Формирование поверхности при молекулярно-лучевом эпитаксии германия, кремния и их твердых растворах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК СИБИРСКОЕ ОТДЕЛЕНИЕ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ

На правах рукописи УДК 538.971:548.25

Марков Владимир Александрович

ФОРМИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТИ ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ ГЕРМАНИЯ, КРЕМНИЯ И ИХ ТВЕРДО РАСТВОРОВ

Специальность 01.04.07 - физика твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

НОВОСИБИРСК - 1993

Работа выполнена в Институте физики полупроводников Сибирского отделения Российской Академии наук

Научный руководитель - кандощат физико-математических наук

0.П.Пчеляков

Официальные оппоненты - доктор физико-математических наук

Л.Н.Мззалов

Ведущая организация - Томский Государственный Университет, физичекий факультет, кафедра физию, полупроводников, г. Томск-

Защита диссертации состоится " 14 " декабря 1993 г. в 15 часов на заседании специализированного Совета К U03.05.0I по присуждению ученой степени кандидата наук в Институте физики полупроводников Сибирского отделения РАН (630090, Новосибирск, проспект академика- Лаврентьева, 13)

С диссертацией можно ознакомится в библиотеке ИФП СО РАН (.проспект академика Лаврентьева, 13)

кандидат физико-математических паук А.В.Латышев

1993 г.

Ученый секретарь специализированного Совета доктор физ.-мат. наук профессор

А. В.Двуреченский

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Исследование процессов формирования поверхности в ходе эпитаксиального роста кристаллов является в настоящее время актуальной задачей в связи с развитием метода молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Морфология поверхности определяет совершенство границ раздела в многослойных полупроводниковых структурах, получаемых • этим методом. Существенное влияние на формирование структурно-совершенных границ раздела оказывает рельеф повехности, в том числе, высотой в однс; меяплоскостное расстояние, связанный с расположенными на ней моноатомными ступенями. Такой рельеф приводит, например, к усилению процессов сегрегации германия и взаимодиффузии слоев германия и кремния.

Электрические и оптические свойства выращиваемых методом МЛЭ гетероструктур сильно зависят как от толщины слоев, так и от гладкости границ раздела между слоями на Уровне одного монослоя. Так оптические свойства напряженных: монослойных сверхрешеток ве^З^ сильно меняются при изменении толщины слоев всего на один монослой (МС). Ранее было показано влияние плотности ступеней моноатомной высоты на границах раздела в. сверхрешетках и структурах с квантовыми ямами (гаАз/АЮаАз на спектры фотолюминесценции. Если характерное расстояние мезду ступенями Ь было меньше Боровского радиуса экситона, на спектрах наблюдалось существенное увеличение ширины пиков фотолшинесценции, по сравнению со случаем более гладких гетерограниц, т.е. когда Ь было много больше Боровского радиуса.

Гетеросистемы, состоящие из материалов с большим несоответствием параметров кристаллических решеток, таких как германий и кремний, занимают важное место как в исследовательских, так и в технологических работах по МЛЭ. Исследование морфологии поверхности при получении таких гетероструктур особенно ваяно вследствие возможности перехода к трехмерному росту в результате релаксации упругих напрязе-ний. Несмотря на большое количество работ, посвященных изучению эпитаксиального роста сильно несогласованных гетеро-

систем, некоторые практически важные вопросы остаются пока недостаточно исследованными. К ним относятся, например, условия морфологической стабильности пленки и зависимость процессов релаксации упругих напряжений от температуры.

Развитие метода МЛЭ для получения многослойных полупроводниковых структур с максимально резкими профилями легирования и границами раздела между слоями требует применения методов "in situ" контроля процесса роста. Наибольшее распространение для целей изучения и контроля процессов формирования поверхности при МЛЭ получил метод дифракции быстрых электронов (ДБЭ), который обладает высокой чуствитель-ностыо к структуре и микроморфологии поверхности монокристаллической подложки и, благодаря малой величине угла падения пучка электронов на поверхность, легко совмещается с эпитаксиальным ростом из молекулярных пучков.

