Фотолюминесценция в некристаллических полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ГОСУДАРСТВЕННЫЙ КСШГЕТ ПО ВЫСШЕЙ ШКОЛЕ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ

КАБАРДШО-БАЛКАРСКИЙ ОРДЕНА ДРУЕБЫ НАРОДОВ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

На правах рукописи

УДК 621.315.592:539.213:535 538.958:535.37.

БАБАЕВ АР® АЗИМСВИЧ ФОТСШЮМИНЕСЦЕНЦШ В НЕКРЖТАЛШЕСКИХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

01.04*07 - физика твердого тела

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени доктора физике -математических наук

Нальчик - 1993

Работа выполнена в Институте физики Дагестанского науч-гого центра РАН

ШЦИАЛЪНЫЕ ОППОНЕНТЫ: доктор физико-математических наук,

главный научный сотрудник ЮШНГЕР М.И.

доктор физико-математических наук, профессор АЙВАЗОВ A.A.

доктор физико-математических наук, профессор САФАРМИЕВ Г.К.

едущая организация: Институт общей и неорганической химии

им. Н.С.Курнакова РАН г. Москва

Защита диссертации состоится - /у - ^¿^■Х 1993 г. ./■Г'^* час. на заседании специализированного совета 063.88.01 при Кабардино-Балкарском ордена Друябы народов 'сударственном университете по адресу: Ю004, г. Нальчик, ул. Чернышевского, 173.

С диссертацией можно ознакомиься в библиотеке КБ1У. Автореферат разослан " ^ " ^'-Ър-С^ л 1993 г.

эный секретарь ециализ^ованного совета

А.А.АХКУЕЕКОВ

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. Исследования, начавшиеся в 50-х годах в ФТИ им. А.Ф.Иоффе АН СССР Б.Т.Коломийцем и Н.А.Горю-новой привали к открытию нового класса материалов - халькогв-нидных стеклообразныз полупроводников (ХСП).

За сравнительно короткий период времени был накоплен большой экспериментальный материал, отражающий результаты исследования электрических, фотоэлектрических, оптических и физико-химических свойств этого класса полупроводниковых материалов. • Изучение этих свойств ХСП позволило найти им множество приложений в современной технике. Это малогабаритные элементы памяти, мишени вщщконов в телевидении, электрографические слои, для множительной аппаратуры, высокоразрещавдие среда для голографии, бессеребрянные слои в рентгенодиагностике, фототермо-пластики и др. параметров.

Ведутся работы по использованию ЖП в интегральной оптических схемах, в микроэлектронике, вычислительной технике и в автоматике. Наличие в халькогенидных системах больших областей стеклообразного состояния и возможность введения в состав ХСП многих элементов периодической системы позволяет получать материалы с заданным комплексом электрических, оптических и физико-химических параметров. Научный и практический интерес в ХСП вызван, во-первых, спецификой их энергетического спектра запрещенной зоны, которая состоит в существовании непрерывного спектра локализованных состояний с нетривиальным изменением ее плотности от краев разрешенных зон, во-вторых, наличие большого комплекса явлений, выявленных в зходе экспериментальных исследований ХСП привело к общему развитию физики некристаллических полупроводников.

Одной из фундаментальных проблем физики некристаллических полупроводников является установление природы и характера локализованных электронных состояний и распределения их энергетических уровней (шсотности состояний) в щели подвижности, особенно вблизи уровня Фзрми. В этой связи весьма важна разработка экспериментальных и теоретических методов выявления особенностей энергетического спектра в щели, 1С сонеле-

шт, прямых экспериментальных методов здесь было мало, а их возможности были ограниченными. Так, методы, исследующие токи, ограниченные пространственным зарядом, терло- и фотоин-дуцировапную проводимость или термостимулированную деполяризацию, могут привести лишь к определению концентрации состояний типа ловушек и их распределения по энергии. Поэтому,необходимы были новые методы исследований, которые могли бы восстановить спектр глубоких состояний в щели.

В настоящей работе- было продолжено исследование специ-$ики энергетического спектра запрещенной зоны некристаллических. полупроводников с использованием мощного информативного д /эффективного метода фотолшинесценции (ФЛ), что поз-зслила поставить серию исследований, направленных на выявлена деталей явления, которые могут дать представление о ряде гарамэтров, являющихся необходимыми как с позиции теории, так I практики. В этой связи теш диссертационной работы весьма актуальна. .-■'•'.'

Работы, выполненвда вначале на стэклоообразных сульфиде г солэнцдэ катыша а внявленныэ специфические особенности ¡нзвалз повшэвннй интерэс к явлению ФЯ в ХСП и стимулирова-п исследования М в шкриоталлачееких полупроводниках во юем шрэ. ,

■ Паль работы. При проведении исследований преследовались ■рн цела:

. Изучение особэнностай.поведения неравновесных носителей заряда, их генерация и рекомбинация. Получение информацшгоб. энергетическом спектре электронных •состояний н природа дефектных состояний. . Выявление возлслностэй использования метода ФЛ в качестве инструмента, позволяющего целенаправленно контролировать дефектные состояния при создании приборных структур. Для достиЕенш этих целей. предполагалось решить следующие за-ача. •-

Обнаруяить а изучать в различных бинарных и многоксмпо-энтных ХСП рекомбинащ энное излучение и всесторонне иссле-эвать физическую природу'явления. -

Исследовать методом ФЛ изменения энергетического спектра электронных состояний при переходе вещества из' неупорядоченного (стеклообразного) в упорядоченное (кристаллическое) сос- ' тонкие. • •■•

Изучить природу локализованных состояний участвующих в процессах генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда.

Исследовать влияние на ФЛ .температуры, энергии возбуждения, у -облучения, режима синтеза, термообработки, структурного разупорядочения (отклонения от стехиометрии), легирования различными приме сями.

Установить общие закономерности ФЛ свойств ХСП и некристаллических гидрогенизированных полупроводниковых пленок , а-ЗС^л/^Н.

Изучить возможности направленного управления параметрами ФЛ некристаллических полупроводников.

Научная новизна. Наиболее важными научными результатами диссертационной работы являются следующие:

- В бинарных и многокомпонентных ХСП обнаружена ФЛ с большим квантовым выходом, изучение которой показало, что в энергетическог спектре электронных состояний запрещенной зоны существуют глубокие центры излучательной рекомбинации, обусловленные собственными дефектами.

- Установлено, что спектры лшинесценцша ХСП и кристаллических аналогов характеризуются широкой Гауссовой формы полосой в несколько десятых электро-вольта с максимумам,распелся кнш, как правило, при энергии, равной приблизительно середине запрещенной зоны исследуемых материалов. .

- Показано, что спектр возбуждения лшинесценщш (СВЛ) ХСП характеризуется широкий куполообразной полосой, максимум которой соответствует слабому оптическому поглощению, что свидетельствуют о том, что поглощение и излучение связаны с одним и тем же типом собственных дефектов. Эти особенности свидетельствуют о наличии в ХСП сильного электро фононного взаимодействия. Форма спектра ФЛ бинарных ХСП не зависит от энергии возбуждения, а центры ответственные за излучение находятся в объеме прлупроводника.

- Установлено, что во всех исследуемых ХСП температурная зависимость интенсивности ФЛ описывается обратным законом Аре-ниуса, что является дополнительным свидетельством наличия собственных дефектов, ответственных за излучательную рекомбина-

цшо. •

- Установлены следующие закономерности основных параметров ¿Л ХСП при введении различных примесей, воздействий £ -радиации и термообработке и различных режимах синтеза.

- <,' -радиация, введение примесей, термообработки и различный решил синтеза не инициируют новых полос излучения.

- Введение различных примесей в процессе синтеза приводит, как правило, к смещению ФЛ и СВЛ в область меньших энергий, величина которого зависит от концентрации и рода примеси.

