Исследование эффектов межэкситонного взаимодействия в монокристаллах селенида галлия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Актуальность теш. В последнее время активно исследуются процессы межэкситонного взаимодействия при высоких уровнях возбуждения кристалла. Эти процессы, как известно, могут привести к возникновению новых эффектов таких, как образование стабильных экситонных комплексов - биэкситонов или экситон-ных молекул (ЭМ), электронно-дырочной жидкости (ЭДЮ, неравновесной электронно-дырочной плазмы (ЭДП) и др. Наличие ЭДД и ЭМ убедительно доказано и разносторонне изучено для непрямо-зонных кристаллов германия и кремния. Однозначно решены многие вопросы, касающиеся ЭМ в прямозонных соединениях СиСС- и

СиВ-2

Что же касается большинства других кристаллов, то следует отметить, что коллективные экситонные процессы в них изучены недостаточно полно. Имеются существенные противоречия в интерпретации природы тех или иных полос излучения, возникающих в различных кристаллах при их интенсивном лазерном возбуждении. Мало исследованы так называемые когерентные взаимодействия экситонов и ЭМ - их бозе-эйнштейновская конденсация. В значительной мере проблематичен вопрос о том, что образуется в прямозонных полупроводниках при предельно высоких уровнях возбузвдения: ЭДЕ или же ЭДП.

Нет ясности в вопросе о влиянии анизотропии кристалла на образование и свойства ЭМ. В особенности это относится к слоистым кристаллам, возможная квазидвумерность и анизотропия энергетических зон которых могут вносить определенную специфику в оптические свойства кристалла при высоких уровнях возбуждения.

Нерешенность упомянутых выше вопросов требует их более глубокого и тщательного экспериментального исследования.

Обьект исследований. Настоящая работа направлена на изучение эффектов коллективного взаимодействия экситонов в одном из представителей анизотропных полупроводников - в слоистых кристаллах селенида галлия. Необходимо подчеркнуть, что в существующих работах по изучению оптических свойств GaSe преимущественно рассматривались его оптические свойства при сравнительно низких уровнях возбуждения. Что же касается исследований оптических спектров GaSe при высоких плотностях накачек (Рн ), то следует отметить, что они во многих отношениях неполны.

Так, имеющиеся работы проведены при предельно высоких

Ри , создающих очень высокие концентрации экситонов, приближа-и ющиеся к моттовской. При этом вследствие сильной экранировки кулоновского взаимодействия экситоны распадаются на несвязанные электроны и дырки.

Промежуточные значения Р., , при которых естественно н ожидать проявления таких эффектов взаимодействия экситонов, как образование полиэкситонных комплексов, ЭМ, бозе-эйнштей-новская конденсация экситонов либо ЭМ изучены недостаточно. Не было также проведено целенаправленного изучения характера межэкситонного взаимодействия в этом соединении.

Вместе с тем, GaSe представляется весьма интересным модельным объектом для изучения влияния анизотропии эффективных масс носителей на процессы коллективизации экситонов. Кроме того, структура энергетических зон этого соединения характеризуется наличием близко расположенных прямого и непрямого минимумов зоны проводимости, что может сказываться на оптических свойствах кристалла при высоких уровнях возбуждения.

Следует также отметить, что большой выход люминесценции и относительная простота технологии выращивания монокристаллов GraSe делают это соединение весьма перспективным материалом для оптоэлектроники и квантовой электроники.

Целью настоящей работы было:

- определение характера межэкситонного взаимодействия в кристаллах селенида галлия;

- изучение эффектов, обусловленных этим взаимодействием и их проявления в оптических спектрах Gra Se ;

- определение влияния анизотропии эффективных масс носителей и специфики строения энергетических зон на возможность образования и свойства биэкситонов в кристаллах Ga Se .

Кроме того, предстояло рассмотреть особенности моттов-ского перехода в экситонной подсистеме селенида галлия и возможность возникновения в нем ЭДЖ.

Научная новизна диссертации состоит в следующем.

Впервые показано, что большой длинноволновой сдвиг, уши-рение и изменение асимметрии формы экситонной полосы поглощения GaSe. , наблюдаемые при Т К и возбуждении кристалла п -1 г п = 1 квантами, энергия которых "n60go3g-)>h3|<c С ^экс = ^^ эВ - энергия образования экситона в основном ( П, = I) состоянии), с интенсивностью Р ~ 20 -f 250 кВт/см^ обусловлены и преимущественно экситон-экситонным взаимодействием. Установлено, что это взаимодействие имеет характер притяжения.

При указанных выше уровнях возбуждения впервые в монокристаллах GaSe доказано существование ЭМ. Определен ряд их параметров. Путем анализа теоретических и экспериментальных данных установлено, что величина энергии связи ЭМ в этом соединении довольно большая ( я» 4,1 мэВ), что может быть обу

- 5 словлено анизотропией эффективных масс носителей.

