Хемостимулирующее воздействие производных хрома на термооксидирование арсенида галлия тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.01 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. Обзор состояния проблемы.

1.1. Роль поверхности GaAs, зависимость состава и свойств собственных оксидных слоев от условий их формирования.

1.2. Современные методы создания пассивирующих покрытий на GaAs.

1.3. Влияние оксидов р- и d-элементов на кинетику и механизм термооксидирования GaAs.

1.4. Эффект совместного воздействия смеси оксидов-активаторов.

ГЛАВА II. Методика эксперимента и свойства соединений-активаторов.

2.1. Характеристика материалов.

2.1.1. Оксида хрома (VI), СЮ ?.

2.1.2. Гидроксид хрома(1Н), Сг(ОН)3.

2.1.3. Сульфат хромаШЮ, Cr2ß04)3.

2.1.4. Дихромат аммония, (NH4)2Cr207.

2.1.5. Хромат свинца, PbCrOj.

2.1.6. Оксид свища, РЬО.

2.1.7. Оксид ванадия, V205.

2.2. Методика тсрмооксиднровання GaAs в присутствии хсмостнмуляторов.

2.2.1. Окисление GaAs при введении СЮ3 в газовую окисляюгиую среду.

2.2.2. "Сг(ОН)3" -влияние.

2.2.3. Процесс окисления GaAs в присутствии Cr2(S04)3.

2.2.4. "(NH4)2Cr207" -процесс.

2.2.5. Термооксидирование GaAs в присутствии PhCrC)4.

2.2.6. Окисление арсенида галлия в присутствии бинарных композиций (СЮ3 — УЮ5) и (СЮо — РЬО). Js V /

2.2.7. Методика обработки результатов.

2.3. Методы исследования тонкопленочных структур и отожженного хемости-мулятора.

2.3.1. Рентгенодифрактометрические исследования (РДИ) отожженного активатора (рентгенофазовый анализ).

2.3.2. Определение качественного состава выращенных оксидных слоев методом рентгенофлуорещентного анализа (РФА).

2.3.3. Изучение элементного состава с помощью локального рентгеноспек-трального микроанализа (ЛРСМА).

2.3.4. Ультрамягкая рентгеновская эмисионная спектроскопия (УМРЭС) (рентгеноспектралъный анализ).

2.3.5. ИК - спектроскопия (ИКС) сформированных тонкопленочных структур.

2.4. Анализ отожженного активатора.

ГЛАВА III. Термооксидирование СаА® в присутствии хемостимуляторов, содержащих хром в составе катионообразователя (Сг03, Сг(ОН)3,

Сг2(804)з).

ГЛАВА IV. Воздействие анионной составляющей сложного хромсодержа-щего активатора на процесс термического окисления арсенида галлия

М^СггО?, РЬСг04).

ГЛАВА V. Термооксидированис арсснида галлия в присутствии бинарных композиций (СгОз - РЬО) и (С'г03 - У205).

5.1. Кинетика процесса.

5.2. Обработка экспериментальных результатов с использованием относительных интегральных и парциальных толщин.

5.3. Состав и свойства выращенных оксидных пленок.

ГЛАВА VI. Термооксидирование СаАз в присутствии хромсодержащих активаторов (обсуждение результатов).

Выводы.

Полупроводниковые материалы по праву занимают одно из ведущих мест в ряду важнейших материалов, определяющих уровень развития мировой цивилизации. С развитием твердотельной электроники (и, прежде всего, микроэлектроники) связано успешное решение проблем крупномасштабной компьютеризации и информатизации, создания современных систем связи и телевидения, эффективной передачи и преобразования электроэнергии, разнообразной бытовой, медицинской и специальной электронной аппаратуры.

•г . А т„у полупроводниковые соединения А В и среди них, в первую очередь, ОаАз, представляют исключительный интерес не только как перспективные материалы для различных отраслей современной техники, но и как важнейший класс объектов химии твердого тела, термодинамики и кинетики сложных гетерогенных процессов [1].

