Влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в некоторых широкощельных, узкощельных и слоистых сегнетоэлектриках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ВЛИЯНИЕ ДАВЛЕНИЯ НА СЕШЕТОЭЛЕКТРМЕСКИЕ

СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ И ФАЗОВЫЕ ПЕРЕХОДЫ. ОБЗОР

ЛИТЕРАТУРЫ.

§1.1.Теоретическое описание влияния давления на сегнето электрический фазовый переход.

§1.2.Влияниб давления на сегнетоэлектрический фазовый переход и ширину запрещенной зоны сегнетоэлектриков. Экспериментальные результаты. а) перовскитовые сегнетоэлектрики б) узкощельные сегнетоэлектрики-полуцроводники в) слоистые кристаллы.

§1.3.Водород и гелий в кристаллах. Растяжение решетки.

§1.4.Постановка задачи.

Глава 2. МЕТОДОМ ИЗМЕРЕНИЙ.

§2.1.Аппаратура высокого давления. а) электрические измерения. б) оптические измерения.

§2.2.Измерение давления и температуры в камерах высокого давления. Оценка погрешностей измерений.

§2.3.Внедрение гелия в изучаемые образцы. Рентгенографическое определение параметров решетки.

§2.4.Приготовление образцов к измерениям.

§2.5.Методика определения сегнетоэлектрических характеристик проводящих образцов P^.^Ge^e.

Глава 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ.

§3.1.Воспроизведение результатов исследований зависимости температуры сегнетоэлектрического фазового перехода BaTt03 от давления.

§3.2.Зависимость температуры фазового перехода в

Pfc,xGexTe от давления и концентрации носителей.

§3,3.Влияние гидростатического сжатия на фазовый переход в слоистом сегнето электрике SlgTc^O?

§3.4.Влияние отрицательного давления на фазовый переход в сегнетоэлектриках BotTlO^, SxTlO^, NaNBO^n

SiaTa207.

§3.5.Влияние давления на ширину запрещенной зоны

Sx2Ta20? и других сегнетоэлектриков.

Глава 4. ОБСУВДЕНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ.

§4.1.Выводы межзонной модели сегнетоэлектричества, которые могут быть использованы для интерпретации полученных в работе результатов.

§4.2.Сравнение экспериментальных результатов с теорией.ПО

Данная работа посвящена изучению влияния положительного и отрицательного давления на сегнетоэлектрические характеристики кристаллов с фазовым переходом типа смещения и является продолжением работ по исследованию связи между фонон-ной и электронной подсистемами кристалла.

Согласно быстро развивающейся межзонной модели сегнето-электричества, созданной и развитой в работах И.Б.Берсукера, Б.Г.Вехтера, Н.Н.Кристофеля, П.И.Консина и Я.Г.Гиршберга с соавторами [I-I4], структура электронного спектра и ее изменение цри внешних воздействиях играет определяющую роль в формировании сегнетоэлектрических параметров - температуры фазового перехода, постоянной Кюри - Вейсса и др. Поэтому для исследования были выбраны сегнетоэлектрики с различными зонными спектрами. Наряду с хорошо изученными перовскитовыми сегнето электриками исследовались узкощельный сегнето электрик-полупроводник Рв,,х&ехТе , имеющий ширину запрещенной зоны менее 0,3 эВ, слоистый сегнетоэлектрик SlgTd^Oj» , антисег-нетоэлектрик и другие.

Внешним воздействием, влияющим и на фононнуго и на электронную подсистемы, было выбрано давление. Давление является мощным методом исследования природы твердого тела, поскольку все электрические, оптические и другие свойства сильно зависят от межатомных расстояний. Особый интерес представляет отрицательное всестороннее давление, полученное в данной работе внедрением гелия в сегнетоэлектрические кристаллы. При растяжении кристаллической решетки должны наблюдаться изменения физических свойств, противоположные по знаку тем, которые наблюдаются цри сжатии. .Идя сегнетоэлектриков этот вопрос экспериментально не изучался. Поэтому исследование влияния сжатия и растяжения кристаллической решетки на фазовый переход в сегнетоэлектриках с различной структурой электронного спектра представляет научный интерес, поскольку позволяет, с одной стороны, цроверить основные выводы межзонной модели, а с другой - могли бы служить стимулом для ее развития или уточнения. Этим оцределяется актуальность в теоретическом плане.

В то же время, широкое использование сегнетоэлектриков в пьезотехнике, в качестве датчиков давления [15], электромеханических преобразователей [16], а халькогенидов германия и свинца для создания детекторов ЙК-излучения и полупроводниковых лазеров ИК-диапазона, перестраиваемых давлением и т.д., делает изучение влияния давления на сегнетоэлектричес-кие параметры особенно важным, поскольку такие исследования позволяют дать рекомендации о выборе сегнетоэлектрических материалов для конкретного применения. В связи с этим данная тема исследования является актуальной и с точки зрения практических приложений.

Научная новизна. Разработан метод растяжения кристаллической решетки путем внедрения гелия в сегнетоэлектрические кристаллы и показано, что изменение сегнетоэлектрических свойств цри таком внедрении соответствует отрицательным давлениям. Впервые экспериментально исследовано влияние положительного и отрицательного давления на фазовый переход в слоистом сегнетоэлектрике St^Tc^O?. Установлена зависимость температуры фазового перехода узкощельного сегнетоэлектрикаполупроводника Р^-х^хТв от Давления и концентрации носителей. Впервые исследовано влияние гидростатического сжатия на ширину запрещенной зоны многих сегнетоэлектриков. На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Предложен метод растяжения кристаллической решетки сегнетоэлектриков путем внедрения гелия, которое соответствует отрицательному всестороннему давлению. Применение этого метода, наряду с методами гидростатического сжатия, дает возможность расширить область исследования зависимости сегне то электрических свойств от межатомных расстояний и сравнить результаты, полученные обоими методами.

2. Во всех исследованных сегнетоэлектриках - перовски-тах, слоистом StgTcC^Op и антисегнетоэлектрике изменение знака всестороннего давления приводит к изменению знака смещения температуры фазового перехода.

3. Слоистый сегнетоэлектрик с перовскитоподобной кристаллической структурой является исключением из эмпирического правила Самары: температура фазового перехода увеличивается с ростом гидростатического сжатия, причем величина коэффициента (ГГс/с1р превышает известные для других сегнетоэлектриков значения: dl^/ctp= 500 К/ГПа.

4. В узкощельном сегнетоэлектрике-полупроводнике также как и в широкощельных сегне то электриках,

1-Х л температура фазового перехода уменьшается с ростом давления, clTc/ctp=-120 К/1Ла.

