Фотоэмиссионная активность структурных дефектов в SiO2 и силикатных стеклах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ОГЛАВЛЕНИЕ

ГЛАВА 1. ФОТОСТИМУЛИРОВАННАЯ ЭМИССИЯ ЭЛЕКТРОНОВ

И СТРУКТУРНЫЕ ДЕФЕКТЫ В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ ШИРОКОЩЕЛЕВЫХ ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ.

1.1. Фотоэлектронная эмиссия.

1.1.1. Стационарная фотоэмиссия.

1.1.2. Фотостимулированная электронная эмиссия диэлектриков.

1.1.3. Механизмы ФСЭЭ.

Актуальность. Исследование поверхности твердых тел является важным направлением физики конденсированного состояния и имеет непосредственное прикладное значение в связи с разработкой новых материалов и технологий. В подобных исследованиях особое место отводится изучению влияния структурных факторов и внешних энергетических воздействий на природу дефектов и электронные свойства поверхностного слоя материала. Указанные вопросы целесообразно рассматривать на примере единого класса объектов. В этом плане диоксид кремния представляет собой весьма удобный модельный объект, который стабильно существует как в кристаллическом, так и стеклообразном состоянии. Вместе с тем, он имеет и важное прикладное значение, поскольку материалы на основе SiCb широко применяются в электронике, оптике, волноводной технике и многих других отраслях.

Информация о структуре и свойствах поверхностного слоя может быть получена на основе изучения эффекта фотостимулированной электронной эмиссии (ФСЭЭ), закономерности которой чувствительны к энергетическому состоянию и дефектности твердого тела. Параметры ФСЭЭ хорошо сопоставляются с макроскопическими характеристиками поверхности, что, в принципе, позволяет использовать их для прогнозирования функциональных свойств материала. Вместе с тем, к настоящему времени существует ряд определенных трудностей, ограничивающих более широкое применение метода ФСЭЭ в указанных целях. В частности, реализация разных ионизационных механизмов ФСЭЭ часто приводит к неселективному виду получаемых спектров, что осложняет выделение и количественный анализ эмиссионных полос, принадлежащих дефектам конкретного типа. К аналогичным проблемам относятся и существенное изменение общего уровня эмиссионной активности поверхности, связанное с радиационно-индуциро-ванной поляризацией диэлектриков, а также нестационарность процесса эмиссии, приводящая к искажению контура спектральной полосы при записи в режиме реального времени. Таким образом, проблема фотоэмиссионных свойств реальной поверхности является комплексной, включающей наряду с изучением дефектности и разработку методических вопросов.

Целью работы явилось изучение фотоэмиссионных свойств структурных дефектов в диоксиде кремния и силикатных стеклах с привлечением развитых методических приемов обработки спектров ФСЭЭ и выявление роли эмиссионпо-активных дефектов в формировании прочностных характеристик поверхности стеклообразных материалов.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Предложены новые методические приемы выделения селективных полос ФСЭЭ и определения концентрации эмиссионных центров в квазистационарном случае.

2. Развит способ расчета кинетических кривых фотораспада для индивидуальных центров, позволяющий определять концентрацию эмиссионных центров неизвестной природы и их микропараметры.

3. Установлено, что доминирующим типом фотоэмиссионных дефектов Si02 и силикатных стекол являются представители семейства Е-центров.

4. Впервые экспериментально обнаружено возбуждение ФСЭЭ в полосах дырочных Oj - и диамагнитных Bia-центров.

5. Определены спектрально-эмиссионные параметры точечных дефектов S1O2, оптического стекла К8 и технического стекла с термически полированной поверхностью (ТПС).

Автор защищает:

1. Обоснование методик выделения селективных эмиссионных полос в сложных спектрах ФСЭЭ и построения кинетических кривых фотораспада активных центров одного типа.

2. Результаты экспериментальных исследований ФСЭЭ кристаллического и стеклообразного Si02 с радиационными дефектами, численные значения параметров эмиссионных центров, влияние фактора упорядоченности на пространственное распределение радиационных дефектов.

3. Результаты экспериментальных исследований ФСЭЭ силикатных стекол К8 и ТПС с дефектами радиационного и технологического происхождения.

4. Установленные корреляции между эмиссионными и прочностными свойствами стеклообразных материалов с различным типом обработки.

