Физико-химические закономерности получения допированных галогенами пленок PbS для быстродействующих фотодетекторов

Шнайдер, Алексей Владимирович

Физико-химические закономерности получения допированных галогенами пленок PbS для быстродействующих фотодетекторов тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Шнайдер, Алексей Владимирович АВТОР

кандидата технических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Екатеринбург МЕСТО ЗАЩИТЫ

2009 ГОД ЗАЩИТЫ

02.00.04 КОД ВАК РФ

Диссертация по химии на тему «Физико-химические закономерности получения допированных галогенами пленок PbS для быстродействующих фотодетекторов»

Автореферат диссертации на тему "Физико-химические закономерности получения допированных галогенами пленок PbS для быстродействующих фотодетекторов"

На правах рукописи

Шнайдер Алексей Владимирович

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ДОПИРОВАННЫХ ГАЛОГЕНАМИ ПЛЕНОК РЬ8 ДЛЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ ФОТОДЕТЕКТОРОВ

Специальность 02.00.04 - Физическая химия

Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Екатеринбург 2009

003468108

Работа выполнена на кафедре физической и коллоидной химии ГОУ ВПО «Уральский государственный технический университет - УПИ имени первого Президента России Б.Н. Ельцина»

Научный руководитель -

доктор химический наук, профессор Маскаева Лариса Николаевна

Официальные оппоненты - доктор технических наук, профессор

Барбин Николай Михайлович

доктор химических наук, профессор Никифоров Александр Федорович

Ведущая организация

ГОУ ВПО «Уральский государственный университет имени А.М. Горького»

Защита состоится 20 мая 2009 года в 1400 часов на заседании специализированного совета Д 212.298.04 при Южно-Уральском государственном университете по адресу: 454080, г. Челябинск, пр. им. В.И. Ленина, 76, Ученый совет университета.

Ваш отзыв в одном экземпляре, подписанный и заверенный гербовой печатью, просим направлять по указанному адресу.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ЮУрГУ

Автореферат разослан /(? £И2009 года. Ученый секретарь

доктор технических наук

диссертационного совета,

А.В. Рощин

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Ущерб от пожаров - в настоящее время одна из важнейших проблем не только в России, но и во всем мире. Очень часто площадь пожара увеличивается за считанные секунды, в результате чего уже через незначительное время после возгорания справиться с развитыми пожарами бывает достаточно сложно, а иногда и невозможно. Таким образом, остро стоит проблема их быстрого обнаружения на стадии возникновения горения.

Своевременное обнаружение очагов возгорания наиболее эффективно при использовании пожарных извещателей, в основе работы которых лежит оптический принцип детектирования. Их чувствительными элементами являются фотоприемники видимого и инфракрасного излучения. Они способны своевременно и дистанционно обнаруживать открытое пламя, тлеющие очаги возгорания, а также нагретые свыше допустимого узлы и агрегаты технологического оборудования.

Особенно важной задачей является раннее обнаружение возгораний на объектах, где в большом количестве присутствуют взрывоопасные вещества, в двигателях самолетов, в угольных шахтах, в замкнутых пространствах подводных аппаратов и космических кораблей, в других помещениях, где есть высокая опасность гибели людей.

Одними из лучших по своей детектирующей способности в видимой и ближней ИК-области спектра (0,4-3,2 мкм) являются фотоприемники на основе сульфида свинца. Однако предлагаемые коммерческими фирмами образцы фоторезисторов на его основе имеют постоянную времени при 298 К не менее 200-400 мкс, что является достаточно большими величинами для детектирования быстро протекающих процессов. К тому же технология гидрохимического осаждения пленок, как правило, включает в себя операцию термосенсибилизации, которая не всегда обеспечивает хорошую воспроизводимость свойств. В связи с этим вопросы повышения быстродействия пленок сульфида свинца и совершенствования технологии их гидрохимического осаждения являются очень актуальными. Их решение позволило бы создать фотодетекторы, обеспечивающие более раннее включение систем пожаротушения с целью предотвращения развития пожара. Одним из путей совершенствования технологии синтеза и улучшения фотоэлектрических характери-

стик РЬБ является разработка условий получения пленок, допированных такими электроактивными примесями как хлор, бром и йод.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты № 05-08-50249а, № 06-03-08103 офи).

Цель работы. Разработка физико-химических основ гидрохимического осаждения пленок сульфида свинца, допированных галогенами; изготовление на их основе быстродействующих экспериментальных образцов фотодетекторов для пожарных извещателей, исследование их фотоэлектрических и эксплуатационных характеристик.

Для достижения цели работы были поставлены следующие задачи:

1) проведение анализа ионных равновесий в цитратно-аммиачной реакционной смеси, содержащей в качестве халькогенизатора тиомочевину, с целью определения условий осаждения твердой фазы сульфида свинца;

2) исследование кинетики химического осаждения РЬБ в зависимости от содержания компонентов реакционной смеси, в том числе N11(01, М^Вг, Ш41, и температуры процесса с определением частных порядков по компонентам и составлением формально-кинетического уравнения скорости;

3) получение пленок сульфида свинца в присутствии галогенидов аммония, определение их состава, структуры и морфологии;

4) изучение фотоэлектрических и спектральных характеристик пленок РЬБ, допированных галогенами, с определением вольт-ватгной чувствительности и постоянной времени, проведение их низкотемпературных исследований;

5) изготовление экспериментальных образцов одноэлементных фоторезисторов на основе допированных галогенами пленок РЬБ для пожарных извещателей, исследование их частотных, температурных и эксплуатационных характеристик.

Научная новизна работы

1. Установлено влияние присутствующих в реакционной смеси солей галогенидов аммония на константу скорости осаждения сульфида свинца и энергию активации процесса. Константа скорости осаждения снижается при одном и том же содержании солей в ряду НН4С1—»М-^Вг—>№14.

2. Показано влияние добавок галогенидов аммония на состав, структуру и морфологию пленок PbS. Кристалличность и размеры микрокристаллов пленок уменьшаются в ряду от NH4CI к NH4I.

3. Введение в реакционную смесь галогенидов аммония значительно повышает уровень фотоответа пленок PbS к инфракрасному излучению.

4. По результатам низкотемпературных исследований пленок сульфида свинца, допированных хлором и бромом, впервые установлен собственный тип проводимости до температур 160 и 180 К соответственно.

5. Впервые установлены аномально низкие значения постоянной времени (3-12 мкс) пленок PbS, допированных хлором и бромом.

Практическая ценность

1. Показано, что введение в реакционную смесь галогенидов аммония при гидрохимическом осаждении пленок PbS повышает их чувствительность к ИК-излучению, исключая тем самым операцию термосенсибилизации.

2. Разработаны условия гидрохимического осаждения фоточувствительных пленок сульфида свинца с постоянной времени 3-12 мкс.

3. Изготовлены и внедрены экспериментальные образцы одноэлементных быстродействующих фоторезисторов для пожарных извещателей.

Положения, выносимые »ta защиту

1. Результаты кинетических исследований осаждения пленок PbS в присутствии хлорида, бромида и иодида аммония.

2. Результаты экспериментальных исследований состава, структуры и морфологии пленок PbS, допированных галогенами; данные их низкотемпературных исследований.

3. Результаты исследований фотоэлектрических и пороговых характеристик пленок PbS, допированных галогенами.

4. Технологические условия изготовления одноэлементных быстродействующих фоторезисторов для использования их в качестве чувствительных элементов пожарных извещателей и их эксплуатационные характеристики.

Публикации и апробация работы. По результатам исследований опубликовано 15 печатных работ (в том числе 2 статьи в журналах из списка ВАК), 1 статья в сборнике научных трудов, 11 тезисов докладов на Международных и Всероссийских конференциях, получен патент на полезную модель.

Основные результаты и положения диссертационного исследования докладывались и обсуждались на VII Международной научной конференции «Прикладная оптика - 2006» (С. Петербург, 2006), IV Международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллиза-ция. Биокристаллизация» (Иваново, 2006), Fifth International Conference on Inorganic Materials (Ljubljana, 2006), VIII Всероссийской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2007» (Екатеринбург, 2007), VII International Scientific Conference «Solid State Chemistry and Modern micro- and nanotechnologies» (Kislovodsk, 2007), VI Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов «РСНЭ-2007» (Москва, 2007), Второй Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы обеспечения безопасности в Российской Федерации» (Екатеринбург, 2008), Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы пожарной безопасности» (Москва, 2008), II Всероссийской конференции «Безопасность критичных инфраструктур и территорий» (Екатеринбург, 2008).

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, общих выводов и приложения, содержит 124 страницы, включая 7 таблиц и 32 рисунка, библиографический список содержит 153 наименования цитируемой литературы.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность выбранной темы, сформулированы цель и задачи диссертационного исследования, сформулированы научная новизна и практическая значимость работы, изложены основные положения, выносимые на защиту, приведены результаты апробации работы.

В первой главе приведен обзор публикаций, посвященных получению и свойствам фоточувствительных материалов для видимого и ближнего ИК-диапазона и фотодетекторам на их основе. Анализ серийно выпускаемых фотодетекторов, применяющихся в устройствах обнаружения пожара, показал перспективность использования тонких пленок PbS в качестве чувствительных элементов с высокими пороговыми характеристиками.

Наиболее перспективным способом получения пленок сульфида свинца следует считать простой в аппаратурном оформлении метод гидрохимическо-

го осаждения, позволяющий за счет гибкого варьирования условий синтеза создавать фоточувствительные материалы с новыми свойствами. Рассмотрены пути сенсибилизации слоев РЬБ к ИК-излучению: термообработка, введение в реакционную смесь веществ-оксидантов, включение в пленку основных солей свинца, введение электроактивных легирующих добавок.

Во второй главе описаны исходные реагенты, используемые при гидрохимическом осаждении сульфида свинца, методика подготовки подложек и условия проведения осаждения пленок. При исследовании осажденных слоев использовались рентгеновская дифракция, растровая электронная микроскопия и Оже-электронная спектроскопия. Описаны методики измерения толщин пленок РЬБ, фотоэлектрических параметров, спектральных, амплитудно-частотных характеристик и проведения низкотемпературных исследований.