Процессы хемостимулировашюго термооксидировапия полупроводников важны для расширения имеющихся представлений о гетерогенных процессах типа твердое газ, твердое твердое и твердое жидкость, установления и интерпретации новых эффектов, обусловленных тонкоиленочным состоянием как реагентов, так и продуктов [2].

Хемостимулированное окисление имеет своей целью: а) кинетическую блокировку отрицательных каналов связи между стадиями, что, в свою очередь, приведет к изменению характера диффузионных процессов, состава слоев и улучшению их свойств; б) создание новых, положительных каналов связи, позволяющих осуществить ускоренное формирование слоев с заданными свойствами; в) возможно большее "разветвление" схемы процесса по сравнению с собственным окислением, что создаст возможности для образования многокомпонентных композиций с гибко управляемыми свойствами.

Проведенные ранее исследования показали перспективность применения в качестве активаторов этих процессов оксидов, хлоридов, сульфидов р- и с1-элементов, а также хемостимуляторов более сложного состава. Вместе с тем особый интерес представляет изучение совместного воздействия двух или более соединений-активаторов, та позволяет не только гибко управлять составом и свойствами образующихся тонких многокомпонентных диэлектрических слоев, но и по-новому взглянуть на проблему сопряжения двух псевдопараллельных процессов, протекающих в единой системе одновременно [3].

Цель работы

Установление характера хемостимулирующего воздействия производных хрома в разных формах (степень окисления, в составе катиона и аниона хемостимулятора) на термооксидирование арсенида галлия.

1. Исследование кинетики роста оксидных слоев на ОаАв в присутствии ок-сопроизводных хрома.

2. Изучение особенностей термооксидирования ОаАя под влиянием хромсо-держащих активаторов сложного состава (гидроксид и сульфат хрома (III), хромат свинца, дихромат аммония).

3. Выявление роли кислотно-основных и окислительно-восстановительных взаимодействий в нелинейных эффектах совместного воздействия смесей оксидов.

4. Схематическое представление многостадийных процессов хемостимули-рованного окисления ОаАз, учитывающее характер влияния введенного активатора и его промежуточных форм.

Научная новизна

Установлена хемостимулирующая роль производных хрома в промежуточных степенях окисления при термическом окислении ОаАя. Выявлены особенности хемостимулирующего действия производных хрома в составе катио-но- и анионообразователей стимуляторов. Впервые обнаружен эффект взаимною усиления хемостиму .пирующего действия активаторов в бинарных композициях (СЮ- - РЬО) и (СЮ3 - У205) на процесс термического окисления ОаАз.

Практическая значимость

Результаты комплексного исследования кинетики роста слоев, их состава и свойств могут быть применены для оптимизации процессов создания новых неорганических материалов, в частности диэлектрических покрытий на поверхности полупроводников для микроэлектроники. Решение этой задачи возможно с применением соединений сложного состава, производных d-элементов, а также композиций на их основе.

Положения, выносимые на защиту

1. Роль оксопроизводных хрома в промежуточных степенях окисления в процессах термооксидировапия арсеиида галлия.

2. Характер воздействия катиона Сг3+ в сочетании с активным анионом (SO42" и ОН") на кинетику и механизм термического окисления GaAs.

3. Специфика активирующего действия хромат- и дихромат-анионов в соединениях с мало- и высокоактивными катионами (NH/ и РЬ2+ соответственно) на термооксидирование GaAs.

4. Эффект взаимного усиления хсмостимулирующсго действия в бинарной композиции СгОз с РЬО.

5. Кислотно-основные (СЮ3 - РЬО, СЮ3 - V205) и окислительно-восстановительные (СЮ3 - РЬО) взаимодействия в композициях активаторов как определяющий фактор неаддитивности их совместного активирующего действия на термооксидирование GaAs.

