Фотофизические процессы формирования малоатомных серебряных и сернистосеребряных кластеров, адсорбированных на кристаллах галогенидов серебра тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

РГ8 ОД

гозу/игсгвшаи уплетают

На правах рукописи Волошина Татьяна Васильевна .

»ОТСШЗНЧЕСКНЕ ПP0ІЛSCCFJ ФОРМИРОВАНИЯ !Ш10АТ0!<НЫХ СЕРЕБРЯНЫХ И СЕНШСТОСЕРЕБРЯШХ КЛАСТЕРОВ, АДСОРБИРОВАННЫХ НА КРИСТАЛЛАХ ГАЛОГЕНВДОВ СЕРЕБРА '

Специальность 01.04.07 физика твердого тела

А В Т О Р Е О Е Р А Т диссертации на соискание ученой степени к-тнцидата физико-математических науя

Плот sraaomit-na па ¡.ч’^прз оиїикн и сяелтроокошго Вороио.лзкого государст!їсннг’'о университета

ІкучнкП рукоэодитсчь - доктор физико-математических наук,

. ■ _ ' ' профессор JiATtiülEB А.Н,

L'[лщп&лъние о/тонупгы - доктор фипико-матриатичоских наук,

-профессор ВЗЯЯБСіСЙ В.И, •

. . кавдндат физипо-матвмагичеоких кяуі

■ цздон-^ ЛУїСІЧ А.Н. ' ■

IkyVf>v--i ''p!'u;.u;;'iLv я I Tí .ой и.тут nt'v:-.о * í'Ali

J r { ' /

catira cocto.ítoíí " .. S u -ZtH'u*' 19'jз r. »h:

с ...’ядичі;і опицліи'.і'.^іірозйіігісгк roí лК >¿3,43,0* ’’орсмюжского госудпрзтвенцого-yKüi'ípc;!iTCTíi no апр:.су: 3945?3, і’. Ворзнек, Университетская площадь, І» ВГУ

С дассертацией ’тг-но ознакомиться г библкол-зие ЕГУ .

Автореферат разослал " SL- М&& 1994 г.

' ^ , • . \

Учений секретарь _ ■ ' _ ¡-J ' - ' '

специализированного совета . /V ,/•' кандидат физико'-матеадгнчоск'.'^наугс' ./«'*/’¿ ií'i.'iúii! Б.

ОБЩАЯ ХАРАКТЖОТаКА РА£0?и'

Актуальность т о м и. 3 настоящее Бремя га-логениды серебра являются оснокч., • к: монантсЧ свегочугствите-льлнх материалов для фотогр'гфтской зг-пкси оптической информации. Это определяется их уникальными особенностями, которпо заключаются в высокой светочувствительности при налички некоторых примесей и близости к единица квантового вихода процесса образования аароди'зой металлической фаеы при воздействии актинич'но-го св;та.

Хотя повременное состояние ^отогргфичзскоЯ нау.чи позволило получить светочувстпительн!.’'; гшчфчг.".*' на основе галог-’мидоп серебра с фотогра^ичвскимя характеристиками, достаточно близкими ¡с предельном, требования к эти:.: материалам постоянно растут. Поиск кардинально нспих путей создания очередного поколения черно-белих и цветных фотоматериалов, обладавших высокими сенситометрическими и структурно-р^костнь.'ч.: характер;:отиками, не иомо? быть осуществлен (¡¿*> детального понимания олектрокно-дн-рочных процессов, определяющих светочувствительность и начальные этапы выделения металлической фазы под воздействие« облучения а ЛцНсА -микрокристаллах /Ж/, а так-г.а влияния на этот процесс поверхностных ПрИМОСНКХ денгров. Решения ОТОИ проблемы■ПОСВлЩв-на настоящая работа. .

' Физические процессы, протокахг'но в галсганидах серебра под действием световых потоков, доотагочнпх для образования скрыто-' го изображения, приводят к чрезвычайно малым изменениям в энергетической структуре кристаллов, которпа из могут быть обнаружены обычными методами абсорбционной спектроскопии. Так тсз обстоит дело и с возможностями изучения помесных центров в той концентрации, которая наиболее оптимальна для тотохимического процесса. Однако, люминесцентная методика ввиду исключительной чувствительности способна дать информацию и о малнх концентрациях примесей /обычно это адсорбированные кластеры атомно-молекулярной дисперсности/, и о начально,1 стадии образования центров скрытого изображения. .

Особую роль при птом играет методика фотостимулиррсзнной вспчлки лгнинесцонции ЛОЕЛ/. В совокупности •* ив?опоч 'счета Астонов" такой способ коол-'-’юзанлл по о ;0.1яет изучать начальн/;-) сталии п{:аобрааозан':я нснгр^з ее'■тпчузе .’вительносги * ц лггт •

Г’ '"Т'Л^наа п'”' лг."^',г"!-И',ч е:г-та, а та;-",:; проц'-ас" пр-. а а ■

адсорбированных центров.

Актуальной™ темы, таким образом, определяется необходимостью проведений изучения природы и свойств примесных центров возникающих в гялогенидах серебра под действием облучения в ши роком температурном интервале, а также исследований влияния ад сорбции на поверхности МК' сложных комплексов атомно-молекулярной дисперсности, возникающих в процессе химической сенсибилизации и при других технологических процессах изготовления фоте графических эмульсий, на светочувствительность МК.

. Цель работы: ' -

1. Разработка методики и аппаратура для одновременных иссле дований люминесценции и фзтсстимулкрованной пспыякн л^чннесце ции микрокристаллов фотографических слсзв и кристаллов галоге . нидов серебра в диапазон“? температур 77-300 К.

. 2, Изучение зависимости интенсивности мслшеспэнцин и парам

тров £СйД галогекоерс!бра,шх кристаллов от ■* аппаратуры при их облучении ультрафиолетовым светом.

3. Исследование закономерностей формирования центров лшинс ценцим и глубоких сле'П'ронных яовусек от услориг. формирован:'; твердой фазы реальных цат'Графических эмульсий с плоскими "4. Исследование свойств глубоких электронных ловушек в пло< них и изометрических НК е процессе химической сенсибилизации также при введении различии добавок, применяемых в технолог ческом- процессе.

. 5. Изучение механизма влияния фторсодержацнх поверхностноактивных веществ /ФНАВ/, образующих различные зарядовые сост ния на поверхности 1§Вг(3) -Ш, на светочувствительность ' Н-а у ч н а я новизна работы состоит в что в ее рамках:

1. Впервые проведены исследования "усталости" люминесценц; хлорида серебра в широком температурном интервале 4,Т>-Ь30 К: показано, что этот процесс пдот с заметной скорость;.', начин; 55 К и выше; изучена неустойчивость центров, образующихся п] 140 К, которые распадаются при 250 К и вы:"е.

