Исследование динамических и флуктуационных характеристик генераторов на диодах Ганна тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.03 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ФЛИККЕРНЫХ ФЛУКТУАЦИЙ В ДИОДЕ

ГАННА.

1.1. Введение

1.2. Механизмы возникновения фликкерных флукту-аций концентрации и подвижности свободных носителей в примесных полупроводниках

1.3. Влияние механизма рассеяния носителей тока на интенсивность флуктуаций проводимости

1.4. Особенности флуктуационного анализа в области сильных электрических полей

1.5. Флуктуации тока горячих носителей в режиме переменного напряжения на образце

1.6. Учет междолинного рассеяния

1.7. Флуктуационная модель диода Ганна

1.8. Анализ токовых шумов диода Ганна при воз-бузвдении переменным полем.

1.9. Экспериментальная проверка модели.

ГЛАВА 2. АНАЛИЗ ДИНАМИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕНЕРАТОРОВ

НА ДИОДАХ ГАННА.

2.1. Введение

2.2. Обзор существующих исследований по динамике ГДГ

2.3. Общая классификация доменных режимов работы диода Ганна во внешнем переменном поле

2.4. Смешанная генерация и ее использование для эффективного умножения частоты внешнего поля.

2.5. Расчет стационарных параметров автоколебания ГДГ в режиме гашения доменов.

2.6. Уточненная модель рассасывания ганновского домена и динамика режима гашения

2.7. Анализ параметров стационарного режима и электронной перестройки в режиме ОНОЗ

2.8. Результаты математического моделирования режимов работы генератора на диоде Ганна

ГЛАВА 3. АНАЛИЗ ФЛУКТУАЦИОННЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ГЕНЕРАТОРОВ

НА ДИОДАХ Ганна.

3.1. Обзор теоретических и экспериментальных исследований по шумам в генераторах на диодах Ганна.

3.2. Расчет флуктуаций автоколебания ГДГ в ган-новской моде

3.3. Методика анализа низкочастотных шумов ГДГ с учетом обратного влияния СВЧ-поля

3.4. Флуктуационные характеристики ГДГ в доменных режимах.

3.5. Анализ низкочастотных шумов в режиме 0Н

Генераторы на диодах Ганна (ГДГ) получили широкое распространение в диапазоне СВЧ благодаря своим высоким техническим и эксплуатационным характеристикам: сравнительно большой выходной мощности, широкополосности, низким питающим напряжениям, компактности. Одним из достоинств ГДГ является относительно низкий уровень шумов, что позволяет этому типу приборов конкурировать с лучшими генераторами других типов. При разработке малошумящих высокостабильных систем СВЧ в ряде важных применений (генераторы накачки параметрических усилителей, приемники и передатчики радиолокационных систем, а также в радиорелейной и космической связи) особое значение приобретает учет шумов модуляционного происхождения, особенно заметных вблизи несущей генерируемого сигнала. Важная роль принадлежит здесь флуктуациям частоты, которые приводят, в общем случае, к изменению ширину и формы спектральной линии автогенератора.

Вопросы снижения уровня шума, особенно модуляционного, в генераторах на диодах Ганна остаются среди важнейших задач современной полупроводниковой СВЧ электроники, см., например, [1-3] . Этим определяется актуальность исследования процессов шумообразо-вания в этих приборах, в частности, природы флуктуаций параметров, с тем, до настоящего времени не создано достаточно полной и строгой теории флуктуационных процессов фликкерного типа в ГДГ. Основные сложности, касающиеся анализа источников низкочастотного шума в диоде Ганна (ДГ), связаны с общей проблемой выяснения природы фликкерных флуктуаций параметров в твердом теле, см., например, обзоры [4-8] , а также работы [9-11] .

Корректная флуктуационная модель автогенератора, в частности, приводящих к шумам со спектром фликкерчпум). Вместе генератора на диоде Ганна, предполагает возможность расчета спектров флуктуаций амплитуды и частоты выходного автоколебания по известным спектрам первичных источников в схеме генератора.

С учетом модуляционного характера шумового воздействия это приводит к задаче исследования механизмов преобразования шума первичных источников во флуктуации схемных параметров ДГ, решение которой невозможно без соответствующей динамической модели активного элемента.

Несмотря на обширные исследования по динамике ГДГ и обилие аналитических и численных моделей различной сложности [12-34] последовательный анализ механизмов преобразования шума первичных источников во флуктуации выходного автоколебания в литературе не проводился. Дополнительные трудности здесь связаны с многообразием режимов работы диода Ганна во внешней резонансной цепи [12,34] и сложностью идентификации этих режимов для реальных ГДГ, см., например, [35] . Последнее обстоятельство существенно ограничивает возможности сравнения результатов расчета с известными экспериментальными данными.

Детальный обзор современного состояния теоретических и экспериментальных исследований по указанным проблемам приведен в соответствующих главах диссертации.

Перечисленные выше причины обусловили необходимость систематического и подробного теоретического анализа калодой из указанных проблем с учетом специфики активного элемента:

- исследование источников фликкерных флуктуаций в диоде Ганна;

- обоснованный выбор динамической модели активного элемента;

- расчет, на этой основе, флуктуационных характеристи и вы' яснение основных закономерностей в изменении уровня амплитудно-частотных шумов ГДГ при перестройке схемных параметров.

Последовательность решения указанных проблем определила порядок изложения материала и структуру диссертации, целью которой является теоретическое исследование низкочастотных флуктуация фликкерного типа в ДГ, а также характера их воздействия на выходное автоколебание в различных режимах работы ГДГ.

В ПЕРВОЙ главе предложена флуктуационная модель, ориентированная на описание источников фликкерного шума как в однокомпо-нентных, так и в сложных полупроводниках, учитывающая эффекты разогрева и междолинного рассеяния носителей. Рассмотрение основывается на физической модели источника флуктуаций [Зб] , связывающей их с процессами диффузии примесных атомов и дефектов с поверхности в объем образца. Показано, что в примесных полупроводниках могут возникать фликкерные флуктуации подвижности свободных носителей, сравнимые по относительной величине с флуктуа-циями их концентрации и обусловленные общим источником флуктуа-циями концентрации примеси в объеме. Исследовано влияние механизма рассеяния на интенсивность результирующих флуктуаций проводимости образца в широком диапазоне температур и плотностей легирования полупроводникового материала, при различной напряженности электрического поля в образце.