Основные результаты такого подхода сводятся к следующему. Межзонное взаимодествие приводит к перенормировке частоты активного колебания:

4.D где со0 - затравочная, то есть найденная без учета межзонного электрон-фононного взаимодействия, частота активного колебания, со - частота критического колебания, усредненная по фононной зоне (по к ), Г - константа межзонного взаимодействия, Е - эффективная ширина запрещенной зоны, по порядку равная расстоянию между центрами активных зон. Отметим, что часто фигурирующее ниже отношение Ц>/оо является константой, фактически не зависящей от конкретного сегнетоэлектрика. Связано это с тем, что затравочная частота 6)0 в различных ионных кристаллах меняется незначительно, а перенормировка, связанная с электрон-фононным взаимодействием, актуальна только для малых импульсов (малых к ). Поэтому и СО , то есть частота, усредненная по всей зоне, так же слабо зависит от конкретного вещества.

Поскольку последнее слагаемое в (4.1) существенно положительно, то квадрат частоты колебаний становится отрицательным цри: 1 Д01 > 0.

4.2)

При выполнении (4.2) фононная подсистема неустойчива.

При высоких температурах, то есть Т > (о , приходят к стандартному выражению для мягкой моды: йЧт)-АСГ-Те) где обозначено:

A-KD'-f. (4.4) здесь,и далее кБ= I и \\ = I). Температура перехода определяется теперь не только величиной запрещенной зоны, но и малым параметром (д0| , что приводит к реальным значениям Т.

Основные соотношения теории явно содержат параметры зоннонго спектра, поэтому поведение этих параметров при внешних воздействиях и их связь с сегнетоэлектрическими характеристиками (Тс) можно сравнить с экспериментальными данными. Выражение (4.4) можно переписать, заменив |д0[ Е из (4.2), в виде: ,2

С4.5)

Связь величин Т„ и Е0 для твердых растворов перовскитов на с з основе титаната бария экспериментально подтверждена в работе [145], а для узкощельных сегнетоэлектриков-полупроводников -в работе [84].

При Тс ~ СО (низкие температуры) в (4.1) уже нельзя раскладывать в ряд и цри низких температурах должно наблюдаться отклонение от закона Кюри - Вейсса, поскольку зависимость частоты мягкой моды от температуры уже не будет подчиняться (4.3). Это действительно наблюдается в случае так называемых виртуальных сегнетоэлектриков: SxTiO^ ,КТаО^,

PSTe .

Обратимся теперь к зависимости температуры фазового перехода от давления, даваемой межзонной моделью [13]. Температура перехода определяется соотношением (4.4) и, следовательно, зависимость ее от давления может быть связана с зависимостью от давления ширины запрещенной и разрешенной зон. Полагая на основании экспериментальных данных ширину зон линейно зависящей от давления:

EjCp) = EjOOL^p],

Тс(р) можно цредставить в следующем виде:

Тс(р) = Тс(о)- |(-|;)г[аиЕ3(о)+ агЕе(о)] р. (4.7)

Это означает, что температура перехода линейно зависит от гидростатического сжатия. Дифференцирование (4.5) дает: а.,

Это соотношение определяет величину и знак искомой зависимости.

Межзонная модель сегнетоэлектричества приводит к зависимости температуры фазового перехода от концентрации носителей [146] такой же, что и феноменологическая теория: те(и) = (ia.l--jj-)E = Te(p)-jJ«i, (4.9) где N - число электронных состояний в зоне.

§4.2. Сравнение экспериментальных результатов с теорией.

Как в широкощельных сегнетоэлектриках, например в пе-ровскитах &aTl03, PeilO^ и др., так и в узкощельных -РбТе и других халькогенидах, существование мягкой моды является твердо установленным фактом. Значительный интерес цредстав-ляет попытка проверить основные соотношения межзонной модели (4.4), связывающие сегнетоэлектрические параметры с параметрами электронного спектра и их изменение цри внешних воздействиях, например цри гидростатическом сжатии. Особый интерес для сравнения могут представлять сегнетоэлектрики с сильно различающимися электронными спектрами, поскольку влияние давления на сегнетоэлектрические характеристики оцределяется в межзонной модели (так же как и в динамической теории ГАК) его влиянием на частоту мягкой моды колебаний. Частота этой моды й(к,Т) сильно зависит от электронного спектра £(к) , поскольку им определяется значение Е в (4.3) и (4.4).

При исследовании узкощельного сегнетоэлектрика-полуцро-водника Р^ ^е^Те нами экспериментально получено значение коэффициента уменьшения температуры фазового перехода от давления cUe/ip = -120 К/ГПа. Это значение оказалось близким к аналогичному для перовскитовых сегнетоэлектриков (см. таблицу I.I). Величина и знак полученного коэффициента могут быть поняты в рамках межзонной модели сегнетоэлектричества. В §1.2 б) указывалось, что зонный спектр Рвд-х^е^Те цри небольшом содержании германия не отличается существенно от зонного спектра РбТе . Для твердых растворов халькогенидов на основе теллурида свинца ширина запрещенной зоны уменьшается с ростом давления: dEj/dtp = -0,06 эВ/ГИа. По данным работы [l04] для образцов 1г -типа с почти собственной концентрацией носителей их подвижность увеличивается при повышении следует, что ширина разрешенной зоны увеличивается с ростом давления, цри этом

Тогда из (1.22) давления, причем коэффициент d,Ec/dp = 0,15 эВ/ГПа. Подстановка значений производных dEj/dlp и <АЕс/с{р в формулу (4.8) с учетом того, что отношение Со/со0 изменяется, как было сказано в предыдущем параграфе, не более, чем в 1,5 * 2 раза, дает dTc/dp sr -200 К/ГПа. Такое значение следует считать вполне согласующимся с экспериментально найденным значением, тем более, что исходное соотношение (4.8) было получено в [13] в предположении симметричных, то есть совпадающих по величине валентной зоны Е^ и зоны проводимости Ес. При более точном расчете в (4.8) вошли бы полуширины зон и, поскольку Е/р.» по-видимому, слабее зависит от гидростатического сжатия, это обстоятельство могло бы сблизить экспериментальное и рассчитанное значение указанного коэффициента.

Отметим, что уменьшение температуры фазового перехода сегнетоэлектрика-полупроводника Р&^&еТе от давления с коэф

И-Х X фициентом dTc/dp = -120 К/ГПа было получено в настоящей работе при исследовании поликристаллических образцов, в то время как значения производных в формуле (4.8) взяты из работ, в которых исследовались соответствующие монокристаллы. Однако приведенный расчет остается справедливым, поскольку в работах [147,148], выполненных независимо от нашей, также найдено уменьшение температуры перехода в P^ ^G-eJc для х = 0,05, но уже для монокристаллических образцов, причем значение коэффициента dLTc/d|) = -105 К/ГПа, то есть близко к найденному нами (концентрация носителей в образцах, исследованных в

Т7 3 указанных работах составляла 2,9-10 см при атмосферном давлении и температуре 4,2 К).

