Распределение примесей при кристаллизации селенида цинка из расплава под давлением тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ОРДЕНА ЛЕНИНА и ОРДЕНА ДРУЗиБЫ НАРОДОВ

АКАДШШ НАУК УКРАИНСКОЙ ССР ОРДЕНА ТРУДОЬСТО ¡ФАСНОГО ЗИА1.-1ЕНК ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ 1/1АТЕР1ШОЬВД2НИЯ им. И.Н.Францевича

На правах рукописи

ЛИСЕЦКАЯ Елена Константиновна

УДК 548. 553 : 546. 47' 23

РАСПРЩШШЭШ ПРИМЕСЕЙ ПРИ КРИСТАЛЖЗАЦИИ СЕЛЕНИДА ЦИНКА ИЗ РАСПЛАВА ПОД ДАВЛЕНИЕМ

Специальность 02. 00. 04 - физическая химия

Автореферат диссертации на соискание учёной степени кандидата химических наук

Киев-1990

Работа "выполнена во Всесоюзном научно - исследовательском институте монокристаллов, сцинтшшщиошшх материалов и особо чистых химических веществ Научно - производственного объединения "¡лонокристаллреактивУ

Научный руководитель - доктор химических наук,

профессор КОНОВАЛОВ О.Ы.

Официальные оппоненты - доктор физико - математических наук,

старший научный сотрудник ЕШОЛОВИЧ И.Б.

кандидат химических наук, старший научный сотрудник ГРИГОРЕНКО Н.Ф.

Ведущая организация - Московский институт стали и сплавов

Защита состоится " .-Х& " С'С4-1'^ > 1990г. в /О часов на заседании специализированного совета Д. 016. 23. 03 по защите докторских диссертаций по химическим наукам в ордена Трудового Красного Знамени Институте проблем материаловедения им. И.Н. Францевича АН УССР ( 252680, ГСП, г.Киев , ул. Кржижановского, 3 ).

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Института проблем материаловедения игл. И.Н.Францевича АН УССР.

Автореферат разослан " " к^¿/¿V¿/¿л990г.

Ученый секретарь специализированного совета, кандидат химических наук Л.

Л.И.Флока

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность теш. Благодаря оптимальному сочетанию оптических, термических и механических характеристик кристаллы селенида цинка широко используются в качестве оптических элементов /окна, линзы, призмы, зеркала/ лазеров ИК диапазона. Требования, предъявляемые к материалам силовой оптики, включают высокую прозрачность на рабочей длине волны Ж излучения, механическую и лучевую прочность.

Технология получения оптических элементов состоит из последовательных стадий выращивания кристаллов, а также механической и термической обработки.

Основным методом получения селенида цинка является кристаллизация из расплава в графитовых контейнерах под давлением инертного газа. Кристаллам присущи характерные виды микродефектов: неконтролируемые примеси," определяющие, в конечном счете, оптические характеристики. Для использования в ИК оптике селенида цинка содержание металлических примесей /медь, железо, алюминий и т.д./ не должно превышать определенных значений. Таким образом, важной технологической задачей является получение селенида цинка с концентрацией легирующих компонентов ниже пороговой или снижение ее на стадии отжига. Поэтому чрезвычайно актуально определить оптимальное сочетание параметров выращивания, а также термообработки, обеспечивающее допустимое содержание примесей в кристаллах селенида цинка.

В настоящее время научно обоснованная технология роста селенида цинка из расплава отсутствует. Крайне ограничен круг работ по изучению влияния условий выращивания на состав, структуру и оптические характеристики кристаллов. Б разобщенных экспериментальных работах имеются лишь отдельные сведения о распределении допирующих элементов, причем при оценке их сегрегации авторы не учитывали всей совокупности технологических параметров. Остается за пределами рассмотрения вопрос об очистке кристаллов при прокаливании. В связи с этим информация об особенностях получения оптически чистого селенида

цинка наряду с научной ценностью ванна и в практическом плане.

Целью работы является исследование влияния условий кристаллизации из расплава под давлением и термообработки на распределение примесей и собственных свободных компонентов, а также на оптическую прозрачность селенида цинка в ПК диапазоне .

