Физико-химическое состояние поверхности образцов системы InSb-ZnSe тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

"УДК 541.183:621.315.592.4

На правах рукописи

РГБ ОД

- 3 янв

Азарова Ольга Петровна

ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКОЕ СОСТОЯНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ОБРАЗЦОВ СИСТЕМЫ ТпБЬ-гпЗе

02.00.04-Физическая химия

Автореферат диссертации на сонскание ученой степени кандидата химических наук

Омск-2000

)

Работа выполнена в Омском государственном техническом университете

Научный руководитель - доктор химических наук, профессор,

засл. деятель науки и техники И.А.Кировская

Официальные оппоненты: доктор физико-математических, профессор,

П.Д.Алексеев

кандидат химических наук, доцент, Б.Я. Брянский

Ведущая организация - Конструкторско-технологический институт

технического углерода СО РАН

Защита диссертации состоится « ¿5"» декабря 2000 г. в 40 часов на заседании специализированного диссертационного совета К 063.23.06 в Омском государственном техническом университете по адресу: 644050, пр.Мира, 11.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Омского государственного технического университета.

Автореферат разослан « ноября 2000 г.

Ученый секретарь специализированного диссертационного совета К.063.23.06 , / А.В.Юрьева

Т90 'У /П

Общая характеристика работы

Актуальность проблемы. Системы А3В5-А2В6, представителем которой является исследуемая система 1п8Ь-2п8е, относятся к типу гетеровалентного замещения. Здесь и катионообразователи, и анионообразователи различной валентности и, соответственно, из разных групп периодической системы Д.И. Менделеева. Общим для этих веществ является природа межатомных связей (тетраэд-рические ковалентные связи) и, как следствие, - идентичность кристаллической структуры.

Физико-химические, электрические и, тем более, поверхностные свойства многокомпонентных гетеровалентных алмазоподобных систем практически не исследованы, но даже то, что уже известно (неупорядоченное расположение многих типов атомов в строгой алмазоподобной структуре, большие области гомогенности при сохранении ряда свойств внутри этих областей, малая теплопроводность, сильная компенсация носителей заряда, появление экстремальных эффектов на адсорбционных и электрофизических зависимостях, комбинированное действие компонентов в качестве макро и мйкропримесей, возможность получения при максимальной разнице в значениях ширины запрещенной зоны и прямых переходах минимальной разницы в параметрах решетки, возможность осуществления гетеропереходов и т.д.) вызывают к ним большой научный и практический интерес. )

Особенно ярко интересные свойства, связанные с фактором многокомпонентное™ полупроводниковых систем такого типа, должны проявляться при протекании поверхностных процессов, исключительно важных для катализа, современной оптики и электроники, изучения гетероструктур и гетеропереходов.

В 60-е годы, когда в технике существенно возрос интерес к новым полупроводниковым материалам, Кировской И. А. вместе с учениками были начаты исследования по созданию единого подхода к исследованию реальной поверхности алмазоподобных полупроводников, в частности, А3В5, А2В6, управлению ее свойствами и получению материалов с заданными характеристиками. Такой подход включает комплексное изучение структуры, химического состава поверхности, изменение спектра поверхностных состояний, адсорбционно-каталити-ческих и физических свойств. В последние годы это позволило решить ряд прикладных задач по оптимизации условий роста, обработки, хранения и стабилизации поверхности полупроводников, создангао неразрушающих методов контроля работы приборов на их основе, а также катализаторов реакций окислительно-восстановительного и кислотно-основного типа. Многие разработки защищены авторскими свидетельствами, патентами, внедрены на предприятиях радио, электронной, химической и оборонной промышленности.

В настоящее время проводятся работы по созданию теории управления поверхностью бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников (твердых растворов на основе полупроводников А3В5 и А2Вб) как основы улучшения технологии известных, поиска и разработки новых эффективных материалов,

улучшения и создания новых полупроводниковых приборов. Среди них, в первую очередь, - сенсоры-датчики экологического назначения на основе тонкопленочных и многокомпонентных полупроводников.

Настоящая работа является логической составляющей названных исследований. Она посвящена решению актуальной для физиков и химиков проблемы -поиску новых материалов. При определенной изученности элементарных и бинарных полупроводников такие материалы следует искать, прежде всего, среди тройных, четверных и более сложных систем. Путь этот труден, так как из-за недостатка данных здесь отсутствует какая-либо теория. Однако, возможности получения систем с неожиданными, интересными для новой техники и катализа свойствами, компенсирует подобные трудности.

Выбранная в качестве объекта исследования ГпБЬ-гпБе к началу работы не была получена. Поэтому ее объемные и, тем более поверхностные свойства совершенно не изучены. Уникальные же свойства бинарных компонентов ГпБЬ, 2пБе (прежде всего, пьезоэлектрические, оптические, электрофизические и другие) указывают на возможность получения многокомпонентных систем на их основе с неменее интересными и неожиданными (с учетом взаимного влияния компонентов) свойствами. Отсюда целесообразность получения и исследования новой системы 1п5Ь-2п8е.

Цель работы. Разработать методы получения и изучить физико-химическое состояние (структуру, химический состав, адсорбционные, электрофизические, оптические свойства) реальной поверхности компонентов полупроводниковой системы InSb-Zn.Se; установить механизм взаимосвязи изученных поверхностных свойств и закономерности их изменений с составом, а также возможности поиска новых материалов.

Задачи, решенные в ходе диссертационной работы.

1. Разработаны методы получения твердых растворов и пленок компонентов системы 1п8Ь-2пБе.

2. Исследованы физико-химические свойства поверхности:

- структура;

- химический состав и стехиометрия;

- кислотно-основные;

- адсорбционные (по отношению к оксиду углерода (II));

- электрофизические;

- оптические.

3. Выявлена природа активных центров и механизм взаимодействия поверхности с СО, компонентом важнейших технологических реакций органического синтеза и газовых выбросов.

4. Установлены закономерности протекания изученных адсорбционных и электронных процессов и механизм взаимосвязи их между собой и с составом.

5. Намечены подходы к прогнозированию поверхностных свойств, созданы новые материалы на основе изученной системы.

Научная новизна работы

1. Впервые с использованием разработанных методов синтезированы и идентифицировании твердые растворы системы ГпБЬ-гпБе различного габитуса (порошки и пленки).

2 Комплексный подход к исследованию реальной поверхности дополнен новыми вариантами - наряду с традиционными, использованы методы определения ширины запрещенной зоны и стехиометрического состава поверхности тонкопленочных образцов, одновременно сняты на них кривые адсорбции и заряжения поверхности; проведен термодинамический анализ адсорбционных систем, включающий расчеты изменения энтропии адсорбции.

3. Изучены структура, химический и стехиометрический состав, оптические, кислотно-основные, адсорбционные, электрофизические свойства поверхности твердых растворов и других компонентов системы 1п5Ь-7п5е.

- Порошки и пленки компонентов системы имеют структуру сфалерита. Состав их поверхности после соответствующей термической и вакуумной обработки близок к стехиометричному.

- Химический состав исходной, экспонированной на воздухе поверхности представлен адсорбированными молекулами Н20, группами ОН', углеводородными соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов.

- Ширина запрещенной зоны возрастает в ряду ГпБЬ—^пБе.

- По оценке кислотно-основных характеристик исходная поверхность компонентов системы является преимущественно кислой (с переходом в слабощелочную для гпБе). При взаимодействии с СО концентрация кислотных центров уменьшается, поверхность становится более щелочной.

- Роль активных центров выполняют преимущественно координационно-ненасыщенные атомы и вакансионные дефекты, функциональная способность которых зависит от координационного окружения в твердых растворах.

- Оксид углерода (II) взаимодействует с поверхностью бинарных и более сложных компонентов системы по донорно-акцепторному механизму с образованием линейных карбонильных комплексов.

- Основные опытные зависимости адсорбционных и электронных процессов на всех компонентах подчиняются классическим законам. Характер кинетических кривых адсорбции и заряжения поверхности указывает на определенный вклад биографических состояний и, соответственно, подтверждает роль вакансионных дефектов как активных центров. Обращает на себя внимание параллелизм в закономерностях адсорбционных и электронных процессов, что является физической основой тесной взаимосвязи атомно-молекулярных и электронных процессов, отмеченной для алмазоподобных полупроводников и заключающейся в одинаковой природе активных центров и поверхностных состояний.

- Сопоставление свойств бинарных полупроводников и твердых растворов позволило выявить сходство и различие в их поведении. О сходстве свидетельствуют одинаковая природа активных центров, поверхностных соединений и

аналогичные закономерности изученных процессов. На специфические свойства твердых растворов указывает наличие экстремумов на зависимостях «поверхностное свойство-состав».

- На основе анализа зависимостей «кислотно-основные характеристики-состав», «адсорбционная активность-состав», «электрофизические характеристики -состав» подтверждена природа активных центров и механизм изученных поверхностных процессов и предложены пути к созданию новых материалов -оптимальных адсорбентов, катализаторов. На основе полученных материалов предложены полупроводниковые сенсоры-датчики.

Защищаемые положения

1. Результаты идентификации и исследования структуры, химического состава, стехиометрии, кислотно-основных, адсорбционных, электронных свойств поверхности системы 1п8Ь-2п8е.

2. Природа активных центров, в качестве которых выступают координационно-ненасыщенные поверхностные атомы и вакансионные дефекты, изменяющие свои функциональные способности под влиянием координационного окружения в многокомпонентных системах типа твердые растворы.

3. Предложенная схема взаимодействия СО с поверхностью компонентов системы ¡пБЬ^пБе. В основе взаимодействия лежит донорно-акцепторный механизм с образованием линейных карбонильных комплексов.

4. Параллелизм основных опытных зависимостей адсорбционных и электронных характеристик как причинная основа тесной взаимосвязи атомно-молекугсяр-ных и электронных процессов.

5. Общность и специфичность в поведении твердых растворов по сравнешно с бинарными полупроводниками, проявляющаяся во взаимном влиянии компонентов сложной системыи и, соответственно, в наличии экстремальных эффектов на диаграммах "свойство - состав".

6. Способ предварительной оценки адсорбционной и каталитической активности полупроводниковых систем типа А3В5-А2В6 на основе электрофизических, оптических, кислотно-основных характеристик.

7. Практические рекомендации по созданию активных адсорбентов по отношению к СО и катализаторов органического синтеза, активных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси СО.

Практическая значимость работы

1. Предложены методы синтеза твердых растворов ГпБЬ^пБе различного габитуса (в пленочном и порошкообразном состоянии).