Проведен анализ флуктуаций при возбуждении образцов переменным током или внешним СВЧ-полем. Исследована эффективность этого метода с точки зрения выявления эффектов, связанных с флук-туациями подвижности в сильных полях. Проведено сравнение результатов анализа с известными экспериментальными данными по фликкер-в ным шумам различных полупроводниках, в том числе, по шумам горячих носителей в кремнии и арсениде галлия.

ВТОРАЯ ГЛАВА начинается с подробного обзора существующих моделей ДГ, а также исследований по динамике автогенераторов на основе эффекта Ганна в широком классе режимов с целью выбора оптимальной модели для последующего флуктуационного анализа. Для выяснения области реализации доменных режимов работы ГДГ исследовано поведение диода Ганна во внешнем переменном поле. Предложена классификация режимов, определяемых амплитудой и частотой переменного сигнала и напряжением смещения на диоде. Именно эти параметры поддаются перестройке в реальных генераторах. Следовательно, они представляют значительно больший интерес для исслеN дования стационарных областей генерации по сравнению с параметрами, фигурирующими в традиционных классификациях [12,25] . Приводится диаграмма режимов, представляющая собой графическое отображение полученных результатов на плоскости параметров. Предложена интерпретация автоколебательного случая на диаграмме режимов, рассмотрена возможность межрежимных переходов.

Провдаъй анализ позволил выявить существование режимов "смешанной генерации", не имеющих аналога среди известных автоколебательных режимов работы ГДГ. Показана возможность использования смешанной генерации для эффективного преобразования частоты внешнего относительно низкочастотного сигнала в диапазон частот ган-новской генерации. С другой стороны, проведенное рассмотрение позволяет понять специфику синхронизации генераторов на диодах Ганна.

В двух последующих параграфах приведены примеры расчета им-педансных характеристик ГДГ в одном из практически важных режимов - режиме с гашением доменов - в рамках последовательно усложняющихся аппроксимаций. Далее исследованы стационарные параметры автоколебания в режиме с ограниченным накоплением объемного заряда (0Н03). Получено решение для величины избыточного пространственного заряда, накопленного в рабочей области диода, удобное для последующего флуктуационного анализа. В заключение рассмотрены результаты математического моделирования на ЭЦВМ указанных режимов в рамках локальной полевой модели ДГ. В отличие от большинства исследований такого рода, [30-32) , где сделан упор на расчет энергетических и диапазонных характеристик ГДГ, основное внимание уделено импедансным характеристикам, существенным для последующего рассмотрения.

В ТРЕТЬЕЙ ГЛАВЕ предпринята попытка теоретического исследования, с единой точки зрения, флуктуационных характеристик ГДГ в различных режимах работы. Рассмотрение'основывается на физической модели флуктуаций, развитой в гл. I, а механизмы преобразования во флуктуации выходного автоколебания генератора исследованы на базе представлений, развитых в гл. 2.

Анализ начинается с простейшего режима, так называемой ганновской моды, в которой колебания тока через диод практически не зависят от параметров СВЧ поля, возбуждаемого в резонаторе, а определяются собственными процессами в ДГ: периодическим зарояздением, распространением через рабочую область и входом в анод доменов сильного поля.

Рассмотрены сложности, возникающие при анализе флуктуационных характеристик ГДГ в режимах, где колебания тока находятся под контролем резонатора, и существенным является учет обратного влияния СВЧ поля. Показано, что использование традиционных методик, см., например, [37] , для расчета шумов модуляционного происхождения в таких системах встречает ряд существенных препятствий даже в рамках квазистатического приближения. Предложен эффективный алгоритм расчета выходных шумов ГДГ, обусловленных низкочастотными флуктуациями параметров в схеме генератора, ориентированный на использование численных методов. Развитая методика применена для расчета флуктуационных характеристик ГДГ в ряде практически важных режимов. Особое внимание уделено режиму с гашением доменов и 0Н03. Проводится сопоставление результатов, полученных в рамках различных аппроксимаций, описывающих динамику ГДГ, с известными экспериментальными данными. Приведены результаты соответствующих расчетов в рамках локальной полевой , модели ДГ.

Материалы, изложенные в диссертации, опубликованы в работах [38-44] ; основные результаты докладывались на итоговых научных конференциях ГГУ 1980-1984 гг. [45], областной 1980 г. и региональных 1983-1984 гг. конференциях молодых ученых [46} , IУ Всесоюзной школе-семинаре по стабилизации частоты и прецизионной радиотехнике 1983 г. [47] , IX и X Всесоюзных конференциях "Электроника СВЧ" 1979 и 1983 гг. [48-50]' , втором симпозиуме "Эффект Ганна и его применение" 1982 г., Ш Всесоюзной конференции "Флуктуационные явления в физических системах" 1982 г.

51] •

Считаю своим долгом вьфазить искреннюю благодарность научным руководителям: профессору Малахову Аскольду Николаевичу и доценту Якимову Аркадию Викторовичу за постоянное внимание к работе, обсуждение результатов и полезные замечания.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В заключение кратко сформулируем основные результаты, полученные в диссертации.

1. Показано, что в примесных полупроводниках могут возникать фликкерные флуктуации подвижности свободных носителей, сравнимые по относительной величине с флуктуациями их концентрации и обусловленные общим источником - однородными'флуктуациями концентрации примеси. Полученные результаты позволяют объяснить известные экспериментальные данные по температурной зависимости мощности шумов цроводимости, а также эмпирическое выражение Хоухе и Фандамме.

2. Вклад флуктуаций подвижности уменьшается с ростом напряженности электрического поля в полупроводнике, что обусловлено снижением интенсивности рассеяния на примесях (особенно ионизованных) по сравнению с рассеянием на колебаниях решетки. Флуктуации концентрации носителей не чувствительны к изменению поля.

3. Исследовано изменение мощности флуктуаций проводимости полуцроводникового образца по сравнению с областью слабых полей, обусловленное изменением вклада флуктуаций подвижности горячих носителей. В сильных полях шумы цроводимости обусловлены исключительно флуктуациями плотности носителей цри любой концентрации цримесей.

4. В сложных полупроводниках с эффектом Ганна преобладающий вклад во флуктуации проводимости дает нижняя долина, а роль "тяжелых" носителей пренебрежимо мала. При этом относительный вклад флуктуаций подвижности свободных носителей мал по сравнению с флуктуациями их плотности цри любой концентрации примесей.