2. Впервые изучена температурная зависим?'-ть ялиянил низк штераТурного облучения !*К на свегосумму всинлкн /"усталость вспышки люминесценции/; пок-чаано, ч^о энергия активации это процесса совпадает с энергией активации "усталости" стациои ной л;^;:пк'!.ц°нцп1 л ~ ■ и’-'ли ,/> ¡к-м ¡г-г:- ■ алр -[.;0 К; .-.бнаг

ь -

на связь мехду центрами, нпблодяе'япи с немощью метода .'СЗЛ, ;і центрами, ответственными за "усталость" люминесценции.

3, Пр8ЛЛ0»СНа .модель поверхностных центров, ВОЗИИКШфІХ при облучении галогенсеребрянш: кристалла» при низких температурах.

4, Получены сведения о форкировстп:’ центров сэегто'^узствнтель-

ности в микрокристаллах высокочугствкталытх .|>отограф::чвсках . слоев; показано, что в обгэзовянтж :;.’чтгоя светочувствительности участвуют адсорбированные копы серебра. '

5, Епэрвкв лвминесцеитикми метод-ми -изучен механизм адсорбции

на ^^Зг(У) -Ж поверхностно-анти-ьа::-: веществ; показана регулирующая роль .адсорбирования молекул :.'тих эстеств в ¿зрмнропа-няи центров светочувствительности микрокристаллоз 5отогра:К'чзс-ких слоев. •

П'р а н т и ч е с к а я ц о н н о с т ь работ.*!' определяется тем, ЧТО ■

1. Разработана комплексна дг-'инт'гиїтцач методика исследоза-' ния и контроля высокочувствительных ¿отсгра^ичссг.« слоев.

2. Выявлен ряд сведения о формировании примесных центров 3 процессе криоталлчзнции и химичеахоЛ сенсибилизации мкнрокристаллов фотографических слоев, которое, с одной стороны, объясняют имеющиеся в литератур5 сведения относительно кинетики формирования центров светочувствительности, а С Другой стороны, позволяет оптимизировать этот процесс.

3. Получены сведения о роли адсорбированных молекул повсрхно-

стно-активных веществ, что позволит в дальнейшем оптимизировать их .выбор. . ■ ■

4. Данные об образовании и разрулении центров з результате '

фотохимической .реакции при температуре вше 140 Д могут, быть, использованы для создания ячеек оптической памяти с реверсивной, записью и люминесцентном считыванием. ' . • '

О'сновные положения, вы Н. 0 0 и МП о на защиту: ■ '

I. Результаты исследований "усталости" люминесценции хлорида серебра в широком температурном диапазоне 4,5-500 К, показавшие, что отот процесс идет с заметной скоростью, начиная с 55-К и видте с энергией активации 0,01 эЗ в интервала 55-1к,0 К и энергией активации 0,05 эЗ в интервале 130-240 К; неустойчивость центров, образующихся при 140 К, которые распадается при ПЕЗ К

г--.,-;, ■ '

Результати исследований тг“'перагурнсй завяспое -•» "усталос-

ти” взшхшга даминесценции хлорида серебра, показавшие, что энергия активации отого процесса совпадает с энергией активации "усталости" стационарной люминесценция в температурном интервале 55-120 К; взаимосвязь мсяду центрами, наблюдаемыми с помощью метода ФСВЛ, и центрами, ответственными за "усталость" люминесценции. ’ ■

3. Результати исследований комплексным, люминесцентным методом процессов кристаллизации'и химической сенсибилизации плоских и изометрических Ж ЛдЬіР) -фотослоев. Метод определения энергии активации образования сернисто-серебряных комплексов на поверхности Ад.Вг(3) -МК во время химического созревания.

4. Результаты исследования механизма адсорбции на поверхности КК А}вгр) -эмульсии поверхностно-активных веществ; регулирующая роль адсорбированных молекул атих веществ в формирования центров светочувствительности фотографических СЛС32.

Апробация работы. Основные сеэудыа г.и диссертаций докладывались и обсуждались на Международно?/ симпозиуме по системам изображения /Дрезден, 1939 г./, на Международном конгрессе по фотографической науке /Ііекпн, 1990 г./, на 5-м Всесоюзном совещании "Радиационные гетерогенные.процессы” /Кемерово, 1990 г./, на Второй '.Всесоюзной конференции "Оптическое изображение и регистрирующие среды" '/Ленинград, 1990 г./, на 8-й Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения- с веществом /Ленинград, 1990 г./, на Всесоюзно;«’ симпозиуме "Зотохимические и фотофизические процессы в галогенидах серебра" /Черноголовка, 1950 г./, на Всесоюзной конференции по люминесценции /Москва, 1991 г./, на научно-технической конференции "Проблемы развития техники и технологии кинематографа" /Санкт-Петербург, 1992 г./

Публикации. По теме диссертации опубликовано

12 работ.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы, включающего 166 наименований. Она содержит 193 страницы, включая 8 таблиц и 53 рисунка.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ ДИСЕРТАЦІЯ.

Во введен и я исчезала ак7"п;.чгтть темн, обо-

нован выбор экспериментальной методики, сформулироваш! пели И адачи работы, научная новизна, практическая ценность. Перзчис-ены положения, выносимые на защиту, описона структура работы.

В первой главе приведен обзор и анализ экс-ерименталышх исследований по вопросам структуры и собственных .ефектов в АдМлС -кристаллах. Кратко изложены физшго-химичес-ие свойства галогенидов серебра. Важное значение для всей расти ПМееТ раздел, ПОСВЯ^ЭННЫЙ люминесценции Лс/Ий? -¡¿оно- я !иярэкрист&члов. Приводен обзор сведений, имеющихся в современ-юй литературе о центрах люминесценции, их составе и структуре, !ехаН''змах возникновения полос низкотемпературного свсченнл. [ривзден обзор литературных дани« по люминесценции J-.Hl

¡ри адсорбции на их поверхности кластеров сульфида серебра и • ¡ернисто-серебряных комплексов во время химической сенсибилизации. . '

Особое внимание уделено работам, в которых изучались лока-шгче электронные состояния в кристаллах галогенидов серебра. )5раи;ено внимание на то, что и в ткспзт.кмепталышх иеследоваяи-

IX, и в тзорэтических рг.счеюх определено, что атом серебра, адсорбированный на поверхности .^НаС -кристалла, образует глубо-кул электронную ловушку.

Приведены механизмы различных типов химической сенсибилизации с точки зрения образования электронных и дырочных ловуаек ка поверхности МК.

Приведен.краткий обзор по.воздействию УЗЗ-облучения ка ин* . генсивность стационарной люминесценции /’’усталость" лгмииесцон-ции/. Также рассмотрены литературные данные по влияния поверхностно-активных веществ на состояние поверхности МК галогенидов серебра и'светочувствительность этих кристаллов. '

Из изложенного сформулированы основные выводи, которые И . определили поставленные и решаемые в настоящей работе задачи,

Во второй главе описаны измерительная экспериментальная аппаратура, методики исследований, охарактеризованы образцы и способы их приготовления.

