Исследование акустоэлектрических явлений в структуре металл-диэлектрик-CdS-LiNbO/3 тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ВЗЖуЮДЕЙСТВИЕ ПАВ С НОСИТЕЛЯМИ ЗАРЯДА В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ < .II

§1.1. Влияние носителей-заряда на поглощение и фазовую скорость ПАВ.

§ 1.2. АЭ эффект.

§ 1.3. Свертка сигналов в слоистой структуре.

§ 1.4. Влияние поперечного электрического поля на

АЭ взаимодействие в слоистых структурах.

ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ МЕТОДИКА.

§ 2.1. Изготовление структуры металл-диэлектрик

GLS -LiNbOj.

§ 2.2. Методика и аппаратура АЭ исследований

§ 2.3. Измерения вольтамперных характеристик и емкости структуры

ГЛАВА III. АКУСТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ЯВЛЕНИЯ В СТРУКТУРЕ МЕТАМ

-диэлектрик-&LS -UNbD3.

§ 3.1. Электронное поглощение в структуре МДП

-пьезоэлектрик

3.1.1. Теория

3.1.2. Эксперимент

§ 3.2. Влияние электрического поля на поглощение и скорость ПАВ.

§ 3.3. Изменение проводимости пленки CdS в поперечном электрическом поле

3.3.1. Распределение электрического поля в слоистой структуре.

3.3.2. Зависимость проводимости полупроводниковой -пленки от напряженности электрического поля

§ 3.4. Особенности электронного поглощения в структуре МДП-ПЭ.

§ 3.5. Акустоэлектрический эффект.

§ 3.6. Свертка ПАВ в структуре ВДП-ПЭ.III

ГЛАВА 1У. ПРИМЕНЕНИЕ СТРУКТУРЫ МДП-ПЭ ДЛЯ ОБРАБОТКИ

ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ.

§ 4.1. Фазовращатель на ПАВ.

§ 4.2. Электрически управляемый генератор на ПАВ.

§ 4.3. Структура МДП-ПЭ в качестве конвольвера

Актуальность работы, Акустоэлектрические явления в слоистых структурах пь е з о электрик-полупроводник представляют существенный научный и практический интерес. Создание устройств обработки информации, таких как конвольверы, корреляторы, фазовращатели и др., является актуальной проблемой твердотельной электроники. Исследования последних лет указывают, что одним из перспективных решений этого вопроса является использование взаимодействия поверхностных акустических волн (ПАВ) с носителями заряда в монолитных структурах пьезоэлектрик-полупроводниковая пленка. С другой стороны исследование акустоэлектрических (АЭ) явлений в слоистых структурах позволяет определить некоторые параметры самих полупроводников. Все это указывает на необходимость проведения детальных исследований АЭ взаимодействия в слоистых структурах, как в целях изучения в них физических процессов, так и в целях создания на их основе управляемых устройств.

Управление АЭ взаимодействием осуществляется, в основном, изменением проводимости полупроводника. Возможность изменения проводимости фоточувствительных пленок, таких как Й5 I ¿а£5е > путем их освещения, а нефоточувствительных, например, Зп.56 - путем изменения температуры, оказывается неудобной на практике. Управление АЭ взаимодействием путем изменения проводимости электрическим полем с практической стороны является одним из наилболее удачных решений. В этой связи особый интерес представляет структура металл-диэлектрик-полупроводник (ЩП). Во-первых, она позволяет с помощью поперечного электрического поля изменять проводимость полупроводника, и во-вторых, такая структура может быть изготовлена на различных подложках. Изучение АЭ взаимодействия в тонкопленочной ВДП-етруктуре, нанесенной на пьезоэлектрическую подложку, ранее не проводилось. Б настоящей диссертации и предстояло изучить АЭ взаимодействие в структуре ЩЩ-пьезоэлектрик (МДП-ПЭ). В частности, необходимо было выяснить, как влияет электрическое поле на обусловленные АЭ взаимодействием поглощение, изменение скорости, АЭ эффект и свертку ПАВ. Можно ожидать, что наличие металлического электрода, необходимого .для приложения электрического поля, будет некоторым образом влиять на АЭ взаимодействие. Предстояло исследовать это влияние.

