Фотоэлектрические свойства пленок моносульфида иттерия и сесквисульфидов самария диспрозия и иттербия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

^Грузинский технический университет \

Па правах рукописи ГЗИРИШВИЛИ ДАВИД ГИОРГИЕВИЧ

ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК МОИОСУЛЬФИДА ИТТЕРБИЯ И СЕСКВИСУЛЬФИДОВ САМАРИЯ ДИСПРОЗИЯ И ИТТЕРБИЯ

01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

автореферат

ДИССЕРТАЦИИ НА СОИСКАНИЕ УЧЕНОЙ СТЕПЕНИ КАНДИДАТА ФИЗИКО-МАТЕМАТИЧЕСКИХ НАУК

Тбилиси 1998

Работа выполнена в Грузинском Техническом Университете

Научные руководители: Гипшеишвплн Акакий Власовнч

доктор физико-математических паук, профессор

Глурджидзе Леван Нодаровпч кандидат физико-математических наук, доцент

Эксперт: Зпиададзе Михаил Давидович

доктор физико-математических наук, профессор

Официальные оппоненты: Чоговадзе Мзевинар Евсеевна

доктор физико-математических наук, профессор

Гугуши Александр Ильич

доктор физико-математических наук,

пофессор

Ведущая организация: Научно-техническое объединение

"МИОН"

Защита состоится "_"_" 1998 г. в "_" часов

на заседании диссертационного совета по физике РЬпг. 01.04.с N2 при Грузинском Техническом Университете Адрес: 380075, Тбилиси, ул.Костава 77. С диссертацей можно ознакомиться в библиотеке ГТУ. Автореферат разослан "_"_" 1998 г.

Ученый секретарь диссертационного совета, Кандидат физико-математических наук,

Профессор Р.Чиковани

Общая характеристика работы

Актуальность темы. Сопрсмсинос разиитпе микроэлектроники, лазерной техники, оптоэлектроннкп тесно переплетается с фундаментальными исследованиями н области технологии и физики ионых полупроводниковых материалов, обладающих определенными "технологическими" п ([¡пзнческпмн свойстван. 1С числу таких объектов относятся соединения редкоземельных элементоп (РЗЭ). Некоторые из этих элементов объединяются в классе редкоземельных полупроводников (РЗП). Для РЗП характерно наличие многих уникальных, как по количественному, так и качественному проявлению физических свойств и явлений.

Помимо традиционного применения в металлургической и керамической промышленности, соединения РЗЭ считаются перспективными и находят применения в электронике. Элементы памяти, устройства считывания информации, датчики давления, магнитного поля, тензодатчпкп, термоэлектрические устройства, селективные отражающие покрытия, люминофоры, светодиоды и лазеры - вот далеко не полный перечень приборов и устройств, где в самое ближайшее время соединения РЗЭ будут широко прпменятсья. С другой стороны, именно для решения задач практического характера важное значение приобретает дальнейшее расширение работ по совершенствованию технологии получения этих материалов в массивном и тонкопленочном исполнениях, исследование их физических свойств.

Поскольку в микроэлектронике все более важную роль играют топкие пленки, очевидный интерес представляет и сопоставление фотоэлектрических характеристик массивных и тоикоплепочиых объектов, т.е. проведение исследования на пленках представляет интерес не только как общеизвестное средство для измерения прозрачности в области сильного поглощения (например, за краем фундаментального поглощения).

Существующий на сегодняшний день достаточно многочисленный экспериментальный материал пока что недостаточен для полноценного качестенного и, тем более, количественного восприятия протекающих в соединениях РЗЭ явлений и для создания такой теории, которая могла бы объять весь спектр уникальных свойств в этих соединениях. Ясно, что тривиальный подход к интерпретации экспериментальных данных не корректен, необходимо накопить гораздо больший объем информации, надо расширить круг тех соединений, которые используются объектами исследования или модельными материалами. Исключительные перспективы практического прнмениения, существование с научной точки зрения многих значительных н интересных проблем определяет актульаность экспериментальных исследований в любом направлении и теоретического анализа накопленной информации для изучения соединении РЗЭ.