Спектры люминесценции и спектры (ХЗЛ измерялись на авто-, матизирсванном спектральном комплексе с использованием мини-33!4 "Электроника ДЗ-28" для управления процессом измерения й обработки результатов. Во всех измерениях излучение люминесценции регистрировалось фотоумножителем ФЭУ-79, работающим в режиме 4счета ^отсчсп". Излучение лвмииесиешкш, преобразованное фото-

Петром /ФЭУ совместно с усилителем-дискриминатором и блоками питания является фотометром для измерения слабых световых потоков/ в последовательность электрических импульсов, регистрировалось тремя злектроносчетнкмп частотомерами. Передача цифровой информации осуществлялась от частотомера в ЭГ;М "Электроника ДЗ-28". Ввод управляющей программы осуществлялся с клавиатуры дисплея, а вывод информации осуществлялся на экран дисплея или печатающее устройство.

Для исследования процесса "усталости" люминесценции с помощью очистки кристалла от нерегулярних понов серебра была собрана экспериментальная установка со специальным держателем..

На охлажденнгїї до температуры 180 К образец накладывалось оле-ктрическое поле іплр;іг,онностью до 10е Б/м. Центральная часть кристалла при этом отцалась ог мелу зольных ионов серебра. Критерием очистки служило резкое уменьшение тока проводимости. Все измереннл ШІТСНСШШОСЇ1І люминесценции и параметров 'ЮВЛ проводились а дтіпазсг.о температур 10-77 К.

Из рассмотрения простейшей схемы кристаллофоефора, имеющего по одном/ типу глубок,::* электронных и дырочных ловушек, сделан вывод о том, чго при постоянной интенсивности стимулирующего света сБ'зтосумма вспылки пропорциональна концентрации глубоких ловушек электронов, а отнопение начальной интенсивности вспышки к полной светосунме, называемое коэффициентом кинетики К, пропорционально среднему эффективному сечению поглощения сти мулирунцего излучения электронными допусками -б". Для выполнения такой зависимости необходимо соблюдать следующие условия в эксперименте: во-первых, малые уровни УЗ-вопбуждения, и во-вторых, отсутствие повторного захвата электронов на ловушки при фотостимуляции люминесценции.

Таким образом, коэффициент кинетики вспышки несет.информацию о среднем аффективном сечении поглощнния фотонов электронными ловушками. Зависимость полной сиотссуммы от длины воянь можно рассматривать как спектральную зависимость плотности онергетических состояний ловушек электронов. Длина волны стимулирующего- света определяет энергетическую глубину ловусек под днем зоны проводимости.

,гтя оценки пф1:о:;та "усталости" лгм'.г.'есцонции использовалась йсснчпиа - '•’'иди-’.іг ''уст- л їсти" , раїчиїй

• И'-'

до Д - интенсивность стационарной люминесценции до засветки;

7і - интенсивность стационарной люминесценции после создетия

усталости" пги температуре Т(-.

. КсіуН-гпуізит усталости Щ пропорционален числу образуюн^пс-

Л ГО Т: рем Л 2ЯСВ2ТКИ центров усталости.

Способ разделения слотах полос п спектре нпшсотс’тюратур-

:г.’і л'-":-шасцг»а::”і *лЗт&) на плементарчыз состаяллщчз ' 1 і

>с.\7?-?ог?лглсл с лсмоль:,1 униг.срспльпоЯ программы разделения пс-■окрыз:\г? я д: ••::: псп ияззмшем "І7Р05". Приведена блок-с;се::а ¡даптирозанной прогртгц, .

йСракрасчше спектры пеглоценпя бы.тл сити и а ИК-спектрэ-отсл ’трзх "1/Я-20" и п5рССС/-и -82" в спектральном диапазоне 1000-400 сгГ'. ' " ■

йсслодуемчз образцы представляли собой поликристаллическаэ габлетпі и фотографические слои. . '

Т р о т ь я глава посвящена изучению температурной зависимости интенсивности лісчянесцеиц'.ш и светосумш З-отости-іулнгзвалной зсішшш галогенезребрлнкх кристаллов, облучешш:; ГФ-сзетом. '

В первом разделе описана лгминесценция кристаллов хлорида серебра, облученных при разных температурах. При действии высоких доз УІ’-облучения /лампа ДР1Я-ІОО-2 с интенсивностью 10 г/ квант/с-смг/ в галогенидах серебра при низких температурах' на-Злвдается фотохимический процесс, в результате которого умень-_ лается интенсивность стационарной люминесценции. Это явление носит название "усталости" люминесценции. Оно изучалось в температурном диапазоне 4,5-300 К в моноиристаллических и прессо-

Были сделаны выводы об образовании на поверхности кристаллов под действием облучения центров, являющихся центрами рекомбинации. При этой наблюдалось два типа процессов и, соответственно, существование двух различных зависимостей "усталости" от температуры в различных температурных диапазонах. Первый процесс существует в диапазоне температур 55-130 К и' имеот энергию активации Е=0,01 эВ. В результате такого ФХП образуются центру р-зкокбинации, которые распадаются при температуре шае 120 К. Второй процесс наблюдается при температуре 140-250 К и имеет энергию активации Е~0,0б яЗ /рис.1/. ' •

і'і'р;: очистке кристаллов от нерегулярных ионов серебра /••*д~

ванных образцах

;-.-з;.: П.'.; f. ; 'зр^зї.зз Jl¡ з: з. і;оч.з/ 1,73; i c\.;,, i:,; :, з -

■-..иr пол--,' :: сб.;i:cri. оіглрз\,,з:к., 'і'.:: з.*:.:;^ озрч.зл

; п:.,оЛЦ пер;; :.і'о уллої,;:; v с ; гі р ~ .t;.j р ■. г с ‘ ' ;.,л;,ллл..оз зг, її; о і . cvs^nanT ирс,цпояоглйи$ о явлччзт дву-с <>.г.-:с:ашнче.'',к;г.; ирсцес-езлз, рззшлчззгзлхоа мзх2їіиз:!'Л [fop;: ро:-глп;і ”:i¡?póD, оуготсї-ызппух па' "усталость"-лжїлік'Сцзішпл, ■ ?íp';,fіа ?ого,. осо’.’ 'оксппрч-t'«!№ указывает на свяоіь перваго предвзеа с эдодрекрозг ікинк ' нона;: серобра, ’аі.югорой процесе 'идот при 'участии тайта'-чйОхір; ко? орю‘не 'СїіеЧ'іРТбя полем /йспріліор, иены ступенем' дсл'зрлно-сзн/. ' . ■ .■ . . ■ ' ' . ' ■

гісслрдорЬішо параметров ЇОВЛ дяяЧіораого процесса ііокаоа> до, .что при .'облучгции кристалла 'при 77 К потоцоа /ІОг- сТого-ное/с' С-,;?/ ульі'р;л.флерового свата іі'аауеннз ЗО ?.:яа.'- г. трипер.

