Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4

Абдуллаев, Абдулла Алиевич

Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Абдуллаев, Абдулла Алиевич АВТОР

кандидата физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Махачкала МЕСТО ЗАЩИТЫ

2006 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.07 КОД ВАК РФ

Диссертация по физике на тему «Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4»

Автореферат диссертации на тему "Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4"

Абдуллаев Абдулла Алиевич

Ч ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И

* ФОТОФЕРРОМАГНИТНЫЙ ЭФФЕКТ в Сс1Сг28е4

Специальность 01.04.07 — Физика конденсированного состояния

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Махачкала — 2006

Работа выполнена в лаборатории оптических явлений в конденсированных средах Института физики Дагестанского ДНЦ РАН

Научный руководитель: член-корреспондент РАН, доктор

физико-математических наук, профессор Камилов Ибрагимхан Камилович

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук,

профессор Георгобиани Анатолий Неофитович

доктор физико-математических наук, профессор Ризаханов Магомед Ахмедович

Ведущая организация: Дагестанский государственный

университет

Защита состоится «26» декабря 2006 г. в 15.00 на заседании диссертационного совета Д 002.095.01 при Институте физики Дагестанского научного центра Российской академии наук по адресу: 367003, Махачкала, пр. Шамиля, 39а.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института Физики ДагНЦ РАН.

Автореферат разослан « 25» ноября 2006 г.

Ученый секретарь диссертационного совета

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Из существующих магнитных халькоге-нидных хромовых шпинелей АО2Х4 наибольший практический и теоретический интерес вызывает соединение С<1Сг28е4, как материал со сравнительно высокой (129К) температурой магнитного упорядочения. Магнитные свойства этих материалов определяются локализованными электронами незаполненных с1-оболочек ионов Сг. Взаимодействие двух электронных подсистем — делокализованных носителей в широких зонах и локализованных магнитных с1-электронов — приводит к принципиально новым эффектам, характерным только для магнитных полупроводников. Действие магнитного упорядочения на энергетический спектр электронов приводит к изменению структуры и сдвигу края оптического поглощения, аномальной (металлического хода) температурной зависимости электропроводности ниже точки ферромагнитного упорядочения, большому отрицательному магнитосопротивлению (МС) в области фазового перехода и большим величинам углов фарадеевского вращения плоскости поляризации. Устойчивость кристаллической структуры к сильным отклонениям от стехиометрии позволяет в широких пределах регулировать концентрацию носителей тока. Возможность создания твердых растворов на их основе позволяет реализовать многообразие магнитных структур. Однако до настоящего времени, многие экспериментальные результаты остаются невоспроизводимыми, а в отдельных случаях и противоречивыми. Это приводит, с одной стороны, к торможению применения исследуемых материалов в технике, с другой стороны, — к дополнительным трудностям, как в сопоставлении и трактовке их свойств, так и в расчетах их энергетических спектров. Для некоторых теоретических моделей конечное количество подгоночных параметров получают из этих неоднозначных экспериментальных данных. От подобных моделей ждать практических рекомендаций по базовым направлениям повышения качества приборов на основе исследуемых материалов не приходится. Реализующиеся механизмы электропереноса накладывают серьезные отпечатки на проявления тех или иных теоретических предсказаний.

В силу того, что кристаллы магнитных полупроводников

Сс1Сг28е4 удается растить пока довольно маленьких размеров, остается актуальной проблема исследования в них поверхностных явлений. В литературе мало работ, посвященных анализу влияния состояния поверхности на их свойства.

К определяющим причинам неоднозначности экспериментальных результатов следует отнести: 1) образование, как на механически обработанных, так и на естественных гранях структурно измененного поверхностного слоя, сильно искажающего объемные электрические и оптические свойства; 2) наличие неконтролируемых примесей в кристаллах, синтезированных известными методами.

Исследованиям явления изменения динамической магнитной проницаемости (ДМП) под действием света в магнитных полупроводниках, посвящено большое количество работ. Это явление названо фотоферромагнитным эффектом (ФФЭ). Интерес к этому явлению связан с перспективами осуществления на его основе новых способов записи информации и регистрации инфракрасного света. Появление в последнее время все новых материалов, относящихся к классу «магнитные полупроводники», и развитие научного направления на-ноструктурной спинтроники стимулирует интерес к соединению С(ЗСг25е4 как наиболее всесторонне изученному в этом классе. Детальное изучение механизма возникновения в нем ФФЭ могло бы способствовать поиску возможных путей одновременного увеличения амплитуды этого эффекта и быстродействия приборов на его основе.

В литературе ФФЭ связывается со стабилизацией доменных стенок на фотоиндуцированных центрах Сг2+, по спину антипараллельно ориентирующихся по отношению к Сг3+-подрешетке. Однако механизм образования этих центров, объясняющий все особенности ФФЭ, не раскрыт.

В связи с выше изложенным, особую ценность приобретают разносторонние комплексные исследования, посвященные выявлению условий и степени реализации различных механизмов токопереноса, что могло бы способствовать выяснению причин невоспроизводимости экспериментальных результатов и установлению структуры примесных центров, ответственных за особенности фотопроводимости (ФП) и ФФЭ. В исследованиях кинетических параметров необходи-. мы нестандартные подходы и методы, которые могли бы компенси-

ровать ситуацию, связанную с известными трудностями в корректном проведении холловских измерений в магнитных материалах.

Цель работы заключалась в изучении условий и степени реализации различных механизмов токопереноса и в выявлении реальных механизмов взаимодействия электронной и магнитной подсистем, определяющих особенности физических свойств магнитных халько-генидных шпинелей ниже точки Кюри. Для достижения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

1. исследовать степень влияния крупномасштабных флуктуаций потенциала на электрические и фотоэлектрические свойства С(1Сг28е4 и Н§Сг28е4;

2. выяснить степень и механизмы влияния состояния поверхности на электрические, фотоэлектрические и магниторезистивные характеристики р- и п-типа СдСг28е4;

3. исследовать степень и механизмы влияния процессов прилипания неравновесных носителей на мелкие примесные центры в объеме кристалла на упомянутые в пункте 1 свойства образцов;

4. в образцах р- и и- СаСг28е4, подвергнутых термическим, химическим и катодным обработкам, используя комбинированное воз-. буждение через прозрачный контакт светом из областей примесного и собственного поглощения, исследовать влияние поверхностных барьеров и процессов захвата неравновесных носителей локализованными состояниями на формирование стационарных и кинетических характеристик, определяющих особенности их электрофизических свойств;

5. в одних и тех же образцах, содержащих различные концентрации примеси Оа и вакансий Эе (У8е), комплексными исследованиями ФФЭ в постоянных, раскачивающих и импульсных магнитных полях, фотопроводимости (ФП) в постоянных и переменных электрических полях, остаточной проводимости (ОП) и термостимулирован-ной проводимости (ТСП) установить механизмы изменения подвижности доменных стенок под действием света.

Объекты исследования. Выбор материалов для намеченных исследований обосновывается тем, что селенохромит кадмия с шириной запрещенной зоны 1.29 еУ отличается от других хромовых шпинелей наиболее отработанным уровнем технологии получения в виде

монокристаллов, относительно высокой температурой Кюри, равной 129К и наибольшим количеством работ, посвященным всестороннему его изучению. НдСг28е4 как материал с меньшей шириной запрещенной зоны Ей интересен для сравнительных исследований, т.к. в нем величина расщепления зон с магнитным упорядочением доходит до 70% Е8 и естественно следует ожидать более сильное влияние магнитного упорядочения на электрические и оптические свойства по сравнению с влиянием поверхностных состояний и процессов прилипания неравновесных носителей.

Научная новизна, представленных в работе результатов, заключается в следующем:

1. Собран измерительно-вычислительный комплекс и разработаны необходимые программные продукты, позволяющие проведение в автоматизированном режиме измерений широкого спектра характеристик твердотельных материалов: удельной электропроводности, ФП в постоянных и переменных электрических полях, релаксационных характеристик ФП с использованием последовательной стробоскопической системы, регистрации спектров оптического поглощения, регистрации ДМП и ее оптических спектров; измерение коэффициента Холла и подвижности носителей заряда, включая холловские измерения на фотоносителях; измерение подвижности носителей заряда непосредственным методом Шокли-Хейнса и методом, основанным на измерении ФП и времени жизни; регистрацию ТСП и токов термостимулирован-ной деполяризации, индуцированной примесной фотопроводимости, фото-э.д.с., а также термо-э.д.с. Разработан и изготовлен ряд заливных и прокачных оптических криостатов для проведения перечисленных измерений в широкой области температур 8-400К, как со стабилизацией температуры с точностью 0.1 К, так и с постоянными скоростями охлаждения и нагрева в указанной области;

2. Предложен экспресс-метод определения ширины запрещенной зоны фоточувствительных соединений, основанный на регистрации спектров ФП в присутствии и отсутствии подсветки из области сильного поглощения;

женный максимум и совпадает по форме с экспериментально полученными кривыми. На основании этих данных и данных проведенного вычислительного эксперимента по исследованию зависимости времени достижения максимального значения фототока от соотношений дрейфовых и диффузионных длин носителей заряда разработан и защищен Патентом Российской Федерации №2239913 новый метод определения дрейфовой подвижности неравновесных носителей в конденсированных средах;

4. Разработан метод регистрации ФП в переменных электрических полях. Впервые обнаружено явление фотоиндуцированной прыжковой проводимости (ФИПП) в Сс1Сг28е4 и в ряде других полупроводников (СёБ, ZnO, БпОг и др.). Эти исследования могут стать основой нового направления в физике фотоэлектрических явлений, где причины возникновения остаточных явлений (ТСП, ОП) можно рассматривать и в механизме формирования этого явления;

5. Обнаружено, что электропроводность р- СдСг28е4 в первые часы вакуумного отжига при 770К, приводящего к росту дефицита наиболее летучего компонента Бе, растет. Установлено, что вакуумный отжиг влияет на электропроводность исследуемых материалов двояким образом: с одной стороны, создает вакансии селена, приводящие к росту сопротивления р-типа кристаллов, с другой стороны, сглаживает рельеф крупномасштабных флуктуаций потенциала, вследствие чего уменьшаются дрейфовые барьеры для носителей заряда и, соответственно, сопротивление образца;

6. Показано, что если кристаллы и-типа С<ЗСг28е4 не доведены легированием индием или галлием до состояния, близкого к вырождению, исключено попадание на них неконтролируемого света и не подано на них напряжение из области нелинейности вольт-амперной характеристики (ВАХ) (т.е. отсутствует инжекция через контакт), то, как и в кристаллах /кгипа Сс1Сг28е4 и р-типа Н§Сг28е4, в них, в отличие от данных многочисленных литературных источников, ниже точки Кюри 130К не обнаруживается аномальное (подобное металлическому) поведение в температурной зависимости удельной электропроводности. При наличии освещения или инжекции носителей через контакт в п- и р- С<1Сг28е4 в области Т = 60К обнаруживается максимум электропроводности, ОП и ТСП;

7. Показано, что ФП в С(1Сг28е4 за краем фундаментального поглощения (Ьу>Ей) в основном определяется разделением электронов и дырок приповерхностным потенциальным барьером, в области Ьу<Е8 — многократными захватами электронов на мелкие примесные уровни, а при низких температурах (Т<180К) прыжковым механизмом переноса по этим уровням;

8. В результате анализа корреляции амплитуд ФП в переменных электрических полях и ФФЭ в кристаллах СёСг28е4 с различным уровнем легирования галлием, с одной стороны, ТСП и ФФЭ, с другой стороны, а также сравнения рассчитанного температурного хода степени заполнения уровней мелких доноров и обнаруживаемого температурного хода жесткости доменной стенки (ДС), когда при относительно высоких температурах жесткость ДС экспоненциально растет с понижением температуры, а при более низких температурах, где проявляется остаточный ФФЭ (ОФФЭ), вовсе от нее не зависит, установлено, что центрами, ответственными за ФФЭ, являются сложные примесные молекулы, включающие в себя мелкие доноры, обменивающиеся захваченными ими фотоэлектронами с Сг3+-магнитными ионами. Вследствие такого обмена ионы Сг приобретают валентную и спиновую неустойчивости, приводящие к неравновесному захвату ими ДС.