Впервые в оптических спектрах селенида галлия при Т =1,6 К и Рн>20 кВт/ем^ обнаружено поглощение, возникающее в результате индуцированных экситон-биэкситонных переходов.

В спектрах люминесценции GaSe при возбуждении с Рн~ о 300 кВт/ем и Т = 1,6 К обнаружено и изучено излучение, связанное с процессами ЭМ-ЭМ рассеяния.

Показано, что при уровнях возбуждения, соответствующих экранировке кулоновского взаимодействия носителей в экситоне, образуется неравновесная ЭДД, в формировании которой, по-видимому, принимают участие дырки и электроны прямой и непрямой зон проводимости.

Практическая ценность работы. Полученные результаты могут быть использованы при создании и оптимизации приборов и устройств квантовой электроники, применяющих селенид галлия. В частности, данные по спектрам люминесценции при высоких уровнях возбуждения будут полезны при создании ОКГ на основе Ga Se .

Созданная в процессе выполнения диссертационной работы экспериментальная установка, а также разработанные вопросы методического характера могут быть рекомендованы в дальнейших экспериментальных исследованиях.

Краткое содержание. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы.

5.4. Выводы . 148

ЗАКЛЮЧЕНИЕ . 149

1. Москаленко С.А. Бозе-эйнштейновская конденсация экситонов и биэкситонов. Кишинев: РИО АН МССР, 1970. - 167 с.

2. Москаленко С.А., Бобрышева А.И., Леляков А.В. и др. Взаимодействие экситонов в полупроводниках. Кишинев: Штиинца, 1974. - 210 с.

3. Haken Н. and Nikitine S. Excitons at High Density.- Springer Tracts in Modern Physics, v.73.- Springer Verlag, Berlin, Heidelberg, Kew York, 1975.- 467 p,

4. Хаджи П.И. Кинетика рекомбинационного излучения экситонов и биэкситонов в полупроводниках. Кишинев: Штиинца, 1977. 242 с.

5. Grim J.В. Biexcitons, Experimental Aspects.- Huovo Cimento, 1977, v.39 В, Ш2, p. 579 592.

6. Quattropani A. and Forney J.J. Theory of Excitonic Molecules.- Huovo Cimento, 1977, V.39B, №2, p. 569 578.

7. Бобрышева А.И. Биэкситоны в полупроводниках. Кишинев: Штиинца, 1979, - 181 с.

8. Sharma R.R. Binding Energy of the Excitonic Molecule.-Phys. Rev., 1968, v.170, №3, p. 770 772.

9. Akimoto 0., Hanamura E. Excitonic Molecule, I. Calculation of the Binding Energy.- J. Phys, Soc. Japan, 1972, v.33i N36, p. 1537 1544.

10. Akimoto 0. Excitonic Molecule, II, The Case of Anisotropic Effective Mass.- J. Phys, Soc. Japan, 1973, v.35» ^4»P. 973 979.

11. Brinkman W,F., Rice T.M. and Bell B. The Excitonic Molecule.- Phys, Rev.B, 1973, v,8, №-4, p. 1570 1580.- 154'

12. Huang W. Т. and Schroder U. On the Calculation of Binding Energy of Excitonic Molecules. Phys. Lett., 1972,v 38A, p. 507 508.

13. Pollmann J., Biittner H. Hionon Influence on the Biexciton Binding Energy in GuCl and CuBr. Solid St. Commun., 1973э v. 12, № 11, p. 1105 - 1108.

14. Бобрышева А.И., Выборное В.И. Кинетические процессы с участием биэкситонов и фононов. ФГП, 1976, т.10, в. 3, с. 447 - 451.

15. Бобрышева А.И., Миглей М.Ф., Москаленко С.А. К вопросу о взаимодействии двух экситонов в кристалле. В сб.: Сложные полупроводники и их физические свойства. -Кишинев: Штиинца, 1971. - 172 с.

16. Гоголин А.А., Рашба Э.И. Влияние взаимодействия экситонов на экситонные спектры. Письма ЖЭТФ, 1973, т.17, в.12, с. 690 - 693.

17. Рашба Э.И. Гигантские силы осцилляторов, связанные с эк-ситонными комплексами. Ш1, 1974, т.8, в.7, с. 1241 -- 1256.

18. Петрашку К.Г., Руссу С.С., Хаджи П.И. Полная однофотон-ная аннигиляция биэкситона. ШI, 1979, т. 13, в.II, с. 2248 - 2251.