Цель настоящей диссертационной работы заключалась в экспериментальном исследовании методом ДБЭ. процессов, влияющих на формирование морфологии поверхности, в ходе эпитаксиального роста пленок германия, кремния и их твердых растворов из молекулярных пучков. Для достижения указанной цели в. работе предполагалось решить следукщие задачи:

. I. Анализ причин затухания ДБЭ-осцилляциЙ и его зависимости от развития морфологии поверхности в ходе роста пленок Ge и S1 по двумерно-слоевому механизму.

2. Исследование процессов восстановления атомарной гладкости поверхности пленок после остановки их роста.

3. Изучение возможностей увеличения продолжительности in situ ДБЭ-контроля роста пленок путем оптимизации условий роста.

4. Исследование закономерностей перехода от двумерно-слоевого механизма роста к трехмерному во ■ время гетероэот-таксии слоев твердого раствора германий-кремний на кремнии.

Научная новизна полученных результатов состоит в следующем:

Проведено методом ДБЭ экспериментальное in. situ изучение микроморфологии поверхности в ходе МЛЭ : пленок германия, кремния и . их", твердых растворов. Следующие

результаты относятся к наиболее важным:

•I. Впервые экспериментально установлено, что десинхронизация процессов зарождения двумерных1 островков является второй основной причиной затухания ДБЭ-осцилляций в ходе эпитаксиального роста пленок по двумерно-слоевому механизму, наряду с известным из литературы увеличением ширины .фронта • роста. Существование двух причин затухания обуславливает максимум на зависимости времени затухания ДБЭ-осцилляций интенсивности от температуры подложки Тп во время роста.

2. Впервые экпериментально обнаружено, что наилучшее восстановление гладкости поверхности после роста пленки по двумерно-слоевому механизму происходит при степени заполнения Последнего монослоя е~0,2. Путем сравнения экспериментальных данных с результатами моделирования, методом Монте-Карло показано, что существование оптимального момента остановки роста обусловлено превышением подвижности адатомов над подвижность») вакансий на поверхности эпитаксиальной- пленки.

• 3. Впервые предложена и апробирована при гомоэпитаксии ве и Б1 новая модификация метода молекулярно-лучёвой эпитак-сии с синхронизацией зарождения (МЛЭ-СЗ), основанная на возможности поддержания незатухающих.. ДБЭ-осцилляций интенсивности во время роста пленок по двумерно-слоевому механизму путем периодического изменения' пересыщения на поверхности, синхронизованного с соответствугацей фазой ДБЭ-осцилляций. Изменение пересыщения может быть достигнуто разными способами.

4. Впервые экспериментально обнаружена зависимость критической толщины Ьс пленки твердого раствора Се1Б11_1 на кремнии, на которой происходит релаксация упругих напряжений в пленке и переход к трехмерному росту, от температуры подложки Тп во время роста. Показана связь зависимости ЬС(ТП) с диффузией адатомов по поверхности пленки. В рамках предложенной модели сделана оценка энергии активации поверхностной диффузии ' адатомов и получено хорошее согласие с литературными данными.

5. Определена область условий роста пленки твердого раствора йе3311_1 (температура подложки и состав пленки), в

которых релаксация упругих напряжений сопровождается переходом к трехмерному росту.

6. Впервые использованы для прямого получения эпитак-сиальных двухбарьерных структур, содержащих квантовые точки, пленки германия на кремнии, состоящие из трехмерных островков. В выращенных структурах обнаружены осцилляции поперечной проводимости при варьировании напряжения смещения, связанные с резонансным туннелированием дырок через дискретные уровни энергии в квантовых точках в режиме кулоновской блокады.

Практическая ценность. Предложена новая модификация метода молекулярно-лучевой эпитаксии с синхронизацией заровдения (ШЭ-СЗ), позволяющая осуществлять с помощью ДБЭ 1п зНи контроль параметров (толщина и состав слоев, атомарная . гладкость границ раздела между ' слоями) эпитаксиальных структур любой толщины. Методика может быть использована при МЛЭ как элементарных полупроводников, так и соединений А.тттВу, А-ц-В^.

