Исследование длинновременной релаксации интенсивности ФЛ (эффекта "усталости" ФЛ) в халькогенидных стеклообразных полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ ХАЛЬКОЖЙДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ И ДЕФЕКТЫ СТРУКТУРЫ (Литературный обзор).

1.1. Получение и структура халькогенидных стеклообразных полупроводников.

1.2. Фотолюминесценция в ХСП и свидетельства в пользу дефектов.

1.2.1. Основные характеристики ФЛ в ХСП.

1.2.2. Фото-электронный парамагнитный резонанс и оптически индуцированное поглощение в ХСП.

1.3. Дефектн в халькогенидных стеклообразных полупроводниках.

1.4. Электронные состояния дефектов и модели ФЛ в ХСП

1.5. Другие модели фотолюминесценции в ХСП.

Постановка задачи.

Глава П. МЕТОДИКА ИЗМЕРЕНИЯ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ И ЭПР В

ХАЛЬКОГЗЩДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ 2.1. Получение халькогенидных стеклообразных полупроводников.

2.1.а. Монолитные стеклообразные полупроводники. . 49 2.1.6. Аморфные пленки системы

2.2. Экспериментальная установка и методика исследования ФЛ в ХСП.

2.3. Обработка результатов измерения ФЛ.

2.3.а. Разделение спектров ФЛ на составляющие полосы 57 2.3.6. Определение сечения захвата /у ДО1 процесса усталости.

2.4. Методика исследования фотоиндуцированного ЭПР в

Глава Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА "УСТАЛОСТИ" ФЛ В ХСП

СИСТЕМЫ ^Бм^вх.

3.1. "Усталость фотолюминесценции и неупорядоченность структур Дв^з.

3.2. Зависимость усталости ФЛ от состава в системе

ХСП ¿Ь-хЯъ* .7.

3.3'. Влияние режима синтеза на ФЛ стеклообразного

3.4. Взаимосвязь фотоиндуцированных явлений в ХСП системы

3.4.а. Фотоиндуцированный ЭПР.

3.4.6. Фотоструктурные превращения в ХСП системы

Л^-*^.

Глава 1У. ФОТОЖШБЩЕНШ И ФОТО-ЭПР В ХСП СИСТЕМЫ

4.1. Фотолюминесценция ХСП системы Ge<*Sx

4.2. "Усталость" ФЛ в ХСП системы Ge^Sx

4.3. Фотоиндущрованный ЭПР в ХСП системы Ge.4xSx Ю

Глава У. ВЛИЯНИЕ ПРИМЕСЕЙ НА ЭФФЕКТ УСТАЛОСТИ ФЛ

5.1. Влияние кислорода на ФЛ стеклообразного селена

5.2. Влияние кислорода на ФЛ стеклообразного /$2.Se

5.3. Влияние примесей на ФЛ стеклообразного GezS$

Открытие в Физико-техническом институте им.А.Ф.Иоффе Б.Т.Коломийцем и Н.А.Горюновой [I] нового класса полупроводников, которые получили название халькогеяидные стеклообразные полупроводники (ХСП) инициировало новое направление исследования -физику некристаллических полупроводников, и как сейчас видно, новые перспективы технических разработок. Благодаря прозрачности в области от 0,5 мкм до 20 мкм ХСП применяются для создания интерференционных просветляющих и защитных покрытий, элементов оптики в ближней ИК области, обладают перспективными для интегральной оптики свойствами. Будучи некристаллическими, халькогенидные стекла обнаруживали наличие ряда свойств, характерных для кристаллических полупроводников, таких как фотопроводимость, термо.-э.д.с., наличие щели прозрачности. В дальнейшем было показано наличие определенной аналогии между свойствами полупроводников в стеклообразном и кристаллическом состояниях. Это явилось надежным и всесторонним подтверждением идеи А.Ф.Иоффе и А.Р.Регеля [2] , что электронные свойства материалов определяются не дальним, а ближним порядком.

Вместе с тем, обнаружились и совершенно специфические особенности, характерные только для неупорядоченного состояния: это малая подвижность носителей заряда, отсутствие примесной проводимости, эффект переключения, фотоструктурные превращения и др. Для объяснения этих свойств необходимо изучение энергетического спектра носителей заряда, в частности, изучение локализованных состояний в запрещенной зоне, и изучение электронных процессов в ХСП-.