- турлзк • пасизглоег.ъх 5'-,{,-н К- rtsÄJn- ’.рл;:г,ь лздзіюті.'.ч. Іклная' рве-для псех с-че-ргиЛ сзллуллрулз^гі кі-а::coa iia:;á;;ü. ú Тіл--*-глаа, а і:азЛ>::иг,гсїгр кішзгшси .возрастал і, f-’ „Н

При лзззз,;з.лз:;лі иарз-Чстрої; .'ОііП дл.-з ь*и poro ,ір-г.-’ m

;р;ззч z-•-'¿vau’o.-n: v тгч’сдаз ТО 1%'м. яри Ъ-í'/ü Г'л'-лглл'лз-т! '-'зл стглу* ;;лг'г,го''.'..т.'-і; рзл ' ',9 rú’. нз р-,ч.і-*‘ї,Л'‘'. •

пґ.спзпароиащіс ppnaw.r. :: yvcubw.ü.a ;зп зисяізіьзлл ц:ш ¡і сдіїовроіїікшфуу ук-гтеигл:::' TV"-;- : :і.г.’с:;та кипе?;;.;-.! Г./ чте-

Г020р:і? Об ’yro.’t.r.icmtr 3 3 ЛЗЗЛ'ЗЛЛЛЛ ;.'j\rjr<\т: из. er:;: І,.С

Такий -сбраосг,;, пол.у.гл’лзге рззуль'ззззі: подгео^-а'^п-'-іір лз;,;єн.із. о С'зззепюоанил дг.ух пропоссоз, прзходазнх но?. д .:';с ; : с:і Уч-иглуцзнля л: ртличї^зссоя nnaprs:.-::.;;i a.:cT¡:ü«r.:¡í.' Пр::аг.л;о что длк п-то.рагс' про.'їоссе? рэль.мезубсл&ш зс 'н другі::: кзрагул.пр-ipjx и слон серебра н<»<фз;сс?деі'н&. В то-:.:с уречя, г. рзз/..ьзл-;з его oöpaoj’KTca в 'кристалле или на erd иаиорлносгл ііо^сїоііч,;;.' центра с 0ольт,и .в$$зктшівд СЄЧЄПЛОМ-НОГЛОГ.ОН»!Я cTîwy.vrpy:;' ; сватових потоков;-. • ' .• , • • •' '

' . Зо.'-второ« р&зделз оппсші. rjKiaopu ’caj',- тодтьввддахфл, -ч

центры, .охбєїстіісііішо sa '"узталос-ь”. ..г.^і!;юсцопц.:;ї и пролютг

ІЦІІ9СЯ .BO -EÇRLKIfd- Я!5ід«їссцс:пс:и» упазгиу-г.' S прздззео И0Г.Зр.;-. ігостнсй ’фої.оат!:мулир00аі:::гі'ї ve.і:ї :: с_.зз^зрі су з;:.’

, - Йсзучаші оазисвйосхь езз з-' у:..«! ярлучс/іас« ач’поре

встику, -от температури, пр.г;; ітір'І сераоца облг'.;,з.сп в течо 10 láiH» .".стотинко:'’/'Ді-.ІОО-Й, і-ст/льтатя .нрсдс7р./!;:«»а .ка -jac Значенії^ пноргп!' акзи’^цгЛ'а-чозгтз.и^зго jno.i.tuj':-': <'з?тоз;

«і, расчитанное по экспериментальны* дчншн, соответствует величине Б==0,013 эВ.

Таким образом, модно утверждать, что центры, наблвдаекые с псмофю встглки люминесценции, связали с центрами, проявляющими себя в "усталости" люминесценции. Рероятно, во вопіико проявляются первичные центры, аналогичные предценграм СП, возникающие под д^.ствнем облучения и представляющие собоГ! адсорбированные атоми серебра, локализовали« вблизи дефекта поверхности и являющиеся глубокими плоктроіщммі! ловулками. Дал пх образования необхч,п'."п тщ'тт аггсяздии 0,01 ?Г'. При дальнейшем облучении эти центры пблиэ* ргпкцнсинсепэсобких мест сбі'^линяктсл, образуя малоптомние кластеры, проявляющееся в "усталости" лиш-' нееідечвин за счет конкуромпии с центрів:;: лкмннєсцєіщин. .

13 тр'отьел раздел" п{»заложена модель поверхностных центров, позникеитчх при -'.у'-'ч;лл і алогенсеребрлнлх кристаллов при низ-'

тглх т««»:їп|пт;дпх. О^г-да^отся наблмаемяэ изменения снергети- • чзских уровне!! в ../уі? •кристаллах, гогникчлцяз при их облучении. />>?.’'• «ТС И ііргдрояохечпс о точ, что роль предцентров скрытого ияобріПеіі;!л могут 14-рать адсорбированные па поверхности атомы серебра, возможно - кввэичолекулы А$г , которые проявляют . . себя в процессе "усталости" легпгкм лчуинесценшш. ■ '

Ч е т вер? а я г л а в а посвящена изучению роли бд-сорбировантчх частиц в процессе создания рзадьнь’х: фотографических слоев. В первом разделе был г исследована на'фотослоях низ- ■ КС.1 С В 3 7 О Чу В г' т В: ГГ Є Л Ь Н О С ТИ с -”К природа 130ЯК23ЧННХ уров-

ней. Изучались спектры.'КВЛ МХ этой о:г>-льски при обработке раствором феррицканида калия, которзй является одним из быстрых • окислителей, взаимодействующим с поверхностными серебряными .цсИ-тра.ми. Как видно из рис. 4, окисление центров,, .являющихся-глубокими электронными ловушка.™, происходит, в основном,‘за'пер- \ вые минуты, причем особенно сильному окислению подвержена. цент-' " • рч, электронные уровни которых расположены на глубине 1,8 эВ.' ' пол дном зоны проводимости. Для этих центров светосумма умень- і лается на порядок в результате обработки. Эти дат&е доказывают серебряную природу центров, являющихся ловуиками электронов в.---, интервале энергий 1-1,8 зВ в фотослоях с низкой свегочувсгви- -. тельностью. ' . ' ' ■ ’

Во втором разделе описаны исследования электронных процес- ■ сов на каждой стадии 'изготовления Л$Ві(3) -фотоэмульсий с '

пяоскики Mí иатоцом 5СВЛ. J'jia изучения кинзгики кристаллизации Склу. огоСрнм оЗрапиу XjÔi'fJJ -эмульсии о плоскими лгикрэкрис-таллауи, получзлной при талг.аратуре кристаллизации 5ügC, о со-дзраюглеи Jç2 <*2 .’¿ол,# и/зЛг «1.2, Образцы отбирались в опрз-