Для выполнения поставленной цели необходимо было решить следующие задачи:

- изучить влияние регулируемых параметров кристаллизации /давление аргона и скорость протяжки/ на сегрегацию примесей и собственных свободных компонентов в селениде цинка;

- оценить коэффициенты распределения легирующих компонентов ;

-установить оптимальный режим роста селенида цинка, обеспечивающий ; существенное снижение эффективных коэффициентов распределения;

- исследовать влияние зонно-диффузионного отжига на перераспределение примесей в селениде цинка и установить оптимальные условия их наиболее эффективного оттеснения;

- исследовать термодиффузию в селениде цинка и оценить

ее вклад в процесс перераспределения примесей как при кристаллизации из расплава, так и при зонно-диффузионном отжиге;

- исследовать влияние условий выращивания и термообработки на инфракрасное поглощение кристаллов селенида цинка.

Научная новизна.полученных в диссертации результатов заключается в следующем:

1. Впервые проведены систематические исследования распределения примесей:кремния, хрома, титана, кадмия, свинца, никеля, магния, марганца, алюминия, меди, железа, а также свободных цинка и селена в зависимости от условий кристаллизации селенида цинка из расплава.Доказано целенаправленное использование рафинирующего действия процесса кристаллизации.

2. Впервые рассматривается влияние давления инертного газа на особенности легирования селенида цинка.Экспериментально установлена область оптимальных давлений аргона, в которой достигается существенное снижение эффективных коэффициентов распределения примесей, ответственных за инфракрасное поглощение селенида цинка.Интерпретация полученных результатов

дана на основе физико-химической модели кристаллизации из расплава.

3.Впервые изучено влияние зонно-даффузионного отжига на перераспределение примесей в селениде цинка. Установлен оптимальный температурный режим их наилучшего оттеснения.:

4.Впервые исследована термодиффузия в селениде цинка. На основании расчета коэффициентов Сорэ показано ее определяющее значение в предплавильной области температур как при кристаллизации селенида цинка из расплава,, так и при зон-но—диффузионном отжиге в процессе перераспределения примесей.

5.Впервые исследовано изменение инфракрасного поглощения при прокаливании образцов селенида цинка в различных средах. Термообработка кристаллов в парах и расплаве селена приводит к снижению коэффициента поглощения ИК излучения в 6 + 9 раз.

Практическая значимость проведенных исследований заключается в том, что на их основе разработаны и приняты к практическому применению рекомендации по оптимизаций условий выращивания, а также термообработки монокристаллов селенвда цинка для Ш оптики.

Основные положения диссертации, выносимые на защиту:

I.Одним из факторов, определяющих распределение примесей в кристалле является соотношение внешнего и кристаллизационного давлений.

2.Наиболее эффективное рафинирование процесса кристаллизации селенида цинка из расплава достигается при давлении аргона, близком к кристаллизационному.

3.Максимальное оттеснение примесей при зонно-диффузион-ном отжиге селенида цинка достигается при температуре горячей зоны, соотвегствущей интервалу температур фазового перехода вюрцит - сфалерит /1698$ а также предплавильной /1755К/.

4.Перераспределение примесей при кристаллизации селенида цикка из расплава определяется не только их различной растворимостью в жидкой и твердой фазах, но и процессами термодиффузии в предплавильной области температур.

Апробация работыОсновные результаты работы докладывались на У1 Всесоюзной конференции по физике, химии и техническому применению халькогенидов /г.Тбилиси,1983г./, II Всесоюзной

конференции по моделированию роста кристаллов /г.Рига, 1987г./» У11 Всесоюзной конференции по взаимодействию оптического излучения с веществом /г.Ленинград, 1988г./, Всесоюзном семинаре по оптике жидких кристаллов /г.Москва, 1987г./, УХ1 Всесоюзном совещании по кристаллическим оптическим материалам /г.Ленинград, 1989г./.

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 15 работ. Список печатных работ приведен в конце реферата.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав и общих выводов. Она изложена на 120 страницах, содержит 8 таблиц, 52 рисунка и список литературы из 148 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНКЕ РАБОТЫ

Введение содержит обоснование выбора теш. Здесь сформулированы цель исследований, кратко изложены научная новизна, практическая значимость работы и основные положения, которые выносятся на защиту.

