Химическое осаждение пленок нитрида и карбонитрида бора из паров летучих соединений бора тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

-га

\ и На правах рукописи

КОСИНОВА Марина Леонидовна

ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ПЛЕНОК НИТРИДА И КАРБОНИТРИДА БОРА ИЗ ПАРОВ ЛЕТУЧИХ СОЕДИНЕНИЙ БОРА

02.00.04 — физическая химия

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Новосибирск 2000

/ '

Работа выполнена в Институте неорганической химии Сибирского отделения Российской академии наук

Научные руководители академик РАН Ф.А. Кузнецов кандидат химических наук Ю.М. Румянцев

Официальные оппоненты

доктор химических наук, профессор И.К. Игуменов кандидат химических наук Л.Л. Васильева

Ведущая организация

Сибирский физико-технический институт им. акад. В. Д. Кузнецова при Томском госунивсрситсте

Защита состоится "ЛИ" декабря 2000 г. в 10.00 на заседании диссертационного совета Д 002.52.01 в Институте неорганической химии СО РАН по адресу: просп. Акад. Лаврентьева, 3, Новосибирск, 630090

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института неорганической химии СО РАН

Автореферат разослан ноября 2000 г.

Ученый секретарь диссертационного совета кандидат химических наук

Л.М. Буянова

ГЯЯО 4ЪЯ . О

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Химические процессы осаждения из газовой фазы (СУО) получили широкое распространение в различных областях современной науки и техники. В настоящее время происходит постоянное совершенствование существующих и разработка новых газофазных процессов получения различных материалов, обычно в виде тонких слоев. Важное место в этих работах занимает использование нетерми-чсских способов активации газовой фазы и особенно плазмостимулиро-ванных процессов, позволяющих при достаточно низких температурах синтезировать слои многих соединений, в том числе и высокотемпературных. Одним из них является нитрид бора, который уже многие годы привлекает внимание исследователей. В зависимости от фазового и химического состава он имеет различные области применения. Кубический и гексагональный нитрид бора используется в качестве абразивного материала, износоустойчивых и твердых покрытий, высокотемпературной керамики и в микроэлектронике. Гидрированный нитрид бора может использоваться как изовалентный диэлект-

рик в МДП структурах на основе соединений АШВУ, а также в качестве защитного покрытия различных электронных устройств.

Гидрированные полупроводники и диэлектрики— это новый класс активно исследуемых в настоящее время материалов. К числу их преимуществ относятся сравнительная простота получения однородных по толпцше тонкопленочных структур (в том числе и многослойных) при низких температурах осаждения и возможность изменения их физико-химических свойств в широких пределах, варьируя состав пленки. Интересными новыми материалами в группе гидрированных полупроводников и диэлектриков являются так называемые нанокрис-таллические пленки со средним размером "кристаллов" на уровне нескольких десятков нанометров. Они могут служить основой различных композитных и градиентных материалов.

Однако на пути широкого внедрения этих новых материалов в практику стоит ряд нерешенных материаловедческих проблем, в том числе, выяснение механизмов плазмохимического процесса синтеза тонких пленок и образования нанокристаллической фазы в ходе этого синтеза.

Состав, структура и свойства гидрированных пленок определяются механизмом физико-химических превращений, имеющих место в плазме тлеющего разряда и на поверхности растущей пленки. Для обеспечения воспроизводимых условий роста пленок, интенсификации

и оптимизации процессов их получения необходимо комплексное исследование этих явлений.

Одним из наименее изученных является вопрос о структурных особенностях гидрированных пленок и о влиянии структуры на их физико-химические характеристики. В детальном исследовании этих проблем лежит ключ к получению приборных композиций с воспроизводимыми и оптимизированными электрофизическими свойствами.

Говоря о новых материалах, следует подчеркнуть, что в последние годы исследователи проявляют постоянное внимание к изучению процессов создания новых тонкопленочных структур. Учитывая сходство кристаллических структур гексагонального нитрида бора и графита, исследователи предпринимают многочисленные попытки получения тройного соединения с еще более широким спектром свойств — карбо-нитрида бора В СИ и изучения физико-химических свойств этого соединения в зависимости от состава и структуры.

Цель работы. Цель настоящей работы состояла в исследовании процессов синтеза пленок нитрида и карбонитрида бора плазмохими-ческим разложением сложных летучих соединений: боразина и алкил-аминборанов, определении влияния параметров процессов осаждения на физико-химические характеристики получаемых слоев. Исследование термической стабильности тонких слоев гидрированного нитрида бора и определение механизма дегидрирования данных слоев.

При этом решались следующие задачи:

— разработка процесса осаждения пленок гидрированного нитрида бора путем плазмохимического разложения боразина с дополнительным электрическим полем;— разработка процессов синтеза пленок нитрида и карбонитрида

бора путем плазмохимического разложения триметиламинборана и триэгиламинборана и их смесей с аммиаком, водородом, гелием;

— исследование химического и фазового состава, морфологии поверхности и микроструктуры пленок нитрида и карбонитрида бора, осажденных при различных температурах и составах газовой смеси;

— изучение взаимосвязи условий синтеза и физико-химических свойств слоев нитрида и карбонитрида бора;

— исследование термической стабильности тонких слоев гидрированного нитрида бора в температурном интервале 623—1073 К и определение механизма дегидрирования этих слоев.

Научная новизна работы. Разработан метод синтеза пленок нитрида бора и гидрированного нитрида бора плазмохимическим разложением боразина с дополнительным электрическим полем. Определены пути снижения содержания водорода в пленках гидри-'рованного нитрида бора за счет понижения парциального давления боразина в реакторе, введения дополнительного электрического поля и высокотемпературного отжига.

В результате кинетических исследований процесса высокотемпературного отжига впервые определен механизм дегидрирования пленок нитрида бора.

Впервые в плазмохимическом процессе получены пленки карбо-нитрида и нитрида бора с использованием триметиламинборана как молекулярного предшественника. Исследовано влияние параметров процесса плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы (состав исходной газовой смеси, природа активирующего газа, температура подложки) на свойства пленок, синтезированных как из триметиламинборана, так и триэтиламинборана. Варьирование этих параметров позволяет синтезировать слои различного химического и фазового состава (А-ВИ, В4С, их смесь и тройное соединение ВС1Ч).

Для определения фазового состава тонких слоев (200—500 нм) легких элементов впервые использована дифракция синхротронного излучения.

Методами электронной микроскопии высокого разрешения и электронной дифракции локальной области показано, что в зависимости от условий процесса в данных системах возможен синтез слоев различной структуры: аморфных и микрокомпозигов с распределением нанокристаллов в аморфной матрице.

Практическая значимость работы. Разработаны оригинальные новые методики низкотемпературного плазмохимического синтеза тонких пленок следующих соединений: 1) гидрированного нитрида бора ВХЫ|.Х:Н из боразина; 2) гексагонального нитрида бора А-ВЫ из боразина; 3) нитрида, карбида и карбонитрида бора из алкил-аминборанов (триэтил- и триметиламинборана). Проведен комплекс физико-химических исследований, позволяющих определить области оптимальных условий синтеза.

Определен механизм дегидрирования слоев нитрида бора, что является важным для понимания процессов деградации приборных композиций с использованием данных слоев.

На защиту выносятся:

— методики плазмохимических процессов синтеза тонких слоев гидрированного нитрида бора, нитрида и карбида бора, карбонитрида бора разложением летучих соединений бора (боразина, триметил-аминборана, триэтиламинборана);

— результаты физико-химического изучения процесса роста пленок гидрированного нитрида бора, нитрида бора и карбонитрида бора в этих процессах;

— результаты исследования химического, фазового состава и структуры пленок гидрированного нитрида бора, нитрида бора и карбонитрида бора;

— результаты исследования термической стабильности водород-содержащих групп в тонких слоях гидрированного нитрида бора и механизм дегидрирования данных слоев.

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на Европейских конференциях по химическому осаждению из газовой фазы (Венеция, Италия, 1995; Париж, Франция, 1997; Барселона, Испания, 1999); XI, XII и XIII Национальных конференциях по использованию синхротронного излучения (Новосибирск, 1996, 1998,2000); III Международном семинаре по новым материалам памяти М.В. Мохосоева ISNM' 96 (Иркутск, 1996); Международной конференции IUPAC CHEMRAWN IX. Sustainable Production, Use, Disposal and Recycling of Materials and The Role' of Advanced Materials in Sustainable Development (Сеул, Корея, 1996); Европейской конференции по химии бора (Жирона, Испания, 1997); II конференции "Материалы Сибири" (Барнаул, 1998); III АРАМ Topical Seminar "Asian priopities in materials development" (Новосибирск, 1999); I Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (Сендай, Япония, 2000), Всероссийской конференции "Химия твердого тела и функциональные материалы" (Екатеринбург, 2000).

Публикации. Материалы диссертации отражены в 24 публикациях, в том числе: 9 статьях в отечественных и международных журналах и 15 тезисах докладов.

Объем и структура работы. Диссертация состоит из введения, трех глав, выводов и списка литературы. Работа изложена на 162 страницах машинописного текста, включая 52 рисунка и 22 таблицы. Список литературы насчитывает 301 наименование.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность выбранной темы, поставлена цель работы, указаны научная новизна и практическая значимость полученных результатов, сформулированы основные положения, выносимые на защиту.

В нерпой главе представлен обзор литературных данных по физико-химическим свойствам пленок нитрида и карбонитрида бора и рассмотрены области их применения. Описаны методы харакгеризации фаз в системах В—N и В—С—N и процессы осаждения из газовой фазы, используемые для получения слоев гидрированного нигрида, нитрида и карбонитрида бора. Показано, что традиционно в качестве исходных веществ используют галогениды или гидриды бора и аммиак. Рассмотрены методы синтеза и свойства пленок нитрида и карбонитрида бора, полученных газофазным осаждением в системах со сложными боразот-ными соединениями: боразином и алкиламинборанами. Показана перспективность их использования и необходимость дальнейшего исследования этих процессов.

Во второй главе описывается созданная экспериментальная установка для плазмохимического осаждения пленок нигрида и карбонитрида бора. Обоснован выбор исходных веществ: боразина В3Ы3Н0, триметиламиноборана (CH3)3N-BH3 и триэтиламиноборана (C2H5)3N-BH3, в молекулах которых имеются все необходимые элементы для синтеза пленки. Описаны методики роста слоев с использованием указанных соединений. Показана необходимость применения комплекса методик для изучения свойств пленок, а именно: эллипсо-метрни, ИК- и KP- спектроскопии, рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, сканирующей электронной микроскопии, просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения, электронной дифракции локальной области и рентгеновской дифракции синхротрон-ного излучешш. Кратко описаны вышеупомянутые методы исследования химического и фазового состава, структуры и оптических свойств синтезированных слоев.

В третьей главе представлены результаты экспериментальных исследований синтеза и физико-химических свойств пленок нитрида и карбонитрида бора.

В разд. 3.1 рассматривается получение диэлектрических слоев BxNi.*:H методом газофазного разложения боразина B3N3H6, активированного плазмой (PECVD). Парциальное давление боразина в реакторе изменялось в диапазоне 5,5 х 10"3—1,35 х 10"2 Topp. Температура

синтеза варьировалась в пределах Тжгж = 323—775 К. В качестве подложек использовали 81(100), СаАз(ЮО) и кварцевое стекло. Мощность ВЧ-разрада была постоянной величиной и равной «0,3 Вт/см3.

Толщина пленок была 100—300 нм. Скорость роста слоев в исследуемом интервале условий составляла 12—25 нм/мин. Значение показателя преломления (1,60—1,85) тем выше, чем ниже парциальное давление боразина.

По данным ИК-спектроскопии пленки, синтезированные при низких температурах, содержали большое количество водорода. На рис. 1 приведен типичный ИК-спектр пленки В^Ы^Н. Полосы 1370 и 800 см-1 характерны для гексагонального нитрида бора (Л-ВЫ) и вызваны валентными (В—£4) и деформационными колебаниями (В—N—В) решетки. Поглощение при 2550 и 3450 см"1 определяется колебаниями связей В—Н и N—Н, соответственно.

V. ем"1

Рис. 1. Типичный ИК-спеюр пленки B,Ni_,:H, синтезированной из боразииа по методу PECVD {Т„„ = 473 К)

Было проведено измерение вольт-фарадных характеристик МДП-структур с пленками гидрированного нитрида бора (Si(100)/BxNi.;c:H/Al), синтезированных при указанных выше условиях. При Рвзызнб ^ 8 х 10~3 Topp относительная низкочастотная диэлектрическая проницаемость (еш) увеличивается с ростом Гтеаж. При Рвзызнв = 1,35 х 10"2 Topp Em уменьшается в интервале температур 323—523 К, проходит через минимум (523—573 К) и возрастает при Тжлж > 573 К. В области высоких температур характер зависимости п и с1[Ч от То^ при различных давлениях боразина совпадают. На основании полученных данных установлена связь между электрофизическими характеристиками и наличиием водородсодержащих групп в пленке. Сделано предположение о возможном механизме образования пленок B^Ni^H. Показано,

что с ростом температуры синтеза концентрация связей В—N увеличивается, а В—Н и N—Н снижается. Наиболее резко концентрация N—Н связей изменяется в области температур 323—523 К при Рвзшнб = = 1,35 х Ю-2 Topp. Увеличение п и е1П1 с повышением при низких давлениях боразина связано с уплотнением диэлектрического слоя, что характерно для различных диэлектрических слоев, полученных методом плазмохимического осаждения.

