Фотолюминесценция в поликристаллических слоях на основе твердых растворов селенида свинца-селенида кадмия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА 1. Фотоприемные и излучающие структуры на основе халькогенидов свинца (литературный обзор).

1.1. ИК - абсорбционные газоанализаторы.

1.2. Физико - химические свойства халькогенидов свинца.

1.2.1. Кристаллическая структура и химическая связь.

1.2.2. Зонная структура.

1.2.3. Термодинамические свойства.

1.2.4. Особенности легирования.

1.3. Влияние кислорода на свойства слоев.

1.3.1. Инверсия типа проводимости.

1.3.2. Изменение фазового состава и перестройка структуры.

1.4. Влияние галогенов на свойства слоев. Йодная методика.

1.5. Образование твердых растворов Pbi.xCdxSe.

1.6. Основные модели, используемые при анализе поликристаллических слоев селенида свинца.

1.6.1. Модели фотопроводимости.

1.6.2. Фотолюминесценция в халькогенидах свинца.

1.6.3. Диффузия в поликристаллических тонких пленках.

1.6.3.1. Кинетика диффузии по границам зерен.

1.6.3.2. ГЗ-диффузия в тонких пленках.

1.6.3.3. Расчет профиля диффузии.

1.6.4. Термо-ЭДС.

1.6.5. Определение концентрации носителей заряда по спектру отражения образцов в ИК - области.

1.6.6. Варизонные полупроводники.

1.6.6.1. Варизонная концепция.

1.6.6.2. Диффузия и дрейф носителей заряда в варизонных полупроводниках.

1.6.7. Особенности перекристаллизации в гетерогенных системах при эвтектическом плавлении.

1.6.8. Рост кристаллов по механизму пар-жидкость-кристалл.

1.7. Выводы.

ГЛАВА 2. Физико-технологические особенности формирования структуры поликристаллических слоев твердых растворов селенида свинца - селенида кадмия.

2.1. Основные технологические этапы получения поликристаллических слоев на основе селенида свинца - селенида кадмия.

2.1.1. Синтез шихты для формирования слоев.

2.1.2. Подготовка подложек.

2.1.3. Нанесение слоев.

2.1.4. Активация слоев.

2.2. Состав и структура неотожженных слоев Pbi.xCdxSe.

2.2.1. Методы исследования.

2.2.2. Микроструктура слоев.

2.2.3. Фазовый состав слоев и распределение компонентов.

2.3. Рекристаллизация поликристаллических слоев.

2.4. Моделирование процессов формирования структуры кристаллитов.

2.4.1. Образование жидких фаз в процессе отжига.

2.4.2. Исследование образования жидкой фазы методом внутреннего трения.

2.4.2.1. Метод внутреннего трения.

2.4.2.2. Определение температуры образования включений жидкой фазы.

2.5. Исследование фотолюминесценции активированных слоев.

2.6. Выводы.

ГЛАВА 3. Модельные представления и экспериментальные разработки глубокого легирования кислородом поликристаллических слоев PbixCdxSe.

3.1. Исследование образования оксидных фаз.

3.2. Исследование процесса окисления слоев.

3.2.1. Методы определения концентрации носителей заряда.

3.2.1.1. Метод измерения эффекта Холла.

3.2.1.2. Количественный термозондовый метод.

3.2.1.3. ИК-спектроскопия.

3.2.2. Результаты эксперимента и развитие модельных представлений.

3.2.3. Влияние оксидного покрытия на диффузию кислорода.

3.3. Разработка физико-технологических приемов усиления фотолюминесценции.

3.4. Расчет диффузии с участием жидкой фазы.

3.4.1. Движение жидкой капли в градиенте температур.

3.5. Выводы.

ГЛАВА 4. Фотолюминесцентные свойства поликристаллических слоев твердых растворов селенида свинца - селенида кадмия.

4.1. Спектральные исследования активированных структур.

4.1.1. Методики исследования спектральных характеристик.

4.1.1.1. Фотолюминесценция.

4.1.1.2. Фотопроводимость.

4.1.2. Экспериментальные результаты и развитие модельных представлений.

4.2. Модель фотолюминесценции, учитывающая перераспределение носителей во встроенном поле.

4.2.1. Спектр люминесценции тонкого варизонного полупроводника.

4.2.2. Расчет спектров фотолюминесценции.

4.2.3. Анализ состава слоев.

4.3. Модель структуры с р-п-переходом.

4.3.1. Спектральные характеристики структур.

4.4. Фотолюминесцентные излучатели на основе структур Pbi.xCdxSeiySy, легированных иодом.

4.5. Выводы.

Актуальность темы. Поликристаллические слои хапькогенидов свинца и твердых растворов на их основе - традиционные материалы инфракрасной (ИК) опто-электроники. Одним из способов их применения является создание ИК-абсорбционных газоанализаторов.

Основу оптического газоанализатора составляет оптопара для измерения поглощения атмосферы в узком спектральном диапазоне, соответствующем полосе поглощения газа. В ней в качестве фотоприемника обычно используются фоторезистивные структуры, источники же излучения формируются на базе переизлучающих структур с высокой эффективностью фотолюминесценции. Для придания поликристаллическим слоям на основе хапькогенидов свинца излучающих и фотоприемных свойств их подвергают термической активации в кислородсодержащей атмосфере. Основным преимуществом использования таких элементов является возможность работы при комнатной температуре. К тому же поликристаллические материалы требуют существенно меньших затрат на производство по сравнению с монокристаллическими. Это позволяет выпускать портативные, дешевые и надежные газоанализаторы.