В третьей главе приведен расчет ионных равновесий в реакционной смеси с целью определения условий образования сульфида свинца из цитратно-аммиачной реакционной системы с использованием тиомочевины и результаты кинетических исследований.

Осаждение пленок сульфида свинца протекает по реакции: РЬ(Ь)2+ + ^ЩСБ + 20Н~ = РЬБ + Н2СМ2 + 2Н20 + Ь, (1)

где Ь - комплесообразующий агент.

Базируясь на равенстве произведения растворимости РЬБ ионному произведению начальных концентраций ионов свинца и серы (ПРрЬ5 = [РЬ2+]Н • [Б2-]^ и анализе ионных равновесий в системе, граничные условия его образования можно описать следующим выражением:

= рПРрЬ5-рарьг+ -р%25 + 2рН-Ьр^-^р[^Н4С5]н (2)

где р - отрицательный логарифм; Си - концентрация начала образования твердой фазы РЬБ; аРь2+ - долевая концентрация незакомплексованных ионов свинца; - константа ионизации сероводородной кислоты; Кс - константа гидролиза тиомочевины; [К2Н4С5] 1: - концентрация тиомочевины;

^ — отношение, учитывающее константы диссоциации цианамида и серово-Рг

дорода, как продуктов разложения тиомочевины.

Из уравнения (2) видно, что условия образования сульфида свинца определяются значениями основных параметров системы: рН среды, концентра-

цией тиомочевины, начальной концентрацией соли свинца и устойчивостью его комплексных форм. Аналогично были рассчитаны условия образования гидроксида свинца с учетом потенциальной возможности его образования,

Однако результаты расчетов по (2) не всегда дают удовлетворительное соответствие с экспериментом, поскольку не учитывается кристаллизационный фактор. Началу образования новой фазы при гидрохимическом осаждении соответствует критическая степень пересыщения по сульфиду, определяющая энергию образования зародышей, размер их критического радиуса и начальные концентрационные условия зарождения частиц новой фазы. Учитывая, что критическая степень пересыщения связана с величиной критического радиуса соотношением Томсона-Оствальда, граничные условия образования РЬБ с учетом кристаллизационного фактора могут быть определены из выражения:

где а - удельная поверхностная энергия для кристаллографической грани (111), равная 1,0 Дж/м2; VM - молярный объем PbS, равный 3,2-10"5 м3/моль; R - универсальная газовая постоянная; Т - температура; гкр эка - радиус зародыша критического размера.

Учет кристаллизационного фактора позволяет на 3-5 порядков уточнить значение начальной концентрации свинца в реакционной смеси.

Для оптимизации состава реакционной смеси были проведены кинетические исследования в условиях самопроизвольного зарождения твердой фазы PbS в присутствии галогенидов аммония для концентрационных пределов компонентов, моль/л: ацетат свинца 0,01-0,08; тиомочевина 0,3-0,7; цитрат натрия 0,1-0,4; водный раствор аммиака 2,0-5,0; хлорид, бромид, йодид аммония 0-0,4. Температура изменялась в пределах 333-363 К.

С учетом найденных частных порядков реакции по компонентам смеси были составлены формально-кинетические уравнения скорости осаждения PbS. В случае введения в реакционную смесь N^Br уравнение имеет вид:

11 1Я

рСв = рПРрЬ5 - раРЬ*+ - pkHjs + 2рН - - рКс - -p[N2H4CS]H ~ z

(3)

Из уравнения (4) видно, что цитрат натрия, выступающий в качестве ком-плексообразующего агента для свинца, и бромид аммония ингибируют процесс образования РЬБ, а тиомочевина значительно его ускоряет. Выражение (4) использовано для определения состава реакционной смеси при гидрохимическом осаждении РЬБ, моль/л: [РЬАс2]=0,04; [Ыа3Ск]=0,3; р\Г2Н4С8]=0,58; [Ш4С]=0,25; [МН40Н]=4,0.

В качестве примера на рис. 1 приведены типичные кинетические кривые осаждения РЬБ при различном содержании в реакционной смеси бромида аммония. Аналогичный характер имеют кинетические кривые в присутствии ЫЦС! и N11(1. Наблюдаемое замедление процесса усиливается в ряду Ш4С1->М-14Вг->ЫН41. Это обусловлено уменьшением концентрации ионов РЬ2+ за счет образования его комплексных соединений и малорастворимых галогенидов и гидроксогалогенидов металла и одновременным снижением концентрации сульфидной серы, связанным с замедлением скорости гидролитического разложения тиомочевины из-за понижения рН реакционной смеси с 11,8 до 11,2; 11,0; 10,8 в присутствии N11(01, 1ЧН4Вг, N11(1, обладающих выраженным буферным действием.

Установлено, что в пределах одного галогенида при увеличении его концентрации с 0,1 до 0,4 моль/л константа скорости образования РЬБ уменьшается. Так, в присутствии ЫЩЗг она изменяется от 5,5'10"4 до 1,3-10"4 с-1. Усиление этой тенденции наблюдается в ряду ЫН4С1—►ЖЦВг-ЖЬМ. При концентрации солей 0,3 моль/л константа соответственно равна 2,2'10"4; 1,7'Ю-4; 9,2'10~5 с"'. В отсутствии добавок аммонийных солей в реакционной смеси величина константы скорости образования РЬ8 существенно выше — 1,810_3 с"'. Об ингибировании процесса в присутствии №£4С1, М^Вг, N11)1

.0,04

;о,оз

; 0,02

■0,01

0,00

40 60 80 100 120 Время, мин.

Рис. 1. Кинетические кривые осаждения твердой фазы РЬЭ при концентрациях ИН^Вг, моль/л:

0,0(1), 0,1 (2), 0,2 (3), 0,3 (4). Температура - 353 К. Состав раствора, моль/л: РЬАс2 - 0,04; Ка3СИ - 0,3; К2Н4СЗ - 0,58; Ш4ОН - 4,0

свидетельствуют и значения энергии активации процесса, соответственно равные 46,1±3,6; 50,1±3,1; 79,6±1,6 кДж/моль.

Выявленные кинетические особенности осаждения сульфида свинца в присутствии галогенидов аммония, несомненно, оказывают существенное влияние на условия зарождения твердой фазы РЬ8, структуру и морфологию осаждаемых пленок.

В четвертой главе описаны результаты исследования структуры, состава и морфологии пленок сульфида свинца с использованием рентгеновского, элементного и электронно-микроскопического анализов, изучены фотоэлектрические свойства слоев РЬБ, осажденных в присутствии хлорид-, бромид- и иодид-ионов.

В результате травления и послойного элементного анализа поверхности пленок с использованием Оже-электронной спектроскопии была установлена значительная нестехиометрия РЬБ по содержанию серы, составляющая от 0,4 до 5,7 ат. %. На рис. 2 приве-

8 ат %

435

420

Ь, НМ 405

Химический элемент Рис. 2. Содержание С, N. О и С1 по толщине допирован-ной хлором пленки РЬ8, синтезированной из реакционной смеси, содержащей моль/л: РЬАс2 - 0,04; Ыа3Сй - 0,3; Ы2Н4С8 - 0,58; дено распределение при- ИН4ОН - 4,0; 1ЧН4С1 - 0,25. Температура - 343 К. Время месных атомов кислорода, азота, углерода и хлора по толщине пленки сульфида свинца, допированной хлором. Обращает на себя внимание значительное содержание кислорода (до 2,2 ат. %) вблизи подложки и углерода (4,2 ат. %) в приповерхностном слое, свидетельствующие, вероятно, об образовании кислородсодержащих основных солей свинца на начальном этапе формирования слоя, а также цианамида с ростом его толщины. Содержание галогенов увеличивается в ряду от хлора к йоду и находится в пределах от 1,6 до 2,8 ат. %.

При изучении методом рентгеновской дифракции пленок РЬБ, осажденных без добавок и в присутствии галогенидов аммония, была найдена постоянная кристаллической решетки для кубического сульфида свинца со струк-

турой В1 (пр. гр. РтЗт). Установлено, что происходит увеличение параметра решетки РЬБ при введении в реакционную ванну галогенидов аммония.

Влияние вводимых в цитратно-аммиачную смесь солей галогенидов аммония на морфологию осаждаемых слоев представлено на рис. 3. Средний размер кристаллитов, по данным электронно-

микроскопических исследований, изменяется от 260 нм для пленок, осажденных из растворов без добавки галогенидных солей, до 170; 120; 40 нм для слоев, полученных в присутствии соответственно ЫЬЦС!, №14Вг, МИД. По результатам исследований установлено, что от хлора к йоду однородность структуры пленок РЬБ повышается.

Результаты оценки размера кристаллитов по определению областей когерентного рассеяния удовлетворительно согласуется с данными электронной микроскопии.

Обнаруженные различия в структуре, размерах микрокристаллитов пленок РЬБ могут существенно сказаться на их полупроводниковых свойствах. Для выяснения характера влияния галогенидов аммония на фотоэлектрические свойства пленок РЬБ в видимом и инфракрасном диапазонах спектра были проведены измерения темнового сопротивления, напряжения фотосигнала и шумов, постоянной времени. Оказалось, что введение в реакционную смесь галогенидов повышает уровень фотоответа пленок РЬ5 к ИК-излучению в 20-500 раз по сравнению с недопированными слоями.

|НН4С1

ИНД

Рис. 3. Электронно-микроскопические изображения пленок РЬЭ без добавок и в присутствии 1ЧН40. Состав раствора, моль/л: РЬАс2 - 0,04; №3Ск - 0,3; М2Н4СЗ - 0,58; Ш4ОН - 4,0. Подложка - ситалл

На рис. 4а приведены зависимости изменения вольт-ваттной чувствитель-

1200

§ ™ 800 ё в

I § 600

0,1 0,2 0,3 Концентрация ЫЩС, моль/л

ности пленок (отношение напряжения сигнала фотоотклика к облученности образца) от

концентрации солей в & §

п 5 Ё 400

растворе. Для всех трех ¡§ «

галогенидов отмечается 200

ЕГ

выраженный максимум фотоотклика, соответствующий их содержанию в реакционной смеси 0,17-0,25 моль/л. По сенсибилизирующей способности галогениды аммония можно расположить в ряд: т^Ы^СКШД. Полученный уровень фо-

01-

точувствительности пле- о,о 0,1 0,2 о,з

Концентрация Ь'НдС, моль/л НОК РЬа, допированных рис 4 завнсимость вольт-ваттной чувствительности (а) галогенами, позволяет ис- и постоянной времени (Ь) пленок РЬБ от концентрации

в реакционном растворе ИНдО

ключить технологическую

операцию термообработки, используемую в большинстве случаев для сенсибилизации слоев, что существенно упрощает технологическую схему получения фоточувствительных пленок РЬБ.

