет сильную частотную зависимость: при увеличении частоты в интервале от

104 до 10б Нг диэлектри-2 ческая проницаемость

монотонно уменьшается. Для Pb0.95Ge0.05Te с добавкой ва \вХ% концентрация носителей, определенная из постоянной Холла, составляла 2.7*1016 ст'3 при 300 К и 1.5*1014 ст"3 при 90 К. На рис.3 представлена температурная зависимость диэлектрической проницаемости РЬо.950ео.о5Те(Оа) на частотах: 1 - 104 2 - 105

Рис.4 Зависимость максимальных значений диэлектрической проницаемости от содержания Ое для Т1 и Тс

Hz; 3 - 106 Hz. Как следует из графика, увеличение содержания Ge приводит к повышению Тс и увеличению абсолютного значения г. В данном случае максимум в температурной зависимости As, обусловленный примесью Ge, и максимум, соответствующий сегнетозлектри-ческому переходу (7'с=124 К [3]), сливаются, и говорить о выполнении закона Кюри-Вейсса уже не приходится.

' Основные выводы эксперимента сводятся к тому, что во-первых, не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс, но € существенно растет с ростом содержания Ge; во-вторых, для диэлектрической проницаемости наблюдаются два пика: при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и добавочный при Г, >ТС.

Возрастание с с ростом д: в составах Pbi_xGexTe хорошо согласуется с общими представлениями о вкладе нецентральной примеси в диэлектрическую проницаемость кристалла, полученными для щелоч-но-галоидных кристаллов. При введении нецентральной примеси диэлектрическая проницаемость е увеличивается и приобретает сильную частотную зависимость. При этом диэлектрическая проницаемость уменьшается с увеличением частоты. Зависимость избыточной диэлектрической проницаемости Де = е - е„ (где е0 - диэлектрическая проницаемость чистого кристалла) прямо пропорциональна концентрации нецентральных примесей. Подобная зависимость наблюдается и для Pbi_xGexTe(Ga). На рис.4 приведена зависимость максимальных значений диэлектрической проницаемости от концентрационного содержания Ge для двух переходов: 1- (при Г = Тс) на частоте I06 Hz; 2 -(при Т- Т/) на частоте 104 Hz, откуда следует, что в области температур 77-150 К существенный вклад в е дает смещение Ge2+ относительно положения равновесия.

Учитывая, что в сегнетоэлектрике полупроводнике потери складываются из релаксационных потерь и потерь за счет сквозной проводимости, обусловленной свободными носителями, можно записать:

Рис.5 Температурная зависимость &'(Т) для РЬо970ео.озТе (Са) на частоте 106 Нг для образцов с разной концентрацией носителей.

или

£„с0

е с е, со

где первое слагаемое учитывает релаксационные потери tg8p = б"р/е', а второе - потери за счет проводимости а/г^'ю.

В эксперименте с помощью измерителя импеданса определялись емкость образца и проводимость на заданной частоте. Дополнительно производилось измерение проводимости на постоянном токе. Предполагая, что электронная составляющая проводимости не зависит от частоты, получаем формулу для е", обусловленной поляризационной составляющей:

е =

(а--®-).

е„а>

о. - удельная проводимость на постоянном токе, о. - удельная проводимость на переменном токе.

Графики зависимости г' и е" от температуры для РЬо.97Сео.<«Те(Са) с разной проводимостью (при 77 К концентрация носителей в первом образце п = 2*1013 см"3, во втором п = 6+101 см"3) приведены на рисунках 5,6. Увеличение концентрации свободных носителей приводит к уменьшению е', увеличению е" и снижению температуры сегнетоэлектрического фазового перехода.

Таким образом, поляризационные потери в РЬ0 97Сео.оэТе(Оа) больше, чем в классических сегнетоэлектриках с фазовым переходом первого рода, и увеличиваются с ростом концентрации носителей.

Причина, по-видимому, заключается в том, что в гетерополярном полупроводнике оптические колебания решетки, сопровождающиеся колебаниями диполь-ного момента, мо1ут приводить к взаимодействию электронов проводимости с оптическими фононами.

16000 14000 12000 10000 8000 6000 ■ 4000 2000 ■ О

100 Т. К

Рис.6 Температурная зависимость е"(Т) для РЬ0 97йсо озТе (ва) на частоте I О6 Нг для образцов с разной концентрацией носителей.

Вследствие этого, во-первых, понижается подвижность свободных носителей вблизи фазового перехода. Во-вторых, в уравнении движения для ионов появляется дополнительная сила «трения», пропорциональная концентрации свободных носителей заряда п. Последнее делает существенным эффект влияния свободных электронов на частоту мягкой моды, который, в свою очередь, влечёт за собой сдвиг температуры фазового перехода, изменение действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости г = е' + /с" и, соответственно,

,_ с„(а)2т -<ц~) ; с, _ или

(со2-<УгоУ +у2®2 {оуг-а>1оУ+У2Ф2

*8&е= — = Г~Г-5Т

е (о)то -ю )

Сила «трения» учитывается множителем у ~ г п, где г - коэффициент этой силы, п - концентрация свободных носителей, со2то = А(Т- Тс) - частота «мягкой» моды. Учитывая, что о>ю» и, можем записать, что потери, обусловленные затуханием «мягкой» моды выше Тс, в первом приближении будут описываться соотношением:

- _ е" __ гпсо 8 Л(Т-ТС)

В заключении данной главы исследуется термоэдс в РЦ^Сео.о/Ге в районе сегнетоэлектрического фазового перехода в зависимости от того, поляризован образец или нет. Показано, что наличие спонтанной поляризации ниже фазового перехода ведет к появлению полярных компонент термотока.

Основные результаты диссертации

Экспериментально исследованы диэлектрические свойства и термоэдс РЬ1_хСехТе(Са) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода. Получены следующие результаты:

1. Разработана методика исследования диэлектрических свойств сег-нетоэлектриков-полупроводников РЬ|-хСехТе(Са) в частотном диапазоне 102 - 107 Гц.

2. Исследована температурная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости для РЬ1-хСехТе(Са) для х = 0.02; 0.03; 0.05 в интервале температур 77- 160 К. Показано, что не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс, но £ существенно растет с ростом содержания бе.

3. Обнаружено, что для всех исследованных составов Pbi_xGexTe(Ga) на температурной зависимости диэлектрической проницаемости наблюдаются два пика: при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и добавочный при Т\ >ТС.

4. Исследована частотная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости Pbi-xGexTe(Ga) с х = 0.02; 0.03; 0.05 в диапазоне 102-106 Гц. Рассчитан tgS, обусловленный поляризационными токами. Показано, что релаксационные потери зависят от концентрации свободных носителей.

5. Исследовано поведение термоэдс для Pbo.9sGeo.o5Te(Ga). Показано, что наличие спонтанной поляризации ниже фазового перехода ведет к появлению полярных компонент термотока. Эти компоненты пропорциональны вектору спонтанной поляризации и не зависят от направления температурного градиента.

Список основных публикаций

1. Барышников C.B., Барышников A.C., Маслов В.В. Релаксационные потери в Pbi_xGexTe, легированном Ga. // Известия РАН, сер. Физическая.-2003-Т.67, №8. -С.1133-1135.

2. Барышников A.C., Барышников C.B., Санов В.В. Проявление спонтанной поляризации в Pb0.93Ge0.07Te. //Труды VI международной конференции "Кристаллы: Рост, Свойства, Реальная структура, Применение" (8-12 сент. 2003 г).- Александров: ВНИИСИМС, 2004. - С.827-830.