2. Найдены режимы вакуумной и термической обработки бинарных компонентов и твердых растворов (пленок), обеспечивающие упорядочение кристаллической структуры и приближение к стехиометрическому составу поверхности.

3. Предложен способ прогнозирования адсорбционной и каталитической активности полупроводниковых твердых растворов и бинарных компонентов системы с использованием физических и физико-химических характеристик.

4. С применением данного способа:

- выявлены твердый раствор, содержащий 5%мол.2п8е, и бинарный компонент системы (InSb) с повышенной чувствительностью по отношению к СО при соответствующих условиях;

- разработаны практические рекомендации для использования этих материалов как активных элементов сенсоров-датчиков на микропримеси СО; созданы датчики на основе 5%мол. ZnSe, InSb и ZnSe, которые закреплены положительными решениями о выдаче патентов на изобретение.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы докладывались и обсуждались на научных конференциях профессорско-преподавательского состава, научных работников и аспирантов ОмГТУ (г.Омск, 19962000г.), XXXV Международной научной студенческой конференции «Студент и научно-технический прогресс» (г. Новосибирск, 1997), II и III Международных научно-технических конференциях «Динамика систем, механизмов и машин» (г. Омск, 1997 и 1999), «Осенней экологической школе-1998» под руководством Факультета экологии Центрального Европейского Университета и Института «Открытое общество»(фонд Сороса) ( г.Новосибирск, 1998), межрегиональной научно-практической конференции «Роли инноваций в развитии регионов» (г.Омск, 1999), VII Всероссийской студенческой научной конференции «Экология и проблемы защиты окружающей срёды»( г. Красноярск, 2000), VI Конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока» (г. Новосибирск, 2000).

Структура работы. Диссертация состоит га введения, четырех глав, выводов и списка литературы.

Краткое содержание работы

Во введении дано обоснование актуальности темы диссертационной работы, сформулированы ее цель и задачи, приведены основные положения, выносимые на защиту, отмечены научная новизна работы и ее практическая значимость.

В первой главе приводится обзор и анализ литературных данных по объемным и поверхностным свойствам бинарных компонентов InSb и ZnSe. Обобщены сведения об известных методах получения систем типаА3В5-А2В6, а также об их кристаллохимических, термодинамических, химических, электрофизических, оптических, кисЛотно-основных, адсорбционных и каталитических свойствах. Приведен краткий обзор известных способов получения тонких пленок алмазоподобных полупроводников. Систематизированны данные о современных областях применения компонентов А3В5 и А2В6 и твердых растворов на их основе. Дано обоснование выбора способов получения компонентов системы InSb-ZnSe и общей методологии комплексного изучения ее поверхностных свойств.

Во второй главе описаны методы получения и идентификации твердых растворов и компонентов системы InSb-ZnSe, а также методы исследования их поверхностных свойств.

В качестве объектов исследований использовали:

1) порошки бинарных компонентов InSb, ZnSe;

2) порошки твердых растворов системы 1п5Ь-2п5е, содержащих до 30%мол. ZnSe, полученные в лабораториях ОмГТУ методом термической диффузии исходных компонентов при Т=1333К;

3) пленки 1пБЬ, гпБе и их твердых растворов, содержащих до 10%мол. гпБе, полученные в лабораториях ОмГТУ методом вакуумного испарения с последующим отжигом; пленки напыляли на различные подложки (стекло, монокристаллы КВг, СаАэ, кварца).

Идентификацию полученных систем проводили с использованием рентгенографического анализа и методов ИК-спектроскопии (определение ширины запрещенной зоны) и лазерной масс спектрометрии (исследование стехио-метрического состава).

Оценку кислотно-основных характеристик поверхности, экспонированной на воздухе и в атмосфере оксида углерода (II), определяли методами гидролитической адсорбции солей (определение рН-изоэлектрического состояния), механо-химии с привлечением ИК-спектроскопии, неводного кондуктометрического титрования.

Для выяснения основных закономерностей и механизма взаимодействия с -поверхностью оксида углерода (II) использовали методы прямых адсорбционных измерений, электрофизические и термодесорбционные.

Адсорбцию СО изучали методом пьезокварцевого взвешивания (чувствительность 1,23 • 10 "г/см2 Гц) в интервале температур 273-428К и давлений адсорбата 0,4-8,7Па. Пленку наносили на электродную площадку пьезокварцевого резонатора. На этих же образцах одновременно проводили исследования заряжения поверхности под влиянием адсорбированного газа.

Термодесорбционные исследования проводили в режиме программированного нагрева в интервале температур 295-553 К с привлечением масс-спектро-метрической регистрации продуктов десорбции.

Перед измерением все образцы подвергали вакуумной экспонированию, температурный режим которого устанавливался опытным путем и определялся устойчивостью образца.

Воспроизводимость результатов проверяли дублированием опытов. С использованием ЭВМ проведены расчеты кристаллохимических, стехиометрических, кинетических, адсорбционных, термодинамических и электронных характеристик и статистическая обработка результатов методом наименьших квадратов.

В третьей главе описаны результаты проведенных экспериментальных исследований - идентификации полученных компонентов системы 1п8Ь-2п5е, оценки кислотно-основных и физико-химических характеристик состояния их поверхности, исходной и экспонированной в газовой среде; дана интерпретация полученных данных.

В четвертой главе проведены анализ, систематизация и сопоставление результатов, на основании которых выявлены механизм, основные закономерности протекания изученных поверхностных процессов, их взаимосвязь между собой и с составом системы ЬгёЬ-ТпБе.

Получение и идентификация твердых растворов системы 1п8Ь-2п8е.

Ширина запрещенной зоны и стехнометричеекий состав поверхности ее

компонентов

Твердые растворы системы 1п8Ь-2п8е были синтезированы двумя способами". методом термической диффузии-иорошкм (до 30%мол.7п8е), методом вакуумного испарения с последующей вакуумной и термической обработкой-тонкие пленки (до 10%мол. ЕпБе). Последние являются наиболее интересными при изучении поверхностных свойств, играющих основную роль при протекании адсорбционных и каталитических процессов, так как в этих образцах влияние объемной фазы практически отсутствует.

Идентификацию синтезированных образцов проводили традиционным рентгенографическим методом, а также использовали новые методы: по ИК-спектрам определяли ширину запрещенной зоны, методом лазерной масс-спектрометр ии - стехиометрический состав.

Рентгенографический анализ показал, что порошки и пленки исходных компонентов и твердых растворов преимущественно имеют структуру сфалерита. Линии на рентгенограммах исследуемых систем сдвинуты относительно бинарных компонентов при постоянном их числе. Зависимости рассчитанных значений параметров решеток, межплоскостных расстояний и рентгенографической плотности от состава близки к линейным.

Значения ширины запрещенной зоны - важнейшего полупроводникового параметра - определяли по пересечению касательной к краю полосы поглощения с осью Ь\> (рис. 1). Ширина запрещенной зоны бинарного компонента 1пБЬ равна 0,20 эВ. Для исследуемых гетеровалентных систем 1пБЬ- 2п5е, содержащие 5% и 10%мол. /пБе, величины энергетического зазора соответственно равны 0,27 и 0,35 эВ. В изученном интервале концентраций практически сохраняется линейная зависимость АЕ от состава, которая подчиняется уравнению АЕ=0,016• х%мол.7. +0,19.

' ¿лБе '

Сравнительный анализ стехиаметрического состава порошков 1пБЬ и 7пБе и их тонко пленочных образцов на различных подложках показал следующее:

1) состав исходного порошка селенида цинка отвечал формуле 7п5е085;

2) состав пленки селенида цинка соответствовал формуле гпБе, то есть в пленке происходит увеличение содержания более летучего компонента, что приближает ее состав к стехиометричному, при этом последующий отжиг практически на нем не сказывается;

3) состав исходного порошка антимонида индия отвечал формуле 1пЗЬ076;

4) состав пленки антимонида индия соответствовал формуле ГпБЬ, 78, то есть также, как и в случае гпБе, наблюдается избыток более летучего компонента; последующий отжиг исследуемого тонкопленочного образца в выбранном температурном режиме приводил к формированию в тонком слое состава ГпБЬ, 05 , что в пределах ошибки измерений отвечает стехиометрическому.

Состав тонких пленок твердых растворов 1п8Ь-2пБе, полученных из

исходных смесей с 5 и 10%мол. 2пБе, после отжига в условиях, аналогичных для ЬгёЬ, соответствовал формулам 0,9541п8Ь, оГ0,0467пБе и 0,9131пБЬ, 05-0,0872п8е, то есть близок к стехиометричному.

На основании всех указанных измерений установлено образование ряда гетеровалентных твердых растворов замещения в системе ТпЗЬ-гпБе в исследованной области концентраций.

Кроме того, подмечены тенденции уменьшении удельной электропроводности образцов системы при увеличении содержания гпБе, что связано с механизмом попарного замещения атомов и подтвердает образование твердых растворов.

Кислотно-основные свойства. Химический состав поверхности

Методами определения рН-изоэлектрического состояния, механохимии, кондуктометрического титрования, масс-спектрометрической термодесорбции была проведена оценка кислотно-основных характеристик поверхности компонентов системы 1п8Ь-гп8е (порошков).

На основе механохимических исследований, позволяющих работать со свежеобразованной поверхностью, доказано присутствие на поверхности 'исследованных образцов адсорбированных молекул Н20 и групп ОН". Так, при измельчении крупнодисперсных порошков 1пБЬ и 2п8е наблюдается изменение рН раствора: для 1п8Ь - от 6,3 до 5,5; для 2пБе - от 8,4 до 7,9. Подкисление среды подтверждают и ИК-спектроскопические исследования - в водных растворах диспергированных порошков были обнаружены полосы поглощения 595см-1 и 996см"1, за которые отвечают ионы 8Ь043' и 8е042" соответственно. Образование этих ионов имеет поверхностное происхождение. Они являются продуктами взаимодействия десорбированных молекул Н20 и групп ОН"с поверхностями атомами [1,2].

Проведенные измерения рН-изоэлектрического состояния позволили расположить исследуемые образцы в следующий ряд:

1п5Ь>5%мол.2п8е>10%мол.2п8е>15%мол.7п5е9>30%мол.2п8е>2п5е, при этом наблюдается изменение свойств от слабокислотных (рНизо1п5Ь=6,3) через амфотерные к слабоосновным (рНизо2п5е=8,1).