9. Установлено, что объемный характер ФФЭ в материале с большим (103—104 сш"1) коэффициентом поглощения света, каковыми являются исследуемые кристаллы, обязан не диффузии центров закрепления доменных стенок в обычном смысле диффузии примеси, а образованию и распаду их на пути миграции многократно захватывающихся мелкими донорами фотовозбужденных электронов из поверхностной области в глубь образца.

Практическая значимость.

1. Защищенный Патентом Российской Федерации №2239913 метод определения дрейфовой подвижности неравновесных носителей позволяет проведение исследований этого важного параметра как в обычных, так и в высокоомных, стеклообразных и магнитных полупроводниках.

2. Разработанный экспресс-метод определения ширины запрещенной зоны фоточувствительных полупроводников может быть

применен в исследовательских лабораториях и в полупроводниковой промышленности.

3. Обнаруженное явление ФИПП в Сс1Сг28е4 и в ряде других классических полупроводников может стать основой нового направления в физике фоточувствительных полупроводников, где причины возникновения остаточных явлений (ТСП, ОП) могут рассматриваться и в механизме формирования ФИПП.

4. Установленный в Сс1Сг28е4 механизм закрепления ДС под действием света позволяет достигнуть значительного повышения качества приборов на основе ФФЭ.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. В первые часы вакуумного отжига при 770К нелегированных р-типа кристаллов Сс1Сг28е4, помимо образования в них донорных уровней дефицита наиболее летучего компонента Бе, сглаживается рельеф крупномасштабных флуктуаций потенциала энергетических зон. При этом с уменьшением дрейфовых и рекомбинационных барьеров уменьшаются сопротивление образца и времена релаксации неравновесных носителей заряда. Это приводит к разбросу экспериментальных результатов в образцах с разными «предысториями».

2. В кристаллах п- СсЮг28е4, если они не доведены легированием индием или галлием до состояния, близкого к вырождению, исключено попадание на них неконтролируемого света и не подано на них напряжение из области нелинейности ВАХ, как в образцах р-Сс1Сг28е4 и р- Н§Сг28е4, не обнаруживается аномальное (металлического характера) поведение с температурой удельной электропроводности ниже точки Кюри 129К. При наличии освещения или инжекции в обоих типов образцах Сс1Сг28е4 в области Т = 60К обнаруживается максимум удельной электропроводимости. При этих температурах в отдельных кристаллах после прекращения инжектирования обнаруживается ОП и ТСП.

3. Кривая кинетики изменения фототока со временем, возбужденного коротким (10 8 б) импульсом света из области сильного поглощения на одном из торцов образца, проходит через максимум. Время достижения этого максимума в условиях превышения дрейфовой длины над диффузионной длиной более чем 2 раза, зависит только от длины образца, приложенного напряжения и дрейфовой подвижности носителей заряда.

4. Разные степени проявления положительного МС, свойственного образцам СсЮг28е4 с прыжковой проводимостью и отрицательного МС, обязанного расщеплению в области магнитного упорядочения дна зоны проводимости, приводят в зависимости от условий эксперимента к разбросу данных в исследованиях по влиянию внешних магнитных полей и магнитного упорядочения на фотоэлектрические свойства и их кинетические характеристики. ;

5. Низкотемпературная частотная дисперсия фотопроводимости в переменных электрических полях в СёСг2Зе4 указывает на реализацию ФИПП, которая, помимо вариантов, рассмотренных в классических моделях, также может быть причиной формирования остаточных явлений (ТСП, ОП) в фоточувствительных материалах.

• 6. Центрами, ответственными за ФФЭ, являются сложные примесные молекулы, включающие в себя мелкие доноры, обменивающиеся захваченными ими фотоэлектронами с Сг3+- магнитными ионами. Вследствие такого обмена ионы Сг приобретают валентную и спиновую неустойчивости, приводящие к неравновесному захвату ими ДС. Температурная зависимость количества электронов, захваченных этими донорами, полученная из анализа статистики степени их заполнения, совпадает с температурным ходом изменения жесткости ДС, определяемой как обратную величину ДМП.

7.0бъемный характер ФФЭ в материале с большим (103-104 сш"1) коэффициентом поглощения света, каковыми являются исследуемые кристаллы, обязан не диффузии центров закрепления доменных стенок в обычном смысле диффузии примеси, а образованию и распаду их на пути миграции многократно захватывающихся мелкими донорами фотовозбужденных электронов.

ния в полупроводниках» (Ташкент, 1989), Научная сессия Дагестанского филиала АН СССР (Махачкала, 1988), Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах» (Махачкала, 2002), V Международная конференция «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2003), VI Российская конференция по полупроводникам (С.-Петербург, 2003), Всероссийская конференция по физической электронике (Махачкала, 2003), 9-й Международный симпозиум, "Упорядочение в металлах и сплавах" - ОМА-9 (г.Ростов-на-Дону - пос. Лоо, 2006), УП Международный семинар «Магнитные фазовые переходы» (Махачкала, 2005), а также на научном семинаре в лаборатории сильных магнитных полей ИОФ РАН (Москва, 1985) и на научных семинарах, проводимых в Институте физики Дагестанского НЦ РАН.

Публикации.

Основные результаты диссертации опубликованы в 11 работах в виде статей (в том числе 6 статей в центральных журналах), в тезисах докладов, авторском свидетельстве и в патенте на изобретение.

В совместных работах автор принимал участие в подготовке и проведении эксперимента, в обсуждении полученных результатов и подготовке работ к печати.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы (153 наименования). Объем диссертации составляет 149 страниц машинописного текста, включая 43 рисунка.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснованы актуальность темы и выбор объектов исследования, сформулированы цель и задачи работы, показана научная новизна полученных результатов и их практическая значимость, перечислены основные положения, выносимые на защиту, приведены сведения об апробации результатов работы, публикациях, структуре и объеме работы.

Первая глава содержит обзор литературы по теме диссертации. Проанализированы литературные данные по электрическим, фотоэлектрическим, магнитным, фотомагнитным и оптическим свойствам

магнитного полупроводника Сс1Сг28е4 и некоторые результаты по ЩСг28е4, опубликованные к моменту оформления настоящей диссертационной работы. Поскольку электрические и кинетические свойства р- и п-типа кристаллов существенно различаются, анализ литературных данных по ним проводится в двух параллельных профилях. По данным многочисленных авторов электропроводность хромовых шпинелей во многом определяется примесными атомами в А-подрешетке или отклонениями от стехиометрии по халькогену. Характерной особенностью электропроводности р- С<Юг28е4 является широкий разброс ее величины в пределах Ю^Ю"7 Ош^сш"1 и актива-ционный спад с понижением температуры с энергией активации Еа= 0.08 ~ 0.22. При переходе через температуру ферромагнитного упорядочения энергия активации постепенно уменьшается. В и-типа кристаллах СсЮг28е4 обнаружена аномальная температурная зависимость электропроводности, заключающаяся в том, что если в парамагнитной области имеет место обычная активационная (Еа=0.18 ~ 0.25еУ) полупроводниковая зависимость, то при переходе в феррофазу электропроводность растет с понижением температуры. Для получения л-типа проводимости и ее аномалий, помимо легирования индием и галлием, необходимо создание вакансий по халькогену.

Встречающиеся в литературе величины и температурные зависимости холловских подвижностей в С<Юг28е4, имеют существенные различия. Измерение эффекта Холла в данных материалах усложнено наличием аномальной составляющей при температурах магнитного упорядочения. Вследствие подавления критических флуктуаций в области Тс, величина подвижности может изменяться даже при слабых внешних магнитных полях. Отмечена плохая воспроизводимость электрических свойств исследуемых материалов, в особенности в п-типа кристаллах. Из-за невысоких значений подвижности в данных материалах мало эффективны и непосредственные методы ее определения. В слаболегированных образцах, даже в парамагнитной области, где холловские измерения должны быть корректны, имеет место довольно сильное расхождение их результатов.

Существенные отличия свойств р- и п- СёСг28е4 проявляются также в исследованиях МС. В /?-Сс1Сг28е4 при температурах выше Тс

поперечное МС положительно и пропорционально квадрату магнитного поля. Ниже Тс оно меняет знак. Продольное МС в этих кристаллах положительно и линейно зависит от магнитного поля. Что касается кристаллов и-типа, они характеризуются так называемым "гигантским" отрицательным МС в окрестности точки Кюри. Фотомагнито-сопротивление (ФМС), положительное при Т > Тс, меняет знак на отрицательный при Т < Тс. Величина ФМС и его знак зависят также от степени легирования.

Показано, что, в отличие от классических фоточувствительных кристаллов, где амплитуда ФП резко падает за краем поглощения, наблюдаемые особенности ФП в Сс1Сг28е4 лежат по энергии выше края поглощения (в области коэффициентов поглощения а > 103 сш*1), а относительные величина ФП в области Ьу>Её на много превышают значения ФП для области Ьу<Её.

В исследованиях ФФЭ установлено, что характерные времена и амплитуды эффекта зависят от частоты и амплитуды переменного магнитного поля, на котором производятся измерения, от действия дополнительных, раскачивающих доменные стенки, магнитных полей различных частот, интенсивности светового потока и температуры. Чем больше амплитуда и частота переменного магнитного поля, тем меньше амплитуда и времена релаксации ФФЭ. Отмечаются два процесса, протекающие одновременно в проявлении ФФЭ: процесс релаксации фотоиндуцированных центров и процесс релаксации магнитной проницаемости, связанной с закреплением доменных стенок на этих центрах.

Что касается теоретических подходов к расчетам электронных спектров и зонной структуры Сс1Сг28е4 отмечается, что к настоящему времени не предложена зонная структура, пригодная к объяснению всей совокупности экспериментальных результатов по исследованиям электрофизических свойств Сс1Сг28е4. Проведение таких расчетов затруднено сложностью кристаллической структуры селено-хромита кадмия (в элементарной ячейке содержится 56 ионов) и наличием незаполненных с1-оболочек в ионах Сг3+. Резюмируется, что многочисленные модели зонной структуры СёСг2Бе4 плохо согласуются друг с другом и с экспериментом. Обсуждены основные из предложенных моделей зонной структуры селенохромита кадмия и их применимость к интерпретация экспериментальных ре-

зультатов. Исследователи пытаются объяснять полученные ими новые данные на основе более или менее узких моделей, позволяющих описать определенные экспериментальные результаты.

В этой ситуации особую ценность для развития физических представлений о магнитных полупроводниках получают новые качественные и достоверные экспериментальные данные.

Вторая глава посвящена описанию разработанного автоматизированного измерительно-вычислительного комплекса. Приведены методы регистрации спектров ФП в постоянных и переменных электрических полях, параметров ФФЭ, а также измерения кинетических характеристик фототока с привлечением стробоскопических способов и компьютерного сбора и обработки данных. Приведен компактный прокачной оптический азотно-гелиевый криостат, обеспечивающий проведение исследований во внешнем магнитном поле, как в режиме стабилизации температуры, так и с постоянными скоростями нагрева и охлаждения. Описаны методики подготовки образцов.

Третья глава содержит экспериментальные результаты исследования температурной зависимости электропроводности образцов СсЮгБе^ прошедших изотермические обработки в вакууме. Наблюдаемая частотная дисперсия и степенной закон зависимости а где б близко к 0.8, а также подчиняющаяся закону Мотта температурная зависимость электропроводности указывают на механизм прыжковый проводимости, имеющий место при температурах ниже 200К. С увеличением времени отжига в вакууме (более 100 мин) вместе с увеличением удельной электропроводности и уменьшением энергии активации, постепенно исчезает частотная дисперсия, что указывает на включение при этих условиях механизма проводимости по примесной зоне. Последующее легирование тех же образцов индием усиливает степень компенсации и восстанавливает частотную дисперсию.

В исследованиях спектральной и температурной зависимостей ФП показано, что легирование индием или галлием, отжиги, приводящие к дефициту Бе и понижение температуры сопровождаются ростом объемной составляющей ФП. Подсветка из области сильного поглощения приводит к увеличению темпа поверхностной рекомбинации. При этом быстрее рекомбинируют преимущественно те носители, которые возбуждаются модулированным светом на поверхно-

сти. Поэтому, часть спектра, соответствующая поверхностной ФП, при дополнительной подсветке из области сильного поглощения проходит ниже, чем для случая без этой подсветки. Деление амплитудных значений второго спектра на соответствующие по Ьу - первого, приводит к линии, аппроксимация наклонной части которой на ось энергий квантов дает значение ширины запрещенной зоны Ев. Эта процедура предлагается как новый экспресс - метод определения ширины запрещенной зоны полупроводников.