далз.чныа юХ'лта процесса кристаллизации - 5 мин., 15 мин,, 30 45 мин, к 60 м/и.'Зкспэр'лмонтальнаа реоуяьтаты паказьгза-. ют, что rio v.sp¿ образования твердо;'; фазы б ряе.ктрэ лют.незцон-цил при 77 К пояеляютвя рокомбикационныз нонтры трех полос с зноргкзй квантов излучения в'максимуме 2,25 аЗ( 2,10 эЗ и 2,05 о1\ СдновротшЬ, на 45-Л минуте сарегисгриравана в?пхлкв <5W дйк глубина 1(5 гЗ от дна воиа.проводимости, которая, по нааш пледотанлечиял, сказана с -глоор5ироеэшщми ионачи.cepsúfa на п:л: ер.л.л о от;: Т-кристаллоЕ, ' '

' Та.'-."/л с бра do:-:, форллроЕачко-крлот.алличоокоЗ фазл с процэс-отргста Т~лрлаталлзр.:.:о.глс p&exw.ivb ка стадии $орг.г£СРейкя ’ о:лг\:лл' саоЛотг ггсдлл: ^срглразанпя ровер/ло^паж cbc;íатr¡, г:-?;:-::;,: л:лл:л ' ;; лалоьанлл .ааплзит -от рлсдолля pÔl , aya' л:;лрс: ссзлалаласл фстслл/ульзия, Влплнн; ;на íiapSMS-ípii ССВД- зньч/яГ*я Г,6;, л нагар-л лр,~.:сл-,э,;л:л гхрЬцгзо кр;;отсллпаа:лкн, паллаалз ла сг'рао'лах, сзсд;да-4>: пел р^лхед!эс зн&чеiVs.nx рмс ^I,£f -2,0!

5,С. О ул^лллалл*:;.: лэнделтрации ’лолсв cepaípa прааоходит ували л~ ксалрлаааллл глубоки?: злектрелнагл лакуи^:-, овлзаинаи о а-:сз лГлл; л"ала_.'' CcCáapoa на псюрхксстн, и 0^‘слт;;в;ие - с&ленлс лзллзлзллл г.луч£л>:.ч цолтрамн захлата олеггрэнза улеллллаа-отзя сеч?.: е 30 лаз лрл дрврдг.а cfpíi «1,2 -до/3^ «g,0, .

Пут:*:: ьзлдтлзтз'/д на «К Jí<j Cu(jj -ямудьсии растаорза, ■ с: дэрлалал: нон:; геруйрг /раствор Jy'’Ûj с коллантрли/Лал Ю 'моль* л 10J лель/л /лолазакс, что ста-обработка "приводи.: к дазэлнчо' ну.х овс-тсзул‘.'-л J^.., что пп;;т;5ср"ла:т талаз сзрэЗгянул прпргду лзнар>:нзл:клл злелтрзаклс лзлулзл г гглзс/лх '■■гл ¿ty¿>í(Jj -злул 3ZÍ:, лзлзлелхз температур:: лрлсталллззцлл с/£"С ::а íiO" С лула дит к тему, лаз г слелтрз О-'.а! аззтсзулл:а J/..j ,л~л глубоких лз ьусек'с 5UI,2 эЗ уьзллалтлазгел г -¿,5 р..:.т..

Рал;::.;'cipasзм, лз~ эколзрлузлтк л а^лллалзз лодтиарл-:д:от -сз.'.'зллюсть лзлсл:л-:сЕагал‘иак;;'-а Хл1Л ллл кзлтрзля Т'хнслсгл-чс-з:::го лрзлазса ¡¡а слал,л: крллт;лллэ:-л,:л, •

Ласл■ лааглл:а лртлреоо^, лг.'лехог; ка г.оиврхиоотл aÇlu[J! -,л л о ар^'.:л с:ер:лгг;;- а -.*р;..'С?о-золотс.: " аал::;;, а'.• .-:о лра.'сл"- а ;о .о.ч ;'-Oa¡. Гал, каал^лзла-

ІЗ

ась Je St (7) -эмульсия о плоох**.:«’ .Д /!Ш/, сорерт.арая 0,5 :ОЛ.;5 J-¡7 И ПОДНеГГ’Г.'ТЕЛ длительной оерні'стсй СбИЗПСКЛЙ-ІОЇ?^ посуль-Чтом нгтрия /2 мл/л 0,134*< рзстїора "~'г~А І Г!Г;;-оратурі сенскбилкзещгл 40 fC o d---0,5 ?їігї, У гз?:с обгазгсч о •ээа’.гд є:íí;!химического оозр'::ш-::!.'ї обнар\згсч'3 :ззп:г'ч.і лг.::*-■?си“’*циї| з CCHOItt'OÎt полоса излучекчл сЛ -5':0 Г.рГ Т^ЧЧ^ря-урэ 7? К /рис,5/. ІЗ результата разполония ссчстзч?:'_псдзсч j;a лч:!«г?9р!шз созт?.влякз?їй поиазвяо, чм отноггчиз -?/4'

£- читэчоитаость .’зз’йіяззчвнцїт пзлзтзч о Я -бСЗ :r.t ;■ - iríTS4

c.irronri' полосы .tKnîuect'.snrü'.n о Л =540 зззргзл.їгу^т’ г пог?-;енчзч сзотсчуастяктвльноета. Одкїчо, сгет’Г’У'ззтзя'тзд1' ’озтз :асгох бчзтрзз, чо’ї отногч:?;« 7, //, , т.з, !?г<?плс*ї:*г чгггззг гс:'.по-:/ялзкуллр:їЗІ* дчзлерзпостч ::рмсхо:;ч? чзчлч:/ ", а : иєчтрам свзтзаукзтзпгз.тит'їи прзкзлл ачз? з::: - ■' ' Д’угз*

рчррн. Езсчочно, что чочцентрацчч адзсрСигз' :••::■::■;•< ззр'зСг.::"": ;счтрзз / S;:j/ уае.т.г-г.'.эгэтся ка ; v.vr.-ix -p:-"'-.з'ззз;

р::;:;:з цо’чтрч, учгзтзуя з созазз;/.-. чзчтрз.ч „о'рчззтзчтзльчзз-•:і, зз.чч тя;'г?:г.*". ко п'зллчтея. С.чзаузт тгч-'з гзчазчть '

:а то, что рззчер чрччззччч цехтрзч Г ■-rv'y чзччз зч: ~

'ять, что счічала серзор.ччче изчггз, участвуя з ‘зрлзрззлччч іс-нтгзз свзтсчузотачтзл’їнзст:':, угзлчч чззчт :гх р-чт.ч.г. Ззт'ч :чначт пачгпл^зйТ'Ьзл їзлзо малкле сзрзЛряччз го:-:т",и, чзччур;ру~ :з”з с цз!:?р.а.ч:: оззтечузетгягел:изо?-/, к п.з/-зтзч ззедне,? з’:і-:-з*-і:з g у;ззкт;::г-:ого cesrsís учзнь'ла'-тсл, • • -