Дифференциальные кривые кондуктометрического титрования в неводной среде показали присутствие на поверхности различных по силе кислотных центров. Концентрация кислотных центров, рассчитанная по второму пику, выстраивается в ряд:

1п8Ь>5%мол.2п8е>10%мол.гп8е> 15%мол.2п8е9>3 0%мол.2п5е>2пБе, что совпадает с рядом, полученным для данных образцов по результатам определения рН-изосостояния в водной среде. В работе был сделан вывод, что это кислотные центры бренстедовского типа, появление которых связано с адсорбированными молекулами Н20 и группами ОН". Концентрация кислотных центров, рассчитанная по первому пику, выстраивается в ряд:

5%мол.гп8е>1п8Ь> 15%мол.«30%мол.2п8е«7п8е>10%мол.2п8е.

Этот тип кислотных центров был идентифицирован как электронно-акцепторные центры Льюиса.

После экспонирования образцов в атмосфере СО общая концентрация кислотных центров уменьшилась и поверхность стала более щелочной. При этом на поверхности частично сохранились только кислотные центры бренстедовского типа, то есть взаимодействие молекул газа с поверхностью идет преимущественно на льюисовских центрах. Наибольшее изменение концентрации кислотных центров происходит на образце, содержащем 5%мол^п8е.

Адсорбционные и электрофизические свойства (по отношению к оксиду углерода (П))

С целью детального изучения взаимодействия оксида углерода(П) с поверхностью компонентов системы 1пБЬ-2п8е был использован комплекс различных методов. Среди них следует выделить метод пьезокварцевого взвешивания, позволяющий одновременно проводить тонкие прямые адсорбционные измерения и исследование заряжения поверхности под влиянием адсорбированного газа.

Взаимодействие молекул СО с поверхностью образцов исследуемой системы имеет химическую природу, то есть на всех образцах при Т>343К протекает процесс необратимой активированной адсорбции. Величина адсорбции имеет порядок 10"3моль/м2 и увеличивается с ростом температуры и давления газа.

Проведенные расчеты термодинамических и кинетических характеристик показали следующее (таб. 1). На всех образцах с заполнением поверхности энергии активации адсорбции Еа увеличиваются, а теплоты адсорбции qa уменьшаются. Это свидетельствует о равномерно-неоднородном характере исследуемой поверхности и присутствии на ней различных по силе активных центров. Отрицательные величины изменений энтропий адсорбции ДБ указывают на частичное или полное торможение вращательных и поступательных степеней свободы адсорбированных молекул и, соответственно, образование относительно прочных связей.

Спектры термодесорбции СО с поверхности компонентов системы имели сложный характер, подтверждая многостадийность процесса и присутствия на поверхности нескольких типов активных центров.

Анализ проведенных исследований (в том числе и оценка кислотно-основных характеристик) позволил выявить природу активных центров. Как и на других алмазоподобных полупроводниках, ими преимущественно являются координационно-ненасыщенные поверхностные атомы и вакансионные дефекты, функциональная способность которых значительно зависит от координационного окружения в многокомпонентных системах.

Оксид углерода (II) взаимодействует с этими активными центрами в основном по донорно-акцепторному механизму, где донором электронных пар выступает молекула газа, а акцептором электронных пар выступает поверхностный атом со свободными (1- и р-орбиталями.

Таблица 1

Адсорбционные, термодинамические и кинетические характеристики компонентов системы 1п8Ь-2п8е

Образец 1п5Ь 0,951п5Ь-0,052п5е 0,901п8Ь-0,102п8е

Т,К а-103, Е„ 4«. -ДЭ, Ча, -ДБ, Еа, Ча, -ДБ,

моль кДж кДж Дж кДж кДж Дж кДж Дж

м2 моль моль моль-К моль моль моль-К моль моль молы К

395 0,61 95,7 8,5 68,2 - 11,7 61,5 47,6 29,0 25,8

0,91 98,0 4,5 71,7 62,8 9,5 57,9 53,0 20,5 24,4

1,36 102,1 3,4 71,6 75,0 6,5 61,3 - - -

428 0,91 98,0 13,7 56,8 62,8 24,4 36,9 53,0 35,8 7,6

1,36 102,1 10,8 59,6 75,0 20,0 33,1 - 27,4 12,9

Адсорбция СО протекает на одном из атомов адсорбента (чаще всего на обладающем более выраженными металлическими свойствами атоме А) с образованием соединений типа карбонилов с линейной структурой [ 1 ]:

0=С+| А □ =>0=СМ А^П

о=с+1 в □ => о=с^ I В^П I I > 1 е

Различная координационная ненасыщенность поверхностных атомов может способствовать образованию нескольких типов связей с молекулами адсорбата, отличаясь степенью делокализации электронов и прочностью. Последняя тем выше, чем больше эффективный заряд 8 поверхностного атома. Этим можно объяснить появление в спектре термодесорбции несколько форм адсорбированного СО.

Следует отметить, что основные опытные зависимости адсорбционных и электронных процессов подчиняются классическим законам.

Экстремальный характер кинетических кривых адсорбции и заряжения поверхности (рис. 2) в условиях интенсивного взаимодействия газовой среды с поверхностью указывает на вклад в данный процесс биографических поверхностных состояний, связанных с присутствием вакансионных дефектов как активных центров.

Обращает на себя внимание аналогия в закономерностях адсорбционных и электронных процессов: кинетических кривых, температурных зависимостей, зависимостей от начального давления адсорбата (рис. 2-3). Небольшое изменение электропроводности под влиянием СО соответствует малой величине адсорбции.

Поверхностная электропроводность <Тз наиболее заметно изменяется при Т>343-353К. В области наибольшего изменения СУ наблюдается и наибольшая химическая адсорбция. Такое соответствие показывает: молекулы СО, адсорбируясь, блокируют активные центры, одновременно ответственные и за адсорбцию, и за поверхностную проводимость.

Тем самым, раскрывается физическая основа отмеченной ранее тесной взаимосвязи для алмазоподобных полупроводников атомно-молекулярных и электронных процессов.

Основные закономерности изменения изученных поверхностных свойств в зависимости от состава системы

Исследования, проведенные в настоящей работе, позволили сопоставить свойства бинарных компонентов и твердых растворов на их основе, выделить общность и различие в их поведении. Общий вид опытных зависимостей, порядок адсорбционных, кинетических и термодинамических характеристик, указывающие на единство природы активных центров, поверхностных соединений, механизма поверхностных процессов, свидетельствуют об общности свойств. В то же время наличие экстремумов на зависимостях «поверхностное свойство-состав» указывает на специфические проявления твердых растворов как многокомпонентных систем. При образовании твердых растворов происходит изменение степени упорядоченности и дефектности структуры исходных бинарных компонентов под влиянием атомов-заместителей. Изменение дефектности ведет к изменению координационного окружения поверхностных атомов, их ненасыщенности. Это несомненно сказывается на количестве активных центров и прочности их связи с адсорбатом.

Анализ зависимостей — «кислотно-основные характеристики-состав», «адсорбционные свойства-состав», «электронные свойства-состав» - позволил установить частные функциональные зависимости между поверхностными свойствами. А это, в свою очередь, позволяет прогнозировать поверхностные свойства новых материалов по другим, как объемным, так и поверхностным, а также целенаправленно их изменять.

В этом отношении интересна корреляция между зависимостями «величина адсорбции-состав» и «кислотность поверхности-состав» (рис.4). Так, поверхность образца, содержащего 5%мол. ZnSe, характеризуется наибольшей концентрацией электронно-акцепторных активных центров и, соответственно, наибольшей адсорбционной активностью по отношению к СО (донору электронных пар). Исследование кислотно-основных характеристик для прогнозирования адсорбционных, вместо проведения прямых измерений а, сокращает время и трудоемкость проведения эксперимента.

Аналогичная корреляция между зависимостями «ширина запрещенной зоны ДЕ-состав», «поверхностная электропроводность СТ5-состав», «ДсГ5-состав» (рис.5) позволяет предсказывать поведение системы при контакте с газовой средой.

Кроме того, анализ зависимостей «поверхностное свойство-состав» позволил

Рис. 1. Определение ширины запрещенной зоны образцов: 1 - 1п БЬ; 2 - 0,951п БЬ - 0,05 Ъху Бе; 3 - 0,901п БЬ - 0,10 Тп Бе

Рис. 2. Кинетические кривые адсорбции (1 - Т=423 К, 2 - Т=388 К) и заряжения поверхности под влиянием СО ( 1а - Т=423 К, 2а - Т=388 К) для образца 0,951п БЬ - 0,05 Ъа Бе ( Р = 4,4 Па)

а.- ю'ъ1лол б/лл2

Дб5-10~<ОгА-1-СЛЛ*1

г /*

-0.08

-0,0<у

^О Г4*е» & (ьяо) (0,0 р, Пя (Т,Ю

Рис. 3. Зависимости величин адсорбции (1) и изменения поверхностной

электропроводности (2) от исходного давления газа СО для образца 0,951п БЬ - 0,05 Zn Бе (Т=388 К).Температурные зависимости величин адсорбции (3) и изменения поверхностной электропроводности (4) для образца 0,951п БЬ - 0,05 2п Бе ( Рсо= 4,4 Па )

л • 40 моль/м*

СМ0*5г,ак6/г

5 Го " Вп£е.

Рис. 4. Диаграммы зависимостей величины адсорбции (1) и концентрации кислотных центров (2) от состава системы 1п БЬ - Ъа Яе

о,6

5 к> *"

Рис. 5. Диаграммы зависимостей ширины запрещенной зоны (1) и изменения поверхностной проводимости под влиянием СО (2) от состава

системы 1п БЬ - 2ху Бе

выявить наиболее активные в адсорбционном и электронном отношении компоненты системы и предложить их в качестве материалов сенсоров-датчиков на микропримеси СО. Так, с использованием твердого раствора с 5%мол. содержанием гпБе, максимальная величина адсорбции на котором составляет 1,80-10'3 моль/м2 при Рсо= 8,7 Па и 0,71 • 10 3 моль/м2 при Рсо=0,4 Па, и бинарных компонентов 1пБЬ ( Да=0,72 • ЮЮм'см"1 при Рсо= 4,4 Па) и гпБе (о=0,35* 10 3 моль/м2 при Рсо= 3,3 Па и а=0,75 • 10"3 моль/м2 при Рсо= 8,7 Па) создаш>1 датчики, которые закреплены положительными решениями о выдаче патентов на изобретения.