Фотолюминесценция (ФЛ), как метод исследования таких состояний в ХСП, широко используется после открытия в 1968 г. самого явления [з,4] , которое явилось само по себе нетравиальным и положило основу современной теории дефектов в ХСП. Указанные работы стимулировали в ряде лабораторий США» Англии, Японии, Франции активные исследования ФЛ и дефектов в ХСП. Данные люминесценции наиболее информативны при рассмотрении в совокупности с данными по поглощению, фотопроводимости, ЭПР и другим связанным явлениям, которые и были получены впоследствии. Наиболее интересным явилось обнаружение в ХСП оптически-индуцируемых явлений: уменьшение интенсивности ФЛ во время непрерывного возбуждения, так называемый эффект "усталости" ФЛ [б] , оптически индуцированное поглощение в запрещенной зоне [б,7] и оптически индуцированный ЭПР [7] . Эти три явления объяснялись на основе особых специфичных для неупорядоченного материала метастабильных состояний дефектов единой природы [8,9] , и в настоящее время модели дефектов в ХСП должны объяснять наличие этих явлений во взаимосвязи. Важно отметить, что несмотря на одинаковую природу дефектов в ХСП и их кристаллических аналогах, в кристаллах не наблюдаются оптически-индущрованные явления, обусловленные собственными дефектами структуры. Путь к пониманию собственных полупроводниковых явлений в ХСП проходит, по-видимому, через представления о мягкой структуре и о наличии электронов одиночных неподеленных пар. Теоретическая и экспериментальная активность направлена сейчас на выяснение микроскопии дефектов, являются ли они заряженными оборванными связями, парами с переменной валентностью или другими образованиями, которые еще будут предложены.

Данная диссертационная работа посвящена исследованию эффекта "усталости" ФЛ, выяснению природы, выяснению взаимосвязи этого явления с другими оптически-индуцируемыми явлениями, наблюдаемыми в ХСП. Исследования сосредотачивались на двух группах материалов, которые в последние годы представляют практический и научный интересы - системе А$/-Х8ех и Gßf-pcSx • ПеРвая группа представляет собой стеклообразные полупроводники, которые во многих аспектах являются хорошо изученными, вторая группа -это широкозонные стеклообразные полупроводники, которые занимают цромежуточное положение между стеклообразными полупроводниками типа $е (в частности А$ f-/Se/ )» и тетраэдрическими аморфными полупроводниками типа о^ 'Sit dL ~Qc

Диссертация состоит из введения, пяти глав и заключения с выводами.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах.

I. Чернышев А.В., Муканов Х.К., Мамонтова Т.Н. Исследование влияния примеси редкоземельных элементов на фотолюминесценцию германиевых стекол. Материалы Международной конференции. Аморфные полупроводники - 82". 187-189. Бухарест (1982 г.)

2. Коломиец Б.Т., Мамонтова Т.Н., Чернышев А.В. Зависимость усталости ФЛ от состава в ХСП системы да1 Se ~ ^* 9, I708-I7I0 (1963).

3. Kolomiets Б.Т., Mamontova > Chernyshev А. У., Vinog-radova G.Z., Demokritova И.У. The effecf of low oxygen concentrations on the photolumineacence of vitreous selenium - Phys. St. Solidi (a), 1983, v.79, K89-K92.

- 137

4. Коломиец Б.T., Мамонтова Т.Н., Чернышев A.B. О природе эффекта "усталости" фотолюминесценции в халькогенидных стеклообразных полупроводниках системы As. Se - Тезисы докладов

1-Х X

У1 Всесоюзной конференции по химии, физике и техническому применению халькогенидов, стр.18, Тбилиси (1983).

5. Мамонтова Т.Н., Чернышев A.B. Усталость ФЛ и неупорядоченность структуры As2Se3 - ФТП, 18, № 3, 536-538 (1984).

6# Kobrin В.V.,Shantorovich VP., Chernyshev A.V., On the nature of photoluminescence and EPR centers in glaasy GegS^ in tperas of positron annihilation - Solid State Communiestions , 1983, v.48,N11, p.937-940.

7. Мамонтова Т.Н., Чернышев A.B., Виноградов Г.З., Илиза-ров Л.М. Влияние кислорода на фотолюминесценцию стеклообразного

As2Se 2 - Доклады Международной конференции "Аморфные полупроводники- 84", Габрово, 1984#

8. Мамонтова Т.Н., Чернышев A.B., Яковлев Д.Р. О структуре спектров фотолюминисценции халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ge1 s - ФТТ, 1984, т.26.