Допирование пленок РЬБ галогенами, в частности хлором и бромом, выявило еще одну интересную особенность свойств: аномально низкие значения постоянной времени слоев (3-12 мкс) при относительно высоком уровне фоточувствительности (рис. 4Ь). Эти значения в 100-200 раз ниже, описанных в справочной литературе и представленных в коммерческих образцах детекторов РЬБ.

С целью объяснения полученных результатов были проведены низкотемпературные исследования всех видов пленок. Пленки PbS, осажденные из аммиачно-цитратной реакционной смеси, имеют "п." — тип проводимости. Допирование галогенами изменяет их полупроводниковые свойства. По данным низкотемпературных исследований введение в реакционный раствор NH4CI придает слоям неустойчивый "р" - тип. До температуры 160 К наблюдается поведение пленок, характерное для PbS с собственной проводимостью при термической ширине запрещенной зоны 0,37-0,38 эВ. Эти значения хорошо согласуется с литературными данными для собственного PbS. Введение в раствор NHiBr обеспечивает квазисобственный тип проводимости пленок до 180 К. Найденная термическая ширина запрещенной зоны составила около 0,40 эВ. Значительное уменьшение времени жизни носителей в этом случае можно объяснить формированием в запрещенной зоне PbS акцепторных уровней, обладающих высокой рекомбинационной способностью. Осаждение слоев из растворов, содержащих NH4I, дает выраженный "р" - тип проводимости и значение термической ширины запрещенной зоны 0,51-0,53 эВ, что объясняется вкладом широкозонных примесных галогенсодержащих фаз. Таким образом, при допировании пленок сульфида свинца галогенами от хлора

к иоду за счет повышения степени компенсированное™ материала характер проводимости при

Т>160К изменяется от квазисобственного до выраженного -типа.

Типичные кривые спектральной чувствительности слоев РЬ8, до-пированных различными галогенами, приведены на

1.2 1,0

I 0,6

0,4

!Л

0,2

0,01— 0,0

0,5 1,0

2,0 2,5

3,0

1,5

X ,мкм

Рис. 5. Относительная спектральная фоточувствительность пленок РЬБ, осажденных из растворов, содержащих 0,3 моль/л Ш4Вг (1), Ш4С1 (2), ЫН41 (3) при 300 К

рис. 5. Обращает на себя внимание некоторый сдвиг максимума на кривых фоточувствительности с 2,6 до 2,2 мкм и правой границы фоточувствительности в коротковолновую область в ряду №14Вг-М-14С1-МН41. Это коррелирует

с увеличением их вольт-ваттной чувствительности при оптимальном содержании этих солей в реакторе.

В пятой главе описана технология изготовления одноэлементных фоторезисторов, представлены результаты исследований их фотоэлектрических, амплитудно-частотных и других эксплуатационных характеристик. Для создания фотодетекторов, предназначенных для использования в пожарных из-вещателях, способных на ранней стадии регистрировать момент возгорания, предпочтительным является использование пленок сульфида свинца, допиро-ванных хлором и особенно бромом, поскольку они при достаточно высоких значениях фотоответа обладают очень малыми значениями постоянной времени (от 3 до 12 мкс). На основе этих слоев были разработаны экспериментальные образцы быстродействующих фоторезисторов.

Одноэлементные фоторезисторы изготавливались с использованием «мокрой» фотолитографии. Размеры чувствительного элемента составляли 0,48x0,48; 1,0x1,0 и 1,5x1,5 мм. В качестве контактных площадок применялся электрохимически осажденный никель, к которому с использованием низкотемпературного припоя типа ПОСК припаивались проводники из тонкой медной проволоки. «Чип» фоторезистора в токе сухого воздуха или аргона помещался в корпус типа ТО-5. Основание и крышка корпуса соединялись с использованием лазерной сварки. Изготовленные фоторезисторы были подвергнуты комплексным исследованиям с определением основных пороговых, частотных и спектральных характеристик.

На рис. 6 приведены частотные характеристики изготовленных фоторезисторов на основе допированной бромом пленки РЬБ, представляющих особый интерес в связи с возможностью использования в быстродействующих пожарных извещателях мерцающего пламени. Данные, представленные на рисунке, подтверждают быстродействие разра-

£ Гц

Рис. 6. Частотные характеристики фотоответа (1) н обнаружительной способности (2) фоторезистора на основе пленки РЬЭ, допированной бромом

ботанного фоторезистора и его способность работать до частоты модуляции 32 кГц, что соответствует постоянной времени ~5 мкс.

Результаты испытаний эксплуатационных характеристик фотодетекторов (устойчивости пороговых параметров во времени и влиянии на них периодических температурных воздействий), изготовленных на основе РЬБ, допиро-ванного хлором, показали высокую стабильность параметров на протяжении трех лет с момента изготовления. Постоянная времени сохранилась на уровне 4,3-7,4 мкс, темновое сопротивление также изменилось незначительно и составило 62-150 кОм, фотосигнал же в среднем вырос на 30 %, что, вероятно, связано с произошедшими процессами упорядочения структуры полупроводникового материала при старении.

Для выяснения влияния внешних воздействий на фотоэлектрические свойства разработанных фоторезисторов была проведена серия испытаний с периодическим их нагреванием до 333-343 К и последующей выдержкой при 300 К. Было установлено, что после пяти циклов периодического нагревания пороговые характеристики фоторезисторов практически стабилизируются, что говорит о постоянстве их свойств при длительных нагревах до 343 К. Исследования показали, что экспериментальные фоторезисторы выдерживают кратковременный (20-30 минут) нагрев до 373 К без заметного ухудшения фотоэлектрических характеристик.

Представляющие особый интерес и перспективу фоторезисторы на основе бромсодержащих слоев сульфида свинца обладают следующими фотоэлектрическими и спектральными характеристиками при 298 К: темновое сопротивление - 80-120 кОм, диапазон спектральной чувствительности -0,4-3,0 мкм, положение максимума спектральной чувствительности -2,5-2,6 мкм, обнаружительная способность в 1тах для чувствительного элемента с размерами 0,48x0,48 мм - до 2,0-Ю10 см-Вт^-Гц"2, постоянная времени - 3-5 мкс. Охлаждение чувствительного слоя до 213 К приводит к росту обнаружительной способности до 3,0-10 см- Вг'-Гц"2.

Разработанные фоторезисторы перспективны при использовании как без охлаждения, так и при установке одно-, двухкаскадных термоэлектрических охладителей (ТЭО) для применения в качестве ИК-приемников в активных узлах пожарной сигнализации и пожарных извещателях для обнаружения очагов открытого пламени и начальной фазы возгорания в условиях ограни-

ченной видимости. Установка входного окна из кремния позволяет исключить ослепление прибора солнечным и другим фоновым излучением и резко уменьшить частоту ложных срабатываний. Разработанные ИК-датчики могут работать как автономно, так и в составе автоматической системы пожарной сигнализации в нефтяной, угольной, газовой промышленности, на предприятиях по переработке пожаро- и взрывоопасных веществ, складах ЛВЖ, для обнаружения возгораний в двигателях воздушных судов, замкнутых объемах, на железнодорожном и морском транспорте, глубоководных аппаратах.

ВЫВОДЫ

1. Проведен анализ ионных равновесий и определены граничные условия осаждения сульфида и гидроксида свинца в цитратно-аммиачной системе, в том числе с учетом кристаллизационного фактора.

2. Выявлены физико-химические закономерности осаждения РЬБ в зависимости от допирующей добавки галогенов. Установлено, что введение в реакционную смесь галогенидов аммония (МН4С1, №14Вг, МНД) ингибирует процесс образования твердой фазы сульфида свинца. Энергия активации процесса образования РЬБ в присутствии в реакционной смеси М^СЛ, М-ЦЗг, ЫНД составила 46,1±3,6; 50,1±4,1; 79,6±1,6 кДж/моль.

3. С использованием полнопрофильного метода Ритвелда произведен расчет периода кристаллической решетки пленок РЬБ, синтезируемых из реакционных смесей, включающих галогениды аммония. Сделан вывод, что в ряду №!(□—>МН4Вг—»ИНД наблюдаемое увеличение постоянной кристаллической решетки (0,59318±0,00006, 0,59332±0,00008; 0,59331±0,00012 нм) обусловлено ростом содержания галогена в пленке (С1-1,6 ат.%; Вг-1,9 ат.%; 1-2,8 ат. %).

4. Размеры микрокристаллитов пленок РЬБ (С1), РЬБ (Вг), РЬБ (I), оцененные по формуле Дебая (140, 120, 40 нм), удовлетворительно согласуются с данными электронной микроскопии (170,120,40 нм).

5. Низкотемпературными исследованиями установлен переход квазисобственного типа проводимости в выраженный "/?"—тип с увеличением термической ширины запрещенной зоны, составляющей 0,37-0,38; 0,40; 0,51-0,53 эВ, в ряду РЬБ (С1), РЬБ (Вг), РЬБ (I).

6. Впервые синтезированы фоточувствительные пленки сульфида свинца с аномально малой постоянной времени (3-12 мкс), которая в 100-200 раз меньше аналогичного параметра известных образцов.

7. Разработаны и из готовлены экспериментальные образцы одноэлементных фоторезисторов на основе допированных хлором и бромом пленок РЬБ. Исследованы их частотные, температурные и эксплуатационные характеристики. Фоторезисторы на основе пленок сульфида свинца с добавкой брома внедрены для изготовления экспериментальной партии пожарных извещателей.