Публикации и аппробания работы

По материалам работы опубликовано 10 статей и тезисов докладов научных конференций. Результаты работы были доложены на VIII Региональной научно-технической конференции "Проблемы химии и химической технолоi ии" (Воронеж, 2000г.); Международной конференции молодых ученых и студентов "Актуальные проблемы современной науки" (Самара, 2000г.); Всеросw w V» 1 ¿ЬТТ списком научно-техническои конференции побью материалы и технологии -НМТ-2000 (Москва, 2000г.); Школе-семинаре "Актуальные проблемы современной неорганической химии и материаловедения" (Дубна, 2001г.); The VIII International Conference of Physics and Technology of Thin Films (ICPTTF-VIII) (Ivano-Frankivsk, 2001).

Структура и объем диссертации

Диссертационная работа состоит из введения, шести глав, выводов, списка литературы (67наименований) и приложения, изложена на 134 страницах, содержит 28 рисунков и 20 таблиц.

ВЫВОДЫ

1. Использование в качестве хемостимулятора СЮ^ обеспечивает ускоренное окисление GaAs как за счет самого СЮ3, так и за счет промежуточных продуктов его термической диссоциации (Cr308 и Ci^Os)- Значения ускорения высоки (в 6 раз по толщине для окисления в потоке сухого кислорода и 13,5 - в потоке влажного). Резкое различие обусловлено возлплфштпт я пат* /палт! ж п гглтпит! гтлучлг п а ттт т vicirxrxvivi JIV/J rllVVirl D IipriV^J IVlbnri 11«рОЪ

2. Особенности активирующего действия Cr3+ в сочетании с активным анионом в составс Сг(ОН)з и Сг2{ SO4/3 состоят в том, что Сг?Оз эффективен как хемостимулятор в присутствии паров воды (ускорение 4,4 раза) и

•» л r«ntttt t г »т л г»г\ tt/t/vt^''« тл т»лт» т т"» w тл т*л лтттта 1 ) «ч л т т т т-»т лтл« ггглль Г~Г\Т~* тт7 т прал tic лилЯоТч/л lakonDlivi ^ j^ivupentio i,/ ya.ij Ilpn ил ui^/j lvibjnb. даже в сочетании с активным анионом SCV".

3. Специфика воздействия хрома в высшей степени окисления в составе хпомсолепжангих анионов (СгпО^' и СЮ/") в значительной мепе o5v

1''!' \ ' -г / 1 ^ словлена природой катиона. Ион NIl4+ не способствует стабилизации степени окисления +6 для хрома и сам не является эффективным хемо-стимулятором (ускорение в 1,4 раза в отсутствие паров воды). В РЬСгС/4 степень окисления 16 стабилизирована за счет выраженного основного характера rb2f, что обеспечивает более высокую эффективность хемо-стимулирующего действия Cr (VI), особенно в сочетании с активным ка-тионообразователем-хемостимулятором (ускорение 2/4 раза).

4. При изучении бинарных композиций Сг03 с основным (РЬО) и кислотным (V2O5) оксидами-активаторами обнаружена неаддитивность их совместного действия, проявляющегося во взаимном усилении или ослаблении активирующего воздействия. Впервые обнаружено взаимное усиление активирующего действия оксидов во всем интервале составов (система tru3 - rou).

128

1. Милъвидский М.Г., Уфимцев В.Б. Полупроводниковые материалы на современном лапе развития твердотельной электроники // Неорганические материалы. 2000. Т.36, .Nh3 С.360-368.

2. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции.- М.; Химия, 1978. 360с.

3. Миттова И.Я., Пшестанчик В.Р., Кострюков В.Ф. Знакопеременная нелинейность совместного активирующего воздействия бинарных композиций оксидов р-элементов при хемостимулированном термическом окислении GaAs // Доклады АН. 2001. Т. 378, №6. С. 670-675.

4. Л Rutr-h^r П М R Т T^ lf-r.tnoql г»ггчгм»Н-«»е rii tl-ii»rmc>1 О»"» А с //1.l.'lf 1VII vi 1 .S' .i . . k^VUl ^ i- . r IViVWUIVUl ptvi/wx LlVfJ »' t llivixilitl v'li VJUUC A.tJr ft

5. Т> 1Л-2 П1 j . i . x uj-j / x .