Цель работы можно определить следующим образом:

- Исследование электрических, оптических и фотоэлектрических свойств моносульфнда иттербия; изучение фотопроводимости (ФП) и фото ЭДС (ФЭДС) легированных свинцом и кадмием сесквнсульфпда самария и фотопроводимости легированных кадмием сесквисульфидов иттербия и диспрозия в температурном интервале 80-500 К.

- Исследование процессов долговременнй релаксации фотопроводимости в пленках УЬ25з и Оу2Зз легированных кадмием.

- Установление энергий и характера электронных переходов.

- Определение величин параметров, харктернзующих зонную структуру.

Научная новизна. 1. Впервые на пленках моносульфида иттербия изучены вольт-амперные характеристики, температурная зависимость сопротивления, спектральная зависимость отражения и прозрачности, спектральная и температурная зависимость фотопроводимости и фото ЭДС. Определены энергетические положения экстремумов основных оптических параметров. Проанализированы механизмы электронных переходов, определяющих кран фундаментального поглощения и установлены соответствующие энергии. Определено взаимное расположение 5с1 и бэ подзон зоны проводимости. Построена количественная схема строения зоны проводимости УЬБ.

2. Впервые на основе изучения фотоэлектрических свойств легированных свинцом и кадмием сесквнсульфида самария и легированных кадмием сесквисульфидах иттербия и диспрозия определены", энергии ионизации свинца и акцепторного уровня, образованного вакансиями самария; величина энергетического зазора между основным и первым возбужденным состояниями примеси свинца; расположение в запрещенной зоне созданного кадмием донорного уровня. Объяснены механизмы возникновения фотопроводимости н фото ЭДС.

3. Впервые на основании иссследовання долговременных релаксационных процессов легированных кадмием в пленках сесквпсульфидов иттербия и диспрозия установлены: характер зависимости фотопроводимости и фото ЭДС от интенсивности падающего света; энергии активации примеси кадмия. Определены величины значений рекомбинационного барьера.

Практическая ценность. Объяснение природы происхождения основных структур в полученных экспериментальных спектральных и температурных зависимостях будет способствовать дальнейшему развитию представлений о закономерностях и механизмах, протекающих в редкоземельных полупроводниках.

Наблюдаемая высокая фоточувствнтеьлность исследованных соединений свидетельствует о перспективности применения их для создания фоточувствительных структур. Полученные в работе экспериментальные результаты можно использовать в качестве справочного материала при разработке оптических элементов новой техники.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на: республиканских научно-технических конференциях физиков высших учебных заведений Грузни (Тбилиси 1980г, 1997г); II, III, IV и V Всесоюзных конференциях по физике и химии редкоземельных полупроводников (Ленинград 1979г, Тбилиси 1983г, Новосибирск 1987г, Саратов 1990г); VI Всесоюзной конференции по физико-химическим основам легирования полупроводниковых материалов (Москва 1988г); школе по актуальным вопросам физики и химии соединений на основе РЗЭ (Красноярск 1989); IV международном советско-западногеманск-ом семинаре по редкоземельным полупроводникам (Тбилиси 1987г).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 18 научных работах, список которых сопровождает автореферат.

Структура н объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы. Общий объем работы составляет 126 страниц, из них печатных 87, 62 иллюстраций, 17 таблиц и библиографий из 108 наименований.

(

б

Содержание работы.

Перная глапа диссертации представляет собой краткий обзор литературных данных, касающихся физических (в основном фотоэлектрических и оптических) свойств и строения энергетических зон моносульфида иттербия и сесквнсульфидов самария, иттербия н диспрозия. Показано, что: а) исследование спектральных закономерностей фотоэлектрических и оптических параметров моносульфнда иттербия по-прежнему актульно ввиду имеющейся неоднозначности во взаимном расположении 6s и 5с1 подзон зоны проводимости, а также для уточнения значения энергий некоторых энергетических зазоров; б) практически отсутствуют сведения по электрофизическим свойствам и зонной структуре сесквнсульфидов редкоземельных элементов; в) мало накоплено материала по изучению долговременных релаксационных процессов в редкоземельных полупроводниках.

На основании проведенного обзора литературных данных обоснованы цель и задачи настоящей диссертационной работы.

