Исследование воияния антеркалирования и состояния поверхности на оптические свойства кристаллов селенида галлия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА (kl&e

1.1. Особенности кристаллической структуры .II

1.2. Строение энергетических зон

1.3. Оптические свойства

1.4. Выводы

ГЛАВА П. МЕТОДИКА ИНТЕРКАЛЙРОВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ &0&2 И ЕГО

КОНТРОЛЬ

2.1. Введение.

2.2. Методика интеркалирования

2.3. Методика контроля. а/ Исследование спектрок ИК-пропуекания . 55 б/ Исследование поверхностей скола с помощью оптического микроскопа. в/ Исследование спектров ЭПР г/ Измерение анизотропии фотопроводимости д/ Обсуждение результатов

2.4. Выводы.

ГЛАВА Ш. ВЛИЯНИЕ ИНТЕРКАЛИРОВАНИЯ НА СТРУКТУРУ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ

ЗОН СЕЛЕНИДА ГАЛЛИЯ

3.1. Введение.66,

3.2. Методика измерения спектров электроотражения и приготовление образцов

3.3. Спектры электроотражения исходных кристаллов

3.4. Спектры электроотражения интеркалированных кристаллов.

3.5. Обсуждение результатов

3.6. Выводы.

ГЛАВА 1У. ОСОБЕННОСТИ СПЕКТРОВ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ И 9КСИТ0НН0Г отражения интеркалированного и легированного GaSe

4.1. Методика исследования низкотемпературной фотолюминесценции и отражения

4.2. Спектры ФЛ и экситонного отражения исходных образцов

4.3. Влияние интеркалирования на спектры ФЛ и экситонного отражения кристаллов а/ Экспериментальные результаты. б/ Обсуждение.

4.4. Влияние легирования примесями редкоземельных элементов на формирование спектров излучательной рекомбинации селенида галлия а/ Спектры ФЛ б/ Спектры ЭПР.III в/ Обсуждение результатов

4.5. Выводы

глава у. воздействие ионно-аргонной обработки и поверхностных контактирующих покрытий на экситонные спектры селенида галлия

5.1. Введение.

5.2. Влияние контактирующих покрытий на экситонные спектры.

5.3. Влияние ионно-плазменной аргонной обработки на экситонные спектры отражения.

5.4. Расчет влияния поверхности на экситонные спектры

5.5. Выводы.

Развитие современной полупроводниковой электроники стимулирует разработку и исследование новых материалов, среди которых особое место занимают слоистые кристаллы. Отличительной чертой соединений этого класса является сильная анизотропия химических связей, которая обуславливает анизогопию ряда физических свойств, специфичность дефектообразования и поведения примесей* Благода-оя этим и многим другим особенностям слоистые полупроводники перспективны для практического применения. Так, например, на основе полупроводников А.В , типичным представителем которых является селенид галлия, разработаны нелинейные оптические преобразователи, квантовые генераторы, созданы переключающие устройства, работающие в широком диапазоне температур, фотоэлектрические приборы и другие элементы полупроводниковой техники и оптоэлект-роники.

Вследствие слабого ван-дер-ваальсовского взаимодействия между слоями слоистые кристаллы являются также удобными модельными объектами для изучения особенностей физических явлений в квазидвумерных системах. Повышенный интерес к таким исследованиям обусловлен тем, что обнаружение систем с квазидвумерным электронным спектром открывает перспективы для решения ряда важнейших фундаментальных и прикладных проблем физики твердого тела, среди которых отметим, например, реализацию экситонного механизма сверхпроводимости, предложенного Гинзбургом и Литтлом /"1,2 J*

В предположении слабой связи между слоевыми пакетами в слоистых кристаллах получен ряд интересных теоретических результатов относительно протекания физических процессов в системах с предельно анизотропным электронным спектром (например, предсказание существования в слоистых кристаллах двумерных экситонов /"3,4-7, давыдовского расщепления экситонного спектра [ 5 J и т;д.).

Но, как оказалось, ван-дер-ваальсовское взаимодействие между слоями не обеспечивает предельную анизотропию электронных состояний. Многочисленные экспериментальные работы по исследованию оптических свойств в области края фундаментального поглощения показали, что основные электронные свойства большинства слоистых кристаллов практически трехмерны. Это объясняется тем, что в формирование зон проводимости и валентной значительный вклад вносят перекрывающиеся орбитали анионов соседних слоев, В связи с этим пока не подтвердились представления о поведении экситонов в слоистых кристаллах, которые базировались на предположении, что в каждом слое образуется "свой" двумерный экситон Ванье с измененным по сравнению с трехмерным случаем законом квантования энергии. Специфическая кристаллическая структура слоистых полу-проводнивов проявляется в экситонных процессах через взаимодействие экситонов с фононами [ 6-8 ], во влиянии характерного для слоистых кристаллов явления политипизма, приводящего к одномерному разупорядоченига структуры [ 9] и т.п.

Однако анизотропия слоистых кристаллов может быть значительно усилена вследствие интеркалирования - внедрения в межслоевое пространство чужеродных атомов или молекул, которые раздвигают слои основного материала и тем самым уменьшают взаимодействие между электронами соседних слоев, йнтеркалирование является также одним из наиболее эффективных факторов изменения свойств слоистых полупроводников, так как контролированное легирование таких кристаллов обычными методами затруднено.

В настоящее время наиболее интенсивно изучаются слоистые г с h г полупроводники AT, А В , дихалькогениды переходных металлов, галогениды свинца, висмута, ртути и др. [ 10-14J, Среди соеди-ъ б нений А В следует отметить селенид галлия. Успехи технологии и перспективность практического применения обусловили многочисленны8 исследования его оптических свойств, стимулировали расчеты зонной структуры, установление особенностей его экситоных свойств. Результаты исследований селенида галлия позволяют построить сравнительно полную картину взаимосвязи его специфического кристаллического строения и энергетического спектра.* Но, хотя GaSe принадлежит к ряду наиболее исследованных слоистых кристаллов, влияние интернирования на его физические свойства изучено недостаточно. В то же время такие исследования дают фактический материал для построения в будущем общей квантово-химической теории интеркалирования, они необходимы также для дальнейшего развития представлений о характере протекания электронных процессов в интеркалированных полупроводниках, для разработки на основе слоистых кристаллов новых элементов полупроводниковой техники.