Общие выводы

1. Синтезированы твердые растворы системы ЫБЬ-гпБе различного габитуса. На основании рентгенографического, оптического и электрофизического анализов сделан вывод об образовании твердых растворов замещения в исследуемой области концентраций: при увеличении в системе содержания компонента гпБе плавно

- уменьшаются параметры решеток и межплоскостные расстояния,

- увеличивается ширина запрещенной зоны,

- уменьшается удельная электропроводность.

2. Исследованы структурный, химический и стехиометрический составы поверхности.

- Порошки и пленки твердых растворов имеют преимущественно структуру сфалерита.

-Химический состав исходной, экспонированной на воздухе, поверхности представлен адсорбированными молекулами Н20 и группами ОН", углеродоводо-родными соединениями и продуктами окисления поверхностных атомов.

- Состав их поверхности после соответствующей термической и вакуумной обработки приближается к стехиометрическому.

3. Методами определения рН-изоэлектрического состояния, механохимии, кондукгометрического титрования, термодесорбции проведена оценка кислотно-основных свойств поверхности компонентов системы 1п8Ь-2пБе, экспонированной на воздухе и в атмосфере СО.

- Исходная поверхность обладает преимущественно кислыми свойствами (с переходом в слабощелочные для 2пБе). При взаимодействии с СО концентрация кислотных центров уменьшается, поверхность становится более щелочной.

- На исходной поверхности присутствуют два типа кислотных центров: льюисовские (электронно-акцепторные) и бренстедовские (адсорбированные молекулы Н20 и группы ОН"). После экспонирования в СО на поверхности частично сохраняются только центры Бренстеда.

4. С использованием методов пьезокварцевого взвешивания, электрофизических, термодесорбционных изучено взаимодействие оксида углерода (И) с поверхностью образцов системы 1п8Ь-2п8е.

- Подтверждено предположение об отсутствии влияния габитуса на механизм

и характер протекания поверхностных процессов.

- В качестве активных центров выступают в основном координационно-ненасыщенные атомы и вакансионные дефекты, функциональные способности которых изменяются под действием координационного окружения в многокомпонентных системах твердых растворов.

- Оксид углерода (II) взаимодействует с поверхностью бинарных и более сложных компонентов исследуемой системы по донорно-акцепторному механизму с образованием линейных карбонильных комплексов.

- Основные опытные зависимости адсорбционных и электронных процессов на всех компонентах системы подчиняются в основном классическим законам. Характер кинетических кривых адсорбции и заряжения поверхности указывает на определенный вклад биографических поверхностных состояний и, соответственно, подтверждает роль вакансионных дефектов как активных центров. Установлен параллелизм в закономерностях адсорбционных и электронных процессов, что раскрывает физическую основу их тесной взаимосвязи, заключающейся в одинаковом происхождении активных центров и поверхностных состояний.

5. Сопоставление свойств бинарных полупроводников и их твердых растворов позволило выявить сходство (одинаковая природа активных центров, поверхностных соед1шений, аналогичные закономерности изученных процессов) и различие (наличие экстремумов на зависимостях «поверхностное свойство-состав») в их поведении.

6. На основе анализа зависимостей кислотно-основных (рН-шоэлектрического состояния, концентрации кислотных центров), адсорбционных (величины адсорбции), электронных (ширины запрещенной зоны, поверхностной проводимости) свойств от состава подтверждены природа активных центров и механизм исследованных поверхностных процессов, а также намечены пути к созданию новых материалов - адсорбентов, катализаторов, активных элементов сенсоров-датчиков газового анализа.

Цитируемая литература

1. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полу проводников.Адсорбция газов. - Иркутск:ИГУ, 1984.-186 с.

2. Кировская И.А. Адсорбционные процессы. - Иркутск:ИГУ, 1995. - 300 с.

Основные результаты диссертации опубликованы в работах:

1. Ложникова Т.В., Чжу (Азарова) О.П., Баховцева Ю.В., Дайниева И.И. Скворцова Н.Г. Адсорбционные свойства систем «полупроводник А2В6 - СО»/ Тез. докл. XXXV Международной научной студенческой конференции «Студен-и научно-технический прогресс». - Новосибирск, 1997.

2 Кировская И.А., Баховцева Ю.В., Ложникова Т.В., Дайниева И.И., Чж} (Азарова) О.П. Создание первичных преобразователей для анализа объекта окружающей среды// Тез. докл. II Международной научно-техническо! конференции «Динамика систем, механизмов и машин». - Омск, 1997. - С. 13 0.

3. Кировская И.А., Ложникова Т.В., Азарова О.П., Скворцова Н.Г. Колосов П.Е. Адсорбционные свойства полупроводниковых соединений типе А2Вб по отношению к оксиду углерода//Омский научный вестник, 1998.-Вып.4 -С.94-97.

4. Кировская И.А., Ложникова Т.В., Азарова О.П., Скворцова Н.Г.. Липин В.В. Получение, структура, химический состав и адсорбционные свойства (по отношению к СО) поверхности А2В6//Деп. в ВИНИТИ, 1999,-№ 1025-В99.-13с.

5. Кировская И.А., Ложникова Т.В., Азарова О.П., Сквор цова II.F., Скутин Е.Д. Материалы для сенсоров датчиков экологического назначения// Тез.докл. межрегиональной научно-практической конференции «Роли инноваций в развитии регионов». - Омск, 1999.- С.31-32.

6. Кировская И. А., Ложникова Т.В., Азарова О.П., Скворцова Н.Г. Перспективы полупроводникового анализа оксида углерода// Там же,- С.ЗЗ.

7. Азарова О.П. Получение и исследование пленок соединений ZnSe и InSb/ / Тез. докл. III Международной научно-технической конференции «Динамика систем, механизмов и машин». - Омск, 1999. - С.348-349.

8. Азарова О.П., Скворцова Н.Г., Ложникова Т.В. Кислотно-основные свойства бинарных соединений алмазоподобных полупроводников// Там же. - С.349-350.

9. Азарова О.П. Экспрессный анализ угарного газа в производственных условиях// Тез. докл. VII Всероссийской студенческой научной конференции «Экология и проблемы защиты окружающей среды». - Красноярск, 2000.

10. Кировская И.А., Ложникова Т.В., Азарова О.П. Новые возможности оперативной диагностики и контроля содержания оксида углерода// Тез. докл. VI Конференции «Аналитика Сибири и Дальнего Востока». - Новосибирск, 2000.

11. Кировская И. А., Азарова О.П. Газовый датчик. - Положительное решение о выдаче патента на изобретение по заявке № 2000110044/28 от 12,04.2000г.

12. Кировская И. А., Азарова О.П., Скворцова Н.Г. Датчик угарного газа. -Положительное решение о выдаче патента на изобретение по заявке №2000121327/28ог28.08.2000г. "

Введение

ГЛАВА I. Литературный обзор.

1.1. Основные свойства 1п8Ь,2п8е - основных представителей групп алмазоподобных полупроводников

1.1.1. Способы получения

1.1.2. Кристаллохимические свойства

1.1.3. Химические свойстваЮ

1.1.4. Характер связи

1.1.5. Электрические свойства

1.1.6. Магнитные свойства

1.1.7. Оптические свойства

1.1.8. Адсорбционные и каталитические свойства

1.2. Общая характеристика твердых растворов на основе бинарных соединений и методы их получения

1.3. Выращивание тонких пленок алмазоподобных полупроводников

1.4. Твердые растворы типа А3В5-А2В

1.5. Твердые растворы ОаАз-гпБе как представители систем А3В5-А2В

1.6. Применение алмазоподобных полупроводников и твердых растворов на их основе

ГЛАВА И. Экспериментальная часть.

Вводные замечания

2.1. Исследуемые объекты и методы их получения

2.1.1. Получение твердых растворов

2.1.2. Получение пленок бинарных соединений 1п8Ь, ZnSe и их твердых растворов

2.2. Идентификация твердых растворов

2.2.1. Рентгенографический анализ■

2.2.2. Определение ширины запрещенной зоны

2.2.3. Определение стехиометрического состава

2.3. Адсорбция оксида углерода (II)

2.3.1. Выбор и получение адсорбата

2.3.2. Адсорбционные измерения

2.4. Электрофизические измерения

2.5. Исследование кислотно-основных свойств

2.5.1. Определение рН-изосостояния

2.5.2. Механохимические исследования

2.5.3. Кондуктометрическое титрование

2.6. Термодесорбционные измерения

ГЛАВА III. Результаты и их обсуждение.

3.1. Идентификация твердых растворов

3.1.1. Рентгенографический анализ

3.1.2. Определение ширины запрещенной зоны

3.1.3. Определение стехиометрического состава

3.2. Адсорбционные измерения

3.2.1. Кинетика и энергия активация адсорбции

3.2.2. Изобары адсорбции

3.2.3. Равновесные изотермы адсорбции. Изменение энтропии и теплота адсорбции

3.2.4.3ависимость кинетических, адсорбционных, термодинамических характеристик от состава системы InSb-ZnSe

3.3. Электропроводность InSb, ZnSe и их твердых растворов

3.3.1. Электропроводность образцов в вакууме

3.3.2. Электропроводность образцов в атмосфере СО

3.4. Кислотно-основные свойства

3.4.1. Водородный показатель изосостояния

3.4.2. Механохимические исследования

3.4.3. Кондуктометрическое титрование

3.5. Термодесорбционные исследованияЦ

ГЛАВА IV. Обобщение и систематизация результатову.

Выводы

л г О Л

Актуальность проблемы. Системы А В -А В , представителем которой является исследуемая система 1п8Ь-7п8е, относятся к типу гетеровалентного замещения. Здесь и катионообразователи, и анионообразователи различной валентности и, соответственно, из разных групп периодической системы Д.И Менделеева. Общим для этих веществ является природа межатомных связей (тетраэдрические ковалентные связи) и, как следствие, - идентичность кристаллической структуры.

Физико-химические, электрические и, тем более, поверхностные свойства многокомпонентных гетеровалентных алмазоподобных систем практически не исследованы, но даже то, что уже известно (неупорядоченное расположение многих типов атомов в строгой алмазоподобной структуре, большие области гомогенности при сохранении ряда свойств внутри этих областей, малая теплопроводность, сильная компенсация носителей заряда, появление экстремальных эффектов на адсорбционных и электрофизических зависимостях, комбинированное действие компонентов в качестве макро и микропримесей, возможность получения при максимальной разнице в значениях ширины запрещенной зоны и прямых переходах минимальной разницы в параметрах решетки, возможность осуществления гетеропереходов и т.д.) вызывают к ним большой научный и практический интерес.