19. Ханамура Е. Теория спектра излучения полупроводников при больших плотностях возбуждения. Изв. АН СССР, сер.физ., 1973, т. 37, № 2, с. 347 - 354.

20. Hanamura Е. Bosе-condensation of Excitonic Molecules.-Techn. Report ISSP, 1975, ser. A, W? 722.- 15521. inoue M., and Hanamura E. Emission Spectrum from theBose-Condensed Excitonic Molecules»- J. Phys. Soc. Japan, 1976, v. 41, Ш 4, p. 1273 1284.

21. Hanamura E. Giant Two-photon Absorption Due to Excitonic Molecule.- Solid St. Oommun., 1973» v. 12, p. 951 953»

22. Hanamura E. Excitonic Molecule. III. Electronic Structure.- J. Ihys. Soc. Japan, 1975, v. 39» JB 6, p. 1506 -1515» Hanamura E. Excitonic Molecule. IV. Optical Properties.- J. Phys. Soc. Japan, 1975, v.39, ИЕ6» p.1516 1524.

23. Rashba E. I. Gigantic Osoillator Strengths Inherent in Exciton Complexes.- Ins з.- p. 150 169.

24. Москаленко С.А., Хаджи П.И., Ротару А.Х. Солитоны и нутация в экситонной области спектра. Кишинев: Штиинца, 1980. - 195 с.

25. Хаджи П.И., Москаленко С.А., Белкин С.Н., Ротару А.Х. Явление когерентной нутации экситонов, фотонов и биэкситонов в полупроводниках. ФГТ, 1980, т. 22, в. 3,с. 749 757.

26. May V. and Roseler J. On the Influence of the Polariton Effects on Excitonic Molecules.- Phys. St. Solidi (b), 19SO, v. 102, № 2, p. 533 545.

27. Ostertag E., Bivas A. and Grun J. B. Polariton Effects Effects on the Recombination of Gold Biexcitons.- Phys. St. Solidi (b), 1977, v. 84, Ш 2, p. 673 680.

28. Бродин M.C., Гоер Д.Б., Мацко М.Г. Особенность поляри-тонного излучения кристаллов Н и Те при больших уровнях возбуждения. Письма в ЖЭТФ, 1974, т. 20, 65,с. 300 303.

29. Balslev I. Two Polariton Decay of Excitonic MoleculesPhys. Rev. B, 1979, v.20, Ш2, p. 648 65331. Haynes Т.Е. Experimental Obscuration of the Excitonic Molecule.- Phys. Rev. Lett., 1966, v.17, №16, p. 860 -- 862.

30. Кулаковский В.Д., Тимофеев В.Б. Биэкситон в спектрах излучения одноосно деформированного Si . Письма в ЖЭТФ, 1977, т.25, в.10, с.487-491.

31. Mysyrowicz A., Grun J.В., Levy R., Bivas A. and Kikitine S. Excitonic Molecule in CuCl.- Phys. Lett., 1968, V.26A, Ш12, p. 615 616.

32. Ekardt W., Sheboul M.I. The Influence of the Electron-Hole Exchange Interaction on the Biexciton Ground Statein CuOl and CuBr and Related Optical Transitions.- Phys. St. Solidi (b), 1976, v.73, Й22, p. 475 482.

33. Nasu Y., Koizumi S., Nagasawa N. and Ueta M. Energy Level Scheme of Excitonic Molecule and Exciton in CuBr.-J. Phys. Soc. Japan, 1976, v.41, №2, p. 715 716.

34. It oh Т., Y/atanabe Sh., Ueta M. Phonon Interaction of Excitonic Molecule in CuCl.- J. Phys. Soc. Japan, 1980, v.48, Ш, p. 54-2 550.

35. Suga S. and Koda T. Luminescence Spectra Due to High-Density Excitons in CuBr CI. v Mixed Crystals.- Phys.uL I ""* JLSt. Solidi (b), 1974, V.61, Ж1, p. 291 302.

36. Hagasawa Ж., Nakata И., Doi Т., Ueta M. Generation of Excitonic Molecules by Giant Two-Photon Absorption in CuCl and Their Bose-Condesatoinn.- J. Phys. Soc. Japan, 1975, v.39, Ш, p. 987 993.

37. Gale G.M. and Mysyrowicz A. Direct Creation of ExcitonicMolecules in C11CI by Giant Two Photon Absorption.- Phys. Rev. Lett., 1974, v.32, №13, p. 727 730.

38. Girlanda R., Doni E. and Parravicini P. Anisotropy in Two-Photon Direct Creation of Biexcitins in CuBr Cubic Crystals.- Solid St. Commun., 1976, v.19, p. 583 585.

39. Vu Duy Phach, Bivas A., Honerlage B. and Grun J.B. Biex-citin Resonant Two-Photon Absorption in CuCl.- Phys. St. Solidi (b), 1977, v.84, p. 731 740.