Практическая ценность работы заключается в развитии новых методических приемов обработки спектров ФСЭЭ, повышающих информативность измерений и позволяющих рассчитать микропараметры и концентрацию эмиссионных центров, определить особенности их пространственного распределения в структуре материала. Установленные корреляционные связи между параметрами ФСЭЭ и прочностными характеристиками промышленных стекол, а также выявление роли дефектов определенного типа в формировании механических свойств и лучевой прочности представляют интерес для совершенствования технологии и модификации свойств волоконных световодов, элементов силовой оптики и кварцевых резонаторов для акустоэлектроники.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на 6й международной конференции "Радиационные гетерогенные процессы" (Кемерово, 1995), на 17м международном конгрессе по стеклу (Китай, Пекин, 1995), на 9й международной конференции "Радиационная физика и химия неорганических материалов." (Томск, 1996), всероссийской конференции "Химия твердого тела и новые материалы" (Екатеринбург, 1996), на 17м Карпачском семинаре "Экзоэмиссия и сопутствующие явления" (Польша, Турава, 1996), на 12м международном симпозиуме "Экзоэмиссия и ее приложения" (Польша, Ополе 1997), на 7й международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, 1998), на 5й всероссийской школе-семинаре "Люминесценция и сопутствующие явления" (Иркутск, 1999), на 13м международном симпозиуме "Экзоэмиссия и сопутствующие явления релаксации" (Рига, Латвия, 2000).

Публикации. Основные результаты работы опубликованы в шестнадцати печатных работах.

Основные результаты диссертационной работы состоят в следующем:

1. Предложена процедура обработки фотоэмиссионных спектров, позволяющая выделить селективные полосы эмиссионно-активных дефектов, определить их спектральные характеристики и концентрацию в поверхностном слое эмиттера. Для случая экспоненциального закона затухания развит метод расчета кинетики распада центров фотоэмиссии, учитывающий при построении температурных зависимостей интенсивности ФСЭЭ нестационарность процесса. Реализация указанных приемов позволяет определить квантовый выход, активационный барьер термоионизации и концентрацию центров ФСЭЭ конкретного типа без знания их микропараметров if и 77), что важно при исследовании материалов с дефектами неизвестной природы.

2. В поверхностных слоях облученных образцов Si02 и оптического стекла >

К8 методом ФСЭЭ обнаружены дискретные центры объемного (Е1-,Е2-, В2а-, О®-) и поверхностного (E's(l)-, E's(2)-) типа, континуальные Е^-центры на локализованных электронных состояниях хвоста зоны проводимости, изучены их спектрально-эмиссионные характеристики (полуширина полос, энергии оптического возбуждения). Для стеклообразных материалов (кварцевое стекло KB и стекло К8) установлено однородное распределение радиационных центров окраски в объеме и поверхностном слое, тогда как для кристаллического кварца характерно повышенное содержание подобных дефектов в приповерхностной области и существенное разупорядочение ее атомной структуры.

3. Установлено, что в кристаллическом и стеклообразном Si02 центры ФСЭЭ имеют идентичную природу, в то же время их спектрально-энергетические параметры (полуширина полос, активационные барьеры, квантовые выходы ионизации и ФСЭЭ) зависят от структурной упорядоченности матрицы. Доминирующими фотоэмиссионными дефектами являются представители семейства Е'-центров. Особенности релаксации возбужденных состояний эмиссионных центров свидетельствуют о том, что процесс освобождения электронов может быть описан в рамках фототермического механизма ФСЭЭ.

4. С привлечением результатов исследования ФСЭЭ предложена модель гетерогенного строения эмиссионно-активных слоев поверхности силикатных стекол, включающая представления о существовании зон с "твердой" и "пластичной" решеткой. Показано, что "твердый" слой имеет кварцеподобную структуру с низкой плотностью кислорододефицитных дефектов, а "пластичный" представляет собой стекло с повышенным содержанием ионных немостиковых связей Ме-O-Si. Особенности атомного строения находят свое отражение в энергетическом спектре и эмиссионных свойствах поверхности. При этом "пластичный" разупорядо-ченный слой отличается высокой плотностью локализованных состояний зонных хвостов и повышенной концентрацией эмиссионных центров дискретного (E2V) и "континуального" (ДГ) типов.

