Физические явления в тройных магнитных полупроводниках типа CdCr2Se4 с собственными и примесными дефектами тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ



РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе

На правах рукописи

НИКИФОРОВ

Константин Георгиевич

УДК 621.315.592:537.622.4

ФИЗИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В ТРОЙНЫХ МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ ТИПА Сс1Сг25е4 С СОБСТВЕННЫМИ И ПРИМЕСНЫМИ ДЕФЕКТАМИ

01.04.07 — физика твердого тела

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Санкт-Петербург 1992

Работа выполнена в Институте прикладной физики Академии наук Молдовы и Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе Российской Академии наук.

Научный консультант:

академик AHM, доктор технических наук, профессор Радауцан С. И.

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Веселого В. Г. доктор физико-математических наук, профессор Смирнов И. А. доктор физико-математических наук, профессор Яковлев Ю. М.

Ведущая организация:

Донецкий физико-технический институт Академии наук Украины. j 0 у ¿Г"

Защита состоится « Ч » 1992 г. в ' ^ часов

на заседании Специализированного совета Д 003.23.03 при Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН по адресу: 194021, г. Санкт-Петербург, Политехническая ул. 26.

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН.

Автореферат разослан « 30» аярелз 1992 г.

Ученый секретарь специализированного совета кандидат физико-математических наук

А. А. ПЕТРОВ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертационная работа посвящена систематическим исследо-. ваниям в области физики реальных кристаллов, обладающих магии-тоупорядоченными и полупроводниковыми свойствами.

Актуальность темы. В настоящее время исследования магнитных полупроводников (под которыми в узком смысле понимают обладающие магнитным порядком полупроводниковые соединения) выделились в самостоятельную ветвь физики твердого тела - физику магнитных полупроводников.

Наибольший интерес представляют две группы ферромагнетиков с высокой намагниченностью: бинарные халькогониды и оксид европия ЕиХ (Х=0,3)и тройные хромовые халысогенидные шпинели АСг2х4(А=Си, са, х= з, 8е,Те)[1,2] . Среди этих материалов наиболее перспективными являются тройные магнитные полупроводники (ШП) на основе кадмия и ртути, обладающие значительной фото-, магнито- и термочувствительностью при довольно высоких температурах магнитного фазового перехода (не ниже 77К).

Многие характерные свойства ТМП (например, "красный сдвиг" края полосы поглощения, гигантские максимумы электросопротивления и магнитосопротивления, эффекты влияния света на намагниченность, магнитную проницаемость, коэрцитивную силу) связаны с существованием и взаимодействием делокализовагашх внешних электронов и локализованных внутренних 3(1 -электронов. Комплексное воздействие дефектов нестехиометрии, электроактивных примесей и переменной валентности магнитных катионов расширяет возможности управления свойствами ТМП, однако и затрудняет понимание основных механизмов физических явлений.

В период формирования цели и задач настоящей диссертационной работы многие основополагающие вопросы физики ТМП оставались невыясненными, а объяснения наблддаешх эффектов носили описательный характер в отрыве от конкретных технологических условий выращивания или термообработки кристаллов. Кроме того, основное внимание исследователей уделялось соединению сасг23е4 или твердым растворам на его основе„

Цель работы состояла в комплексном исследовании влияния дефектов нестехиометрии (анионных и катионных вакансий) и електро-активннх примесей (гетеровалентного катионного замещения) на электрические и магнитные свойства ШП сасг2з4 и НвСг^е^

для установления их общих аакономерноотей и специфических особенностей, связанных с изменением вадентндас состояний магнитных катионов и взаимным влиянием электронной и спиновой систем.

Выбор объектов ::соледования обусловлен возможностью изучения полного изовалентного замещения наиболее изученного 1МП-сасг2зе4 по А-катионной и анионной подрешеткам.

Доя достижения этой цели были сформулированы следующие задачи:

- разработать методику получения нелегированных и легированных донорными и акцепторными примесями кристаллов ТИП о<1Сг2з и НйСг2зе4 с управляемой нестехиометричностыэ, провести анализ влияния технологических условий роста и термообработки кристаллов на соотав и их физичеокие свойства;

- исследовать влияние собственных и примеоных дефектов на электросопротивление и магнитосопротивление, отрицательное дифференциальное сопротивление и электрическое переключение!

- изучить воздействие локализованных и делокализованных носителей заряда на анизотропию и релакоацию при ферромагнитном резонансе, а также на статические магнитные свойотва.

. Исследования проводились в рамках планов научно-исследовательских работ Института прикладной физики АН РМ на 1ЭТ6-1990 гг. (М ГР 79042192, 81019466, 01.86.0006816,01.86.0006817), координировавшихся научными советами АН РМ по проблеме "Физика и химия подупроводников" и АН СССР по проблеме "Физико-химичео-кие основы полупроводникового материаловедения".

Научная новизна и практическая значимость. Н началу исследований автора мало внимания уделялось онотематичеокому изучению взаимосвязи технологических и физических факторов, принципиальным вопросам формирования и управления основными свойствами ТЫЛ.

Научная новизна данной работы состоит в том, что здесь проведены комплексные исследования влияния дефектов нестехиометрии, легирующих примесей и разновалентных магнитных катионов на электрические и магнитные свойства сасг^ и и^Сг^зе^, выявлена некоторые общие закономерности и специфические особенности формирования управляемых физичеоких характеристик кристаллов. .

Разработаны модели, опиоывагацие термодинамическое равновесие в ростовых сиотемах сасг2з4:0гс1^ - и

н&Сх'23е4!СгС13 » определен количественный состав ростовой газовой фазы в зависимости от физико-технологических параметров."

Найдены физико-технологические условия получения кристаллов сйСг2з4 и НвСг2Зе4 методом газового транспорта, легирования их донорными и акцепторными примесями, создания управляемой не сгехиоме три ч ности.

Разработана вакансионно-примесноя модель изменения электрических свойств сасг2з4 на основе контролируемой валентности магнитного катиона. Изучены механизм возникновения "аномальных" магнитоэлектрических свойств с<1Сг2з4 п %0г2зе4 с электронной проводимостью.

Обнаружены отрицательное дифференциальное сопротивление в эффект электрического переключения в сасг^, с<юг2зй4 и НйСг2Зе4 с электронной проводимостью. Определены механизмы управления параметрами нелинейных ВАХ и эффектов переключения.

Определено влияние физико-техяологичесяих условий роста кристаллов, термообработок и легирований на анизотропию и релаксацию при ферромагнитном резонансе в сасг2з4 и НвСг2Зе4. Разработана модель, связывающая воздействие кесгехиометрическях и примесных дефектов с изменением валентных состояний магнитного катиона, а также с характером образующегося комплекса (катион неосновной валентности - вызвавши его структурный дефект).

Изучено влияние электропроводности на процессы СВЧ-поглощэ-ния при ШР в сасг^ и НеСх'?з-э4 . Установлена их связь о образованием СВЧ-ицпукциошшх электрических токов и скин-слоя, определены пути снижения магнитных потерь.

Таким образом, в работе показана возможность целенаправленного формирования физических свойств тсристаллов ТИП - Сс1Сг2з4 и н^Сг2Зе4 как в процессе роста, так и последупцим термическим воздействием.

Ряд кристаллических образцов и некоторые результаты работы переданы предприятиям Мипэлелтронпрома СССР и ИРЭ АН СССР для практического использования»

Основные положения, вштосимю на защиту;

I. Общность физических явлений, имехяцих место в исследованных кристаллах с<Юг2з4 и НйСг2зс4 , позволяет проводить анализ результатов в рамках единого вакансионно-пркмэсного представления с использованием модели контролируемой валентности магнитных катионов.

2. При большом количестве А~катионных вакансий действует новый для ЗИП механизм легирования, связанный о ваполнением таких вакансий примаониад атомами,

3. Особенности электрических овойств иооледовашшх кристаллов (температурные максимумы электросопротивления и магнитоооп-ротивления, отрицательное дифференциальное сопротивление и параметра апектричеокого переключения) целенаправленно управляются гетеровалентнш катиошщм замещением (легированием донорными примесями) и степенью нестехиометрии (вакансиями в анионной подре-шетке).

Электрическое переключение может управляться магнитным полем, а магнитное переключение - электричеоким.'

4," Природа магнитной анизотропии и процессов релакоации при ферромагнитном резонансе в исследованных кристаллах обусловлена аниаотропией энергетических уровней иновалентных магнитных катионов и описывается теориями одноионной анизотропии в ионной (медленной) релаксации,

Динамический вклад в магнитную вяивотропию оравним со статическим вкладом и объясняет аномалии ровонаноннх полей при низких температурах,

5, Влияние иновалентных магнитных катионов на овойства наученных кристаллов зависит от природ« отруктурннх дефектов, стимулировавших их появление,

Апробация раАртр. Оояовные результаты диссертационной работы докладывались я обоувдалиоь mi Всесоюзных конференциях "Тройные полупроводники и щ приманонио" (Кишинев, 1976,1570,1983 и 1987 rcv), Бооссавных ионферекциях по процесоам роота и оинтава полупроводниковых кристаллов и пленок (Новооибирон, 1878 и 2986 гг.), Воеооюэкых конференциях по физике магнитных явлений (Харьков, J979 г,} Тула, 1ШЗ г,j Донецк, Ï686 г.» Калинин, I68Ô г,), Всеооюзных конференциях по химии, физике и техническому применению халькогешдов (Eoxyt 1979 г» \ Паоаиаурв, |ВвЭ r.j Ужгород', 1988г.)фоеооюавда конференциях по физике полупроводников (Минок, IS86y,{ Кишинев, 1688 г;), Л Воаоагшой конференции по росту кристаллов (Харьков, 1962 г.), ХХЛ Воеооюзном совещании по ^шайке низких температур (Кишинев, 1982 г.), Воеооюзном совещании "Химическая связь, елоктровдая отруктура и фй8Ико-хвмичеокие свойотва полупроводников и полуметаллов" (Калинин, 1985 ^.Всесоюзных семинарах "Сегнэтомагнетики и магнитные полупроводники"

(Москва, 1984 и 1986 гг.), 20-м Мевдународнсм конгрессе АМПЕР (Таллинн, 1978 г.), 6-й Международной конферепщти по рооту кристаллов (Москва, 1980 г.), Моядународннх конференциях по тройным и многокомпонентным соединениям (Кальяра, 1982 г.; Кгчшнев, 1990 г.).

