Исследование фотопроводимости и фото-ЭДС в ртутной шпинели тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.11 ВАК РФ

Список используемых сокращений.

Введение.

ГЛАВА 1. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЭФФЕКТЫ В МАГНИТНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ.

§ 1. Электропроводность, фотопроводимость и фото-ЭДС в полупроводниках. а. Электропроводность. б. Фотопроводимость. в. Фото-ЭДС.

§ 2. Влияние магнитного упорядочения на электрические и оптические свойства ферромагнитных полупроводников.

§ 3. Энергетический спектр и особенности кинетики носителей заряда в ферромагнитных полупроводниках.

§ 4. Кристаллическая структура, магнитные и электрические свойства ртутной халькогенидной шпинели HgCr2Se4. а. Кристаллическая структура. б. Магнитные свойства. в. Взаимосвязь электрических и магнитных свойств в HgCr2Se4. г. Оптические и фотоэлектрические свойства HgCr2Se4. д. Модели зонной структуры соединений CdCr2Se4 и HgCr2Se4.

§ 6. Выводы к первой главе.

Глава 2 Образцы, техника и методика эксперимента.

§ 1. Образцы.

§ 2. Методика измерения фотопроводимости и фото-ЭДС. а. Измерение фотопроводимости. б. Измерение фото-ЭДС.

§ 3. Методика температурных и полевых исследований фотопроводимости и фото-ЭДС.

§ 4. Оптическая система и ее градуировка.

§ 5. Методика спектральных исследований фотопроводимости и фото-ЭДС

§ 6. Об ошибках измерений.

§ 7. Выводы ко второй главе.

ГЛАВА 3. Влияние магнитного упорядочения на фотопроводимость и ФЭДС в HgCr2Se4.

§ 1. Аномалии температурных зависимостей фотопроводимости и электропроводности.

§ 2. Гигантское влияние внешнего магнитного поля на фотопроводимость в

HgCr2Se4 в области магнитного фазового перехода.

§ 3. Влияние энергии фотонов падающего света на температурные зависимости ФП и магнитофотопроводимости.

§ 4. Связь температурных и полевых аномалий фотопроводимости с типом и величиной проводимости образцов.

§ 5. Аномалии температурной зависимости фото-ЭДС в области магнитного упорядочения. а. образцы р-типа. б. образцы п-типа.

§ 6. Гигантское изменение фото-ЭДС во внешнем магнитном поле.

Длительное время магнитные материалы и полупроводники разрабатывались и исследовались как отдельные, независимые друг от друга классы материалов, имеющие самостоятельный научный и прикладной интерес. Тем не менее, сейчас известен целый класс веществ сочетающих в себе свойства магнитных материалов и полупроводников. Это, так называемые, магнитные полупроводники (МП).

Если к числу МП относить любые полупроводники с атомным магнитным порядком, то эта группа материалов оказывается весьма обширной и включает многочисленные простые и сложные оксиды, халькогениды, фториды и фосфиды редкоземельных элементов и переходных металлов.

Наибольший интерес у исследователей вызывают МП, для которых характерна сильная взаимосвязь магнитных и электрических свойств и, более того, в которых магнитное взаимодействие осуществляется с участием электронов зоны проводимости. В настоящее время именно эти вещества принято называть магнитными полупроводниками. В таком смысле круг веществ, являющихся МП, сильно сужается и ограничен в основном двумя классами соединений. Один из них составляют халькогениды европия, а другой — халь-когенидные шпинели.

Обнаружение в ЕиО ферромагнитного упорядочения с температурой Кюри (Тс) ~ 66,8 К [1] вызвало широкий интерес. После СеВг3, открытом в 1960 году [2], ЕиО был вторым материалом этого типа. Как выяснилось позже, этот материал обладает более интересными свойствами и возможностями, что и явилось первой причиной интереса к данному соединению и вообще к соединениям европия. Вторая причина — надежда использовать данные соединения в магнитооптической памяти в компьютерах и модуляторах оптического излучения. Исследователи надеялись различными добавками увеличить температуру магнитного фазового перехода до комнатной температуры. Это позволило бы использовать халькогениды европия в технике.

К сожалению температуры магнитного фазового перехода так и остались существенно ниже комнатной температуры и современная технология получения халькогенидов европия очень дорога и сложна, и не позволяет получить образцы с заранее заданными свойствами. Поэтому сейчас считается, что практически нет надежды на их промышленное применение.

Халькогенидные шпинели более перспективны, так как у большинства из них температуры Кюри превышают температуру жидкого азота и в ряде случаев приближаются к комнатным температурам. Сосуществование ферромагнетизма и полупроводниковых свойств, гигантские магниторезистив-ные и магнитооптические эффекты, красный и синий сдвиги краев поглощения, температурный переход металл-полупроводник, высокая величина фотопроводимости (ФП), зависящая от магнитного поля, фотомагнитный эффект, наблюдавшиеся в этих материалах, могут быть использованы при конструировании различных приборов.

В чисто полупроводниковых применениях эти вещества пока не могут конкурировать с традиционными полупроводниками, каковыми являются германий, кремний, арсенид галлия и др., из-за низкой подвижности носителей тока в этих соединениях. Получаемые в настоящее время кристаллы халькогенидных шпинелей содержат, как правило, неконтролируемое количество дефектов, существенно понижающее подвижность и непредсказуемым образом влияющее на электрические свойства.

