Инфракрасная спектроскопия электрически активных примесей в кремнии и германии

Андреев, Борис Александрович

Инфракрасная спектроскопия электрически активных примесей в кремнии и германии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Андреев, Борис Александрович АВТОР

доктора физико-математических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Нижний Новгород МЕСТО ЗАЩИТЫ

2004 ГОД ЗАЩИТЫ

01.04.07 КОД ВАК РФ

Автореферат диссертации на тему "Инфракрасная спектроскопия электрически активных примесей в кремнии и германии"

ИНФРАКРАСНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКИ АКТИВНЫХ ПРИМЕСЕЙ В КРЕМНИИ И ГЕРМАНИИ

01.04.07- физика конденсированного состояния и 01.04.10 - физика полупроводников

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Нижний Новгород - 2004 г.

Работа выполнена в Институте физики микроструктур РАН и

Институте химии высокочистых веществ РАН.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

М.С. Каган,

доктор физико-математических наук, профессор И.А. Карпович,

доктор физико-математических наук А.П. Мельников.

Ведущая организация: Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН.

Защита состоится « 20 » мая 2004 г. на заседании диссертационного совета Д.002.098.01 при Институте физики микроструктур РАН (603950, г. Нижний Новгород, ГСП-105). С

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института физики микроструктур РАН.

Автореферат разослан «19» апреля 2004 г.

1. ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

Элементарные полупроводники — кремний, германий и структуры на их основе являются объектами интенсивных исследований с целью поиска физических эффектов, открывающих возможности для создания новых и совершенствования существующих твердотельных электронных устройств. В различной степени изучены фотоэлектрические и излучательные свойства монокристаллов Si и Ge и применены в фотоприемниках ИК диапазона на примесных и межзонных переходах в 81 и Ge, в лазере на р^е, в детекторах ионизирующих излучений. В последнее время обнаружено стимулированное излучение в дальней инфракрасной области спектра на примесных переходах в кристаллическом кремнии [1] и одноосно сжатом р-Ов [2]. В большинстве случаев наблюдаемые эффекты связаны с природой и концентрацией электрически активных примесей в кристаллах и структурах, или со степенью их чистоты, поэтому исследования примесного состава, энергетических спектров и излучательных свойств примесных центров в кристаллах германия, кремния и в структурах на их основе представляют значительный интерес.

Развитие коммуникационных технологий на базе кремния резко увеличило потребность в эффективных оптоэлектронных устройствах. Кремний и твердый раствор SiGe оказались востребованными как светоизлучающие материалы. По ряду причин фундаментального характера монокристаллы 81 и SiGe этими свойствами не обладают. Кремний - непрямозонный полупроводник, излучательная рекомбинация в 81 затруднена, поэтому велик интерес к исследованиям излучающих центров в кремниевых структурах, связанных с редкоземельными элементами (РЗЭ), перспективных для целенаправленного изменения оптических свойств кремния и создания на базе кремния эффективных излучателей (в том числе лазеров) на длине волны 1,54 мкм, оптимальной для волоконно-оптических линий связи [3].

Проблема получения и применения новых материалов - это, прежде всего, проблема их анализа, почти всегда требующая развития новых экспериментальных методов для исследования свойств примесных центров и для определения их содержания. Понятен, в связи с этим, интерес к экспериментальной технике и высокочувствительным методам исследования электрически и оптически активных примесных центров в полупроводниках. С одной стороны - это определение основных (целевых) свойств материала, а с другой стороны - это путь к наиболее чувствительным, как правило, методам анализа полупроводников. Влияние электрически и оптически активных примесей на свойства полупроводников существенно даже в наиболее чистых монокристаллах кремния и германия, где их суммарное содержание составляет величин у ^ I О1.' - Ю9 см"3

РОС. НАЦИОНАЛЬНАЯ БИБЛИОТЕКА

и это означает, что

необходимо развивать экспериментальные методы, способные определять примесные центры на уровне более низком, чем пределы обнаружения большинства существующих методов элементного анализа.

Особое место в исследованиях Si и Ge занимают методы ИК спектроскопии: абсорбционная, фототермоионизационная и люминесцентная, поскольку энергии переходов между примесными уровнями в запрещенной зоне соответствуют инфракрасному диапазону длин волн. Одним из наиболее информативных методов исследования высокочистых полупроводников является фототермоионизационная спектроскопия (ФТИС), основанная на регистрации примесной фотопроводимости с линейчатым спектром, которую впервые наблюдали Лифшиц и Надь в 1964 г. [4]. Отличие ФТИС от других методов состоит в постоянстве сигнала примесной фотопроводимости при изменении концентрации примесных центров в широком диапазоне, поэтому предел обнаружения метода по теоретическим оценкам может достигать величины юМО5 см"' (<2-10"'5 ат.%) [5]. Возникло редкое для полупроводникового материаловедения положение, когда аналитический метод имеет предел обнаружения на несколько порядков величины ниже, чем содержание примесей в наиболее чистых кристаллах. Но необходимые для записи спектров ФТИ малошумящие при гелиевых температурах омические контакты к исследуемым полупроводникам сложны в изготовлении, велика вероятность искажения структуры и примесного состава высокочистых кристаллов. Сложность изготовления контактов увеличивается с ростом степени чистоты исследуемых кристаллов и мешает реализации значительных преимуществ ФТИС. Кроме того, к началу данной работы метод ФТИС не был количественным, поскольку интенсивность линий ФТИ не зависела от концентрации. В этих отношениях метод ФТИС уступал менее чувствительным спектроскопическим методам: абсорбционной и люминесцентной спектроскопии, в которых спектры регистрируются без контактов к образцам и существует линейная зависимость аналитического сигнала от концентрации. Создание бесконтактного способа регистрации спектров фотопроводимости и развитие количественных методов ИК спектроскопии (фототермоионизационной и абсорбционной) представляются актуальными задачами.

полупроводников: фототермоионизационной, абсорбционной и люминесцентной ИК спектроскопии высокого разрешения, создание экспериментальных методов и физических основ для методов анализа кремния и германия с низкими пределами обнаружения электрически и оптически активных примесей. Объекты исследования - высокочистые и легированные монокристаллы Si и Ge, моноизотопный кремний, структуры на основе Si и SiGe, легированные эрбием и гольмием в процессах сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и ионной имплантации.

Научная новизна работы.

Разработан бесконтактный высокочувствительный метод определения электрически активных примесей по спектрам фотопроводимости полупроводников. С помощью нового метода исследован примесный состав высокочистых кремния и германия и его изменения в процессах глубокой очистки легирования и термообработки. Определена доля электроактивных примесей А1, В, Li в общем их содержании в высокочистом германии.

Исследована зависимость ширины линий в спектрах фототермической ионизации от концентрации электрически активных примесей в высокочистых монокристаллах германия и кремния. Впервые показано, что ширина линий, регистрируемых в спектрах фототермической ионизации, превышает таковую в спектрах поглощения вследствие большой оптической толщи полупроводника, участвующей в формировании сигнала фотопроводимости. Для бездислокационных образцов германия экспериментально определена ширина линий для перехода из основного состояния изолированного акцептора в кристалле Ge Ду=4,8 мкэВ (минимальная величина для электронных переходов в Ge), получена оценка для времени жизни в возбужденном состоянии для элементарных акцепторов в Ge.

Детально изучены спектры переходов из основного состояния примесей в кремнии и германии с высоким разрешением. Создан каталог спектральных линий в диапазоне 50-900 СМ'1 для наиболее распространенных примесей и примесных комплексов в высокочистых Si и Ge. Впервые наблюдались спектры новых акцепторов Л^ И Л\з в Ge с энергиями ионизации 10,65 и 11,05 мэВ, переходы в высоковозбужденные состояния термодоноров. Идентифицированы ряд линий в спектрах ФТИ и фотопроводимости известных примесных центров: В, Л1, Ga, ^,0) в Ge и Si, в том числе электрон-фононные переходы с участием двух $-подобных состояний акцепторов в кремнии.

В спектрах фотопроводимости донорного комплекса ^,0) в германии впервые наблюдался переход из основного состояния на уровень предсказанный в работе Когана и др. [6] и меняющий идентификацию нечетных

возбужденных состояний Дп/'м) в спектрах доноров в ве и 81, на которой основывались все исследования, выполненные после работы Фолкнера [7].

Экспериментально определены значения сил осцилляторов для спектральных линий элементарных примесей в германии и кремнии. Впервые определены величины сил осцилляторов оптических переходов для Р, В и А1 в кремнии и уточнены для В и А1 в германии. Обнаружено существенное расхождение экспериментальных и расчетных значений сил осцилляторов для доноров в кремнии и германии.

Впервые измерены интегральные сечения поглощения и силы осцилляторов переходов 15—>2Р* и 15—>2Ро для семейства двойных термодоноров в кремнии. С использованием этих данных исследованы процессы формирования термодоноров в кремнии и получены спектроскопические доказательства значительного ускорения процесса образования термодоноров при термообработке в условиях гидростатического сжатия до давления. >1 ГПа. Получены данные об энергетическом спектре «новых термодоноров» в кремнии, подвергнутом отжигу при , в котором обнаружены классические двойные доноры с энергией

ионизации <70 мэВ, считавшиеся ранее неустойчивыми при этой температуре.

Обнаружен доминирующий вклад фотопроводимости компенсирующих примесей в суммарную фотопроводимость легированного кремния при освещении межзонным светом - обращение примесной фотопроводимости и предложен способ определения химической природы компенсирующих примесей в легированном р-81 с малой степенью компенсации.

В кремниевых структурах, полученных методами сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и ионной имплантации, идентифицированы излучательные центры, содержащие ионы редкоземельных элементов, и определена связь типов излучающих центров с условиями получения и термообработки структур. В эпитаксиальных структурах обнаружен новый излучающий центр Ег-1, содержащий ион Ег3*, для которого впервые для ионов РЗЭ в 81 наблюдался эффект Зеемана и зарегистрированы наиболее узкие линии излучения до Ду=10 мкэВ. Впервые наблюдалась фотолюминесценция иона в кремнии. Обнаружены

несколько излучательных центров, связанных с ином гольмия, возникающих в результате отжига имплантированных структур.

Практическая ценность работы.

Разработан бесконтактный преобразователь фотопроводимости полупроводников для регистрации малых изменений комплексной проводимости исследуемых образцов, возникающих при поглощении излучения. Минимальные обнаружимые изменения проводимости равны при

регистрации реактивной и активной составляющих соответственно. Преобразователь используется в исследованиях и анализе полупроводников в ряде исследовательских лабораторий России и за рубежом, был выпущен малой серией в СКБ Института радиотехники и электроники РАН.

Разработаны аппаратура и методики для спектроскопии и анализа полупроводников в ИК и субмиллиметровом диапазоне с использованием фурье-спектрометров в диапазоне 20-10000 см"1 с разрешением д й,Ш)п Ш^т р о м е т р а и с лампами обратной волны в диапазоне 3-20 см'1 с разрешением до 0,0001 см'1, дифракционного монохроматора низкого разрешения в диапазоне 50-125 см"1. Разработан и создан автоматизированный релаксометр с лампами обратной волны и бесконтактной регистрацией кинетики фотопроводимости. Релаксометр позволяет измерять времена релаксации примесной фотопроводимости в Ge в диапазоне при гелиевых температурах. Методики анализа высокочистых Ge и Si использованы в Институте химии высокочистых веществ РАН при разработке методов получения высокочистых Ge и Si, для определения примесного состава образцов Выставки-коллекции высокочистых веществ РАН с пределами обнаружения на 2-3 порядка величины ниже, чем суммарная • концентрация электрически активных примесей в наиболее чистых образцах, полученных как в России так и за рубежом.

На основе концентрационной зависимости ширины линий ФТИ разработана методика определения концентрации В, Л1, Ga, Р в Ge и В,Р в Si непосредственно по спектрам ФТИ с пределом обнаружения до ЫО8 СМ3 (2-Ю"13 ат.%) при суммарной концентрации основных электроактивных примесей до в

германии и до при суммарной

ат.%) в кремнии. Исследована зависимость времени релаксации примесной фотопроводимости в германии от концентрации компенсирующих примесей в диапазоне предельно низких концентраций до

10' см"3. Разработана бесконтактная методика определения компенсирующих примесей в Ge по времени релаксации фотопроводимости в области концентраций

3-10%5-10" см"3.

Созданы наиболее подробные каталоги спектров доноров и акцепторов в кремнии и германии, включая примесные комплексы. Измерены сечения поглощения в спектральных линиях наиболее распространенных примесей в кремнии и германии, что является основой для количественных измерений примесного состава. С применением разработанных спектроскопических методов исследования получен ряд практически важных новых материалов: высокочистый гидридный германий, легированный кремний для низкофоновых приемников излучения, кремний с рекордно малыми диэлектрическими потерями в

миллиметровом диапазоне длин волн 1£<5=3-10"6 при Т=290 К на частоте 145 ГГц -материал для окон мошных источников микроволнового излучения.

Для кремниевых светоихтучающих структур, однородно и селективно легированных эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, достигнута внешняя квантовая эффективность при низких температурах и низких уровнях накачки до 0,4 % и 0,04% при 7= 4,2 и 77 К соответственно, что является, по-видимому, высшим достижением для структур с излучающими центрами, содержащими ионы в кремнии.

Положения выносимые на защиту.

1. Новый бесконтактный вариант фототермоионизационной ИК спектроскопии высокого разрешения является эффективным методом определения электрически активной части примесей и примесных комплексов в кремнии и германии с пределом обнаружения до и разрешающей силой до 104, что достаточно для исследования и анализа наиболее чистых образцов полупроводниковых кристаллов германия и кремния при минимальной вероятности искажения примесного состава и структуры кристаллов.

2. Полученные в работе экспериментальные данные о частотах, уширении, сечениях поглощения и силах осцилляторов спектральных линий примесей и их идентификация позволяют достоверно определить химическую природу, энергетический. спектр и концентрацию более чем 40 электрически активных примесных центров в кремнии и германии, включая кислородсодержащие двойные термодоноры в Si, применяя методы фототсрмоионизационной и абсорбционной спектроскопии высокого разрешения.

3. Исследование доминирующего механизма уширения спектральных линий фототермической ионизации примесей в высокочистых монокристаллах германия и кремния методом бесконтактной ФТИС высокого разрешения позволило впервые разработать методику определения концентрации электрически активных примесей в диапазоне 101О-Ю13 см'3 в Се и 10,2-Юи см"3 в Si непосредственно по спектрам ФТИ.

4. Определены условия формирования излучательных центров в кремниевых структурах, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ. При термообработке однородно и селективно легированных структур Si:Er/Si, полученных методом сублимационной МЛЭ с поликристаллическим источником 81:Ег, формируется новый излучающий центр Ег-1 с орторомбической 1{Сг„) симметрией кристаллического окружения иона и предельно узкими для ионов РЗЭ в кремнии линиями люминесценции.

5. Кремниевые структуры, легированные редкоземельными элементами, являются перспективными для получения излучающих устройств (включая светодиоды и лазеры) на внутрицентровых переходах редкоземельных ионов с эффективным возбуждением через электронную подсистему кремния.

Апробация результатов работы.

Основные результаты диссертации докладывались на V Европейской конференции по аналитической химии (Краков, Польша, 1984 г.); VII и VIII Всесоюзных конференциях по методам получения и анализа высокочистых веществ (Горький, 1985, 1988 г.); IX конференции по химии высокочистых веществ (Нижний Новгород, 1992 г.); V Международной конференции «Мелкие примеси в полупроводниках» (Кобе, Япония, 1992 г.); XI Международном симпозиуме по Молекулярной спектроскопии высокого разрешения (Москва-Н.Новгород, 1993 г.); 17 Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Гмунден, Австрия, 1993 г.); I Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993 г.); 18 Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Синдаи, Япония, 1995 г.); Международном конгрессе по аналитической химии (Москва, 1997), 19 Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Авьеро, Португалия, 1997 г.); Всероссийском совещании "Наноструктуры на основе кремния и германия" (Нижний Новгород, 1998), 24 Международной конференции по физике полупроводников" (Иерусалим, Израиль, 1998) Международном совещании "Нанофотоника", Н. Новгород, Россия, 1999, 2000, 2001, 2002, 2003; Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Беркли, США, 1999) г.); IV Всероссийская конференции по физике полупроводников «Полупроводники' 99»; Международной конференции «Геттерирование и инженерия дефектов в полупроводниках» (GADEST'99) 1999 Швеция; Международной конференции "Оптика полупроводников" Ульяновск Россия 1998, 8 международном симпозиуме "Наноструктуры: Физика и технология" Санкт-Петербург, Россия, 2000; 21 Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Гиссен, Германия, 2001); V Российская конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, 10-14 сентября 2001; Совещании по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний-2002», Новосибирск 2002 г.; 10 Международной конференции по центрам с мелкими уровнями в полупроводниках Варшава Польша 2002, 26 Международной конференции по физике полупроводников Эдинбург, Шотландия 2002, Совещании по прикладным исследованиям НАТО "Вперед к первому кремниевому лазеру" Тренто, Италия 2002; 22 Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Гиссен, Дания, 2003); Симпозиуме общества материаловедения (MRS); «Оптоэлектроника материалов на основе элементов IV

группы» Сан-Франциско, США 2003; 2-м Нижегородском совещании «Высокочистый моноизотопный кремний. Получение, анализ, свойства и применение», Нижний Новгород, Россия 2003; VI Российской конференции по физике полупроводников. С.-Петербург, 27-30 октября 2003 г. Публикации

Основные результаты диссертации опубликованы в 74 статьях в ведущих российских и зарубежных журналах, список которых приведен в конце автореферата. По результатам диссертации сделано более 30 докладов на российских и международных симпозиумах, конференциях и совещаниях. Личный вклад автора заключается в выборе направления исследования, в предложении идеи бесконтактного варианта фототермоионизационной спектроскопии и её реализации совместно с Л.И.Герштейном и В.Б. Шмагиным. [1,6,8,19]. В работах [2,4,8,12,24,32,65], развивающих методы определения природы и концентрации примесей по спектрам фотопроводимости и абсорбции, соискатель предложил и реализовал способы определения коэффициентов поглощения и концентрации примесных центров по спектрам фотопроводимости. В исследованиях энергетических спектров примесных центров в 81 и ве [7,9,10,13,21,] автором диссертации выполнены спектроскопические эксперименты с высоким разрешением, измерены сечений поглощения и совместно с Т.МЛифшицем, Е.Б.Козловым, В.Б.Иконниковым проведена идентификация переходов, определение сил осцилляторов и составление каталогов спектров. В исследованиях примесного состава кристаллов ве и 81 [3.5,14,16,18,20,22,25,69] соискатель совместно с Г.Г.Девятых, Г.А.Максимовым, АВ.Гусевым участвовал в постановке задачи, выполнил спектроскопические эксперименты и интерпретировал результаты. В исследованиях энергетических спектров и процессов формирования термодоноров [15,17,27,29,30,46,54,57,66] автор диссертации совместно с В.В.Емцевым сформулировал задачу, выполнил все спектроскопические эксперименты и участвовал наряду с другими соавторами в их интерпретация. Совместно с В.П.Кузнецовым, З.Ф.Красильником, М.В.Степиховой, В.Б.Шмагиным разработаны эффективно излучающие эпитаксиальные структуры 81:Ег/81 [33-36,55,58,64]. Вклад соискателя был определяющим при экспериментальном исследовании спектров люминесценции иона квантовой эффективности и определении роли

альтернативных каналов рекомбинации экситонов в 81 [38-45,62,67,71]. В совместных с НАСоболевым исследованиях люминесценции гольмия в 81 соискатель впервые наблюдал и интерпретировал спектр ФЛ в 81. В

исследованиях светоихлучающих структур 81:Ег/81 автор диссертации определил связь излучающих центров с параметрами процессов роста и термообработки

структур, выделил серию линий люминесценции как новый излучающий центр Ег-1. В исследованиях эффекта Зеемана для ионов Ег3~ в кремнии [53,68,74] соискатель участвовал в постановке задачи и интерпретации результатов эксперимента, внес решающий вклад в выбор объекта исследования - излучательного центра Ег-1.

Структура и объем диссертации

Диссертация состоит из 7 глав, введения, заключения, содержащего основные результаты, двух приложений и списка литературы, включающего в себя цитируемую литературу и работы автора по теме диссертации. Общий объем 335 страниц, включая 127 рисунков и 43 таблицы. Список литературы содержит 488 наименований.

2. СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

фототермоионизационной, абсорбционной и люминесцентной спектроскопии. Рассматриваются данные о примесном составе высокочистых 81 и Ое в зависимости от условий получения и термообработки кристаллов. На основе анализа литературных данных формулируются цели исследований.

Основным элементом устройства, изображенного на рис.1, является

высокочастотный резонансный мост [8], питаемый кварцевым ВЧ-генератором В измерительный контур моста включается конденсатор с исследуемым образцом. Изменения при поглощении излучения активной и реактивной составляющих проводимости полупроводника нарушают баланс моста и регистрируются раздельно фазовыми детекторами ФД-1,2. Ввод излучения в охлаждаемый до гелиевых температур конденсатор с исследуемым образцом и

диэлектрическими прокладками и, одновременно, соединение конденсатора с контуром осуществляется с помощью штанги-световода из коаксиальных труб.

При рассмотрении эквивалентной схемы замещения конденсатора с полупроводником получены уравнения, связывающие сигналы на выходе бесконтактного преобразователя с изменениями активной и реактивной

компонент проводимости полупроводника под действием излучения. Показано, что в выходном сигнале каждого из фазовых детекторов, в общем случае, содержится информация о суммарных изменениях комплексной проводимости исследуемого образца. При выполнении условий (С„/С(1)»1 (ZH/R„)«\, где /?0 и Со-сопротивление и емкость образца, - сопротивление изолирующих

прокладок на частоте питания моста, выходные сигналы раздельно регистрируют изменения компонент проводимости <5L'R -~SR0 /Ra и SU с -¿¡Со /Со. Оценка параметров эксперимента показывает, что раздельная регистрация возможна при сопротивлении исследуемых образцов R0>10 кОм и толщине изолирующих (полиэтиленовых) прокладок du <10 мкм.

Чувствительность при бесконтактной регистрации, определяется отношением мощности шумов в полосе приема аппаратуры РШ к мощности питания Р в измерительном контуре высокочастотного моста (5С,.к)тг-{Рш/Р)'/2-Спк-5'10'". В основе ограничений обоих способов регистрации фотопроводимости (контактного и бесконтактного) лежат общие причины. Предел обнаружения традиционного метода измерения фотопроводимости также определяется максимальной мощностью питания Р, которая не вызывает значительного увеличения шума: Одной из причин резкого увеличения может быть, например, развитие примесного пробоя при увеличении напряженности электрического поля в образце. Различия в реальных пределах обнаружения сигнала связаны с суммарной мощностью шумов в полосе приема аппаратуры- В экспериментах показано, что минимально обнаружимое изменение емкости конденсатора с исследуемым образцом составляет величину близкую к теоретической. Величина отношения S/N при бесконтактной регистрации, в общем случае, выше, чем при традиционной контактной записи спектров фотопроводимости.

Третья глава содержит результаты разработки и модификации установок для низкотемпературной спектроскопии поглощения, фотопроводимости и люминесценции полупроводников, включая эксперименты с высоким спектральным разрешением.

Серийный дифракционный спектрометр ИКС-31 был модифицирован для исследования спектров ФТИ примесей в германии. Фурье-спектрометры с быстрым

сканированием ШБ-120 HR фирмы «Bmker» и DA3.36 фирмы «Bomem»

были основным универсальным инструментом для исследования спектров поглощения, фотопроводимости и люминесценции в диапазоне длин волн от 50 до 12000 см1, с разрешением до 0,002 см1. Дано описание блок-схемы установки для низкотемпературной абсорбционной и ФТИ-спектроскопии с бесконтактной регистрацией в различных вариантах криостатов: транспортном гелиевом сосуде Дьюара, в проточном криостате и заливном криостате; условия регистрации спектров высокого разрешения.

Спектрометр и релаксометр с мощными монохроматическими источниками излучения - лампами обратной волны (ЛОВ) - позволял регистрировать спектры ФТИ для переходов между возбужденными состояниями примесных центров в Ое в диапазоне 3-20 см'1 с разрешением 0$001 ом"1 с максимальными отношением «сигнал/шум». Измерительная установка содержала газовую ячейку для измерения частоты по опорному вращательному спектру, схему нормировки сигнала ФП на величину мощности ЛОВ и оригинальное устройство для устранения интерференционных искажений в спектрах ФП. Релаксометр с высокочастотной модуляцией частоты ЛОВ и бесконтактной регистрацией кинетики ФП обеспечивал измерение времени спада примесной фотопроводимости Ge в интервале т>10 6 сек.

В четвертой главе изложены результаты экспериментального исследования энергетических спектров фотовозбуждения из основного состояния мелких примесей в высокочистых кристаллах, основной целью которого было создание подробного каталога спектральных линий, содержащего данные об идентификации переходов, частотах и силах осцилляторов для мелких доноров и акцепторов в кремнии и германии.

Приведенные в работе таблицы спектральных линий содержат идентификацию и частоты около 300 переходов в спектрах ФТИ 40 примесных центров в Ge (в диапазоне 50- 135 см"1) и в 81 (в диапазоне 240-1000 см"1). Точность измерения частоты в фурье-спектрах ФТИ высокого разрешения при бесконтактной регистрации составляла от 0,006 до 0,2 СМ"1 для примесных центров в Ое и от 0,01 до 0,4 см'1 в Бь Наиболее детально изучены спектры элементарных акцепторов бора, алюминия и галлия в Ge и для которых получены данные о частотах переходов из основного состояния в нечетные возбужденные

для и Ge соответственно. Впервые наблюдались переходы в спектре двух акцепторных комплексов в высокочистом германии с энергией связи

основного состояния 10,65 и 11,05 мэВ.