Особенно ярко интересные свойства, связанные с фактором многокомпонентное™ полупроводниковых систем такого типа, должны проявляться при протекании поверхностных процессов, исключительно важных для катализа, современной оптики и электроники, изучения гетероструктур и гетеропереходов;

В 60-е годы, когда в технике существенно возрос интерес к новым полупроводниковым материалам, Кировской И.А. вместе с учениками были 5 начаты исследования по созданию единого подхода к исследованию реальной л с О А поверхности алмазоподобных полупроводников, в частности, А В , А В , управлению ее свойствами и получению материалов с заданными характеристиками. Такой подход включает комплексное изучение структуры, химического состава поверхности, изменение спектра поверхностных состояний, адсорбционно-каталитических и физических свойств. В последние годы это позволило решить ряд прикладных задач по оптимизации условий роста, обработки, хранения и стабилизации поверхности полупроводников, созданию неразрушающих методов контроля работы приборов на их основе, а также катализаторов реакций окислительно-восстановительного и кислотно-основного типа. Многие разработки защищены авторскими свидетельствами, патентами, внедрены на предприятиях радио, электронной, химической и оборонной промышленности.

В настоящее время проводятся работы по созданию теории управления поверхностью бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников (твердых растворов на основе полупроводников А3В5 и А2В6) как основы улучшения технологии известных, поиска и разработки новых эффективных материалов, улучшения и создания новых полупроводниковых приборов. Среди них, в первую очередь, - сенсоры-датчики экологического назначения на основе тонкопленочных и многокомпонентных полупроводников.

Настоящая работа является логической составляющей названных исследований. Она посвящена решению актуальной для физиков и химиков проблемы - поиску новых материалов. При определенной изученности элементарных и бинарных полупроводников такие материалы следует искать, прежде всего, среди тройных, четверных и более сложных систем. Путь этот труден, так как из-за недостатка данных здесь отсутствует какая-либо теория. Однако, возможности получения систем с неожиданными, интересными для новой техники и катализа свойствами, компенсирует подобные трудности. 6

Выбранная в качестве объекта исследования 1п8Ь-£п8е к началу работы не была получена. Поэтому ее объемные и, тем более поверхностные свойства совершенно не изучены. Уникальные же свойства бинарных компонентов 1п8Ь, Хп$>е (прежде всего, пьезоэлектрические, оптические, электрофизические и другие) указывают на возможность получения многокомпонентных систем на их основе с неменее интересными и неожиданными (с учетом взаимного влияния компонентов) свойствами. Отсюда целесообразность получения и исследования новой системы 1п8Ь-2п8е.

Цель работы. Разработать методы получения и изучить физико-химическое состояние (структуру, химический состав, адсорбционные, электрофизические, оптические свойства) реальной поверхности компонентов полупроводниковой системы 1п8Ь-2п8е; установить механизм взаимосвязи изученных поверхностных свойств и закономерности их изменений с составом, а также возможности поиска новых материалов.

Задачи, решенные в ходе диссертационной работы:

1. Разработаны методы получения твердых растворов и пленок компонентов системы 1п8Ь-7п8е.

2. Исследованы физико-химические свойства поверхности: структура; химический состав и стехиометрия; кислотно-основные; адсорбционные (по отношению к оксиду углерода (II)); электрофизические; оптические.

3. Выявлена природа активных центров и механизм взаимодействия поверхности с СО, компонентом важнейших технологических реакций органического синтеза и газовых выбросов. 7

4. Установлены закономерности протекания изученных адсорбционных и электронных процессов и механизм взаимосвязи их между собой и с составом.

5. Намечены подходы к прогнозированию поверхностных свойств, созданы новые материалы на основе изученной системы. 8

Общие выводы:

1. Синтезированы твердые растворы системы 1п8Ь-2п8е различного габитуса. На основании рентгенографического, оптического и электрофизического анализов сделан вывод об образовании твердых растворов в исследуемой области концентраций. При увеличении в системе содержания компонента 2п8е плавно уменьшаются параметры решеток и межплоскостные расстояния, увеличивается ширина запрещенной зоны, уменьшается удельная электропроводность.

2. Исследованы структурный, химический и стехиометрический составы поверхности.

Порошки и пленки твердых растворов имеют преимущественно структуру сфалерита.

Химический состав исходной, экспонированной на воздухе, поверхности представлен адсорбированными молекулами Н20 и группами ОН", продуктами окисления поверхностных атомов.

Состав их поверхности после соответствующей термической и вакуумной обработки приближается к стехиометрическому.

3. Методами определения рН-изоэлектрического состояния, механохимии, кондуктометрического титрования, термодесорбции проведена оценка кислотно-основных свойств поверхности компонентов системы 1п8Ь-гп8е, экспонированной на воздухе и атмосфере СО.

Исходная поверхность обладает преимущественно кислыми свойствами (с переходом в слабощелочные для 7п8е). При взаимодействии с СО концентрация кислотных центров уменьшается, поверхность становится более щелочной.

На исходной поверхности присутствуют два типа кислотных центров: льюисовские (электронно-акцепторные) и бренстедовские

131 адсорбированными молекулами Н20 и группами ОН"). После экспонирования в СО на поверхности частично сохраняются только центры Бренстеда.

4. С использованием методов пьезокварцевого взвешивания, электрофизических, термодесорбционных изучено взаимодействие оксида углерода (II) с поверхностью образцов системы InSb-Zn.Se.

Подтверждено предположение об отсутствии влияния габитуса на механизм и характер протекания поверхностных процессов.

В качестве активных центров выступают в основном координационно-ненасыщенные атомы и вакансионные дефекты, функциональные способности которых изменяются под действием координационного окружения в многокомпонентных системах типа твердые растворы.

Оксид углерода (II) взаимодействует с поверхностью бинарных и более сложных компонентов исследуемой системы по донорно-акцепторному механизму с образованием линейных карбонильных комплексов.

Основные опытные зависимости адсорбционных и электронных процессов на всех компонентах системы подчиняются в основном классическим законам. Характер кинетических кривых адсорбции и заряжения поверхности указывает на определенный вклад биографических поверхностных состояний и, соответственно, подтверждает роль вакансионных дефектов как активных центров. Установлен параллелизм в закономерностях адсорбционных и электронных исследований, что раскрывает физическую основу тесной взаимосвязи атомно-молекулярных и электронных процессов.

5. Сопоставление свойств бинарных полупроводников и их твердых растворов позволило выявить сходство и различие в их поведении. Одинаковая природа активных центров, поверхностных соединений, общие закономерности изученных процессов свидетельствуют о сходстве свойств.

132

На специфические свойства указывает наличие экстремумов на зависимостях «поверхностное свойство-состав».

6. На основе анализа зависимостей кислотно-основных (рН-изоэлектрического состояния, концентрации кислотных центров), адсорбционных (величины адсорбции), электронных (ширины запрещенной зоны, поверхностной проводимости) свойств от состава подтверждены природа активных центров и механизм исследованных поверхностных процессов, а также намечены пути к созданию новых материалов -адсорбентов, катализаторов, активных элементов сенсоров-датчиков газового анализа.

В заключение хочу выразить глубокую благодарность моему научному руководителю д.х.н., профессору И.А. Кировской за помощь и внимание к работе.

133

1. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. - М.: Высшая школа, 1975.-320 с.

2. Горюнова H.A. Химия алмазоподобных полупроводников. Из-во ЛГУ, 1963.-С. 97-141.

3. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений III и V групп, под редакцией Б.И.Болтако, пер. с англ. М.: «Мир», 1967.- 477 с.

4. Полупроводниковые соединения А3В5 / Под ред. Р. Виллардсона и X. Геринга, пер. с англ. М.: «Металлургия», 1967. - 727 с.

5. Глазов В.М., Чижевкая С.Н., Глаголева H.H. Жидкие полупроводники. -М.: «Наука», 1967. С. 45-82.

6. Хилсум К., Ройз-Инс А. Полупроводники типа А3В5 М.: «ИЛ»,1963.-323 с.

7. Горюнова H.A. Семейство алмазоподобных полупроводников. Л.: Наука, 1970.- 44с.

8. Чижиков Д.М., Счастливый В.П. Селен и селениды. М.: Наука,1964.- 320 с.

9. Сысоев Л.А., Райскин Э.К., Гурьев В.Г. Изменение температуры плавления сульфидов, селенидов и теллуридов цинка и кадмия // Известия АН СССР, Сер. Неорган, матер.- 1967. 3, № 2. - С.390.

10. Горюнова H.A. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. Радио., 1968. - 267 с.

11. Борщевский A.C. Сб. «Химия и физика». Л.: ЛИСИ, 1961.- С. 19.

12. Корнеева И.В. Синтез и физико-химическое исследование некоторых свойств теллуридов и селенидов цинка и кадмия: Автореферат дис. канд. хим. наук. М., 1961.- 14 с.

13. Оболончик В.А. Селениды. М., 1973. - 189 с.

14. Мизецкая И.Б. Основные направления исследования полупроводниковых материалов на основе соединений типа А4В4-А2В6 // Известия АН СССР, Сер. Неорган, матер.- 1979. 15, № 7. - С. 1103-1106.

15. Шефер Г. Химические транспортные реакции / Под ред. Н.П. Лужной, пер. с нем. М.: « Мир», 1964. - С.64.

16. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов. Из-во по черной и цветной металлургии. - 1962. - Т. 1-2. - С. 184, 1260.

17. Миронов К.Е., Брыгалина Г.П., Эйхе С.Н. Термическое окисление арсенида галлия // Известия СО АН СССР, Сер. хим. 1967. - 5, № 12.- С.114.

18. Эйхе С.Н. Взаимодействие кислорода с арсенидом галлия: Автореферат дис. канд. хим. наук. Новосибирск, 1971.- 23 с.

19. Эйхе С.Н., Миронов К.Е. Фазовый анализ окисленного арсенида галлия // Зав. Лаборатория. 1969. - 35, № 424.134

20. Миронов К.Е., Бердичевский Г.П., Эйхе С.Н. Изменение микротвердости арсенида галлия после термической обработки// Известия СО АН СССР, Сер. Неорган.матер. 1971.-7 ,№ 2.- С.193-196.

21. Корнеева И.В., Новоселова A.B. О термическом разложении селенитов и селенатов цинка и кадмия // Журн. Неорган. Химии. 1959.- 4, № 9. - С.2220-2227.

22. Ефимова Б.А., Савицкая Т.С. // Физика тверд. Тела. 1959. - 1, № 9.- С.1325 .

23. Физика и химия соединений А2В6 / Под ред. С.А. Медведева, пер. с англ. М.: «Мир»,1970.- С. 233-455.