Уникальное сочетание полупроводниковых и магнитных свойств халькогенидных шпинелей представляет большой интерес и для теории в физике и химии твердого тела. В настоящее время существует два основных подхода, применяемых в физике твердого тела для решения много частичной зада

23 чи большого числе электронов (iV ~ 10 ), взаимодействующих с атомами, расположенными в узлах решетки. Это одноэлектронная зонная модель [3, 4,

5] и локализованная атомная модель, или модель Гайтлера-Лондона [6]. В общем случае зонная модель дает вполне приемлемое описание тех свойств твердого тела, которые можно приближенно рассматривать как реакцию всего электронного газа, находящегося в поле периодического потенциала, на внешние возмущения типа электрического поля и т.д. Поэтому данный подход применяется преимущественно к металлам. Однако локализованная модель более удачно описывает те свойства, для которых фундаментальное значение имеет взаимодействие каждого отдельного электрона с анионным остовом и остальными электронами остова. К числу таких свойств относятся, например, магнетизм и оптические свойства. Данный подход применяется при моделировании непроводящих соединений и является, в этом смысле, противоположностью одноэлектронной модели.

Вещества, которые мы называем МП, занимают промежуточное положение между магнитными металлами и диэлектриками и являются проводниками и магнитными материалами одновременно. Ни первый, ни второй подход в чистом виде неприменим для описания всей совокупности свойств МП. Дело в том, что невозможно рассматривать транспортные и магнитные свойства МП отдельно друг от друга, поскольку, электроны являются как источником магнетизма, так и источником транспортных свойств. Из этого следует, что в общем случае магнетизм и транспортные свойства МП взаимосвязаны.

В настоящее время нет последовательной теории, до конца объясняющей кинетику носителей заряда и магнитные свойства МП. Для создания такой теории необходимы экспериментальные данные о взаимодействии электронной и магнитной подсистем.

При исследовании немагнитных полупроводниковых материалов обычно используются эффекты электропроводности и Холла. Изучению МП подобным образом препятствуют две особенности. Первая: современная технология получения МП не позволяет получить образцы с заранее заданными свойствами. Даже при отсутствии дополнительного легирования образцы МП сильно различаются по своим магнитным и полупроводниковым свойствам из-за наличия вакансий по компонентам соединения, поскольку эти вакансии зачастую выступают и как акцепторы, и как доноры. Вторая: использование результатов измерения эффекта Холла для получения информации о параметрах носителей заряда в МП, и в частности в халькогенидных шпинелях, затруднено. Дело не только в наличии аномального эффекта Холла, но и в том, что подвижность и концентрация носителей в МП может существенно меняться во внешнем магнитном поле.

Одним из способов преодоления возникших трудностей является исследование комплекса эффектов для одного и того же образца. Наиболее перспективным является изучение фотоэлектрических эффектов, несущих в себе информацию, как и о кинетике носителей заряда, так и о зонной структуре.

Темой данной работы являлось исследование фотоэлектрических эффектов в ртутной шпинели HgCr2Se4 с целью получения данных о влиянии магнитного упорядочения на параметры носителей заряда и зонную структуру HgCr2Se4. Для этого в работе были поставлены следующие задачи:

1. Исследовать температурные зависимости фотоэлектрических эффектов в HgCr2Se4 ;

2. Изучить влияние магнитнрго упорядочения на величину и положение границы^ на параметры носителей заряда и ширину запрещенной зоны;

3. Исследовать спектральные зависимости фотоэлектрических эффектов и изучить влияние температуры и магнитного поля на параметры зонной структуры ртутной шпинели.

Научная новизна и положения выносимые на защиту. 1) Впервые исследованы температурные, полевые и спектральные зависимости фотоэлектрических эффектов в ферромагнитном полупроводнике HgCr2Se4;

2) Установлен характер влияния магнитного упорядочения на величины параметров носителей заряда и зонную структуру ртутной шпинели;

3) Определены для HgCr2Se4 параметры носителей заряда и установлена температурная зависимость этих параметров в области температур ниже точки Кюри;

4) Впервые изучены спектральные зависимости фотоЭДС и влияние магнитного поля на спектральные зависимости фотопроводимости;

5) Определены величина, а также температурная и магнитополевая зависимости ширины запрещенной зоны ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4.

Практическая значимость работы заключается в том, что полученная в данной работе информация о ФЭЭ в HgCr2Se4 подтверждает данные о величине и характере температурной зависимости параметров носителей заряда в HgCr2Se4, полученных из результатов измерений электропроводности и эффекта Холла и дает новые данные о влиянии магнитного упорядочения на параметры носителей заряда и зонную структуру ртутной шпинели. Таким образом, настоящие результаты могут быть использованы для дальнейшего развития теории магнитных полупроводников. Обладая высокой чувствительностью к магнитному полю, ртутная шпинель HgCr2Se4 может быть использована в качестве основы для датчиков магнитного поля, основанных на изменении величины ФЭДС, а также модуляторов оптического излучения, использующих сдвиг края поглощения магнитным полем, фотоэлектрических датчиков с чувствительностью, управляемой магнитным полем.

Основные результаты работы докладывались на 12й, 13й, 14й, 15й, 16й международных школах-семинарах "Новые магнитные материалы микроэлектроники" ([7] Новгород 1990 г., [8] Астрахань 1992 г., [9, 10] Москва 1994 г., [11] 1996 г. и [12] 1998 г.), на конференции по микроэлектронике в [13] Симферополе 1991, на 6м и 7м международном научном семинаре "Физика магнитных явлений" ([14, 15] Донецк 1993 г. и [16] 1994 г.), на 19й Всесоюзной конференции по физике магнитных явлений ([17] Ташкент 1991 г.), на международной конференции по магнетизму ([18] Warsaw, Poland 1994), на 6й европейской конференции по магнитным материалам и их применению ([19] Wien, Austria, 1995), на 40й международной конференции по магнетизму и магнитным материалам ([20] Philadelphia, Pensilvania, 1995), на Iй объединенной конференции по магнитоэлектронике ([21] Москва, 1995 г.), на 2ой российской конференции по физике полупроводников ([22] Зеленогорск, 1996 г.), на Московском интернациональном симпозиуме по магнетизму ([23] Москва, 1999 г.). По материалам диссертации всего опубликовано 21 печатных работ из них 4 статьи ([24], [25], [26], [27]) и 17 тезисов докладов на конференциях (см. выше).

