Исследование влияния добавок Pb, Sn, Tl, Bi на электрофизические свойства систем Ge-Se и Ga-Te тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. НЕУПОРЯДОЧЕННОЕ СОСТОЯНИЕ, МОДЕЛИ

ТОКОПЕРЕНОСА И МЕТОДЫ ПОЛУЧЕНИЯ ХСП.

1.1. Виды неупорядоченных систем.

1.2. Классификации неупорядоченных систем.

1.3. Модели энергетических зон в неупорядоченных полупроводниках.

1.4. Механизмы токопереноса в некристаллических веществах.

1.5. Методы получения халькогенидных стеклообразных полупроводников.

1.5.1. Метод получения объемных ХСП.

1.5.2. Получение аморфных пленок методом термического напыления.

1.5.3. Получение аморфных пленок методом плазмо-химического осаждения из газовой фазы.

Актуальность темы. Начало создания приборов на основе стеклообразных полупроводников было положено открытием Коломейдем Б. Т. и Лебедевым Э. А. в 1963 г эффекта переключения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП). Наличие эффекта переключения с "памятью" и без памяти, повышенная радиационная стойкость послужили предпосылкой для создания на основе ХСП активных элементов, которые обладают широкими функциональными возможностями. На базе эффекта переключения с "памятью" можно создавать коммутирующие пороговые приборы, логические схемы с "памятью" с высокой скоростью считывания, схемы многозадачной логики и так далее. Одним из наиболее перспективных направлений применения ХСП является создание ре-программируемых постоянно запоминающих устройств с электрической перезаписью информации, устойчиво работающих при повышенных уровнях радиации. Для создания таких устройств необходим не только элемент памяти, устойчиво работающий при повышенных уровнях радиации, но и устройства, управляющие его работой в этих же условиях.

В настоящее время для создания элементов памяти используется состав Ge15Te8iAs4. Элемент памяти на основе этого состава обладает хорошими переключающими характеристиками и высокой стабильностью переключения. Недостатком является относительно высокое пороговое напряжение, в зависимости от конструкции оно составляет от 15 до 25 В. Длительное время для создания переключающих элементов использовали ХСП состава GeioSii2As30Te48, предложенного С. Овшинским. Дальнейшие исследования показали, что при частичной замене Ge и Si на Ga в этом составе увеличивается стабильность электрических параметров. В более поздних работах показано, что добавление Pb, Sb, Cu в халько-генидные стеклообразные полупроводники на основе системы Te-Ge приводит к уменьшению порогового напряжения. Для данной системы обнаружена корреляция между средней энергией химической связи системы и пороговым напряжением переключения. Следовательно, для создания стабильных переключающих элементов с небольшим пороговым напряжением необходимо применять ХСП, в состав которых входят атомы ва и металлов с малой энергией связи. Наименьшей энергией металлической связи обладают элементы главной подгруппы, такие как ртуть, сурьма, таллий, свинец и олово, но введение ртути и сурьмы приводит к кристаллизации стекол. Исходя из перечисленных фактов, для исследования была выбрана система ва- Те - X, где X - свинец, таллий, олово.

Для создания развязывающих элементов в ячейке памяти необходимо использовать транзисторы или диоды, а для этого необходимы полупроводники обоих типов проводимости (электронного и дырочного типов). В настоящее время существует несколько систем халькогенидных стеклообразных полупроводников, обладающих электронным типом проводимости, на основе системы Ое-^е. Условия инверсии типа проводимости сильно зависят от метода получения образцов. Одним из перспективных методов получения аморфных халькогенидных пленок является метод плазмо-химического осаждения из газовой фазы (ПХОГФ), который широко используется для получения слоев а-БкН. Следовательно, очень важной и актуальной является задача установления взаимосвязи между методами получения и электрофизическими свойствами халькогенидных пленок.

Цель работы. Исследование влияния методов получения халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ое-8е на электрофизические свойства и определение влияния добавок Т1, РЬ, 8п на переключающие характеристики приборов на основе системы ва-Те для создания ячейки памяти, устойчиво работающей при повышенных уровнях радиации.