Известно, что при повышении общего давления газа в плазмохими-чсском синтезе происходит снижение мощности ВЧ-разряда в заданном сечении реактора, что приводит к снижению степени разложения боразина в процессе. При этом образовавшиеся фрагменты, содержащие водород, встраиваются в пленку и являются поставщиками подвижных ионов (протонов). При Госаж > 573 К происходит более полное разложение боразина за счет термической активации. Это уменьшает количество водородсодержахцих групп в пленке, что вызывает снижение плотности подвижного и фиксированного зарядов.

Увеличение степени разложения боразина может быть достигнуто повышением мощности ВЧ-разряда, снижением давления в реакторе или дополнительной активацией боразина путем добавления легковозбудимого инертного газа (например, Не) в реакционную смесь. При этом можно получить слои A-BN, не содержащие В—Н и N—Н групп при Т= 473 К.

В разд. 3.2 рассматриваются результаты исследования влияния дополнительного постоянного электрического поля на плазмости-мулированный процесс (PECVD) получения слоев нитрида бора при низких температурах, а также на химический состав, строение и электрические характеристики этих слоев. Разность потенциалов между подложкой и дополнительным электродом составляла 0—220 В, причем на подложку подавался отрицательный потенциал. Время осаждения подбиралось таким, чтобы толщина полученных слоев была в пределах 150—170 им. Температура подложки при осаждении поддерживалась постоянной в интервале 473—673 К, давление боразина Лззюнб = 1,5 х 10~2 Topp. Полученны зависимости скорости осаждения нитрида бора (УЖ1Ж), отношения интегрального содержания N—Н связей к интегральному содержанию В—N связей (R = /n_h//b_n), показателя преломления (и), низкочастотной диэлектрической проницаемости (е11Ч) и эффективного заряда в диэлектрическом слое (¿V), определенного по гистерезису C-V характеристик МДП-структур, от приложенного напряжения для двух температур: 473 и 573 К. Согласно

этим данным, наложение электрического поля влияет как на процесс осаждения слоев, так и на их характеристики. С понижением температуры синтеза степень этого влияния увеличивается. Так, при Тоаж 1 473 К с ростом напряжения электрического поля наблюдается уменьшение К, и N в пленке. При 7осаж = 573 К изменения этих параметров, за исключением скорости роста слоя, незначительны. По данным ИК-спекгроскопии, полученные слои не содержат В—Н связей. Следует также отметить, что в пленках, полученных при более высокой температуре (623 К), содержание N—Н связей также находится на уровне фона. При этих условиях получен гексагональный нитрид бора.

Таким образом, использование дополнительного постоянного электрического поля при плазмохимическом осаждении слоев нитрида бора из боразина позволяет снизить температуру роста слоев при сохранении их физико-химических и электрических характеристик. Это иллюстрируют данные, приведенные в табл. 1.

Таблица 1

Условия синтеза н характеристики слоев, полученных из боразнна

Система Метод Условия синтеза Свойства слоев

BJNJH« PECVD Т= 323—773 К Р B3N3H6 = = 5 X 10~—1,3 х 10"2 Topp Косаж= 10—-25 нм/мин Л-BN и= 1,6—1,8 £„4=4—10 р = (5—8) х 1013 Ом-см

BjNÄ PECVD с доп. электр. полем Т = 473—673 К ^B3N3H6 = (1—8)xlO-JTopp Косаж= 10—15 нм/мин / Л-BN и = 1,6—1,75 е1Г1=4—14 р=1 х 101—1 х 10м Ом-см

В разд. 3.3 представлены результаты физико-химического исследования пленок карбонитрида и нитрида бора, впервые полученных в настоящей работе плазмохимическим разложением (PECVD) три-метиламинборана (СНз)зЫ-ВНз (ТМАБ). Синтез слоев осуществлялся при общем давлении в системе Р = 6х 1(Г2 Topp и достаточно низкой температуре подложки (473—973 К). Температура источника ТМАБ поддерживалась постоянной и равной 273 К для всех экспериментов.

Процесс плазмохимического разложения ТМАБ во многом сходен с изученным нами процессом разложения боразина. Основное влияние на кинетику роста и физико-химические свойства слоев оказывают

температура подложки и природа активирующего газа. Синтез слоев осуществлялся как из чистого ТМАБ, так и его смесей с аммиаком, водородом и гелием. Скорость роста слоев изменялась в интервале 1—б нм/мин в зависимости от условий синтеза.

Методом сканирующей электронной микроскопии было установлено, что поверхность пленок однородная, гладкая, без существенных особенностей. Слои имеют хорошую адгезию к подложке Si(100). Толщина пленок равна 150—500 нм.

Показатель преломления пленок, синтезированных из ТМАБ, возрастал от 1,56 до 2,27 при увеличении температуры от 473 до 973 К. Величина п для пленок, полученных из смеси ТМАБ + NH3, меняется как с Госаж, так и с изменением концентрации аммиака в газовой фазе. Это связано с различным химическим составом образующихся слоев, что подтверждается данными ПК-спектроскопии.

Изучение пленок, полученных при разложении ТМАБ и его смесей с другими газами, показало, что при синтезе из ТМАБ образуются слои, ИК-спектры которых содержат лишь широкий пик в интервале 1050—1550 см"1 (рис. 2). Известно, что в этой области наблюдаются колебательные моды В—С (1100 см"1), С—N (1250—1360 см"1) и В—N (1380 см'1) связей, т.е. наличие этого пика, по-видимому, связано с образованием фрагментов В—С—N в пленке. Добавление Не или Н2 в исходную газовую смесь не приводит к изменению вида ИК-спектра, и только введение NH3 существенно меняет картину. При Рыт = 2 х 10~3 Topp в исходной газовой смеси в ИК-спектре пленки также имеется широкий пик, связанный с образованием фрагментов В—С—N. При увеличении Лшз до 9 х 10~3 Topp в ИК-спектре наблюдается поглощение при 780 и 1380 см"1, соответствующее колебательным модам Л-BN.

V, см"'

Рис. 2. ИК спектры пленок, синтезированных из различных исходных газовых смесей с ТМАБ ПрИ Тосхж

773 К

=1=

Й

Jv

20 М 40 30 60 ТО Ю 90 100 110

20

fue. 3. Дифрактограммы пленок, синтезированных из ТМАБ (а) и его смеси с аммиаком (б), при 773 К

♦'в<с Следует отметить, что

•-Ь-Ш в0 всех полученных ИК-*-0(фа4иг) спектрах пленок, синтезированных в исследованном диапазоне условий, отсутствуют колебания, соответствующие водородсодер-жащим связям В—Н, С—Н иЫ—Н.

На рис. 3 представлены рентгенограммы пленок, синтезированных при 773 К и различном составе газовой фазы. На дифракто-грамме имеются пики, принадлежащие Л-ВИ, В4С, графиту, и неопознанные пики, которые, по-видимому, следует приписать новой фазе. Мы полагаем, что это — фаза соединения В СИ нерасшифрованного пока состава. Результаты рент-генофазового анализа хорошо совпадают с данными ИК-спектроскопии и РФЭС.

В разд. 3.4 приведены результаты синтеза и исследования свойств пленок нитрида и карбонитрида бора, синтезированных как плазмохимическим разложением летучего и его смесей с аммиаком, гелием

термическим, так и триэтиламинборана (ТЭАБ) и водородом.

Термическое разложение (LPCVD) ТЭАБ исследовалось в интервале температур 673—973 К и общего давления (4—8) х КГ2 Topp. Температура источника исходного соединения поддерживалась постоянной для всех экспериментов и равнялась 293 К. Толщина пленок была 50—900 нм. Скорость роста пленки увеличивалась с ростом 7'маж от 2 до 14 нм/мин, а показатель преломления изменялся от 2,4 до 2,8.

ИК-спектры образцов имеют только один широкий асимметричный пик в интервале 800—1500 см"1 (рис. 4). В данной области находятся колебательные моды следующих связей: В—С (1100 см"1), С—N (1250—1360 см4) и С—С (1014 см"1). По данным РФЭС, химический состав пленки, выращенной при 873 К, был BCo,6No,(»Oo,2. Рентгенограммы пленок имели очень сложный вид. Пленка представляла собой смесь В4С и элементарного бора (Тжлж = 673 К), с ростом температуры — смесь В4С и графита. По данным просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения и электронной дифракции локальной области, в слоях обнаружены нанокристаллы размером 2—3 нм, распределенные в аморфной матрице. Введение аммиака в исходную газовую смесь изменяет химический и фазовый состав полученных слоев. В этой системе полученные слои являются смесью /г-BN и В4С. В зависимости от концентрации аммиака соотношение фаз в пленке меняется: с увеличением содержания аммиака в газовой фазе возрастает доля /j-BN. В этих слоях имеется большое количество нанокристаллов фазы /з-BN размером 3—5 нм, распределенных в аморфной матрице (рис. 5).

Тонкие пленки карбонитрида бора (150—300 нм) были синтезированы плазмохимическим разложением (PECVD) ТЭАБ при низком давлении (10"2—10"1 Topp) и низких температурах (373—973 К). Температура источника ТЭАБ была постоянной для всех экспериментов и равнялась 289 К. Скорость роста пленок, синтезированных из чистого ТЭАБ, была 3—12 нм/мин. Полученные пленки имели показатель преломления 1,5—2,8 в зависимости от условий синтеза. В исследуемом интервале температур скорость роста уменьшалась с ростом температуры, что типично для плазмохимических процессов, и незначительно зависела от типа материала подложки. Следует подчеркнуть, что ИК

v, см"1

Рис.4. ИК спектры пленок BCN, синтезированных из ТЭАБ и его смеси с аммиаком при 873 К. Исходные вещества: а) ТЭАБ; б) ТЭАБ + NH3 (7 х 10~3 Topp); в) ТЭАБ + NH3 (3 х 10"2 Topp); г) ТЭАБ + NH3 + Не

спектры этих пленок .характеризуются присутствием одного широкого пика при 1100—1500 см"1, что, по-видимому, связано с образованием фрагментов В—С—N. Пленки, синтезированные при очень низких температурах (373—523 К), имеют поглощение при 2914 см"1, что соответствует колебаниям С—Н связи. Спектры РФЭС для Bis, Cls и N15уровней показали, что эти слои имеют фазы, содержащие В—N, С—N, С—С (или С—Н) связи. По данным ИК-спектроскопии и рентгеноструктурного анализа добавление водорода или гелия к ТЭАБ не изменяет химический и фазовый состав пленок, а введение аммиака приводит к образованию единственной фазы h-BN. Результаты этих исследований суммированы в табл. 2.

Таблица 2

Условия синтрза и свойства слоев, синтезированных из алкиламннбораиов

Рис. 5. Электронно-микроскопическое изображение и дифракционная картина локальной области пленки, синтезированной из смеси ТЭАБ + ГШз

Система Метод Условия синтеза Свойства слоев

"гмаб тмаб + Не тмаб+н2 ТМАБ + Шз PECVD Г=423—973 К ртмаб=2,5 х 1 (Г2 Topp г./. 40,68 МГц W= 40 Вт Росаж= 2—5 нм/мин //=1,4—2,5 ВЛС, /¡-BN, B,C,N„ В4С + BN слои различной структуры: аморфные и композиты с распределением нанокристаллов в аморфной матрице

ТЭАБ ТЭАБ + Не ТЭАБ + Н2 ТЭАБ + NHj LPCVD 7 = 623—973 К Ртэаб=4 х 10~2 Topp ^осах= 12-15 нм/мин «=2,0—2,8

PECVD Т = 323—673 К "" ртэаб=2 х 10"2 Topp г./. 40,68 МГц IV = 40 Вт V«3x~ 4—12 им/шаг н = 1,5—1,8

В разд. 3.5 представлены результаты исследования процесса дегидрирования пленок BxNi_x:H при их высокотемпературном отжиге. Исходные пленки BxNi_^:H получали на подложках Si(100) в плазмо-химическом процессе разложения паров боразина с добавлением гелия .как активирующего газа. Условия синтеза подбирались такими, чтобы содержание групп В—Н и N—Н в исходных слоях было достаточным для надежного их обнаружения с помощью ИК-спектроскопии. Температура синтеза была 473 К, толщина слоев 200—400 нм. Полученный слой BxNi_j.:H подвергали высокотемпературному отжигу в вакууме (Р = 3 х 10~3 Topp) в течение определенного времени, снимали ИК-спектр и снова отжигали, повторяя эту процедуру несколько раз. В результате были получены зависимости интегральной интенсивности полос поглощения связей В—Н и N—Н от времени отжига для ряда температур отжига и толщин слоя. Установлено, что в исследуемом интервале температур отжига 673—1073 К можно качественно выделить две области: 673—973 К и 973—1073 К, различающиеся поведением связей В—Н и N—Н. В первой области полоса поглощения связей N—Н не меняется, в то время как интенсивность полосы поглощения связей В—Н уменьшается с ростом температуры. При отжиге выше 973 К связи В—Н быстро исчезают совсем, а интенсивность поглощения связей N—Н уменьшается с увеличением температуры. Скорость изменения при отжиге

растет с температурой, но не зависит от толщины пленок. Анализ кинетических данных позволяет сделать заключение, что процесс дегидрирования пленок BxNi_x:H при отжиге в интервале температур 973—1073 К контролируется разрывом связей N—Н в объеме пленки. Определена энергия разрыва связей N—Н, для данного интервала температуры она равна 221 ± 35 кДж/моль. В области температур 673—973 К процесс дегидрирования слоев определяется, в основном, разрывом связей В—Н. Однако на основании полученных данных он не может быть описан количественно. Имеющиеся в слое связи N—Н, концентрация которых на порядок превышает концентрацию связей В—Н, участвуют в процессе. Они дают небольшое количество водорода, которое смешает равновесие реакции разрыва связей В—Н.

выводы

1. Разработан метод низкотемпературного синтеза пленок нитрида бора и гидрированного нитрида бора плазмохимическим разложением боразина с дополнительным электрическим полем. Показана возможность направленного изменения химического состава и электрофизических характеристик пленок.