В спектрах ФП акцепторов в обнаружены новые интенсивные линии на 783, 838 и 860 СМ*' для В и 975 см"1 для А1, которые (в согласии с результатами расчета

энергии четных состояний акцепторов [9]) могут быть отнесены к электрон -фононным переходам (фононным повторениям), в которых участвуют два четных 5-подобных состояния: основное и возбужденные 2Г»\ ЗГ«" и 4Г8'. В

предшествующих работах [10,11] в спектрах фононных повторений наблюдались только переходы в нечетные Р-состояния, разрешенные и в бесфононной части спектра.

Экспериментальные спектры ФТИ элементарных доноров в Si и Ge и семейства кислородсодержащих двойных термодоноров с энергией ионизации измерены и идентифицированы для переходов из основного в возбужденные P-состояния до 10Р-. Идентификация переходов из основного состояния доноров приведена в соответствие с расчетом Бейнихеса и Когана [6], выполненным для неводородоподобных мелких доноров в приближении центральной ячейки нулевого радиуса. Этот расчет исправил ошибочную идентификацию переходов по Фолкнеру [7], на которой основывались интерпретации всех экспериментов после 1969 года. Предсказанная в работе [6] линия была впервые зарегистрирована в

данной работе в спектре примесного комплекса обладающего узкими

линиями с шириной до 0,035 см"1.

Силы осцилляторов переходов / определяли, измеряя интегральный коэффициент поглощения (с использованием правила сумм) в монокристаллах с известным содержанием Л* электрически активных центров данного сорта

где ^диэлектрическая проницаемость кристалла, М- средняя относительная эффективная масса. Экспериментально определены силы осцилляторов для переходов из основного состояния мелких примесей В, Л1, P, Li, (П^) в Ge, В, А1, Ga, P в Si. Интерполяцией экспериментальных зависимостей сил осцилляторов от энергии связи основного состояния получены также оценки сил осцилляторов для мелких примесных центров в Si и Ge.

Таблица. 1 Сечения поглощения для переходов TD D/4 Сечение поглощения а х 1014

таи Е„ мэВ данная работа 15—>2Р0 данная работа /3—> 2РЦ [13]

1= а,„„ см о,л», СМ сттач. см" 2 СМ"

1 69,2 5.4+0.8 2,5±0,4 1,7±0,3 1,4

2 66,8 5,8±0.9 2,7±0.4 1,5+0.3 1,7

3 64,6 6,3±0,9 3,0±0.5 1,9±0,4 1.9

4 62,2 6,9+1.0 3,2±0.5 2,2+0.4 2.1

Впервые измерены интегральные сечения поглощения для наиболее интенсивных переходов 15—>2Р± и 1 Б—>2Р0 семейства двойных термодоноров, приведенные в табл. 1. Наиболее важным следствием измерений явилось обнаруженное расхождение измеренных и рассчитанных значений сил осцилляторов переходов доноров как в Si так и в Ge. Экспериментальные данные для фосфора в кремнии и германии значительно (в 1,5-2 раза) расходятся с теоретическими расчетами [6,12]. Причиной этого, как отмечено в работе [12], может быть недостаточная точность расчета волновых функций основных состояний примесей в рамках ПЭМ.

В пятой главе изложены результаты исследования формы линий, континуальных спектров фотовозбуждения примесных центров и кинетики релаксации ФП в кристаллах Si и Ge с целью развития комплекса методов количественного определения электрически активных примесных. Сравнение спектров поглощения и спектров ФТИ показало существенное различие

наблюдаемой формы спектральных линий для одних и тех же кристаллов Si и Ge. В большинстве случаев линии в спектрах ФТИ шире, чем в абсорбционных спектрах (АС). Ширина линий ФТИ уменьшается с уменьшением концентрации

считалось невозможным. Получены зависимости ширины линии ФТИ от концентрации (на рис. 2. для р-Ов) позволяющие определять нейтральные мелкие акцепторы и доноры в ве и 81 непосредственно по спектрам ФТИ с относительным стандартным отклонением Бг<0,4 для образцов германия с суммарным содержанием электроактивных примесей от 101' до и-Ю10 см'3 и в кремнии, содержащем от 1014 до /Я'10" см" доноров.

Ширина линий поглощения и ФТИ, измеренная в высокочистых бездислокационных кристаллах ве и 81 (например, указанная стрелкой на рис.2 ширина С-линии А1 (1 Гк+—1 Г7~) в бездислокационном кристалле р-Ое (Ду)т,п=0,038±0,008 см"' (4,8 мкэВ)), показывает, что ограничения методики в области малых концентраций связаны с дислокационным уширением линий ФТИ.

Зависимости времени релаксации фотопроводимости р-Ов от концентрации ионизованных акцепторов и температуры исследованы в дополнение к предшествующим работам [14] бесконтактным способом и в диапазоне предельно низких концентраций до 2-109 см-1. Разработана методика бесконтактного измерения концентрации компенсирующих примесей в ве в диапазоне 3-109-:-5-10" см"3 по времени релаксации ФП. Установлено, что для высокочистого германия время релаксации ФП т? является однозначной функцией концентрации компенсирующих

примесей только при ограничении фонового

излучения. Полученные значения коэффициента захвата о>=(1,4±0,5)-10"5 см7с и сечения захвата а=5,7-Ю"12 см2 при Т=6К хорошо согласуются с теорией захвата дырки на изолированный кулоновский центр в р-ве.

Рассмотрена задача определения концентрации примесных центров с различной энергией связи основного состояния по относительным интенсивностям линий в спектрах ФТИ с учетом сил осцилляторов переходов и статистики заполнения состояний. Эта задача характерна для центров с малой концентрацией, не измеряемой по ширине линий ФТИ или из спектров поглощения.

Исследовано влияние селективного оптического поглощения на спектры континуальной фотопроводимости. Разработана и применена для количественного описания спектров модель формирования сигнала фотопроводимости с абсорбцией.

Шестая глава содержит результаты исследований примесного состава высокочистых кремния и германия и его изменений в процессах глубокой очистки, легирования и при термообработках. Практически важные материалы были получены с использованием результатов данной работы: высокочистый гидридный германий, кремний с минимальным поглощением в микроволновом диапазоне, легированный кремний для низкофоновых приемников ИК излучения.

Методами ИК спектроскопии исследован примесный состав монокристаллов кремния и германия. Наиболее распространенными электрически активными примесями в кристаллах Ое и 81, очищенных кристаллизационными методами, включая моноизотопные кристаллы 28Б!, 2981 и ^Бц являются примеси элементов III и V групп Периодической системы А1, В, Р, содержащиеся на уровне до 101° СМ*3 в

Ое (см. табл.2.) и 10 в вь

Табл.2.Электрически активные примеси в кристаллер-Се ^-Ыо=5'10,0см"л

Примесь МА,см'! х10*ш Примесь см" хЮ"10 Примесь Ко, см" хЮ"10

В 2 (Н,Я) <0,03 Р 2,5

А1 4 (Си,Н2) 1 АБ <0,2

Са 0,2 (Си,Н) 0,4 БЬ <0,3 |

А6(Н,С) 0,5 Си5 0,3 (ВД <0,3

А„ 0,3 (Си,Ы,Н) 0,02 (Н,0) <0,2

АДСДМ) 0,2 (V2H) 0,1

А„ 0,2 (О) 0,01

Значительным эффектом взаимодействия примесей является установленный экспериментально факт нахождения основной части А1 и Си в Ge в электрически

неактивной форме. Показано, что источником поступления примесей В и Р, ограничивающего глубину очистки Ge кристаллизационными методами, являются материалы контейнеров. Примесь меди поступает в Ge с поверхности и распределяется в растущем кристалле при Т=700/900оС с коэффициентом диффузии ¿>=(2,4+0,3)-1 О*5 смг/с.

В легированном с концентрацией

акцепторов и малой степенью

компенсации обнаружено обращение типа

примесной фотопроводимости. На рис.3 видно, как при увеличении интенсивности межзонного света сигнал ФП мелких доноров (Р) растет, а спектр фотопроводимости основной примеси Ga (концентрация которой на несколько порядков больше) уменьшается относительно спектра

компенсирующей примеси и при подсветке потоком 5-Ю16 фотонов/с при Т>14 К исчезает вовсе. На обращении примесной ФП, связанной с полной перезарядкой доноров, основано определение компенсирующих примесей в легированном кремнии.

Исследованы изменения в энергетическом спектре примесных центров для основного материала современной электроники — Cz-Si, вызванные термообработкой при Т=450 и 600°С. Показано, что считающийся в литературе квазинепрерывным энергетический спектр "новых доноров", возникающих при Т=600°С, является составным. Установлены компоненты этого спектра: кислородсодержащие двойные донорные центры TDD с уровнями - 0,07 и Ес -0,15 эВ и донорные состояния Et -(0,03-0,04) и Et - 0,09 эВ, отнесенные к другим двойным центрам NTDD. Оба типа центров TDD и NTDD не являются специфическими для термообработки при T=600°C Их образование наблюдается и при T<500 С, правда с существенными отличиями в кинетике формирования. Действительно новыми в энергетическом спектре "новых доноров" являются глубокие донорные состояния с доминирующие в

Si после термообработки при T=700°C

Точечные дефекты, появляющиеся вследствие преципитации кислорода в Si при Т=600°С, эффективно взаимодействуют даже с остаточными примесями бора и фосфора, концентрации которых менее что приводит к потере

соответствующих мелких примесных состояний.

Обнаружен и исследован эффект ускоренного формирования термодоноров с энергией ионизации >100 мэВ и семейства TDDi при отжиге Cz-Si под давлением Р>1 ГПа при Т=450 и 600°С.

Изучен процесс компенсирующего легирования кремния амфотерной примесью золота с целью уменьшения поглощения на свободных носителях. Из исходных монокристаллов высокочистого большого диаметра получен

высокопрозрачный материал для окон мощных источников микроволнового излучения с рекордно низким уровнем диэлектрических потерь в микроволновом диапазоне длин волн (tg<5=3-10'6, р=2,4-105 Ом*см при Т=290 К и v=I45 ГГц), по удельному сопротивлению и величине диэлектрических потерь близкий к собственному кремнию.

В седьмой главе приведены результаты исследования излучающих примесных центров, связанных с ионами редкоземельных элементов в кремниевых и кремний-германиевых структурах.

Тип излучающего центра, связанного с ионом Ег3* в кремнии, определяется расщеплением основного (V^) состояния поле кристаллического окружения.

Методами низкотемпературной ФЛ в однородно и селективно легированных эпитаксиальных слоях, выращенных методами СМЛЭ из

поликристаллического источника 81: Ег, из независимых металлического источника Ег и кристаллического источника 81, были идентифицированы доминирующие оптически активные примесные центры, включающие ион Высокая интенсивность низкотемпературной ФЛ наблюдалась в эпитаксиальных структурах без дополнительной термообработки.

Для ФЛ структур, выращенных из поликристаллического источника 81:Ег при низкой температуре (Т=430°С), характерен интенсивный линейчатый спектр в области мкм

обозначены цифрами. На вставке линия I.

изолированных центров, содержащих ион Ег3*: серии линий известных центров Er-O1, ED1 [15], а также единичные переходы других комплексов эрбия с кислородом и дефектами структуры с низкой симметрией кристаллического окружения Ег3~. Линейчатый спектр всех изолированных центров, относящихся к эрбию, полностью исчезает в исследованных СМЛЭ-структурах после отжига при Т=800°С 30 минут и возникает спектр ФЛ единственного нового центра Er-1, содержащего эрбий и кислород, с серией узких линий (Av<0,08 CM*' (10 МКЭВ), приведенной на рис. 4.

В спектрах структур, выращенных при 1>500°С, доминирует широкая полоса с максимумом вблизи 6500 см"1. Отжиг в интервале температур до 800°С не изменяет значительно интенсивности ФЛ этого пика. Такой спектр ФЛ характерен для слоев с высоким содержанием Ег и О и был отнесен, согласно [16] к иону Ег3" в SiOx -подобных преципитатах.

Определены излучающие центры содержащие ионы Ег3* в эпитаксиальных структурах, полученных из металлического источника эрбия и в структурах на основе твердого раствора

Формирование в эпитаксиальных структурах при найденных условиях единственного центра Ег-1 с рекордно узкими линиями, является важной

предпосылкой для развития излучательных устройств на основе Si. Впервые для этого центра наблюдался эффект Зеемана для ионов редкоземельных элементов в 81. Анализ расщепления в магнитном поле до 5 Т линий перехода ^н/з-^Ьз'З показывает, что линии в серии Ег-! принадлежат оптически активным центрам с различной симметрией кристаллического окружения иона Ег' . Характер расщепления наиболее интенсивной линии ФЛ на 6502 см*' (см рис.5.) соответствует орторомбической /(С2к) симметрии центра, которому принадлежит, по крайней мере, еще одна линия 4. Все наблюдаемые излучательные переходы иона являются

электродипольными без изменения спина.

Исследованы особенности процессов передачи энергии иону эрбия в матрице кремния в эпитаксиальных структурах. Наиболее эффективным является экситонный механизм возбуждения низкотемпературной ФЛ эрбия [17]. Для эпитаксиальных структур с различным типом излучающих центров измерены кинетика ФЛ и зависимость интенсивности ФЛ от мощности возбуждающего излучения. Измеренные величины времени спада ФЛ при Т=4,2 К мс близки к излучательному времени жизни иона Ег в возбужденном Рис.5. Расщепление линии / (6502 см"1) в состоянии. Анализ зависимостей магнитном поте ттття конфигураций интенсивности ФЛ от мощности накачки В 11(100) (а) и В 11(011) (Ь).

на основе экситонной модели возбуждения иона эрбия через электронную подсистему матрицы Si указывает на существенную роль альтернативного (по отношению к донорным уровням эрбиево-кислородных комплексов) канала захвата свободных экситонов, а также безыхлучательного канала рекомбинации экситонов, связанных на эрбиевых центрах. Получена оценка доли оптически активных центров ФЛ эрбия - <6% от общего содержания атомов Ег на уровне в исследованных структурах.

Среди электрически активных донорных центров, возникающих при введении в кремний примесей редкоземельных элементов в процессах ионной имплантации и сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии методом

В//<100> 122,110038

. . ■■*—»* Г"

030в!

(2 25±0 03*0^21 в

В=5 25Т

4 В, (Т)

фототермоионизационной спектроскопии обнаружены классические двойные термодоноры с энергией ионизации

Обнаружено значительное увеличение интенсивности ФЛ в эпитаксиальных структурах периодически легированных эрбием с толщиной слоев от 20 до 500 А. Получены эпитаксиальные кремниевые структуры с высокой внешней квантовой эффективностью низкотемпературной ФЛ (до 0,4% при оптической накачке) и диодные структуры с интенсивной электролюминесценцией на переходе иона Ег3' в режиме обратного смещения в интервале температур 4.2 - 300 К при слабом температурном гашении для двух типов пробоя: лавинный пробой в структурах с относительно низким уровнем легирования и туннельный пробой в структурах с концентрацией носителей в активной области Изучено

температурное гашение ФЛ и ЭЛ в эпитаксиальных структурах и обнаружены излучающие центры, содержащие ионы с возрастающим участком

температурной зависимости ФЛ. Для этих центров отмечено подавление температурного гашения ФЛ в результате термообработки структур.

В кремниевых структурах, легированных гольмием и кислородом в процессе ионной имплантации, впервые наблюдалась фотолюминесценция в спектральном диапазоне 4600-5150 см основную часть которой составляет линейчатый спектр, соответствующий переходам с первого возбужденного состояния (51у) ионов Но3+ в основное состояние мультиплета расщепленного в кристаллическом поле

локального окружения. Выделены серии люминесцентных линий для трех различных центров, связанных с гольмием в кремнии, доминирующие в спектрах образцов, после термообработки при температуре Т=800,900 и 950°С. Показано, что кислород играет значительную роль в оптической активности гольмия, поскольку интенсивность линий ФЛ ионов гольмия возрастает при соимплантации кислорода.

Оценена возможность достижения лазерной генерации в кремниевых и кремний-германиевых структурах, легированных эрбием. Для эпитаксиальных структур коэффициент усиления излучательного перехода центра Ег-1 по теоретическим оценкам составляет существенно превышая поглощение.

Основные результаты работы 1. Предложен и реализован бесконтактный вариант регистрации спектров фотопроводимости полупроводников, основанный на наблюдении изменений активной и реактивной компонент комплексной проводимости полупроводника при поглощении излучения. Минимально обнаружимые изменения проводимости равны для реактивной и для активной компонент

проводимости. При сохранении уникальной чувствительности

фототермоионизашюнной спектроскопии устранена проблема создания омических малошумящих контактов.

2. Разработаны установки для наблюдения спектров фотопроводимости полупроводников на базе дифракционного монохроматора, фурье-спектрометра, спектрометра с быстрым сканированием и релаксометра субмиллиметрового диапазона с лампами обратной волны. Спектрометры с бесконтактной регистрацией фотопроводимости охватывают диапазон от 5 до 12 000 см-1. Релаксометр позволяет регистрировать времена спада фотопроводимости в интервале сек при частоте возбуждающего излучения ЛОВ до 0,6 ТГц.

3. Определены энергетические спектры примесных центров в высокочистых и легированных монокристаллах кремния и германия. Составлены наиболее подробные каталоги спектров элементарных доноров и акцепторов, примесных комплексов в Ое и 81 в диапазоне от 50 до 1200 см"1, включая переходы акцепторов в резонансные состояния под отщепленной валентной подзоной 81 и электронные переходы с участием оптического фонона в Б1. Обнаружены переходы ранее неизвестных мелких акцепторов в германии А12, А13. В экспериментах с высоким спектральным разрешением определены интегральные сечения поглощения и силы осцилляторов для наиболее распространенных примесей в 81 и Ое.

4. Изучен примесный состав высокочистых и легированных кристаллов кремния и германия. Определены концентрации доминирующих основных и компенсирующих электрически активных примесей с пределом обнаружения методом ФТИС до 108 см" для мелких примесей в германии и Ю9 СМ для примесей в кремнии. Показано, что электрически активные центры составляют часть суммарного содержания примесей, зависящую от химической природы примеси. Наиболее ярким примером является примесь А1 в Ое, взаимодействие которой с примесями приводит к уменьшению доли электроактивного алюминия до Практически важные материалы были получены с использованием результатов данной работы: высокочистый поликристаллический и монокристаллический гидридный германий с содержанием электроактивных примесей до кремний с рекордно низкими диэлектрическими потерями в миллиметровом диапазоне длин волн легированный кремний для низкофоновых приемников излучения.

5. Обнаружено различие формы линий в фототермоионизационных и абсорбционных спектрах. Показано, что это различие связано с большой оптической толщей полупроводника при формировании сигнала фотопроводимости. Это обстоятельство позволило объяснить наблюдаемую зависимость ширины линий

ФТИ от концентрации примесей и впервые разработать способ определения концентрации электрически активных примесей непосредственно по спектрам ФТИ, что ранее считалось невозможным. Получены и описаны в рамках предложенной модели уширения необходимые для количественного анализа зависимости ширины линий ФТИ от концентрации мелких примесей в интервалах для ве

и 10'2-И0'4 см"3 для 81.

6. В спектрах фотовозбуждения определена фундаментальная ширина линий мелких доноров и акцепторов в бездислокационных высокочистых кристаллах 81 и ве. Наиболее узкая для электронных переходов в ве линия элементарного акцептора наблюдалась в абсорбционных спектрах и составила для перехода

(4,8 мкэВ), близкую к ширине линии, ограниченной временем жизни в возбужденном состоянии акцептора при

электрон-фононном взаимодействии.

7. Исследован энергетический спектр кислородсодержащих термодоноров и определены его трансформации в процессах термообработки 02-81. Вопреки существовавшим представлениям о разрушении двойных термодоноров в результате термообработки при Т=600-650°С, спектроскопические эксперименты показали, что отжиг кремния при температуре 600°С формирует и классические двойные термодоноры с энергией ионизации основного состояния 60-70 мэВ, образование которых при высокой температуре идет после скрытого периода около 25 часов, со скоростью образования (6-101" см"3ч"') на порядок меньшей, чем при 450°С, и в составе преобладают термодоноры с большой энергией ионизации (с малым количеством атомов кислорода). Точечные дефекты, появляющиеся вследствие преципитации кислорода в 02-81 при Т=600°С, эффективно взаимодействуют с остаточными примесями бора и фосфора, что приводит к потере электрической активности этих примесных состояний.

8. Впервые измерены интегральные сечения поглощения для наиболее интенсивных переходов 1Б—>2Р± семейства двойных термодоноров. Основываясь на полученных данных о сечениях поглощения, получены абсолютные значения концентрации термодоноров и данные о кинетике их образования. Исследовано влияние давления и температуры на процессы формирования термодоноров в кремнии. Получены точные спектроскопические данные об эффекте ускоренного образования термодоноров в 81 при термообработке в условиях гидростатического сжатия до I ГПа.

9. Исследованы излучающие центры, связанные с ионом Ег3' в кремниевых структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, и установлена их связь с условиями выращивания и термообработки.

Идентифицирован новый излучающий центр Ег-1 с орторомбической симметрией. Для центра Ег-1. имеющего рекордно узкую линию излучения на частоте у=6504 см"1 5у=0,08см 1 (10 мкэВ), впервые наблюдался эффект Зеемана для излучательных переходов ионов редкоземельных элементов в кремнии.

10. Получены эпитаксиальные кремниевые структуры с рекордно высокой внешней квантовой эффективностью люминесценции (до 0,4% при оптической накачке). Определена доля связанных с ионами центров захвата экситонов в эпитаксиальных структурах, составляющая величину до 6% от суммарной концентрации эрбия. Показано существенное влияние электрически активных примесей в кремнии иа процессы излучательной рекомбинации с участием редкоземельных ионов. Оценена возможность достижения лазерной генерации в кремниевых и кремний-германиевых структурах, легированных эрбием. Для эпитаксиальных структур коэффициент усиления излучательного перехода центра Ег-1 по теоретическим оценкам составляет 30 см существенно превышая поглощение.

11. В кремниевых структурах с примесью гольмия, введенной методом ионной имплантации, впервые наблюдались излучательные переходы гольмия из первого возбужденного состояния % в основное 51а в области 4500-5200 см '. Исследовано влияние примеси кислорода и термообработки на интенсивность люминесценции иона Обнаружены серии люминесцентных линий для трех различных центров, связанных с гольмием в кремнии, доминирующие в спектрах образцов после термообработки при температуре Т=800, 900 и 950°С.

Основные результаты опубликованы в следующих работах

А1. Андреев Б А, Герштеин Л.И, Иконников В Б, Шмагин В Б, Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников//ПТЭ. 1985. №3. С. 172-174.

А2. Андреев Б.А, Ивашин А В, Лифшиц ТМ, Максимов ГА, Шиагин В Б, Спектрометр для исследования фотопроводимости полупроводников в дальней инфракрасной области на основе ИКС—31//ПТЭ. 1985. №4. С. 173-174. А3. Девятых Г Г, Андреев Б А , Балабанов В В, Гавва В А , Гусев А В, Иконников В Б, Максимов ГА, Нечунеев ЮА, Пятое М.Ю, Шмагин В Б, Примеси в высокочистом германии, полученном гидридным методом//Известия АН СССР. «Неорганические материалы». 1986. Т.22. № 12. С. 1957-1961.

А4. Андреев Б А, Воронкова Г11, Лифшии ТМ, Иконников В Б, Шмагин В Б. Обращение типа примесной фотопроводимости в легированном полу проводнике//Письма в ЖЭТФ 1986. Т.44 Вып. 6. С.282-284.

А5. Девятых Г.Г.. Андреев Б.А., Гавва В.А.. Гусев А.В., Полозков С.А. Максимов Г.А.. Нечунеев Ю.А. Исследование влияния материала контейнера на глубину очистки германия методом зонной плавки//Доклады АН СССР 1986. Т.291. №1. С. 169-170.

А6. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Максимов Г.А., Шмагин В.Б., Определение примесей в высокочистых кремнии и германии методом бесконтактной фотоэлектрической спектроскопии высокого разрешения//Высокочистые вещества. 1987.№1.С.138-145.

А7. Андреев Б.А, Иконников В.Б., Козлов Е.Б.. Шмагин В.Б., Спектры фототермической ионизации примесей в высокочистых кремнии и германии//Высокочистые вещества.1988.№2. С.180-188.

А8. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Козлов Е.Б., Шмагин В.Б, Соловьев Ю.А., Мокрушин А.В., Нечунеев Ю.А., Пятое МАО. Бесконтактный метод определения компенсирующих примесей в высокочистом германии//Высокочистые вещества. 1989 №6. С. 138-143.

А9. Андреев Б.А.. Иконников В.Б., Козлов Е.Б.. Лифшиц Т.М, Шмагин В.Б., Интенсивность примесных оптических переходов в кремнии, легированном фосфором//Письма в ЖЭТФ. 1989. Т.49. №1. С.39-42.

А10. Андреев Б.А., Лифшиц Т.М., Фототермоионизационная спектроскопия примесей в германии и кремнии//Высокочистые вещества. 1990. №5. С.7-22. All. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Беков Г.И., Гусев А.В., Максимов Г.А., Пименов В.Г.. Прончатов А.11. Определение доли электроактивных алюминия, бора и лития в общем содержании этих примесей в высокочистом германии/УДоклады АН. 1990. Т.310.№4.С.901-903.

А12. Андреев Б.А., Козлов Е.Б., Лифшиц Т.М., О ширине линий примесных оптических переходов в абсорбционных и фототермоионизационных спектрах//ФТП. 1991. Т.25. Вып.5. С.880-884.