В прикладных областях большое значение имеют легированные полупроводники. Но контролированное легирование слоистых кристаллов является большой проблемой. В работе [ 15 J показано, что примесь не может находиться в слое в термодинамическом равновесии - она выталкивается в межслоевое пространство. При исследовании фотолюминесценции (ФЛ) кристаллов GaSe ,легированных рядом примесей, обнаружено, что примеси приводят к тушению экситонной люминесценции и увеличению интенсивности излучения в длинноволновой части спектра, независимо от вида исследовавшихся примесей /"16-18 7. Для выяснения природы центров длинноволновой рекомбинации в селениде галлия целесообразно было провести исследование легированных монокристаллов GaSe с помощью комплексного использования методов ФЛ и ЭПР при соответствующем подборе примесей?

Наличие слабых связей между слоями приводит к возможности простого получения фактически идеальных стойких к адсорбции плоскостей скола и тонких монокристаллических пластинок слоистых кристаллов. Это их свойство нашло практическое применение для изготовления гетеропереходов методом прямого оптического контакта двух различных полупроводников [ 19,207. Надежность таких структур в большой мера зависит от состояния поверхности скола слоистого кристалла. Однако к настоящему времени проблема влияния состояния поверхности на физические свойства слоистых кристаллов, в частности селенида галлия, фактически не изучалась^' Цель работы. Исследование влияния на оптическией свойства селенида галлия интернирования различными веществами, легирования редкоземельными элементами в процессе выращивания, ионно-плазменного облучения и нанесения поверхностных контактирующих слоев для изучения возможностей усиления анизотропии электронных характеристик и контролированного изменения физических свойств GaSe ф

Основные задачи." Исследование с помощью оптических методов особенностей кристаллической структуры интеркалированных кристаллов GaSe и изучение закономерностей размещения молекул антрацена в межсловвых пространствах селенида галлия.

Разработка методики определения концентрации молекул антрацена в межсловвых пространствах кристаллов GaSe •

Исследование спектров электроотражения интеркалированных кристаллов селенида галлия и установление изменений в его зонной структуре, в результате влияния различных интеркалированных веществ / ионов Jfa+ , hCL* , молекул антрацена /.

Исследование интеркалирования как фактора изменения анизотропии слоистых кристаллов и его влияния на экситонные спектры селенида галлия для выяснения особенностей поведения экситонов Ванье-Мотта в среде с усиленной анизотропией.

Изучение влияния примесей £u , JCcI , GcL на формирование спектра излучательной рекомбинации GaSe •

Исследование влияния бомбардировки низкоэнергетическими ионами аргона и поверхностных контактирующих покрытий Ла , Jfl 1 Ti02 на экситонные спектры G-a.Se .

Научная новизна* Впервые исследованы спектры электроотражения интеркалированных кристаллов GaSe и обнаружены изменения зонной структуры, существенно зависящие от вида интеркалянта^

В селениде галлия, интеркалированном антраценом, обнаружено увеличение на 15+25 % энергии связи основного состояния экситона, обусловленное увеличением степени анизотропии эффективных масс носителей заряда.

Показано, что примесь гадолиния, в отличие от европия, неодима и других исследовавшихся примесей, образует в GaSe центр из луча тельной рекомбинации.1

Обнаружена локализация экситонов в приповерхностной области GaSe в результате бомбардировки низкоэнергетическими ионами аргона и нанесения диэлектрических контактирующих слоев TiOz ,

Практическая ценность. Полученные в работе результаты влияния интеркалирования на физические свойства GaSe ( изменение структуры энергетических зон, увеличение степени анизотропии ) свидетельствует о перспективности интеркалирования как фактора контролированного изменения физических свойств GaSe и могут быть использованы при разработке приемников излучения, сверхрете-ток и других элементов полупроводниковой техники и оптоэлектро-ники.

Разработана методика определения средней концентрации молекул антрацена в интеркалированном селениде галлия, которая применима и для других слоистых кристаллов, интеркалированных органическими веществами.

Показана возможность управляемого повышения структурной однородности приповерхностной области кристаллов (raSe с помощью ионно-плазменной аргонной обработки, что может быть использовано при изготовлении однородных гетеропереходов на основе GclSg методом прямого оптического контакта.

Положения, вынесенные на защиту:

1. Интеркалирование селенида галлия антраценом приводит к расщеплению его энергетических зон, образованных р^ - электронами селена, что проявляется в расщеплении на 0,32 эВ энергетического зазора, соответствующего первому прямому переходу в спектрах электроотражения и свидетельствует о сильном взаимодействии & - электронов антрацена и - электронов селена. В селениде галлия, интеркалированном ионами бария взаимодействие внешних орбиталей ионов бария о указанными зонами слабев и обуславливает только сдвиг энергий переходов в спектрах ЭО на 30 * 40 мэВ в коротковолновую область.

2. Сдвиг энергетического положения основного состояния экси-тона на 3 + 5 мэВ в длинноволновую область в селениде галлия, интеркалированном антраценом, является результатом увеличения энергии связи экситона, которое, в свою очередь, обусловлено возрастанием анизотропии эффективных масс носителей заряда вследствие интеркалирования.

3. Примесь редкоземельного элемента гадолиния, в отличие от большинства исследовавшихся примесей ( М, , fit , Со. , Ьп , и др.)» которые приводят только к увеличению числа собственных дефектов, образует характерный центр излучательной рекомбинации с ^-гпла ~ 601 ны*

Обработки поверхности скола (jdbe ( облучение низкоэнергетическими ионами аргона, нанесения диэлектрических покрытий) способствуют локализации экситонов у поверхности кристалла.'

Апробация работы. Результаты работы докладывались и обсуждались на семинаре "Физические свойства слоистых кристаллов" /Баку,1978/, УД Всесоюзном симпозиуме по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик /Новосибирск, 1980/, ХХУП Совещании по люминесценции /кристаллофосфоры / /Эзерниеки, Латв.ССР, 1980/, У Республиканской конференции молодых ученых-физиков Азерб.ССР /Баку,1980/ , ХУ Всесоюзном семинаре "Экситоны в кристаллах" /Черновцы, 1981/, Всесоюзной конференции по физике полупроводников /Баку,1982/.

Публикации. По результатам исследований опубликовано 10 работ.