Постановка задачи:

1. Провести анализ моделей инверсии типа проводимости в халькогенидных стеклообразных полупроводниках с собственной проводимостью на основе кванто-химического подхода.

2. Определить влияние методов получения образцов халькогенидной системы ве-8е на электрофизические параметры.

3. Установить влияние олова, таллия и свинца на оптические и транспортные свойства стеклообразных объемных образцов и аморфных пленок на основе системы ва-Те.

4. Разработать ячейку памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников.

Научная новизна работы состоит в следующем:

1. Установлена закономерность изменения электрофизических свойств в системах ва-Те-Х (X = РЬ, Бп, Т1) от доли химической связи Х-Те. Показано, что с увеличением количества связи Х-Те для пленочных и объемных образцов происходит уменьшение энергии активации электропроводности, оптической ширины запрещенной зоны, термоэдс и увеличение удельной электропроводности. Для объемных образцов эти зависимости более близки к линейному закону.

2. Экспериментально установлено, что пленки, полученные методом плазмо-химического осаждения из газовой фазы (ПХОГФ), имеют те же структурные единицы, что и монолитные образцы. Оптическая ширина запрещенной зоны и удельная электропроводность для пленок ве-Бе, полученных методом ПХОГФ, больше на 2,1 - 9,2 % (в зависимости от химического состава), чем для пленок, полученных термическим напылением в вакууме, и на 2,3- 4,8 % для монолитных образцов, полученных методом сплавления.

3. Теоретически показано, что введение висмута (свинца) в систему Ое8е3>5 приводит к образованию молекулярных орбиталей за счет образования связей Вь-Бе (РЬ-Зе). При этом по энергии связывающие орбитали химической связи ЕН(РЬ)-8е попадают в область потолка валентной зоны, которая образована в халькогенидных полупроводниках одиночными парами атомов Бе. Это приводит к нарушениям в валентной зоне, что в свою очередь связывается с уменьшением подвижности дырок. При некоторой концентрации атомов ЕЛ (РЬ) подвижность дырок становится меньше, чем для электронов, что свидетельствует о переходе от дырочного типа проводимости к электронному.

4. Экспериментально показано, что запоминающий элемент на основе состава Са^Тет^пз, обладает на 60 % меньшим пороговым напряжением (5 В) и большим температурным диапазоном (до + 90 °С) по сравнению с раннее используемым составом Ое15Те81Аз4 при одинаковых конструкциях элемента.

Практическая ценность работы состоит в следующем:

1. Исследовано влияние режимов получения аморфных пленок ОеЧЗе методом плазмо-химического осаждения из газовой фазы на их химический состав. Варьируя соотношением газов ОеНд и Н28е, общим давлением в реакторе можно получать пленки в широком диапазоне химического состава от ОегБе до веЗез.

2. Рассчитана топология ячейки памяти на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников с учетом плотности состояний в щели подвижности. Ячейка памяти обладает следующими электрическими параметрами: пороговое напряжение 5 В, ток записи низкоомного состояния 1,6 мА, ток стирания низ-коомного напряжения 80 мА.

Реализация результатов работы. Методика измерения переключающих характеристик элементов памяти на основе ХСП внедрена в лабораторный практикум для студентов специальности 200200.

Положения, выносимые на защиту:

1. Для халькогенидных стеклообразных полупроводников системы Ое-Бе с собственным типом проводимости инверсия типа проводимости объясняется тем, что введение В1 приводит к образованию связывающих орбиталей, которые попадают в область потолка валентной зоны, образованной одиночными парами халькогена. Это приводит к нарушениям в валентной зоне, что в свою очередь связывается с уменьшением подвижности дырок. При некоторой концентрации добавок подвижность дырок становится меньше подвижности электронов, а это является условием перехода от р- к п-типу проводимости.

2. Для пленок Оех8еюо-х5 полученных методом ПХОГФ, ширина запрещенной зоны увеличивается с ростом х и достигает максимального значения 2,26 эВ при х = 33, а затем уменьшается до 1,82 эВ при х = 40.