Область применения таких приборов охватывает множество технологических задач, где необходим постоянный контроль газового состава атмосферы, а в последнее время все большее значение приобретает экологический мониторинг. Необходимость обеспечения экологической безопасности подтверждается Киотским соглашением, подписанным большинством стран, в том числе и Россией. Новые требования стимулируют развитие и углубление представлений о процессах формирования и механизмах функционирования излучающих и фотоприемных структур.

Для детектирования различных газов требуется гибкое изменение спектральной характеристики приемников и источников излучения, а также других параметров этих элементов. Так, для определения концентрации углеводородов и оксидов углерода, наиболее распространенных загрязнителей атмосферы, необходимы приборы, работающие в диапазоне от 2 до 5 мкм. Эти задачи могут быть решены при использовании твердых растворов селенида свинца - селенида кадмия (PbixCdxSe).

Фотоприемники на основе поликристаллических слоев селенида свинца успешно производятся с середины прошлого века. Несмотря на это многие вопросы, связанные с сенсибилизацией подобных структур, остаются нерешенными. Еще менее проработанными, как в технологическом, так и в теоретическом плане являются излучающие структуры. Между тем для газового анализа потребность в ИК-излучателях не меньше, чем потребность в приемниках излучения.

На сегодняшний день для активированных поликристаллических слоев селенида свинца отсутствуют единые модельные представления, объединяющие аспекты получения слоев с заданными свойствами, роль кислорода и примесей, а также влияние микроструктуры на конечный результат. Это сдерживает развитие приборной базы для создания малогабаритных газоанализаторов нового поколения.

В связи с этим, установление закономерностей получения излучающих элементов на основе поликристаллических слоев твердого раствора селенида свинца - селенида кадмия, а также определение механизма их функционирования является актуальной задачей, представляющей не только научный, но и реальный практический интерес.

Целью работы являлась разработка физико-технологической базы формирования излучающих структур на основе легированных поликристаллических слоев твердых растворов селенида свинца - селенида кадмия, а также развитие модельных представлений о фотолюминесценции в таких элементах и создание оптоэлектронных приборов с заданными характеристиками.

В соответствии с указанной целью в работе решались следующие задачи:

•Проведение комплекса исследований по влиянию температурно-временных режимов формирования и активации слоев твердых растворов селенида свинца — селенида кадмия на их микроструктуру и фазовый состав, установление связи этих характеристик с фотоэлектрическими и оптическими свойствами.

•Разработка методик измерения электрофизических и оптических свойств поликристаллических слоев Pbi.xCdxSe.

•Анализ механизмов влияния иода на диффузию кислорода, образование оксидных фаз, изменение микроструктуры и состава зерен пересыщенных твердых растворов селенида свинца - селенида кадмия.

•Развитие модельных представлений, адекватно описывающих экспериментальные результаты по фотолюминесценции слоев твердых растворов.

Выработка рекомендаций по физико-химическим условиям получения излучающих структур.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Предложена модель диффузионных процессов, протекающих во время термической обработки поликристаллических слоев селенида свинца в кислородсодержащей атмосфере.

2. Определена оптимальная энергетическая структура поликристаллического зерна, сформированная в процессе активации слоев на основе твердого раствора селенида свинца - селенида кадмия.

3. Определена роль иода и кислорода в формировании структур с высокой эффективностью фотолюминесценции.

4. Предложена модель рекомбинационных процессов в системе Pbi.xCdxSe <1, 0>, адекватная экспериментальным данным по исследованию фотолюминесценции.

5. Экспериментально показана возможность формирования на основе легированных слоев твердого раствора селенида свинца - селенида кадмия фотолюминесцентных источников ИК-излучения для газового анализа. Новизна научно-технических решений защищена патентом РФ (положительное решение по заявке № 2005136294 с приоритетом от 22.11.2005).

Практическая значимость работы заключается в следующем:

1. На основе разработанных модельных представлений о роли кислорода, кадмия и иода получены эффективные фотолюминесцентные излучатели для диапазона длин волн от 2 до 5 мкм.

2. Определены температурно-временные режимы технологических этапов формирования и активации поликристаллических слоев Pbi.xCdxSe (при х от 0 до 0.2 моль, доли CdSe).

3. Методики анализа и технология получения излучающих структур внедрены в ОАО «РНИИ «Электронстандарт», что подтверждается актом внедрения.

Результаты работы были использованы при выполнении грантов:

- грант Министерства образования РФ для поддержки аспирантов А04-3.15-410;

- гранты Администрации Санкт-Петербурга М02-3.9Д-197 и М05-3.9К-315.

На защиту выносятся следующие научные положения:

1. Перекристаллизация поликристаллических слоев PbixCdxSe <1> с участием жидкой фазы способствует увеличению эффективности фотолюминесценции. Это явление связано с уменьшением концентрации центров безизлучательной рекомбинации.

2. В процессе термической обработки в кислородсодержащей атмосфере поликристаллических слоев n-типа электропроводности преобладающим процессом является диффузия свинца из объема зерна к поверхности с образованием оксида свинца. При достижении собственной концентрации носителей заряда начинается рост селенита свинца на поверхности слоя. Оба механизма препятствуют проникновению кислорода вглубь зерна.

3. Добавление в кислородсодержащую атмосферу паров иода во время термической обработки поликристаллических слоев селенида свинца позволяет предотвратить образование на их поверхности сплошного оксидного слоя и облегчить диффузию кислорода в объем кристаллитов. При этом начинает действовать механизм излу-чательных переходов зона - примесь с участием кислородного уровня.

4. Модель варизонной структуры зерна адекватно описывает спектральные характеристики фотолюминесценции активированных слоев твердого раствора PbSe -CdSe и эффект увеличения эффективности фотолюминесценции в зависимости от термодинамических и кинетических условий получения.