Публикации. По теме диссертации опубликовано 65 работ, в том числе монография и 36 огатей. Список работ приведен в конце автореферата.

Структура и объем работу. Диссертация состоит из введения, шеоти глав, заключения и списка цитируемой литэратург (334 наименования). Она' содержит 26 о страниц , включал юо рисунков и 12 таблиц.

СОДЕРЖАНКЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы, сформулированы цели и задачи диссертационной работы, ее научная новизна и практическая значимость, основные защищаемые положения, аннотирование изложено ее содержание по главам.

В первой главе дано общее представлено о магнитных полупроводниках и проведен краткий обзор их основных свойств и характерных особенностей.

В ШI, кроме внешних коллективизированных электронов (образующих широкие энергетические зоны), присутствуют и электроны внутретей За -оболочки хрома. Перекрытие их орбиталей существенно меньше и ведет к образования узких энергетических зон, т.е. к значительной локализации таких электронов на отдельных узлах. Применение к одному физическому объекту представлений зонной модели Блоха - с одной стороны, л локализованной модели Гайтлера-Ловдона - с другой, является достаточно сложной задачей, типичной для магнитных непроводников [I].

Принадлежность л фазам переменного состава с широкие областями гомогенности по анионной л катионной подреиетко вызывает сильную чувствительность свойств ТИП к изменению состава, сравнимую с влиянием легирухпчх примесей, а возможное изменение валентных состояний магнитных За -ионоз при легировании или отклонении от стехиометрии приводят к появлению дополнительного канала воздействия.

Проведен анализ литературных данных с точки зрения локализованных и делокализованных электронных состояний, обсуддены

наиболее характерные еффехты взаимного влияния электронной и спиновой систем] обращено внимание на отрывочность и разноречивость имеющихся сведений о формировании свойств ТТЛ, связанные с неконтролируецостъ» влияния условий получения и состава крио-талла.

В конце главы определены объекты исследования в цель настоящей работы.

Во второй главе приводятся результаты физико-технологических исследований, проведенных в процессе разработки методики выращивания кристаллов с<1сг2з4 и НвСг2Зе4.

В связи о 1<л!- что ТМП разлагаются до достижения точки плавления, а з пх соотав входят как легколетучие, так и тугоплавкие кошомен-;и, для роста кристаллов был выбран метод газотранспортных рьакций, В качество источника транопортера использовали СгС13 для СсЮг^, СгС13 или А1С13 ддя НеСг2йе4. Исходным материалом служило предварительно синтезированное твердофазными реакциями тройное соединение соответствующего ооотава.

Для описания термодинамического равновесия и раочета ооотава газовой фазы при транспорте ТМП определены приближенные фиэи-ко-ошшчеокиа модели и базисные химические реакции для свотем 0асг2з4«сгс1,, неСг2зе41СгС13 в нвСг2зе4«А1С13. На оонове законов сохранения ооотаалеш оиотемы нелинейных уравнений н рассчитаны равновесные составы газовой фазы в широких интервалах температур и концентраций источника транопортера,

В оистеме сйсг2з4|0гс13 ооновным хромсодержащим компонентом в газовой фазе при больших концентрациях источника транопортера С является 0г013 (при малых - 0г013 , количество которого определяется только давлением пара над кадкой фазой). Прл атом в газовой фазе доминируют с<Ю12 и з2 как ооновные источники кадмия и оеры, причем их количество практичеока по зависит от температуры. О уменьшением 0 ооотношение между са,сг,з - несущими компонентами становится блнэким к отохло-матричеокоуу для саог2з4.

В системе НвСг2Зе41С1г013 содержание хрома в газовой фазе определяется в основном давлением паров твердого Сг012. Ртуть присутствует здесь прежде воего в елементарном виде', а не в соединении; Во воем.температурном интервала концентрации селе-'на и ртути в парогазовой фаае ~ с:. Для всех значений С давления и их градиенты для Ог - содержащих компонентов слишком ма-

лы и не превышают аналогичных величин для % я Зе , поэтону практичеоки невозможно обеопечить условия преимущественного переноса тройного соединения перед бинарным %зе.

Как показывает анализ системы НвСг^зе^Агса^ , использование для переноса А1С13 существенно изменяет термодинамику процесоа: А1С13 не только является источником хлора для реакции разложения тройного соединения; но и питает дополнительную реакцию, переводящую твердый СгС12 в легколетучее соединение типа сгА12с18 [3]. в результате содержание хрома в газовой фазе доминирует над Не и 5« ( а при уменьшении С соотношение между He.Cr.3e _ несущими компонентами приближается к стехио-метрическому для НеСг^е^

В этой же главе приводятся результаты экспериментальных исследований кинетики транспорта при росте кристаллов ТМИ. Для сасг2з4 и н&Сг2зе4 скорость массопереноса не зависит от степени дисперсности и количества исходного тройного вещества и постоянна при фиксированных рабочих температурах. Таким образом, наиболее медленной стадией в данных процессах является не химическое взаимодействие, а сам перенос. Основываясь на сильной зависимости скорости массопереноса от геометрических размеров реакционной ампулы, давлений компонентов и их градиентов, можно считать, что в изученных ростовых системах действует диффузионно-конвекционный механизм массопереноса со значительной конвекционной составляющей.

Исходя из результатов термодинамического анализа и физико-технологических исследований, определены следугсдае технологичео-кие параметры процеосов роста кристаллов ТЫЛ газовый транспортом (табл.1):

Таблица I.

Технологический!Температу-параметр !ра зоны

(источника, Ростовая I Т„(К)

система

зоны воота,

V®

{Концентра-температур,1ция источ-Т(Н) !ника трано-!поВтера,

СаСг^34:СгС13

1275...1325 1175...1276' 50...100 *18 %Сг2Зе4:СгС13 890.. .1050 840... 930 50...120 «18 %Сг2Зе4:А1С13 915...935 875...895 20.. .60 «22

В этих условиях скорость массопереноса составляет (1...2) 10~5 моль/ч для сасг^ и (5...8) ИГ6 модь/ч для НеСг2зе4

В результате использования таких условий роота выращены ыедегированные и легированные Си, а6, аа, 1п и ой криоталлы СЙСг234 (размером до 6 мм), нелегнрованные и легированные Си, Аи, аа и 1а криоталлы НяСг2Зе4 (размером до 7 мм) о зеркально гладкими гранями в плоокооти {110} . Проведенный количественные рентгено-спектральный микроанализ криоталлов н8Сг23е4 показывает, что ионы легирующей примеои не отолько замещают А-катионы, сколько занимают вакантные А-узлы,

Для создания контролируемой дефектноотв в кристаллах ТМП (изменением равновесия в системе твердая фаза - пар легколетучего компонента) определены дейотвенные условия диффузионного термоотжига для сасг^ (826.,,876 К в вакуум0« 825,.,876 К в парах серы) в НвСг2Зе4 (626...706 К в вакууме, 625...786 К в парах оелена, 576.,.686 К в парах ртути).

В третьей главе приводятся результата иооледования влияния дефектов нестехиометряи и легирующих примесей на електричеокие ■ статические магнитные овойотва криоталлов сасг2з4 и не0г2зв4,

При отжига в вакууме или легировании донорными примеоями (до I ат % оа, 1а) электросопротивление о<1Сг2з4 (п -типа, 1,6-Ю6 Ом-м при 800 К) уменьшается на 1...2 порядка без существенного изменения энергии активации (Еа«О,26.,.0,30 эВ). При низких температурах Еа падает до 0,046..,0,086 вВ. Диффузионный отжиг в парах оеры или легирование акцепторной примаоью (до I ат % Ав) увеличивают и сопротивление, и энергию активации (до 0,60 эВ). Рост содержания такой примеси (как и отжиг в парах оеры криоталлов о I ат % Ав ) привадит к дырочной проводимооти о меньшей анергией активации (Е^®0,14...0,19 еВ). Магнитное поле уменьшает сопротивление вышеопиоанных криоталлов вблизи точки магнитного фазового перехода ( &9/90« - 0,1 при 12 кЭ).

Полученные результаты объяснены в предположении, что в саог2з4 доминирующую роль среди дефектов неотехиометрии играют вакансии оеры; При этом, еоли в "обычных" полупроводниках анионные ваканоия создают донорные уровни в запрещенной зоне, то в соединениях переходных или редкоземельных металлов возможг-но изменение валентного состояния 3<1 (4 г ) ионов на более низков (механизм контролируемой валентнооти). В случае оаог2^} такими ионами являются сгг+ , На основании аналогичного измене-йвя электричеоких параметров при отжиге в вакууме или легировании Хп (ва, си) делается предположение, что такое легирование

сопровождается появлением новых ионов Сг2+ . При этом Еа= =0,25...О,30 эВ может быть связана о электронными переходами из узкой 3 (1 -зоны (созданной в запрещенной зоне двухвалентным хромом) в зону проводимости, созданную в основном Б -состояниями кадмия. При низких же температурах, возможно, осуществляется проводимость прыжкового типа по хромовым состояниям.

