Влияние состояния поверхности на электро- и фотолюминесцентные свойства порошковых цинксульфидных структур тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Люминесценция соединений AnBVI и ее характеристики.

1.1.1. Связь люминесценции и фотопроводимости соединений AnBVI.

1.2. Электронная структура поверхности соединений A"BVI.

1.2.1. Собственные поверхностные состояния соединений AnBVI.

1.2.2. Формирование области поверхностного заряда у поверхности полупроводника.

1.2.3. Электронная структура поверхности соединений AnBVI в присутствии примесных поверхностных состояний.

1.2.4. Происхождение поверхностной фото-ЭДС.

1.2.5. Исследование структуры поверхности методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

1.3. Проблемы исследования роли поверхности в люминесценции полупроводников.

1.3.1. Экспериментальные методы исследования влияния поверхности на люминесценцию.

1.3.2. Влияние адсорбции на фотолюминесценцию структур типа А^еУ1.

1.3.3. Влияние адсорбции на электролюминесценцию структур типа А^^.

1.3.4. Влияние хемосорбции на интенсивность послесвечения люминофоров на основе соединений А^^.

1.3.5. Методы нанесения тонких прозрачных пленок на поверхность твердых тел.

ГЛАВА 2. МЕТОДИЧЕСКАЯ ЧАСТЬ.

2.1. Методы исследования спектральных характеристик люминесцентных структур на основе соединений AnBVI.

2.1.1. Методика измерения спектров фотолюминесценции и диффузного отражения.

2.1.2. Двухканальный метод измерения спектров возбуждения люминесцентных структур.

2.1.3. Метод измерения спектров возбуждения фотопроводимости и фото-ЭДС дисперсных структур на основе соединений AUBVI.

2.1.4. Установка для измерения спада яркости электролюминесценции.

2.2. Исследование поверхности и приповерхностных слоев структур на основе соединений А В методом РФЭС.

2.3 Краткое описание экспериментальных образцов.

ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ СОБСТВЕННЫХ И ПРИМЕСНЫХ ДЕФЕКТОВ НА СВОЙСТВА ЦИНКСУЛЬФИДНЫХ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СТРУКТУР.

3.1. Влияние условий синтеза на структуру исследуемых люминофоров.

3.2. Исследование состава образцов методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии.

3.3. Спектральные характеристики исследуемых структур и комплексный подход к их исследованию.

3.3.1. Идентификация центров свечения исследуемых образцов.

3.3.2. Анализ спектров возбуждения фотолюминесценции исследуемых образцов.

3.3.3. Анализ спектров фотопроводимости исследуемых образцов.

3.4. Поглощение возбуждающей энергии и его связь с центрами свечения.

ГЛАВА 4. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА ФОТО-ЭДС.

4.1. Фото-ЭДС в системе Sn02 - порошковый образец - Sn02.

4.2 Спектры возбуждения фото-ЭДС и их применение для анализа свойств исследуемых образцов.

ГЛАВА 5. ВЛИЯНИЕ ОБРАБОТКИ ПОВЕРХНОСТИ ЗЕРЕН ЦИНКСУЛЬФИДНЫХ СТРУКТУР НА ИХ ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА.

5.1. Механизм хемосорбции ГМДС и ДМДХС на поверхности зерен люминофоров.

5.2. Влияние силилирования поверхности зерен электролюминофоров переменного поля на яркость и стабильность их работы.

5.3. Влияние силилирования поверхности зерен электролюминофоров переменного поля на их спектральные характеристики.

5.4. Проблемы оптимизации методов силилирования поверхности зерен электролюминофоров.

ВЫВОДЫ.