3. Установлена корреляция между электрофизическими свойствами системы ва-Те-Х (где Х-Бп, РЬ, Т1) и концентрацией структурной единицы Те-Х. При этом для состава Оа22Те70Х8 при замене Бп на РЬ и на Т1 происходит уменьшение оптической ширины запрещенной зоны (от 0,91 до 0,81 эВ), энергии активации электропроводности (от 0,62 до 0,45 эВ) и энергии активации термоэдс (от 0,56 до 0,41 эВ), и увеличение удельной электропроводности (1,16-10 до 2,53-10" 5 Ом"1-см"1). В переключающих элементах на основе этой системы происходит уменьшение порогового напряжения (от 72 до 48 В). Эти изменения связаны с уменьшением средней энергии связи в веществе.

4. Экспериментально установлено, что переключающий элемент на основе состава Оа16Те768п8 обладает меньшим пороговым напряжением (5 В) и большим температурным диапазоном (до + 90 °С) по сравнению с раннее используемым составом Ое15Те81А84 при одинаковом конструкционном исполнении элемента.

Апробация работы

Основные результаты работы, полученные в данной диссертации, докладывались на научном семинаре, посвященном памяти профессора Василия Васильевича Тарасова "Новые идеи в физике стекла" (Москва, 1997 г.), на научном семинаре "Решетки Тарасова и новые проблемы стеклообразного состояния" (Москва, 1999 г.) и всероссийской научно-технической конференции студентов, молодых ученых и специалистов (Рязань, 1997 г.). Результаты, положенные в основу диссертации, опубликованы в 6 работах.

Объем и структура диссертации Диссертация состоит из введения, четырех глав, общих выводов и списка цитируемой литературы, включающего 96 наименований. Общий объем работы составляет 116 страниц печатного текста, 45 страниц рисунков и 14 таблиц.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО РАБОТЕ

1. Развита модель инверсии типа проводимости на основе кванто-химического подхода для ХСП с собственной проводимостью на примере стекол системы ве-Бе с добавками В1 (РЬ). На основании метода линейной комбинации атомных орбиталей показано, что связывающие орбитали для атомов В1 (РЬ) попадают в область потолка валентной зоны, которая образована в халькогенидных полупроводниках одиночными парами атомов Бе. Это в свою очередь приводит к уменьшению подвижности дырок, и при некоторой концентрации атомов В1 (РЬ) подвижность дырок становится меньше, чем электронов, что свидетельствует о переходе от дырочного типа проводимости к электронному.

2. Пленки системы Ое-Бе, получаемые методом ПХОГФ, имеют те же структурные единицы, что и объемные образцы.

3. Процесс переноса носителей заряда в образцах систем ве-Те-РЬ и Ое-Те-Бп осуществляется по биполярному механизму (электронами и дырками) по распространенным и локализованным состояниям, а для Ое-Те-Т1 — только по распространенным состояниям. Все исследуемые образцы систем ве-Те-Х (X = РЬ, Бп, Т1) обладают р-типом проводимости, исходя из измерений термоэдс. Для объемных и пленочных образцов системы Ое-Те-Х, где Х-свинец, таллий и олово, установлена корреляция между электрофизическими свойствами (Еа и с29з к) и долей связи Х-Те.

4. При замене таллия на свинец и олово происходит сильное изменение значения удельной электропроводности. Так для системы Оа22Те70Т18 удельная электропроводность при 293 К составляет 2,53-10"5 Ом"1-см"1, для Оа22Те7оРЬ8 - 1,25-10"6 Ом"1-см*1, а для Оа22Те708п8 - 7,16-10"7 Ом"1-см"1. Большая величина энергии активации электропроводности - 0,62 соответствует составу с содержанием олова, а меньшая -0,45 - соответствует ХСП с содержанием таллия.

155

5. При замене Т1 на РЬ и 8п в системе Оа22Те70Х8 происходит увеличение порогового напряжения от 48 В (для Оа22Те70Т18) до 55 В (для Оа22Те7оРЬ8) и до 72 В (для Оа22Те708п8). Сопротивление в высокоомной части увеличивается на порядок от 2,1 МОм (для Оа22Те70Т18) до 10,2 МОм (для Оа22Те7о8п8). Сопротивление в низкоомной части возрастает от 1,4 кОм (для Оа22Те7оТ18) до 4,1 кОм (для Оа22Те70РЬ8).