5. В режиме переменного напряжения собственные шумы црово-димости приводят к флуктуациям постоянной составляющей и амплитуды первой гармоники тока через образец. Исследование их мощности, в зависимости от амплитуды переменного поля в широком диапазоне смещений, может быть использовано для диагностики цреоб-ладающего механизма генерации фликкерных шумов в полупроводниках. Как показывают результаты расчетов, зондирование диода Ганна переменным сигналом в СВЧ диапазоне позволит исследовать эффекты, связанные с флуктуациями подвижности в сильных полях.

6. Рассмотрены динамические аспекты работы автогенераторов на диодах Ганна. В частности, исследованы границы реализации доменных режимов работы в области параметров, поддающихся перестройке в реальных генераторах. Построена диаграмма режимов работы ДГ во внешнем переменном поле. Предложена интерцретация автоколебательного случая на диаграмме режимов; рассмотрена возможность межрежимных переходов.

7. Выявлено существование режимов "смешанной генерации", которые могут быть использованы для эффективного преобразования частоты внешнего, относительно низкочастотного сигнала в диапазон частот ганновской генерации. Обсуждаются особенности синхронизации ГДГ.

8. Приведены примеры расчета импедансных характеристик ГДГ в режиме с гашением домена в рамках последовательно усложняющихся апцроксимаций. Исследованы границы реализации режима 0Н03. Получено решение для величины избыточного пространственного заряда, накопленного в рабочей области диода, удобное для последующего флуктуационного анализа. Приведены результаты математического моделирования различных режимов работы ГДГ в рамках одномерной полевой модели диода Ганна.

9. Проведен последовательный анализ механизмов преобразования шумов первичных источников во флуктуации выходного автоколебания ГДГ. Показано, что эффективность такого преобразования зависит от напряжения смещения на диоде и снижается с удалением от порога генерации.

10. Интенсивность воздействия флуктуаций напряжения питания на частоту колебаний в доменных режимах более чем на порядок превосходит влияние флуктуаций цроводимости ДГ. В результате шумы напряжения могут давать заметный вклад во флуктуации частоты даже при использовании стабильных источников питания.

11. Амплитудные флуктуации колебания интенсивно преобразуются в частотные благодаря сильной неизохронности генератора на диоде Ганна, работающего в доменных режимах. В режимах с обогащенными слоями влияние неизохронности существенно ниже.

12. Флуктуации частоты колебания в режиме 0Н03 могут быть обусловлены эффектом накопления и расцространения относительно слабых возмущений объемного заряда, возникающих на неоднороднос-тях структуры рабочей области диода. Уровень частотных флуктуаций ОНОЗ-генератора, вызванных эти источником, существенно ниже типичных значений, наблюдаемых в доменных режимах.

1. 1. Всесоюзная конференция по электронике сверхвысоких частот, Киев, 1979, тезисы докладов.

2. X Всесоюзная конференция по электронике сверхвысоких частот, Минск, 1983, тезисы докладов.

3. Хотунцев I0.JI. Флюктуации в полупроводниковых передающих СВЧ устройствах /обзор/. Изв.вузов -Радиоэлектроника, 1982, т.25 Ш, с.3-14.

4. Wolf 114 1/f-Noise. -Noise Phys. Syst%, Proc.5-th Int.Gonf. Bad Nauheim, 1978, Berlin e,a., p.122-1^.5i Hoage F.N,,Kleinpeniiing I^GJJJ. ,Vandamme b»K.J« Experimental studies on 1/f noise* -Rept.Progr.Phys., 1981, v.44, рЛ79--532.

5. Кешнер Jl.Ci Шум типа I/f ТИИЭР, 1982, т.70, !% с.60.

6. Бочков Г.Н.»Кузовлев Ю.Е; Новое в исследованиях I/f-шума.-Ш, 1983, т.141, вып.1, с.151-176.

7. Booge Discussion of recent experiments on 1/f noise» -Physic*, 1972, v.60, P.130-W.

8. Lukyanchikova N.B.,Garbar ,3heintanan M.K.,ZargarJantz M»N. Nature of current and of forward-bias electroluminescence excess noise in GaAs-diodes» -Solid-State Electron.,1972, ■V.15» no»7, p.801-807.

9. Лукьянчикова Н.Б. ,Гарбар Н.П. ,Лисянский М;И.,Коган Л.М. Природа I/f -шума в светоизлучагащих диодах из фосфида галлия.-Ш1, 1983, т.17, вып.8, с.1424.

10. Лукьянчикова Н.Б. ,Гарбар Н.П.»Малютенко В.К. ,Тесленко Г.И; Флуктуации проводимости антимонида индия в скрещенных электрическом и магнитном полях. -Ш1, 1981, т. 15, вып.2, с;336.

11. Gunn J.B. Effect of domain and circuit properties on oscillations in GaAs.- IBM J#Res,Dev.,1966,v.lO,na.4, р.ЗЮ-320#

12. Кэррол Дж. СВЧ-генераторы на горячих электронах./Пер.с англ. М.:Мир, 1972, 382 с.

13. Вугальтер Г.А.,Гуревич Г.Л., Китаев М.А.,Коган А.Л.,Оболенский В.А. Усилительные диоды Ганна.- Обзоры по электронной технике. Сер.1. Электроника СВЧ, 1976, вып.II /388/, 72 с;

14. Царапкин Д.П. Генераторы СВЧ на диодах Ганна. -М. : Радио и связь, I98X, 112 с.

15. Андреев В.С.,Порсев В.И.»Попов В.И. Влияние переходных процессов на форму тока в диоде Ганна. -Радиотехника, 1974, т.29, '"в, с.100.

16. Валентюк А.Н.,Латышев А.В. ,Стельмах В.Ш. Динамика роста и гашения домена сильного электрического поля в эффекте Ганна.-Ш1, 1975, т.9, вып.1, C.I65-X68.

17. Царапкин Д.П.»Козлова Е.П. Приближенный анализ режимов работы диода Ганна.- Изв.вузов -Радиоэлектроника, 1980, т.23, '■310, с.ТОО.

18. Шур М.С. Аналитическая теория динамики ганновских доменов.-<Ш1, 1973, т.7, вып.6, C.II78-II83.

19. Левинштейн М.Е. ,Симин Г.С. Динамика рассасывания ганновского домена при напряжении ниже порога исчезновения. -Ш1, 1979, т.13, вып.12, с.2332.