2. Определены пути снижения содержания водорода в пленках гидрированного нитрида бора за счет понижения парциального давления боразина в реакторе, введения дополнительного электрического поля и высокотемпературного отжига.

3. В результате кинетических исследований высокотемпературного отжига определен механизм дегидрирования пленок нитрида бора. В области температур 973—1073 К лимитирующей стадией процесса дегидрирования является разрыв связи N—Н. Энергия активации этого процесса равна 221 ± 35 кДж/моль.

4. Впервые плазмохимическим осаждением из газовой фазы получены пленки карбошприда и нитрида бора с использованием триметил-аминборана как молекулярного предшественника.

5. Исследовано влияние параметров процесса плазмостиму-лированного химического осаждения из газовой фазы на свойства пленок, синтезированных из триметил- и триэтиламинборана. Установлена зависимость скорости роста и физико-химических свойств слоев от состава исходной газовой смеси, типа активации, природы активирующего газа и температуры подложки. Варьирование этих параметров позволяет синтезировать слои различного состава (/i-BN, В4С, их смесь и тройное соединение BCN).

6. Дифракция синхротронного излучения впервые применена для исследования структуры тонких (150—300 нм) пленок легких элементов. С помощью это^о метода определены структура и фазовый состав синтезированных тонких пленок нитрида и карбошприда бора.

7. Методами электронной микроскопии высокого разрешения и электронной дифракции локальной области показано, что в зависимости от условий процесса в данных системах возможен синтез слоев различной структуры: аморфных и микрокомпозитов с распределением нанокристаллов в аморфной матрице. Размер обнаруженных нано-кристаллов 2—5 нм.

Основное содержание диссертации изложено в работах:

1. Korshunov A.N., Kosinova M.L., Salman E.G., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Sysoeva N.P., Akkerman Z.L. Charge instability in MIS structures on silicon with PECVD boron nitride thin films // Physica status solidi (a). 1992. V. 133. P. K57—K60.

2. Akkerman Z.L., Kosinova M.L., Salman E.G., Rumyantsev Yu.M., Korshunov A.N., Fainer N.I., Sysoeva N.P. Composition and properties of PECVD silicon and boron nitride films // Proceeding of SPIE Int. Soc. Opt. Eng. 1992. V. 1788. P. 530—540.

3. Коршунов A.H., Косинова M.JI., Сальман Е.Г., Румянцев Ю.М., Файнер Н.И., Аккерман З.Л. Зарядовая нестабильность в МДП-струкгурах на кремнии с нитридом бора, осажденном в плазме // Сб. трудов "Электрическая релаксация и кинетические явления в твердых телах". Санкт-Петербург, 1992. С. 128—132.

4. Аккерман З.Л., Косинова М.Л., Румянцев Ю.М., Сысоева Н.П., Файнер Н.И. Дегидрирование тонких пленок BNX:H в процессе высокотемпературного отжига // Неорган, материалы. 1995. Т. 31, № 1. С. 67—71.

5. Сальман Е.Г., Косинова М.Л., Коршунов А.Н., Бадалян A.M., Поляков О.В., Румянцев Ю.М., Сысоева Н.П., Файнер Н.И. Диэлектрические слои BNX:H, полученные газофазным осаждением, активированным плазмой и дополнительным электрическим полем //Неорган, материалы. 1995. Т. 31, № 12. С. 1541—1544.

6. Kosinova M.L., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Salman E.G., Badalyan A.M., Polyakov O.V. The growth BNX:H layers by PECVD using additional DC field // Abstracts of X European Conference on Chemical Vapour Deposition. Venice, Italy, 1995. P. 25.

7. Yurjev G.S., Maximovskii E.A., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Kosinova M.L. The study of the boron nitride thin layers structure // J.de Physique IV. 1995. V. 5. P. C5-695 — C.5-698.

8. Akkerman Z.L., Kosinova M.L., Fainer N.I., Rumyantsev Yu.M., Sysoeva N.P. Chemical stability of hydrogen-containing boron nitride films obtained by plasma enhanced chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 1995. V. 260. P. 156—161.

9. Kosinova M.L., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Yuijev G.S., Kuznctsov F.A. Structure of RPECVD boron nitride films // Abstracts of

the third Mokhosoev Memorial International Seminar on new Materials. Irkutsk—Novosibirsk, 1996. P. 91.

10. Kosinova M.L., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Yurjev G.S., Kuznetsov F.A. RPECVD boron nitride films // Abstracts IUPAC CHEMRAWN Word Conference on the Role of Advanced Materials in Sustainable Development Seoul, Korea, 1996. P. 110.

11. Kosinova M.L., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Kuznetsov F.A. RPECVD boron nitride layers from borazine as single-source precursor // Proc. the Fourteenth International Conference on CVD and EUROCVD-11. Paris, France, 1997. Electrochemical Society Proceed.

1997. V. 97-25. P. 441—446.

12. Kosinova M.L., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Kuznetsov F.A. RPECVD boron nitride layers from borazine as single-source precursor // Abstract of the ECS and JSE 1997 Joint International Meeting. Paris, France, 1997. P. 2679.

13. Kosinova M.L., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Kuznetsov F.A., Volkov V.V. Borazine as single-source precursor for synthesis of BHX:H film // Abstract of European Conference on Boron Chemistry. Plaja d'Aro, Spain, 1997. P. 105.

14. Косинова M.JI., Макашовский E.A., Румянцев Ю.М., Файнер Н.И., Юрьев Г. С. Изучение структуры тонких пленок карбошпридов бора и кремния дифракцией СИ // Тезисы 12 Национальной конференции по использованию синхротронного излучения СИ' 98. Новосибирск,

1998. С. 116.

15. Косинова М.Л., Файнер Н.И., Румянцев Ю.М. Новые материалы — тонкие слои карбонигридов бора и кремния // Тезисы докладов 2 конференции "Материалы Сибири". Барнаул, 1998. С. 77.

16. Kosinova M.L., Fainer N.I., Rumyantsev Yu.M., Myakishev K.G., Kuznetsov F.A. RPECVD В—С—N thin films obtained by use of an organoboron precursor // Abstracts of International Electron Devices and Materials Symposium. Taiwan, 1998. P. CP-11-P366.

17. Kosinova M.L., Fainer N.I., Rumyantsev Yu.M., Ayupov B.M., Polyakov O.V., Kuznetsov F.A., Petrenko I.P. LPCVD boron carbonitride films // Abstracts of 5 IUMRS Conference in Asia. Bangalore, India, 1998. P. 491.

18. Kosinova M.L., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Myakishev K.G., Volkov V.V., Dolgovesova I.P., Aupov B.M., Kuznetsov F.A. Boron carbonitride thin films obtained by use of organoboron precursors // Abstracts of the 3 АРАМ Topical Seminar. Novosibirsk, Russia,

1999. P. 89.

19. Kosinova M.L., Faincr N.I., Rumyantscv Yu.M., Golubcnko A.N., Kuznetsov F.A. LPCVD boron carbonitride films from triethylaminc borane//J. Phys. IV. 1999. V. 9. P. Pr8-915—Pr8-921.

20. Румянцев Ю.М., Файнер Н.И., Косинова М.Л., Кузнецов Ф.А. Элементоорганическне соединения как исходные вещества для синтеза карбонитридов кремния и бора // Тезисы 7 Всероссийской конференции по металлоорганической химии. Москва, 1999. С. П-6.

21. Косинова M.JL, Макашовский Е.А., Румянцев Ю.М., Файнер Н.И., Кузнецов Ф.А. Изучение структуры пленок карбошприда бора, синтезированных из триметиламинборана // Материалы 13 Российской конференции по использованию синхротронного излучения. Новосибирск, 2000. С. 209—211.

22. Kosinova M.L., Rumyantsev Yu.M., Fainer N.I., Terauchi M., Shibata K., Satoli F., Tanaka M., Kuznetsov F.A. Synthesis and properties of boron nitride and boron carbonitride films // Abstract Book: The 1 Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology. Sendai, Japan, 2000. P. 457.

23. Fainer N.I., Kosinova M.L., Yuijev G.S., Maximovskii E.A., Rumyantsev Yu.M., Asanov I.P. The structure study of thin boron and silicon carbonitride films by diffraction of synchrotron radiation // Nuc.

Instr. Metli. Phys. Res.. 2000. V. A 448. P. 294—298.

24. Румянцев Ю.М., Косинова M.JI., Файнер Н.И., Максимовский Е.А., Аюпов Б.М., Долговесова И.П., Асанов И.П., Данилович B.C., Кузнецов Ф.А. Нанокристаллические тонкие слои карбонитрида бора, полученные плазмохимическим разложением летучих аминборанов // Тезисы докладов Всероссийской конференции "Химия твердого тела и функциональные материалы".

Екатеринбург, 2000. С. 320—321.

ЛР №020909 от 01.09.94. Подписано к печати и в свет 17.11.2000. Формат 60x84/16. Бумага офсетная № 2. Гарнитура «Times New Roman». Печать офсетная. Печ. л. 1,3. Уч-изд. л. 0,85. Тираж 100. Заказ № 122. Издательство Сибирского отделения РАН. Институт неорганической химии СО РАН. Просп. Акад. Лаврентьева, 3, Новосибирск, 630090.

ВВЕДЕНИЕ.

1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

1.1. Области применения и физико-химические свойства слоев нитрида и карбонитрида бора.

1.2. Методы характеризации фаз в системах В-Ы и В-С-Ы.

1.3. Процессы осаждения из газовой фазы, используемые для получения слоев нитрида и карбонитрида бора.

1.3.1. Синтез пленок нитрида бора осаждением из газовой фазы в системах с боразином.

1.3.2. Газофазные процессы осаждения слоев карбонитрида бора.

1.3.3. Исследование термической стабильности слоев гидрированного нитрида бора.

Химические процессы осаждения из газовой фазы (С\Т)) получили широкое распространение в различных областях современной науки и техники. В настоящее время происходит постоянное совершенствование существующих и разработка новых газофазных процессов получения различных материалов, обычно в виде тонких слоев. Важное место в этих работах занимает использование нетермических способов активации газовой фазы и особенно плазмостимулированных процессов, позволяющих при достаточно низких температурах синтезировать слои многих соединений, в том числе и высокотемпературных. Одним из них является нитрид бора, который уже многие годы привлекает внимание исследователей. В зависимости от фазового и химического состава он имеет различные области применения. Кубический и гексагональный нитрид бора используется в качестве абразивного материала, износоустойчивых и твердых покрытий, высокотемпературной керамики и в микроэлектронике. Гидрированный нитрид бора ВХ1Я1.Х:Н может использоваться как изовалентаый диэлектрик в МДП структурах на основе соединений АШВУ, а также в качестве защитного покрытия различных электронных устройств.

Гидрированные полупроводники — это новый класс аморфных полупроводниковых материалов [1], начало которым положено в середине семидесятых годов работами по гидрированному аморфному кремнию Sr.Il Оказалось, что при введении в аморфный кремний атомарного водорода, замыкающего на себя «болтающиеся» связи, свойства этого материала коренным образом изменяются: резко (на несколько порядков) уменьшается плотность состояний в запрещенной зоне, возрастает проводимость, появляется возможность его контролируемого легирования донорными и акцепторными примесями, а также создание р-п - переходов. К настоящему времени синтезирован еще ряд гидрированных аморфных полупроводников и диэлектриков, также обладающих очень интересными электрическими и оптическими свойствами: Б^Сх^Н, 8Ь-хОех:Н, 8м.хМх:Н, С:Н и В^хЫх.'Н. К числу принципиальных преимуществ использования этих материалов в электронной технике относятся их малая стоимость и сравнительная простота получения однородных по толщине тонкопленочных структур (в том числе и многослойных) при низких температурах осаждения, а также их специфические физико-химические свойства, которые можно изменять в широких пределах, варьируя состав пленки. Наиболее распространенным методом получения гидрированных полупроводников и диэлектриков является разложение летучих соединений соответствующих элементов в ВЧ-плазме тлеющего разряда.

Интересными новыми материалами в группе гидрированных полупроводников и диэлектриков являются так называемые микрокристаллические (или нанокристаллические) пленки. Такие пленки, как правило, получают при достаточно высокой мощности тлеющего разряда или путем быстрого термического отжига обычных гидрированных аморфных пленок. В отличие от последних, они имеют как бы «микрокристаллическую» структуру со средним размером «кристаллов» на уровне нескольких десятков нанометров. Микрокристаллические пленки обладают большей шириной запрещенной зоны и большей проводимостью по сравнению с гидрированными аморфными аналогами [2].

Несмотря на сравнительно короткую историю, гидрированные материалы и, прежде всего, пленки БШ и многослойные структуры (в том числе и гетероструктуры) на их основе уже достаточно широко используются на практике. Солнечные батареи, фотоприемники, координатно-чувствительные детекторы ионизирующих излучений, тонкопленочные полевые транзисторы, фоточувствительные слои в электрофотографии и лазерных принтерах, светодиоды - вот далеко не полный перечень приборных применений гидрированного кремния и родственных ему материалов. Однако на пути широкого промышленного внедрения гидрированных материалов в электронное приборостроение стоит еще ряд нерешенных материаловедческих и технологических проблем.

Одной из основных проблем является синтез новых гидрированных материалов, создание эффективной технологии получения однородных по толщине и свойствам пленок. Состав, структура и свойства гидрированных пленок определяются механизмом физико-химических превращений, имеющих место в плазме тлеющего разряда или в газовой фазе (если речь идет о традиционных методах осаждения из газовой фазы) непосредственно в зоне осаждения, а также на ростовой поверхности, и существенным образом зависят от условий выращивания. Комплексное исследование этих процессов позволит обеспечить воспроизводимые условия роста пленок на всей площади подложки, интенсифицировать и оптимизировать процессы их получения.