Влияние акцепторной примеси (I ат % Ае) аналогично воздействию отжига в парах серы, залечивающего анионные вакансий, и связано, вероятно, с уменьшением чиола ионов двухвалентного хрома (удвоение энергии активации свидетельствует о компенсации донорных центров). Превышение содержания акцепторной примеси над числом ионов Сг , созданных анионными вакансиями, вызывает переход к дырочной проводимости. Если при Т^ЗОО К энергия ее активации может быть связана о электронными переходами из валентной зоны на акцепторный уровень в запрещенной зоне-, то при более низких температурах уменьшение энергии активации можно связать о переходом к проводимости прыжкового типа по хромовым состояниям о участием ионов сг4+.

Действие магнитного поля на сопротивление вышеописанных кристаллов сасг2з4 связывается с рассеянием носителей заряда на флуктуациях намагниченности, особенно сильных вблизи Тс.

Рост содержания донорной примеси в сасг^ приводит к характерным для электронных кристаллов ТМП аномалиям электрических характеристик. Так, в кристаллах с 2 ат % 1п сопротивление имеет резко выраженный максимум при Т«100 К, а при белее низких температурах проводимость носит металлический характер.Маг-китное поле резко уменьшает сопротивление образцов - до 1(Г раз в поле б кЭ и при Тк85 К.

Аналогичный эффект имеет и увеличение содержания галлия (рис.1). Влияние отжига в вакууме на свойства таких кристаллов аналогично влиянию донорной примеси, а отжиг в парах серы действует противоположно. Магнитное поле уменьшает их электросопротивление,особенно сильно вблизи Тс (в 10 раз при 2 ат % аа и только в 5 раз при 7 ат 5? ва, Н=5 кЭ). Экстремум магнитосоп-ротивления с увеличением содержания галлия незначительно сдвигается к Т0, а температурный диапазон магниточувствительности при этом сужается. Магнитосопротивление кристаллов сасг2з4:Са в ферромагнитной фазе обратно пропорционально концентрации «а. При Т ^ Тс магнитосопротивление монотонно зависит от Н, но с

5 Рио.1 10

J Д (102 А/и2)

Т0»77 К

Н=7кЭ

Н=ЗкЭ

I /*Н- •0 ^^^

П 1 н (Ом) ^^ уг |

1/ 105 Т | ' 1

и ^ л «" * 350 в,в)*ро

9 л<у 1................. 1 Е (10? В/м) <

Рио.2

Рцо.1. Температурное ззвиоимооти

удельного вдвктрооопротив-лення СйСг2а.10а(о.о. -отшсг в парах серы, о.в. ~ охват в вакууме).

Рио.2. ВАХ Сй0г2з4> з ат % аа

(на вотавкв - эффект переключения при Яо « 100 кОм).

Рио.З. Темпвратурше зависимости ширины линии ФМР саог2н4.

25 Рио.З 50

приближением к т магнптополевая зависимость насыщается уже при кЭ.

Предполагается, что в сильно легированных донорными прпме-зями кристаллах сасг2з4 при температурах 300 К осуществля-зтся зонная проводимость, обусловленная переходами электронов 13 узкой 3<1 -зоны Сг2+ ионов в зону проводимости. Концентра-даошго зависимые низкотемпературные аномалии электрических звойств объясняются специфическим для сильно легированных маг-штных полупроводников механизмом рассеяния носителей на магнпт-шх кластерах, образовавшихся вблизи примесных ионов [41.

Особенностью кристаллов НеСг2Зе4 является существенно 1олее сильная зависимость электрических характеристик от физи-;о-технологических параметров. Выросшие с использованием сгсз^ гристаллы (обозначаемые в дальнейшем как НдСг2зе4* ) обладают прочной проводимостью при Т ь.тс и значительной магниточувствэ-ельпостью при ТяТ0 (Д^Ро ^ -0,25 при 3 кЭ). Повышение теыпз-атурц роста кристаллов или отжиг в парах селена уменьшают их опротивление и Еа (до 0,11 эВ при 300 К). Выросшие с примэне-вем А1С13 кристаллы НзСг2Зе4 имеют проводимость р-типа и ри более низких температурах, сохраняя аналогичную магииточув-. твительнооть при Т«Т0. В то же время отжиг в вакууме таких ристаллов приводит к возрастанию их сопротивления,

Получешше результаты можно объяснить в предположении, что %сг23в4 существуют и обладают в некоторых случаях сопоставимым влиянием свободные носители заряда обоих знаков» созданные акансиями в анионной и А-катвонйоЙ подрешетках (подробнее этот эпроо рассмотрен в 6 главе).

Легирование НаСг2Зе4 донорной примесью' (2 ат % Оа ) уве-зчивает электросопротивление кристаллов, а дальнейший рост со-гржания такой примеси проводит к смене знака проводимости при г?Тс. При Т^ТС прсзодимость носит ярко выраженный металлячео-!Й характер. Магнитное поле резко уменьшает сопротивление кри-'аллоз с 4 ат % Оа вблизи Т0 (в б раз при б кЭ), а магнито-иевые аавиоимооти А^/у,, наошдаются в полях «I кЭ.

Отжиг в парах ртути кристаллов НеСг^е^ привадит к апатичным зависимостям р(Т,Н). Прз этом, рост давления паров ■ути при отжиге уменьшает сопротивление кристаллов в низкотем-ратурной области, а положение вмещает к более высоким

мпературам. Магнитное поле также ведет к отрицательному магнн-

тосопротивлению о экстремумом при Т«ТС, однако его величина существенно меньше (не более двукратного уменьшения сопротивления при 5 кЭ),

Сопоставляя эти результата о данными количественного рент-геноспектрального микроанализа кристаллов НзСг^е^ , можно полагать, что легирование галлием приводит в первую очередь к залечиванию А-катиошшх вакансий, а затем ужа рост содержания до-норной примеои приводит к низкотемпературной электронной проводимости. Отжиг в парах ртути залечивает А-катионные вакансии (ртути), не препяготвуя образованию новых анионных вакансий,также приводящих к аналогичным результатам.

Металлический характер электросопротивления криоталлов НвСг2Зе4 при низких температурах был объяснен [б] в рамках модели, учитывающей понижение дна зоны проводимооти из-за магнитного упорядочения и в-а гибридизации, что должно веоти к делокализации электронов и их учаотию в проводимости.

В конце главы приводятся результаты иооледования некоторых статических магнитных характеристик сасг2а4 и Н£Сг2зе4 , в частности, магнитной восприимчивости и намагниченности.

Показано, что отклонение от стехиометрии или легирование мало влияют на ферромагнитную точку Кюри сасг2а4 то=84,5 К (возрастание ее на I К наблюдалось лишь при введении 2,5 ат % Ае ). в то же время Т0 Нв0г23е4 была чувствительна к концентрации и типу вводимой примеси: так, 5 ат % снижает Т0 со 108 до 102 К, а Б ат % Си - увеличивает до 130 К.

Вдали от Т0 магнитная восприимчивость изученных криоталлов подчиняется закону Кюри-ВеИооа (парамагнитная точка Кюри 6 составляла 128 К для сасг2з4 и 188 К для 1&Сг2ае4 ). Отжиг в вакууме уменьшает 9 для сасг^ до 106 К, а отжиг в парах серы действует противоположно, увеличивая ее до 129 К. Отжиг в вакууме НбСг2г.е4 увеличивает его парамагнитную точку Кюри до 196 К.

Дополнительная гомогенизация (путем повторного оинтеза) исходного для роота криоталлов тройного соединения эффективно влияет на магнитные характеристики, увеличивая, например, магнитный момент при 4,2 К о 5,85 до 6,00 ца/мол для саог2а4 и с 6,82 до 5,92 рь/мал для несг2йе4 . Отжиг в вакууме увели -'чиваето НвОг2Уе4 до 6,95 ^ь/мол, и уменьшает т Ссн:г2.>4 до 5,92 [1^/ыол. Отжир в парах ртути %иг.,ае4 уменьшает маг-

нитный момент до 5,76 ^й/мол. Использование в качестве источника транспортера СгС13 вместо А1С13 увеличивает магнитный момент .та НзСг2Зе4 до 5,93 }дв/мол (при 4,2 К).

Полученные результаты объясняются изменениями валентных состояний магнитных катионов, связанными с изменениями дефектности анионной и А-катионной подрешеток. Они полностью согласуются о результатами исследований ферромагнитного резонанса в тех же кристаллах (см. главу б).

В четвертой главе приводятся результаты исследования влияния легирования и термической обработки, а также температуры и магнитного поля на отрицательное дифференциальное сопротивление (ОДС) и электрическое переключение в сасг^, о<1Сг2Зе4 1 и НбСг2Зе4.

Показано, что статические вольтамперше характеристики легированных индием кристаллов сасг23е4 при низких температурах (« 77 К) имеют И - образный вид с отрицательным дифференциальным сопротивлением (табл.2). Повышение температуры окружающей среды Т0 уменьшает максимум плотности тока J и смещает его к большим полям Е.

Так, для образца о 7 мол % 1п <тта7. исчезает уже при 120 К, а при более высоких температурах ВАХ имеет 3 - образную форму. Магнитное поле увеличивает ¿тах (до 3% роста на I кЭ) и сдвигает его в область меньших Е. Отвиг в парах селена изменяет вид ВАХ образца с 3 мол % 1п на з - образный.