40. Nagasawa N., Mita T., Itoh T. and Ueta M. Relaxation of Excitonic Molecules, Generated by the Giant Two-Photon Laser Excitation in CuCl.- J. Phys. Soc. Japan, 1977, v.43, p. 1295 1300.

41. Itoh Т., Watanabe Sh. and Ueta M.Phonon Interaction of Excitonic Molecule in CuCl.- J. Phys. Soc. Japan, 1980, v.'48, Л12, p. 5^2 550.

42. Mita Т., Sotome K., Ueta M. Exciton Spatial Dispersion Determined Trough the Two-Photon Raman Scattering via Excitonic Molecule State at Large Wave Vectors in CuCl.-Solid St. Commun., 1980, v.33, N§11, p. 1135 1138.

43. Mita Т., Sotome K. and Ueta M. Distribution of Excitonic Molecules under the Giant Two-Hioton Excitation in CuCl.-J. Phys. Soc. Japan, 1981, v.50, 1Й1, p. 134 144.

44. Nagasawa K., Mita Т., Ueta M. Radiative and Two-Photon Resonanse Raman Processes Associated with Excitonic Molecules in CuCl.- J. Phys. Soc. Japan, 1976, v.41, №3,p. 929 936.

45. Segawa G., Aoyagi Y., Rakagawa 0., Aruma K. and Famba S. Raman and Luminescence Process under the Resonant Two-Photon Excitation of an Excitonic Molecule in CuCl.Solid St. Commun., 1978, v.27, Ш8, p. 785 788.

46. Hanamura E., Takagahara T. Resonant Raman Scattering and Luminescence Due to Excitonic Molecule.- J. Phys. Soc. Japan, 1979, v.47, №2, p. 410 422.

47. Masumoto I. and Shionoya Sh. Two-Photon Resonant Coherent Raman Scattering via Excitonic Molecules in CuCl.J. Phys. Soc. Japan, 1980, v.49, p. 2236 2243.

48. Vu Duy Phach, Bivas A., Honerlage B. and Grun J.B. Two Photon Resonant Raman Scattering via Biexcitons.- Phys. St. Solidi (b), 1978, v.86, НП, p. 159 168.

49. Sotome K., Fozue Y. and Ueta M. Acoustical Phonon Assisted Two-Photon Excitation of Excitanic Molecules and Resonant Raman Scattering in Evaporated CuCl Films.- Solid St. Commun., 1980, v.36, Ш6, p. 555 558.

50. Peyghambarian K., Chase L.L., Mysyrowicz A. Momentum-Spa-se Condensation of Probe Biexcitons into a Pnmped State in CuCl.- Opt. Commun., 1982, v.41, WS4, p. 178 181.

51. Ojina M., Kushida Т., Таяака Y. and Shionoya Sh. Picosecond Time Analysis of Excitonic Molecule Luminescence Spectra in CuCl.- J. Phys. Soc. Japan, 1978, v.44, Ш, p. 1294 1304.

52. Levy R., Honerlage B. and Grun J.B. Time-Resolved Investigations of Induced Absorption Due to Exciton-Biexciton Transitions in CuCl.- Solid St. Commun., 1979, v.29, №2, p. 103 106.

53. Saito H., Shionoya Sh. Exciton Luminescence and Photoconductivity of CdS under High Intensity Excitation.- Techn. Rep. ISSP, ser.A, №534, 1972.- 159

54. Svores R.W. Two-Photon Absorption in the Vicinity of the Exciton Absorption in CdS.- Solid St. Commun., 1975,v.17, fit?, p. 803 806.

55. Leheny R.F. and Shan J. Experimental Evidence for the Existence of an electron-Hole Liquid in II IV Compounds.- Phys. Rev. Lett., 1976, v.37, К813» p. 871 - 874.

56. Liebing H., Mengel P. and Ruppel W. Luminescence of High-Density Excitons in CdS.- Phys. St. Solidi (b), 1975, v.72, Ш1, p. 431 439.

57. Разбирин B.C., Уральцев И.Н., Михайлов Г.В. Биэкситоны в кристаллах А2 В6. Письма в ЖЭТШ, 1977, т.25, в.4, с.191- 194.

58. Hozue X., Itoh Т. and Ueta М. Resonant Raman Scattering under Two-Photon Excitation of Excitonic Molecules in CdS.- J. Phys. Soc. Japan, 1978, v.44, Ш4, p. 1305 1313.

59. Itoh Т., Mozue Y., Ueta M. Giant Two-Photon Absorption and Two-Photon Resonance Raman Scattering in CdS.J. Phys. Soc. Japan, 1976, v.40, fi26, p. 1791 1792.