Исследования проводились на структуре типа (-¡¿1\\Ь03 -пленка 015 -даэлектрик-металл (М-Д- Сс15 -Ь^ЩЬС^ ). Выбор фоточувствительной пленки в качестве полупроводника в настоящей работе обусловлен следующими причинами. Во-первых, технология изготовления монолитной структуры ниобат лития - пленка Сс13 для исследования АЭ взаимодействия довольно хорошо разработана. Во-вторых, пленка является удобным объектом .для моделирования процессов, протекающих в тонкопленочных ЩЩ-транзисторах с изолированным затвором. В-третьих, фоточувствительность пленок позволяет путем изменения интенсивности освещения изменять проводимость в широком интервале.

Цель работы формулируется следующим образом:

1. Исследование влияния металлического и диэлектрического слоев на АЭ взаимодействие в структуре ЩД-пье зоэлектрик.

2. Исследование электронного поглощения, фазовой скорости, АЭ эффекта и свертки ПАВ в структуре М-Д- £¿5 - ¿¿А/6^ при наличии поперечного электрического поля.

3. Изучение механизма управления АЭ взаимодействием при помощи поперечного электрического поля.

4. Исследование возможностей создания электрически управляемых акустоэлектронного фазовращателя и генератора на основе структуры М-Д- аз ~ищ.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, выводов и списка литературы. Имеет 141 страницу в том числе 90 с. машинописного текста, 40 рисунков и одну таблицу. Список литературы содержит 150 наименований работ отечественных и зарубежных авторов.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1. Электронное поглощение, а также фазовая скорость поверхностных акустических волн в структуре ЩП-пьезоэлектрик изменяется по сравнению со структурой пьезоэлектрик-полупроводник из-за наличия металлического и диэлектрического слоев. Это изменение обусловлено изменением эффективного времени релаксации заряда в структуре из-за изменения эффективной диэлектрической проницаемости, которая растет с уменьшением толщины диэлектрика или с увеличением его диэлектрической проницаемости. При этом максимум зависимости поглощения от проводимости полупроводниковой пленки смещается в сторону больших проводимостей и уменьшается по величине.

2. В структуре М-Д-Ссй -ШЬС^ электрическое напряжение, приложенное между управляющим электродом и токовыми контактами, существенно влияет на поглощение, фазовую скорость, акустоэлек-трический эффект и свертку поверхностных акустических волн. При увеличении положительного напряжения на управляющем электроде от 0 до 200 В: а) скорость уменьшается на 2 %, б) электронное поглощение проходит через максимум, изменяясь при этом на 30 дБ/см при частоте волны 20 МГц. Зависимость продольного акустоэлектрического тока и поперечного акустоэлект-рического напряжения качественно соответствует характеру изменения поглощения, в) эффективность свертки возрастает до 5 раз.

Такое изменение акустоэлектрического взаимодействия вызвано сильным увеличением (на три порядка) проводимости пленки СсШ из-за инжекции электронов из токовых контактов в полупроводниковую пленку.

3. На акустоэлектрическое взаимодействие в структуре М-Д-СЛБ при наличии напряжения на управляющем электроде значительное влияние оказывает неравномерное распределение носителей по толщине полупроводниковой пленки. Образование обогащенного слоя на границе с диэлектриком приводит к: а) уменьшению величины максимума электронного поглощения и смещению его положения по сравнению с максимумом при равномерной проводимости по толщине пленки, б) уменьшению продольного акустоэлектрического тока и поперечного акустоэлектрического напряжения из-за уменьшения подвижности носителей, в) возрастанию электронной нелинейности и увеличению эффективности свертки поверхностных акустических волн.

4. Предложен акустоэлектронный элемент на основе слоистой структуры ЩЩ-пьезоэлектрик. Использование такого элемента позволило создать электрически управляемый фазовращатель с постоянной амплитудой выходного сигнала, а также перестраиваемый генератор электрических сигналов.

1. Hutson A.H'i» McFee J.H., White D.L. mttaeonic amplificationin CdS. Phys; Eev'. Lett., 1961, v. 7, No 6, p. 237-239. 2; Hutson A.R., White D.L. Elastic wave propagation in piezoelectric semiconductors. - J.Appl. Phys., 1962, v. 33, No 1, p. 40-47.

2. Викторов И.А. Взаимодействие ультразвуковых поверхностных и объемных волн с электронами проводимости в кристалле cds .- ДАН СССР, сер. физическая, 1967, т. 174, 16 3, с. 556-559.

3. Гуляев Ю.В., Пустовойт В.И. Усиление поверхностных волн в полупроводниках. -ЖЭТФ, 1964, т. 47, J§ 6, с. 2251-2253.

4. Викторов И.А. Физические основы применения ультразвуковых волн Рэлея и Лэмба в технике. М.: Наука, 1966. - 187 с.