24. Aven М., Marple D.T.F., Segall В.// J. Appl. Phys., 1961, 32, p.2261.

25. Aven M., Segall В.//Phys. Rev., 1963, 130, p.81.

26. Marple D.T.F. // J . Appl. Phys., 1964, 35, p.l 879.

27. Кировская И.А., Желтоножко A.A. Магнитные и адсорбционные свойства полупроводников изоэлектрического ряда германия// Известия АН СССР, Сер. Неорган.матер.- 1971-7, №6- С. 921.

28. Марковский Л.Я., Пекерман Ф.М., JI.H. Петошина Ф.М. Люминофоры. -M.-JL: «Химия», 1966.- С.65.

29. Кировская И.А. Адсорбционные, каталитические и электрофизические свойства полупроводников со структурой цинковой обманки: Автореф. дис. канд. хим. наук. Томск, 1964. -25 с.

30. Кировская И.А., Майдановская Л.Г. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки // Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева. -Из-во ТГУ, 1971. Т. 204.- С. 230-235.

31. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Адсорбция водорода и кислорода селенидом цинка// Кинетика и катализ. 1964.- 5, №3.- С. 546.

32. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Влияние адсорбированных газов и паров на электропроводность и работу выхода полупроводников типа цинковой обманки// Глубокий механизм каталитических реакций. -М.:«Наука», 1967.- Т.12.- С.134-143.

33. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Адсорбция водорода на сплаве GaAs // Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева,- Изво ТГУ, 1963.- Т. 157.- С. 94.

34. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Теплоты адсорбции газов на полупроводниках со структурой цинковой обманки// Журн. Физ. Химии.-1966.- 40, № 3. С.609-613.

35. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Адсорбция газов селенидом цинка// Кинетика и катализ.- 1964,- 5, № 6.- С. 1049.

36. Кировская И.А., Сазонова И.С., Майдановская Л.Г. Влияние адсорбции газов и паров на работу выхода полупроводников со структурой цинковой обманки// Поверхностные и контактные явления в полупроводниках. Из-во ТГУ им. В.В. Куйбышева, 1964.- С.380.135

37. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Исследование связи между каталитическими и электрофизическими свойствами германия и его изоэлектронных аналогов// Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева.- Из-во ТГУ, 1965.- Т. 185.-С. 23.

38. Кировская И.А., Майдановская Л.Г. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки// Журн. Физ. Химии.- 1968.- 42, №11.- С. 2911.

39. Кировская И.А., Майдановкая Л.Г., Князев Э.И., Мурзина Г.Д. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки// Журн. Физ. Химии.- 1970.- 44, № 5.- С. 1260-1268.

40. Кировская И.А., Майдановкая Л.Г., Князева Э.И. Адсорбция окисо углерода на арсениде галлия // Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева.- Из-во ТГУ, 1971.- т. 204.- С. 386.

41. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Об адсорбционных, каталитических и электрофизических свойствах арсенида галлия// Арсенид галлия.-Из-во ТГУ, 1968.- С.401-410.

42. Кировская И.А. Физико-химические свойства поверхности соединений InB5// Неорган.материалы.- 1999.- 35, №5.- С.535-540.

43. Кировская И.А., Лобанова Г.Л., Старовойтенко Л.М. Адсорбция паров воды на арсениде галлия// Журн. Физ. Химии.- 1971.- 45, № 9.- С. 2374.

44. Кировская И.А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа А2В6 // Неорган. Материалы. 1989.- 25, №9.- С. 1472-1476.

45. Кировская И.А., Майдановская Л.Г., Соловьева Н.В. Адсорбция паров воды на изоэлектронных аналогах германия// Журн. Физ. Химии.-1968.- 42, №5.- С.1196.

46. Кировская И.А. Об адсорбции смесей близких и различных по электронной природе газов на изоэлектронных аналогах германия// Журн. Физ. Химии.- 1970.- 44, № 1,- С. 159-164.

47. Кировская И.А., Жукова В.Д. Адсорбция смесей газов С0+02 на арсениде галлия// Журн. Физ. Химии.- 1970.- 44, № 1.- С. 155.

48. Лобанова Г.Л., Кировская И.А., Майдановская Л.Г. Изменение электропроводности арсенида галлия под влиянием адсорбции смесей газов// Арсенид галлия. Из-во ТГУ, 1970.- С.236.

49. Лобанова Г.Л., Кировская И.А., Майдановская Л.Г. Совместная адсорбция водорода и кислорода на арсениде галлия// Журн. Физ. Химии.-1971.- 45, №8.-С. 2101.

50. Майдановская Л.Г., Кировская И.А., Балаганская В.П. Каталитическая активность полупроводников типа цинковой обманки в реакции разложения муравьиной кислоты// Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева.-Из-во ТГУ, 1965.-Т. 185.-С. 124.136

51. Кировская И.А., Филимонова В.М. Каталитическая активность и ЭДС в гальванических элементах C/C2H2/GaAs // Арсенид галлия. Из-во ТГУ, 1970.- С.229-236.

52. Крылов О.В., Фокина Е.А. Каталитические свойства новых полупроводников со структурой цинковой обманки// Журн. Физ. Химии.-1961.-35, № 3.- С. 651.

53. Крылов О.В., Рогинский С.З., Фокина Е.А. Катализ на полупроводниках в области собственной проводимости// Физика и физико-химия катализа.- Из-во АН СССР, I960.- Т. 10 .- С. 117 .

54. Ertl I., Jiovanelli Т. // Ztschr.Phys.Chem., 1971,75, № 3-4, с.137-154.

55. Алмазов А.Б. Электронные свойства полупроводниковых твердых растворов. М.: Наука, 1966. - 89 с.

56. ОсначЛ.А. Автореферат канд. диссертации. Л., 1965.-18 с.

57. Горюнова H.A., Котович В.А., Франк-Каменецкий В.А. Рентгеновское исследование изоморфизма некоторых соединений галлия и цинка// ДАН СССР.- 1955.-103, №4.- С.659-662.

58. Петров ДА.// Журн. Физ. Химии.- 1947.- 21, № 12.-е. 1449.

59. Folberth O.J. // Ztschr. Naturf, 1955, 10а, № 6, с. 502.

60. Горюнова H.A., Федорова H.H. К вопросу об изоморфизме соединений с ковалентной связью // ДАН СССР. 1953.- 90, № 6,- С. 10391041.

61. Стамбо Е., Миллер Дж., Хаймз Р. // Новые полупроводниковые материалы / Под ред. А.Я. Нашельского. М.: Наука, 1964.- С. 127.

62. Ку С.М. Синтез и некоторые свойства твердых растворов ZnSe-GaAs// Кристаллизация из газовой фазы / Под ред. H.H. Шефтеля. М.: Мир, 1965.- С.304.

63. Кот М.В., Симашкевич A.B. Структура и электрические свойства системы ZnSe-HgSe// Труды по физике полупроводников. Из-во КГУ, Кишинев, 1962.- Т. 1.-С.110.1. О Л

64. Всесоюзное совещание по полупроводниковым соединениям A B и их применению: Тезисы докладов.- Киев: Наукова думка, 1966.

65. Калинкин И.П., Воронцова М.Д. Эпитаксиальный рост пленок ZnTe в квазизамкнутном пространстве // Известия АН СССР, Сер.Неорган. матер. -1974.- 17, №7.- С. 2210-2213.

66. Woblley J. С., Smith В. А. // Proc. Phys. Soc., 1958, 72, p. 214.

67. Кот В.М., Мшенский В.А. Структура и электрофизические свойства системы ZnSe-HgSe // Известия АН СССР, Сер. Физика.- 1964.- 28, № 6.-С.1069.

68. Жердев Ю.В., Ормонт Б.Ф. О зависимости ширины запрещенной зоны в системе ZnSe-CdSe от структуры и состава// Журн. Неорган. Химии.-I960.- 5, №8.-С. 1796.137

69. Жердев Ю.В., Ормонт Б.Ф. О зависимости ширины запрещенной зоны фаз в системе ZnSe-CdSe от структуры и состава// Журн. Неорган. Химии.- i960.- 5, № 1.-С.239.

70. Байли Ф., Манке П. // Труды Симпозиума по химической связи в полупроводниках.- Минск: Наука и техника, 1967.- С.

71. Витриховский Н.И., Мизецкая И.Б., Олейник Г.С. Смешанные кристаллы CdSexTei.x // АН УССР (Инфор. Листок), Ин-т полупроводников.-Киев: Наук. Думка, 1970.- № 49.

72. Горюнова H.A., Федорова H.H. О твердых растворах в системе ZnSe-GaAs// Физика твердого тела.- 1959.- 1, №2.- С. 344-345.

73. Войцех1вський О.В., Дроб*зяко В.П. Про тверд1 розчини в систем! InSb-HgTe// Укр. Физ. Журн.- 1967.- 12, №3.- С. 460-461.

74. Войцеховский A.B. // Известия АН СССР, Неорган, матер.- 1967.- 3, №12.- С.2263.

75. Войцеховский A.B., ДробязкоВ.П.// УФХ.- 1968.- 13, № 4.- С. 686.

76. Войцеховский A.B., Дробязко В.П., МитюревВ.К. // Материалы докладов IV научно-технической конференции ЮПИ: Тез.докл. Из-во КПИ, Кишенев, 1968.-С.139.

77. Войцеховский A.B., Пащун А.Д. // Известия Высших учебных заведений, Физика.- 1971.- №7.- С. 109.

78. Войцеховский A.B. Автореферат канд. диссертации.- ГПИ, Киев.-1965.- 18с.

79. Инюткин А., Колосов Е., Оснач Л. И др. Некоторые исследования твердых растворов на основе соединений типа А3В5 и А2В6// Изв. АН СССР, сер. Физ.-1964.- 28, № 6.- С.1110-1116.

80. Баранов Б.В., Горюнова H.A. // Физика твердого тела.- i960.- 2, № 2.- С.284.

81. Войцеховский A.B., Горюнова H.A. Твердые растворы в некоторых четвертных полупроводниковых системах // Физика.- Л.: Лениград. Инж.-строит. ин-т, 1962.- С.12-14.

82. Войцех1вский A.B. Деяю чотирикомпонентш нашвпров1дников1 фази // УФЖ.- 1964.- 9, № 7.- С.796-797.

83. Хабаров Э.Н., Шаравский П.В. Исследование свойств ограниченных твердых растворов// ДАН СССР.- 1964.- 155, № 3.- С. 542.