Апробация результатов. Материалы диссертационной работы докладывались и обсуждались на следующих конференциях и симпозиумах:

• Международные конференции «Температуроустойчивые функциональные покрытия», Тула, 15 - 17 мая 2001 г. и СПб, 15-17 апреля 2003 г.;

• Международные научно-технические конференции «Тонкие пленки и слоистые структуры», М, 26 - 30 ноября 2002 г. и 22 - 26 ноября 2005 г.;

• IV Международная конференция «Аморфные и микрокристаллические полупро; водники», СПб, 5-7 июля 2004 г.;

• VI Международная конференция "Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics", Киев, 22 мая 2002 г.;

• X Международная конференция «Dielectrics ICD - 2004», СПб, 23 - 27 мая 2004 г.;

• III Международная научная конференция «Кинетика и механизм кристаллизации», Иваново, 12-14 октября 2004г.;

J"

• XIV Российский симпозиум по растровой электронной микроскопии и аналитическим методам исследования твердых тел, Черноголовка, 30 мая - 3 июня 2005 г.;

• XI Международная научная конференция студентов, аспирантов и молодых ученых «Ломоносов», М, 12 - 15 апреля 2004 г.;

• 56 и 59 Научно-технические конференции, посвященные Дню радио, СПб, апрель 2001 г. и апрель 2004 г.;

• 8 и 10 Всероссийские межвузовские научно-технические конференции студентов и аспирантов «Микроэлектроника и информатика», Зеленоград, 18-19 апреля 2001 г. и 21 - 23 апреля 2004 г.;

• 4, 5 и 6 Всероссийские молодежные конференции по физике полупроводников и полупроводниковой опто- и наноэлектронике, СПб, 3-6 декабря 2002 г., 1 - 5 декабря 2003 г. и 6-10 декабря 2004 г.

Публикации. По теме диссертации опубликовано 6 статей.

Структура и объем работы. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения, списка литературы, включающего 153 наименования и 4 приложений. Основная часть работы изложена на 92 страницах машинописного текста. Работа содержит 76 рисунков и 15 таблиц.

4.6. Выводы

1. Предложена модель энергетической структуры слоя Pbo^Cdo^Seo^To.ob активированного в присутствии паров иода, адекватно описывающая спектральные особенности фотолюминесценции в интервале от 2 до 4 мкм при комнатной температуре.

2. Теоретически и экспериментально доказана возможность управления оложением максимума спектральной характеристики формируемых структур как путем изменения состава слоев, так и выбором температурных режимов активирующего отжига.

3. Установлено, что механизм излучательной рекомбинации в поликристаллических слоях Pbi.xCdxSe <1> зависит от наличия паров иода во время актива-1 ции. При наличии паров иода во время активирующего отжига основным каналом излучательной рекомбинации является переход зона - примесь, а при отсутствии иода -переход зона-зона.

4. Предложена модель и экспериментально показана возможность создания на основе легированных поликристаллических слоев селенида свинца источников

Рис. 4.20. Фотолюминесцентные излучатели для среднего к1К-диаиазона 4

Рис. 4.21. Схема светодиода на основе фотолюминесцирующего поли кристаллического материала:

1 - свстодиод на основе GaAs*

2 - слой PbSe на стеклянной подложке:

3 - интерференционный фильтр

4 - корпус.

ИК-излучения, работающих без использования охлаждения в интервале длин волн от 2 до 5 мкм.

5. На основе развитых модельных представлений сформулированы рекомендации по физико-технологическим режимам формирования фотолюминесцентных структур. Научно-технические разработки внедрены в производство и используются при серийном выпуске источников излучения для газового анализа.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Проведенные в диссертационной работе исследования позволяют сформулировать следующие обобщающие заключения и выводы:

1. Получены эффективные фотолюминесцентные излучатели на основе твердых растворов Pbj.xCdxSe (при х от 0 до 0.2 моль, доли CdSe), работающие при комнатной температуре в интервале длин волн 2-5 мкм.

2. С использованием ядерного микроанализа, Оже-спектроскопии и рентгеновского фазового анализа установлены закономерности образования оксидных фаз на слоях с различной концентрацией носителей заряда. Для образцов с концентрацией носителей заряда, близкой к собственной, основной оксидной фазой является PbSe03, а на образцах с n-типом электропроводности на начальной стадии окисления образуется оксид свинца.

3. Экспериментально, с использованием комплекса физических методов (метода измерения эффекта Холла, ИК-спектроскопии, термозондового анализа) показано, что основной механизм образования оксида свинца на поверхности поликристаллического слоя PbSe с n-типом электропроводности обусловлен обеднением объема зерен собственными компонентами, преимущественно свинцом.

4. В рамках диффузионной задачи в поликристаллическом материале при одновременном транспорте по кристаллической решетке и по межзеренным границам оценены значения коэффициентов диффузии свинца для значений температуры Т = 553 К и Т = 573 К. Для механизма диффузии по МЗГ коэффициенты диффузии равны 4*10'8 см2/с и 9*10'8 см2/с соответственно. Для диффузии по кристаллической решетке - 4 10"15 см2/с и 8*10"15 см2/с, соответственно.

5. Составлено программное обеспечение и выполнены сравнительные расчеты диффузионных процессов, объясняющие замедление проникновения кислорода вглубь слоя при образовании сплошного оксидного покрытия на поверхности.

6. Определена роль иода в процессе активации слоев Pbi.xCdxSe (при х от 0 до 0.2 моль, доли CdSe). Предложенная модель, предполагающая образование легколетучих иодидов металлов, обеспечивающих глубокое легирование зерен кислородом, экспериментально подтверждена методами Оже-спектроскопии и рентгеновского фазового анализа, а также исследованиями фотолюминесценции.