Первая глава носит обзорный характер и содержит краткий анализ современных представлений о роли примесей в кристаллах селенида цинка. Здесь приведены сведения о влиянии технологических параметров выращивания из расплава на состав, отклонение его от стехиометрии, а также структуру монокристаллов селенида цинка.Особое внимание уделено анализу работ, связанных с исследованием особенностей распределения примесей в се-лениде цинка. Показано, что при оценке коэффициентов сегрегации авторы не учитывали технологических факторов процесса кристаллизации. Представлены данные о микро- и макродефектах, обуславливающих оптические характеристики селенида цинка. Выявлено, что повышенное инфракрасное поглощение пропорционально степени загрязнения кристаллов металлическими примесями.

Приведена общая оценка работ по изучению зонно-диффузи-ояного и градиентного отжигов, как средства очистки сплавов. Установлено, что применение таких видов термообработки к тугоплавким соединениям типа не исследовалось.

Анализ литературных данных показал, что научно обоснованная технология получения монокристаллов селенида. цинка из расплава под давлением до настоящего времени отсутствует. Не проводилось систематического изучения контролируемого или неконтролируемого легирования селенида цинка в процессе кристаллизации. Отсутствуют данные по влиянию давления инертного газа, а также термодиффузжи на перераспределение примесей на границе раздела фаз кристалл/расплав'. Корреляция технологических параметров получения селенида цинка с распределением примесей и оптическими характеристиками имеет разрозненный характер. Практически не исследовано влияние прокаливания в различных средах на оптическую прозрачность образцов селенида цинка. Поэтому, несмотря на наличие довольно обширного экспериментального материала, накопленного в литературе к настоящему времени, необходам дальнейший поиск оптимальных условий получения селенида цинка с пониженным содержанием примесей, ответственных за инфракрасное поглощение.

Вторая глава посвящена описанию методики получения, термообработки и исследования кристаллов селенида цинка. Приведены характеристики исходной шихты и конструкционного материала тигля. Описана ростовая аппаратура для выращивания кристаллов. В работе была использована компрессионная печь с графитовым нагревателем для получения и последующей термообработки селенида цинка.

Для исследования состава образцов селенида цинка применяли . анализ , который включает: спектрографическоа определение металлических примесей, фотометрическое - металлического цинка и избыточного селена, комплексонометрическое - оксида цинка, кулонометрическое - углерода с пределами обнаружения от Ю"6 до 2 '1СГ4, от 5.КГ2 до 5.ИГ1, до 5.ЮТ3 от 5.ИГ2 до 5.10 , от 1.1СГ1 до 5.1СГ4 тос.% соответственно.

Для измерения коэффициента поглощения ИК излучения в кристаллах селенида цинка в работе использовали метод лазерной калориметрии, а также фотоакустический метод.

Приведена методика расчета коэффициентов распределения примесей в селениде цинка'.

В третьей главе приведены результаты исследования распределения неконтролируемых примесей: кремния, хрома, титана, кадмия, свища, меди, железа, никеля, магния, марганца, алшиния, углерода, а также собственных свободных компонентов при кристаллизации селенида цинка из расплава. Рассматривая "фоновые" примеси и продукты диссоциации основного вещества как неизбежный "балласт" на стадии выращивания, с одной стороны, но при этом учитывая рафинирующее действие процесса кристаллизации, с другой стороны, наш проведено исследование состава селенида цинка с целью наметить оптимальный реяим, при котором кристаллизационная очистка будет наиболее элективной.

Кристаллы получали из расплава под давление,- аргона от 0,5 до 2,5 ЫПа при скорости протяяки от 1,38 , Ю-6 до 2,77 . 10"^м/с. Средством оценки разделительной способности селенида цинка, состоящего из нескольких компонентов, является коэффициент распределения, который определяли из экспериментальных кривых распределения примесей.

Зависимость эффективных коэффициентов распределения К свободных циио и селена от давления в системе Р представлена на рис. I и 2 соответственно. Функция К(Р) монотонно убывает до постоянных значений при Р »1,2 ".¡Па при скорости поотяжки 2,77 . Ю~^м/с, слабее - при 2,08 . 10-6м/с и практически не изменяется при 1,38 . 10~^м/с.

Оцененные для исследуемых примесей коэффициенты распределения меньше единицы. Изменение К от величины прикладываемого давления Р иллюстрируется на примере примеси меди /рис.3/ и по характеру идентично вышесказанному о собственных свободных компонентах.