3. Андриянова Н.П., Барышников A.C., Барышников C.B., Стукова Е.В. Программа автоматизированного расчета диэлектрических свойств неоднородных систем //Свидетельство о регистрации отраслевой разработки - М.: ОФАП, 2007-№8074 .

4. Baryshnikov S.V., Baryshnikov A.S., Stukova E.V. Studies of dielectric properties of Pbj_xGexTe(Ga) near ferroelectric phase transition.// "Перспективные материалы" специальный выпуск (сентябрь 2007). - С.217-219.

5. Барышников A.C., Стукова Е.В. Диэлектрические аномалии в Pbi-xGexTe, вызванные фазовым переходом.// Материалы VIII межрегиональной научно-практической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов. - Нерюнгри, 2007 г. - С. 135137.

6. Барышников A.C., Санов В.В. Проявление полярной термо-ЭДС в PbxGei_xTe //Современные наукоёмкие технологии. 2007. - №6. -С.93-95.

7. Барышников С.В., Барышников А.С., Баранов А.Ф., Маслов В.В. Особенности диэлектрических аномалии в Pb!_xGexTe(Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода.//ФТТ.—2008 — Т.50,№7. -С.1270-1273.

8. Барышников А.С., Ланкин С.В. Влияние свободных носителей на диэлектрические свойства РЬ0,97Се0,0зТе(Са).//Современные проблемы науки и образования. Приложение «Физико-математические науки». -2008- №6. - С.3-4.

9. Барышников А.С., Ланкин С.В. Влияние нецентральной примеси Ge на диэлектрические свойства РЬЬхСехТе.//Ученые записки Дальневосточного государственного университета путей сообще-ния.-Хабаровск: ДВГУПС, 2008.- Т.2. - С.18-23.

10. Барышников А.С. Диэлектрические потери в сегнетоэлектрике-полупроводнике Pb0,97Ge0,03Te(Ga). //«Молодежь XXI века: шаг в будущее»: Материалы девятой региональной межвузовской научно-практической конференции. Часть 3- Благовещенск: Даль-ГАУ. - 2008. - С. 165-166.

Цитируемая литература

1. Yaraneri Н., Grassie A.D.C., Loram J.W. Coupled phase transitions in Pb,.xGexTe //Lect. Notes in Phys.- 1982.-V.152,- P.270-274.

2. Epifanov Yu.N., Levanyuk A.P., Levanyuk G.M. Interaction of carriers with to-phonons and electrical conductivity of ferroelectrics // Fer-roelectrics. 1981.-V.35.-P. 199-202.

3. Maslov V.V., Baryshnikov S.V., Copelevich Ya.V. Photostimulated phase transition shift in a narrow gap ferroelectric-semiconductor //Ferroelectrics. 1982.-V.45.- P.51-54.

4. Katayama S., Murase K. Role of local displacement of Ge ions on structural instability in Pb,.xGexTe //Sol. State Comm. N8 -1980. -V.36.- P.707-711.

5. Гиршберг Я.Г., Тамарченко В.И. Неустойчивость и фазовый переход в системах с межзонным взаимодействием //ФТТ. -1976. -Т.18, №4 - С.1066 -1072.

6. Sakai К. Vibronic theory of a structural phase transition and a tricriti-cal point in IV-VI compounds //Phys.Rev В.- 1986.-V.34,- P.8019 -8037.

7. Логачев Ю.А., Мойжес Б.Я. Фазовый переход в твердом растворе с нецентральными примесями (Pb[.xGexTe). // ФТТ,- 1977,- Т.19, №.9.-С. 1793-1795.

БАРЫШНИКОВ Александр Сергеевич

Особенности диэлектрических аномалий РЬьх0еДе(Са) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода

(01.04.07 - физика конденсированного состояния)

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Лицензия ЛР № 040326 от 19 декабря 1997 г.

Подписано к печати Формат бумаги 60х 84 1/16 Бумага тип. N1 уч.-изд. л. 1 Тираж 100 экз._Заказ № 2471

Издательство Благовещенского государственного педагогического университета.

Тииография Благовещенского гос.пед. университета 675000, Амурская обл., г.Благовещенск, Ленина, 104.

Введение.

Глава 1 Сегнетоэлектрики-полупроводники А4В6 (Литературный обзор)

1.1 Электронные свойства полупроводников А4В6.

1.2 Влияние примеси галлия на электрические свойства сплавов Pfc>ixGexTe.

1.3. Сегнетоэлектрические свойства соединений А4В6 и их связь с электронными параметрами.

1.4. Исследование диэлектрических свойств соединений А4В6.

1.5 Кооперативные явления, вызванные нецентральными примесями в PbixGexTe.

1.6 Проявление спонтанной поляризации в сегнетоэлектриках-полупроводниках.

Глава 2. Методика измерения электрических свойств сегнетоэлектриков-полу проводников.

2.1 Низкочастотные измерения комплексной диэлектрической проницаемости.

2.2. Функциональные возможности и принципы программирования

Advantech PCL-812PG.

2. 3. Метод двух измерений для исследования диэлектрических свойств полупроводников в автоматизированном режиме.

2. 4 Установка для исследования полярной составляющей термо-ЭДС сегнетоэлектриков-полупроводников.

Глава 3. Свойства Pb!xGexTe (Ga), связанные с проявлением сегнетоэлектрического фазового перехода.

3.1 Особенности диэлектрических аномалий PbixGexTe (Ga) в районе сегнетоэлектрического фазового перехода.

3.2 Диэлектрические потери в сегнетоэлектрике-полупроводнике PbbxGexTe (Ga).

3.3 Проявление спонтанной поляризации в Pbo^sGeo.osTe.

Соединения А4Вб, к которым относится Pb]xGexTe, представляют собой полупроводники с узкой запрещенной зоной (Eg~ 0.2-Ю.4 eV), в то же время они являются сегнетоэлектриками. Особенности физических свойств Pb]xGexTe вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода были исследованы различными методами, включая измерения теплоемкости [1,10], электропроводности [2], диэлектрической проницаемости [3,4], комбинационного рассеяния [8]. Детальное изучение фазовых переходов в сегнетоэлектри-ках А4Вб показало, что хотя в ряде из них (SnTe, Pb!xSnxTe) фазовые переходы могут быть удовлетворительно описаны в рамках теории, предполагающей сильное электрон-фононное взаимодействие [5,6], однако, свойства PbixGexTe не укладываются в рамки этой модели. Для объяснения этих отличий в [112] было предположено, что положение атомов Ge в узлах решетки РЬТе неустойчиво и атомы Ge, смещаясь из узлов, становятся нецентральными. Позднее в работе [7] при изучении тонкой структуры спектров рентгеновского поглощения (EXAFS) в области К-края поглощения Ge и L-края РЬ на синхротронном излучении было установлено, что как ниже, так и выше Тс атомы Ge смещены из узлов в направлении <111>, а величина смещения составляет —0.8А.

На то, что за возникновение фазового перехода в Pb].xGexTe действительно ответственна нецентральность Ge, указывает целый ряд необычных свойств этого смешанного кристалла. Во-первых, в Pb]xGexTe очень резко увеличивается температура фазового перехода при увеличении концентрации Ge, достигая значений Тс « 200 К при х = 0.1; во-вторых, температурная зависимость диэлектрической проницаемости отличается от закона Кюри - Вейс-са [4]. Кроме того, без привлечения концепции о нецентральности Ge нельзя объяснить и особенности электропроводности [2].