В Сс1Сг28е4, легированных индием (2вес.% 1п по загрузке), в области 60К обнаруживается четко выраженный максимум на температурной зависимости ФП при Ьу=Е8 (рис. 1, кривая 1). Эта особенность отсутствует в случае - Ьу=1.8 еУ даже при интенсивности освещения в 2-3 порядка превышающей значение ее в первом случае. Это указывает на объемный характер ФП с особенностями, проявляющимися в области 60К. В этой же области температур имеет место ТСП (рис. 1, кривая 3). Если предварительно кристалл не был освещен или на него предварительно не подавалось напряжение из области нелинейности ВАХ, то и темновая проводимость не испытывает аномалию в этой

Т.К

Рис. 1. Температурные зависимости фотопроводимости Ьу = 1.26еУ (1), темновой проводимости (2), и ТСП (3) в нетравленном С<Юг28е4 : 2% 1п.

Показано, что электрические и фотоэлектрические свойства этого материала, в условиях проявления остаточных явлений, определя-

ются предысторией (последовательностью проведения тех или иных исследований), что также может являться причиной невоспроизводимости результатов экспериментальных исследований.

В этой главе также описаны кинетические особенности фототока при его возбуждении с торца кристалла через прозрачный омический контакт. Данные этих экспериментов указывают на влияние приповерхностных барьеров, процессов прилипания и поглощения на свободных носителях на диффузионные и дрейфовые характеристики носителей заряда. Ячейка для возбуждения образца и форма импульса фототока, полученная при возбуждении импульсом лазера ЛГИ-21 (длительность 10 пб), показаны на рис. 2.

Рис. 2. а - Ячейка для образца: Ъ - Импульс фототока в СсЮг28е4, соответствующий 10 пэ импульсу лазера ЛГИ-21 при Г=300 К.

1-образец, 2-омический контакт, 3-изолятор с нанесенным слоем 1п 4. Пластинка 3 приклеена к хладопроводу 5 оптического криостата. Медная сетка 8, напыленная индием, служащая прозрачным контактом, прижата к образцу диафрагмой 6 через кварцевое стекло 7.

Такая же форма импульса получена численным решением уравнения непрерывности для такой конфигурации освещения при условии отсутствия концентрационного искажения электрического поля:

дп

дх дх2

А п

где \1 — подвижность, £) — коэффициент диффузии, С — скорость генерации, х — время жизни носителей.

Решение этого уравнения для безразмерного тока получили в виде:

-1

/(г)=М) = Д*о

• ехр(г) • Jexp

' Е Л2

áX

, где (2)

X -

И^л

1 т

В =

2 г2 2 И'Ех

A-D-1

2-lD

, где

(3)

/Е=|л.-|Дс|-х и //)=£) т - длины дрейфа и диффузии соответственно.

Компьютерные вычисления при дискретных Ь и В показывают, что зависимость Гтах=/тах/х от Ь при В> 1 имеет линейный характер с тангенсом угла наклона 1/2:

Согласно условию (3) получаем для подвижности простое выражение:

2-U-t

шах

Показан независимый способ определения условия В> 1.

Четвертая глава посвящена исследованию структуры фотоин-дуцированных центров закрепления ДС. Поскольку характер изменения с температурой амплитуд ФФЭ и ОФФЭ и их кинетики схожи с аналогичными поведениями характеристик таких остаточных явлений, как ТСП и ОП, была исследована причастность процессов прилипания неравновесных носителей на мелкие донорные уровни к воз-

никновению центров захвата ДС. Проведенный анализ статистики заполнения донорных уровней неравновесными электронами при различных температурах показывает, что температурный ход концентрации этих электронов совпадает с аналогичным ходом жесткости ДС, определяемой как обратная величина ДМП (Л1/ц). Корреляции ОФФЭ с ТСП (рис. 3) и ФИПП с Д1/ц (рис. 4) позволяют сделать вывод о непосредственном участии донорных уровней с захваченными электронами в образовании центров захвата ДС.

Рис.3. Температурная зависимость амплитуды ФФЭ в С<11.хСахСг28е4 (х=0.0025), измеренная при непрерывном свете, (кривая 1), ТСП, измеренная после предварительного охлаждения образца в темноте, (кривая 2) и ТСП, измеренная после охлаждении на свету, (кривая 3).

Г™"' 1--------- 5 1—1 -о-2 --А-3 - ...,----

ч — Б _

<¿3

л д-

1 —

(N0.) 1/3 ,10-8 8т

У5-!

0.5

1-ОНг.2-5ЮэИ£.3-104Нг. 4-105Нг. 5-Юе№. Б-Ю1/А]*

Рис. 4. Зависимость в С(1[.хСахСг28е4 фотопроводимости в переменных электрических полях при различных частотах (кривые 1-5) и амплитуды ФФЭ (жесткости доменных стенок) (кривая 6) от параметра пропорционального концентрации х по загрузке при Т=77 К.

Быстро релаксирующийся ФФЭ обязан многократным захватам электронов мелкими донорами. Доноры, захватившие электроны, обмениваются ими с ионами переводя их в антиферромагнитно ориентированные Сг* -ионы. В результате образуется единый фото-индуцированный центр, который, из-за валентной и спиновой неустойчивости ионов Сг3+ в нем, может выступать в качестве потенциальной ямы для доменной стенки. При Т < 40К происходит переход от многократных захватов электронов мелкими донорами к устойчивым их захватам, что приводит к ОФФЭ. Увеличение дополнительной подсветкой или легированием концентрации электронов на донор-ных центрах выше значений, при которых реализуется ФИПП, приводит к спаду амплитуды ФФЭ. С освобождением электрона от отдельной донорной примеси, видимо, освобождается и ДС от фотоиндуцированного центра, содержащего эту примесь. Иначе говоря, ФИЦ закрепления ДС распадается с уходом от него неравновесного электрона.

Согласно литературным данным ФФЭ - объемный эффект. В материале с высоким коэффициентом поглощения (103 - 104 см"1), где поглощение происходит в приповерхностных слоях, ФФЭ не может быть объемным эффектом, если не предположить аномально высокий коэффициент диффузии для центров закрепления ДС. Согласно предложенной модели, ФИЦ закрепления ДС диффундируют не в обычном смысле диффузии примеси. Образованию и распаду их по пути миграции неравновесных электронов приемлем коэффициент диффузии, соответствующий наблюдаемым временам релаксации ФФЭ.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Собран измерительно-вычислительный комплекс и разработаны необходимые программные продукты, позволяющие проведение в автоматизированном режиме измерений широкого спектра характеристик твердотельных материалов: удельной электропроводности, ФП в постоянных и переменных электрических полях, релаксационных характеристик ФП с использованием последовательной стробоскопической системы, регистрации спектров оптического поглощения, регистрации ДМП и ее оптических спектров; измерение коэффициента Холла и подвижности носителей заряда, включая холловские измерения на фотоносителях; измерение подвижности носителей заряда непосредственным методом Шокли-Хейнса и методом, основанным на измерении ФП и времени жизни; регистрацию ТСП и токов термостимулированной деполяризации, индуцированной примесной фотопроводимости, фото-э.д.с., а также термо-э.д.с. Разработан и изготовлен ряд заливных и прокачных оптических криостатов для проведения перечисленных измерений в области температур 8-400К, как со стабилизацией температуры с точностью 0.1 К, так и с постоянными скоростями охлаждения и нагрева в указанной области;

кривыми. На основании данных, полученных из проведенного вычислительного эксперимента по выявлению зависимости времени достижения максимального значения фототока от соотношения дрейфовых и диффузионных длин носителей заряда, разработан и защищен Патентом Российской Федерации метод определения дрейфовой подвижности неравновесных носителей, позволяющий проведение исследований и в высокоомных, и в стеклообразных, и в магнитных полупроводниках.

3. Разработан экспресс-метод определения ширины запрещенной зоны фоточувствительных полупроводников, основанный на регистрации спектров ФП без наличия и при наличии подсветки из области сильного поглощения.

4. Разработан метод регистрации ФП в переменных электрических полях. Впервые обнаружено явление фотоиндуцированной прыжковой проводимости (ФИПП) в СёСг28е4 и в ряде других полупроводников (СёБ, 7лО, Бп02 и др.). Эти исследования могут стать основой нового направления в физике фотоэлектрических явлений, где причины возникновения остаточных явлений (ТСП, ОП) могут рассматриваться и в механизме формирования этого явления.

5. Показано, что, если кристаллы и-типа СёСг28е4 не доведены легированием индием или галлием до состояния близкого к вырождению, исключено попадание на них неконтролируемого света и не подано на них напряжение из области нелинейности В АХ (т.е. отсутствует инжекция через контакт), как и в кристаллах р-типа Сс1Сг28е4 и р-типа ^Сг28е4, в них ниже точки Кюри 130К не обнаруживается аномальное (подобное металлическому) поведение удельной электропроводности. При наличии освещения или инжекции носителей через контакт в обоих типов образцах Сс1Сг28е4 в области Т=60К обнаруживается максимум проводимости. В этих условиях в отдельных кристаллах проявляются ОП и ТСП.

6. Показано, что ФП в Сс1Сг28е4 за краем фундаментального поглощения (Ьу>Ев) определяется в основном разделением электронов и дырок приповерхностным потенциальным барьером, а в области Ьу<Ей - многократными захватами электронов на мелкие примесьные уровни. При низких температурах (Т<200К) ФП может быть обусловлена прыжковым механизмом переноса по примесным уровням.

7. Отрицательное магнитосопротивление в области магнитного упорядочения, обязанное расщеплению дна зоны проводимости под действием внешнего магнитного поля, конкурирует с положительным магнитосопротивлением, свойственным образцам с прыжковой проводимостью. Это обстоятельство приводит к широкому разбросу экспериментальных данных в исследованиях по влиянию внешних магнитных полей и магнитного упорядочения на фотоэлектрические свойства и их кинетические характеристики.

8. На основании данных экспериментальных исследований в Сс1Сг28е4 спектров ФФЭ, его кинетических характеристик в низкочастотных раскачивающих ДС и в высокочастотных измерительных магнитных полях, исследований зависимости его амплитуды от концентрации ва и интенсивности света, а также на основании результатов анализа корреляции амплитуды ФП в переменных электрических полях и ФФЭ, с одной стороны, ТСП и ФФЭ, с другой, предложены не противоречащие экспериментальным данным структура и механизмы образования и распада ФЦ закрепления ДС.

9. Установлено, что объемный характер ФФЭ в материале с большим (103—104 бш"1) коэффициентом поглощения света, каковыми являются исследуемые кристаллы, обязан не диффузии центров закрепления доменных стенок в обычном смысле диффузии примесей, а образованию и распаду их на пути миграции многократно захватывающихся мелкими донорами фотовозбужденных электронов.

По теме диссертации опубликованы следующие работы:

1. Абдуллаев А. А. Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства Сс1Сг28е4 / А. А. Абдуллаев, А. 3. Гаджиев // ФТП. - 1989. - Т.23. - В.5. - С. 876-880.

2. Абдуллаев А. А. Устройство для выращивания кристаллов из раствора расплава / А. А. Абдуллаев // Авторское свидетельство №1574696. - приоритете 1 декабря 1987г.

3. Абдуллаев А. А. Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в Сс1Сг28е4 / А. А. Абдуллаев, А. 3. Гаджиев И ФТП. - 1991. - Т.25. - В.1. - С. 30-34.

4. Абдуллаев А. А. Токи биполярной диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках / А. А. Абдуллаев, А. Р. Али-

ев, И. К. Камилов // Вестник Дагестанского научного центра. - Махачкала. - 2003. - №14. - С. 5-10.

5. Абдуллаев А. А. Способ определения дрейфовой подвижности полупроводников / А. А. Абдуллаев, А. Р. Алиев, И. К. Камилов // ПАТЕНТ Российской Федерации на изобретение №2239913. - приоритет 5августа 2002г.

6. Абдуллаев А. А., Алиев А. Р., Камилов И. К., Караева У. М. Способ определения дрейфовой подвижности в материалах со спонтанной намагниченностью // Сборник трудов Международн. конф. «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах». — Махачкала. — 2002. - С. 310-313.

7. Абдуллаев А. А. Роль захвата фотоэлектронов на мелкие до-норные уровни в проявлении ФФЭ в магнитном полупроводнике Сс1Сг28е4 // Сборник трудов Международн. конф. «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированых средах». -Махачкала. - 2002. - С. 331 -334.