Вторая глапа отводится описанию экспериментальных установок, с помощью которых проводились изучение спектральных и температурных зависимостей коэффициентов отражения и прозрачности, фотопроводимости и фото ЭДС в области энергии фотонов 0.05-5.5 эВ в температурном диапазоне 80-500К. Экспериментальную базу составляли оптическая установка, собранная на основе инфракрасного спектрометра ИКС-21 и комплекс спектральный вычислительный универсальный - КСВУ-23. В целях улучшения управления п повышения надежности и точности измерений были сконструированы: ^электрометрический усилитель; 2.операционный усилитель; 3.фазовращатель; 4.узел сравнения фаз; 5.транзисторный компенсационный стабилизатор напряжения непрерывного действия с последовательным регулуирующнм элементом.

В этой главе даны также сведения об образцах, на которых проводилось исследование, обсуждены методики измерений и обработки полученных данных.

Третья глава посвящена изучению электрических и фотоэлектрических свойств и параметров зонной структуры пленок моносульфнда иттербия. Анализ вольтамперных зависимостей образцов с разными межконтактными расстояниями, разными сопротивлениями при различных температурах указывает на несущественное проявление инжекцнонно-контактных явлений. Все образцы обладали значительной температурной зависимостью (температурный коэффициент прово-дности р=;2,5-8%), что может представлять определенный практический интерес. Энергия ионизации дырок составляет -0,49 эВ, что находится в хорошем согласии с данными для объемного образца.

На основании измеренных спектров отражения и прозрачности в энергетическом интервале 0,05-5,5 эВ с помощью специальной компьютерной программы рассчитаны спектральные зависимости основных оптических параметров коэффициента поглощения, действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости, показателей поглощения и преломления, функции потерь и оптической проводимости.

Анализ частотной зависимости коэффициента поглощения на краю поглощения показывает, что экспериментальные результаты хорошо укладываются в зависимость типа аЬш-Око^)1/2, которая характерна для прямых разрешенных переходов. На краю поглощения не удалось выявить достаточно протяженный участок, который описывался бы зависимостью аЬсо~(1ко-Е§)3/2, характерной для запрещенных переходов. В связи с этим можно предположить, что в УЬ5 бэ-подзона располагается выше 5с1 подзоны и слабые 4£-»6з переходы не проявляются на фоне сильного поглощения, обусловленными переходами электронов в

5с1 подзону. Энергия наименьшего зазора между И уровнями и дном зоны проводимости имеет величину Её=1.350±0.005 эВ. Второй максимум поглощения при ~3.05 эВ связан с переходами электронов 4£ы(150)->4£13(2Р5/2)5с1(Ь28).

При температурах 114, 190, 296, 334, и 396К были измерены спектральные зависимости фотопроводимости пленок моносульфида иттербия. При температуре 296К у всех исследованных пленок выявляются три структуры с энергиями 1,44 эВ, 1,68 эВ и 2,58 эВ, которые соответственно обусловлены переходами электронов из состояния ДЯ^ОБо) в состояние 4ЯЗ(2р7/2)5с1(1:'2й); 4^(Р7/2)5с1а228) и 4ЯЗ(2р5/2)5с1(12я). По энергетическому положению первого максимума при разных температурах был определен температурный коэффициент наименьшего энергетического зазора между А{ полосой и дном зоны проводимости, который составил (1ЕЙ/(1Т=1 мэВ/К; полученное значение типично для полупроводниковых материалов.

При освещении одной половины пленки УЬ5 появляется значительная фото ЭДС (ЭДС дембера), возникновение которой связано с наличием градиента неравновесных носителей заряда. В спектральных зависимостях фото ЭДС выявляются несколько структур, которые хорошо согласуются с энергиями структур в спектрах фотопроводимости и, следовательно, должны быть также идентифицированы.

Температурные зависимости фотопроводнмотп для пленок моносульфида иттербия имеют вид, близкий к экспотенциальной. Энергии температурной активации, определенные из этих зависимостей, составляют примерно половину энергии акцепторных уровней, определенных из температурных зависимостей темповой проводимости. Такое соотношение между энергиями имеет место, если состояния, участвующие в процессе фотопроводимости, являются центрами прилипания и рекомбинации.