В литературе показано, что Pbi.xGexTe относятся к кристаллам с нецентральными примесями, которые являются весьма перспективными объектами для изучения кооперативных явлений в неупорядоченных системах ди-польных частиц. Однако к настоящему времени и в теории, и в эксперименте сделаны лишь первые шаги. Поэтому представляют интерес экспериментальные исследования PbixGexTe с целенаправленным поиском проявления кооперативных эффектов в диэлектрических свойствах этих веществ.

Целью диссертационной работы является исследование свойств Pbi-xGexTe, обусловленных наличием сегнетоэлектрического фазового перехода и спонтанной поляризации, и явлений, обусловленных проявлением кооперативных эффектов.

В качестве объекта исследования были выбраны поликристаллические образцы Pb]xGexTe(Ga) с содержанием Ge 2, 3, 5 ат% и Ga. 1-1.5 ат%.

Для достижения указанной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. Разработать методику исследования диэлектрических свойств сегнето

3 7 электриков - полупроводников в частотном диапазоне 10-10 Гц.

2. Исследовать температурно-частотную зависимость комплексной диэлектрической проницаемости Pb]-xGexTe(Ga) вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода.

3. Изучить влияние содержания Ge на температуру фазового перехода и диэлектрические свойства Pbj-xGexTe.

4. Сопоставить полученные экспериментальные результаты с теоретическими оценками и результатами работ других авторов.

Научная новизна

Впервые обнаружено, что для Pbi-xGexTe(Ga) не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс, но и абсолютное значение s существенно растет с ростом содержания Ge. Впервые исследованы и выделены потери, обусловленные сквозной проводимостью и релаксационными потерями.

Основные положения, выносимые на защиту

1. Для PbixGexTe(Ga) (х=0.02; 0.03; 0.05) в интервале температур 77- 180 К не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс, но в' существенно растет с ростом содержания Ge.

2. В составах Pb!xGexTe(Ga) на температурной зависимости диэлектрической проницаемости наблюдаются два пика: при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и добавочный при Т\ > Тс> обусловленный кооперативным эффектом.

3. Увеличение концентрации свободных носителей для PbixGexTe(Ga) приводит к уменьшению в', увеличению в" и снижению температуры сегнетоэлектрического фазового перехода.

4. Наличие спонтанной поляризации в Pb0.95Ge0.o5Te(Ga) ниже фазового перехода ведет к появлению полярных компонент термотока. Эти компоненты пропорциональны вектору спонтанной поляризации и не зависят от направления температурного градиента.

Практическая и научная значимость

В практическом плане внимание исследователей к соединениям группы А4В6 связано с наличием ряда особых физических свойств, позволяющих успешно использовать эти материалы при изготовлении термоэлектрических преобразователей энергии, фотоприемников, туннельных диодов и других приборов.

В теоретическом плане эти вещества интересны тем, что в них наиболее сильно проявляется влияние электронных параметров на сегнетоэлектриче-ские свойства и сегнетоэлектрических на электронные. При разработке и эксплуатации приборов на основе Pbi-xGexTe должна быть учтена зависимость электрофизических свойств этих материалов от примесей, температуры и частоты.

Значимость результатов, полученных в диссертации, состоит в том, что они существенно расширяют сведения о температурно-частотной зависимости диэлектрической проницаемости и уточняют представления о влиянии

Ge на сегнетоэлектрические свойства PbixGexTe, что является важным как в общефизическом плане, так и в плане конкретных приложений.

Апробация работы

Основные результаты диссертации докладывались на: VI Международной конференции «Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов» (Александров, 2003); IX Российско-Китайском Симпозиуме «Новые материалы и технологии» (Астрахань, 2007); XI Международной конференции по физике диэлектриков (Санкт-Петербург, 2008); Всероссийском семинаре "Процессы переключения в сегнетоэлектриках и сегнетоэластиках" (Тверь, 2002); региональных научных конференциях "Физика: фундаментальные и прикладные исследования, образование" (Владивосток, 2003, 2007); региональной школе-симпозиуме «Физика и химия твердого тела» ДВО РАН, АНЦ (Благовещенск, 2003); VIII межрегиональной научно-практической конференции молодых ученых, аспирантов и студентов (Нерюнгри, 2007); IX региональной межвузовской научно-практической конференции «Молодежь XXI века: шаг в будущее» (Благовещенск, 2008).

По теме исследования опубликовано 10 статей, из них 3 в журналах, входящих в списки ВАК.

Объем работы и её структура

Диссертация состоит из введения, трех глав и заключения, включает 5 таблиц, 36 рисунков и библиографию из 192 наименований. Общий объём диссертации - 109 стр. машинописного текста.

Заключение

В работе экспериментально исследованы диэлектрические свойства

Pb]-xGexTe (Ga) и термо-ЭДС в районе сегнетоэлектрического фазового перехода. Получены следующие результаты.

1. Разработана методика исследования диэлектрических свойств сегнетоэлек-триков-полупроводников PbixGexTe (Ga) в частотном диапазоне 102 - 107 Гц.

2. Исследована температурная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости для Pbi-xGexTe (Ga) для х = 0.02; 0.03; 0.05 в интервале температур 77- 160 К. Показано, что не только температура сегнетоэлектрического фазового перехода Тс, но е существенно растет с ростом содержания Ge.

3. Обнаружено, что для всех исследованных составов Pb].xGexTe (Ga) на температурной зависимости диэлектрической проницаемости наблюдаются два пика: при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода Тс и добавочный при Т] >ТС.

4. Исследована частотная зависимость комплексной диэлектрической проницаемости PbixGexTe (Ga) сх = 0.02; 0.03; 0.05 в диапазоне 102-106Гц. Рассчитан tg5, обусловленный поляризационными токами. Показано, что релаксационные потери зависят от концентрации свободных носителей.

5. Исследовано поведение термо-ЭДС для Pb0.95Ge0.05Te (Ga). Показано, что наличие спонтанной поляризации ниже фазового перехода ведет к появлению полярных компонент термотока. Эти компоненты пропорциональны вектору спонтанной поляризации и не зависят от направления температурного градиента.

1. Yaraneri Н., Grassie A.D.C., Loram J.W. Coupled phase transitions in Pbi.xGexTe //Lect. Notes in Phys.- 1982.-V.152.- P.270-274.

2. Epifanov Yu.N., Pevanyuk L.A., Levanyuk G.M. Interaction of carriers with to-phonons and electrical conductivity of ferroelectrics // Ferroelectrics.1981. -V.35 P.199-202.

3. Maslov V.V., Baryshnikov S.V., Copelevich Ya.V. Photostimulated phase transition shift in a narrow gap ferroelectric-semiconductor //Ferroelectrics. —1982.-V.45.- P.51-54.

4. Katayama S., Murase K. Role of local displacement of Ge ions on structural instability in Pbi.xGexTe //Sol. State Comm. N8 -1980. -V.36.-P.707-711.

5. Гиршберг Я.Г., Тамарченко В.И. Неустойчивость и фазовый переход в системах с межзонным взаимодействием //ФТТ. -1976. Т. 18, №4-С.1066 -1072.