6. Экспериментально показано, что переключающий элемент на основе состава Оа1бТе7б8п8 обладает меньшим пороговым напряжением (5 В) и большим температурным диапазоном (до + 90 °С) по сравнению с раннее используемым составом Ое15Те81Аз4 при одинаковых конструкциях элемента.

1. Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. В 2 т.: Пер. с англ./ Под ред. Б.Т. Коломийца. — М.: Мир, 1982. -658 с.

2. Зейман Дж. Модели беспорядка: Пер. с англ./ Под ред. В.Л. Бонч-Бруевича. — М.: Мир, 1982. 591 с.

3. Электронная теория неупорядоченных полупроводников/ В.Л. Бонч-Бруевич, И.П. Звягин, Р. Кайпер и др. М.: Наука, 1981. - 384 с.

4. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. — М.: Наука, 1977.-215 с.

5. Неупорядоченные полупроводники: Учебное пособие/ A.A. Айвазов, Б.Г. Будагян, С.П. Вихров и др. —М.: Издательство МЭИ, 1995. 352 с.

6. Roy R. Classification of non-cristalline solids // J. Non Cryst. Solids. -1970. - Y. 3. -№ l.-P. 33-40.

7. Дембовский С.А., Чечеткина E.A. Стеклообразование — M.: Наука, 1990. 279 с.

8. Попов А.И. Аморфное и стеклообразное состояния твердого тела // Изв. АН СССР. Неорганические Материалы. 1981. - Т. 17, - № 8. - С. 1402 -1406.

9. Минаев B.C. Попытка классификации разновидностей твердого состояния вещества // Электронная техника. Сер. Материалы. 1983. - № 8. - С. 8-13.

10. Ю.Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые сплавы. М.: Металлургия. 1991.-407 с.

11. П.Пинскер Г.З. Структура аморфных пленок // Изв. АН СССР. Сер. Неорганические материалы. 1979. - Т. 15. -№ 10. - С. 1713 -1717.

12. Пинскер Г.З. Определение решеточных закономерностей в аморфной структуре // Физика и химия стекла. 1980. - Т. 6. - № 5. - С. 521 -524.

13. Минаев B.C. Стеклообразование в халькогинидных полупроводниковых системах // Обзор по электронной технике. Сер. Материалы. М.: ЦНИИ. Электроника - 1983. № 7 (980). - С. 34.

14. Полтавцев Ю.Г. Структура полупроводниковых расплавов. М.: Металлургия, 1984. - 176 с.

15. Порай-Кошиц Е.А. О ближнем и среднем порядках в структуре стекла // Физ. и хим. стекла. 1992. - 18. - № 5. - С. 43 - 50.

16. Порай-Кошиц Е.А. О строении стекла. Проблемы и перспективы // Физ. и хим. стекла. 1992. - 18. -№ 16. - С. 3 - 9.

17. Минаев B.C. Щелоков А.И. Классификация ближнего порядка в твердых талах// Изв. АН СССР. Неорган. Материалы. 1987. - Т. 23. - № 6. - С. 1021 -1026.

18. Вихров С.П. Инверсия типа проводимости и транспортные свойства неупорядоченных халькогенидных полупроводников. Рязань: РРТИ, 1987. - 298 с.

19. Glusker Jenny P. Structural aspects of intermolecular interactions // Mol. Crust, and Liquid Crust. 1992. - 211 - P. 75 - 88.

20. Левиш A.A. Введение в квантовую химию твердого тела. М.: Химия, 1974.-354 с.23 .Губанов А.И. Флуктационные локальные уровни в аморфных полупроводниках // ФТТ. 1962. - Т. 4. - № 10. - С. 2873 -2876.

21. Губанов А.И. Квантово электронная теория аморфных полупроводников. - М. - Л.: Изд-во АН СССР, 1963. - 250 с.

22. Cohen. М.Н., Fritzache Н., Ovshinsky S.R. Simple band model for amorphous semiconducting alloys // Phys. Rev. Lett. 1969. - V. 22. - № 20. -P. 1065-1068.