В четвертой главе представлены данные по изучению фотоэлектрических свойств легированных пленок

сесквисульфндов самария, иттербия и диспрозия. Обилие структур в спектральных зависимостях фотопроводимости и фото ЭДС, их энергетическое положение и высокая фоточувстви-тельпость в довольно широкой области спектра позволяет полагать, что вклад в фотопроцессы дают как оптические переходы электронов с локальных уровней, так и межзонные переходы. При интерпретации полученных спектральных закономерностей мы полагаем, что до легирования в запрещенной зоне имеется глубокий акцепторный уровень (обусловленный вакансиями в катнонной подрешетке), 'а фоточувствителыюсть определяется введением донорной примеси, являющейся одним из источников фотоносителей и в то же время влияющей на роль в фотопроцессах существующего акцепторного состояния.

На пленках легированных свинцом сесквисульфида самария при всех температурах проявляется пик ФП и ФЭДС с энергией максимума -0,47 эВ, которая соответствует энергии основного состояния донора свинца. Кроме того, при 115К и Ьсо=0,425 эВ проявляется менее интенсивный максимум , который постепенно размывается с увеличением температуры. Можно предположить (пренебрегая возможностью существования долинно-орбнталыюго расщепления), что пик при 0,425 эВ связан с возбул<денньш состоянием донора свинца. Следовательно, энергетический интервал между основным и первым возбужденным состояниями примеси РЬ в Бит^з равен 45 мэВ. Из анализа энергетического положения максимума (1,6эВ) в спектрах ФП и ФЭДС в Бп^з энергия ионизации акцепторного уровня, образованного вакансиями Бш, получается -1 эВ.

Структуры при Ьш=2,5 и 3,1 эВ обусловлены межзоннымн переходами электронов и хорошо согласуются по энергетическому положению с данными оптических исследований.

Кадмий во всех рассматриваемых соединениях создает мелкий донорный уровень (это подтверждается и температурными зависимостями сопротивления), вследствни чего и не проявляется в измеряемой области максимум ФП, который можно было бы приписать фотоионизацип донорного состояния. Можно предположить, что основная роль кадмия в фотопроцессах сводится к компенсации акцепторных центров.

Частотная завнссимость ФП на краю поглощения Зп^з и УЬ25з соответствует квадратичной зависимости (характерной для непрямых межзонных переходов электронов), а для Оу25з -близка к экспоненциальной.

При фиксированной длине волны падающего на образец излучения изучалось влияние температуры на величину ФП и ФЭДС. Для пленок 5т25з п Оу2Эз имела место обычная, близкая к экспоненциальной зависимость, а в случае пленок УЬ^з была выявлена аномалия в зависимости ФП от температуры, хотя темновое сопротивление пленки изменялось в соответствии с экспоненциальным законом.

В пятой главе рассмотрены некоторые закономерности долговременной релаксации (ДР) фотопроводимости в легированных кадмием пленках УЬ25з и Эу^з . Измерены температурные, спектральные, временные п люксамперные зависимости сопротивления.

Исследуя кинетику ФП пленок, мы обнаружили, что долговременные процессы сопровождают не только выключение, по и включение монохроматического освещения. Рекомбинация сопряжена с необходимостью преодоления потенциального барьера Ер, при этом время жизни неравновесных носителей т=т0ехр(Ер/кТ), а их стационарная концентрация Дп=ар1т, где а-коэффпциент поглощения, (3 - квантовый выход, I - интенсивность света. Очевидно, что разделение носителей создает

И

электрические поля, компенсирующие поля неоднородпостей, благодаря чему величина Ер с ростом Дп будет убывать.

Анализируя релаксационные кривые остаточной проводимости при различных температурых, удалось оценить значения рекомбинацнонного барьера Ер=[Т1Т2к1пт1/т2]:[Т2-Т1] , которые составляют 0.15-0.3 эВ.

Как следует из анализа температурной зависимости сопротивления, примесь кадмия в обоих соединениях создает примесную зону. Зависимость содержит два экспоненциальных участка - низкотемпературный определяет ширину примесной зоны -0,1 эВ, а высокотемпературный, характеризуемый энергией активации 80 мэВ для УЬ283 и 234 мэВ для Оу2Зз - ионизацию примесной зоны.

В пленках сесквпсульфида иттербия обнаруженные

аномалии в кинетике остаточной проводимости при использовании излучения из области низкой фоточувствителыюстн, свидетельствуют о наличии центров прилипания, уровни которых располагаются на 0.22-0.26 эВ ниже края зоны проводимости.

