Фазовые равновесия в системах La(Nd)—Sr(Ce)—Сu—О и выращивание монокристаллов ВТСП тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Малюк, Андрей Николаевич АВТОР
кандидата технических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ
Черноголовка МЕСТО ЗАЩИТЫ
1995 ГОД ЗАЩИТЫ
   
01.04.07 КОД ВАК РФ
Автореферат по физике на тему «Фазовые равновесия в системах La(Nd)—Sr(Ce)—Сu—О и выращивание монокристаллов ВТСП»
 
Автореферат диссертации на тему "Фазовые равновесия в системах La(Nd)—Sr(Ce)—Сu—О и выращивание монокристаллов ВТСП"

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ТВЕРДОГО ТЕЛА

На правах рукописи МАЛЮК Андрей Николаевич

;-Ти ОД

ФАЗОВЫЕ РАВНОВЕСИЯ В СИСТЕМАХ Ьа(\с1)—8г(Се)—Си—О И ВЫРАЩИВАНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ ВТСП

Специальность 01.04.07 — физика твердого тела

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Черноголовка 1995

Работа выполнена в Институте физики твердого тела РАН.

Научный руководитель: доктор технических наук Емельчешко Г. А.

Официальные оппоненты:

доктор технических наук Бородин В. А., кандидат химических наук Быков А. Б.

Ведущая организация: Московский государственный университет им. М. В. Ломоносове

Защита состоится „ " оО^М-и^__199 ¿г. в ^ час

на заседании специализированного совета Д 003.12.02 при И нети туте физики твердого тела РАН по адресу: 142432, Моско1Вска$ область, п. Черноголовка, ИФТТ РАН.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Институт; физики твердого тела РАН.

Автореферат разослан " __ 199^года.

Ученый секретарь специализированного совета доктор технических наук М. И. Карпо!

© Институт физики твердого тела РАН

02ДАЯ ХАГШЕРИСтаКА РАБОТЫ

Актуальность тала. открытие ь те году внсокотемпературнсй ^ сверхпроводимости (ВТСН) в классе лантон-шолочноземельнюс купра- • tos ' стгтму-гироЕало м-СлЗШЯ поток исследований' па пс-.кку, с»п!хез.у и определению физических характеристик огромного числа рзздашш; оксидных соедаяе!«!!, главным обшзсм. на осип«- ютга^пя ш.™

МЯ ГТСЗ CvS3iSKSi2i ü огСЙля-А vfcCit»-

мах; Ьа-Sr-Cu-O, JM-Ce-Cu-O. Y-Ba-Cu-O, Bi-Br-Ca-qti-O л др. Открытие кавдого нового ВТСП сразу же вазнваат попытки нггрэ^йагшя кристаллов соответствующей фазн. Это обусловлено теи, что боль-ийнство предазиодагх исследований сгруктура и физических свойств могут <зыть проведены только т моядкрястадаг. Спхз отнасятсл дотадьная расшифровка кристаллической структур;, исследования физически анизотропных свойств, изучение влияния дефектности на аверхпрог-одяаше свойства и г.д.

Во есотл миро в работы по синтезу кристаллов БТСП вкладта-мся значительна© усилия. Однако, несмотря т большую исследовательскую активнее, зффектииша штогн п&тчснля кр;гс?алхотг ВТСП £о ста пор на иайденн. Размеры монокристаллов изжряятся мшкмэграмя я долями: етллкмзтрсв, пз рсхт> ггрэСлекя одг?орзг«о~ 1ч> раииределания Л8г«фувдгг компонентов по объему ' кристалла, процесс кристаллизация остается не управлявши.

Оексвяш -метода всяу?бяяя шкжрятллбй ВТСП до настоящего еремеш остается спонтанная кристаллизаппя из раствора,в расплаве, основанная на неконтролируемом зарождения и pocis в условиях ?.'в дленного схяаэдшшя. Суасстзувт способы локализаций

центров зарождения и последующего разращивания кеиногочксленнш аародитаихся кристаллов. что вносит элементы управления процесса» роста. Однако, этого оказывается недостаточно для воспроизводимого управляемого -шрапивания слокноззмещвиных оксидных соединения заданного состава и высокой степени однородности. Эт< связано, например, с концентрационной и температурной зависимостями коэСфщжзнтов распределения лагирузодих кштононтов, что щл использовании медленного охлаждения приводит к изменена» состав получаемого ионокристалда твердого раствора по мере роста.

Поэтоиу для выращивания объемных и совершенных монокристол лов БТСЛ перспектившш гвллотс'я использование различных методе кристаллизации при постоянной темпаратурв в поле темпвратурног градиента.

Необходимой основой для синтеза любых материалов явшис яадоюше и достаточно детальные фазоша диаграммы. Особенно ваз М их рель, при разработке методов шрагшзания кристаллов, т.к. атом слу?§э нужно на только попасть в область кристаллизащ требуемой Аазк, но и подобрать условия, обвепечивапога отсутс-аие паразитного зародышеобразоватая, постоянство пврескаания ) времени и т.д. В тоже время фазовые равновесия в системах, с< держащих ВТСП сосдкнбкия, на сегодняшня день изучены нвдост, точно подробно.