- ФЛ исследования показывают, что в оптической щели ЯЯ1 существуют два типа локализованных состояний - состояния "хвостов" и глубокие состояния локальных электронных центров с отрицательной корреляционной энергией.

- Обнаружено фотшотемнение, эффект усталости ФЛ в кристаллических порошках, и деформированных кристаллических аналогах ХСП. Эти явления связаны с разупорядочением кристаллов при названных воздействиях и дополнительно свидетельствуют

о том, что такие явления как усталость ФЛ и фстоструктурные изменения взаимосвязаны и присущи разупорядоченнсцу состоянию халькогенвдных материалов.

- Выявлены специфические особенности ФЛ различных систем ХСП. Так, в стеклах систешбле^з)^^ Ы^ при X ^ 0,01 обнаружена новая полоса излучения, максимум которой соответствует Ефд = 0,8 аВ. Новая полоса ФЛ имеет свой СВЛ. Показано, что за формирование новой полосы излучения ответственно появление новой фазы со структурной единицей , склонной к кристаллизации и обуславливающий размерные эффекты.

Эти выводы подтверждены результатами изучения спектров комбинационного излучения, электропроводности, ИК-погл еще кия, гермоЭДС.

- Обнаружен реверсивный эффект возгорания и затухания в процессе стационарного возбуддения в зависимости, от

жергии возбуждения в стеклах(<3е$э)100,х йс^ (Х^0,01).

- Показано, что концентрационные зависимости края поглощения, основных параметров ФЛ стекол систем Аъ-Ъе.-Те ,

и указывают на образование непрерывного ряда твердых растворов.

- Установлены закономерности измненений основных параметров ФЛ (положение максимума, полуширина, интенсивность, квантовый выход) и паевого поглощения аморфных гидрогенпзи-рованных пленок н г о.-Ы: н в зависимости от X и температуры. Во всех пленках от X = 0 до X = I наблюдается одна широкая полоса ФЛ, полокение максимума и полунш- ' рина которой коррелирует с изменением ширины запрещенной зоныл

- Обнаружена специфика ФЛ а-С:и г которая заключается в следующем:

- независимость квантовой эффективности ФЛ от энергии фотонов возбуждающего света (при ёе абсолютном значении)вплоть до 5 еВ;

- слабая температурная зависимость интенсивности ФЛ (4,2 * 900 К);

- наличие перекрытия высокоэнергетической области спектра ФЛ с низкоэнергетической областью спектра возбуждения;

- при вариации технологических условии приготовления а-С'-Н можно получать пленки, обладающие широкой полосой ФЛ с максимумами от 2,05 до 2,9 эВ, полушириной 0,8-0,6 гВ соответственно и шириной запрещенной зоны до 4,5 зВ;

- выявлены физические факторы: ответственные за формирование дефектных состояний ьа границе раздела многослойных структур слоев ги-р-^-р . В спектре ФЛ многослойных структур с различной степенью легирования обнаружена ФЛ, максимум которой соответствует Ер л = 0,8 еВ, ответственная за переходную область;

- показано, что вариация температуры подложки Т5 - 300* + 550°С и состава газовой смеси дает возможность получать образцы с низкой энергией активации, зысокой чувствительностью и большим квантовым выходом ФЛ по сравнению с плен-кали, полученные при низких Т5.

Научная и практическая значимость. Результаты приведенных исследований являются принципиально важными при разработке теории неупорядоченных систем и при разработке технологических основ целенаправленного получения ХСП с заданным комплексом физических свойств. Получены важные результаты о процессах генерации и рекомбинации неравновесных носителей заряда в ХСП, представляющие значительный интерес как для физики неупорядоченных полупроводников, так и для использования этих материалов в полупроводниковой электронике.

На пироном круге объектов ХСП и аморфных гидрогенизиро-эаннкх пленок получена информация о дефектах структуры и их особенностях, которая может быть основой для разработки метода лшянесцентной дефектоскопии полупроводниковых некристаллических материалов. Показана возможность получения тер-лостабилььнх широкозонных атаазопэдобных пленокй-С'-н , водород в которых содержится в конфигурациях устойчивых до 500 К. Эти пленки обладают ФЛ г максимумом 2,9 аВ и полушириной спектра 0,6 эВ,'квантовая эффективность которой постойная, в широком температурном интервале 4,2 + 700 К. Полугенные экспериментальные результаты позволяют использовать эффективность ФЛ как неразрушавдий метод технологического сонтроля дефектных состояний качества отвальных элементов [риборов на основе ХСП и а-Зс^С^н на различных стадиях к изготовления, определять температуру эффузии водорода в а-С:н

Б результате диссертационной работы сформировано новое гаучное направление - исследование ФЛ как метод диагностики дефектов и изучения энергетического спектра локализованный» юстояний в некристаллических полупроводниках л ее примене-ке при создании приборных структур.

. Защищаемое положение. I. ФЛ с большие квантовым емхо-;ом присущи широкому классу бинарных и многокомпонентных ХСП.

Процесс издучательной рекомбинации в ХСП обусловлен ильным эле.'-трон-фононным взаимодействием, о чем свидэтель-■твуют наличие широкой полосы излучения, ее энергетическое оло/кешхе, большой стоксовский сдвиг. В бинарных ХСП и со-тветствувдих кристаллах, сг-энгр ФЛ характеризуется широкой

полосой в несколько десятых электро-вольта, а его максимум расположен, как правило, при энергии, равной приблизительно середине запрещенной зоны. Спектр возбуждения люминесценции представляет собой также широкую полосу, максимум которой соответствует "хвосту" края оптического поглощения.-

2. ФЛ исследования подтверждают наличие е оптической щели ХСП, вследствие их структурной разулорядоченностл, двух типов локализованных состояний - состояний "хвостов" к состояния парных дефектов с отрицательной корреляционной энергией.

3. Характеристики ФЛ в бинарных ХСП имеют универсальный характер и присущен всем исследованным образцам вне зависимости от деталей технологии их синтеза, введения различных примесей, у - радиации.

К таковым можно отнести:

- не изменяется спектральное распределение ФЛ, СВЛ;

- слабое изменение максимума Ф1, полуширины, а также ее температурного гашения;

- примеси,как правило, приводят к смещению СВЛ в область меньших энергий;■

- не инициируют новых полос излучения;

- температурное гашение ФЛ в ХСП описывается экспоненциальным законом 3 - Зо у-) , Т0 - характеристика материала. °

4. Эффект даинновременного затухания ФЛ в процессе стационарного возбувдения является спецификой ХСП и кайявдается в широком круге бинарных и многокомпонентных ХСП. Он обусловлен существованием дефектов структур« типа "неправильных го-мополярных связей", стимулирующих безызлучательные процессы

и отсутствующих в кристаллических аналогах. Аналогичный эффект, обнаруженный в порошках и деформированных кристаллах находится в прямой связи с фотоструктурными изменениями (фо-тапотемнение и фотопросветление).

• 5. ФЛ исследования могут быть успешно использованы как неразрушапций метод диагностики фазового состава многокомпонентных ХСП. На примере стекол систем , , показано, что примеси, введенные в процессе синте-

за образуют в матрице ХСП химические связи с халькогеном, образуя новые структурные единицы, что проявляется в спектрах ФЛ И СВЛ.

6. Наличие одной широкой полосы ФЛ в пленках и О^и^уС^х;Я , полученных в едином технологический режиме,

смещение спектра ФЛ, СВЛ, края поглощения в область больших энергий, увеличение полуширины спектра ФЛ, падение квантовой эффективности с ростом X в системах являются свидетельством гомогенности полученных пленок и прямым следствием увеличения ширины запрещенной зоны, выполаживания "хвостов" плотности состояний и роста концентрации оборванных связей.