6. Navratii K. ihermai oxidation of saiiium arsenide // Czech. J. Phvs. 1968.1. UDIO n T7/1v . 1j i о. l .¿uu-i/t.

7. Koshiga I'., Sugano 1. Thermal oxidation of GaAs // Jap. J. Appl. Phvs. 1977. V.16, №16-1. P.365-469.

8. Local atomic and electronic structure of oxide / GaAs and SiQ2/Si interfaces using high-resolution XPS / Grunthaner F.J., Gmnthaner P.J., Vasquez R.P.,

9. T ' ТЧ T~> Л /Г ■■ T//TT7 П ' Тл 1 II Г\«-ТЛ T 7 1 f If с тч л л1.wis d.г., iviaserjian j. // j. vac.aci. iecnnoi. у/у. v. lo, r.1453.

10. M.C.C.rasseggi Jr, I.Vaquiia, J.Ferron. Auger electron spectroscopy analysis of the first stages of thermally stimulated oxidation of GaAs (100) // Applied surface Science. 1998, V.133. P. 65-67.

11. A.Guillen-Cervantes, Z.Rivera-Alvarez, M.Lopez-Lopez, E.Lopez-Luna, I. Hernandez-Calderon. GaAs surface oxide desorbtion by annealing in ultra high vacuum //Thin Solid Films. 2000, №373. P. 159-163.

12. Lucia G. Quagiiano. Detection of As203 arsenic oxide on GaAs surface by

13. Domon tw-o+iiM-ji-ir.//A Qiit~fa/->i> QsMon^A ОППЛ \fn1 P 0/1 fl-9/1 A

14. I.Gerard, C.Debiemme-Chouvy, J,Vigneron и др. Local oide growth on thenjir, Д О С I I f-fVl iJ. cluWiwI t-ЧТ/ 1r11 YDC // Clirfnn looo

15. Бсссолов 13.H., Лебедев M.B. Хзлькогснидкая пассивация поверхности полупроводников AmBv// Физика и техника полупроводников. 1998. Т.1. ЗТ MV1 1 Г- П01

16. Долгих Д.С., Сумец М.П. Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности GaAs(lOO), обработанного: в селене. // Известия вузов. Электпоника. 1998. Т. 25. №6. C.l 57-1 58.1. А ^1. Шугуров А.Р.,

17. Калыгина В.М. Влияние серы и селена на рельеф поверхност и диэлектрических пленок и электрические характеристики структур металл-диэлектрйк-р-GaAs // Физика и техника по-лупповодников = 2001. Т.35, №1. С.78-83.

18. J.W.Kim, S.rLSa,M.G.Kang at.al. A study on the structural distribution ol

19. Se-passivatedGaAs surface // Thin Solid Films. 1998. V. 332, №1-2. P. 305111 л l i.

20. Kang M.G., Park H.H. Effect of GaAs surface treatments using HCl or (NH^Sx solutions on the interfacial bonding states induced by deposition of Au // Thin Solid Films. 1998. №.332. V. 1-2, P. 437-443.

21. Y.Ke, S.Milano, X.W.Wang at.al. Structural studies of suifur-passivaied GaAs (100) surfaces with LEED and AFM // Surface Science, 1998. №1-2. P.29-36.

22. Миттова И.Я., Пухова В.В. Термическое окисление структур In-SyGaAs // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. 1986. Т. 32, №6. С.

23. Термическое окисление структур GaAs/GeS в кислороде /' Миггова

24. ТЛ Q TTxrv^n« Р R TanpvAi, R A Ti тг« // ТДоо ЛИ ССГР ТТ1. ОАГЧГ » if ОnjAviia i/.x^.j i vpvAUw д-/./ i. r. i if пои. t ui W/v/i . wvp. i lvi/pi . ivia~териалы. 1988. T.24, №10,- C. 1592-1594.