Результаты, полученные в настоящей диссертации исполь- . зовались для роста сверхреиеток Б1-310 На спектрах

комбинационного рассеяния света в сверхрешетках, кроме известных в литературе линий "свернутых" продольных акустических фононов, впервые наблвдалось разрешенное рассеяние на "свернутых" поперечных акустических фононах. Кроме того, впервые набледалась серия пиков, связанных с квантованием поперечных оптических фононов. Сверхрешетки Б1-310 5&е0 5 были использованы цри разработке лабораторной технологии изготовления фотоприемных устройств (тема "Град").

На защиту выносятся следующие основные положения:

I. Экспериментальные результаты, показывавшие связь затухания ДБЭ-осцилляций интенсивности с изменениями микроморфологии поверхности пленок йе и в ходе их роста по двуыерно-слоевому механизму. Доказательство существования, наряду с известным из литературы-увеличением ширины фронта роста, второй причины затухани^ ДБЭ-осцилляций, связанной с десинхронизацией процессов зарождения двумерных островков на разных участках поверхности.

2. Экспериментальные результаты, показывающие зависимость процесса восстановления атомарной гладкости поверхности пленок после остановки их роста по двумерно-слоевоМу механизму от степени заполнения в последнего монослоя. Наилучшее восстановление происходит при е=0,2.

3. Возможность поддержания незатухающих ДБЭ-осцилляций во время эпитаксии пленок германия и кремния путем циклического изменения пересыщения на поверхности- растущей пленки, синхронизованного с заполнением каздого монослоя.

4< Экспериментальное определение области условий роста пленок твердого раствора.германий-кремний на кремнии (темпе-, ратура подложки и состав пленки), в которых релаксация упругих напряжений сопровождается переходом к трехмерному.росту.

5. Обнаружение температурной зависимости критической толщины пленок твердого раствора германий-кремний на кремнии и доказательство связи этой зависимости с поверхностной диффузией адатомов.

6. Использование островковых пленок германия на кремнии для прямого получения структур, -содержащих "квантовые точки".

Апробация работы. Основные результаты исследований, приведенные в диссертации, докладывались на: III Международном симпозиуме по МЛЭ (Велико-Тырново, Болгария,

1989 г.); 17 Всесоюзной конференции "Эллипсометрил: теория, методы, приложения"(Новосибирск, 1989 г.); III региональном семинаре по МЛЭ (Новосибирск, 1990 г.); 7 Международной конференции по сверхрешеткам и микроструктурам (Берлин, ГДР,

1990 г.); Международной школе "Ноше физические проблемы в электронных материалах" (Варна, Болгария, 1990 г.); IX Международной конференции по электронным свойствам двумерных систем (Нара, Япония, 1991 г.); ИХ Всесоюзной конференции по росту кристаллов (Харьков, 1992 г.); конференции по электронным материалам (Новосибирск, 1992 г.)

Основные материалы диссертации опубликованы в 13 печатных, работах.

Структура и объем диссертации. Диссертационнйя работа состоит- из введения, четырех глав, выводов и заключения.

Объем работа составляют 76 страниц машинописного текста, 49 рисунков, I таблица и список литературы из 99 наименований.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность темы исследования, сформулирована цель .работы, приведены основные положения, выносимые на защиту, научная новизна и практическая ценность работы.

Первая глава является обзорной. В ней проведен анализ имеющихся в литературе экспериментальных результатов исследования морфологии поверхности кристаллов в ходе их эпитак-сиального роста и предэпитаксиальной обработки. Особое внимание уделено результатам полученным методом дифракции быстрых электронов (ДБЭ). Описан эффект осцилляции интенсивности зеркального пучка электронов на картине ДБЭ (ДБЭ-осцилляций), отраженного от поверхности во время эпитак-сиального роста кристаллических пленок из молекулярных пучков. Период осцилляций ^ равен времени заполнения одного монослоя (МО). Изменение интенсивности связано с циклическим изменением плотности поверхностных ступеней и связанной с ними шероховатости поверхности во время роста пленок по двумерно-слоевому механизму в результате зарождения и срастания двумерных островков моноатомной высоты. Периодичность