После открытия соединения ув*2си3о7^8 с температурой пер хода в. сверхпроводящее состояние тс-9о к основные- усилия иссл дователей сосредотачиваются на систеие у-па-си-о, и чуть поз« на система в!-аг-са-си-о, где были обнаружены сразу два свер Проводящие о тс«во к и с тс-по к. По этим системам бы

• г

выполнено подавляющее количество научных работ. Однако, в пос- ■ яеднзв время наблюдается возврат интереса к изучению соединений . (La.sr),,cuo. й (b'd,cai,cuo., которые обладают наиболее прости:

¿ 4 ■ л 4

составами и структурзш из вусскотетературньгх сверхпроводников, и поэтом? могут рассчагриктся как модельные системы для исследования пртфода ГЯСП.

Цель реОети. .На сскош изучения «¡рааоЕмх равновесий в системах 1Л-ЯГ-СИ-П я —- '¿ZZr^Z'S+ni.a - t.lñx:t**¿ ригяс™«"-- ~ палу'-г.-.д* ооъеийнв Lh, „зг^ою. , (о*х*-.о ла> а

тм. ce^cuo. (ояхго.зс). Исслздсвзть блиянно условий крдотзлли-

¿~л зс Ф -

зации на сверхпроводящие свойства получениях монокристаллов.

Новизна и научная ¡значимость работа заключается в подученных ноша результатах, шносишх ira ззшту: -Спрбдоленн otocïiî христаядхзэдих фаз La„cu,o,, ¡» ta, „s- с«о„ _

4i 4 ? ¿"íl X « » Э

в система ba2o3-(src}-cuo. Установлен гашгдй предел растворимости стрсгсдая в сшдагемш ь^_х£гхсио2 s. -Определены температура к фазн» образугаюе эптектш.у б системе Md2oa-cuo. Показано, что ь данной систош реэкзшя разлеквик.«! в твердой Фаэд eue »cu_o+o2 няблидаотся пита температура .-ттекТй-чегкой реакции ш3с«о4+счго-»тЛп. • ' •

-Измереда зависимости галтплпи?*У!тч f,s Cu04 и '<<j,ci¡ót от

температуры в системах га„о3-ою у. Hdnr>3-cuo я рассптда пн-тгльпта растворения этих фаз в купратпом рапгава. -Подучены объемные монокристаллы купратоз лантана с одаороджм распределением стронция по обгбку. Найдена зависимость -эШ^к-тивкого коэффициента гаисцсикя стронция от концентрация ñrft в ' расл.г.экз. Изучена структурные характеристики пнрзкеникх. моно-

кристаллов.

-Получены объемнее монокристаллы купратов нзодкыа с однородным распределением стронция по обьёыу.

-Исследовано и определено слияние условий кристаллизация (состав расплава, величина шреохлаздения, материал тигля) яа состав, структуру и сзерхпроводягдаэ свойстве монокристаллов купратов лантана и неодима.

Практическая значимость полученных результатов: -Результата изучения фазовых равновесий в системах 1л-(8г)-си-с к №3-(Се>-си-о создает основу для определения физика-хвынческиз характеристик и параметров кристаллизации при выращивании монокристаллов г исследуемая, системах.

-Разработвв способ выращивания объёмных монокристаллов купракн лантана и неодима при постоянное температуре. -Получены объймвае и однородные монокристаллы твердых раствор» 1ла-Х5гХСц04 И к<12-ХСа«Си04 физических и структурных яс следований.

Разработаны методы химической полировки и ориентациокного траЕ леняя ыонохристаллоэ купратов лантана и неодима.

Публикации. По материала« диссертации опубликовано б нау* ' 1и* статей и получено I авторское свидетельство на изобретение. Апробация работы. В ходе выполнения работы еб результа:

■ -.......■". I...... •" "

докладывались яа: "

-3 Всесоюзной конференций по ВТСП (г.Харьков, 1991г:).

Всесоюзной конференции по росту кристаллов (г.Харьков, 1932Г.).