7. Предложена методика определения значения температуры образования жидких фаз Тж в многокомпонентных эвтектических системах на основе измерения температурной зависимости внутреннего трения. Для экспериментально изучаемой системы Pb-Se-Cd-I определено значение температуры Тж = 687 К. Эта температура является оптимальной для осуществления процессов перекристаллизации поликристаллических слоев.

8. Развиты модельные представления о процессах формирования и функционирования варизонных фотолюминесцентных структур, адекватно описывающие их спеюральные характеристики. Разработанная модель обладает предсказательными свойствами. Составлено программное обеспечение и проведено моделирование процессов излучательной рекомбинации в соответствии с моделью тонкого варизонного полупроводника.

9. На основе модели варизонной структуры зерна теоретически предсказана и экспериментально подтверждена возможность формирования элементов, обладающих одновременно эффективной фотолюминесценцией и фотопроводимостью. Показана перспективность таких структур для создания фоторезисторов с повышенной дегра-дационной стойкостью.

10. Научно-технические решения защищены патентом РФ (Положительное решение по заявке № 2005136294 с приоритетом от 22.11.2005), внедрены в ОАО «РНИИ «Элекгронстандарт» и используются при серийном выпуске источников ИК-излучения, что подтверждено актом внедрения.

1. Фрайден Дж. Современные датчики. Справочник. Пер. с англ. М.: Техносфера, 2005.

2. Эгтинс Б. Химические и биологические сенсоры. Пер. с англ. М.: Техносфера, 2005.

3. Гамарц Е.М., Крылов В.А. Оптические газоанализаторы для безопасных технологий. // Петербургский журнал электроники. 2003, № 1, с. 54 - 59.

4. Равич Ю.И., Ефимова Б.А., Смирнов И.А. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. М.: "Наука", 1968.

5. Martinez G., Schluter М., Cohen M.L. Electronic Structure of PbSe and PbTe. Band structure densities of states and effective masses.// Phys. Rev. B. 1975, V.l 1, N 2, P. 651-659.

6. Вейс A.H., Уханов Ю.И. Исследование коэффициента поглощения в р-РЬТе. // ФТП. 1976, т. 10, № 7, с.1315-1319.

7. Абрикосов Н.Х., Шелимова JI.E. Полупроводниковые материалы на основе соединений А4В6. М.: Наука, 1975.

8. Lopez Otero A. Hot well epitaxy. // Thin solid films. 1978, V. 49, N 1, P. 3 - 57.

9. Зломанов В.П., Новоселова А.В. Р-Т-х диаграммы состояния систем металл -халькоген. М.: "Наука", 1987.

10. Чеснокова Д.Б., Камчатка М.И. Моделирование процессов дефекгообразования и свойства хапькогенидов свинца. // Неорг. Мат. 2001, т. 37, №2, с. 157-164.

11. Немов С.А., Серегин П.П., Иркаев С.М., Серегин Н.П. Положение примесных атомов мышьяка в решетке PbTe. // ФТП 2003, т. 37, № 3, с. 279 - 281.

12. Немов С.А., Осипов П.А. Примесь Bi в PbSe. // ФТП 2001, т. 35, № 6, с. 731 ^ 733.

13. Немов С.А., Насрединов Ф.С., Серегин П.П., Серегин Н.П., Хужакулов Э.С. Энергетические параметры двухэлекгронных центров олова в PbSe. // ФТП -2005, т. 39, №6, с. 669-673.

14. Johnson, Т.Н. Lead salt detectors and arrays PbS and PbSe. // Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 1984, V. 443, p. 60.

15. Humphrey J.N., Scanlon W.W. Photoconductivity in lead selenide. Experimental. // Phys. Rev. -1957, V. 105, № 2, p. 469-476

16. Humphrey J.N., Petritz R.L. Photoconductivity of lead selenide: Theory of the Mechanism of sensitization. // Phys. Rev. 1957, V. 105, № 6, p. 1736-1740

17. Torquemada M.C., Rodrigo M.T., Vergara V. Role of halogens in the mechanism of sensitization of uncooled PbSe infrared photodetectors. // J. Appl. Phys. 2003, V. 93, № 3, p. 1778.

18. Petritz R.L. Theory of an experiment for measuring the mobility and density of carriers in the space-charge region of a semiconductor surface. // Phys. Rev. -1958, V. 110, № 6, p. 1254-1262.

19. Yoshizumi Yasuoka M. Wada. The effects of selenium on evaporated PbSe films. // Japan J. Appl. Phys. 1974, V. 13, № 9 p. 1463-1464.

20. Bondokov R.Tz., Dimitrov D.Tz., Moshnikov V.A., Panov M.F., Saunin I.V. Photoelectrical properties of policrystalline layers based on halogen doped PbTe. // Proceeding of SPIE. 1999, V. 3890, p. 241 - 247

21. Быкова T.T. Влияние адсорбированного кислорода на электрические и фотоэлектрические свойства эпитаксиальных слоев сернистого свинца // Сб. статей, Новосибирск, 1967.

22. Egerton P.F., Juhasz С. The effect of oxyden on epitaxial PbTe, PbSe and PbS films. // Thin Solid Films 1969, V. 4, № 4, p. 239-253.

23. Parker E.H., Williams D. The kinetics and electrical effects of oxygen sorption on uncontaminated PbTe thin films. // Thin Solid Films. 1976, V. 35, № 3, p. 373-395.

24. Неустроев JI.H. Осипов B.B. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS. I. Модель, проводимость и эффект Холла. // ФПГ. 1986, т. 20, № 1, С. 59-65.

