Исследование акустоэлектрической инжекции и корреляции в пьезоэлектрических пластинах и слоистых средах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Введение

Глава I. Нелинейные акустоэлектрические взаимодействия и инжекция в твердых телах /обзор литературы/ . 13 I.I. Распространение упругих волн в ограниченных пьезоэлектрических кристаллах.

1.1.1, Типы поверхностных волн

1.1.2, Волны в пластинах.

1.1.3, Распространение поверхностных упругих волн в структурах типа пьезоэлектрик-ме-талл

1.2. Нелинейные акустоэлектрические взаимодействия в пьезоэлектриках и слоистых структурах

1.2.1, Генерация гармоник и акустоэлектрический потенциал поверхности пьезоэлектрика

1.2.2, Акустоэлектрическая свертка и корреляция в ограниченных пьезоэлектриках.

1.2.3, Нелинейные акустоэлектрические взаимодействия в слоистых структурах пьезоэлектрик-полупроводник.

1.2.4, Эффект акустоэлектрической памяти в слоистых структурах.

1.3, Инжекция носителей заряда в изоляторах и полупроводниках

1.3.1, Токи монополярной инжекции.

1.3.2, Токи двойной инжекции.

1.3.3, Контакты металл-изолятор, металл-полу-цроводник

1.3.4, Влияние инжекции на акустоэлектрические взаимодействия.

Глава 2. Методика экспериментальных исследований .*.

2.1. Разработка методики измерения акустоинжекционного заряда в пьезоэлектрических резонаторах

2.2. Разработка методики измерения акустоинжекционного заряда в слоистых структурах.

2.2.1. Структура пьезоэлектрик-полуцроводник-ме-талл.

2.2.2. Структура пьез оэлектрик-металл.

2.3. Методика исследования акустоэлектрической корреляции

2.3.1. Топология контактов для пьезоэлектрической пластины- коррелятора.

2.3.2. Блок-схема установки дои исследования нелинейных акустоэлектрических взаимодействий в пластине-корреляторе.

2.4. Приготовление образцов для экспериментов.

2.5. Возбуждение упругих волн и колебаний в пластинах

LNBOj hCCIS. а?

Глава 3. Акустоэлектрическая инжекция.

3.1. Введение.

3.2. Акустоэлектрическая инжекция в пьезоэлектрических пластинах-резонаторах.

3.2.1. Обнаружение акустоинкекционного заряда в плас тннах-рез она торах GLS.

3.2.2. Расчеты напряженности пьезоэлектрического поля на поверхности пьезоэлектрической пластины-резонатора

3.2.3. Частотные зависимости акустоинжекционного заряда.

3.2.4. Акустоэлектрическая инжекция в пластинах-резонаторах LN60,.

3.3. Аку стоэ лектричеекая инжекция в слоистой структуре пьезоэлектрше-полуцроводник-металл

3.3.1. Условие обнаружения акустоэлектрической инжекщш

3.3.2. Обнаружение акустоэлектрической инжекции в слоистой структуре ШОз-ColS-Jn

3.3.3. Различные металлические контакты

3.4. Временные и амплитудные характеристики акустоин-жекционного заряда.

3.4.1. Временные характеристики

3.4.2. Амплитудные характеристики

3.5. Акустоэлектрическая инжекция в структуре пьезоэлектрик-металя

3.5.1. Акустоэлектрическая инжекция под действием поверхностных волн.

3.5.-2. Акустоинжекционный прием ультразвука

Глава 4. Акустоэлектрическая корреляция

4.1. Введение .ЮЗ

4.2. Теоретическое исследование нелинейных акустоэле-ктрических взаимодействий типа корреляции в пьезоэлектрических пластинах

4.2.1. Расчеты амплитуд свертки и корреляции

4.2.2, Учет влияния акустоэлектрической инжекции III

4.3. Свободный акустоинжекционный заряд в пластинах пьезоэлектриков

4.3.1. Влияние акустоэлектрической инжекции на вольт-амперные характеристики системы мета лл-пьезоэлектрик .•

4.3.2. Вклад свободного акустоинжекционного заряда в акустическую свертку ••••••••••.•

4.4. Экспериментальное исследование нелинейных акусто-электрических взаимодействий в пьезоэлектрических пластинах LiNBO,.

4.4Д. Акустическая свертка на разностной частоте

4.4.2. Акустическая корреляция.

4.5. Акустическая свертка нормальных волн при наличии акустоэлектрической инжекции

4.5.1. Свертка в металлизированной пьезоэлектрической пластине.

4.5.2. Свертка в слоистой среде пьезоэлектрик-по-лупроводник-металл.

4.6. Эффекты акустоэлектрической памяти.

4.7. Трехчастотное параметрическое взаимодействие в пьезоэлектрической пластине-резонаторе

4.7.1. Параметрическое взаимодействие упругих волн в акустическом резонаторе при наличии дисперсии

4.7.2. Экспериментальное исследование трехчастот-ных параметрических взаимодействий в прямоугольных резонаторах LiNBO,,.

4.7.3. Определение дисперсии скорости упругих колебаний посредством трехчастотного параметрического взаимодействия

В настоящее время одним из ведущих направлений в физике твердого тела является акустоэлектроника, которая сформировалась на стыке акустики, физики диэлектриков и полупроводников и радиоэлектроники. Предметом физических исследований в акусто-электронике являются возбуждение, распространение и прием акустических волн в твердых телах, взаимодействие этих волн с кристаллической решеткой, носителями заряда, электромагнитными полями. Эти исследования позволяют объединять одновременно различные методики /акустические, электрические и ряд других/ при изучении структуры и свойств твердых тел /l-З/. С другой стороны, акустоэлектроника решает прикладные задачи, связанные с созданием новых твершэтелшых приборов для нужд радиоэлектроники. К числу этих приборов /акус то электронных устройств/ относятся линии задержки, резонаторы, устройства запоминания акустических сигналов и другие, Акустоэлектронные устройства позволяют производить различные преобразования акустических и электрических сигналов: во времени, по амплитуде, частоте и фазе, а также более сложные функциональные цреобразования интегрирование, кодирование и декодирование, выполнение операций свертки, корреляции и т.д. Благодаря широким функциональным возможностям, технологичности изготовления и другим достоинствам акустоэлектронные устройства находят все большее применение в радиолокации, телевидении, радиосвязи /включая космическую/, а также в системах автоматического контроля и управления, вычислительной технике и в других радиоэлектронных системах /4-6/.