-Европейском оеиякарз по ВТСП шнокристаллаы! вщшшвание и ф

зкческт свойства (г.Харьков, 19ЯТ>,

Структура и об*««* paft'>TU. JiH^CGfiTauiiH состоит из ui'-.. пяти 1*яйв ч апклгчсиия. Л«ссортация величает IM сцмниц t.w сопровождаемого 30 рисункьми 10 таблицами.. Список литура'лурй: содержит В'/ и&имоповани!*..

fV'H.Uli.V'.V mTTETt'l У1Ш

ВО ШЕДЕКИИ обоснована актуальность, сфзрмулирозпна пыль работы, крятко иаио«ано содержали« доядодов дкосьртацик,

ПЕРВАЯ ГЛАВА содержи? краткий обзор литературя но 0.ir.or>fiM равновесий» в системах t-iao3-(Grc)»cuo и н^о^с.-о.^ -оно и способам гмрапипания монокристаллов 1 * г.? \>атум' к т cr.nf.xvpr, водников ((.а,яг) .,сио4 и (H'j.cn) соо4. p-inovwimwi nrMowatr результаты по ф&зообрэоогфнию » ':!ти? ! ¡'г .^м.чх. (:(..,пня-тельний анализ м-.тодон дерэдоьмт»* ииалриотлдапп ит':п и «(««гкс» рассмотрен мок!;кр!^т::.м<■>'. () а,.'0 а »«••.'•■х Запег-жастоя глава ипигшмп* ttro-i 'п;;» !'»:>•" ,

ВО В1'01,ПЙ ГЛА1Е описан;.- . i-m''*«;>.•>-» »m-i.«' ¡:;.i«. K-iys«

иии фаговых priniicbocifil в системах, для ü:»mnimnnn иг,; ;!!,'онт' 'I' и. йссяо,".- »•■'•пия ¡lf [•'■ "' г;.:-:''/г-

ДЛЯ ПО^уЧвНИЛ ДГШНЦХ П фчЗОЬНХ |Д)ЧЮВСОНЯХ п иослодупмпл системах использовали мотоци дедо<рокшт(,по-7орш'(оск'ч*о анпли-оП (Л7А), T'.'j«оп-аик»«?гри» 'TD, j«!rr»,ii<«г-т.огл«:! »px > к , "»п< t.-но'т,ук7урнш» (Ff-А) aii3.i;n-jij, '^пгк.сх.уп лифоисо.»;;,, гюил'тыа и визуально ГОЧПКТврМЬЧОСККЕ cnw/iu И КрИСЛ<1Л.«Й vililh?! П}/.1 IIbfr'-.ПН • НСtt 1 i:«l;';{AiT.ypC И ПОСТОЯННОМ НСрООХЛаЖДОНИИ.

Для выращивания монокристаллов (i*,srjacuo4 и <ка,се)асио4 0ЫЛ разработан модифицированный TSSG (TSSG - Top Seeded eolation Growth) метод, позболялеий , в отличие от метода медленного охлаждения , проводить кристаллизацию как при постоянной температуре, так и при постоянном переохлаждении.

Структурные исследования образцов проводили с использованием методов рентгеновской дифракции на порошках и монокристаллах . на Д8й&ракт£жетре d-5oo "sieeene".

Элементный состав и однородность монокристаллов изучали методой рзнтгено-спектрэльного анализа с помощью энерго-дисперси-онной приставки an-io/8ss, сопряженной с электронным сканкрувдим микроскопом jsm-02O. ..

.Кагнитные свойства кристаллов измеряли о помощью магнитометра на основе БЧ СКВЙДа в поле 3 3. ..'.'■"

•В ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ изложены результата исследования фазовых равновесий g системах ьа2о3-(вго)-сио и Kd2o3-<ceo2j~cuo.

Исследования кристаллизации в системе t*»2o3-cuo вблизи эвтектического состава показали, что в зависимости от величины переохлаждения .монет кристаллизоваться либо 1ласи2о5, либо ьа2сио4 Монокристаллы tAjCi^Og и ьагсио4 выращивали модифицирован-ванкгал тam методом «га раствора в расплаве сио. Результаты рос-товыг экспериментов по выращивания монокристаллов соединения

■ А • ^ ■

^2Саг°5 8 системе Ьл^о^-ою привздены в табл.pi, из, которах следует, что. фаза L«2Cu2°5 кристаллизуется в данной системе при температурах .ниже ioso'c, При одной и той кэ температуре роста (ои.2 И 3, табл.Й!) в аавилимости or величины переохлавдо-ния идет, либо кристаллизация ЬаяСх,2°5• либ° l,aaCutV Так как

• ' ' • С

ba2cu2o5 кристаллизуется при суаестмнно меньших тттожлажттях (лт-1-2°с), го (îjœHHO это соединения является термодинамически ' устс$5чидам для система ьгио^-сио при данной ïemiepaïypa, a кристаллизация i^cuo^ (при АТ"5°с) связана, по-видимому, с оссОем- . ностями кинетики аародганзобразоваиия.

m-*« —■---- ■

« температура Е'оличгаю да- Соединение

опытов. роста,т , с. рЗОХЛЗУДб-НИЯ, ÛT,°C

- X . 1030 1 ЬааСил°5

• 3 " 1040 2 ь»гси2°s

3 1040 5 La?CuOi

4 1070 3. ' г^гсио4

Метсдэш ДТА-ТГ, РФА к закалки показано, что при темпарату--рэ ioso°с соединенно l>a,oj2or) разлагается на воздухе нп i^euo^ и купрзтныЯ распла., по реакции: ''аасио4<в) * li<j,

а при температура юю'с происходит Ьвтактнчекая оаякпка

цпзата La„си о. и сио; ьл.си-о,., . + cvo, , —> ыг,.