5. Выполнены комплексные исследования ФСЭЭ, микротвердости и порога лазерного пробоя поверхности промышленных силикатных стекол с различным типом обработки. Общей закономерностью для материалов с термически и механически полированной поверхностью является линейная корреляционная связь между эмиссионным параметром разупорядо-чения Ео, степенью связности Si-O-подрешетки и микротвердостью поверхностного слоя стекол. Лучевая прочность поверхности оптического стекла К8 с радиационными дефектами преимущественно определяется плотностью эмиссионных Е7 -центров, характеризующих концентрацию слабосвязанных электронов, локализованных на состояниях атомов модификатора.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Арсеньева-Гейль А.Н. Внешний фотоэффект с полупроводников и диэлектриков. М.: Гос. издательство технико-теоретической литературы, 1957. 205 с.

2. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Наука, 1980. 285 с.

3. Фридрихоф С.А., Мовнин С.М. Физические основы электронной техники. М.: Высшая школа, 1982. 608 с.

4. Экзоэлектронная эмиссия / Под. ред. Н.И. Кобозева. М.: Иностр. лит., 1962. 306 с.

5. Кортов B.C. Методические основы изучения экзоэлектронной эмиссии // Техника и электроника измерения экзоэлектронной и акустической эмиссии: Межвуз. сб. научн. тр-в. Свердловск: УПИ, 1973. С.7-17.

6. Кортов B.C., Слесарев А.И., Рогов В.В. Экзоэмиссионный контроль поверхности деталей после обработки. Киев: Наук, думка, 1986. 176 с.

7. Введение в радиационную физикохимию поверхности щелочногалоид-ных кристаллов / Александров А.Б., Алукер Э.Д., Васильев И.А. и др. Рига: Зинатне, 1989. 244 с.

8. Fitting H.J. Some aspects of exoelectron emission from oxides // Proc. 6th Int. Symp. on Exoelectron Emission and Appl., Ahrenshoop, 1979. P.23-27.

9. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М., 1982. - 376 с.

10. Белкинд А.И., Кяэмбре Х.Ф. О двух механизмах фотоэлектронной эмиссии ионных кристаллов // Изв. АН СССР, сер. физ., 1965, т.29, №3, С.466-468.

11. Еще раз о двух механизмах фотоэлектронной эмиссии ионных кристаллов / Белкинд А.И., Бичевин В.В., Календарев Р.И., Кяэмбре Х.Ф. // Изв. АН СССР, сер. физ., 1966, т.ЗО, №9, С. 1448-1450.

12. Механизмы фотостимулированной электронной эмиссии и процессы создания эмиссионных центров в ионных кристаллах / Кяэмбре Х.Ф., Белкинд А.И., Бичевин В.В., Каск А.А. // Радиотехника и электроника, 1969, т.14, №12, С.2216-2221.

13. Llacer I., Garwin E.L. Electron phonon interaction in alkali halides // J. Appl. Phys. 1979. V.40. N7. P.2766-2775.

14. Kortov V.S., Zolnikov P.P. Computation of the energy and angular distribution of exoelectrons by the Monte-Carlo method // Phys. Stat. Sol.(a). 1975. V.31. N2. P.331-339.

15. Толпыго Е.И., Толпыго К.Б., Шейкман M.K. Оже-рекомбинация с участием носителей, связанных на различных центрах // Физ. тв. тела. 1965. Т.7. Вып.6. С. 1790-1794.

16. Толпыго Е.И., Толпыго К.Б., Шейкман М.К. Оже-механизм электронной эмиссии из полупроводников и диэлектриков // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1966. Т.ЗО. №12. С. 1901-1905.

17. Парилис Э.С. Эффект Оже. Ташкент: ФАН, 1969. 210 с.

18. Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Щапова Ю.В. Локализованные валентные состояния в фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии свинцово-силикатных стекол // Радиотехника и электроника. 1991. №2. С. 326-333.

19. Zatsepin A.F., Kortov V.S., Shchapova J.V. Recombination processes with the participation of localized electronic states of band tails in phosphate glasses. //Luminescence V.65. 1996. P.355-362

20. Щапова Ю.В. Эмиссионно-активные локализованные состояния в поверхностных слоях стекол MeO^C^SiCb). Дис. . канд. физ.-мат. наук: 01.04.07. Екатеринбург: УПИ, 1992. 267 с.

21. Закономерности и природа фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии щелочносиликатных стекол / Арбузов В.И., Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Толстой М.Н. // Физ. и хим. стекла. 1994. т. 19. №6. С.475-481.

22. Тюков В.В. Экзоэмиссионные свойства поверхностных слоев оптических стекол с диффузионными напряжениями. Дис. . канд. физ.-мат. наук: 01.04.07. Свердловск: УПИ, 1990. 225 с.