За последние годы в акустоэлектронике особый интерес уделяется исследованию различных слоистых структур на основе пьезоэлектрических кристаллов. В таких структурах изучаются разнообразные явления, обусловленные взаимодействием пьезоактивных упругах волн, распространяющихся в пьезокристалле, с окружающей его средой. К числу новых типов экустоэлектронных эффектов в слоистых структурах относятся: взаимодействие поверхностных акустических волн /ПАВ/ с электронными пучками fij, с плазмой газового разряда /8, 9/, с црилегающим к пьезоэлектрику люминофором /10/, взаимодействие ПАВ с инжектированными носителями заряда в структуре пьезоэлектрик-металл /il/, а также явления запоминания акустических сигналов в струк;цурах пьезоэлект-рик-полупроводник-металл/" 12, 13/. Недавно обнаружено новое акустоэлектронное явление - акустоэлектрическая инжекция /АЭЦ/, вызываемая упругой волной в металлизированном пьезоэлектрике /14/, а также связанная с этим явлением акустоинжекционная люминесценция в структуре пьезоэлектрик-металл /15/. Принципиальной особенностью АЭИ является то, что она происходит под действием пьезоэлектрического поля упругой волны, распространяющейся в кристалле с металлическим контактом. В этом и состоит отличие АЭИ от инжекции носителей заряда в обычном смысле, которая требует приложения внешнего электрического поля к контакту металл-кристалл. Поскольку металлические контакты являются неотъемлемым элементом практически всех акустоэлектроннвх устройств, то АЭИ должна сказываться и в экустоэлектронных взаимодействиях, на что указано в /Ёб/.

Новизна и малоизученность явления АЭИ дают основания считать исследования по АЭИ представляющими не только научный, но и практический интерес. С физической точки зрения такие исследования мозтут лежать в основе разработки новых методов изучения

О /ч СЭ свойств кристаллов. С практическом точки зрения представляет интерес исследовать влияние АЭИ на нелинейные акустоэлектрон-ные взаимодействия в металлизированных пьезоэлектриках и в слоистых * структурах типа пьезоэлектрик-полупроводник-металл. Поскольку такие системы используются в качестве акустоэлектронных радиокомпонентов /б/, то исследования явления АЭИ являются актуальными

С учетом вышесказанного, в настоящей диссертационной работе основными задачами исследования ставились:

1. Прямое экспериментальное наблюдение акустоинжекционного заряда при АЭИ в системе пьезоэлектрик-металл,

2. Обнаружение и исследование явления АЭИ в слоистой структуре пьезоэлектрик-подупроводник-металл. Исследование возможности осуществления инжекции дырок при АЭИ.

3. Изучение возможности использования явления АЭИ для определения параметров центров захвата носителей заряда в кристаллах и для регистрации пьезоактивного ультразвука.

4. Исследование нелинейных акустоэлектрических взаимодействий типа корреляции в металлизированных пьезоэлектрических пластинах и в слоистых средах пьезоэлектрик-подупроводник-металя.

5.- Изучение влияния АЭИ на эти взаимодействия.

Поставленными задачами обусловлено и название диссертационной работы: "Исследование акустоэлектрической инжекции и корреляции в пьезоэлектрических пластинах и слоистых средах". Термин "корреляция" употреблен для обозначения совокупности нелинейных акустоэлектрических взаимодействий: собственно корреляции, автокорреляции /свертки/, связанных с ниш эффектов акустоэлектрической памяти, трехчастотных параметрических взаимодействий.

Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Основные результаты диссертационной работы доложены на конференциях и совещаниях:

1. 4-ой Всесоюзной конференции "Методика и техника ультразвуковой спектроскопии", Вильнюс, 1980 г.

2. XI-ой Всесоюзной конференции по акустоэлектронике и квантовой акустике, Душанбе, 1981 г.

3. Х-ой Всесоюзной конференции по сегнетоэлектричеству и применению сегнетоэлектриков в народном хозяйстве, Шнек, 1982 г.

4. ХП-ой Всесоюзной конференции по экустоэлектронике и квантовой акустике, Саратов, 1983 г.

5. УЕГ-ой Всесоюзной конференции "Состояние и перспективы развития методов получения и анализа ферритовых, сегнето-, пьезоэлектрических, конденсаторных и резистивных материалов и сырья для них", Донецк, 1983 г.

6. У-ом Всесоюзном совещании "Физика и техническое применение полупроводников AgBg", Вильнюс, 1983 г. и опубликованы в работах:

1. Островский И.-В., Половина А. И. Корреляционная память в пластинах L.NB0,. - ФТТ, 1978, т.20, № 2, с.607-608.

2. Островский И.В., Половина А.И. Акустоэлектрическая инжекция в ниобате лития. - ФТТ, 1981, т.23, J6 II, с.3488-3490.

3. Островский И.В., Половина А.И. Трехчастотное параметрическое взаимодействие в прямоугольном пьезоэлектрическом резонаторе. - Акуст.ж., 1982, т.28, №2, с.264-267.

4. Островский И.В., Половина А.И. Определение дисперсии волны Лэмба в ШО, посредством параметрического трехчастотного взаимодействия в прямоугольном резонаторе. - Науч.тр.вузов Лит.ССР. Ультразвук, 1982^ 14, с. 15-17.

5. Островский И.В., Половина А. И, Акустоэлектрические свертка и корреляция в пьезоэлектрических пластинах. - УФЖ, 1982, т.27, № 6, с.892-898.

6. Островский И.В., Семенко А.И., Паламарчук А.А., Половина А.И., Фелинский Г.С. Акустоэлектрическая инжекция под действием поверхностных волн. - УФК, 1983, т.28, № I, с.143-144.

7. Островский И.В., Половина А.И, Акустоэлектрическая инжекция в пьезоэлектрических резонаторах CdS. - УФК, 1983, т.28, № 7, C.II09-III0.

8. Булах Г.И., Кучеров И.Я., Островский И.В., Половина А.И. Акустоэлектрическая инжекция в слоистой системе LMCL

GAS. - ФТТ, 1984, т.26, № 3, с.854-855.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Сформулируем кратко основные результаты, полученные в диссертационной работе:

1. Впервые экспериментально обнаружено явление акустоэлектрической инжекции /АЭTS/ носителей заряда в металлизированных пьезоэлектрических пластинах-резонаторах CdS и

L'.N803.

2. Предсказана, экспериментально обнаружена и исследована АЭИ в слоистых структурах типа пьезоэлектрик-полупроводник-металл. Показано, что в слоистой структуре LiN803 CdS -металл возможна АЭИ электронов и дырок в CdS .