Осрнчстс-золотаа езнечбллчааччд изучалась -на слояч чульзчи, ссдзскгл’ей 2 \'.сл.>' JjJ , йамчезкея З'зкз;:сч:лчзз:;-’ч ‘ зучаотглялась дутсч ¿зрденкя пасзд uropw. оозроязк:'.е’,! тиззу-' r.-'J-rra катр;;л я рода::ко7ого золота, cl =1 v.k;.î /г/л, б/.- .Спез-^р •из»зї8*.їГї<5ра?уриоЯ л--'з,'.кесцанц’ж з іидзтао.Ч обл.азтк -харгСАТср;;-'. узтзя налчччем озкозчсЛ пслзсн. a ма :с;с!,гу'з:/. ~г:л ' Л~' -5-І5 :-но i;;-.:p¿-j-'eKHi:< длкшюзэлчев»« ":;з:стзмв, ?азр:;5з::::з злзс елззз: ’/.злученая с Л '^545 нз! :за олгч'.з.їтзрзічз ссстазллк.гг/з, ’■ :.зізз;::,."с0 по метелу, ізз-'л.зча.-зрзїзу прзаезарчтзлькззй анал;кз-.сп.-т*- ' зч по пторої! прзї^згодазП длл откз:сзк;:,; пслччззтза кз...:лг.-Гз..т'’.

;.:ч;-:;зз--;р"з::з'.; л::ал-ззгз зп-зхтра з J- -~rCñ : '

Уїїз.чмзз.:'.:? лчтзіїзчззчозти маис:г''.з:а лі::..-::зз_;;; : .■ 'злз’.т''

злезз л ігрзчзезе ;:;’чччзс;:зго сопг'3;зг:і.:л сГ:.чч^т- ;33Tv:v-~ ^

явлении безызлучателъного канала рекомбинации или излучатель -ной рекомбинации, на в другой области спектра.

По спектру стимуляции ФСВЛ обнаружено, что качушй этап химической-сенсибилизации характеризуется собственной энергетиче-окой структурой примесных центров. Светосумма , локализованная на электронных ловушках, расположенных на глубине 1,9 з! от дна зоны проводимости, возрастает с увеличением времени химического созревания в 4 раза при переходе от образца, не подвергнутого сенсибилизации, к образцу, светочувствительность ко торого максимальна; При атом с ростом концентрации глубоких алектрошшх ловушек эффективное сечение поглощения ИК-овета ло вуиками возрастает в ~ 3 раза, . . -

Синхронное изменение светочувствительности и распределен!1 плотности глубоких электронных состояний, а также гфЪзктиЕНОГС сечения поглощения ИК-света глубокими ловушками свидетельству! о связи этих состояний с центрами светочувствительности. Воамс дно, что в процессе сернисто-золотой сенсибилизации происходи' преобразование глубоких-, электроншх ловуаск таким образе,-,:, чт< происходит увеличение их концентрации и эффективного сэчепия.

В третьем разделе исследованы поверхностные электронные ловушки изометрических !,!К реальной -эмульсии при сэр

нистой и восстановительной сенсибилизации, Обнаружено, что с . увеличением времени сенсибилизации происходит также .угеличени концентрации глубоких электронн-тс ловушек.

• Все экспериментальные факты, ,:рчведзнные и этих раздел.** подтверждают выдвинутое' предположение о тем, что адс.орбирЕ.ч! ныз ионы серебра, имеющие глубокие электронные ловушки в облг ти 1,0-1,9 эВ от-дна зоны проводимости, участвуют в ^ормиров; кии центров светочувствительности при различных видах химичес кой сенсибилизации, .

• В четвертом разделе предложен метод определения энергии активации образования сернисто-серебряннх центров при моде-гь-ной сенсибилизации МК -эмульсии. За наиболее харак-

терную особенность процесса выбрано время достижения '.'.аксиму коэффициента кинетики К. На основании экспериментальных данн и уравнения Аррениуса было получено значение энергии активэц равг'-е 0,865 зВ, что хорошо согласуется с литературный! д?ин ми £1], ■

, В пятом х^азделе исследовался процесс "усталости", на реа

■г:<\:л„ ло і'іі'Муі';' уллоі'і.'”-’ •• .. - -

інлп'роч .уо’галосїл лґ.лієігл ^кС-^пл; с.--л:';; ~ . ...

гзнзріп;;; -чи'глг.мулл сл’рлг.О'-'члл

цеп раз5і;ч7!оі; оте.шч сси5ис{кяйз:іцк:й* 01‘-1 ;':-

модель оС'р.'лсг'ліл.ч лглп'роз .уотллоо','",' 0.7’-10' '-"'л',"'

угатіглллі, . ■

В п я т о і\ і1 л а в с исйче.-сг.шо . л'Л'1^” *8>пгс лрв8рхкоотно-!шг!гп.-:: :!>::грстя їм н •ся?:.:ь'У* 'л

0 ('0{' С'ГР:1 Г , ”ЛЛЛ б Р"1 ’ 1 " ' .

ол/лы:;г,1 о уплсл;л:н’"л '..ггл.::. :; л

полотні с'2нс'і'<і!’!і*:з.4 •^»гч'їтг*'? і:сс:іг:-; П.'З ’'с/. лііоь:- цр!'о!іОі,';!,т, і г;і/л; со стг/;:тугнсЛ і срмулсл ■ ГЧШОЧОГОІШМ'І -£’7ДІЗ 1! 'Ц!- V '<■

к’.’г/сиоГ'г’Члм;! 'ІГІ,- г'. С,,гп // ( С/ \

■ • 1ІО!;./(р:”о, что иг* г":•'-1,.....\ '.і . 1

ІГГОИ Т" І ■ -3 • —чс- Г:-. .г^;! ч-. ¡1 .-г ., •• •

В ІЛЛЛЛ'.'Л .."Ч'ЧІ&ЗОИО СІі;;л::Ч З :іГ;, *.'л‘і Г.У . '.’і.;

Р';с:::іі г, п{”і ллєм пі'’’"1 л-'юоч лл!т»-г•:;-г:!• і нл гллл ■■■;

лр'м'-! і:л: Л'лоа ’'’■"'П.: ,'м,- і •/'' і' ' 'ЛЛ ■’

¡!ллло:і л? ллллоц'лч'лл -> і".-: аи-п' па :л\; у ллл

Цто СІ;ЛДОЛЄЛЬСТ;іупТ О ПОГ^ЛОТП! бчОЧХ1,г.П7СЛ^!ХТ' -ТЛТ" .ТІ "'’ О-1 ‘^лнг’ллл, ІУ-одлт :ло Н’.!1А,.і у'ги’лла.л г;• і :мл : чл:пі~:ла лллклллл'лл;,::! п у:;‘л:лллт: V'? с:зото*-утз:;и',і",:їт'':.іги;оп':'.- . У'тУ.'с"::'. что. Н~ШЗГ ллтллЛо д<2сог Гчгуа к^лаглу с лслор лгосгн ;,Ку •