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка используемой литературы. Диссертация изложена на 145 страницах текста, содержит 55 рисунков и 3 таблицы. Список литературы включает 144 наименований. В первой главе дается обзор литературных данных о магнитных, электрических, фотоэлектрических и оптических свойствах ртутной шпинели, а также теоретических моделях. Вторая глава посвящена методике исследования температурных, полевых и спектральных зависимостей фотоэлектрических эффектов. В третьей главе приведены результаты исследования температурных и полевых зависимостей электропроводности, фотопроводимости и фото-ЭДС. В четвертой главе представлены результаты исследования спектральных зависимостей ФП и ФЭДС в области края оптического поглощения при различных температурах и в магнитном поле.

Основные результаты и выводы

1. Проведены систематические экспериментальные исследования температурных, полевых и спектральных зависимостей фотоэлектрических эффектов: - фотопроводимости и фото-ЭДС в ферромагнитном полупроводнике HgCr2Se4 и впервые показано, что: а) на температурной зависимости фото-ЭДС в HgCr2Se4 существует ряд аномалий: глубокий минимум в окрестности точки Кюри и резкий рост величины фото-ЭДС при дальнейшем уменьшении температуры; б) магнитное поле существенно влияет на величину фотоэлектрических эффектов в HgCr2Se4: относительное изменение фотопроводимости и фото-ЭДС в магнитном поле 6 кЭ при температуре 114 К составляет 400% и 1600% соответственно. Более высокая чувствительность к внешнему магнитному полю ФЭДС, по сравнению с фотопроводимостью и проводимостью, объясняется различным вкладом электронов и дырок в эти эффекты; в) температурные зависимости относительного изменения фотопроводимости и фото-ЭДС при изменении магнитного поля имеют максимум в окрестности температуры Кюри, что объяснено влиянием магнитного упорядочения на параметры носителей заряда в HgCr2Se4; г) в парамагнитной области на температурной зависимости магнитофо-топроводимости появляется дополнительный максимум при энергии возбуждения равной ширине запрещенной зоны ртутной шпинели; д) длинноволновая граница фото-ЭДС испытывает большое красное смещение при понижении температуры. Так, при понижении температуры от 217 К до 91 К край фото-ЭДС смещается от 0,86 эВ до 0,48 эВ; е) длинноволновые границы фотоэлектрических эффектов также сильно смещаются к низким энергиям в магнитном поле, причем максимальное смещение наблюдается в окрестности Тс. Величина смещения длинноволновой границы фотопроводимости составляет примерно 0,07 эВ при температуре 115 К в поле 8 кЭ, а для фото-ЭДС смещение составило 0,04 эВ при этой же температуре в магнитном поле 4 кЭ.

2. Установлено, что магнитное поле действует на фотоэлектрические эффекты подобно понижению температуры и температурная зависимость фотоэлектрических эффектов определяется изменением магнитного упорядочения. Это проявляется и в сдвиге кривых температурной зависимости электропроводности, фотопроводимости и фото-ЭДС в магнитном поле в сторону высоких температур, и в смещении границы ФЭЭ в магнитном поле в сторону низких энергий, и в том, что магнитное поле восстанавливает форму спектральных зависимостей фотоэлектрических эффектов.

3. Впервые оценены величины параметров носителей заряда подвижности, концентрации и времени жизни и рассчитаны температурные зависимости этих параметров в области температур ниже температуры Кюри, по результатам измерения проводимости, фотопроводимости и фото-ЭДС. Показано, что магнитное упорядочение в HgCr2Se4 влияет и на подвижность, и на концентрацию носителей заряда и не влияет на их время жизни.

4. На основе данных о спектральных зависимостях фотоэлектрических эффектов: а) определена зависимость ширины запрещенной зоны в HgCr2Se4 от температуры и магнитного поля. Определенные значения ширины запрещенной зоны хорошо коррелируют с данными о ширине запрещенной зоны HgCr2Se4, полученными из спектральных зависимостей поглощения света. б) оценено время жизни неравновесных носителей заряда т, которое

7 8 составляет 4-10" - 4-10" с, что свидетельствует о большом количестве центров рекомбинации в ртутной шпинели HgCr2Se4.

130

В заключении выражаю глубокую благодарность за предоставление темы, руководство работой, помощь в проведении измерений, поддержку Север Галине Николаевне. Выражаю искреннюю признательность Ганыпиной Елене Александровне за помощь в написании диссертационной работы, Антонову Льву Ивановичу за моральную поддержку.

Большое спасибо всем сотрудникам кафедры общей физики оказавшим поддержку моей работе.

1. Matthias В.Т., Bozoth R.M.and Van Vleck J.H. The ferromagnetic order in an EuO crystal. // Phys. Rev. Lett. 1961. V. 26. N 3. P. 1241-1244.

2. Isubokaravva I. On the magnetic properties of a CrBr3 single crystal. // J. Phys. Soc. Jap. 1960. V. 15. № 5. P. 1664-1668.

3. Бете Г., Зоммерфельд А. Электронная теория металлов (пер. с нем.). изд. Глав. ред. техн.-теорет. лит. М. 1938. 316 с.

4. Абрикосов А.А. Основы теории металлов. Наука. М. 1987. 519 с.

5. Каллуэй Дж. Теория энергетической зонной структуры (пер. с англ.). Мир. М. 1969.360 с.