Основные результаты диссертации отражены в следующих работах: Статьи в ведущих рецензируемых журналах

1. Получение высокочувствительных к ИК-излучению пленок РЬБ, осажденных из галогенидсодержащих растворов / В. Ф. Марков, А. В. Шнайдер, М. П. Миронов, В. Ф. Дьяков, Л. Н. Маскаева // Перспективные материалы. -2008.-№3.-С. 28-32.

2. Быстродействующие инфракрасные детекторы обнаружения очагов открытого пламени и тления / А. В. Шнайдер, М. П. Миронов, А. В. Гусельников, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Пожаровзрывобезопасность. - 2008. - № 2. - С. 14-17.

Патенты

3. Пат. 74709 Российская Федерация, МПК7 в 01 N 21/55. Делитель оптического пучка / Р. Д. Мухамедьяров, М. П. Миронов, В. Ф. Дьяков, А. В. Шнайдер, X. Н. Мухамедзянов, Г. Р. Мухамедьярова, Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков; заявитель и патентообладатель Урал. гос. тех. ун-т. — № 2008111115/22; заявл. 24.03.08; опубл. 10.07.08, Бюл. № 19. - 2 с.: ил.

Статьи в научных сборниках

4. Исследование электрофизических свойств пленок РЬБ с целью применения в качестве чувствительных элементов приборов обнаружения очагов возгорания и тления / М. П. Миронов, А. В. Шнайдер, Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков // Химия и химическая технология / Сборник трудов.Урал. гос. техн. ун-т. Екатеринбург, 2006. - С. 89-92.

Материалы Международных и Всероссийских конференций

5. Структура и свойства нанокристаллических пленок сульфида свинца / М. П. Миронов, Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, Г. Р. Мухамедьярова,

A. В. Шнайдер, С. А. Орлов // Перспективные химические материалы и технологии для различных отраслей народного хозяйства : Сб. докладов науч.-практ. конф., Екатеринбург, 23 нояб. 2005 г. / ЗАО «Урал, выставки -2000». -Екатеринбург, 2005. - С. 60-63.

6. Фотоприемники для ближнего ИК-диапазона на основе легированного галогенидами PbS / М. П. Миронов, А. В. Шнайдер, В. Ф. Марков, JI. Н. Мас-каева // Прикладная оптика - 2006 : Сб. тр. VII Межд. науч. конф. Т. 2. Оптические материалы и технологии, С. Петербург, 16-20 окт. 2006 г. / Оптическое общество им. Д. С. Рождественского. - С. Петербург, 2006. - С. 290.

7. Кинетика осаждения PbS в присутствии галогенидов аммония, морфология и структура пленок / М. П. Миронов, А. В. Шнайдер, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация : Тез. докладов IV Межд. науч. конф., Иваново, 19-22 сент. 2006 г. / Ивановский гос. хим.-техн. ун-т. - Иваново, 2006. - С. 219.

8. Optical sensors based on nanocrystalline films of chloride-doped lead sulfide / M. P. Mironov, L. N. Maskaeva, V. F. Markov, A. V. Shnaider // Solid State Sciences : Fifth International Conference on Inorganic Materials, Ljubljana, Slovenia, 23 - 26 Sept. 2006 / Cankarjev Dom Cultural and Congress Centre. - Ljubljana, 2006.-P. 133-134.

9. Свойства пленок сульфида свинца, дозированных галогенидами /

B. Ф. Марков, JI. Н. Маскаева, А. В. Шнайдер, М. П. Миронов // Полупровод-ники-2007: Тез. докладов VIII Росс. конф. по физике полупр., Екатеринбург, 30 сент. - 5 окт. 2007 г. / Ин-т физики металлов УрО РАН. - Екатеринбург, 2007.-С. 117.

10. Halogenide control of microstructure and functional properties of thin lead sulfide films / L. N. Maskaeva, V. F. Markov, A. V. Shnaider, V. F. Dyakov,

A. V.Guselnikov // Solid State Chemistry and Modern micro- and nanotechnologies : VII International Scientific Conference, Kislovodsk, 17-22 Sept. 2007. - Kislovodsk, 2007.-P. 483.

11. Текстура и морфология пленок PbS, осажденных в присутствии галогенидов /А. В. Гусельников, В. Ф. Марков, JI. Н. Маскаева, А. В. Шнайдер,

B. Ф. Дьяков // РСНЭ-2007: Материалы VI Нац. конф. по прим. рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования ма-

териалов, Москва, 12-17 ноября 2007 г. / Ин-т кристаллографии РАН. - Москва, 2007. - С. 264.

12. Портативный газоанализатор опасных концентраций угарного газа и оксидов азота / М. П. Миронов, А. В. Шнайдер, А. В. Гусельников, В. Ф. Марков // Актуальные проблемы обеспечения безопасности: материалы Второй межд. науч.-практ. конф., Екатеринбург, 5 дек. 2007 г. / Урал, ин-т ГПС МЧС России. - Екатеринбург, 2008. - С. 171.

13. Быстродействующие инфракрасные устройства обнаружения очагов открытого пламени в закрытых помещениях / М. П. Миронов, А. В. Шнайдер, Л. Н. Маскаева // Актуальные проблемы обеспечения безопасности: материалы Второй межд. науч.-практ. конф., Екатеринбург, 5 дек. 2007 г. / Урал, ин-т ГПС МЧС России. - Екатеринбург, 2008. - С. 172.

14. Новые технические решения ИК-детекторов открытого пламени /

A. В. Шнайдер, М. П. Миронов, В. Ф. Дьяков, X. Н. Мухамедзянов,

B. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Актуальные проблемы пожарной безопасности: материалы Межд. науч.-практ. конф. Ч. 2, М., 15 мая 2008 г. / ФГУ ВНИИПО МЧС России. - Москва, 2008. - С. 231-233.

15. Быстродействующие детекторы ИК-диапазона на основе пленок сульфида свинца, допированных бромом / А. В. Шнайдер, М. П. Миронов, В. Ф. Марков, Л. Н. Маскаева // Безопасность критичных инфраструктур и территорий: Тезисы докладов II Всероссийской конф. и XII Школы молодых ученых. Екатеринбург, 8-12 дек. 2008 г. / Урал, ин-т ГПС МЧС России. -Екатеринбург, 2008. - С. 248-249.

Автор выражает благодарность за консультации и квалифицированные советы при написании диссертационной работы профессору, д.х.н. В. Ф. Маркову и к.с.н. М. П. Миронову.

A.B. Шнайдер

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ЗАКОНОМЕРНОСТИ ПОЛУЧЕНИЯ ДОПИРОВАННЫХ ГАЛОГЕНАМИ ПЛЕНОК РЬБДЛЯ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИХ ФОТОДЕТЕКТОРОВ

Автореферат

Подписано в печать 15.04.2009. Тираж 100 Объем !,0 учет-изд. л.. Печать термография. Бумага писчая

Отпечатано в копировально-множительном бюро Уральского института ГПС МЧС России

Екатеринбург, ул. Мира 22

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата технических наук, Шнайдер, Алексей Владимирович

ВВЕДЕНИЕ.

Глава 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Методы обнаружения пламени и очагов возгорания.

1.2. Фотодетекторы излучения ближнего и среднего ИК-диапазона.

1.3. Методы получения тонких пленок сульфида свинца.

1.4. Гидрохимическое осаждение пленок сульфида свинца.

1.5. Влияние условий осаждения на микроструктуру пленок РЬБ и их фоточувствительные свойства.

1.6. Методы сенсибилизации пленок сульфида свинца к ИК-излучению.

Выводы.

Глава 2. МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ УСЛОВИЙ ПОЛУЧЕНИЯ

И СВОЙСТВ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА СВИНЦА.

2.1. Химические реактивы.

2.2. Методика гидрохимического синтеза пленок РЬ8.

2.3. Кинетические исследования образования твердой фазы РЬ8.

2.4. Определение толщины пленок РЬБ.

2.5. Структурные исследования пленок РЬ8.

2.6. Исследование фазового и элементного состава пленок РЬ8.

2.7. Исследование микроструктуры пленок РЬ8.

2.8. Нанесение электрохимических контактов.

2.9. Исследование спектральных и фотоэлектрических характеристик пленок РЬ8.

2.10. Низкотемпературные исследования пленок РЬ8.

Глава 3. ОПРЕДЕЛЕНИЕ УСЛОВИЙ ОБРАЗОВАНИЯ

СУЛЬФИДА СВИНЦА И ИССЛЕДОВАНИЕ КИНЕТИКИ ЕГО

ОСАЖДЕНИЯ В ПРИСУТСТВИИ ГАЛОГЕНИДОВ АММОНИЯ.

3.1. Анализ условий образования сульфида свинца в аммиачно-цитратной системе.

3.2. Синтез пленок сульфида свинца из аммиачно-цитратных растворов.

3.2.1. Кинетика осаждения пленок РЬ8 из аммиачно-цитратной системы.

3.2.2. Кинетические особенности образования пленок РЬ при введении в реакционный раствор галогенид-ионов.

Выводы.

Глава 4. СТРУКТУРА, СОСТАВ, МОРФОЛОГИЯ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ПЛЕНОК РЬ8,

ДОТИРОВАННЫХ ГАЛОГЕНАМИ.

4.1. Состав, микроструктура и морфология пленок РЬ8, осажденных в присутствии галогенидов аммония.

4.2. Фотоэлектрические и спектральные характеристики пленок РЬ8, допированных галогенами.

4.3. Низкотемпературные исследования допированных галогенами пленок РЬ8.^.

Выводы.

Глава 5. ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ И ИССЛЕДОВАНИЕ

ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ОБРАЗЦОВ ФОТОДЕТЕКТОРОВ

НА ОСНОВЕ ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИХ ПЛЕНОК РЬ8.

5.1. Технология изготовления одноэлементных фоторезисторов на основе химически осажденного сульфида свинца.

5.2. Исследование спектральных, частотных и фотоэлектрических характеристик фоторезисторов на основе галогенсодержащих пленок РЬ8.