изменения плотности ступеней вызвана тем, что образование двумерных зародышей нового монослоя начинается после заполнения предыдущего монослоя. Электронный пучок, отраженный от поверхности подложки, рассеивается на ступенях, окружающих двумерные островки и в результате наблюдаются осцилляции его интенсивности. ДБЭ-осцилляцш являются удобным и эффективным средством 1п зИи. контроля скорости роста, толщины слоев, их состава, атомной гладкости гетерограниц между слоями при получении многослойных структур методом МЛЭ. Проведен анализ известных в литературе данных об исследовании причин характерного затухания ДБЭ-осцилляций, ограничивающего возможности контроля эпитаксиального роста. Отмечено, что существующая модель затухания за счет увеличения ширины фронта роста не описывает полностью многие экспериментальные данные,

например зависимость затухания от температурь:.

Приведены результаты теоретического и

экспериментального исследования процессов релаксации упругих напряжения и морфологических изменения поверхности в ходе' эпитаксиального роста с оольшим несоответствием параметров кристаллических решеток в пленке и подложке, отмечается недостаток экспериментальных данных о температурной зависимости процессов релаксации гетероэпитаксиальных пленок. На основе проделанного оозора производится постановка основных задач диссертационной раооты.

Во второй главе описанз экспериментальная установка, на которой проводились исследования поверхностных процессов при подготовке подложек и в ходе МЛЭ пленок германия, кремния и их твердых растворов. Кроме того, приведена методика подготовки подложек и методика контроля морфологии поверхности с помощью дифракции опстрых электронов (ДБЭ), в том числе путем регистрации во времени изменений интенсивности рефлексов на дифракционной картине.

В третьей главе приведены результаты экспериментального исследования закономерностей формирования микроморфологии ростовой поверхности в зависимости от температуры подложки и скорости роста путем анализа осцилляции .интенсивности зеркального рефлекса на картине ДБЭ во время гомоэпигаксии германия и кремния. Экспериментально измерена зависимость времени затухания ДЕЭ-осштлляцш т от температуря подложки Тп во время гсмсзштжеиального роста пленок германия (рис.!) и кремния по двумерно-слоевому механизму на поверхности с ориентацией (Шоонарукен мзксгауч на зависимости времени затухания т(Тп> при 1 =300°0 во время роста германия фис.й), которая связан с наличием двух причин т-эгуханил.

При температурах ниже максимума времени затухания ДБЭ-осцилляция, затухание осуществляется за счет известного в литературе увеличения ц'.иршш фронта юсста, котоиое связано с зарождением двумерных островков нового чонослоя до полного заполнения ттредидушего слоя п перехода, вследствие этого, о г р;стз пленки на одном уровне к многоуровневому росту. Такой переход сопровождается пос?епеннкм, от моноелоя к мопослою.

, 320^С

200 250 300 350

рис.1 рис.2

увеличение« связанной со ступенями шероховатости поверхности. Затухание осцилляции за счет увеличения ширины фонта роста связано с низкой подвижностью поверхностных адатомов. Поэтому в низкотемпературной • области наблвдается увеличение времени затухания осцилляций с увеличением температуры.

Для объяснения затухания ДВЭ-осцилляций при температурах выше максимума времени их затухания предложена другая причина, которая заключается в возрастающем по мере роста пленки разбросе в степени заполнения монослоя на разных участках поверхности, или десинхронизации процессов двумерного зарождения. Это подтверждается тем, что осцилляции затухают к некоторой средней между максимумами и минимумами величине интенсивности. Десинхронизация зарождения усиливается с увеличением температуры подложки .во ' время роста. Поэтому в высокотемпературной области наблюдается уменьшение времени затухания осцилляций интенсивности с увеличением температуры.