А13. Андреев Б.А., Козлов Е.Б., Лифшиц Т.М., Силы осцилляторов оптических переходов в мелких примесях и примесных комплексах в кремнии и германии//ФТП. 1992. т .26. Вып.5. С. 927-934.

А14. Девятых ГГ., Андреев Б.А., Гусев А.В., Гавва В.А., Потапов О.В., Максимов Г.А., Пименов ВТ. Поведение примеси алюминия в расплаве германия//Доклады РАН 1992.Т.324.№1.С.121-124.

А15. Андреев Б А.. Голубев ВТ., Емцев В.В., Кропотов Г.И., Оганесян ГА., Шмалъц К. Обнаружение двойных термодоноров в энергетическом спектре «новых доноров» в кремнии//Письма в ЖЭТФ 1992. Т.55. Вып.1. С.52-55.

А16 .Девятых ГГ. Андреев ЬА IxceeAB. Гавва В Л . Гордеев Д М. Макси .„„ Г I. Пименов ВГ. Тилюнин ДА. Ш магии ВБ. Определение доли электрически активной меди в общем ее содержании в кристаллах высокочистого германия//Докпады РАН. 1993. Т.329. №5. С.600-602.

Ml. Андреев Б А . Гоубев В Г, Емцев В В. Кропотов ГII, Оганесян ГА . Шчалъц К Процессы формирования «новых доноров» при термообработке кремния с различной концентрацией кислорода//ФТП. 1993. Т.27. Вып.4. С 567-582. AI8. Девятых ¡'Г, Андреев Б А. Калмыков ВН. Нечунеев ЮА Способ очистки поликристаллического германия//Авторское свидетельство СССР № 1554435. А19. В А -Indieev Ikonmkov V В. Kozlov СВ. Lifshits ТМ and Shmagin I 'В Contactless photothermal ionization spectroscopy of shallow defects in semiconductors//Material Science Forum 1994. Vol 43-147. P.1365-1369. A20 Andteev В A. Dexyatykh GG. Gavxa I'A, Gotdeev D \f Gusev A I'. Maksimov GA Pimenov I'G Shmagin Г В, Timonm DA Copper in ultra-pure germanium: determination of electrically active fraction//Semiconductor Sci. and Technol. 1994. V.9. P. 1050-1053.

A21. Andieer В A, Kozlov ЕВ. T \f I ifshits Oscillator strengths and linewidths of shallow impurity spectra in Si and Ge//Mater.Science Forum. 1995. Vol 196-201. P.121-126.

A22. Shmagin V В, Andreev В A . Garxa VA , Gusev A V Kotereya T Г. Pimenox VG Copper species in ultra-pure germanium crystals//Material. Sci. Forum. 1995. Vol 196201. P.701-706.

A23. Parshin ГГ, Ileidmger R., Andteev В A , Gusev A V. Shmagin V.B, Silicon as an advanced window material for high power gyrotrons//Journal of IR and MM Waves. 1995. Vol 16. N.5.P. 863-877.

A24. Муравьев AB, Павюв С Г, Орюва ЕЕ, Шастин ВН. Андреев БА, Конденсация спектра вблизи линии примесного поглощения в лазере на горячих дырках германия. //Письма в ЖЭТФ 1995. Т.61. Вып.З. С.182-185. А25. Девятых Г Г, Андреев Б А. Гавва В А . Гордеев Д Л/. Гусев А В. Котерева Т В. Шмагин В Б О поступлении меди в монокристалл германия при выращивании по Чохральскому //Доклады АН. 1995. Т. 343. № 6. С. 779-780.

А26. Андреев Б А. Колов ЕБ, Лчфшиц ТМ, Шмагин ВБ. Определение концентрации электрически активных примесей в высокочистых кремнии и германии методом фототермоионизационной спектроскопии.//Высокочистые вещества 1995. №3. С. 124-134

А27. Emtsev Г Г, Andieev В А . Мпшк -I. Jung W. Schmalz К Formation of thermal donors in Czochralski grossn silicon under hydrostatic pressure up to lGpa // in Early

Stages of Oxygen Precipitation in Silicon ed. by R.Jons (Kluwer Academic Publishers 1996) P. 345-353.

A28. Андреев Б A , Котерева 7 В. Паршин В В. Шчагин В Б. Heidmger R Кремний с минимальными диэлектрическими потерями в миллиметровом диапазоне длин волн.// Неорганические материалы. 1997. Т.ЗЗ. №11.С. 1301-1304. А29. Emtsev Г У. Andteev В А , Misuik А, Jung IV, Schmalz К Oxygen aggregation in Czochralski-grown silicon heat treated at 450°C under compressive stress//Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71 N.2. P.264-266.

A30. Emtsev У V. Sobolev .4 , AndteevBA , PoloshnDS. Shek ¿"/Thermal donors in silicon doped with erbium//So!id State Phenomena 1997. Vol 7. N.8. P. 207-211. A31. Emtsev V У. Andteev В A , Poloskin DS. Sobolev Л' A. Shek El Donor centers in Erbium-implanted silicon//Mater.Sci. Forum. 1998. Vol.58(2). P.1515-1520. A32. Андреев БА, Голубев В Г, Кропотов ГП, Максимов ГА, Шчагин ВБ. Определение коэффициентов поглощения и примесей в полупроводниках по спектрам фотопроводимости. Журнал аналитической химии. 1998. Т. 53. №11 С. 1204-1210.

АЗЗ. Stepikhova М, A Andteev. Andieev В. KrasiVmk Z, Shmagin У, Kuznetsov V. Rubtsova R, Jantsch IV, Ellmer H, Palmelsho/er L, Preier H, Karpov Yu, Piphts К. Hutter И Optically active Si:Er layers grown by the sublimation MBE method//Acta Physica Polonica A. 1998. Vol.4(3). P. 549-554.

A34. Andreev В A , Andreev AY. H Ellmer, H Hutter, Krasil 'mk ZF, Kuznetsov VP ,S Lanzerstorfer, L Palmetshofer, К Piphts, RA Rubtsova, Л S Sokolov. Shmagin VB, Stepikhova M\ . EA Uskova Optical Er-Doping of Si during Sublimational Molecular Beam Epitaxy//Journal ofCrystall Growth. 1999. Vol.201/202. P.534-537. A35. Андреев А Ю. Андреев Б A . MH Дроздов, Кузнецов ВП, Красшьник ЗФ. Карпов Ю А. Рубцова РА. Степихова MB, У скова ЕА, Шчагин В Б, Ellmer Н, Palmetshofer L. Piplitz К, Hutter Н Оптически активные слои кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//ФТП. 1999. Т. 33. Вып.2. С. 156-160.

A36. Андреев А Ю, Андреев Б А , Дроздов М Н, Епчер X, Кузнецов В П, Калугин Н Г, Красгаьник 3 Ф, Карпов Ю А , Палыметсхофер Л. Пиплитц К, Рубцова Р А , Степихова MB. i скова Е А, Шмагин В Б. Хуттер X. Электрические и оптические характеристики кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//Известия АН Сер.физич. 1999. Т.63. №2. С.З92-399. А37 Андреев Б А , С обо iee Н А , Никошев Ю А , Курицын ДII. Маковиичу к МП, Паршин Е О Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, легированного гольмием//ФТП. 1999. Т. 33. С. 420-422.

А38. Ammeilaan С 4 J Thao DT\, Giegoi kieu ic: T, Audi ее \ В A, Krasd'nik Z h Photoluminescence of erbium-doped silicon, temperature dependence//Solid State Phenomena 1999 Vol. 70. P. 359-364.

A39 Андреев /> I. Андреев А Ю. Гапонова ДМ Красилышк ЗФ Новиков А В Степихова MB, Шчагин В Б. Кузнецов В11, Ускова УА, Lamer storfer S Оптически активные центры в кремнии, легированном эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//Известия АН. Сер. физическая. 2000. Т 64. №2. С.269-272.

А40 Шенгуров В Г. Свепиов СП. Чалков ВЮ. Ускова У А, Красшъиик ЗФ, Андреев Б А Степихова MB, Фотолюминесценция на длине волны 1,54 мкм в слоях кремния, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных эрбием и кислородом//Известия АН. Сер. физическая.

2000. Т. 64. №2. С. 353-357.

А41. Светлов СП, Чалков ВЮ, Шенгуров В Г, Ускова УА. Максимов Г А, Андреев Б А, Красшьник ЗФ, Cmemixoea MB. Ellmer II Легирование слоев кремния из сублимирующего источника эрбия в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии//Письма в ЖТФ. 2000 Т.26, №1, С.84-89

А42. Stepikhova M, Andreev В, Krasd'nik Z, Soldatkin A , Kaznetsov V, Gusev О, Uniformly and selectively doped silicon-erbium structures produced by the sublimation MBE method//Materials Science and Engineering- В 2001 Vol. 81 (1-3) P. 67 - 70. A43 Sobolev NA, AM Emelyanov, Y A hikolae\, Andreev BA, Krasdmk Z.F, Holmium-related luminescence in crystalline silicon//Materials Science and Engineering: В 2001 Vol. 81(1-3) P. 176-178.

A44 Андреев Б A , Красипьник ЗФ. Кузнеиов В П, Сочдаткин А О, Бресчер МС, Гусев ОБ, Яссиевич И H Особенности фотолюминесценции эрбия в кремниевых структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//ФТТ. 2001. Т. 43. Вып. 6. С 979-984.

А45. Шенгуров В Г. Светлов СП, Чалков В Ю, Максимов ГА , Красгаьник 3 Ф, Андреев Б А, Степихова MB, Шенгуров ДВ, Palmetshofer L, Ellmer H Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии ФТП. 2001. том 35. Вып. 8. С. 954-959

А46. Emtsev VV JR. Ammerlaan С A J. Andreev В А , Emtsev VV, Oganesyan G A, Misnik A , Londos С A Early stages of oxygen aggregation and thermal donors in silicon annealed under hydrostatic pressure// Journal of Materials Science:Materia!s in Electronics

2001. Vol. 12(4-6). P.223-225.

A47. Свет we СП, Шенгуров В Г, Чапков ВЮ. Красгаьник ЗФ. Андреев Б 4. Дроздов ЮН Гетероэпитаксиальные структуры Si| xGex/Si(100), полученные

сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксией кремния в среде СеН4//Известия АН. Серия физическая 2001. Т.65(2). С.203-206.

А48. Андреев Б.А., Бреслер М.С., Гусев О.Б., Красильник З.Ф., Кузнецов В.П., Солдаткин А.О.. Яссиевич II.И. Особенности фотолюминесценции однородно и селективно легированных структур Si:Er/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//Известия АН. Серия физическая 2001 Т.65(2), С.271-275.

А49. Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Антонов А.В., Красгтьник З.Ф., Степихова М.В., Кузнецов В.П., У скова У.А., О. А. Кузнецов, Рубцова Р. А. Определение электрически активных примесей в светоизлучающих слоях Si:Er/Si, полученных в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//Известия АН. Сер. физическая 2001 Т.65(2). С.276-279.

А50. Шенгуров В.Г., Светлов СП., Чалков В.Ю., Максимов Г.А., Красшьник З.Ф., Андреев Б.А., Степихова M.B., Пальметшофер Л., Элмер X. Влияние условий роста на встраивание легирующего редкоземельного элемента в слой кремния в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии.//Известия РАН. Серия физическая 2001 Т.65(2). С.289-291.

А51. Stepikhova M.V., Andreev B.A., Shmagin V.B., Krasil'nik ZF., Kuznetsov V.P., Shengurov V.G., Svetlov S.P., Jantsch IV.,L Palmetshofer, H. Ellmer . Properties of optically active Si:Er and SiI-xGex layers grown by the sublimation MBE method//Thin Solid Films. 2001. 381(1) P.164-169.

A52. C.A.J. Ammerlaan, Andreev B.A., Krasil'nik ZF., D.'I. Kryzhkov, Kuznetsov V.P., E.N. Morozoxa, G. Pensl, Shmagin V.B., and E.A. Uskova Electrically active centers in light emitting Si:Er/Si structures grown by the sublimation MBE method 7/Physica B: Condensed Matter 2001. Vol. 308-310 P. 361-364.

A53. Andreev B.A., Gregorkiewicz Т., Krasil'nik ZF., H. Przybylinska and N.Q. Vinh Observation of Zeeman effect in photoluminescence of Er3+ ion imbedded in crystalline silicon //Physica B: Condensed Matter. 2001 Vol. 308-310 P. 340-343. A54. C.A.J. Ammerlaan, Andreev B.A., Emtsev V. V., G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin and Sobolev N.A., Shallow donors in silicon coimplanted with rare-earth ions and oxygen //Physica B: Condensed Matter. 2001 Vol. 308-310. P. 350-353.

A55. StepikhovaM., Andreev В., V. Kuznetsov, Z Krasil'nik, A. Soldatkin, V. Shmagin and M. Bresler Effect of Selective Doping on Photo- and Electroluminescence Efficiency in Si:Er Structures // Solid State Phenomena 2002 Vol. 82-84 P. 629-636. A56. Emtsev V. V., A. Misiuk, AndreevB.A, Emtsev V. V.Jr., C.A. Londos, G.A Oganesyan and D.S. Poloskin Impact of Compressive Stress on the Formation of Thermal Donors in Heat-Treated Silicon// Solid State Phenomena 2002 Vol. 82-84 P. 259-266.

А57. Lmtser VI' Jr. CAJ immetlaan, Andteev В A , GA Oganesyan. DS Poloskm El Shek and Sobolev .VA, Thermal Donors in Silicon Implanted with Rare Earth Impurities Solid State Phenomena 2002 Vol. 82-84 P. 93-98

A58. Andieev В, V Chalkov. О Gitsev. Л Emel'yanov, Z Krasil'ntk, V Kuznetsov, P. Рак, V Shabanov, V Shengiirov, V Shmagtn, .V Sobolev, Stepikhova M, S Svetlov Realization of photo- and electroluminescent Si.Er structures by the method of sublimation molecular beam epitaxy//Nanotechnology.2001. Vol. 13 P. 97-102. A59. Abrosimov N, Andreev B, Egorov S, Grtmmetss IIG, Jantsch W, Kocher G Zabiodskn A Alloy fluctuations in Sil-xGex crystals//Physica B: Condensed Matter, 2001 Vol 308-310. P. 558-560.

A60. Шенгуров В Г, Светлов С П. Чалков В Ю. Андреев Б А . Красшьник 3 Ф. Бер Б Я, Ю Н Дроздов, Ябчонскии АН, Светоизлучающие слои твердого раствора кремний-германий, легированные эрбием в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии//ФТП 2002. Т. 36. Вып. 6. С.662-665.

А61 Шенгуров В Г, Светлов СП, Чатов BIO, Максимов Г А, Красшьник ЗФ, Андреев БА, Степихова MB, Шенгуров Д В Сегрегация эрбия в слоях кремния, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией//Неорганические материалы 2002 Т.38. №5. С. 1-5.

А62 Andreev В А , Jantsch W, Krasil'mkZF, Kuritzy n DI, Kuznetsov VP, Stepikhova M V, Yablonsky A N, Quantum efficiency and temperaturequenching of the luminescence of uniformly and selectively erbium-doped silicon structures produced by sublimation MBE method//Proceedings of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, Edinburgh, July 29-August 2. 2002. Edinburgh. Great Britain, P63. Institute of Physics Publishing. 2003.1SBN.0750309245.

A63. Шмагин В Б, Андреев Б А, А В Антонов, Красшьник ЗФ, Кузнецов ВП, Кузнецов OA. Ускова УА, Ammerlaan CAJ, Pensl G Электрически активные центры в светоипучаюших слоях Si:Er/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии //ФТП. 2002. Т.36. Вып.2. С.178-182. А64. Krasilmk ZF, Aleshkm I'Ya, Andreev В A , Gusev OB Jantsch W„ Krasilnikova LI', Kruhkov DI, Kuznetsov l'P, Shengiirov VG, Shmagin VB, Sobolev NA, Stepikhova M V, Yablonsky A , SMBE grown uniformly and selectively doped Si:Er structures for LEDs and lasers // in "Towards the first silicon laser" Eds. L. Pavesi, S. Gaponenko, L. Dal Negro, Kluver Academic Publishers, 2003. P.445-454. A65. Andieev В A, Emtsev V V. Kryzhkov DI, Kuritsyn DI. and Shmagin VB, Study of IR absorption and photoconductivity spectra of thermal double donors in silicon//Physica status solidi. (b) 2003. Vol. 235, N.l, P. 79-84.

А66. Emtaev J*.Г. Jr.. Ammerlaan C.A.J., Emlsev I'.l'., Oganesyart G.A.. Andreev B.A., Kuritsyn D.I., Misiuk A.. Surma В.. Londos C.A. Double thermal donors in Czochralski-grown silicon heat-treated under atmospheric and hydrostatic pressures// Physica status solidi. (b) 2003. Vol. 235. N. 1. P.75-78.

A67. Андреев Б.А., Грегоркевич Т., Красильник З.Ф., Кузнецов В.П, Курицын Д. И.. Cmenuxoea MB, Шенгуров В.Г., Шмагин В.Б, Яблонский АН, Янч В. Эффективность и температурное гашение люминесценции в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием.//Известия АН Сер. физическая 2003 Т. 67, №2, С. 281-284.

А68. Н Przybylinska, N.Q. Vinh, В.А. Andreev. ZF. Krasilnik, and Т. Gregorkiewicz. Microscopic Structure of Er-Related Optically Active Centers in Si // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003. V. 770. P.1711-1717.

A69. Андреев Б.А., Яблонский A.H., Ещев B.B., Сенников П.Г., Курганов А.Г., Котерева Т.В., Гусев А.В., Ниман X., Абросимов Н., ШильД., Ри.\шн X., ПольХ.-Й.. ИК спектроскопия мелких доноров, и акцепторов в моноизотопном кремнии. //2-е Нижегородское совещание «Высокочистый моноизотопный кремний. Получение, анализ, свойства и применение», Нижний Новгород, Россия 19-22 июня 2003. Тезисы докладов. С. 34-35.

А70. Гастев С.В., Емельянов A.M., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Шмагин В.Б., Эффективное сечение возбуждения - фотолюминесценции и время жизни в возбужденном состоянии ионов Ег3* в многослойных селективно легированных БкЕг-структурах//ФТП.2003. Т. 37.Вып. 9. С.1123-1126. А71. Шенгуров В.Г., Светлов СЛ., Чалков В.Ю., Андреев Б.А., Краааьник З.Ф., Бер ЕЯ. Распределение эрбия и германия в слоях Si|.,Gex, выращенных кремнии методом - сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде СеН4//Неорганические материалы. 2003.Т39. №1. С.3-6.

А72. Андреев Б.А., Краааьник З.Ф., Д.И. Крыжков, Яблонский А.Н., Кузнецов В.П., Gregorkiewicz Т., Klik M.A.J. Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции ионов Ег3< в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием//ФТТ. 2004. Т.46. Вып. 1. С.98-101.

А73. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Андреев Б.А., Краааьник З.Ф., Крыжков Д.И., Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ//ФТТ 2004. Т.46. Вып.1. С.102-104.

А74. I'inh S.Q., Klik М, Andreev В.A.. Gregorkiewicz Т. Spectroscopic characterization of Er-1 center in selectively doped silicon to appear/ZMaterials Science and Engineering B. 2003. Vol.105. P.150-152.

Цитируемая литература

1. Pavlov S.G. Zhukavin R.Kh., Orlova E.E., Shastin V.N., et al. Stimulated terahertz emission from donor transitions in silicon//Phys.Rev.Lett. 2000.Vol.84(22). P.5220.

2. Kagan MS, Altukhov IV, Chirkova EG, et al. THz lasing due to resonant acceptor states in strained p-Ge and SiGe quantum-well structures//Phys. Status Solidi B. Vol. 2003.235(2) P.293.

3. "Towards the first silicon laser" Eds. L. Pavesi, S. Gaponenko, L. Dal Negro//Kluver Academic Publishers. 2003.482 P.

4. Лифшиц Т.М., Надь Ф.Я. Фотопроводимость в германии, легированном

примесями V группы, при энергиях фотонов, меньших энергии ионизации примеси.//ДАН СССР. 1965. Т. 162. С. 801.

5. Лифшиц Т.М. Фототермоионизационная спектроскопия примесей в полупроводниках// Приборы итехника эксперимента. 1993. № 1. С. 10.

6. Бейнихес И.Л., Коган Ш.М. Доноры в многодолинных полупроводниках в приближении центральной ячейки нулевого радиуса.//ЖЭТФ. 1987. Т. 93. С. 285.

7. Faulkner R.A. Higher Donor Excited States for Prolate-Spheroid Conduction Bands: A Reevaluation of Silicon and Germanium //Phys. Rev. 1969. Vol. 184(3). P. 713.

8. Герштейн Л. И. Оптимальная. приемная система акустического детектора РАД// Изв. ВУЗов, Радиофизика, 1977. Т. 20. С. 223.

9. Lipari N.O., Baldareschi A., Thewalt M.L.W. Central cell effects on acceptor spectra in Si and Ge//Solid State Commun. 1980. Vol.33. P.277.

10.Baron R., Young M.H., McGill.T.C. Breit-Wigner-Fano resonances in the photoconductivity of semiconductors: Experiment//Solid State Communications. 1983.Vol.47(3). P.167.

11.Yia-Chung Chang,. McGill.T.C. Breit-Wigner-Fano resonances in the photoconductivity of semiconductors: Theory//Solid State Communications. 1983.Vol.47. N.3. P.I71.

12.Clauws P., Broeckx J., Rotsaert E., Vennik J. Oscillator strengths of shallow impurity spectra in germanium and silicon//Phys. Rev. B. 1988. Vol.38(17). P. 12377.

13 .Wagner P. Infrared absorption studies ofthermal donors in silicon//Mater. Res.Soc. Symp. Proc. 1986. Vol. 59. P.125.

14.Гершензон Е.М., Гольцман Г.И., Елантьева А.И., и др. Применение субмиллиметровой ЛОВ-спектроскопии для определения химической природы и концентрации примесей в чистых полупроводниках.//ФТП. 1983. Т.17(8).С. 1430.

15.Przybylinska H., Jantsch W., Suprin-Belevitch Yu. et al. Optically active erbium centers in silicon //Phys. Rev. B. 1996. Vol.54. P.2532

16.Jantsch W., Lanzerstorfer S., Palmetshofer L., Stepikhova M., Preier H. Different Er centers in Si and their use for electroluminescence devices//.J, of Luminescence. 1999. Vol.80, P. 9.

17.Бреслер М.С., Гусев О.Б., Захарченя Б.П., Яссиевич И.Н. Экситонный механизм возбуждения ионов эрбия в кремнии//ФТТ. 1996.Т.38(5). С.1474.

АНДРЕЕВ Борис Александрович

Инфракрасная спектроскопия электрически активных примесей в кремнии и германии

Автореферат

Подписано к печати 12.04.2004 г. Формат 60x90 1/16. Бумага писчая. Тираж 100 экз. Отпечатано на ризографе в Институте физики микроструктур РАН 603950, Нижний Новгород, ГСП-105

И2175

Содержание диссертации автор исследовательской работы: доктора физико-математических наук, Андреев, Борис Александрович

Введение.J

Глава 1. Электрически активные примеси в полупроводниках

Обзор литературы).

1.1. Энергетические спектры примесей в кремнии и германии.

1.2. Интенсивности переходов в спектрах фотовозбуждения примесей.

1.3. Абсорбционная ИК спектроскопия электрически активных примесей.

1.4. Фототермическая ионизация примесей.

1.5. Экспериментальная техника ФТИС и АС.

1.6. Измерение концентрации электрически активных примесей.

1.7. Электрически активные примеси в высокочистых кремнии и германии.

Глава 2. Бесконтактный вариант спектроскопии фотопроводимости полупроводников.

2.1. Принцип действия и устройство бесконтактного преобразователя.

2.2. Формирование сигналов фотопроводимости в бесконтактном преобразователе.

2.3. Раздельная регистрация SR- и <ЯС-спектров.

- 2.4. Чувствительность бесконтактного способа регистрации спектров фотопроводимости полупроводников.

Глава 3. Спектрометры инфракрасного и субмиллиметрового диапазонов длин волн для исследования электрически активных примесей в кремнии и германии.

3.1. Дифракционный спектрометр для ФТИС.

3.2. Фурье-спектрометр высокого разрешения для бесконтактной фототермоионизационной и абсорбционной спектроскопии полупроводников.

3.3. Спектрометр и релаксометр субмиллиметрового диапазона с лампами обратной волны.

Глава 4. Спектроскопические параметры электрически активных примесных центров в кремнии и германии.

4.1. Энергетические спектры примесей в германии.

4.2. Энергетические спектры элементарных доноров и акцепторов в кремнии.

4.3. Силы осцилляторов оптических переходов в спектрах фотовозбуждения мелких примесных центров в Si и Ge.

4.4. Спектроскопические параметры двойных термодоноров в кремнии.

Глава 5. Концентрационные зависимости спектров фотовозбуждения электрически активных примесей в кремнии и германии.

5.1. Форма линий в спектрах оптического поглощения и фототермической ионизации примесей.,.

5.2. Зависимость ширины линий в спектрах ФТИ от концентрации примесей.

5.3. Определение концентрации примесных комплексов.

5.4. Зависимость времени релаксации фотопроводимости от концентрации компенсирующих примесей в высокочистом германии.

5.5. Влияние селективного поглощения на спектры фотопроводимости в области фотоионизации примесей.

Глава 6. Примесный состав высокочистых и легированных кристаллов кремния и германия.

6.1. Элементарные примеси и примесные комплексы в высокочистом гидридном германии.

6.2 Источники поступления примесей в высокочистый германий.