5.3. Исследование эксплуатационных характеристик фоторезисторов.

5.4. Рекомендации по использованию разработанных фоторезисторов на основе галогенсодержащих пленок РЬ8.

Выводы.

Введение диссертация по химии, на тему "Физико-химические закономерности получения допированных галогенами пленок PbS для быстродействующих фотодетекторов"

Актуальность работы. Ущерб от пожаров — в настоящее время одна из важнейших проблем не только в России, но и во всем мире. Очень часто площадь пожара увеличивается за считанные секунды, в результате чего уже через незначительное время после возгорания справиться с развитыми пожарами бывает достаточно сложно, а иногда и невозможно. В итоге остро стоит проблема их быстрого обнаружения на стадии возникновения горения.

Своевременное обнаружение очагов возгорания наиболее эффективно при использовании пожарных извещателей, в основе работы которых лежит оптический принцип детектирования. Их чувствительными элементами являются фотоприемники видимого и инфракрасного излучения. Они способны своевременно и дистанционно обнаруживать открытое пламя, тлеющие очаги возгорания, а таюке нагретые свыше допустимого узлы и агрегаты технологического оборудования.

Объект исследования — пленки сульфида свинца, синтезированные гидрохимическим способом из цитратно-аммиачной реакционной смеси в присутствии галогенид-ионов, и фотодетекторы на их основе.

Для достижения цели работы были поставлены следующие задачи:

2) исследование кинетики химического осаждения PbS в зависимости от содержания компонентов реакционной смеси, в том числе NH4CI, NH4Br, NH4I, и температуры процесса с определением частных порядков по компонентам и составлением формально-кинетического уравнения скорости;

4) изучение фотоэлектрических и спектральных характеристик пленок PbS, допированных галогенами, с определением вольт-ваттной чувствительности и постоянной времени, проведение их низкотемпературных исследований;

5) изготовление экспериментальных образцов одноэлементных фоторезисторов на основе допированных галогенами пленок PbS для пожарных увещателей, исследование их частотных, температурных и эксплуатационных характеристик.

Научная новизна работы

1. Установлено влияние присутствующих в реакционной смеси солей галоге-нидов аммония на константу скорости осаждения сульфида свинца и энергию активации процесса. Константа скорости осаждения снижается при одном и том же содержании солей в ряду NH4C1—>NH4Br—>NH4I.

Практическая ценность

Положения, выносимые на защиту 1. Результаты кинетических исследований осаждения пленок PbS в присутствии хлорида, бромида и йодида аммония.

3. Результаты исследований фотоэлектрических и пороговых характеристик пленок PbS, допированных галогенами.

Основные результаты и положения диссертационного исследования докладывались и обсуждались на VII Международной научной конференции «Прикладная оптика - 2006» (С. Петербург, 2006), IV Международной научной конференции «Кинетика и механизм кристаллизации. Нанокристаллизация. Биокристаллизация» (Иваново, 2006), Fifth International Conference on Inorganic Materials (Ljubljana, 2006), VIII Всероссийской конференции по физике полупроводников «Полупроводники-2007» (Екатеринбург, 2007), VII International Scientific Conference «Solid State Chemistry and Modern micro- and nanotechnolo-gies» (Kislovodsk, 2007), VI Национальной конференции по применению рентгеновского, синхротронного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов «РСНЭ-2007» (Москва, 2007), Второй Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы обеспечения безопасности в Российской Федерации» (Екатеринбург, 2008), Международной научно-практической конференции «Актуальные проблемы пожарной безопасности» (Москва, 2008), II Всероссийской конференции «Безопасность критичных инфраструктур и территорий» (Екатеринбург, 2008).

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, общих выводов и приложения, содержит 124 страницы, включая 7 таблиц

Заключение диссертации по теме "Физическая химия"

ОБЩИЕ ВЫВОДЫ

2. Выявлены физико-химические закономерности осаждения PbS в зависимости от допирующей добавки галогенов. Установлено, что введение в реакционную смесь галогенидов аммония (NH4CI, NH4Br, NH4I) ингибирует процесс образования твердой фазы сульфида свинца. Энергия активации процесса образования PbS в присутствии в реакционной смеси NH4CI, NHLtBr, NH4I составила 46,1±3,6; 50,1±4,1; 79,6±1,6 кДж/моль.

3. С использованием полнопрофильного метода Ритвелда произведен расчет периода кристаллической решетки пленок PbS, синтезируемых из реакционных смесей, включающих галогениды аммония. Сделан вывод, что в ряду NH4CI—»NtLfBr—»NHjI наблюдаемое увеличение постоянной кристаллической решетки (0,59318+0,00006, 0,59332±0,00008; 0,59331±0,00012 нм) обусловлено ростом содержания галогена в пленке (С1—1,6 ат.%; Вг-1,9 ат.%; 1-2,8 ат. %).

4. Размеры микрокристаллитов пленок PbS (Cl), PbS (Br), PbS (I), оцененные по формуле Дебая (140, 120, 40 нм) удовлетворительно согласуется с данными электронной микроскопии (170, 120, 40 нм).

5. Низкотемпературными исследованиями установлен переход квазисобственного типа проводимости в выраженный "р"-тип с увеличением термической ширины запрещенной зоны, составляющей 0,37-0,38; 0,40; 0,51-0,53 эВ, в ряду PbS (Cl), PbS (Br), PbS (I).

6. Впервые синтезированы фоточувствительные пленки сульфида свинца с аномально малой постоянной времени (3—12 мкс), которая в 100—200 раз меньше аналогичного параметра известных образцов.

7. Разработаны и изготовлены экспериментальные образцы одноэлементных фоторезисторов на основе допированных хлором и бромом пленок PbS. Исследованы их частотные, температурные и эксплуатационные характеристики. Фоторезисторы на основе пленок сульфида свинца с добавкой брома внедрены для изготовления экспериментальной партии пожарных извещателей.

109

Список источников диссертации и автореферата по химии, кандидата технических наук, Шнайдер, Алексей Владимирович, Екатеринбург

1. НПБ 76-98. Извещатели пожарные. Общие технические требования. Методы испытаний Текст.. - Введ. 1998-12-24. - М. : ВНИИПО МВД России, 2000.-19 с.

2. НПБ 72-98. Извещатели пожарные пламени. Общие технические требования. Методы испытаний Текст. Введ. 1998-07-27. - М. : ВНИИПО МВД России, 2000.-21 с.

3. Горбунов, Н. Новые оптоэлектронные датчики пламени Текст. / Н. Горбунов [и др.] // Электроника: Наука, Технология, Бизнес. 2005. — № 2. — С. 30-33.

4. Годованюк, В. Н. Состояние и перспективы микрофотоэлектронного комплекса в Черновицком регионе Украины Текст. / В. Н. Годованюк [и др.] // Прикладная физика. — 2003. — № 3. С. 72-83.

5. Буткевич, В. Г. Фотоприемники на основе халькогенидов свинца: состояние работ в ГУП «НПО «Орион»» и перспективы развития Текст. / В. Г. Буткевич [и др.] // Прикладная физика. — 1999. № 2. - С. 87.

6. Пономаренко, В. П. Фотоприемники и фотоприемные модули нового поколения (к 55-летию НИИ-801 — НПО «Орион») Текст. / В. П. Пономаренко,

7. A. М. Филачев // Прикладная физика. — 2001. — № 6. — С. 20-38.

8. Буткевич, В. Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца Текст. /

9. B. Г. Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус // Прикладная физика. -2001. № 6.1. C. 66-112.

10. Полупроводниковые фотоприемники. Ультрафиолетовый, видимый и инфракрасный диапазоны спектра Текст. / И. Д. Анисимова [и др.]. -М. : Радио и связь, 1984. 216 с.

11. Hamamatsu Photodiodes Text. / Cat. № KPD0001E06. Dec. 1997.

12. EG&G Optoelectronics: Short From Catalog Emitters and Detectors1. Text. 1996.-Issue 1.

13. Кадельник, Д. В. Проблемы рынка фотоэлектроники Текст. / Д. В. Кадельник, В. Д. Фотий // Эффективность реализации научного, ресурсного и промышленного потенциала в современных условиях / УИЦ «Наука, Техника. Технология». Киев, 2001. — С. 176—177.

14. Nair, Р.К. Semiconductor thin films by chemical bath deposition for solar energy related applications Text. / P.K. Nair [et al.] // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1998. - V. 52 - P. 313-344.

15. Берри, P. Тонкопленочная технология Текст. / P. Берри, П. Холл, М. Гаррис. М. : Энергия, 1972. - 336 с.

16. Данилин, Б. С. Вакуумное нанесение тонких пленок Текст. / Б. С. Данилин. М.: Энергия, 1967. - 312 с.

17. Суйковская, Н. В. Химические методы получения тонких прозрачных пленок Текст. / Н. В. Суйковская. Л. : Химия, 1971. - 200 с.

18. Физика и химия соединений А В Текст. / под ред. Авена и Пренера. -М. : Мир, 1970.-300 с.

19. Палатник, Л. С. Эпитаксиальные пленки Текст. / Л. С. Палатник, И. И. Папиров. М.: Наука, 1971.-480 с.

20. Чистяков, Ю. Д. Получение эпитаксиальных слоев полупроводниковых2 6соединений типа А В Текст. / Ю. Д. Чистяков, Т. М. Рачева-Стамболиева, Д. X. Джоглев // Сборник научных трудов по проблемам микроэлектроники. — М., 1975.-Вып. 20.-С. 215.

21. Галкин, Б. Д. Электронографическое исследование тонких пленок CdS Текст. / Б. Д. Галкин, Н. В. Троицкая, Р. Д. Иванов // Кристаллография. — 1967. -Т. 12.-С. 878.

22. Simov, S. Cubic forms in the surface morphology of CdS evaporated films Text. / S. Simov // Thin solid films. 1973. - V. 15. - P. 79.

23. Холлэнд, Л. Нанесение тонких пленок в вакууме Текст. / Л. Холлэнд. М.; Л. : Госэнергоиздат, 1963. — 608 с.