7. Вариация технологических параметров получения 0.-С-'И (получение разложением смеси Ю^СНч^УЛх в плазме тлеющего разряда емкостного типа при различных условиях осаждения £/р , где Е - напряженность электрического поля между электродами,

Р - давление газовой смеси в камере) позволяет управлять шириной запрещенной зоны и ФЛ свойствами аморфных алмазоподоб-ных пленок, водород в которых может находиться в конфигурациях, устойчивых до Т = 900 К.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Б диссертации представлены только оригинальные результаты автора. В начале каждой нлавы кратко изложено состояние рассматриваемой проблеглы по имеющимся литературным данным.

Во введении дается обоснование актуальности нового научного направления и выбора объектов исследований, форлулирует- • ся цель работы и основные положения-, выносимые на защиту, отмечается научная новизна и практическая значимость результатов исследований, приводятся данные о публикации апробации результатов работы.

Ь пепвой главе рассмотрен путь, выбранный для исследования энергетического спектра ХСП. Рассматриваются различные методы исследования энергетического спектра ХСП таких, как метод токов ограниченных пространственных зарядов, термо- и фс—■ тостимулированной проводимости, термостимулированной деполя-

ризации и т.д. Эти методы подтвердили предсказанную ранее Губановым наличие в запрещенной зоне ХСП непрерюного спектра состояний с плотностью, убивающей от 1фаев зон по экспоненциальному закону. Описываются различные модели запрещенной зоны. Рассматриваются основные представления о структуре исследуемых двухкомпонентных халькогенидных стекол. Приводится статистика подсчета связей для двух систем в модели химического упорядочения и в модели случайной ковалентной сетки, а также отклонения от идеализхфованных структур, которые имеют форму дефектов. Наличие ФЛ в ХСП открывает новый путь к изучению энергетического спектра некристаллических полупроводников.

Бо второй главе рассмотрен путь, выбранный для исследования энергетического спектра ХСП. Изложен новый для ХСП ш- •' тод фотолюминесценции. . '

Б первой части главы метод ФЛ используется в новом для ХСП качестве - как инструмент для исследования энергетического спектра, позволяющий изучить собственные дефекты исследуемых материалов в широком температурном и энергетическом интервале, а также и кинетические характеристики. Описана блок-схема установки для исследования ФЛ, СВЛ применительно к некристаллическим полупроводниковым материалам. Кратко описано преимущество метода ФЛ относительно известных ранее других методов изучения локализованных состояний некристаллических полупроводников. '

Вторая часть главы имеет "технологическую направленность" В ней описывается и реализуется способы получения монолитов ХСП и некристаллических пленок ...

Третья глава посвящена обнаружению и исследованию спектров ФЛ и СВЛ монолитов сульфида и селенида мышьяка в стеклообразном и 1фисталлическом состояниях в широком температурном интервале 4,2 - 300 К, с целью выявления специфики энергетического спектра при переходе из разупорядоченного в упорядоченное состояние. Определены энергетические характеристики центров ответственных за излучение. Спектры ФЛ исследуемых материалов представляют собой широкую полосу (подушири-

- Т' -

ja 0,35+0,4 эВ) с максимумом, соответствующим приблизительно ■-ередине запрещенной зоны. Тот факт,что энергия возбуждения свантов соответствует а положение максимума полосы ФЛ

гри -V- ^/è свидетельствует о наличии в ХСП сильного электрон-)ононного взаимодействия. Для изучения природы центров излу-:ения и механизма безызлучательной рекомбинации исследовали ■ешературную зависимость ФЛ в интерваяе 4,2 + 300 К. Яри низ-:их температурах 4,2 * (20+40 К) интенсивность ФЛ ХСП посто-:нна, дальнейшее увеличение те;иературы приводит к уменьшению нтенсивности по экспоненциальному закону.

Представлены исследования влияния X -радиации на ФЛ теклообразных и кристаллических, mîs^S^j при Т = 77 К. озы облучения ( источник Со®®) соответствовали 10^, 10^, 10^ Ю9 рентген. Влияние <г -облучения на ФЛ выражается в менылегата ее интенсивности (максимальная величина изменения оставляет 30$) и в изгенении энергетического положения мак-шума полосы излучения (до 0,1 эВ), новых центров излучения е обнаружено. Стеклообразные халькогениды мышьяка синтезя-овались при различных температурах 500°С, 700°С и 900°С в зжиме медленного охлаждения и закалки. Исследования спектров Л и СВЛ показали, что различные режимы синтеза и термообпа-отки не создает новых полос излучения, а изменяет интенсив-ость основной полосы ФЛ.

Приведены результаты исследований влияния различных римесей Ge , Ох , Jkf , СЫ Pg , введенных в пропес-

з синтеза до. I ат.% на ФЛ стеклообразного при Т =

77- К. Лотгззано, что квантовая эффективность излучения, как ' давило, падает, положение максимума и ее полуширина в зави-шости от рода чримеси может измениться в пределах 0,2 эВ. жмеся не создают новых полос излучения.

/Рассматриваются нг-которые теоретические представлзния о !ханизг.тпх ФЛ в ХСП. Многие из них базируются на гипотезе, вдвинутой на основании пгрвых работ по ФЛ в ХСП [1,2] о >м, что цвх.^ры рекомбинационного излучения в этих ма-теряа-'X обусловленн^структупными дефектами, которые поздэот глу-жие состояния оптической щелч . Развитие этой точки зре-1Я нашло глубокое отражение'в модели изолированных заряжен-

них центров излучательной рекомбинации (МдЬ) [3] , модели нейтральных дипольных центров ФЛ, основные на гипотезе Андерсона ["4,53 , модели квазимолекулярных центров лшинес-ценции [б] . Другие представления о центрах ФЛ в ХСП были развиты в модели 1фаев рекомбинации, полягэнной модели. В последнее время интенсивное развивается модель Клингера, основанная на представлении об автояокализации электронов в "мягких" атомных конфигурация^ стекла [7] .

Полученные экспериментальные результаты объясняются в рамках модели, представляющей автолокализование состояний синглетных электронных пар с большим значением отрицательно:' корреляционной энергии. Такие состояния образуются благодаря взаимодействии локализованного носителя с атомами.

Чтобы понять природу состояний дефектов в ХСП, ответственных за вышеуказанные свойства ФЛ, необходимо учитывать, ) что атомы халькогена имеют несвязывающие уединенные пары электронов, формирующие валентную зону. Взаимодействие уединенных пар электронов различных атомов мезду собой и с локальным окружением создает в оптической щели спектр локализованных состояний - состояний хвостов вблизи краев разрешер ных зон и состояний парных дефектов с отрицательной корреляционной энергией вблизи уровня Ферми. Каждое из этих состояний связано с различной локальной конфг?урацией атомов и по г талу их рассматривают как три различных дефекта. , .

Четвертая глава посвящена исследованию ФЛ свойств груш халгкогенидов германия в широком температурном интервале 4,2 300 К. Исследование ФЛ в монолитах и порошках ХСП, - с учетом атмосферной полосы поглощения ИК-излучения позволило установить наличие одной широкой полосы ФЛ с максимумом равно! цриблизательно половине щели по подвижности, а СВЛ имеет выраженный максимум, соответствующий хвосту краевого поглощения. Отмечено, что особенностью ФЛ'1руппы халькогенидов германия в отличие от группы халькогенидов мышьяка длительное время считалось наличие двух, а в некоторых не с те хиоме три°е с ких составах трех полос излучения, максимумы которых соответствовали 0,77 эВ, 0,83 эВ, 1,2 эИ. Выявлены причины наб-.

людения сложных спектров ФЛ и СВЛ.