6.3. Электрически активные примесные центры в высокочистом и моноизотопном кремнии.

6.4. Примесная фотопроводимость в легированном слабо компенсированном ¿>-81.

6.5. Энергетический спектр кислородсодержащих термодоноров в кремнии.

6.6. Особенности формирования термодоноров в кристаллах кремния, выращенных по Чохральскому, при отжиге под давлением.

6.7. Кремний с минимальными диэлектрическими потерями.

Глава 7. Излучающие и электрически активные примесные центры в кремниевых структурах, легированных редкоземельными элементами и кислородом.

7.1. Излучающие центры в Si и SiGe, содержащие ионы Ег3+.

7.2. Спектроскопические параметры и микроструктура центра Ег-1.

7.3. Электрически активные центры в кремнии, легированном редкоземельными элементами.

7.4. Эффективность и температурное гашение люминесценции иона Ег3+ в эпитаксиальных кремниевых структурах.

7.5. Излучающие центры, содержащие ион Но3+ в кремнии.

7.6. О возможности лазерной генерации в кремниевых структурах, легированных редкоземельными элементами.

Введение диссертация по физике, на тему "Инфракрасная спектроскопия электрически активных примесей в кремнии и германии"

Актуальность темы. Элементарные полупроводники - кремний, германий и структуры на их основе являются объектами интенсивных исследований с целью поиска физических эффектов, открывающих возможности для создания новых и совершенствования существующих твердотельных электронных устройств. В различной степени изучены фотоэлектрические и излучательные свойства монокристаллов Si и Ge и применены в фотоприемниках ИК диапазона на примесных и межзонных переходах в Si и Ge, в лазере на р-Ge, в детекторах ионизирующих излучений. В последнее время обнаружено стимулированное излучение в дальней инфракрасной области спектра на примесных переходах в кристаллическом кремнии [1] и одноосно сжатом р-Ge [2]. В большинстве случаев наблюдаемые эффекты связаны с природой и концентрацией электрически активных примесей в кристаллах и структурах, или со степенью их чистоты, поэтому исследования примесного состава, энергетических спектров и излучательных свойств примесных центров в кристаллах германия, кремния и в структурах на их основе представляют значительный интерес.

Развитие коммуникационных технологий на базе кремния резко увеличило потребность в эффективных оптоэлектронных устройствах. Кремний и твердый раствор SiGe оказались востребованными как светоизлучающие материалы. По ряду причин фундаментального характера монокристаллы Si и SiGe этими свойствами не обладают. Кремний - непрямозонный полупроводник, излучательная рекомбинация в Si затруднена, поэтому велик интерес к исследованиям излучающих центров в кремниевых структурах, связанных с редкоземельными элементами (РЗЭ), перспективных для целенаправленного изменения оптических свойств кремния и создания на базе кремния эффективных излучателей (в том числе лазеров) на длине волны 1,54 мкм, оптимальной для волоконно-оптических линий связи [3].

Особое место в исследованиях 81 и Ое занимают методы ИК спектроскопии: абсорбционная, фототермоионизационная и люминесцентная, поскольку энергии переходов между примесными уровнями в запрещенной зоне соответствуют инфракрасному диапазону длин волн. Одним из наиболее информативных методов исследования высокочистых полупроводников является фототермоионизационная спектроскопия (ФТИС), основанная на регистрации примесной фотопроводимости с линейчатым спектром, которую впервые наблюдали Лифшиц и Надь в 1964 г. [4]. Отличие ФТИС от других методов состоит в постоянстве сигнала примесной фотопроводимости при изменении концентрации примесных центров в широком диапазоне, поэтому предел обнаружения метода по теоретическим оценкам может достигать величины 106-105 см" (<2-10" ат.%) [5]. Возникло редкое для полупроводникового материаловедения положение, когда аналитический метод имеет предел обнаружения на несколько порядков величины ниже, чем содержание примесей в наиболее чистых кристаллах. Но необходимые для записи спектров ФТИ малошумящие при гелиевых температурах омические контакты к исследуемым полупроводникам сложны в изготовлении, велика вероятность искажения структуры и примесного состава высокочистых кристаллов. Сложность изготовления контактов увеличивается с ростом степени чистоты исследуемых кристаллов и мешает реализации значительных преимуществ ФТИС. Кроме того, к началу данной работы метод ФТИС не был количественным, поскольку интенсивность линий ФТИ не зависела от концентрации. В этих отношениях метод ФТИС уступал менее чувствительным спектроскопическим методам: абсорбционной и люминесцентной спектроскопии, в которых спектры регистрируются без контактов к образцам и существует линейная зависимость аналитического сигнала от концентрации. Создание бесконтактного способа регистрации спектров фотопроводимости и развитие количественных методов ИК спектроскопии (фототермоионизационной и абсорбционной) представляются актуальными задачами.

Цели диссертационной работы - получение новых данных о природе, энергетических спектрах и содержании электрически и оптически активных центров в высокочистых и легированных кристаллах кремния, германия, в структурах на основе этих полупроводников. Эти данные необходимы для развития методов глубокой очистки, легирования 81 и ве и для получения эффективных светоизлучающих структур на основе кремния. Способы достижения - развитие высокочувствительных бесконтактных спектроскопических методов исследования полупроводников: фототермоионизационной, абсорбционной и люминесцентной ИК спектроскопии высокого разрешения, создание экспериментальных методов и физических основ для методов анализа кремния и германия с низкими пределами обнаружения электрически и оптически активных примесей. Объекты исследования -высокочистые и легированные монокристаллы и ве, моноизотопный кремний, структуры на основе 81 и 810е, легированные эрбием и гольмием в процессах сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и ионной имплантации.

Научная новизна работы. Разработан бесконтактный высокочувствительный метод определения электрически активных примесей по спектрам фотопроводимости полупроводников. С помощью нового метода исследован примесный состав высокочистых кремния и германия и его изменения в процессах глубокой очистки легирования и термообработки. Определена доля электроактивных примесей А1, В, 1Л в общем их содержании в высокочистом германии.

Исследована зависимость ширины линий в спектрах фототермической ионизации от концентрации электрически активных примесей в высокочистых монокристаллах германия и кремния. Впервые показано, что ширина линий, регистрируемых в спектрах фототермической ионизации, превышает таковую в спектрах поглощения вследствие большой оптической толщи полупроводника, участвующей в формировании сигнала фотопроводимости. Для бездислокационных образцов германия экспериментально определена ширина линий для перехода из основного состояния изолированного акцептора в кристалле Ое Ду=4,8 мкэВ (минимальная величина для электронных переходов в ве), получена оценка для времени жизни в возбужденном состоянии для элементарных акцепторов в Ое.

Детально изучены спектры переходов из основного состояния примесей в кремнии и германии с высоким разрешением. Создан каталог спектральных линий в диапазоне 50-900 см"1 для наиболее распространенных примесей и примесных комплексов в высокочистых 81 и Ое. Впервые наблюдались спектры новых акцепторов А12 и А13 в ве с энергиями ионизации 10,65 и 11,05 мэВ, переходы в высоковозбужденные состояния термодоноров. Идентифицированы ряд линий в спектрах ФТИ и фотопроводимости известных примесных центров: В, А1, ва, (и,О) в Ое и 81, в том числе электрон-фононные переходы с участием двух ^-подобных состояний акцепторов в кремнии.

В спектрах фотопроводимости донорного комплекса (1л,0) в германии впервые наблюдался переход из основного состояния на уровень 6Р+, предсказанный в работе Когана и др. [6] и меняющий идентификацию нечетных возбужденных состояний Е(пРм) в спектрах доноров в Ое и 81, на которой основывались все исследования, выполненные после работы Фолкнера [7].

Впервые измерены интегральные сечения поглощения и силы осцилляторов переходов 1£-»2Р± и 1 для семейства двойных термодоноров в кремнии. С использованием этих данных исследованы процессы формирования термодоноров в кремнии и получены спектроскопические доказательства значительного ускорения процесса образования термодоноров при термообработке в условиях гидростатического сжатия до давления >1 ГПа. Получены данные об энергетическом спектре «новых термодоноров» в кремнии, подвергнутом отжигу при Т=600°С , в котором обнаружены классические двойные доноры с энергией ионизации <70 мэВ, считавшиеся ранее неустойчивыми при этой температуре.

Обнаружен доминирующий вклад фотопроводимости компенсирующих примесей в суммарную фотопроводимость легированного кремния при освещении межзонным светом - обращение примесной фотопроводимости и предложен способ определения химической природы компенсирующих примесей в легированном с малой степенью компенсации.

В кремниевых структурах, полученных методами сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и ионной имплантации, идентифицированы излучательные центры, содержащие ионы редкоземельных элементов, и определена связь типов излучающих центров с условиями получения и термообработки структур. В эпитаксиальных структурах обнаружен новый излучающий центр Ег-1, содержащий ион Ег3+, для которого впервые для ионов РЗЭ в 81 наблюдался эффект Зеемана и зарегистрированы наиболее узкие линии излучения до Ду=10 мкэВ. Впервые наблюдалась фотолюминесценция иона Но в кремнии. Обнаружены несколько излучательных центров, связанных с ином гольмия, возникающих в результате отжига имплантированных структур.

Практическая ценность работы. Разработан бесконтактный преобразователь фотопроводимости полупроводников для регистрации малых изменений комплексной проводимости исследуемых образцов, возникающих при поглощении излучения. Минимальные обнаружимые изменения проводимости равны (^С/С)т|п=8-10"" и (<5К//?)пцП=10"9 при регистрации реактивной и активной составляющих соответственно. Преобразователь используется в исследованиях и анализе полупроводников в ряде исследовательских лабораторий России и за рубежом, был выпущен малой серией в СКБ Института радиотехники и электроники РАН.

Разработаны аппаратура и методики для спектроскопии и анализа полупроводников в ИК и субмиллиметровом диапазоне с использованием фурье-спектрометров в диапазоне 20-10000 см"1 с разрешением до 0,002 см"1, спектрометра и с лампами обратной волны в диапазоне 3-20 см"1 с разрешением до 0,0001 см"1, дифракционного монохроматора низкого разрешения в диапазоне 50-125 см"1. Разработан и создан автоматизированный релаксометр с лампами обратной волны и бесконтактной регистрацией кинетики фотопроводимости. Релаксометр позволяет измерять времена релаксации примесной фотопроводимости ввев диапазоне т>10"6 при гелиевых температурах. Методики анализа высокочистых ве и 81 использованы в Институте химии высокочистых веществ РАН при разработке методов получения высокочистых ве и 81, для определения примесного состава образцов Выставки-коллекции высокочистых веществ РАН с пределами обнаружения на 2-3 порядка величины ниже, чем суммарная концентрация электрически активных примесей в наиболее чистых образцах, полученных как в России так и за рубежом.

На основе концентрационной зависимости ширины линий ФТИ разработана методика определения концентрации В, А1, ва, Р в ве и В,Р в 81 непосредственно по спектрам ФТИ с пределом обнаружения до 1-Ю8 см"3 (2-10"13 ат.%) при суммарной концентрации основных электроактивных примесей до 3-Ю10см"3 (7-10"иат.%) в германии и до 109 см"3 (2-10"12 ат.%) при суммарной концентрации-1012 см"3 (2-10"9 ат.%) в кремнии. Исследована зависимость времени релаксации примесной фотопроводимости в германии от концентрации компенсирующих примесей в диапазоне предельно низких концентраций до 109 см"3. Разработана бесконтактная методика определения компенсирующих примесей в ве по времени релаксации фотопроводимости в области концентраций 3-10 -г5-10 см .

Для кремниевых светоизлучающих структур, однородно и селективно легированных эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии, достигнута внешняя квантовая эффективность при низких температурах и низких уровнях накачки до 0,4 % и 0,04% при Т- 4,2 и 77 К соответственно, что является, по-видимому, высшим достижением для структур с излучающими центрами, содержащими ионы Ег3+ в кремнии.

Положения выносимые на защиту.

О Т 11 германии с пределом обнаружения до 10 см" (2-10" ат.%) и разрешающей силой до 104, что достаточно для исследования и анализа наиболее чистых образцов полупроводниковых кристаллов германия и кремния при минимальной вероятности искажения примесного состава и структуры кристаллов.

2. Полученные в работе экспериментальные данные о частотах, уширении, сечениях поглощения и силах осцилляторов спектральных линий примесей и их идентификация позволяют достоверно определить химическую природу, энергетический спектр и концентрацию более чем 40 электрически активных примесных центров в кремнии и германии, включая кислородсодержащие двойные термодоноры в 81, применяя методы фототермоионизационной и абсорбционной спектроскопии высокого разрешения.

3. Исследование доминирующего механизма уширения спектральных линий фототермической ионизации примесей в высокочистых монокристаллах германия и кремния методом бесконтактной ФТИС высокого разрешения позволило впервые разработать методику определения концентрации электрически активных примесей в диапазоне Ю10-Ю13 см"3 в Ое и 1012-1014 см"3 в 81 непосредственно по спектрам ФТИ.

4. Определены условия формирования излучательных центров в кремниевых структурах, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ. При термообработке однородно и селективно легированных структур 8кЕг/81, полученных методом сублимационной МЛЭ с поликристаллическим источником 8кЕг, формируется новый излучающий центр Ег-1 с орторомбической /(С2у) симметрией кристаллического окружения иона Ег3+ и предельно узкими для ионов РЗЭ в кремнии линиями люминесценции.

Апробация результатов работы. Основные результаты диссертации докладывались на V Европейской конференции по аналитической химии (Краков, Польша, 1984 г.); VII и VIII Всесоюзных конференциях по методам получения и анализа высокочистых веществ (Горький, 1985, 1988 г.); IX конференции по химии высокочистых веществ (Нижний Новгород, 1992 г.); V Международной конференции «Мелкие примеси в полупроводниках» (Кобе, Япония, 1992 г.); XI Международном симпозиуме по Молекулярной спектроскопии высокого разрешения (Москва-Н.Новгород, 1993 г.); 17 Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Гмунден, Австрия, 1993 г.); I Российской конференции по физике полупроводников (Нижний Новгород, 1993 г.); 18 Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Синдаи, Япония, 1995 г.); Международном конгрессе по аналитической химии (Москва, 1997), 19 Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Авьеро, Португалия, 1997 г.); Всероссийском совещании "Наноструктуры на основе кремния и германия" (Нижний Новгород, 1998), 24 Международной конференции по физике полупроводников" (Иерусалим, Израиль, 1998) Международном совещании "Нанофотоника", Н. Новгород, Россия, 1999, 2000, 2001, 2002, 2003; Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Беркли, США, 1999) г.); IV Всероссийская конференции по физике полупроводников «Полупроводники' 99»; Международной конференции «Геттерирование и инженерия дефектов в полупроводниках» (GADEST'99) 1999 Швеция; Международной конференции "Оптика полупроводников" Ульяновск Россия 1998, 8 международном симпозиуме "Наноструктуры: Физика и технология" Санкт-Петербург, Россия, 2000; 21 Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Гиссен, Германия, 2001); V Российская конференции по физике полупроводников, Нижний Новгород, 10-14 сентября 2001; Совещании по росту кристаллов, пленок и дефектам структуры кремния «Кремний-2002», Новосибирск 2002 г.; 10 Международной конференции по центрам с мелкими" уровнями в полупроводниках Варшава Польша 2002, 26

Международной конференции по физике полупроводников Эдинбург, Шотландия 2002, Совещании по прикладным исследованиям НАТО "Вперед к первому кремниевому лазеру" Тренто, Италия 2002; 22 Международной конференции "Дефекты в полупроводниках" (Гиссен, Дания, 2003); Симпозиуме общества материаловедения (MRS); «Оптоэлектроника материалов на основе элементов IV группы» Сан-Франциско, США 2003; 2-м Нижегородском совещании «Высокочистый моноизотопный кремний. Получение, анализ, свойства и применение», Нижний Новгород, Россия 2003; VI Российской конференции по физике полупроводников. С.Петербург, 27-30 октября 2003 г.

Публикации Основные результаты диссертации опубликованы в 74 статьях в ведущих российских и зарубежных журналах, список которых приведен в конце автореферата. По результатам диссертации сделано более 30 докладов на российских и международных симпозиумах, конференциях и совещаниях.

Личный вклад автора заключается в выборе направления исследования, в предложении идеи бесконтактного варианта фототермоионизационной спектроскопии и её реализации совместно с Л.И.Герштейном и В.Б. Шмагиным. [А1,А6,А8,А19]. В работах [А2,А4,А8,А12,А24,А32,А65], развивающих методы определения природы и концентрации примесей по спектрам фотопроводимости и абсорбции, соискатель предложил и реализовал способы определения коэффициентов поглощения и концентрации примесных центров по спектрам фотопроводимости. В исследованиях энергетических спектров примесных центров в Si и Ge [А7,А9,А10,А13,А21,] автором диссертации выполнены спектроскопические эксперименты с высоким разрешением, измерены сечений поглощения и совместно с Т.М.Лифшицем, Е.Б.Козловым, В.Б.Иконниковым проведена идентификация переходов, определение сил осцилляторов и составление каталогов спектров. В исследованиях примесного состава кристаллов Ge и Si [АЗ,А5,А14,А16,А18,А20,А22,А25,А69] соискатель совместно с Г.Г. Девятых, Г.А.Максимовым, А.В.Гусевым участвовал в постановке задачи, выполнил спектроскопические эксперименты и интерпретировал результаты. В исследованиях энергетических спектров и процессов формирования термодоноров [А15,А17,А27,А29,А30,А46,А54,А57,А66] автор диссертации совместно с

В.В.Емцевым сформулировал задачу, выполнил все спектроскопические эксперименты и участвовал наряду с другими соавторами в их интерпретация. Совместно с В.П.Кузнецовым, З.Ф.Красильником, М.В.Степиховой, В.Б.Шмагиным разработаны эффективно излучающие эпитаксиальные структуры 81:Ег/81 [АЗЗ-А36,А55,А58,А64]. Вклад соискателя был определяющим при экспериментальном исследовании спектров люминесценции иона Ег3+, квантовой эффективности и определении роли альтернативных каналов рекомбинации экситонов в 81 [АЗ 8-А45,А62,А67,А71]. В совместных с Н.А.Соболевым исследованиях люминесценции гольмия в 81 соискатель впервые наблюдал и интерпретировал спектр ФЛ Но3+ в 81. В исследованиях светоизлучающих структур ЭкЕг^ автор диссертации определил связь излучающих центров с параметрами процессов роста и термообработки структур, выделил серию линий люминесценции как новый излучающий центр Ег-1. В исследованиях эффекта Зеемана для ионов Ег3+ в кремнии [А53,А68,А74] соискатель участвовал в постановке задачи и интерпретации результатов эксперимента, внес решающий вклад в выбор объекта исследования - излучательного центра Ег-1.

Структура и объем диссертации Диссертация состоит из 7 глав, введения, заключения, содержащего основные результаты, двух приложений и списка литературы, включающего в себя цитируемую литературу и работы автора по теме диссертации. Общий объем 335 страниц, включая 127 рисунков и 43 таблицы. Список литературы содержит 488 наименований.

Содержание работы

Первая глава содержит обзор литературы по методам определения электрически активных примесей в полупроводниках, физическим основам, экспериментальной технике и аналитическим применениям фототермоионизационной абсорбционной и люминесцентной спектроскопии. Рассматриваются данные о примесном составе высокочистых 81 и ве в зависимости от условий получения и термообработки кристаллов. На основе анализа литературных данных формулируются цели исследований.

Вторая глава посвящена результатам разработки нового бесконтактного варианта фототермоионизационной спектроскопии. Описывается устройство бесконтактного преобразователя фотопроводимости и результаты исследования механизма формирования аналитического сигнала. Определяются экспериментально и теоретически предельные возможности разработанного устройства для регистрации фотопроводимости.

Третья глава содержит результаты разработки экспериментальных устройств для спектроскопических экспериментов, включая эксперименты с высоким спектральным разрешением. Описываются модифицированные спектрометры для анализа полупроводников: монохроматор для дальнего ИК диапазона, модифицированный фурье-спектрометр высокого разрешения для ФТИС, спектрометр и релаксометр на лампах обратной волны.

Пятая глава посвящена результатам исследования формы линий, континуальных спектров фотовозбуждения примесных центров и кинетики релаксации ФП в кристаллах 81 и Бе с целью развития комплекса методов количественного определения электрически активных примесных.

Заключение диссертации по теме "Физика конденсированного состояния"

Основные результаты опубликованы в следующих работах

AI. Андреев Б.А., Герштейн Л.И, Иконников В.Б., Шмагин В.Б., Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников//ПТЭ. 1985. №3. С.172-174. А2. Андреев Б.А., Ивашин A.B., Лифшиц Т.М., Максимов Г.А., Шмагин В.Б., Спектрометр для исследования фотопроводимости полупроводников в дальней инфракрасной области на основе ИКС—31//ПТЭ. 1985. №4. С.173-174.

A3. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Балабанов В.В., Гавва В.А.,. Гусев А.В, Иконников В.Б., Максимов Г.А., Нечунеев Ю.А., Пятое М.Ю., Шмагин В.Б., Примеси в высокочистом германии, полученном гидридным методом//Известия АН СССР. «Неорганические материалы». 1986. Т.22. №12. С.1957-1961.

A4. Андреев Б.А., Воронкова Г.И., Лифшиц Т.М., Иконников В.Б., Шмагин В.Б., Обращение типа примесной фотопроводимости в легированном полупроводнике//Письма в ЖЭТФ 1986. Т.44. Вып. 6. С.282-284.

А5. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Гавва В.А., Гусев A.B., Полозков С.А. Максимов Г.А., Нечунеев Ю.А. Исследование влияния материала контейнера на глубину очистки германия методом зонной плавки//Доклады АН СССР 1986. Т.291. №1. С. 169-170. А6. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Максимов Г.А., Шмагин В.Б., Определение примесей в высокочистых кремнии и германии методом бесконтактной фотоэлектрической спектроскопии высокого разрешения//Высокочистые вещества. 1987. №1. С.138-145. А7. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Козлов Е.Б., Шмагин В.Б., Спектры фототермической ионизации примесей в высокочистых кремнии и германии//Высокочистые вещества. 1988. №2. С.180-188.

А8. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Козлов Е.Б., Шмагин В.Б., Соловьев Ю.А., Мокрушин A.B., Нечунеев Ю.А., Пятое М.Ю. Бесконтактный метод определения компенсирующих примесей в высокочистом германии//Высокочистые вещества.1989 №6. С.138-143. А9. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Козлов Е.Б., Лифшиц Т.М., Шмагин В.Б., Интенсивность примесных оптических переходов в кремнии, легированном фосфором//Письма в ЖЭТФ. 1989. Т.49. №1. С.39-42.

А10. Андреев Б.А., Лифшиц Т.М., Фототермоионизационная спектроскопия примесей в германии и кремнии//Высокочистые вещества. 1990. №5. СП-22.

All. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Беков Г.И., Гусев А.В., Максимов Г.А., Пименов В.Г., Прончатов А.Н. Определение доли электроактивных алюминия, бора и лития в общем содержании этих примесей в высокочистом германии//Доклады АН. 1990. Т.310. №4. С.901-903.

А14. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Гусев А.В., Гавва В.А., Потапов О.В., Максимов Г.А., Пименов В.Г. Поведение примеси алюминия в расплаве германия//Доклады РАН 1992. Т.324. №1. С.121-124.

А15. Андреев Б.А., Голубев В.Г., Емцев В.В., Кропотов Г.И., Оганесян Г.А., Шмалъц К. Обнаружение двойных термодоноров в энергетическом спектре «новых доноров» в кремнии//Письма в ЖЭТФ 1992. Т.55. Вып.1. С.52-55.

А16. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Гусев А.В., Гавва В.А., Гордеев Д.М., Максимов Г.А., Пименов В.Г., Тимонин Д.А., Шмагин В.Б., Определение доли электрически активной меди в общем ее содержании в кристаллах высокочистого германия//Доклады РАН. 1993. Т.329. №5. С.600-602.

А17. Андреев Б.А., Голубев В.Г., Емцев В.В., Кропотов Г.И., Оганесян Г.А., Шмалъц К. Процессы формирования «новых доноров» при термообработке кремния с различной концентрацией кислорода//ФТП. 1993. Т.27. Вып.4. С 567-582.

А18. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Калмыков В.К, Нечунеев Ю.А. Способ очистки поликристаллического германия//Авторское свидетельство СССР № 1554435. А19. B.A.Andreev. Ikonnikov V.B., Kozlov Е.В., Lifshits T.M. and Shmagin V.B. Contactless photothermal ionization spectroscopy of shallow defects in semiconductors//Material Science Forum. 1994. Vol.43-147. P.1365-1369.

A20. Andreev B.A., Devyatykh G.G., Gavva V.A., Gordeev D.M. Gusev A.V., Maksimov G.A. Pimenov KG. Shmagin V.B., Timonin D.A. Copper in ultra-pure germanium: determination of electrically active fraction//Semiconductor Sci. and Technol. 1994. V.9. P. 1050-1053. A21. Andreev B.A., Kozlov E.B., T.M.Lifshits Oscillator strengths and linewidths of shallow impurity spectra in Si and Ge//Mater.Science Forum. 1995. Vol. 196-201. P.121-126. A22. Shmagin V.B., Andreev B.A., Gavva V.A., Gusev A.V., Kotereva T.V., Pimenov V.G. Copper species in ultra-pure germanium crystals//Material. Sci. Forum. 1995. Vol. 196-201. P.701-706. A23. Parshin V. V., Heidinger R., Andreev B.A., Gusev A. V., Shmagin V.B., Silicon as an advanced window material for high power gyrotrons//Journal of IR and MM Waves. 1995. Vol.16. N.5.P. 863-877.