24. Метфессель, С. Тонкие пленки, их изготовление и измерение Текст. / С. Метфессель. М.; Л. : Госэнергоиздат, 1963. 272 с.

25. Красулин, Г. А. Осаждение монокристаллических пленок сульфида кадмия в квазиравновесных условиях Текст. / Г.А. Красулин, A.B. Ванюков // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1970. - Т. 6. - С. 122.

26. Ванюков, А. В. Механизм роста эпитаксиальных пленок сульфида и се-ленида кадмия в различных технологических процессах Текст. / А. В. Ванюков [и др.] // Процессы роста кристаллов и пленок полупроводников. Новосибирск, 1970.-С. 192.

27. Матвеенко, А. В. Термодинамическое вакуумное напыление эпитаксиальных пленок полупроводниковых соединений AIVBVI Текст. / А. В. Матвеенко, Ю. В. Медведев, Н. Н. Берченко // Зарубежная электронная техника. 1982. № 11. - С. 54-115.

28. Герасимов, Ю. М. Ориентированная кристаллизация сульфида кадмия по дальнодействующему механизму при катодном распылении Текст. / Ю. М. Герасимов // Физика твердого тела. — 1968. — Т. 10. С. 270.

29. Насонова, JI. А. Осаждение тонких пленок CdS в плазме газового разряда низкого давления Текст. / JI. А. Насонова, Н. Н. Парфенова, С. Н. Погодин // Электронная техника. — М., 1971. — № 6. С. 76.

30. Угай, Я. А. Электрохимический способ получения пленок содержащих сульфиды кадмия свинца Текст. / Я. А. Угай [и др.] // Электрохимия. 1976. — Т.12.-С. 835.

31. Угай, Я. А. Особенности получения пленок CdS электрохимическим методом Текст. / Я. А. Угай [и др.] // Полупроводниковые материалы и их применение / Воронежский гос. ун-т. Воронеж, 1977. — С. 198-200.

32. Chamberlin, R. R. Chemical Spray Deposition Process for Inorganic Films / R. R. Chamberlin, I. S. Charman //1. Electrochem. 1966. - V. 113. - № 1. - P. 8689.

33. Семенов, В. H. Процессы формирования тонких слоев полупроводниковых сульфидов из тиомочевинных координационных соединений Текст.: дис. . д-ра хим. наук / В. Н. Семенов. Воронеж, 2002. - 355 с.

34. Марков, В. Ф. К вопросу о механизме формирования химически осажденных пленок сульфидов металлов и твердых растворов на их основе / В. Ф. Марков и др. // Вестник УГТУ УПИ. Сер. химическая. - 2004. - № 14. -С. 126-134.

35. Маскаева, JI. Н. Гидрохимический синтез, структура и свойства пленок пересыщенных твердых растворов замещения MexPbjxS (Me Zn, Cd, Cu, Ag) Текст.: дис. . д-ра хим. наук / JI. Н. Маскаева. — Екатеринбург, 2004. — 386 с.

36. Китаев, Г. А. Исследование процессов получения пленок халькогенидов в водных растворах, содержащих тио-, селеномочевину и селеносульфат натрия Текст.: дис. д-ра хим. наук / Г. А. Китаев. Свердловск, 1971. - 431 с.

37. Kicinski, F. The preparation of photoconductive cells by chemical deposition of lead sulphide Text. / F. Kicinski // Chem. Ind. 1948. - № 4. - P. 54-57.

38. Norr, M. K. The lead salt-thiourea reaction Text. / M. K. Norr // J. Phys. Chem. 1961. - V. 65. - № 7. - P.1278-1279.

39. Китаев, Г. А. Условия химического осаждения сульфида кадмия на твердой поверхности Текст. / Г. А. Китаев, А. А. Урицкая, С. Г. Мокрушин // Журн. физ. химии. 1965. - Т. 39. - № 8. - С. 2065-2066.

40. Лундин, А. Б. Кинетика осаждения тонких пленок селенида свинца Текст. / А. Б. Лундин, Г. А. Китаев // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1965.-Т. 1. -№ 12. - С. 1201-1207.

41. Китаев, Г. А. Термодинамическое обоснование условий осаждения сульфидов металлов тиомочевиной из водных растворов Текст. / Г. А. Китаев [и др.] // Труды УПИ. Свердловск, 1968. - № 170. - С. 113-126.

42. Китаев, Г. А. Синтез и исследование пленок твердых растворов CdxPb!xS различного состава Текст. / Г. А. Китаев [и др.] // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1990. - Т. 26. - № 2. - С. 248-250.

43. Чопра, К. Тонкопленочные солнечные элементы Текст. / К. Чопра, С. Дас. М. : Мир, 1986. - 440 с.

44. Sharma, N. С. Electroless deposition of semiconductor films Text. / N. C. Sharma [et al.] // Thin Solid Films. 1979. - V. 58. - № 1. - P. 55-59.

45. Угай, Я. А. Оптические свойства пленок сульфидов свинца и кадмия, полученных химическим способом Текст. / Я. А Угай, О. Б. Яценко, Е. М. Авербах // Твердотельная радиоэлектроника. Воронеж, 1973. - С. 77-81.

46. Угай, Я. А. Получение пленок PbS и CdS из водного раствора тиомоче-вины Текст. / Я. А. Угай [и др.] // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1975. - Т. 11. - № 5. - С. 947-956.

47. Боде, Д. Е. Детекторы на основе солей свинца Текст. / Д. Е. Боде // Физика тонких пленок. Пер. с англ. М.: Мир. 1968. - Т. 3. - С. 299-327.

48. Wein, S. // The Glass Industry. 1959. - V.40. - № 359. p. 424.

49. Мосс, Т. С. Современные приемники инфракрасного излучения Текст. / Т. С. Мосс // Успехи физических наук. 1962. -Вып. 1. - С. 93-121.

50. Лундин, А. Б. Химическое осаждение из растворов на поверхности стекла пленок сульфида и селенида свинца Текст.: дис. . канд. хим. наук / А. Б. Лундин. — Свердловск, 1967. 133 с.

51. Фофанов, Г. М. Анализ условий химического осаждения пленок сульфида и селенида свинца из растворов на поверхности стекла Текст. : дис. . канд. хим. наук / Г. М. Фофанов. Свердловск, 1968. - 121 с.

52. Кондратьева, Н. М. Исследование процесса химического осаждения фоточувствительных слоев PbS Текст.: дис. . канд. хим. наук / Н. М. Кондратьева. Свердловск, 1971. - 223 с.

53. Криницина, И. А. Физико-химические закономерности процесса получения твердых растворов CdxPbixS химическим осаждением Текст.: дис. . канд. хим. наук / И. А. Криницина. — Свердловск, 1980. 174 с.

54. Марков, В. Ф. Физико-химические закономерности направленного химического синтеза пленок халькогенидов металлов и их твердых растворов осаждением из водных сред Текст.: дис. . д-ра хим. наук / В. Ф. Марков. -Екатеринбург, 1998. 366 с.

55. Pop, I. Structural and optical properties of PbS thin films obtained by chemical deposition Text. /1. Pop [et al.] // Thin Solid Films. 1997. - V. 307. - P. 240-244.

56. Tottiant, Iris С. The influence of H202 on crystalline orientation of chemically deposited PbS thin films Text. / Iris С Tottiant and [et al.] // Thin Solid Films. -1981.-V. 77.-№4.-P. 347-356.

57. Pintilie, L. Field-effect-assisted photoconductivity in PbS films deposited on silicon dioxide Text. / L. Pintilie [et al.] //J. of Appl. Phys. 2002. - V. 91. - № 9. -P. 5782-5786.

58. Puiso, J. Growth of PbS thin films on silicon substrate by SILAR technique Text. / J. Puiso [et al.] // Thin Solid Films. 2002. - V. 403-404. - P. 457-461.

59. Rogacheva, E. I. Effect of thickness on the thermoelectric properties of PbS thin films Text. / E. I. Rogacheva [et al.]. // Thin Solid Films. 2003. - V. 423. -№ l.-P. 115-118.

60. Puigo, J. Growth of ultra thin PbS films by SILAR technique Text. / J. Puigo [et al.] // Thin Solid Films. 2003. - V. 428. - P. 223-226.

61. Shaw, W. H. R. The decomposition of thiorea in water solutions Text. / W. H. R. Shaw, S. J. Walker // J. Amer. Chem. 1956. - V. 78. - № 20. - P. 57695772.

62. Мищенко, К. К. Влияние концентраций щелочи и ацетата свинца на фоточувствительность химически осажденного сульфида свинца Текст. / К. К. Мищенко, В. С. Манько // Оптико-механическая промышленность. — 1978.- -№ 10.-С. 47-49.

63. Мухамедьяров, Р. Д. Исследование кинетики роста поликристаллических пленок CdxPbixS при химическом осаждении из водного раствора Текст. / Р. Д. Мухамедьяров [и др.] // Известия АН СССР. Неорганические материалы. -1981.-Т. 17.-№ 10.-С. 1739-1741.

64. Najdoski, М. Optical properties of thin solid films of lead sulfide Text. / M. Najdoski [et al.] //J. of molecular structure. 1995. - V. 349. - P. 85-88.

65. Larramendi, Т. V. Effect of surface structure on photosensitivity in chemically deposited PbS thin films Text. / Т. V. Larramendi [et al.] // Thin Solid Films. -2001.-V. 389.-P. 301-306.

66. Nascu, К. The study of PbS films: Influence of oxidants on the chemically deposited PbS thin films Text. / K. Nascu [et al.] // Mater. Sei. Eng. 1996. - V. 41. -P. 235-239.

67. Ghamsari, M. S. Влияние гидрата гидразина на получение тонкой пленки сульфида свинца Текст. / M. S. Ghamsari, Araghi M. H. // Иранский журнал науки и технологии. 2005. - № 29. - С. 151.

68. Иванов, П. Н. Моделирование кинетики роста пленок сульфидов металлов при гидрохимическом осаждении с помощью тиомочевины Текст. / П. Н. Иванов, JI. Н. Маскаева, В. Ф. Марков // Вестник УГТУ УПИ. Сер. химическая. - 2005. - Т. 57. - № 5. - С. 212-215.