"Приведены изменения ряда характеристик ФЛ (интенсивность, _ время жизни носителя, т -показатель степени ~Уо-£-у>\ Стоксовский сдвиг,-положение максимума, полуширина) в системе 6>ех,5С1_х. в зависимости от состава и сопоставлены с (ширина запрещенной зоны) и Т<у . (температура стеклования). Непрерывная смена, разнотипных структурных единиц (цепочечно-слоистой к тетраэдрической ) в системе при измене-

нии состава приводит к существенному немонотонному изменению .физических параметров с критической точкой для состава ^е-зз^е^ По мере;.отклонения от стехиометрии практически изменяотся все характеристики <М. Максимальная стационарная ФЛ наблюдается в Сел • Увеличение концентрации гомополярных связей (Х<0,33)и (Х.>0,33), интенсивность ФЛ монотонно

уменьшается. По мере увеличения концентрации гомополярных связей увеличивается скорость усталости ФЛ, уменьшается величина стоксовского сдвига и увеличивается ^ . ФЛ характерис-

тики коррелируют с изменением Нд. и Тс^ ..Введение гомополярных связей стимулирует, безизлучательные процессы, которые обусловлены центрами типа интимных пар переменной валентности. При нарушении стехиометрии уменьшается , квантовый выход ФЛ и происходит перераспределение между двумя каналами рекомбинации. Гомоплярнне связи могут увеличивать мощность'хвоста плотности состояний и таким образом рекомбинация в основном характеризуется как парная (ДА-модель)

■Энергетическое положение, полосы излучения £<$>л слабо изменяется при изменении состава стекла. Величина составляет не более .0,1 эВ при изменении состава от X = 0,05 до 0,33, а Бсу от состава данных стекол изменяется в пределах I эВ. Сопоставляя величины 6з>д и Вс^ дая изучаемых стекол получены следующие соотношения мевду этими величинами

е<?4 - при х^ 0,30 ( I )

при; Х=0,33 (2)

£>/» > *Еч> при X 3=0,40 ( .3 )

Соотношения (1-3) между величинами Ер/, и Ef. свидетельствуют, что рекомбинационное излучение связано со структурными дефектам. Интенсивность ФЛ сильно зависит от температурь* вещества н уменьшается на несколько порядков при ее пэвы-гении о? тешературы жидкого гелия до комнатной температуры. Б интервале тешератур 4,2 •{- (20+30 К) интенсивность ФЛ постоянна. В области тешератур 30 + 250 К интенсивность ФЛ изменяется по экспоненциальному сзкону, аналогичному для халь-когенидов мышьяка.

Различные по природе примеси , , , , введенные до 2 ат.% в процессе синтеза, специфически влияют на основные характеристики ФЛ. Так, ^ и J«. увеличивают, а

, Мк, уменьшают интенсивность наблюдаемой полосы излучения стеклообразного . СВЛ и ФЛ смещаются в область меньших энергий, уменьшается стоксовский сдвиг. Новых полос излучения не обнаружено.

Примеси могут создавать новые структурные единицы с халькогеном, тем самым образовывать новые структурные единицы, ответственные за излучение. Отмечено, что в грушах халь-когенддов мышьяка, германия и фосфора ФЛ свойства имеют много общих черт.

Пятая глава посвящена исследованию особенности ФЛ ХПП -длинновременному затуханию интенсивности ФЛ в процессе стационарного излучения (эффекту усталости), которая определяется спецификой электронных процессов -в неупорядоченных материалах. Изучение эффекта усталости в ЖП с пространственно разветвленной, трехкоординированной и цепочечно-слоиетой структурах показало рост концентрации флуктуационных локальных состояний, которые могут способствовать увеличению вероятности бузызлучательной рекомбинации.

Эффект усталости более сильно выражен в составе с большим содержанием халькогена, что может указывать на легкость перестройки спектра флуктуационных состояний под действием свёта, которая приводит к увеличению темпа безызлучатольноГ; рекомбинации. Обнаружена особенность эффекта усталости, которая заключается в том, что если при выключении стационар- -

кого возбуждения в процессе усталости ФЛ, интенсивность излучения спадает за время Юс, то при последующем включении возбуждения, достигается тот уровень штенсшности ФЛ, который регистрировался ранее в момент выключения.

Восстановление первоначальной интенсивности ФЛ осуществляется предварительным отжигам образцом, либо при МК-пог.свет-ке.

В процессе усталости ФЛ образуются метастабильные состояния возбужденных дефектов при уходе электрона из окрестности дефекта в глубокое хвостовое состояние.

В кристаллических порошках и деформированных кристаллах соответствующих аналогах стекол обнаружен эффект усталости и его особенности, фотопотемнение и фотопросветление. В процессе затухания ФЛ после повторного включения возбуждения, уровень сигнала становится больше того значения, который регистрировался в момент выключения.

Интенсивность иалучения в процессе стационарного возбук-дения кристаллических порошов , , бсЗе^ уменъ-

шается по аналогичному закону, что и относительное пропускание энергии квантов возбуждающий люминесценцию.

Фотоструктурные изменения в кристаллических порошках и ХСП сопровождаются уотопотемненпем и параллельным смещением края пропускания. Время фотоиндуцированного затухания ФЛ до установления стационарного состояния соответствует ■оптпмаль-ному времени фотоструктурннх превращений.

Шестая глава'посвящена исследованию ФЛ свойств стекол .

6е-$~<2а. . Приводятся обоснования выбора объектов

исследования..

Обнаружено, что малые добавки Вс (Х^ 0,01) в системе ((Уе. ¡¿)юо~\ обуславливают появление в спектрах излучения новой полосы, максимум которой соответствует Ерл- 0,0 Новая полоса излучения перекрывается с ФЛ полосой, гаксзплу.,! которой £<?л - 1,2 аВ и имеет своп спектр возбуждештя. Уменьшения энергии квантов возбуждения от 2,95 до 2,3 э^ ппявод-:? к перераспределению интонсивностей двух палое излучения. По-

лоса ФЛ ( = 0,3 эВ) ответственна за структурные единицы • Б: 5 ъ(х, . Наличие второй фазы в стеклах систеш((зг.$1)1оо-хв1'х подтверждают также результаты исследования электропроводности, (отсутствие примесной проводимости),.спектров комбинационного рассеяния (КРС) ИК-поглощения. В КРС стекол системы!^ ъ)юэ-> пр;г Х> 0,5 появляется новая мода, ответственная за структурные единицы В^г/^, , склонная к кристаллизации. Наличие; поло-сн излучения в спектре при X = 0,01 показывает, что метод.ФЛ . чувствительный, чем КРС. "."'■-• > .

Исследования термоЭДС этой системы показали, что при, 1> 8 стекла кристаллизуются.меняя знак носителя на и. -типа црово-димостн, при этом ФЛ не наблюдается." В стеклах системы•.'•■ \ • (6г.5*)1Со-х х при 3 >Хг0,01 обнаружен реверсивный эффект дупннозрегленяого возгорания и затухания ФЛ полосы (Е<рл= 0,8 . рЕ), который зависит от энергии квантов.,возбуждающего света. '.

Из-за перекрытия двух полос излучения,. ФЛ полоса £<?>л = = 1,2 эВ фотостшулирует процесс издучательной рекомбинации' в новой фазе. Непрерывная случайная сетка атомов в стекпообраных ' халькогенядах мышьяка способствует локальной, перестройке атомной структуры при введении ЬС , в то время как матрица стекла с тетраэдрическш.ш связями ограничивает возможности, локаль- ■ ной перестройки, увеличивает .число фаз в частности, в стеклах. системы (Са^г^ 100_, йСх , вторая фаза обуславливает, размерные эффекты. '• /'/Л;■

Исследования затухания ФЛ после выключения возбуждения V стекол двух систем показали, что кинетика затухания ФЛ в интервале 10"®+ ю"3 с характеризуется сложным законом, который мотто аппроксимировать двумя участками. При малых временах затухания интенсивности ФЛ происходит по степенному закону, а при больших временах интенсивность ФЛ изменяется экспоненциально. Общий вид затухания интенсивности ФЛ во-'времени можно поевставить как произведение 'двух йункцай :

где Х.0 - гремя жизни носителей, V - максимальная частота излучательных переходов, показатель степенной функции.

Низкоэнергетическая часть спектра ФЛ характеризуется малыми

(-о и большими значениями Ил , а в внсокоэнергетической части спектра излучения имеет противоположная ситуаций.