Таблица 2

Вещество

¡(10^ [(10 !А/м2)!В/м) а>{ Но |(Ю3 ! Ом) V (В) I °бР Р/% | (В) }

18,0 1,2 6,2 260 115 3,0-ГС2

0,93 11,0 180 400 360 9,3

0,93 11,0 210 455 400 11,1

0,71 17,0 - - -

1,20 9,6 160 490 430 10,7

5,0 3,2 9,5 125 115 -9,4

12,8 1,1 3,3 105 65 94', 4

сасг23е4:7&£п С(1Сг234:3%0а(Н=7 кЭ) СсЮг2Э4: З^С!а(Н=7 кЭ) СсЮг^М^Йа С<аСг234:4%Са(Н=7 кЭ) НёСг2Зв4:Нб(р=9,7-104Па) 1!5Сг2Зе4:Нв(р=2,1 - Ю^а)

I. Кристаллы С(1Сг2зе4 выращены в лаборатории полупроводниковых соединений ИМ АН РМ газовым транспортом с использованием Сс1С12 как источника транспортера [б].

Статические вольтакпернне характеристики легированных кристаллов CdCr2s4 имеют аналогичный вид при более высоких ОДС и полях, которым соответствует Jnax . Рост содержания с.а вызывает увеличение Jreax и r.veiqeime его к меньшлм полям (табл; 2), Магнитное поле очень сильно влияет на ВАХ таких кристаллов (рис,2), изменяя ее крутизну з лишйной области и увеличивая максимум плотности тока (II,,, 17 %/кЪ),

Статические ВАХ и -типа наблюдаются также у кристаллов -HßCr2Se4 » отоккёшшх в парах ртути (табл.2), причем возрастание давления паров ртути приводит к увеличению JEjax и смощо- • шив его в область меньших полей. Магнитное поло несколько увеличивает (до 2% роста па I кЭ),

Полученные результаты связаны с металлическим характером проводимости олектрошщх кристаллов ТШ при низких температурах и объясняются W разогревом дюулевым теплрм, Максимум ВАХ определяются выделяемой электрическим током мощностью, при которой начинается стать интенсивный рост сопро'лшдешда, что он начинает влиять па величину тока сильнее, чем рост поля. Увеличе-!ше концентрации донорной примеси пли магнитное поло уменьшают начальное сопротивление крдогалла, поатогиу соответствующая пороговая мощность-достигается при меньшие значениях коля я бодь-иих Jaas'

Отяиг в парах селена СсЮг22е4«1п налочивавт анионные вакансии, ликвидируя матаддическуа проводимость кике TQ. Поэтолу рост выделяемой в »фяоталло шцкосю вызывает вадоивэ сопротивления и приводит к s «образной ВАК. То кз самое происходит во всех изученных {фцоталлах при температурах, когда проводимость ноент чиото полупроводниковая ЗШрсЖТСр,

По ВАХ и вавясимостям (Т) на основа ураьнащщ теплового баланса рассчитаны теплового раосеянея для взучак-

пых образцов, Их величина составляет (8,,.26}« IG6 bt/jak и падает о ростом температуры кв-за ухудшения условии теплообмена о округаюцэй сродой* Со провзденшш оцзнкам, постоянная времена, характеризующая тепловую инарцвониость, ооставляат (3...I0)-1СГ2с,

На 1фасталлах ТМП о 0Д0 обнаружен вффокт переключения из еизкоошого состояния в вноокоомноа. релейный еффект иаблвдает-'ся при температуре окрукаэдей ореды 77 К в влектричеокия цепях о линейным нагрузочном реанотором н0 при яоотивегаш напряаеняя

в цепи Ццр, соответствугацего Е(атах). Кратность изменения сопротивления при переключении нв/ии зависит от величшш по (табл;2). Время переключения составляет 0,03. ..0,05 с. Обратное переключение из высокоомного в низкоомное состояние происходит при существенно меньших значениях Ц^ , также зависящих от величины нагрузки по.

При достаточно большое величинах ко электрическое переключение образца ТШ сопровоздается магнитным (переходом из ферромагнитного в парамагнитное состояние).

В кристаллах с<1Сг2з4:0а аналогичный эффект переключения из низкоомного в высокоомное состояния наблюдался лишь в магнитном поле (из-за высокого сопротивления образцов и как следствие, высоких рабочих напряжений). Наблвдавиееся электрическое переключение из низкоомного состояния в высокоомное связано с нарушением теплового баланса в электрической цепи при превышении порогового значения Е(<7шах ) за счет разогрева джоулевым теплом. Это ведет к быстрому разогреву образца с ОДС и лавинообразному уменьшению тока в нем. В соответствующей высокоомному состоянию точке ВАХ тепловое равновесие образца восстанавливается. Если в этой точке Т=*Т„, то электрическое переключение сопровоядается магниишм.

В пятой ;глазе приводятся результаты исследования влияния ионов хрома неосновных валентностей на ферромагнитный резонанс в кристаллах с<1Сг2з4 л НзСг2Зе4<

В стехиометрйческих кристаллах ТМП должны присутствовать магнитные катионы только основной валентности 3+( Сг3+ спин

. «з

э орбитальный момент ь гЗ). в кубическом кристаллическом поле лигандов при октаэдрическом окружении их орбитальные моменты "замораживаются", и нижним энергетическим уровнем оказывается орбитальный синглет, не испытывающий влияния понижения симметрии или спин-орбитальной связи [7]. Поэтому в идеальном (сте-хиометрическом) кристалле ТШ ожидается достаточно малая анизотропия и узкая резонансная линия (Нд*=1Э и 2/1Н<=1Э). Наблвда-емые в реальных кристаллах большие значения этих параметров могут быть вызваны ионами хрома неосновной' валентности, возникшими как следствие нестехиометрии или легирования и обладающими анизотропной структурой нижних энергетических уровней.

Ион Сг2+ (электронная конфигурация 3 ¿г, основное состояние ) в октаэдрическом окружении имеет нижний орбитальный дублет. Тетрагональное искажение кубического поля (вызванное;

например, анионными вакансиями) снимает его вырождение, расщепляя на пару синглетов. Учет спин-орбиталыюго и спин-спинового взаимодействия приводит к тому, что угловая.зависимость энергетического зазора между нижним" уровнями иона де описывается предложенной в [8] моделью и для практически важного случая плоскости {.110} имеет сближение в <ДП> :

1'де б - угол в плоокости {ПО} между осью <100> и HQ,

Дтси и Л п- максимальное и минимальное значения ДЕ.

Ион Cr4* (электрошшя конфигурация Зй2 , основное состояние -'р ) имеет в октаэдрическом окружении шшшй орбитальный триплет, Тригоналыюе искажение (обусловленное дефектом в А-узле, создавшим ион Сг*+) расщепляет его на двукратно вырожденный дублет и нижний оинглет [7]. Предполагается, что спин-орбитальное взаимодействие расщепляет верхний дублет йот сг*+, приводя к аналога чной (I) зависимости Л&(В). При этом нижней парой уровней такого иона окажутся синглет и нижний уровень дублета, характеризуемые сближением в направлении (100) . Для описания иона

Cr1"1" в октаэдричеоком окружении (с занятым А-узлом) наш предложена формула, согласованная с принципами модели [8] и описывающая сближение уровней в <"100) : •

^ = ,„>«- f^S»2-!1'.2 (3)

Экспериментальные исследования показывают, что угловые зависимости резонансного поля Нрез( 0) и ширины лшши ШР 2 АН ( 0) в CdCr2s4 при низких температурах (Т^'4,2 К) характори-вуются резки),ш максимумами при HQ|| <III>, Аналогичные эффекты наблюдались ранее в других ыагнитоупорядочешшх кристаллах, например CdCr23e4 [8,9] , и были связа(ш с примесными парамагнитные ионами с сильной спин-орбитальной связью, шшше энергетические уровни которых переоекаются или разно сближаются в направлениях, где наблвдаютсп характерно макоимуш параметров <шр. Для CdCr2s4 предположили, что паблодаемые аномалии магниторе-аонаионых свойота связаны о вкладом ионов двухвалентного хрома,

Легирование C)dcr2ii донорными нримешши ( nd.On) усиливает положительную магнитную анизотропию и максимумы 2 А 11(8) при Н0|| <III> . Так, введение 5 ат % Od увеличивает поле анизотропна при 4,2 К с -14 до 177 э. Стабильно трехвалентные ионы Od , не обладают орбитальным мамонтом, и их нпносредогвенныи вкладом

из

в магнитную анизотропию и релаксацию можно пренебречь (естественно, как и в случае Ga ): замещение кадмия как Gd , так и Ga отполирует изменение валентности часта ионов хрома на 2+,

в области низких температур (t-¿ 30 к) ширина jiiü'hh 4(íp при Н0|| <fIII> монотонно растет с приближением к точке кипения го-лия, а ее зависимости в \ 100,- и <(110> имеют небольшие максимума при 10...15 К (характерные для ионной релаксации). При более высоких температурах зависимости 2АН изотропны; в интервале 30...60 К для нелегировашшх кристаллов CdCr2s4 2ДН не превышает 4 Э.

Аналогичный вид имеют угловые и температурные зависимости параметров ШР кристаллов 11сСг2ае4 (выращенных с использованием CrCi^ ), в связи с чем предположили доминирующий в таких кристаллах при низких температурах вклад ионов двухвалентного хрома. Повышение температуры роста с 840 до 930 К ведет к увеличению поля анизотропии (при 4,2 К с 44 до 164 Э) и максимумов 2 ДН(0) при Н || <III>, что можно связать с ростом числа ионой Сг2+ из-за возрасташм числа анионных вакансий.