3. Показана возможность практического использования явления АЭИ для определения параметров центров захвата носителей заряда в металлах и для регистрации ультразвука в пьезоэле-ктриках.

4. Проведен теоретический анализ колебаний пьезоэлектрических пластин-резонаторов с учетом проводимости и конечной механической добротности. Расчеты выполнены для одномерного резонатора с одним типом колебаний, в приближении однородного распределения носителей заряда по толщине резонатора. Получены формулы для расчета напряженности пьезоэлектрического поля, полной проводимости и упругих смещений, которые описывают зависимость этих величин от толщины резонатора, его механической добротности и проводимости, а также от частоты ультразвуковых колебаний и величины константы электромеханической связи.

5. Теоретически рассчитаны амплитуды напряжений свертки и корреляции в пьезоэлектрических пластинах. Показано, что свертке на суммарной и разностной частотах присущ "размерный эффект", а наличие проводящих свойств у пластины должно цри-водить к уменьшению эффективности корреляции. Полученные формулы согласуются с экспериментальными результатами по измерению амплитудно-частотных характеристик свертки на разностной частоте и корреляции в пластинах LiNBCL.

6. Теоретически и экспериментально исследовано влияние АЭИ на свертку и корреляцию в металлизированных пьезоэлектрических пластинах и в слоистой структуре пьезоэлектрик-полу-проводник-мета лл. Получено, что в LN80, АЭИ практически не сказывается на корреляции, а влияние АЭИ на свертку наиболее значительно, если частота свертки близка к частоте резонанса пьезоэлектрической пластины.

7. Обнаружены эффекты "запоминания" акустоэлектрических сигналов свертки и корреляции в пластинах LiNBO^. Время памяти составляет от единиц до сотен микросекунд.

8. Исследованы трехчастотные параметрические взаимодействия упругих волн в прямоугольных акустических резонаторах цри наличии дисперсии. На примере LiNBO^ экспериментально показана возможность использования этих взаимодействий для определения дисперсии скорости упругих волн в резонаторе.

1. Такер Дж., Рэмптон В. Гиперзвук в физике твердого тела. /Пер. с англ. под ред.И.Г.Михайлова и В.А.Щутилова/. -М.: Мир, 1975, 455 с.

2. Зарембо Л.К., Красильников.В.А. Введение в нелинейную акустику. М.: Наука, 1976. - 520 с.

3. Поверхностные акустические волны. Под редакцией А.Олинера. /Пер. с англ. под ред.И.С.Реза/. М.: Мир, 1981, 392 с.

4. Поверхностные акустические волныустройства и применение /Пер. с англ. под.ред.Ю.В.1Уляева/. « ШИЭР, 1976, т.64,№ 5, с.1-324.

5. Фильтры на поверхностных акустических волнах расчет, технология и. применение. Под редакцией Г.Мэттьюза /Пер. с англ. под.ред. В.Б.Акпамбетова/. - М.: Радио и связь,1981, 472 с.

6. Речицкий В.И. Акустоэлектронные радиокомпоненты.-М.:Совет-. ское радио, 1980, 262 е.,

7. Балашова Е.В., Добровольский А.А., Леманов В.В., Шерман А.Б., Гальперин Ю.М., Козиб В.И. Нелинейное взаимодействие поверхностных акустических волн с электронными пучками. ^ ФТТ, 1979, т.21, J& 10, с.3086-3089.

8. Добровольский А.А., Леманов В.В., Шерман А.Б. Нелинейное— взаимодействие ПАВ в пьезоэлектриках с плазмой газового разряда.- Письма в Ш, 1981, т.7, № 9, с.543-545.

9. Боровков О.В., Островский И.В., Хотянцева Г.Ю. Свечение системы пьезоэлектри№-газ, возбуждаемое акустической волной. Письма в ЖГФ, 1983, т.9, гё 9, с.558-560.

10. Sherman А.В., Dobrovolsky A.A., Lemanov V.V. Nonlinear асо-ustoelectroluminescence. El. Lett., 1980, v.16, N1, p.37.

11. Адольф Е.М., Тиман Б. Л., Файнер М.Ш. Взаимодействие поверхностных упругих волн с инжектированными носителями в пьезо-кристаллах. ФТП, 1980, т.14, № 9, с.1823-1826.

12. Вьюн В.А., Каптшнский А.Е., Левин М.Д. Влияние изгиба зон полуцроводника на акустоэлектронное запоминание в структуре пьезоэлектрик полупроводник.- ФТТ, 1979, т.21, № 10, с.3159-3161.

13. ГУляев Ю.В., Котелянский И.М., Крикунов А.И., Федорец В.Н. Запоминание сигнала свертки в монолитной структуре LiNb03 пленка CdSe . . Шсъма в ЖГФ, 1981, т.7, № 8, с.443-452.

14. Островский И.В. Уль!фазвуковая инжекция носителей заряда из контакта металл пьезоэлектрик.- ФТТ, 1980, т.22,1. В II, с.3459-3460.

15. Островский И.В., Лысенко В.Н. Частотные характеристики ультразвуковой люминесценции резонаторов CdS . ФТП, 1981, т.15, № 9, C.I8I4-I8I7.

16. Булах Г.И., Островский И.В. Нелинейные акустические токи в пластинах cas в режиме ультразвуковой инжекции носителей заряда. Письма в ЖГФ, 1981, т.7, № 3, с.136-138.

17. Викторов И.А. Звуковые поверхностные волны в твердых телах. М.: Наука, 1981.

18. Ingebrigtsen.K.A., Tonning A. Elastic surface waves in crystals. Phys. Rev., 1969» v.184, Ж 3» p.94-2-951.

19. Lothe J., Barnett D.M. On the existence of surfaceHsavesolutions for anisotropic elastic.halfspaces with free surface J.Appl. Phys., 1976, v.4-7, N 2, p.428-4-33.

20. Kraut E.A. New mathematical formulatioii for piezoelectric wave propagation. Phys.Rev., 1969, v.188, N 3, p. 14501455.21. 1Уляев Ю.В., Пустовойт В.И. Усиление поверхностных волн в полуцроводниках. « ЖЭ1Ш, 1964, т.47, № 6, с.2255-2253.

21. Bond W.L., Collins J.H., Gerard H.M., Reeder T.M.,

22. Shaw H.J. Acoustic surface wave coupling across an air gap. -Appl. Phys. Lett, 1969, v.14, N 4, p.122-124.

23. Lothe J., Barnett D.M. Integral formalism for surface waves in piezoelectric crystals. Existence consideration. J. Appl. Pbys., 1976, v.47, N 5, p. 1799-1807.