25. ТЛ ТТ Т, т,*ч // ТЯг,к AU ПГГП n^f. тт, т 1 QQQ Т О Л

26. J ovdu га.^Ц. ri Др. и rub. mi . wp. 1 ivupi . maiCphajiDi. 1 .9. C. 1431-1434.

27. A V .'ll> Г «t. H1 -Л /.1 /l/lffi 1Л ll^l/l'lf.'O'^^'.^T ' i 4 4 I I J . J-V-f МП+1ТГЛ i\1H i4f.il / -1 fi /"* An / ^ 13 ¿o.rui Л-iciy wn opwu Олч^иру дши у ui uciUvt/ UAiuva Oil vjctrto / vj .1

28. Schwarts., G. Guaitieri., G.J Kammiott., B. Schwartz /7 J. Electrochem. Soc.1 (\nc\ П ЛТЗП ЛПЛ(\

29. I У. y . 1 ¿,u. x .1 I J t-i /Ч-У

30. Рост диэлектрических слоев при термическом отжиге структур

31. А /TYL/~4 / X Я TI ГТ гл------------Т"» Т1 г гvjaAs/r икj с api UJie и киСлиридс / гаипиВа п.si. ч^виридина. и.о., хчимиттл 11 ti att гл tí а к 1апп тл1каева fi./\. и др. // Изв. Ah *дгр. neopr. материалы. ivq9. 1 j.12. C. 10005-1008.

32. Термическое окисление GaAs при введении оксида свинца в газовую фазу / Миттова И.Я., Свиридова В.В., Семенов В.Н. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Материалы. 1989. Т.25, лю, С. 908-911.

33. Термическое окисление структур GaAs/BijOg в кислороде / Миттова И.Я., Свиридова В.В., Семенов В.Н. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. Материалы. 1990. Т.26, №10. С. 2013-2016.

34. Оксидные диэлектрические слои на GaAs, выращенные в присутствии1\Дмпгг(чрс1 Т/Т Я Rqnиттирса R R Tf4-v»Yo» R 4 w ТТГ4 // Т/Т'эи ATT

35. X—fx^v^j ' ATXÍÍI I I » , Л . . } /MV.'IV'l'V' í > 1.1 ( ■ »y,л vj/vA^/w i.y i. r i ir >■ í * > , Л .1 *

36. СССР. Сер. Неорг. Материалы. 1988. Т.24, jn'o12. С. 1897-1900.

37. Рт monmnoTTTJO ттт^'л ттА1лгг\ппАлтгт7 г> ялап ппап* *тттт£ьг»т/,тх* к атутул гтаттт^т «г лтт^т/*-«./V.i-/mpuiÍ41rlDtumv ДПЧ/jiváí «^/г-д.Hvvivn/\ VJIUVU i vj^/ivijri4vwivriivi VJ pyivтур GaAs/VSOs / Миттова И.Я., Свиридова В.В., Семенов В.Н. и др. //

38. ТЛот, лиггрв П^ МЯТРГ„Пш, 10Q1 Т ОТ V"0 п ОЛ^Л ОГК/1ruó. i vrwv.'X . v^vjp. xiCOpi . IvxdlOprxciJIm. i . i. í , ¿и^у-лил.

39. Миттова И.Я., Пшестанчик В.Р., Кострюков В.Ф. Нелинейный эффект совместного воздействия активаторов на процесс тсрмооксидирования арсенида галлия // Доклады РАН. 1996. Т. 349, №5. С. 641-643.