20. Левинштейн М.Е.,Симин Г.С. Динамика перестройки ганновского домена при изменении напряжения смещения. -Ш1, 1979, т. 13, вып.7, с.1431-1433.

21. Левинштейн М.Е.,Симин Г.С. Динамика исчезновения ганновского домена при уходе в анод. -Ш1, 1979, т. 13, вып.5, с.903-911;

22. Вугальтер Г.А.,Гуревич Г.Л., Коган А.Л. Характеристики усилительных диодов Ганна со ступенчатыми профилями легирования.-Ш1, 1976, т.10, вып. 12, с.2375-2378.

23. Makino Т. Effects of the operational modes on the temperature dependence of the Gunn diode admittance.-Solid-State Electron., 1979, v.22, no.9, p.761-769.

24. Copeland J»A# Theoretical study of a Gunn diode in a resonant circuit. -IEEE Trans., 1967, v.Eû-14-, no.2, p.55-53.

25. Levinstein Mj3.,3hur M»3. Calculation of the paramétrés of the microwave Gunn generator*- Eiectron.Lett., 1968, V.4-» no.11, p.222-225.

26. Copeland J.A. Characterization of bulk negative-resistance diode behaviorIEEE Trans.,1967, v.Eù-14,no.9,p.461-463.- ЮУ

27. Jeppsson B»I«,Jeppesen P. Computer simulation of the large signal characteristics of supercritical GaA3 transferred electron devicesProc.IEEE, 1973»v.61,no.2t p.248.

28. Lee CJtf.,Lomex R»J.,Haddad Semiconductor device simulation.- IEEE (Erans », 1974» v*MTT-22 ,no .3 » рИ^О-177.

29. Левинштейн M.E.,Повела Ю.К.,Шур М.С. Эффект Ганна. -М.:Наука, 1975, 287 с.

30. Бородовский П.А.,Диоды Ганна и проблемы их дальнейшего развития. -Тезисы докладов IX Всесоюзной конференции "Электроника СВЧ", Киев, 1979, с.15-16.

31. Якимов А.В. Диффузия примесей и дефектов и фликкерные флуктуации числа носителей в проводящих средах. -Изв.вузов -Радиофизика, 1980, т.23, Р2, с.238-242.

32. Малахов А.Н. Флуктуации в автоколебателвных системах.- М.: Наука, Т968,:660 с.

33. Зайцев В.В.,Орлов В.Б.,Якимов А.В. 0 технических тлуктуаци-ях в генераторе на инжекционно-пролетном диоде.- Изв.вузов -Радиофизика, 1980, т.23, с.585-593.

34. Зайцев В.В.,Орлов В.Б.,Якимов А.В. Фликкерные флуктуации в генераторе Ганна;- Изв.вузов -Радиофизика, 1980, т.23, 'ТЮ, C.T2II-I2I6.

35. Орлов В.Б.,Якимов А.В. К расчету генератора на диоде Раннас гашением доменов. -Радиотехника и электроника, Т98Т, т. 26, Щ1, с.2472-2475.

36. Орлов В.Б.,Якимов A.B. Доменные режимы работы диода Ганна во внешнем переменном поле.- Радиотехника и электроника,1983, т.28, ¥?, C.I4I4-I4I8.

37. Орлов В.Б.»Якимов A.B. Анализ работы диода Ганна в режиме умножения частоты.- Радиотехника и электроника, 1983, т. 28, ™7, с,1419-1423,

38. Зайцев В,В.,Орлов В.Б;,Якимов A.B. Низкочастотный шум 0Н03-генератора,- Изв.вузов -Радиофизика, 1984, т,27, с.79-86.

39. Орлов В.Б. Уточненная модель рассасывания ганновского домена и динамика режима гашения.- Радиотехника и электроника,1984, т.29, и=5, с.966-971.

40. Орлов В.Б. Машинно-ориентированная методика анализа низкочастотных Флуктуаций в генераторе Ганна,- Материалы итог; научн.конф.радиофизического га-та ГГУ за 1982 г.,Горький, 1983, ч.1, !'Э5034-83-Деп,, с.35-40.

41. Орлов В.Б. Режимы работы диода Ганна при большом сигнале.-Тезисы докладов научной конференции молодых ученых Горьков-ской области, Горький, 1983, изд.ГГУ, с.113.

42. Малахов А.Н.Орлов В.Б. Особенности квазистатического анализа флуктуации в генераторе на диоде Ганна.- ТУ Всесогозн. школа-семинар по стабилизации частоты и прецизионной радиотехнике, Звенигород, 1983, тезисы докладов, ч.2, с.44-45.

43. Орлов В.Б.,Якимов A.B. Теоретическое исследование низкочастотных флуктуаций в генераторе на диоде Ганна; -IX Всесоюзная конференция по электронике СВЧ, Киев, 1979, тезисы докладов, т.2, с.114.

44. Орлов В.Б.,Якимов A.B. Анализ работы умножителя частоты диапазона СВЧ на диоде Ганна.- X Всесоюзная конференция "Электроника СВЧ", тезисы докладов, Минск, 1983, т.2, с.60-61.

45. Малахов А.Н.,Орлов В.Б. Методика анализа квазистатических Флуктуаций в автогенераторах СШ.- X Всесоюзная конференция "Электроника СВЧ", Минск, 1983, тезисы докладов, т.2, с.282.

46. Орлов В.Б.,Якимов A.B. клинкерные флуктуации подвижности свободных носителей в примесных полупроводниках.- Ш Всесоюзная конференция "Флуктуационные явления в физических системах", Вильнюс, 1982, тезисы докладов, с.135-136.

47. Faulkner E.A,,Mead M.L„ Flicker noise in Gunn diodes.- Elec-tron.Lett., 1968, v.4, no.11, p.225.

48. Matsuno K, Low frequency current fluctuations in GaAs Gunn dio—• deAppl.Phys.Lett»,1968, v.12, p»404-405,

49. Mircea A.,Magarshak ¿.»Roussel A. Etude de Bruit Basse Frequence des Diodes Gunn au GaAg etr de la Correlation Avec le Bruit de Modulation de Frequence des Oscillateurs a Diode Gunn.-Colloq» Int. CNR3, 1972,. p.217-225.