Одним из наименее изученных является вопрос о структурных особенностях гидрированных пленок и о влиянии структуры на фундаментальные физико-химические характеристики получаемых композиций. В детальном исследовании этих проблем лежит ключ к получению приборных композиций с воспроизводимыми и оптимизированными структурой и электрофизическими свойствами. Если для пленок БШ к настоящему времени достигнут значительный прогресс в этом направлении, то пленки других гидрированных материалов еще существенно им уступают как по глубине изучения их структурных характеристик, так и по возможности воспроизводимого управления их электрическими и оптическими свойствами.

Много неясного остается еще в понимании природы и роли водорода в формировании свойств пленок и особенностей поведения водорода в процессе эксплуатации приборов, а также физико-химических процессов, лежащих в основе деградации приборных структур под влиянием освещения, нагрева, ионизирующей радиации и других видов внешних воздействий. От четкого понимания всех этих проблем непосредственно зависит решение задачи создания приборных композиций со стабильными рабочими характеристиками. Также пока слабоизученными являются проблемы, связанные с получением стабильных во времени микрокристаллических гидрированных пленок с воспроизводимыми и управляемыми структурой и свойствами.

Последние годы исследователи проявляют устойчивое внимание к изучению процессов создания новых тонкопленочных структур. Учитывая сходство кристаллических структур гексагонального нитрида бора и графита, предпринимается много попыток получения тройных соединений с еще более широким спектром свойств, например, карбонитрида бора ВСЫ [3].

Цель настоящей работы состояла в исследовании процессов синтеза пленок нитрида и карбонитрида бора плазмохимическим разложением сложных летучих соединений: боразина и алкиламинборанов, в определении влияния параметров процессов осаждения на физико-химические характеристики получаемых слоев, в исследовании термической стабильности тонких слоев гидрированного нитрида бора и определении механизма дегидрирования данных слоев.

При этом решались следующие задачи: разработка процесса осаждения пленок гидрированного нитрида бора путем плазмохимического разложения боразина с дополнительным электрическим полем; разработка процессов синтеза пленок нитрида и карбонитрида бора путем плазмохимического разложения триметиламинборана и триэтиламинборана и их смесей с аммиаком, водородом, гелием; исследование химического и фазового состава, морфологии поверхности и микроструктуры пленок нитрида и карбонитрида бора, осажденных при различных температурах и составах газовой смеси; изучение взаимосвязи условий синтеза и физико-химических свойств слоев нитрида и карбонитрида бора; исследование термической стабильности тонких слоев гидрированного нитрида бора в температурном интервале 623—1073 К и определение механизма дегидрирования этих слоев.

Научная новизна работы. Разработан метод синтеза пленок нитрида бора и гидрированного нитрида бора плазмохиминеским разложением боразина с дополнительным электрическим полем. Определены пути снижения содержания водорода в пленках гидрированного нитрида бора за счет понижения парциального давления боразина в реакторе, введения дополнительного электрического поля и высокотемпературного отжига.

В результате кинетических исследований процесса высокотемпературного отжига впервые определен механизм дегидрирования пленок нитрида бора.

Впервые в плазмохимическом процессе получены пленки карбонитрида и нитрида бора с использованием триметиламинборана как молекулярного предшественника. Исследовано влияние параметров процесса плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы (состав исходной газовой смеси, природа активирующего газа, температура подложки) на свойства пленок, синтезированных как из триметиламинборана, так и триэтиламинборана. Варьирование этих параметров позволяет синтезировать слои различного химического и фазового состава (Ь-ВЫ, В4С, их смесь и тройное соединение ВСЫ).

Для определения фазового состава тонких слоев (200—500 нм) легких элементов впервые использована дифракция синхротронного излучения.

Методами электронной микроскопии высокого разрешения и электронной дифракции локальной области показано, что в зависимости от условий процесса в данных системах возможен синтез слоев различной структуры: аморфных и микрокомпозитов с распределением нанокристаллов в аморфной матрице.

Практическая значимость работы. Разработаны оригинальные новые методики низкотемпературного плазмохимического синтеза тонких пленок следующих соединений: 1) гидрированного нитрида бора ВхМьх:Н из боразина; 2) гексагонального нитрида бора Ь-ЕШ из боразина; 3) нитрида, карбида и карбонитрида бора из алкил-аминборанов (триэтил- и триметиламинборана). Проведен комплекс физико-химических исследований, позволяющих определить области оптимальных условий синтеза,

Определен механизм дегидрирования слоев нитрида бора, что является важным для понимания процессов деградации приборных композиций с использованием данных слоев.

На защиту выносятся: методики плазмохимических процессов синтеза тонких слоев гидрированного нитрида бора, нитрида и карбида бора, карбонитрида бора разложением летучих соединений бора (боразина, триметиламинборана, триэтиламинборана); результаты физико-химического изучения процесса роста пленок гидрированного нитрида бора, нитрида бора и карбонитрида бора; результаты исследования химического, фазового состава и структуры пленок гидрированного нитрида бора, нитрида бора и карбонитрида бора; результаты исследования термической стабильности водородсодержащих групп в тонких слоях гидрированного нитрида бора и механизм дегидрирования данных слоев.

ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

выводы

1. Разработан метод низкотемпературного синтеза пленок нитрида бора и гидрированного нитрида бора плазмохимическим разложением боразина с дополнительным электрическим полем. Показана возможность направленного изменения химического состава и электрофизических характеристик пленок.

2. Определены пути снижения содержания водорода в пленках гидрированного нитрида бора за счет понижения парциального давления боразина в реакторе, введения дополнительного электрического поля и высокотемпературного отжига.

3. В результате кинетических исследований высокотемпературного отжига определен механизм дегидрирования пленок нитрида бора. В области температур 973—1073 К лимитирующей стадией процесса дегидрирования является разрыв связи N—Н. Энергия актива-ции этого процесса равна 221 ± 35 кДж/моль.

4. Впервые плазмохимическим осаждением из газовой фазы получены пленки карбонитрида и нитрида бора с использованием триметиламинборана как молекулярного предшественника.

5. Исследовано влияние параметров процесса плазмостимулированного химического осаждения из газовой фазы на свойства пленок, синтезированных из триметил- и триэтиламинборана. Установлена зависимость скорости роста и физико-химических свойств слоев от состава исходной газовой смеси, типа активации, природы активирующего газа и температуры подложки. Варьирование этих параметров позволяет синтезировать слои различного состава (Л-BN, В4С, их смесь и тройное соединение BCN).

6. Дифракция синхротронного излучения впервые применена для исследования структуры тонких (150—300 нм) пленок легких элементов. С помощью этого метода определены структура и фазовый состав синтезированных тонких пленок нитрида и карбонитрида бора.

7. Методами электронной микроскопии высокого разрешения и электронной дифракции локальной области показано, что в зависимости от условий процесса в данных системах возможен синтез слоев различной структуры: аморфных и микрокомпозитов с распределением нанокристаллов в аморфной матрице. Размер обнаруженных нанокристаллов 2—5 нм.

3.6. ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В настоящем исследовании было проведено изучение процессов роста тонких слоев на основе нитрида бора. Особенностью работы является применение в качестве исходных веществ сложных летучих боразотных соединений таких как, боразин ВзКзНб, триметиламинборан (СНз^ИВНз и триэтиламинборан (СгН5)3]ЧВНз, содержащих в молекуле все необходимые для синтеза пленок элементы.

В основе всех изученных процессов синтеза была активация этих соединений в газовой фазе и их разложение с образованием различных слоев. Особое внимание было уделено плазмостимулированным процессам. При этом основная часть работы посвящена изучению физико-химических свойств полученных слоев и их связи с условиями проведения процессов.

В результате проведенной работы установлено, что состав и свойства слоев определяются природой исходного вещества, методом активации газовой фазы, составом исходной газовой фазы, температурой синтеза.

В зависимости от выбора исходного боразотсодержащего соединения и условий синтеза в этих процессах можно получить пленки гексагонального нитрида бора, гидрированного нитрида бора, карбида бора и карбонитрида бора и их смеси. В работе показаны пути изменения содержания водорода в пленках гидрированного нитрида бора ВХК].Х:Н, синтезированных методом РЕСУО, за счет понижения парциального давления боразина, введения газа активатора (гелий, водород), использования дополнительного постоянного электрического поля в зоне реакции, а также последующего высокотемпературного отжига.

В случае пленок, синтезированных из сложных алкиламинборанов, определена возможность варьирования содержания углерода в полученных слоях и пути изменения фазового состава пленок за счет добавления аммиака в газовую фазу. Следует подчеркнуть, что выбор триметиламинборана оказался особенно удачным для получения качественных слоев заданного состава.

Полученные результаты по синтезу и исследованию свойств пленок нитрида и карбонитрида бора позволяют сделать следующий шаг по изучению химической стойкости, механических и трибологических свойств этих слоев, которые важны для их практического применения. Также, с нашей точки зрения, необходимо расширить круг исходных веществ (производные боразина - триметилборазин, более сложные алкиламинбораны и т.д.) для создания новых процессов синтеза и получения материалов с новыми полезными свойствами. Необходимо уделить большее внимание синтезу нанокристаллических слоев, изучению их свойств, структуры и созданию на их основе композитов, как однородных по толщине слоя, так и градиентных.

1. Мильвидский М.Г., Уфимцев В.Б. Полупроводниковые материалы на современном этапе развития твердотельной электроники // Неорган, материалы. 2000. Т.36. N3. С.360-368.

2. Мильвидский М.Г. Актуальные проблемы технологии и материаловедения полупроводников // Материаловедение. 1997. №5. С.36-48.

3. Kawaguchi М., Bartlett N. Syntheses, structure and intercalation chemistry of B/C/N materials based on the graphite network // Ed. Nakajima T. Fluorine-Carbon and FluorideCarbon Materials // Marcel Dekker, Inc. 1995. P. 187-238.

4. Самсонов Г.В. Неметаллические нитриды. // M.: Металлургия. 1969.264с.

5. Косолапова Т.Я. Карбиды // М.: Металлургия. 1968. 299с.

6. Самсонов Г.В., Виницкий И.М. Тугоплавкие соединения // М.: Металлургия. 1976. 558с.

7. Гнесин Г.Г. Бескислородные керамические материалы // Киев.: Техника. 1987. 152с.

8. Лавренко В.А., Гогоци Ю.Г. Коррозия конструкционной керамики // М.: Металлургия. 1989. 200с.

9. Турчанин А.Г., Турчанин М. А. Термодинамика тугоплавких соединений карбидов и карбонитридов //М.: Металлургия. 1991. 352с.

10. Raj R. Fundamental research in structural ceramics for service near 2000°C // J. Am. Ceram. Soc. 1993. V.76. N9. P.2147-2174.

11. Батыгина Э.И., Батыгин B.H. Нитрид бора. Свойства и применение в электронике. // Обзоры по электронной технике. 1971. №19 (320). 30с.

12. Эльбор в машиностроении // под ред. Лысанова B.C. Лениниград.: Машиностроение. 1978. 280с.

13. Голубев А.С.,Курдюмов А.В., Пилянкевич А.Н., Нитрид бора. Структура, свойства, получение//Киев.: Наукова думка. 1987. 199с.

14. Полиморфные модификации углерода и нитрида бора. // Справочник под ред. Курдюмова А.В., Малоголовеца В.Г., Новикова Н.В., Пилянкевича А.Н., Шульмана Л.А. М., Металлургия. 1994. 318с.

15. Veprek S. The search for novel, superhard materials // J. Vac. Sci. Technol. 1999. V.A17. N5. P.2401-2420.

16. Богатырева Г.П., Зусманов E.P., Котова H.B., Маевский В.М., Ройцин А.Б. Физические свойства нитрида бора под воздействием агрессивных сред //

17. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 1997. №10. С.99-109.

18. Панасюк А.Д., Фоменко B.C., Глебова Г.Г. Стойкость неметаллических материалов в расплавах //Киев.: Наукова думка. 1986. 352с.

19. Konyashin I., Bill J., Aldinger F. Plasma-assisted CVD of cubic boron nitride // Adv. Mater. Chem. Vap. Deposition. 1997. Y.3. N5. P.239-255.

20. Davis R.F. Current status of the research on Ш-V mononitride thin films for electronic and optoelectronic application // Ed. Freer R. The Physics and Chemistry of Carbides, Nitrides andBorides. Series S: Applied Sciences. 1990. V.185. P.653-669.

21. Edgar J.H. Prospects for device implementation of wide band gap semiconductors // J. Mater. Res. 1992. V.7. N1. P.235-252.

22. Kapoor V.J., Skebe G.G. Boron nitride thin insulating films on GaAs compound semiconductors //Mat. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.353-374.

23. Yamaguchi E. Thin film boron nitride for semiconductor application // Mat. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.329-352.

24. Wentorf R.H. Cubic form of boron nitride // J.Chem. Phys. 1957. V.26. N4. P.956.

25. Bundy F.P., Wentorf R.H. Direct transformation of hexagonal boron nitride to denser forms //J. Chem. Phys. 1963. V.38. N5. P. 1144-1149.

26. Wentorf R.H. Synthesis of the Cubic Form of Boron Nitride // J. Chem. Phys. 1961. V.34. N3. P. 809-812.

27. Wentorf R.H. Condensed system at high pressure and temperatures // J.Phys.Chem. 1959. V.63. Noll. P. 1934-1940.

28. Corrigan F.R., Bundy F.P. Direct Transition among the allotropic forms of boron nitride at high pressures and temperatures // J. Chem. Phys. 1975. V.63. N9. P.3812-3820.