При эпитаксии кремния реализуется лишь вторая причина затухания ДБЭ-осцилляцций. Переход к затуханию за счёт уве-

>

личения ширины фронта роста при температуре ниже 400-450°С сопровождается одновременным образованием большого количества дефектов. Кроме.того, экспериментально'обнаружено усиление затухания ДБЭ-осцилляций во время роста 31/31(111) при ТП<650-700°С, связанное'с известным из-литературы нарушением нормального послойного заполнения при формировании первого монослоя пленки,'которое заключается в образовании двумерных островков высотой'в два монослоя. '

. Экспериментально исследован процесс сглаживания' микро-, рельефа поверхности гомоэпитаксиальных пленок германия при ростовой температуре 350°С после прерывания молекулярного потока на подложку в Зависимости от- степени заполнения Монослоя е, которая определялась по соответствующей фазе ДБЭ-осцилляций. Характерное' время восстановления гладости поверхности определялось по характерному времени восстановления интенсивности зеркального рефлекса после остановки роста. Эффективность ' процесса сглаживания оценивалась . по отношению д1/1 ,- где 10- интенсивность зеркального рефлекса до начала роста и д1- различие между 10 и интенсивностью после выдержки образца в течении 5 минут после .остановки роста. Отношение ; д1/10 ■ характеризует остаточную шероховатость поверхноста. Обнаружено, что. наилучшее восстановление гладкости' поверхности, после роста пленки по' двумерно-слоевому механизму происходит при степени заполнения последнего монослоя е^о,2. Путем сравнения экспериментальных данных с результатами моделирования методом Монте-Карло диффузионных процессов на поверхности при сглаживании показано, что такая оптимальная точка остановки роста связана с существенным превышением подвижности адатомов над подвижностью вакансий на поверхности эпитаксиальной пленки.

Экспериментально показана возможность существенного уменьшения влияние обоих факторов, обуславливающих затухание ДБЭ-осцилляций, т.е. формирования многоуровневой поверхности и десинхронизация двумерного зарождения, путем сихронизации процессов двумерного зарождения. Для этого необходимо в каждом цикле роста моносдоя изменять пересыщение так, чтобы в момент образования ао-зародышей (стадия 1) оно было больше,

чем при срастании зародышей и формирования заполненного монослоя (стадия 2). В этом случае, если пересыщение на стадии I достаточно для образования зародышей на самых узких террасах, йО-зародыши оудут образовываться на всех терр*?сах практически одновременно. Это означает, что периодические изменения микрошероховатости на разных террасах будут оставатся всегда синхронными. На стадии 2 пересыщение должно быть достаточно малы!.!, чтобы на террасах не возникало новых 2Б-зародышей до полного заполнения текущего монослоя. Ш1Э с синхронизацией зарождения (МЛЭ-СЗ) была апробирована нами при гомоэпитаксии элементарных полупроводников .германия и кремния. Возможность поддержания незатухающих ДВЭ-осцилляций (ряс.За) проверялась в двух вариантах синхронизированного с ними воздействия: I. синхронное с осцилляциями интенсивности изменение плотности молекулярного потока J (рис.30); 2. синхронное с осцилляциями изменение температуры подложки (рис.Зв).

Четвертая глава посвящена результатам исследования морфологических перестроек во время гетероэпитаксии твердых растворов германий-кремний нэ поверхности кремния. Путем

I п Т1 То Т2 Ш/Ш

" л «1 б. 1 I - ( ■Г" л 1 п 1 1 1 л 11 1 I J

\ Г'1

л_1_—!-1-и-1.