6. Маттис Д. Теория магнетизма (пер. с анг.). Мир. М. 1967. 407 с.

7. Больных И.К., Север Т.Н., Николаев В.И., Чеботаев Н.М. Исследования температурных и магнитополевых зависимостей проводимости и фотопроводимости в HgCr2Se4. Тр. 12 Всес. конф. "Новые магнитные материалы микроэлектроники", Новгород, 1990, с.40.

8. Север Т.Н., Больных И.К., Головин А.В., Чеботаев Н.М. Исследование спектральных зависимостей фото-ЭДС в ферромагнитном полупроводнике HgCr2Se4. Тр. 13 Всес. конф. "Новые магнитные материалы микроэлектроники", Астрахань, 1992, ч.2, с. 142.

9. Север Г.Н.,Больных И.К., Головин А.В., Юсина С.Ю. Влияние магнитного поля на спектральные зависимости фотопроводимости в HgCr2Se4. Тезисы докладов XIV школы-семинара: "Новые магнитные материалы микроэлектроники", Москва, 1994, т. III, с. 60-61.

10. Больных И.К., Север Т.Н., Николаев В.И. Магнитоуправляемые фотоэлектрические эффекты в ферромагнитном полупроводнике HgCr2Se4. Сб. докл. по магнитомикроэлектронике, Симферополь, 1991,с. 43.

11. Север Г.Н., Больных И.К., Головин А.В., Юсина С.Ю. Магнетополевое смещение ширины запрещенной зоны ферромагнетика HgCr2Se4. Сб. Док. 7 международного научного семинара "Физика магнитных явлений", Донецк, 1994, т. 3, с. 27.

12. Север Г.Н., Больных И.К., Головин А.В. Влияние темновой проводимости на фотоэлектрические эффекты в ферромагнетике HgCr2Se4. Сб. Докл. 6 научного семинара "Физика магнитных явлений", Донецк, 1993, с.71.

13. Север Г.Н., Больных И.К., Головин А.В., Юсина С.Ю. Магнетополевое смещение ширины запрещенной зоны ферромагнетика HgCr2Se4. Сб. Док. 7 международного научного семинара "Физика магнитных явлений", Донецк, 1994, т. 3, с. 27.

14. Больных И.К., Север Г.Н., Николаев В.И., Чеботаев Н.М. Влияние магнитного поля и температуры на спектры фотопроводимости ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4. Тр. 19 Всес. конф. по физике магнитных явлений, Ташкент, 1991, ч. 2, с.51.

15. Sever G.N., Bolnikh I.K., Golovin A.V., Yusina S.Yu. Photoconductivity anomalies in ferromagnetic HgCr2Se4. International conference on magnetism, Warsaw, Poland, 1994, p.871.

16. Sever G.N., Yuseena S.Yu. Magnetic field influence on the spectral dependences of the photoelectric effects in HgCr2Se4. Abstracts of 6th European Magnetic Materials and Applications Conference (Wien, Austria, September 4-8, 1995) p.270.

17. Bolnikh I.K., Sever G.N. Magnetic ordering influence on the charge carrier parameters in ferromagnetic semiconductor HgCr2Se4. Moscow International Symposium on Magnetism, June 20 24, 1999. P. 246.

18. Адушнаева Р.Ю., Больных И.К., Север Г.Н. Влияние красного смещения края оптического поглощения на фотоэлектрические эффекты в ферромагнитном полупроводнике HgCr2Se4. Вестник МГУ, сер. 3, 1991, Т. 32, № 6, с. 91-93.

19. Север Г.Н., Больных И.К. Температурное и магнетополевое смещение длинноволнового края фотоэлектрических эффектов в HgCr2Se4. // ФТТ. 1995. Т.37. №2. С. 570-573.

20. Sever G.N., Bolnikh I.K., Yuseena S.Yu. Influence of a magnetic field on the spectral characteristics the photoelectric effects in HgCr2Se4. JMMM, 1996, 157/158 p.473-474.

21. Север Г.Н., Больных И.К., Головин A.B. Гигантское влияние магнитного поля на ширину запрещенной зоны соединения HgCr2Se4 в области температуры Кюри. Вестник МГУ. Сер. 3. Физика. Астрономия. 1995. Т. 36. Ж 2. С. 100-103.

22. Бонч-БруевичВ.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. Наука. М. 1990. 688с.

23. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. Мир. М. 1966. 192 с.

24. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. Изд-во иностранной литературы. М. 1962. 558 с.

25. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Государственное издательство физико-математической литературы. М. 1963. 494 с.

26. Киреев П.С. Физика полупроводников. Высшая школа. М. 1969. 592 с.

27. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. Мир. М. 1973. 456 с.

28. Gathner W. Spectral distribution of the Photomagnetic effect in semiconductors: Theory. // Phys. Rev. 1957. V. 105. № 3. P. 823-829.

29. DeVoreH.B.// Phys. Rev. 1956. V. 102. № i.p. 86-91.

30. Субашиев B.K., Петрусевич B.A. и Дубровский Г.Б.// Определение ре-комбинационных постоянных из кривой спектрального распределения фотопроводимости. // ФТТ. 1960. Т. II., №. 5. С. 1022-1024.

31. Субашиев В.К., Петрусевич В.А. и Морозов Г.П. Исследование германия фотоэлектрическими методами. // ФТТ. 1961. Т. 3. №. 5. С. 1505-1514.

32. Lehmann H.W. Semiconducting properties of ferromagnetic CdCr2Se4. // Phys. Rev. 1967. V. 163. № 2. P. 488-496.

33. Amith A., Gunsalus G.L. Unique behavior of Seebeck coefficient in N-type CdCr2Se4. // J. Appl. Phys. 1969. V. 40. № 3. P. 1020-1022.