.Характер зависимости ь<> и т , от энергии излучения свидетельствует о там, что спектр ФЛ сдвигается в область ш?гъ-ших энергий з процессе затухания интенсивности ФЛ- после енз-л:>-чения возбуждения. Это доказывает, что в изучаемые стекла*: имеет место донорно-акцопторнгя или туннельная излучатольная рекомбинация. Приводятся результаты исследования ФЛ свойств и края поглощения стеклообразных сплавов по разрезам

(-¿з^^Ок^)!-* Зх , а также систем бе-<5<я,(Ли)

Концентрационные зависимости края поглощения и положение максимума спектра ФЛ изучаемых материалов указывают на образование непрерьшного ряда твердых растворов.

Седьмая глава. Получены данные о протекании электронных процессов в хвостах локализованных состояний методом о" в аморфных тадрогенизированных пленках ¿г.-Зм-* Су, -"И ла-ЗС^УН Исследованч. основные характеристики стационарной фотолшп-несценции, ее температурная зависимость, а также кинетика затухания ФЛ пленок различного состава, полученных разложением смеси газов &СКч /СНч и в БЧ тлеющем разряде.

Пленкиа-Бг:И и о,-С:Н представляют собой граничные составы системы и получались из ^ Ну к СНч соответственно на кварцевых и кремниевых подложках'.

. Показано, что спектр М а-^С^у Сц■' И состоит из одной симметричной полосы,положение максимума которой смещается в область больших энергий, а полуширина увеличивается с ростом X от значений 1,4 эВ и 0,30 эВ при Х=0 до значений 2-2,9 эГ- и . 0,8 эВ при Х=1.соответственно. При этом разно ослабляется температурное гниение интенсивности ФЛ, а кинетика ее затухания на.несколько порядков убыстряется, демонстрируя переход от тунельной к экситйноподобной излучательнок рекомбинации.

Эти результаты коррелируют с получи ним г данный: по СГЛ -и краевому поглощению. Рост содержания углерода (азота) в пленках ведет к увеличению шрины запрещенной зоны с одн^М стороны и изменению' хвоста локализованных состояний у зоны проводимости - с другой, что проявляется в изменении наклона

края поглощения.в зависимости от энергии.

Специфической особенностью обладает спектр возбуждения пленок а-С:и ' , который в отличие от в-Я^-х^Нха-

рактеризуется тем, что квантовая эффективность ФЛ при ее высоком абсолютно».», значении слабо зависит от энергии фотонов возбуждающего света вплоть до 5 эВ, что свидетельствует о сильной локализации близнецовых электронно-дырочных пар.

Специфика пленок й-С-'И заключается также и в том,, что обнаружена область перекрытия.высокоэнергетической области' спектра ФЛ с нлзкоэнергетической СЕЛ (антистоксовское излучение). .

Варьируя технологическими условиями осаждения пленки 0.-С:н (соотношение , где напряженность электрическо-

го паля гложду электродат.р - давление газовой ..смеси в камере), получены пленки, ширина запрещенной зоны которых по результатам исследования краевого поглощения меняется от 3,5 до 4,5 эЗ, а положение максимума ФЛ от 2,05 до 2,9 эВ. РЖ-спектры а-с-.н , осажденных на кремниевую подложку показали наличие трех мод валентных колебаний СН^С2920 см"*1), СНз(2060 см-1) и (2950 см . ). В области деформационных колебаний наблюдаются полосы 1450 см~1(-СН2) и 1370 см"" (-СН3) соответствующие углероду с тетраэдричеекдаи конфигурациями ( ьр3 ).

Отмзчена слабая зависимость интенсивности ФЛ. В области "в»сзк::х температур (Т 420 С) и (Т 600 С) наблюдается температурное гашение ФЛ, связанное с эффузий водорода.

Приведены результаты исследования уЛ, СВЛ н при Т = = 77 К с целью выявления и изучения специфики энергетического спектра многослойных структур с периодической последовательностью легированиях слоев 1л. - к р -типа проводимости.

Спектры ФЛ многослойных структуры с различный степенью -Лвг::рог5Н5и£ имеют сложное спектральное распределение. В них обнаружена <51, максимум котором соответствует а 0,8. эВ, связаш-ая с .легированием л-^'.-н бором и фосфором.

Результаты исследования многослойных р-с -уи-^-р-и-и. (С - пратрауточный слой, разделяющий и слои) показа. лп, что "Л полоса = 0,3 эВ ответственная-за переходную область.

Представлены результаты исследования физических процессов пленок и полученных из 25% ^ Нч + 75>1.Аг и 1С* . í i Н4 + 90$ H¿ при различных температурах подложки 300 £?< <550°С. Структура изучалась методами НК-спектроско-пии.1

Исследованы зависимости оптической ширины запреп§нно.;! зоны, .содержание водорода, отношение 2020 см-1/2000 см-1 п 2100см~^/2000 см~ от температуры подножки . Увеличение

приводит к уменьшении ширины запрещенной зоны от 1,85 до 1,77 эВ.

Приведены результаты исследования темновой 6т и фэто-пповодтялэсти (Уф при комнатной температуре, отношение /(TV и энергия активации проводимости Его. от Tg . Эти зазисп.гости можно разделить на температурные участки

- область 200 + 270°С, в которой проводимость кеет энергию активации Бо» = 0,9 эВ; ' '

- в штергале 270 + 320°С Во. = 0,7 аГ>;

- отношение Й>/(Гт , Eq, злеют минимум в интервале 320 - 430°С, ,6т максимальна..

■ Экстремальные значения изучаемых параметров соответствует Ts = 380°С. . .. : '

- Температурный интервал 430 - 500°С.

,Б этом температурном интервале значения изучаемых параметров достигают величин, характерных для низкотемпературной области. Увеличение Т5 приводит к изменению встраивания Н0 в сетку Q-Sí:H , выделению свободного и илабосвязанного По, при этом происходит охлопывание' промежутков мемду столбами замыкание оборванных связей Sí-5¿ и образование более о^чо-. родного материала. Это приводит к ¿осту энергии активашз; и фоточувствитольности, уменьшению €~т 1164 a-Si •' Н до величин низкотемпературных' . Е интервале 300-¿Т < Г>50°С квантовая эффективность ФЛ постоянна и соответствует 30^, что подтверждается низкой плотностью дефектов.

Полученные результаты исследований свидетельствуют о том, что уровень Ферми сдвигается, так как показано в случге

легированных пленок б.- S i: н и степень чувствительности локализованных состояний имеет минимум в температурном интервале 320 + 430°С. . '

OCHCBHS РЕЗУЛЬТАТ1-' И БМБ0Я1

1. LnepsHe (лГ используется как метод диагностик:! дефектов исследования энергетического спектра локализованных ссс-тс:- в ;-:ei;pncT?Jiü:i4ecE:ix полупроводниках. 'Збпарукенная ОЛ -

с Сх:.ъ:с1.: изаитозыг.: выходог.: ирпсуща щцрокогду классу бинарных :: многокомпонентных ХСП. Установлено, что в бинарных ХСП и соответствующих кристаллах спертр ФЛ характеризуется строкой полосой в несколько десятых электрон-вольта, а его максимум расположен, как правило, при энергии, равной приблизительно середине запрещенной зоны, где отсутствует поглощение СВЛ представляет собой тагяз широкую полосу, максимум которой соответствует "хвосту" края поглощения.

Процесс излучательной рекомбинации в ХСП обусловлен сильным элзктрон-фононным взаимодействием, о чем свидетельствует наличие широкой полосы излучения, ее энергетическое положение (большой сдвиг Стокса).