60. Hvam J.M. Stimulated Two-Photon Emission from Excitonic Molecules in ZnO.- Solid St. Commun., 1978, v.27, 1112, p. 134-7 1351.

61. Акопян И.Х., Новиков Б.В., Пимоненко М.М., Разбирин Б.С. Биэкситон в кристаллах Hcj J £ . Письма в ЖЭТФ, 1973, т.17, в.З, с.419 - 421.

62. Blatt J.M. and Boer K.W., and Brandt W. Bose-EinsteinCondensation of Excitons.- Phys. Rev., 1961, v.126, Щ5, p. 1691 1692.

63. Москаленко С.А. Обратимые оптико-гидродинамические явления в неидеальном экситонном газе. ФГТ, 1962, т.4,в.1, с.276 284.

64. Casella R.C. A Criterion for Exciton Binding in DenseElectron-Hole Systems Application to Line Harrowing Observed in GaAs.- J. Appl. Phys., 1963, v.34, ^6, p. 1703 - 1705.

65. Combescot M. Thermodynamics of an Electron-Hole System in Semiconductors.- Phys. St. Solidi (b), 1978, v.86, Ш, P'. 349 358.

66. Давыдов А.С. Теория молекулярных экситонов, -М.: Наука, 1965. 376 с.

67. Агранович В.М., Гинзбург В.А. Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов. М.: Наука, 1965. - 376 с.

68. Бродин М.С., Мацко М.Г. Нелинейные экситонные эффекты ивопросы создания резонансного бозе-конденсата с к = 0. -Изв. АН СССР, сер.физич., 1981, т.45, №6, с.5867 5879.

69. Yutaka J., Toyozawa Y. Resonance and Relaxation in Light Scattering.- J. Phys. Soc. Japan, 1976, v.41, Й22,p. 400 411.

70. Czaja W. and Schwerdtfeger C.F. Evidence for Bose-Ein-stein Condensation of Free Excitons in AgBr.- Solid St. Commun., 1974, v. 15, N21, p. 37 91.

71. Куеушкин И.В., Кулаковский В.Д., Тимофеев В.Б. Бозе газ ориентированных по спину экситонов в одноосно деформированном германии. Письма в ШЭТФ, 1981, т.34, в.1, с.36 - 40.

72. Kuroda Н., Shionoya Sh., Saito Н., Hanamura Е. Observation of the Bose-Condensation of Excitonic Molecules in CdS. Solid St. Commun., 1973, v.12, p. 533 - 536.

73. Келдыш Л.В., Козлов А.Н. Коллективные свойства экситонов в полупроводниках. ЖЭТФ, 1968, т.54, в.З, с.978-993.

74. Brinkman W.F. and Rice Т.М. Electron-Hole Liquids in Semiconductors.- Phys. Rev.В, 1973, v.7, KS4, p. 1508 -- 1523.

75. Келдыш Л.В., Силин А.П. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. ЖЭТФ, 1975, т.69, в.3(3),с.1053 1057.

76. Balslev I. The Metal Insulator Transition in Electron-Hole System.- Phys. St. Solidi (b), 1980, v.101, 1Й2,p. 749 756.

77. Бисти B.E. Экситонно-плазменный переход в полупроводниках при учете особенностей зонной структуры. ФТТ, 1981, т.23, в.5, с.1467 - 1472.

78. Райе Т., Хенсел Дж., Филлипс Т., Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках. М.: Мир, 1980. -347 с.

79. Аснин В.М., Рогачев А.А. Переход в Мотта в ситеме экситонов в германии. Письма в ЖЭТФ, 1968, т.7, в.12,с.464 467.

80. Покровский Я.Е., Свистунова К.И. Возникновение конденсированной фазы неравновесных носителей заряда в германии. -Письма в ЖЭТФ, 1969, т.9, в.7, с.435 438.

81. Покровский Я.Е., Свистунова К.Н. Рассеяние света каплями конденсированной фазы неравновесных носителей заряда в германии. Письма в ЖЭТФ, 1971, т.13, в.6, с.297 - 301.

82. Покровский Я.Е., Свистунов К.И. Нагрев электронно-дырочных капель в поле неоднородной деформации. Письма в ЖЭТФ, 1973, т.17, в.12, с.645 - 648.

83. Багаев B.C., Бонч-Осмоловский М.М., Галкина Т.И., Келдыш JI.B., Поярков А.Г. Увеличение Э-ДК импульсом деформации, возникающем при лазерном облучении Ge . Письма в ЖЭТФ, 1980, т.32, в.5, с.356 - 360.

84. Ашкинадзе Б.М., Бельков В.В. Микроволновое поглощение в слое электронно-дырочной жидкости на поверхности кристалла германия. Письма в ЖЭТФ, 1981, т.33, в.12,с. 636 640.