34. Schoenes J., Watcher P. Exchange optics in Cd-doped EuO. // Phys. Rev. 1974. V. 9. № 7. P. 3097-3105.

35. Oliver M.R., Kafalas J., Dimmock J., Reed T. Pressure dependence of the electrical resistivity of EuO. //Phys. Rev. Lett. 1970. V. 24. № 19. P. 1064.

36. Balberg I., Pinch H. Eletric-field dependent magneroresistance in ferromagnetic semiconductors. //Phys. Rev. Lett. 1972. V. 28. № 14. P. 909-912.

37. Wachter P. Photoconductivity in europium chalcogenides. // CRC Crit. Rev. in Sol. State Sciences. 1972. V. 3. P. 189-192.

38. Филипс Дж. Оптические спектры твердых тел в области собственного поглощения. Пер. с англ. Мир. М. 1968. 176 с.

39. Голик Л.Л., Новиков Л.Н., Елинсон М.И., Аминов Т.Г., Калинников В.Т., Шапшева Н.П. Спектры фотопроводимости монокристаллов CdCr2Se4 легированных Ga. // ФТТ. 1976. Т. 18. № 12. С. 3700-3702.

40. Desfours J., Nadai J., Averous M., Gadari G. Light induced molecular magnetic Polaron in EuO. // Sol. State. Com. 1976. V. 20. № 3. P. 691-673.

41. Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников. М: Наука, 1979. 431 с.

42. Hone D., Lederer P., Heritier M. Inpurity-induced Magnetic Coupling in Narrow Band Semiconductors. // J. Physique. 1975. V. 36. № 5. P. 1249-1259.

43. Нагаев Э.Л. Электроны, косвенный обмен и локализованные магноны в магнитоактивных полупроводниках. // ЖЭТФ. 1969. Т. 56. № 3. С. 10131028.

44. Нагаев Э.Л. Метод магнитных дефектов в теории косвенного обмена. // ФММ. 1970. Т. 29. № 5. С. 905-914.

45. Haas С. Spin-disorder Scattering and Magnetoresistance of Magnetic Semiconductors. //Phys. Rev. 1968. V. 168. № 2. P. 531-538.

46. Нагаев Э.Л. Основное состояние и аномальный магнитный момент электронов проводимости в антиферромагнитном полупроводнике. // Письма в ЖЭТФ. 1967. Т. 6. № 1. С. 484-486.

47. Нагаев Э.Л. Ферромагнитные микрообласти в полупроводниковом антиферромагнетике. //ЖЭТФ. 1968. Т. 54. № 1. С. 228-238.

48. Кривоглаз М.А, Флуктуационные состояния электронов. УФН. 1973. Т. 111. №4. С. 617-654.

49. Кривоглаз М.А., Трущенко А.А. Носители тока в ферромагнитных полупроводниках. Случай сильного взаимодействия. // ФТТ. 1969. Т. 11. № 11. С. 3119-3131.

50. Kasuya Т., Yanase A., Takeda Т. Stability condition for the paramagnetic po-laron in magnetic semiconductor. // Solid State Com. 1970. V. 8. № 19. P. 1543 1546.

51. Yanase A. Magnetic polaron in the paramagnetic semiconductor. // Int. J. Magn. 1972. V. 2. № l.P. 99-115.

52. Nagaev E.L. Spin polaron theory for magnetic semiconductors with narrow bands. // Phys. State Sol. (B). 1974. V. 65. № 1. P. 11-60.

53. Kasuya T. Mobility of large paramagnetic polaron. // Solid State Com. 1970. V. 8. № 19. P. 1551-1553.

54. Yanase A. Seebek effect of the paramagnetic polaron. // Solid State Com. 1971. V. 9. №23. P. 2111-2114.

55. Amith A. and Frieedman L. Mixed-conduction model for charge transport in n-type CdCr2Se4. // Phys. Rev. 1970. V. 2B. № 2. P. 434-445.

56. Kasuya Т., Yanase A. Anomalous transport phenomena in Eu-chalcogenide alloys. // Rev. Mod. Phys. 1968. V. 40. № 4. P. 684-696.

57. Yanase A., Kasuya T. Mechanism for the anomalous properties of Eu chal-cogenides alloys. // J. Phys. Soc. Japan. 1968. V. 25. № 4. P. 1025-1042.

58. Нагаев Э.Л. Ферромагнитные и антиферромагнитные полупроводники. // УФН. 1975. Т. 117. № 3. С. 437-492.

59. Grigin А.Р., Nagaev E.L. Anomalous temperature dependence of charge carriers density and Mott transition in ferromagnetic semiconductors. // Phys. Stat. Sol. b. 1974. V. 61. № 1. P. 65-75.

60. Григин А.П., Нагаев Э.Л. Применение метода неравновесных термодинамических потенциалов к системе ферронов, взаимодействующих с бозонами. // ТМФ. 1974. Т. 18. № 3. С. 393-400.

61. Нагаев Э.Л. Магнитные квазимолекулы в ферромагнитных полупроводниках. // ФТТ. 1969. Т. 11. № 12. С. 3428-3447.

62. Нагаев Э.Л. Неоднородное ферро-антиферромагнитное состояние магнитных полупроводников. // Письма в ЖЭТФ. 1978. Т. 16. № 10. С. 558561.

63. Григин А.П., Нагаев Э.Л. Взаимодействие носителей тока с заряженными дефектами в сильно легированных ферромагнитных полупроводниках. // ФТТ. 1975. Т. 17. № 9. С. 2614-2621.

64. Кашин В.А., Нагаев Э.Л. Гигантское положительное магнитосопротив-ление магнитных полупроводников. // Письма в ЖЭТФ. 1975. Т. 21. № 1. С. 126-129.