8. Абдуллаев А. А. Фотопроводимость и перенос носителей заряда в СёСг28е4 / А. А. Абдуллаев, А. 3. Гаджиев // Вестник Дагестанского научного центра. - Махачкала. - 1999. - №3. - С. 33-36.

9. Абдуллаев А. А. Роль уровней прилипания неравновесных электронов в процессе образования центров закрепления доменных стенок в магнитном полупроводнике СёСг28е4 / Абдуллаев А. А. // ФТП. - 2004. - Т.38. - В7. - С. 796-801.

10. Абдуллаев А. А. Фотопроводимость и перенос носителей заряда в Сс1Сг28е4 / А. А. Абдуллаев // Сб. научн. тр. «Неравновесные носители в полупроводниках». - Махачкала. - 1982. - С. 81- 86.

11. Абдуллаев А. А. Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства Сс1Сг28е4 / А. А. Абдуллаев, А. 3. Гаджиев // Сб. научн. тр. «Фото- и электрические явления в полупроводниках». -Махачкала. - 1985. - С. 39-46.

12. Абдуллаев А. А. Некоторые особенности неравновесной проводимости Сс1Сг28е4 / А. А. Абдуллаев, А. 3. Гаджиев // Сб. научн. тр. «Оптические и фотоэлектрические свойства полупроводников». — Махачкала. - 1987. - С. 54-64.

13. Абдуллаев А. А., Алиев А. Р., Камилов И. К. Дрейфовая подвижность неравновесных носителей. // Тез. докл. V Международн. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». - Ульяновск. - 2003. - С. 120.

14. Абдуллаев А. А. Фотоиндуцированные центры закрепления доменных стенок в магнитном полупроводнике CdCr2Se4. // Тез. докл. V Международн. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». — Ульяновск. - 2003. - С. 189.

15. Абдуллаев А. А. Кинетика амбиполярных токов диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках / А. А. Абдуллаев, А. Р. Алиев, И. К. Камилов // ФТП. - 2003. - Т.37. - В.10. - С. 1184-1187.

16.Abdullaev A. A. New method of definition of mobility of nonequi-librium carriers in semiconductors / A. A. Abdullaev, A. R. Aliev, I. K. Kamilov // Physica В 357. - 2005. - P. 248-252.

17. Абдуллаев А. А. Роль захвата фотоэлектронов на мелкие донор-ные уровни в процессе образования центров стабилизации доменных стенок в магнитном полупроводнике CdCr2Se4. // Тез. докл. VI Российской конференции по полупроводникам. - С.-Петербург. - 2003. - С. 253.

18. Абдуллаев А. А., Алиев А. Р., Камилов И. К. Дрейфовая подвижность в полупроводниках. // Тез. докл. VI Российской конференции по полупроводникам. - С.-Петербург. - 2003. - С. 200.

19. Абдуллаев А. А., Гаджиев А. 3., Караева У. М. Фотоэлектрические свойства HgCr2Se4. // Тез. докл. Всесоюзн. научн. конф. «Фотоэлектрические явления в полупроводниках». — Ташкент. - 1989. - С. 234.

20. Абдуллаев А. А., Гаджиев А. 3. Роль уровней прилипания в проявлениях низкотемпературных особенностей CdCr2Se4. // Тез. докл. VIII- Международного совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердых телах. — Варна. — 1986. - С. 112.

21. Абдуллаев А. А., Анзин В. Б., Ирисов А. А., Шаханов А. В. Фотоэлектрические свойства селенохромита ртути. // Тез. докл. V Всесоюзн. конф. «Тройные полупроводники и их применение». -Кишинев. - 1987. - С. 154.

22.Абдуллаев А. А., Гаджиев А. 3. Остаточные явления в CdCr2Se4. // Тез. докл. V Всесоюзн. конф. «Тройные полупроводники и их применение». - Кишинев. - 1987. - С. 146.

23. Абдуллаев А. А. Фотопроводимость и транспортные свойства кристаллов CdCr2Se4. // Тез. докл. П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. — Одесса. — 1982. - С. 4.

24. Абдуллаев А.А. Влияние магнитного упорядочения на прыжковую проводимость халькогенидного шпинеля CdCr2Se4. // Тез. докл.

Всесоюзного семинара «Фазовые переходы и критические явления». - Махачкала. - 1984. - С. 184.

25.Абдуллаев А. А., А. 3. Гаджиев. Фотопроводимость монокристаллов HgCr2Se4. // Тез. докл. Научной сессии Дагестанского филиала АН СССР. - Махачкала. - 1988. - С. 15.

26.Абдуллаев А. А. Образование и распад фотоиндуцированных центров стабилизации доменных стенок и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4 // Сборник трудов VIII международного семинара «Магнитные фазовые переходы». - Махачкала. — 2005. - С. 56-59.

27.Абдуллаев А. А. Особенности фотопроводимости кристаллов CdCr2Se4. // Тез. докл. V Научно-практической конференции молодых ученых Дагестана «Молодежь и общественный прогресс». - Махачкала. - 1981. - С. 130.

28.Абдуллаев А. А. Сублинейные люкс-амперные характеристики в магнитных полупроводниках CdCr2Se4. // Тез. докл. VI Научно-практической конференции молодых ученых и специалистов «Молодежь и общественный прогресс». - Махачкала. — 1984. - С. 70.

29.Абдуллаев А. А., Алиев А. Р., Камилов И. К. Способ определения дрейфовой подвижности в полупроводниках. // Тез. докл. Всероссийской конференции по физической электронике. - Махачкала. -ДГУ.-2003.-С. 160.

30.Абдуллаев А. А. Фотоиндуцированная прыжковая проводимость и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4. // Труды 9-го Международного симпозиума, "Упорядочение в металлах и сплавах". -ОМА-9. - Ростов-на-Дону - пос. Лоо. - 2006. - С. 5-8.

Заказ №298. Тираж 100.

Типография Дагестанского научного центра РАН 367015, г. Махачкала, 5-й жилгородок, корпус 10

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата физико-математических наук, Абдуллаев, Абдулла Алиевич

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1.

СОВРЕМЕННЫЕ ПРЕДСТАВЛЕНИЯ О МЕХАНИЗМАХ ФОТОПРОВОДИМОСТИ И ФОТОФЕРРОМАГНИТНОГО ЭФФЕКТА В ХРОМОВОМ ХАЛЬКОГЕНИДНОМ ШПИНЕЛЕ CdCr2Se4.

1.1. Кристаллическая структура, электрические и магнитные свойства.

1.2. Оптические и фотоэлектрические свойства.

1.3. Фотоферромагнитный эффект в CclCr2Se4.

1.4. Основные представления об электронной структуре CdCr2Se4.

1.5. Выводы к первой главе.

ГЛАВА II.

МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ И.

ПРИГОТОВЛЕНИЕ ОБРАЗЦОВ.

2.1. Введение.

2.2. Методы измерения фотопроводимости.

2.3. Методы исследования кинетики ФП.

2.3.1. Методика стробоскопической регистрации кинетики фототока с пользованием параллельной стробоскопической системы.

2.3.2. Методика исследования кинетики токов амбиполярной диффузии и дрейфа неравновесных носителей.

2.4. Методика измерения фотопроводимости в переменных электрических полях.

2.5. Методики измерения фотоферроомагнитного эффекта.

2.6. Подготовка образцов для проведения измерений.

2.7. Малогабаритный азотно-гелиевый прокачной оптический криостат.

ГЛАВА III.

МЕХАНИЗМЫ ТОКОПЕРЕНОСА В МАГНИТНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ CdCr2Se4.

3.1. Введение.

3.2. Фотопроводимость и перенос носителей заряда в нелегированном CcICr2Se4.

3.3. Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства CdCr2Se4.

3.4. Фотоэлектрические свойства HgCr2Se4.

3.5. Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в CdCr?Se4.

3.6. Кинетика амбиполярных токов диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках.

3.7. Выводы к третьей главе.

ГЛАВА IV.

РОЛЬ УРОВНЕЙ ПРИЛИПАНИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ЭЛЕКТРОНОВ В ПРОЦЕССЕ ОБРАЗОВАНИЯ ЦЕНТРОВ ЗАКРЕПЛЕНИЯ ДОМЕННЫХ СТЕНОК В МАГНИТНОМ ПОЛУПРОВОДНИКЕ CdCr2Se4.

4.1. Введение.

4.2. Статистика захвата фотоэлектронов мелкими донорами, участвующими в образовании центров закрепления. доменных стенок в CdCr2Se4.

4.3. Фотоиндуцированная прыжковая проводимость и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4:Ga.

4.4. Структура фотоиндуцированных центров в CdCr?Se4.

4.5. Выводы к четвертой главе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ.

Введение диссертация по физике, на тему "Фотоэлектрические свойства и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4"

Актуальность темы. Из существующих магнитных полупроводников наибольший практический и теоретический интерес вызывает класс халькогенидных хромовых шпинелей ACr2X4 (А = Cd, Си, Zn, Hg; X = Se, S). Эти материалы имеют сравнительно высокие температуры магнитного упорядочения (выше температуры кипения азота) и значительно большие по сравнению с ферритами подвижности носителей тока. В селенохромите ртути подвижность электронов достигает до 1200 спГ/V s [1], что более чем на 7 порядков превышает соответствующие значения для ферритов. Магнитные свойства этих материалов определяются локализованными электронами незаполненных d-оболочек ионов Сг.

Взаимодействие двух электронных подсистем - делокализованных носителей в широких зонах и локализованных магнитных d-электронов -приводит к необычным и принципиально новым эффектам, характерным только для магнитных полупроводников. Действие магнитного упорядочения на энергетический спектр электронов приводит к изменению структуры и сдвигу края оптического поглощения, аномальной (металлического хода) температурной зависимости электропроводности ниже точки ферромагнитного упорядочения, большому отрицательному магнитосопротивлению (МС) в области фазового перехода и большим величинам углов фарадеевского вращения плоскости поляризации [2,3]. Такие зависящие от обменного взаимодействия магнитные характеристики, как магнитная проницаемость и коорцетивная сила, оказываются управляемыми путем введения в кристалл, легированием или инжекцией дополнительных носителей заряда [4,5]. Подобное взаимовлияние электронной и магнитной подсистем открывает предпосылки применения хромовых шпинелей при разработке качественно новых магнитооптических и электронных приборов. Устойчивость кристаллической структуры к сильным отклонениям от стехиометрии позволяет в широких пределах регулировать концентрацию носителей тока [6,7,8]. Возможность создания твердых растворов на их основе позволяет реализовать многообразие магнитных структур. Однако до настоящего времени, многие экспериментальные результаты остаются невоспроизводимыми, а в отдельных случаях и противоречивыми. Это приводит, с одной стороны, к торможению применения исследуемых материалов в технике, с другой стороны, - к дополнительным трудностям, как в сопоставлении и трактовке их свойств, так и в расчетах их электронных состояний [9,10]. К истолкованию широкого спектра физических свойств CdCr2Se4 привлечены модели s-d-обменного взаимодействия [11], расщепления по спину поляризованных подзон при магнитном упорядочении [12,13], ферронная модель [10] и т.д. Для теоретических моделей [14,15] конечное количество подгоночных параметров получают из этих неповторяющихся экспериментальных данных. Поэтому от подобных моделей ждать практических рекомендаций по базовым направлениям повышения качества приборов на основе исследуемых материалов не приходится. Реализующиеся механизмы электропереноса накладывают серьезные отпечатки на проявления тех или иных теоретических предсказаний.

В силу того, что кристаллы магнитных полупроводников CdCi2Se4 удается растить пока довольно маленьких размеров (2-4 mm), и они имеют большое количество активных поверхностных структурных дефектов [16-18], остается актуальной проблема исследования в них поверхностных явлений. В литературе мало работ, посвященных этому вопросу. В работах [16-18] предложен эффективный травитель, снимающий структурно измененный поверхностный слой, который, как правило, шунтирует объемное сопротивление образца, и у которого коэффициент поглощения на порядок больше, чем в объеме.

К определяющим причинам неоднозначных экспериментальных результатов следует отнести: 1) образование, как на механически обработанных, так и на естественных гранях структурно измененного поверхностного слоя, сильно искажающего объемные электрические и оптические свойства; [19-21]; 2) наличие в синтезированных известными методами кристаллах неконтролируемых примесей, которые в зависимости от характера участия их во взаимодействиях Зс1-электронов по-разному искажают их электрофизические свойства.