23. Marshall J., Owen A.E. Electronic propertise end localised states in amor-phouse semiconductors// Phil. Mag. 1971. - Vol. 24. - P. 1281.

24. Mott N.F. Conduction in non-crystalline materials. III. Localized states in a psevdogap and near extemities of conduction and valence bands // Phil. Mag. -1972. Vol. 26. - P. 505-525.

25. Anderson P.W. Model for the electronic structure of amorphous semiconductors// Phys. Rev. Lett. 1975. Vol. 34, № 15. P. 953-955.

26. Street R.A., Mott N.F. States in the in glassy semiconductors // Phys. Rev. Lett.-1975.-Vol. 35.-№ 19.-P. 1293-1296.

27. ЗО.Однолюбов M.A., Пахомов A.A. Энергия связи D~~ центра в квантовой точке // ФТП - 1995. - Т. 29. - № 5. - С. 1110 - 1115.

28. Kastner М., Adler D., Fritzsche Н. Valence-alternation model for localized gap states in lone-pair semiconductors// Phys. Rev. Lett. 1976. - Vol. 37. -№22.-P. 1504-1507.

29. Клингер М.И. Проблемы современной физики. Л.: Наука, 1980. 239 с.

30. Клингер М.И., Карпов В.Г. Модель мягких потенциалов// ЖЭТФ. 1982. -Т. 82.-С. 1687.

31. Карпов В.Г. Альтеративная модель локализованного состояния в щели подвижности// ЖЭТФ. 1983. - Т. 85. - С. 1017.

32. Galperin Yu. М., Karpov V.G., Kozub V.I. // Adv. in Phys. 1989. - Vol. 38. - № 6. - P. 669.

33. Барановский С.Д., Карпов В.Г. Процесс токопереноса в халькогенидных стеклообразных полупроводниках// ФТП. 1987. -Т. 21. -№ 1.-С. 1.

34. Клингер М.И.// Матер. Междун. конф. "Некрист. полупр. 89": Структура, физико-химические свойства и применение некристаллических полупроводников. - Ужгород, 1989. - С. 4.

35. Mott N.F., Davis Е.А., Street R.A. States in the gap and recombination in amorphous semiconductors // Phill. Mag. 1975. - V. 32. - № 5. - P. 961 -966.

36. Дощанов K.M. Общая модель электропроводности поликристаллических полупроводников // ФТП. 1994. - Т. 28. - № 4. - С. 692 - 700.

37. Botter Н., Bryksin V.V., Sihulz F. Hopping conducttion in disordered sustems in the presence of magnetic field // Phys. Rev. B. 1994. - № 4. - C. 2447 -2459.

38. Nagels P., Tichy L. Observation of variable-range hopping conduction in a Ge-Sb-S glass alloyed with CoS // J. Non-Cryst. Solids, 164 -166 (1993). -P.l 187 -1190.

39. Zareba A., Demianiuk M. Hopping conductivity in (Zn, Fe)Se in tentionally doped with Ag // Actu. phus. pol. 1992. - 82. - № 5. - P. 749 -752.

40. Fritzsche H. A general expression for the thermoelectric power // Solid State. Commun. 1971. - V. 9.-P. 1813-1815.

41. Cutler M., Mott N. F. Observation of Anderson localization in an electron gas //Phys. Rev.-1969.-V. 181. -№. 3. -P. 1336-1340.

42. Fridman L. Hall Conductivity of amorphouse semiconductors in the random phase model // J. Non-Cryst. Solids 1971. - V. 6. - P. 329 - 341.

43. Emin D. The Hall effect in amorphous semiconductor // Proc. 7-th Int. Conf. on amorph. and liquid semicond. / Ed. by W.E. Spear. Edinburgh, 1977. - P. 249-260.

44. Нагельс П. Электронные явления переноса в аморфных полупроводниках // В кн.: Аморфные полупроводники. М.: Мир, 1982. - С. 146-200.

45. Фирсов Ю.А. Поляроны Малого Радиуса. Явления переноса // ФТП -1995. Т. 29. - № 5. - С. 994 - 1039.

46. Мотт Н.Ф. Проводимость, локализация и край подвижности // В кн.: Физика гидрогенизированного аморфного кремния. М.: Мир, 1988. - Вып. 2.-С. 217-246.

47. Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств: Справочник. М.: Радио и связь, 1991. - 528 с.

48. Равич Ю.И., Ефимов Б. А., Смирнов И.С. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS. -М.: Наука, 1998 г.-384 с.

49. Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. JL: Изд-во Ленингр. ун-та, 1983. 344 с.

50. Довгошей Н.И. Кристаллические и аморфные пленки новых сложных полупроводников. Ужгород: Уж. ГУ, 1986. — 110 с.

51. Довгошей Н.И. Тонкие пленки сложных полупроводников. Ужгород: Уж. ГУ, 1985.- 110 с.

52. Костылев С.А., Шкут В.А. Электронное переключение в аморфных полупроводниках. Киев: Наукова Думка, 1978. - 203 с.

53. Sleeckx Е., Nagels P., Callaerts R., Van Roy М. Vanroy Plasma-enhanced C.V.D. of amorphous GexSix and GexSeix films // Journal de physique IV C3 (3).- 1993.-P. 419-424.

54. Nagels P. Preparation of amorphous chalcogenide films by plasma-enhanced chemical vapour deposition// Electronic, Optoelectronic and Magnetic tninfilms/ Eds. J.M. Marshall, N Kirov and A. Vavrek (Research Studies Press, Taunton). 1995. -P.226-269.

55. Sleeckx E., Nagels P., Callaerts R. and Van Roy M. Plasma-enhanced chemical vapour deposition of amorphous GexSeix films. // Journal of Non-Crystalline Solids. 164-166 (1993). - P. 1195-1198.

56. Павлов JI. П. Методы измерения полупроводниковых материалов: Учеб. для вузов по спец. "Полупроводниковые и микроэлектронные приборы". 2-е изд., М.: Высш. шк., 1987. - 239 с.

57. Паперный Е.А., Энделыдтейн И.Л. Погрешности контактных методов измерения температуры. -М.-Л.: Энергия, 1980. 96 с.

58. Веншек Я. Измерения низких температур электрическими методами // Пер. с чешского. М.: Энергия, 1980. - 224 с.

59. Коломиец Б.Г., Распопова Е.М. Исследование высокоомных халькоге-нидных стекол методом термоэдс // ФТП -1971. -Т. 5 № 8 С. 15411546.

60. Глазов В.М., Вобст М., Тимошенко В.И. Методы исследования свойств жидких металлов и полупроводников. М.: Металлургия, 1989. - 384 с.

61. Глазов В.М., Чижевская С.Н., Глаголева Н.Н. Жидкие полупроводники. -М.: Наука, 1967.-244 с.

62. Температурные измерения. Справочник / О.А. Геращенко, А.Н. Гордов, А.К. Еремина и др.; Отв. ред. О.А. Геращенко; АН УССР. Ин-т проблемы энергосбережения. Киев.: Наук, думка, 1989. -704 с.

63. Лей Л. Фотоэмиссия и оптические свойства // В кн.: Физика гидрогени-зированного аморфного кремния. М.: Мир. 1988. - Вып. 2. - С. 86 -216.

64. Tohge N., Matsuo Н. and Minami Т. Electrical properties of n-type semiconducting chalcogenide glasses in the system Pb-Ge-Se// J. Non-Crystalline Solids. 95-96 (1987). - P 809-816.

65. Tohge N., Minami Т., Tanaka M. Praparation and conduction mecanism of n-type semiconductihg chalcogenide glasses chemically modified by bismuth // J. Non-Crystalline Solids. 1980. - № 38 -39. - P. 283 - 288.

66. Борисова З.У. Влияние металлических примесей на физико-химические свойства халькогенидных стекол//Аморфные полупроводники-82. Сб. докл. конф. Бухарест, 1982. - С. 8-13.

67. Тверьянович Ю.С., Борисова З.У. Микронеоднородность и примесная проводимость в халькогенидных стеклах//Стеклообразные полупроводники: Тез. докл. Всес. конф. Л., 1985. - С. 288-289.