5. Викторов И.А. Звуковые поверхностные волны в твердых телах.- М.: Наука, I98X, 287 с.

6. Каринский С.С. Устройства обработки сигналов на ультразвуковых волнах. М.: Сов. радио, 1975. - 176 с.

7. Кайно Г. Акустоэлектронное взаимодействие в устройствах на поверхностных акустических волнах. ТИИЭР, 1976, т. 64, № 5,с. 188-217.

8. Речицкий В.И.Акустоэлектронные радиокомпоненты, М.: Сов. радио, 1980. - 262 с.

9. Поверхностные акустические волны/ Под, ред. Олинера А. М.: Мир, 1981, - 390 с.

10. Морозов А.И., Проклов В.В., Станковский Б.А. Пьезоэлектрические преобразователи для радиоэлектронных устройств. М.: Ра^цио и связь, 1981. - 183 с.

11. Yoshida К., Ymanishi М. Interaction between surface plastic waves and drifting carriers in layered system. Jap; J.Appl. Phys., 1968, v. 7, No 9, p. 114 3-1144.

12. Fischler C., Yando S. Amplification of acoustic surface waves in a coupled semiconductor piezoelectric system, - Appl, Phys. Lett., 1967, v. 14, No 2, p. 165.

13. Гуляев Ю.В., Кмита A.M., Котелянский И.М., Медведь А.В., Тур-сунов Ш.С. Возбуждение и усиление поверхностных звуковых волн в структуре пьезоэлектрическая пленка-полупроводники. ФТП, 1971, т. 5, Ш I, с. 80-84.

14. Collins J.H., Lakin К.М., Quate S.F., Shaw H.J. Amplification of acoustic surface waves with adjacent semiconductor and piezoelectric crystals. Appl. Phys. Lett., 1968, v. 13, No 9, p. 314-316.

15. Гуляев Ю.В., Карабанов А.Ю., Кмита A.M., Медведь А.В., Тур-сунов Ш.С. К теории электронного поглощения и усиления поверхностных звуковых волн в пьезокристаллах. ФТТ, 1970, т. 12, № 9, с. 2595-2601.

16. Kino G.S., Reeder Т.М. A normal mode theory for the Rayleigh wave amplifier. IEEE Trans. El. Dev., 1971, v. ED-18, No 10 5 p. 909-920.

17. Adler R. Simple theory of acoustic amplification. IEEE Тгаш

18. Soiiics Ultrason., 1971, v. SU-18, No. 3. p. 115-118.

19. Auld B.A., Kino G.S. Noimal mode theory for acoustic waves and fcts application to the interdigital transducer. IEEE Trans'. El. Dev., 1971, v. ED-18, No. 10. p. 898-908.

20. Лямов В.Б. Поляризационные эффекты и анизотропия взаимодействия акустических волн в кристалле. М.: Изд. Московского университета, 1983, - 223 с.

21. Tseng С.-С. Elastic surface waves on free surface and metalized surface of CdS,ZnO ant PZT-4. J. Appl. Phys.,1967, v. 38, No 11, p. 4281-4284.

22. Серейка А.П. Рециркуляционный генератор для измерения изменений скорости поверхностных акустических волн. ПТЭ, 1976,1. В 6, с. I09-II0.

23. Серейка А.П., Гаршка Э.П., Милькявияене З.А., Юцис А.Й. Электронное поглощение поверхностной акустической волны в структуре пьезоэлектрик-металлическая пленка. ФТТ, 1974, т. 16, В 8, с. 2415-2417.

24. Котелянский И.М., Крикунов A.M., Медведь А.В., Мишкинис Р.А., Пантелеев В.В. Изготовление слоистых структур LiNbo3- insbи их использование для усиления поверхностных акустических волн. ФТП, 1978, т. 12, J* 7, с,1267-1272.

25. Hanebrekke Н., Ingehrigtsen К.A. Acoustoelctric amplification of surface waves in structure of cadmium selenide film on lithium niohate. Electron. Lett;, 1970, v. 6, No. 10, p. 520-521.

26. Bierhaum P. Determination of electron mobolities in thin metal films from the attenuation of elastic surface waves. J. Aco-ust. Soc. Am., 1974, v. 55, No. 4, p. 766-774.

27. Серейка А.П., Гаршка Э.П. Акустоэлектрическое поглощение интенсивного ультразвука в слоистой структуре пьезоэлектрик-по-ликристаллическая пленка сульфида кадмия. Науч. тр. вузов Лит. ССР, Ультразвук, 1974, № 6, с. II7-I20.