Исследованиям явления изменения динамической магнитной проницаемости (ДМП) под действием света в магнитных полупроводниках, названного фотоферромагнитным эффектом (ФФЭ) [24], посвящено большое количество работ. Интерес к этому явлению связан с перспективами осуществления на его основе новых способов записи информации и регистрации инфракрасного (ИК) света [23]. Появление в последнее время все новых материалов, относящихся к классу «магнитные полупроводники», и развитие научного направления наноструктурной спинтроники стимулирует интерес к соединению CdCr2Se4 как наиболее всесторонне изученному в этом классе. Детальное изучение механизма возникновения в нем ФФЭ могло бы способствовать поиску возможных путей одновременного увеличения амплитуды этого эффекта и быстродействия приборов на его основе.

В работах [24-32], посвященных исследованию природы ФФЭ в CdCr2Se4, уменьшение ДМП под действием света связывается со стабилизацией доменных стенок (ДС) на фотоиндуцированных центрах (ФЦ) Сг2+, антиферромагнитно ориентирующихся по отношению к Сг3+-подрешетке. Однако механизм образования этих центров, объясняющий все особенности этого явления, не раскрыт.

В связи с выше изложенным, особую ценность приобретают разносторонние комплексные исследования, посвященные выявлению условий и степени реализации различных механизмов токопереноса, что могло бы способствовать выяснению причин невоспроизводимости экспериментальных результатов и установлению структуры примесных центров, ответственных за особенности фотопроводимости (ФП) и ФФЭ. В исследованиях кинетических параметров необходимы нестандартные подходы и методы, которые могли бы компенсировать ситуацию, связанную с известными трудностями в корректном проведении холловских измерений в магнитных материалах.

Цель работы была определена как изучение условий и степени реализации различных механизмов токопереноса и в выявлении реальных механизмов взаимодействия электронной и магнитной подсистем, определяющих особенности физических свойств магнитных халькогенидных шпинелей ниже точки Кюри. Сформулированы следующие задачи, которые необходимо решить для достижения поставленной цели:

1. исследовать степень влияния крупномасштабных флуктуаций потенциала на электрические и фотоэлектрические свойства CdCr2Se4 и HgCr2Se4;

2. выяснить степень и механизмы влияния состояния поверхности на электрические, фотоэлектрические и магниторезистивные характеристики р-и и-типа CdCr?Se4;

4. в образцах р- и п- CdCr2Se4, подвергнутых термическим, химическим и катодным обработкам, используя комбинированное возбуждение через прозрачный контакт светом из областей примесного и собственного поглощения, исследовать влияние поверхностных барьеров и процессов захвата неравновесных носителей локализованными состояниями на формирование стационарных и кинетических характеристик, определяющих особенности их электрофизических свойств;

5. в одних и тех же образцах, содержащих различные концентрации примеси Ga и вакансий Se (Vse), комплексными исследованиями ФФЭ в постоянных, раскачивающих и импульсных магнитных полях, фотопроводимости (ФП) в постоянных и переменных электрических полях, остаточной проводимости (ОП) и термостимулированной проводимости (ТСП) установить механизмы изменения подвижности доменных стенок под действием света.

Объекты исследования. Выбор материалов для намеченных исследований обосновывается тем, что селенохромит кадмия с шириной запрещенной зоны 1.29 eV отличается от других хромовых шпинелей наиболее отработанным уровнем технологии получения в виде монокристаллов, относительно высокой температурой Кюри, равной 129 К и наибольшим количеством работ, посвященным всестороннему его изучению. HgCr2Se4 как материал с меньшей шириной запрещенной зоны Eg интересен для сравнительных исследований, т.к. в нем величина расщепления зон с магнитным упорядочением доходит до 70% Ес и естественно следует ожидать более сильное влияние магнитного упорядочения на электрические и оптические свойства по сравнению с влиянием поверхностных состояний и процессов прилипания.

Научная новизна представленных в работе результатов заключается в следующем:

1. Собран измерительно-вычислительный комплекс и разработаны необходимые программные продукты, позволяющие проведение в автоматизированном режиме измерений широкого спектра характеристик твердотельных материалов: удельной электропроводности, ФП в постоянных и переменных электрических полях, релаксационных характеристик ФП с использованием последовательной стробоскопической системы, регистрации спектров оптического поглощения, регистрации ДМП и ее оптических спектров; измерение коэффициента Холла и подвижности носителей заряда, включая холловские измерения на фотоносителях; измерение подвижности носителей заряда непосредственным методом Шокли-Хейнса и методом, основанным на измерении ФП и времени жизни; регистрацию ТСП и токов термостимулированной деполяризации, индуцированной примесной фотопроводимости, фото-э.д.с., а также термо-э.д.с. Разработан и изготовлен ряд заливных и прокачных оптических криостатов для проведения перечисленных измерений в широкой области температур 8-400 К, как со стабилизацией температуры с точностью 0.1 К, так и с постоянными скоростями охлаждения и нагрева в указанной области;

3. Рассчитана кривая кинетики изменения фототока со временем при импульсном освещении образца светом из области сильного поглощения через один из двух омических контактов, нанесенных на его противоположные грани. Эта кривая проходит через резко выраженный максимум и совпадает по форме с экспериментально полученными кривыми. На основании этих данных и данных проведенного вычислительного эксперимента по исследованию зависимости времени достижения максимального значения фототока от соотношений дрейфовых и диффузионных длин носителей заряда разработан и защищен Патентом Российской Федерации №2239913 новый метод определения дрейфовой подвижности неравновесных носителей в конденсированных средах;

4. Разработан метод регистрации ФП в переменных электрических полях. Впервые обнаружено явление фотоиндуцированной прыжковой проводимости (ФИПП) в CdCr2Se4 и в ряде других полупроводников (CdS, ZnO, Sn02 и др.). Эти исследования могут стать основой нового направления в физике фотоэлектрических явлений, где причины возникновения остаточных явлений (ТСП, ОП) можно рассматривать и в механизме формирования этого явления;

5. Обнаружено, что электропроводность р- CdCr2Se4 в первые часы вакуумного отжига при 770 К, приводящего к росту дефицита наиболее летучего компонента Se, растет. Установлено, что вакуумный отжиг влияет на электропроводность исследуемых материалов двояким образом: с одной стороны, создает вакансии селена, приводящие к росту сопротивления р-типа кристаллов, с другой стороны, сглаживает рельеф крупномасштабных флуктуаций потенциала, вследствие чего уменьшаются дрейфовые барьеры для носителей заряда и, соответственно, сопротивление образца;

6. Показано, что если кристаллы «-типа CdCr2Se4 не доведены легированием индием или галлием до состояния, близкого к вырождению, исключено попадание на них неконтролируемого света и не подано на них напряжение из области нелинейности вольт-амперной характеристики (ВАХ) (т.е. отсутствует инжекция через контакт), то, как и в кристаллах р-типа CdCr2Se4 и ^-типа HgCr2Se4, в них, в отличие от данных многочисленных литературных источников, ниже точки Кюри 129 К не обнаруживается аномальное (подобное металлическому) поведение в температурной зависимости удельной электропроводности. При наличии освещения или инжекции носителей через контакт в п- и р- CdCr?Se4 в области Т = 60 К обнаруживается максимум электропроводности, ОП и ТСП;

7. Показано, что ФП в CdCr2Se4 за краем фундаментального поглощения (hv>Eg) в основном определяется разделением электронов и дырок приповерхностным потенциальным барьером, в области hv<Eg -многократными захватами электронов на мелкие примесные уровни, а при низких температурах (Т<180 К) прыжковым механизмом переноса по этим уровням;

8. В результате анализа корреляции амплитуд ФП в переменных электрических полях и ФФЭ в кристаллах CdCr2Se4 с различным уровнем легирования галлием, с одной стороны, ТСП и ФФЭ, с другой стороны, а также сравнения рассчитанного температурного хода степени заполнения уровней мелких доноров и обнаруживаемого температурного хода жесткости доменной стенки (ДС), когда при относительно высоких температурах жесткость ДС экспоненциально растет с понижением температуры, а при более низких температурах, где проявляется остаточный ФФЭ (ОФФЭ), вовсе от нее не зависит, установлено, что центрами, ответственными за ФФЭ, являются сложные примесные молекулы, включающие в себя мелкие доноры, обменивающиеся захваченными ими фотоэлектронами с Сг3+-магнитными ионами. Вследствие такого обмена ионы Сг приобретают валентную и спиновую неустойчивости, приводящие к неравновесному захвату ими ДС.

9. Установлено, что объемный характер ФФЭ в материале с большим (10-104 cm") коэффициентом поглощения света, каковыми являются исследуемые кристаллы, обязан не диффузии центров закрепления доменных стенок в обычном смысле диффузии примеси, а образованию и распаду их на пути миграции многократно захватывающихся мелкими донорами фотовозбужденных электронов из поверхностной области в глубь образца.

Практическая значимость представленных в работе результатов в следующем:

2. Разработанный экспресс-метод определения ширины запрещенной зоны фоточувствительных полупроводников может быть применен в исследовательских лабораториях и в полупроводниковой промышленности.

3. Обнаруженное явление ФИПП в CdCr2Se4 и в ряде других классических полупроводников может стать основой нового направления в физике фоточувствительных полупроводников, где причины возникновения остаточных явлений (ТСП, ОП) могут рассматриваться и в механизме формирования ФИПП.

4. Установленный в CdCr2Se4 механизм закрепления ДС под действием света позволяет достигнуть значительного повышения качества приборов на основе ФФЭ.

Основные положения, выносимые на защиту:

1. В первые часы вакуумного отжига при 770 К нелегированных р-типа кристаллов CdCr2Se4, помимо образования в них донорных уровней дефицита наиболее летучего компонента Se, сглаживается рельеф крупномасштабных флуктуаций потенциала энергетических зон. При этом с уменьшением дрейфовых и рекомбинационных барьеров уменьшаются сопротивление образца и времена релаксации неравновесных носителей заряда. Это приводит к разбросу экспериментальных результатов в образцах с разными «предысториями».

2. В кристаллах п- CdCr2Se4, если они не доведены легированием индием или галлием до состояния, близкого к вырождению, исключено попадание на них неконтролируемого света и не подано на них напряжение из области нелинейности ВАХ, как в образцах р- CdCr2Se4 и р- HgCr2Se4, не обнаруживается аномальное (металлического характера) поведение с температурой удельной электропроводности ниже точки Кюри 129 К. При наличии освещения или инжекции в обоих типов образцах CdCr2Se4 в области Т = 60 К обнаруживается максимум удельной электропроводимости. При этих температурах в отдельных кристаллах после прекращения инжектирования обнаруживается ОП и ТСП.

3. Кривая кинетики изменения фототока со временем, возбужденного о коротким (10" s) импульсом света из области сильного поглощения на одном из торцов образца, проходит через максимум. Время достижения этого максимума в условиях превышения дрейфовой длины над диффузионной длиной более чем 2 раза, зависит только от длины образца, приложенного напряжения и дрейфовой подвижности носителей заряда.

4. Положительное МС, свойственное образцам CdCr2Se4 с прыжковой проводимостью и отрицательное МС, связанное с расщеплением дна зоны проводимости в области магнитного упорядочения, приводят в зависимости от степени их проявления к разбросу экспериментальных данных в исследованиях по влиянию внешних магнитных полей и магнитного упорядочения на фотоэлектрические свойства и их кинетические характеристики.

5. Низкотемпературная частотная дисперсия фотопроводимости в переменных электрических полях в CdCr2Se4 указывает на реализацию ФИПП, которая, помимо вариантов, рассмотренных в классических моделях, также может быть причиной формирования остаточных явлений (ТСП, ОП) в фоточувствительных материалах.

6. Центрами, ответственными за ФФЭ, являются сложные примесные молекулы, включающие в себя мелкие доноры, обменивающиеся захваченными ими фотоэлектронами с Сг3+- магнитными ионами. Вследствие такого обмена ионы Сг приобретают валентную и спиновую неустойчивости, приводящие к неравновесному захвату ими ДС. Температурная зависимость количества электронов, захваченных этими донорами, полученная из анализа статистики степени их заполнения, совпадает с температурным ходом изменения жесткости ДС, определяемой как обратную величину ДМП.