Величиной, определяющей оптическое качество кристаллов, является коэффициент поглощения на рабочей длине волны 10,6мкм. Зависимостьот давления Р имеет немонотонны!: характер с минимумом в области Р от 1,2 до 2,0.31а. Аномальное увеличение ^ при Р>2,0 МПа связано с появлением в кристаллах дефектов, типа пор и пузырей.

Таким образом, из эксперимента слезет, что снижение эффективных коэффициентов распределения примесей и свободных собственных компонентов цинка и селена, а также показателя

поглощения I® излучения достигается при кристаллизации селени-да цинка в области оптимальных давлений от 1,2 до 2,0 Ша.

Для определения оптимального давления в системе в настоящей работе предлагается физико-химическая модель кристаллизации из расплава, в основе которой лелит термодинамическая оценка кристаллизационного давления П и соотношение его с внешним давлением Р.

Движущая сила кристаллизациид JU, , складывающаяся из разностей химических потенциалов, характеризующих переохлаждение расплава А Т и его пересыщение Д С, равна:

aju, = д/t ( д Т) + д/ч & С).

Для преобразования первого слагаемого применяем уравнение Клаузиуса - Клапейрона Т АР/Д Т = ДН/Д1Г , где ДН-теплота кристаллизации, ДТУ - изменение мольного объема; для преобразования второго слагаемого используем концентрационную зависимость химического потенциала для идеальных растворов Ji, = Jto + R.T ¿гъ С. Учитывая соотношение ^J^fatf' ^' полЗ"1™» что кристаллизационное давление П равно:

тт лН"лТ Р» к « П = ——— +--— Сп. АС,.

Ts-Vs mVm. '

где Tg - температура кристаллизации; Т - температура расплава;

- объем кристалла, образующегося из объема ;

Д С - изменение концентрации /пересыщение/ за счет примесей.

Логично предположить, что для получения качественных кристаллов, содержание и распределение примесей в которых эффективно регулируется процессом кристаллизации, дая величины Р должен существовать оптимальный интервал

Р ^ П,

где Р^-давление собственных паров кристалла (0,18 +0,20Ша). Кристаллизационное давление П, развиваемое кристаллом селенида цинка при выращивании из-расплава, находится в пределах от 1,2 до 1,бЗПа.Давление Р в системе должно соответствовать названному интервалу, что согласуется с экспериментальными данными.

Найденные закономерности послужили основой для оптимизации условий кристаллизации селенида цинка из расплава.

- 1С -

Кэ«и.

7-

3 -

О 45 У

9

РШ1п

Рис.1. Изменение эффективных коэффициентов распределения К свободного цинка в зависимости от давления аргона Р при кристаллизации селенида цинка из расплава при скоростях протяжкифЕОм^с: 2,??Д/; 2,08 /2/ и 1,38 /3/.

2 -

Ч»

№

Рис. 2. Изменение эффективных коэффициентов распределения К свободного селена в зависимости от давления аргона Р при кристаллизации селенида цинка из расплава при скоростях протяжки . 2,77/1/-, 2,08 /2/ и 1,38 /3/. С"

5

а

Рис.3. Изменение эффективных коэффициентов распределения К примеси меди в зависимости от . давления аргона Р при кристаллизации селенида цинка из расплава при скоростях протяжки ию"6м/с: 2,77/1/; 2,08 /2/ и 1,38 /3/.

Рис.4. Изменение показателя поглощения ИК излучения в зависимости от давления аргона Р при. кристаллизации селенида цинка из расплава при скоростях протяжки ЯГ' Ю~ , м/с: 2,7/1/; 2,08/2/ и 1,38/3/.

Четвертая глава посвящена результатам исследования влияния зонно-диффузионного и изотермического отжигов на очистку от примесей и инфракрасное поглощение селенида цинка.

Зонно-диффузионный отжиг заключается в протягивании образца через зоны, нагретые ниже точки плавления, с резким температурным градиентом. Примесь перемещается в направлении горячей зоны в однофазном растворе за счет термодиффузии. Количественно явление описывается коэффициентом Сорэ $<р1 или теплотой переноса 0 , связанными между собой соотношением

О = ¿фи' кт^* , где Т - абсолютная температура.