23. Electronic spectroscopy of intrinsic and extrinsic color centers in surface layers of alkali silicate glasses / Arbuzov V.I., Zatsepin A.F., Kortov V.S., Tolstoi M.N., Tyukov V.V. // J. Non-Crystalline Solids. 1991. v. 134. P.208-217.

24. Zatsepin A.F., Shchapova J.V., Kortov V.S. Hole Processes in Optically Stimulated Exoelectron Emission of Phosphate Glass. Scientific Reports of Technical University of Opole, Ser. Physics. 1994. V.14. N207. P.439-446.

25. Zatsepin A.F., Kortov V.S., Shchapova J.V. Electron-Phonon Interactions and "Frozen" Phonons during OSEE of Amorphous Materials. Scientific Reports of Technical University of Opole, Ser. Physics. 1995. V.16. N215. P.5-14.

26. Zatsepin A.F., Kortov V.S. Resonance Exoemission Excited in the Bulk of Glassy Optical Waveguide. Scientific Reports of Technically University of Opole. Ser. Physics. 1995. V.15. N209. P.13-20.

27. Structural disordering effects in optical and electronic properties of phosphate glass. / Zatsepin A.F., Shchapoba J.V., Kortov V.S., Biryukov D.Yu. // Proc. XVII Intern. Congress on Glass, Beijing, China, 1995, v.2., p.449-454

28. Применение метода фотостимулированной экзоэлектронной эмиссии для оценки дефектности поверхности листового стекла / Соболев Е.В., Кортов B.C., Казявина И.В., Зацепин А.Ф., Щеглова О.В. // Физ. и хим. стекла. 1985. т. 11. №4. С. 490-493.

29. Школьник Я.Ш., Ушкова В.И., Зацепин А.Ф. Дефектность поверхности шлаковых стекол по данным экзоэлектронной спектроскопии и их реакционная способность в процессе гидратации // Изв. АН СССР, серия Неорган. материалы. 1989. т. 25. №1. С. 124-128.

30. Фотоэмиссионные и прочностные свойства переходного слоя фаз ме-талл-стеклоэмаль / Зацепин А.Ф., Рощупкина Е.В., Ушкова В.И., Ша-травка Е.И. // Изв. АН СССР, серия Неорган, материалы 1993. т. 29. №8. С. 1141-1147.

31. Шульц М.М., Мазурин О.В. Современные представления о строении стекол и их свойствах. JL: Наука, 1988. 198 с.

32. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических телах. Том 1. М.: Мир, 1982. 368 с.

33. Закис Ю.Р. Простейшие термические дефекты в стеклах. // Физика и химия стеклообразующих систем. Рига, 1980. Вып.7. С.3-36.

34. Закис Ю.Р. Возможность определения собственного дефекта стекла. // Физика и химия стеклообразующих систем. Рига, 1973. Вып.1. С.6-19.

35. Скуя JI.H. Исследование собственных дефектов и их роли в электронных процессах в стеклообразном и кристаллическом кремнеземе. Дис. . канд. физ.-мат. наук. Рига, 1980. 158 с.

36. Bell R.J., Dean P. The structure of vitreous silica: validity of the random network theory. // Philos. Mag., 1972. V.25. N6. P.1381-1398.

37. Shendric A.N., Silin A.R., Skuja L.N. et al. Intrinsic defects in fused silica // Proc. 11th Intern, congr. glass. Prague, CVTS-Dum Thechn., 1977. V.l. P. 13-21.

38. Robertson J. Atomic defects in glasses // Phys. Chem. Glasses. 1982. V.23. N1. P.1-17.

39. Силинь A.P. Структура и механизмы образования простейших собственных дефектов в стеклообразном кремнеземе. // Электронные процессы и структура дефектов в стеклообразующих системах, Рига. 1982. С.3-18.

40. Silin A.R., Bray P.J. Statistic of thermal equilibrium intrinsic defects in fused silica //Bull. Amer. Phys. Soc. 1981. V.26. N3. P.218.

41. Pauling L. The nature of chemical bond // Ithaca, Cornell Univ. Press, 1960. 374 p.

42. Kraiser P. Drawing-indused coloration in vitreous silica fibers // J. Optical Soc. America, 1974. V64. N4. P.475-481.