69. Bruckmann, G. Darstellung und Eigenschaften dunner bleisulfid Schichten unten besonderer Beruchsichtigung ihner detektorwirkung Text. / G. Bruckmann // Kolloid Zeihschrift.-1933.-B. 61.-№ l.-S. 1-11.

70. Pick, H. Hestellung spiegelunder Niedersch läge durch chemische reactionen Text. / H. Pick // Ztschr. Phys. 1949. - B. 126. - № 1. - S. 12-19.

71. Дистлер, Г. И. Осаждение сульфида свинца тиомочевинной Текст. / Г. И. Дистлер, С. А. Дарюсина // Кристаллография. 1962. - № 7. - С. 107.

72. Болыцикова, Т. П. Исследование тиомочевины для осаждения из растворов осадков и пленок сульфидов серебра и меди Текст. : дис. . канд. хим. наук / Т. П. Болыцикова. — Свердловск, 1969. — 163 с.

73. Миролюбов, В. 3. Осаждение сульфидов металлов с использованием ал-лилтиомочевины Текст. : дис. . канд. хим. наук / В. 3. Миролюбов. -Свердловск, 1973.- 143 с.

74. Ятлова, JI. Е. Условия химического осаждения тонких пленок CdS на твердую поверхность с помощью аллилтиомочевины Текст. / JI. Е. Ятлова, Г. А. Китаев // Известия ВУЗов. Химия и химическая технология. 1969. — T. 12.-С. 709-713.

75. Кодомская, Н. А. Исследование условий осаждения пленок и осадков сульфидов цинка и кадмия из растворов, содержащих тиоацетамид Текст. : дис. . канд. хим. наук / Н. А. Кодомская. Свердловск, 1972. — 190 с.

76. Катунина, А. Б. Исследование процессов химического осаждения сульфидов металлов в виде осадков и пленок тиосемикарбазидом Текст. : дис. . канд. хим. наук / А. Б. Катунина. Свердловск, 1978. - 173 с.

77. Преображенская, Т. Ю. Получение тонких пленок сульфида свинца из щелочных растворов при помощи тиосемикарбазида Текст. / Т. Ю. Преображенская, Р. А. Юсупов // Журн. физ. химии. 1975. - Т. 48. - № 3. - С. 724-725.

78. Лундин, А. Б. Кинетика осаждения тонких пленок сульфида свинца на границе раздела фаз PbS — раствор Текст. / А. Б. Лундин, Г. А. Китаев // Известия ВУЗов. Химия и хим. технология. 1967. - Т. 10. - С. 408^411.

79. Фрицше, К. Получение полупроводников Текст. / К. Фрицше. -М. : Мир, 1964.-436 с.

80. Bauer, R. Thiohanstoffais Tallunhamittel far Schwermetallsulfide Text. / R. Bauer, I. Wehling // Ztschr. Analyt. Chem. 1964. - B. 199. - S. 171-173.

81. Дистлер, Г. И. Ранние стадии кристаллизации как метод установления неоднородности кристаллических поверхностей Текст. / Г. И. Дистлер, С. А. Дарюсина, Ю. М Герасимов // Докл. акад. наук СССР. 1964. - Т. 154. -В. 6.-С. 1328-1331.

82. Дистлер, Г. И. Электронно-микроскопическое исследование образования слоев сернистого свинца Текст. / Г. И. Дистлер, С. А. Дарюсина // Кристаллография. 1962. -№ 7. - С. 107-111.

83. Торопова, В. Ф. Применение тиомочевины для осаждения сульфидов таллия и свинца Текст. / В. Ф. Торопова, В. В. Белозерская, А. И. Черницын // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. 1964. - № 7. - С. 898-903.

84. Китаев, Г. А. Кинетика разложения тиомочевины в щелочных средах Текст. / Г. А. Китаев, И. Т. Романов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. -1974.-Т. 17.-№9.-С. 1427-1428.

85. Романов, И. Т. Исследование реакции разложения и синтеза тиомочевины в водных растворах Текст. : дис. . канд. хим. наук. / И. Т. Романов. -Свердловск, 1975. 131 с.

86. Китаев, Г. А. Синтез тиомочевины из сероводорода и цианамида Текст. / Г. А. Китаев, И. Т. Романов // Изв. ВУЗов. Химия и хим. технология. — 1976. — Т. 19. -№ 6.-С. 941-943.

87. Урицкая, А. А. Кинетика и механизм образования пленок сульфида кадмия на поверхности стекла Текст. / А. А. Урицкая, Г. А. Китаев, С. Г. Мок-рушин // Колл. журн. 1967. - Т. 27. - № 5. - С. 767-772.

88. Урицкая, А. А. Химическое осаждение из растворов тонких пленок сульфида кадмия на поверхность стекла Текст. : дис. . канд. хим. наук /

89. A. А. Урицкая. — Свердловск, 1966. 121 с.

90. Китаев, Г. А. Условия образования тонких пленок сульфида кадмия на поверхности стекла / Г. А. Китаев, С. Г. Мокрушин, А. А. Урицкая // Колл. журн. 1965.-Т. 25.-№ 1.-С.51-56.

91. Мокрушин, С. Г. Образование Сс18 на границе раздела фаз твердое тело раствор Текст. / С. Г. Мокрушин, Ю. Д. Ткачев // Коллоидный журнал -1961. - Т. 23. - № 4. - С. 438-441.

92. Леонова, Т. Г. Ступенчатая адсорбция коллоидных частиц сернистого кадмия на стекле Текст. / Т. Г. Леонова, Т. В. Крамарева, В. М. Шульман // Колл. журн. 1968. - Т. 30. - № 1. - С. 61-64.

93. Китаев, Г. А. Условия химического осаждения зеркальных пленок сульфида свинца Текст. / Г. А. Китаев, Г. М. Фофанов, А. Б. Лундин // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1967. - Т. 3. - С. 473-478.

94. Бетенеков, Н. Д. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. 1.Осаждение пленок сульфида кадмия из растворов на поверхности стекла Текст. / Н. Д. Бетенеков, В. П. Медведев, Г. А. Китаев // Радиохимия. 1978. -Т. 20. - В. 3. - С. 431^438.

95. Бетенеков, Н. Д. Радиохимическое исследование халькогенидных пленок. 11.Кинетика роста сульфида кадмия на поверхности стекла Текст. / Н. Д. Бетенеков, В. П. Медведев, А. С. Жуковская // Радиохимия. 1978. - Т. 20.1. B. 4.-С. 608-616.

96. Сулейманова, Н. А. Физико-химические закономерности формирования пленок сульфидов металлов при взаимодействии сорбированной тиомочевины с растворами солей металлов Текст. : дис. . канд. хим. наук / Н. А. Сулейманова. Свердловск. — 1982. — 193 с.

97. Дамаскин, Б. Б. Адсорбция органических соединений на электродах Текст. / Б. Б. Дамаскин, О. А. Петрий, В. В. Батраков. М.: Наука, 1968. — 333 с.

98. Китаев, Г. А. Исследование сорбционных процессов на пленках сульфида серебра Текст. / Г. А. Китаев, А. С. Жуковская // Журн. физ.химии. 1975. -Т. 39.-№2.-С. 478-480.

99. Великанова, И. М. Исследование взаимодействия целлюлозы и димети-лэтиленмочевины Текст. / И. М. Великанова [и др.] // Журн. прикл. химии. — 1973. Т. 46. - № 9. - С. 2062-2066.

100. Адылов, А. Исследование взаимодействия целлюлозы с метилтиомоче- . виной методом ИК-спектроскопии Текст. / А. Адылов // Узб. Химич. журн. — 1964.-Т. 9. -В. 1. С. 87-90.

101. Двойнин, В. И. Физикохимия процессов на межфазных границах Текст. / В. И. Двойнин, Ю. А. Кононов, В. Р. Миролюбов // Труды ВУЗов РФ. Свердловск, 1976.-С. 39-43.

102. Orozco-Teran, R. A. PbS CdS bilayers prepared by the chemical bath deposition technique at different reaction temperatures Text. / R. A. Orozco-Teran [et al.] // Thin Solid Films. - 1999. - V. 343-344. - P. 587-590.

103. Valenzuela-Jauregui, J. J. Optical properties of PbS thin films chemically deposited at different temperatures Text. / J. J. Valenzuela-Jauregui [et al.] // Thin Solid Films. 2003. - V. 441. - P. 104-110.

104. Курбатов, JI. H. Очерк истории приемников инфракрасного излучения на основе халькогенидов свинца Текст. / JI. Н. Курбатов // Вопросы оборонной техники. Сер. 11. 1995. - Вып. 3-4. - С. 3-32.

105. Буткевич, В. Г. Фотоприемники и фотоприемные устройства на основе поликристаллических и эпитаксиальных слоев халькогенидов свинца Текст. /

106. В. Г. Буткевич, В. Д. Бочков, Е. Р. Глобус // Прикладная физика. 2001. - № 6. -С. 66-112.

107. Петухова, Т. А. Температурная «память» водного раствора соли свинца: кинетика осаждения, структура и свойства пленок PbS Текст. / Т. А. Петухова [и др.] / Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования.-2007.-№2.-С. 101-107.

108. Simic, V. М. Influence of impuriries on photosensitivity of chemically deposited lead sulfide layers Text. / V. M. Simic, Z. B. Marinkovich // J. Infrared Phys. -1968. -V.8.-№ 8.-P. 189-195.

109. Marinkovich, Z. B. Influence of conditions of PbS layers preparation on their short wavelength limit of transmission and grain size Text. / Z. B. Marinkovich, V. M. Simic // J. Infrared Phys. 1970. - V. 10. - № 4. - P. 187-190.

110. Kothiyal, G. P. Effect of morphological structure on photosensitivity of chemically deposited PbS thin films Text. / G. P. Kothiyal, B. Ghosh, R. V. Deshpande // J. Phys D: Appl.Phys. 1980. - V. 13. -№ 5. - P. 869-873.

111. Saloniemi, H. Electrodeposition of PbS, PbSe and PbTe thin films Text. / H. Saloniemi // Electronic Materials and Components. — 2000. 82 p.