Объем работы. Диссертация состоит из введения,пяти глав,выводов, приложения, списка литературы,

ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ

1. Методами фотолюминесценции, электроотражения, ИК-спект-роскопии впервые проведены комплексные исследования кристаллов

O-Cl&e , интеркалированных ионами металлов /Ж , ЪоГ I и молекулами антрацена. Установлено, что характерной особенностью интеркалированных образцов селенида галлия является уменьшение степени кристаллического совершенства и неравномерное распределение интеркалянта по объему кристалла.

2. Разработана и апробирована эффективная методика обнаружения и определения средней концентрации молекул антрацена в ин-теркалированном селениде галлия по спектрам пропускания в ИК-об-ласти.

3. В случае интеркалирования селенида галлия антраценом идентифицированы два способа размещения интеркалянта в межслоевых пространствах : I) образование макровключений размерами 0,5f5 мкм; 2) упорядоченное размещение молекул антрацена, соответствующее минимуму потенциальной энергии системы, когда плоскость каждой молекулы расположена параллельно слоям $&£>е •

4. В результате анализа спектров ЭО установлено, что в GclSg ,интеркалированном антраценом, имеет место сильное взаимодействие -орбиталей антрацена и рц. -орбиталей селена, образующих в GabG энергетические зоны Г-j- и Г^, а также понижение симметрии системы С ^вК- —^ Действие этих факторов приводит к расщеплению указанных зон, одна из которых проявляется в электроотражении ( Г^, переход Е0 , величина расщепления 0,32 эВ).

5. Обнаружено взаимодействие внешних орбиталей ионов бария (£s) с энергетическими зонами Г^ и Г^ селенида галмя приводящее к характерному сдвигу энергий переходов в коротковолновую область на величину 30 * 40 мэВ.

6. Установлены следующие структурные особенности интерка-лированных образцов G-aSe * проявляющиеся в экситонных спектрах независимо от вида интеркалянта: I) увеличенная концентрация дефектов упаковки, проявляющаяся в увеличении числа линий тонкой структуры в области свободного экситона ; 2) разупорядочение в плоскости слоев вследствие наличия в межслоевых пространствах молекул антрацена или ионов металла, которое обуславливает флук-туационный потенциал, приводящий к уширению линий экситонного отражения от ^ I мэВ в исходных монокристаллах до 3 мэВ в интернированных.5

7.В селениде галлия, интеркалированном антраценом, обнаружено увеличение энергии связи экситона на 15* 25 ^обусловленное возрастанием анизотропии эффективных масс носителей заряда.

8.Показано, что легирование Ga£>e редкоземельными элементами ( £u , JYU , Grd. ) в процессе выращивания сопровождается образованием большого числа дефектов структуры, которые приводят к тушению экситонной ФЛ и одновременно являются центрами излуча-тельной рекомбинации в области 600 * 630 нм.

9. В результате исследований ФЛ кристаллов G-aSe , легированных редкоземельными элементами,установлено, что гадолиний образует в (kbSe характерный центр излучательной рекомбинации с чЯтпах"6^! нм» в 10 время как европий и неодим аналогичных центров не образуют.

10. Исследованы экситонные спектры кристаллов (Va.Se после нанесения поверхностного покрытия Т^Ог. и облучения низкоэнергетическими ионами аргона. Установлено, что увеличение интенсивности экситонных линий является следствием притягивания экситонов к поверхности силами зеркального изображения и локализацией экситонов в приповерхностной области на дефектах структуры, образовавшихся в результате указанных обработок.

II. Показано, что в результате низкодозовой ( ^ ~ I0*3 4 Til ?

10х ион/см ) ионно-плазменной обработки повышается структурная однородность приповерхностной области кристаллов селенида галлия вследствие снятия в процессе бомбардировки механических напряжений и образования однотипных дефектов упаковки.

1. Гинзбург В.Л, К вопросу о поверхностной сверхпроводимости^ 1ЭТФ,1964, т.47, №8, с.2318-2323» Проблема высокотемпературной сверхпроводимости. - УФН,1968, т.95,в.1,с.91-П0;

2. Little W.A. Possibility of Synthesizing an Organic Superconductor. -Phys. Rev., 1964, v. 134, N 6A, p. A 1416-A 1424.

3. Shinada M., Sugano S. Interband Optical Transitions in Extremely Anisotropic Semiconductor a. I. Bound and Unbound Exciton Absorption.- J. Phys. Soc. Jap., 1966, v. 21, N. 10, p. 1936-1946.

4. Лисица М.П.,Яремко A.M.«Тарасов Т.Г.,Валах М.Я.,Бережинский М.И. Особенности экситонных эффектов в слоистых кристаллах.-ФТТ, 1972, т.14,№11,0.3219-3224.

5. Данилевич-Товстюк К.К.,Берча Д.М. Давыдовское расщепление в од-ночастичных спектрах jb-O-a&C.1 -Препринт ИТФ-81-4Р, 1981,16 с.

6. Бродин М.С.,Блонский И.В.,Крочук А.С.,Ницович Б.М.,Франив А.В. Экситонное поглощение света в слоистых кристаллах ЖЭТФ, 1982, т.83, № 3(9), с.1052-1058.

7. Бродин М.С.,Блонский И.В.,Крочук А.С.,Ницович/,Франив А.В. Проявление изгибных волн в экситон-фононном взаимодействии слоистого кристалла PBJ2 • -ФТТ,1982,т.24, №3,с.681-684.1

8. Товстюк К.Д. Квазисвязанные экситон-фононные состояния в &(Х§>е . В кн. "Спектроскопия молекул и кристаллов",т.1, г.Киев, "Наукова думка",1981, с.140-143.

9. Forney J.J., Maschke К. and Mooser Е. influence of Stacking Disorder on Wannier Excitons in Layered Semiconductors.- J.Phys. C., 1977, v .10, К 11,. p. 1887-1894.

10. V Литовченко В.Г, Основы физики полупроводниковых слоистых систем. Киев, Наукова думка, 1980 - 282 с.

11. Булаевский Л.Н. Сверхпроводимость и электронные свойства слоистых соединений. УФНД975, т.П6,№ 3,ci449-488i!

12. Wilson J.A., Yoffe-A.D. The transition metal dichalcogenid.es,

13. Adv. Phys. , 1961, 18, IT 73, P. 193-355.

14. Лисица М.П.,Моцный Ф.В. Свойства трвхиодистого висмута при обычном и лазерном возбуждении (обзор). -Квантовая электроника. Киев,Наукова думка,1979, т.17,с.26-45.