25. Рыбкин С.М. Комплексное исследование влияния кислорода на электрические и фотоэлектрические свойства сернисто-свинцовых фотосопротивлений. // ЖТФ. 1952, т. 22, № 12, с.1930-1944.

26. Гаськов A.M., Гольденвейзер А.А., Соколов И.А. и др. Оже-электронный микроанализ окисленного поликристаллического слоя сульфида свинца. // ДАН СССР 1983, т. 269, № 3, с. 607-609.

27. Зарифьянц Ю.А., Поник Ю.В. О природе центров фоточувствительности в физических слоях PbS. // ФТП. 1969, т. 3, № 3, с.458-460.

28. Briones F., Dolmayo D., Ortiz С. The Role of Oxygen in the Sensitization of Photoconductive PbSe Films. // Thin Solid Films. 1981, V. 78, p. 385 - 388.

29. Yoshizumi Yasuoka, Masanobu Wada. Thermally Stimulated Current of Vacuum Deposited PbSe Films. // Jap. Journ. Appl. Phys. 1974, V.13, № 11, p. 1797-1803.

30. Zemel I.N. Transport phenomena in hetero-epitaxial semiconductor films. In: The use of thin films in physical investigations. L.; N. Y.: Acad. Press, 1966, p. 319-345.

31. Фрейк Д.М., Костик Б.Ф., Борик Л.И., Алиев Ф.Г. Изотермический отжиг пленок селенида свинца. // Изв. РАН Неорганические материалы. 1984, т. 20, №> 5, с.756

32. Петров В.И., Прохоров В.А., Юнович А.Э. Исследование локальных неодно-родностей фоточувствительности и люминесценции пленок халькогенидов свинца в растровом электронном микроскопе. //ФТП. 1984, т. 18, № 3 с. 484-488.

33. Галески Ф., Дрозд И.А., Лебедева Л.Я., Тен В.П., Юнович А.Э. Вынужденное излучение тонких пленок PbSe при комнатной температуре. // ФТП. -1977, т. 11, № 3, с.568-570.

34. Горбачев В.В., Дашевский З.М., Ерусалимская Т.М. и др. Влияние кислорода на барьерные эффекты в блочных монокристаллических пленках р-РЬТе. // ФТП.- 1984,т. 18, №6, с. 1118-1120.

35. Олеск С.А., Пихтин А.Н., Юнович А.Э. Механизмы излучательной рекомбинации в PbSe вблизи комнатной температуры. // ФТП 1990, т.24, № 5, с.795-799.

36. Hagihara Н. Surface Roughening and Oxidation of Galena Cleavage Face in a Vacuum Furnace Under Limited Air Supply. // J. Phys. Soc. Japan. -1953, V. 8, № 3, p. 406-416.

37. Верцнер В.И. Соловьев A.M. Фотоэлектрические и оптические явления в полупроводниках. // Изв. АН УССР. 1959, с. 213.

38. Извозчиков В.А. Тимофеев О.А. Фотопроводящие окислы свинца в электронике. Л.: Наука, 1979.

39. Винчаков В.Н. О локализации центров прилипания в сернисто-свинцовых фотосопротивлениях. // ФТП. 1970, т. 4, № 5, с. 955-956.

40. Gautier С., Combon-Muller M., Averous M. Study of PbSe layer oxidation and oxide dissolution. //Appl. Surf. Science. 1999, V. 141, p. 157-163.

41. Анисимова Н.П., Глобус T.P., Николаева Т.Г. О подвижности дырок и электронов в поликристаллических фоточувствительных слоях PbSe. // ФТП. 1987, т. 21, № 1, с. 37-41.

42. Поповкин Б.А., Зломанов В.И., Новоселова А.В. Изучение термического разложения селената и селенита свинца. // Журнал неорганической химии. 1960, т. 5, №10, с. 2261-2264.

43. Селиванова Н.М., Шнейлер В.А., Зубова Г.А. О разложении селенатов стронция, бария и свинца. // Журнал неорганической химии. 1958, т. 4, № 5, с. 1299-1303.

44. Капустинский А.Ф., Селиванова Н.М. Растворимость и свободная энергия образования селената свинца. // Полярография и термодинамика. 1959, т. 5, № 12, с.1508-1512.

45. Candea, R.M., Turcu, R., Borodi, G. and Bratu, I. Effects of thermal annealing in air on VE, COD and CAD PbSe films. // Phys. Stat. Sol. (a). 1987, V. 100, p. 149-160.

46. Streltsov E.A. et al. Electrochemical deposition of PbSe films. // Electrochemica Acta.- 1998, V.43,№43,p. 869-873.

47. Буткевич В.Г., Дрозд И.А, Сусова A.M. О роли поверхностного окисла в фоточувствительности поликристаллических пленок сульфида свинца. // ФТП -1976, т. 10, №1, с. 16-20.

48. Trifonova Е.Р., Karagiozov L. On iodine behaviour in bulk crystals of PbTe and SnTe synthesized by the iodine method. // Crystal Res. Technol. 1983, V. 18, № 3, p. 315-320.

49. Harman T.C. Physics of IV-VI compounds and alloys (ed. S. Rabii), London, New York, Paris, 1974.

50. Бокий Г.В. Кристаллохимия, M.: Наука, 1971.

51. Stiber D., Hildman B.O. Chemical transport reaction during crystal growth of PbTe and PbSe via vapor phase influenced by Agl. // J. Cryst. Growth. 1992, v. 121, p. 656-664.

52. Ролстен Р.Ф. Иодидные металлы и иодиды металлов. М.: «Металлургия», 1968.

53. Квестроу В. Полученние халькогенидов и пниктидов при низкой температуре. / Препаративные методы в химии твердого тела. М.: Мир, 1976.