50. Magarshak J„tMircea A. Correlation brtween low frequency noise and oscillator noise in Gunn diodes»- High Frequency Generation and Amplification Conf.»Cornell Univ.,Ithak, 1971»

51. Воробьев М.Д.,Склизнев C.M.»Смирнов Л.П.,Хан А.В. Частотномодулированные и токовые шумы диодов Ганна.-Труды Московского энергетического института, 1981, г3547, с.Юб-110.

52. Peczalski A.,Van der Ziel A. Flicker noise in Gunn diodes Solid-state Electron», 1982, v»25, no.6, p.511-515

53. Лосев В.Л.»Малышев В.М.»Мещеряков А.В.,Уман С.Д. Низкочастотный шум диода Ганна.- Электронная техника.СерЛ. Электроника СВЧ, Т98Т, ""ТО, с.26-30.

54. Киреев 0.А.,Лосев В.Л.»Малышев В.М.,Мещеряков А.В.,Якимов А.В. Низкочастотные флуктуации в диодах с междолинным переносом носителей заряда в допороговом режиме.- Электронная техника .Сер Л, Электроника СВЧ, 1983, с.35-38.

55. Мещеряков А.В. 0 пространственном распределении источников фликкерного и генерационно-рекомбинационного шума в диоде Ганна.- Электронная техника.СерЛ. Электроника СВЧ, 1983, Р- 4, с.25-27.

56. Mead МД|. Relationship between FM noise and current noise in a cavity-controlled Gunn effect oscillator.- Radio and Electronic Engeneer, 1971, v»41, no.5, p.126-132.

57. Воробьев М.Д.,Склизнев C.M., Смирнов Л.П. Анализ источников шума в диодах Ганна.- Материалы Ш Всесоюзной конференции "Флуктуационные явления в физических системах",Вильнюс, 1982, C.T79-I8T.

58. Левинштейн М.Е.»Румянцев С.Л. Шум I/f в условиях сильного геометрического магнитосопротивления,- ФТТ1, 1983, т.17, вып. 10, с.1830-1834.

59. Belyantsev A„M,,Kozlov V.A.,Valov V»A. Non-reciprocal effects in inhomogeneous n-GaAg films in crossed E- and H-fields.-Phys.St.Sol.Ca), 1975, v»28, no»1, p»279-282*

60. Белянцев A.M.,Валов B.A.»Козлов В.А. Перераспределение носителей и невзаимные эффекты в тонких полупроводниковых пленках.-Изв.вузов -Радиофизика, 1977, т.20, !i°4, с.623-636.

61. Белянцев A.M. »Козлов В.А.,Мазов JI.C. »^едоренко Е.®. Невзаимные эффекты в неоднородных полупроводниковых структурах.-Ш, 1983, т.17, вып.4, с.655-660.

62. Киреев 0.А. »Лосев В.Л. »Мещеряков А.В. »Румянцев С.Л. Источники модуляционного шума в диоде Ганна.- X Всесоюзн.конф. "Электроника СВЧ", Минск, 1983» тезисы докладов, т.2, с.41-42.

63. Matsuno К. ЕМ noise in a Gunn-effect oscillator.- IEEE Trans., 1969, v.EDl-16, no»12, p.1025-1035.

64. Jordan A^G.jWoolf D.E. A study of random frequency noise in microwave Guxm effect oscillators.- Colloq, Int. CNR3, no.204, Toulouse 1971| Paris, 1972, p.229-234.

65. Ataman A.,Herbst H.,Harth W. The influence of different contact materials on the noise perfomance of Gunn elements.- "AEU", 1971» h.25, no.d, p.396.

66. Kotani M# Design fabrication of low noise Gunn diode with the consideration of a thermocompression bonding effect.- IEEE Trans., 1976, v.ED-23, no.6, p.567-572.

67. Иванов B.H.»Цвирко Ю.А.,Цвир А.В.,Яшник B.H. Повышение надежности AuGe контактов к диодам Ганна.- Электронная техни-ка.Сер.1. Электроника СВЧ, 1980, с.95-101.

68. Емельянов А.Лосев В.Л.»Малышев В.М., Мещеряков А.В.,Усы-ченко В.Г. Исследование НЧ шумов импульсными и СВЧ методами.-Ш Всесоюзн.конф."©луктуационные явления в физических системах", Вильнюс, 1982, тезисы докладов, с.182-184.

69. Воробьев М.Д.,Склизнев С.И. »Смирнов Л.П.»Попов А.И. Связь токовых и частотно-модулированных шут,га в генераторов на диодах Ганна.- Радиотехника и электроника, 1983, т.28, юц, с.2294-2296.

70. Корнилов С.А.,Павлов В.М. Низкочастотные флуктуации в генераторе на ЛПД из арсенида галлия.- Радиотехника и электроника, 1981, т.26, т9 с.1753-1759.

71. Малахов А.Н. К вопросу о спектре фликкер-шума,- Радиотехника и электроника, 1959, т.4, -ТЕ, с.54-62;

72. Малахов А.Н.,Якимов A.B. К вопросу о природе фликкерных флуктуаций. -Изв.вузов- Радиофизика, 1974, т. 19, ^П, с.2436-2438.

73. Якимов A.B. ®ликкерные флюктуации и деградационное изменение сопротивления точечных контактов.- Изв.вузов -Радиоэлектроника, 1983, т.26, PIT, с.68-69.

74. Якимов A.B. Адсорбционный механизм фликкерных флуктуаций сопротивления тонких проводящих пленок.- Изв.вузов -Радиофизика, 1982, т.25, с.308-312.

75. Кревский М.А.,Якимов A.B. Флуктуации типа I/f и деградаци-онное изменение частоты автогенераторов с резонаторами поверхностных акустических волн.- Изв.вузов -Радиофизика, 1983, т.26, ">12, с.1552-1556.

76. Дубков A.A. »Якимов A.B. Распределение длительности выбросов некоторых случайных телеграфных процессов.- Изв.вузов- Радиофизика, I98T, т.24, №, C.II2T-II30.

77. Дубков A.A.,Якимов A.B. Распределение длительности пребывания диффузионных процессов в заданной области.- Изв.вузов -Радиофизика, 1983, т.26, WI0, с.1235-1240.

78. Потемкин В.В.,Герценштейн И.Е.,Бакши И.С. Проявление нулевых колебаний решетки в температурной зависимости I/ f шума металлов." Изв.вузов -Физика, 1983, т.26, Р4, с.114-115.