15. Voitchovsky J.P. ,Mercier A. Photoluminescence of GaSe.-Nuovo Cim., 1974, V.22B, N2, p. 273-292.17? Gapozzi "V., Minafra A. Photoluminescence of GaSe (Gu) doped by ion implantation.- Solid St. Commun., 1981, v .38, H4, pp. 341-343.

16. Гнатенко Ю.П.,Ковалюк З.Д.,Скубенко П.А. Краевая люминесценция кристаллов &CI&G , легированных примесями группы железа. -УФЖ, 1982, т.27, № 6, с.838-842.

17. Schubert К., Dorre Е., Kluge Ы. 2ш? Kristallchemie dea Б- Metalle. IIX. Kri stalls tructur -von GaSe und IaTe.- Z. Metallk., 1955» В.46, S.216-224.

18. Kuhn A., Chevy A., Chevalier R. Crystal Structure and Interatomic Distances in GaSe.- Phys. Stat.Sol. (a),1975, v.21, N2, p. 469-475.

19. Terhell J.C.J.M., Lieth R.M.A. Preparation and Crystallography of Gallium Sulfide-Selenide Solid Solution.-Phys.Stat.Sol.(a), 1971, v.5, HJ, p.719-724.

20. Terhell J.C.J.M., Lieth R.M.A. Structure and Compound in the System Ga^Se^.- Phys.Stat .Sol. (a), 1972, v. 10, N2, p. 529-535.

21. Hahn H. Uber die Structuren des Chalcogenide des Gallium, Indium und Tallium.- Angewandte Chemie., 1953, В 65, H.8, S. 538-546.

22. Jellinek F., Hahn R. Zur Polytypie des Galliummonoselenids , GaSe.- Z. Naturf., 1961, B.16b, H.11 ,1. S. 713-715.

23. Basinski Z.S., Dove D.B., Mooser E. Relationship Between Structure and Dislocations in GaS and GaSe.- Helv .Phys. Acta, 1961, v.34, N.5, p. 373-378.

24. Fischer G. and Brebner J.2. Electrical Resistivity and Hall Effect of Single Crystalls of GaTe and GaSe.-J.Phys. Ghem. Solids, 1962, v.2$, N10, p. 1363-1370.

25. Minder R., Zschokke -Granacher I. Die Beweglichkeit von Ladungstragern in Galliumselenids Kristallen.-Iielv. Phys. Acta, 1974, v.47, N2, p. 173-I88.

26. Медведева З.С. Халькогениды элементов Ш Б подгруппы периодической системы. М.,Химия,1968. - 215 с.35* Klem V/., Vogel A. Uber die Chalkogenide von Gallium und Indium.- Z.Anorg. Allgem.Chem. 1934, В .219,S.45-64 .

27. Мехтиев Р.Ф.,Абдуллаев Г.Б.,Ахундов Г.А. Методика выращивания монокристаллов GaSe и исследование их некоторых свойств. Докл.АН Аз.ССР,1962, т.18,№ I, с.П-16.

28. Рустамов П.Г.,Мардахаев Б.Н. Выращивание монокристаллов некоторых сульфидов галлия из газовой фазы. Изв.АН СССР, Неорг.материалы, 1967, т.З, № 3, с.575-577.

29. Fischer G. Speculations on the Band Structure of the Layer Compounds GaS and GaSe.- Helv.Phys .Acta, 1963,v.36, N3, P. 316-353.

30. Bassani F. Bastori Earravicini G. Band Structure and Optical Properties of Graphite and the Layer Compounds GaS and GaSe.- Nuovo Cim., 1967, v.30, H1, p. 93-128.

31. Kamimura H., Makao H. Band Structure and Optical Propertiesof the Layer Compounds GaS and, GaSe.- J.Phys.Soc. Jap. 1968, v.24, N6, p. 1^3-1325.

32. Bourdon A. Structure de bandes electronique de GaSe.-J.

33. Physique, v. 35, Ш, p. 03-261 0^-267.

34. Ыс.Canny J.V., Murray R.B. The Band Structures of Gallium and Indium Selenide.- J.Phys.C., 1977,v.10, E8, p. 12111222.

35. Nagel S., В alder esc hi А», laschke К» Tight Binding Study of the Electronic State in GaSe Polytypes.- J.Phys.G., 1979, v.12, N9, p. 1625-1639.

36. Robertson J. Electronic Structure of GaSe, GaS, InSe and GaTe.- J.Phys.C., 1979, v.12, H.22, p. 4777-4789.

37. Bashenov VJU, Garyainov S.A., Ivlarvakov D.J. Band Structure of Layer Gallium Selenide.- Phys. Stat .Sol. (b}f 1977, v.22, H. 1 , p. K95- E96.

38. Баженов В.К.,Марваков Д.И.,Петухов А.Г. Зонная структура селенида галлия в двухмерном приближении. ФТП,1978,тЛ2,в.7, 0Л442-1444.

39. Schluter М. Die Electronische Bandstructur von Hexagonalen GaSe.- He lv. Phys .Acta, 1972, v.45, , p. 73-76.

40. Schluter M. The Electronic Structure of GaSe.-Huovo Gim., 1973, V.13B, Ж .2, p. 313-360.

41. Schluter M., Camassel J., Kohn S. Voitchovsky J.P., Schen Y.R. and Cohen M.L. Optical Properties of GaSe and GaSxSe1-x Mixed Crystals.- Phys.Rev., В., 1976, v.1.5, HS, P. 3534-3547.

42. Depeursinge I. Electronic Band Structure of the Polytypes of GaSe.- Nuovo Cim., 1977, v. ^SB, Ж1, p. 155-169.

43. Mooser E., Schiuter to. The Band-Gap Excitons in Gallium-SelenideNuovo Gim., 1973, V.1SB, N1,p. 164-207.

44. Ottaviani G., Canali C., Nava P., Schmid Ph., Mooser E., Minder E., Zschokke J. GaSe:-A Layer Compound With Anomalous Valence Band Anisotropy.-Solid St .Commun. ,1974 ,v .14,N10,1. P. 933-936.