54. Assenov R., Moshnikov V.A., Yaskov D.A. On behavior of Iodine in PbTe and SnTe. // Phis. Stat. Sol. (a). -1985, V. 88, k. 27 k 29.

55. Асенов P., Мошников В.А., Яськов Д.А. Электроннолучевая обработка образцов PbTe и SnTe, полученных иодидным методом. // Труды Международной конференции по электронно-лучевым технологиям. Варна, 1985, с. 447-454.

56. Физика и химия соединений А^^. Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970.

57. Олеск С.А. Оптические свойства и особенности зонной структуры селенида свинца и твердых раствотров селенида свинца селенида кадмия: Автореф. дисс. канд. физ.-мат. наук / ЛЭТИ, Л., 1990.

58. Wald F., Rosenberg A.G. Solid solutions of CdSe and InSe in PbSe. // J. Phys. and Chem. Solids. 1965, V. 26, № n, p. 1087.

59. Томашик З.Ф., Олейник Г.С., Томашик B.H. Диаграмма состояния системы PbSe-CdSe. // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. 1980, т. 16, № 2, с. 261-293.

60. Streltsov Е.А. Osipovich N.P., Ivashkevich L.S. Effect of Cd (II) on electrodeposition of textured PbSe. // Electrochemica Acta. 1999, V. 44, p. 2645-2652.

61. Петухов А.П., Катилене Э.Р., Таллерчик Б.А. Легирование слоев Pb!.ySnySe в процессе жидкофазной эпитаксии. // Неорганические материалы. 1983, т. 19, № 5, с. 733-735.

62. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение. // Под ред. Г. Харбеке, М.: Мир, 1989.

63. Petritz R.L. Theory of photoconductivity in semiconductor films // Phys. Rev. -1956, V. 104, № 6, p. 1508-1516.

64. Mandurah M.M., Saraswat K.C., Kamins T.I. A model for conduction in polycrystalline silicon, / Part I: Theory; Part II: Comparison of theory and experiment. // IEEE Transact, on electron devices. 1981, V. ED-28, № 10, p. 1163-1176.

65. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979.

66. Неустроев Л.Н., Осипов В.В. О механизме протекания тока и фототока в поликристаллах PbS. // ФТП. 1984, т. 18, № 2, с. 359-362.

67. Неустроев Л.Н. Осипов В.В. К теории физических свойств фоточувствительных поликристаллических пленок типа PbS. И. Фотопроводимость. Сравнение с экспериментом. // ФТП. 1986, т. 20, № 1, с. 66-72.

68. Пихтин А.Н. Оптическая и квантовая электроника. Учеб. для вузов, М.: Высш.шк., 2001.

69. Галкин Л.Н., Королёв Н.В. Фотолюминесценция PbS в инфракрасной области спектра. // ДАН СССР. 1953, т. 92, № 3, с. 529-530.

70. Галкин Л.Н., Курбатов Л.Н. Влияние кислорода на люминесценцию PbSe. // Опт. и спектроскоп. 1962, т. 12, № 1, с. 95-98.

71. Гуреев Д.М., Даварашвили О.Н., Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Шотов А.П. Фотолюминесценция полупроводниковых эпитаксиальных плёнок Pbi.xSnxTe и Pbi.xSnxSe. // ФТП. 1975, т. 9, № 10, с. 1902-1908.

72. Гуреев Д.М., Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Шотов А.П. Определение зонных параметров твёрдых растворов Pbi.xSnxTe (0<х<0.23) из спектров фотолюминесценции в магнитном поле. // ФТП. 1978, т. 12, № 7, с. 705-712.

73. Гуреев Д.М., Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Шотов А.П. Излучательная рекомбинация в твёрдых растворах Pbi.xSnxTe. // ФТП. 1978, т. 12, № 9, с.1743-1749.

74. Гуреев Д.М., Даварашвили О.Н., Засавицкий И.И., Мацонашвили Б.Н., Шотов А.П. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальных слоях PbixSnxSe (0<х<0.4). // ФТП. 1979, т. 13, № 9, с.1752-1755.

75. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Караваев С.М. Катодолюминесценция селенида свинца-олова. // ФТП. 1975, т. 9, № 7, с.1588-1591.

76. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Караваев С.М. Температурные и концентрационные зависимости рекомбинационного излучения теллурида свинца-олова. // ФТП. 1976,т.10,№2, с.250-255.

77. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Мочалкин П.Н. Температурные зависимости излучения PbS. // ФТП. 1970, т.4, № 1, с.120 - 124.

78. Золотов С.И. Фотолюминесценция локальных уровней в PbSe. // ФТП. 1985, т. 19, № 10, с.1822- 1825.

79. Золотов С.И., Трофимова И.Б., Юнович А.Э. Фотолюминесценция плёнок тройных твёрдых растворов Pb!.xCdxS. // ФТП. 1984, т. 18, № 4, с.631 - 634.

80. Непомнящий С.В., Пашкевич А.В., Шелехин Ю.А., Дийков JI.K. Фотолюминесценция поликристаллических плёнок Pbi„xCdxSe. // ФТП. 1984, т. 18, № 12, с.2233 -2235.

81. Юнович А.Э., Тен В.П., Фёдоров М.С., Храмцов А.П. Вынужденное излучение тонких плёнок халькогенидов свинца при фотовозбуждении. // ФТП. 1975, т. 9, № 7, с. 904 - 906.

82. Анисимова Н.П., Глобус Т.Р., Дийков Л.К., Калинин Ю.В., Николаева Т.Г., Олеск А.О. Рекомбинационные процессы в поликристаллических плёнках PbSe. // ФТП. 1983, т.З, № 4, с.534-537.