43. Силинь A.P., Скуя Л.Н., Лапенас A.A. Влияние нейтронного облучения на люминесценцию стеклообразного кремнезема // Физика и химия стеклообразующих систем. Рига, 1977. вып. 5, С.93-105.

44. Силинь А.Р., Скуя Л.Н., Шендрик А.В. Радиационные собственные дефекты в стеклообразном кремнеземе: немостиковый кислород // Физ. и хим. стекла. 1978. Т.4. С.405-410.

45. Гурьянов А.Н., Гусовский Д.Д., Дианов Е.М. и др. Радиационно-оптическая устойчивость стеклянных волоконных световодов с малыми потерями // Квант, электроника. 1979. Т.6. №6. С. 1310-1319.

46. Скуя JI.H., Силинь А.Р. Генерация дефектов в кварцевом стекле под ВУФ облучением // Тез. докл. VI Всесоюзн. конф. по физике ВУФ излучения и взаимодействию излучения с веществом. М., 1982. С. 160

47. Сидоров Т.А., Тюлькин В.А. Исследование радиационных дефектов в кварцевом стекле методом ЭПР // Изв. АН СССР, серия Неорган, материалы. 1969. Т.5. №1. С.58-62.

48. Griscom D.L. E'-centers in glassy Si02: microwaye saturation properties and confirmation of the primary 29Si hyperfine structure II Phys. Rev. B. 1979. V20. N5. P.1823-1834.

49. Yip K.L. Fowler W.B. Electronic structure of Si02. 2. Calculation and results //Phys. Rev. B. 1974. V10. N4. P.1400-1408.

50. Griscom D.L. E'-centers in glassy Si02: 170, .H, and "veiy weak" 29Si super-hyperfine structure //Phys. Rev. B. 1980. V22. N9. P.4192-4202.

51. Силинь A.P., Шендрик A.B., Юдин Д.М. Новые данные о парамагнитных радикалах в системе Si02 // Физика и химия стеклообразующих систем. Рига, 1974. вып. 2, С.34-51.

52. Schirmer O.F. Assigment of the optical absorption of the Ei'-center in Si02. // The physics of MOS insulators / Ed. by G. Lucovsky et al. Oxford etc., Per-gamon Press, 1980. P.102-106.

53. Силинь A.P., Трухин A.H. Точечные дефекты и элементарные возбуждения в кристаллическом и стеклообразном Si02. Рига, "Зинатне", 1985, 244 с.

54. Бобышев. А.А. Оптические и радиоспектроскопические свойства Е'-центров в Si02. // Тез. докл. VII Всесоюз. симпоз. по оптическим и спектральным свойствам стекол Л. 1989 г. С.252-253.

55. В.А.Радциг Реакционные интермедиаты на поверхности твердых тел (SiC>2, GeC^). Состояние и перспективы развития направления // Хим. физика. 1995. т.14. №8. с.125-154.

56. Зацепин А.Ф., Ушкова В.И., Калентьев В.А. Радиационные Е'-центры и экзоэмиссионная активность поверхности силикатных материалов. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1990. №6 С.100-105.

57. Изменение экзоэмиссионных свойств кристаллов кварца и фенакита в процессе радиационной трансформации структуры поверхности / А.Ф.Зацепин, В.С.Кортов, В.И.Ушкова, В.А.Калентьев // Поверхность. Физика, химия, механика. 1992. №4 С.43-51

58. Термостимулированная экзоэлектронная эмиссия кристаллов кварца при многофононной ионизации радиационных Е'-центров / А.Ф.Зацепин, В.Г.Мазуренко, В.С.Кортов, В.А.Калентьев // Физ. тв. тела. 1988. Т.ЗО. Вып.11. С.3472.

59. Электронная структура кислородно-вакансионных дефектов в диоксиде кремния. / Губанов В.А., Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Фрейдман С.П., Черлов Г.Б. // Журнал прикладной спектроскопии 1988. Т.49. №1. С.97-102.

60. Greaves G.N. Intrinsic and modified defect states in silica // J. Non-Crystalline Solids. 1979. V.32. N1-3. p.295-311.

61. Радциг B.A., Сенченя И.Н. Структура и спектроскопические свойства парамагнитных центров =Si-0- в диоксиде кремния. // Тез. докл. VII Всесоюз. симпоз. по оптическим и спектральным свойствам стекол Л. 1989 г. С.254-255.

62. Oxigen-associated trapped-hole centers in high-purity fused silica / Stapel-broek M., Griscom D.L., Friebele E.J., Sigel G.H. // J. Non-Crystalline Solids. 1979. V.32. N1-3. p.313-326.