84. Бурдиян И.И., Георгице Е.И. О растворимости антимонида алюминия в теллуриде ртути // Учен.зап.Тирасп.пед.ин-та.- 1970.- Вып.21.-4.1.- С. 3-5.

85. Войцеховский A.B., Пащун А.Д., Митюрев В.К. О взаимодействии арсенида галлия с соединениями типа А2В6 // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1970.- 6, №2.- С. 379-380.138

86. Горюнова H.А. // Вопросы теории и исследования полупроводников и процессов в полупроводниковой металлургии.- Из-во АН СССР, 1955.- С. 1329.

87. Ku S.M., Bodi LJ. Synthesis and some properties of ZnSe:GaAs solid solutions // J. Phys. Chem. Sol., 1968,29, №12, p. 2077-2082

88. W. M. Yim и др. // R.C.A. Rev., 1970, 31, № 4, p. 662.

89. Yim M.F. Solid solutions in pseudobinary (III-V) (II-V) systems and theire optical energy gas // J. Appl. Phys., 1969, 40, № 6, p.2617-2623.

90. Амброс В.П., Бурдиян И.И. Исследование растворимости теллурида ртути в антимониде галлия// Учен. Зап.Тирасп.пед.ин-та. -1970. -Вып.21. Ч.1.-С.31-38.

91. Анищенко В.А., Войцеховский А.В., Пащун А.Д. Некоторые физико-химические свойства сплавов системы GaAs-ZnTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1980.- 16, №2.- С. 759-760.

92. Бурдиян И.И., Королевский Б.П. О возможности образования твердых растворов в системе GaSb-ZnTe // Учен. Зап. Тирасп. пед. ин-та.-1966.-Вып Ï6.-C.127-128.

93. Бурдиян И.И., Макейчик А.И. Твердые растворы в системе GaSb-ZnTe // Учен. Зап. Тирасп. пед. ин-та.-1966. -Цып.16.- С.125-126.

94. Белоцкий Д.П., Бабюк П.Ф. Червенюк Г.И. Исследование твердых растворов в системе InSb-HgTe II Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1978.- 14, №3.-С. 589-590.

95. Войцеховский А.В., Дробязко В.П., Митюрев В.К., Василенко В.П. Твердые растворы в системах InAs-CdS и InAs-CdSe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1968.- 4, №10.- С. 1681-1684.

96. Войцеховский А.В., Панченко Л.Б. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP )x(ZnS )\.J! Физика твер. тела. Киев.: Киев. Пед. Инт., 1975.- С. 24-26.

97. Войцеховский А.В., Панченко Л.Б. Микроструктурное исследование кристаллов системы GaP- ZnS // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1977.- 13, №1.- С. 160-161.

98. Войцеховский А.В., Стеценко Г.П. О получении монокристаллов твердых растворов (GaP )x(ZnSe )j.x методом химических газотранспортных реакций // Исследования по молекулярной физике и физике твердого тела.-Киев: Киев. Пед. Ин-т., 1976.- С. 38-40

99. Глазов В.М., Крестовников А.М., Нагиев В.А., Рзаев Ф.Р. Исследования фазового равновесия в квазибинарных системах InP-ZnTe и InP-CdTe // Электрон, техника. Сер. 6: Материалы.- 1972.- Вып. 4.- С. 127-129

100. Глазов В.М., Крестовников А.М., Нагиев В.А., Рзаев Ф.Р. Фазовые равновесия в квазибинарных системах InP-ZnTe и InP-CdTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.- 1973.-9, №11.-С. 1883-1889139

101. Глазов В.М., Нагиев В.А., Глаголева H.H. Раздельная и совместная растворимость Zn, Cd, Те в InAs // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.1975.- 11, №3.-С. 1181-1183

102. Глазов В.М., Павлова Л.М., Грязева Н.Л. Исследования фазового равновесия и анализ характера межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Термодинамические свойства металлических сплавов. Баку: Элм, 1975.- С. 368-371

103. Глазов В.М., Павлова Л.М., Грязева Н.Л. Фазовое равновесие и характер межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах GaSb-Zn(Cd)Te // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1975.- 11, №3.- С. 418423.

104. Глазов В.М., Павлова Л.М., Лебедева Л.В. Термодинамический анализ взаимодействия арсенида галлия с теллуридом цинка и кадмия // Термодинамические свойства металлических сплавов. Баку: Элм., 1975.- С. 372-375.

105. Горюнова H.A., Григорьева B.C., Шаравский П.В., Оснач Л.А. Твердые растворы в системе InAs-HgTe // Физика.- Л.:Ленингр. инж.- строит, ин-т., 1962.- С. 6-10.

106. Кировская И.А., Муликова Г.М. О получении и идентификации твердых растворов замещения на основе ZnSe и GaAs // Тр. Том. ун-та им.В.В. Куйбышева.- Из-во ТГУ, 1973.- 240, №8.- С. 155-166.

107. Кузьмина Г.А. Исследования фазовых диаграмм состояния системы AlSb-CdTe и InAs-HgTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган, материалы.1976.- 12, №6.- С. 1121-1122.

108. Пурис Т.Е., Белая А.Д., Земсков B.C., Шварц H.H. Фазовое равновесие в системе In-Sb-Zn-Te // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1970.- 6, №10.- С. 1811-1815.

109. Уфимцева Э.В., Вигдорович В.Н., Пелевин О.В. Фазовое равновесие в системе GaAs-ZnTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1973.-9, №4.-С. 587-591.

110. Шумилин В.П., Угличина Г.Н., Уфимцев В.Б., Гимельфарб Ф.А. Фазовые равновесия в системе InAs-ZnTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1974.- 10, №8.- С. 1414-1417.

111. Sonomura Н., Uragaki Т., Miyauchi Т. Synthesis and some properties of solid solutions in the GaP-ZnS and GaP-ZnSe pseudobinary systems // Jap. J. Appl. Phys. 1973.- 12, №7.- p. 968-973140

112. Шумилин В.П., Червяков А.И., Лобанов A.A. Взаимодействие Zn и Se при выращивании твердых растворов (GaP)x( ZnSe)ix методом Чохральского и методом жидкостной эпитаксии // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1977.- 13, №9.-С. 1560-1564.

113. Кировская И.А., Муликова Г.М. Система GaAs-ZnSe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.- 1975.- 11, № 6.- С. 1131-1132.

114. Лакинков В.М., Мильвидский М.Г., Пелевин О.В. Диаграмма состояния системы GaAs-ZnSe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.-1975.- 11, № 7.- С.1311-1312.

115. Головей М.И., Риган М.Ю., Ворошилов Ю.В. Система (Cd3As2)i-x-(2CdS)x//Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.- 1974.- 10, № 11.- С. 19421945.

116. Глазов В.М., Крестников А.Н., Нагиев В.А., Рзаев Ф.Р. Исследования фазового равновесия и анализ характера межмолекулярного взаимодействия в квазибинарных системах // Термодинамические свойства металлических сплавов. -Баку: Элм, 1975.- С. 380-385.

117. Баженова Г.И., Балагурова Е.А., Рязанцев A.A., Хабаров Э.Н. Твердые растворы в системе InAs-CdTe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган. Материалы.- 1974.- 19, № 10.-С. 1770-1773.

118. Баженова Г.И., Балагурова Е.А., Рязанцев A.A., Хабаров Э.Н. Т-х-проекция фазовой диаграммы InAs-CdTe // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок.- Новосибирск: Наука, 1975.- 4.2.-С.236-239.

119. Бузевич Г.И. Исследование процессов роста и физических свойств эпитаксиальных слоев твердых растворов InAs-CdTe: Автореф. Дис. . канд. физ.-мат. наук. Иркутск, 1972.- 17с.

120. Войцеховский A.B., Горюнова H.A. Твердые растворы в некоторых четвертных полупроводниковых системах // Физика. Л.: Ленингр. Инж.-строит. Ин-т, 1962.- С. 12-14.

121. Клацинский Л.И., Хабаров Э.Н., Шаравский П.В. Определение границ существования твердых растворов в системе InAs-CdTe // Физика. Л.: Ленингр. Инж.-строит. ин-т, 1964.- С. 12-15.

122. Калашников Е.В., Коржов В.И., Морозов В.Н. и др. Получение материалов твердых растворов А2В6-А3В5, близких к собственным // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок.- Новосибирск: Наука, 1975.- 4.2 .- С.232-236.

123. Горюнова H.A., Аверкиева Г.К., Шаравский В.П., Товпенцев Ю.К. Исследование четвертных сплавов на основе сурьмянистого индия и теллуристого кадмия // Физика и химия. Л.: Ленингр. инж,- строит, ин-т, 1961.- Юс.

124. Морозов В.Н., Карнаухова E.H., Скоробогатова Л.А., Рязанцев А,А. Устройство для дифференциально-термического анализа и изучение системы141

125. Sb-CdTe // Изв. АН СССР, Сиб. отделение, Сер. Хим.наук.- 1974.- Вып. 4, № 9.- С.52-56.

126. Хабаров Э.Н., Шаравский В.П. О межатомных силах связи в твердых растворах InSb-CdTe // Физика.- JL: Ленингр. Инж.-строит. ин-т, 1963.31 с.

127. Хабаров Э.Н., Шаравский В.П. Определение границы растворимости CdTe в InSb // Изв. Вузов, Сер. Физика.- 1963.- № 6.- С.62-63.

128. Рязанцев А.А., Карнаухова Е.Н., Кузьмина Г.А. Фазовые диаграммы и растворимость компонентов в системах А3В5 CdTe // Журн. Неорган. Химия.- 1980.- 25, № 3.- С. 802-805.

129. Кировская И.А. Некоторые особенности адсорбционных и каталитических процессов на твердых растворах алмазоподобных полупроводников // Журн. Физ. Химии.- 1978.- LII, № 9.- С. 2266-2269.

130. Чернышова А.И., Зелева Г.М., Кировская И.А. Получение и исследование кристаллов твердых растворов системы ZnSe GaAs // Изв. АН СССР, Сер. Неорган.материалы.- 1978.- 14, № 6.- С. 1020-1022.

131. Кировская И.А. Каталитические свойства твердых растворов алмазоподобных полупроводников // Химическая кинетика и катализ.- М., 1979.- С.195-197.

132. Юрьева А.В., Кировская И.А., Сараев В.В. Исследование кислотно-основных свойств поверхности твердых растворов система ZnSe GaAs методом ЭПР // Изв. АН СССР, Сер. Неорган. Материалы.- 1984.- Отд. оттиск, №1.- С. 162-164.