112. Wolten, G. M. A. Note on the chemically of lead sulfide sensitization for infrared detection Text. / G. M. A. Wolten // J. Electrocem. 1975. - V. 122. - № 8. -P. 1149-1150.

113. Pentia, E. Chemically prepared nanocrystaline PbS thin films Text. / E. Pentia [et al.] // J. of optoelectronic and advanced materials. — 2001. — V. 3. — № 2. P. 525-530.

114. Раренко, И. M. Физические свойства осажденных в активируемых условиях слоев A1VBVI Текст. / И. М. Раренко [и др.] // Надежность микроэлектронных схем и элементов. Киев, 1982. С. 101-119.

115. Федорова, Т. Б. Низкотемпературное окисление PbS Текст. / Т. Б. Федорова, А. В. Вишняков, П. В. Ковтуненко // Исследование в области химии и химической технологии материалов для электронной техники. 1978. -№ 133.-С. 73-78.

116. Гаськов, А. А. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца Текст. / А. А. Гаськов [и др.] // Доклады АН СССР. 1983. - Т. 269. - Вып. 3. - С. 607 - 609.

117. Петров, В. И. Исследование состава, структуры и фотоэлектрических свойств тонкопленочных элементов PbS Текст./ В. И. Петров, В. А. Прохоров // Известия АН СССР. Сер. физическая. 1984. - Т. 48. - № 2. - С. 263-265.

118. Китаев, Г. А. Окисление химически осажденного сульфида свинца Текст. / Г. А. Китаев [и др.] // Известия РАН. Неорганические материалы. — 1993.-Т. 29.-№7.-С. 1017-1018.

119. Espevik, S. Mechanism of photoconductivity in chemically deposited lead sulfide layers Text. / S. Espevik, C. Wu // J. Appl. Phys. 1971. - V. 42. - № 9. -P. 3513-3529.

120. Blount, G. H. Variation of the properties of chemically deposited lead sulfide film witch the use of an oxidant Text. / G. H. Blount [et al.] // J. Appl. Phys. 1973. V. 44. № 3. - P. 978-981.

121. Kothiyal, G.P. Effect of morphological structure on photosensitivity of chemically deposited PbS thin films Text. / G. P. Kothiyal, B. Ghosh, R. V. Deshpande // Thin Solid Films. 1979. - V. 58. - № 1. - P. 36.

122. Немов, С. А. Особенности механизма самокомпенсации легирующего действия примеси хлора в PbSe Текст. / С. А. Немов, М. К. Житинский,

123. B. И. Прошин // Физика и техника полупроводников. 1991. - Т. 25. - Вып. 1.1. C. 114-117.

124. Маскаева, JI. Н. Исследование восстановления Cr (VI) полиолефинами Текст. / Л. Н. Маскаева [и др.] // Журнал физической химии. 1975. - Т. 69. -№4. -С. 1042-1044.

125. Пильников, В. П. Исследование процесса травления полимеров в растворах бихромата калия в серной кислоте Текст. / В. П. Пильников [и др.] // Известия ВУЗов. Химия и хим. технология. — 1976. — Т. 19. — Вып. 7. — С. 1093— 1098.

126. Шварценбах, Г. Комплексометрическое титрование Текст. / Г. Шварценбах, Г. Флашка. М. : Химия, 1970. - 360 с.

127. Rietveld, H. M. A profile refinement method for nuclear and magnetic structures Text. / H. M. Rietveld // Appl. Cryst. 1969. - V. 2. - № 2. - P. 65-71.

128. Bush, D. L. A survey of using programs for the Rietveld profile refinement Text. / D. L. Bush, J. E. Post // Reviews in mineralogy. 1990. - V. 20. - P. 369.

129. Rodriges-Carvajal, J. The programs for Rietveld refinement Text. / J. Rodriges-Carvajal // Physica B. 1993. - V. 192. - P. 55.

130. Мухамедьяров, P. Д. Установка для ' измерения пороговых параметров фотоприемников Текст. / Р. Д. Мухамедьяров [и др.] // Приборы и техника эксперимента. — 1976. — № 6. — С. 234.

131. Бацанов, С. С. Электроотрицательность элементов и химическая связь Текст. / С. С. Бацанов. Новосибирск: СО АН СССР, 1962. - 386 с.

132. Маскаева, Л. Н. Расчет условий образования твердой фазы халькогени-дов металлов при гидрохимическом осаждении Текст. / Л. Н. Маскаева, В. Ф. Марков, П. Н. Иванов // Конденсированные среды и межфазные границы. — 2004.-Т. 6.-№4.-С. 374-380.

133. Лурье, Ю. Ю. Справочник по аналитической химии Текст. / Ю. Ю. Лурье. М. : Химия, 1971. - 456 с.

134. Тихонов, А. С. Исследование лимоннокислых комплексных соединений свинца в зависимости от рН водной среды Текст. / А. С. Тихонов // Труды Воронежского гос. ун-та. — 1958. — Т. 59. С. 79-94.

135. Шарло, Г. Методы аналитической химии Текст. / Г Шарло. М.-Л. : Химия, 1965.-975 с.

136. Марков, В. Ф. Влияние хлор-ионов на кинетику химического осаждения тонких пленок сульфида свинца Текст. / Марков В. Ф. [и др.] ; Урал, политехи, ин-т, 1988, 1 с. - Деп. в ОНИИТЭИ, Черкассы. - № 27-Х1188.

137. Китаев, Г. А. Кинетика химического осаждения тонких пленок сульфида свинца в присутствии иодид-ионов Текст. / Китаев Г. А. [и др.] ; Урал, политехи. ин-т, 1988, 1 с. - Деп. в ОНИИТЭИ, Черкассы. - № 277-Х1188.

138. Рабинович, В. А. Краткий химический справочник Текст. / В. А. Рабинович, 3. Я. Хавзин. JL : Химия, 1977. - 367 с.

139. Lach-hab, М. Electronic structure calculations of lead chalcogenides PbS, PbSe, PbTe Text. / M. Lach-hab, D. A Papaconstantopoulos, M. J. Mehl // J. of Phys. and Chem. of Solids. 2002. - V. 63. - P. 833-841.

140. Pick, H. Reception of thin films Text. / H. Pick // Ann. Phisic. 1955. - V. 3. -P. 255.

141. Шевелев, В. H. Термообработка тонких пленок Текст. / В. Н. Шевелев, Т. М. Зинкина // ФТТ. 1960. - № 2. - С. 1643.

142. Китайгородский, А. И. Рентгеноструктурный анализ мелкодисперсных и аморфных тел Текст. / А. И. Китайгородский. — М. ; JI. : Гос. изд. технико-теорет. лит-ры, 1952. — 588 с.

143. Gusev, A. I. Disorder and Order in Strongly Nonstoichiometric Compounds. Transition Metal Carbides, Nitrides and Oxides Text. /А. I. Gusev, A. A. Rempel, A. J. Magerl. Berlin ; Heidelberg ; New York : Springer, 2001. - 607 p.

144. Гусев, А. И. Нестехиометрия, беспорядок и порядок в твердом теле Текст. / А. И. Гусев, А. А. Ремпель. Екатеринбург : УрО РАН, 2001. - 580 с.

145. Hall, W. Н. X-ray line broadening in metals Text. / W. H. Hall // Proc. Phys. 1949. - V.62 —No359A. -P.741-743.

146. Hall, W. H. The diffraction pattern of cold worked metals: I. The nature of extinction Text. / W. H. Hall, G. K. Williamson // Proc. Phys. 1951. - V.64, -No 383 В. -P.937-946.

147. Williamson, G. K. X-ray line broadening from filed aluminium and wolfram Text. / G. K. Williamson, W. H. Hall // Act. Metal. 1953. - V. 1. - №. 1. -P. 22-31.

148. Житинский, M. К. Глубокая самокомпенсация в системе «Cl, SeH3G» Текст. / Житинский М. К., Немов С. А., Прошин В. И. // Физика и техника полупроводников. 1990. - Т. 24. - Вып. 6. - С. 1116-1118.

149. Бытенький, JI. И. Самокомпенсация акцепторных вакансий в сульфиде и селениде свинца, легированного Т1 Текст. / Бытенький JI. И. [и др.] // Физика и техника полупроводников. — 1980. Т. 14. — Вып. 1 — С. 74—79.

150. Кайданов, В. И. Особенности компенсации донорного действия галогенов в теллуриде свинца Текст. / В. И. Кайданов [и др.] // Физика и техника полупроводников. 1985. - Т. 19. - Вып. 10. - С. 1857-1860.

151. Митрофанов, В. В. Физика и химия полупроводников Текст. / В. В. Митрофанов, В. А. Фогель. JI. : Судостроение, 1965. - 219 с.

152. Смородина, Т. А. Вхождение примеси в халькогенид свинца Текст. / Т. А. Смородина, Н. Н. Шефтель // Известия АН СССР. Неорганические материалы. 1970. - Т. 6. — № 1. — С. 135-139.

153. Мосс, Т. Полупроводниковая оптоэлектроника Текст. / Т. Мосс, Г. Баррел, Б. Эллис. М. : Мир, 1976. - 369 с.

154. Шалимова, К. В. Физика полупроводников. Учебное пособие Текст. / К. В. Шалимова. -М. : Энергия, 1976. С. 125.

155. Патли, Е. Сульфид, селенид и теллурид свинца Текст. / Е. Патли // Материалы, используемые в полупроводниковых приборах. — 1968. -С. 98-114.

156. Шнайдер, А. В. Быстродействующие инфракрасные детекторы обнаружения очагов открытого пламени и тления Текст. / А. В. Шнайдер [и др.] // Пожаровзрывобезопасность. — 2008. № 2. - С. 14-17.

157. Получение высокочувствительных к ИК-излучению пленок PbS, осажденных из галогенидсодержащих растворов Текст. / В. Ф. Марков, А. В. Шнайдер, М. П. Миронов, В. Ф. Дьяков, JI. Н. Маскаева // Перспективные материалы. 2008. - № 3. - С. 28-32.