7. Объемный характер ФФЭ в материале с большим (103-104 cm"1) коэффициентом поглощения света, каковыми являются исследуемые кристаллы, обязан не диффузии центров закрепления доменных стенок в обычном смысле диффузии примеси, а образованию и распаду их на пути миграции многократно захватывающихся мелкими донорами фотовозбужденных электронов.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и совещаниях: VIII Международное совещание по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердых телах (Варна 1986), V Всесоюзная конференция «Тройные полупроводники и их применение» (Кишинев, 1987), Республиканская конференция по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982), Всесоюзный семинар «Магнитные фазовые переходы и критические явления» (Махачкала, 1984, Всесоюзная конференция «Фотоэлектрические явления в полупроводниках» (Ташкент, 1989), Международная конференция «Фазовые переходы, критические и нелинейные явления в конденсированных средах» (Махачкала, 2002), V Международная конференция «Оптика, оптоэлектроника и технологии» (Ульяновск, 2003), VI Российская конференция по полупроводникам (С-Петербург, 2003), Всероссийская конференция по физической электронике (Махачкала, 2003.), VII Международный семинар «Магнитные фазовые переходы» (Махачкала, 2005), 9-й Международный симпозиум, "Упорядочение в металлах и сплавах" - ОМА-9 (г.Ростов-на- Дону - пос. JIoo, 2006).

Публикации. Основные результаты диссертации опубликованы в 30 опубликованных работах в виде: статей (в том числе 6 статей в центральных и зарубежных журналах), в трудах и тезисах докладов различных конференций, в авторском изобретении СССР и патенте РФ на изобретение.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, 4-х глав, заключения и списка литературы (153 наименования). Объем диссертации составляет 149 страниц текста, включая 43 рисунка.

Заключение диссертации по теме "Физика конденсированного состояния"

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Собран измерительно-вычислительный комплекс и разработаны необходимые программные продукты, позволяющие проведение в автоматизированном режиме измерений широкого спектра характеристик твердотельных материалов: удельной электропроводности, ФП в постоянных и переменных электрических полях, релаксационных характеристик ФП с использованием последовательной стробоскопической системы, регистрации спектров оптического поглощения, регистрации ДМП и ее оптических спектров; измерение коэффициента Холла и подвижности носителей заряда, включая холловские измерения на фотоносителях; измерение подвижности носителей заряда непосредственным методом Шокли-Хейнса и методом, основанным на измерении ФП и времени жизни; регистрацию ТСП и токов термостимулированной деполяризации, индуцированной примесной фотопроводимости, фото-э.д.с., а также термо-э.д.с. Разработан и изготовлен ряд заливных и прокачных оптических криостатов для проведения перечисленных измерений в широкой области температур 8-400 К, как со стабилизацией температуры с точностью 0.1 К, так и с постоянными скоростями охлаждения и нагрева в указанной области;

2. Рассчитана кривая изменения фототока со временем при импульсном освещении образца светом из области сильного поглощения через один из двух омических контактов, нанесенных на противоположные его грани. Эта кривая проходит через резко выраженные максимумы и совпадает по форме с экспериментально полученными кривыми. На основании данных, полученных из проведенного вычислительного эксперимента по выявлению зависимости времени достижения максимального значения фототока от соотношения дрейфовых и диффузионных длин носителей заряда, разработан и защищен Патентом Российской Федерации метод определения дрейфовой подвижности неравновесных носителей, позволяющий проведение исследований и в высокоомных, и в стеклообразных, и в магнитных полупроводниках.

3. Разработан экспресс-метод определения ширины запрещенной зоны фоточувствительных полупроводников, основанный на регистрации спектров ФП без наличия и при наличии дополнительной подсветки из области сильного поглощения.

4. Разработан метод регистрации ФП в переменных электрических полях. Впервые обнаружено явление фотоиндуцированной прыжковой проводимости (ФИПП) в CdCr2Se4 и в ряде других полупроводников (CdS, ZnO, Sn02 и др.). Эти исследования могут стать основой нового направления в физике фотоэлектрических явлений, где причины возникновения остаточных явлений (ТСП, ОП) можно найти и в механизме формирования этого явления.

5. Показано, что, если кристаллы п-типа CdCr2Se4 не доведены легированием индием или галлием до состояния близкого к вырождению, исключено попадание на них неконтролируемого света и не подано на них напряжение из области нелинейности ВАХ (т.е. отсутствует инжекция через контакт), как и в кристаллах /?-типа CdCr2Se4 и р-типа HgCr2Se4, в них ниже точки Кюри 130К не обнаруживается аномальное (подобное металлическому) поведение удельной электропроводности. При наличии освещения или инжекции носителей через контакт в обоих типов образцах CdCr2Se4 в районе 1-6 О К обнаруживается максимум проводимости. В этих условиях в отдельных кристаллах обнаруживается ОП и ТСП.

6. Показано, что ФП в CdCr2Se4 за краем фундаментального поглощения (hv>Eg) определяется в основном разделением электронов и дырок приповерхностным потенциальным барьером, а в области hv<Eg -многократными захватами электронов на мелкие примесные уровни. При низких температурах (Т<200 К) ФП может быть обусловлена прыжковым механизмом переноса по примесным уровням.

8. На основании данных исследований в CdCr2Se4 спектров ФФЭ, его кинетических характеристик в низкочастотных раскачивающих ДС и в высокочастотных измерительных магнитных полях, исследований зависимости его амплитуды от концентрации Ga и интенсивности света, а также на основании результатов анализа корреляции амплитуды ФП в переменных электрических полях и ФФЭ, с одной стороны, ТСП и ФФЭ, с другой, предложены не противоречащие экспериментальным данным структура и механизмы образования и распада ФЦ закрепления ДС.

9. Установлено, что объемный характер ФФЭ в материале с большим (10-104 sm") коэффициентом поглощения света, каковыми являются исследуемые кристаллы, обязан не диффузии центров закрепления доменных стенок в обычном смысле диффузии примесей, а образованию и распаду их на пути миграции многократно захватывающихся мелкими донорами фотовозбужденных электронов.

Автор выражает благодарность чл. корр. РАН И.К. Камилову и д.ф.-м. н. А.З. Гаджиеву за поддержку, помощь, полезные обсуждения проведенных исследований, д.ф.-м.н. В.Г. Веселаго и д.ф.-м.н. К.М. Голанту за плодотворное сотрудничество и предоставленную возможность проведения некоторых исследований в лаборатории сильных магнитных полей ИОФ РАН, д.ф.-м.н. Т.Г. Аминову за предоставленные возможности получения необходимых образцов в ИОиНХ РАН, д.ф.-м. н. М.М. Гафурову, д.ф.-м.н. С.Н. Каллаеву, д.ф.-м.н. Е.М. Зобову, д.ф.-м.н. Б.М. Атаеву, к.ф.-м.н. А.Х. Абдуеву, за внимание и плодотворное обсуждение результатов исследований. Особую благодарность автор выражает Ф.С. Габибову и к.ф.-м.н. К.М. Алиеву за постоянный интерес к работе и плодотворные обсуждения, а также д.ф.-м. н. А.Р. Алиеву за сотрудничество и помощь в оформлении публикаций.

Список источников диссертации и автореферата по физике, кандидата физико-математических наук, Абдуллаев, Абдулла Алиевич, Махачкала

1. Goldstein L., Gibart P., Selmi A. Transport properties of the ferromagnetic semiconductous HgCr2Se4 // J. Appl. Phys. -1978. -V.49. -N.3, P. 1474-1476.

2. Lehman H.W. Semiconductins properties of ferromagnetic CdCr2Se4 // Phys. Rev. 1967. -V.163. -N2. -P. 488-496.

3. Harbeke G., Lehmann H.W. Optical transision and band structure model for cadmium chromium chalcogenides // Sol. st. commun. -1970. -Y.8. -N.16. -P.1281-1285.

4. Минаков А.А., Голант K.M., Махоткин B.E., Виноградова Г.И., Веселаго В.Г. Влияние легирования на обменное взаимодействие в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // ФТТ. 1975. -Т. 19. -С. 2075-2077.

5. Веселаго В.Г., Вигилева Е.С., Виноградова Т.Н., Калинников В.Т., Махоткин В.Е. Фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4 // Письма в ЖЭТФ,- 1972. -Т. 15. -В.6. -С. 316-318.

6. Балкерей Ю.И., Буру В.Т., Голик Л.Л. Физические свойства и возможности применения магнитных полупроводников типа ЕиО и CdCr2Se4 // Микроэлектроника. -1976. -Т.5. -В.6. -С. 475-488.

7. Никитов В. А. Магнитные полупроводники и перспективы их использования в электронной технике // Зарубежная электронная техника.-1977.-В.12.-С. 3-35.

8. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. -М.: Мир, 1983, т.2, 332с.

9. Нагаев Э.Л. Физика магнитных полупроводников. -М.: Наука, 1979. -431с.

10. Вонсовский С.В. Магнетизм. М.: Наука, 1971.-572с.

11. Stojanov S.G., Aliev M.N., Stojanova S.P. Spectral dependence of the photoconductanse in CdCr2Se4 : band and donor levels splitting due to ferromagnetic ordering // Solid state comm. -1976. -V.18. -N.9. -P. 13891392.

12. Stoyanov S.G., Aliev M.N., Stoyanova S.P. Magnetic-order-induced band splitting in the thermomodulation spectra of the ferromagnetic semiconductor CdCr2Se4//Phys. St. Sol. (a). -1975. -V. -30. -P. 133-138.

13. Ерухимов М.Ш., Овчинников С.Г., Электронный спектр и поглощение света в магнитных полупроводниках CdCr2Se4 // ФТТ. -1979/ -Т.21. -В.2. -С. 351-358.

14. Ерухимов М.Ш., Эдельман И.С. Энергия электронных термов ионов Cd в магнитных полупроводниках CdCr2Se4. Препринт ИФСО-147 Ф, Красноярск, 1980, 28с.

15. Bongers P.F., Zanmarshi G. Infrared absorption spektrum and Faradey rottion of ferromagnetic CdCr2Se4 // Solid state comm. -1968. -V.6. -N.5. -P. 291294.

16. Мощняга B.T., Анзин В.Б., Голант K.M., Тарасов В.И., Юрин И.М. Исследование спектров поглощения в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // Препринт ФИАН СССР. -М., 1982. -№ 192. -27с.

17. Голант К.М., Мощняга В.Т. Влияние магнитного порядка на фотоэлектрические свойства CdCr2Se4 п-типа // Препринт ФИАН СССР. -М, 1.983.-№276.-38с.

18. Мощняга В.Т., Голант К.М., Веселаго В.Г., Роль поверхности в проводимости и фотопроводимости магнитного полупроводника CdCr2Se4//Письма в ЖЕТФ. -1983. -Т.9. -В.24. -С. 1473-1476.

19. Мощняга В.Т., Анзин В.Б., Веселаго В.Г., Голант К.М., Черников М.А. Поверхностное и объемное поглощение света в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 //ЖЕТФ. -1983. -Т.85. -В.3(9). -С. 967-973.

20. Голант К.М., Мощняга В.Т. Влияние магнитного порядка на фотоэлектрические свойства CdCr2Se4 п-типа // Препринт ФИАН. -М., 1983.-№.276.-38с.

21. Lems W., Rijnierse P.J., Bongers P.F., Enz U. Photomagnetic effekt in chalcogenide spinel //Phys. Rev. Lett. 1968. -V21. -P. 1643-1645.

22. Веселаго В.Г., Прохоров A.M. Ферромагнитные полупроводниковые шпинели как материалы для нового, квантового способа магнитной записи // Сб научн. трудов «Магнитные полупроводниковые шпинели типа CdCr2Se4».-Кишинев. -Штиинца, 1978. -С. 5-11.

23. Виноградова Г.И. Фотоферромагнитный эффект в магнитном полупроводнике CdCr2Se4. В сб. Магнитные полупроводники, М.: Наука, 1982, т.139, С. 3-36.

24. Анзина J1.B., Рудов С. Г. Влияние света на динамические магнитные характеристики CdCr2Se4 // Сборник трудов ИОФАН «Магнитные полупроводники». -М.: Наука, 1982. -Т.139. -С. 49-66.

25. Кузнецов В.Н., Махоткин В.Е. Релаксация фотоиндуцированных центров и фотоферромагнитный эффект в CdCr2Se4 при поверхностном и объемном возбуждении // Сборник трудов ИОФАН «Магнитные полупроводники». -М.: Наука, 1982. -Т.139. -С. 84-86.