мялл спаччтольну» ч-логь поверхности- .21 ч.т'ч сл'Ул: созлп”'.’ •

' благопря’ггкчз.условия длл ахгллного лслплплсослрлзолпнля г.-.Зтч--іям, о чопами серзбра. Зго припод-лт к умсикугніго лонцен.тр.тллщ■ адсорбированных псион. спрлбрд л солслбиллзэдяя ид-тг .на уч'ает-' ш, свободных от молекул .Н.'гІІАїЗ. Ц«:г:р;і чувстсигйльно'сги 'ойг-г-зуйтси ? меньіаіі/. кбличестлал, кошгурс'пня ла'\ДУ Ч7'гл- • -

лтсл, что л приводи? к упелігтегпп чурзтгит-э.1ьнос.;и. лрсї>..'»• гсго1, ;:лг: юко’Г^уіьноЛ чупстпіігялькости нйсбході'Чо»- ;*г:

по::' ":го, оптні'"Лі'Ноо лол;:чогг:;о <*доор.бії^гот?гиїії:гі ’'’’ло'^ул ■

■ ' '’ат;огично под-!" м-бц л: :• 'лои”.пг.’Ь сспопло'! г.'лог:Г л - ■; -

'псіг*'’’:’-' - при • адзор^”,::ч Д'-лі:! :: л ’,П\3. . Одп?:.о,' п ■: • ут --.г.--л':" К'.'.ІЛіЗ.'):'Лт,:іР':,' ^лгслсл":!с;’.7:> ллг.лнт^'Л:^","г л::: . ■■■'

введении в начале химического созревания по сравнению с контрольной эмульсией возрастает почти в 3 раза, а для Н5ПЛВ - на 38,-5, Для КйПАВ перенос заряда значительно больыэ, что и опро- . деляс-т, вероятно, ускорение процесса образования продуктов хини ч в ?, к ог о с о эре ваш я.

Такпе выявлено с помощью спектров Ш-поглоцения, чго при адсорбции Л'ШАВ па поверхности Л^вт-(З) -МК происходит взаимодействие карбонильной группы с ионами серебра с образованием связи типа р р

' • I <- и

Н - С - с - С - /V •

I I

Р :р:

Ц -.вг

■Таким образом, полученные в отоЙ главе результаты существенно дополняют сведения, описанные в предыдущих главах. Действительно, роль ФПАВ сводится к созданию на поверхности МК таких условий, что формирование центров светочувствительности идет более целенаправленно и в ограниченных участках поверхности !5{, Этому способствуют электростатические поля, возникающие за счет переноса зарядов при адсорбции молекул, а такзе барьеры, сопутствующие такой адсорбции, Созревание ИС идет на малых участках поверхности под влиянием указанных полей, и, 'следовательно, такой процесс идет более целенаправленно. С другой стороны, исключается возможности их агрегации в более крупные частицы, играющие роль центров вуали.

В заключении сформулированы основные результаты работы. .

' . ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВУВОДЫ

1. На поверхности галогенсеребряных кристаллов и микрокрис-

таллов фотографических слоев при ультрафиолетовом облучении идут фотохимические процессы двух типов с энергией аг.тлвацин

0,01 эВ и 0,05 рВ соответственно. Процесс первого типа зависит от наличия в образцах нерегулярных ионов серебра. Процесс второго типа проходит и на очищенных от межузеяькых и других нерегулярных ионов серебра образцах . ‘

2. Образующиеся б результате этих призесов центры неустойчивы и распадаются при точлературо сгы""' КО К для центр:;;:

первого типа, а для второго - при температуре 250 К.

3. В спектре стимуляции вспышки люминесценции обнаружены полоси, связаннее с центрами, являющимися продуктом поверхностного Фотохимического процесса. Энергия активации образования этих центров .составляет 0,01 dB и поэтому молшо считать, что центри, вооннкагцие в фотохимическом процесса первого типа, н цечтрч, проявляющие себя в ССВЛ, хотя и но иденти'ш.ч, но гз'чі-•■ІОСВЯПаШ. Делается предположение, ЧТО центры, проявляющие С£т-5я л '^ЬЛ, представляет собой адсорбированные пони или атомы зерзбп, яп ногорчх :і образуются центры в результат з фотохимического нрцассп первого улімг. Малая энергия актикйЦйй cmr.””’

; TPp-'v.’icrit'i'M преодолением барьера мотду адсорбцией птс-'т. се~ ::яб}!4 !Г1Д ЛНУГЧ’О1» поверхности, ГДЗ СВЯЗЬ, Г» 0СИ02ИСЧ,

Ря’і-дег-й'ггпчїогчзкиЯ характер, и адсорбцие.": р : ,

!?,д катионом или междоузлием повзрчноста, отличе1’-{о^алевтипч пзанмаг'еГіотпиеч.

X. ''■:'.?пг.т:",'енгально поп,тг|.ер;'допо прсдполсг.сни»

•фироде центров, проявляя?,!« себя в ССЕЛ и спектрах лжкнес-ІРХЦИИ ЧЯкракрнСТпДЯОВ ИИЗХОЧуВС’ГИКТеЯЬИНХ V! високою :ст«чтз-ti-k;jx тorcr{.•?I.íi4scKJtx слооп.

5. Во врі-чя физического и химического созреванил микрокрис-галлоз обрдэуптся центра, которце, зволгционируя, при взаимо-г:’Лот;;;:и с добавками во время химического созревания превращается в центрч светочувствительности и вуали, Центры серебряно!' п\:рэды, возникающие по гремя кристаллизации и первой стадии :гмического созревания, в высокочувствительной эмульсии сами ю является центрами светочувствительности. Однако, они способствуют образованию последних. Увеличение концентрации серебря-:ых центров на последнем этапе химической сенсибилизации при- . ¡’.■.пт к конкуренции с центрами светочувствительности.и увеличим» вуали.

5. Предложен метод определения энергии активации образования хрипото-серебряных кластеров на поверхности микрокристаллоз . Полученное значение энергии актизации 0,865 эВ хо~

■i'-ji ссг'.’-^'.-уется с литературными даний.«,

"t ■ к г *шія на мцкрок.рнсталлах фотослоев поверхноотчо-ак?:'-

!' “ t!r:s сопровождается переносом зарядов и соз.............;ч

г Л ” :>гаеров, которые регулируют процесс .roí’" г.г "^т,-''згг’г^льпосги зо г?::гчя :::"’-:^':ai.'or.' :.............

«У

4

2 •

10-3/

.6 8 10 12 ' 14

Рис. I. Зависимость "оэ^Т-шшоига усталости хлористого сер-б ра от температуры до /':р:!пая I/ ;t после /кривая 2/ очистки _образца электрическим полей. ■ ■ '

Рис. 2. Изменение интенсивности стационарной лхмшюсценцпи свотосушы вспышки /2/ и коэффициента кинетики /З/ после со: Дания усталости при 170 К и отогревал,;:-г до температура Т. Т< ки со стрелками изображают значення оооівслстгукщнх величин OKCnoo;.H>:itf і'нр'іїпштіг усталсіоі /,. -

*■<1 U TT

, 3 . З-чячспчооть логарифма коэЭДициентз устілсотп

’ ?{* с° Cö ^ « '■»'nnTpr'W'

.,. QT обратной температур.^. Otai л •>’,:» " -' '

;л и°ПОСЛ0 облучения СООТНЗТОТВЄ5ШО.