28. Федосов В.И. Акустоэлектронное поглощение поверхностных акустических волн в структуре пьезоэлектрик-полупроводник. Радиотехника и электроника, 1981, т. 26, Л 2, с. 409-415.

29. Javed A. Effect of surface states on surface-waves amplification in a composite structure of CdSe film of biNbO^. IEEE Trans. El. Dev., 1972, v. 19, No. 12, p. 1296-1297.

30. Балакирев M.K., Богданов С.В., Левин М.Д. Влияние поверхностного захвата носителей тока на усиление релезгских волн в слоистой системе. ФТТ, 1974, т. 16, В 6, с. 1669-1672.

31. Shimizu Y., Terazaki A. Attenuation and velocity of surface waves on a piezoelectric substrate coated with admittance film.- J.Acoustic Soc. Am., 1979, v. 66, No 3, p. 806-810.

32. Серейка А.П., Гаршка Э.П., Юцис А.Й., Алишаускас А.В. Акусто-резистивный эффект в тонких поликристаллических пленках Cds.- ФТТ, 1972, т. 14, J6 9, с. 2790-2792.

33. Серейка А.П., Милькявичене З.А. Температурная зависимость акусIтоэлектрического тока в монолитной слоистой структуре LiNbo3- поликристаллический слой Cds . ФТП, 1977, т. II, В 12, с. 2365-2368.

34. Серейка А.П., Милькявичене З.А. Генерация акустических гармоник в слоистой структуре пьезоэлектрик-поликристаллический слойке .- ФТТ, 1977, т. 19, » I, с. 31-33.

35. Федорец В.Н. Поглощение поверхностных акустических волн в структуре пьезоэлектрик-полупроводниковая пленка-металл. Акустический журнал, 1980, т. 26, & 4, с. 604-609.

36. Котелянский И.М., Федорец В.Н. Свертка сигналов в структуре LiNb03-CdSe . Письма ЖТФ, 1979, т. 5, & I, с. 18-22.

37. Parmenter H.H. (Ehe aeoustoelectric effect. Pbys. Kev., 1953, V. 89, No. 5, p. 990-998.44. weiureich G. Acoustodynamic effect in semiconductors. Phys. Eev., 1956, V. 104, No. 2„ p. 321-324.

38. Гуревич Л.В. О некоторых электроакустических эффектах. Известия АН СССР, серия физ. 1957, т. XXI, В I, с. II2-II9.

39. Гуревич В.Л., Эфрос A.A. К теории акустоэлектрического эффекта.- ЖЭТФ, 1963, т. 44, В 6, с. 2I3I-2I4I.

40. Морозов А.И. Исследование акустоэлектрического эффекта в кристаллах сульфида кадмия. ФТТ, 1965, т. 7, В 10, с. 3070-3078.

41. Кетис БгП.П., Кунигелис В.Ф., Гаршка В.П. Нелинейность акустоэлектрического взаимодействия в Cds . ФТТ, т. 13, В 9,с. 2574-2579.

42. Котелянский И.М., Медведь A.B. Акустоэлектрический эффект в монолитной слоистой структуре LiNbo^ пленка Cdse . - ФТП, 1973, т. 7, JS 9, с. 1703-1705.

43. Милькявичене 3., Серейка А., Гаршка Э. Акустоэлектрический эффект в слоистой структуре пьезоэлектрик-поликристаллическая пленка сульфида кадмия. Науч. тр. вузов Лит. ССР, Ультразвук, 1976, В 8, с. 13-15.

44. Серейка А.П., Гаршка Э.П., Милькявичене З.А., Юцис А.Й. Акустоэлектрический эффект в слоистой структуре пьезоэлектрик-метал-лическая пленка. ФТТ, 1974, т. 16, 18, с. 2455-2456.

45. Morita S., Tsubouchi K., Mikoshiba N, Convolution and acousto-electric effect by elastic surface waves in coupled semiconductor-piezoelectric system, Jap, J. Appl. Phys,, 1976, v, 15, No. 6, p. 1019-1028.

46. Вьюн В.A., Левин М.Д. Нелинейные акустоэлектрические эффекты при больших амплитудах в структуре пьезоэлектрик-полупровод-ник. ФТТ, 1980, т. 22, № I, с. 70-74.