Экспериментальные зависимости Нрез(Т) вышеописанных кристаллов cdcr2s4 и HgCr?se4 находятся в согласии с теорией одноиошюй анизотропии [10] и описываются форг/улами вида [8] : /1 К/ (А' puvx i, де

^ í ле th2ta" ' (3)

где N - концентрация ионов Сг2+, Нрез и й£ - значения резонансного поля и энергетического зазора меязду уровнями иона в кошфетном направлении: А= -3 при 9 =0(<100У), 4 при 0 = 255°(Ш1>) и | при 0=S0°(<II0>).

Экспериментальные зависимости 2ДН(Т) объяснены в рамках теории медленной (продольной) релаксации [10], связшшой с модуляцией энергетических уровней примесных ионов с частотой магнитных колебаний и запаздыванием переходов между уровнями из-за конечности времени их релаксации С . При этом

F(e)N ev , 2- UJ? fA\

ш -- Tvrr акт та? ' С4)

где F(G) - функция производных ¿>£(6) по углам в плоскости {ПО}.

Отличительной чертой медленной релаксации является низкотемпературный максимум 2ah(tq), положение которого определяется значениями &£. ~ 3,1 ktq и toí".si. Отсутствие максимума

2ДН(Т) в <Ш> для кристаллов сасг2з4 связано, по-видимому, о малым значением Л£ (Ш>, Значения энергетического зазора Л£ , определенные с использованием формулы (4) по экоперимен-тадышм зависимостям 2АН(Т), действительно минимальны в направлении 4Д1> (табл.3) и демонстрируют применимость модели, описываемой формулой (I), к криоталлам сасг^ и %сг2зе4 .

Таблица 3.

Вещество

!

Ион

I АЕ (1СГа аВ)

<ш> ! <111 > I <И0>

2,16 0,47 1,16

0,10 ' 1,7.. ,2,6 1,7...2,6

2,91 2,26 2,52

1,06 0,18 0,56

0,66 1,98 1,47

1,21 1,32 1,98

CdCr2S4 CdCr234ag

cdcr234(va} UgCr23e4

HßCr23e4iAg

HgCr2SÖ4(VA)

Cr' Cr Cr' Cr' Cr Cr'

,2+ 4+ ,4+ .2+

,4+ .4+

С использованием формул (I),(3) и (4) оценены концентрации ионов Сг2+ (при 4,2 К) в ндеописашшх кристаллах CdCr2s4 и H£0r2Se4%(2..,e)-I02V3.

Легирование CdCr234 j ат % Ag незначительно уменьшает магнитную анизотропию при существенном снижении максимумов 2/1И (Пр. Рост содержания Ag до 2,6 ат % ведет к появлению положительного вклада <г 30 Э в !Le3<I00>, а также мощных максимумов 2 Д Н в <ДЮ>.

Отжиг в парах серы кристаллов сасг2з4 (как нелеглрован-щсс, так и легированных I ат % Ag пли Qa) уменьшает максимумы 2Д.Н в <III>, приводя одновременно к появлению максимумов в (100/. В то же время отжиг в вакууме cdcr2s4 (нелегировашшх или легированных I ат % Ca) усиливает максимумы Нр63 и 2ЛН при Н0|| (III), и создает максимумы 2АН в <100>,

Предполагается, что введение I ат % ¿в приводит к ликвидации чаоти ионов двухвалентного хрома в соответствии с условием влектронайтралъности, Увеличение содержания акцепторной примеси вызывает образование ионов четырехвалентного хрома [9] . Отжиг в парах серы криогаглов CdCr234 залечивает часть аякон-,ных вакансий (ликвидируя тем самым и часть ионов двухвалентного хрома), ко нз препятствует пояшшшю А-катцошшх вакансий (ооот-. ветстванло, ионов - Cr;^f). Отааг в вакуума стимулирует рост чио-

ла вакансий обоих типов; т.е. одновременно создает ионы двухвалентного и четырехвалентного хрома. Наблюдавшиеся в термообра-ботанных кристаллах CdCr2s4 макоимувд параметров ФМР как в (III>, тан и в <100> «НО)) вызваны сосуществованием ионов

и Gr'*"'". Причиной этого может быть существенная локализация иновалентных магнитных катионов вблизи ооздавших их структурных дефектов - ваканоий илп примесей.

В щшсталлах CdCr2S4 : 2,6 ат % Ag ширина линии МР (обусловленная вкладом ионов) возрастает в 7 раз при

уменьшении температуры на 2 К вблизи 4,2 К (рио.З). Это связано о малым значением энергетического зазора в (lffl> для сг4+ иона в данном соединении (ом,табл.3).

В температурном диапазоне 30 ...60 К, где вклад в процессы релаксации как быотрорелаксирущих примесных ионов, так и спиновых флуктуаций мал, отожженные в парах оеры криоталлы с I ат % ае (обладающие, по-видимому, минимальным количеством нестехио-метрических вакансий и иновалентных ионов хрома) имеют рекордно узкую для CdCr2s4 линии ФМР (2ЛН=2,1 Э).

Температурные зависимости отожженных кристаллов CdCr234 прп 4,2...30 К по монотонны, на них проявляются плато илп даже максимумы (рио.З). Эти зависимости не поддаются описанию шлицам набором параметров в рамках теории медленной релаксации. Сделано предположение о необходимости проводить в таких случаях разделение вкладов ионов Сг2+ и Оно может быть основа-

но на сравнении характеристик кристаллов о заведомо различными концентрациями пеотехиомзтричеокпя дефектов. Такой анализ для термически отожзшшшх кристаллов сасг^ позволяет определить как "стандартный" вклад ионов Сг^ в 2ДН при Н0 Ц <"Ю0>, (с максимумом при Т^20 К), Tait п неожиданный вклад того же иона в страну линии 4MP при Н0 || ( III > (где ранее учитывался лишь вклад ионов Сг^+).

Криоталлы HgCr2se4 (выращенные о использованном aici^ ) имеют угловые зависимости парамотров ÎTf.-ÎP с максимумами как в <100>, так п в <Ш> (рис.4) Это объясняется одновременным вкладом сосуществующих ионов Cr2f и сг4+. Сосуществование этих попоз подтверждается результата?,bi термической обработки. Отжиг (как в вакууме, так и в парах селена) вызывает одновременно уменьшение максимумов 2ЛЩ0) в <100_> и <ДХ>. Это можно понять, считая, что такой отжиг вызвал рекомбинацию части ионов Сг +

и Cr4*. Цроведя раздело1ше вкладов таких ионов, получаем угловую зависимость вклада ионов Cr4"1" в Нр68 и 2ДН (рис.4); аналогичную наблюдавшейся в CdCr2Se^8Aß.

Особенностью зависимостей 2ДН(Т) 1фИсталлов Hg0r2se. является наличие силышх максимумов при II || <,100 > и Н0|| чШ>. При этом анализ показывает, что вклад ионов Cr4* практически полностью определяет положение п величину этих максимумов. Определенные по таким зависимостям с использованием формулы (4) значения де в <Ю0> и <Д1> близки (как и в термообработашшх кристаллах сасг^ ). Существенно, что в промежуточных (между 000>,(III> и ^110)) направлеш1ях отсутствуют какие-либо экстремумы параметров ШР. Это означает, что набладаеше близкие значения Л£ при Н || < 100) и Н0 || (III) не могут соответствовать одной двухуровневой система. Приходится предположить, что в кристаллах ТМП с большим числом А-катионных вакансий вызванные имя тригоналыше искажения изменяют структуру уровней связанных с ними ионов Cr44", приводя, возможно, к сближению в Таким

образом, это ведет к существованию "двух типов" ионов Сг4+ -связанных с занятым или свободным Л-узлом.

Результаты исследования ШР в легированных кристаллах HgCr2Se4 подтверждают это предположение: введение акцепторных примесей ( Ag,Au ) приводит, во-первых, к уменьшению всех угловых и температурных максимумов параметров ФМР и, во-вторых, к существенному изменению температурного положения максимумов 2ДН в различных кристаллографических направлениях. Это вызвано тем, что такое легирование залечивает существенную часть вакансий по ртути (подтверждается данными ШЛА) и ликвидирует обусловленные ими тригональные искажения. Расчет по этим данным с использованием формулы (4) показывает (табл.3), что структура уровней Cr4"4" иона в таких кристаллах носит "классический" вид. Таким образом, ионы Cr44" в ТМП вносят различный вклад в параметры ШР, зависящий от того, связаны эти ионы с вакантным или занятым А-узлом.

С использованием формул (2),(3) и (4) концентрация ионов Cr44" в кристаллах HgCr2Se4:( Ag.Au) оценена в ^ 1026м~3 (при 4,2 К).

Температурные зависимости резонансных полей для кристаллов HgCr2se4 имеют характерную особенность - резкий спад в области температур, близких к точке кипения гелия. Кроме того, в кри-

Гко. 4

Рис. 6

Рлс.4. Угловые зависимости резонансного поля и ширины ЛИШИ ®Р HgCi^So^ (I) и HgCr2se4* (2), 3-вклад Сг ионов в (I).

Ряс.5. Угловые и температурные зависимости резонансного поля HgCr23e4 :2 % Ли: I - эксперимент, 2 - пол-гай вклад сг4"1" ионов, 3 - статический вклад ■ сИ+~ионов.

Рис.6. Температурные зависимости вклада проводимости в 2ДН (1,2) и относительного скии-слоя (I',¿г) в HsCr23e4 :I,l'- легированном 2 ат % Ак, 2,2' ~ отогсгеницм в парах ртути.

сталлах HgCrgSe^sAu наблюдается провалы на угловых зависимостях Н при Н0(| < IOO> и Н0 Ц <III> , сопровождающиеся температурными минимумами резонансного поля для тех же направлений (рис.5).