6. Sakai К. Vibronic theory of a structural phase transition and a tricritical point in IV-VI compounds //Phys.Rev В.- 1986.-V.34.- P.8019-8037.

7. Islam Q.T., Bunker B.A. Ferroelectric Transition in Pb.xGexTe: Extended X-Ray-Absorption Fine-Structure Investigation of the Ge and Pb Sites // Phys. Rev. Lett.- 1987.-V.59.-P.2701-2704.

8. Rong Lu, Muneaki Hase, Masahiro Kitajima, Shinichi Nakashima, and Shunji Sugai.Ultrafast critical dynamics of a ferroelectric phase transition in PbixGexTe//Phys. Rev.-2007.-B 75.-P.012107-012111.

9. Бушмарина Г.С., Грузинов Б.Ф., Драбкин И.А., Лев Е.Я., Нельсон И.В. О стабилизации уровня Ферми в сплавах PbixGexTe, легированных Ga //ФТП. 1977.-T.il, №10. - С.1874 -1881.

10. Lombardo G., Pohl R.O. Electrocaloric Effect and a New Type of Impurity Mode // Phys. Rev. Lett.- 1965-V.l5-P.291-293.

11. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении халькогенидов свинца РЬТе, PbSe, PbS. М.: Наука, 1968.-361с.

12. Абрикосов Н.Х., Шелимова JI.E. Полупроводниковые материалы на основе соединений AIVBVI. -М.: Наука, 1975. 195с.

13. Соболев В.В. Собственные энергетические уровни соединений A1VBVI-Кишенев: Штиинца, 1981. 284с.

14. Коржуев М.А. Теллурид германия и его физические свойства М.: Наука, 1986. -103с.

15. Lovett D. Semimetals and narrow bandgap semiconductors // L. Pion. Imt.-1977.-P.256.

16. Смит P. Полупроводники /Перевод с английского под редакцией Н.А. Ленина. М.: Мир, 1982. - 589с.

17. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. М.: Наука, 1972.-640с.

18. Herman F., Kortum R.L., Otenburger I.B., van Dyke J.P. Relativistic band structure of Ge, PbTe, PbSe and PbS //J. Phys. 1968. - V.29, suppl. 11/12 . -P.C4-64 - C4-77.

19. Otenburger I.B., Rudge W.E. Band structure of the rhombohedrally distorted form of GeTe //Bull. Amer. Phys. Soc. 1973. - V18, №3.-P.323BF8.

20. Cohen M.L., Falicov L.M., Golin S. Crystal chemistry and band structures of the group V semimetals and the IV-VI semiconductors //IBM J. Res. and Develop. 1964. - V.8, 17. - P.215 -223.

21. Tung Y.W., Cohen M.L. Relativistic band structure and electronic properties of SnTe, GeTe and PbTe //Phys. Rev. 1969. - V. 180, №3. - P.823-826.

22. Cohen M.L., Tung Y.W. Relativistic band structure of IV—VI compounds //J. Phys. 1968. - V.29, suppl. 11/12. -P.64-78.

23. Poladoglou H.M., Teodonou G., Economou N.A. Band structure of cubic and rhombohedral GeTe //Lect. Notes. Phys. 1982. - №152. - P.221-225.

24. Коломеец H.B., Лев Е.Я., Сысоева JI.M. Электрические свойства и модель валентной зоны GeTe //ФТТ. 1964. - Т.6, №3. - С.706-713.

25. Levis J.E. Optical properties and energy gap of GeTe from reflectance studies // Phys. Stat. Sol. (b). 1973. - V.59, №1. - P.367-377.

26. Yamanaka S., Ogawa S., Morimoto I., Ueshima Y. Electronic structures and optical properties of GeTe and Ge2Sb2Te5 //Jap. Jour. App. Phys. Part 1. -1998.-V.37.-P.3327-333.

27. Вишняков Е.М., Зломанов В.П., Яценко О.Б. Фотопроводимость кристаллов PbixSnxTe, выращенных из пара //ФТП. -1978. — Т. 12, №6. -С.121-1214.

28. Анисимов Б.Б., Джамагидзе Ш.З., Швангирадзе P.P. Оптическая эффективная масса дырок в а и у -GeTe //ФТП. 1981. - Т.15, № 8. - С.1585-1588.

29. Conklin J.B., Johnson L.E. and Pratt G.W. Energy Bands in PbTe //Phys. Rev. A. 1965.-V.137.-P.1282

30. Консин П.И. Температурная зависимость ширины запрещенной зоны и электронных спектров сегнетоэлектриков-полупроводников AIVBVI //ФТТ. 1982. - Т.24, №5. - С.1321-1327.

31. Яфесов A.M. Электрофизические свойства поверхностей PbTe и (PbSn)Te //ФТП. 1994. - Т.28, №4. - С.619-624.

32. Лашкарев Г.В., Кикодзе P.O., Бродовой А.В. Магнитная восприимчивость и зонный спектр узкощелевых твердых растворов Pbj.xSnxTe (х = 0,18) //ФТП.-1978.-Т12, №6. С.1066-1073.

33. Аверкин А.А., Гуриева Е.А., Ефимова Б.А., Стильбанс JI.C. Исследования твердых растворов на основе РЬТе при всестороннем давлении //ФТП.- 1978.-Т12, №6.-0.1144-1148.

34. Зломанов В.П., Лихтер А.И., Пель Э.Г., Тананаева О.И. Электрические свойства монокристаллов PbxSn^Te при высоком давлении //ФТП. -1975. Т.9, №7. - С.1396-1398.

35. Акимов Б.А., Рябов Л.И., Яценко О.Б., Чудинов С.М. Перестройка энергетического спектра в сплавах Pb.xSnxTe с примесью In при изменении их состава под давлением //ФТП. -1979. Т. 13, №4. - С.752-759.

36. Аверкин А.А., Кайданов В.И., Мельник Р.Б. О природе примесных со- . стояний в теллуриде свинца //ФТП. 1971. - Т.5, №1. - С.91-95.

37. Narrow Gap Semiconductors edited by J. Kono //Proceed, of the 12 Int. Conf. Toulouse, Francis, 2006. - 650p.

38. Скипетров Е.П., Некрасов A.H., Пелехов Д.В., Рябова Л.И., Сидоров В.И. Электрофизические и фотоэлектрические свойства PbTe(Ga), облученного электронами //ФТП. -1994. -Т.28, №9. С. 1626 -1635.

39. Абромян Ю.А., Гавриленко В.И., Красильник З.Ф., Козлов И.Н., Сераго В.И., Стафеев В.И. Фотопроводимость PbjxSnxTe(In) в миллиметровой области спектра //ФТП. -1994. Т.28, №3. - С.533 -538.

40. Немов С.А., Мусихин С.Ф., Попов В.В., Прошин В.И., Шамшур Д.В. Сверхпроводящие и электрофизические свойства тонких пленок Sn,.xGexTe: 1п//ФТТ. 1995. -Т.37, №11. - С. 3366 -3373.

41. Алтухов В.И. Теория аномальной проводимости сегнетоэлектриков . полупроводников AIVBVI //ФТТ. - 1984. - Т.26, №11.- С.3426-3431.

42. Katayama S. Anomalous resistivity in structural phase transition of IV VI compound//Sol. State Communs. - 1970. - V.19. - P.381-383.

43. Takaoka S., Murase К. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb, Ge, Sn)Te alloy semiconductors // Phys. Rev. B. 1979. -V.20. -P.2823-2833.