2 г> г ? 5(и) (f5)«—

Зхсперймэнгаяьно доказана устойчивость фазы ьа си о5 в суб~ солчдусной частя диаграммы ta2o3-cuo. В результата проведенных, исследований на рис Л построена уточненная фазовая ллтггэжа изобарического сечения тройной системы La2o -cuo-cuo0 s {¡¡ри Рог»о.о51 НТЗ-з) в координатах температура-исходный состав оксидов: Пунктиром на диаграмме показано положение ликвидуса и со-

лидуоа фазы l»2cmo4 , которая является мотзстеОильной при температурах нижеЮ50°о для составов о содержанием eue больше «е.7»

В результате экспериментов по кристаллизации фазы La2cuao5 а системе ья^-sro-cuo ou»,о обнаружено, пто стронций не растворим й ta.aijOj. и оЛласть кристаллизации ьа2си2о5 в отой системе ограничена конщ.'нтрзнг.ел Sro t шо.1% в расплава. При Содьаей концентрации sîc в система наблюдается кристаллизация соединения 5_г пря температурах нижа Ю50°е. Было найдоко, что нижний нредол растворимости стронция в La1.xiîi*xai02f.J_ô равен о.оь ат./ф.е,, а при меньшем содержании стронция это соединение не cjкествуот.

На основа енэлиэз эксперимокталышх «аннах по кристаллизации В системе tayJ^-SrO-CtiO сооданений Ьа2Си2Оц И Ls1_xSrsiCu02.5 й с учетом основных сооткоа-зний термодинамики фазовых равновесий на рис.2 нанесены проекции предполагаемых фэзовыя границ на треугольник составов ьа^-зго-сио (при ?о2«о.я1 атм. ), разделяющие области пргвичней кристаллизации фаз La2_xsrxcuo4, ы2си2о5,

La3-«SrxCliG2.r> й CUO.

Езаимкые пг-зьряа:е<п'я ьа2си-,о5 и (La.sr»2сио4, а также (Lû,sr)2cuo4 и ;Si-)cuo2 F протекают по яеритектическим реакциям, поэтому границы между соотретствутимй областями кристал-лизмн:« есознэчоны на рпс.2 в виде геритекткчзсках кривых (двойная стрелка указквовт кзнргрчегш^ то^кия температурь: реакции). СЧ-.тйлыш?. î^sdbuc »'рангам oiносятся к ко:ектихои - линиям гчвно-ье-пП дну s тетлнх С^з о задке-тмо. В рассматриваемой области .диагрэуми супогт^УП" две ¡'НРс'Ги.зН'хик!; течки. ' осеэначе-.ннне ни

•е. в точке н происходит тройная перитектичеекая реакция типа

'3>l-{lu5,fii,|,2cu0ii-«ul;;!c«j!0f«<la,sr)c«02is, в тсчкс е-трсйно* звтвк-

шчвскан реакция ir»i^2cu2o5+{ta,s?)a«>3>5+ с«о. Предполагая?®: "температуры этих реакшй по результатам термического а.чолиза ¡рпшинга: составов еостготгтЕуззт им'с длй тсчкя » юоо'с для к. .

Слэдузт отмртить, что .ухзэзяшз йапсякп гл1тшх1.ил<з „«л«™,

квэзирзЕновеспях условиях. Если в процессе кристаллизации •пользулггся пэрсохлаядония ат*2°с ют скорости охлаждения бодьге i c/ь, то еданствеяпнм продуктом ОуДот фаза (ьа,зг)2©ю4.

Фазовые равновесия в систем ндго3-;сеог)-сш> исследовали на воздухе в части, обогащенной оксидом меда.

Тсмпорзтура эвтсктик в система:: па,о -ою и «л о -ceo^-our, при концентраций сео2 в расплав l.o »01% Снли определи» («года "последней капли". В обоих случая?, теггоштурн стад чихъ pat-и'яй! lojot.Vc, т.е. дсйзаккие не г'риюдит ?, повздрют» температура эвтектики, в тс время как температуря яш«идуго чъ^хп-читается та 40-50" с при добавления 1.25 »©it в р*спл->н.

!'згодй?.с: IT, РФА и закалки сало установлено ; что з систм» ¡<d.,o.-с«» эвтектика существует при Tew-wvr" • г »."».г.? яазвя-л ¡удг«лю4 я си2о, a при тетзратурэ 1026iй"с a спочс-ю протекает реакция твердофазного разложения сио-»си2о+ог(д). Завися-чрст* дкигедгез соединения н*2сио4 г» пигтег?? !;rw

смо вила определена визуолню-по-тетермичеекпм ?!втол-.-<. j-'i с-снозэ *t;:i даншх на рис.3 представлена уточненная фазовзч диаграмма изобарического сечения тройней светик Hd2o3-c«o-cuo0 «5 (при

pOj-o.021 1,Ша) в кссрдашатах температура-исходный состав окся-доз.