63. Силинь А.Р., Скуя JI.H. Модель центра собственной красной люминесценции в двуокиси кремния // Тез. докл. XXVII Всесоюзн. совещ. по люминесценции. Эзерниеки., 1980. С. 147.

64. Silin A.R., Skuja L.N., Trukhin A.N. Intrinsic defect generation mechanisms in fused silica // J. Non-Ciystalline Solids. 1980. V.38/39 p. 195-200.

65. Smith G.S., Alexsander L.E., Refinement of the atomic parameters of a-quartz // Acta Ciystallogr., 1963. V.16. P.462-471.

66. L.N.Skuja. The origin of the intrinsic 1.9 eV luminescence band in glassy Si02 // J. Non-Crystalline Solids. 1994. V.179. P.51-69.

67. Закис Ю.Р., Силинь A.P. Радиационные дефекты в стеклообразном кремнеземе // Радиационно-стимулированные явления в кислородосо-держащих кристаллах и стеклах. Ташкент, Фан, 1978. С. 180-182.

68. Силинь А.Р., Скуя JI.H. Простейшие собственные радиационные дефекты в стеклообразном кремнеземе // Физика и химия стеклообразующих систем. Рига, 1980. С.56-69.

69. Силинь А.Р., Скуя JI.H., Зиемелис У.О. Электронно-дырочные процессы в синтетическом стеклообразном кремнеземе // Физика и химия стеклообразующих систем. Рига, 1979. С.11-19.

70. Силинь А.Р., Скуя JI.H. Радиационные дефекты двуокиси кремния: не-мостиковые атомы кислорода // Вопр. атом. Науки и техники. Сер. "Физика радиац. повреждений ирадиац. материаловедение", 1982. вып. 1 Т.20, С.69-70.

71. Mott N.F. Electronic properties of vitreous silicon dioxide // Physics of Si02 and its interfaces / Ed. by T. Pantelides. Elmsford ect. Pergamon Press. 1978. P.l-13.

72. L.N.Skuja. Optically active oxygen-deficiency-related centers in amorphous silicon dioxide // J. Non-Crystalline Solids. 1998. V.239. P.16-48.

73. Sulimov V.B., Sokolov V.O. Cluster modeling of the neutral oxygen in pure silicon dioxide // J. Non-Ciystalline Solids. 1995. V.191. P.260-280.

74. Bagratashvili V.N., Tsypina S.I., Alimpiev S.S. et. al. // Laser Chemistry. 1992. V. 12. P.211-220

75. Griscom D.L. Defect structure of glasses. Some outstanding questions in regard to vitreous silica // J. Non-Crystalline Solids. 1985. V.73. N1-3. P.51-77.

76. Arnold G.W. Ion-implantation effects in nonciystalline Si02 // IEEE Trans. Nucl. Sci. 1973. V20. N6. P.220-223.

77. Марченко B.M. Фотонндуцнрованные превращения кислородно-дефицитных центров в кварцевых и германо-силикатных стеклах // Физ. и хим. стекла. 1995. Т.21. №4. С.359-372.

78. Sulimov V.B., Sokolov V.O., Poumellec В. Cluster modeling of the oxygen vacancy in pure silicon dioxide // Phys. Status Solidi (b) 1996. V.196 p. 175192.

79. Wirsam В. The electronic spectrum of silicon difluorid. A theoretical study // Chem. Phys. Lett. 1973. V.22. N2. P.360-363.

80. Colvin M.E., Grev R.S., Schaffer H.F. XjA^S^Bj and AJBj electronic states of silylenes. Structures and vibrational frequencies of S1H2, SiHF and SiF2 // Chem. Phys. Lett. 1983. V.99. N5-6. P.399-405

81. Зюбин A.C., Сулимов В.Б. Неэмпирический расчет оптических характеристик двухкоординированных атомов кремния и германия в легированном кварцевом стекле // Физ. и хим. стекла 1999. Т.25. №2. с. 144-154.

82. Арбузов В.И., Толстой М.Н. Фотоперенос электрона в активированных стеклах // Физ. и хим. стекла. 1988. №1. С.3-18.

83. Бреховских С.М., Тюльнин B.JI. Радиационные центры в неорганических стеклах. Москва, Энергоатомиздат, 1988, 200 с.