44. Немов С.А., Равич Ю.И., Прошин Т.Г., Абайдулин Т.Г. Явления переноса в твердом растворе (РЬ0.78$п0.22)о.971по.озТе в области прыжковой проводимости //ФТП. 1998. - Т.32, №3. -С.311-314.

45. Гришечкина С.П., Воронова И.Д. Электропроводность Pb07sSn022Te и Pb.xGexTe «-типа в сегнетоэлектрической области //ФТТ. 1995. - Т.37, №9. - С.2732 -2744.

46. Акимов В.В., Лебедев А.И., Рябов Л.И. Изменение зонной структуры в PbTe,.xSx при фазовом переходе //ФТТ. 1993. - Т.35, № 1.- С.169-172.

47. Виноградов B.C., Кучеренко И.В. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов Pbi.xSnxTe (х = 0,25) //ФТТ. 1991. - Т.ЗЗ, № 9. С.2572-2578.

48. Лебедев А.И., Случинская И.А. Влияние легирующих примесей на сегнетоэлектрические переходы в PbixSxTe и Pb(.xGexTe //ФТТ. 1993. -Т.35, №3. - С.629-635.

49. Лебедев А.И., Случинская И.А., Демин В.Н., Манро И. Нецентральность примесных атомов РЬ и Sn, индуцированная сильным локальным напряжением в решетке GeTe //ЖЭТФ. 1996. - Т.63, №8. - С.601-604.

50. Лебедев А.И., Случинская И.А., Демин В.Н., Манро И. Исследование методом EXAFS-спектроскопии влияния примесей на фазовый переход в GeTe //Изв. РАН. Сер. физ. 1996. - Т.60, №10. - С.46-52.

51. Леванюк А.П., Осипов В.В., Сигов А.С., Собянин А.А. Изменение структуры дефектов и обусловленные ими аномалии свойств веществ вблизи точек фазовых переходов //ЖЭТФ. 1979. - Т.76, №1. - С.345-368.

52. Скипетров Е.П., Зверева Е.А., Белоусов В.В., Скипетрова Л.А., Слынько Е.И. Глубокий уровень галлия в сплавах РЬ^ОеДеУ/ФТП. 2000.-Т.34.-вып. 8. - С.932-934.

53. Akimov B.A., Dmitriev A.V., Khokhlov D.R., Ryabova L.I. Carrier Transport and Non-Equilibrium Phenomena in Doped PbTe and Related Materials //Physica Status Solidi (a).-1993.- V.137.- Issue 1.- P.9-55.

54. Belogorokhov A.I., Ivanchik I.I., Khokhlov D.R., Ponomarev. S.Brazil. Глубокий уровень галлия в сплавах Pb Ge Те // J. Phys—1996- V.26 — P.308.

55. Бушмарина Г.С., Драбкин И.А., Квантов М.А., Квятковский О.Е. Магнитная восприимчивость в слабом магнитном поле и строение валентной зоны теллурида олова. НФТТ.- 1990. Т.32, №10.- С.2869-2880.

56. Feit Z., Eger D., Zemel A. Quasilocal impurity states in PbixSnxTe and PbSe0.o8Te0.92 liquid-phase epitaxial layers doped with group-Ill elements //Phys. Rev. B.-1985. -V. 31.-P. 3903-3909.

57. Акимов Б.А., Албул A.B., Иванчик И.И., Рябова Л.И., Слынько Е.И., Хохлов Д.Р. Влияния легирования галлием на свойства твердых растворов PbixGexTe. //ФТП. 1993.-Т.27. - С. 351-354.

58. Лебедев А.И., Абдуллин X.A. Исследование электрических свойств Pbj. ^GevTe с примесью индия в области фазового перехода // ФТП.-1984-Т.18 С.624-627.

59. Lebedev A.I., Michurin A.V., Sluchinskaya I.A., Demin V.N., Munro I.H. EXAFS and electrical studies of new narrow-gap semiconductors: InTeixSex and InixGaxTe. //J. Phys. Chem. Sol. -2000. -V.61.-P.2007

60. Antcliffe G.A., Chapman R.A. Diffused junction photovoltaic infrared detectors using Pb,.xGexTe with 0.05<x<0.11 //Appl. Phys. Lett.-1975.-V.26.-P.576-577.

61. Акимов Б.А., Прядун В.В., Рябова Л.И., Хохлов Д.Р. Импеданс твердых растворов на основе теллурида свинца, легированного галлием // ФТП. — 2004—Т. 38, вып. 3.- С.293-295.

62. Онопко Д.Е., Рыскин А.И. Структура метастабильных центров атомов III группы в кристаллах IV-VI. // ФТП. -2000.-Т. 34, вып. 3.- С.270-274.

63. Равич Ю.М., Немов С.А. Прыжковая проводимость по сильно локализованным примесным состояниям индия в РЬТе и твердых растворах на его основе// ФТП.-2002—Т. 36, вып. 1С.3-23.

64. Скипетров E.JL, Зверева Е.А., Скипетрова JI.A., Волкова О.С., Слынько Е.М. О стабилизации уровня Ферми в сплавах на основе теллурида свинца, легированных галлием // ФТП. -2002.-Т. 36, вып. 7 С.37-40.

65. Долженко Д.Е., Демин В.Н., Иванчик И.И. Хохлов. Неустойчивость DX-подобных примесных центров в РЬТе(Са) при отжиге // ФТП 2002Т. 34, вып. 10,-С. 1194-1196.

66. Кайданов В. И., Тавич Ю.И. Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI//У ФН.-1985.-Т. 145, вып. 1.- С.51-83.

67. Xing Gao and Murray S. Daw. Investigation of band inversion in (Pb,Sn)Te alloys using ab initio calculations.//Phys. Rev. 2008 - В 77. - P.033103

68. Kerstin Hummer, Andreas Griineis, and Georg Kresse. Structural and electronic properties of lead chalcogenides from first principles.//Phys. Rev-2007-В 75.-P.195211

69. Sawada Y., Burstein E., Carter D.L., Testardi L. Magneto-optical study of PbTe at microwave frequencies. Plasma effects in solids.// Dunod. Paris-1964.-P.71.

70. Cochran W., Cowley R.A., Dolling G., Eicomb M.M. The crystal dynamics of lead telluride //Proc. Roy. Soc. 1966. - V.A293. - P.433-451.

71. Powley G.S., Cochran W., Cowley R.A., Dolling G. Diotomic ferroelectrics //Phys. Rev. Lett.- 1966. -V.17. -P.753-755.

72. Powley G.S. Evidence of ferroelectricity in IV—VI compounds //J. Phys. -1968. -V.29, №11/12. — P.C4-145-C4-150.

73. Goldak J., Barret C.S., Innes D., Youdelis W. Structure of alpha GeTe //J. Chem. phys. 1966. - V.41. - P.3323-3325.

74. Iizumi M., Hamaguchi D.F., Kamatsubara S., Kato Y. Phase transition in SnTe with low carrier concentration //J. Phya. Soc. Jap. 1975. — V.38. -P.443-449.

75. Akiko Natori. Displacive phase transition in narrow-gap semiconductors //J. Phys. Soc. Jap.- 1976.- V.40, №1.-P.163-171.

76. Sugai M., Murase K., Katayama S., Takaoka S., Kawamura H. Carrier density dependence of soft TO-phonon in SnTe by Raman scattering //Sol. State. Communs. 1977. - V.24. -P.407-409.