24. Lothe J., Barnett D.M. On the existence of surface wave solutions in pezoelectric crystals. An example of nonexistence. -Wave Motion, 1979, v.1, N 2, p.107-112.

25. Brower N.G., Himberger D.E., Mayer W.G. Restrictions on the existence of leaky Rayleigh waves. IEEE Trans., 1979» v.SU-26, N 4, p.306-308.

26. Chimenti D.E., Nayfeh A.H., Butler D.L. Leaky Rayleigh waves on a layered halfspace. J.Appl. Phys., 1982, v.33» N 1, p.170-176.27. 1Уляев Ю.В. Поверхностные электрозвуковые волны в твердых телах. ^ Письма в КЭ!Ш, 1969, т.9, № I, с.63-65.

27. Брагинский JI.C., Гилинский И. А. Обобщенные сдвиговые поверхностные волны в пьезокристаллах. ~ ФТТ, 1979, т.21, Ш 12, с.3524-3528.

28. Любимов В.Н. Поверхностные уцругие волны, типа Блюстейна -ГУляева в пьезоэлектрических пластинах. Кристаллография, 1980, т. 25, № 3, с.460-464.

29. Коузов Д.П., Лукьянов В.Д.

30. О волнах, распространяющихся вдоль 1фомок пластин. Акуст. Ж., 1972, т.18, №4, с.549-555.

31. Datta S., Hunsinger B.J. Analysis of line acoustical waves in general piezoelectric crystals. Phys.Rev.B: Solid State, 1977, v.B 16, N 10, p.4224-4229.

32. Любимов В.Н., Санников Д. Г. Поверхностные квазиобъемные упругие волны в окресности избранных направлений и поверхностей в 1фисталлах. ФТТ, 1975, т. 17, № 2, с.478-483.

33. Любимов В.Н., Апыпиц В.И., Лоте Е. Об объемных и поверхно -стных квазиобъемных волнах в полубеоконечной пьезоэлектрической среде. Кристаллографа, 1980, т.25, № I, с.33-42.

34. Кучеров И.Я., Островский И.В. Нормальные волны в пластинах щшеталлов симметрии СБу . « УФЖ, 1970, т. 15, № 7, с.1152-1159.

35. Боровков О.В., Кучеров И.Я. Электрическое поле, соцровожда-ющее уцругие волны в пьезоэлектрической пластине. УФЖ, 1975, т.20, Ш 4, с.591-595.

36. Любимов В.Н. Поверхностные упругие волны Лэмба в анизотропной пьезоэлектрической пластине. Кристаллография, 1980,т.25, № 4, с.675-681.

37. Бурдакова А.В., Кучеров И.Я., Перга В.М. Влияние пьезоэф-фекта на расцространение волн Лэмба в кристаллах, cas, CdSe и ZnO . УФЖ, 1973, т.18, № 6, с.965-972.

38. Бурлий П.В., Кучеров И.Я., Островский И.В., Омельяненко. М.Ю. Исследование влияния цроводимости на скорость распространения волн Лзмба в cas . УФ1, т.20, № 2, с.327-329.

39. Tiersten H.F. Elastic surface waves guided, by thin films. -J.Appl. Phys, 1969, v.40, IT 2, p.770-789.

40. Sinha B.K., Tiersten H.F. Elastic and piezoelectric surface waves guided by thin films.-J.Appl. Phys., 1973> v.44,1. N 11, p.4851-4854.

41. Reeder Ш.М., Kino G.S., Adams P.L. Enhancement of piezoelectric surface-wave coupling by thin film perturbation. -Appl. Phys. Lett., 1971, v.19, N 8, p.279-280.

42. Ingebrigtsen K.A. Surface waves in piezoelectries. J. Appl.Phys., 1969, v.40, N 7, p.2681-2686.

43. Ingebrigtsen K.A. Linear and nonlinear attenuation of acoustic surface waves in a piezoelectric coated with a semiconducting film. J.Appl. Phys., 1970, v.41, N 2, p.454-459.

44. Campbell J.J., Jones W.R. A method for estimating optimal crystal cuts and propagation directions for excitation of piezoelectric surface waves.- JEEE Trans, 1968, v.SU-15, N 4, p.209-217.

45. Snider D.R., Fredricksen H.P., Schneider S.C. Surface acoustic wave attenuation by a thin film. J.Appl. Phys., 1981, v.52, N 5, P.3215-3222.

46. Shimizu Y., Terazaki A. Attenuation and velocity of surface waves on a piezoelectric substrate coated with admittance films. J.Acoust. Soc. Amer, 1979» v.66, N 3, p.806-810.

47. Adler ,R. Simple . theory of acoustic. amplification. JEEE IDrans., 1971, v.SU-18, N 2, p.115-118.51• Bierbaum P. Interaction of ultrasonic surface waves with conduction electrons in thin metal films. Appl. Phys. Lett., 1972, v.21, N 15, p.595-598.

48. Серейка А.П., Гаршка Э.П., Милысявчене З.А., Юцис А.И. Электронное поглощение поверхностной акустической волны в структуре пьезоэлектрик металлическая пленка. - ФТТ, 1974, т.16, В 8, с.2415-2417.

49. Серейка А.П., Гаршка Э.П., Милькявчене З.А., Юцис А.И. Акустический эффект в слоистой структуре пьезоэлектрик ~ металлическая пленка. ФТТ, 1974, т.16, В 8, с.2455-2456.

50. Harnik Б., Kovnovich S., Chernobelskaya S. Secondary aco-ustoelectric current in ultrathin metal films deposited on a piezoelectric substrate. Phys. Stat. Sol. (A), 1982, V.A69, H 2, P.K179-K181.

51. Cambiaggio E., Cuozzo P., River E. Piezoelectric surface wave scattering on a semi-infinite short£circuated surface. -Appl.Phys.Lett, 1976, v.28, N 2, p.71-75.

52. GorukW.S., Stegeman G.I. Surface-wave reflection phenomena at interfaces on Y-Z LiNbO^. J.Appl.Phys., 1979, v.50, U 11, p.6719-6728,

53. Temmyo Т., Inamura Т., Yoshikawa S. Time domain observation of SAW reflection from a free alluminium metallized interface on LiNbO^. JEEE Trans., 1981, v.SU-28, N 1, p.47-50.

54. L^pen P.O. Second harmonic generation in an elastic surface wave in (X -quartz. J.Appl.Phys., 1968, v.39»1. N 12, p.5400-5404.