84. Сидоров Т.А., Тюлькин В.А. К вопросу о природе дырочных центров в облученных щелочно-силикатных стеклах // Доклады АН СССР, 1967. Т.175. №4. С.872-874.

85. Сидоров Т.А., Тюлькин В.А. Электронные спектры поглощения и спектры ЭПР облученных силикатных стекол // Теоретическая и экспериментальная химия. 1968. Т.4. вып. 1. С.96-101.

86. Schreurs J.W.H. Study of some trapped hole centers in X-irradiated alkali silicate glasses //J. Chem. Phys. 1967. V.47. N2/2. P.818-830.

87. Kordas G., Camara В., Oel H.J. Electron spin resonance studies of radiation damage in silicate glasses //J. Non-Crystalline Solids. 1982. V.50.N1.P.79-95.

88. Smith H.L., Cohen A.J. Color centers in X-irradiated soda-silica glasses // J. Amer. Ceram. Soc. 1964. V.47. N11. P.564-570.

89. Swarts E.L., Pressau J.P. Phototropy of reduced silicate glasses containing the 570 mp color center // J. Amer. Ceram. Soc. 1965. V.48. N7. P.333-338.

90. Mackey J.H., Smith H.L., Halperin A. Optical studies in X-irradiated high purity sodium silicate glasses // J. Phys. Chem. Solids. 1966. V.27. N11-12. P.1759-1773.

91. Nelson S.M., Weeks R.A. Trapped electrons in irradiated quartz and silica: II, electron spin resonance // J. Amer. Ceram. Soc. 1960. V.43. N8. P.396-404.

92. Weeks R.A. Paramagnetic spectra of E2' centers in crystalline quartz // Phys. Rev. 1963. V.130. N2. P.570-576.

93. Вахидов Ш.А., Гасанов Э.М., Самойлович М.И., Яркулов У. Радиационные эффекты в кварце. Ташкент: Фан, 1975.

94. Солнцев В.М., Машковцев Р.И., Щербаков М.Я. Электронный парамагнитный резонанс радиационных центров в кварце // Журнал структурной химии. 1977. Т18. №4. С.729-735.

95. Амосов А.В. Центры парамагнитного и оптического поглощения в стеклообразном кремнеземе. Автореф. канд. физ.-мат. наук. М. 1970.

96. Vitko J. ESR studies of hydrogen hyperfine spectra in irradiated vitreous silica // J. Appl. Phys. 1978. V.49. N11. P.5530-5535.

97. Е'-центры в щелочно-силикатных стеклах / Глебов Л.Б., Докучаев В.Г., Петров М.А., Петровский Г.Т. // Физ. и хим. стекла. 1990. №4. С.619-624.

98. Калентьев В.А., Стукалов В.И. Экспериментальный комплекс для эк-зоэмиссионных исследований поверхности твердых тел с применением многоканальной спектрометрической техники / УПИ. Свердловск, 1982. 38 с. Деп. в ВИНИТИ 18.05.82, №2530.

99. Калентьев В.А. Анизотропия экзоэмиссионных свойств кристаллов кварца. Дис. . канд. физ.-мат. наук: 01.04.07. Свердловск: УПИ, 1986. 210 с.

100. Стекло. Справочник / Под ред. Н.М. Павлушкина. // М.: Стройиздат, 1973. 487 с.

101. Влияние диффузионных напряжений на фотостимулированную экзо-электронную эмиссию стекла / Глебов Л.В., Евстропьев С.К., Зацепин А.Ф., Кортов B.C., Никоноров Н.В., Тюков В.В. // Физ. и хим. стекла. 1989. т. 15. №1. С. 91-97.

102. Эпштейн М.И. Спектральные измерения в электровакуумной технике. М.: Энергия, 1970. 144 с.

103. Зайдель А.Н., Шрейдер Е.Я. Вакуумная спектроскопия и ее применение. М.: Наука, 1976. 432 с.

104. Ушкова В.И., Кортов B.C. Некоторые вопросы метрологии экзоэмис-сионного контроля // VIII Всесоюзн. науч.-техн. конф. по неразрушаю-щим физическим методам и средствам контроля: Тез. докл. Кишинев, 1977. Т.З. С.539-541.

105. A.F.Zatsepin, V.S.Kortov. Localized excitations and photoemission processes in glasses // Scientific reports of the technical university of Opole 1997, v.20, №240, p. 105-115.