45. Brebner J.L. and Mooser E. Excitons in GaSe Polytypes.-Phys.Lett., 1967, v.24A,N5,p. 274-275.

46. Багаев В.С.,Беленький Г,Л.,Зайцев В.В.,Салаев Э.Ю.,Стопачин-ский В.В. Горячая люминесценция в селениде галлия, ФТТ, 1979,37,21,в.8, с.2217-2222.

47. Schepherd E.R., Williams P.M. Photoelectron studies of the densities of states in gallium chaleogenides.-Phys.Rev.,

48. В., 1975, v.12, p. 5705-5713.

49. Margaritondo G., Rovve J.E., Christman S.B. Synchrotron Radiation Photoemission Spectroscopy of III-YI Compounds.

50. Phys.Rev., В., 1977, v.15, n8, p. 3844-3854.

51. Aulich E., Brebner J.L., Mooser E. Indirect Energy Gap in GaSe and GaS.- Phys.Stat.Sol., 1969, v.31 ,N1, p.129-131.

52. Thanh Le Chi, Depeursinge C. Absorption and Electroabsorp-tion Near the Indirect Edge of GaSe.- Solid St. Commun.,1977, v. 21, N3, p. 317-321.

53. Williams P.M. Direct Evaluation of Electronic Band Structures of Layered Solids using Angular Resolved Photoemission.-xjuovo Gim., 1977, v. 3SB,N.1, p. 216-224.

54. Thiry P., Pet г off У., Pinchaux R., Guillot C., Ballu J. Lecante J., Paigne J., Levy F. Experimental Bandstructure of GaSe Obtained by Angular Resolved Photoemission.-Sol. St.Gommun., 1977, v.22, N11, p. 685-689.

55. Nahory R.E., Shacklce K.Z., Leheny R.F., De Winter J.G. Stimulated Enmission and Type of Bandgap in GaSe.-Solid St. Commun., 1971, v.9, N13, p. 1107-1111.

56. Deverin J.A. Contributions a'la theorie des excitonsde Warinier dans les cristals anisotropes.-Helv .Phys .Acta, 1969, v.42, N3, p. 397-419.

57. Агранович В.M.,Гинзбург В.Л.,Кристаллооптика с учетом пространственной дисперсии и теория экситонов."Наука",М., 1979 -432 с.

58. Gerlach В., Pollman J., Wannier G. Excitons in Layered Semiconductors.- Nuovo Cimento, 1977, v.138B,N8,p.423-432.

59. Baldereschi R., Diaz M.G. Anisotropy of Excitons in Semiconductors.- Nuovo Cimento, 1970, v.68B,N2, p. 219-229.

60. Schmid Ph., Voitchovsky J.P., Mercier A. The Effect of Iii^urities on the low temperature photoluminescence of GaSe.- Phys.Stat.Sol.(a), 1974, v .21, N2, p. 443-450.

61. Mercier A., Mooser E., Voitchovsky J.P. Resonant Exciton in GaSe.- Phys .Rev .В., 1975, v.12, N10, p. 4307-4311.

62. KurodaN., Nishina J. Near-Edge Spontaneous Photoluminescence in GaS^Se^.- Phys .Stat .Sol. (b) ,1975 .72 ,N1 ,p .81-89.

63. Басов Н.Г.,Богданкевич О.В.,Печенов A.H.,Абдуллаев Г.Б., Ахундов Г.А.,Салаев Э.Ю. Индуцированное излучение в монокристалле GaSe при возбуждении быстрыми электронами. -ДАН СССР, 1965, т.161, № 5, с.1059-1062.

64. Ugumori Т., Masuda К., Namba S., Spontaneous and Stimulated Emission in GaSe Under Intence Excitation.-Solid State Commun., 1973, v«12, N5, p. 3S9-391.

65. Kuroda N., Nishina Y., Stacking-Fault Splitting of Exciton States in GaSe.- Nuovo Gimento, 1976, v .3253 ,H1 ,p .109-115.

66. Беленький Г.Л.,Годжаев М.0.,Нани Р.Х.,Салаев Э.Ю.,Сулейма~ нов Р.А. Излучательный распад прямых и непрямых экситонов в

67. GaSe при низких температурах. ФТП,1977,т.II,№5,с.859-866.

68. Разбирин В.С.,Мушинский В.П.,Караман М.И.,Старухин A.Hi;, Гамарц Е.М. Спектр непрямого экситона и фазовый переход в смешанных кристаллах Gc& Ga&e • - ФТП,1978,т.12, в.1, с.38-42.

69. Matsumura Т., Sudo М. ,Tatsuyam.a G. Ichimura S. Photolumi-nescence in GaSe.- Phya.Stat.Sol.(a),1977, v.43 ,N2,p., 683-693.

70. Абдуллаев Г.Б.,Беленький Г.Л.,Нани Р.Х, Салаев Э.Ю.:, Сулей-манов Р.А. Непрямые экситоны в селениде галлия. ДАН Аз.ССР, 1976,т;32, Ш 8, с.13-15.

71. Depeursinge С., Thanh Le Chi. Observation of the indirect Exciton Transition in GaSe.- Phys.Semicond.Eroc. 13th Int. Conf. ,Eome, 1976, Rome, 1976, p. 388-391.

72. Gavaleshko W.P., Lyakhovich A.K., Vatamanyuk P.P. and Savchuk A.J. Faraday Effect in IIX-VI Layer Compound.Phys. Stat .Sol. (b), 1982, v.113, N2, p. 447-431.

73. Курик M.В.,Савчук А.Й.,Раренко И.М. О природе тонкой структуры поглощения &а£>е . Оптика и спектроскопия,1968,т.24, с.999-1002.

74. Brebner J.L., Halpern J. ,Mooser E. Finestructur des Excitonen Spectrum in GaSe .-He 1л/ .Phys. Acta, 1^67, v.40, N4, p. 382-385.

75. Беленький Г.JI, Особенности спектров экситонного поглощения C-aSe при 4,2 KiJ -ФТП,1976,т.Ю, в,б, с.1208-1209.

76. Abdullaev G.B., Belenkii G.L., Salaev Е. Yu . and Suleima-nov R.A. Inter layer Interaction and Exciton Spectrum of GaSe at Low Temperatures.- Nuovo Gim., v.38B,N2, p.469-476.

77. Thanh Le Ghi, Depeursinge G. Рале Structure of Exciton Spectrum in GaSe.- Solid State Coinmun., 1978» ^«25,1. N7, p. 499-303.