68. Шейнкман М.К., Шик А.Я. Долговременная релаксация и остаточная проводимость в полупроводниках//ФПП. 1976. - Т. 10. - № 2. - С. 209233.

69. Nagels P.S., Tichy L., Tichy H. and Triska A. Physics of Disordered Materials ed: Adler D., Fritzsche H. and Ovshinsky S.R. Plenum, New York, 1985. -P. 645.

70. Мазец Т.Ф., Цэндин К.Д. Микронеоднородная модель легирования пленок ХСП// ФТП. 1990. - Т. 24. - Вып. 11.-С. 1953-1958.

71. Соболев В.В., Широков A.M. Электронная структура халькогенов. Сера, селен, теллур. М.: Наука, 1988. - 224 с.

72. Мазец Т.Ф., Цэндин К.Д. Физика некристаллических полупроводников. -М.: Мир, 1989-258 с.

73. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи: Пер. с англ. М.: Мир, 1983. - Т. 2. - 332 с.

74. Химия и периодическая таблица/ К. Сайто, С. Хаякава и др. Пер. с яп.; Под ред. К. Сайто. М.: Мир, 1982. - 320 с.

75. Соболев В.В., Немошкаленко В.В. Методы вычислительной физики в теории твердого тела. Электронная структура полупроводников. Киев: Наук, думка, 1988. - 424 с.81 .Tronc P., Bensoussan М. and Brenac A.// Phys. Rev. В. 8 (1973). - P. 5947.

76. Phillips J.C.// J. Non Sold. Phis. 43 (1981). - P. 37.

77. Boolchand P., Grothaus J., Bresser J. and Suranyi P.// Phys. Rev. B. 25 (1982).-P. 2975.

78. Sleeckx E., Nagels P. R. Plasma-enhanced chemical vapour deposition of amorphous films. // J. Phys. IV. 3(1993). - C3-419: J. Non-Cryst. Solids. -164-166 (1993). - P. 1295 - 1299.

79. Nagels P., Tichy L., Sleeckx E. Callaerts Photodarkening induced at low temperatures in amorphous GexSeioo-x films // J. Non-Cryst. Solids. 5851 (1998).-P. 148-153

80. Lucovsky G., Yang J., Tyier J.E., Ross R.C. and Czulatyj Dj.// Phys. Rev. B. -31 (1985).-P. 2190.

81. Sleeckx E., Tichy L., Nagels P., Callaerts R. Thermally and photo-induced irreversible changes in the optical properties of amorphous GexSeioo-x films// J. Non-Cryst. Solids. 198-200 (1996) - P. 723-735.

82. Попов А.И. Структурная модификация метод управления свойствами некоторых халькогенидных стеклообразных полупроводников/ Структура, физико-химические свойства и применения некристаллических полупроводников - 80. - Кишинев, 1980. - С. 150 -153.

83. Попов А.И. Управление свойствами некристаллических полупроводников и параметрами на их основе путем структурной модификации материала: Автореферат диссертации Попова А.И. Москва, МЭИ, 1984. -37 с.

84. Рожкова Г.В. Разработка методов прогнозирования и стабильности параметров ХСП и электрическая характеристика диодных структур на их основе./ Диссертация, Рязань 1990.

85. Полупроводники A2B4C:j/ Под ред. Н.А. Горюновой, Ю.А. Валова. -М.: Советское радио, 1974. 374 с.164

86. Минаев B.C. Стеклообразные полупроводниковые материалы. Синтез, свойства, применение // Обзор по электронной технике. Серия: Материалы. -М.: ЦНИИ Электроника, 1974. 133 с.

87. Коломейце Б.Т., Лебедев Э.А. Вольтамперные характеристики точечного контакта со стеклообразным полупроводником // Радиотехника и электроника. 1963. - Т. 8. - № 12. - С. 2097 - 2099.

88. Андреев В.П. Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства на основе стеклообразных полупроводников. М.: Радио и связь, 1986. -136 с.

89. Костылев С.А., Шкут В.А. Электронные переключения в аморфных полупроводниках. Киев: Наукова Думка, 1978. - 203 с.

90. Меден А., Шо М. Физика и применение аморфных полупроводников: Пер. с англ. М.: Мир. 1991. - 670 с.