A24. Муравьев А.В., Павлов С.Г., Орлова E.E., Шастин В.Н., Андреев Б.А.,. Конденсация спектра вблизи линии примесного поглощения в лазере на горячих дырках германия. //Письма в ЖЭТФ 1995. Т.61. Вып.З. С.182-185.

А25. Девятых Г. Г, Андреев Б. А., Гавва В. А., Гордеев Д. М„ Гусев А. В., Котерева Т. В., Шмагин В. Б. О поступлении меди в монокристалл германия при выращивании по Чохральскому //Доклады АН. 1995. Т. 343. № 6. С. 779-780.

А26. Андреев Б.А., Козлов Е.Б., Лифшиц Т.М., Шмагин В.Б., Определение концентрации электрически активных примесей в высокочистых кремнии и германии методом фототермоионизационной спектроскопии.//Высокочистые вещества. 1995. №3. С.124- 134. А27. Emtsev V.V., Andreev В.А., Misiuk A., Jung W., Schmalz К. Formation of thermal donors in Czochralski grown silicon under hydrostatic pressure up to Юра // in Early Stages of Oxygen Precipitation in Silicon ed. by RJons (Kluwer Academic Publishers 1996) P. 345-353. A28. Андреев Б.А., Котерева Т.В., Паршин В.В., Шмагин В.Б., Heidinger R. Кремний с минимальными диэлектрическими потерями в миллиметровом диапазоне длин волн. // Неорганические материалы. 1997. Т.ЗЗ. №11. С.1301-1304.

А29. Emtsev V.V., Andreev В.А., Misuik A., Jung W., Schmalz К. Oxygen aggregation in Czochralski-grown silicon heat treated at 450°C under compressive stress.//Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71 N.2. P.264-266.

A30. Emtsev V.V., Sobolev N.A., Andreev B.A., Poloskin D.S., Shek E.I. Thermal donors in silicon doped with erbium//Solid State Phenomena 1997. Vol.7. N.8. P. 207-211.

A31. Emtsev V.V., Andreev B.A., Poloskin D.S., Sobolev N.A., Shek E.I. Donor centers in Erbium-implanted silicon//Mater.Sci. Forum. 1998. Vol.58(2). P.1515-1520.

A32. Андреев Б.А., Голубев В.Г., Кропотов Г.И., Максимов Г.А., Шмагин В.Б.,. Определение коэффициентов поглощения и примесей в полупроводниках по спектрам фотопроводимости. Журнал аналитической химии. 1998. Т. 53. №11 С. 1204-1210.

АЗЗ. Stepikhova M., A. Andreev, Andreev В., Krasil'nik Z, Shmagin V., Kuznetsov V., Rubtsova R., Jantsch W., Ellmer H., Palmetshofer L., Preier H., Karpov Yu., Piplits K., Hutter H. Optically active Si:Er layers grown by the sublimation MBE method//Acta Physica Polonica A. 1998. Vol.4(3). P. 549-554.

A34. Andreev B.A., Andreev A.Y., H. Ellmer, H. Hutter, Krasil'nik Z.F., Kuznetsov V.P., S. Lanzerstorfer, L. Palmetshofer, К Piplits, R.A. Rubtsova, N.S. Sokolov, Shmagin V.B., Stepikhova M.V., E.A. Uskova Optical Er-Doping of Si during Sublimational Molecular Beam Epitaxy//Journal of Crystall Growth. 1999. Vol.201/202. P.534-537.

A35. Андреев А.Ю., Андреев Б.A., M.H. Дроздов, Кузнецов В.П., Красилъник З.Ф.,. Карпов Ю.А, Рубцова Р.А., Степнхова М.В., Ускова Е.А., Шмагин В.Б., Ellmer H., Palmetshofer L., Piplitz К., Hutter H. Оптически активные слои кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//ФТП. 1999. Т. 33. Вып.2. С. 156-160. А36. Андреев А.Ю., Андреев Б.А., Дроздов М.Н., Еллмер X, Кузнецов В.П., Калугин Н.Г., Красилъник З.Ф., Карпов Ю.А., Палъметсхофер Л., Пиплитц К, Рубцова Р.А., Степихова М.В.,. Ускова Е.А, Шмагин В.Б., Хуттер X. Электрические и оптические характеристики кремния, легированного эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//Известия АН.Сер.физич.1999. Т.63. №2. С.392-399.

A37. Андреев Б.А., Соболев Н.А., Николаев Ю.А.,. Курицын Д.И, Маковийчук М.И., Паршин Е. О. Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, легированного гольмием//ФТП. 1999. Т. 33. С. 420-422.

А38. Ammerlaan C.A.J., Thao D.T.X., Gregorkiewicz T., Andreev B.A., Krasil'nik Z.F. Photoluminescence of erbium-doped silicon: temperature dependence//Solid State Phenomena 1999. Vol. 70. P. 359-364.

A39. Андреев Б.А., Андреев А.Ю., Гапонова Д.М., Красилъник З.Ф., Новиков А.В., Степихова М.В., Шмагин В.Б., Кузнецов В.П., Ускова У.A., Lanzerstorfer S. Оптически активные центры в кремнии, легированном эрбием в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//Известия АН. Сер. физическая. 2000. Т.64. №2. С.269-272.

А40. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Четкое В.Ю., У скова У.А., Красшьник З.Ф., Андреев Б. А., Степихова М.В., Фотолюминесценция на длине волны 1,54 мкм в слоях кремния, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии и легированных эрбием и кислородом//Известия АН. Сер. физическая. 2000. Т. 64. №2. С. 353-357. А41. Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров В.Г., У скова У.А., Максимов Г. А., Андреев Б. А., Красшьник З.Ф., Степихова М.В., Ellmer H. Легирование слоев кремния из сублимирующего источника эрбия в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии//Письма в ЖТФ. 2000 Т.26, №1, С.84-89.

А42. Stepikhova M., Andreev В., Krasil'nik Z, SoldatkinA., Kuznetsov К, Gusev О., Uniformly and selectively doped siliconrerbium structures produced by the sublimation MBE method//Materials Science and Engineering: В 2001 Vol. 81 (1-3) P. 67 - 70.

A43. Sobolev N.A., A.M. Emelyanov, Y.A. Nikolaev, Andreev B.A., Krasilnik Z.F., Holmium-related luminescence in crystalline silicon//Materials Science and Engineering: В 2001 Vol. 81(1-3) P. 176178.

A44. Андреев Б.A., Красшьник З.Ф., Кузнецов В.П., Солдаткин А.О., Бреслер М.С., Гусев О.Б., Яссиевич И.H Особенности фотолюминесценции эрбия в кремниевых структурах, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//ФТТ. 2001. Т. 43. Вып. 6. С.979-984.

А45. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Максимов Г.А., Красшьник З.Ф., Андреев Б.А., Степихова М.В., Шенгуров Д.В., Palmetshofer L., Ellmer H. Солегирование эрбием и кислородом кремниевых слоев в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии ФТП. 2001. том 35. Вып. 8. С. 954-959.

А46. Emtsev V.V. JR, Ammerlaan C.A.J., Andreev В.А., Emtsev V.V., Oganesyan G.A., MisiukA., Londos C.A. Early stages of oxygen aggregation and thermal donors in silicon annealed under hydrostatic pressure// Journal of Materials Science:Materials in Electronics 2001. Vol. 12 (4-6). P.223-225.

A47. Светлов С.П., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю., Красшьник З.Ф., Андреев Б.А., Дроздов Ю.Н. Гетероэпитаксиальные структуры Si i .xGex/Si( 100), полученные сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксией кремния в среде GeH4.//Известия АН. Серия физическая 2001. Т.65(2). С.203-206.

А48. Андреев Б.А., Бреслер М.С., Гусев О.Б., Красшьник З.Ф., Кузнецов В.П., Солдаткин

A. О., Яссиевич КН. Особенности фотолюминесценции однородно и селективно легированных структур Si:Er/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//Известия АН. Серия физическая 2001 Т.65(2), С.271-275.

А49. Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Антонов А.В., Красшьник З.Ф., Степихова М.В., Кузнецов

B.П., Ускова У.А., О.А. Кузнецов, Рубцова Р.А. Определение электрически активных примесей в светоизлучающих слоях Si:Er/Si, полученных в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//Известия АН. Сер. физическая 2001 Т.65(2). С.276-279. А50. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Максимов Г.А., Красшьник З.Ф., Андреев Б.А., Степихова М.В., Пальметшофер Л., Элмер X. Влияние условий роста на встраивание легирующего редкоземельного элемента в слой кремния в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии.//Известия РАН. Серия физическая 2001 Т.65(2). С.289-291.

А51. Stepikhova M.V., Andreev B.A., Shmagin V.B., Krasil'nik Z.F., Kuznetsov V.P., Shengurov V.G., Svetlov S.P., Jantsch W.,L. Palmetshofer, H. Ellmer . Properties of optically active SirEr and Sii.xGex layers grown by the sublimation MBE method//Thin Solid Films. 2001. 381(1) P.164-169. A52. C.A.J. Ammerlaan, Andreev B.A., Krasil'nik Z.F., D.I. Kryzhkov, Kuznetsov V.P., E.N. Morozova, G. Pensl, Shmagin V.B., and E.A. Uskova Electrically active centers in light emitting Si:Er/Si structures grown by the sublimation MBE method //Physica B: Condensed Matter 2001. Vol. 308-310 P. 361-364.

A53. Andreev B.A., Gregorkiewicz Т., Krasil'nik Z.F., H. Przybylihska and N.Q. Vinh Observation of Zeeman effect in photoluminescence of Er3+ ion imbedded in crystalline silicon //Physica B: Condensed Matter. 2001 Vol. 308-310 P. 340-343.

A54. C.A.J. Ammerlaan, Andreev B.A., Emtsev V.V., G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin and Sobolev N.A., Shallow donors in silicon coimplanted with rare-earth ions and oxygen //Physica B: Condensed Matter. 2001 Vol. 308-310. P. 350-353.

A55. Stepikhova M., Andreev В., V. Kuznetsov, Z. Krasil'nik, A. Soldatkin, V. Shmagin and M. Bresler Effect of Selective Doping on Photo- and Electroluminescence Efficiency in Si:Er Structures // Solid State Phenomena 2002 Vol. 82-84 P. 629-636.

A56. Emtsev V. V., A. Misiuk, Andreev B.A., Emtsev V. V.Jr., C.A. Londos, G.A. Oganesyan and D.S. Poloskin Impact of Compressive Stress on the Formation of Thermal Donors in Heat-Treated Silicon// Solid State Phenomena 2002 Vol. 82-84 P. 259-266.

A57. Emtsev V. V. Jr., C.A.J. Ammerlaan, Andreev B.A., G.A. Oganesyan, D.S. Poloskin, E.I. Shek and Sobolev N.A., Thermal Donors in Silicon Implanted with Rare Earth Impurities Solid State Phenomena 2002 Vol. 82-84 P. 93-98.

A58. Andreev В., V. Chalkov, O. Gusev, A. Emel'yanov, Z. Krasil'nik, V. Kuznetsov, P. Рак, V. Shabanov, V. Shengurov, V. Shmagin, N. Sobolev, Stepikhova M., S. Svetlov Realization of photo-and electroluminescent Si:Er structures by the method of sublimation molecular beam epitaxy//Nanotechnology.2001. Vol. 13 P. 97-102.

A59. Abrosimov N., Andreev В., Egorov S., Grimmeiss H.G., Jantsch W., Kocher G. Zabrodskii A. Alloy fluctuations in Sil-xGex crystals//Physica B: Condensed Matter, 2001 Vol. 308-310. P. 558560.

A60. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Андреев Б.А., Красильник З.Ф.,. Бер Б.Я, Ю.Н.Дроздов, Яблонский А.Н., Светоизлучающие слои твердого раствора кремний-германий, легированные эрбием в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии//ФТП 2002. Т. 36. Вып. 6. С.662-665.

А61. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Максимов Г.А., Красильник З.Ф., Андреев Б.А., Степихова М.В., Шенгуров Д.В. Сегрегация эрбия в слоях кремния, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией//Неорганические материалы 2002 Т.38. №5. С. 1-5. А62. Andreev В.А., Jantsch W., Krasil'nik Z.F., Kuritzyn D.I, Kuznetsov V.P., Stepikhova M. V., Yablonsky A.N., Quantum efficiency and temperaturequenching of the luminescence of uniformly and selectively erbium-doped silicon structures produced by sublimation MBE method//Proceedings of the 26th International Conference on the Physics of Semiconductors, Edinburgh, July 29-August 2. 2002. Edinburgh. Great Britain, P63. Institute of Physics Publishing. 2003. ISBN.-0750309245.

A63. Шмагин В.Б., Андреев Б.А., А.В.Антонов, Красильник З.Ф., Кузнецов В.П., Кузнецов О.А., Ускова У.А., Ammerlaan C.A.J., Pensl G. Электрически активные центры в светоизлучающих слоях Si:Er/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии //ФТП. 2002. Т.36. Вып.2. С. 178-182.

А64. Krasilnik Z.F., Aleshkin К Fa., Andreev В.А., Gusev О.В. Jantsch W., Krasilnikova L.V., Krizhkov D.I., Kuznetsov V.P., Shengurov KG., Shmagin V.B., Sobolev N.A., Stepikhova M.V., Yablonsky A.N., SMBE grown uniformly and selectively doped Si:Er structures for LEDs and lasers // in "Towards the first silicon laser" Eds. L. Pavesi, S. Gaponenko, L. Dal Negro, Kluver Academic Publishers, 2003. P.445-454.

A65. Andreev B.A., Emtsev V.V., Kryzhkov D.I., Kuritsyn D.I., and Shmagin V.B., Study of IR absorption and photoconductivity spectra of thermal double donors in silicon//Physica status solidi. (b) 2003. Vol. 235, N.l, P. 79-84.

A66. Emtsev V. V. Jr., Ammerlaan C.A.J., Emtsev V. K, Oganesyan G.A., Andreev B.A., Kuritsyn D.I., Misiuk A., Surma В., Londos C.A. Double thermal donors in Czochralski-grown silicon heat-treated under atmospheric and hydrostatic pressures// Physica status solidi. (b) 2003. Vol. 235. N.l. P.75-78.

A67. Андреев Б.А., Грегоркевич Т., Красильник З.Ф., Кузнецов В.П., Курицын Д.И., Степихова М.В., Шенгуров В.Г., Шмагин В.В., Яблонский А.Н., Янч В. Эффективность и температурное гашение люминесценции в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием.//Известия АН Сер. физическая 2003 Т. 67, №2, С. 281-284.

А68. Н. Przybylinska, N.Q. Vinh, В.A. Andreev, Z.F. Krasilnik, and Т. Gregorkiewicz. Microscopic Structure of Er-Related Optically Active Centers in Si // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003. V. 770. P.1711-1717.

A69. Андреев Б.А., Яблонский A.H., Емцев B.B., Сенников П.Г., Курганов А.Г., Котерева Т.В., Гусев А.В., Ниман X, Абросимов Н., Шилъ Д., Риман X, Поль Х.-Й. ИК спектроскопия мелких доноров и акцепторов в моноизотопном кремнии. //2-е Нижегородское совещание «Высокочистый моноизотопный кремний. Получение, анализ, свойства и применение», Нижний Новгород, Россия 19-22 июня 2003. Тезисы докладов. С. 34-35. А70. Гастев С.В., Емельянов A.M., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Шмагин В. Б., Эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции и время жизни в возбужденном состоянии ионов Ег3+ в многослойных селективно легированных Si:Er-структурах//ФТП.2003. Т. 37.Вып. 9. С.1123-1126.

А71. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Бер Б.Я. Распределение эрбия и германия в слоях Sii-xGex, выращенных кремнии методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде ОеНУ/Неорганические материалы. 2003.Т.39. №1. С.3-6.

А72. Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Д.И. Крыжков, Яблонский А.Н., Кузнецов В.П., Gregorkiewicz Т., Klik M.A.J. Особенности спектров возбуждения фотолюминесценции ионов Ег3+ в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием//ФТТ. 2004. Т.46. Вып.1. С.98-101.

А73. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ//ФТТ 2004. Т.46. Вып. 1. С. 102-104.

А74. Vinh N.Q., Klik М., Andreev В.A., Gregorkiewicz Т. Spectroscopic characterization of Er-1 center in selectively doped silicon to appear//Materials Science and Engineering B. 2003. Vol.105. P.150-152.

Заключение

Список источников диссертации и автореферата по физике, доктора физико-математических наук, Андреев, Борис Александрович, Нижний Новгород

1. Haller Е.Е., Hansen W.L., Goulding F.S. Physics of ultra pure germanium.// Advances in physics. 1981. Vol.30. N.l. P.93.

2. Davies G. The optical properties of luminescence centres in silicon. //Physics Reports (Review Section of Physics Letters) 1989. Vol.176. N.3,4. P.83.

3. Вавилов В. С., Киселев В. Ф. Дефекты в кремнии и на его поверхности. М.: Наука, 1990.

4. Е.Е. Haller, "Impurity Levels in Germanium," Chapter 4.3.3 4.3.9 in Landolt-Bornstein, New SeriesIII/Vol.41a . Springer. 2002. pp. 371-385

5. Девятых Г.Г., Карпов Ю.А., Ковалев И.Д., Максимов Г.А., Осипова Л.И., Яньков С.В. Примесный состав образцов Выставки-коллекции веществ особой чистоты.// Высокочистые вещества. 1991. №2, с.22.

6. Ю.А.Карпов, М.Н.Шулепников, Д.В.Кормилицын, В.И.Фирсов Аналитический контроль полупроводникового кремния//Высокочистые вещества, 1991. №4. С.31.

7. Ю.Антипенко А.Г., Максимов Г.А., Щапин С.М. Определение алюминия в высокочистых кремнии и германии лазерным атомно-ионизационным методом// Высокочистые вещества. 1990. №6. С. 116.

8. П.Максимов Г.А., Пименов В.Г. Методы элементного анализа высокочистого германия// Высокочистые вещества. 1990. №3. С.27.

9. McMurray R.E. Impurity complexes in pure elemental semiconductors. // Ph. D. Thesis. LBL Univer. of Californ. 1984. P. 3-171

10. Kaiser W., Frisch H., Reiss H. Mechanism of the formation of Donor states in heat-treated silicon//Phys.Rev. 1958. V.112. N.5. P.1546.

11. Griffin J., Navarro H., Weber J., Genzel L., Borenstein J.T., Corbett J.W., Snyder L.C.// The new Scallow Thermal Donor Series in silicon //J. Phys. C: Solid State Phys. 1986. Vol.19. N.26. P. L579.

12. Wagner P., Hage J. Thermal Double Donors in Silicon//Appl.Phys.A. 1989. Vol.49. P. 123.

13. Ewels C. P., Jones R., Oberg S., Miro J., Deak P. Shallow Thermal Donor Defects in Silicon // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 77. N. 5. P.865

14. Бабич B.M., Блецкан Н.И., Венгер Е.Ф. Кислород в монокристаллах кремния. Кшв.: 1нтерпресс ЛТД 1997. 240 С.

15. R.C. Newman. Oxygen diffusion and precipitation in Czochralski silicon. //J. Phys. -Condens. Matter., 2000. Vol. 12, P. 335.

16. Jones C.E., Shafer D., Scott W. and Hager R.J. Carbon-acceptor pair centers (X centers) in silicon. // J. Appl. Phys. 1981. Vol.52. N.8. P.5148

17. Knack S., Weber J., Lemke H., Riemann H. : Copper-hydrogen complexes in silicon//Phys. Rev. В 2002 Vol.65. P. 165203.

18. Емцев В.В., Машовец Т.В. Примеси и точечные дефекты в полупроводниках. М.: Радио и связь. 1981.248 с.

19. Luttinger J. M., Kohn W. // Phys. Rev. 1955, Vol. 97, P. 869-883 (Перевод на русск. яз. в кн.:Проблемы физики полупроводников. М.: ИЛ, 1957. С. 515-539).

20. Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках // М.Наука. 1972. 584 С.

21. Kohn W., Luttinger J. M. Theory of donor states in silicon.// Phys. Rev., 1955. Vol.98. N.4. P. 915 (См. Проблемы физики полупроводников//М.: ИЛ,1957.С.551-566)

22. Haller Е.Е. Semiconductor Physics in Ultra-Pure Germanium.// Festkôrperprobleme, 1986. Vol. XXVI. P. 203-229.

23. Clauws P., Broeckx J., Rotsaert E., Vennik J. Oscillator strengths of shallow impurity spectra in germanium and silicon // Phys. Rev. B, 1988, Vol.38, N. 17, P. 12377.

24. Fischer D. W., Rome J. J. Additional structure in infrared excitation spectra of group-III acceptors in silicon// Phys. Rev.B. 1983. Vol. 27. N.8. P. 4826.

25. Jagannath C., Grabowsi Z.W., Ramdas A. K. Linewidths of electronic excitation spectra of donors in silicon// Phys. Rev. B, 1981, Vol. 23, N.5. P. 2082.

26. Faulkner R.A. Higher Donor Excited States for Prolate-Spheroid Conduction Bands: A Réévaluation of Silicon and Germanium //Phys. Rev. 1969. Vol. 184. N.3. P. 713.

27. Baldereschi A., Lipari N. O// Physics in Semiconductors, Ed. by Fumi F. G.: Proc. 13-th Conf.Semicond. Phys., 1976. Rome, P. 595-598; Sol. St. Comm., 1978. Vol.25. P. 665.

28. Липари H. О., Бальдереши А., Альтарелли И// Последние достижения в теории экситонов и примесей в полупроводниках//Изв. АН СССР. Сер. физ., 1978. Т 42. С. 1179.

29. Broeckx J., Clauws P., Vennik J Effective-mass states for prolate and oblate ellipsoid bands// J. Phys. C, 1986.V.19. P. 511.

30. Бейнихес И.Л., Коган Ш.М. Доноры в многодолинных полупроводниках в приближении центральной ячейки нулевого радиуса.// ЖЭТФ. 1987. Т. 93. С. 285.

31. Полупанов А. Ф., Таскинбоев Р. Влияние гофрировки валентной зоны на энергии Gg+ -уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках// ФТП, 1988. Т. 22. С 112.

32. Коган Ш.М., Полупанов А.Ф. Спектры оптического поглощения и фотоэффекта мелких акцепторных примесей в полупроводниках.//ЖЭТФ, 1981, Т.80, С.394.

33. Галиев В. И., Пахомов А. А., Полупанов А. Ф. Влияние заряда глубокого примесного центра на оптические переходы в сложную валентную зону ФТТ, 1989. Т. 31. С. 182.

34. Полупанов А.Ф. Дырочные состояния в кубических полупроводниках и низкоразмерных полупроводниковых гетероструктурах.// Дис. . докт. физ.-мат. наук. М. 2002.

35. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Козлов Е.Б., Шмагин В.Б. Спектры фототермической ионизации примесей в высокочистых кремнии и германии//Высокочистые вещества. 1988. №2. С. 180.

36. Pajot В., Kauppinen J., Antilla R. High resolution study of the group V impurities absorption in silicon //Sol. St. Comm., 1979. Vol.31. N. 10. P. 759.

37. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Козлов Е.Б., Лифшиц Т. М., Шмагин В. Б. Интенсивность примесных оптических переходов в кремнии, легированном фосфором/ЯТисьма в ЖЭТФ, 1989. Т. 49. С. 39-42.

38. Rotsaert Е., Clauws P., Vennik J. Van Goethem L. Absorption cross sections in the far-IR spectrum of elemental shallow donors and acceptors in germanium// J. Appl.Phys. 1989. Vol.65(2). P.730.

39. Лифшиц Т. M., Лихтман Н. П., Сидоров В.И. Фотоэлектрическая спектроскопия примесей в полупроводниках// Письма в ЖЭТФ, 1968. Т.7. С. 111.

40. Быкова Е. М., Лифшиц Т. М., Сидоров В. И// Фотоэлектрическая спектроскопия, полный качественный анализ остаточных примесей в полупроводниках// ФТП, 1973. Т. 7. С. 986988.

41. Бейнихес И. Л., Коган Ш.М. Доноры в много долинных полупроводниках в приближении центральной ячейки нулевого радиуса.// ЖЭТФ. 1987. Т. 93. С. 285-301.

42. Коган Ш. М., Полупанов А. Ф. Силы осцилляторов дипольных оптических переходов в акцепторных примесях III группы в германии// ФТП, 1978. Т. 12. С. 1844-1848.

43. Коган Ш. М., Полупанов А. Ф. Спектры оптического поглощения и фотоэффекта мелких акцепторных примесей в полупроводниках// ЖЭТФ, 1981. Т. 80. С. 394-411.

44. Bludau W., Onton A., Heinke W. Temperature dependence of the band gap of silicon// J.Appl. Phys. 1974. Vol.45. N.4. P. 1846.

45. Thurmond C.D. The standard thermodynamic functions for the formation of electrons and holes in Ge, Si, GaAs and GaP//J. Electrochem. Soc. 1975. Vol.122. N.8. P.l 133.

46. Loewenstein E.V., Shmith D.R., Morgan R.L. Optical constants of far infrared materials.2. Crystalline solids//Appl. Opt. 1973. Vol.12. N.2. P.398.

47. Dargys A., Kundrotas J. Handbook on physical properties of Ge, Si, GaAs and InP. Vilnius, Science and Encyclopedia Publishers, 1994. 265 P.

48. Бобровников Ю.А., Казакова B.M., Фистуль В.И., Квантовый гармонический резонанс в кремнии//ФТП. 1988. Т.22. Вып.2. С.301.

49. Hensel J.С., Suzuki К. Quantum resonances in the valence bands of germanium. II. Cyclotron resonances in uniaxially stressed crystal//Phys.Rev.B. 1974. Vol.9. N.10. P.4219.