2. Установлено, что основные характеристики ФЛ в бинарных ХСП имеют универсальный характер и присущ всем исследованным образца',: вне, зависимости от деталей технологии их синтеза, введения различных примесей, Y -радиации.-К таковым относятся: слабые изменения спектрального распределения ФЛ, СВЛ полуширины и максимума. Примеси, как правило, приводят к смещению СБЛ в область меньших энергий, не инициируют новых полос излучения в стехиометрических составах ХСП. Температурная зависимость интенсивности ФЛ изменяется по экспоненциальному закону 1 = 1о <lxp(-I^ ^ . ФЛ исследования подтверждают наличие в оптической' цели ХСП двух tjtiob локализованных ссстсян:.:"- - состояния "хвостов" и глубокие состояния парных дефектов с отрицательной корреляционной энергии.

3. Показано, что. непрерывная смена разнотипных структурных едггащ (цепочечно-слоистой к тетраэдрической) в системе .

ьс^ 5С|_Х п.и изменении состава стекла приводит к существенному немонотонному изменению ряда физических параметров с

критической точкой дал стехиометрического состава Ь^б? характеризующих спектр локальных состояний и взаимодействие с шал носителей заряда.

4. Выявлена возможность использования ФЛ как неразрущаю-щий метод диагностик! фазовых состояний многокомпонентных ХСП. На примере исследованных стекол систеш(ве.£ь)1ос>-ч 6сх и

(Яз^з^р^&^методами ФЛ, ИК-сш.ктроскопии, КРС, электропроводности, термоЗдС показано, что матрица стекла с тетраэдрически-ми связяг.ш ограничивает возможность локальной перестройки атомов при введении ВС и увеличивает число фаз, одна из которых склонна к кристаллизации, в то время, как непрерывная случайная сетка атомов в стеклообразная , висмут способствует локальной перестройке, образуя твердые растворы. Концентрационные зависимости края собственного поглощения и энергетических параметров сложных спектров ФЛ и СВЛ трехкомпонент-ных стекол , Л^г- Те , 6е-2>-6сСэО указывают на образование непрерывного ряда тзердых растворов.

5. Ддинноввременное затухание ФЛ в процессе стационарного возбуждения (эффект усталости)-является ббщим свойством ХСП

и объясняется образованием метастабильных состояний возбужденных дефектов С~ при уходе электрона из окрестности дефекта в глубокое хвостовое состояние ц фотоструктурными изменениями. Обнаруженные фотоструктурные изменения (фотопотемцекпе и фотопросветление) и эффект усталости в кристаллических порошках (аналогах бинарных ХСП) указывает на взаимосвязь между двумя этими свойствами.

6. Установлено, что легирование исследуемых стехиометрического состава ХСП примесями не инициирует,как правило, новых полос излучения в широком интервале энергий И1 теьшзратур, что свидетельствует о том, что в запрещенной зоне стеклообразных полупроводников не создаются примесных уровней, на которых возмс.аНЫ излучательные переходы. Показано, что влияние примесей выражено более существенно в стеклообразных халько-генвдах германия по сравнению с стеклообразныш* халькогени-дами мышьяка, а характер воздействия легирования зависит от

химического состава ХСП. Существенные изменения характеристик ФЛ легированных стекол нестехиометрического состава обусловлены образованием нозых типов дефектов структуры,концентрация которых изменяется с ростом концентрации легируемой примеси.

7. Показано, что в пленках а-SC¡^^С^ :н , а-Ь^-хК^'н » полученные в едином технологическом режиме наблюдается одна широкая полоса ФЛ, что свидетельствует о гомогеш.остп полученных пленок. Увеличение концентрации углерода и азота в кленках приводит к смещению спектра ФЛ, СВЛ, края поглощения в область бсльшгх энергий, увеличению полуширины спектра ФЛ, падению квантовой эффективности ФЛ, что является прямым следствием увеличения ширины запрещенной зоны, выполанпванпя хвостов плотности состояний и роста концентрация оборванных связей.

8. Выявлена возможность управления шириной запрещенной зоны, ФЛ свойствами аморфных ажлазоподобных пленок а-С:ц получаемых разложением смеси IG* СНд + 2С % А г в плазме тле-•лщего разряда емкостного типа при различных условиях осазде-ния (соотношение £/р , где .t - напряженность электрического поля между электродами, р - давление газовой смеси в камере).

Установлено, что в пленках а-С'-н ■ с Ес^ = 4,5 эВ водород мокет находиться в конфигурациях устойчтых до Т = S0GK.

Показана возможность определения температуры эффузии во-до'рода по тешературной зависшости интенсивности ФЛ. Во всех плешах л-С-'Н обнаружено перекрытие высокоэнергетического спектра ФЛ с низкоэнергеткческим краем СВЛ и Урбаховским краем поглощения.

Высокая квантовая эффективность ФЛ, слабая температуркая зависимость, энергетическое пологенке спектра ФЛ свидетельствует о н&тичик в пленках с.-С:Ц кулоновекп сильно связан-13£х электронно-дырочных пар.

С. Установлено, что образцы к-р - и, слоев «.-Sj:H , накесешшх на кварцевые подложки, представляют слокнке многослойные структуры, ФЛ которых определяется н переходной областью. Показано, что положение максимума, форма и полушири-

на полосы ФЛ зависит от материала подложки. Иссле-

дуя механизм формирования и структуры гетерогращщ V.-? -к-Р слоев на основе а-'й^Н показана эффективность применения ФЛ как керазрушающего метода контроля качества отдельных элементов приборов на различных стадиях их изготовления.

10. Вариация Тз вплот:; до 546°С и состава газа дают воз1ложность получать образцы как низкими значениями Ёи. (по аналогии с эффектам лэгирования), так и образцы с высокой фо-точувствительностыз, имеющие лучшие характеристики термостабильности по сраЕнению с пленката а-^'-Н , полученных цри иизких Т3 .

Показано, что квантовая эффективность ФЛ макси-

мальна и не зависит от вариации 3006Т й 546°С.

Изучение гидрогонизированных пленок, полученных при высоких Т$ позволяет детально описать процессы изменения состояния водорода в пленках с изменением микроструктуры и различных водород-шх связей.

Проведенные экспериментальные исследования ФЛ кекристал-' лических полупроводников развили еще новые-направления, такие как спект] оскбпия рреманного разрешения, опгико-детектируе-мый магнитный резонанс, пикосекундная спектроскопия. Определенный прогресс в исследовании ФЛ несомненно будет связан с изучением рекомбинавдонннх процессов в некристаллических материалах методами нелинейной оптики. Следует ожидать, что применение новых экспериментальных методов может способствовать получению новой информации о неравновесных процессах в некристаллических полупроводниках.

ОйЪёМ И СГРУК-ГУМ, 4МСС£РГЯЦЫ 9 СОС~ОИГ

введения , с£>ти Г/Унй , »ывсдва , аъ*с^л /щ~.рлту ры ■

ИЬ 32? НЛимЁноешпГ, 0НА им«7ЛСЁНЛ Нл2бОсгр ц

АПРОБАЦИЯ РАБОТЫ Основные результаты работу доложены и обсуздсчш на Междуна.юднп:-: конференциях "Аморфные полупроводники "Некристаллические полупроводники . .Уз:горсд i Л.."1.

Международном конгрессе по стеклу - Легашграт • ¿989, "Аморфна«- п жидкие полупроводники" - Энн-Эрбор ClilA Г*г/1. Прага li<;7. '.'-Всесоюзном симпозиуме' по. ХСП ■ Ленинград -1;>7Ь,- f'.cccojcciirirc научно-технических • семинарах ' . "Структурные'. .¡г^лрпао-шш-релаксационные явления в некристаллически твердых .тел:,:." Дрсгсбыч 1990, Тбилиси 1991," Строение и природа ' уотгшяпсских и неметаллических стекол" Ижевск - 1937,1980,' ■ . Вс^ооюзиЬм соадшар-» "Аморфные гидрированные полупроводники" .: Ленинград , £?.•", 7-Вез союзной конференции по физическим - 'процесс::;.. г. полупроводниковых гвтерострук'турах.. -- Калуга 1990, II : Ьде.ссйзюк конференции по физике стеклообразных твердых тел. .Юрмала 1991, Научных сессиях Дагестанского филиала'.АН СССР,, посбящсшшх итога,-.; •{.ундамопталышх и прикладных исследований, Махачкала 1983, 199;:, Научных семинарах Института физики ДНИ РАН - Махачкала, и ФТ11 им. А.Ф.Иоффе - С-Петербург. , ' . ' '

Основные результаты диссертации опубликованы в роботах:

1. Kolomiets В.Т., Mamontova Т.Н., Babaev А.А.. Rndiativu recombination in vitreous and. single crystal Аз.,S-, and Ac^'j,,.. J. Non-Cryst. Sol.- 1770 У.4.- p.¿89-^94.