За последние годы электролюминесцентные структуры на основе соединений AnBVI, благодаря уникальным свойствам последних, стали базой многих приборов и устройств отражения информации. Большинство таких структур (тонкие пленки или зерна порошковых люминофоров) обладают малыми (порядка микрона) размерами, а их электрические, фотоэлектрические и оптические свойства подвержены сильному влиянию электронных и молекулярных процессов, происходящих на поверхности. С раскрытием механизмов этих процессов связано решение целого ряда проблем физики и технологии люминесцентных материалов, в том числе и цинксульфидных. При этом, поверхность люминофора необходимо рассматривать с точки зрения физики конденсированного состояния, как поверхность полупроводника, а не только как границу раздела фаз. Особые свойства такой поверхности, в частности наличие уровней захвата и существование поверхностного барьера, могут оказывать большое влияние на люминесценцию рассматриваемых структур. Вместе с тем, характеристики поверхности полупроводника (высота барьера, скорость поверхностной рекомбинации и т.д.) в значительной степени определяются процессами адсорбции. Удаляя или нанося активные вещества на зерна электролюминофоров можно управлять свойствами их приповерхностных слоев, а следовательно, и параметрами барьера, который является сосредоточением возбуждающих электрических полей с высокой напряженностью. Здесь появляется возможность методом поверхностной обработки электролюминофоров в определенных пределах управлять параметрами люминесценции. Кроме того, для цинксульфидных структур, состояние поверхности которых во многом определяет яркость электролюминесценции и ее кинетические показатели, перспективным путем является создание тонких прозрачных биндеров, модифицирующих поверхность и одновременно защищающих от пагубного воздействия внешних условий.

Цель работы. Целью диссертационного исследования является экспериментальное и теоретическое изучение вклада поверхности и приповерхностных состояний в общую картину электро-, фотолюминесцентных и сопутствующих им фотоэлектрических свойств цинксульфидных структур. Поиск путей повышения эксплуатационных характеристик порошковых электролюминофоров путем изменения свойств поверхности зерен последних за счет адсорбции поверхностно-активных соединений и создания на их основе мономолекулярных биндеров, которые, тем не менее, защищают зерна от агрессивного влияния окружающей среды.

Для достижения поставленной цели решались следующие задачи:

- исследовалось характеристики центров свечения, механизмы возбуждения люминесценции и фотопроводимости у ряда порошковых цинксульфидных структур, активированных медью и марганцем;

- изучалось влияние состояния поверхности зерен люминофоров типа ZnS:Cu и ZnS:Mn на их фотоэлектрические и электрооптические свойства, находящиеся в прямой зависимости от характеристик поверхностного барьера;

- проводился анализ возможности повышения эффективности электролюминесценции структур на основе сульфида цинка за счет изменения состояния поверхности последних;

- разрабатывался единый автоматизированный измерительный комплекс, позволяющий проводить запись спектральных и кинетических характеристик люминесцентных материалов на основе соединений AnBVI с необходимой точностью и обеспечивающий реализацию комплексного подхода к исследованиям.

Научная новизна:

- экспериментально установлена единая природа центров, ответственных за эффективное возбуждение фотолюминесценции и фотопроводимости в спектральных областях с максимумами при 395 и 470нм, у порошковых цинксульфидных структур с различными типами активаторов (Си и Мп);

- на основе комплексного исследования фотоэлектрических и электрооптических свойств в системе SnC>2 - порошковый люминофор ZnS:Cu -Sn02, а также изучения влияния состояния поверхности образцов ZnS:Cu:Cl и ZnS:Cu:Al на перечисленные свойства, показана связь яркости их электролюминесценции с параметрами поверхностного потенциального барьера;

- исследовано влияние обработки поверхности порошковых люминофоров ZnS:Cu:Cl, ZnS:Cu:Al в парах гексаметилдисилазана {[(CH3)3Si]2NH} и диметилдихлорсилана {(CH3)2SiCl2} на яркость и стабильность их электролюминесценции, возбуждаемой переменным электрическим полем.