Выводы

1.В энергетическом интервале 0,05-5,5 эВ измерены спектры лтражения и прозрачности пленок моносульфида иттербия; на их основе вычислены спектральные зависимости основных оптических параметров; определены характер и энергия электронных переходов, определяющих структуры в этих зависимостях. По исследованию температурной зависимости сопротивления определена энергия ионизации.

2. Впервые измерены спектральные зависимости ФП и ФЭДС в пленках моносульфида иттербия в диапазоне энергий фотонов 0,6-3 эВ и в температурном интервале 100-400К. Анализом частотной зависимости ФП и ФЭДС определен наименьший энергетический зазор между 4£-уровнями и дном зоны проводимости и взаимное расположение 5(1 и подзон зоны проводимости. На основе исследований оптических, ФП и ФЭДС свойств построена количественная схема строения зоны проводимости УЬБ.

3.Впервые изучены спектральные и температурные авпснмости ФП и ФЭДС в легированных кадмием сесквнсульфидах Бт, Бу, УЬ, и Бл^з^Ь. Показана основополагающая роль фоточувствительностн акцепторных уровней, образованных вакансиями в катпонной подрешетке, при их компенсации вводимыми донорами свинца и кадмия. Определены энергии ионизации свинца, кадмия и акцепторного уровня, образованного вакансиями самария, а также зазора между основным и первым возбужденным состояниями примеси свинца.

4. Высказано предположение, что кадмий во всех рассматриваемых соединениях создает мелкий донорный уровень, основаня роль которого в фотопроцессах сводится к коменсацин акцепторов, увеличению времени жизни фотоносителен и росту фоточувствительностн в собственной области спектра.

5. Па основании экспериментального изучения долговременных релаксационных процессов в легированных кадмием пленках УЬ^з и Оу^з ппериые рассчитаны максимальные значения рекомбннацнонпых барьеров п установлено расположение уровней) прилипания в запрещенной зоне.

Основные результаты диссертации изложены в следующих работах:

1. Л.П.Глурджпдзе, Т. Д.Кехапов, Д.Г.Гзпрпишилп, Т.Л.Бжала-ва, В.В.Саиадзе. Оптические и фотоэлектрические свойства тонких пленок моносульфпда иттербия. Тез. докл. II Всесоюзн.конф.физика и химия РЗП, Ленинград, с.38, 1979.

2. Л.П.Глурджпдзе, Т.Д.Кехайон, Д.Г.Гзнрншвнли, Т.Л.Бжала-ва, В.В.Саиадзе. Тонкие пленки полуторных сульфидов самария и иттербия. Тез. докл. II Всесоюзн.конф. Физика и химия РЗП, Ленинград, с.38, 1979.

3. Л.П.Глурджпдзе, Т.Д.Кехапов, Д.Г.Гзирппшнлп, Т.Л.Блсала-ва, В.В.Саиадзе. Спектры отражения, поглощения, фотопроводимости и фото ЭДС тонких пленок УЬБ при температуре 300К. ФТТ. т.22, №3, с.660, 1980.

4. Д.Г.Гзнрншвнли, Д.М.Цпвцппадзе, Л.П.Глурджпдзе, В.В.Саиадзе. Температурная зависимость электропроводности в гонких пленках моносульфида самария. XI респ.науч. и пауч.-метод. кош]), физиков высших уч. заведении ГССР, Тбилиси, с.86, 1980.

5. Д.Г.Гзприппшлп, Д.М.Цнвцннадле, В.В.Саиадзе, Л.П.Глурджпдзе. Температурная зависимость электрических и фотоэлектрических параметров и тонких пленках УЬ^з п Оу^з. Сообщения АН ГССР, т. 101, №1, с.37, 1981.

6. Л.П.Глурджпдзе, Д.Г.Гзпрпшвилн, С.П.Кошоридзе, З.У.Джабуа. Фотозлсктрчсскпе свойства топких пленок

полуторного сульфида самария, легированного кадмием м свинцом. ФТТ, т.24, №5, с. 1406, 1982.