65. Зильберварг В.Е., Нагаев Э.Л. Функция линейного отклика и магнито-сопротивление сильнолегированных парамагнитных полупроводников. // ФТТ. 1976. Т. 18. № 9. С. 2499-2508.

66. Shapira Y., Kautz P.L., Reed T.B. Positive magnetoresistance due to conduction band splitting in EuSe and Eute. // Phys. Letters. 1974. V. 47A. № 1. P. 39-40.

67. Shapira Y., Kautz P.L. Effect of spin splitting of the conduction band on the resistivity and Hall conefficient: model for the positive magnetoresistance in EuSe. //Phys. Rev (B). 1974. V. 10. № 11. P. 4781-4794.

68. Molnar S., Shafer M.W. Transport in Gd-doped EuO. // J. Appl. Phys. 1970. V. 41. №3. P. 1093-1094.

69. Torrance J.B., Shafer M.W., Mc Guire T.R. Bound magnetic polarons and the the insulator-metal transition in EuO. // Phys. Rev. Let. 1972. V. 29. № 17. P. 1168-1171.

70. Nagaev E.L., Grigin A.P. Transition of heavily doped ferromagnetic semiconductors to the insulating state. // Phys. Lett. 1972. V. A38. № 7. P. 469470.

71. Гортер E.B. Намагниченность насыщения и кристаллохимия ферритов. // УФН. 1955. Т. 57. № 2. С.279-346.

72. Никитов А.А. Магнитные полупроводники и перспектива их использования в электронной технике. // Зарубежная электронная техника. 1977. № 12. С. 2-35.

73. Белов К.П., Третьякова Ю.Д., Гордеев И.В., Королева Л.И., Кеслер Я.А. Магнитные полупроводники — халькогенидные шпинели. Изд. Моск. У-та. М. 1981.290 с.

74. Никифоров К.Г., Радауцан С.И., Тэзлван В.Е. Сульфрохромит кадмия. Штиница. Кишинев. 1981. 128 с.

75. Baltzer Р.К., Wojtjwicz P.J., Robbins M. and Lopatin E. Exchange interactions in ferromagnetic spinels. // Phys. Rev. 1966. Vol. 151. N 2. P. 367-377.

76. S.Kubiak, W.Zabek, Z.Drzazga, J.Krok and A. Chelkowski. Magnetic properties of the chalcogenide spinels CdCr2S4, CdCr2Se4. HgCr2Se4. HgCr2S4. // Acta Physica Polonica. 1974. V. A45. № 6. P.819-825.

77. A.Selmi, P.Gibart and L.Goldstein. Magnetic and electrical properties of the chalcogenide spinels. // J. Magn. Magn. Mat. 1980. V. 15-18. P. 1285.

78. Rushbrooke G.S., Wood P.J. On the Curie points and high temperature susceptibilities of Heisenberg model ferromagnetic. // Mol. Phys. 1958. V. 1. № 3. P. 257-283.

79. Pinch H.L., Berger S.B. The effects of non-stoichiometry on the magnetic properties of cadmium chromium chalcogenide spinels. // J. Phys. Chem. Sol. 1968. V. 29. № 12. P. 2091-2099.

80. Винник M.A., Рубальская Э.В., Шумилкина E.B. Ферромагненизм халь-когенидных шпинелей в приближении молекулярного поля. // Изв. АН СССР. Сер. физич. 1975. V. 39. № 1. Р. 194-196.

81. LeCraw R.C., Philipsborn Н von, Strurge M.D. Ferromagnetic resonance and other properties of chromium selenides. // J. Appl. Phys. 1967. V. 38. № 3. P. 965-966.

82. Овчинников С.Г., Балаев А.Д., Иванова Н.Б., Хрусталев Б.П., Чернов В.К., Левшин В.А. Квантовые температурные осциляции намагниченности в ферромагнитном полупроводнике n-HgCr2Se4 // Письма в ЖЭТФ. 1995. Т. 62. № 8. С. 642-646.

83. Lehmann Н.W., Emmenegger F.P. Crystal growth optical and semiconducting properties of ferromagnetic HgCr2Se4. // Solid St. Com. 1969. V. 7. № 14. P. 965-968.

84. Minematsu K., Miyatani K., Takahashi T. Magnetic and electric properties of impurity doped HgCr2Se4. // J. Phys. Soc. Japan. 1971. V. 31. № 1. P. 123128.

85. Солин Н.И., Чеботаев Н.М. Магнитосопротивление и эффект Холла магнитного полупроводника HgCr2Se4 в сильных магнитных полях. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 5. С. 848-852.

86. Виглин Н.А., Осипов В.В., Самохвалов А.А. Увеличение прохождения СВЧ мощности через ферромагнитный полупроводник HgCr2Se4 в сильном электрическом поле. // ФТТ. 1991. Т. 33. № 9. С. 2695-2698.

87. Солин Н.И., Филлипов Б.Н., Шумилов И.Ю., Самохвалов А.А. Разогрев магнонов горячими носителями заряда и электрические свойства HgCr2Se4 // ФТТ. 1993. Т. 35. № 6. С. 1613-1623.

88. Осипов В.В., Самохвалов А.А., Костылев В.А. Отрицательная дифференциальная проводимость в магнитном полупроводнике HgCr2Se4. // ФТТ. 1987. Т. 29. № 9. С. 2809-2811.

89. Солин Н.И., Самохвалов А.А., Костылев В.А. Электропроводность и диэлектрические свойства магнитного полупроводника HgCr2Se4 в интенсивном СВЧ поле. // ФТТ. 1995. Т. 37. № 7. С. 2100 -2107.