I **X X

Результаты диссертационной работы докладывались на Международной конференции "Аморфные полупроводники 82", Бухарест. Румыния 1982 г., на У1 Всесоюзной конференции по химии, физике и техническому применению халькогенидов, Пассанаури, 1983 г. на семинарах лаборатории фотоэлектрических явлений в полупроводниках Физико-технического института им.А.Ф.Иоффе АН СССР, а также на семинаре в институте общей и неорганической химии АН СССР имени Н.С.Кур-накова.

В заключении автор выражает глубокую признательность свошл

- 138 научным руководителям профессору Б.Г.Коломийцу и старшему научному сотруднику Т.Н.Мамонтовой за руководство, постоянное внимание и помощь на всех этапах выполнения диссертационной работы; старшему научному сотруднику А.А.Лебедеву и младшему научному сотруднику В.М.Рожкову за действенную помощь в проведении экспериментов по ЭПР и предоставление экспериментальной установки.

Автор благодарит всех сотрудников лаборатории фотоэлектрических явлений в полупроводниках Физико-технического института им.А.Ф.Иоффе АН СССР за помощь в работе.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Совокупность полученных экспериментальных результатов по изучению природы локализованных состояний, которые обуславливают усталость ФЛ, позволяет рассмотреть особенности проявления из-лучательных переходов в ХСП двух систем, Аз-мсЗе*11 Се^Эх

Существенной особенностью материалов, принадлежащих этим системам ХСП, является неупорядоченность их структуры. Неупорядоченность структуры материала проявляется в образовании гомопо-лярных связей, и дефектов на их основе. Зависимость усталости ФЛ от степени неупорядоченности и зависимость от состава в системе А5/-л5елпозволили сделать вывод о том, что центры усталости ФЛ связаны с существованием гомополярных, "неправильных связей" халькоген-халькоген и дефектов на их основе. Количество дефектов такого происхождения увеличивается при увеличении содержания халькогена Зе ( 3 ), и тем самым объясняется зависимость усталости ФЛ от состава. В стехиометрическом составе ж составах, обогащенных мышьяком, неправильные связи халькоген-халькоген также присутствуют вследствие неупорядоченности структуры, в то время как в кристаллическом Азг^езв силу химического упорядочения, материала, образование гомополярных связей становятся исключительно маловероятными, и тем самым объясняется отсутствие эффекта усталости ФЛ в соответствующих ХСП кристаллических аналогах.

На дефектную природу центров усталости могут указывать результаты по изучению влияния режима синтеза на усталость ФЛ. В § 3.3 было отмечено, что усталость ФЛ сильнее выражена вЛ825вз( цриготовленном при закалке расплава на воздухе от 500°С, а не 700°С. Это связано с тем фактом, что при закалке от 700°С успевает произойти структурная релаксация материала, в то время как при закалке от более низкой температуре релаксация структуры не успевает произойти (выполняется условие \/е*\/в , где У г -скорость охлаждения расплава, а \/в - граничная скорость охлаждения, при которой еще не происходит релаксация структуры, и структура стекла повторяет структуру расплава (замороженная жидкость). Поскольку в расплаве реализуется большее количество дефектов, то усталость может быть выражена сильнее.

Усталость ФЛ, несмотря на то, что она зависит от содержания в материале примеси (например, кислорода в Бе ыА$25е.з, РЗЭ и Ли в Се^З^ ), является собственной характеристикой ФЛ, определяемой электронными процессами, чувствительными к изменениям структуры материала.

Следствием неупорядоченности структуры ХСП является также образование хвостов плотности состояний вблизи разрешенных зон; эти локализованные состояния хвостов при низких температурах являются эффективными ловушками для неравновесных носителей. При исследовании было обнаружено, что усталость ФЛ сильнее выражена в тех материалах, где больше хвост оптического поглощения, который отражает величину хвостов плотности состояний. Непосредственно увеличение хвостов оптического поглощения наблюдалось ранее в ,А3е3приготовленном различными режимами, [65] , и с кислородом ^93] . Об увеличении хвостов оптического поглощения свидетельствуют смещения максимумов спектров возбуждения в область меньших энергий, которые наблюдались нами для материалов, в которых было обнаружено усиление эффекта усталости ФЛ, а именно в ое и с кислородом, , приготовленном в различных режимах синтеза, бе23з , легированном РЗЭ (см. §§ 5.1, 5.2, 3.3, 5.3 соответственно). Локализованные состояния хвостов являются эффективными ловушками возбужденых носителей.