Установлено, что в результате прохождения зоны с температурой более 1373 К происходит перераспределение примесей : железа, меди, никеля, алюминия, магния, свинца и свободного

селена по длине образца с увеличением концентрации в направлении движения зоны.

В процессе градиентного отжига характерно накопление примесей на горячем конце образца и обеднение на холодном. Из экспериментальных данных определено значение ^¿для исследуемых примесей /см. таблицу/.

, Таблица.

Коэффициент Сорэ Оф'^и теплота переноса Ц прмесей в кристаллах селенида цинка после градиентного отжига.

1753 - 1573. К 1573 - - 988 К

Примесь -ЗрЯО3, К"1 О.ю^й- моль -^■ю3, К" моль

Железо 4,0 100 + 5,0 1.4 18,8+0,94

Медь 8,0 180 + 9,0 2,0 26,0+1,30

Никель . 5,3 120 +6,0 1.7 22,8+1,14

Алюминий 3,5 80 + 4,0 1,2 16,0+0,80

Магний 1.7 40 + 2,0 0,7 10,0+0,50

Селен 3,5 80 + 4,0 1,1 14,4+0,72

Свинец 3,8 72 + 3,6 1,2 18,0+0,90

При сопоставлении результатов градиентного и зонно- диффузионного отжигов следует, что максимальная величина тепловой компоненты Сорэ $<рс и наибольшая степень оттеснения примесей соответствуют предплавильной области температур. По мере удаления от температуры плавления оба фактора ослабевают.

Оттеснение примесей при зонно-диффузионном отжиге селенида цинка возрастает с повышением температуры горячей зоны. Наибольший эффект очистки достигается при температуре, соответствующей интервалу температур фазового перехода вюрцит - сфалерит Д698 К/, а также предплавильной /1755 К/, за счет определяющего значения процесса термодиффузик.

Исследование распределения показателя поглощения ^ Ж излучения по длине образца до и после термообработки . пбказало, что в результате зокно-даффузионного нагрева в вакууме величина £ уменьшилась в 1,5%аза в начале образца, в то время как в конце его увеличилась во столько же. Возникновение такой неоднородности качественно сопоставимо с оттеснением примесей. Отжиг в парах цинка привел к увеличению по всей длине образца в 1,5*2раза, а в парах селена - к его уменьшению в ЗАраза. В процессе изотермической обработки в парах и расплаве селена величина ^ уменьшилась в 1,5 + 2,0 и 6 4- 9 раз соответственно. Улучшение оптической прозрачности селенида цинка на длине волны 10,6мкм прокаливанием образцов в расплаве селена коррелирует с уменьшением содержания углерода.

Найденные закономерности послужили основой для оптимизации условий очистки и повышения оптического качества селенида цинка. .

В пятой главе представлены результаты исследования визуализации ростовых неоднородностей монокристаллов селенида цинка с помощью нематических жидких кристаллов. Показано, что для изучения влияния особенностей технологии выращивания и термообработки на ИК поглощение быстрым и надежным методом визуализации дефектов, позволяющим, с одной стороны , четко разделить вклад примесей и макродефектов в Ж поглощение, а с другой - избежать трудоемкого, длительно-

го метода химического анализа, является использование жад-ких кристаллов, как неразрушающего метода контроля. Экспресс-метод основан на перераспределении приложенного к сэндвичу нематический жидкий кристалл - селенид цинка напряжения постоянного тока в области дефектов, приводящему к переориентации жидкого кристалла в этой локальной области. Этот эффект, называемый переходом Фредерикса, имеет пороговый характер; пороговое напряжение определяется выражением;

где д£, - анизотропия диэлектрической проницаемости; К - константа упругости НЖК.

Изучение полированных оптически прозрачных срезов кристалла селеяида цинка в проходящем поляризованном свете позволило установить периодическую систему светлых и темных полос, ' ¿(связи'с тем, что плоскостями двойникования и плоскостями скольжения в кубических кристаллах селенида цинка со структурой сфалерита являются {_1П , то обычными методами химического■травления трудно отличить одно от другого, Экспресс- метод однозначно разделяет двойниковые границы и полосы скольжения, т.к. только на последних возможна локализация электрического заряда на образованных связях

о1 - и р - 60° - дислокаций. Обнаруженные полосы являются местами выхода электрически заряженных дислокаций , т.е. полосами скольжения.