29. Мазуренко A.M., Лысенко А. А. О граничных условиях и особенностях превращения гексагонального нитрида бора в кубический // Изв. Акад. Наук БССР, Сер. Физ.-мат. Наук. 1978. №6. С. 108-110.

30. Сирота Н.Н., Мазуренко A.M. Кинетика превращения графитоподобного нитрида бора в кубическую модификацию // ДАН СССР. 1978. Т.241. №4. С.884-887.

31. Сирота Н.Н., Кофман Н.А. Полиморфные а—(3 превращения нитрида бора // ДАН СССР. Т.249. №6. С. 1346-1348.

32. Верещагин Л.Ф., Гладкая И.С.,Дубицкий Г.А., Слесарев В.Н. Синтез монокристаллов кубического нитрида бора в системах, содержащих водород // Изв. АН СССР. Неорган. Матер. 1979. Т. 15. №2. С.256-259.

33. Mishima О., Yamaoka S., Fukunaga О. Crystal growth of cubic boron nitride by temperature difference method at «55 kbar and *1800°C // J. Appl. Phys. 1987. V.61. P.2822-2825.

34. Kagamida M., Kanda H., Akaishi M., Nukui A., T.Osawa T., Yamaoka S. Crystal growth of cubic boron nitride using U3BN2 solvent under high temperature and pressure // J. Cryst. Growth. 1989. V.94. P.261-269.

35. Соложенко B.JI., Леонидов В .Я. К термодинамике превращения графитоподобной модификации нитрида бора в кубическую // ЖФХ. 1988. Т.62. N11. С.3145-3146.

36. Соложенко В.Л. О фазовой диаграмме нитрида бора // ДАН СССР. 1988. Т.301. №1. С.147-149.

37. Соложенко В.Л., Чайковская И.Я., Соколов А.Н., Шульженко А.А. Термодинамические характеристики кубического нитрида бора в интервале 298-930К//ЖФХ. 1987. Т.61. №3. С.801-803.

38. Соложенко В.Л., Ячменев В.Е., Вильковский В.А., Соколов А.Н., Шульженко А.А. Теплоемкость и термодинамические функции монокристаллов кубического нитрида бора в интервале 4—300 К // ЖФХ. 1987. Т.61. №10. С.2816-2818.

39. Соложенко В.Л., Ячменев В.Е., Вильковский В.А., Петруша И.А. Теплоемкость и термодинамические функции поликристаллического кубического BN при 4 — 300 К //Изв. АН СССР. Неорган, матер. 1989. Т.25. №1. С. 160-162.

40. Соложенко В.Л., Чайковская И.Я., Петруша И.А. Термодинамические характеристики поликристаллического нитрида бора при 300-—1600К // Изв. АН СССР. Неорган.Матер. 1989. Т.25. №10. С. 1672-1675.

41. Лустерник В.Е., Соложенко В.Л. Теплоемкость и термодинамические функции монокристаллов сфалеритного нитрида бора в диапазоне 300—1100К // ЖФХ. 1992. Т.66. №5. С. 1186-1191.

42. Гавричев К.С., Горбунов В.Е., Соложенко В.Л., Тотрова Г.А., Голушина Л.Н. Теплоемкость и термодинамические функции ромбоэдрического BN при 15—ЗООК //ЖФХ. 1992. Т.66. №10. С.2824-2828.

43. Gavrichev K.S., Solozhenko V.L., Gorbunov V.E., Golushina L.N., Totrova G.A., Lazarev V.B. Low-temperature heat capacity and thermodynamic properties of four boron nitride modifications // Thermochim. Acta. 1993. V.217. P.77-89.

44. Solozhenko V.L. Thermodynamics of dense boron nitride modifications and a new phase P, T diagram for BN // Thermochim. Acta 1993. V.218. P.221-227.

45. Соложенко В.Л. Термодинамические характеристики графитоподобных модификаций нитрида бора в диапазоне 300-1700К // ЖФХ. 1993. Т.67. №8. С. 1580-1582.

46. Леонидов В.Я, Тимофеев И.В., Лазарев В.Б., Бочко A.B. Энтальпия образования вюрцитного нитрида бора // ЖНХ. 1988. Т.ЗЗ. N6. С.1597-1600.

47. Леонидов В.Я., Тимофеев И.В., Соложенко В.Л., Родионов И.В. Энтальпия образования кубического нитрида бора // ЖФХ. 1987. Т.61. N10. С. 2851-2852.

48. Леонидов В.Я., Тимофеев И.В., Соложенко В.Л. Калориметрия реакции с фтором в бомбе. Энтальпии образования графитоподобного, кубического и вюрцитного нитрида бора // Термодинамика химических соединений. Горький. 1988. С. 16-18.

49. Solozhenko V.L., Turkevich V.Z. Thermoanalytical study of the polymorphic transformation of cubic into graphite-like boron nitride // J. Therm. Anal. 1992. V.38. P.1181-1188.

50. Solozhenko V.L. Thermoanalytical study of the polymorphic transformations of wurtzitic boron nitride modification into graphite-like ones // J. Therm. Anal. 1995. V.44. N1. P.97-103.

51. Solozhenko V.L., Will G., Hupen H., Elf F. Isothermal Compression of Rhombohedral Boron Nitride Up to 14 GPa // Solid State Commun. 1994. V.90. P. 65-67.

52. Solozhenko V.L., Will G., Elf F. Isothermal compression of hexagonal graphite-like boron nitride up to 12 GPa // Solid State Commun. 1995. V.96. N1. P. 1-3.

53. Solozhenko V.L., Hausermann D., Mezouar M., Kunz M. Equation of state of wurtzitic boron nitride to 66 GPa // Appl. Phys. Lett. 1998. V.72. N14. P. 1691-1693.

54. Solozhenko V.L., Peun T. Compression ans thermal expansion of hexagonal graphite-like boron nitride up to 7 GPa and 1800 К // J. Phys. Chem. Solids. 1997. V.58. N9. P.1321-1323.

55. Solozhenko V.L. Thermodynamics of dense boron nitride modifications and a new phase-P,T diagram for BN // Thermochim. Acta 1993. V.218. P.221-227.

56. Solozhenko V.L. New concept of BN phase diagram: An applied aspect // Diamond Relat. Mater. 1994. V.4. N1. P. 1-4.

57. Solozhenko V.L. Current trends in the phase diagram of boron nitride // J. Hard. Mater. 1995. V.6. P.51-65.

58. Solozhenko V.L., Turkevjch, Holzapfel W.B. Refined Phase Diagram of Boron Nitride // J. Phys. Chem. B. 1999. V.103. P.2903-2905.

59. Demazeau G. Growth of Cubic Boron Nitride by Chemical Vapor Deposition and High-Pressure High-Temperature Synthesis // Diamond Relat. Mater. 1993. V.2. N2-4. P. 197-200.

60. Sachdev H., Haubner R., Noth H, Lux B. Investigation of the c-BN/h-BN phase transformation at normal pressure // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P.286-292.

61. Albe K. Theoretical study of boron nitride modifications at hydrostatic pressures // Phys.Rev. V.B55. N10. P.6203-6210.

62. Fukunaga O. The equilibrium phase boundary between hexagonal and cubic boron nitride //DiamondRelat. Mater. 2000. V.9. P.7-12.

63. Курдюмов A.B., О дефектах упаковки в графитоподобном нитриде бора // Кристаллография. 1975. Т.20. №5. С.969-973.

64. V.V.Khvostov, LYu.Konyashin, E.N.Shouleshov, V.G.Babaev, M.B.Guseva. Surface modification of boron nitride in hydrogen plasma // Appl. Surf. Sci. 2000. V.157. P.178-184.

65. Самсонов Г.В., Портной К.И., Сплавы на основе тугоплавких соединений // Москва.: Оборонгиз. 1961. 304с.

66. Шахнес Ю.А., Кауфман В.Г. Исследование работы опытно-промышленной установки электролизного борирования с тиглем из карбонитрида бора // Сб. Методы получения, свойства и применения нитридов. Киев. 1972. С173-177.

67. Akkerman Z.L., Efstathiadis Н., Smith F.W. Thermodinamic modeling of atomic bonding in covalent Cx(BN)i.x alloys // Proced. Mat. Res. Soc. Symp. 1996. V.410. P.217-222.

68. Tateyama Y., Ogitsi Т., Kusakabe K., Tsuneyuki S. Proposed synthesis path for heterodiamondBC2N. //Phys. Rev. 1997. V. B55. N16. P.R10161-R10164.

69. Hegemann D., Riedel R., Oerh C. Influence of single-source precursors on PACVD-derived boron carbonitride thin films. // Thin Solid Films. 1999. V.339. P. 154-159.

70. Watanabe M.O., Itoh S., Mizushima K., Sasaki T. Electrical properties of BC2N thin films prepared by chemical vapor deposition. // J. Appl. Phys. 1995. V.78. N4. P.2880-2882.

71. Watanabe M.O., Sasaki Т., Itoh S., Mizushima K. Structural and electrical characterization of BC2N thin films. // Thin Solid Films. 1996. V.281/282. P.334-336.

72. Kaner R.B., Kouvetakis J., Warble C.E., Sattler M.L., Bartlett N. Boron-Carbon-Nitrogen materials of graphite-like structure // Mater. Res. Bull. 1987. V.22. N3. P.399-404.

73. Liu A.Y., Wentzcovitch R.M., Cohen M.L. Atomic arrangement and electronic structure ofBC2N//Phys Rev. 1998. V.B39. N3. P. 1760-1765.

74. Kawaguchi M. B/C/N Materials Based on the Graphite Network I I Adv. Mater. 1997. V.9. N8. P.615-625.

75. Perrone A., Caricato A.P., Luches A., Dinescu M., Ghica C., Sandu V., Andrei A. Boron earbonitride films deposited by pulsed laser ablation // Appl. Surf. Sci. 1998. Y.133. P.239-242.

76. Косолапова Т.Я., Андреева T.B., Бартницкая Т.Б., Гнесин Г.Г., Макаренко Г.Н., Осипова И.И., Прилуцкий Э.В. Неметаллические тугоплавкие соединения. М.: Металлургия. 1985. 928с.

77. Панасюк А.Д., Фоменко B.C., Глебова Г.Г. Стойкость неметаллических материалов в расплавах. Справочник. //Киев.: Наукова думка. 1986. 352с.

78. Ивановский A.JL, Швейкин Г.П. Квантовая химия в материаловедении. Неметаллические тугоплавкие соединения и неметаллическая керамика. Екатеринбург: Изд-во "Екатеринбург". 2000. 339с.

79. McKenzie D.R., Sainty W.G., Green D. Synthesis and properties of boron nitride. // Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P. 193-206.

80. Mirkarimi P.B., McCarty K.F., Medlin D.L. Review of advanced in cubic boron nitride film synthesis. // Mater. Sci. Engin. 1997. V.R21. P.47-100.

81. Brame E.G., Margrave J.L., Meloche V. W. Infra-red spectra of inorganic solids П. Oxides, nitrides, carbides, andborides //J. Inorg. Nucl. Chem. 1957. V.5. P.48-52.

82. Li P.-C., Lepie M.P. Infrared transmission of pyrolytic boron nitride // J. Amer. Ceram. Soc. 1965. V.48. N5. P.277-278.

83. Geick R., Perry C.H., Rupprecht G. Normal modes in hexagonal boron nitride // Phys. Rev. 1966. V. 146. N2. P.543-547.

84. Чукалин В.И., Чуканов H.B., Гуров C.B. и др. Структурные особенности и ИК-спектры поглощения ультрадисперсного нитрида бора // Порошковая металлургия. 1988. №1. С.85-91.

85. Гудкова И.Ю., Раевский А.В., Розенберг А.С., Чуканов Н.В. О некоторых структурных особенностях дисперсного нитрида бора // Поверхность. Физ., хим., механ. 1988. №8. С.61-69.

86. Чукалин В.И., Чуканов Н.В., Гуров С.В., Структурные искажения в ультрадисперсном нитриде бора // ДАН СССР. 1989. Т.307. №6. С.1376-1380.

87. Чукалин В.И., Чуканов Н.В., Гуров С.В., Троицкий В.Н., Филатова Н.Е., Резникова Т.В., Домашнева Е.П. Структурные особенности и ИК-спектры поглощения ультрадисперсного нитрида бора//Порошк. металлург. 1988. №1. С.85-91.

88. Чуканов Н.В., Кумпаненко И.В., Эволинский В.П., Лосев В.В., Ипполитова С.Ф., Бондаренко С.П. Зависимость ширины ИК-спектральных полос от размеров молекулярных образований, имеющих двухмерную квазипериодическую структуру /Поверхность. 1997. №9. С.65-69.

89. Малоголовец В.Г., Якименко В.М., Петруша И.А. Спектры ИК-поглощения монокристаллами кубического нитрида бора // Синтетические алмазы. 1976. №2. С.10-12.

90. Lin P., Deshpandey С., Doerr H.J., Bunshah R.F., Chopra K.L., Yankar V. Preparation and properties of cubic boron nitride coatings // Thin Solid Films. 1987. Y.153. P.487-496.

91. Накамото К., Инфракрасные спектры неорганических и координационных соединений//М.: Мир. 1966. 411с.

92. Kim I.-H., Kim K.-S., Kim S.-H., Lee S.-R. Synthesis of cubic boron nitride films using a helicon wave plasma and reduction of compressive stress // Thin Solid Films. 1996. V.290-291. P. 120-125.

93. Friedmann T.A., Mirkarimi P.B., Medlin D.L., McCarty K.F., Klaus E.J., Boehme D., Johnsen H.A., Mills M.J., Ottesen D.K. Ion-assisted pulsed laser deposition of cubic boron nitride films // J. Appl. Phys. 1994. V.76. N5. P.3088-3101.