78. Tong B.J. Localization of Electron States in One-Dimensional Disordered Systems.- Phys.Rev., A„, 1970, v .1 ,Ы1 ,p. 52-38.

79. Eorney J.J., Maschke K., Mooser E., Fine-Structure

80. Splitting of the Ground-State Excitons in Layer Materials. With Stacking Eaults-Uuovo Gim.,1977, v.3SB ,N2,pp.418-422.

81. Maschke K., Schmid Ph.Influence of Stacking Disorder on. Electronic Properties of Layer Semiconductors.Phys.Rev .В ., 1975, v.12, N10, p. 4312-4315.

82. Sasaki J. and Nishina J. Mobile and Immobile Localized Excitons Induced by the Stacking Faults, in GaSe.-Physica B+G 1981, v. ЮЗЕ, И 1-3, p. 45-49.

83. Разбирин B.C., Мушинский В.П., Караыан М.И., Старухин А.Н.% Гамарц Е.М. Оптическое выстраивание экситонов в &г£>е . -Изв.АН СССР, сер.физ.,1976,т.40, № 9, с.1872-1875.

84. Вешунов Ю.П.,Захарченя Б.П.,Леонов Е.М.,-Оптическая ориентация экситонов и эффект Ханле в Oa^e . ФТТ,1972,т.14,в.9, с.2678-2681.

85. Kushida Т., Minami Р., Oka J., Nakazaki J., kanaka. Г.

86. Population Dynamics and Spin Relaxations of Excitons in GaSe.- Nuovo Oim., 1977, v. 38B, N2, p. 650-654. 91 . Voitchovsky J.P. Mercier A. Long-Lifetime Photoluminescence in GaSe.- Phys. Stat.Sol. (a), 1975, v»18, N2, p. 545-551.

87. Morigaki K., Dawson 2?», Cavenett B.C. Optical Detection of Triplet Exciton Resonance in GaSe.-Sol. St.Commun., 1978, v.28, N9, p. 829-854.

88. Mercier A., Mooser E., Voitchovsky J.P. Resonant Exciton in GaSe.- Phys. Rev.B, 1975, v.12, N 10, p. 4307-4311.

89. Baltramie junas R., Guseinov G., Narkevicius V., Iliunka. V., Vaitkus J. and Viscakas J. The Temperature Dependence of the Edge Emission of GaSe Single Crystal at High Excitation Levels.- Optics Commun. 1974, v.11, N3, p. 274-275.

90. Baltramie junas R., Narkevicius V., Skaistys E., Vaitkus J. and Viscakas J. Polarisation of Luminescence Spectra and . Electron- Hole Plasma Radiation in GaSe Single Crystals at High Level of Excitation.- Nuovo Oim., 1977, V.38B, N2,p. 6O3-6O9.

91. Catalano J.M., Cingolani A., Eerrara M., Minafra A. Luminescence by Exciton-Exciton Collision in GaSe.-Phys.

92. Stat.Sol.(b), 1975, v.68, N1, p. 341-547.

93. Дирочка А.И., Сосин В.A, 0 природе рекомбинационного излучения ыоноселенида галлия. Труды МФТИ, сер."Радиотехника и электроника",1975, №10, с.75-84.

94. Курбатов Л.Н.,Дирочка А.И.,Сосин В.А.,Синицын Е.В. Излуча-тельные переходы в ыоноселениде галлия. ФТТ,1977, т.19, № 3, с.820-825.

95. Агекян В.Т.,Соломонов Ю.Ф.,Степанов Ю.А.,Субашиев В.К. Спектр излучения селенида галлия при сильном оптическом возбуждении.- ФТ11,1976,т.Ю, №4, с.707-711.

96. Leite E.G.С., Meneses Е.А., Jannuzzi Ж. and Ramos J.G.P. Carrier Assisted Radiative Recombination of Eree Exciton in GaSe.-Solid St .Commun., 1972, v»11, N12, p.1741-1744.

97. К us hid a T,., Minami P., Oka J., Nakazaki I. Tanaka J. Population Dynamics and Sp)in Relaxation of Exciton in GaSe.- Muovo Cim., 1977, v. 39B, N2, p. 650-6^4.

98. Leung P.C., Anderman G., Spitzer W.C., Mead С .A. Dielectric constants and infrared absorption of GaSe.-J.Phys.Chem.Sol.,1966, v.27, N5, P. 849-855.

99. Беленький Г.Л.,СтопачинскиЙ В.В. Электронные и колебатель3 бные спектры слоистых полупроводников группы А В . -УФН, 1983, т.140, № 2,с.231-270.

100. Gamble F.R., Osiecki J.H., Cais М., Pisharody R. Intercalation Complexes of Lev/is Bases and Layered Sulfides: A Large class of Hew Superconductor .-Science, 1971, v.174, Ж 4008, p. 493-497.

101. Проблема высокотемпературной сверхпроводимости / Под ред.Гинзбурга B.JI, и Киркица Д.А./. М.,Наука, 1977, 400 с.

102. ПО. Кошкин ВЖ', Мильнер А.П.,Куколь В.В.,Забродский Ю.Р^',

103. Дмитриев Ю.Н.',Бринцев Ф.И. Новые интеркалированные кристаллы Pi.2 и В1]ь ФТТ, 1976,т.18, № 2, с.609-611;

104. Кошкин В.М., Катрунов К.А. Оверхрешетки и квантовый размерный эффект /КРЭ/ в интеркалированных кристаллах. Письмав ЖЭТФ, 1979, т.29, № 4, с.205-209.

105. Рыбалка А.И., Милославский В.К. Ультрафиолетовые спектры тонких пленок РЬ.2 интеркалированных пиридином. -Оптика и спектроскопия, 1976, т.41, в.2, с,252-256.

106. Ковалюк З.Д.,Минтянский И.В.,Электрические свойства монокристаллов JnSe ,интеркалированных антраценом. -УФК, 1982, т.27, № 4, с.616-617.

107. Acri-vos J.V., Liang W.J., Wilson J.A., Yoffe A.D. Optical Studies of Metal-Semiconduction Produced by Intercalation.-J.Phys.G., Solid St. Phys. 1971, v .4 ,N1 , p. L18-L20.