Перейдем теперь к обсуждению того факта, что наклон фазовой р - Т-границы в образцах с х = 0,07 оказался меньше по сравнению с составом х = 0,05 (§3.2) Можно думать, что сами величины dEj/clp и ctEc/o[p являются функциями состава х и, следовательно, ot^/dp также зависит от х. Непосредственные экспериментальные данные о поведении этих цро-изводных для Pfy^Ge^Te в зависимости от содержания германия отсутствуют. Из найденного нами уменьшения наклона фазовой р - Т-границы должно следовать увеличение оСЕсЯр или уменьшение oLEj/olj) цри возрастании х. Экспериментальное наблюдение такой зависимости представляло бы определенный интерес. Уменьшение наклона фазовой р - Т-границы цри увеличении содержания германия, полученное нами экспериментально, качественно соответствует величине зависимости температуры перехода от давления в чистом теллуриде германия, для которого по данным [98] oLTc/oLp = -31,6 К/ГПа.

Несколько менее понятна необычная зависимость температуры фазового перехода от концентрации носителей в Р^х&ехТе . Если обычно цри увеличении концентрации носителей температура фазового перехода падает [29,82], то здесь ситуация противоположна. Подчеркнем, что концентрация носителей, измеренная в точке фазового перехода соответствует заданному внешнему давлению. В этом смысле ситуация сходна с концентрационной зависимостью температуры фазового перехода, наблюдавшейся в [146], где Тс также увеличивалась с ростом концентрации носителей, которая менялась внешним электромагнитным полем. Можно думать, что оба эффекта имеют общую причину и, следовательно, можно воспользоваться объяснением [14б].

Пусть электрон, находящийся на примесном уровне, сильно связан с ним. Тогда его энергия может быть представлена в виде £ = £0- Еа , где £Q- затравочная энергия, а поляронный сдвиг, у - константа электрон-фононной связи.

Если Еа > Е0 , то в отсутствие электрон-фононного взаимодействия система цредставляет собой примесный полуметалл. Пока электрон связан с уровнем, он находится в запрещенной зоне. Под действием давления или света он переходит в зону проводимости, причем примесный уровень также оказывается в зоне проводимости, меняя в ней плотность состояний. Величина в фориуле (4.9) возрастает с увеличением плотности состояний и это может дать больший вклад в (4.9), чем вклад, связанный с увеличением концентрации носителей.

Перейдем теперь к обсуждению зависимости температуры фазового перехода от гидростатического сжатия в слоистом кристалле танталате стронция. Как было показано в §3.3, эта зависимость отличается от аналогичной в перовскитах и других сегнетоэлектриках с фазовым переходом типа смещения. Положительный знак коэффициента dJc/dp может быть связан именно со слоистостью кристаллической структуры кристалла: гидростатическое давление в данном случае эффективно соответствует одноосному сжатию, направленному перпендикулярно плоскостям спайностй слоев. А одноосное сжатие, направленное перпендикулярно сегнетоэлектрической оси, приводит, как мы видели в §1.2 а), к увеличению температуры фазового перехода (в тита-нате бария и других перовскитовых сегнетоэлектриках).

Большая величина производной с1Гс/Йр такде может быть объяснена слабостью сил межслоевого взаимодействия и, следовательно, существенной сжимаемостью кристалла в направлении, перпендикулярном слоям. Подтверждением этому может служить существенное изменение межслоевых расстояний в кристалле после внедрения в него гелия, определенное рентгенографическим методом (§3.4).

Наряду с изложенным выше могло быть и иное объяснение причины нарушения цравила Самары. Связано оно с тем, что область между \ и Тс в работе [Иб] рассматривается как ан-тисегнетоэлектрическая фаза. Тогда переход цри Тс соответствовал бы переходу антисегнетоэлектрик - сегнетоэлектрик и температура фазового перехода должна увеличиваться в соответствии с правилом Самары. В этом случае никакого нарушения правила Самары вообще не было бы. Однако в серии работ [ill, 115] эта область убедительно идентифицирована как область со сверхструктурой.

Имеет смысл сравнить полученные данные для танталата стронция цри гидростатическом сжатии с литературными данными о поведении этого кристалла при замещении ионов тантала ионами ниобия. Такое замещение приводит к уменьшению объема элементарной ячейки [140], что соответствует эффективному сжатию кристалла("химический цресс"). При этом температура сег-нетоэлектрического фазового перехода, так же как и цри гидростатическом сжатии, существенно увеличивается (§1.2 б)). Поведение диэлектрической цроницаемости в области фазового перехода в интервале температур -(160 -г 180) °С цри замещении тантала ниобием также соответствует поведению при сжатии: температура максимума диэлектрической проницаемости увеличивается, величина же диэлектрической цроницаемости цри температуре этого перехода уменьшается и при х>0,1 аномалия исчезает. Таким образом поведение сегнетоэлектрических характеристик при "химическом прессе" качественно сходно с их поведением при гидростатическом сжатии.

Измениние ширины запрещенной зоны танталата стронция цри гидростатическом сжатии качественно согласуется с характером изменения температуры перехода от давления (4.5): с ростом давления температура фазового перехода увеличивается, а ширина запрещенной, зоны уменьшается. Следует заметить, однако, что соотношение (4.5) получено для изотропных спектров и может быть использовано для танталата стронция лишь качественно. Связь зависимостей ширины запрещенной зоны и температуры фазового перехода от гидростатического давления для титаната бария обсуждалась в работе [13].

Давление - не единственный способ изменения расстояний между атомами. Изменение межатомных расстояний можно получить, например, изменением температуры или введением примесных атомов в решетку данного соединения. Однако последние два метода ограничены по своим возможностям. Кроме естественного ограничения пределами достижимых температур (О К и Т^), часто бывает необходимо получить информацию об изменении свойств от межатомных расстояний именно в определенном интервале температур, например вблизи фазового перехода, то есть провести независимые по температуре и давлению измерения. Кроме того, в подавляющем большинстве случаев чисто температурные изменения значительно превышают изменения, вызванные изменением межатомных расстояний. Что же касается примесей, то этот метод ограничен тем, что изменение свойств происходит уже не только за счет различия в межатомных расстояниях, но и в следствие изменения химического состава вещества. Например, температура фазового перехода зависит не только от межатомных расстояний, но и от поляризуемости атомов. Кроме того, получая необходимые изменения межатомных расстояний введением примесей при выращивании кристаллов, уже невозможно изменить их для данного образца. Получение же отрицательных давлений внедрением гелия в какой то мере свободно от этого недостатка, так как цри прогревании образцов гелий освобождается из кристалла и его свойства (например температура фазового перехода в сегнетоэлектриках) вновь восстанавливаются. Кроме того, гелий инертен в химическом отношении и внедряется в междоузлия. Таким образом, по-видимому, использованный в настоящей работе метод имеет преимущества цри исследовании влияния изменения межатомных расстояний на свойства сегнетоэлектриков. Внедрение гелия в титанат бария, ниобат натрия и танталат стронция приводит к изменению температур фазовых переходов, противоположному их изменению при гидростатическом сжатии. Это соответствует растяжению кристаллической решетки и, следовательно, отрицательному всестороннему давлению.