94. Mirkarimi P.B., McCarty K.F., Cardinale G.F., Medlin D.L., Ottesen D.K., Johnsen H.A. Substrate effect in cubic boron nitride film formation // J. Vac. Sci. Technol. 1996. V.A14. N1.P.251-255.

95. Hackenberger L.B., Pilione L.J., Messier R, Lamaze G.P. Effect of stoichiometry on the phases present in boron nitride thin films // J. Vac. Sci. Technol. 1994. V.A12. N4. Pt.l. PI 569-1576.

96. W.J.Lehmann, I.Shapiro. Characteristic frequencies of alkyldiboranes // Spectrochem. Acta. 1961. V.17. N4. P.396-411.

97. NMutsukura, K.Akita. Infrared absorption spectroscopy measurements of amorphous CNX films prepared in CH4/N2 r.f. discharge // Thin Solid Films. 1999. V.349. P. 115-119.

98. Корсунский Б.Л., Пепекин В.И. На пути к нитриду углерода. // Успехи химии. 1997. Т.66. №11. С.1003-1014.

99. Kuzuba Т., Era К., Ishii Т., Sato Т. A low frequency raman active vibration of hexagonal boron nitride // Solid State Commun. 1978. V.25. N111. P.863-865.

100. Halverson W.D., Tetreault T.G., Hirvonen J.K. Ion assisted synthesis of boron nitride coatings//Mater. Sci.Forum. 1990. V.54/55. P.71-110.

101. Nemanich R.J., Solin S.A., Martin R.M. Light scattering study of boron nitride microcrystals//Phys. Rev. 1981. V.B23. N12. P.6348-6356.

102. Hoffman D.M., Doll G.L., Eklund P.C. Optical properties of pyrolytic boron nitride in the energy range 0.05-10eV //Phys. Rev. 1984. V.B 30. N10. P.6051-6056.

103. Eremets M.I., Gauthier M., Polian A., Chervin J.C., Besson J.M., Dubitskii G.A., Semenova Ye. Ye. Optical properties of cubic boron nitride // Phys. Rev. 1995. V.B52. N12. P. 8854-8863.

104. Cholet V., Vandenbulcke L., Rouan J.P., Baillif P., Erre R. Characterization of boron nitride films deposited from BCI3-NH3-H2 mixtures in chemical vapour infiltration conditions//J. Mater. Sci. 1994. V29. P. 1417-1435.

105. Filipozzi L., Derre A., Conard J., Piraux L., Marchand A. Local order and electrical properties of boron carbonitride films // Carbon. 1995. V.33. N12. P.1747-1757.

106. Dekempeneer E., Wagner V., Gibson P., Meneve J., Kuypers S. et al. Tribology and microstructure of PACVD B-N-C coatings // Diamond Film Technol. 1997. V7. N3. P.181-193.

107. Popov C., Saito K., Ivanov В., Koga Y., Fujiwara S., Shanov V. Chemival vapor deposition of BC2N films and their laser-induced etching with SF6 // Thin Solid Films. 1998. V.312. P.99-105.

108. Polo M.C., MartinezE., Esteve J., Andujar J.L. Preparation of B-C-N thin films by r.f. plasma assisted CVD // Diamond Relat. Mater. 1998. V.7. P.376-379.

109. Tuinstra F., Koenig J.L. Raman spectrum of graphite // J. Chem. Phys. 1970. V.53. N3. P. 1126-1130.

110. Moon K.-T., Mm D.-S., Kim D.-P. A route to boron nitride via simply prepared borazine precursor//Bull. Korean Chem. Soc. 1998. V.19. N2. P.222-226.

111. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. Y.9. Card N 12.

112. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.34. Card N 421.

113. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.25. Card N 1033.

114. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V. 15. Card N 500.

115. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.18. CardN 251.

116. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.26. Card N 773.

117. JCPDS International Center for Diffiaction Data. 1988. USA. V.6. Card N 555.

118. JCPDS International Center for Diffraction Data. 1988. USA. V.41. Card N 1487.

119. Thomas J.Jr., Weston N.E., O'Connor Т.Е. Turbostratic boron nitride, thermal transformation to ordered-layer-lattce boron nitride // J. Amer. Chem. Soc. 1963. V.84. N24. P.4619-4622.

120. Andreev Yu.G., Lundstrom T. In-plane lattice-parameter and crystallite-size determination in a turbostratic graphite-like structure // J. Appl. Cryst. 1994. V.27. P.767-771.

121. Шарутшн Б.Н., Кравчик A.E., Ефременко M.M., Маментьев Р.Ю., Тупицина Е.В., Осмаков А.С. Анализ структуры пиролитического нитрида бора // ЖПХ. 1990. №8. С.1698-1701.

122. Gladkaya I.S., Kremkova G.N., Slesarev V.N. Turbostratic boron nitride (BNt) under high pressures and temperatures // J. Less-Common. Met. 1986. V.l 17. P.241-245.

123. Т.Я.Косолапова, Г.Н.Макаренко, Т.И.Серебрякова, Э.В.Прилуцкий и др. О природе карбонитрида бора. I. Исследование условий получения карбонитрида бора // Порошковая металлургия, 1971. N1. С.27-33.

124. Badzian A.R. Cubic boron nitride diamond mixed crystals // Mat. Res. Bull. 1981. V.16. P.1385-1393.

125. Yu J., Wang E.G. Turbostratic boron carbonitride film and its field-emitting behavior //Appl. Phys. Lett. 1999. Y.74. N20. P.2948-2950.

126. Solozhenko V.L., Will G., Elf F. Isothermal compression of haxagonal graphite-like boron nitride up to 12GPa // Solid State Commun. 1995. Y.96. N1. P. 1-3.

127. Solozhenko V.L., Turkevich V.Z. Phase stability of graphitelike BC4N up to 2100K and 7GPa // J. Amer. Ceram. Soc. V.80. N12. P.3229-3232.

128. Donner W., Dosch H., Ulrich S., Ehrhardt H., Abernathy D. Strain relaxation of boron nitride thin films on silicon // Appl. Phys. Lett. 1998. V.73. N6. P.777-779.

129. Мильвидский М.Г., Чалдышев В.В. Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках новый подход к формированию свойств материалов // Физ. Техн. Полупровод. 1998. Т.32. №5. С.513-522.

130. Shindo D., Hiraga К. High-Resolution Electron Microscopy for Materials Science // Springer. 1998. 190p.

131. Huang J.Y., Yasuda H, Mori H. HRTEM and EELS studies on the amorphization of hexagonal boron nitride induced by ball milling // J. Am. Ceram. Soc. 2000. V.83. N2. P.403-409.

132. Lin S.-h., Brown I.M., Feldman B.J. Electron spin resonance in microcrystalline cubic boron nitride/amorphous hydrogenated boron nitride mixed phase thin films // Solid State Commun. 1995. V.96. N6. P.421-425.

133. Ichiki Т., Amagi S., Yoshida T. Initial stage of cubic boron nitride film growth from vapor phase // J. Appl. Phys. 1996. V.79. N8. P.4381-4387.

134. Konyashin I., Inkson В., Bill J., Aldinger F., Khvostov V., Bregadze A. Deposition of cubic boron nitride in hydrogen plasma // Adv. Mater. Chem. Vap. Deposition. 1998. V4. N4. P. 125-129.

135. Medlin D.L., Friedmann T.A., Mirkarimi P.B., Rez P., Mills M.J., McCarty K.F. Microstructure of cubic boron nitride thin films grown by ion-assisted pulsed laser deposition//J. Appl. Phys. 1994. V.76. N1. P.295-303.

136. Rother В., Weissmantel C., Leonhardt G. X-ray photoelectron spectroscopy at ion-plated boron nitride // phys. stat. sol. (a). 1987. V.100. P.553-557.

137. Okamoato M., Yokoyama H., Osaka Y. Formation of cubic boron nitride film on Si with boron buffer layers // Jpn. J. Appl. Phys. 1990. V.29. N.5. P.930-933.

138. Montero I., Galan L., Osorio S.P., Martinez-Duart J.M., Perriere J. Structural properties of BN thin films obtained by plasma -enchanced chemical vapour deposition // Surf. Interface Analysis. 1994. V.21. P.809-813.

139. Nonogaki R, Yamada S., Wada T. Preparation of boron nitride films by multi-source plasma CVD method//Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. 1997. V.B121. P.121-124.

140. Watanabe M.O., Itoh S., Mizushima K. Bonding characterization of BC2N thin films // Appl. Phys. Lett. 1996. V.68. N21. P.2962-2964.

141. Kawaguchi M., Kawashima Т., Nakajima T. Syntheses and Structures of new graphite-like materials of composition BCN(H) and BC3N(H) // Chem Mater. 1996. V.8. P.1197-1201.

142. Moijan I., Conde O., Oliveira M., Vasiliu F. Structural characterization of CxByNz (x=0.1 to x=0.2) layers obtained by laser-driven synthesis // Thin Solid Films. 1999. V.340. P.95-105.

143. Demin V.N., Asanov I.P., Akkerman Z.L. Chemical vapor deposition of pyrolytic boron nitride from borazone // J. Vac. Sci. Technol. 2000. V.A18. N1. P.94-98.

144. Arya S.P.S., D'Amico A. Preparation, properties and application of boron nitride thin films // Thin Solid Films. 1988. V.157. N2. P.267-282.

145. Dana S.S. The properties of low pressure chemical vapor deposited boron nitride thin films//Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.229-260.

146. Nakamura K. Preparation of boron nitride thin films by chemical vapor deposition. // Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P. 111-140.

147. Paine R.T., Narula C.K., Synthetic routes to boron nitride. Chem. Rev. 1990. V.90. P.73-91.

148. Yarbrough W.A. Current research problems and opportunities in the vapor phase synthesis of diamond and cubic boron nitride // 1991. J.Vac.Sci.Technol. V.A9. N3. P.l 145-1152.

149. Vel L., Demazeau G., Etourneau J. Cubic boron nitride: synthesis, physicochemical properties and applications//Mater. Sci. Engin. 1991. V.B10. P. 149-164.

150. Yoshida T. Vapour phase deposition of cubic boron nitride // Diamond Relat Mater. 1996. V.5. P.501-507.

151. Bewilogua R. Preparation and characterization of cubic boron nitride and carbon nitride films // Science. 1996. N280. P.213-218.

152. Kulisch W., Reinke S. Modeling of c-BN thin film deposition // Diamond Relat. Mater. 1997. V.7. N2. P. 105-138.

153. Sano M., Aoki M. Chemical vapour deposition of thin films of BN onto fused silica and sapphire // Thin Solid Films. 1981. V.83. P.247-251.

154. Takahashi T., Itoh H., Kuroda M. Structure and properties of CVD-BN thick film prepared on carbon steel substrate // J. Cryst. Growth. 1981. V.53. P.418-422.

155. Motojima S., Tamura Y., Sugiama K. Low temperature deposition of hexagonal BN films by chemical vapour deposition // Thin solid films. 1982. V.88. P.269-274.

156. Matsuda T., Uno N, Nakae H., Hirai T. Synthesis and structure of chemical vapour-deposited boron nitride // J. Mater. Sci. 1986. V.21. P.649-658.

157. Matsuda T., Nakae H., Hirai T. Density and deposition rate of chemical-vapour-deposition boron nitride////J. Mater. Sci. 1988. V.23. P.509-514.

158. Matsuda T. Stability to moisture for chemically vapour-deposited boron nitride I III J. Mater. Sci. 1989. V.24. P.2353-2358.

159. Sugiama K., Itoh H. Chemical vapor deposition of turbostratic and hexagonal boron nitride//Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.141-152.

160. Patibandla N., Lithra K. Chemical vapor deposition of boron nitride // J. Electrochem Soc. 1992. V.139. N.12. P.3558-3565.

161. Sugino N., Kawasaki S., Tanioka K., Shirafuji J. Electron emission characteristics of boron nitride films synthesized by plasma -assisted chemical vapor deposition // J. Vac. Sci. Technol. 1998. V.B16. N3. P. 1211-1214.

162. Sugino N., Tanioka K., Kawasaki S., Shirafuji J. Electron emission from nanocrystalline boron nitride films synthesized by plasma -assisted chemical vapor deposition//DiamondRelat. Mater. 1998. V.7. P.632-635.

163. Matsumoto S., Nishida N., Akashi K., Sugai K. Preparation of BN films by r.f. thermal plasma chemical vapor deposition // J. Mater. Sci. 1996. V.31. N3. P.713-720.

164. Schaffnit C., Thomas L., Rossi F., Hugon R. Pauleau Y. Plasma assisted chemical vapour deposition of BN coatings: effect of the experimental parameters on the structure ofthe films// Surf. Coat. Tech. 1996. V.87/88. N1-1. P.402-208.

165. Choi B.-j. Chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride films in the reduced pressure // Mater. Sci. Bull. 1999. V.34. N14/15. P.2215-2220.

166. Rand M.J., Roberts J.F. Preparation and properties of thin film boron nitride // J. Electrochem. Soc. 1968. V.115. N4. P.423-429.

167. Karnezos M. Boron-Nitrigen-Hydrogen thin films // Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.261-276.

168. Hirayama M., Shohno K. CVD-BN for boron diffusion in Si and its application to Si devices//J. Electrochem. Soc. 1975. V.122. N12. P. 1671-1676.

169. Murarka S.P., Chang C.C., Wang D.N.K., Smith T.E. Effect of growth parameters on the CVD of boron nitride and phosphorus-doped boron nitride // J. Electrochem. Soc. 1979. V. 126. N11. P. 1951-1957.

170. Adams A.C., Capio C.D. The chemical deposition of boron-nitrogen films //J. Electrochem. Soc. 1980. V.127. N2. P.399-405.