85. Фишман И.М. Электронно-дырочные капли на поверхности германия и кинетический фазовый переход. Письма в- 163 ЮТФ, 1981, т.33, в.12, с.650 654.

86. Washington М.А., Worloclc J.A. Measurement of Electron-Hole Drop Size in Doped Germanium by Light Scattering.-Solid St. Commun., 1980, v.33, №5, p. 54-9 551.

87. Kuramoto Y. and Kamimura H. Theory of Two-Dimensional Electron-Hole Liquids Application to Lager-Type Semiconductors.- J. Phys. Soc. Japan, 1974, v.37, Щ,p. 716 723.

88. Schluter M. The Electronic Structure of GaSe.- Nuovo Cimento, 1973, V.13B, Ш1, p. 313 360.

89. Bianchi D., Emiliani U. and Podini P. Tridimensional Character of GaSe Excitons in the Faraday Effect.- Phys.St. Solidi (b), 1975, v.68, Ш1, p. 435 441.

90. Агекян В.Т., Соломонов Ю.Ф., Степанов Ю.А., СубашиевВ.К. Спектр излучения селенида галлия при сильном оптическом возбуждении. Ш1, т.10, в.4, с.707 - 711.

91. Разбирин Б.С., Мушинский В.П., Караман М.М. и др. Излучение электронно-дырочных капель в G-aS. ФТТ, 1975, т. 16, 67, с. 2124 - 2126.

92. Бродин М.С., Блонский И.В., Страшникова М.И. Излучение электронно-дырочной капли в слоистом полупроводнике PbJ2 . Письма в ЖЭТФ, 1975, т.22, в.10, с.516 - 519.

93. Бродин М.С., Блонский И.В., Тищенко В.В. Время жизни и порог конденсации экситонов в слоистом прямозонном полупроводнике РЬТ^. ФТТ, 1979, т.21, в.5, с.1307-1310.

94. Бродин М.С., Блонский И.В., Тищенко В.В. Фазовая диаграмма "газ неравновесных носителей ЭДЖ" в прямозонном полупроводнике Pb J^ • ~ Письма в ЖЭТФ, 1980, т.32,в.2, с.119 122.

95. Leheny R.F., Scan J. Experimental Evidence for the Ecis-tence of a Electron-Hole Liquid in II IV Compounds.-Phys. Rev. Lett., v.37, «ИЗ» p.871 - 874.

96. Rosier M., Zimmerman R. Phase Diagram of Electron-Hole Liquids in Polar Semiconductors.- Phys. St. Solidi (b),1977, v. 83, №1, p. 85 91•

97. Андрюшин E.A., Силин А.П. Электронно-дырочная жидкость в сильно анизотропных полярных полупроводниках. ФТТ,1979, т.21, №3, с.839 842.

98. Корнейчук В.А., Шейкман М.К., Яременко A.M. Электронно-дырочная жидкость в полярных полупроводниках. ФТТ,1980, т.22, №5, с.1534 1536.

99. Балтрамеюнас Р., Вайткус Ю., Куокштис Э. Излучательная рекомбинация электронно-дырочных капель и неравновесная электронно-дырочной плазмы в кристаллах Z Y\ S . Литовский физич.сборн., 1980, XX, №4, с.57 - 67.

100. Балтрамеюнас Р., Куокштис Э. Электронно-дырочная жидкость в монокристаллах ZnSe. ЖЭТФ, 1980, т.49, №4, с.1319 - 1321.

101. I. Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Электронно-дырочный конденсат в полупроводниках с большой энергией связи экситона. ФТТ, 1981, т.23, в.5, с.1411 - 1416.

102. Hvam J.M. Induced Absorption and Gain from High Density Excitons in CdJS.- Solid St. Commun., 1978, v.26, №6,p. 373 376.

103. Днепровский B.C., Климов B.H., Мартыненко Е.Д. Спектрально-временные свойства экситонов люминесценции сильно возбужденных кристаллов Col S . §ТТ, 1981, т.23,в.З, с.819 826.

104. Pugnet М., Collet J. and Cornet A. Cooling of Hot Electron-Hole Plasmas in the Pesence of Screened Electron-Phonon Interaction.- Solid St. Commun., 1981, v.38, Ш6, p. 531- 536.

105. Xoshida H., Saito H. and Shionoya Sh. Luminescence and Inter-Valence Band-Hole Relaxation in High Density Electron-Hole Plasma in CdSe and CdS.- Techn. Rep. ISSP, ser.A, 1980, № 1082.