77. Kinch M.A., Buss D.D. Far IR determination of the transverse optic lattice mode in PbTe at low temperature //Sol. State Communs. 1972. - V.ll. -P.319-322.

78. Muldawer L. New studies of the low temperature transformation in SnTe //J. Nonmetals. 1973. - №1. - P. 177-182.

79. Браташевский Ю.А., Прозоровский В.Д., Харионовский Ю.С. Фазовый переход в Pb ixSnxTe //ФТП. 1975. - Т.9, №8. - С. 1612-1613.

80. Takano S., Hatta S., Kawamura H., Kato Y., Kaboyashi K.L.I., Komatsubara K.F. Studies of dielectric properties and band parameters of n-PbixSnxTe by magneto-plasma waves //J. Phys. Soc. Jap. 1974. - V.37, №4. - P. 10071015.

81. Kawamura H., Murase K., Nishikawa S., Nishi S., Katayama S. Dielectric constant and soft mode of Pb.xSnxTe by magnitoplasma reflection //Sol. State. Comm. 1975.- V.17, №3.-P.341-344.

82. Насыбулин P.A. Связь температуры фазового перехода в узкощельных сегнетоэлектриках-полупроводниках Pbi.xSnxTe с параметрами электронного спектра вблизи инверсии зон: Автореферат кан. дисс. — Ленинград, 1983.- 15с.

83. Виноградов B.C., Кучеренко И.В. Сегнетоэлектрические свойства кристаллов PbixSnxTe ( х = 0,25) //ФТТ. 1991. - Т.ЗЗ, № 9. - С.2572-2578.

84. Dolling G., Buyers W.J.L. Soft modes and Landau transitions in PbixSnxTe alloys //J. Nonmetals. 1973. -V.l. -P.l59-164.

85. Kawamura H. Electron-phonon interaction induced phase transition in IV- VI compounds //Physics of narrow gap semiconductors. Proceed, of the third Int. Conf. Warszawa, 1978. - P.7-24.

86. Foley G.M.T., Langenberg D.N. Room temperature static lattice dielectric constant of lead telluride by a microwave cavity-perturbation technique //Sol. State Communs. 1976. -V.l 8.- P.351-353.

87. Bate R.T., Garter D.L., Wrobel J.S. Paraelectric behavior of PbTe //Phys. Rev. Lett. 1970. - V.25, №3. -P.159-162.

88. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл. Титанат бария. М.: Наука, 1974. -295с.

89. Квятковский О.Е., Максимов Е.Г. Микроскопическая теория динамики решетки и природа сегнетоэлектрической неустойчивости в кристаллах //УФН.- 1988.-Т.154, №1. С.3-48.

90. Квятковский О.Е. Диполь-дипольное взаимодействие в кристаллах и сегнетоэлектрические свойства А4В6 //ФТТ. -1986. Т.28, №4. - С.983 -990.

91. Jantsch W. Dielectric properties and soft modes in semiconducting (Pb,Sn,Ge)Te. In: Dynamical properties of IV-VI compounds //Springer tracts in modern physics, v. 99. Springer-Verlag. 1983 - P. 1-50.

92. Salameh Ahmad, S. D. Mahanti, Khang Hoang, and M. G. Kanatzidis. Ab initio studies of the electronic structure of defects in PbTe //Phys. Rev. -2006.1. B 74.-P. 155205.

93. Bilz H., Bussmann-Holder A. Ferroelectricity in ternary compounds. 11 Nuovo Cim. D. -1983.-V. 2, N 6.-P.1957-1963.

94. Nishi S., Kawamura H., Murase K. Study of lattice instability by mm-wave magnetoplasma reflection in PbTe-SnTe compound semiconductors. // Phys. Stat. Sol. (b). 1980.- V. 97, N.2.-P.581-590.

95. Jantsch W., Lopez-Otero A., Bauer G. Submillimetre spectroscopy of Pb!.xGexTe. // Infrared Phys.- 1978.- V.18, N. 5/6.- P.877-881.

96. Hohnke D.K., Holloway H., Kaiser S. Phase relations and transformations in the system PbTe-GeTe. // J.Phys.Chem. Solids. -1972.- V.33, N.ll- P.2053-2062.

97. Antcliffe G.A., Bate R.T., Buss D.D. On the ferroelectric nature of the cubic rhombohedral phase transition in PbixGexTe. // Solid State Com-mun-1973-V.13, N.7.-P.1003-1006.

98. Jantsch W., Mitter H., Lopez-Otero A. Anomalies of the static dielectric constant of PbbxGexTe. // Z.Phys.B.-1981.- V.41, N.4.- P.287-290.

99. Suski Т., Takaoka S., Ishii K., Murase K. High-pressure investigations of ferroelectric phase transition in PbGeTe. // J. Phys.C.- 1984. -V.17, N.12.-P.2181-2192.

100. ЮЗ.Гришечкина С.П., Жоховец С.В., Шотов А.П. Сегнетоэлектрические константы узкощелевых полупроводников типа AIVBVI. // ФТТ.-1980-Т.22, В.8.— С.2516-2518.

101. Гришечкина С.П., Жоховец С.В., Копыловский Б.Д., Шотов А.П. Влияние сегнетоэлектрического фазового перехода на электрические характеристики р-п-переходов в Pb|xGexTe. // ФТП— 1978.-Т.12, В.6-С.1132-1137.

102. Jantsch W. Dielectric properties of (Pb,Sn,Ge)Te — influence of defects. // In: Lect. Notes in Phys. -1982. V.152. - P.226-237.

103. Bauer G., Burkhard H., Jantsch W., Unterleitner F., Lopez-Otero A., Schleussner G. Influence of free carriers and lattice defects on the TO-phonon softening in PbTe. // Proc. Int. Conf. on lattice dynamics. Paris, 1977 — P.669-672.

104. Jantsch W., Lopez-Otero A. Influence of lattice defects on the paraelectric behaviour of PbTe. // Proc. 13th Int. Conf. Phys. Semicond. -Rome, 1976. -P.487-490.

105. Suski Т., Konczykowski M., Leszczynski M., Lesueur D., Dural J. Ferroelectric phase transition in electron irradiated PbSnTe crystals. // J. Phys.C. 1982.-V.15, N.27. - P. L953-L956.

106. Акимов Б.А., Борщевский B.B., Брандт Н.Б., Пирогов Ю.А. Влияние примеси индия на диэлектрические и фотопроводящие свойства полу-проводников-сегнетоэлектриков Pbi.xSnxTe. //ФТТ. -1990 Т.32, В.1.— С.273-275.

107. Sugimoto N., Matsuda Т., Hatta I. Specific heat capacity of Pbl-xGexTe at their structural phase transitions //J. Phys. Soc. Jap.-1981. V.50. - P.1555-1559.

108. Рычгорский B.B., Турлов A.B. Измерение температурной зависимости диэлектрической проницаемости в Pb0.97Ge0.03Te. //В сб.: Элементарные возбуждения в сегнетоэлектриках. JI. 1983. - С. 47-48.

109. Логачев Ю.А., Мойжес Б.Я. Фазовый переход в твердом растворе с нецентральными примесями (Pbi.xGexTe)./AI>TT.-1977.-T.19, В.9.- С. 17931795.

110. Логачев Ю.А., Мойжес Б.Я. Теория рассеяния фононов на дефектах в сильно анизотропных кристаллах с решеткой NaCl. // ФТТ. 1975. -Т.17, В.8. -С.2209-2216.