171. Hyber S.B., Yep T.O. Structure and properties of boron nitride films grown by high temperature reactive plasma deposition // J. Electrochem. Soc. 1976. V.123. N11. P. 1721-1724.

172. Miyamoto H., Hirose M., Osaka Y. Structural and electronic characterization of discharge-produced boron nitride //Jpn. J.Appl. Phys. 1983. V.22. N4. P.L216-L218.

173. Yuzurina T.H., Hess D.W. Structural and optical properties of plasma-deposited boron nitride films // Thin Solid Films. 1986. V. 140. P. 199-207.

174. Andujar J.L., Pascual E., Aguiar R, Bertrán E., Bosch A., Fernandez J.L., Gimeno S., Lousa A., Varela M. Optical and structural characterization of boron nitride thin films // Diamond Relat. Mater. 1995. V.4. P.657-660.

175. Zedlitz R., Heintze M., Schubert M.B. Properties of amorphous boron nitride thin films // J. Non-Cryst. Solid. 1996. V. 198-200. P.403-406.

176. Polo M.C., elMekki M.B., Andujar J.L., Mestres N., Pascual J. Optical study of boron nitride thin films prepared by plasma-enhanced chemical vapor deposition // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P. 1550-1554.

177. Dekempeneer E.H.A., Meneve J., Kuypers S., Smeets J. Microstructure and mechanical properties of a-Bl-xNx:H films prepared by r.f. PACVD // Surf. Coat. Technol. 1995. V.74/75. P.399-404.

178. Carreno M.N.P., Bottecchia J.P., Pereyra I. Low temperature plasma enhanced chemical vapour deposition boron nitride // Thin Solid Films. 1997. V.308/309. P.219-222.

179. Nakamura K. Preparation and properties of amorphous boron nitride films by molecular flow chemical vapor deposition // J.Electrochem. Soc. 1985.V. 132. N7. P. 1757-1762.

180. Nakamura K. Preparation and properties of boron nitride films by metal organic chemical vapor deposition // J.Electrochem. Soc. 1986. V.133. N6. P. 1120-1123.

181. Maya L. Plasma-enhanced chemical vapor deposition of boron nitride using polimeric cyanoborane as source // J. Amer. Ceram. Soc. 1992. V.75. N7. P. 1985-1987.

182. Veprek S. Plasma-induced and plasma-assisted chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 1985. V.130. P. 135-154.

183. Lugovsky G., Tsu D.Y., Kim S.S., Markunas R.J., Fountain G.G. Formation of thin film dielectrics by remote plasma-enchanced chemical vapor deposition (remote PECVD) //Appl.Surf.Sci. 1989. V.39. P.33-56.

184. Alexandrov S.E., Remote PECVD: a route to controllable plasma deposition // J.Phys.1.. Coll.CS. 1995. V.5. P.C5-567-C5-582.

185. McDaniel A.H., Allendorf M.D. The reactions of BC13 and NH3 relevant to the CVD of boron nitride //Electrochem. Soc. Procced. 1997. V.97-25. P.40-48.

186. Chayahara A., Yokoyama H., Imura T., Osaka Y. Function of substrate bias potential for formation of cubic boron nitride films in plasma CVD technique // Jpn. J. Appl. Phys. 1987. V.26. N9, P.L1435-L1436.

187. Chayahara A., Yokoyama H., Imura T., Osaka Y., Fujisawa M. Reflectance spectra of BN materials in the vacuum ultraviolet // Jpn. J. Appl. Phys. 1988. V.27. N3. P.440-441.

188. Chayahara A., Yokoyama H., Imura T., Osaka Y. Properties of BN thin films deposited by plasma CVD // Appl. Surf. Sci. 1988. V.33/34. P.561-566.

189. Osaka Y., Chayahara A., Yokoyama H., Okamoto M., Hamada T., Imura T., Fijisawa M Characterization of BN thin films deposited by plasma CVD // Mater. Sci. Forum 1990. V.54/55. P.277-294.

190. Zhang X., Yue J., Chen G., Yan H. Study on stress and strain of cubic boron nitride thin films // Thin Solid Films. 1998. V.315. P.202-206.

191. Zhang X., Yue J., Chen G., Yan H., Liu W. Stress analysis in cubic boron niride films by X-ray diffraction using sin2i|/ method // Acta Phys. Sinica. 1998. V.7. N1. P.61-67.

192. Ma X., Yang J., He D., Chen G. Temperature effect on growth of boron nitride thin films by a hot filament assisted rf plasma chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1998. V.322. P.37-40.

193. Komatsu S., Moriyoshi Y., Kasamatsu M., Yamada K. High-pressure phases of boron nitride grown by laser-assisted plasma chemical vapor deposition from BCl3+NH3+H2+Ar //J. Appl. Phys. 1991. V.70. N11. P.7078-7084.

194. Konyashin I., Aldinger F., Babaev V., Khvostov V., Guseva M. et al. The mechanism of cubic boron nitride deposition in hydrogen plasmas // Thin Solid Films. 1999.1. V.355/356. P.96-104.

195. Shapoval S.Y., Petrashov V.N., Popov O.A., Westner A.O., Yoder M.D., Lok CK.C. Cubic boron nitride films deposited by electron cyclotron resonance plasma // Appl. Phys. Lett. 1990. V.57. N18. P.1885-1886.

196. Okamoto M., Utsumi Y., Osaka Y. Formation and properties of cubic boron nitride films on tungsten carbide by chemical vapor deposition // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. V.31. P. 3455-3460.

197. Ichiki Т., Yoshida T. Preparation of cubic boron nitride films by low pressure inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition // Appl. Phys. Lett. 1994. V.64. N7. P.851-853.

198. Ichiki Т., Momose Т., Yoshida T. Effects of the substrate bias on the formation of cubic boron nitride by inductively coupled plasma enhanced chemical vapor deposition // J. Appl. Phys. 1994. V.75. N3. P. 1330-1334.

199. Волков В.В., Григорьев В.А., Багрянцев Г.И. Боразин исходное вещество для получения нитрида бора // Методы получения, свойства и применение нитридов / Под ред. Самсонова Г.В. Киев. 1972. С.79-85.

200. Волков В.В., Багрянцев Г.И., Мякишев К.Г. Синтез боразина реакцией борогидрида натрия с хлористым аммонием // ЖНХ. 1970. Т. 15. №11. С.2902-2906.

201. Волков В.В., Пухов А.А., Мякишев К.Г. Получение боразина реакцией тетрагидробората натрия с хлоридом аммония после предварительной механической активации реакционной смеси // Изв. СОАН СССР. Сер. Хим. наук. 1983. Т.7. №3. С. 116-123.

202. Hough W.V., Schaeffer G.W., Dzurus М., Stewart А.С The preparation, identification and characterization of N-trialkylborazoles // J. Am. Chem. Soc. 1955. V.77. N4. P. 864-86.

203. Stock A., Pohland E. Borwasserstoffe, IX.): B3N3H6 // Ber. Deut. Chem. Ges. 1926. V.59. N9. P.2215-2223.

204. Laubengayer A.W., Moews P.C., Jr., and Porter R.F. The condensation of borazine to polycyclic boron-nitrogen frameworks by pyrolytic dehydrogenation // J. Am. Chem. Soc. 1961. V.83.N6. P. 1337-1342.

205. Adams A.C. Characterization of films formed by pyrolysis of borazine // J. Electrochem. Soc. 1981. V.128. N6. P. 1378-1379.

206. King P.L., Pan L., Pianetta P., Shimkunas A., Mauger P., Seligson D. Radiation damage in boron nitride X-ray lithography masks // J. Vac. Sci. Technol. V.B6. N1. P. 162-166.

207. Kouvetakis J., Patel V.V., Miller C.W., Beach D.B. Composition and structure of boron nitride films deposited by chemical vapor deposition from borazine // J. Vac. Sci. Technol. 1990. V.A8. N6. P.3929-3933.

208. Демин B.H., Басов А.И., Аккерман З.Л. Газофазное осаждение пиролитического нитрида бора пиролизом боразина // Неорган, матер. 1998. Т.34. №8. С.986-989.

209. Mokhtari М„ Park H.S., Roesky H.W., Johnson S.E., Boise W„ Conrad J.5 Plass W. Processing of blue boron nitride thin filmswith a solid gas reaction // Chem. Eur. J. 1996. V.2. N10. P. 1269-1274.

210. Rye R.R. Hot filament activated chemical vapor deposition of boron nitride // J. Vac. Sci. Technol. 1991. V.A9. N3. P. 1099-1103.

211. Угаров M.B., Агеев В.П., Конов В.И. Химическое осаждение пленок нитрида бора из газовой фазы, стимулированное импульсами УФ излучения эксимерного KrF —лазера//Квантоваяэлектроника. 1995. Т.22. №7. С.706-710.

212. Агеев В.П., Конов В.И., Угаров М.В. Лазерное осаждение пленок нитрида бора из боразин-аммиачных газовых смесей // Изв. АН. Сер. Физич. 1997. Т.61. №8. С. 1596-1605.

213. Ugarov M.V., Ageev V.P., Karabutov A.V., Loubnin E.N., Pimenov S.M., Bensaoula A. Laser-induced modification of electron field emission from nanocrystalline diamond films // J. Appl. Phys. 1999. V.85. N12. P.8436-8440.

214. Савельев A.A., Пухов A.A., Вишняков Б.А., Сулимин А.Д., Ищенко А.П. Свойства пленок нитрида бора, полученных разложением боразина в ВЧ-плазме // Физ. хим. обраб. матер. 1981. №2. С.85-88.

215. Shanfield S., Wolfson R. Ion beam synthesis of cubic boron nitride // J. Vac. Sci. Technol. 1983. V.A1. P.323-325.

216. Halverson W., Quinto D.T., Effect of charge neutralization on ion-beam-deposited boron nitride films//J. Vac. Sci. Technol. 1985. V.A3. N6. P.2141-2146.

217. Nguyen S.V., Nguyen Т., Treichel H., Spindler O. Plasma-assisted chemical vapor deposition and characterization of boron nitride films // J.Electrochem.Soc. 1994. У.141. N6. P. 1633-1638.

218. Белый В.И., Смирнова Т.П., Соловьев А.П., Яшкин И.Л., Храмова Л.В., Мараховка И.И Плазмохимические методы получения нитридов кремния и бора на антимониде индия//Микроэлектроника. 1986. Т.15. №2. С.146-149.

219. Смирнова Т.П., Яшкин И.Л., Храмова Л.В., Кичай В.Н., Бакланов П.Ю. Получение слоев нитрида бора из боразола // Неорган. Матер. 1991. Т.27. №9. С. 1826-1831.

220. Смирнова Т.П., Храмова Л.В., Яшкин И.Л., Бакланов П.Ю., Кичай В.Н., Сысоева Н.П. Получение слоев нитрида бора при непрямой высокочастотной активации боразола//Неорган, матер. 1992. Т.28. №7. С. 1414-1419.

221. Smirnova Т.Р., Jakovkina L.V., Jashkin I.L., Sysoeva N.P., Amosov Ju.I. Boron nitride films prepared by remote plasma-enhanced chemical vapour deposition from borazine (B3N3H6) // Thin Solid Films. 1994. V.237. P.32-37.

222. Смирнова Т.П., Terauchi M., Sato F., Shibata K., Tanaka M. Структура пленок нитрида бора, полученных методом газофазного химического осаждения из боразина в режиме удаленной плазмы // Химия в интересах устойчивого развития. 2000. Т.8. №1-2. С.275-279.

223. Емелькин В.А., Серебренников Г.П., Амосов Ю.И., Чернов А.А. Синтез упрочняющих покрытий на основе кубического нитрида бора в послесвечении СВЧ-разряда//Неорган, матер. 1995. Т.31. №8. С.1065-1071.

224. Kim S.-H., Kim I.-H., Kim K.-S. Preparation of cubic boron nitride thin film by the helicon wave plasma enhanced chemical vapor deposition // Appl.Phys.Lett., 1996. V.69. N26. P.4023-4025.

225. Kim I.-H., Kim K.-S., Kim S.-H., Lee S.-R. Synthesis of cubic boron nitride films using a helicon wave plasma and reduction of compressive stress // Thin Solid Films. 1996. V.290-291. P.120-125.

226. Kim I.-H., Kim S.-H., Kim K.-B. Delamination mechanism in relation to adhesion of cubic boron nitride // J. Vac. Sci. Technol. V.A16. N4. P.2295-2299.

227. Kim K.-B., Kim S.-H. Characterization of boron nitride film synthesized by helicon wave plasma-assisted chemical vapor deposition // Diamond Relat. Materials. 2000. V.9. P.67-72.

228. Gorbatkin S.M., Burgie R.F., Oliver W.C., Barbour J.C., Mayer T.M., Thomas M.L. Boron nitride thin film deposition using electron cyclotron resonance microwave plasmas //J.Vac.Sci.Technol. V.A11. N4. P.1863-1869.

229. Paisley M.J., Bourget L.P., Davis R.F. Boron nitride thin films by microwave ECR plasma chemical vapor deposition // Thin Solid Films. 1993. V.235. P.30-34.

230. Аранович Г.Л., Вишняков Б.А., Савельев A.A., Сулимин А.Д. Модель роста нитридных пленок в ВЧ-разряде // Физ. хим. обработки материалов. 1982. №5. С.39-42.

231. Stolle R., Wahl G. Deposition of boron nitride films from BB'B' '-Trichloroborazine // J.Phys. IV. Coll.C5. 1995. V.5. P.C5-761-C5-768.

232. Schmolla W., Hartnagel H.L. Amorphous BN films produced in a double-plasma reactor for semiconductor application // Solid State Electronics. 1983. V.26. N.10. 931-939.