90. Солин Н.И., Филиппов Б.Н., Шумилов Ш.Ю. Спектр и затухание магни-тостатических волн в ферромагнитном полупроводнике HgCr2Se4 при разогреве магнонов электрическим полем. // ФТТ. 1993. Т. 35. № 6. С. 1613-1623.

91. Солин Н.И., Самохвалов А.А., Наумов С.В. Разогрев магнонов горячими носителями заряда и электрические свойства HgCr2Se4. // ФТТ. 1997. Т. 39. № 4. с. 664-667.

92. Samokhvalov А.А., Solin N.I., Viglin N.A., Kostylev V.A., Osipov V.V., Ba-bushkin V.S. Electron-Magnon Interaction in Magnetic Semiconductors // Phys. St. Sol. b. 1992. V. 169. №> 2. P. K93-K98.

93. Goldstein L., Gibart P., Selmi A. Transport properties of the ferromagnetic semiconductors HgCr2Se4. // J. Appl. Phys. 1978. V. 49. P. 1474-1476.

94. Самохвалов А.А., Гижевский Б.А., Лошкарева Н.Н., Арбузова Т.И., Симонова М.И., Чеботаев Н.М. Особенности явлений переноса в магнитном полупроводнике HgCr2Se4 п- и р- типа. // ФТТ. 1981. Т. 23. № 11. С. 3467-3470.

95. Takahashi Т., Minematsu К., Miyatani К. Single crystal growth and some properties of HgCr2-xInxSe4 solid solutions. // J. Phys. Chem. Sol. 1971. V. 32. N5. P. 1007-1013.

96. Kostylev V.A., Gizhevskii B.A., Samokhvalov A.A., Auslender M.I. and Be-benin N.G. //Anisotropy of Magnetoresistance of the p-type Ferromagnetic Semiconductor HgCr2Se4. //Phys. Stat. sol. (b). 1990. V. 158. P. 307-317.

97. Костылев В.А., Гижевский Б.А., Самохвалов А.А., Чеботаев Н.М. Эффект Холла и электропроводность ферромагнитного полупроводника HgCr2Se4 р-типа.// ФТТ. 1990. Т. 32. № 1. С. 38-42

98. Selmi A., Mauger A., Heritier М. Magnetic semiconductors controlled by inta-atomic Coulomb correlations: the example of HgCr2Se4. // J. Magn. and Magn. Mater. 1987. V. 66. № 3. P. 295-316.

99. Selmi A., Mauger A., Heritier M. Anomalous transport properties in n-type HgCr2Se4. // J. Appl. Phys. 1985. V. 57. № 10. P. 3216-3218.

100. Королева Л.И., Михеев М.Г., Левшин В.А., Курбанклычев И.К., Вельский Н.К. Особенности гальваномагнитных и магнитных свойств монокристаллов HgCr2Se4 с добавками In и Ga. // ФТТ. 1989. Т 31. № 2. С. 138-144.

101. Arai Т., Wakaki М., Onari S., Kudo К., Satoh Т., Tsushima Т. Magnetoab-sorption in single-crystal HgCr2Se4 // J. Phys. Soc. Japan. 1973. V. 34. № 1. P. 68-73.

102. Lee Т.Н., Coburn Т., Gluck R. Infrared optical properties and Faraday rotation of ferromagnetic HgCr2Se4 . // Solid State Com. 1971. V. 9. № 21. P. 1821-1824.

103. Кунькова З.Э., Голик JI.JL, Паксеев В.Е. Оптические свойства HgCr2Se4B области края поглощения. // ФТТ. 1983. Т. 25. № 6. С. 1877-1879.

104. Harbeke G., Lehmann H.W. Optical transitions and band structure model for cadmium chromium chalcogenides. // Sol. St. Comm. 1973. V. 8. № 16. P. 1281-1285.

105. Голик JI.Jl., Кунькова З.Э., Аминов Т.Г., Калиников В.Т. О природе циркулярного дихроизма и эффекта Фарадея в области края поглощения CdCr2Se4. // ФТТ, 1980. Т. 22. № 3. С. 877-880.

106. Leinares С., Gonskov L. Faradey effect in CdCr2Se4. // J. Phys. Chem. 1975. V. 36. № 4. P. 567-569.

107. Лошкарева H.H., Сухоруков Ю.П., Гижевский Б.А., Чеботаев Н.М., Симонова М.И., Самохвалов А.А. Спектры поглощения света нестехиомет-рических монокристаллов магнитного полупроводника HgCr2Se4. // ФТТ. 1987. Т. 29. №. 7. С. 2231-2233.

108. Loshkareva N.N., Tugushev S.N. Great Magnetic Linear Dichroism in HgCr2Se4 and Construction of an Ir Modulator Based on It (Great MLD in HgCr2Se4) // JMMM. 1996. Y. 159. № 3. P. 342-344.

109. M.Wakaki, K.Yamamoto, S.Onari and T.Arai. Photoconductivity spectra of HgCr2Se4. // Sol. St. Com. 1982. Y.43. №. 12. P. 957-959.

110. Hadjiev V.G., Stoyanov S.G., Iliev M.N. J. Phys. C. Temperature dependences and photoconductivity of undoped HgCr2Se4. // Solid State Phys. // 1984. V. 17. № 10. P. 293-296.

111. Haas C. Magnetic Semiconductors // CRC Critical Rev. Sol. St. Sci. 1970.V. 1. № 1. P.47-98.

112. Sinkhonen J. Influence of spin Correlation on band structure of magnetic semiconductors. // Phys. Rev. B. 1981. V.23. № 12. P. 6638-6647.

113. Мотт Н.Ф. Переход металл-изолятор, пер. с англ. М.1979.