47. Кунигелис В. Простая теория поперечного акустоэлектрического эффекта в слоистой структуре пьезоэлектрик-полупроводник.-ФТТ, 1978, т. 20, № II, с. 3420-3423.

48. Кмита A.M., Медведь А.В. Акустоэлектрический эффект в слоистой структуре пьезоэлектрик-полупроводник. ФТТ, 1972, т. 14, J& 9, с. 2646-2655.

49. Гуляев Ю.В., Кмита A.M., Медведь А.В., Плесский В.П., Шибанова Н.Н., Федорец В.Н. Поперечный акустоэлектрический эффект нового типа, вызываемый поверхностной акустической волной в полупроводнике. Письма ЖЭТФ, 1975, т. 21, В 6, с. 353-355.

50. Юцис А.Й., Гаршка Э.П., Пагалите Р.Н. Поперечный акустоэлектрический эффект в слоистой структуре ЬШэ05 Cds. - Liet, fiz, rink., 1977, т. ХШ, & 4, с. 507-512.

51. Бондаренко B.C., Громашевский В.Л., Кувдзич А.Г., Миселюк Е.Г., Соболев Б.В., Шаров А.Ф. Кинетика поперечного акустоэлектрического эффекта в слоистой структуре Si LiNbOj . - ФТТ, 1980, т. 22, 5, с. 1566-1568.

52. Bers A., Cafarella J.H., Burke В.Е. Surface mobility measurement using acoustic surface waves. Appl. Phys. Lett., 1973, V. 22, No. 8, p. 399-401. v

53. Adler R., Janer D., Datta S., Hunsinger B.J. Acoustoelectiic mobility measurements on films with negligible acoustic loss.- Ultrasonic Symp; Proc,, Boston, Mass.,1981, v^ 1, p, 139-141,

54. Das P., Motamedi I.E., Webster R.T. Semiconductor surfacestudy "by transverse acoustueifc&ctric voltage using surfaceacoustic waves. Sol. St. Electron., 1976, v. 19, No. 2, ip. 121-123.

55. Das P., Motamedi M.E., Gilboa H., Webster R.T; Determination of electrical surface properties of Sij GaAs and CdS, using acoustic surface wave. J, Vac. Sc. and Technol,, 1976, v. 13» No. 4, p. 948-953.

56. Lim T.C., Kraut E.A., Thompson R.B. Nonlinear materials for acoustic-surface-wave convolver.- Appl; Phys. Lett., 1972,v; 20, No 3, p. 127-129.• . i

57. Shreve W.R., Kino G.S., Luukkala M.V. Surface wave parametric-signal processing7 Electron. Lett., 1971., v. 7, No 12, p; 764-766.

58. Luukkala M., Kino G.S. Convolution and time inversion using parametric interactions of acoustic surface waves. Appl, Phys Lett., 1971, v. 18, No 9, p. 393-394.

59. Luukkala M., Surakka J. Acoustic convoliution and correlation and the associated nonlinearity paramaters in LiNbO^. J. Appl Phys., 1972, v. 43, No 6. p. 2510-2718.

60. Otto O.W. Theory foi nonlinear coupling between a piezoelectric surface and an adjacent semiconductor. J. Appl. Phys., 1974, v. 45, No. 10, p. 4 373-4383.

61. Kino G.S., Gautier H. Convolution and parametric interactionwith semiconductors. J.Appl. Phys., 1975, v. 44, No 12, p. 5219-5221.

62. Gautier H., Kino G.S. A detailed theory of the acoustic wave semiconductor convolver, IEEE Trans. Sonics^ Ultracon., 1977, v. SU-24, No 1., p. 23-33.

63. Khuri-Yakuh Б.Т., Kino G.S. A monolithic zinc-oxideon-silicon convolver. Appl. Phys. Lett., 1974, v. 25, No 4, p. 188-190,

64. Khuri-Yakuh B.T. Kino G.S. A detailed theory of the monolithic zinc oxide on silicon convolver. IEEE Trans. Sonics. Ultarasor 1977, V. SU-24, No 1, p. 34-43.

65. Ymanishi M., Kawamura T. Surface waves convolver and correlator using nonlinear electron interaction in coupled semiconductor-piezoelectric systems. J.Jap. Soc. Appl. Phys., 1973, v. 4 2, Suppl., p. 30-4 0,

66. Otto O.W., Moll N.A; A lithium niobate silicon surface waveconvoluter. Electron Lett., 1972, v. 8, No. 24, p. 600-602.