111. Кристофель Н.Н. Теория примесных центров малых радиусов в ионных кристаллах М.: Наука. 1974 - 336с.

112. Стоунхэм A.M. Теория дефектов в твердых телах. / Пер. с англ.,-М.: Мир.- 1978.-Т.2.-Гл.21.

113. Вугмейстер Б.Е., Глинчук М.Д. Кооперативные явления в кристаллах с нецентральными ионами — дипольное стекло и сегнетоэлектричество. // УФН. 1985. -Т.146, В.З. - С.459-491.

114. Pantelides S.T., Harrison W.A., Yndurain F. Theory of off-center impurities in semiconductors. // Phys.Rev.B. 1986. - V.34, N.8. - P.6038-6040.

115. Hock K.H., Thomas H. Statics and dynamics of «soft» impurities in a crystal. // Zs. Phys. B. 1977. - Bd. 27. - N 3. - P.267-271.

116. Hock K.H., Schafer R., Thomas H. Dynamics of a locally distorted impurity in a host crystal with displacive phase transition. // Zs. Phys. B. 1979. — Bd.36. -N.2. - P.151-160.

117. Hochli U.T., Weibel H.E., Rehwald W. Elastic and dielectric dispersion in the dipole glass Kj.xLixTa03. // J.Phys.C. 1982. - V.15, N.30. - P.6129- 6140.

118. Chitta V. A., Desrat W., Maude D. K., Piot B. A., Oliveira N. F., Rappl P. H., Ueta A. Y., and Abramof E. Multivalley transport and the integer quantum Hall effect in a PbTe quantum well Phys. Rev. -2005. -B 72. P. 195326

119. Брус А., Каули P. Структурные фазовые переходы. / Пер. с англ. М.: Мир.- 1984.- 408с.

120. Axe J.D., Shapiro S.M., Shirane G., Riste Т. Neutron scattering studies of soft mode dynamics. // In: Anharmonic lattices, structural transitions and melting. NATO Adv.Study Inst.Ser., Ser. E.- 1974. P. 23-37.

121. Halperin B.I., Varma C.M. Defects and the central peak near structural phase transitions. // Phys. Rev.B. 1976. - V.14, N.9. - P.4030-4044.

122. Thomas H. Dynamics of defects at structural phase transitions.// Ferroelec-trics. 1981. -V.35. -P.89-97.

123. Schmidt H., Schwabl F. Localized modes and central peak at displacive phase transitions. // Phys. Lett. A. -1977. -V.61, N.7. P.476-478.

124. Lebedev A.I., Sluchinskaya I.A. EXAFS study of the influence of impurities on the phase transition in GeTe.// Ferroelectrics- 2004. -V.298. P. 189.

125. Лебедев Н.И., Леванюк А.П., Сигов А.С. Поляризованные дефекты и аномалии свойств кристаллов при фазовых переходах. // ЖЭТФ. — 1983. -Т.85, В.4. С.1423-1436.

126. Аксенов В.Л., Плакида Н.М., Стаменкович С. Рассеяние нейтронов сег-нетоэлектриками М.: Энергоатомиздат-1984 — 255с.

127. Аксенов В.Л., Бретер X., Плакида Н.М. Динамика решетки сегнето-электриков с примесями. // ФТТ. 1978. -Т.20, В.5. - С.1469-1476.

128. Tolwdano J.-C. Dwfauts et transitions de phase structurales. //Ann. Telecom-mun. 1984. - V.39, N.7-8. - P.277-297.

129. Vugmeister B.E., Glinchuk M.D. Dipole glass and ferroelectricity in random-site electric dipole systems. //Rev. Mod. Phys. 1990. -V.62, N.4. -P.993-1026.

130. Вугмейстер Б.Е., Глинчук М.Д. Особенности кооперативного поведения параэлектрических дефектов в сильно поляризуемых кристаллах. //ЖЭТФ. 1980. - Т.79, В.З. - С.947-952.

131. Klein M.W., Held С., Zuroff Е. Dipole interactions among polar defects: a self-consistent theory with application to OH- impurities in KC1. //Phys. Rev.B. 1976. - V. 13, N.8. -P.3576-3589.

132. Aharony A. Absence of ferromagnetic long range order in random isotropic dipolar magnets and in similar systems. //Solid State Com-mun. -1978. -V.28, N.8. -P.667-670.

133. Sadreev A.F. Absence of long-range order in a dipole system. //Phys. Lett. A-1986.- V .115, N.5P. 193-195.

134. Fischer В., Klein M.W. New kind of phase transition in randomly distributed tunneling dipoles in alkali halides. //Phys. Rev. Lett 1976 - V.37, N.12-P.756-759.

135. Вугмейстер Б.Е. Возникновение сегнетоэлектрического дальнего порядка в примесных дипольных системах.// ФТТ.— 1984- Т.26, В.8.— С.2448-2455.

136. Вихнин B.C., Борковская Ю.Б. Индуцированный затуханием критических фононов переход из сегнетоэлектрической фазы в фазу псевдоспинового дипольного стекла в сегнетоэлектриках с дипольными примесями. // ФТТ.- 1982.- Т.24, В.З.- С.860-865.

137. Vugmeister В.Е., Stephanovich V.A. New random field theory for the concen-trational phase transitions with appearance of long-range order. Application to the impurity dipole systems. // Solid State Commun- 1987- V.63, N.4.-P.323-327.

138. Вугмейстер Б.Е., Косевич Ю.А. Упорядочение нецентральных ионов на поверхности сильно поляризуемых кристаллов. Локализованное сегнето-и пьезоэлектричество. // ФТТ.- 1989.- Т.31, B.l 1.-С.59-62.

139. Глинчук М.Д., Смолянинов И.М. Особенности взаимодействия упругих диполей и индуцированные переходы в виртуальных сегнетоэлектриках. // ФТТ. -1988. -Т.30, В.4. -С. 1197-1199.

140. МЗ.Глинчук М.Д., Смолянинов И.М. Сегнетоэластический фазовый переход в мягких решетках со случайными упругими полями. // Изв. АН СССР, сер. физ. -1989. -Т.53, В.7. -С.1261-1264.

141. Glinchuk M.D., Smolyaninov I.M. Structural phase transition induced by elastic fields of impurities. //Phase Transitions. -1990. -V.29. -P.95-103.

142. Takano S., Kumashiro Y., Tsuji K. Resistivity anomalies in Pbl-xGexTe at low temperatures.// J. Phys. Soc. Jap. -1984. -V.53, N.12. -P.4309- 4314.

143. Литвинов В.И. Индуцированный примесными диполями фазовый переход в полупроводниках А4В6. // ФТТ. -1987. -Т.29, В.7. С.2206-2209.

144. Вугмейстер Б.Е., Глинчук М.Д. Сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах с нецентральными примесями. // ФТТ. —1979. -Т.21, В.4. -С.1263-1265.

145. Вугмейстер Б.Е. Эффекты ангармонизма решетки вблизи сегнетоэлектрического фазового перехода, индуцированного дипольными примесями. // ФТТ. -1985. Т.27, В.4. - С.1190-1193.

146. Yantsch W., Mitter Н., Lopez-Otero A. Anomales of static dielectric constant of Pbi.xGexTe HZ. Phys. B. Condensed Matter. 1981. - V.41. - P.287-290.