50. Коган Ш.М., Полупанов А.Ф. Силы осцилляторов дипольных оптических переходов в акцепторных примесях III группы в германии.//ФТП. 1978, Т. 12, С. 1844

51. Beinikhes I.L., Kogan Sh.M., Polupanov A.F., Taskinboev. Intensities of the line and photoionization spectra of shallow nonhydrogenlike impurities in semiconductors. // Solid State Commun. 1985 Vol. 53. P. 1083.

52. Rotsaert E., Clauws P.,Vennik J., van Goethem L Absorption cross sections in the far-IR spectrum of elemental shallow donors in germanium//J. Appl. Phys., 1989. Vol.65. P.730; Physica, B, 1987. Vol.l46B, P. 75-79.

53. Lewis R.A., Fisher P., McLean N.A. Piezospectroscopy of boron impurity in silicon// Proc. of the Third Int. Conf. on Shallow Impurities in Semiconductors. Linkoping, Sweden. 1988. Inst. Phys. Conf. Ser. N. 95. Chapter 2. P. 95.

54. Bingelli N., Baldereschi A. Prediction of line intensities and interpretation of acceptor spectra in semiconductors// Sol. St. Comm. 1988. Vol. 66. P. 323.

55. Ramdas A.K., Rodriguez S. Spectroscopy of solid state analogues of hydrogen atom: donors and acceptors in semiconductors.// Repts. Progr. Phys. 1981. Vol.44. N. 12. P. 1297.

56. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках// М. "Мир". 1973. С. 105-119

57. Rotsaert E., Clauws P., Vennlk J., van Goethem L. Absorption strengths in the far-IR spectrum of shallow donors and acceptors in germanium// Physica, 1987, Vol. 146B, P. 75.

58. Jones C.E., Shafer D., Scott W. and Hager R.J. Carbon-acceptor pair centers (X centers) in silicon. // J. Appl. Phys. 1981. Vol.52. N.8. P.5148

59. Markevich V.P., Suezawa M., Murin L.I. Infrared absorption study of a DX-like hydrogen-related center in silicon. //Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology. 1999. Vol.58. N.l-2. P. 104.

60. Karaiskaj D., Stotz J.A.H., Meyer Т., Thewalt M.L.W., Cardona M. Impurity absorption spectroscopy in Si-28: The importance of inhomogeneous isotope broadening // Phys. Rev. Lett. 2003. Vol.90. N.18. P. 186402.

61. Ramdas A.K. Spectroscopy of shallow center in semiconductors: progress since 1960.//Physica. 1987. Vol. 146B. P. 6.

62. Baber C.S. Net and total shallow impurity analysis of silicon by low temperature fourier transform Infrared spectroscopy.// Thin Solid Films. 1980. Vol.72. P.201-210.

63. Kolbesen B.O. Simultaneous determination of the total content of boron and phosphorus in high-resistivity silicon by ir spectroscopy at low temperatures//Appl. Phys. Lett. 1975.Vol.27. P.353.

64. Hrostowski H. J., Kaiser R. H. Infrared spectra of Group III acceptors in silicon //J. Physics and Chemistry of Solids. 1958.Vol.4 (1-2) P. 148.

65. Reuszer J.H., Fisher P. An optical determination of the ground state splitting of group V impurities in germanium.// Phys. Rev. A: Gen. Phys. 1964. Vol.135. N4. P.l 125.

66. Jones R.L., Fisher P. Excitation spectra of group III impurities in germanium.// J. Phys. and Chem. Solids. 1965. Vol.26. N.7. P.l 125-1131.

67. Лифшиц T.M., Надь Ф.Я. Фотопроводимость в германии, легированном примесями V группы, при энергиях фотонов, меньших энергии ионизации примеси.//ДАН СССР. 1965. Т. 162. С. 801.

68. Сидоров В.И., Лифшиц Т.М. Фотопроводимость в германии, легированном примесями III группы, обусловленная оптическим возбуждением примесных центров.//ФТТ. 1966. Т. 8. С.2498.

69. Лифшиц Т.М., Надь Ф.Я., Сидоров В.И. Примесная фотопроводимость германия, легированного сурьмой, мышьяком, бором или индием.// ФТТ. 1966, Т. 8, С. 3208.

70. Лифшиц Т.М., Лихтман Н.П., Сидоров В.И., Сушко Т.Е. Определение остаточных примесей в полупроводниках методом фотоэлектрической спектроскопии.//Заводская лаборатория, 1971, № 8, С. 916.

71. Коган Ш. М., Седунов Б. И. Фототермическая ионизация примесного центра вкристалле//ФТП. 1966. Т. 6. С. 2382.

72. Коган Ш.М., Лифшиц Т.М. Фотоэлектрическая спектроскопия новый метод анализа химического состава примесей в полупроводниках.// Исследования в области радиотехники и электроники 1954-1974 гг. М., Ин-т радиотехники и электроники АН СССР. 1975.4.2. С.313.

73. Mott N. F//Proc. Phys. Sos. 1938. Vol. 50. P. 196 (См. также: Зейтц ФН Современная теория твердого тела. Пер. с англ. под ред. Жданова Т.СИ М//Л.: ГИТТЛ. 1949. С. 594-595.

74. Перлин Ю. Е., Розенфельд Ю. Б. Уч. записки Кишиневского универс., 1964. Т. 75. С. 1.

75. Перлин Ю. Е., Харченко Л. С. К вопросу о квантовом выходе термооптической ионизации локальных центров// Уч. записки Кишиневского универс., 1965. Т. 80. С. 51.

76. Лифшиц Т. М., Лихтман Н. П., Сидоров В. И. Температурная зависимость фототермической ионизации и вероятности прилипания дырок на возбужденные состояния водородоподобных акцепторов// ФТП, 1968. Т. 2. С. 782.

77. Лифшиц Т. М., Лихтман Н. П., Сидоров В. И. Некоторые применения фотопроводимости, обусловленной фототермической ионизацией примесей в полупроводниках// Труды IX междунар. конф. по физ. полупр., Москва, 1968// Л.:Наука, 1969. С. 1141.

78. Коган Ш. М., Лифшиц Т. М., Полупанов А. Ф., Таскинбоев Р. Исследование оптических и фотоэлектрических спектров мелких доноров в полупроводниках// Труды Всесоюзн. конф.по физ. полупр// Баку: ЭЛМ , 1982. Т. 1. С. 193.

79. Jongbloets Н. W. Н. М., van de Steeg М. J. Н., Stoelinga J. H. M., Wyder P//Physica B+C, 1977. Vol.89. P. 18.

80. Jongbloets H. W. H. M., van de Steeg M. J. H., Stoelinga J. H. M., Wyder P//Phys. Rev.B, 1979. Vol.20. P. 3328-.

81. Jongbloets H. W. H. M., van de Steeg M. J. H., Stoelinga J. H. M., Wyder P// J. Phys. C: Sol. St. Phys., 1980. Vol.13. P. 2139.

82. Stillman G.E., Wolfe C.M., Dimmock J.O//a) В кн.: Semiconductors and Semimetals. Ed.: Willardson R.K. a. Beer С// AP, N-Y, 1977. Vol. 12. P. 226.

83. Freeth C. A., Fisher P., Simmonds P.E g-Factors of group III impurities in germanium by Piezo-Zeeman spectroscopy // Sol. St. Comm. 1986. Vol.60. P. 175.

84. Sclar N. Extrinsic silicon detectors for 3-5 and 8-14 цт// Infrared Phys., 1976. Vol.16. P. 435.

85. Sclar N. Survey of dopants in silicon for 2-2.7 and 3-5 цт infrared detector application // Infrared Phys., 1977. Vol.17. P. 71

86. Коган Ш.М., Лифшиц Т.М. Некоторые проблемы фотоэлектрической спектроскопии. // Изв. АН СССР. Сер.физическая. 1978. Т.42. №.6. С.1122.

87. Сидоров В. И., Лифшиц Т. М. Фотоэлектрические свойства германия, легированного золотом и цинком// Радиотехника и электроника, 1962. Т. 7. С. 2076.

88. Коган Ш.М. О предельной чувствительности метода фотоэлектрической спектроскопии примесей.// Физ. и техн. полупровод. 1973. Т.7. № 6. С. 1231.

89. Kogan Sh. М., Lifshits Т.М. Photoelectric spectroscopy a new method of analysis of impurities in semiconductors.// Phys. status solid. A. 1977. Vol.39, N.l. P.l 1.

90. Халлер E.E. Фотоэлектрическая спектроскопия остаточных примесей в сверхчистом германии и кремнии.//Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1978. Т.42. №6. С.1131.

91. Андреев Б. А., Иконников В. Б., Максимов Г. А., Шмагин В. Б. Определение примесей в высокочистых кремнии и германии методом бесконтактной фотоэлектрической спектроскопии высокого разрешения.//Высокочистые вещества. 1987. №1. С. 137.

92. Darken L.S. The Characterization of germanium and silicon for nuclear radiation detector.//Materials Research Society Symposia Proceeding. North- Holland, New-York, Amsterdam. 1983. Vol.16. P.47.

93. Ott Г. Методы подавления шумов и помех в электронных системах / Перевод с англ. Б.Н.Бронина под ред. М.В. Гальперина. М.: Мир. 1979. 317 С.

94. Блейкмор Дж. Статистика электронов в полупроводниках.: Пер. с англ. М.: Мир. 1964.

95. Darken L.S. Photothermal ionization spectroscopy of acceptors in high purity germanium.// J. Appl. Phys. 1982. Vol.53. N.5. P.3754.

96. Быкова E.M., Лифшиц T.M., Сидоров В.И.// Физ и техн. полупровод. 1973. Т.7. №5. С. 986.

97. Андреев Б.А., Воронкова Г.И., Лифшиц Т.М., Иконников В.Б., Шмагин В.Б., Обращение типа примесной фотопроводимости в легированном полупроводнике.//Письма в ЖЭТФ 1986. Т.44. Вып. 6. С.282-284.

98. Кучис Е.В. Методы исследования эффекта Холла.// М.: Сов. радио. 1974. 327 С. Кучис Е.В. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования. М.: Радио и связь, 1990.

99. Сидоров В.И. Фотоэлектрическая спектроскопия примесей в высокочистых полупроводниках.//Дис. . докт. физ.-мат. наук. М. 1976.

100. Hubbard G.S., Haller Е.Е., Hansen W.L. Zone refining high-purity germanium// IEEE Trans.Nucl. Sei. 1978. Vol. 25. N. 1. 362.

101. Андреев Б.А., Козлов Е.Б., Лифшиц T.M. Силы осцилляторов оптических переходов в мелких примесях и примесных комплексах в кремнии и германии.// Физика и техника полупроводников. 1992. Т. 26. Вып. 5. С. 927-934.

102. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Козлов Е.Б., Шмагин В.Б., Соловьев Ю.А., Мокрушин A.B., Нечунеев Ю.А., Пятов М.Ю. Бесконтактный метод определения компенсирующих примесей в высокочистом германии.//Высокочистые вещества. 1989. № 6. С. 138.

103. Иконников В.Б. Анализ германия и кремния методом бесконтактной фотоэлектрической спектроскопии высокого разрешения.// Дис. . канд. хим. наук.-Горький. 1989.

104. Гершензон Е.М., Гольцман Г.Н., Мултановский В.В., Птицына Н.Г. Захват носителей заряда на мелкие примесные центры в германии. // Журн. эксперим. и теор. физ. 1979. Т.77. №4. С.1450-1462.

105. Банная В.Ф., Гершензон Е.М., Веселова Л.И. Затягивание примесного пробоя в сильно компенсированном германии.// Физ. и техн. полупровод. 1979. Т.13. №1. С.46-51.

106. Веселова Л.И. Электрический пробой примесей в чистом германии.// Дис. . канд.физ.-мат. наук. М. 1978.

107. Bambakidis G., Brown G. J. Analysis of photothermal ionization spectra of shallow impurities in silicon// Phys. Rev. B. 1986. Vol. 33. N. 12. P. 8180.

108. Bambakidis G., Brown G. J. Determination of shallow minority-acceptor concentration in multiply doped silicon// J. Appl. Phys. 1989.Vol.65. N.8. P. 3270.

109. Барановский С.Д., Гельмонт Б.Л., Голубев В.Г., Иванов-Омский В. И., Осутин А.В. Зависимость формы линии 1S—>2Ро фототермической ионизации доноров в GaAs от температуры.// Письма в ЖЭТФ. 1987. Т.46. С. 405.

110. Барановский С.Д., Гельмонт Б.Л., Голубев В.Г., Иванов-Омский В.И., Осутин А. В. Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs// Физ и техн. полупровод. 1989. Т.23. Вып. 8. С. 1434.

111. Гершензон Е. М., Гольцман Г. Н., Птицина Н. Г// Субмиллиметровая спектроскопия полупроводников// ЖЭТФ, 1973. Т. 64. С. 587.

112. Grimmeiss H.G., Kleverman М., Olajos J., Omling P. Electronic defect characterisation in silicon // J. of Electronic Materials. 1990. Vol.19. N.8. P.837.

113. Seccombe S.D., Korn D.M. High resolution photoconductivity studies of residual shallow donors in ultra pure germanium. //Solid state commun., 1972. Vol.11. P. 1539.

114. Lifshits T.M. Photothermal ionization spectroscopy of impurities in semiconductors// Instruments and experimental techniques. 1993. Vol.36. N. 1. P.l .

115. Белл Р.Дж. Введение в Фурье-спектроскопию. Пер. с англ. Под ред. Г.Н.Жижина М.: Мир. 1975. 380 С.

116. Берман Л. В., Коган Ш. М. Применение фотоэлектрической спектроскопии для оценки качества полупроводниковых материалов.// Физ и техн. полупровод. 1987, Т. 21, С. 1537.

117. Инфракрасная спектроскопия высокого разрешения. Сб. статей в переводе под ред. Г.Н. Жижина. М.:Мир. 1972. С.

118. Гольцман Г.Н. Субмиллиметровая ЛОВ-спектроскопия полупроводников и сверхпроводников. .//Дис. . докт. физ.-мат. наук. Ленинград. 1984.

119. Шмагин В.Б. Исследование электрически активных примесей в германии методом бесконтактной фотоэлектрической спектроскопии.//Дис. . канд.хим.наук,- Горький. 1986.

120. Гольцман Г. Н// Простой метод стабилизации мощности субмиллиметрового спектрометра //ПТЭ, 1972. №1. С. 137.

121. Гершензон Е. М., Гольцман Г. Н., Елантьев А. И., Кагане М. Л. Энергетический спектр мелких доноров и акцепторов в германии и влияние на него магнитного поля// Известия АН СССР, сер. физ., 1978. Т. 42. С. 1142-1148.

122. Гершензон Е.М., Гольцман Г.Н., Мултановский В.В., Птицына Н.Г. Захват носителей заряда на мелкие примесные центры в германии. // Журн. эксперим. и теор. физ. 1979. Т.77. №4. С.1450-1462.

123. Ждан А.Г., Мельников А.П., Рыльков В.В. Межпримесная рекомбинация дырок через А+-состояния в сабо компенсированном р-Si// Физ. и техн. полупровод. 1988. Т. 22. Вып.б.С. 1011.

124. Fetterman Н. R., Larsen D. М., Stillman G. Е., Tannenwald P. Е., Waldman J Field-dependent central-cell corrections in GaAs by laser spectroscopy// Phys. Rev. Lett., 1971. Vol.26. P. 975-978.

125. Иванов В.Ю., Лифшиц Т.М. Лазерная магнитная фотоэлектрическая спектроскопия эпитаксиальных пленок арсенида галлия.//Изв. AHCCCP. Сер. физическая. 1978. Т.42. №6. С.1235-1241.

126. Голубев В. Г. Жиляев Ю. В., Иванов-Омский В. И., Маркарян Г.Р., Осутин А. В., Челноков В. Е. Фотоэлектрическая лазерная магнитоспектроскопия мелких доноров в высокочистом GaAs//OTn, 1987. Т. 21. С.1771-1777.

127. Голубев В. Г. Жиляев Ю. В., Иванов-Омский В. И., Маркарян Г.Р., Осутин А. В., Челноков В. Е. Фотоэлектрическая лазерная магнитоспектроскопия мелких доноров в высокочистом GaAs/ADTII, 1987. Т. 21. С.1771-1777.

128. Голубев В. Г., Иванов-Омский В. И, Минервин И. Г., Осутин А. В., Поляков Д. Г. Непараболичность и анизотропия энергетического спектра в GaAs// ЖЭТФ, 1985. Т. 86. С. 2052-2061.

129. Аверкиев Н. С., Гельмонт Б. Л., Голубев В. Г., Иванов Омский В .И., Кропотов Г. И. //Энергетический спектр основного состояния доноров в германии с учетом спина// ЖЭТФ, 1982. Т. 83. С. 1409-1410.

130. Иванов-Омский В. И. Фотоэлектрическая спектроскопия радиационных дефектов в полупроводниках// Известия АН СССР, сер. физ., 1983. Т. 47. С. 2355-2359.

131. Muravev A.V., Nefedov S.G., Pavlov S.G., Shastin V.N. //Quant. Electronics 1993.Vol.23. P.119.

132. Pavlov S.G., Hubers H.-W., Orlova E.E., Zhukavin R.Kh., Riemann H., Nakata H., Shastin V.N. Optically pumped terahertz semiconductor bulk laser// Phys.Stat. Sol.(b). 2003. Vol.235. N.1.P.126

133. Tredicucci A., Gmachl C., Capasso F., Sivco D.L., Hutchinson A.L., Cho A.Y. Nature. 1994. Vol.396. P.350

134. Altukhov I.V., Chirkova E.G., Sinis V.P., Kagan M.S., Gusev Yu.P., Thomas S.G., Wang K.L., Odnoblyudov M.A., Yassievich I.N. Towards Si^Ge* quantum-well resonant-state terahertz laser // Appl. Phys.Lett. 2001.Vol.79. P.3909.

135. Loewinstein E. V., Newell D.C// Journ. Opt. Sos. Am., 1969. Vol.59. P. 407-411.

136. Stroyer-Hansen T// Infrared Phys., 1970. Vol.10. P. 159-164

137. Rideout Vol. L//Sol. St. Electron., 1975. Vol.18. P. 541-550

138. Darken L. S., Hyder S.A Photoconductive response of compensating impurities in photothermal ionization spectroscopy of high-purity silicon and germanium//Appl. Phys. Lett. 1983. Vol.42. P. 731.

139. Sharma B. L. Ohmic contacts to III-V Compounds// Semiconductors and semimetals. Ed. Willardson R. K. and Beer A. C., 1981. Vol.15. Chapter 1. P. 1

140. Caywood J. M., Fern A. M., McCaldin J. O., Ottaviani G. Solid-Phase Growth of Ge from Evaporated A1 Layer //Appl. Phys. Letts., 1972. Vol.20. P. 326

141. Пихтин А. Н., Попов В. А., Яськов Д. А. Получение омических контактов к полупроводникам//ПТЭ, 1970.№2. С. 238-239.

142. Navarro Н., Griffin J., Weber J., Genzel L. New oxygen related shallow thermal donor centres in Czochralski-grown silicon// Sol. St. Comm. 1986. Vol.58. P. 151

143. Rideout Vol. L//Sol. St. Electron., 1975. Vol.18. P. 541.

144. Darken L. S.// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1979. Vol.26(l). P. 324.

145. Darken L. S., Hyder S.A Photoconductive response of compensating impurities in photothermal ionization spectroscopy of high-purity silicon and germanium// Appl. Phys. Letts., 1983. Vol.42. P. 731-733

146. Pan N., Lee В., Bose S.S., Kim M. H., Hughes J. S., Stillman G.E Si donor neutralization in high-purity GaAs // Appl. Phys. Lett., 1987. Vol.70. P. 1832.

147. Habbard G. S„ Haller E. E., Hansen W. L// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1977. Vol.24. P. 161.

148. Natsuaki N., Tamura M„ Takugama Til Jap.J. Appl.Phys., 1976. Vol. 15. P. 2427-2432.

149. Андреев Б.А., Герштейн Л.И., Иконников В.Б., Шмагин В.Б. Бесконтактный способ регистрации спектров фотопроводимости полупроводников.//Приборы и техн. эксперимента. 1985. №3. С. 172.

150. Детинко М. В., Медведев Ю. В., Петров А. С. Бесконтактные СВЧ автоматизированные методы исследования полупроводников и структур// В сб.: Проблемы электронного материаловедения//Новосибирск: Наука, 1986. С. 142.

151. Алтухов И.В., Покровский Я. Е., Смирнова О.И. Синие В.П. Бесконтактный микроволновый метод исследования кинетики примесной фотопроводимости кремния.//ФТП. 1990. Т.24. С. 1134.

152. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии. Пер. с англ. под ред. Горина С.Н // М.:Мир, 1984. 472 С.

153. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. Особенности абразивной и химической обработки поверхности полупроводников.//Изд. Нижегородского университета. Нижний Новгород. 1992. 198 С.

154. Быкова Е. М., Лифшиц Т. М., Сидоров В. ИII Фотоэлектрическая спектроскопия, полный качественный анализ остаточных примесей в полупроводниках// ФТП, 1973. Т. 7. С. 986-988.

155. Skolnick М. S., Eaves L., Stradling R. A., Portal J. S., Askenasy S// Far infrared photoconductivity from majority and minority impurities in high purity Si and Ge. Sol. St. Comm., 1974. V.15. P. 1403-1408.

156. Haller E.E., Hansen W.L., Hubbard G.S., Goulding F.S// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1976. Vol.23. P. 81

157. Van de Steeg M.J.H., Jongbloets H.W.H.M., Gerristen J.W., Wyder P Far-infrared photothermal ionization spectroscopy of semiconductors in the presence of intrinsic light//J. Appl. Phys., 1983. V.54. N.6. P.3464.

158. Wichner R.W., Swierkowski S.P., Azmatrout C.A. High purity germanium low temperature Hall analyses.// IEEE. Trans. Nucl. Sci. 1974. Vol.21. N1. P.273-277.

159. Воронков B.B., Воронкова Г.И., Рябцев А.Л., Омельяновский Э.М. Погрешности определения концентрации примесных центров по температурной зависимости эффекта Холла.// Высокочистые вещества. 1990. № 2. С. 220.

160. Веденеев А.С., Воронкова Г.И., Ждан А.Г., Коган Ш.М., Лифшиц Т.М., Рыльков В.В. Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках.// Физ. и техн. полупровод. 1988. Т.22. Вып.4.1. С.586.

161. Далуда Ю.Н., Емцев В.В., Кервалишвили П.Д., Петров В.И., Шмальц К. Влияние термообработки на модификацию кислородсодержащих дефектов в кремнии//ФТП 1987. Т.21. С.1283.

162. Веденеев А.С., Ждан А.Г., Пономарев А.Н., Сизов В.Е. Высокочувствительная измерительная система для прецизионных исследований эффекта Холла и магнетосопротивления в полупроводниковых объектах и структурах// ПТЭ 1994 №.4. С. 132.

163. Пятов М.Ю. Определение электрически активных примесей в высокочистом германии методами эффекта Холла и поля примесного пробоя.//Дис. . канд. хим. наук.- Н. Новгород. 1992.

164. Коган Ш.М., Лифшиц Т.М. Определение степени компенсации примесей в полупроводниках методом эталонов.// Письма в ЖТФ. 1987. Т.13. № 11. С.686-689.

165. Hoffmann H.-J. Defect level analysis of semiconductors by a new different evaluatuion of n(l/T)-caracteristics //Appl. Phys. 1979. V.19. P. 307.

166. Баррис B.O., Клотынып Э.Э. Определение параметров локального уровня в полупроводниках.- Рига, «Зинатне», 1978,192 с.

167. Daluda Yu.N., Emtsev V.V., Schmalz K.//Rad. Eff. 1989. Vol. 107. P.93.

168. Irvin, J.C., Resistivity of Bulk Silicon and Diffused Layers in Silicon //Bell System Technical Journal. 1962. Vol.41. P. 387.

169. Itoh D., Kawamoto S., Miki S., Namba I., Yatsurugi Y. Fabrication of ultra high purity silicon single crystals.// Materials Research Society Symposia Proceeding. North- Holland, New-York, Amsterdam. 1983. Vol.16. P.39-45.

170. Zhdan A.G., Lifshits T.M., Rylkov V.V., Shafran A.G. Resonances in the temperature-dependence of the electrical-conductivity of doped silicon due to excited impurity states// Semiconductors. 1993. Vol.27. N. 5. P.465.

171. Гершензон E.M., Гольцман Г.Н., Мултановский B.B., Птицына Н.Г. Захват носителей заряда на мелкие примесные центры в германии. // Журн. эксперим. и теор. физ. 1979. Т 77. №4. С. 1450-1462.

172. Ждан А.Г., Мельников А.П., Рыльков В.В. Межпримесная рекомбинация дырок через А+-состояния в слабо компенсированном р-Si// Физ. и техн. полупровод. 1988. Т. 22. Вып.6. С. 1011-1015.

173. Рыльков В.И.// Дис. . кандидата, физ.-мат. наук. Москва. 1980.

174. Банная В.Ф., Гершензон Е.М., Веселова Л.И. Затягивание примесного пробоя в сильно компенсированном германии.// Физ. и техн. полупровод. 1979. Т.13. №1. С.46-51.

175. Веселова Л.И. Электрический пробой примесей в чистом германии.// Дис. . канд. физ.-мат. наук. М. 1978.

176. Haynes J.R. Experimental proof of the existence of a new electronic complex insilicon//Phys.Rev.Lett. 1960. Vol.4. N.7. P.361.

177. Каминский A.C., Алкеев H.B., Воронкова Г.И., Покровский Я.Е. Люминесценция многочастичных экситон-примесных комплексов в кремнии и её использование для определения примесного состава//Изв. АН СССР. Сер. физ. 1978. Т. 42. № 6. С. 1171.