0 1 2 3 4 5

(1 (УС)

рис.3

рпс. 4

анализа изменения интенсивности зеркального рефлекса на картине ДБЭ (рис.4), экспериментально изучены начальные стадии гетероэпитаксии твердого раствора Oe^l, на поверхности SK111) в диапазонах изменения состава х от и,:? до 1,0 и температуры подложки во время роста Т от -ЮС до 900°С. Показано, что срыв ДВУ-осцилляция, то есть их исчезновение с одновременным резким падением интенсивности, происходит при достижении пленкой твердого раствора критической толщины hc и совпадает с началом релаксации в ней упругих напряжений и переходом от двумерно-слоевого роста к трехмерному. Экспериментально обнаружена и измерена зависимость критической толщины h^ пленки твердого раствора GezSl1на кремнии от температуры подложки во время роста Тп в диапазоне изменения доли германия в пленках х от 0,3 до 1,0. Предложена модель, показывающая связь температурной зависимости h с поверхностной диффузией адатомов. В рамках предложенной модели сделана оценка энергии активации поверхностной диффузии ад-атомов Езс[. При изменении х от 1,0 до 0,3 оцененная величина Е d меняется от 0,9±0,2 эв до 1,4±0,2 ев, что хорошо согласуется с литературными данными.

По отсутствию срыва осцилляция во время роста пленок твердого раствора Ge;jrSi1 определена ооласть условий роста (температура подложки и состав пленки), в которых релаксация упругих напряжений в растущей пленке сопровождается переходом к трехмерному роста. Из анализа границы этой области двумя способами сделаны оценки энергии активации поверхност ■ ной диффузии адатомов Е д, которые хорошо согласуются с величинами Е оцененньмн из температурной зависимости критической толщины

Пленки германия на кремнии, состоящие из трехмерных островков, использованы для прямого получения эпктзкспзльшк двухоарьерных, содержащих квантовые точки. На вольт-амперных характеристиках в таких структурах наолюдалиеь эффекты заря -дового и размерного квантования, такие как кулоновская блокада транспорта дырок через квантовые точки и резонансное туннелирование дырок через дискретные уровни энергии в квантовых точках.

. ' ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДУ

1.Проведено экспериментальное исследование затухания ДБЭ-осцилляций от • температуры подложки во время гомоэпитаксии. Установлено, что при низких температурах затухание связано в основном с. известным из литературы увеличением ширины фронта роста, которое объясняется низкой подвижностью поверхностных адатомов. Влияние этой причины уменьшается ■ с ■ увеличением температуры. При высоких температурах затухание осуществляется в основном за счет десинхронизации процесса зарождения двумерных островков на разных участках поверхности. Влияние'этой причины возрастает с увеличением температуры. - Существование двух причин затухания обуславливает наличие, максимума на зависимости

.времени затухания ДБЭ-осцилляций от температуры.

2. Экпериментально обнаружено, что- наилучшее восстановление гладкости поверхности после роста пленок германия по • двумерно-слоевому механизму происходит при степени заполнения, последнего монослоя е=0,2. Показано, что такая оптимальная точка остановки роста связана с существенным превышением подвижности адатомов . . над подвижностью.вакансий на поверхности эпитаксиальной пленки.

3. Экспериментально показана возможность поддержания незатухающих ДБЭ-осцилляций интенсивности во время роста пленок германия и кремния по. двумерно-слоевому механизму путем периодического, синхронизованного с соответствующей

- фазой ДБЭ-осцилляций, увеличения пересыщения на поверхности В' момент, .зарождения двумерных островков и снижения пересыщения - при их- срастании. На основе этой возможности .предложена ' новая модификация метода молекулярно-лучевой эпитаксии с синхронизацией зарождения (МЛЭ-СЗ), позволяющая осуществлять' с' помощью' ДБЭ in situ контроль параметров эпитаксиальных структур любой толщины.

' 4. Экспериментально обнаружена и измерена зависимость критической толщины hc пленки твердого раствора GezSi1 на кремнии - от температуры подложки во время роста -Т^ в • диапазоне изменения доли германия в пленках х от 0,3 до 1,0. Показана связь температурной зависимости Ьс. с поверхностной

диффузией адатомов и проведена оценка энергии активации поверхностной диффузии.

5. Экспериментально определена область условий роста пленки твердого раствора Ge^Sl^^ (температура подложки и состав пленки), в которых релаксация- упругих напряжений в растущей пленке сопровождается переходом к трехмерному росту.