133. Юрьева А.В., Ветров В.П., Кировская И. А. Исследование кислотно-основных свойств поверхности полупроводников изоэлектронного ряда германия // Материалы региональной научно-практической конференции.- Томск, Томск. Ун-т, 1977.- 77 с.

134. Буденная Л.Д., Дубровин И.В., Комащенко В.Н. и др. Физико-химические исследования поликристаллических пленок твердых растворов ZnxCd|.xSe // Изв. АН СССР, Сер. Неорган. Материалы.- 1990.- 26, № 6.- С. 1177-1180.

135. Кот М.В., Тырзиу В.Г. О методике получения тонких слоев переменного состава полупроводников типа А2В6 А2В6 // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы,- Кишинев, 1970.- С. 28-30.

136. Seki H., Koukitu A. Solid composition of alloy semiconductors grown by MOVPE, МВБ, VPE and ALE // J. Cryst. Growth.- 1989.- V. 98, N 1-2.- p. 118126.

137. Herman I.P. Laser assisted déposition of thin films from gas-phase and surface - adsorbed molecules // Chem. Rev.- 1989.- V. 89, N 6.- p. 1323-1357.

138. Губайдуллин В.И., Дрозд B.E., Алесковский В.Б. Механизм химической сборки селенида кадмия на поверхности твердых тел // Журн. Физич. Химии.- 1991.- 65, №2.- С. 501-503.142

139. Samarth N., Luo H., Furdyna J.K. at al. Molecular beam epitaxy of cubic ZnxCdi.xSe and CdxMni.xSe and related superlattices // Surface Sei.- 1990,- V. 228, N1-3.-p. 226-229.

140. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич A.B. Эпитаксиальные пленки соединений А2В6.-Л.: ЛГУ, 1978.-310 с.

141. Paparoditis С. Evaporation of Compound // Laboratoire de Magnetisme et de Physique du Solide C.N.R.S., Bellevue (Seine-et-Oise), France.- I960.- 36, p.326-336.

142. Электролюминесцентный полупроводниковый прибор с халькогенидным слоем и слоем полупроводниковых твердых растворов. Патент 5324963 США , Kamata Atsushi, K.K. Toshiba // Журн.Электроника.-1996.- IB 120П.

143. Федяева O.A. Физико-химические свойства поверхности полупроводниковой системы CdTe-HgTe: Дис. канд. хим.наук. Омск, 1998.170 с.

144. Кировская И.А., Старцева O.A. Полупроводниковый анализатор: Патент № 5652 от 16.12.97. Б.И.1997, № 12.

145. Буданова Е.М. Кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности полупроводниковых твердых растворов системы ZnSe CdSe: Дис. канд. хим.наук. - Омск, 1999.- 152 с.

146. Кировская И.А. Адсорбционные процессы. Иркутск, Иркут. Ун-т, 1995.-304 с.

147. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М.: Высшая школа, 1970.- С. 279, 466.

148. Welker H. // Zs Naturforsch, 1953, 8a, 248 p.

149. Madelung О., Weiss H. // Zs Naturforsch, 1954, 9a, 527 p.

150. Bowers R. //Journ.Phys.Chem. Solids, 1959, 8, 507 p.

151. Кировская И.А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. Томск: Томск.ун-т, 1984.- 113 с.

152. Хейкер Д.М., Зевин Л.С. Рентгеновская дифрактометрия. М.: Гос.физ.-мат.лит-ры, 1963.- 380 с.

153. Миркин С.Е. Справочник по рентгеноструктурному анализу. М.: Гос.физ.-мат.лит-ры, 1961.- 863 с.

154. Горелик С.С., Расторгуев Л.Н., Скаков Ю.А. Рентгенографический и электронооптический анализ. М.: Металлургия, 1970.- 107 с.

155. Майдановская Л.Г. О водородном показателе изоэлектрического состояния амфотерных катализаторов // Каталитические реакции в жидкой среде.- Алма-ата, АН КазССР, 1963.- С. 212-217.143

156. Кировская И.А. Кинетика химических реакций. Омск, 1994.- С.7678. '

157. Крешков А.П., Казарян H.A. Кислотно-основное титрование в неводных растворах. М.: Химия, 1967.- 192 с.

158. Накамото К. ИК спектры и спектры KP неорганических и координационных соединений.- М: Мир, 1991. -411с.

159. Кировская И А., Зелева Г.М. О взаимодействии водорода и кислорода на поверхности алмазоподобных полупроводников // Журн. Физич.Химии.- 1978.- 57, №7.-С. 1744-1747.

160. Юрьева A.B. Кислотно-основные свойства поверхности бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников: Дис.канд.хим.наук. -Омск, 1981.- 126 с.

161. Зайцев Б.Е. Спектроскопические методы в неорганической химии.-М: Химия, 1973.- 185 с.

162. Банина ВА., Возмилова JI.H., Мамонтов А.П., Фомин Г.Г. Адсорбция органических растворителей на GaAs // Журн. Физич. Химии.-1971.- 45, №4.- С.913.

163. Кировская И А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск, ИГУ, 1984.- 167 с.

164. Кировская И.А., Нечаев A.C. Адсорбция окиси углерода на бромиде меди различного габитуса//Журн.Физич.Химии.- 1971.- 45, № 7.- С. 1764-1766.

165. Сыноров В.Ф. Электрические свойства тонких слоев AlSb, InSb, GaSb, полученных по методу С.А. Векишинского// Труды первой межвузовской конференции по современной технике диэлектриков. JL, 1957.-С.170-177.

166. Зелева Г.М. Адсорбция и некоторые физические свойства системы GaAs-ZnSe: Дис. канд.хим.наук.- Томск, 1973.- С.65-68.

167. Волькенштейн Ф.Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках. М.: Физматгиз, 1960. - С. 187.

168. Семиколенова H.A., Хабаров Э.Н. К вопросу об упорядочении компонентов в системе твердых растворов // Физика полупроводников.- 1974.-Вып.11.- С.2240.

169. Танабе К. Твердые кислоты и основания. М., Мир, 1973.-С.183.

170. Ш.Майдановская Л.Г.,Мурашкина B.C. Влияние примесей наизоэлектрическое состояние окиси цинка // Труды ТГУ им. В.В. Куйбышева.-Из-воТГУ, 1963.-Т.157.-С. 289-293.

171. Кировская И.А. и др. Кислотно-основные свойства поверхности алмазоподобных соединений А3В5, А2В6 и А1 В7// Деп. В ВИНИТИ, 1984. -№367-В84.- 9с.

172. Okimura H., Koizumi Y., Kaida S. Electrical properties of p-type InSb thin films prepared coevaporation with excess antimony // J. Thin Solid Films.-1996.- 254, №1-2.- c.169-174.144

173. Мясников И.А. Полупроводниковые детекторы активных частиц в физико-химических исследованиях // Журн.Всесоюз.хим. общества им. Д.И. Менделеева.- 1975.- 20, № 1.- С.19-31.

174. Кировская И.А., Скутин Е.Д., Штабнов В.Г. Датчик влажности газов. -Автор, свидетельство № 1234763, Бюл. изобретений и открытий, № 20, 1986.

175. Кировская И.А., Скутин Е.Д., Штабнов В.Г. Датчик влажности газов. -Автор, свидетельство № 1798672, Бюл. изобретений и открытий, № 8, 1993.

176. Кировская И.А., Скутин Е.Д., Штабнов В.Г. Полупроводниковый газовый датчик. Информ. листок Омский ЦНТИ, 1989, №89-35.

177. Тягай В.А., Ширшов Ю.М., Омельчук В.В. Импульсная адсорбция молекул на поверхности полупроводников и газовый датчик на ее основе // Проблемы физики поверхности полупроводников / Под ред. Снитко О.В. -Киев, Наук, думка, 1981.- С. 102-126.

178. Толстой В.П. Синтез тонкослойных структур методом ионного наслаивания // Успехи химии.- 1993.- 62, №3.- С.249-259.

179. Падалко А.Г., Поликова О.Н., Шевченко В .Я., Стеблевский А.В. Электрические т фотоэлектрические свойства легированных тонких слоев InSb при 300К // Неорган. Материалы.- 1996.- 32, №4.- С.398-404.

180. Бродовой В.А., Вялый Н.Г., Кнорозок J1.M. Оптические свойства кристаллов твердых растворов (InSb)i.x(CdTe)x // Физика и техника полупроводников.- 1998.- 32, №3.- С.303-306.

181. Reddy R.R., Nazeer Ahmmed Y., Rama Gopal K., Abdul Azeem P., Raguram D.V., Rao T.V.R. Optical and magnetical susceptibilities for semiconductor and alkali halides // J. of Magnetism and Magnetic Materials. 1999.- 192.- p.516-522.

182. Nam S., Yu Y.M., О В., Lee K.S., Choi Y.D., Jung Y.J. Thickness dependence of double crystal rocking curves and photoluminescence in ZnS epilayers grown on GaAs (100) and GaP (100) // Applied Surface Science. 1999.-151.-p.203-212.

183. Irvine S.J.C., Stafford A., Ahmed M.U. Substrate/layer relationships in II-Vis//J. of Crystal Growth. 1999.- 197.- p.616-625.

184. Tutuncu H.M., Cakmak M., Srivastava G.P. Structural, electronic and vibrational properties of the InSb (110) surface // Applied Surface Science. 1998.-123/124.-p.146-150.

185. Arai K., Zhu Z.Q., Sekiguchi Т., Yasuda Т., Lu F., Kuroda N., Segawa I Y., Yao T. Milbluminescence and cathodoluminescence studies of ZnSe quantumstructures embedded in ZnS // J. of Crystal Growth. 1998.- 184/185.- p.254-258.

186. Goldammer К J., Chung S.J., Liu W.K., Santos M.B., Hicks J.L., Raymond S., Murphy S.Q. High-mobility electron systems in remotely-doped InSb quantum wells // J. of Crystal Growth. 1999.- 201/202.- p.753-756.145

187. Lokhande C.D., Patil P.S., Tributsch H., Ennaoui A. ZnSe thin films by chemical bath deposition method // Solar Energy Materials and Solar Cells. 1998.55.- p.379-393.

188. Кировская И.А. Полупроводниковый анализ и контроль состояния окружающей среды// Аналитика Сибири и Дальнего Востока: Тез. докл.-Новосибирск, 2000.- С. кч-us.

189. Кировская И.А., Ложникова Т.В., Азарова О.П. Новые возможности оперативной диагностики и контроля содержания оксида углерода// Аналитика Сибири и Дальнего Востока: Тез. докл.- Новосибирск, 2000.- С. 413-414.