55. Lean E.G.H., Tseng C.C., Powell C.G. Optical probing of acoustic surface-wave harmonic generation. Appl.Phys. Lett,, 1970, v.16, N 1, p.32-35.

56. Lean E.G., Tseng C.-C. Nonlinear effects in surface acoustic waves. J.Appl.Phys., 1970, v.41, N 10, p.3912-3917.

57. Lean E.G., Powell C.G., Nondestructive testing of thinfilms by harmonic generation of dispersive rayleigh waves. Appl.Phys.Lett., 1971, v.19, N 9, p.356-359.

58. Alippi A., Palma A., Palmieri L., Socino G. Determination of coupling coefficient in second harmonic generation of acoustic surface waves. J.Appl,Phys., 1974, v.45» N 10, p.4347-4349.

59. Vella P.J., Stegeman G.I., Ristic V.M. Surface wave har1/monic generation on Y-Z, X-Z and 41 '2-Х lithium niobate. -J.Appl.Phys., 1977, v.48, N 1, p.82-85.

60. Adler E.L., Bridoux E., Coussot G., Dieulesaint E. Harmonic generation of acoustic surface waves in Bi-|2Ge020 aid LiNBO^. IEEE Trans., 1973, v.SU-20, N 1, p.13-16.

61. Vella P.J., Stegeman G.I.A, Surface wave harmonic generation on sapphire and ОС quartz. - Appl.Phys.Eett., 1973, v.23, N 9, p.505-507.

62. Vella P.J., Padmore Т.О., Stegeman G.I., Ristic V.M. Nonlinear surface-wave interactions: parametric mixing and harmonic generation. -J.Appl.Phys., 1974, v.45, N 5, (Part 1), p.1993-2006.

63. Tiersten H.F., Baumhauer J.С. Second haimonic generation and parametric excitation of surface waves in elastic and piezoelectric solids. J.Appl.Phys., 1974, v.45,1. N 10, p.4272-4287.i

64. Normandin R., Fukui M., St e gem an G.I. Analysis of parametric mixing and harmonic generation of surface acoustic waves. J.Appl.Phys., 1979, v.50, N 1, p.81-86.

65. Vlannes •Ш'.Р» Esqperimental study of nonlinear interactions for noncollinear surface acoustic waves. J.Appl. phys., 1982, v.53, N 1, p.385-396.

66. Mayers R.W., Gunshor R.L., Chen C.L. Second harmonic generation in devices involving semiconductor coupling, Wave

67. Electron., 1979, v.3, N 4, p.285-309.75. 5улах Г.И., Островский И.В. Генерация гармоники акусто-электрического. тока в пьезопслуцроводниках. 1979, т. 13, №4, с.718-720.

68. Еулах Г.И., Кучеров И.Я., Островский И.В. Генерация второй гармоники поперечной волной в пьезополуцроводниковой пластине.- ФТТ, 1976, т.18, $9, с.2840-2813.

69. Ostrovski I.V., Bulakh G,I. Second harmonic of the acous-toelectric current in piezosemiconductors. Phys.Stat,

70. Sol., (a),. 1980, V.A.39, N 1, p.83-89.

71. Nakagawa Y., Yamanouchi K., Shibayama K. dc effects in elastic surface waves. Appl,Phys.Lett., 1974, v.24, N 4, p.160-162.

72. Nakagawa I . Nonlinear effects in.surface acoustic waves, -Jap.J.Appl.Phys, 1981, v;20, N 3, Suppl., p.21-24.

73. Островский И.В. Акустический потенциал поверхности ограниченного пьезополуцроводника. УФЖ, 1980, т.25, № II, с.1906-1909.

74. Svaasand L.O. Interaction between elastic surface waves in pie so electric crystals. Appl. Phys. Lett., 1969,v. 15, N 9, p.300-302.

75. Лямов B.E. Поляризационные эффекты и анизотропия взаимодействия акустических волн в кристаллах. М.: Изд-во Московского ун-та, 1983, с.224.

76. Chombers J., Mason I.M., Turner C.W, Acoustic surface-wave convolution on crystals of CdS, LiNBO^ and Bi^2Ge02Q.-El.Lett., 1972, v.8, N 12, p.314-316.

77. Luukkala M., Surakka J. Acoustic convolution and correlation and the associated nonlinearity parameters in LiNBO^.-J.Appl.Phys., 1972, v.43, N 6, p.2510-2518.

78. Gangully A.K., Davis K.L. Nonlinear interactions in degenerate surface acoustic wave elastic convolvers. J.Appl. Phys., 1980, v.51, N 2, p.920-926.

79. Turner C.W., Mason I.M., Chambers J. Acoustic convolution using non-linear surface-wave interactions in a piezoelectric semiconductor. El.Lett., 1971, v.7, N 23, p.696-697.

80. Sagnes G., Roustan C., Rouzeyre M. Nonlinear interaction of Bleustein-Gulyaev waves in photoconducting Nonlinear interaction of Bleustein-Gulyaev waves in piiotoonducting CdS. Appl.Phys.Lett., 1972, v.21, N 11, p.527-530.

81. Singh S.P., Agarual A.K. The convolution of surface waves in material with strain-dependent dielectric constants, -J.Phys .D: Appl.Phys., 1975, v.D8, N 17, p.2043-2046.

82. Bridoux E., Rouvaen J.-M., Bruneel C., Torguet R. Correlation and convolution of bulk acoustic waves in nonpie-zoelectric solids. J.Appl.Phys., 1975, v.46, N 6, p. 2384-2389.

83. Nelson D.P. <Ehree-field electroacoustic parametric interactions in piezoelectric crystals. J.Aooust.Soc.Amer., 1978, v.64, N 3, p.891-895.

84. Зарембо Л.К., Красильников В.А. Нелинейные явления цри распространении уцрушх волн в твердых телах. УФН, 1970, т. 102, в.4, с.549-586.

85. Carr Р.Н. Mixing of noncollinear elastic surface waves on LiNBO^. J.Appl.Phys., 1971, v.13, p.5530-5332.

86. Lean E.G., Powell C.G., Kuhn L. Acoustic surface wave mixing on (X -quarts. Appl.Phys.Lett., 1969, v.15, N 1, p.10-12,

87. Furgason E.S., Newhouse V.L, Noncollinear three-phonon interaction in a multimode structure. J.Appl.Phys.,1974, v.45, N 5, p. 1934-1936.

88. Боровков O.B., Кучеров И.Я., Островский И.В. Свертка ульт-розвуковых нормальных волн в пластинах ЫЖВО3 . УФЖ,1975, т.20, № 7, с.1205-1207.