178. Tajima М. Determination of boron and phosphorus concentrations in silicon by photoluminescence analysis//Appl.Phys.Lett. 1978. Vol.32. N11. P.719

179. Kaminskii A.S., Kolesnik L.I., Leiferov B.M., Pokrovski Ya.E. J.Appl. Spectrosc. //1982. Vol.36. P.516.

180. Лейферов Б.М., Либенсон А.Г. Люминесцентный анализ кремния на содержание примесей мышьяка, алюминия и галлия.// Высокочистые вещества. 1987. № 1. С.147-150.

181. Itoh D., Kawamoto S., Miki S., Namba I., Yatsurugi Y. Fabrication of ultra high purity silicon single crystals.// Materials Research Society Symposia Proceeding. North- Holland, New-York, Amsterdam. 1983. Vol.16. P.39-45.

182. Broussell I., Stotz J. A. H., Thewalt M. L. W. Method for shallow impurity characterization in ultrapure silicon using photoluminescence //J. Appl. Phys. 2002.Vol. 92, N. 10. P.5913.

183. Ammerlaan C. A.J. Paramagnetic centers in silicon.//Landolt-B6rnstein Numerical Data and Functional Relationships in Science and Technology, GroupIII: Condensed Matter. 2002. Vol.41. Subvolume A2A, P.l-308.

184. Fletcher R.C., Yager W.A., Pearson G.L., Holden A.N., Read W.T., Merritt F.R., Spin resonance of donors in silicon//Phys.Rev. 1954. v.94, p. 1392.

185. Chen W.M., Monemar В., Frens A.M., bennebroek M.T., Schmidt J. Magnetic resonance techniques for excited state spectroscopy of defects in silicon//Material Science Forum. 1994. Vol.143-147. P.1345

186. Feher G„ Fletcher R.C., Bull. Am. Phys. Soc., V.l, P.125, (1956)

187. Greulich-Weber S. Electrically detected electron paramagnetic resonance//Material Science Forum. 1994. Vol.143-147. P.1337

188. Ройцин А.Б., Маевский B.M. Электронный парамагнитный резонанс поверхности твердых тел//Успехи физических наук. 1989. Т. 159. Вып. 2

189. Lang D.V. Deep-level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors.//J. Appl. Phys. 1974. Vol.45. N7. P.3033.

190. Simoen E. A study of deep levels in high-purity germanium// Acad. Analecta. 1987. Vol. 49. N.4. P. 135.

191. A.T. Мамадалимов, А.А. Лебедев, E.B. Астрова. Спектроскопия глубоких центров в полупроводниках. Ташкент, «Университет», 1999. 164 с.

192. Варначев А.И., Гордеев Д.М., Ильина О.С., Маров Е.Ю., Шмагин В.Б. Релаксационный спектрометр для определения примесей с глубокими уровнями в высокочистом германии//Высокочистые вещества. 1991. №5. С.196.

193. Blondeel A., Clauws P. Deep defects in n-type high-purity germanium: quantification of optical variants of deep level transient spectroscopy//Physica B. 1999. Vol. 273-274. P.584

194. Максимов Г.А. Элементный анализ высокочистого германия// Дис. . докт. хим. наук. Горький. 1988.

195. Kim N.B., Choi H.W., Chun S.K., Cho S.Y., Woo H.J., Park K.S. Instrumental neutron activation analysis of silicon wafers using of silicon matrix as the comparator// Journal of Radioanalytical and Nuclear Chemistry. 2001.Vol.248. N.l. P.125.

196. Haller E. E„ Hansen W. L// IEEE Trans. Nucl. Sci., 1974. Vol.NS-21. P. 279-286.

197. Hall R.N. Chemical Impurities and Lattice Defects in high-purity Germanium//IEEE

198. Trans.Nucl. Sci. 1974. NS-21. P.260.

199. Гусев A.B.//Дис. . докт. хим. наук. Горький. 1991.

200. McQuaid S. A., Binns С. М. J., Newman R. С., Lightowlers E. С., Clegg J. B. The solubility of hydrogen in silicon at 1300° //Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 62. P. 1612-4.

201. Haller E.E. Hydrogen in crystalline semiconductors//Semicond. Sci. Technol. 1991.Vol.6. P.73.

202. Newman R.C. Light Impurities and their Interactions in Silicon. Mat. Sci. and Eng. 1996. В 36, 1-12.

203. Newman R. C., Ashwin M. J., Pritchard R. E.J. H. Tucker. Shallow Thermal Donors in Silicon : the Roles of Al, H, N and Point Defects.//Phys. Status. Solidi 1998. Vol.210. P. 519.

204. Hourahine В., Jones R., Oberg S., Briddon P. R. Self interstitial-hydrogen complexes in silicon Phys. Rev. B, 59, 15729 (1999).

205. Nakanishi A., Fukata N., Suezawa M. Complexes of point defects and impurities in electronirradiated CZ-Si doped with hydrogen // Physica В 2001, Vol. 308-310. P. 216.

206. Hourahine В., Jones R., Oberg S., Briddon P.R., Markevich V.P., Newman R.C., Hermansson J., Kleverman M., Lindstrom J.L., Murin L.I., Fukata N., Suezawa M. Evidence for H2 trapped by carbon impurities in silicon//Physica B. 2001. Vol.308-310. P. 197.

207. Colbow K. Infrared absorption lines in boron-doped silicon//Can. J. of Phys. 1963. Vol. 41 .P. 1801.

208. Pajot B.Impurity lines of boron and phosphorus in silicon// J. Phys. Ghem. Sol. 1964, Vol.25. P. 613.

209. Onton A., Fisher P., Ramdas A.K.// Spectroscopic investigation of group III acceptors states in silicon.//Phys. Rev. 1967. Vol.163. P.686.

210. Baber C.S. Net and total shallow impurity analysis of silicon by low temperature fourier transform Infrared spectroscopy.// Thin Solid Films. 1980. Vol.72. P.201-210.

211. Collins A.T., Lightowlers E.G. Photothermal ionization and photon-induced tunneling in the acceptor photoconductivity spectrum of semiconducting diamond.// Phys. Rev. 1968. Vol.171. N3. P.843-855.

212. Stillman G.E., Low T.S., Lee B. Photothermal ionization fourier transform spectroscopy of shallow donor states in III-V semiconductors.// Solid State Commun. 1985. Vol.53. N 12. P.1041-1047.

213. Иванов В.Ю., Лифшиц T.M. Лазерная магнитная фотоэлектрическая спектроскопия эпитаксиальных пленок арсенида галлия.//Изв. АНСССР. Сер. физическая. 1978. Т.42. №6. С.1235-1241.

214. Chamberlain J.M., Ergun Н.В., Gehring К.А., Stradling R.A. Par infrared photoconductivity from the shallow donors in n-InSb.// Solid State Communs. 1971. Vol.9. N18. P.1563-1566.

215. Chamberlain J.M., Simmonds P.E., Stradling R.A., Bradley C.C. Excited-state laserspectroscopy of III-Y and. II-YI semiconductors.// Solid State Communs. 1972. Vol.11. N3. P.463-468.

216. Девятых Г.Г., Гусев A.B., Воротынцев В.H. Получение высокочистого германия.// Высокочистые вещества. 1988. №1. С.5-16.

217. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Гавва В.А., Гусев А.В., Полозков С.А. Максимов Г.А., Нечунеев Ю.А. Исследование влияния материала контейнера на глубину очистки германия методом зонной плавки. // Доклады АН СССР 1986, Т.291, №1. С. 169.

218. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Гусев А.В., Гавва В.А., Потапов О.В., Максимов Г.А., Пименов В.Г. Поведение примеси алюминия в расплаве германия. // Доклады РАН 1992. Т.324, №1. С.121.

219. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Беков Г.И., Гусев А.В., Максимов Г.А., Пименов В.Г., Прончатов А.Н. Определение доли электроактивных алюминия, бора и лития в общем содержании этих примесей в высокочистом германии //Доклады АН. 1990. Т.310. №4. С.901.

220. Haller Е. Е., McMurray J. Two novel acceptors in ultra-pure germanium: nature and interconversion//Physica, 1983, Vol. 116В, P.349.

221. Kahn J.M., McMurray R.E., Haller E.E., Falicov L.M. Trigonal hydrogen-related acceptor complexes in germanium // Phys. Rev. B. 1987. Vol. 36. P. 8001-8014.

222. W. L. Hansen, E. E. Haller, and P. N. Luke, "Hydrogen Concentration and Distribution in High-Purity Germanium Crystals," IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982. Vol. 29. P. 738.

223. E. E. Haller, W. L. Hansen, P. N. Luke, R. McMurray, and B. Jarrett, "Carbon in High-Purity Germanium," IEEE Trans. Nucl. Sci. 1982. Vol.29. P. 745.

224. Haller E. E., Joos В., Falicov L. M Acceptor complex in germanium: system with tunneling hydrogen // Phys. Rev. B, 1980. Vol.21. P. 4729;

225. Joos В., Haller E. E., Falicov L. M Donor complex with tunneling hydrogen in pure germanium// Phys. Rev. B, 1980. Vol.22. P. 832.

226. E. E. Haller Isotope Shifts in the Ground State of Shallow, Hydrogenic Centers in Pure Germanium //Phys.Rev.Lett. 1978. Vol.40. P.584.

227. Коган Ш. M. Изотопический сдвиг бесфононных линий в спектрах мелких примесных центров в полупроводниках// ФТП, Т. 13. С. 1941.

228. Navarro H., Griffin J., Haller E.E., McMurray R.E. Experimental study of three ground state components of the hydrogen-oxygen donor in germanium// Solid State Communications 1987. Vol.64. N.10. P. 1297.

229. Darken L.S. High-resolution photothermal ionization spectroscopy of lithium-related shallow donors in germanium //Phys. Rev. B. 1983.Vol.27. N.10. P.6564

230. Kahn J.M. Hydrogen-related acceptor complexes in germanium// Ph. D. Thesis. Lawrence Berkeley Laboratory Univer. of Californ. Berkeley 1986. 319 P.

231. Muro K., Sievers J. Proton Tunneling with Millielectrovolt Energies at the Be-H Acceptor

232. Complex in Silicon// Phys. Rev. Lett. 1986. Vol. 57. P. 897.

233. Kahn J. M., Falicov L. M., Haller E.E Isotope-Induced Symmetry Change in Dynamic Semiconductor Defects //Phys. Rev. Lett. 1986.Vol. 57. P2077.

234. Pankove J. I., Carlson D. E., Berkeyheiser J. E., Wance R. O. Neutralization of Shallow Acceptor Levels in Silicon by Atomic Hydrogen // Phys. Rev. Lett. 1983. Vol. 51. P. 2224.

235. Pankove J.I., Zanzucchi P.J., Magee C.W., Lucovsky G. Hydrogen localization near boron in silicon//Appl. Phys. Lett. 1985. Vol.46. P.421.

236. Bergman K., Stavola M., Pearton S. J., Hayes T. Structure of acceptor-hydrogen and donor-hydrogen complexes in silicon from uniaxial stress studies Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38. P 9643.

237. Быкова E.M., Лифшиц T.M., Сидоров В.И.// ФТП. 1973. Т.7. №5. С. 986.

238. Сидоров В.И. Фотоэлектрическая спектроскопия примесей в высокочистых полупроводниках.//Дис. . докт. физ.-мат. наук. М. 1976.

239. Андреев Б.А., Лифшиц Т.М. Фототермоионизационная спектроскопия примесей в германии и кремнии.// Высокочистые вещества. 1990. № 5. С. 7.

240. Grimmeiss H.G., Kleverman М., Olajos J., Omling P. Electronic Defect Characterization in Silicon//J Electronic Materials. 1990. Vol.19. N.8. P.837

241. Андреев Б.А., Козлов Е.Б., Лифшиц T.M., , Шмагин В.Б., Определение концентрации электрически активных примесей в высокочистых кремнии и германии методом фототермоионизационной спектроскопии//Высокочистые вещества. 1995. №3, С. 124.

242. Андреев Б.А., Голубев В.Г., Емцев В.В., Кропотов Г.И., Оганесян Г.А., Шмальц К. Обнаружение двойных термодоноров в энергетическом спектре «новых доноров» в кремнии // Письма в ЖЭТФ 1992, Т.55, Вып. 1. С.52

243. Андреев Б.А., Голубев В.Г., Емцев В.В., Кропотов Г.И., Оганесян Г.А., Шмальц К. Процессы формирования «новых доноров» при термообработке кремния с различной концентрацией кислорода // Физика и техника полупроводников. 1993 Т.27, Вып.4. С 567.

244. Kleverman М., Fornell J.-O., Olajos J., Grimmeiss H. G. Further evidence for the C-line pseudodonor model in irradiated Czochralski-grown silicon Phys. Rev. B. 1988. Vol.37. P.10199.

245. Janzen E., Stedman R., Grossmann G., Grimmeiss H. G. High-resolution studies of sulfur-and selenium-related donor centers in silicon Phys. Rev. B. 1984. Vol.29. P. 1907.

246. Grimmeiss H.G., Janzen E. Chalcogen-related defects in Silicon. In Handbook on Semiconductors Edited by T.S.Moss. Vol.3, edited by S.Mahajan. 1994. Elsevier Science B.V. P.1755.

247. Fuller C.S., Ditzenberger J.A., Hannay N.B., Buehler E. Resistivity Changes in Slicon Induced by Heat Treatment //Phys. Rev. (Corresponding to Bulletin of the American Physical Society, Volume 29, No. 5) 1954. Vol. 96. N.3. P.833.

248. Kaiser W. Electrical and Optical Properties of Heat-Treated Silicon //Phys. Rev. 1957. Vol.105. P. 1751.

249. Deak P., Snyder L.C.,Corbett J. W. Silicon-interstitial-oxygen-interstitial complex as a model of the 450°C oxygen thermal donor in silicon //Phys. Rev. Lett. 1991. Vol.66. P.747.

250. McQuaid S.A., Binns M.J., Londos C.A., Tucker J.A., Brown A.R., Newman R.C. Oxygen loss during thermal donor formation in Czochralski silicon new insights into oxygen diffusion mechanisms//J. Appl. Phys. 1995. Vol.77(4). P. 1427

251. Hartung J., Weber J., Genzel L. Photothermal ionization studies of effective mass-like hydrogen-related donors in silicon// Maternal Science Forum. 1990. Vol.65-66. P. 157.

252. Jones C.E., Shafer D., Scott W. and Hager R.J. Carbon-acceptor pair centers (X centers) insilicon. // J. Appl. Phys. 1981. Vol.52. N.8. P.5148.

253. Suezawa M., Sumino К., Harada H., Abe T. The Nature of Nitrogen-Oxygen Complexes in Silicon//Jpn. J. Appl. Phys. Parti. 1988. Vol.27. P.62.

254. Hara A, Hirai I., Ohsawa A NL10 defects formed in Czochralski silicon ciystals.// J. Appl. Phys. 1990. Vol.67. P.2462.

255. A.G. Steele, L.C. Lenchyshyn and M.L.W. Thewalt, Photoluminescence Study of Nitrogen-Oxygen Donors in Silicon//Appl. Phys. Lett. 56,148 (1990).

256. Goto H., Pan L.-S., Tanaka M., Kashima K. Intrinsic Gettering in Nitrogen-Doped and Hydrogen-Annealed Czochralski-Grown Silicon Wafers // Jpn. J. Appl. Phys. 2001. Vol. 40. P.3944.

257. Pavlov P.V., Zorin E.I., Tetelbaum D.I., Khokhlov A.F. Phys. Stat. Sol. (a) 1976 Vol.35. Pll.

258. Ewels C.P., Jones R., Ôberg S., Miro J., Deak P. S Shallow Thermal Donor Defects in Silicon//Phys. Rev.Lett. 1996. vol.77. P.865.

259. Stavola M. The oxygen donor in silicon// Physica, 1987. Vol.l46B. P.187-200.

260. Grimmeiss H. G., Montelius L., Larsson K. Chalcogens in germanium// Phys. Rev., 1988. Vol.37. No 12. P. 6916.

261. Герштейн Jl. И. Оптимальная приемная система акустического детектора РАД// Изв. ВУЗов, сер. радиофизика, 1977. Т. 20. С. 223-231.

262. Андреев Б.А., Фотоэлектрическая спектроскопия высокочистых полупроводников //VIII Всесоюз. конф. по методам получения и анализа высокочистых веществ., Горький. 1988. Тез.докл. В 3-х ч. 4.1. С.

263. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Козлов Е.Б., Шмагин В.Б., Соловьев Ю.А., Мокрушин

264. A.В., Нечунеев Ю.А., Пятов М.Ю. Бесконтактный метод определения компенсирующих примесей в высокочистом германии//Высокочистые вещества.1989 №6. С.138-143.

265. B.A.Andreev. Ikonnikov V.B., Kozlov Е.В., Lifshits T.M. and Shmagin V.B. Contactless photothermal ionization spectroscopy of shallow defects in semiconductors. // Material Science Forum. 1994.Vol.43-147, P.1365.

266. Горновский И.Т., Назаренко Ю.П., Некряч Е.Ф. Краткий справочник по химии//Под общ.ред. О.Д.Куриленко.-Киев: Наукова думка. 1974. 992 с.

267. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках// М.: Физматгиз. 1963. 494 с.

268. Ван дер Зил А. Флуктуации в радиотехнике и физике. (Перевод с англ. Под ред. Л.С.Туткина)// М.: Госэнергоиздат.1958. с 13.

269. Андреев Б.А., Ивашин А.В., Лифшиц Т.М., Максимов Г.А., Шмагин В.Б., Спектрометр для исследования фотопроводимости полупроводников в дальней инфракрасной области на основе ИКС—31//Приборы и техника эксперимента. 1985. №4. С.173.

270. Андреев Б.А., Козлов Е.Б., Иконников В.Б., Лифшиц Т.М., Максимов Г.А., Шмагин

271. Андреев Б.А., Иконников В.Б., Козлов В.Б., Лифшиц Т.М., Шмагин В.Б. Анализ кремния методом фотоэлектрической спектроскопии.//УШ Всесоюзная конференция по методам получения и анализа высокочистых веществ. Горький. 1988. Тез. докл. в 3-х ч. Ч.З. С.73.

272. Берман Л.В., Жуков А.Г., Наживина Л.Н. Длинноволновый инфракрасный спектрометр прибор для контроля и исследования полупроводниковых материалов.-Электронная промышленность. 1973. № 1-2. С. 92.

273. Криксунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники.-М.: Советское радио. 1978. с.50.

274. Воронкова Е.М., Гречушников Б.Н., Дистлер Г.И., Петров И.П. Оптические материалы для инфракрасной техники// М.: Наука. 1965. 335 С.

275. Мурзин В.Н. Субмиллиметровая спектроскопия коллективных и связанных состояний носителей тока в полупроводниках.// М.: Наука. 1985. 254 с.

276. Andreev В.А., Kozlov E.B. and T.M.Lifshits Oscillator strengths and linewidths of shallow impurity spectra in Si and Ge//Material Science Forum. 1995.Vol. 196-201 P.121.

277. Техника спектроскопии в дальней инфракрасной, субмиллиметровой и миллиметровой областях спектра/ Перевод с англ. под ред. Т.М. Лифшица. М.: Мир. 1970. 399 С.

278. Андреев Б.А., Буренин A.B., Белов С.П., Герштейн Л.И., Крупнов А.Ф., Карякин E.H. Метрика субмиллиметрового диапазона длин волн с использованием опорного спектра.//Известия ВУЗов. Радиофизика. 1975.Т.18. №4.С.531.

279. Буренин A.B., Вальдов А.Н., Демкин В.М., Карякин E.H., Крупнов А.Ф., Щапин С.М., Таблицы спектральных линий. Вращательный спектр сероокиси углерода OCS.// М. 1979. 142 с.

280. Курицын Д.И., Андреев Б.А., Шмагин В.Б., Емцев В.В., Максимов Г.А., Определение спектроскопических характеристик двойных термодоноров в кремнии. //Труды международной конференции "Оптика полупроводников" 23-26 июня 1998, Ульяновск . С.124.

281. Andreev B.A., Emtsev V.V., Kryzhkov D.I., Kuritsyn D.I., Shmagin V.B., Study of IR Absorption and Photoconductivity Spectra of Thermal Double Donors in Silicon Physica status solidi. (b) 235, No. 1, (2003) P. 79-84.

282. Kauppinen J., Kârkkàinen T., Kyrô E. IR spectrum of H20// J. Mol. Spectrosc. 1978.Vol.71. P.15.

283. Haller E.E., Hansen W.L., High resolution fourier transform spectroscopy of shallow acceptors in ultra-pure germanium //Solid State. Comm., 1974. Vol.15. P. 687.

284. Skolnick M. S., Eaves L., Stradling R. A., Portal J. C., Askenazy S. Far infrared photoconductivity from majority and minority impurities in high purity Si and Ge// Solid State Commun. 1974. Vol. 15. P. 1403.

285. Haller E. E., Falicov L. M. Lithium-Oxygen Donor in Germanium: A Dynamic Tunneling System// Phys. Rev. Lett. 1978. Vol. 41. P. 1192-1194.

286. Pajot В., Beinikhes I.L., Kogan Sh.M., Novak M.G.,Polupanov A.F., Song C. The interpretation of рз/2 spectra of group III acceptors in silicon//Semicond. Sci. Technology. 1992. Vol.7. P.1162.

287. Broeckx J., Kamiura Y., Clauws P., Vennik J. Far-infrared photoconductivity spectra of quenched-in acceptors in germanium: absorption and photo-thermal ionization lines of two new shallow acceptors// Solid State Commun. Vol.40, pp.149.

288. Коган Ш.М., Таскинбоев P. Спектры мелких доноров в германии и кремнии.// Физ и техн. полупровод. 1983. Т. 17. С. 1583-1587.

289. Watkins G.D., Fowler W.B. Resonant interections of optical phonons with acceptor continuum states in silicon//Phys.Rev. B. 1977. Vol.16. N.10. P. 4524.

290. Baron R., Young M.H., McGill.T.C. Breit-Wigner-Fano resonances in the photoconductivity of semiconductors: Experiment//Solid State Communications. 1983 .Vol.47. N.3.P.167.

291. Yia-Chung Chang, McGill.T.C. Breit-Wigner-Fano resonances in the photoconductivity of semiconductors: Theory//Solid State Communications. 1983.Vol.47. N.3. P.171.

292. Lipari N.O., Baldareschi A., Thewalt M.L.W. Central cell effects on acceptor spectra in Si and Ge//Solid State Commun. 1980. Vol.33. P.277.

293. Гавриленко В.И., Грехов A.M., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник.//Киев. "Наукова думка". 1987. С. 608.

294. Lawaetz P. Valence-Band Parameters in Cubic Semiconductors// Phys. Rev. B, 1971. Vol.4. P. 3460.

295. Searle C.W., Ohmer M.C., Hemenger P.M. X-acceptors in silicon//Solid State Commun. 1982. Vol.44(12).P.1597.

296. Wagner P. Infrared absorption studies of thermal donors in silicon//Mater. Res.Soc. Symp. Proc. 1986. Vol. 59. P.125.

297. Haegel N.M., Hueschen M.R., Haller E.E. Development of high-responsivity Ge:Ga photoconductors// Infrared Phys. 1985. Vol.25. N. 1 /2. P.276.

298. Андреев Б.А., Голубев В.Г., Кропотов Г.И., Максимов Г.А., Шмагин В.Б.,. Определение коэффициентов поглощения и примесей в полупроводниках по спектрам фотопроводимости. Журнал аналитической химии. 1998. Т. 53. №11 С. 1204.

299. Андреев Б.А., Козлов Е.Б., Лифшиц Т.М., О ширине линий примесных оптических переходов в абсорбционных и фототермоионизационных спектрах // Физика и техника полупроводников. 1991. Т.25, Вып.5. С.880.

300. Андреев Б.А. Новый метод определения концентрации примесей в полупроводниках в бесконтактном варианте фототермоионизационной спектроскопии высокого разрешения. //Информационный бюллетень РФФИ 1994. №3. С.381

301. Муравьев А.В., Павлов С.Г., Орлова Е.Е., Шастин В.Н., Андреев Б.А.,. Конденсация спектра вблизи линии примесного поглощения в лазере на горячих дырках германия. Письма в ЖЭТФ 1995, Т.61, Вып.З, С.182-185.

302. Кальфа А.А., Коган Ш.М. О неодинаковой форме линий в спектрах примесного оптического поглощения и фотопроводимости в неоднородных полупроводниках.// Физ. и техн. полупровод. 1976, Т 10, С. 1216-1218.

303. Кальфа А.А. О неодинаковой форме линий примесного оптического поглощения и примесной фотопроводимости в спектрах слабо неоднородных полупроводников с плавными флуктуациями концентрации примесей.// Физ. и техн. полупровод. 1977, Т.11, С.1184.

304. Техника субмиллиметровых волн: Сб.статей//Под ред. Р.А.Валитова. М. «Советское радио». 1969.

305. Коган Ш.М., Лифшиц Т.М. Фотоэлектрическая спектроскопия новый метод анализа химического состава примесей в полупроводниках//Исследования в области радиотехники и электроники 1954-1974 гг. М., Ин-т радиотехники и электроники АН СССР. 1975. 4.2. С.313.

306. Shmagin V.B., Andreev В.А., Gawa V.A., Gusev A.V., Kotereva T.V. and Pimenov V.G. Copper species in ultra-pure germanium crystals. // Materials Sci. Forum. 1995. Vol. 196-201. P.701.

307. Буренин A.B., Крупное А.Ф., Ягнетинский А.Б. К вопросу об обработке вращательных спектров молекул в радиоспектроскопии// Изв. высш. учеб. завед. Радиофизика. Т. 17. №8. С. 1136.