- 132

При этом, фотово збужденный электрон, захватываясь ловушками в хвостах, оставляет центр излучения в возбужденном метастабильном состоянии. Увеличение плотности состояний в хвостах приводит к увеличению вероятности беззызлучательной рекомбинации, что проявляется в увеличении скорости температурного гашения интенсивности ФЛ, которое наблюдалось в ^-Бе (§ 5.1) и , легированном РЗЭ (§ 5.3).

Таким образом, следует отметить, что усталость ФЛ обусловлена, с одной стороны, существованием цепочек, состоящих из го-мополярных связей и дефектов на их основе, и, с другой стороны, существованием хвостов плотности состояний. Существование гомополярных связей и хвостов плотности состояний является следствием неупорядоченности структуры материала ХСП.

Рассмотрение микроскопии дефектов, которые образуются в материалах системы Аб*-* Зе* на основе цепочек . и сравнение явления усталости ФЛ с фото индуцированным ЭПР в системе позволяет сделать заключение, что, по-видимому, центры ЗПР и центры усталости ФЛ обусловлены дефектами одной природы и связаны с радикалами которые образуются при обрыве цепочки селена с атомом мышьяка, в котором эти цепочки пересекаются. При обрыве цепочки на атоме S 6 образуется дефект С С/ )~» который является недокоординированным атомом селена, связанным с соседним атомом селена. Б основном состоянии этот дефект является отрицательно заряженным и не содержит неспаренных спи-ное, о чем свидетельствует отсутствие темнового ЭПР. При возбуждении электрона на этом центре происходит перезарядка, в результате которой, центр становится нейтральным ( С-г )°. Вследствие сильного электро-решеточного взаимодействия и низкой координации этого центра возможно такое искажение решетки вблизи этого центра, что он становится метастабильным парамагнитным центром, дающим вклад в сигнал ЭПР. Появление таких метастабильных центров, не участвующих в излучательной рекомбинации приводит к уменьшению количества центров излучения - уменьшается интенсивность ФЛ во время возбуждения, т.е. происходит усталость ФЛ. На возможность перестроек, структуры вблизи центра излучения указывает зависимость эффекта усталости ФЛ от температуры (§ 3.2). Уменьшение скорости изменения интенсивности ФЛ (меньшее значение Р/ ) при понижении температуры свидетельствует об уменьшении вероятности преобразования центра излучения вследствие того, что структура материала является сильно замороженной и возможности изменения длин связей и углов связей уменьшаются.

Чтобы вывести центр из метастабильного состояния достаточно теплового нагрева или ИК-подсветки ( ^и) < ^/2 ) ¡22] . При этом, возможно, происходит освобождение неравновесных электронов, захваченных на ловушки в хвосте плотности состояний, и

Г' беззызлучательная рекомбинация на центре ( С1 )°. При рекомбинации электрона с дыркой на центре ( С* )°, центр возвращается в основное состояние ( С, <\ и может принимать участие в процессах фотолюминесценции - актах возбуждения и рекомбинации.

Аналогичная ситуация имеет место в материалах системы Се^Бх • Однако, большая жесткость сетки стекол этой системы, определяемая большей координацией связывающих атомов бе (координация 4), и более сильная тенденция к химическому упорядочиванию материала вследствие большей степени ионности основных связей , приводит к тому, что преобразование центров затрудняется,и это находит отражение в меньшей, чем для халькон 22 9 генидов мышьяка величине сечения захвата Г-} ^10 см . Как и для халькогенидов мышьяка в области составов, обогащенной халькогеном, ) увеличивается при увеличении содержания халь-когена. Это связано с тем фактом, что дефекты, соответствующие структурным единицам типа СбБ^ , являются более устойчивыми, чем дефекты, соответствующие структурным единицам 5 и . Поэтому усталость менее всего выражена в стехиометри-ческом составе СеБз и близким к нему.

Разделение спектров ФЛ ХСП системы Се,-* х позволяет проследить за изменением вклада дефектов определенного типа, что расширяет возможности исследования дефектов в ХСП методом фотолюминесценции.

Наблюдение фотоиндуцированного ЭПР и сравнение с явлением усталости ФЛ в системе позволило идентифицировать центры усталости ФЛ в этой системе, как бирадикалы 3 :Се~5~5: Дополнительные свидетельства в пользу существования в этих материалах оборванных связей халькогена были получены из анализа результатов по аннигиляции позитронов и усталости ФЛ вбе^Эз легированном РЗЭ.