26. Виноградова Г.И., Махоткин В.Е. Фотоферромагнитный эффект и фотопроводимость в системах твердых растворов магнитныхполупроводников со структурой шпинели // Сборник трудов ИОФАН «Магнитные полупроводники». -М.: Наука, 1982. -Т.139. -С. 37—48.

27. Аминов Т.Г., Вельский Н.К., Вигилева Е.С. , Виноградова Г.И., Калинников В.Т., Шабунина Т.Г. Синтез легированных кристаллов CdCr2Se4 и измерение в них фотоферромагнитного эффекта // Неорганические материалы. -1976. -12(7). -С. 1297.

28. Анзина JI.B., Веселаго В.Г., Рудов С.Г. Эффект воздействия света на петлю гистерезиса магнитного полупроводника CdCr2Se4 // Письма в ЖЭТФ. 1976. -Т.23. -В.9. -С. 520 - 521.

29. Анзина J1.B., Веселаго В.Г., Рудов С.Г., Аминов Т.Г., Калинников В.Т. Гашение фотоферромагнитного эффекта в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // ФТТ. -1977. -Т19. -В.10. С. 3001- 3003.

30. Махоткин В.Е., Виноградова Г.И., Веселаго В.Г. Фотоиндуцированное закрепление доменных стенок в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // Письма в ЖЭТФ. -1978. -Т.28. -В2. -С. 84 86.

31. Веселаго В.Г., Дорощенко Р.А. О механизме фотоиндуцированных магнитных явлений в ферромагнитном полупроводнике CdCr2Se4, легированном галлием // Сборник трудов ИОФАН «Магнитные полупроводники». -М.: Наука, 1982. -Т.139. -С. 67-69.

32. Метфессель 3., Маттис Д. Магнитные полупроводники. -М.: Мир, 1972. - 405с.

33. Кунькова З.Э., Голик Л.Л., Паксеев В.Е. Оптические свойства HgCr2Se4 в области края поглощения // ФТТ. -1983. -Т.25. -В.6. -С. 1877-1879.

34. Bandloss W. Anomalous exchangestriction in ferromagnetic pyriet and chromium chalcogenide spinel compound // J. Appl. Phys. 1971. -V.42. -P. 1474-1476.

35. Baltzer P.K., Lehmann H.W., Robins M. Insulating ferromagnetic spinels. -Phis. Rev// 1965. -V.15.-N.il. -P. 493-495.

36. Кринчук Г.С. Физика магнитных явлений. М.: Изд-во МГУ, 1976. -340с.

37. Уайт Р., Джебелл Т. Дальний порядок в твердых телах. -М.: Мир, 1982. -447с.

38. Смит Я., Вейн X. Ферриты. М.: Иностранная литература, 1962. - 504с.

39. Gobel Н. J. Magnetism Magnet. Mater 1976. -V.3. -P. 143-144.

40. Wada V., Ametani K. Thermochimica Acta. -1971. -V.2. -P. 237 238.

41. Menyuk N., Dwight K., Arnoft R.J. Ferromagnetism in CdCr2Se4 and CdCr2S4 // J. Appl. Phys. 1966. -V.37. -P. 1387-1389.

42. Baltzer P.K., Wojtowicz P.J., Robins M. and Lopatin E. Exchange interaction in ferromagnetic chromium chalcogenide spinels // Phis. ReV. -1966. -V.151. -N.2. -P. 367-377.

43. Бамбуров В.Г., Борухович А.С., Самохвалов А.А. Введение в физико-химию ферромагнитных полупроводников. -М.: Металлургия, 1988.-206 с.

44. Baltzer Р.К., Wojtowicz P.J., Robins M., Lopatin E. Magnetic and crystallographic properties of the system (l-x)CdCr2S4. x CdCr2Se4 // J. Phys. Chem. Solids. -1967. -V.38. -P. 2423-2427.

45. Lotgering F.K. Or antiferromagnetism of ZnCr2Se4 // Solid state comm. -1965. -V.3. -P. 347-348.

46. Гуревич А.Г., Яковлев Ю.М., Карпович В.И., Винник М.А., Рубальская Э.В. Ферромагнитный полупроводник // ФТТ. -1975. -Т.9. -В.1. -С. 3-11.

47. Le Graw R.C., Н. Von Philipsborn, Sturge M.V. Ferromagnetic resonanse and other properties of CdCr2Se4//J. Appl. Phys. -1967. -V.36. -P. 965-966.

48. Kubiak S, Zarek W., Drzazga Z. at al. Acta Phys. Pol. -1974. -V.A45. -P. 819825.

49. Samokhvalov A.A., Morozov Yu.N., Karpenko B.V. // Phys. St. Solids. -1976. -V.73. -P. 455-459.

50. Крупичка С. Физика ферритов и родственных им магнитных окислов. -М.: Мир, 1976.- 353с.

51. Gurevich A.G., Jakovlev I.M., Karpovich V.I., Ageev A.M., Rubalskaja E.V. Ferromagnetic resonance anisotropy in CdCr2Se4 // Phys.Lett. -1972. -V.40A. -N.l.-P. 69-70.

52. Минаков А.А. Исследование доменной структуры в спиральных антиферромагнетиках системы ZnixCdxCr2Se4. Диссертация на соискание уч. степени канд. физ.-мат. наук. -М., 1980. -125с.

53. Гуревич А.Г., Яковлев Ю.М., Карпович В.И. Ферритовые СВЧ приборы и материалы. -М.: Электроника. -1972. -С. 38-41.

54. HockstraB., Van Stapere R.P. Phys. st. Solids. - 1973. -V.55. -P. 607-613.

55. Лещенко Н.И., Стахирский Л.Л., Луцюк Л.Н. УФЖ. -Т.21. -С. 112-118.

56. Бержанский В.Н., Гавричков С.А., Иванов В.И. Магнитные полупроводники и их свойства. -Красноярск.: Изд-во ИФ СО АН СССР. - 1980.-С. 74-100.

57. Berzhansky V.N., Ivanov V.I., Lazuta A.V. Solid state comm. -1980. -V.44. -P. 771-775.

58. Komada K., Niimi T. Electrical properties of CdCr2Se4. I. p-type Ag- doped single crystals // Jap. Appl. Phys. -1980. -V.19. -N.2. -P. 307-315.

59. Голант K.M., Живописцев E.C., Веселаго В.Г. Подвижность и проводимость в p-CdCr2Se4 // Препринт ФИАН. -1978. -№.218, 26с.

60. Asaka М., Matsumoto S., Niimi Т. Electrical conductivity of p-type CdCr2Se4 single crystals //Jap. Appl. Phys. -1976. -V.15. -N.4. -P. 741-742.

61. Lehmann H.W., Robins M. Electrical trasport properties of the insulating ferromagnetism spinels CdCr2Se4 and CdCr2S4 // J. Appl. Phys. -1966/ -V.37. -N.3. -P. 1389-1390.

62. Amith A., Friedman L. Mixed-conducting model for charge transport in n-type CdCr2Se4 // Phys. Rev. -1970. -V. -B2. -N.2. -P. 434-445.

63. Wen C.P., Herchenov В., Von Philipsborn H., Pinch H. Band-edge shift of CdCr2Se4 near Curie temperature // Appl. Phys. Lett. -1968. -V.13. -N.5. -P. 188-190.

64. Kodama K. Doi S., Matsumura Т., Niimi T. Electrical properties of CdCr2Se4. II. n-type In-doped single crystals // Jap. J. Appl. Phys. -1980. -V.19. -N.2. -P. 317-324.

65. Салыганов В.И., Шильников Ю.Р., Яковлев Ю.М., Федоров B.JI., Винник М.А., Рубальская Э.В. Влияние магнитного упорядочения на фотопроводимость в CdCr2Se4 // ФТТ. -1974. -Т. 16. -С. 3174-3176.

66. Белов К.П., Королева Л.И., Батарова С.Д., Калинников В.Т., Аминов Т.Г., Шабунина Г.Г. Электрические и магнитные свойства монокристаллов CdCr2Se4 легированных индием // Письма в ЖЕТФ. -1975. -Т.22. -В.5. -С. 304-307.

67. Белов К.П., Королева Л.И., Товмасян Л.Н. Зависимость удельного сопротивления от температуры и магнитного поля монокристаллов CdCr2Se4легированных Оа//ЖЕТФ. -1977. -Т.73. -В.6(12). -С. 2309-2312.

68. Новиков Л.Н., Голик Л.Л., Аминов Т.Г., Жегалина В.А. Связь аномалий проводимости с "красным сдвигом" края поглощения в CdCr2Se4 п-типа // ФТТ. -1979. -Т.21. -С. 3143-3146.

69. Голик Л.Л., Новиков Л.Н., Аминов Т.Г., Жегалина В.А. Влияние вакансий селена на температурные зависимости сопротивлений и магнитосопротивления CdCr2Se4 // ФТТ. -1977. -Т. 19. -В.9. -С. 1823-1825.

70. Treitinger L., Pink H., Gobel H. Influense of Se-deficiences on the properties of In-doped CdCr2Se4 single crystals // J. Phys. Chem. Sol. -1978. -V.19. -N.2. -P. 149-153.

71. Haas C., Van Ran A.M.J.G., Bongers P. F., Albers W. The magnitoresictanse of n-type CdCr2Se4 // Solid state comm. -1967. -V5. -P. 657-661.

72. Бержанский B.H., Чернов В.К. Процессы переноса носителей заряда в магнитных полупроводниках на основе CdCr2Se4 -Сб. научных трудов «Магнитные полупроводники и их свойства» ИФ СО АН СССР. -Красноярск, 1980. -234с.

73. Haynes J.R., Shockly W. Phys. Rev. -1951. -V.81. -P. 835-840.

74. Oliver M.K., Dimmock J.O., Mewhorter A.L., Roecl T.B. Conductivity studies in europium oxide // Phys. Rev. -1972. -V.B5. -N.3. -P. 1078-1079.

75. Самохвалов A.A., Гижевский Б.А., Лошкарев H.H., Арбузов Т.Н., Симонов М.И., Чеботарев Н.Н. Особенности явлений переноса в магнитном полупроводнике HgCr2Se4 р- и п-тира // ФТТ. -1981. -Т.23. -В. И.-С. 3467-3469.

76. Голант К.М., Цуркан В.В., Веселаго В.Г. Влияние продольного магнитного поля на фотопроводимость в магнитных полупроводниковых шпинелях р-типа // Письма в ЖЕТФ. -1978. -Т.28. -В.З. -С. 116-119.

77. Aminov T.G., Belov К.Р., Kalinnikov V.T., et.al. // J. Phys. Collog. -1980. -V.41.-P. 155-159.

78. Lungscheider W., Zinn W. Int. Conf. Kyoto. 1972. - Part 2/4.

79. Котельникова A.M., Аленина Л.Ф., Яковлев Ю.М., Туджанова И.Н., Линев Ю.А. Электропроводность монокристаллического CdCr2Se4 в переменных электрических полях // ФТТ. -1982. -Т.24. -В.6. -С. 16851690.

80. Дрокин Н.А., Кононов В.П., Чернов В.К., Чжан А.В. Магнитные материалы для радиоэлектроники. Красноярск, Изд-во ИФ СО АН СССР.-1982.-С. 128-143.

81. Harbelce G., Pinch Н. Magnitoabsorption in single crystal semiconducting ferromagnetic spinels //Phys. ReV. Lett. -1966. -V.17. -N.21. -P. 1090-1092.

82. Голик Jl.JI., Кунькова З.Э., Аминов Т.Г., Калинников В.Т. Магнитооптические свойства монокристаллов в области края поглощения // ФТТ. -1980. -Т.22. -В.З. -С. 877-880.

83. Balberg Г, Maman A. Critical behaviour of the optical absorption edge in CdCr2Se4//Phys. ReV.-1977. -V.B16. -N.10. -P. 4535-4545.

84. Голик Л.Л., Кунькова З.Э., Паксеев В.Е. Влияние легирования In на положение края поглощения и циркулярный дихроизм кристаллов CdCr2Se4. // Тез. докл. Всесоюзной конференции "Тройные полупроводники и их применение". Кишинев. -1983. -С. 32.

85. Мосс Т., Барел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника, М.: Мир, 1976.-431с.