233. Phani A.R., Roy S., Rao V.J. Growth of boron nitride thin films by metal-organic chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 1995. V.258. N1/2. P.21-25.

234. Jorg A., Neuschutz D., Zimmermann E. Kinetics of chemical vapour deposition of boron nitride from a gas mixture of trimethylborazine, ammonia and hydrogen at 900 to 1050°C and 1 Bar total pressure//J.Phys. IV. Coll.C5. 1995. V.5. P.C5-167-C5-174.

235. Jorg A., Zimmermann E., Schierling M., Cremer R., Neuschutz D. Constitution and deposition mechanism of hexagonal boron nitride formed by CVD from Trimethylborazine//Electrochemical Society Proc. 1997. V.97-25. P.504-511.

236. Kiel F., Cotarelo M., Delplancke M.P., Winand R. Comparison of the properties of BN films synthesized by inductively coupled r.f. and microwave plasmas // Thin Solid Films. 1995. V.270. P. 118-123.

237. Kuhr M., Freudenstein R, Reinke S., Kulisch W., Dollinger G., Bergmaier A. Hydrogen incorporation during nucleation and growth of c-BN films // Diamond Relat. Materi. 1996. V.5. P.984-989.

238. Freudenstein R., Reinke S., Kulisch W. Investigation of the nucleation layer in c-BN growth // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P.584-588.

239. Freudenstein R., Reinke S., Kulisch W. The influence of hydrogen on nucleation and growth of cubic boron nitride films // Surf. Coat. Technol. 1997. V.97. P.270-274.

240. Devi G.S. Deposition of boron nitride using a III-V precursor 1,3,5-isopropylborazine // IndJ.Chem. 1994. V.33A. P168-169.

241. Бадян А., Немыски Т., Аппенхеймер С., Олькусник Э. Кристаллическая структура в системе бор-углерод-азот // Химическая связь в полупроводниках и полуметаллах. Изд. "Наука и техника", Минск. 1972. 456с.

242. Kouvetakis J., Sasaki Т., Shen С., Hagiwara R. et al., Novel aspects of graphite intercalation by fluorine and fluorides and new В /С, C/N and B/C/N materials based on the graphite network// Synthetic Metals. 1989. V.34. P. 1-7.

243. Moore A.W., Strong S.L., Doll G.L., Dresselhaus M.S. et al. Properties and characterization of codeposited boron nitride and carbon materials // J.Appl. Phys. 1989. V.65.N12. P.5109-5117.

244. Bessmann T.M. Chemical vapor deposition in the boron-carbon-nitrogen system // J. Am. Ceram. Soc. 1990. V.73. N8. P.2498-2501.

245. Saugnas F., Teyssandier F., Marchand A. Characterization of C-B-N solid solutions deposited from a gaseous phase between 900° and 1050°C // J Am. Ceram. Soc. 1992. V.75. N.l. P.161-169.

246. Derre A., Filipozzi L., Bouyer F., Marchand A. Parametric study of the chemical vapour depositin of carbon-boron-nitrogen compounds // J. Mater. Soc. 1994. V.29. P. 1589-1594.

247. Filipozzi L., Piraux L., Marchand A., Derre A., Adouard A., Kinany-Alaoui M. Unusual behavior of the magnetoresistance of boron carbonitride films at low temperature //J. Mater. Res. 1997. V.12. N.7. P. 1711-1721.

248. Kawaguchi M., Sugiyama A. Syntheses and Characterization of graphite-like material of composition BC6N2(H) //Mater. Sci. Res. Inter. 1997. V.3. N2. P.88-93.

249. Kawaguchi M., Wakukawa Y. Synthesis of graphite-like material of composition BC6N by CVD at high temperature // Carbon. 1999. V.37. P. 147-163.

250. Yu J., Wang E.G., Xu G. Synthesis and characterization of B-C-N on molybdenum // J. Mater. Res. 1999. V.14. N3. P. 1137-1141.

251. Wang E.G. A new development in covalently bonded carbon nitride and related materials//Adv. Mater. 1999. V.ll. N13. P.1129-1133.

252. Montasser K., Hattori S., Morita S. Transparent B-C-N thin films formed by plasma chemical vapour deposition//Thin SolidFilms. 1984. V.117. P.311-317.

253. Montasser K., Hattori S., Morita S. Characterization of hard transparent B-C-N-H thin films formed by plasma chemical vapor deposition at room temperature // J. Appl. Phys. 1985. V.58. N8. P.3185-3189.

254. Montasser R., Morita S., Hattori S. A promising boron-carbon-nitrogen thin film // Mat. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P.295-312.

255. Yamada M., Nakaishi M., Sugishima K. Improvements of stress controllability and radiation resistance by adding carbon to boron-nitride // J. Electrochem. Soc. 1990. V. 137. N7. P.2242-2246.

256. Dekempeneer E.H.A., Meneve J., Kuypers S., Smeets J. Tribological properties of r.f. PACVD amorphous B-N-C coatings // Thin Solid Films. V.281/282. P.331-333.

257. Hegemann D., Riedel R., DreBler W., Oehr C., Schindler B., Brunner H. Boron carbonitride thin films by PACVD of single-source precursors // Adv. Mater. Chem. Vap. Deposition. 1997. V.3. N5. P.257-262.

258. Bath A., van der Put P. J., Lepley B. Study of boron nitride gate insulators grown by low temperature plasma enhanced chemical vapor deposition on InP // Appl. Surf. Sci. 1989. V.39. P. 135-140.

259. Bath A., van der Put P.J., Becht J.G.M., Schooman J., Lepley B. Plasma enhanced chemical vapor deposition and characterization of boron nitride gate insulators on InP // J. Appl. Phys. 1991. V.70. N.8. P.4366-4370.

260. Bath A., Baehr O., Barrada M., Lepley B., van der Put P.J., Schoonman J. Plasma enhanced chemical vapour deposition of boron nitride onto InP // Thin Solid Films. 1994. V.241. P.278-281.

261. Konyashin I., Loeffler J., Bill J., Aldinger F. PACVD nano-crystalline B-C-N thin films obtained by use of a organoboron precursor // Abstr. book. 7th Eur. Conf. on Diamond, Diamond-like and Related Materials, Tours. France. 1996. P.8.104.

262. Loeffler J., Konyashin I., Bill J., Uhlig H., Aldinger F. PACVD nano-crystalline B-C-N thin films obtained by use of an organoboron precursor // Diamond Relat. Mater. 1997. V.6. P.608-611.

263. Loeffler J., Konyashin I., Bill J., Aldinger F. A novel approach to deposition of cubic boron nitride coatings // Thin Solid Films. 1997. V.308/309. P. 101-106.

264. Baehr O., Thevenin P., Bath A., Koukab A., Losson E., Lepley B. Preparation of boron nitride thin films by microwave plasma enhanced CVD, for semiconductor applications//Mater. Sci. Engin. 1997. V.B46. P. 101-104.

265. Boudiombo J., Baehr O., Boudrioua A., Thevenin P., Loulergue J.C., Bath A. Modes of propagating light waves in thin films of boron nitride deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition // Mater. Sci. Engin. 1997. V.B46. P.96-98.

266. Abdellaoui A., Bath A., Bouchikhi В., Baehr O. Structure and optical properties of boron nitride thin films prepared by PECVD // Mater. Sci. Engin. 1997. V.B47. P.257-262.

267. Phani A.R., Devi G.S., Roy S„ Rao V.J. MOCVD growth of boron nitride films from single source III-V precursor // J. Chem Soc., Chem Commun. 1993. N8. P.684-685.

268. Levy R.A., Mastromatteo E., Grow J.M., Paturi V., Kuo W.P., Boeglin H.J., Shalvoy R, Low pressure chemical vapor deposition of B-N-C-H films from triethylamine borane complex//J. Mater. Res. 1995. V.10. N2. P.320-327.

269. Levy R.A., Ravindranath C., Krasnoperov L.N., Opyrchal J., Ramas E.S. Porous vycor membranes modified by chemical vapor deposition of boron nitride for gas separation//J. Electrochem. Soc. 1997. V.144. N1. P.349-353.

270. Boo J.-H., Rohr C„ Ho W. MOCVD of BN and GaN thin films on silicon: new attempt of GaN growth with BN buffer layer // J. Cryst. Growth. 1998. V. 189/190. P.439-444.

271. Rohr C., Boo J.-H., Ho W. The growth of hexagonal boron nitride thin films on silicon using single source precursor // Thin Solid Films. 1998. V.322. P.9-13.

272. Boo J.-H., Rohr С., Ho W. Growth of boron nitride thin films on silicon substrates using new organoboron precursors//phys. stat. sol. (a) 1999. V.176. P.705-710.

273. Kawaguchi M., Nozaki K., Kita Y., Doi M. Photoluminescence characteristics of BN(C,H) prepared by chemical vapour deposition. // J. Mater. Sci. 1991. V.26. P.3926-3940.

274. Yokoshima S., Goto Т., Hirai T. Dielectric properties of BN-C thick films prepared by chemical vapor deposition. // Proceed. 28th Symposium on the Basic Science of Ceramics, Fukuoka, Japan. 1990. P. 116.

275. Maya L. Semiconducting amorphous film containing carbon, nitrogen and boron. // J. Electrochem. Soc. 1988. V.135. N5. P.1278-1281.

276. Maya L. Aminoborane polymers as precursors of C-N-B ceramic materials. // J. Am. Ceram. Soc. 1988. V.71. P. 1104-1109.

277. Мякишев К.Г., Горбачева И.И., Волков B.B., Ястребов С.И. Механохимический способ синтеза гидразин-бис-борана и триметиламинборана // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1979. Т.7. №3. С. 10-14.

278. Волков В.В., Мякишев К.Г., Трофимова Т.Н. Механохимический синтез и физико-химическое исследование диэтиламинборана // Изв. СО АН СССР. Сер. хим. наук. 1982. Т.7. №3. С.45-50.

279. Мякишев К.Г. Механохимический синтез в химии гидридов бора // Диссертация на соис. учен, степени д.х.н. 1993.

280. Konyashin I., Loeffler J., Bill J., Aldinger F. A novel approach to deposition of cubic boron nitride coatings // Thin solid films. 1997. V.308-309. P. 101-106.

281. Гриценко B.A., Строение и электронная структура аморфных диэлектриков в кремниевых МДП структурах // Новосибирск: ВО «Наука». 1993. 280с.

282. Аккерман З.Л., Храмова Л.В., Смирнова Т.П., Белый В.И. Физико-химическая модель дегидрирования слоев нитрида кремния // Неорган, матер. 1990. Т.26. №5. С.988-992.

283. Аккерман З.Л., Храмова Л.В., Смирнова Т.П., Белый В.И. Применение физико-химической модели для анализа кинетики дегидрирования слоев нитрида кремния // Неорган, матер. 1990. Т.26. №5. С.993-995.

284. Smirnova Т.Р., Yakovkina L. V. The mechanism of dehydrogenation of SiNx:H films // Thin solid films. 1997. V.293. P.6-10.

285. Akkerman Z.L., Efstathiadis H., Smith F.W. Thermal stability of diamondlike carbon films//J. Appl. Phys. 1996. V.80. P.3068-3075.

286. Basa D.K., Smith F.W. Annealing and crystallization processes in a hydrogenated amorphous Si С alloy film // Thin solid films. 1990. V. 192. P. 121-133.

287. Dana S.S., Maldonado J.R. Low pressure chemical vapor deposition boro-hydro-nitride films and their use in x-ray masks // J. Vac. Sci. Technol. 1986. V.B4. N1. P.235-239.

288. Johnson W.A., Levy R.A., Resnick D.J. et.al. Radiation damage effects in boron nitride mask membranes subjected to x-ray exposures // J. Vac. Sci. Technol. B. 1987. V.5. N1. P.257-261.

289. Levy R.A., Resnick D.J., Frye R.C. et.al. An improved boron nitride technolody for synchrotron x-ray masks // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. V. 6. N1. P.154-161.

290. А.В.Ржанов, КК.Свиташов, А.И.Семененко и др. // Основы эллипсометрии. Новосибирск. Наука. 1978. 424 с.

291. Б.М.Аюпов, Е.Ф.Титова, Н.П.Сысоева. Программное обеспечение эллипсометрических измерений в системе пленка подложка // Электронная техника. Сер. Микроэлектроника. 1985. Вып.З (115). С. 126-129.

292. Грановский В. Л. Электрический ток в газе. // М.: Наука. 1971. 235 С.

293. Русанов В.Д., Фридман А.А. Физика химически активной плазмы. // М.: Наука. 1984.

294. Sugiyama К., Itoh H. Chemical vapor deposition of turbostratic and hexagonal boron nitride//Mater. Sci. Forum. 1990. V.54/55. P. 141-152.

295. Crawford B.L., Edsall J.T. Infra-red and raman spectra of polyatomic molecules. VI. Triborinetriamine,B3N3H6. //J. Chem. Phys. 1939. V.7. P.223-226.

296. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. // Под. ред. Глушко В.П., Гурвич Л.В. и др. М.: "Наука", 1978. Т.1. Книга 2.

297. Moulder J.F., Stickle W.F., Sobol Р.Е., Bomben K.D., ed. by Chastain J. // Handbook of X-Ray Photoelectron Spectroscopy. Perkin-Elmer, Eden Prairie, Minnesota. 1992.

298. R'Mili M., Massardier V., Merle P., Vincent H, Vincent C. The effect of thermal exposure on the strength distribution of B4C coated carbon fiber. // Carbon. 1999. V.37. P. 129-145.

299. Saugnac F., Teyssandier F., Marchand A. Characterization of C-B-N solid solutions deposited from a gaseous phase between 900° and 1050°C. // J. Am. Ceram. Soc. 1992. V.75. P. 161-169.