Практическая значимость:

- предложен метод модификации поверхности порошковых цинксульфидных электролюминофоров, основанный на обработке зерен в парах гексаметилдисилазана (ГМДС) и диметилдихлорсилана (ДМДХС), что позволяет повысить стабильность их работы при увеличении яркость в 2-3 раза;

- разработан динамический метод регистрации спектральных характеристик люминесценции при фотовозбуждении, сочетающий возможность осуществления физического разделения вкладов различных центров в их послесвечении с преимуществами техники селективного усиления и фазового детектирования измеряемого сигнала;

Основные положения, выносимые на защиту:

1. У порошковых люминофоров ряда ZnS:Cu(Cl,Al) в спектральной области 400-г550нм локализуются восемь основных полос люминесценции с А,тах « 434, 448, 458, 472, 479, 495, 507 и 526 нм, а у структур типа ZnS:Mn в характеристической желто-оранжевой области - четыре полосы с А,тах » 557, 569, 578 и 597нм. Положение отдельных полос в спектральном распределении практически не изменяется, однако их относительная интенсивность строго зависит от предыстории образца, количества введенного активатора, типа и концентрации коактиватора.

2. Существуют два вида центров, являющихся характерными для всего ряда исследуемых люминофоров: ZnS:Cu:Cl, ZnS:Cu:Al, ZnS:Mn, ZnS:Mn:Cu, вне зависимости от типа активатора. Эти центры ответственны за эффективное возбуждение фотолюминесценции и фотопроводимости в спектральных областях с максимумами при 395 и 470нм и могут быть связаны с присутствием кислорода в основе (ZnS).

3. Уменьшение относительного значения фото-ЭДС и яркости электролюминесценции для системы SnC>2 - порошковый люминофор ZnS:Си -Sn02 при удалении слоя окисла с поверхности зерен образцов обуславливается изменением характеристик поверхностного потенциального барьера.

4. Обработка порошковых электролюминофоров ZnS:Cu:Cl и ZnS:Cu:Al в парах гексаметилдисилазана (ГМДС) и диметилдихлорсилана (ДМДХС) приводит к приводит к увеличению яркости и стабильности их электролюминесценции, за счет удаления адсорбированной влаги и образования на поверхности зерен 8 тонкого прозрачного биндера, защищающего от агрессивного влияния окружающей среды.

Апробация работы. Результаты работы были представлены: на IV и V региональной научно-технической конференции «Вузовская наука - СевероКавказскому региону» (Ставрополь, 2000, 2001); на второй межрегиональной конференции «Студенческая наука - экономике России» (Ставрополь, 2001); на всероссийской научно - практической конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2001); на международной научной конференции «Химия твердого тела и современные микро- и нанотехнологии» (Кисловодск, 2002);

Публикации. Результаты исследований опубликованы в 11-и работах, в том числе в 6-и тезисах докладов и 5-и статьях.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, обзора литературы, методической части, обсуждения полученных результатов, выводов и списка использованных литературных источников. Работа изложена на 135 страницах, содержит 68 рисунков и 10 таблиц. Библиографический список состоит из 110 наименований.

Выводы:

1. Проведено комплексное исследование люминесцентных и фотоэлектрических свойств ряда цинксульфидных люминофоров. Построена модель оптических переходов, ответственных за люминесценцию изучаемых структур. Установлена единая природа центров, ответственных за эффективное возбуждение фотолюминесценции и фотопроводимости в спектральных областях с максимумами при 395 и 470нм, у ряда порошковых цинксульфидных структур с различными активаторами (ZnS:Cu:Cl, ZnS:Cu:Al, ZnS:Mn, ZnS:Mn:Cu). Показана их возможная связь с присутствием кислорода в основе - ZnS.

2. Исследован состав поверхности и приповерхностного слоя зерен люминофоров ZnS:Cu:Al и ZnS:Mn методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что поверхность изучаемых структур сильно окислена и гидратирована.

3. Изучен эффект возникновения фото-ЭДС в системе поверхностного типа Sn02 - порошковый электролюминофор - Sn02. Измерены его спектральные характеристики;

4. Исследовано влияние обработки поверхности зерен промышленных порошковых электролюминофоров переменного поля ZnS:Cu:Cl и ZnS:Cu:Al в парах гексаметилдисилазана (ГМДС) и диметилдихлорсилана (ДМДХС) на их яркостные характеристики. Показано, что такая обработка приводит к увеличению яркости и стабильности электролюминесценции, за счет удаления адсорбированной влаги и образования на поверхности зерен тонкого прозрачного биндера, защищающего от агрессивного влияния окружающей среды.