Указанные особенности объясняются динамичеоким (зависящим от частоты)вкладом быстрорелаксирующих ионов в резонансное поле [10] :

SMpe3 = - f- 2ЛН (б)

Для кристаллов HgCr2Se4:Au по экспериментальным зависимостям 2 А Н(Т) и вычисленным по формуле (4) параметрам АС и V рассчитаны динамические вклады в Н и восстановлены его "статичеише" значения Н^. в окрестностях направлений <Ю0> и <III> они предотавляют собой одиночные максимумы без провалов, а зависимости д (т) монотонны и хорошо опиоываются формулами (3), т.е. однотонной анизотропией без учета динамического вклада (рис.5).

Качественно динамичеоким вкладом объясняется и низкотемпературный спад резонаноных полей нелегированных кристаллов HgCr23e4(TeM более, что термический отжиг подобных кристаллов, уменьшая величину максимумов 2ЛН, уменьшает и наблюдаемый опад нрез). Однако количественный анализ в этих олучаях затруднен возможным существованием "двух типов" ионов Сг',+ .

В шестой главе приводятся результаты исследования влияния электропроводности на процеосн СВЧ-поглощения при ФМР в кристаллах CdCr2S4 И HgCr2Se4.

Легирование cacr2s4 акцепторной примеоью (Ag ) вызывает изотропное ушрание линии ФМР, заметное уже при 25...30 К и достигающее 10...15 Э. Аналогичный эффект действует и в легированных донорной прамеоью (Ga ) криоталлах: при наличии "металличео-кой проводимости" при Т iTc такое уииреше доотигает 100.. .1503 (при низких температурах).

В HgCr2Se4 введение акцепторных примеоей («I ат % Ag ) также вызывает изотропный роот 2ДН, достигающий 200...250 Э.

Во всех этих случаях величина 2ДН существенно зависит от размеров образца. Так, дои HgCr2Se4 : I ат % Ag вклад проводимости в 2 АН (при 77 К) падает с 250 до НО Э при уменьшении радиуса образца R с 0,45 до 0,30 мм.

Набл^даемсо ушярзшю лягош ФМР связано о косвенной спин-рсшзточной ролакошиаН, которая обусловлена свсЗодшили носителям заряда п условиях однородной порсшнкой ишагшчонно-стл. Вклад отого процесса спязсн с возгшнпозйнко!.? в форрсмаг-нотнко ивдукпаошапг токов, оп прспоршзопален шзокочаототной проводимости сг^ и квадрату рсушуоа «штатного образца

С10]! 24Нв»^(45СМ0)ш<*д!)® (6)

Увеличение содзрг.г.тг.щ Аз до 2 ат % в НзСг2Зе. . приводят к лалъязЗисму уяглредая резонансной яшш (ряо.о), однако ее оотаотся ¿дерзщовоб тоятко пря газкпх токпоратурах (Т « Ю. ,.15 К). О укэпьезгае»! д 2ДН уконьзаотоя зо воем диапазоне тестсрсгур, а пскаэшю еэ форш начинается при более тягсокях Т. О рсотои зэдгаратури плоцздь под роэаяоиопой ляпяоЯ уЮЯКЗааГОЯ, что свлдотольству&т об ушньшэкга еффокти-вного объог/а образца.

В кристаллах 1£д0гозе. , о?опганшх а парах ртути п об-даггжпх "иотадшлаокоЙ проводят-тоотет" при Т<± Т ,наблюдается глаяотлшгоа угаирзпяо липли ФЙР, по о обратной тейпзратуркой застойное?! п (рлс.б): покпг.окия ее лоро!щовой фарш исчезают пря Т 50 К.

Такяе ялтрп!.-: езязаш! о неодюродгасд рззоианошгл поглощв-тсм л услсзяях еялыюго огцш~гф5зкта. Они возникают, когда волрэ* пронобрспь зляяпясм ящшсцясиншс токов на намагниченность пз-за большой презод-лмоотп [10] . При этом когно считать, что разопшгэноо поглочеппо происходят^ основном,в сфэ-рзчзокой оболочке образца, ооотаототзущей скип-слога § . В прэдольнкл олучяо, когда $ R

что в нас!х условиях молсот ооотавлдть я? I кЭ.

Пролздешшэ оцзикл пояаэнвамт, что наблюдаемые в изученшх кристаллах порвходы от однородного к неоднородному СВЧ-поглощеняв (пря СГ„»Ю2См/м) характеризуются условием § я К (ряо.б), чем а объясняется существенная размерная и концентрационная зависимость вкладов проводимости в 2ДН.

основные вывода

1. Разработаны физико-химические модели, опиоывавдие термодинамические равновеоия в системах сасг^ и HgCr2Se. с источником транспортера,;; рассчитаны равновесные составы Парогазовой фазы в широких концентрационных и температурных диапазонах.

Показано, что в системах CdOr2s4jCrCl3 и HgCr2Se4:CrCl3 в газовой фазе доминируют Cd(Hg) и s(se) - содержащие компоненты, а в системе HgCr23e4iaici^ хром содержится в виде легколетучего CrAi2ciQ и доминирует над Hg, Se- содержащими компонентами. Обнаружено, что о уменьшением концентрации источника транспортера соотношение между парогазовыми компонентами в системах cdcr2s4:crci3 и HgOr2Se4:Aici3 приближается к стехио-метричеокому.

2. Разработаны технологические условия выращивания методом газового транспорта нелвгированных и легированных донорными и акцепторными примесями кристаллов cdcr2s4 и HgCr2Se4 с управляемым отклонением от отехаометрии. Исследовано влияние физи-ко-технологичеоких факторов на кинетику переноса и химический состав выращенных кристаллов.

3. Изучено влияние собственных и примесных структурных дефектов на электричеокие и магнитные свойства кристаллов cdCr2s4 и HgCr2Se4 • Установлено принципиальное оходотво влияния как анионных вакансий и донорных пршеовй, так и А-катионннх вакансий и акцепторных примеоей. Показана определяющая роль контролируемой валентности магнитного катиона (хрома) в формировании физичеоких свойств.

Установлено, что наличие большого количества А-катионннх ваканоий в кристаллах ТИП приводит к новому механизму легирования, заключающемуся в заполнении таких вакансий примесными атомами.

4. Иоследованы процеосы изменения типа проводимости в кристаллах cdCr2s4 и HgCr2Se4 , формирования аномальных низкотемпературных максимумов электро- и магнитосопротивления в кристаллах с электронной проводноотыо.

5. Изучены низкотемпературные отрицательное дифференциаль-

нов сопротивление и эффект электрического переключения в кристаллах сасг2з4, саог2Зе4 и Нв0г2зе4 о электронной проводимостью. Определена термическая природа этих эффектов.

Показана возможность управления электрическим переключением магнитным полем, а магнитным - электрическим полем.

6. Иооледовано влияние иновалентных магнитных катионов на анизотропию и релаксацию при ферромагнитном резонаное в кристаллах сасг2з4 и НяСг2За4 . Проведен анализ малшто-резо-нансных свойств в рамках теорий одноионной анизотропии и ионной (медленной) релакоацаи, оценены концентрации и параметры структуры энергетических уровней иновалентных магнитных катионов.

Исследован динамический (ролакоационный)вклад в магнитную анизотропию криоталлов нзСг2За4 , показано, что его учет позволяет объяснить аномальное низкотемпературное поведение резонансных полей.

7. Обнаружены особенности ФМР в кристаллах сасг2з4 и На0г23е4 . связанные с одновременным существованием в етх ионов хрома пожженной и повышенной валентности, предложен механизм раздвлешш и анализа таких вкладов.

Показано, что пони четырехвалентного хрома вносят различный вклад в анизотропию параметров ФМР в зависимости от того, связаны они о заполненным или вакантным А-узлом.

8. Изучено влитие электропроводности на процессы ферро-мапштной релакоации в кристаллах сасг2з4 я НеСг2зе4 . Показана связь однородного и неоднородного СВЧ-поглощения о условиями возникновения скин-эффекта.

9. Доказана возможность целенаправленного формирования физических свойств сасг2з4 и НбСг2Зе4 как в процессе роста, так и последующей термической обработкой выращенных кристаллов.

Определены физико-технологические пути управлегая типом и величиной проводимости, параметрами электрического переключения, снижения магнитной анизотропии и суаешя лиши ферромагнитного розонаноа.

Ооновноз содержание дяооертацяй опубликовано в следувдих работах:

I« Никифоров К.Г., Радауцан 0Л1,, Тевлвван В.Е, Сульфо- . хромит кадоия, Кишнот. Штаннца, IS3I. I2Ö с.

2. Аверьянов Л,0,, Лядашова Р,Ю., Никифоров К.Г., Суранов

A.B. Получение и некоторые свойства оульфохромпта кадаия //Тез. ' докл.Воес.конф, "Тройные полупроводника и их цршено1Шзи. Кваа-нев, 1976. С, II5-II6.

3. Бужор В.П,, Никифоров К.Г.', Радауцан С,И,, Трухдн-Погаба JT.il., Тазлзвал В,Е, Выращивание монокристаллов cdcrg. (s»ss >4. // Кристаллические и стеклообразные полупроводники. Кишинев, 1977. С.148-164,-

4. Радауцан С, И,, Никифоров К.Г,, Твзлован В.Е. Получение в некоторые овойотва монокриогаллоз CdCr2s4. // Изв.АН СССР. Неорганич.матер. 1978, Т,14", J6 I. С,166-166,

5. Никифоров К.Г,, Радауцан С,И,, Тззлаван В.Е, Влияние донорных примеоой на електричеошэ свойства монокристаллов CdCr234. // iAH СССР, 1978, Т.239, й I, С.77-79,

6. Тезлэван В.Е,, Радауцан С, И.* Никифоров К,Г. Об электропроводности монокристаллов 0dCr2e4 р-тша // ФТП. 1978. Т. 12', № 4. С. 824-826*

7. Никифоров К.Г,, Гуревич А.Г.. Радауцан С.И., Тэзлаван

B.Е, , Змирян Л.М, Влияние аоиов сгй+ на ферромагнитный резонанс и електропроводнооть магнитного полупроводника CdOrgS., // GTT. 1978, T.2Ö, J» 6. 0,1896-1899.