Линии ликвидуса в системах tn2o3-cuo были опре-

делен« с использованием зондоэого я вяэуальио-полигеркопвского методов. На основе экспериментальных данных по температурам ликвидуса фаз w.cuo4 и »а2сио4 в системах ьп2о3-сиа {хл-ia., Kd) били определены энтальпии растворения ьа2сио4 и ud2cuo4. зкталь-. шм растворения ь»2сиоч равна бнА=гэ kcai/moi при т^мэо'с я 4вге5 kcfti/mal при t<ioso*c. Такое кзманенш внгалыши растворе-вия связано с изменением типа комплекса з растворе ниже юза"с, обусловленное существованием в снстеис La2o3-cuo щи® loso*с фаза La3cu2c5. Энтальпия растворения фазы на2сио4 равна дн»1б jccni/noi и от температура не зависит.

2 г.йсхпме i^jQj-sco-cuo бала определена зависимость температуры эвтектики тв от содержания sro в расплаве. Показано, что при увелачешш концентрации sro от о.о до 5.5 но15 та монотонно уыеньиготся с voosí/c до 995t2'c.

Ч2ГВЕГТАЯ ГЛАВА посвяде.ча ¡яграаивашш монокристаллов шео-КОТеМтаратурНЩ: сверхпроводников (La,Sr)2Cuí>4< И (Kd,CeJ2Cu04 и изучении их caoñciu .

Для нфаэднэнля «энокрястгаллов (t»a,sr)2cuo4 и <ш,сэ)3сиа4 использовали ыодкфидаровэнный tgsg мутод. Исследоадла . влияние услогпй кристаллизации {состав расплава,. величина, п«рео*лэзде»тя и мптерич-"! тигля) ка состав, структуру и сверхпроводящие свойства кристаллов.

При реэистнвпых измерениях кр-.'стэллов ьа2сио4, подученных при рэзлячнмг П"реотл.1«г.енияу, было гюнэрукено, что ооъ^шшв

кркста яли о пярамидальгоял габитусом демонстрирую: тигмчннй полу-пговояййклвнй sepaiwép гартсжгстя ittî).'B ?зжгтэлхах ш плас-тинчасой форет, т.о. кгрз^снннх в Солее норэзиовасккх условиях►

#

на фоне [»ста сояротивлетая при ох.тгкдзнкк набляд^гс резгспч па донка сопротивления при ч? к. йогаикэ язбдк&а'.ть на зг;а k[,.îc -таллчх сввряспрояодягкй переход (СП) по из.«к>эениям стяуигакой (Склад) ass динамической <на частоте 300 Гц; магнитной восприп?-

____nj^iü « JUUUU, ».В. l^ÎinÙL!ΫiM«IM 1»<>и ч:гт»ш.

л.™ в этих "рг.сгпллах иэлуэ «е.?» от эбьбчэ образца.

1!снохркстэлли {1л,аг)2сио4 (lsco), чолупенкыа яри переохлаждении üt»i*c, яиелй изеизтркчмй! габитус с татгчшгш размерами 7»5*з ш. Скорости роста в п юс кости (ooj) и в направленна tooxj составляет о.4-о.в да/«»у н 0.2-0.3 ва/dey соответственно.

S мбл.да-вредатэ'алвяй еостас «схоэтсй сяхта. tewfôpatypa роста, химический состав аврзазяда: юиокряст? ллов, парвкатри рдементаряоЗ ячей?.н для серил ростс-йчх экспериментов,

Ноэдаяотспт роеггролелояяя рассчитивалк по 0cpt.vrr.si

гм и-чсгястам. ь-здахость.

С*. ! ä.'S ! *

Нч Г.ЯП,1тр1гпй5ппа •'nDSf;«^« » -Т "*СД~ТТ'ТГ~ "Tj""*! -

з респлаг«.

Однородность в рзеярндолении стронция по сбъгяу КрПСТГЗЛ-.Ч контролировали с псмспьк ргнтгеко-спектрэлыюго анализа- Лля ПроРОДеКИЯ шкреаналкза КПГОКрйСТЭЛЯ рЧЗрОЛЯЛИ Г<:чм.:??М- tie! . плоскость ерзза полировали и состав измеряли! по двум взаиггапер-пендтжулярн'ум направлениям в зтей плоскости с шаго« îso-aop мкм.

Таблица №.