5 Установлено, что обработка зерен порошковых электролюминофоров переменного поля ZnS:Cu:Cl и ZnS:Cu:Al в парах ГМДС и ДМДХС влечет за собой изменения в спектральном распределении их излучения. Проведен анализ возможных механизмов таких изменений.

6. Создан единый автоматизированный измерительный комплекс, позволяющий проводить регистрацию спектральных и кинетических характеристик структур на основе соединений AnBVI с необходимой точностью и обеспечивающий реализацию комплексного подхода к исследованиям. Разработан динамический метод регистрации спектральных характеристик люминесценции при фотовозбуждении, сочетающий возможность осуществления физического разделения вкладов различных центров в их послесвечении с преимуществами техники селективного усиления и фазового детектирования измеряемого сигнала.

1. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М.: Высшая школа, 1982.

2. Фок М.В. Прикладная электролюминесценция. М.: Советское радио. 1974.

3. Георгобиани А.Н. Тр. ФИАН. 1963. Т.23. С.З.

4. Орановский В.Е. Изв. А.Н. СССР. 1961. Сер. Физ. Т. 25. С. 516.

5. Соколов В.А., Горбань А.Н. Люминесценция и адсорбция. М.: Наука. 1969. 188 с.

6. Фок М.В. Введение в кинетику люминесценции кристаллофосфоров М.: Наука, 1964.

7. Казанкин О.Н., Марковский Л .Я. Миронов И.А. Неорганические люминофоры. Л.: Химия, 1975.

8. Джейкок М., Парфит Дж. Химия поверхностей раздела фаз. Пер. с англ. М.:Мир. 1984. 296 с.

9. Моррисон С. Химическая физика поверхности твердого тела. Пер. с англ. М.: Мир, 1981.

10. Зенгуил Э. Физика поверхности. Пер. с англ. М.: Мир, 1990 526 с.

11. П.В. Павлов, А.Ф. Хохлов. Физика твердого тела. М.: Высшая школа. 2000. 494 с.

12. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел. Пер. с англ. М.: ИЛ. 1962. 559 с.

13. Киселев В.Ф., Козлов С.Н., Зотеев А.Е. Основы физики поверхности твердого тела. М.: Издательство Московского университета. Физический факультет МГУ. 1999. 284 с.

14. Галаев А.А., Романов А.В. Фото-ЭДС и работа выхода на чистой поверхности скола (1120) селенида кадмия. // Поверхность (физика, химия, механика). 1988. Вып.2. С. 99- 103.

15. Гутман Ф., Лайонс Л. Органические полупроводники. Пер. с англ. М.: Мир. 1070.696 с.

16. Крылова И.В. Химическая электроника (электронные и ионные явления, сопровождающие физико-химические превращения на поверхности твердых тел). М.: Изд-во МГУ. 1993.168 с.

17. Волькенштейн Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках. М.: Физматгиз. 1960.

18. Волькенштейн Ф.Ф., Пека Г.П. Электронные процессы на поверхности полупроводников и их роль в люминесценции. // Электролюминесцирующие пленки. Конспект лекций по электролюминесценции. Тарту. 1972. С. 88 125.

19. Liebson S.H. J. Chem. Phys. 23, 5, 977 (1955).

20. Liebson S.H. Chem. Phys. 23, 9,1732 (1955).

21. Галкин Jl.H., Курбатов Л.Н. Оптика и спектр. 12, 1, 95 (1962).

22. Шехер Л.Н., Мясников И.А., Пшежецкий С.Я. Материалы совещания по люминесценции. Тарту: АН ЭССР. 1956.

23. Теренин А.Н., Гачковский В.Ф. Изв. АН СССР. Сер. Хим. 5. 805. (1936).

24. Теренин А.Н., Гачковский В.Ф. Acta Physicochim. USSR. 7. 521. (1937).