6. Впервые пленки германия на кремнии, состоящие из трехмерных островков, использованы для прямого получения эпитаксиальных двухбарьерных структур, содержащих квантовые точки.. На вольт-амперных характеристиках в таких структурах наблюдались эффекты зарядового и размерного квантования, такие как кулоновская блокада транспорта дырок через квантовые точки и резонансное туннелирование дырок через дискретные уровни энергии в квантовых точках.

По теме диссертации опубликованы следующие работы:

1. Соколов Л.В., Ламин М.А., Марков В.А., Машанов В.А., Пчеляков О.П., . Стенин С.И. Осцилляции оптических характеристик поверхности роста пленок Ge при эпитаксии из молекулярного пучка. - Письма в ЖЭТФ, 1986, т.44, в.6, с.278-280.

2. Марков В.А., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Гайслер В.А. Сверхрешетки на основе кремния (III) и твердых растворов в системе германий-кремний. - Письма в ЖТФ, 1989, т. 15, в.18, с.41-45.

3. Голобокова Л.Ю., Марков В.А., Пчеляков О.П., Яновицкая З.Ш. Диффузионное сглаживание микрорельефа пленок германия - при остановке процесса молекулярно-лучевой эпитаксии. - Поверхность. Физика, химия, механика, 1991, N2', С. 145-147.

4. Марков-В.А., Соколов Л.В., Пчеляков О.П., Стенин С.И., Стоянов С. Молекулярно-лучевая эпитаксия с синхронизацией зарождения. - Поверхность. Физика, химия, механика, 1991, N4, с.70-79.

5. Марков В.А., Пчеляков О.П., Селиванов И.Л*,, Соколов Л.В. Изучение процессов массопереноса на поверхности растущей

пленки с помощью автоматической эллипсометрии при эпитаксии • германия из молекулярных пучков. Эллипсометрия: теория, методы, приложения. Новосибирск: Наука, 1991, с.172-176.

6. Markov V.A., Pchelyakov О.Р., Taloehkln А.В., Sherstyakova V.N. and Shumsky V.N. MBE growth and properties of Sl/GeSl superlattlces on Sl(111). Materials Science form, 1991, v.69, p.135-138.

7. Markov V.A., Sokolov L.V., Pchelyakov O.P., Stenln S.I., Stoyanoy S. Undamped RHEED oscillations during Ge and SI homoepltaxy. - Superlattlces and Mlcrostructure3, 1991, v.10, N2, p.135-137.

3. Golobokova L.Yu.., Markov V.A., Pchelyakov O.P., Yanovitskaya Z.Sh. Features of surface recovery behavior during Interlaces formation In superlattlces grown by MBE. - Superlattlces and Microstruetures, 1991, v.10, N2. p. 139-141.

. Talochkln А.В., Markov V.A., Pusep Yu.A., Pchelyakov O.P., Sinyukov M.P. Raman scattering from S1-S1q 5GeQ 5 superlattlces. - Superlattlces and Microstruetures, 1991, v.10, N2, p. 179-182.

10; Markov V.A., Sokolov L.V., Pchelyakov O.P., Stenln S.I., Stoyanov S. Molecular beam epitaxy with synchronization of nucleatlon. - Surf.Scl., 1991, v.250, p.229-234.

11. Yaklmov A.I., Markov V.A., Dvurechenskil A.V., Pchelyakov O.P. 'Coulomb staircase' In Sl/Ge structure. -IX International conference on electronic properties of low-dimensional systems (Nara, Japan, July 1991): workbook, p.750-754.

12. Марков В.А., Пчеляков О.П. Исследование методом ДБЭ релаксации напряжений при гетероэпитаксии твердого раствора GexSlr_x на Sl(III). , - ИХ Всесоюзная конференция по росту кристаллов (Харьков, февраль 1992 г.): Расширенные тезисы. 1992, т.1, с.226-227.

13. Yaklmov .A.I., Markov V.A., Dvurechenskil A.V., Pchelyakov O.P. 'Coulomb staircase' In Si/Ge structure. -Philosophical Magazine B, 1992, v.65, N4, p.701-705.