На основе проведенных исследований можно сформулировать следующие основные результаты и выводы

1. Коломиец Б.Т., ГОрюноыа Н.А., Структура и свойства тройных полупроводниковых сплавов.Электрические свойства и структура некоторых материалов в системе ЖТФ, 1955, т.25, 984-994

2. Ioffe A.F.,Regel A.R. Non-Crystalline, amorphous and liquid electronic semiconductors Progress in semiconductors,1960,237.291

3. Kolomi-ets B.T., Mamontova Т.К.,Negreskul V.V. On the recombination of vitreous Semiconductors Phys.Stat. Sol9di,1968, 27,K15mK17

4. Kolomiets B.T., Mamontova Т.К., Babaev A.A., On the nature of recombination centres in vitreous arsenic selenide J.Non-Crys. Solids, 1972, 8 -10 , 1004-1009

5. Gernogora J., Mollot F.,Benoit a la Guillaume C. Radiative recombination in Amorphous AsgSe^ Phys.Stat.Solidi(a),1973, 15, N2, 401-407

6. Gernogora J., Mollot P., Benoit a la Guillaume G. Variationn of the absorption coefficient af&er optical excitation in AsgSe^ at 1,6K Proc. 12th Int.Conf. on the Physics of Semiconductors ,Stuttgart,1974,1027 -1031.

7. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.O. Opticslly Induced Paramagnetic Localizzd States in Chalcogenide Glasses.- Phys.Rev. Lett., 1975, 34, 1346-1350

8. Mott N.P., Davis E.A., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors Phil.Mag., 1975, 32,961-971.

9. Kastner M., Adler D., Fritzche H. Valence Alternation Model- 140 for Localized Gap States in Lone Pair Semiconductors Ppys. Rev. Lett., *976, v. 37 , 1504- 1507

10. Greaves G.N., Davis E.A. A continuous random network model with three- fold coordination Phil.Mag., 1974, v.29, 1201-1206.

11. Long M., Galison P., Alben R., Connel G.A.N. Model for the structure of amorpous selenium and tellurium Phys. Rev.B,1976, v.13, 1821-1829

12. Lucovsky G., Mooridian A., Taylor W., Wright G.B., Keezer R.C. Identification of the fundamental vibrational modes og trigonal8 -monoclinic and amorphous selenium - Solid St.Communic., 1967, v.5, 113 -117.

13. Lucovsky G., Galeener P.L., Geils R.H., Keezer R.C. A distribution chemicsl ordering in binary chalcogenide glasses by infrared and Raman spectroccopy Tthe structure of non-crystalline materials (ed. by Gaskell P.H.), Cambrige,1977, 127-130

14. Закис Ю.Р. 0 применимости представлений о квазичастицах и дефектах к стеклам ФХС, I98I.T.7, №4, 385-390

15. Street R.A. Luminescence in amorphous semiconductors -Advances in Physics, 1976, v.25, 397 415.

16. Kolomiets B.T., Mamontova T.N., Babaev A.A. Radiative re14 1combination in vitreous and. single crystalline AsgS^ and. As2Se3 J. Non-Cryst.Solids, 1970, v.4, 289-294

17. Kolomiets B.T., Mamontova Т.Н., Smorgonskaya E.A., Babaev A.A. Study of the Mechanism of ;Recombination in Vitreousand Monocrystalline Arsenicum Selenide Phys.Stat.Solidi(a), 1972, v.11, 441-450.

18. Mollot E., Cernogora J., Benoit a la Guillaume C. Study of localized States in Amorphous Semiconductors Chalcogenide by Radiative Recombination Phys. Stat.Solidi (a), 1974, 21, 281-289.

19. Bishop S.G., Strom U., Guenzer C.S. Optical enhancement and excitation spectra of photpluminescence in chalcogenide glas-zes Amorphous and Liquid Semiconductors, London , 963 -968, 1974.

20. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.O. Optically induced meta-stable paramagnetic states in amorphius semiconductors

21. Phys.Rev.B, 1977, v.15, N4, 2278 -2294.

22. MOCKAJIbOHOB A.B. Парамагнитные центры сяфаски в стеклах As2Se3 и AsgS-j , индуцированные ренгеновсрш излучением Ш , 1977, т.19, 1440- 1442.

23. Moskalonov A.V., Zakis J.R. X-Ray Induced Paramagnetic States and Luminescence in As2S^ and Asg Se^ Phys.Stat. Solidi (a), 1978, v.49, 231-235

24. Тале И.А., Москальонов А.В., Закис Ю.Р., ГУРДЗИЕЛС П.Я. Рентгенолюминесценция и термолюминесценция стеклообразныхо и кристаллическоrfe32s3 1981,т. 15,1832-1834.