40. Миттова И.Я., Пшестанчик В.Р., Кострюков В. Ф. L-овместное воздействие оксидов сурьмы и висмута на процесс термооксидирования арсенида галлия в кислороде // Журнал неорганической химии. 1997. Т. 42, №2. С. 233-237.oq тт гт гтг» d -----r> fJ\ -------

41. Особенности совместного воздействия оксидов свинца и висмута на процесс термооксидирования ОаАз / Митгова И.Я., IГшестанчик В.Р.,

42. Г ХЭ Ж // -\тл ч Т Л/' лс г

43. Влияние УОС12 на формирование термических оксидных слоев на

44. Па Дс / КЛмтт/лва IЛ ТУ»и*»лхга Т? Р Дгагт/лр К 1Т и ттп // ТЛ'зо АГТ-—ИЛ* 1 ' / 111111 1 к» I 1 . У 1 . . 1'!Ч II 11М Л : .1 ^ . , 1 VI . I И^ 11 1 >. и А . ¿1 ^ ^ . , , X 1 11. . 1 ХЛ I . ^— V| ' .

45. VI ггм гггп / \Дтяттапо ТЛ С1 ГТттторпгпттитттл Р Т/лхтттп 1ч Р тд тт*^ // ггг 1 . / 1*1п 1 1 иом Хлш^улапшху л^.х х итшш г! др. //неорган, химии. 1999. Т. 44, №1. С. 20-25.

46. ТЛ^™ "И ЛТЛ^ПкГ1" оллл п лл

47. Миттова И.Я. Многоканальные реакции при хемостимулированном окислении полупроводников — транзит, сопряжение, катализ // Вестник

48. ВГУ. Сеоия: Химия, биология. 2000. №2. С. 5-12. *

49. Л т т г) 1. . . . , 1 1л -ггг д.л1 ермическое о к и с л си и с 1П1 под влиянием нитратов к сульфатов элементов IV группы // Изв. РАН. Неорган, материалы. 1999. Т. 35, №12.0 \ 1 -> 1-1Л .

50. Анепб\'Х Т.Я., Павлов П.Г. Технология соединений хпома. Л.: "Химия".1 >и /. э / иС.48,Роде Т.В. Кислородные соединения хрома и хромовые катапизаторьгм. т*ал г^г^г^г! 1 л/л

51. ГОД. /-цп. сЛл^г. хуи^. С.¿и.л о Ï а п

52. О i A i ' ' ' t ' Г ' 1 " 1 > ■ / А У i 1 ( 1Л / 1 ! 1 П 1 / \чо . л. Simon, i. semai, z^eu. miorg. Uhem. i^zo. r. j jo, i^l, zuv.

53. O. Glemser, U. Hauschild, F. Trupel. Zeit. Anorg. Chem. 1953. P. 277,i i -i1ю.48J. J. Dunoyer. Compt. Rend. 1939. P. 208, 520.

54. Q4 n ni , T7"' 1 1 ТЛ TT r 1 Т A П 1 АГЛ r-f.i4.5 . к. dcnwarts, i. rankuchen, к. ward. J. лтег. e-nem. 50c. lyjz. г. /ч. 48\ L. Bîank. Compt. Rend. 1925. P. 180, 289.

55. G. Roihang. Zeit. Anorg. Chem. 1914/P. 84, 165.

56. M. Domine-Berges. Compt. Rend. 1949. P. 228, 1435.

57. Казенас E.K., Чижиков Д.М. Давление и состав пара над окислами хи-wuiwfuv •.г.т^отлр M ■ НэЛ'К* \Qlf* Г 110-117 170.1Й4 1Q7.901mu ivvivxj^ к ч/^jvarxvii * vu. х »x. . X iU j .(Vu. jl ^ t * , I i v i x ; ^ x / .x jl cr i ^ i ^ / i .

58. Неорганические соединения хрома: Справочник / сост.: Рябин В. А.,

59. Vt^«Tjo M R i l A H 1Т • Ymnia 1 OQ1 Of)Cc-«-vu|/vviju xtjl, l/.j xx. t i. г1 . «fi., ^r \rxmri л . 1 i . ^vvvi

60. Лидин P.A., Молочко B.A., Андреева Л.Л. Химические свойства неор

61. ГПТ1ШТдЛТ^Т1У потилл-тп TS Л • YiJifTifT 1007 Г 1 1f\ ЪАЪi «îirlivvKriA DvjJM,vvii3. ivi. jru-nvirm, x s / . V/. i^/Vj i / .