108. Балла Д.Д.,Мамалуй А.А. Температурная зависимость электросопротивления 2H-JW>be2 интеркалированного в растворе LdTCNQ. /4,24 78 К/ ФНТ,1978,т,4, № 5, с.617-621.

109. Acrivos J.V., Salem J.R. Charge transfer complexes in intercalated layer compounds.- Phil.Mag., 1976, v.30, p. 603-619.

110. Murphy D.W., Trumbore 3?.A. Metal Chalcogenides as Reversible Electrodes in Nonaqueous Lithium Batteries.-J. Cryst. Growth., 1977, v.39, N1, p.183-189.

111. Scholz G., Joensen P., Reyes J.M. and Erindt R.E. Intercalation of Ag in TaS2 and TiSg.- Physica B+C,1981, v. 105B, N 1-3, p. 214-217.

112. Bree A., Kydd R.A. Infrared Spectrum of Antracene Crystals.-J.Chem.Phys., 1968, v.4S, N 12, p. 3319-5323.

113. Ищенко С.С.,Иванийчук М.Т.,Корбутяк Д.В.,Окулов С.М., Ковалюк З.Д.,Григорчак И.И. Некоторые характеристики интеркалированного селенида галлия, полученные СВЧ и оптическими методами.-ФТП,1981,т.15,в.Ю, с.2045-2047.

114. Ищенко С.0.,Окулов С.М.,Абудллаев Г.Б.,Беленький Г.Л., Грачев В.Г.,Дейген М.Ф.,Нани Р.Х.,0алаев Э.Ю.,Семенов ЭПР JUn1+ в монокристаллах GaSe . -ФТТ,1975,т.17, в.6,с.1794-1796.

115. Коновалов В.М.;,йщвнко 0.С.,Окулов С.М. Аксиальное кристаллическое поле и ЭПР в &й£е . ФТТ,1980,т.22,№6,с.1842-1844.128.хигаси К.,Баба Х.,Рембаум А. Квантовая органическая химия.1 Мир,М.,1967 380 с.

116. Пул Ч^' Техника ЭПР спектроскопии. М.,Мир,1970. 557 с.120. lib .Canny J.V. The Electronic Structure of Lithiated SnSg.-Phys .Stat .Sol. (b), 1979, v.93, N1, p. K29-K34.

117. Mc .Canny J.V. A Theoretical Stadys of the Effects of Lithium Intercalation of the Electronic Structure of TiS2.-J. Phys.C., 1979, v.12, U 16, p. 3263-3276.

118. Кардона M, Модуляционная спектроскопия. M.,Мир,1972.-416 с.

119. Гавриленко В.И.,Рубан М.А. Использование системы автоматической записи спектров элекгроотранения для экспериментального исследования слоистых структур Si-St02 . Сб.Полупроводниковые пленки и слоистые структуры, с.91-97, Науко-ва думка, Киев,1977.

120. Balzarotti A., Piazentini М., Burattini Е., Picozzi Р. Electroreflectance and band structure of gallium seleni-de.-J.Phys.C., 1971, v.4, N13, p. L275-L278.

121. Sasaki J., Hamaguchi C., Nakaji J. Electroreflectance of GaSe.- I.Around 3,4 eV.-J.Phys .Soc „ Jap., 1973, v.38,1. N1 , p. 162-168.

122. Piacentini M. Electroreflectance of GaSe: the interpretation of the structure above the edge.-Solid.St.Commun., 1976, v.19, N8, p. 775-778.

123. Тягай В.А.',Снитко О.В.,Бондаренко В.Н.,Витриховский Н.И., Попов В.Б.,Красиков А.Н.* Спектры электроотражения монокристаллов ZnxCcl{„xТе .-ФТТ, 1974,т.16,в.5,0.1373-1382.

124. Seraphin В.О., Bottka N. Band-Structure Analysis from Electroreflectance Studies.- Phys.Rev., I966, v.145» N2, p. 628-636.

125. Yang E. Excitonic Effects on Dielectric Properties of Solids in a Uniform Electric Field .-Phys.Rev .B, 1971, v.4, N6, p. 2046-2053.

126. Лисица M.П.,Бойко С.А.,Терехова С.Ф. Дисперсия показателя преломления и экситонное поглощение G-aSe . -<Ш1,1978, т.12,в.II, с.2092-2095}

127. Grandolfo М., Somma F. and Yecchia P. Temperature Modulation of the Optical Constants of Layer Compounds GaSe and GaS.- Phys.Rev. B, 1972, v.5, N2, p. 428-434.

128. Физико-химические свойства полупроводниковых веществ.Справочник.-М.Наука, 1979. -368 с.

129. Бонч-Бруевич В.Л.,Звягин И.П.,Кайпер Р.,Миронов А.Г.,Эндер-лайн Р.,Эссер Б. Электронная теория неупорядоченных полупроводников.-М.;, Наука, 1981.-384 с.

130. Нокс Р.,Холд А. Симметрия в твердом теле.-М.,Наука,1970, -424 с.

131. Бабенко В.П.!,Броуде В.Л.,Медведев B.C. и др.' Методы и аппаратура низкотемпературных оптических и спектральных исследований. ПТЭ, 1959,т.I, №1,с.II5-120.

132. Зарубин Л.И.,Немиш Й.Ю. Полупроводниковая криогенная термометрия. -ПТМ,1974,в.16,с.3-12.

133. Барановский С.Д.,Эфрос А.Л. Размытие краев зон в твердых растворах. -ФТП,1978,т.12,в.II, с.2233-2237.

134. Суслина Л.Г.,Плюхин А.Г.,Федоров Д,Л.,Арешкин А.Г. Ушира-ние экситонных состояний в твердых растворах полупроводников .-ФТП,1978,т.12,в.11,с.2238-2242.

135. Kukimoto Н., Shionoya Sh., Toyotomi S., Ivlorigaki К.,

136. Skreening and Sbark Effects Due to Impurities on Excitons in CdS.-J.Phys.Soc.Jap., 1970, v.28, N1, p. 110-119.

137. Райе Т.,Хенсел Дж.,Филлипс Т.,Томас Г. Электронно-дырочная жидкость в полупроводниках^-М.,Мир,1980

138. Baran J.N., Tovstyuk K.D. The Impurity in Dynamical Lattice.- Phys .Stat .Sol. (a), 1975, p.694-700.

139. Бродин М.С.,Крицкий А.В.,Мясников Э.Н. и др. Влияние состояния поверхности на спектры отражения и люминесценции кристаллов Cot2> .-УФЖ, 1973,т. 18,№5,с.828-833.