25. Mott N.F., Davis Е.А., Street R.A., States in the gap and recombination in amorphous semiconductors Phil. Mag., 1975. v.32, 961- 971.

26. Anderson P.W., Model for the Electronic States of Amorphous Semiconductors Phys. Rev.Lett.,1975, v.34,,953-955.

27. Мотт Н.Ф., Дэвис E.A. Электронные, процессы в неупорядоченных веществах, M., Мир, 1982,

28. Kastner M., Fritzshe H., Defect chemistry of lone pairsemiconductors Phil.Mag.B, 1977, v.37, N2, 199-215.

29. Greaves G.N., Elliott S.R., Davis E.A. Amorphous arsenic

30. Advances in Physics, 1979,v.28, N1, 49-141. 33- Taylor P.C., Friebele E.J., Bishop S.G., Thermally generated paramagnetism in amorphous arsenic Solid State Communications, 1978, v.28, 247-250.

31. Дэвис Э. Состояния в запрещенной зоне и дефекты в аморфных полупроводникан В кн. Аморфные полупроводники, М.,Мир, 1982, с.55-95.

32. Vanderbilt D., Joannopoulus J.D. Theory of defect states in glassy AsgSe^ Phys.Rev.B, 1901, v.23, N 6, 2596-2605.

33. Bullrtt D.W. Electronic structure of arsenic chalcopenides- 143

34. Phys.Rev. В, 1976, v.14, 1683-1692.

35. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных проводников. Изд.АН СССР, М.-Л.,1963,

36. Cohen М.Н., Fritzche Н., Ovshinsky Simple band. Model for Amorphous Semiconductors Alloys Phys. Rev.Lett., 1969, v.22, 1065-Ю70.

37. Fisher R., Heim U., Stern F.,Weiser K. Photoluminescence of Amorpous 2As2Te^-As2Se^ films Phys.Rev.Lett.,1971, v.26, 1182-1186.

38. Weiser K. Photoconductivity and photoluminescence of amorphous chalcogenides J. Won-Cryst. Solids, 1872, v.8-10, 922-927.

39. Emin D., Small polaron model of low-temperature optically induced properties of chalcogenide glasses Proc. 7th Int. Conf. on Amorphous and Lmquidd Semioonductors, Edinburgh, 1977,p.261-266.- 144

40. Попов Н.А. Новая модель дефектов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках Письма ЖЭТФ, 1980,т.31,с.437-440.

41. Попов Н.А. Квазимолекулярнык дефекты в ХСП Структура, физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников, Кишинев,1980, с.154-157.

42. Linear Integrated circuits type?s TL080 thruTL085 JFET-INPUT operational amplifiers Bulletin No DL -S 12484,

43. October * 1979, Texas Instruments 49. Фок M.B. Разделение сложных спектров на индивидульные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева Труды ФИАН, 1972, т.59, с.3-24.

44. Mollot F.,Cernogora J., Bencit a la Guillaume C. Excitation spectra of photoluminescence fatigue and creation of paaa-magnetic centres in amorphous Ge Se. r J.Non-Cryst.Sol., 3980, V.35&36, 939-944.

45. Chamberlain J.M.,Moseley A.J. Long term photoluminescence fatigue in Ge Se- glasses - J. Phys.C., Sol.St.Phys.,1. О ' ¡J1983, v.16, N 10, 1987-1998.

46. Benoit a la Guillaume C., Mollot P., Cernogora J. Photo-induced centres in amorphous chalcogenide semiconductors-Proc. 7th Int. Conf. on Amorphous and liquid semiconductors (ed. by Spear W.E.) Edinburgh, 1977, 612-616.

47. Hirabayashi I., Morigaki K., Yoshida M. Luminescence fatigue and light-induced electron spin resonance in silicon hydrogen alloys - Solar Energy Materials, 1982,v.8,p.153-158.

48. Nemanich R.J., Connell G.A.N., Hayes T.M., Street R.A. Thermally induced effects in evaporated chalcogenide films.- 145

49. Structure Phyá.Rev. Б, 1978, v.18, N 12,6900-6914.55. de Neufville J.P., Moss S.G., Ovshinsky S.R. Photostructural transformations in amorphous As^e^ and AsgS^ films

50. J.Non-Cryst.Solids, 1974,v.13, p.181-223.

51. Berkes J.S., Ing S.W., Hellegas W.I. Photostructural decomposition of amorphous AsgSe^ and As^^ {J. Appl. Phys., 1971, v.42, N 12, 4908-4916.