Безуспешность попытки наблюдать сегнетоэлектрическое состояние в титанате стронция качественно может быть объяснена следующим образом. Согласно теореме Нернста при приближении температуры к абсолютному нулю энтропия также стремится к нулю. Тогда из уравнения Клаузиуса - Клапейрона СЕ.19) вытекает, что наклон фазовой р - Т-границы будет возрастать и линия фазовой границы будет пересекать ось давлений при температуре Т = 0 под прямым углом [149]. Такое поведение было обнаружено экспериментально в КН2Р0ч, R£ Н2 РО^ и NH4H2PO4 [29], а также в PS4x(reiJe [97] и других сегнетоэлектриках. На рисунке 4.1 показана возможная фазовая диаграмма для титаната стронция. Из рисунка видно, что в этом случае для перевода кристалла в сегнетоэлектрическое состояние потребовалось бы давление pg, большее значения pj, которое получается из простой экстраполяции линии фазовой границы.

Таким образом, все основные экспериментальные факты мот. к

-р к л 1 г ?л

4,2 О

Рис.4.1 Возможная фазовая р - Т-диаграмма StTiOj гут быть качественно (а в ряде случаев и количественно) объяснены в рамках межзонной модели сегнетоэлектричества.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Приведем в заключение основные результаты, полученные в работе:

1. Предложен метод внедрения гелия в сегнетоэлектричес-кие кристаллы в тлеющем разряде цри высоких температурах. Рентгенографическими измерениями показано, что такое внедрение гелия приводит к растяжению кристаллической решетки, которое можно рассматривать как результат отрицательного всестороннего давления.

2. Показано, что отрицательное давление, создаваемое внедрением гелия, приводит в сегнетоэлектриках к смещению температур фазовых переходов в сторону, противоположную смещению цри гидростатическом сжатии. Температура сегнетоэлект-рического фазового перехода увеличивается ( В&Ть03), а анти-сегнетоэлектрического - уменьшается (NaNBOy. Таким образом показано, что правило Самары для характерных сегнетоэлектри-ков можно экстраполировать и на область отрицательных давлений.

3. Обнаружено, что значительная анизотропия сегнетоэлек-трика танталата стронция со слоистой перовскитоподобной кристаллической структурой цроявляется даже при изотропном внешнем воздействии - гидростатическом сжатии. При этом цравило Самары нарушается: температура перехода аномально увеличивается, а не уменьшается как в других сегнетоэлектриках с фазовым переходом типа смещения. Коэффициент oLTc/cip равен 500 К/ГПа. Соответствующее нарушение происходит и цри отрицательном давлении.

4. Исследована зависимость температуры фазового перехода от гидростатического сжатия в сегнетоэлектрике-полупроводнике Pfl^Ge^Te при х = 0,05 и х = 0,07. Величина Т„ с уменьшается с ростом давления с коэффициентом cLTc/cLp = -120 К/ГПа.

5. Из сопоставления зависимостей температуры фазового перехода и цроводимости от давления установлена связь между температурой перехода и концентрацией носителей в точке фазового перехода в узкощельном сегнетоэлектрике-полупроводни-ке &oJe .

6. Впервые исследовано влияние гидростатического сжатия на ширину зацрещенной зоны сегнето электриков PGTcOj , SxTl03 , KTa03 , ZiTa03, Um3 , Ш0а , NaMOj , bl2W0s , GU2(MoO^)3 . Показано, что ширина запрещенной зоны титаната бария испытывает скачок вблизи фазового перехода, если последний индуцируется давлением. Эти результаты использовались при интерпретации выводов работы.

7. Все экспериментальные результаты удовлетворительно согласуются с выводами межзонной модели сегнетоэлектричества.

По теме диссертации опубликованы следующие работы:

I. В.В.Казаков, Р.М.Рахманкулов, Ю.П.Удалов, А.В.Ружни-ков, Э.В.Бурсиан. Аномальная зависимость температуры фазового перехода от давления в слоистом сегнето электрике $г2Та20?.

ФТТ, I981, 23, с.3449-3450.

2. В.В.Казаков, С.В.Барышников, А.В.Ружников, Р.М.Рах-манкулов. Влияние давления на температуру фазового перехода и край оптического поглощения в StJc^Op .- В сб.: Тезисы X Всесоюзной конференции по сегнетоэлектрическву и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве. Минск: 1982, часть I, с.155 ; Изв. АН СССР, сер.физ., 1983, 47, с.736-737.

3. В.В.Маслов, С.В.Барышников, В.В.Казаков, И.А.Драбкин. зависимость температуры фазового перехода в P^xG-exTe от давления и концентрации носителей.- В сб.: Элементарные возбуждения в сегнето электриках. Л.: ЛПМ им. А. Й. Герце на, 1983, с. 30-33.

4. В.В.Казаков, Р.М.Рахманкулов. Влияние электрического поля на фазовый переход в Зг2Та20? .- В сб.: Элементарные возбуждения в сегнетоэлектриках. Л.: ЛГПИ им.А.И.Герцена, 1983, с.53-55.

Статьи 1-4 написаны в соавторстве с Э.В.Бурсианом (постановка задачи, обсуждение результатов), С.В.Барышниковым, В.В.Масловым, А.В.Ружниковым (обсуждение результатов), Р.М.Рахманкуловым, Ю.П.Удаловым, И.А.Драбкиным (выращивание кристаллов $х2Таг0р и P^ xGexTe). Эксперименты по исследованию влияния внедренного гелия в кристаллы титаната бария выполнены совместно с С.В.Барышниковым. Автором полностью выполнена остальная экспериментальная часть работы.

Апробация результатов работы. Основные результаты работы докладывались и обсуждались на X Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве (Минск, 1982 г.), а также на ежегодных межвузовских конференциях "Герценовские чтения" ЛПШ им.А.И.Герцена в 1980 - 1983 г.г. Содержание работы отражено в четырех статьях.

Настоящая работа выполнена в лаборатории сегнетоэлектриков цри кафедре физической электроники ЛГПИ им.А.И.Герцена. Автор выражает глубокую цризнательность научному руководителю проф.Э.В.Еурсиану за руководство работой и постоянное внимание, коллективу лаборатории сегнетоэлектриков за помощь и создание благоприятных условий дом работы, С.В.Барышникову, под чьим руководством велись работы по исследованию влияния внедренного гелия на сегнетоэлектрики, Я.Г.Гиршбергу за обсуждение результатов и В.Н.Богомолову за помощь в создании аппаратуры высокого давления.