106. Бродин М.С., Воловик Н.В., Страшникова М.И.,Излучение электронно-дырочной плазмы в кристалле Сd Se. Письма в ЮТФ, 1976, т.23, в.5, с.253 - 526.

107. Воловик Н.В., Страшникова М.М. Стимулированное излучение электронно-дырочной плазмы в кристалле Col Se и его температурная зависимость. ФТТ, 1978, т.20, в.1, с.171 - 176.

108. Бродин М.С., Воловик Н.В., Резниченко В.Я. Особенности ре комбинационного излучения смешанных кристаллов Col 5,Л SeK при высоких уровнях возбуждения. ФТТ, 1981,т.23, в.5, с.1318 1323.

109. Бродин М.С., Витриховский Н.И., Закревский С.В., Резниченко В.Я. Генерация на смешанных кристаллах Cd Sk ~~ -CdS. при возбуждении излучением рубинового ОКГ. -ШТ, 1966, т.8, в.10, с.3084 3086.

110. Андрюшин Е.А., Келдыш П.В., Сонина В.А., Силин А.П. Электронно-дырочная жидкость в тонких полупроводниках пленках. ШЭТФ, 1980, т.79, №4, с.1509 - 1517.

111. Андрюшин Е.А., Силин А.П. Экситоны в тонких полупроводниковых пленках. §ТТ, 1980, т.22, в.9, с.2676 - 2980.

112. Бобрышева А.И., Зюков В.Т. Двухфотонное поглощение биэкситоном в тонкой пленке и полубесконечном кристалле. -§ТТ, 1980, т.22, в.10, с.1392 3194.

113. Абдуллаев Г.Б., Багиров А.Г., Салаев Э.Ю. 0 новой инфракрасной полосе излучения в Gra Se при 77 К. ШП, 1977, т.II, в.II, с.2248 - 2249.

114. Берегулин Е.В., Валов П.М., Рыбакова Т.В., ЯрошецкийИ.Д. 0 возможности использования кристаллов селенида галлия для преобразования инфракрасного света в ближайший ИК- 167 и видимый диапазон. ФТП, 1974, т.8, в.1, с.189 - 192.

115. Басов Н.Г. Богданкевич О.В., Пегенов А.Н. и др. Индуцированное излучение в монокристалле (ja£e при возбуждении быстрыми электронами. Докл. АН СССР, 1965, т.161, №5, с.1059.

116. Наркявичус В.К. Исследование спектров люминесценции и усиления света в монокристаллах Ga Se при высоких уровнях возбуждения. Дисс. . канд. ф.м.н., Вильнюс, 1982. - 154 с.

117. Гинзбург В.Л. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. УФН, 1968, т.85, в.1, с.91 - НО.

118. Лукиянец Б.А., Товстюк К.Д. Сверхпроводимость слоистых кристаллов. ФТТ, 1978, т.20, в.4, с.1268 - 1270.133. looser Е. and Schliiter М. The Band-Gap Excitons in Gallium Selenide.- Nuovo Cimento, 1973, V.18B, IS1, p. 164 - 207.

119. Mc Canny J.7. and Murray R.B. The Band Structures of Gallium and Indium Selenide.- J. Phys. C: Solid St. Physics, 1977, v.10, Ш8, p. 1211 1222.

120. Гамарц E.M., Ивченко Е.Л., Пикус Г.Е. и др. Поляризованная люминесценция смешанных кристаллов GonS» — GaSe в магнитном поле. Ш, 1980, т.22, в. 12, с.3620 - 3627.

121. Гамарц Е.М., Ивченко Е.Л., Мараман М.И. и др. Оптическая ориентация и выстраивание свободных экситонов в Go Se при резонансном возбуждении. ЖЭТФ, 1977, т.73, в.З, C.III3 - 1127.

122. Kuroda N. and Nishina Y. Near-Edge Spontaneous Fhotolumi-nescence in GaSe1 Phys. St. Solidi (b), 1975,v. 72, Ш1, p. 81 89.

123. Разбирин B.C., Мушинский В.П., Караман М.И. и др. Спектр непрямого экситона и фазовый переход в смешанных кристаллах GaS-GaSe . ®ГП, 1978, т,12, в.1, с.38 - 42.

124. Sasaki Y. and Nishina Y. Hiotoluminescence Studies of Indirect Bond Excitons in GaSe.- Phys. Rev.B, 1981, v.23, Ш, p. 4089 - 4097.

125. Mercier A., looser E. and Voitchovsky J.P. Resonant Exciton in GaSe.- Phys. Rev.B, 1975, v.12, №10, p. 4307- 4316.

126. Schwabe R., Thuselt F., Hansel T. and Levy R.Electron Beam Excited Free Eciton Luminescence of GaSe.- Phys. St. Solidi (b), 1978, v.90,.№1, p. 233 239.