Kolomiets B.T., 'Ma-nontova Т.Н., Babaev A.A. On the nature of recombination centers'in vitreous arocnic selcnidc.// J.'..'ion Cryst.Sol.- 1972.-v.8.- N. 10.- p. 1004-1009. .

3. Kolomiets B.T., Mamontova Т.Н.," Smorgonnkaya E.A. Babaev A.A. Study of the mechanism of radiative recombination in vitroour. and monocrystalline .arsenic selonido.// •»hys.otat.^oi.:a). 1972.-v.11.- p.441-447. ■ ч * /

4. KolomiotiJ B.T., Mamontova T.N., Damoryad I.A.,' Babaev A.A. Photoluminescence in . j-Irradiated amorphous and mono-cryctalllne ASoS0 , As^Se,,.// Phys.Stat.Sol.ia)1971.- v.7.-

C- ^J . <_

П. K29-K33.

5. Бабаев A.A. Влияние термообработки на фотолтанпесцегащю стеклообразного и монокристаллического селеггада мышьяка.// ЖПС. - 1975. т. XXII. в. с.58-60.

6. Елсильеь Е.А., Колонией Б.Т., Мамонтова Т.Н..Бабаев A.A. ^отслшппссцетшя гегмапатшх стскол систоми üc-,,Sc,.....// Труд." Моздунар. кон!. "Лии рфгше полупроводники 73". Иаодускц: IX'S. т. 2. с.484 437.

I. LocauB A.A., Зобов E.M. Низгстеюторгртурппя ячейка для •}птлл;пла.// Рашкэдалисатэрског продлсхспие К 9Г, .

¡'петиту? физик:: Дар. филиала AH 'J-CC1'.

i. r,.'ivr;on A.A. Фотолтшесцон1шя в зтоклеоораяпах халнссгегспах гЬрглния./ -ITH. -1У31. Т.15. г.'.). - г..1&л- 1йЛ.

i: A.A.. li.ii. •Ютслтепл1".•ц'л:ц::л к ¿.••тг vKT.vp'i-:e

lü'-MCi!-;»«.! х ли'Jr.^c^ ..•/ Автс-ыст;:;:."!. . Cirt. отд-лс::::: ли 'v;ci\- ;1-.-зз.

.о. Плсосп А.А.'¿отслюлтссйсгщрт.; в стоклсобрпзшх . v,.

!1зс.Н.-.Л015..'lüainra. lv'üi. ii.JU. г.7-10.

!. Lac зек A.A. фотол:пм;я1ссцсцци;1 d . ст.;кдсос:ра31ШХ !,; и Go. .Г. а,. В кн. "ОЛсптричсскио и сптшсскио свойства пелупро-. водников. Махачкала, Даг. ФАН СССР. - 1У80. с.IGT,'-113. Блоэое A.A., ми лов b.b. Лотолилеюсцсниия б поропках м'лю-кристаллпчеази и стеклообразных Ag-,S0, AG.,beQ. Ge^S^.// Труда Мсздунар. коиф. "Аморфные .полупроводники У2". Бухарест

Л .'О*.* . L.t-i. V • 00 •

3. Бабаос A.A. Фотолюминесценция в халькогенидшх стеклосоразних полупроводниках.// Сб.научных трудов 11Ф Даг. ФАН СССР,

. Махачкала 1990, с'.1П-124.

4. Бабаев A.A., Мамонтова Т.Н., Теруков Е.И. Фоготзшоспошшя в стеклах системы (GßS^J^ ^i^'.// Физика и химия стекла-1992.-т.8.- Н.5.-с.135-146.

Ъ. Бабаев A.A., Милов В.В. Влияшю примесей Ag. Au, ГЬ нл^ фотолюминесценцию стеклообразного Ge.-,Sc?. //Тезис;; доклада II конференции ученых Дагестанского филиала АН СССР, Махачкала, 1979, с.67-68.

;6. Бабаев Л.А. Влияние примесей на фотолюминесцентные- свойства ст^хиэ- и нестехиометряческого состава ХСП. // Тезисы доклада II Воооокзн.копф. по физика стеклообразных твердых './ел. Рига-Лиздупв 1991.- з. 87.' IT. A.A. Фогот-шнесцендая и структурные превращения ^ ХСП

гт;..м глодчнт пркмесой.// Труды I нащющяыюго и II :;"е:;с:чгого сгминарэ"Структурные превращения it релаксационные . ^•к-тал ь нокристаплич.твердых телах. Тбилиси, I99,l.--c.3b-37 1С-. A.A. Затухание фотодашнесцснцш, и, фотоструктурныо.

и.'-'-.л е порожках ХСП.// Труды Меад.- конф./"Аморфней ;по.лу-/ пс'-ггглнякп 32". Бухарест 19Ö2.- Т.2.-.с. '32-64. \ ''• ' '•'..• £ A.A. Фотостюлулироваишо"измспёниз-оптических.-свойств ü монолитном и порошкообразном, состояниях.// Труды. Мезд. • -::.-(?."Амораше полупроводники 82"•'.Бухарест IS32.T.2.-C.57-59. ....'- A.A. Исследование лекальных'центров в стеклообразном ;

F-S'io ..¡етодом фотолюминесценции.// ЖПС.-. 1980.-;т.XXXIII.- , ' 444-447.. "■ ■ '■-''..- \ ■ ; ' .', - "'V'"-' ./' ' '

21. Г.аоаеь A.A., Теруков Е.И.. .'Химинец Б.В. Фотолвлянссцолтные от-сйства. стоксл системы;-. (As2S3)100_xB-ix , (GeS3)100_xBix .// Труди Мезд.коаф. "Йекристалличуские полупроводники 89й Ужгород -' иг.э .Физические'. я'елзния ' в некристаллических полупросодпиках. -

т.2. - с.73-8О. "■" ■"/"'•-""" ■ \/ у"V;...'.":-.-".

в A.A. Температурное гашение фтолвдтвсценшш -.. .в. . стггслоо«разньи'. (CoS-,;^ 5В10 5 • //" Тозиси' '.'дом; Всесоюзной "Стеклообразные подугфскогогшск^.Лешппр^ .','

22. La'2-.-.D A.A., Багров 'С.'iL'. Фэтрдаадшесцсицйя,'К?С;. --я' \.п-.тмп ."'• проподоюсти к стеклах '-'систойи (GeS-,) j qo„ jEi}r. // ' 'Cßopinnt научных трудов ДагФАН. СССР' ТПлаома-! в .' флуа^одттках".'.'

.' '19в4.-сЛ25-Н4. ... , / . ' .; ...;.:

24. БаС-яаг. . A.A.. Ч^рукор •'.. Б. U;л:ъг.1Ц);и ".t;., -....¿даруг..'«.И., вотол-гетигйоиция"' - 'в '' стоглад •' риут^ми .'-и -

,Cq „ВЗЦ.//- Труда-. 1/л;кду.,ар. , аюнгоесса - по ■ '.стеклу. ■ Ленинград. iäü£>.- т.2 л«-. сЛ'.лМЮи. / '

25. Бабаев А.А.Фотолюминесценция в стеклах системы (GeS3)1Cri_xtiv. (AS2S3)100x£.ix.// Научная сессия Лаг.ФАН СССР. Сборник научных трудов. Махачкала 193Ь.~с. 2-1.