140. Зуев ВД.,Корбутяк Д.В.,Литовченко В.Г. и др.! Коллективные эффекты на поверхности полупроводников / GaAs /. -ЖЭТФ,1975,т.69, №4,с.1289-1300.

141. Агранович В.М.,Лозовик Ю.Е.' 0 переходе полупроводник-металл под действием сил электростатического изображения. -Письма в ЖЭТФ,1973,т.17,в.4,с.209-212.

142. Кособуцкий П.С. Особенности спектров экситонного излучения монокристаллов zEn.Se -УФК,т.22,№6,1977,с.977-980j

143. Скайтис Э.,Сугаков В. Влияние неоднородного поверхностного потенциала на экситонное отражение света. -Лит.физ.сб.,т.14, № 2,1974,с.297-304.

144. Evangelisti F., Fischbach I.U., ErovaA. Dependence of

145. Exciton Reflectance of Field and other Surface Characteristic: the GaSe of InP.-Phys.Rev., B9,N4, p.1516-1524,1974.

146. Blaslev J. The Excitonic Surface Potential in Semiconductors.- Physica Stat.Sol.(b) , 1978; v. 88, N1,p. 155-182.

147. Evangelisti F., Frova A., Patella P. Nature of the D^ad Lauer in CdS and its Effect an Exciton Reflectance Spectra.- Phys.Rev., 1974, В 10, Ну, p. 4253-4261.

148. Lagpis J., Hummer K. Experimental and Theoretical Effects of Surface Layers and Spatial Dispersion on the Free Exciton Reflectance of ZnO.- Phys.Stat.Sol.(b),1975, v .72, M1, p. 393-402.

149. Billman J., Grossmann M., Nikitine S. Experimentall Effects of Spatial Dispersion on the Excitonic Spectra of PbJ2.Investigations on Oscillator Strengs.-Proceedingof Toarmina Conference on Polaritons.- Rg. E. Bur stein,1. Roma, 183-19 1973.

150. Пермогоров С.А., Селькив А.В. Пропускание излучения границей кристалла в окрестности экситонных резонансов при на-личйространственной дисперсии.-ФТТ,1973,т.15,в.10,с.3025

151. Давыдов А.,Мясников Э. Особенности оптических 3028. спектров,обусловленные поверхностью кристалла.-Препринт ЙТФ, 1972,72, 40Р, 14 с.

152. Давыдов Н.А.,Мясников Э.Н.,Страшникова М.И. Особенности спектральных свойств монокристаллов CcLS>e обусловленных их поверхностью. -ФТТ,1974,т.16,в.4,с.П73-П76.

153. Пекар С.И. Теория электромагнитных волн в кристалле, в котором возникают экситоны.-ЖЭТФ,1957,т.38,№4,с.1022-1036.

154. Дейген М.Ф.,Глинчук М.Д. Экситоны вблизи поверхности гомео-полярного кристалла. -ФТТ,1963,т.5,№11,с.3250-3258.

155. Берил С.И.,Покатилов Е.П. Поверхностный полярон в магнитном поле.-ФТП,1978,т.12,в.6,с.П84-П86.

156. Киселев В.А. Поверхностные механические экситоны. -ФТТ,1978, t.20,b.4,c.II9I-II95. Экситонное отражение света при произвольном поверхностном потенциале.-ФТТ,1978,т.20,в.7,с.2173-2176,

157. Корбутяк Д.В.,Курик М.В.,Литовченко В.Г.Дараненко Е.Ю. Оптические характеристики поверхности ColS в экситонной области спектра. Поверхность.Физика,химия,механика,1982, № 6,с.51-58.

158. Личный вклад диссертанта в работы, опубликованные в соавторстве

159. Диссертантом проведена ионно-плазменная обработка кристаллов селенида галлия, а также исследование спектров экситонного отражения и фотолюминесценции.

160. Гавриленко В.И.,Иванийчук М.Т.,Корбутяк Д.В. Оптические и люминесцентные свойства интеркалированного селенида галлия. Материалы У Респ.конф.молодых ученых-физиков, посвященной 60-летию Азербайджанской ОСР и Компарти Азербайджана. - Баку,1980, с.42-43.

161. Диссертантом проведены исследования экситонных спектров отражения, фотолюминесценции и электроотражения интеркалированных кристаллов селенида галлия.

162. Диссертантом проведены экспериментальные исследования спектров экситонного отражения и фотолюминесценции интеркалированных и ионно-бомбардированных кристаллов Gcl<D6. .

163. Ищенко С.С.,Иванийчук И,Т.,Корбутяк Д.В.,Окулов С.М.,Кова-люк З.Д. ,Григорчак И.И. Некоторые характеристики интеркалиро-ванного селенида галлия, полученные ОВЧ и оптическими метода. ми. ФТП, 1981, г.15, в.10, с.2045-2047.

164. Диссертантом проведены экспериментальные исследования экситонных спектров отражения и фотолюминесценции исходных и интеркалированных кристаллов селенида галлия.

165. Корбутяк Д.В., Зуев В.А., Иванийчук М.Т., Литовченко В.Г., Курик М.В., Ковалюк З.Д. Экситонные спектры фотолюминесценции и отражения интеркалированного селенида галлия. ФТП,1981, т.15, в.З, с.577-579.

166. Диссертантом проведены измерения спектров электроотражения исходных и интеркалированных образцов. Совместно с Гавриленко В.И. дана интерпретация полученных экспериментальных результатов.

167. Диссертантом выполнены исследования фотолюминесценции кристаллов селенида галлия, легированных редкоземельными элементами.

168. Диссертант совместно с руководителями принимал активное участие в постановке исследований и интерпретации полученных результатов.

169. Рекомендации по практическому применению результатов диссертации

170. Черновицкое отделение ИПМ АН УССР является ведещим предприятием по получению, интеркалированию и использованию слоистых кристаллов

171. Исходя из результатов исследований, проведенных в работе Иванийчук М.Т., получены рекомендации для подбора технологических режимов выращивания совершенных кристаллов и их интеркалированию.

172. Зав. отделом слоистых кристаллов, канд. физ.-мат. наук /подпись/1. З.Д.КОВАЛЮК