62. Рот У. Полярнось монокристаллов в арсениде галлия /'/' Новое в полу

63. ТТЛТТТХТЖ * Г/АТГ/ЛГУПиЛТО TTTIAP ТТА ТП/ГГПЛПЛТТТТТГТ/'ЛП / TT/ЛТТ ПОТТ ТТ А ТТаТПАПО \ /Т •viuriri jviv^uuivpnv х пил y upvuv^iimvl/u / x yv^, f-\,jl x pv^oa. jl vx.1. Наука. 1962. C.225.

64. ГГ 1J 'IV- гт-tj V «.гони. Л Д . fv /ГГЛ7 1 ПСП О 1ji.jlvjL., i pvnuB jj.iv. i i^ni crtULjja jOfiDm апалй). m., ivii .r . i>u7. л.

65. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ: Вс-л лот ал. îvrîma i. пор. v^ ашл.- xvi. ivinp. 170t. jk/ль.

66. Майзель А. Леонхапл Г. Сапган Р. Рентгеновские спектпы и химичеi ' 1 i iекая связь / Пер. g нем. Е.А.Журановского. Киев: Наукова думка. 1981. 420с.5 8.Основы аналитической химии. Под. ред. Ю.1. А.

67. Золотива. Т.2. т.: «Высшая школа». 1999, С. 256-257,

68. Накамото К. ИК-спектры неорганических и координационных соединений. М.: Мир. 1966. 411с.

69. Митюва И. Я., Свиридова В. В., Семенов В. Н., Тихомирова Е. В. Термооксидирование GaAs в кислороде в присутствии Ge02 в газовой фазеi TT Л Т Т n TT 1 ЛАЛ гг Л 1Г 1 ¿ лтв. /ill Cttr. ьер. пеорг. материалы, ivvu. i. zo, J№i. ь.

70. Спектры и строение молекул; Сб. статей. / Под ред. 51.И. Герасимова,

71. ПК 1 ЦГ TT IL ГТТТ Т 1ЛЛЛ /Ч 1 —

72. А. /лнашина.- м.: изд-во Mi у. ivöu. zbc.

73. Mellor J. W. A comprehensive treatice on inorganic and theoretical chemistry. London; N. Y.; Toronto: Longmans, Green and Co., 1943. ¥. XL. on««

74. Миттова И.Я., Пономарева Н.й. Термическое окисление арсенида галrnjq р ТТГУПАТГ^ и г^тАллгриui.iv гчл^тг/лл ж тл»->т¥

75. J its. si Sj ivfiv^i L / и^ц v / / no-iiivv ¿u:iirirx/i i vi vpvi vi ifi&I/v vtiv t vmi i/v L/vtxvmi х х^Дво ВРУ. 1984. С. 26-32.

76. Термооксидирование GaAs в атмосфере аммиака / Миттова И. Я., Пиюстанчик В. Р., Лаврушина С. С. и др. /У Изв. АН СССР. Сер. Неорг. ма-Г0ПтхП т,т г тол т г л XT«« г 1 тг1 гр<;1урпсьш£. isst. 1 , ^/vj viru. v/. 1 va»«'.

77. Термооксидирование GaAs во влажном кислороде в присутствии нитрата аммония / Миттова И. Я., Лаврушина С. С., Пшестанчик В. Р., Кроленко Ö. В. и др. // Изв. РАН. Неорг. материалы. 1996. Т. 32. №6. С.1. А/С1 С.С.11. UU 1 ~\J\JJ! .

78. Примесное термооксидирование GaAs с участием метаванадата аммония / Миттова И. Я., Пшестанчик В. Р., Лаврушина С. С. и др. // йзв. АН СССР. Сер. Неорг. материалы. 1994. Т. 30, №5. С. 603-607.

79. Вагнер К. Термодинамика сплавов.- М.; Металлургия. 1957.180с.5 Z400 350 300icn200 150 iööcn