1. Bersuker 1. В. On the origin of ferroelectricity in perovs-kite type crystals.- Phys.Lett.,1966, 20, p.589-590.

2. Берсукер И.Б.Вехтер Б.Г. Межзонное взаимодействие и спонтанная поляризация кристаллических решеток,- ФТТ, 1967,9, с.2652-2655.

3. Берсукер И.Б.,Вехтер Б.Г. "Межзонная" теория спонтанной поляризации и сегнетоэлектрические фазовые переходы.-Изв. АН СССР, сер.физ., 1969, 33, с.199-203.

4. Kristoffel U.,Konsin P. Pseudo Jahn - Teller effect and order phase transition in crystals.- Phys. St. Sol.,1967, K1, K29-K43.

5. Кристофель H.H.,Консин П.И. О возможности сегнетоэлектри-ческого фазового перехода в связи с электрон-фононным взаимодействием.- Изв. АН ЭССР, сер.физ.-мат., 1967, 16. с.431-437.

6. Kristoffel И.,Konsin P. Displacive vibronik phase transitions in narrov-gap semiconductors.- Phys.St.Sol.,1968,28 P.732-739,

7. Консин П.И.,Кристофель Н.Н. К зависимости частот мягких сегнетоэлектрических мод от электрического поля.- ФТТ, 1968, 10, с.2250-2252.

8. Консин П.И.,Кристофель Н.Н. Некоторые дальнейшие черты сегнетоэлектрических фазовых переходов в вибронной модели.- Изв. АН ЭССР, сер.физ.-мат., 1971, с.37-44.

9. Кристофель Н.Н.,Консин П.И. К теории межзонных механизмов сегнетоэлектрических переходов.- Изв. АН СССР, сер. физ., 1971, 35, с.1770-1774.

10. Кристофель Н.Н.,Консин П.И. Теория вибронных фазовых переходов широкощельных сегнетоэлектриков,- ФТТ, 1971, 13. с.2513-2520.

11. Гиршберг Я.Г.,Тамарчанко В.И. Неустойчивость и фазовый переход в системах с межзонным взаимодействием.- ФТТ, 1976, 18, с.1066-1076.

12. Гиршберг Я.Г.Дамарченко В.И. Фазовый переход и параметр порядка в системах с межзонной связью.- ФТТ, 1976, 18, с.3340-3348.

13. Гиршберг Я.Г.,Бурсиан Э.В. Фазовые переходы в сегнето-электриках как результат межзонного электрон-фононного взаимодействия.- В сб.: Сегнето электрики. Л. :ЛГПИ им.А.И. Герцена, 1978, с.8-30.

14. Бурсиан Э.В.,Гиршберг Я.Г.,Трунов Н.Н. Межзонная модель сегнетоэлектричества. Теория и эксперимент.- Изв.ВУЗов, ФИзика, 1981, 8, с.94-109.

15. Петров А.А. Ферроэлектрический датчик давления,- В кн.: Исследования в области измерения высоких давлений. М.: Труды ВНИИФТРИ, вып.II(41), с.31-34.

16. Барфут Дж.,Тейлор Дж. Полярные диэлектрики и их применения.- М,:Мир, 1981, 526 с.

17. Samara G.A, The effect of hydrostatic pressure on ferroelectric properties.- Advances in high pressure research. New-York; 1969, 2, p.155-239.

18. Samara G.A. The effect of hydroctatic pressure on ferroelectric properties.- J.Phys.Soc.Jap., 1970, 28 Suppl.,19. P.399-403.

19. Samara G.A. The study of structural phase transitions at high pressure: soft modes in ferroelectrics and die-electrics.- Proceedings of the fourth int.conf. on highpressure. Kyoto, 1974, p.247-250.

20. Samara G.A. High pressure studies of soft mode transition in solids.- High, pressure and low temperature physics.-New York and London, 1980, p.255-277.

21. Samara G.A. Some applications of high pressure studies of phase transitions in solids.- High pressure science and technology. Sixth AIRAPT conference.,1979, 7.1, p.177-193.

22. Samara G.A. Recent advances in the study in structural phase transitions at high pressure.- Proc.of the International symposium on the physics of solids under high pressure, Bad Honnef, Germany, 1981, p.91-98.

23. Samara G.A.,PEERcy P.S. The study of soft mode transitions at high pressure.- Solid State Physics, 1981, ^Эб, p.1-18.

24. Смоленский Г.А,,Боков В.А.,Исупов В.А. Драйник Н.Н. .Пасынков Р.Е.,Щур М.С. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики.-JI.:Наука, 1971, 476 с.

25. Иона Ф.,Ширане Д. Сегнетоэлектрические кристаллы.- М.:Мир, 1965, 556 с.

26. Бяинц Р.,2йекш Б. Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики. Динамика решетки.- М.:Мир, 1975, 398 с.

27. Бурсиан Э.В. Нелинейный кристалл титанат бария.- М.:Наука, 1974, 295 с.

28. Лайнс М.,Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные материалы.-М. :Мир, 1981, 736 с.

29. Stirling W.G. Ueutron inelastic scattering study of the lattice dynamics of strontium titanate: harmonic models.-J.Phys.C, 1972, 2711-2730.

30. Bruse A.D.,Cowley R.A. Lattice dynamics of strontium titanate: anharmonic interactions and structural phase transitions.- J.Phys.O, 1973, 6, p.2422-2440.

31. Samara G.A.,Sakudo T.,Yoshimitsu K. Important generalisations concerning the role of competind forces in displa-cive phase transitions.- Phys.Rev.Lett. ,1975, 25.» P.1767-1769.

32. Вул Б.М.Верещагин Л.Ф. Зависимость диэлектиической проницаемости титаната бария от давления.- ДАН СССР, 1945, 48, с.662-665.

33. Merz W.J. The effect of hydrostatic pressure on the Curie point of barium titanate single cristals.- Phys.Rev., 1950, 78, p.52-55.

34. Minomura S.,Kawakubo T.,Nakagawa T.,Sawada S. Pressure dependence of Curie point and tetragonal-orthorhombic transitions point of BaTiO^.- Japan.J.Appl.Phys., 1964» 2, p.562-563.

35. Minomura S.,Tanaka M.,0kai В.,Nagasaki H. Pressure dependence of transitions temperatures and electrostrictions in perovskite BaTiO^.- J.Phys.Soc.Japan, 1970, 28 Suppl., p.404-406.

36. Samara G.A. Pressure and temperature dependences of the dielectric properties and phase transitions of the ferroelectric perovskites: PbTiO^ and BaTiO^.- Perroelectrics, 1971, 8, p.277-289.