114. Бугаев А.А., Захарченя Б.П., Чудовских Ф.А. Фазовый переход металл-полупроводник и его применение. JI. 1979.

115. Goodenough J.B. Description of Outer d Electrons in Thiospinels // J. Phys. Chem. Sol. 1969. V.30. № 2. P.261-280.

116. Ерухимов М.Ш., Овчинников С.Г. Электронный спектр и поглощение света в магнитных полупроводниках. // ФТТ. 1979. Т. 21. №. 2. С. 351358.

117. Гавричков В.А., Ерухимов М.Ш., Овчинников С.Г., Эдельман И.С. Многоэлектронная энергетическая структура и физические свойства ферромагнитного полупроводника CdCr2Se4. // ЖЭТФ. 1986. Т. 90. № 4. С. 1275-1287.

118. Oguchi Т., Kambara Т., Gondaira K.I. Self-consistent electronic structures of magnetic semiconductors by a Discrete Variational Xa calculation. I. Ferromagnetic spinels CdCr2S4and CdCr2Se4// Phys. Rev. B. 1980. V.22. № 2. P. 872-879.

119. Oguchi Т., Kambara Т., Gondaira K.I. Self-consistent electronic structures of magnetic semiconductors by a Discrete Variational Xa calculation. II. HgCr2Se4// Phys. Rev. B. 1981. V.24. № 6. P. 3441-3444.

120. Голант K.M., Тугушев B.B., Юрин И.М. Происхождение и особенности электронного спектра магнитных полупроводников с переходными ионами.// ФТТ. 1990. Т. 32. № 7. С. 2100-2110.

121. Auslender M.I. and Bebenin N.G. On the band structure and anisotropy of ferromagnetic semiconductors CdCr2Se4 and HgCr2Se4 // Solid St. Com. 1989. V. 69. №. 7. P. 761-764.

122. Gibart P., Selmi A., Goldstein L., et. Al. Electrical properties of HgCr2Se4 connected with deviation of stehiometry. // J. Phys. Coll. 1980. V. C5. № 5. P. 157-159.

123. Филатов А.В., Голант К.М.,Новоторцев В.М. и др. Транспортные свой-ста кристаллов ртутной шпинели. // Изв. АН СССР, неорг. материалы. 1982. Т. 18. №5. С. 1975.

124. Веселаго В.Г., Голант К.М., Ковалева И.С., Юрин И.М. Энергетический спектр и транспортные свойства монокристаллов HgCr2Se4 . // ЖЭТФ. 1984. Т. 86. №5. С. 1857-1861.

125. Белов К.П., Королева Л.И., Баторова С.Д., Шалимова О.Д. Аномалии фотопроводимости в области точки Кюри соединения CdCr2Se4. // ЖЭТФ (письма). 1974. Т. 20. № 2. С. 191-195.

126. Wess R.J., Marotta A.S. Spin-dependence of the resistivity of magnetic metals. // J. Phys. Chem. Sol. 1959. V. 9. № 3/4. P. 302-308.

127. Amith A. and Frieedman L. Mixed-conduction model for charge transport in n-type CdCr2Se4. // Phys. Rev. 1970. V. 2B. № 2. P. 434-445.

128. Нагаев Э.Л. Основное состояние и аномальный магнитный момент электронов проводимости в антиферромагнитном полупроводнике. // Письма в ЖЭТФ. 1967. Т. 6. № 1. С. 484-486.

129. Нагаев Э.Л. Ферромагнитные микрообласти в полупроводниковом антиферромагнетике. // ЖЭТФ. 1968. Т. 54. № 1. С. 228-238.

130. Чеботаев Н.М., Симонова М.И., Арбузова Т.И., Гижевский Б.А., Самохвалов А.А. Отклонение от стехиометрии и некоторые физические свойства магнитного полупроводника HgCr2Se4. // Изв. АН СССР, неорг. матер. 1985. Т. 21. №9. С. 1468-1470.

131. Hoekstra В., R.P. van Syapele. Anomalous magnetic anisotropy and resonance lengwidth in CdCr2S4. // Phys. Stat. Sol. (b) 1973. V. 55. № 2. P. 607.

132. Солин Н.И., Фальковская Л.Д., Самохвалов А.А. Влияние примесных цуентров тригональной симметрии на спектр ферромагнитного резонанса ртутной шпинели. // ФТТ. 1994. Т. 36. № 10. С. 3090-3100.145

133. Никифоров Л.Г., Пасенко Л.Я., Эмирян Л.М., Гуревич А.Г. Влияние отжига на ферромагнитный резонанс в HgCr2Se4. // ФТТ. 1985. Т. 27. № 1. С. 229-230.

134. Shapira Y., Foner S., Reed T.B. EuO 1. Resisrivity and Hall effect in Eu-rich EuO. // Phys. Rev. 1973. V. B8. № 5. P. 2299-2315.

135. Нагаев Э.Л. Электронный спектр и косвенный обмен в ферромагнитных полупроводниках. // ФТТ. 1987. Т. 29. № 2. С. 385-392.

136. Ауслендер М.И., Бебенин Н.Г. Зонная структура и край поглощения в ферромагнитных полупроводниках CdCr2Se4 и HgCr2Se4. // ФТТ. 1988. Т. 30. №4. С. 945-951.

137. Равич Ю.И. Фотомагнитный эффект в полупроводниках и его применение. Наука. М., 1967.

138. Викторавичюс В., Галдикас А., Гребинсский С., Захаров С.Я., Аминов Т.Г., Шабунина Г.Г. Кинетика фотопроводимости ферромагнитных полупроводников CdCr2Se4 и HgCr2Se4 в широком диапазоне интенсивности света. // ФТТ. 1988. Т. 30. № 11. С. 3465-3467.