106. Зайдель A.H. Погрешности измерений физических величин. JI.: Наука, 1984 г. С.112

107. Микротвердость хрупких оптических материалов. / Державин С.Н., Иванов А.В.,Касымова С.С.,Милюков Е.М.//Ташкент:"ФАН", 1983.156 с.

108. Клява Я.Г. ЭПР-спектроскопия неупорядоченных твердых тел. Рига, "Зинатне", 1988, 320 с.

109. Образцова Е.В., Луценко В.П., Кузьмин И.И. Оптическое и парамагнитное поглощение в облученных электронами стеклах системы К20-Ba0-Si02. //Физ. хим. стекла, 1980, т.6, №3, С.344-345.

110. Арбузов В.И., Николаев Ю.П., Толстой М.Н. Образование электронных центров окраски при туннельной фотоионизации микропримесей Fe2+ в стеклах //Физ. хим. стекла, 1989, т. 15, №3, С.433-441.

111. Спектры поглощения центров окраски в щелочносиликатных стеклах / Глебов Л.Б., Докучаев В.Г., Петров М.А., Петровский Г.Т. // Физ. хим. стекла, 1990, Т.16, С.39-47.

112. Devine R.A.B., Golanski A. Creation and annealing kinetiks of magmetic oxygen vacancy centers in Si02 // J. Appl. Phys. 1983. V.54. N7. C.3833-3838.

113. Толстой M.H. Безызлучательная передача энергии между редкоземельными ионами в кристаллах и стеклах. С. 124-135. // Спектроскопия кристаллов. М.: Наука, 1970. 250 с.

114. В.В.Антонов-Романовский. Кинетика фотолюминесценции кристал-лофосфоров. // М.: "Наука" 1966 г. 324 с.

115. V.N. Neustmev. Point defects in pure and germanium-doped silica glass and radiation resistance of optical fibers // Sov. Lightwave Comm. 1991. V.l. N3. P. 177.

116. Будов B.M., Саркисов П.Д. Производство строительного и технического стекла. М.: Высш. шк., 1991. 319 с.

117. Теоретические основы и технология производства листового термически полированного стекла. НПО "Техностройстекло". Саратов. 1990. 226 с.

118. Влияние некоторых факторов на прочность поверхностей термически полированного стекла / Сытник Р.Д., Семенов Н.Н., Матвиенко В.Я., Баландина Т.П. // Стекло и керамика. 1978. №7. С. 10-11.

119. Богуславский И.А., Горобец Ф.Т., Бутаев A.M. и др. О прочности промышленного листового стекла, упрочненного ионообменным способом // Доклады АН СССР. 1976. Т.226. №2. С.315-318.

120. Петров М.А. Поглощение радиационных центров окраски в щелочно-силикатных стеклах и механизмы его фотостимулированного изменения. Автореферат дисс. канд. физ.-мат. наук. JI.: 1989. 17 с.

121. Гороховский А.В., Костин К.Б., Поляков К.В. Формирование структуры поверхности многокомпонентного силикатного стекла при выработке вытягиванием из расплава в атмосфере различного состава // Физ. и хим. стекла. 1990. Т.16. №3. С.445-449.

122. Гороховский А.В., Солинов В.Ф., Каплина Т.В. Кинетика выщелачивания и особенности строения поверхностных слоев листовых силикатных стекол // Физ. и хим. стекла. 1992. Т. 18. №4. С.81-89.

123. Лахтин Ю.М., Леонтьева В.П. Материаловедение. М.: Машиностроение, 1990. 528 с.

124. Влияние поглощающих примесей на оптический пробой прозрачных диэлектриков / Гагарин А.П., Глебов Л.Б., Докучаев В.Г., Ефимов О.М., Попова Л.Б., Толстой М.Н. //ЖТФ 1982. Т.52. №1. С. 101-104

125. Жуков С.Н., Еронько С.Б., Чмель А. Термофлуктуационная природа лучевой прочности прозрачных диэлектриков. // ФТТ 1982. Т.24. С.733.

126. Гагарин А.П., Глебов А.Б. и др. Образование центров окраски в на-триево-силикатных стеклах при нелинейном поглощении мощного УФ излучения. // Физ. и хим. стекла 1979. Т.5 №3 С.378

127. Власов В.Г., Глебов А.Б. и др. Нелинейное окрашивание и разрушение свинцовосиликатных стекол в условиях многофотонного поглощения. // Изв. АН СССР сер. физ. 1981. Т.45 №6 С.924

128. РОйсийс Т^СУДЛРС i Ь ЧВЯИОТ)