а начальная шсс-та, mol. LajOjtSrOiCuO температура роста, •с содержание стронция в кристаллах xto.oi дефицит меди в кристаллах У10.01 параметры ячейки ato.001 % bt0.001 А ! ato.ооз к

i * 1060 —. 0.0* 5.3S6 5.398 13.136

3 2:0.10:1* 1040 0.03 0.06 5.354 5.395 13.149

i з:о.з5:1с 1060 0.05 0.07 5.353 5.380 13.158

4 2:c.90:i6 1065 0.08 0.07 5.352 S.373 13.170

5 ^2:0.75:46 1070 0.10 0.08 S.352 . 5.36« 13.191

б zn.OO.'le 1070 0.1S 0.12 3.786 13.193

7 2:1.00:14 ♦ # ♦ .......4» 12 СО-1080 0.1« 0.07 3.786 13.200

2:1.00:14 12201030 0.14 0.02 3.796 13.2)2

* ^лдафвдросайшй. tssg штод использовался & опытах 1-6, . пфзохлЕждгкив о.5-1.о"с.

** S опытах 7-8 кристалла шравквалн мэтодом медлошюго ох-давдбняи. скорость оглааденяя расплава о,5 o/h в оп.7 и

15яc/h в off.8.

ЗСычка состав азшряли в 10-12 точках по кадаому направленно, ¿леяентшй знало (см.табл.*2) тяъ-ля а полученных кристаллах v», зг а, , о, , дефицит mm, который монотонно растет с лога-

¿**х я 1 -у

язкием концвятрзтраияа стронция .

На PJîc.SsuO представлена- зевкскаоети параметра о (рис.бя) И ЭЗЛ'.ГОН« рслгбич?схого исгш&ня* от содергэния стронция я s.pxc.50) з гмясквксгаддгх bsco. Структуриаа переход из рийичес-

vA{i ifrfmu а гмтгшглиапшп in^Mi IIWJ имя

ij :« f*■ ■ Î)^r...J« Д^ТЛ ¡СЭрЗ*^."!^^!^!» Это yïCkï^î^ï^îCT

на дефицит кислорода в полученных монокристаллах по сравнения с керакккоа. ФотоматряческпЗ аяадлэ тахта не ецявяд "сгерхстехйо-

_ а

ив'тркчного" кислорода в ионокржсталлах, вырааеняых при лт-i с. Однако, "as grown* сверхпроюдязмй кристалл С Тс«15 к, полученной при скорости охлзадёшя is*e/t»f обнаружил "сРертстяхиоиит-р.гчн»йи кислород в количестве.о.905 зт. на ф.о.

Параметр а монокристаллов tsco (рис.6а) »«онотонно уреличк--йзется о? и .usX <к»о> до гэ.т а (х-олз) , оставаясь создаст-• вонио низе парамзтрз и кгр&/нческих образцов с ген m содержакием стронция.

Показано, что мококр^стядлн tsco, получении* !чт»д-;ч аз

паг.»?пппя п рягпгяоя лагоЯЕЯ ийо. пипал?а«т л жвЛапятли tes«, ул-

за ¡мент от степени туок.^йдяния в пкгассе кдотзххкрл-щш. При постоянном лг-i'c дефицит меди. рэишЯ у»о.о4 для нг?~ лвгираванного La2cuo4, монотонно растет с увеличением седергакяя стгоппая в краоталдо да y--0.12 при x*o.t*. Прв перюшядетю с монокдосгадоы tsco рвохут с дефиците« медн у*с».04 и не с<!«еру*каают СП перехода при дальнеКпзй термообработке при А«я-

лениях кислорода вплоть го з коар.

При переохлажден™ лт*гес дефицит меди в выросших кристалла/ не превтавт о.оз et./ ф.е. Такие мэнокристали ьосо прояв-ллот сверхпроводящий переход в "ае gr<wn" состояний {x«a.isj t тс«ю-го к в зависимости от дефицита ивДи в ниторзала *-о.ох. о.от. При этом параметр о сверхпроводящих крйегаллов ¿seo < я-0.15 (Tc-t5 Kj составил 13.212 Á. а весверхпроводядае кристал j« с тем хе содержанием стронция имьхв меньоий параметр е. рав ннп 13.200 К, т.е. дефицит меди приводит к уменьшению параметр о монохрйстгллов 1>ьсо.

Содержание платины, равное о.ог ат./ф.в.. полностью подав ляет сверхпроводимость в соединении (La,sr)2(cu,pt)o4. содерга ива платана в получегшых монокристаллах (¿a,sr)2cuc4 гарьируе s интервале o.cos-o.oi ат./ф.в., а в кристаллах ь»2еио4 содержа йие платана меньае почти на порядок. Причем, следует отметить что сверхпроводящие монокристалла lsco (x=o.is) с ?0«io-2o х получеише при Зольпих переохлаадениях, и несверхпроводядае lsc с тем яэ содержанием стронция, полученные npx малой переохлазде ниц, нмзвт одинаковую концентрация платины (ь.оон и о.ооэ в?. л ф.е. соответствен!»). Однако эти дьа типа кристаллов сугмг.твви но различается дефицитен изди (уо.оз-о.оэ и y-o.o7-o.ia сом ветствеш»). что й позволяет сделать вывод о реаакцей роли в пс давлении сьерхпроводкиости дефицита кеда.