79. Потемкин В.В.,Бакши И.С.»Захарова M.B. I/f шум в медных проволоках.- Препринт ^15/1983, Московский госуниверситет, физический факультет, Москва, 1983. 5c¿

80. Vaes Н.М., Kleinpenning T.G.M. Hall-effect noise in semiconductors.- J.Appi.Phys.»W7, v.4ö, p.5131.

81. Kleinpenning T.G.M. 1/f noise in thermo e.m.f. of intrinsicand extrinsic semicoductors.~ Physica, 1974-, v.77, no.1,p.78-98.

82. Алекперов C.A., Кадар 4.0. ,Салаев Э.Ю. Влияние механизма рассеяния на интенсивность I/f -шума в ^Нр^ те

83. ГП, 1979, т.13, вып.7, C.I4I4-I4I9.

84. Jindal R.P.,Van der Ziel A. Mcxäel for mobility fluctuation 1/f noise.- Appi.Phys.Lett», 1981,v.38, no.4, p.290-291.- ly^t

85. Weissman M.B. Impliifications of mobility-fluctuation descriptions of 1/f noise in semiconductors.- Physica, 1980, v.100 B*C, no.2, p.157-162.

86. Hooge i'.N. ,Vandamme L.K.J. Phys.Lett., 1978, v.66 A, p.315.

87. Зеегер К. Физика полупроводников./Пер.с англ.-М.: Мир, 1977.

88. Блатт Ф.Дк. Физика электронной проводимости в твердых телах./ Пер.с англ. М.:Мир, 1971.

89. Dorcel J»M#,Leturcq Ph. Carrier mobilities in silicon semi-empirically related to temperature, doping and injection level. Solid-State Electron*» 1981, v.24, no.9» p.821-825.

90. Шишияну Ф.С. Диффузия и деградация в полупроводниковых материалах и приборах.- Кишинев:Штиинца, 1978.

91. Корн Г.,Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров.- М.:Наука, 1973.

92. Коган Ш.М.,Шкловский Б.И. Избыточный низкочастотный шум при прыжковой проводгояости. ФТП, I98T, т.15, вып.б, с.1049-1061.

93. Palenskis V^,Shoblitska3 в. Origin of 1/f noise.- Solid-State Com.,, 1982, v.4-3, no."JO, p.761-763.

94. Bosnian G.,Zijlstra R.«W.,Van Hheenen A. 1/f noise of thermal and hot charge carriers in silicon.- Physica, 1982, v.112 B, no.2, p.188-196.

95. Конуэлл Э. Кинетические свойства полупроводников в сильных электрических полях./Пер.с англ; -М. :Мир, 1970;

96. Canali C.,Majni G.,Minder H.,Ottaviani G. Electron ana holedrift velocity measurements in silicon and their empirical relation to electric field and temperature.- IEEE Trans., 1975, v.Ei>-22, no.11, p.Ю45-Ю47.

97. ТОТ. Бонч-Бруевич В.Л.,Звягин И.П., Миронов А.Ч. Доменная электрическая неустойчивость в полупроводниках; М.:Наука, 1972,

98. McGumber D.E. ,Chynoweth A.G. Theory/ of negative conductance amplification and of Gщщ instabilities in "two-valley" semiconductors.- IEEE Trans., 1966, v.ED-13, no.1, p.4~21.

99. Matsuno K. Calculation of LSA-oscillator noise.- Proc. IEEE, 1968, v. 56, no.1, p.75-77.

100. Butcher PJi. »Fawcett 4 The intervalley transfer mechanism of negative resistivity in bulk semiconductors.- Proc.Phys.Soc., 1965, v.86, pt.6, no.554 P.12Q5-1219.

101. Acket G.A. Microwave hall mobility of hot electrons in gallium arsenide.- Philips Res.Hepts., 1967, v.22, no.6, p.541-552.

102. Bott I.B.,Fawcett В KH;: Advances in microwaves (ed. by L.Goung), 1968, N.y;

103. Милне А. Пршеси с глубокими уровнями в полупроводниках./ Пер;с англ. М.:Мир, 1977.

104. НО. Stringfellow G,B. ,Kunzel Н* Electron mobility in compensated GaA3 and ¿l^a^As.- ¿.Appl.Phys», 1980, v.51, no.6, p.3166

105. Козейкин Б.В.,Фролов И.А. Определение электрофизических параметров однородных полупроводниковых слоев.- Электронная техника. Сер.6. Материалы, 1976, вып.2, с.94-98.

106. Козейкин Б.В.»Фролов И.А.,Высоцкий С.А. Расчет подвжсности электронов в эпитаксиальном GaAg Ш1, 1977, т.II, вып. I, с.175-177.

107. Козейкин Б.В.,Высоцкий С.А. ,Рылов A.M. Использование низкотемпературной диффузии при изготовлении диодов Ганна.- Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ, 1982, вып.9, с.37-39.

108. Van de йоег Th» 1/f noise and velocity saturation in punch-through diodes.- Solid-State Electron., 1980, v.23, no,7,1. Р»695-701.

109. Bosman G.,2ijl3tra H.J.J.,Van Rheenen A. Flicker noise of hot holes in silicon at 78°K.- Phys.Lett.,1980, v.8o A, no.1,1. P»57-58.

110. Kleinpenning T.G.M. 1/f noise of hot carriers in n-type silicon.- Physica, v.103 B+0, 1981, nos.2+3, p.34-0,- 1УЬ

111. Bosnian G, Thesis, State University of Utrecht. Utrecht, 1931.

112. Kleinpenning T.G.M. in Proc.6-th Int.Conf. on Noi3e in Physical Systems. P.H.E.Meyer, &.i).Mountein and R.J.Soulen, eds» (National Buereau of Standarts Spectra Publication 614, Washington, USA, 1981), p.24-0,

113. Kleinpenning T.G.M. 0n 1/f noise of hot electrons in silicon.-Physica, 1932, v.113 B, p.189-194.

114. Kleinpenning T.G.M.,Bell D.A* Hall effect noise; fluctuations in number or mobility? Physica, 1976, v.81 B, p.301-304.

115. Kleinpenning T.G.M. 1/f noise in solid state Single injection diodesPhysica, 1978, v.94 B, no.2, p.141-151.

116. Jaooboni C.,Canali C.,0ttaviani G^Aiberigi Quaranta A.

117. A review of some change transport properties in silicon.-Solid-State Electron., 1977, v.20, no.2, p.77-90.

118. Eisenhart P.L.,Khan P.J. Some tuning characteristics and oscillation condition of a waveguide-mounted transferred-electron diode oscillator.- IEEE Trans., 1972, v.ED-19, no.9, Р.Ю5О-Ю55.