8. Никифоров К.Г.» Турте К.И,, Теэлеван В.Е. Влияние валентности хрома не. магнитные овойотва сульфохромита кадмия // Тез. докл. Ш Всео.конф, ло криоталдохиши внтерметаллических соединений. Львов, I978.C.I89*I9G.

9. Nikiforov К,О., Hadautsan SЛ., Тевlevan V.E. Negative magnetoreeistaaeß in Ge~doped magnetic semiconductor CdCrgS^.// Hiys etat.Bol,(a). 1978.. Vol.49,'H 2. J.K197-K200.

10. Никифоров К.Г,, Эмярян Д.Ы., Гуревич А.Г., Радауцан С.И.; Тезлэван В.Е. ферромагнитный реаонаяо в кристаллах CdCr2s4 , легированных серебром // Ш, 1978. Т.20, * 10. С.3010-3014.

11. Никифоров К.Г.-, Тезлэван В.Е. Магнитный полупроводник CdCr2&4 (обзор) // Магнитные полупроводниковые шпинели типа CdCr2Se4 . Кишинев, 1978. 0,82-99.

12. Никифоров К,Г, Влияние дефектности и легирования на магнитные характеристики 0dCr234. // Магнитные полупроводниковые шпинели типа cdc^se^ . Кишинев, 1978, C.I32-I35.

13. ГуревичА.Г., Маркуо М.М., Никифоров К.Г., Радауцан С.И., Тэзлэван В.Е. Магнитная анизотропия и ферромагнитный ре-вонано в монокристаллах магнитного полупроводника CdCr2s..// Физика сложных полупроводниковых соединений. Кишинев, 1979.

С.24-40.

14. Никифоров К.Г. Аномалии электричеоких овойотв монокристаллов магнитного полупроводника CdCr2s4.// Физика сложных полупроводниковых соединений. Кишинев, 1979. С.40-47.

15. Никифоров К.Г., Эмирян Л,М., Г^ревич А.Г. Ферромагнитный резонанс в легированных кристаллах CdCr2s4. // Тез.докл. Всео.конф. "Тройные полупроводники и их применение", Кишинев, 1979, С.01-62.

16. Никифоров К.Г., Радауцан С.И., Тазлвван В.Е. Аномальные алектрическиа овойства магнитного полупроводника CdCr234 п-типа // Тез.докл. У Всео.конф. по химии; физике и техническому применению халькогенидов. Баку, 1979. С.89.

17. Qurevich A.Q., Emlryan L.M., Nikiforov К.О., Anioimov

A.M. Effect of ione with minority valence on magnetic) anieot-ropy and relaxation // Magnetic Reaonanee and Holated Phenomena. Berlin-New-York-Heidelberg, 1979. P.372»

18. Radautsan 3.1., Tealevan V.B., Nikiforov K.O. Oryatal growth and the influence of otruoture defeotd on physical pro-pertiea of CdOr2S4//J.Oryat.arowth, 1900. Vol.49, N 1.

P.67-70.

19. Никифоров К.Г,*, Радауцан О.И. Ваканоионный механизм изменения электричеоких овойств CdCr2s4. // Получение и исследование новых материалов электронной техники, Кишинев; IS80. С.1Б2-1Б5,

20. 1^ревич А.Г., Эмирян Л.М., Васильев B.C., Оокотский

B.C., Никифоров К.Г., Радауцан С.И., Тэзлэван В.Е. ШР и ионы хрома переметгой валентности в хромовых полупроводниковых шпинелях // Иов. АН СССР. Сер.физич. 1980. Т.44, J6 7. C.I447-I450.

21. Радауцан С.И., Бужор В.П., Ляликова Р.Ю., Меркулов

А.И., Никифоров К.Г.; Тэзлэван В.Е., Цуркан В.В. Роот кристаллов, физико-химические и физические овойства магнитных полупроводниковых шпинелей // Раошир,тез.докл. У1 Меад.конф. по росту

and lone In the ternary magnetic semiconductor CdOrgS^//

Nuovo Cimento D. 1983, Vol,2, N 6. P.1891-1094.

32, Никифоров К,Г., Паоенко Л.Я., Тввлвван В.Е. Влияние неотехиомвтрии на влектричеокие характеристики кристаллов HgCr2Se4, // Тез,докл. У1 Воео.нонф, по химии, физике и техническому применении халькогенидои. Тбилиси, 1963, 0,129.

33, Nikiforov К,а., Buehor V.P., Radautean 3.1,, Teelevan V.E. Switching effect based on the H-ehapod negative differential resistance in CdOrgSe^ single crystals // Phys.stat.sol. (a). 1983. Vol.80, N 2, P.K149-K151.

34, Радауцан С.И.; Еукор В.П., Никифоров К.Г., Трновцева В.; Тэзлэван В.Е, Отрицательное дифференциальное сопротивление я эффект переключения в магнитном полупроводнике oaor2s4.// Дан СССР, 1984, Т.276, М 6. О.ШО-ШЗ.

35, Никифоров К.Г., Паоенко Л.Я., Эмирян Л.М., 1Уревич А.Г., Радауцан С,И., Тэзлэван В.Е, Влияние откига на ферромагнитный ре-зонано в HgCr2Se4.// «ИТ. 1966, Т.27, » I. 0.229-230,

36, Никифоров К.Г.. Паоенко Л.Я., Эмирян Л.М.-, Гуревич А.Г. , Радауцан О.И, СМР в термообработанных кристаллах магнитного полупроводника HgCr2se4,// Tee .докл. КУП Воео.конф, по физике магнитных явлений. Донецк. 1965. Т.2. С.173-174.

37, Никифоров К.Г.', Гуревич А.Г., Паоенко Л.Я., Радауцан С.И,', Эмирян Л,М, Ферромагнитный ревонано в сильно проводящих криоталлах HgCr2Se4, // «Т. 1986. Т.27', » 8. С.2424-2427.

38, Radautaaa S.i., Buehor V.P., Mlkiforov K.O,, Pasenko L.Xa. NDH and swlohing effect in ternary magnetic semiconductors // Progr.Cryst. Growth Gharaot. 9185. Vol.10, N 1-4. P, 379383,

39, Nikiforov K,0., Pasenko L.Ya., Tezlevan V.E., Ourevich A,G., Bniryan L.U, Peculiarities of ferromagnetic resonance in HgCr2Se4.//Progr.Cryst,Growth Charact. 1985. Vol.10, И 1-4.

P.391-395,

40, Никифоров К.Г,', Паоенко Л.Я,; Радауцан С.И., Петров А.Е,1, Архипов А.А. Влияние валентности хрома на магнитные свойства оеленохромита ртути // Твз.докл.Всео.оовещ. "Химическая связь; электронная отруктура и физико-химические свойотва полупроводников и полуметаллов". Калинин, 1965. С.79.

кристаллов. Москва", 1980, 0.373-374.

22. Ourevich А.О., Btairyan Ь.М,, Nikiforov К.a., Radaut-san 3.1. Chromium lone with variable válenos la magnetic semiconductor apíñele // Dlgeat teohn.progr. 4tJj Int.Conf. on Ternary and liultinary Compounds. lokyo, 1900. P.111,

23. Радауцан О.И. , Тэаяввая B.B,*, Никифоров К.Г. Выращивание монокриоталлов 0d0r2s4 и ивучение влияния отруктурных дефектов на их фиаичеокив овойохва // Процвооы роста полупроводниковых кристаллов и пленок, Новооийирок, 1981, 0,260-264.

24. Никифоров Н,Г.', Радауцан С,И» , Таэлаван В.Б., Гуревич

A. Г. i Эмирян Л.М. Процессы релаксации при ферромагнитном резонансе в хромовой халькогенидной шинели // Tea,докл. ХХП Воео. совещ, по физике низких температур, Кишинев; 1982, 4,1.0,13-14,

26, Радауцан С,И,*, Никифоров Н.Г. , Цуркан В.В,'; Паоенко Л.Я, Особенности выращивания ив газовой фазы монокриоталлов тройных магнитных полупроводников // tea.докл. П Воео. конф, по рооту кристаллов, Харьков, 1982, 0,62.

26. Nikiforov К.a., Ourevioh А.О., Radautaan 3.1., Erairyan Ь.Ы., Tesslevan V.B. Effeot of nonatoiohiometry on ferromognetio resonance in Cd0iv,34 oryatala,//i?hya.atat.aol, (a), 1902. Vol.72, N 1. P.K37-K39.

27. Еукор В.П., Никифоров К,Г.', Цуркан B.B. Переменная ва- ■ лентнссть и дефекты кристаллической решетки в халькохромитах кадмия*, ртути и меди // Тез.докл. 1У Воео.конф, по кристаллохимии интарметаллических соединений, Львов, 1983, 0.85.

28. Никифоров К.Г., Паоенко Л.Я, Оообеннооти роста совершенных монокриоталлов Hg0r23e4 и влияние отруктурных вакансий на их овойотва // Тев.докл» 1У Воео,конф. "Тройные полупроводники и их применение". Кишинев, 1983. 0.98.