89. Лууккала М., Островский И. В. Свертка ультразвуковых волн Лэмба в CdS . ФТТ, 1974, т.16, № 9, с.2799-2801.

90. Бурлий П.В., Кучеров И.Я., Островский И.В. Нелинейное взаимодействие уцругих волн при резонансе в акустическом волноводе. УФЖ, 1977, т.22, № 10, с.1738-1741.

91. Островский И.В., Половина А.И. Акустическая корреляция в пьезоэлектрической пластине-резонаторе.- ФТТ, 1978, т.20, В II, с.3430-3432. *

92. Wang W.C. Convolution of surface waves in a structure of semiconductor on LiNBO^. Appl.Phys.Lett., 1972, v.20, N 10, p.389-392.

93. Otto O.W., Moll N.I. Lithium-niobate-silicon surface-wave convoluter. M.Lett., 1972, v.8., N 24, p.600-602.107» Smith. J.M., Stern E., Bers A. Accumulation layer surface-wave convolver. El.Lett., 1973, v.9, N 6, p.

94. Gunshor R.L., Lee C.W. Generation of a surface-acoustic-wave correlation echo from coupling to charge carriers. -Appl.Phys.Lett., 1972, v.21, N 1, p.11-12.

95. Druckier I., Wang W.C., Das P. Surface wave correlator via space charge nonlinearity. Appl.Phys.Lett., 1973, v.23, N 1, p.4-6.

96. Otto O.W. Theory for nonlinear coupling between a piezoelectric surface and an adjacent semiconductor. J.Appl. Phys., 1974, v.45, N10, p.4373-4383.

97. Gautier H., Kino G.S. A detailed theory of the aooustic wave semiconductor convolver. IEEE Trans., 1977» v.SU-24, N 1, p.23-33.

98. Вьйн В.А., Левин М.Д. Нелинейные акустоэлектрические эффекты цри больших амплитудах в структуре пьезоэлектрик-по-луцроводник'. ~ ФТТ, 1980, т.22, $ I, с.70-74.

99. Khuri-Yakub В.Т., Kino G.S. A monolithic zinc-oxide-on-silicon convolver. Appl.Phys.Lett., 1974, v.25, H" 4, p.188-190.

100. Khuri-Yakub B.T., Kino G.S. A detailed theory of the monolithic zinc-oxide-on-silicon convolver, IEEE Trans., 1977, v.SU-24, N 1, p.34-43.

101. Coldren L.A. Effect of bias field in a zinc-oxide-on-sili-con acoustic convoltrer.-Appl.Phys.Lett,, 1974, v.25, N 9,p.473-473.

102. Das P., Milstein L.B., Arsenault D.R. Variable format radar receiver using a SAW convolver. IEEE Trans., 1978, v.AES-14, H 6, p.843-852.

103. Reible S.A, Acoustoelectric convolver technology for spread-spectrum communications. IEEE Trans., 1981, v.MTT-29, N 5, p.463-473.

104. Goll J.H., Malocha D.C. An application of SAW convolvers to high bandwidth spreadspectrum communications. IEEE Trans., 1981, v.MTT*29j N 5, p.473-483.

105. Grant P.M., Morgan D.P., Collins J.H. Programmable transversal filtering using the sufface-acoustic-wave diode convolver. Wave Electron., 1976, v.1, H 5-6, p.381-386.'

106. Joly R. A mesa p-n diode array acoustic surface wave convolver. Appl.Phys.Lett., 1976, v.29, N 9, p.525-527.

107. Borden P.G., Kino G.S. Correlation with the storage convolver. Appl.Phys.Lett., 1976, v.29, N 9, p.527-529.

108. Raiston R.W., Stern E., Four-wave interactions in acous-toelectric integrating correlators. Appl.Phys.Lett.,1979, v.351 N 2, p.150-152.

109. Ueda Z., Shizafuji J., Inuishi Y., Measurement of surface states of CdS by means of surface acoustic wave convolver. Surface Sci., 1979, v.81, N 1, p.285-294.

110. Hayakawa H., Kino G.S. Storage of acoustic signals in surface states in silicon. Appl.Phys.Lett., 1974, v.25» N 4, p.178-180.

111. Коршак Б.А., Лямов B.E., Солодов И.Ю. Акустоэлектрическое последействие при взаимодействии поверхностных акустических волн в слоистой структуре пьезоэлектрикнполуцровод-ник. Письма в ЗНЭ®, .1976,т.23, № 8, с.438-441.

112. Вьюн В.А., Левин М.Д. Акустоэлектронное запоминание в структуре GaAs LiNbO^ . - ФТТ, 1980, т.22, В 8, с.2474-2476.

113. Gautier Н., Maerfeld С., Tournois P. Acoustic memory correlator using GaAs Schottky diodes. Appl.Lett., 1978, v.32, N 9, p.517-518.

114. Ingebrigtsen K.A. Similtaneous storage of spatially orthogonal acoustic waves in a schottky-diode memory correlator. El.Lett., 1975, v.11, N 24, p.585-586.

115. Coldren L.A. Zinc-oxide-on-silicon memory cells scanned by acoustic surface waves. Appl.Phys.Lett., 1975, v.26, И 4, p.137-139.

116. Tuan H.C., Bowers J.E., Kino G.S. Theoretical and experimental results for monolithic SAW memory correlators. -IEEE Trans., 1980, v.SU-27, N 6, p.360-369.

117. El Ifokali M., Adler E.L. A modified theory for SAW memory correlators. IEEE Trans., 1980, v.SU-27, N 1, p.38-42.

118. Tuan H.C,, Kino G.S. Large-time-Bandwidth-product correlation and holographic storage with an SAW storage correlator. El.Lett., 1977, v.13, N 24, p.709-710.

119. Grant P.M., Kino G.S. Adaptive filter based on SAW monolithic storage correlator. El.Lett., 1978, v.14, N 17,p.562-564. .- . * *

120. El.Nokali M., Adler E.L. Charge storage in s.a.w. memory correlators. El.Lett., 1979, v.15, N 11, p.323-324.

121. Ламперт M., Марк П. Инжекционные токи- в твердых телах. /Пер.с англ.лод.ред.С.М.Рывкина/. М.: Мир, 1973. -416 с.

122. Стриха В. И. Контактные явления в полуцроводниках. К.: Вища школа, 1982, 224 с.

123. Райкерус П. А. Токи в диэлектриках, ограниченные цростран-ственным зарядом, цри равномерном расцределении ловушек по энергиям. Радиотехника и электроника, 1971» т. 16, $ 3, с.400-406.