25. Каспаров К .Я. ДАН СССР 28. 515. (1940)

26. Теренин А.Н. Trans. Farad. Soc. 35. 238. (1939)

27. Теренин А.Н., Таганцев В.К. Оптика и спектр.2, 355 (1957)

28. Теренин А.Н. Фотоэлектрические и оптические явления в полупроводниках. Киев: Издательство АН УССР. 1958.

29. Таганцев В.К. Изв. АН СССР, серия физич., 94, 464, 1961.

30. Oster G., Yamamoto М. J. Appl. Phys. 37, 823 (1966).

31. Стауэр Э.В., Балобанова М.П. / Тезисы докладов на II совещании по электролюминесценции. Днепропетровск. 1967.

32. Нымм У.Х. Тр. По люминесценции. // Ученые записки Тартуского государственного университета. 1975. Вып. 346. С. 14

33. Верещагин И.К. Оптика и спектр. 20. 1066. 1966.

34. Верещагин И.К. Оптика и спектр. 8. 420. 1960.

35. Верещагин И.К., Драпак И.Т. Оптика и спектр. 1. 327. 1963.

36. Balazs L. Intern. Conf. on Luminescence. Budapest. 1966. v. 10. p. 151.

37. А.Н. Горбань, Корнич В.Г., Мажара В.П. Оптика и спектр. 15. 130. 1963.

38. Шехер Л.Н., Мясников И.А., Пшежецкий С.Я. / Материалы V совещания по люминесценции. Тарту: АН ЭССР. 1957. С. 125.

39. Электролюминесцирующие пленки / Конспект лекций осенней школы по электролюминесценции. Тарту. 1972.

40. Суйковская Н.В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок. Л.: Химия. 1972. 200 с.

41. Моро У. Микролитография: Пер. с англ. М.: Мир, 1990. С. 866-876.

42. Трощенко А.Т., Байгожин А.А. Авт. свид. 116493. 1958. Бюлл. изобрет. №12. 1958.

43. Эспе В. Технология электровакуумных материалов. М.: Энергия. 1968.

44. Роуз Б. Стекло в электронике. Пер с чешек. М.: Советское радио. 1969. С. 261.

45. Георгобиани А.Н., Пипинис П. А. Туннельные явления в электролюминесценции полупроводников. М.: Мир. 1994. 224 с.

46. Соколов А.А., Лоскутов Ю.М. Тернов И.М. Квантовая механика. М.: Государственное издательство министерства просвещения РСФСР 1962. 591 с.

47. Рабек Я. Экспериментальные явления в фотохимии и фотофизике. М.: Мир 1985. 608 с.

48. Эпштейн М.И. Спектральные измерения в электровакуумной технике. М.: Наука. 1970. С. 207.

49. Справочная книга по светотехнике / Под ред. Айзенберга. М.: Энергоиздат. 1983. 472 с.

50. Блинов Л.М., Палто С.П., Удальев А.А. Новый модуляционный метод измерения спектров поглощения тонких пленок. // Оптика и спектроскопия. 1992. т. 72. Вып. 6. С. 1423 1427.

51. Кардона М. Модуляционная спектроскопия. М., 1972.

52. З.Антонов-Романовский В.В. Кинетика фотолюминесценциикристаллофосфоров. М.: Наука. 1966. 324с.

53. Ишанин Г.Г. Приемники излучения оптических и оптико-электронных приборов. Л.: Машиностроение. 1986.175 с.

54. Яркометр-люксометр ЯМР 3. Техническое описание и инструкция по эксплуатации. 2.850.202 ТО.

55. Люминофоры и особо чистые вещества. / Информационно-технический бюллетень. Ставрополь. НИИТЭХИМ. 1990. 4.1 318 с.

56. Кривошеева Л.В. Синтез и физико-химические исследования порошковых электролюминесцентных материалов на основе халькогенидов цинка / Диссертация на соискание ученой степени канд. хим. наук. Ставрополь, 1999. 113 с.

57. Акт о внедрении технологии производства электролюминофора марки Э-455-115, разработанной предприятием ВНИИ Люминофоров. Ставрополь. 1982.