37. Clarke R.,Benguigui L. The tricritical point in BaTiO^.-J.Phys.C, 1977, 10, p.1963-1973.

38. Поландов И.Н.,Струков Б.А.,Мылов В.П. Об изменении характера фазового перехода в монокристаллическом титанате бария под действием гидростатического давления.- ФТТ, 1967, 9, с.1477-1482.

39. Кабалкина С.С.Верещагин Л.Ф. ,Щуленин Б.М. Рентгенографическое исследование влияния гидростатического давления на структуру титаната бария.- ДАН СССР, 144, с.1019-1021.

40. Bethe К.jWelz P. Preparation and properties of (Ba,Sr) TiO^ single crystals.- Mat.Res.Bui.,1971, 6, p.209-218.

41. Benguigui b.,Beaucamps Y. A new tricritical point in Co doped barium titanate.- Ferroelectrics, 1980, 25, p.633635.

42. Tominaga Y.,Nakamura T. Dispersion relation of over-damped soft E-polariton in tetragonal BaTiO^.- Sol.State Communs, 1974, 1J5, p.1193-1198.

43. Pleuri P.A.,Lasay P.D. Acoustic soft - optic mode interactions in ferroelectric BaTiO^.- Phys.Rev.Lett., 1971, 26, p.1331-1334.

44. Peercy P.S.,Samara G.A. Pressure dependence of acoustic-mode-soft-optic-mode interactions in ferroelectric BaTiO„ Phys.Rev.,1972, 6, p.2748-2751.

45. Samara G.A. Pressure and temperature dependences of the dielectric properties and phase transitions of the anti-ferroelectric perovskitess PbZrO^ and PbHfO^.- Phys.Rev., 1970, Bl, p.3777-3786.

46. Pisarski M. Effect of hydrostatic pressure on the dielectric permittiviti of NaNbO^ single crystals.- Acta Physica Polonica, 1980, A57, p.693-698.

47. Pisarski M. High pressure and kinetic phenomena in NaUbO^single crystals.- Phys.St.Sol.,1980, B101, p.635-644»

48. Samara G.A. On the role of competing forces in displa-sive phase transitions.- Comm.Solid State Phys., 1977, 8, p.13-22.

49. Леванюк А.П.,Санников Д.Г. Теория фазовых переходов в сегнетоэлектриках с образованием сверхструктуры, не кратной исходному периоду.- ФТТ, 1976, 18, с.423-428.

50. Искорнев И.М. Флеров И.Н. Термодинамический анализ результатов дилатометрического изучения фазовых переходов в кристаллах типа KgSeO^ ФТТ, 1983, 25, с.2950-2953.

51. Москалев А.К.,Белоброва И.А. .Александрова И.П. Исследование фазовых переходов в i^znCi^ методом ЯКР под давлением.- В сб.: Тезисы докладов IX Всесоюзного совещания по сегнетоэлектричеству. Ростов-на-Дону, 1979, с.202.

52. Aleksandrova I.P. Radiospectroscopical study of incommensurate phases in ferroelectrics.- Perroelectrics, 1980, 24» P.135-141.

53. Press W.,Majkrzak C.F.,Axe J.D.,Hardy J.R.,Massa N.E., Ullman F.G. Effect of hydrostatic pressure on the incommensurate phase of KpSeO .- Phys.Rev.,1980, B22, p;332T335.

54. Samara G.A.,Massa N.E.,Ullman P.G. Vanishing of the phase transition and quantum effect in KgSeO^ at high pressure.- Perroelectrics, 1981, 36, p.335-338.

55. Kudo S.,Ikeda J. Hydrostatic pressure effect on the die-lectrical properties of KgSeO^.- J.Phys.Soc.Jap.,1981, 50, p.733-734.

56. Handerek J.,Pisarski M. ,Ujma Z. The influence of an electric field and high pressure on dielectric properties and phase transition in PbZrO^.- J.Phys.C, 1981.14, p.2007-2016.

57. Синяков E.В.,Флерова С.А.Кубышкин O.A. Влияние одностороннего механического давления на фазовый переход в монокристаллическом BaTiO^ .- Изв.АН СССР,с.ф.,1967, с.1768.

58. Hayashi М. Shift of Curie temperature of barium titanate due to two-dimensional pressure.- J.Phys.Soc.Jap.,1973» 24, p.1561-1562.

59. Герзанич Е.И. Влияние всестороннего сжатия на край поглощения, спектр отражения и зонную структуру sbsJ .-Укр.Физ.журнал, 1980, 25, с.1593-1596.

60. Герзанич Е.И. Край поглощения и зонная структура црусти-та под действием всестороннего сжатия.- Оптика и спектроскопия, 1980, 49, с.557-560.

61. Качалов Н.П.,Поландов И.Н.Бутурлакин А.П.Герзанич Е.И. Влияние давления на ширину запрещенной зоны в сегнето-электрике-полупроводнике pb5Ge^011 В сб.:Тезисы X Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству. Минск,1982, ч.1, с.175.

62. Suchan H.L.,Balchan A.S.,Drickamer H.G. The effect of pressure on the absorption edge of BaTiO^ and TiOg.- J.

63. Phys.Chem.Solids, 1959, 10, p.343-344.

64. Wemple S.H.,DiDomenico M.Jr, Jayaraman A. Electron scattering in perovskite-oxide ferroelectric semiconductors. Phys.Rev.,1969, 180, p.547-556.

65. Cochran W. Dielectric constant of lead telluride.- Pyys. Letters, 1964, Ц, p.193.

66. Powley G.S.,Cochran W.,Cowley R.A.,Dolling G. Diatomic ferroelectrics•- Phys.Rev.lett.,1966, T£} p.753-755.

67. Cochran W.,Cowley R.A.,D011ing G.,Elcomb M.M. The crystal dynamics of lead telluride.- Proc.Roy.Soc.,1966, A293, P.433-451.

68. Alperin H.A.,Pickart S.I.,Phyne I.I.,Minkiewicz V.I. Softening of the transverse-optic mode in PbTe.- Phys. Lett.,1972, 4OA, p.295-297.

69. Cowley E.R.,Darby I.K.,Powley G.S. Thr lattice dynamics of the tin telluride.- J.Phys.,1968, C2, p.1916-1925.

70. Iizumi M.,Hamaguchi D.F.,Komatsubara S.,Kato Y. Phase transition in SnTe with low carrier concentration.- J. Phys.Soc.Jap. ,1975, j38, p.443-449.

71. Lefcowitz I.,Shieds M.,Dolling G.,Buyers W.J.L.,Cowley R.A. The transition in SnTe GeTe alloys.- J.Phys.Soc. Jap.,1970, 28 Suppl.,p.249-251.