83. Юнович А.Э., Аверюшкин А.С., Дрозд И.А., Огнева В.Г. Зависимости вынужденного излучения тонких плёнок PbSe от температуры в интервале Т=50-300К. // ФШ. 1979, т. 13, № 9, с.1697 - 1700.

84. Калюжная Г.А., Киселёва К.В. Проблема стехиометрии в полупроводниках переменного состава типа А2В6 и А4В6. // Труды ФИАН. 1987, т. 177, с. 5 - 84.

85. Harrison L.G. Influence of dislocations on diffusion kinetics in solids with particular reference to the alkali halides. // Trans. Faraday Soc. 1961, V. 57, p. 1191-1198.

86. Unnam J., Carpenter J.A., Hauska C.R. X-ray diffraction approach to grain boundary and volume diffusion. // Journ. Appl. Phys. 1973, V. 44, p. 1957 - 1962.

87. Gilmer G.H., Farrell H.H. Grain-boundary diffusion in thin films: I. The isolated grain boundary. // Journ. Appl. Phys. 1976, V. 47, p. 3792 - 3798.

88. Gilmer G.H., Farrell H.H. Grain-boundary diffusion in thin films. II. Multiple grain boundaries and surface diffusion. // Journ. Appl. Phys. 1976, V. 47,3792 - 3798.

89. Whipple R.T.P. Concentration contours in grain boundary diffusion. // Phil. Mag. -1954, V. 45, p. 4455-4462.

90. Стильбанс Л.С. Физика полупроводников. М.: Советское радио, 1967.

91. Уханов Ю.И. Оптические свойства полупроводников М.: Наука, 1977.

92. Ильин В.И., Мусихин С.Ф., Шик АЛ. Варизонные полупроводники и гетеро-структуры. СПб.: Наука, 2000.

93. Рыбкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М.: Физматгиз,

94. Демидович Б.П. Краткий курс высшей математики. М.: ACT, 2005.

95. Иванов М. А., Глущенко В.И. Описание движения границы раздела фаз в двухкомпонентной системе при заданном составе одной фазы. // ФММ. 2001, т. 91, №5, с. 5-14.

96. Савинцев П.А., Рогов В.И. О парциальных коэффициентах диффузии. // ФММ.- 1968, т. 26, №6, с. 1119- 1121.

97. Гуров К.П., Карташкин Б.А., Угасте Ю.Э. Взаимная диффузия в многофазных металлических системах. М.: Наука 1981.

98. Ефименко Л.П. "Нуклеационная" концепция появления жидкой фазы при контактном плавлении. // Неорганические материалы. -1999. т. 35, № 8, с. 1014-1017.

99. ЮО.Любов Б.Я. Кинетическая теория фазовых превращений. М.: Металлургия, 1969.

100. Кудинов Г.М., Темин Д.Е., Любов Б .Я. Влияние границы раздела фаз на кинетику изотермического превращения в сплавах. // ФММ. 1978, т. 46, №3, с. 540 - 547.

101. Ю2.Любов Б Л. Диффузионные процессы в неоднородных твердых средах. М.: Наука, 1981.

102. Иванов М.А., Чураков М.М., Глущенко В.И. Движение границы раздела фаз в твердых растворах.//ФММ. 1997, т. 83, № 6, с. 5 -18.

103. Ю4.Иванов М.А., Чураков М.М., ГлущенкоВ.И. Описание роста двухкомпо-нентного слоя с учетом диффузионного и межфазного транспорта атомов. // ФММ. 1999, т. 88, № 2, с. 12 - 22.

104. Борисов В.И, Борисов В.Т. Влияние скорости межфазных реакций на кинетику роста диффузионных слоев. // ФММ. 1976, т. 42, № 3, с. 496 - 500.

105. Добровольский И.П., Карташкин Б.А., Поляков А.П., Шоршоров М.Х. О природе и механизме контактного плавления. // ФХОМ. 1972, № 2, с. 36 - 39.

106. Гегузин Я. Е. Диффузионная зона. М.: Наука, 1979.

107. Гиваргизов Е.И. Рост нитевидных кристаллов из пара. М.: Наука, 1977.

108. Гамарц Е.М., Голубченко Н.В., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Кинетические характеристики сенсибилизирующих отжигов поликристаллических слоев селенида свинца. // Петерб. журн. электроники. 2003, № 4, с. 25-33.

109. ПО.Канагеева Ю.М., Гамарц А.Е. Многослойные структуры PbSe/por-Si/Si и их электрофизические свойства. // Известия СПбГЭТУ «ЛЭТИ». 2005, № 1, с. 9-16.

110. Микроанализ и растровая элеюронная микроскопия. Под ред. Ф. Морис М.: Металлургия, 1985.112.0рмонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высшая школа, 1973.

111. Фельдман JL, Майер Д. Основы анализа поверхности и тонких пленок. М.: Мир, 1989

112. Небольсин В.А., Щетинин А.А. Рост нитевидных кристаллов. Воронеж: ВГУ, 2003.

113. Голубченко Н.В. Влияние примесей на кинетику и механизмы процессов окисления поликристаллических слоев селенида свинца при формировании фоточувствительных структур: Автореф. дисс. канд. тех. наук / СПбГЭТУ «ЛЭТИ», СПб, 2004.

114. Гегузин Я.Е. Физика спекания. М.: Наука, 1984.

115. Стрелов К.К. Теоретические основы технологии огнеупорных материалов. М.: Металлургия. 1985.

116. Кингери У.Д. Введение в керамику. М.: Стройиздат, 1967.