29. Еукор В.П., Никифоров К,Г. , Радауцан С.И., Тэзлэван

B.В, Статичеокие вольтамперные характеристики CdCr2se..//ffiTT. 1983. Т.25, М 9. 0.2778-2780.

30. Никифоров К,Г., Эмирян Л.М., Паоенко Л.Я, Влияние бтруктурных дефектов на электропроводность, и ферромагнитный ре-зонано в HgCrgüe^. Ц Тез.докл. ХУ1 Всес.конф. по физике магнитных явлений. Тула, 198Э. 7,1, 0.68-69.

31. Nikiforov К.О,, Radautaan 3.1., Tezlevan V.E., Gure-vich A.Q., 13miryan L, M. »Coexietence of minoruty valence Cr2+

41. Еужор В.П., Никифоров К.Г., Радауцан О.И. ОДО и эффект переключения в cd0r2Se4 и Cd0r284 // Халькогенидные полупроводники. Кишинев, 1966. С.19-26.

42. Никифоров К.Г., Паоенко Л.Я., Радауцан С.И.; Тезлэван

B.Е. Роот криоталлов и некоторые физические овойотва HgCr23e4 // Халькогенидные полупроводники. Кишинев, 1965. 0.26-36.

43. Пвсенко Л.Я., Радауцан О.И., Никифоров К.Г. Термодинамический анализ и кинетика роота монокристаллов HgCr2öe4 методом химичеокого газового транспорта if Тез.докл. УП Воео,кои$. по процессам роота и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Новосибирск, 1966. T.I. С,269-270,

44. Ifikiforov К.О., Qurevioh A. G., Pasenko L.Ya., Radautsan S.Z., Emiryan L.li. Conduction influence on magnetic dynamic properties of ternary magnetic semiconductors.//Abatr. 7th Int.Conf. Ternary and Multinary Compounds. Colorado, 1986. P.193.

45. Никифоров К.Г.", Паоенко Л.Я., Радауцан О.И. Примеси и дефекты неотехиометрии в селенохромите ртути // Тез.докл. П Всес.конф. "Материаловедение халькогенндных и кислородсодержащих полупроводников". Черновцы, 1986. Т.2. C.I25.

46. Никифоров К.Г., Гуревич А.Г. , Паоенко Л.Я., Радауцан

C. И. , Эмирян Л.М. Анизотропия и ферромагнитная релаксация в магнитном полупроводнике HgCr2se4. // Тез.докл. X Воео.школы-семинара "Новые магнитные материалы микроэлектроники". Юрмала, 1966. С.287-288.

47. Никифоров К.Г., Гуревич А.Г., Паоенко Л.Я., Радауцан О.И., Эмирян Л.М. Однородное и неоднородное уширение линии обусловленное проводимоотью // «ТТ. 1967. Т.29, Ji 4.C.I279-I282.

48. Базакуца В.А., Беляев В.К., Никифоров К.Г. Использование стоячих акустических волн для воздействия на роот криоталлов ~ сложных халькогенвдвых полупроводников в процессе газотранспортных реакций // Полупроводниковые материалы ■ приборы. Кишинев, 1987. С.60-66.

49. Радауцан С.И., Сухецкнй Ю.В.; Гусатинский А.Н., Солда-тов A.B.; Никифоров К.Г. Рентгеноспектральное исследование строения энергетических полос CdCr2s4.// ДАН СССР. 1987. T.294.Ä 5. C.II03-II05.

50. Никифоров К.Г.; 1Уревич А.Г. , Паоенко Л.Я.; Радауцан С.И.; Эмирян Л.М. Динамический вклад в магнитную анизотропию // ЖЭТФ (Письма). 1987. Т.46; й 2. С.62-65.

51. Гуревич А.Г., Нзкифоров К.Г., Эщрян Л.М., Пасенко Л.Я. Влияние носителей заряда на процеоси СВЧ-поглощеняя в ферромагнитных полупроводниках // Тез.докл. У Воео.конф. "Тройные полупровод-наки и их применение". Кишинев, 1987. T.I. С.48-49.

52. Беляев В.К., Никифоров К.Г., Базакуца В.А., Паоенко Л.Я. Акустичеокио исследования в химическом транспорта халькогонядных полупроводниковых шинелей // Тез.докл. У Воео.конф. "Тройные полупроводника я пх применение".' Кяшинев, 1987. T.I. С.137.

53. Гуревдч А.Г., Никифоров К.Г., Носенко Л.Я., Радауцэл С.И., Эмирян Л.М. Ферромагнитный резонанс в шгнит1П1х полупроводниках -хромовых халькогенпдашх шпинелях // Взаимодействие электромагнитах волн о полупроводниками и полупроводншсово-дязлектрачеокшли структурами. Саратов, 1988. 4.1, С.179-186.

54. Радауцан С.И., Никифоров К.Г., Цуркан В.В. Тройные маг-штнне полупроводники - хромовые халькогенидные шпинели // Тез. докл. УП Воео.конф. по химии, физике и техническому применению халькогонядов, Ужгород, 1988. 4.1. 0,1.

55. Никифоров К.Г., Гурввич А.Г., Радауцан С.И., Паоопко Л.Я., Эмирян Л.М. Ионы хрома повышенной валентности в ферромагнитных шпинелях // Тоз.докл.Воео.конф. по физике магнитных явлений. Калинин, 1988. 4.2. 0.249-250.

56. Радауцан О.И., Гурович А,Г., Никифоров К.Г. Пройлемы переменной валентности хрома в тройных магнитных полупроводниках // Тез. докл.Воао.конф. по фавпко полупроводников. Кишинев, 1988. 4.1. 0.177-178,

57. Тэзлован В.Е., Цуркан В.В,, Никифоров К.Г., Ляликова Р,Ю. Получение и исследование тройных магнитных полупроводников со структурой шпинели // Олокныо полупроводники. Кишинев, 1988. 0.5-27.

58. Bolyaov V.K., líikiforov К.О., Radautsan S.I., Basakutsa V.A. Vapour transport of CdOr^^ and HgOrgSe^i Chemical equilibrium and orystal growth.//Gryst.Res.Teohnol, 1989. Vol.24, H 4. i.371-377.

59. líikiforov K.0., Gurevioh A.G., Pasenko L,Уа., Radautsan 3.1,, Endryon L.M. Parroaa^nstio resonance and Cr^+ ions in mag-natio semiconductor IIsCrgSe^/VAbstr.European Conf. on Magnetic Materials and Applications. Rijmini, 1989. P.74.

60. lliliiforov K.Q., Ourevich A, 0., Pasenko L.Ya., Radautsan 13.1., Emiryan L.IJ. Ferromagnetic resonance and Cr^+ ions in the nagnotic semiconductor HgOrgSe^/Phys.stat.sol.(a). 1989. Vol. 116, H 2. P.K185-K189.

61. Никифоров К.Г., Беляев В.К., Цаоенко Л.Я. Тройные магнитные полупроводники CdCr234 И HgCr23e4 роот кристаллов в особенности характеризации // Многокомпонентные халькогениды Апв№. Кишинев, 1990. С.1Б7-161.

62. Hikiforov K.G., Baran К., Belyaev V.K., Paaenko L.Ya., Radautsan 3.1.,Wisniewski A. Magnetisation and chromium ions with minority valenoe in OdOrgS^ and HgCrgSe^ magnetic semiconductors. //Phys.stat. sol. (b). 1990. Vol.158, К 1. P.K63-K67.

63. Nikiforov K.Q., Baran M., Ourevich A.O., Paeenko L.Ya., Radautsan S.I.Wieniewski A. Nonstoiohiometry and magnetic characteristics of CdCrgS^ and HgCrgSe^/ZAbetr. 8th Int.Conf. Ternary and Multinary Compounds. Kishinev, 1990. P.105.

64. Belyaev V.K., Nikiforov K.G. Thermodynamic analysis and acoustic control of vapour transport of some ternary chal-oogenide spinels // Abstr. 8th Int.Oonf. Ternary and liultinary Compounds. Kishinev, 1990. P.164.

65. Hikiforov K.O., Gurevich A.O., Radautsan 3.1., Pasenko L.Ya. ferromagnetic relaxation caused by oonduction in magnetic semiconductor HgOrgSe^/ZAbatr.European Oonf. on Hagnetic Haterl-als and Applications. Dresden, 1991. P.37-38.

ЛИТЕРАТУРА

1. Метфеосель Д., Маттво 3. Магнитные полупроводники. М.: Мир, 1972. 405 с.

2. Редкоземельные полупроводники./Ред. В.П.Еузе я И.А.Смирнов. Л.: Наука, 1977. 205 о.

3. Gibart P. Vapour growth of HgC^Se^. //J. Cryet. Growth. 1978. Vol.43, N 1. P.21-28.

4. Григин A.T., Нагаев Э.Л. Взаимодействие носителей тока с заряженными дефектами в сильно легированных ферромагнитных полупроводниках. //ФТТ. 1975. Т.17, в.9. С.2614-2621 .

5. Весвлаго В.Г., Голант К.М., Ковалева И.С. и др. Энергетический спектр и транспортные свойотва монокристаллов HgCr23e4. //ЮТФ. 1984. Т.84, в.5. C.I857-I86I.

6.. Меркулов А.И., Радауцан С.И., Тэзлэван В.Е. О получении монокристаллов магнитного полупроводника cdCr2Se4./Д1зв.АН ссср. Неорган.матер. 1978.. T.I4, № 8. C.I535-I536.

7. Абрагам А., Блини Б. Электронный парамагнитный резонанс переходных ионов. М.: Мир, 1972. T.I. 535 с.