íp.. ЧІІН.

Г^.исїї’їость светосумчн ТСЕ1 от времени cOriSo?*:; :v.:i'.í;u Кри.счо соотвогсттоїт р??:::'! ; :'г-. : ;.,ч стіг!м-'пу.-С'П'О излучения: І - І.З пЗ, 2 - ,' 1,4 м, - 1,2 зВ. .

Рис. С, Зависимость сиетосуммы Вш/Зл /кривая I/, когс№ ента кинетики К /кривая 2/, отношения «7,/7, /кривая 3/ и с: точувствительности Зол /кривая 4/ от времени ХС при сернис

$о /кривая 2/, коэффициента кинетики К /кучвоп 3/, лчсвечс! светооуммы Зщ/Зл /кривая 4/, интенсивности стационарной ; несцениии элементарно!! полос:.; с =535 ш /крива." Ы. I

теноитюстл СТШЙОНси МЧОСЦСШИ;! Г'ЛСМ'.-’Гзр'-л)'! ПОЛОС!!

Лш,!Г- 606 пм /привал б/ ‘!Т »г х:гипг.''...{ой секзииилизги.

8. Разработанная методика комплексных исследований спектра нсхинесценции и спектра стимуляции ЖВЛ соклестно о изучением 'усталости" люминесценции и ее температурной зависимостью позволяют изучать и контролировать технологически!! процесс созревания микрокристяллов фотографических эмульсий, тем самым Способствуя его оптимизации.

Основные результаты диссертации опубликованы в следую1::!!* работах:

1. Латнкев А.Н., Волошина Т.В,, ^.упнир М.А., Чопорова Н.Б,

Окисление поверлюстннх центров локалнэпг.ш электронов хлороз-ребряких микрокристаллов // "урн. нпучн. и при "Л. Фот. и кине-«атографии. - Т982, - Т.2?, ‘->3. - ‘,3. 445-447. ■

2. Лгтывев А.Н., Боке ров n.û., иолсжма Т.В. др. :Л:7.’ясст'-

люминесценции кристаллов хлористого серобра // Syr.!. пр:г:::, спектроскопии. - 1982. - Т.37, - С, E.LJrJ-5f?5. •

П. Волопинз T.D., г'плрн Л.Я., Сменена 4.А. Ппе:;тгг ' : от-.-тч-мулированной. всшглки люминесценции примесных центров з хлорчао серебра. // Тез. докл. - Всесокзн. конф. "Фотографические процес-си на основе гчлогенидоа серебра”, ¿’-29 иг:нл т-?73 г., 'fei.tore-ловка, - И,, 1983. - С. ¿12-214. •

4. ¡Стчов В.Г., Кукшир М.А., Лптнпев А.Н., Волошина Т.В. Исследований усталости люминесценции при низких: тем..-грату-

рах. П Журн. прикл, спектроскопии. - 1984. - Г.41, S3. - ,

С. 425-429. '

5. Латышев А.Н., -Волошина T./j., Малая Л.Я., Клюев В.Г., Лео-

нова Л.Ю. Зависимость фотостимулированной вспыпки лгсмий?сненции от температуры протекания фотохимического процесса в хлориде серебра. // Журн. научн. и прикл.-фот. и кинематографии. . 1990. - Т.35, Г4. - С. 295-299. - '

6. Latyshev А.II., Voloshina T.V., Kluyev-V.ü. , Kùshnir М.А.

J’he Application Luminescent Flash in ths Study of Иотс1сэ of the Casroical Sonaitiz aticn of Pliot-peraphic ïr^ulsiong // Internationa.1 Symposium of Iiaegihz Systems, Dresden. - 1969» - P. 7?,

7. Клрзв В.Г., Латыаев А.Н., Волосина Т.З. Кинетические сеоП-ст-. 1 <!этостпмулирсвакпса миграции адсорбированных частиц по

пс:;- ?р:<i'rjicTiï полупроводников иснно-коваленпг.Г" тиг^ . // Тез. ДО.'Л, Вс°ссюгн. конф. по ВЭ81С:одейСТС.: I OnTin .’Ci.Oi'O imy’»'""* с '"’есг!,рм, Лен'о’^рад, ÎS90. - Т,9; - С.

¿г

8. Клюев В.Г., Волошина Т.Б., Латышей A.H., Силаеъ Ё.А., Каплун Л.Я. Рекомбинационно-акцьигорние свойства центров чувствительности в фотоэмульсиях с плоскими микрокристаллами. Н Тез. докл. Всесоюзного совещания "Радиационные гетерогенные процессы", Кемерово, 1990, - Т.2. - С. 73-74.

" 9. Voloshina Т.V., Kluyev V.G., Latyshev A.K. Ccrre li-.tioi, of Sensitooietric and Luminescent Characteristics of А£Ьг(СГ)-Kaulsions with Flat Uiorocryafcala // Tbe Advancement of Ic^tn, Science and. Technology Proceedings of International of Photographic Science, - Beijing, China, 1990* _ P•

10. Латышев A.H., Волошина Т.В., Клюев В.Г, и др. Ст&шюн*} нал и фотостимулированная люминесценция ионно-ковале.нтнкх кри сталлов с адсорбированными ыалоатомшми кластерами серебра и ыеди // Нурн. прикл. спектроскопии. - 1991. - Т.55, It5. -

С. 763-767..

11. Клюев В.Г., Силаев Е.А., Волошина Т.В., Каплун Л.Л., К<

тов А.Г, Возможность применения метода люминесценции для изучения соотношения-кристаллической и аморфной фаг: при кристаллизации Т-кристаллов // Тез. докл. Всесоюзн, сичп, "Фотохими ческие и фотофизические процессы в галогенндах серебра", Чер ноголовка. - 1991. - С. 22. '

12. Волошина Т.В., Уварова Н.В., Латышев A.H., Красильнико

ва ЕЛ1. Исследование влияния адсорбции молекул фторсодержаїци поверхностно-активных веществ на свойства Ji'qbi0) -микрокр сталлов фотографических эмульсий // Тез. докл. научно-технич конф. "Проблемы развития техники и технологии кинематографа'1 Санкт-Петербург, 1992. - 0. 19. . .

- .' Цитируемая литература:

I. Белоус В,М. Люминесцентные исследования процессов, про’, ходящих при химической сенсибилизации гялогенсеребряиих фот< графических эмульсий // Успехи научно!} сгогрв^ии. - М., 19!

- Г.25: Кинетика фотохимических и темнэчгс стаций фэгогт-фг чесного процесса. - С. 5-42.

'і г.