119. Галуза И.Р. »Купряхин В.А.,Молысов В.Б. Электронная перестройка частоты генераторов СВЧ при изменении напряжения питания диодов Ганна. -Электронная техника. Сер.т. Электроника СВЧ, 1982, вып.6, с.58-60.

120. Строганова Е.П.,ТДарапкин Д.П. Влияние параметров конструкции генератора на диоде Ганна на диапазон перестройки.-Радиотехника и электроника, 1978, т.23, Щ, с.886-888.

121. Алтухов И.В.,Каган М.С.,Калашников С.Г.,Кукушкин В.В., Овеч-кин С.М. Усиление электромагнитных колебаний диодами Ганнас движущимися доменами. -Письма в Ш1®, 1980, т.6, вып.9, с.548-551.

122. Андреев B.C.»Кукушкин В.В.,Попов O.Hi,Скворцова Н.Е.,Элен-криг Б.В. Удвоение частоты СВЧ диапазона на основе объемных свойств и отрицательной дифференциальной проводимости.-Радиотехника и электроника, 1974, т.19, Ш, с.357-362.

123. Кохияма К., Сиота X. Новый тип высокостабильного преобразователя с самовозбуждением на диодах с переносом электронов./ Пер.с англ. -ТИИЗР, 1972, т.60, с.

124. Андреев B.C. К теории синхронизации автогенераторов на приборах с отрицательным сопротивлением.- Радиотехника, 1975, т.30, "32, с.43-53.

125. Андреев B.C. О синхронизации СВЧ-генератора, работающего на нелинейном-элементе с отрицательным сопротивлением.- Радиотехника и электроника, 1975, т.20, Ш, с.856-860.

126. ТЗЗ. Хотунцев Ю.Л., Тамарчак Д.Я. Синхронизованные генераторы и автодины на полупроводниковых приборах. -М.:Радио и связь, 1982.

127. Ржевкин К.С.,Снегирев О.В. Особенности синхронизации генераторов на эффекте Ганна.- Изв.вузов- Радиоэлектроника, 1974, т.17, PIT, с.81.

128. Kroemer Н. Detailed theory of the negative conductance of bulk negative mobility amplifiers in the limit of zero ion density»- IEEE 2tans», 1967, v.Ei>-14, no.9, p .477-^92 ♦

129. Григулевич В.И. ,Иш.юреев И.Я. Радиоимпульсное преобразование частоты.- М.:Сов.радио, 1966.

130. Венгер А.3.,Ермак А.Н.,Якименко A.M. Умножитель сверхвысокочастотных колебаний высокой кратности.- Приборы и техника эксперимента, 1976, №6, с.98-100.

131. Robson P.N. ,Mahrous ¿>»N. Some aspects of Gtmn effect oscillators.-Radio Eiectron.Engr.,1965, v.30, no,6, p.34-5-352.

132. Earner F.L, Extension of the Gunn effect theory given by Kobson and Mahrous.- Electron.Lett1966, v*2, no.7, p.260.261.

133. Kroemer H. External negative conductance of a semiconductor with negative differential mobility.- Proc.IEEE, 1965, v,53, no.9, p. 1246.

134. Copeland J.A* LSA oscillator diode theory»- «J.Appl.Phys., 1967, v.36, no.8, p.3096-3101.

135. Mueller R.R.»Nitz B. Analogue~computer model for a galliumarsenide LSA diode»- Electron.Lett., 1969, v.5, no.20,p.498-499.

136. Harrison H.J,,Denker S.P.,Hadley M.L# Characteristic ranges for LSA oscillation.- IEEE Trans.,1968, v.EO-15, no.10,1. P-792-793.

137. Алтухов И.В.,Коган M.С.»Калашников С.Г.»Кукушкин В.В., С0-ляков В.Н. О режимах СВЧ генерации на частоте выше пролетной. -Ш1, 1979, т.13, №12, с.2316-2322.

138. Алтухов И.В.,Коган М.С. »Калашников С.Г. »Кукушкин В.В., Ландсберг Е.Г. Электрическая неустойчивость полупроводника п ОДП при одновременном нагреве электронов постоянным и переменным электрическими полями.- Ш1, 1978, т.12, ?!32, с. 299-306.

139. Jeppsson B.I.,Jeppesen Р» LSA relaxation oscillations in a waveguide iris circuit.- IEEE Trans., 1971, v.ED-18, no.7, p.452-439.

140. Jeppsson B„I.,Jeppesen P. LSA relaxation oscillator principles.- IEEE Trans., 1971, ED-18, no.7, p.439-449

141. Heinle Л. Simple theory for LSA operation of Gunn-effect semiconductors.- Electron.Lett., 1967, v.3, no.9,p.497-500.

142. T50i Thim W# Computer study of bulk GaAs devices v/ith random and dimensional doping fluctuations.- J.Appl.Phys.,1968, v.39, no,8,p.3897-3904.

143. Copeland J.A. Doping uniformity and geometry of LSA oscillator diodes.- IEEE Trans., 1967, v.ED-14, no.9, p.497-500.

144. Bees H.D. Hot electron effects at microwave frequencies in GaAs.- Solid-State Comm., 1969, v.7, no.2, p.267-269.

145. Годунов C.K.,Рябенький B.C. Разностные схемы.-M.:Наука, 1973.

146. Атанасов P.A. ,Р:яевкин K.C. Зарождение статического домена в диодах Ганна. -Ш1, 1976, т.Ю, вып.5, с.945.

147. Бровкин Ю.Н. Шабалина Р.Г.,Костылев С.А. Условия зарождения бегущих доменов сильного поля в диодах Ганна с учетом контактных несовершенств и неоднородностей. -ВД1, 1975, т.9, вып. 4, с.697.

148. Чайка В.Е.,Гончарук Н.М. Влияние контактов на характеристики диодов Ганна в отсутствие внешнего высокочастотного поля. -Электронная техника. СерЛ. Электроника СБЧ, 1977, вып.5, с.56.