I'олф;щ'роаанн«у tssg методом выргщеш объб^ше и одноро: jiue. ьга^пглазльд UüJ,ct)3cuo4. Определяй эффективный коз?фитц ент задания иср::я Ktf <сз) для концентраций cco¿ в расплаве о и 1.0 воХ% (Kcf(Се)^г.о и Kftf(ce)=i.9 соответственно). Сбнару®

1 растворимость плотики в монокристаллах iti<i,ce)acuo4 в кодч-эсткв 0.02 зг./ф.а., что приводит к пакка»у подавлении оверд-рсводаосш а таких хркстал".зх. Мзгодом ма&*.ei¡него одлагдеши а л^ a srOjfo тлглях Сидя получены кснокрлсталпы нссо, дензн-хрирупгаэ после отнята в аргоне СП переход с t_«z2 к.

В ГИГОЙ ГЯАЕБ приводятся результата по хпгичесг.ой полирокке i ориентациоиному траалваяь иснокрйстяллов <mi,c*>2cuo4,

I • ГА1««#ДШ>Щ n'-jnnMnn Т~ * *т—*• '1""I OAVIM I yv/nuö П * /«и — Ой^А**

ГрОККСЙ СПОКТРССКОПКЯ П0К332И0, ЧТО ПОЛВрСЕКа В рЭСТЕОр.ЧХ HCl я

гасю4+нсю4 позволяет удалять иарукашшЗ слоЛ тодгинея г-з rVn. re инося загрязнений и не наругая структуру и состав поверхности m атомарном уровне. ГЦ« траадетп* в водных рзсткорэх hci + i'n54>2C4°t>!l4 на sscQX плоскостях mesa порвчяслешш штюкрястад-к>з обрадуются чотккз ориеитпцкокюм (йтгуры, пригояннэ для ~острее С - опрядэл&кия ориентация граней кристаллов

ЗАКШЗШ.

1.Искл')Довянн условия кр«стзллиаз1н«й и опрпдолекн с-5.'.астч су-екстповлния £аз ьа^с«j05 и 1лг.кзгхсио2 5 з системе 1л2о3-(зхо)-С . (шздн ричний ttjputtf jrtrtfwtw.wist '.Zfrwnu й •*r=*vrk?hxt I>»1_f£»t!iv402 5, раринй О.Об Построено ytwhwKtwii tiauOa-

р;пеское сечение тройной скстыия ьа^-сно-о^о га воздухе »

HtttiW rtffnrlWiD * — Л

it,"::;}•-•'д«л'.ш ¡мттиЛ! ля t*?C!«o а кл2счв4

г |oci:.Vi»$c- fvio.

З.Н^КЧЭРНО, jго н csßTwe iw^o -cuo яря гемэдмтур? IIWC

прбИсходйт реакция разложения а твердой фазе сио-*си2о*оа, а в тактика существует между фазами »«...еио^ и св3о при температу 1035*0. Построено уточненное изобарическое сечение тройной с» теин каго3-сио-си2о на воздухе в координатах. исходных оксщ на2о3-ою.

4.Разраоотан »юдифадровашшй тзво штог и подучена обьЗмг монокристаллы твердых растворов с оа х*о.и С однорэяииЬ 'рйспредедйникм стронция по объему кристаллов. Ощ дален :*ффективннЯ коэффициент замещения стронция, к^вг), 'в : еисиуости от содержания его =» •расплаве. Структурный переход -< нзблсдавтог при ~х<*олг.

5,Показано, «йо 'МдйокрйсТаллы хсой хзсо кристгллизуьтс деаяцйт<Уа'1юдй,■ззв'исяШз >бт валичини пёр&схлзадвйня .«т.: постсй*!Ш1*£ъ-хс дефицит нада, 'разный у»о.04 при х-а, мошю рзстйт У/ЖйМвниеМ содержания стронция и • дос«йгает т-о лз" Х'оль. Увеличение 'дёфйцита 'Пади "при постоянном х пржезди рззньяаииз параметр -V иойокристалйов ьг>со. Показано, что "де щи тди бсАьйе Ь.<)4'$т./ф.в. 'приводит к подавлению сверхирс

ДИМОСТП -В Ч»НОКрИСТЙЛЛЭ.Т "ьсо "к "ЬЕСО.

Б.ООкарулено, Что'Ыонохристаллн ^бсо, вырзщзнные пря п$р£ ляъдэкпях Чт>г*с, 1ыоюг% кеболиоз количество "сверхстехиомат! наго" кислорода, а ьюнокристадш, получепшо при парзохлавд« ьт*1°с имеш, изосэрот, дефицит кислорода. Определена раг.твс нзсть Pt в монокристаллах ш> и'ьзсо в количестве о.оох и ( ат./ф.е. соотпотствеикс.

7 л-5с-д-л^:ци]ю?эннгм т^кс методом выращены объемные моиок; тал"; песо с однеро^кгга распределением периа по объему. Обн

жена растворимость платина в монокристаллах мсса в количестве 0.02 ат./ф е., что приводят к полному подавлении сверхпроводящего пяртходг, в таких кристаллах.