308. Darken L. S. Photothermal ionization spectroscopy of donors in high-purity germanium // J. Appl. Phys. 1989, Vol. 65, P. 1118.

309. Navarro H., Haller E. E. and Keilmann F. Study of fundamental linewidths of 1 S->nP donor transitions in ultrapure germanium// Phys. Rev. 1988 B. Vol.37. N18. P. 10822-10828.

310. Seeger K. Semiconductor Physics//Springer, Berlin 1973. P. 273

311. Германий монокристаллический: ГОСТ 16153-70. M. Изд-во стандартов. 1972.

312. Lax М. Cascade Capture of Electrons in Solids //Phys.Rev. 1960. Vol. 119.P. 1502.

313. Efros A.L., Shklowskii B.J., Yanchev J.Y.// Phys. Stat.Sol(B). 1972. Vol. 50. P. 45.

314. Нечунеев Ю.А., Пятов М.Ю., Мазов JI.C., Мокрушин А.В., Ладонычев Г.В.//Высокочистые вещества. 1988. N 3. С. 202.

315. Мосс Т. В сб.Фотопроводимость Под ред. Ш.М. Когана. М., Наука. 1967. Гл.2. С.22 (Пер. с англ. T.Moss. Photoconductivity//Report on progress in phys.1965. Vol.28.P.15.

316. Карпович И.А., Планкина C.M. Фотоэлектрический метод определения коэффициента оптического поглощения и его применение к полуизолирующему GaAs// ФТП. 1992. Т.26. Вып.7. С. 1313.

317. Lucovsky G. On the photoionization of deep impurity centers in semiconductors//Solid State Commun. 1965. Vol.3. P.299.

318. B.Pajot II Analusis. 1977. V. 5. P. 293.

319. Девятых Г.Г., Андреев Б.А., Калмыков В.И., Нечунеев Ю.А. Способ очистки поликристаллического германия. Авторское свидетельство СССР № 1554435.

320. Девятых Г. Г., Андреев Б. А., Гавва В. А., Гордеев Д. М., Гусев А. В., Котерева Т. В., Шмагин В. Б. О поступлении меди в монокристалл германия при выращивании по Чохральскому //Доклады Академии наук. 1995. Т. 343. № 6. с. 779

321. Abrosimov N., Andreev В., Egorov S., Grimmeiss H.G., Jantsch W., Kocher G. Zabrodskii A. Alloy fluctuations in Sil-xGex crystals//Physica B: Condensed Matter. 2001.Vol.308-310.P. 558.

322. Андреев Б.А., Емцев B.B., Голубев В.Г., Кропотов Г.И. ИК спектроскопия «новых термодоноров» в Si // 1 Российская конференция по физике полупроводников 1993 Н.Новгород, Тезисы докладов, Т.2, С.20.

323. Emtsev V.V., Andreev B.A., Misuik A., Jung W., and Schmalz K. Oxygen aggregation in Czochralski-grown silicon heat treated at 450°C under compressive stress. //Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71 N.2. P.264-266.

324. Emtsev V.V., Misiuk A., Andreev B.A., Emtsev V.V.Jr., Londos C.A., Oganesyan G.A., Poloskin D.S. Impact of Compressive Stress on the Formation of Thermal Donors in Heat-Treated Silicon//Solid State Phenomena. 2002.Vol. 82-84 P. 259.

325. Parshin V.V., Heidinger R., Andreev B.A., Gusev A.V., Shmagin V.B., Silicon as an advanced window material for high power gyrotrons // Journal of IR and MM Waves. 1995. Vol.16. N.5.P. 863.

326. Parshin V.V., Andreev B.A., Gusev A.V., Shmagin V.B., Heidinger R., Molla J. Recent progress in Silicon window materials // 8th Joint Russian-German Meeting on ECRH and Gyrotrons, June 6-12 ,1996, N.Novgorod, Russia, Vol., P. 191.

327. Андреев Б.А., Котерева T.B., Паршин B.B., Шмагин В.Б., Heidinger R. Кремний с минимальными диэлектрическими потерями в миллиметровом диапазоне длин волн. // Неорганические материалы. 1997. Т.ЗЗ. №11. С.1301-1304.

328. Алешкин В.Я., Андреев Б.А., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А. Мелкие акцепторы в напряженных гетероструктурах Ge/Gei.xSix с квантовыми ямами // Физика и техника полупроводников 2000. Т.34. Вып.5. С.582.

329. Aleshkin V.Y., Andreev В.А., V.I. Gavrilenko, I.V. Erofeeva, D.V. Kozlov, O.A. Kuznetsov, Resonant acceptor states in Ge/Gel-xSix MQW heterostructures Nanotechnology 2000. Vol 11(4). P. 348.

330. Aleshkin VY, Andreev В A, Gavrilenko VI, Erofeeva IV, Kozlov DV, Kuznetsov OA, Moldavskaya MD, Novikov AV Shallow accepters in Ge/GeSi multi-quantum well heterostructures PHYSICA E 2000 Vol. 7(3-4), P. 608.

331. Алешкин В.Я., Андреев Б.А., Гавриленко В.И., Ерофеева И.В., Козлов Д.В., Кузнецов О.А. Резонансные состояния акцепторов в гетероструктурах Ge/GeixSix с квантовыми ямами//Известия РАН. Серия физическая 2001.Т.65(2), С.249.

332. Hansen W.L., Haller Е.Е.,// IEEE Trans. Nucl. Sci. 1974. Vol.21. N. 1. p.251.

333. Edwards W.D.//J.Appl.Phys. 1963. Vol. 34(8). P.2497.

334. Фистуль В.И., Мильвидский М.Г., Омельяновский Э.М., Гришина СИЛ ДАН. 1968. Т.149(5).С.1119.

335. Фистуль В.И., Яковенко А.О., Гвелисиани А.А. и др.//Известия АН Неорганические материалы. 1975.T.11. С.539.

336. Гончаров JI.A. .//Известия АН Неорганические материалы. 1978.T.14. С.985.

337. Г.Г.Девятых, И.Д.Ковалев, К.К.Малышев, Л.И.Осипова, В.М.Степанов, С.В.Яньков "Анализ данных по примесному составу образцов простых твердых веществ выставки-коллекции веществ особой чистоты"//Высокочистые вещества, 1992, №. 5-6, с.7

338. Малышев К.К., Степанов В.М.// Высокочистые вещества. 1990.№2.С.229.

339. Reiss Н., Fuller C.S., Morin F.J.// Bell Syst. Tech. J 1956. V.35. P.535.

340. Быкова E.M., Гончаров Л.А., Лифшиц T.M., Сидоров В.И., Холл Р.Н. Германий высокой чистоты . I. Остаточные электрически активные примеси //ФТП. 1975. Т.9. С.1853-1860. II. Взаимодействие лития с кислородом . С.1861.

341. Hubbard G.S., Haller Е.Е., Hansen W.L. //IEEE Trans.Nucl. Sci. 1977. Vol. 24. P. 48.

342. Нашельский А.Я. Производство полупроводниковых материалов. М.: Металлургия. 1982. 312 С.

343. Fuller C.S., Struthers J.D., Ditzenberger J.A., Wolfstirn K.B. Diffusivity and Solubility of Copper in Germanium//Phys.Rev. 1954.V.93(6). P.l 182

344. Астахова Е.Ф., Глориозова P.M., Колесник Л.И. и др.//Высокочистые вещества. 1989. №4. С. 147.

345. Bulanov A.D., Devyatych G.G., Gusev A.V. Sennikov P.G., Pohl H.-J., Riemann H., Schilling H„ Becker P., //Cryst. Res. Thechnol. 2000. Vol.35(9). P. 1023.

346. Karaiskaj D., Thewalt M.L.W., Ruf Т., Cardona M. Photoluminescence studies of isotopically enriched silicon // Phys. Status Solid.(b) 2003. Vol.235(1). P.63.

347. Гершензон E.M., Ладыжинский Ю.П., Мельников А.П.,//ФТП. 1977, Т. 11 .С. 1100.

348. Cuthbert J.D. II. Auger Electron Conductivity in Silicon //J. Appl. Phys. 1971. Vol.42. P747.

349. Бабич B.M., Баран Н.П., Доценко Ю.П.и др. //УФЖ. 1988. T.33.C.593.

350. Pensl G., Schulz М., Holzlein К., Bergholz W., Hutchison J.L. //Appl.Phys.A.(Springer-Verlag) 1989. V.48. n 1. P.49.

351. Deak P., Snyder L.C., Corbett J.W. Silicon-interstitial-oxygen-interstitial complex as a model of the 450°C oxygen thermal donor in silicon //Phys. Rev. Lett. 1991. V.66(6). P.747.

352. Emtsev V.V., Daluda Yu.N., Schmalz K. //Sol.St.Phenomena (Trans.Tech.Publication). 1991. V. 19-20. P.229.

353. Daluda Yn.N., Emtsev V.V., Schmalz K.//Radiat.Eff. 1989. V.107. P.93.

354. Emtsev V.V., Oganesyan G.A., Schmalz К. //Procc. 1 National Conf. on Def. in Semicond. 27 April 1 May, 1992 (St.-Peterburg, Russia). Sol.St.Phenomena (Trans.Tech.Publications, 1992).

355. Shimura F.//Sol.St.Phenomena (Trans.Tech. Publication). 1991. V.19-20. P.l-12.

356. Далуда Ю.Н., Емцев B.B., Кервалишвили П.Д., Петров В.И., Шмальц К.//ФТП. 1987. Т.21.В.7. С.1283.

357. Kamiura Y., Hashimoto F., Yoneta M. Novel thermal donors generated in Cz silicon by prolonged annealing at 470°C //Material Science Forum (Ed. G. Ferenczi). Trans Tech. Publications. 1989. V.38-41. P.673.

358. Suezawa M., Sumino K, Harada H., Abe T. //Jap.J.Appl.Phys. 1988. V.27(l). P.62.

359. Hara A., Hirai I., Ohsawa A. NL10 defects formed in Czochralski silicon crystals //J.Appl.Phys. 1990. V67(5). P.2462.

360. Steele A.G., Lenchyshyn L.C., Thewalt M.L.W. Photo luminescence study of nitrogen-oxygen donors in silicon//Appl.Phys. Lett. 1990. V.56. n 2. P. 148.

361. Kimerling L.C., Benton J.L., Lee K.M., Stavola M. //In: MRS Symp. Proc. 1985. V.46. MRS, Pittsburgh, Penn., USA. P.3-12.

362. Gaworzewski P., Schmalz K.//Phys.Stat.Sol.(a).1983.V.77. P.571-581.

363. Watkins G.D. Defects in irradiated silicon: EPR and electron-nuclear double resonance of interstitial boron Phys.Rev.B. 1975. V.12(12). P.5824.

364. Clayborn M., Newman R.C. Mater. Sci.Forum. (Trans Tech. Publications). 1989. V.38-.

365. Watkins G.D., Corbett J.W. Defects in Irradiated Silicon: Electron Paramagnetic Resonance and Electron-Nuclear Double Resonance of the Si-E Center//Phys.Rev. 1964. V. 134(5). P.A1359.

366. В.В.Емцев, Т.В.Машовец, А.Г.Абдусатгаров ФТП. 1987. Т.21. B.l 1. С.2106-2109.

367. Витман Р.Ф.//Изменения фазового состоянии кислорода в кремнии в результате воздействия температуры и высокого давления. Дис. . канд. физ.-мат. наук,- Ленинград. 1986. С.140-175.

368. Misiuk A. //Solid State Phenomena. 1991.Vol. 18-20. P.386.

369. Lee Y. J., Von Boehm J., Nieminen R. M. Simulation of the kinetics of oxygen complexes in crystalline silicon// Phys. Rev. B. 2002. Vol.66. P. 165221.

370. Coutinho J., Jones R., Briddon P. R., Oberg S., Oxygen and dioxygen centers in Si and Ge: Density-functional calculations //Phys. Rev. В 2000. 62, P. 10824.

371. Flyagin V.A., Goldenberg and A.L. Zapevalov V.E. Advanced Russian Gyrotrons for Plasma Investigations. The 19th Int. Conference on Infrared and Millimeter Waves. October 1720,1994, Japan, P.77.

372. Гарин Б.М. О минимальных потерях в твердых диэлектриках в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах. Росс, науч.-техн. конф. "Диэлектрики 93". ( С-Петербург, июнь 1993), Т.1. СПб, 1993. С. 98.

373. Паршин В.В. Диэлектрические материалы для окон вывода энергии гиротронов. Препринт ИПФ АН, Н.Новгород, 1993.

374. Parshin V.V. Dielectric materials for gyrotron output windows. Int.J.of Infrared & Millimeter Waves. 1994, Vol. 15, N.2. P. 339-348, 1994.

375. Гарин Б.М., Копнин A.H., Пархоменко М.П., Изынеев А.А., Сабликов В.А. Метод создания кремния с экстремально низкими потерями в диапазоне миллиметровых и субмиллиметровых волн. Письма в ЖТФ, том 20, вып. 21, 1994 с. 56.

376. Parshin V.V., Heidinger R., Andreev B.A., Gusev A.V., Shmagin V.B. The silicon, as a material for the high-power output gyrotron windows. //Int. J. of Infrared & Millimeter waves. 1995, Vol 16, N5, P. 863.

377. Dryagin Yu.A., Parshin V. V. A method to measure dielectric parameters in 5-0,5mm wavelength band. Int. J. of Infrared & Millimeter Waves. 1992, Vol.13, N.7, P.1023.

378. Heidinger R., Link G. Dielectric loss measuerments between 25-300K with a hemispherical Fabry-Perot resonator. Dig. 18th Int. Conf. of IR & MM Waves. Colchester (UK), 1993, SPIE, v.2104, P. 64.

379. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с.

380. Полупроводники. Под ред. Н.Б.Хеннея; пер. с англ. под ред. проф. Б.Ф.Ормонта М.: Издательство иностранной литературы, 1962. 667 с.

381. Bruckner В. Electrical properties of gold-doped silicon. //Phys.stat.sol. (a). 1971. v.4. p.685

382. Займан Дж. Принципы теории твердого тела., М.: Мир, 1974. с.315-316.

383. Ennen Н., Schneider J., Pomrenke G. 1,54-|лп luminescence of erbium-implanted III-V semiconductors and silicon //Appl. Phys. Lett. 1983.43, 943.

384. Lea K.R., Leask M.J.M., Wolf W.P. // J.Phys.Chem. Solids. 1962. Vol.23. P.1381.

385. Ennen H., Pomrenke G., Axmann А. 1.54-цт electroluminescence of erbium-doped silicon grown by molecular beam epitaxy//Appl. Phys. Lett. 1985. Vol.46. P. 381.

386. Xie Y.-H., Fitzgerald E.A., Mii Y.J. Evaluation of erbium-doped silicon for optoelectronic applications//J. Appl. Phys. 1991.Vol.70. P. 3223.

387. Zheng В., Michel J., Ren F.Y.G., Kimerling L.C. Room-temperature sharp line electroluminescence at A=1.54 цт from an erbium-doped, silicon light-emitting diode//Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. P. 2842.

388. Franzo G., Priolo F., Coffa S. Room-temperature electroluminescence from Er-doped crystalline Si//Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. P.2235.

389. Stimmer J., Reittinger A., Nutzel J.F Abstreiter G., Holzbrecher H., Buchal Ch. Electroluminescence of erbium-oxygen-doped silicon diodes grown by molecular beam epitaxy //Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. P.3290.

390. Neufeld E., Sticht A., Luigart A., Brunner K., Abstreiter G. Room-temperature 1.54 цт electroluminescence from erbium-doped Si/SiGe waveguides//Appl. Phys. Lett. 1996. Vol.73(21). P.3290.

391. Neufeld E., Markmann M., Vorckel A., Brunner K., Abstreiter G. Optimization of erbium-doped ligch-emitting diodes by p-type counterdoping//Appl. Phys. Lett. 1999. Vol.75(5).P.647.

392. Stepikhova M., Andreev В., V. Kuznetsov, Z. Krasil'nik, A. Soldatkin, V. Shmagin and M. Bresler Effect of Selective Doping on Photo- and Electroluminescence Efficiency in Si:Er Structures // Solid State Phenomena. 2002. Vol. 82-84 P. 629.

393. Priolo F., Franzo G., Coffa S., Camera A. Excitation and nonradiative deexcitation processes of Er3+ in crystalline Si // Phys. Rev.B. 1998. Vol.57. P.4443.

394. Gusev O.B., Bresler M. S., Pak P. E., Yassievich I. N. Forcales M., Vinh N. Q., Gregorkiewicz T.Excitation cross section of erbium in semiconductor matrices under optical pumping Gusev О. В // Phys.Rev.B.2001 .Vol.64. P.075302.

395. Zhao X., Komuro S., Isshiki H., Aoyagi Y., Sugano T. Fabrication and stimulated emission of Er-doped nanocrystalline Si waveguides formed on Si substrates by laser ablation //Appl. Phys. Lett. 1999.Vol.74(l). P. 120.

396. Chen M. J., Yen J. L., Li J. Y., Chang J. F., Tsai S. C., Tsaic C. S. Stimulated emission in a nanostructured silicon pn junction diode using current injection //Appl. Phys. Lett. 2004. Vol. 84(12). P.2163.

397. Stimmer J., Reittinger A., Nutzel J.F., Abstreiter G., Holzbrecher H., Buchal Ch . Electroluminescence of erbium-oxygen-doped silicon diodes grown by molecular beam epitaxy .//Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. P. 3290.

398. Serna R., Shin Jung H., Lohmeier M., Vlieg E., Polman A., Alkemade P.F.A. Incorporation and optical activation of erbium in silicon using molecular beam epitaxy// J. Appl. Phys. 1996. Vol. 79. P. 2658

399. Кузнецов В.П., Рубцова P.А. Особенности метода сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии Si и его возможности при получении структуры Si:Er/Si//OTII.2000.T.34.C.

400. Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Крыжков Д.И., Влияние режимов роста на фотолюминесценцию слоев кремния, легированных эрбием в процессе сублимационной МЛЭ//ФТТ 2004. Т.46. Вып.1. С. 102.

401. Stepikhova М., Andreev В., Krasil'nik Z., Soldatkin A., Kuznetsov V., Gusev О., Uniformly and selectively doped silicon:erbium structures produced by the sublimation MBE method//Materials Science and Engineering: В 2001 Vol. 81 (1-3) P. 67.

402. Przybylinska H. W. Jantsch Yu. Suprun-Belevitch M. Stepikhova L. Palmetshofer and G. Hendorfer A. Kozanecki R. J. Wilson and B. J. Sealy Optically active erbium centers in silicon// Phys. Rev. B. 1996. Vol.54. P. 2532.

403. Jantsch W., Lanzerstorfer S., Palmetshofer L., Stepikhova M., Preier H. Different Er centres in Si and their use for electroluminescent devices//J.Lumines. 1999. Vol.80. P. 9.

404. Priolo F., Coffa S., Franzo G, Spinella C., Camera A., Bellani V. Electrical and optical characterization of Er-implanted Si:The role of impurities and defects//J.Appl.Phys.l993.Vol.74(8).P.4936.

405. Wahl, A. Vantomme, J. De Wachter, Moons R., Langouche G. Marques J. G. Correia J. G. Direct U. Evidence for Tetrahedral Interstitial Er in Si//Phys.Rev.Let. 1997. Vol.79. P.2069

406. Андреев Б.А., Бреслер M.C., Гусев О.Б., Красильник З.Ф., Кузнецов В.П., Солдаткин

407. A.О., Яссиевич И.Н. Особенности фотолюминесценции однородно и селективно легированных структур Si:Er/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии//Известия АН. Серия физическая 2001 Т.65(2), С.271.

408. Andreev B.A., Gregorkiewicz Т., Krasil'nik Z.F., H. Przybylinska and N.Q. Vinh Observation of Zeeman effect in photoluminescence of Er3+ ion imbedded in crystalline silicon //Physica B: Condensed Matter, 2001 Vol. 308-310 P. 340.

409. Michel J., Ren F.Y.G., Zheng В., Jacobson D.C., Poate J.M., Kimerling L.G.The physics and application of Si:Er for light emitting diodes //Materials Science Forum. 1994.Vol. 143-147. P. 707.

410. Polman G.N. van den Hoven J.S. Custer, J.H. Shin, Serna R., Alkemade P.F.A. Erbium in crystal silicon: Optical activation, excitation, and concentration limits.//J. Appl. Phys. 1995.Vol.77. P. 1256.

411. Serna R., Shin J. H., Lohrmeier M., Vlieg E., Polman A. Incorporation and optical activation of erbium in silicon using molecular beam epitaxy//J.Appl.Phys. 1996.Vol.79(5). P.2658.

412. Гастев С.В., Емельянов A.M., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Шмагин

413. B.Б., Эффективное сечение возбуждения фотолюминесценции и время жизни в возбужденном состоянии ионов ЕгЗ+ в многослойных селективно легированных Si:Er-структурах //ФТП, 2003, Т. 37, Вып. 9. С. 1123.

414. Бреслер М.С., Гусев О. Б., Захарченя И. П., Яссиевич И. Н.//ФТТ. 1996. Т.38. С.1474.

415. О. Б. Гусев. Дисс. на соискание уч.ст. д.ф.-м. н. ФТИ РАН. С.- Петербург, 1998. 208 с.

416. Ammerlaan С.A.J., Thao D.T.X., Gregorkiewicz Т., Andreev В.A., Krasil'nik Z.F. Photoluminescence of erbium-doped silicon: temperature dependence//Solid State Phenomena 1999. Vol. 70. P. 359.

417. Schmid W.//Phys. Stat. Sol. В 1977. Vol. 84. P.529.

418. Steiner T. Thewalt M.L.W. Photoluminescence Lifetimes of In, T1 and Bi Bound Excitons in Silicon//Solid State Commun. 1984.Vol.49. P. 1121.

419. Green M.A., Zhao J., Wang A., Reece J., Gal M. Efficient silicon light-emitting diodes// Nature. 2001. Vol.410. P.805

420. Yassievich I.N., Kimerling L.C.//Semicond.Sci.Technol. 1993 .Vol.8. P.718.

421. Coffa S., Franzo G., Priolo F. Light Emission from Er-doped Si: Materials Properties, mechanisms, and device perfomance//Mater. Res.Soc. Bull. 1998. Iss.23. P.25.

422. Ammerlaan C.A.J., Andreev В.А., Emtsev V.V., Oganesyan G.A., Poloskin D.S., Sobolev N.A., Shallow donors in silicon coimplanted with rare-earth ions and oxygen //Physica B: Condensed Matter, 2001 Vol. 308-310, P. 350.

423. Emtsev V.V. Jr., Ammerlaan C.A.J., Andreev B.A., Oganesyan G.A., Poloskin D.S., Shek E.I. , Sobolev N.A., Thermal Donors in Silicon Implanted with Rare Earth Impurities Solid State Phenomena 2002 Vol. 82-84 P. 93.

424. Александров O.B., Захарьин A.O., Соболев H.A., Шек Е.И., Маковийчук М.И., Паршин Е.О.// ФТП. 1998. Т. 32. С. 1029.

425. Emtsev V.V., Emtsev V.V.Jr, Poloskin D.S., Shek E.I., Sobolev N.AA comparative study of donor formation in dysprosium, holmium, and erbium implanted silicon // J of Luminescence 1999. Vol.80. P.391.

426. Gifeisman Sh.N., Tkachuk A.M., Prizmak V.V. //Opt.ika I Spectrosc. 1978. T. 44 C. 68.

427. Sobolev N.A., Emel'yanov A.M., Shtel'makh K.F. Avalanche breakdown-related electroluminescence in single crystal Si:Er:0//Appl. Phys. Lett, 1997. Vol.71. P. 1930.

428. Emtsev V.V., Sobolev N.A., Andreev В.А., Poloskin D.S., Shek E.I. Thermal donors in silicon doped with erbium//Solid State Phenomena 1997. Vol.7. N.8. P. 207.

429. Emtsev V.V., Andreev B.A., Poloskin D.S., Sobolev N.A., Shek E.I. Donor centers in Erbium-implanted silicon//Mater.Sci. Forum. 1998. Vol.58-2. P.1515.

430. Андреев Б.А., Соболев H.A., Николаев Ю.А.,. Курицын Д.И, Маковийчук М.И., Паршин Е.О. Низкотемпературная фотолюминесценция кремния, легированного гольмием//ФТП. 1999. Т. 33. С. 420.

431. Sobolev N.A., A.M. Emelyanov, Y.A. Nikolaev, Andreev B.A., Krasilnik Z.F., Holmium-related luminescence in crystalline silicon//Materials Science and Engineering: В 2001 Vol. 81(1-3) P. 176.

432. Miniscalco W.J.// J. Lightwave Technology. 1991 .Vol.9. P.234.

433. Takahei K. Taguchi A.//Mater. Sci. Forum. 1992. Vol.83-87. P.641.

434. Vinh N. Q., Klik M., Andreev B.A., Gregorkiewicz T. //Spectroscopic characterization of Er-1 center in selectively doped silicon//Materials Science and Engineering B. 2003, Vol.105, p.150.

435. H. Przybylinska, N.Q. Vinh, B.A. Andreev, Z.F. Krasilnik, and T. Gregorkiewicz. Microscopic Structure of Er-Related Optically Active Centers in Si // Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 2003, V. 770, pp.1711.

436. Л.И. Шифф// Квантовая механика. М. ИЛ. 1959.

437. К. Eberl, S.S.Lyer, S. Zollner, J.S.Tsang and F.K.LeGous Growth and strain compensation effects in the ternary Si^Ge*^ alloy system // Appl. Phys.Lett. 1992. Vol.60, P.3033.