26. Бабаев A.A., Мамонтова Т.Н.. Тсруков К.И. Фотолюминесценция стекол систем CGcS3)I00..^i , (As^^QQ.^iy с рзслэтиша' стеклообразными матрицами.// Тезисы. докл. Ьсесоюзн. ссмин^ри "Строение и природа металлических и неметаллических стекол" teaeck 193?.-с. CV.

27. Бабаев A.A. Фотолюминесценция в поропках стеклосораоних . (CcS.0)1gü_xBlx.// Труды Мсзд.рсиф."Амор$нне полупроводники 34" Болгария, I9S4.-C. 144-146.

2£. Орешник П.Г.,Рихрос С.П., Ампилогов Б., Басаев A.A. .Хпмг/псц Исследование электропроводности, терме оде и ФЛ ХСП спспгп,: (GcS.,)1C|q. Мх.// Труда Межд.'конф."Амор^яше полупроводники 84'' Болгария 1934.- с.192-19-1.

29. Химинеи О.В. .Бабаев A.A..Баранова ЛЛ1..Россла U.M. .Химик-га В. В Фотолюминесценция и край собственного поглощения стскол системы Ao-S-J./V Физика и химия сте;сла. I9S9.- т.н . - с.2.--с.]72 17Ь.

30. Бабаев A.A., Эмиров Ю.Н. Фотолюминесценция в хальксгепидт.'х стзклпх системы As S J.// Сборник нзучшх тр,\дог, 5агФАН СССР "■'сто к электрические явления в полупроведшпеах". Махачкала 1:"вЬ. c.?iv30.

31 . Бабаев A.A. Влияние кислорода на фотолюминесценцию стеклообразного солснида мышьяка.// 53ТС. 1976,- т.ЮГУ. - в.6.-

с.пда-изз.

32. Бабаев A.A. Фотолюминесценция в хальксгонидпых стеклообразных полупроводниках.// Сб.ноучих трудов ИФ 'Ьг.ФАН СССР. Махачкала I990.'-c. TII-I24.'

33. ВпЬаст- A.A., Bnlrov Yu.N.. Hlminets K.W., Himlnets O.w. «Jotfiiie tnflucncc oil the photo]timined'ence of the flsray ASjS.,. Int.Conf.^'on-Oryulalline Semiconductors 86", Hungary, ivJu.-

. р.ГГ.2.

154. Бабаев A.A., Кудоярова В.Х., Иванова И. Оптические свойства стекол систем Ge-S-Ga(In).//Тезисы докл. Всесоюзной конфер. "Тройные полупроводники". Кишинев 1986. с. 48.

35. Бабаев A.A., Васильев В.А.. Коломнец Б.Т., Мамонтова Т.Н. Фотолюминесценция полупроводниковых стеклообразных растворов As.:SerAs2Te3 .//ФТП. 1974.-т.8.- в.5.- с.1026-1027.

36. Басаев A.A., Теруков Е.И. Фотолюминесценция в гидосгеиозпрсваншпс ' пленках a~Si,_xCx:H , a-Si^^iH .// '"■/ocznni научных трудов Даг ФАЯ СССР "Оптические,, фотоэлектри-Ч'-с-'И'. и релаксационные явления в полупроводниках" Махачкала, 1990. о.125-135.

27. Ев A.A., Теруков Е.И., Жцанович Н.С., Мусабеков Е. '¿•-.7.:ллл;ввспенцил в пленках a-Si1xC:II, a-£i^_TNx:H.// ФТИ .

Т.23.- в.4.- c.63G-639.

33. Т':ауков E.H., Бабаев A.A., Абдуллаев М.А.,. Андреев П.А. Фотолюминесценция многослойной п-р-п-р структуры на основе . амор&ного гидрогенезированного кр&мния.// ФГП .- 1987.- т.21.-С.92Б-923.

39. Ксиков о. Теруков Е.И., Бабаев A.A. Материалы Моад.конф. "Аморфные полупроводники 87" Пардубице ЧССР1987, с.43-43.

40. Konkov 0.1., Terukov E.I., Babaev A.A. Kudoyarova W.H. Physical properties oi amorphous silicon, prepared by HP silanc- decomposition at high substra' temperature. // J.Non-

• Cryst.Sol.-1937.-v.97-98. - p.1391-1394.

41. БаО£ев A.A., Теруков Е.И., Швсрдков И.В. О глубоких центрах ФЛ в легированных ХСП и a-Si:H// ФТП.1988.- т.22.-в.5. -С.У27 929.

42. Бабаев A.A., Теруков Е.И., Трапезникова И.А. // Тезисы доклада Всесоюзного семинара "Аморфные гидрогенсоиров'анше полунровод larcn и их применение" Легашгтд 1991.- т.1.~ с.89.

43. Б-jjohü A.A.. Торуков Е.И. Исследование механизма !t>oK.r,;r,or.;:n;in к ?лт/,-рн гс-терсгряниц п- о п- олсеп па основе a Si:!'./'/ Эл.-.г.-тр-.-пг.-л! техника 1991.- серия'8. - шл.Ь (2!jO)C.32 oi.

44. Баб-о:: A.A., Теруков К. К., Абдул^агабсо М.Ш.// Тесней депеладов V Иг/. союзной конференции из физическим структурам ' в полупроводниковых готсроструктурах. Калуга 1990. • с.43 -49.

15. Бабаев A.A..Абдулвагабов М.Ш., Теруков Е.И., Трапезникова H.H. Особенности'" Оэтолшинесценции аморфного алмлзоподобного гидрогенезирсванного углерода.// Изв АН СССР* Нзоргакическис. материалы .1991.- т.27.-с.2205-2206.

16. Теруков Е.И., Бабаев A.A., Андреев А.П. Фотолкминссиёптп];:: тонкопленочный материал./' Авторское'свид. N J5I2432, ТЭ8Э.

>7. Бабаев A.A., Абдулвагабов М.Ш. особенности фотолюгжпссценции аморфного алмазоподобного углерода//Письма в ЖТФ.-1989.гт.15.-В.14,- с.75-75.

18. Бабаев A.A., Теруков Е.И. фотолшинесцептная дефшстоскопил в ХСП и ■ a-Si:H.// Тезисы докладов XX Всесоюзного семинара "Актуальные проблемы прочности". Ижевск. 1939. с.36.

ЛИТЕРАТУРА

Kolomiets В.Т., Hamontova T.N., Babaev A.A. On the nature of' recombination centres in vitreous arsenic selenlde.// Journal Non-Cry3talline Solids.-1972.-v.8.- И.Ю.- p.1004-1009.

!. Kolomiets Б.Т., HaraontOYa T.N., Smorgonskaya E.A., Baoaev A.A. Study of the mechanism of radiative recombination in vitreous and monocryr:talline arsenic selenlde./•/ Phys.Stat.Sol. (ai 1972.-v.11p.441-447. '

t. LiOTT H., Дэвис Э. электронные процессы в некристаллических веществах, Мир. М. 1932. т.1,2. с. 664. Andersen H.W. Phys.Rev.Lett. 1975. v.34. p.953. KastnaiM., Adler D., Frltssche H. Valence alternation model for localised gap states in lone-pair semiconductors. // Phyc. Rev. Lett. 1976.- v.37.- N.11.- p.1504-1507.

I. Попов H.A. Квэзимолекулярные .дефекты в хЕлькогишдннх стеклообразных тголупроводникахю//ФТЛ--ID8I-т Л5 -п.2. - J.369-374.

I. Клипгпр М.И., Карпов В.Г. Автолокализация электронных пар в неупорядоченных системах.// ЖЭТФ. -1932.-т.82.-е.5.-сЛ686-ГЛ'.0

ОТД ДарЦИТИ, aai.. 36, тир. 100, уч.-изд.л.0,7; 6.04.1993 г.

Бесплатно