124. Nespurek S., Smejjtek P. Space-charge-limited currents in insulators with the gaussian distribution of traps. -Czechosl. J.Phys., 1972, V.B22, N 2, p.160-175.

125. Sworakowski J. Space-charge-limited currents in solids with non uniform spatial trap distribution. J.Appl. Phys., 1970, v.41, N 1, p.292-295.

126. Nespurek S., Sworakowski J. A differential method of analysis of steady-state space-charge-limited currents: an extension. Phys.Stat.Sol.(A), 1978, V.A49, N 2, p.K149-K152.

127. Nespurek S., Sworakowsky J. Evaluation of the validity of analytical equations describing steady-state space-charge -limited current-voltage characteristics. Czech. J.Phys., 1980, V.B30, N 10, p.1148-1156.

128. Rosental A., Sapar A. Diffusion effects in one-carrier-space -charge-limited currents with trapping. J.Appl.phys., 1974, v.45, N 6, p.2787-2788.

129. Bonham J.S. On the theory of space-charge-limited current with diffusion for an exponential trap distribution. -Phys.Stat.Sol., (A), 1979, V.A55, N 1, p.61-65.

130. Sharma J.K. Space-charge-limited current in an insulator at high fields .-El.Lett., 1980, v.16, N 23, p.896-897.

131. Sharma Y.K. Electrical conduction of hot carriers in single-injection solid-state diodes with exponential trap distribution. J.Appl.Phys., 1979» v.50, N 8, P.5381-5386.

132. Murgatroyd P.N. Theory of space-charge-limited current enhanced by Frenkel effect. J.Phys.Ds Appl.Phys., 1970, v.D3, N 2, p. 151-156.

133. Barbe D.F. Space-charge-limited currents enhanced by / Frenkel effect. J.Phys.Ds Appl.Phys., 1971, v.D4;, N 11, p.1812-1815.

134. Райкерус П.А. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом, с учетом эффекта Френкеля. Радиотехника и электроника. 1972, т.17, № 4, с.835-840.

135. Jonscher А.К. Free-carrier Poole-Frenkel effect in crystalline solids. Phys.C: Solid State Phys., 1970, v.C3, N 8, p.L159-L162.

136. Тиман Б.Л., Фесенко B.M. Влияние полевой ионизации ловушек с учетом их перезарядки на закономерности цротекания инжекционного тока. ФТП, 1973, т.7, В 3, с.441-446.

137. Тиман Б.Л., Фесенко В.М., 1улевич Г.М. Токи в диэлектриках, ограниченные цространственным зарядом, в црисутствии ловушек различной электрической црироды. Изв.ВУЗов, Физика, 1977, В 5, с.11-14.

138. Тиман Б.Л., Фесенко В.М., 1Улевич Г.М. Инжекционные токи в широкозонньк цримесных полуцроводниках. ФТП, 1977,т.II, № 6, C.II95-II99. . .

139. Manifacier J.-C., Henisch Я.К. Minority-carrier injection into semiconductors. Phys.Rev.B; 1978, V.B17, N 6,p. 2640-2647.

140. Manifacier J.-С., Henisch H.K, Minority-carrier injection into semiconductors containing traps. Phys.Rev.В } 1978, V.B17, N 6, p.2648-2654.

141. Pridkin V.M., Kreher K. Theory of space-charge-limited currents in ferroelectrics. Phys.Stat.Sol., (A), 1970, V.A2, N 2, p.281-285.

142. Крапивин В.Ф., Ченский E.B. Токи, ограниченные пространственным зарядом в системе металл-сегнетоэлектрик-металл ФТТ, 1970, т. 12, №2, с.597-604.

143. Гифейсман Ш.Н. Распределение поля в контактной системе металл-диэлектрик-металл. ФТТ, 1969, т.II, Л 8, с.2097-2102.

144. Simmons J.G. Theory of metallic contacts on high resistivity solids.I.Shallow traps. J.Phys and Chem.Solids, 1971, v.32, N 8, 1987-1999.

145. Simmons J.G. Theory of metallic contacts on high resistivity solids.II. Deep traps. J.Phys.and Chem,Solids, 1971, v.32, N 11, p.2581-2591.

146. Kumar R.C. The penetration of charge into the metal electrode of a metal-semiconductor contact in equilibrium. -Int. J.Electron., 1970, v.29, N 4, p.365-368.

147. Brillson L.J. The structure and properties of metal-semiconductor interfaces. Surf.Sci.Repts., 1982, v.2, N 2, p.123-326.

148. Williams R.H, The Schottky barrier problem. Contemp. Phys., 1982, v.23, N 4, p.329-351.

149. Schluter M. Chemical trends in metal-semiconductor barrier heights.—Phys.Rev.В., 1978, V.B17, N 12, p.5044-5047.

150. Brillson L.J. Chemical mechanisms of Schottky barrier formation. J.Vac.Sci.Technol., 1979, v. 16, N 5, p.1137— 1142.

151. Brillson L.J. Chemical reactions and local charge redistribution at metal-CdS and CdSe interfaces.-Phys. Rev,' B.t 1979, V.B18, N 6, p.2431-2446.

152. Brillson L.J. Chemical and electronic structure of compound semiconductor metal interfaces. - J.Vac.Sci.Technol., 1982, v.20, N 3, p.652-638.

153. Louis E., Plores P. Schotthy barriers for clean etched and reactive metal-semiconductor junctions. J.Phys. (France), 1981, v.42, N 9, p.1313-1325.

154. Mastri P., Langlade P. Theoretical study of metal over-layer thickness effects on the electronic properties of metal-semiconductor-interfaces. J.Phys.C}, 1981, V.C14,1. N 34, p.5379-5389.

155. Stirn R.J., Boer K.W., Dussel G.A. CdS-metal contact at Higher Current Densities. Phys.Rev.В., 1973, v.B7, N 4, p. 1433-1442.

156. Dussel G.A., Boer K.W., Strin K.J. Rhotoconductor-metal contact at Higher Densitiesr Phys.Rev.В., 1973, v.B7,1. П 4, p.1443-1453.

157. Тиман Б.Л. Усиление звука в пьезоэлектриках цри цротека-нии тока, ограниченного пространственным аарядом. ФТТ,1971» т.13, № 5, с.1275-1277.

158. Тиман Б.Л., Дабагян Э.А. Усиление звука в пьезоэлектрикахцри двойной инжекции. ~ ФТП, 1972, т.6, № 10, с.1966-1969.