58. Акт о внедрении технологии производства электролюминофора марки Э-515-115, разработанной предприятием ВНИИ Люминофоров. Ставрополь. 1982.

59. Отчет по теме Б04808500045: Разработка электролюминофоров различных цветов свечения для ЭЛИ на 115В, 400Гц. Ставрополь. ВНИИ Люминофоров. 1981.

60. Голубева Н.П., Фок М.В. Связанная с кислородом люминесценция сульфида цинка, активированного медью и серебром //ЖПС. 1987. Т. 47. №1. С. 35-40.

61. Голубева Н.П., Фок М.В. О природе центров зеленой люминесценции ZnS-0:Cu // ЖПС. 1981. Т. 35. №3. С. 551-553.

62. Нефедов В.И. Рентгеновская спектроскопия химических соединений (справочник). М. Химия. 1984. 256с.

63. Hand book of X-ray photoelectron spectroscopy / A reference book of standard data for use in x-ray (by Wagner) // Physical Electronics Division. 1978.

64. Синельников Б.М., Каргин Н.И., Михнев Л.В., Немешаев А.Ю., Гусев А.С. Установка для исследования спектров люминесценции динамическим методом при фотовозбуждении / Тез. док. XXX научно-технической конференции. Ставрополь. 2000.

65. Кучеров А.П., Кочубей С.М. Метод разложения сложного контура на элементарные составляющие с использованием предварительного анализа его структуры. //ЖПС. 1983. Т.38. Вып. 1. С.145-150.

66. Корнева Н.Н., Кривунченко В.А., Ваксман Ю.Ф. и др. Люминесценция и фотопроводимость монокристаллов селенида цинка, легированных медью. // ЖПС. 1980. Т.ЗЗ. Вып. 4. С.661-667.

67. Борисенко Н.Д., Полежаев Б.А. Время жизни возбужденного состояния марганцевого центра в сульфиде цинка. // ЖПС. 1990. Т. 53. Вып. 6. С. 10201022.

68. Проскура А.И., Дегота В.Я., Кияк Б.Р. О природе свечения керамики ZnS-Cu. //ЖПС. 1988. Т. 49. Вып. 4. С.684-686.

69. Фок М.В. Разделение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева. // Труды ордена Ленина физического института им. П.Н. Лебедева. 1972. Т. 59. С. 3 24.

70. Верещагин И.К., Ковалев А.Б., Косяченко Л.А., Кокин С.В. Электролюминесцентные источники света. / Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоиздат. 1990.

71. Веревкин Ю.Н. Деградационные процессы в электролюминесценции твердых тел. Л.: Наука, 1983.1. Л ST

72. Георгобиани А.Н., Шейнкман М.К. Физика Соединений А В . М.: Наука. 1986.

73. Голубева Н.П., Фок М.В. Кислород в активаторных центрах сульфида цинка // ЖПС. 1985. Т. XLIII. Вып. 5. С. 793-798

74. Медведев С. А. Физика и химия соединений А2Вб. М.: Мир, 1970. 525 с.

75. Королько Б.Н. Электронные и дырочные энергетические переходы при инфракрасной электролюминесценции соединений AnBVI // Обзор литературы по хозтеме 3-76-17. Киев, 1976. 103 с.

76. Борисенко Н.Д., Буланый М.Ф., Кождеспиров Ф.Ф., Полежаев Б.А. Свойства центров свечения в монокристаллах сульфида цинка с примесью марганца. // ЖПС. 1991. Т. 55. Вып. 3. С. 452-456.

77. Борисенко Н.Д., Буланый М.Ф., Полежаев Б.А. Электролюминесценция пластически деформированных монокристаллов сульфида цинка, активированного марганцем. // ЖПС. 1990. Т. 53. Вып. 1. С. 146 149.

78. Борисенко Н.Д., Буланый М.Ф., Кождеспиров Ф.Ф., Полежаев Б.А. Расширенное заседание секции электролюминесценции А.Н. СССР / Тез. докл. Тарту, 1985. С.4.