Результаты диссертации апуоликовэчи в следуших работах:

[.Ма.л»к А.И., Консновяч П.А., Кясзлоз В.М., Яогтээ A.B., Харцовник М.В., Зкзльченко Г.А. О сверхпроводимости мопскрис-

rwafiiR |л т/т гt fmw тпот — » -

< 4 ' " ' - * " ■ ' , •

2.1'алг« А Л!., :Кохоп A.A., йгерькои И. П., Иоиоз A.M., D.-оль-ченхоГ.А., Еэхтман В.Ш. Монокристаллы ta2cu2o5i гарэияваиив, область стабильности, свойства. // СФХТ, 1992, т.5, f12,с.1336-2347.

3.Maljuk A.M. ( zhokfcov A.A. »Esel'chonXo ПЛ. ,?.ver'kova I.i.,

Tk:-ühov A.n.', f?ho4htn«n v.Sh. Cu-dof iciency in :л2-хГ'гх<:'' i-v'i single с:уп£лЬ*. nrtd hew it nttocte superconducting prcpertli'r,. fi F ¡IV >J J <4 C, S'i'VJ, V.;'J4, p.9,1-9'3.

i .>-:-» i "'.uk A.W. , Encl'chcnHo «S.A., Zvir' knvH t. T. A.V.

Cry.-l: tilisasioi regions ef t}JO 1л,С<»-0, »wi bi, St fcitf», ,

' 3 2 1 - x к Л. 1

; in I ht? Li^o^-Sru-Cuo uyet4?.. Зчрвггмп»!. ./¡'«с!'^!. , ¡МЧА, V.7, p,596-C01.

L32cuo4..// CVkH, 1994, T.7, *2. c.305-3^0. .

e.Maljutc A.H. , KUlalcov A.B. . Prael '"honl»! .1, t. »•"•ri^r-

ir.Si—г of tb' .1) "iiViv-? ог :..«. „c.O,

IM ph.-.ТГП nret Г'Лг-pl r-X Гг ">.-..t i ЧГ. in Ct.prci.» t". /7 Jjll,'-

f 7

nal ot CryetJll Growth, 1995, V.151, Hoe.1-2, p. S35

?.Безрукавников H.B., Ьшьченко Г.А., Налюк A.H., Насалов B.N. Способ здравивания монокристаллов ы>гсио4. // А.С.*17388Т? (СССР), 1990. -

е.Малкк А.К., Кононович П.А., . Насадов В.Ы., Ковалев А.Е., Кярцовник М.Б., Везрукавникоэ Н.Б., йлвльченко Г.А. Влияние условий кристаллизации и термообработки на сверхпроводимость монокристаллов i*acuo4. // in Всесоюзное совещание по ВТСП: Тезисы докладов.-Харьков, IS9I.-т. 4, с.23. '

9.Ha'sttlov V.H., Haljuk А.К., Bezrukavnikov H.V., Eael'chen-ko O.A. Single crystals growth of ¿a2Cu04 under condition ol free convection iron high-temperature solution. // Europe«? workshop onirfSC single crystals« growth and physical proper-tics.. Abstracts.-Kharkov, 1991.-p.21.

Ю.Абросимов H.B., Ыалю» A.H., Кохов А.А., Биельченко Г.А. Выращивание монокристеллов н^,хсвхсио4 и Pr2.xcexcu04< // £ Всесоюзная конференция по росту кристаллов: Расширенные тезн« докладов.-Харьков, 1992.-т.2, ч.2, с.293,

К

« -

Рис.1.Фазовая диаграмма изобарического сечения трсЯноА системы ьаго3-сио-сио0<5 на воздухе в координатах температура - исхслиП состзп оксидов.

П

V

t

\\

' V V

\ V

\ V 5

N \

\

4

\ ; y

(U,Sr),CjO, 4 ? I CoO \5

к»'сч УТ/^' \

■ i < «_i— VT. . _i___i—. —j.__i—л

85* md ' t Ù0

—и CuO, Ш ¡m')

Puc.Z,Области кристаллизации фаз'в система t,a2o3-s<-o-c ■i)-LBacaat»s, а) .гЛ1.хвгхсв02

\

2 О

м.(мо,»шо

я 4

Т) га »в

Р'лс.З.Фазовая диэгрэю'э ¡гзсбарического сечения тройной системы ка2о3-сио-сио0 5 на воздухе в координатах температур - неходкий состав'оксидов. .

1(НК1 -1

1----1—---

м)0) ИгС004 <9

^яс.4.Зависимость коэффициента бамащения стронция, к5, от содержания его в расплава.

0.15 Xj,

Рис.Б.Зёвисимости параметра в (а) и ромбического яскахския ' b-s (б- от еодергзчкя строкпия Xsr в монокристаллах

LSCO.