147. Вугмейстер Б.Е., Стефанович В.А. Высокотемпературная восприимчивость сильно поляризуемых диэлектриков с дипольными примесями. // ФТТ. -1985. -Т.273-7. С.2034-2038.

148. Коренблит И .Я., Шендер Е.Ф. Ферромагнетизм неупорядоченных систем. // УФН. -1978. -Т. 126, В.2. С.233-268.

149. Hochli U.T. Experimental studies on quantum ferroelectrics. // Ferro-electrics. -1981. -V.35. P. 17-30.

150. Yaraneri H., Grassie A.D.C., Loram J.W. Coupled phase transitions in Pb,.xGexTe. // In: Lect. Notes in Phys. -1982. -V.152. P.270-274.

151. Литвинов В.И. Кооперативное поведение собственных дефектов в се-гнетоэлектрике Pb,.xGexTe. // ФТТ. -1984. -Т.26,В.4. С.1184-1186.

152. Yaraneri Н., Grassie A.D.C., Yusheng Не., Loram J.W. A quasi-Kondo effect inPb,.xGexTe alloys.//J. Phys. C. 1981.-V.14,No 15. - P.441-444.

153. Yaraneri H., Grassie A.D.C., Loram J.W. Coupled phase transitions in Pbi xGexTe. // In: Lect. Notes in Phys. 1982. -V.152. - P. 270-274.

154. Равич Ю.И., Немов C.A. Прыжковый перенос в твердых растворах (Pbo.78Sno.22)i-xInxTe при дополнительном легировании.//ФТП-2001 -Т.ЗЗ, №2 С.164-170

155. Hohnke D.K., Holloway Н., Kaiser S. Phase relations and transformations in the system PbTe GeTe. J. Phys. Chem. Solids. 1972. -V. 33, N 11. - P. 2053-2062.

156. Takaoka S., Murase K. Anomalous resistivity near the ferroelectric phase transition in (Pb, Ge, Sn)Te alloy semiconductors // Phys. Rev. Ser. B. -1979. -V.20. -P.2823-2833.

157. Murase К Ferroelectric lattice instabilities in narrow band gap semiconduc-tors.//Ferrolectrics. 1981. - V.35. - P.67-72.

158. Suski Т., Takaoka S., Murase K. New phenomena of low temperature resistivity enhancement in quantum ferroelectric semiconductors // Sol. State Comm. 1983. - V.45(3) - P.259-262.

159. Желудев И.С. Физика кристаллических диэлектриков. М.: Наука, 1968. -462с.

160. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А., Крайник Н.Н., Пасынков Р.Е., Шур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики.- М.г Наука, 1971.-476с.

161. Вакс В. Г. Введение в микроскопическую теорию сегнетоэлектриков-М.: Наука, 1973.-327с.

162. Берсукер И.Б., Вехтер Б.Г. Межзонное взаимодействие и спонтанная поляризация кристаллических решёток. //ФТТ 1967 - С.2652-2660.

163. Блинц Р., Жекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики /Перевод с английского под редакцией J1.A. Шувалова. М.: Мир, 1975. - 398с.

164. Фридкин В.М. Сегнетоэлектрики-полупроводники. М.: Наука, 1976-408с.

165. Фридкин В.М. Фотосегнетоэлектрики. М.: Наука, 1979. - 464с.

166. Лайнс М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы /Перевод с английского под редакцией В.В. Леманова, Г.А. Смоленского -М.: Мир, 1981.-736с.

167. Кузьминов Ю.С. Сегнетоэлектрические кристаллы для управления лазерным излучением. М.: Наука, 1982. - 400с.

168. Струков Б.А., Леванюк А.П. Физические основы сегнетоэлектрических явлений в кристаллах .- М.: Наука, 1995. 302с.

169. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Трунов Н.Н. Межзонная модель сегнето-электричества. Теория и эксперимент. // Изв. ВУЗов. Физика. 1981. -№8. - С.94-109.

170. Бурсиан Э.В. Полярные и когерентные эффекты в сегнетоэлектриках //Межзонная модель сегнетоэлектрика: Сб. научных трудов. Л.: ЛГПИ им. А.И. Герцена. -1987. С.88-107.

171. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г. Когерентные эффекты в сегнетоэлектриках. -М.: Прометей 1989. - 198с.

172. Белиничер В.И., Стурман Б.И. Фотовольтаический эффект в средах без центра инверсии //УФН. -1980. Т. 130. - С.415-458.

173. Стурман Б.И., Фридкин В.М. Фотогальванический эффект в средах без центра инверсии и родственные явления. — М.: Наука. — 1992. — 208с.

174. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Трунов Н.Н. Аномальный фотовольтаический эффект в системах с электронным и фононным параметром порядка //ЖЭТФ. 1982. - Т.82, №4. - С.1170-1175.

175. Girshberg Ya. G., Kalimullin R.Kh., Egorov V.A., Bursian E.V. Polar ther-moelectromotive power and polar heat conductivity in ferroelectrics //Sol. State. Communs. 1985. - V.53. - P.633-636.

176. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Калимуллин P.X., Клецкин А.В., Харио-новский Ю.С. Полярная теплопроводность в сегнетоэлектрике //ФТТ. -1985. Т.27,- № 9. - С.2825-2826.

177. Glass A.M., von der Linde P., Negren T.I. Highvoltage bulla photovoltaic effect and the photorefractive process in LiNb03 //Appl. Phys. Lett. 1974. - V.25, №4. - P.233-235.

178. Koch W.T.H., Munser R., Ruppel W., Wurfer P. Bulk photovoltaic effect in BaTi03 //Sol. St. Communs. 1975. - V.17, №7. - P.847-850.

179. Бурсиан Э.В., Гиршберг Я.Г., Егоров В.А., Калимуллин Р.Х. Переход сегнетоэлектрика в состояние с магнитным моментом во внешнем электромагнитном поле //Письма в ЖЭТФ. 1983. - Т.37, №11.- С.520 -522.

180. Фридкин В.М., Попов Б.Н., Ионов П.В. Температурная и спектральная зависимость фотовольтаического тока в сегнетоэлектриках //Изв. АН СССР. Сер.физ.- 1977. — Т.41. — С.771-774.

181. Физическая энциклопедия, Т.1, М: Советская энциклопедия. -1988. -700с.

182. Корецкий Ю.В. Основы физики диэлектриков. -М: "Энергия".- 1979. -25с.

183. Гудков О.И., Егоров В.Н., Кащенко М.В. Современное состояние и перспективы развития метрологического обеспечения диэлектрических измерений. //Измерительная техника. 1994. - №12. - С.34-40.

184. Барышников С.В., Барышников А.С., Маслов В.В. Релаксационные потери в Pb.xGexTe, легированном Ga. // Известия РАН, сер. Физическая. -2003. Т.67, №8. - С.1133-1135.

185. Барышников С.В, Ланкин С.В. //Труды 5ой Международной конференции. «Кристаллы: рост, свойства, реальная структура, применение». Том I. Александров, ВНИИСИМС. 2001. - С.477.

186. Бурсиан Э.В., Егоров В.А., Калимулин Р.Х., Гиршберг Я.Г.//Изв.АН СССР. Сер.Физ. 1984. - Т.48, №6. - С.1120.

187. Стыценко Е.В. Четный по полю ток в одноосных сегнетоэлектриках: Автореферат канд. дисс. Ростов-на-Дону - 1996. - 23 с.