159. Гаевский B.C., Кучеров И.Я., Перга В.М. Усиление.ультраг* звука в CdS при инжекции электронов с контакта. ФТТ, 1973, т. 15, Ш 10, с.3071-3073.

160. Тиман Б.Л., Селегенев Е.М., Файнер М.Ш. Влияние инжекции носителей на цреобразование электрической энергии в звуковую в пьезопреобразователях. ~ ФТП, 1981, т.15, № 8, с.1644~ 1647.

161. Лацитис И. Нелинейное взаимодействие поверхностных акустических волн в структуре металл-диэлекгрик-слой cds на LiNbOj. Науч. тр. вузов Лит. ССР. Ультразвук, 1982,14, с. 20-21.

162. Кузьминов Ю.С. Ниобат и танталат лития материалы для нелинейной оптики. /Под ред. В.В.0сико/. - М. : Наука, 1975, - 224. с.

163. Физика и химия соединений А2 Ве . /Пер. с англ. под ред. С.А.Медведева/. М. : Мир, 1970, - 624 с.

164. Бурлий П.В., Кучеров И.Я., Островский Й.В., Перга В.М.I

165. Исследование возбуждения акустических волн в пластинах. -Изв. вузов СССР Радиоэлектроника, 1978, т. 21, & 3, с. 25-28.

166. Зааль Р. Справочник по расчету фильтров: Пер. с нем. -М.: Радио и связь, 1983, 752 с.

167. Физическая акустика. Под ред. У.Мэзона. т. I, ч. А. -М.: Мир, 1966, 592 с.

168. RtflPpel W. Electron injection and extraction in CdS crystals. J.Pbys. Chem. Solids, 1961, v. 22, N 1, p.199-206.

169. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике. -М.: Наука, 1974, 832 с.

170. Бойкова Е.И., Розенман Г.И. Фотоэмиссионное исследование "собственного" эффекта поля в ниобате лития. ФТТ, 1978, т. 20, II, с. 3425-3427.

171. Cerowski Z. The depth of penetration of the electric fieldinduced by a surface acoustic wave in a piezoelectric-semiconductor system. Arch. Acoust., 1981, v. 6, N 1, p. 63-67.

172. Lepley В., Nguyen P.H., Boutrit C.f Ravelet C. Copper diffusion and photovoltaic mechanisms at Cu-CdS contact.

173. J. Phys. D s Appl. Phys., 1979, v. D12, N 11, p.1917-1928.

174. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. /Пер. с англ. под ред. С.М.Рнвкина/. М.: Мир, 1966. - 192 с.

175. Smith R.W. Low-field electroluminescence in insulating crystals of cadmium sulfide. Phys. Rev., 1954, v.105, N 3, p. 900-904.

176. Гершун А.С.t Тиман Б. Л. Перенос вакансий и электрические процессы в кристаллах сульфида кадмия. ФТТ, 1968, т. 10, № 5, с. 1583-1585.

177. Попов В.В., Чашшк А.В. Ионизация мелких примесей ультразвуком. ФТП, 1976, т.10, № 9, CiI780-1781.

178. Grill С., Bastide G., Sagnes G., Rouzeyre M. A study of the deep electron traps in semiconducting CdS. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, N 3, p. 1375-1580.

179. Carter M.A., Woods J. Photoconductive properties of cadmium sulphide. J. Phys. D: Appl. Phys., 1975» v. D6, N5, p. 357-549.

180. Wagner H.P., Besocke K.H. Alternating-current-method for separating the contact influence from bulk properties of semiconductor. J.Appl. Phys., 1969, v. 40, N 7» p. 29162922.

181. Калашников С.Г. Электричество. Изд. 3-е, стереотип. М.: М,: Наука, 1970. - 667 о.

182. Penunuri D., Lakin К.М. Surface acoustic wave velocities of isotropic metal films on selected cuts of Bi^GeOgQ, quartz, A120^, and LiNbO^. IEEE Trans., 1974, v.SU-21, N 4, p. 295-295.

183. Tseng C.-G. Frequency response of an interdigital transducer for excitation of surface elastic waves. IEEE Trans., 1968, v. ED-15, N 8, p. 586-594.

184. Smith W.R., Gerard H.M., Collins J.H., Reeder J.M., Shaw H.J. Analysis of interdigital surface wave transducers by use of an equivalent circuit model. IEEE Trans., 1969, v. MTI-17, N 11, p. 856-864.

185. Duracz A. Detection of surface acoustic waves using acous-toelectric streaming of charge carriers. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, N 2, p. 420-425.

186. McMahon D.H. Acoustic second-harmonic generation in piezoelectric crystals. J. Acoust. Soc. Amer., 1968, v. 44,1. N 4, p. 1007-1013.

187. Rohde H.J. Injection and field-induced excitation of charge carriers in CdS single crystals. Phys. Stat. Sol., 1969, v. 34, N 1, p. 229-235.

188. Ohmori Y., Yamaguchi M., Yoshino K., Inuishi Y. Electron Hall mobility in reduced LiNbO^. Jap. J. Appl. Phys., 1976, v. 15, N 11, p. 2263-2264.

189. Smith R.T., Welsh F.S. Temperature dependence of the elastic, piezoelectric and dielectric constants of lithium tan-talate and lithium niobate. J. Appl. Phys., 1971, v.42,1. N 6, p. 2219-2230.

190. Пашков В.А., Соловьева H.M., Угокин E.M. Фото- и темновая проводимости в кристаллах ниобата лития. ФТТ, 1979, т.21, №.6, с.,.1879-1882.

191. Новик А., Берри Б. Релаксационные явления в кристаллах. /Пер. с англ. под ред. Э.М.Нагорного и Я.М.Соифера/. -М.: Атомиздат, 1975, 472 с.

192. Пуговкин А.В., Шандаров G.M. Нелинейное взаимодействие упругих волн в акустических резонаторах. ФТТ, 1974, т.16, » 6, с. 1761-1765. '

193. Островский Л.А., Папшгова И.А., Сутин A.M. Параметрическая генерация и усиление акустических волн в кольцевом резонаторе на твердом теле. ЖТФ, 1973, т. 43, $ 10, с. 2213-2215.

194. Гурбатов С.Н., Малахов А.Н. О возможности использования параметрического взаимодействия волн для выделения слабых акустических сигналов. Акуст. ж., 1979, т. 25, № I,с. 53-59.

195. Lee P.C.I. Extensional, flexural and width shear vibration of thin rectangular crystal plates. - J. Appl. Phys., 1971, v. 42, N 11, p. 4139-4144.