67. Lee C.W., Guncher R.L. Nonlinear interaction of acoustic surface waves from coupling to change carriers. J. Appl. Phys,, 1973, V, 44, No 11, p. 4807-4812.

68. Shigetaka M., Seijiro F. Study on effeciency of piezoelectric semiconductor SAW convolver. Jap. J. Appl. Phys,, 1977, v. 16, No 12, p. 2139-2150.

69. Викторов И.A., Талашев A.A. Экспериментальное исследование нелинейного взаимодействия ультразвуковых рэлеевских волн в двухслойной системе. Акустический журнал, 1980, т. ХХ1У, J£ 2, с. 189-193.

70. Коршак Б.А., Лямов В.Е., Солодов И.Ю., Еленский В.Г. Нелинейные акустические устройства обработки сигнальной информации.- Зарубежная радиоэлектроника, 1981, В I, с. 58-77.

71. Соболев Б.В., Бочков Б.Г., Бондаренко B.C., Зуев В.Е. Устройства корреляционной обработки сигналов на акустических волнах.-- Зарубежная электронная техника, 1977, Ш 6, с. 3-54.

72. Вьюн В.А., Левин М.Д. Влияние изгиба зон полупроводника на акус-тоэлектронное взаимодействие в слоистой структуре пьезоэлектрик--полупроводник. ФТТ, 1981, т. 81, & 3, с. 838-845.

73. Пека Г.П. Физика поверхности полупроводников.-Киев: Изд. Киевского университета, 1967, 190 с.

74. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников.- М.: Наука, 1977. 672 с.

75. Викторов И.А. В влиянии электрических неоднородностей поверхностного слоя полупроводника на распространение поверхностных волн.-В кн.: Упругие поверхностные волны. Новосибирск; Наука, Сиб. отд., 1974, с. 64-77.

76. Викторов И.А. Взаимодействие рэлйевских волн с электронами в кристалле cdS при наличии освещения и поперечного электрического поля.-Акустический журнал, 1968, т. НУ, Ш 2, с. 204-209.

77. Crowley J.D., Weller J.F., Giallorenzi T.G, Acoustoelectric SAW phase shifter. Appl, Phys. Lett., 1977, v. 31, No 9, p. 558-560.

78. Ganguly A.K., Chao G, Electronic control of the velocity and attenuation of surface acoustic waves in piezoelectric semiconductors. Appl; Phys. Lett., 1973, v. 23, No 11^ p.590-592.

79. Jucys A., Kunigelis V. Influence of the surface potential upon the acoustoelectric interaction in CdS. Phys. st.scl. (Ъ), 1976, v. 77, No 2, p. K113-117.

80. Kunigélis V., Jucys A., Gargka E., Vitkauskas V. Influence of the surface potential on the acoustoelectric interaction in semiconductor-piezoelectric structures, Phys. st. sol. (a), 1977, v, 43, No 2, p. 699-703.

81. Javed A, A field-effect monolithic composite electroacoustic amplifier. Eur. Microwave Gonf. Proc., Brussels, 1973, v. 2, Louvain, s.a., NC.7.3, p. 312-315.

82. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах.-М.: Мир, 1973. 416 с.

83. Тиман Б.Д. Условие звука в пьезоэлектриках при протекании тока, ограниченного пространственным зарядом.-ФТТ, 1971, т. 13, В 5, с. 1275-1277.

84. Гаевский B.C., Кучеров И.Я., Перга В.М. Усиление ультразвука в Cds при наличии инжекции электронов с контакта. ФТТ, 1973, т. 15, Ш 10, с. 3071-3073.

85. Гаевский B.C.^ Кучеров И.Я. Усиление упругих волн поперечно-дрейфующими носителями заряда, инжектированными с контакта. -- ФТП, 1977, т. II, В 12, с. 2368-2370.

86. Гуляев Ю.В. Усиление поверхностных ввуковнх волн поперечным электрическим током в пьезоэлектрических полупроводниках.--Микроэлектроника, 1974, т. 3, £ 3, с. 256.

87. Гуляев Ю.В., Денисенко В.В. Теория усиления поверхностных звуковых волн поперечным электрическим током в пьезоэлектрических полупроводниках.-ФТТ, 1974, т. 16, № 6, с. I746-I75I.

88. Кмита A.M., Медведь A.B., Федорец В.Н. Влияние поперечного дрейфа электронов на поглощение поверхностных акустических волн в Cds . ФТТ, 1976, т. 18, В 12, с. 3610-3614.