79. Каргин Н.И., Михнев Л.В., Гусев А.С. Методы исследования спектральных и кинетических характеристик люминесцентных структур на основе соединений А2Вб. // Научные школы и направления СевКавГТУ. Ставрополь: СевКавГТУ. 2001. С. 101-104.

80. Проскура А.И., Пащенко Г.А., Павелец A.M., Динисенко J1.H., Фотопроводимость керамики ZnS. // ЖПС. 1981. Т. XXXL. Вып.З. С. 559-561.

81. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., Михаленко В.Н., Швецов Ю.В. Природа центров люминесценции в сульфиде цинка с собственно-дефектной дырочной проводимостью. //ЖПС. 1981. Т. 35. Вып. 4. С. 632-635.

82. Риль Н., Ортман Г. Участие кислорода в образовании цинксульфидных люминофоров. // Журнал общей химии. 1955. Т. XXV. Вып. 6. С. 1057 1065.

83. Риль Н., Ортман Г. Химизм образования центров свечения в цинксульфидных люминофорах. // Журнал общей химии. 1955. Т. XXV. Вып. 7. С. 1289 1303.

84. Бундель А.А., Жуков Г.В. О влиянии кислорода на спектр электронных ловушек в люминесцирующем сульфиде цинка. // Оптика и спектроскопия. 1965. Т. XIX. Вып.2. С. 247 251.

85. Бонч-Бруевич B.JI. Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука. 1977. 672 с.

86. Кузнецова Р.В. О влиянии обработки поверхности порошковых ZnS-электролюминофоров на предпробойную электролюминесценцию // ЖПС. 1977.Т. XXVI. Вып.1. С. 167.

87. Верещагин И.К. Барьеры, участвующие в возбуждении электролюминесценции ZnS:Cu // Известия вузов. Физика. 1998. №2. С. 89.

88. Bessolov V.N., Ivankov A.F., Lebedev M.V. Change in the electronic work function of sulfide passivated III-V semiconductor surface. Phys. Solid State 38 (2), 1996, p.308-314.

89. Ershov S.G., Ivancov A.F., Korablev V.V., Tyukin V.Yu. Reducing the surface recombination velocity of gallium arsenide by sulfide passivation. Tech. Phys. Lett. 22 (7), 1996, p. 561 -562.

90. Bessolov V.N., Ivankov A.F., Konenkova E.V., Lebedev M.V. Sulfidization in alcoholic solution: a new surface passivation method for GaAs. Mat. Res. Symp. Proc. Vol. 378, 1995, p. 1019 1023.

91. Верещагин И.К., Кокин С.М. Старение влажных электролюминофоров. // ЖПС. 1984. T.XL. Вып. 2. С. 338 340.

92. Сощин Н.П. Орлов И.Н. Электролюминесценция твердых тел. // Труды 3 совещания по электролюминесценции / Киев. Наукова думка. 1971. С.279 -283.

93. Синельников Б. М., Танаев А. Н. Исследование механизма старения порошковых электролюминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем. Черкассы. 1979. С. 14.

94. Синельников Б. М. Механизм «быстрого» старения электролюминофоров, возбуждаемых постоянным электрическим полем. -М., // Электронная техника. 1985. Вып. 3(202). С. 22-25.

95. Синельников Б. М. Деградационные процессы в электролюминофорах, возбуждаемых постоянным электрическим полем. I Поверхностные явления. // Электронная техника. Серия «Материалы». 1985. Вып. 7. С. 50-53.

96. Синельников Б.М. Электролюминофоры постоянного тока. Ставрополь: Издательство АО "Пресса". 1995. С. 150.

97. Киреев В.А. Курс физической химии. М.: Госхимиздат. 1951. 688 с.

98. Зимон А.Д. Физическая химия. М.: Химия. 2000. 320с.

99. Краснов К.С., Воробьев Н.К. Годнев И.Н. и др. Физическая химия. В 2 кн. М.: Высшая школа. 2001. 512с.

100. Ковалев Б.А. Деградационные явления в электролюминофорах переменного тока. // Ученые записки Тартуского государственного университета, 1982, № 632. С. 21-47.