72. Hohnke D.K.?Hooloway H.,Kaiser S. Phase relations and transformations in sistem PbTe GeTe.- J.Phys.Chem.Solids, 1972, p.2053-2062.

73. Верещагин Л.Ф.,Кабалкина С.С. Рентгеноструктурные исследования цри высоком давлении.- М.:Наука, 1979, 174 с.

74. Murase K.,Sugai S. Raman scattering from soft TO-Phonon in IV-VI compound semiconductors.- Sol.State Gommuns, 1979, 2£, p.127-131.

75. Kinch M.A.,Buss D.D. Par IR determination of the transverse optic lattice mode in PbTe at low temperature.- Sol. State Gommuns, 1972, Ц, p.319-322.

76. Grosse P. Submillimeter spectroscopy on epitaxial lead-telluride crystals.- Physics of narrow-gap semiconductors. Proс.of the third Int.Conf.,Warszawa, 1978, p.7-24.

77. Kobayashi K.L.I.,Kato Y.,Katayama Y.,Komatsubara K.F. Carrier concentration dependent phase transition in SnTe.- Phys.Rev.Lett.,1976, 21» P-772-774.

78. Katayama S. Anomalous resistivity in structural phase transition of IV-VI compound.- Sol.State Communs, 1976, 19, p.381-383

79. Насыбуллин P.A. .Гиршберг Я.Г.,Трунов H.H.,Калимуллин P. X.Духарский А.А.-, Харионовский Ю.С.,Шапкин В.В.,Бурсиан Э.В. Немонотонная зависимость температуры сегнетоэлектрического фазового перехода в PbixSnxTe от состава.-ФТТ, 1983, 25, с.784-788.

80. Seddon Т.,Parley J.,Saunders G.A. An acoustic anomaly at the phase transition in GeTe-SnTe alloy single crystals.-Sol.State Communs, 1975, Ц, p.55-57.

81. SS.Rehwald W.,Lang G.K. Ultrasonic studies of phase transitions in the tin telluride germanium telluride system. -J.Phys.C, 1975, 8, p.3287-3296.

82. Hatta J.,Rehwald W. Specific heat of Sn., Ge Те crystals1 —X Xat the structural phase transition.- J.Phys.С, 1977, 10, p.2075-2081.

83. Takano S.,Hatta S.,Kawamura H. Studies of Dielectric properties and band parameters of n-Pb^^Sn^Te by magne-tо-plasma waves.- J.Phys.Soc.Jap.,1974, £7, P;1007-1010.

84. Барышников C.B.,Бурсиан Э.В.,Гиршберг Я.Г. Измерение решеточной диэлектрической проницаемости РбТе методом ма-гнитоплазменных волн при температуре 74 К.- ФТТ, 1977, 19, C.II63-II64.

85. Bate R.Т.,Carter D.L. ,\Vrobel J.S. Paraelectric behaviour of PbTe.- Phys.Rev.Lett., 1970, 25, p.159-162.

86. Antcliffe G.A.,Bate R.Т.,Buss D.D. On the ferroelectric natura of the cubic-rhombohedral phase transition in Pb- Ge Те,- Sol.State Communs, 1973, Ц, p.1003-1006.1.™л Jv

87. Jantsch W.,Mitter H.,Lopes-0tero A. Anomalies of static dielectric constant of Pb1 Ge Те.- Z.Phys.В, Condensedi**jv jv

88. Matter.,1981, 41, s.287-290.

89. Гришечкина С.П. ,Жэховец С,В. Допыловский Б.Д. Дотов А.П. Влияние фазового перехода на электрические характеристики р-п переходов в Pi^ ^Ge^e ФТП, 1978, 12, с.1132-1137.

90. Барышников С.В.,Бушмарина Г.С.,Грузинов Б.Ф.,Драбкин И.А. Маслов В.В. Диэлектрическая проницаемость в

91. РЬ0 97^0, озТе , легированном Ga , в районе фазового перехода.- В сб.:Электроны и фононы в сегнетоэлектриках. Л.:ЛГПИ им.А.И.Герцена, 1979, с.88-91.

92. Khvostantsev L.G.,Sidorov V.A.,Shelimova L.E.,Abricosov N.Kh. Phase transitions in GeTe at hydrostatic pressure up to 9,3 GPa.- Phys.ST.Sol.,1982, A74, p.185-192.

93. Suski T.,Baj M.,Zuczkowski W.,Kobayashi K.L.P.,Komatsu-bara K.P. Pressure induced phase transition in PbSnTe.-Sol.State Communs, 1979, 3£, p.77-80.

94. Kawamura H. Phase transitions induced by electron-phonon interaction in IV-VI compounds.- Comm.Solid State Phys., 1979, p.55-62.

95. Sato Y.,Pujimoto M.,Kobayashi A. Effect of pressure on electric properties of lead telluride.- J.Phys.Soc.Jap., 1964, 12, p.24-30.

96. Зломанов В.П.,Лихтер А.И.,Пель Э.Г.,Тананаева О.И. Электрические свойства монокристаллов ръ sn Те цри высоi —x xком давлении.- ФТП, 1975, 9, с.1396-1398.

97. Аверкин А.А.,1Уриева Е.А.,Ефимова Б.А.,Стильбанс А.С. Исследование твердых растворов на основе ръте при всестороннем давлении.- ФТП, 1978, 12, с.1144-1148.

98. Бушмарина Г.С.,Грузинов Б.Ф.,Драбкин И.А.,Нельсон И.В. О стабилизации уровня Ферми в сплавах ръ Ge Те , ле1.—X XтированныхGa ФТП, 1977, Ц, с.1874-1881.

99. Акимов Б.А.,Вадхва Р.С.,Рябова Л.И.,Чудинов С.М. Последовательные переходы полупроводник-металл-полупроводник под давлением в сплавах Pb^^n^e с примесью In.- В кн.: Фазовые переходы металл-диэлектрик. Москва-Львов: 1977, 269 с.

100. Смоленский Г.А.,Исупов В.А.,Аграновская А.И. Высокая диэлектрическая цроницаемость ниобатов и танталатов двухвалентных металлов.- ДАН СССР, 1956, 108. с.232-235.

101. ПО. Смоленский Г.А.,Исупов В.А.Аграновская А.И. Фазовые переходы в сегнетоэлектрических твердых растворах на основе пиротанталата стронция.- ДАН СССР, ИЗ, с.803-805.

102. Yamamoto N.,Yagi K.,Honjo G.,Kimura M. ,Kawamura T. Few phases of Sr2Ta20y and SrgNbgOy found by electron microscopy and diffraction.- J.Phys.Soc.Japan, 1980, 48, p.185-191.