7. Д.Г.Гзпрншвшш, С.И.Кошорндзе, З.У.Джабуа, Т.О.Дади-апп, Л.Н.Глурджидзе, В.В.Санадзе. Фоточувствнтельность тонких пленок полуторных сульфидов Sm, Dy, Yb легированных кадмием. Тез. докл. III Всес. конф. по физике и химии РЗП, Тбилиси, с.38, 1983.

8. Л.Н.Глурдлсндзе, Д.Г.Гзнрншвнли, З.У.Джабуа, Т.О.Дади-апи, В.В.Санадзе. Спектральные зависимости фотопроводимости в тонких пленках Yb2S3 легированных кадмием. ФТТ, т.25, №2, с.935, 1983.

.9. Д.Г.Гзнрншвнли, Л.Н.Глурджидзе, Т.А.Гарншвили, Т.С.Ло-чошвилн, В.В.Санадзе. Особенности ВАХ в пленках с остаточной проводимостью. Тез. докл.IV Всесоюз. конф. по физике и химии РЗП, Новосибирск, с. 152, 1987.

10. Л.Н.Глурджидзе, Д.Г.Гзнрншвнлн, Д.О.Метревели, В.В.Санадзе. Остаточная проводимость полуторного сульфида иттербия, легированного кадмием. Тез. докл. IV Всес. конф. по физике и химии РЗП, Новосибирск, с. 153, 1987.

11. Л.Н.Глурдлшдзе, Д.Г.Гзнрншвнли, В.В. Санадзе. Долговременные релаксации фотопроводимости в пленках Yb2S3| легированных кадмием. Материалы IV меледународ. советско-западногерманского семинара "Исслед.соедин. на основе РЗЭ", Тбилиси с.172, 1988.

12. Джабуа, Л.Н.Глурджидзе, Т.О.Дадпанн, Д.Г.Гзнришвнлн, В.В.Санадзе. Примесь свинца в полуторном сульфиде самария. Тез.док. VI Всесоюз. конф. по физ-хнм. основам легирования полупроводниковых материалов. Москва, с.36, 1988

13. Л.Н.Глурджидзе, А.В.Гпгниепшвнлн, Т.Л.Плавпнскн, Д.Г. Гзнрншвнлн, Г.Н.Илурндзс. Оптические и фотоэлектрические характеристики пленок днантпмоннда самария. Школа

по актуал. вопросам по фпз. и хнмшш соед|.м на основе РЗЭ, Красноярск, с.74, 1989г.

14. Л.Н.Глурджпжзе, Д.Г.Гзнрпшвплп, Г.Н.Илурндзе, Г.В.Кас-радзе. Долговременная релаксация в пленках Оу^з, легированных кадмием. Сообщения ЛИ ГССР, т.137, №1, с.169, 1990.

15. Д.Г.Гзирншвнлн, Г.Н.Илурндзе, Г.В.Касрадзе, Л.Н.Глурдлсндзе. Некоторые особенности долговременно!! релаксац ни в пленках БугБз. Материалы V Всесоюз.конф. по физике н химии РЗП, Саратов, с.51, 1990.

16. А.В.Гнгиненшвнлн, Л.Н.Глурдлсндзе, Т.Л.Плавинскн, Д.Г.Гзпришвилн, Г.Н.Илурндзе, Г.В.Касрадзе. Спектры оптических и фотоэлектрических параметров пленок 5т5Ь2. Материалы Всесоюз.конф. по физике и химии РЗП, Саратов, с.91, 1990.

17. Л.Н.Глурдлсндзе, Д.Г.Гзирнншили, Г.Н.Илурндзе, В.В.Сана-дзе. Долговременные релаксации и остаточная проводимость в пленках сссквисульфида иттербия, легированных кадмием. Сборник статей "Физика и химия РЗП", Новосибирск, с. 129, 1990.

18. ^.¿ЪоСчо'Эуоя^о, Я.Ьф.ъОбфуш.'0! уб^По'дЗоа)

б'г]^0^"13 ЬуЬ.шп^у^о^оЬ отЪуя;ч) <уоЛ;)?)()Ь ">;)»Ьу?,уг>о, \JOVJ» .ч^о^.-ЯйЬ. ЬаауоП.-йуДОоуус'ш ()С)Г)»]. Яс)Ь. шуЛуГчуйк^о, шЬо^'оЬо, 1997.