52. Закис Ю.Р., Москальонов А.В. Температурный зависимость ширины запрещенной зоны аморфных as2s3 и As2Se3

53. Труды б-й Международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам, Ленинград, 1776, с.327-330.

54. Treacy D.J., Strom U., Klein Р.В., Taylor P.C., Martin T.P. Photostructural effects in glassy S AsgSe^ and As2S3

55. J. lion-Cryst.Solids, 1980, V.35&36, 1035 -IO39.

56. Mollot P., Cernogora J., Benoit a la Guillaume C. Spectral analysis of the creation cf paramagnetic centres and of the fatigue in amorphous Ge^Se^ Phil.Mas. B> 1980> v.42>p.643-670.

57. Halpern V., Localized electron states in the arsenic chal-cogenides Phil.Mag., 1976, v.34,N3, p.331-335.

58. Popov A. V., Mi с liai ev F.I., Shemetova V.K. Structural modification of some glasst chalcogenides Phil. Mag. B, 1983, V.47 N1, 73-81.

59. Anderson P.W., Halperin B.I., Varma C.M. Anomalous low-temperature thermal properties of Glasses and spin glasses -Phil. Mag., 1972, v.25, p.1.

60. Бальмаков М.Д. Влияние структурных изменений на свойства неупорядоченных систем В кн. Вопросы физики полупроводков, Калининград, выпуск 1,1975, с.19-24.

61. Попов А.И., Михалев Н.И. Температурные временные режимы структурный модификации стеклообразных полупроводников системы As-Se. Сб.докладов Международной конференции "Аморфные полупроводники -82", Бухарест, 1982, с.208-210.

62. Павлов Б.В. Исследование оптических свойств халькогенидных стеклообразных полупроводников. Автореферат кандидатской диссертации, Кишинев, 1973.

63. Kastner M. Non -radiative recombination at valence alternat ional pairs - J.Phys. C.:Solid ST. Phys., 1980, v 13,p.3319-3327.

64. Street R.A., Searle T.M., Austin I.G. Photoluminescence excitation spectra in amorphous AsgS^, AsgSe^ and selenium-Phil.Mag., 1974, v. 29, p.1157-1169.

65. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.O. Optically induced paramagnetic centres and local structural order in caalcogenide glasses The Structure of Non- Crystalline Materials (ed.by Gaskell P.H.) Cambridge, 1977, p.109-112.

66. Bishop S.G., Strom U., Taylor P.C. Optically induced Localized Paramagnetic States in Amorphous Semiconductors -Phys,Rev. Lett., 1976, v.36,p.543-547.

67. Любин В.M. Стеклообразные полупроводники в устройствах регистрации оптических изображений В кн. Структура и свойства некристаллиаёских полупроводников, Лениннрад, 4Наука", 1976, с.415-425.

68. Shibata S., Terunuma Y., Manabe T. Ge- P-S Chalcogenide glass Fibers Jap.J. Appl. Phys., 1980,v.19,1. N10, L 603 L605.

69. Lezal D. Infrared optical fmbers Proc. Int. Conf. "Amorphous Semiconductors -82", Bucharest, 1982, p.65-&71.

70. Arai K., Itoh U., Hamikawa H. Photoluminescence in Ge-S glasses Jap. J. Appl. Phys,, 1974, v.13, p.1305-1306.

71. Arai K., Itih U., Komine H., Namikawa H. Photoluminescence in Ge-s glasses Труды 6-№ Международной конференции по аморфным и жидким полупроводникам, Л.,1976, с.222-226.

72. Васильев В.А., Коломиец Б.Т., Мамонтова Т.Н., Иванов Г.Х. Излучательная рекомбинации в стеклообразных полупроводниках

73. Ge2S3, Ge2Se3, Ge-Pb-S Письма ЖТФ, 21, 183 -I86.1975.

74. Коломиец Б.Т., Мамонтова Т7Н., Ввсильев В.А. Фотолюминесценция стеклообразных халькогенидов германия Труды 6-й Междунадрдной конференции по аморфным и жидким полупроводникам, Ленинград, 1976, "Наука", с.227-231.

75. Tichy Ь., Triska A., Prumar m.,Ticha Н., ICLikorka J.

76. Compositional dependence of the optical gap in Ge1 S, ,1.—X

77. Ge40-xSbxS60 8,114 ^As2S3^x^Ab2S3^1-x non" crystalline systems- J.Won-Cryst. Solids, 1982, v.50, p.371-378.

78. Cernt V., Prumar M. ESR study and model of paramagnetic defect in Ge-S glasses L Non-Cryst. Solids, 1979,v.33, p.23-39.