89. Гуляев Ю.В., Кмита A.M., Медведь A.B., Федорец В.Н. Влияние поперечного дрейфа носителей заряда на акустоэлектронное взаимодействие в слоистой структуре пьезодиэлектрик-полупроводник.-Письма ЖЭТФ, 1974, т. 29, В II, с. 700-702.

90. Гуляев Ю.В., Григорьевский В.И., Кмита A.M., Медведь А.В., Федорец В.Н. Влияние поперечного дрейфа носителей заряда на акустоэлектронное взаимодействие в слоистой структуре пьезо-электрик-полупроводник.-ФТП, 1977, т. II, № I, с. 22-28.

91. Федорец В.Н. Поглощение звука в слоистой структуре LiNbO^--Cdse при наложении поперечного поля.-ФТТ, 1979, т. 21, Л 8,с. 2515-2517.

92. Matsumoto S.Enhancement of convolution voltage due to transverse drift of carriers in piezoelectric semiconductor SAW convolvers.-Appl; Phys. Lett., 1979.v. 35, No 7, p. 520-621.

93. Matsumoto S. Effect of transverse drift of carrier on operation of piezoelectric semiconductor SAW convolverJap. J, Appl. Phys., 1979, v. 18, No 11, p. 2051-2057.

94. Ueda Z., Shirafu$i J. Effect of illumination and hias field on semiconductive CdS monolithie convolver with higt-resisti-vity surface layer. Jap. J. Appl. Phys., 1979, v. 18, No 8, p. 1517-1524.

95. X08. Hickernell P.S., Brewer J.W; Surface-elastic-wave properties of de-triode-sputtered zinc oxide film. Appl. Phys. Lett., 1972, v. 21, No 8, p. 389-391.

96. Coldren A.L. Effect of "bias ftield in a zinc-oxide-on-silicon acoustic convolver. Appl, Phys, Lett., 1974, v. 25, No 9, p. 473-4 75.

97. Ц2. Tsuboucki K., Minagawa S., Mikoshiha N., Basic characteristics of surface-acoustic-wave convolver in monolithic MIS structure. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, No 12, p. 5187-5190.

98. Becher E.A., Ealston R.W., Wright R.V. wide-hand monolithic acoustoelectric memory correlators. IEEE Trans. Sonics. Ultras on., 1982, V. 29, No 6, p. 287-298.

99. Ваймер П.К. ТПТ-новый тонкопленочный транзистор. ТИРИ, 1962, т. 50, & 6, с. I526-1535.

100. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973, - 665 с.

101. Серейка А.П., Милькявичене З.А., Ладитис И.И. Влияние легирования полупроводника на акустоэлектрический ток в структуре слой cds LiNhcy - В кн.: Совещание по упругим поверхностным волнам, тез. докл., Новосибирск, 1978, с. 22-23.

102. Наследов Д.Н., Протасов Ю.В., Румянцев А.П. Тонкопленочный триод, управляемый через запирающий слой А1 Cds .- ФТП, 1969, т. 3, J& 8, с. II48-II5I.

103. Гимпельсон В.Д., Радионов Ю.А. Тонкопленочные микросхемы для приборостроения и вычислительной техники. М.: Машиностроение, 1976. - 327 с.

104. Сахаров Ю.Г., Чернобровкин Д.И. Сравнительные характеристики тонкопленочных ковденсаторов на основе моноокиси 1фемния и моноокисй германия. Электронная техника, сер. 14, Материалы, 1969, № 6, с. 82-87.

105. Зуев В.А., Попов В.Г. Фотоэлектрические МДП-приборы. М.: Радо и связь, 1983. - 160 с.

106. Технология тонких пленок (справочник): В 2-х т./Майссел Л., Глэнг Р. М.: Сов. радио, 1977, т. I, с. 5-664.

107. Vergasa W.C., Greenhouse H.M., Nicolas N.C. Evaporant sourse for the deposition of pinhole fiee films. - Rev; Sei. Instr, 1963, V. 34, No 5, p. 520-522.

108. Waxman A., Henrich V.E., Shallcross I.V., Borkan H.,Weimar P.К Electron mobility studies in surface space-charge in vapor-deposited CdS films. J. Appl. Phys., 1965, v. 36, No 1,p. 168-175.

109. Степаненко И.П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. М.: Энергия, 1977. - 671 с.

110. Гурский Л.И., Румок Н.В., Куксо В.В. Зарядовые свойства МОП-структур. Минск: Наука и техника, 1980. - 200 с.