103. Ishizawa N.,Marumo P.,Kawamura T.,Kimura M. The crystal structure of SrgNbgO^, a compound with perovscite-type slabs.- Acta Cryst.*1975, 1Щ., p.1912-1915

104. Ishisawa N.,Marumo P.,Kawamura M.,Kimura M. Compounds with perovskite-type slabs. II. The crystal structure of Sr2Ta207. Acta Cryst.,1976, B£2, p.2564-2566.

105. Nanamatsu S.,Kimura M.,Kawamura T. Crystallographic and dielectric properties of ferroelectric AgBgOy (A = Sr, В = Ta,Nb) crystals and their solid solutions.- J.Phys. Soc.Japan, 1975, ^8, p.817-824.

106. Ishizawa N.,Marumo P.,Iwai S. Compounds with perovskite type slabs. IV. Ferroelectric phase transitions in Sr2(Ta1;3CNb3:)20^ (x = 0,12) and Sr2Ta20^.- Acta Cryst., 1981, B27, p.26-31.

107. Кочетков В.В.,Захаров Н.А.,Стефанович С.Ю.Веневцев Ю.Н. Фазовые переходы в сегнетоэлектриках состава А-^Оу.-Кристаллография, 1979, 24, с.1066-1070.

108. Kojima S.,0hi K.,Takashige М. ,Nakamura T.,Kakimura H. Optical mode softening in the incommensurate phase of SrgNbgOySol.State Communs, 1979, Ц, p.755-757.

109. Kojima S.,Nakamura T. Raman scattering studies on high pressure phase transitions of several crystals.- Ferro-electrics, 1980, 25, p.589-592.

110. Водород в металлах. Основные свойства. TI, 475 с. Прикладные свойства. Т.2., 430 с. Ред.Алефельд Г.,Фелькль И.1. Мир, 1981.

111. Атомная диффузия в полупроводниках. Ред.Шоу Д.- М. :Мир, 1975, 684 с.

112. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках.- Л.:Наука, 1972, 384 с.

113. Асеев А.Л.,Ивашнихин В.М.,Стась В.Ф.Смирнов Л.С. Дефекты структуры в германии при облучении ионами гелия и водорода.- ФТТ, 1983, 23, с.3097-3103.

114. Мейер Дж.Эриксон Л.,Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников.- М.:Мир, 1973, 296 с.

115. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы. Ре д. В. С. Вавилов.- М. :Мир, 1980, 332 с.

116. Риссел X. ,Руге И. Ионная имплантация.- М.:Наука, 1983, 329 с.

117. Купряжкин А.Я.,Попов Е,В.,Мездоузельная диффузия гелия во фторидах кальция, стронция, бария.- ФТТ, 1983, 26, с.160-163.

118. Ицкевич Е.С. Бомба высокого давления для работы цри низких температурах.- ПТЭ, 1963, 4, с.148-151.

119. Аверкин А.А.Богомолов В.Н. Автономная камера высокого давления.- ПТЭ, 1972, 3, с.224-225.

120. Щубников М.Н.,Аверкин А.А. Закачивающее устройство для автономных клапанных камер высокого давления.- ПТЭ, 1980, 2, с.188-189.

121. Свенсон К. Физика высоких давлений.- М.:ИИЛ, 1963, 385 с.

122. Щубников М.Л. Малогабаритная камера высокого давления.-ПТЭ, 1981, 5, с.178-180.

123. Брэдли К. Применение техники высоких давлений при исследовании твердых тел,- М.:Мир, 1972, 232 с.

124. Таблицы физических величин. Справочник. Ред. Кикоин И. К., М.:Мир, 1976, 1006 с.

125. Широков А.М.Досичкин Ю.В.,Анзин В.Б.,Ицкевич Е.С.,Су-хопаров В.А. Оптическая низкотемпературная камера с фиксированным гидростатическим давлением.- ПТЭ, 1973, 3, с.208-209.

126. Балицкий B.C.Лисицина Е,Е. Синтетические аналоги и имитации природных драгоценных камней.- М. :Недра, 1981, 158 с.

127. Лайсаар А.И. .Лехтсалу X.Я.,Кире Я.Я.,Нийлиск А.И. Установка для оптических исследований под гидростатическим давлением до 15 кбар.- В кн.:Физические исследования цри высоких давлениях. Таллин, 1977, часть I, с.72-79.

128. Виноградов Е.А.,Жижин Г.Н.,Мельник Н.Н.Субботин С.И., Панфилов В.В.,Аллахвердиев К.Р.,Бабаев С.С.,Житарь В.Ф. Влияние гидростатического давления на спектры комбинационного рассения монокристаллов 8 GaSe и Znin2s4 ФТТ, 1980, 22, с.742-748.

129. Богомолов В.Н.,Прямой метод измерения зависимости давления в сжатых жидкостях от температуры.- ПТЭ, 1975, 6, с.224-225.

130. Миркин Л,И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов.- М.:Гифмл, 1961, 864 с.

131. Стефанович С.Ы,Захаров Н.А.Веневцев Ю.Н. Сегнетоэлектрики А2В2О7 со слоистой перовскитоподобной структурой.-М. :НИИТЭЙШ, 1978, 52 с.

132. Александров В.И. ,0сико В.В. .Прохоров A.M. .Татаринцев В. М. Новый метод получения тугоплавких монокристаллов и плавления керамических материалов.- Вестник АН СССР,

133. Аверкин А.А.,Кайданов В.И.,Мельник Р.Б. О природе цри-меоных состояний в теллуриде свинца.- ФТП, 1971, 5, с. 91-95.

134. Hegenbarth Е. The shifting of transition temperature of (Ba3CSr1-x)Ti02 solid solutions (x < 0,1) by hydrostatic pressure.- J.Phys.Soc.Japan, 1970, 28Suppl., p. 407-409.

135. Фрицберг П.А. Проверка выполнения закона Кюри Вейсса для сегнето электрического твердого раствора Ва1 ^Sr^Tio^ при гидростатическом давлении до 2,5 кбар.- В кн.: Фазовые переходы в сегнетоэлектрических твердых растворах. Рига: 1976, с.25-29.

136. Maslov V.V.,Baryshnikov S.V.,Kopelevich Ya.V. Photosti-mulated phase transition shift in a narrow gap ferroelectric-semiconductor.- Ferroelectrics, 1982, p. 51-54.

137. Suski T.,Baj M.,Murase K. Pressure investigations of capacitanse of PbGeTe p n junction diode.- J.Phys.С, 1982, 1j3, L.377-379.

138. Suski T. Baj M. Katayama S.,Murase K. Phonon and electrical resistivity anomalies at the displacive phase transition in Pb^Sn^Te and ^bi^e^e.- "Lect.Notes Phys." 1982, 1£2, p.266-269.

139. Руманс К. Структурные исследования некоторых окислов и других халькогенидов при нормальных и высоких давлениях. М.: Мир, 1969, 208 с.