79. Мамонтова Т.Н., Муканов X.K., Рожков В.М. О влиянии примеси А и на ЭПР и усталость фотолюминесценции стеклообразного селена ФТП, 1982, т.16, C7I30I-I304.

80. Arai К., Namikawa H. ESR in Ge -S glasses Solid St. Comm. 1973, v.13j N8, 1167-1170.

81. Watanabe I., Ishikawa M., Shimizu T. On thr property and origin of paramagnetic defects in amorphous Ge-S and Ge-S-Ag J Phys. Soc. Japan, 1978, v.45, N 5, p.1603-1607.

82. Gaczi P.J. As and S centered paramagnetic species in sulphur glasses Phil. Mag. В, 1K982, v.45, p.241-259.

83. Kolomiets B.T. Vitreous Semicomductors (1-, (II) -Phys.Stat.Solidi , 1964, v.7 p.359-372.

84. Мамонтова Т.Н., Васильев В.А. Фотолюминесценция халькоге-нидньгс стеклообразных полупроводников: влияние примесей-В кн. Структура , физико-химичкские свойства и применение некристаллисеких полупроводников,Кишинев, 1980, с.165-170.

85. Street R.A., Searle Т.М., Austin I.G. Photoluminescencein amorphous selenium and its alloys Proc. 12th Int. Conf. on the Puysics of Semiconductors , 1974, p. 1037-1041.

86. Bishop S.G., Taylor P.O. Photoluminescence and optically induced ESR in pure and К doped glaasy Se - J.Non-Cryst. Solids, 1980,v.35&36, p.909-913.

87. Виноградова^., Демокритова H.B., йлизаров JI7M., Дембовс-кий С.А., Вельский Н.К. Сравнительный анализ методов очистки селена HAs2Se3 от кислорода В кн. Аморфные полупроводники 82" Бухарест, 1982, с.308-310.

88. Vasko A. Bestimmung des Sauertoffgehaltes im amorphen Selen mjt der Infrarotspektroskopie Phys. St. Solidi, 1965, v.8, к<Ф1-К42.

89. Bishop S.G., Taylor P.O. Iron impurities as non-radiative recombination centres in chalcogenide glssses Philosop. Mag. В., 1979, v.40, N6, p. 483- 495.

90. Twadell V.A., La Course W.C., Mackenzze J.P. Impurity effects on the structure and electrical properties of non-crystalline selenium. J. Hon- Cryst. Solids, 1972, v.8-10,p. 831-836.

91. Kolomiets B.T., Mamontova f .IT., Chernyshov A.V., Vinogradova G.Z., Demokritova N.V. The effecy of Low Oxygen Concentrations on the Photoluminescence of Vitreous Selenium -Phys.Stat.Solidi (a), 1983, v.79, K89-K92.

92. Полинг Л., Полинг П. Общая химия, Мир, М., 1977,

93. Коломиец Б.Т, Мамонтова Т.Н., Чернышев А.В. Зависимость усталости ФЛ от состава в ХСП системы AsjxSex ФТП, 1983, т.17, в.9,c.I708-I7I0.

94. Распопова Е.М., Маслобоев В.А., Полежаева Л.И., Коломиец Б.Т. Калинина Н.Н., Шило В.П. Синтез халькогенидных стекол с редкоземельными элементами Доклады Международной конференции "Аморфные полупроводники 78", Прага-Пардубипе,• 1978, С.162-165.

95. Hansen H.E., Petersen К., Topolsky J. Positron Annihilation in Ge-S Glasses Appl. Phys.A., 1983, v.26, p.35-38.

96. Kobrin B.V., Kuprianova R.M., Minaev V.S., Prokopiev E.P., Shantorovich V.P. Study of imperfections in Ge-Te Semiconductors by Positron Annihilation Technique Phys.Stat.Sol. (a), 1982, v.73, 321-324., Alek

97. Kobrin В.V., Shantorovich V.P., Chernyshev A.V. On the nature of photoluminescence and EPR centers in glassy GegS^ in terms of positoon annihilation Solid Stat.Comm., 1983, v.48, N11, 937 -940.

98. Алексеева O.K., Михайлов В.И. Чернов А.П., Шанторович В.П. Изучение точечных структурных дефектов в халькогенидных полупроводниках методом аннигиляции позитронов ФТТД977, т.19, с.3452- 3454.