86. Berger S.B., Ekstrom L. Optical properties of single-crystal films of CdCr2Se4 //Phys. ReV. Lett. -1969. -V.23. -N.26. -P. 1499-1503.

87. Lee Т.Н., Goburn I., Gluck R. Infrared optical properties and Faradey rottion of ferromagnetic HgCr2Se4 // Solid state comm. -1971. -V.9. -P. 1821-1824.

88. Lotgering F.K. Mixed crystal with spinel structure // J. Phys. Chem. Sol. -1968. -Y.29. -P. 699-709.

89. Prosser V., Iilideck P., Hoschl P., Polivka P., Zvara M. Preporation and basic physical properties of single crystals of cadmium chromium selenide CdCr2Se4 // Czech. J. Phys. -1974. -B.24. -P. 1168-1176.

90. Miyatani К., Okamoto F., Baltzer P.K., Osaka S., Oka T. Optical properties of impurity levels in CdCr2Se4 and CdCr2S4. AIP Conf. Proc. -1972. -V.5. -P. 286-289.

91. Sato K., Teranishi T. Photoconductivity and electronic structures of CdCr2Se4 //J. Phys. Soc. Japan. -1970. -V. -29. -N.2. -P. 523.

92. Веселаго В.Г., Виноградова Г.И., Утробин В.П. и др. Фотопроводимость в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // ФТТ. -1974. -Т. 16. -С. 16731676.

93. Amith A., Berger S.B. Spectral dependense of the photoconductivity in CdCr2Se4 // J. Appl. Phys. -1971. -V.42. -N.4. -P. 1472-1473.

94. Treitinger L., Brendecke H. Impurity band in In-doped CdCr2Se4 observed in the spectral dependense of the photoconductanse // Mat. Res. Bull. -1977. -V.12. -N.10. -P. 1021-1025.

95. Новиков JI.H., Голик JI.JI., Аминов Т.Г., Жегалина В.А., -Фотоэлектрические свойства CdCr2Se4 // ФТТ. -1980. -Т.22. -В.10. -С. 3032-3039.

96. Аминов Т.Г., Веселаго В.Г., Виноградова Г.И., Калинников В.Т., Утробин В.П., Шапшева Н.П. Фотопроводимость в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // ФТТ. -1974. -Т.16. -В.6. -С. 1673-1677.

97. Шавлов А.В. Свойства неравновесных носителей тока в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // Препринт ФИАН. -№.13 la. М., 1985. -25 с.

98. Kambara Т., Oguchi Т., Gondaira K.I. Elektronic band structures of semiconducting ferromagnetic spinels CdCr2S4 and CdCr2Se4 // J. Phys.C.: Solid St. Phys. -1980. -V.13. -P. 1493-1511.

99. Карпенко Б.В., Бердышев A.A. Косвенное взаимодействие через носителей тока в полупроводниках // ФТТ. 1963. -Т.5. -С. 345-346.

100. Бердышев А.А. Ферромагнитные полупроводники, в которых обменная связь осуществляется через электроны проводимости // ФТТ. -1966. -Т.8. -С. 1382-1389.

101. Teal R.W., Temple D.W. Photomagnetic anneal a new magnetooptic effect in Si-doped yttrium iron garnet // Phys. Rev. Lett. -1967. -V.19. -P. 904-907.

102. Enz U., van der Huder H. Two new manifestations of the photomagnetic effect // Solid state comm. -1968. -V.6. -P. 347-349.

103. Dilon J.F., Gyorgy E.M., Jr., Remeika J.R. Photoinduced uniaxsial magnetic anisotropy and optical dichroism in silicon-doped yttrium iron garnet (YIG(Si)) // J.Appl. Phys. -1970. -V.41. -P. 1211-1217.

104. Коваленко B.M., Куц П.С., Рубан B.A. Фотоиндуцированное изменение магнитных свойств Y3Fe50i2 // ФТТ. -1973. -Т.15. -С. 3707-3708.

105. Lems W., Rijnierse P.J., Bongers P.F., Enz U. Photomagnetic effekt in chalcogenide spinel //Phys. ReV. Lett. -1968. -V21. -P. 1643-1645.

106. Коваленко В.Ф., Нагаев Э.Л. Фотоиндуцированный магнетизм // УФН.-1986. -Т.148.-№4. -С. 561-602.

107. Ю9.Веселаго В.Г. О центровой модели фотомагнетизма. // Труды Института общей физики. 1993. -Т.44. -С. 85-91.

108. Виноградова Г.И., Гареев P.P. Динамика перемагничивания CdCr2Se4 и ее зависимость от освещения. // Труды Института общей физики. -1993. Т.44. -С. 32-69.

109. Haas С. Spin-disorder scattering and band structure of the ferromagnetic chalcogenide spinels // IBM J. of Res. And Dev. -1970. -V14. -N3. -P. 282288.

110. Рыбкин С. M. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. -М.: 1963. 494 с.

111. Абдуллаев А.А., Алиев А.Р., Камилов И.К. Токи биполярной диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках // Вестник Дагестанского научного центра, Математика и Физика. Махачкала. -2003. -№14. -С. 5-10.

112. Абдуллаев А. А., Алиев А. Р., Камилов И. К. Кинетика амбиполярных токов диффузии и дрейфа неравновесных носителей в полупроводниках // ФТП. 2003. - Т.37. - В.10. - С. 1184-1187.

113. Абдуллаев А.А. Роль уровней прилипания неравновесных электронов в процессе образования центров закрепления доменных стенок в магнитном полупроводнике CdCr2Se4 // ФТП. -Т.38. -В.7. -2004. -С. 796801.

114. Абдуллаев А.А. Устройство для выращивания кристаллов из раствора расплава. // Авторское свидетельство №1574696. приоритет с 1 декабря 1987г.

115. Абдуллаев А.А. Фотопроводимость и перенос носителей заряда в CdCr2Se4. // Сб. научн. тр. «Неравновесные носители в полупроводниках». Махачкала. - 1982. - С. 81- 86.

116. Бержанский В.Н., Чернов В.К. Подвижность фотовозбужденных носителей заряда в магнитных полупроводниках р-типа на основе CdCr2Se4 // ФТТ. -1980. -Т.22. -В.10. -С. 3179-3180.

117. Абдуллаев А.А. Фотопроводимость и транспортные свойства кристаллов CdCr2Se4, // Тез. докл. II Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. Одесса. - 1982. - С. 4.

118. Щик А.Я. Особенности фотоэлектрических и кинетических явлений в неоднородных полупроводниках. // Материалы VII ей школы по физике полупроводников. Л. -1975. -С. 487-490.

119. Шкловский В.И., Эфрос А.Д. Теория протекания и проводимость сильно неоднородных сред // УФН. -1975. -В.З. -С. 401-410.

120. Мотт Н., Девис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М., 1982. -650с.

121. Шлимак И.С. Материалы VII ей школы по физике полупроводников. Л. -1975.-С. 510-517.

122. Абдуллаев А.А. Сублинейные люкс-амперные характеристики в магнитных полупроводниках CdCr2Se4. // Тез. докл. VI Научно-практической конференции молодых ученых и специалистов «Молодежь и общественный прогресс». Махачкала. - 1984. - С. 70.

123. Harbeke G., Pinch Н. Magnetoabsorption in single-cristal semiconducting ferromagnetic spinels//Phys.ReV.Lett. -1966. -V.17. -N21. -P. 1090-1093.

124. Bush G., Magyar В., Wachter P. Optical absorption of some ferro- and antiferromagnetic spinel, containing Cr3+ ions // Phys. Lett. -1966. -V.23. -N 7.-P 438-440.

125. Iton Т., Mijata N. Narita Sh. Japan J. Appl. Phys. -1973/ -V.12. -B.8. -1265.

126. Лашкарев B.E., Медведев B.C., Скопенко Н.И., Федорус Г.А., Шейнкман М. К. Фотосопротивление из CdS- монокристаллов и их фотоактивация // ДАН СССР. -1952. -Т.86. -В.5. -С. 905-907.

127. Калинников В.Т., Аминов Т.Г., Голик Л.Л., Новиков Л.Н., Жегалина В.А., Шумилкин Н.С. Влияние вакуумной обработки на электрические свойства чистых и легированных монокристаллов CdCr2Se4 // Изв. АН СССР, Неорг. матер. -1978. -Т. 14. -В.8. -С. 1408—1412.

128. Amith A., Gansalus C.L. Unique behavior of Seebelc in the n-type. CdCr2Se4 // J. Appl. Phys. -1969. -V.40. -P. 1020-1022.

129. Абдуллаев А.А., Гаджиев А.З. Роль уровней прилипания в проявлениях низкотемпературных особенностей CdCr2Se4. // Тез. докл. VIII-Международного совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердых телах. Варна. -1986.-С. 112.

130. Абдуллаев А.А., Гаджиев А.З. Остаточные явления в CdCr2Se4. // Тез. докл. V Всесоюзн. конф. «Тройные полупроводники и их применение». -Кишинев, 1987.-С. 146.

131. Vishnu С. Srivastava. Pressure dependence of ferromagnetic phase transisions of chromium chalcogenide spinels // J. API. Phys. -1969. -V.40. -P. 10171019.

132. Веселаго В .Г., Голант К.М., Ковалева И.С. , Юрин И.М. ЖЭТФ, 1984, Т.86, С. 1857.

133. Абдуллаев А.А., Анзин В.Б., Ирисов А.А., Шахаиов А.В. Фотоэлектрические свойства селенохромита ртути. // Тез. докл. V Всесоюзн. коиф. «Тройные полупроводники и их применение». -Кишинев.- 1987.-С. 154.

134. Абдуллаев А.А., Гаджиев А.З., Караева У.М. Фотоэлектрические свойства HgCr2Se4. // Тез. докл. Всесоюзн. научн. конф. «Фотоэлектрические явления в полупроводниках». Ташкент. - 1989. -С. 234.

135. Абдуллаев А.А., Гаджиев А.З. Фотопроводимость монокристаллов HgCr2Se4. // Тез. докл. Научной сессии Дагестанского филиала АН СССР. Махачкала. - 1988. - С. 15.

136. Абдуллаев А.А. Влияние магнитного упорядочения на прыжковую проводимость халькогенидного шпинеля CdCr2Se4. // Тез. докл. Всесоюзного семинара «Магнитные фазовые переходы и критические явления». Махачкала. - 1984. - С. 184.

137. Абдуллаев А.А., Гаджиев А.З. Влияние поверхностных явлений на фотоэлектрические свойства CdCr2Se4 // ФТП. -1989. -Т.23. -В.5. -С. 876-880.

138. Абдуллаев А.А., Гаджиев А.З. Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в CdCr2Se4 // ФТП. -1991. -Т.25. -В.1. -С. 30-34.144.3еегер К. Физика полупроводников. -М.: Мир, 1977. -161с.

139. Абдуллаев А.А., Алиев А.Р., Камилов И.К. Способ определения дрейфовой подвижности полупроводников. // ПАТЕНТ Российской Федерации на изобретение №2239913. приоритет 5августа 2002г.

140. Абдуллаев А.А., Алиев А.Р., Камилов И.К. Дрейфовая подвижность неравновесных носителей. // Тез. докл. V Международн. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». Ульяновск. - 2003. - С. 120.

141. Абдуллаев А.А., Алиев А.Р., Камилов И.К. Дрейфовая подвижность в полупроводниках. // Тез. докл. VI Российской конференции по полупроводникам. С.-Петербург. - 2003. - С. 200.

142. Стильбанс JI.C. -Физика полупроводников. -Москва.: Советское радио, 1967. 437с.

143. А.А. Abdullaev. The role of levels of trapping of nonequilibrium electrons in forming centers of fastening domain walls in a CdCr2Se4 magnetic semiconductor// Semiconductors. -2004. -V.38. -N7. -P. 763-768.

144. Абдуллаев А.А. Фотоиндуцированные центры закрепления доменных стенок в магнитном полупроводнике CdCr2Se4. // Тез. докл. V Международн. конф. «Оптика, оптоэлектроника и технологии». -Ульяновск.-2003.-С. 189.

145. Дорошенко Р.А. Фотомагнитные явления иттрий-железистых гранатах // Труды Института общей физики. -1993. -Т.44. -С. 105-147.

146. Enz. U., Lems. W., Metselar R. Photomagnetic effect. // IEEE Trans. -1969. -V.5. -N3. -P. 467-475.