127. Беленький Г.Л., Годжиев М.О., Нани Р.Х. и др. Излучатель-ный распад прямых и непрямых экситонов в Ста Se при низких температурах. ФГП, 1977, т.II, в.5, с.859 - 865.

128. Leite R.C.C., Meneses Е.А., Jannuzzi П., Ramos J.G.P.Carrier Assisted Radiative Recombination of Free Excitons in GaSe.- Solid St. Commun., 1972, v.11, N212, p. 1741 -- 1744.

129. Ugumori Т., Masuda K. and Namba S. Spontaneous and Stimulated Emission in GaSe under Intense Excitation.- Solid St. Commun., 1973, v.12, N85, P- 389 391.

130. Voitchovsky J.P., Mercier A. Photoluminescence of GaSe.-Nuovo Cimento, 1974, V.22B, №2, p. 273 292.

131. Mercier A. and Yoitchovsky J.P. Exciton-Exciton and Exci-ton-Carrier Scattering in GaSe.- Phys. Rev.B, 1975, v.11, ИЭ6, p. 2243 2250.

132. Ugumori Т., Masuda К and Namba S. Luminescence Due to Exciton-Electron and Exciton-Exciton Collisions in GaSe.-Kuovo Cimento, 1977, V.38B, KS2, p. 596 602.

133. Соломонов Ю.Ф., Субашиев В.К. Глубокие свободные и связанные экситоны и биэкситоны в Ga Se и их коллективное взаимодействие. Письма в ЖЭТФ, 1980, т.30, в.5,с.278 283.

134. Baltramiejunas R., Harcevicius V., Skaistys Е., Vaitkus J. and ViscaKas J. Polarisation of Luminescence Spectra and Electron-Hole Plasma Radiation in GaSe Single Crystals at High Level of Excitation.- Euovo Cimento, 1977, V.38B, «S2, p. 603 609.

135. Ugumori T. Change in Exciton Absorption With Laser Light in GaSe.- J. Phys. Soc. Japan, 1978, v.45, JS3, P-906- 909.

136. Шефер Ф.П. Лазеры на красителях. М.: Мир, 1976. - 329 с.

137. Тихонов Е.А., Шпак М.Т. Нелинейные оптчческие явления в органических соединениях. Киев: Наукова думка, 1979. - 384 с.

138. Balsarotti A., Grandolfo М., Souma Е. and Vecchia P. Temperature-Modulated Reflectance of GaSe at the Ground State Exciton Line.- Phys. St. Solidi (b), 1971, v.44, №2, p. 713 716.

139. Thomas G.A., Frova A., Hensel J.C., Miller R.E. and Lee P.A. Collision Broadering in the Exciton Gas Outside the Electron-Hole Droplets in Ge.- Phys. Rev.B, v.13, Ш4,p. 1692 1702.

140. Бродин M.C., Жеру И.И., Каперко В.П., Мацко М.Г. Наблюдение экситонных молекул в кристаллах Ста Se . УФЖ, 1981, т.26, №5, с.880 - 882.

141. Саито X. и Шионойя. Экситонная люминесценция и фотопроводимость при большой плотности возбуждения. Изв. АН СССР, сер.физич., 1973, т.37, №2, с.290 - 297.

142. Voigt J., Rucimann I. Direct Formation of Excitonic Molecules by Optical Absorption in CdS Single Crystals.Phys. St. Solidi (b), 1974, v.61, Й21, K85.

143. Bivas A., Phach Y.D., Honerlage B. and Grim J.B. Induced Absorption Due to Exciton-Biexciton Transitions in CuCl.-Phys. St. Solidi (b), 1977,-v.84, im, p. 235 243.

144. Бродин M.C., Каперко В.П., Мацко М.Г. Межэкситонное взаимодействие и индуцированные экситон-биэкситонные переходы в &cnSe. ШI, 1983, т.17, в.9, с.1568 - 1574.

145. Киттель Ч.^Введение в физику твердого тела. М.: Наука, 1978. - 792 с.

146. Ojjima М., Kushida Т., Tanaka X. and Shionoya Sh. Picose-cund Time Analysis of Excitonic Molecule Luminescence Spectra in CuCl.- J. Phys. Soc. Japan, 1978, v.44, Ш4, p. 1294 1304.

147. Ницович Б.М. Нелинейные взаимодействия квазичастиц и динамика экситонов. Дисс. . докт. ф.м.н. Киев, 1983. -233 с.

148. Бродин М.С., Каперко В.П., Мацко М.Г. Нелинейные экситон-ные эффекты и вопросы создания резонансного бозе-конден-сата с к = 0. Тезисы Всес.конф. по когерентной и нелинейной оптике. - М., 1980, с.248.