111. Булюк А.Н. , Котелянский И.М., Крикунов А.И., Федорец В.Н. Знакопеременный акустоэлектрический эффект в структуре LiNb05 -пленка CdSe . ФТТ, 1981, т. 23, В 9, с. 2587-2592.

112. Кунигелис В., Виткаускас В. Акустоэлектрическое взаимодействие в двойной слоистой системе insh Sio - insh на пье-зоэлектрике. - -biet, fiz. rink.'i 1982, т. XXII, В 4, с.61-65.

113. Гинзбург В.Л. Об общей связи между поглощением и .дисперсией звуковых волн. Акустический журнал, 1955, т. I, tè I, C.3I-3S

114. Кетис Б.-П., Кривка И. Поглощение звука в электрически неоднородных полупроводниках. -Liet. fiz. rink. , 1979, т. XIX, В I, с. I08-III.

115. Кетис Б.-П. Акустоэлектрическое взаимодействие в неоднородных полупроводниках. ФТТ, 1979, т. 21, В 1, с. 229-230. Кетис Б.-П. Акустоэлектрическое взаимодействие в неоднородных полупроводниках. - Liet.fiz. rink, , 1979, т.XIX, të 2, с. 260-267.

116. Гитис М.Б. Чайковский И.А. Поглощение звука в легированных пьезополупроводниках. ЖЭТФ, 1981, т. 81, £ 1(7), с. 263-275.

117. Кетис Б.-П., Мишкинис Р. Поглощение поверхностных акустических волн в структуре пьезозлектрик-неоднородная полупроводниковая пленка. biet.fiz.rink. , 1982, т. XXII, Jé 5, с. 44-49.

118. Кетис Б.-П., Кривка И. Высокочастотная, проводимость и акус-тоэлектрическое взаимодействие в Cds . ФТП, 1980, т. 14, В 9, с. 1856-1858.

119. Мишкинис P.A. Усиление и генерация поверхностных акустических волн в монолитной слоистой структуре LiNbOj пленка Insb . - Дисс. . канд. физ.-мат. наук. - Москва, 1980у-- 152 с.

120. Anderson J.С. Barrier -limited conductivity in thin film transistor.-Thin Solid Films4 1976, v. 37, No 1, p. 127-135.

121. Anderson J.C. Barrier-limited mobility in thin semiconductor films.-Thin Solid Films, 1973, v. 18, No 2, p. 239-245.

122. Кунигелис В. Акустоэлектрическое взаимодействие в двухслойных полупроводниках. biet, fiz.rink., 1983, т. XXIII, В 6, с. 57-62.

123. Крышталь Р.Г., Федорец В.Н. Акустоэлектронное взаимодействие в структуре, пьезоэлектрик-двухслойная полупроводниковая пленка. Акустический журнал, 1984, т. XXX, $ 2, с. 277-279.

124. Dieulesaint Е., Koyer D. Ondes élastiques daus les solides.-Paris.: Masson et Cle, 1974- 407 p. (имеется перевод).

125. Мансфельд Г.Д., Орлова Г.А., Гуляев Ю.В. Амплитудная и фазовая модуляция поверхностных акустических волн в слоистой структуре LiUb05 CdSe . - Радиотехника и электроника, 1979, т. ШУ, № II, с. 2197-2202.

126. Urate S., Uki S. Yoltage controlled monolithic SAW phase shif ter using MZOS structure. Electr. Lett., 1980, v. 16, No 2C p. 777-778.

127. A.c. 4005376 (США). Фазовращатель ПАВ с электронной регулировкой Д.Д.Давис, А.Валэн. Опубл. в Б.И., 1978, № 2,

128. Salmon S.K. Practical aspects of surface-acousticwave oscillators. IEEE Trans.Microwave Theory Tech., v. MTT-27, No 12, p. 1012-1018.

129. Речицкий В.И., Синитур E.K. Генераторы сигналов на поверхностных акустических волнах. Зарубежная радиоэлектроника,ч1978, В 3, с. 95-108.

130. Urahe S. Voltage controlled monolithic SAW phase shifter andits apllicaticn to frequency variable oscillator.-IEEE Trans. Sonics Ultras on., 1982, v. STJ-29, No 5, p. 255-261.

131. Гуляев Ю.В., Котелянский И.М., Крикунов А.Й., Федорец В.Н. Запоминание сигнала свертки в монолитной структуре LiNbo3--пленка CdSe . Письма ЖТФ, 1981, т. 7, J! 8, с. 449-452.