149. Гудзь И.А.,Ясинский В.К. Эффект электрического контактного сопротивления на тепловой режим диодов Ганна и ЛПД. -X Всесоюзная конференция "Электроника СВЧ", Минск,1983, тезисы докладов, т.2, с.341.

150. Никитин A.M. Влияние температуры на характеристики генератора на диоде Ганна.- X Всесоюзная конференция "Электроника СВЧ", Минск, 1983, тезисы докладов, т.2, с.190.

151. Лосев В.Л,,Малышев В.М.,Мещеряков A.B. Источники НЧ шума в диоде Ганна. -ТУ Всесозн.школа-семинар молодых ученых и специалистов по стабилизации частоты и прецизионной радиотехнике, Звенигород, 1983, тезисы докладов, т.2, с.46-47.

152. Мещеряков A.B. «луктуационные характеристики генераторов на диодах Ганна. Кандидатская диссертация, ЛПИ, Ленинград,1983.

153. Herbst H.,Ataman A, Q-dependence of Gunn oscillator FM-noise.-XEEE Trans., 1973, v.MTT-21, no.2, p.'114-115.

154. Kuhn P. Noise in Gunn-oscillators depending on surface of Gunn diode.- Electron.Lett», 1979, v.6, no.26, p.845.oweet A#A#,McKenzie L.A. The Ш noise of a CW Gunn oscillator.- Proc.IEEE, 1970, v.58, no.6, p.822-823.

155. Мещеряков А.В. ,Усьтченко В.Г.,Румянцев C.JI. Воздействие фликкерных источников шума на частоту колебаний в генераторе Ганна.- ХВсесоюзн.конф."Электроника СВЧ", Минск,1983, тезисы докладов, т.2, с.43-44.

156. Суит А. Обобщенный анализ шумов генераторов Ганна.- ТИИЭР, 1972, т.бо, ЭД, с.89-90.

157. Гончарук Н.М.,Чайка В.Е. Исследование модуляционного шума диодов Ганна, обусловленного флуктуациями напряжения смещения.- Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ, 1979, вып.2, с.38-44.

158. Hobson G.S. Source of f.m» noise in cavity-controlled Gunn-effect oscillators.- Eiectron.Lett.,1967» v.3, d.63-54.

159. Tanimoto M»,Yanai H.,Sugeta T. Thermally induced Ж noise in Gunn oscillators and ¿jitter in Gunn-effect digital devices.-Proc»,IEEE, 1973, v.61, not3, p.1138-1139.

160. Матсуно К. Шум ганновского генератора./Пер.с англ. -ТИИЭР, 1968, т.56, Щ, с.123.

161. Hashiguchi 3,,Ükoshi Т. Determination of equivalent circuit paramétrés describing noise from a Gunn oscillator»- IEEE Trans., 1971, v.MTT-19, no.8, p.686.

162. Ohtomo M, Experimental evaluation of noise paramétrés in Gunn and avalanch oscillators»- IEEE Trans», 1972, v.MTT-20,no ,7, p.425-437 *

163. Magarshack J»,Mircea A#,Roussel Аф Bruit BE1 dans GaAs de tupe et la correlation avec le bruit MF des oscillateurs a diodes Gunn,- Acta Electrónica, 1972, v.15, no.3, p.233-243.

164. Mircea A, ,Magarshack J,,Lesartre P.,Mautref H. Noise studies on Gunn diodes»- Eur.Microwave Gonf.i^roc. Brussels, 1973, v.1.

165. Дубинина H.A.»Катушкина В.И. »Малышев В.П. »Никитин А.Б. Подавления частотных флуктуаций в генераторе Ганна при синхронизации на субгармонике частоты автоколебаний. -Электронная техника. Сер.1. Электроника СВЧ, 1981, вып.2, с.33-34.

166. Якимов A.B. Квазистатический анализ флуктуаций в ненератор-ных системах СШ. Радиотехника и электроника, 1983, т.28, ^ 8, с.1662-1664.

167. Т79. Малахов А.Н. Влияние (Тшуктуаций параметров автогенератора на его поведение вблизи точки бифуркации,- Изв.вузов «Радиофизика, Т962, т.5, "53, с.516-522.

168. Костьшев С.А. »Прохоров Е.3>.,Уколов А.Т. ,Шабалина Р.Г. Моделирования влияния неоднородности на быстродействие диодов Ганна.- X Всесоюзн.конф."Электроника СВЧ",Минск, 1983, тезисы докладов, т.2, с.27-28.

169. Царапкин Д.П.,Коздова Е.П. Расчет диапазонных характеристик колебательной системы автогенератора на диоде Ганна.-Электронная техника. Сер.I.Электроника СВЧ, 1981, вып.З, с. 15-Ï8.

170. Бородовский П.А.,Булдыгин А.Ф.,Уткин К.К. Исследование СВЧ импеданса диода Ганна при различных напряжениях смещения.-X Всесозн.конф."Электроника СВЧ",Минск, 1983, тезисы докладов, т.2, с.322-323.

171. Бородовский П.А.»Токарев A.C. Методы контроля качества диодов Ганна.- X Всесоюзн.конф."Электроника СВЧ", Минск, 1983, тезисы докладов, т.2, с.324.

172. Т84. Гусаков В.В.,Курганский В.И.,Латышев A.B.,Черепанов В.А.

173. Корреляция статических и динамических параметров полупроводниковых генераторных диодов СВЧ.- X Всесоюзн.конф."Электроника СВЧ", Минск, 1983, тезисы докладов, т.2, с.361-362.

174. Царапкин Д.П. Влияние тепловой инерционности активного с твердотельного прибора на шумовые характеристики автогенератора СВЧ.- X Всесоюзн.конф."Электроника СВЧ", Минск, 1983, тезисы докладов, т.2, с.49.

175. Ясинский В.К. Динамический тепловой эффект в диодах Ганна и ЛПД. -IX Всесоюзн.конф."Электроника СВЧ", Киев, 1979, тезисы докладов, т.2, с.64.

176. Коростелев Г.Н.»Бочаров Е.П.»Бочкарев А.Н. Автостохастическая природа шумов, возникающих на начальном участке падающей ВАХ диода Ганна.- Изв.вузов -Радиофизика, Т98Т, т.24, с.779.

177. Наянов В.И.,Потапов С.К.,СВЧ-шум в диоде Ганна с периодически изменяющими поперечным сечением.- X Всесоюзн.конф. "Электроника СВЧ", Минск, 1983, тезисы докладов, т.2, с.118.