117. R. Pampuch. Constitution and properties of ceramic materials. Warszawa: PWN -Polish scientific publishers, 1991.

118. Диаграммы плавкости солевых систем. Под ред. Посыпойко В.И., Алексеевой А.Е. М.: Металлургия, 1977.

119. Ильин А.С., Максимов А.И., Мошников В.А., Ярославцев Н.П. Внутреннее трение в полупроводниковых тонких пленках, полученных методом золь-гель технологии. // ФТП. 2005, т. 39, № 3, с. 300 - 304.

120. Гамарц А.Е., Лебедев В.М., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Определение профиля диффузии кислорода в поликристаллических слоях селенида свинца методами ядерного микроанализа. // ФТП. 2004, т. 38, № 10, с. 1195 - 1198.

121. Гамарц А.Е., Канагеева Ю.М., Мошников В.А. Определение концентрации носителей заряда в поликристаллических слоях селенида свинца на основе спектров отражения. // ФТП. 2005, т. 39, № 6, с. 667 - 668.

122. Голубченко Н.В., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Кинетика и механизмы окисления поликристаллических слоев селенида свинца, легированных висмутом. // Материалы электронной техники. 2005, № 1, с. 23 - 28.

123. Акимов Г.В. Метод микротермо-ЭДС. // ДАН СССР. 1946, т. 51, № 3, с. 205-208

124. Игнатьев В.А. Метод измерения микротермоэлектродвижущей силы сплавов. // Зав. лаб. 1968, т. 34, № 6, с. 695 - 696.

125. Кокошкин В.А. Исследование однородности высоколегированных полупроводников с помощью нагретого зонда-термопары. // Зав. лаб. 1965, т. 31, №4, с. 461-462.

126. Мошников В.А., Милославов СЛ. Исследование неоднородностей твердых растворов Pbi.xSnxTe нестационарным термозондовым методом. / "Получение и свойства полупроводниковых соединений А2В6 и А4В6 и твердых растворов на их основе". М: МИСИС. 1977. с. 302.

127. Кухарский А.А., Субашиев В.К. Определение некоторых параметров сильнолегированных полупроводников из спектрального хода коэффициента отражения. // ФТТ. 1966, т. 8, № 6, с. 753 - 759.

128. Пошехонов П.В., Соколовский Э.И. Тепловой расчет электронных приборов. Учебое пособие. М.: Высш. школа, 1977.

129. Брокштейн Б.С., Ярославцев А.Б. Диффузия атомов и ионов в твердых телах. М.: МИСИС, 2005.

130. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справ. М.: Радио и связь, 1991.

131. Старухин А.Н., Разбирин Б.Ф. Влияние энергии связи на кинетику излучатель-ной и безизлучательной рекомбинации в связанных экситонах. // ЖЭТФ, -2003, т. 123, С. 92-97.

132. Роках А.Г., Трофимова Н.Б. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS—CdS. // ЖТФ. 2001, т. 71, № 7, с. 140-143.

133. Гамарц А.Е., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Модель фотолюминесценции в поликристаллических слоях Pbi.xCdxSe. // Материалы международной научной конференции «Тонкие пленки и наноструктуры», 22 26 ноября 2005 г., г. Москва, М.: МИРЭА, 2005, с. 92-95.

134. Lukovsky G. On photoionisation of deep impurity centers in semiconductors. // Sol. St. Commun. 1965, v. 3, № 9, p. 299 - 305.

135. Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Исследование спектров излучения и возбуждения фотолюминесценции варизонных полупроводников. // ФТП. -1977, т. 11, № 11, с. 2084 2088.

136. Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Излучательная рекомбинация в тонких варизонных структурах. // ФТП. 1978, т. 12, № 7, с. 1421 - 1423.

137. Коваленко В.Ф., Пека Г.П., Шепель Л.Г. Особенности излучательной рекомбинации в варизонных полупроводниках с большим градиентом ширины запрещенной зоны. // ФТП. 1978, т. 12, № 9, с. 1851 - 1853.

138. Базык А.И., Коваленко В.Ф., Миронченко А.Ю., Шутов С.В. Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлектрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников. // ФТП. 2001, т. 35, № 1, с. 53 - 57.

139. Коваленко В.Ф., Миронченко А.Ю., Шутов С.В. Влияние дрейфа носителей заряда во встроенном квазиэлеюрическом поле на спектр излучения варизонных полупроводников. // ФТП 2002, т. 36, № 2, с. 192 - 196.

140. Козанцев Д.В., Селиванов Ю.Г., Трофимов В.Т., Чижевский Е.Г. Поверхностные состояния кристаллов селенида свинца. // Письма в ЖЭТФ. 1995, т. 62, № 5, с. 422 - 426.

141. Гамарц А.Е., Мошников В.А., Чеснокова Д.Б. Поликристаллические слои PbixCdxSe с эффективной фотолюминесценцией. Модель зерна. // Петерб. журнал электроники. 2005, № 4. с. 83 - 88.

142. Алексеев С.А., Прокопенко В.Т., Яськов А.Д. Экспериментальная оптика полупроводников. СПб.: Политехника, 1994.

143. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973.

144. Гамарц А.Е., Кощеев С.В., Мошников В.А. Деградация фоторезисторов на основе поликристаллических слоев селенида свинца с диэлектрическими прослойками. // Перспективные материалы. 2005, № 3, с. 91 - 94.

145. Gautier G., Breton G., Nouaoura M., Charar S., Averous M. Chemical and electrochemical passivation of PbSe thin layers grown by molecular beam epitaxy. // J. Electrochem. Soc. 1998, V. 145, № 2, p. 512 - 517.1. Описание программы

146. Меняя параметр а, можно в реальном времени следить за изменением зависимости R(£,) и добиться совпадения необходимых параметров.