В работе продемонстрирована также визуализация примесных дефектов в селениде цинка. При исследовании кристаллов, допированных примесью галлия с концентрацией от 10"^ до 1-масс.^ , удельное сопротивление которых изменялось от 10^ до 10^ Ом . см. соответственно, экспериментально установлено, что 'по мере уменьшения удельного сопротивления " пороговое напряжение Ул монотонно убывает до постоянных значений при ¿> ^ Ю6 Ом .см.

Таким образом, предлагаемый метед позволяет изучать физическую однородность кристаллов селенида цинка и проводить отбор образцов практически неограниченных площадей и разных толщин по требуемым параметрам.

>

ВЫВОДЫ

1. Установлено оптимальное сочетание технологических параметров, обеспечивающее наиболее эффективную кристаллизационную очистку селенида цинка.

2. Показана возможность существенного снижения эффективных коээфициентов распределения примесей, а также показателя поглощения ИК излучения в области оптимальных давлений при кристаллизации селенида цинка. Экспериментальные данные согласуются с выводами физико-химической модели выращивания из расплава.

3. Наблюдается перераспределение примесей с повышением концентрации в направлении движения зоны при зонно-диффузион-ном отжиге селенида цинка. Наибольший эффект оттеснения достигается при температуре зоны, соответствующей интервалу температур фазового перехода вюрцит - сфалерит (1698К), а также предплавильной (1753К).

4. По данным оценки коэффициентов Сорэ показано, что термодиффузия вносит вклад в процесс перераспределения примесей на гранще раздела фаз твердое тело/расплав как при кристаллизации селенида цинка, так и при зонно-диффузионном отжиге. По мере удаления от температуры плавления действие эффекта Сорэ ослабевает.

5. Снижение показателя поглощения ИК излучения в селениде цинка достигается при зонно-диффузионном и изотермическом отжигах в парах и расплаве селена соответственно, наиболее эффективным из которых является последний.

6. Применение нематических жидких кристаллов позволяет визуализировать распределение примесей и макродефектов в селениде цинка, как неразрушающий метод контроля.

Основные результаты работы изложены в следующих публикациях:

I. Зависимость распределения примесей от давления при кристаллизации селенида цинка из расплава / О.М.Коновалов, Е.К.Лисецкая, Б.Г.Носачев и др. // Тез. докл. : У1 Всесоюзн. конф. по физике, химии и техн. применению халькогенидов.

- Тбилиси. - 1983. - С.98.

2. Коновалов 0.M., Лисецкая Е.К., Носачев Б.Г., Лебедь К.Б., Ивкова Т.Н. Распределение свободных цинка и селена, а также оксида цинка в кристаллах селенида цинка,//.¡атериалы дая оптических устройств и сцинтилдаторов: Сб. науч. тр. /ЁНИИ монокристаллов. - Харьков, 1986.-Н8.-С. 50-55.

3. Коновалов О.М., Лисецкая Е.К., Носачев Б.Г., Золотовицкая З.С., Штительман З.В. Эффективные коэффициенты распределения примесеи в кристаллах селенида цинка//Ыатериалн для оптических устройств и сцкнтилляторов: Сб. науч. тр. /ВНИИ монокристаллов.-Харьков, 1986. -М8. -С. 135-137.

4. Коновалов О.Ы., Лисецкая Е.К. Физико-химическая модель кристаллизации из расплава /Дез. докл. :11 Бсесоюзн. конф. по моделированию роста кристаллов. - Рига.-1987.-С„1С1.

5. Лисецкая Е.К,, ШтктЕльман З.В., Панталер Р.П., Носачев Б.Г., Коновалов О.Ы. Очистка и перераспределение примесей в моно- " ' кристаллах селенида цинка зонно-дифФузион;-шм отжигом//Сцин-тилляционные материалы: Сб. науч. тр. / В1ШИ монокристаллов, -Харьков, 1987. - Ш).- C.III-II3.

6. Лисецкая Е.К., Штительман З.В., Лебедь Н.Б., Панталер Р.П., Коновалов'0.¡Л. Вклад термодкффузии в процесс перераспределения примесей при кристаллизации селенида цинка из расплавам/Синтез и исследование оптических материалов;.

Сб. науч. тр./ВНИИ монокристаллов. - Харьков, 1987. -М9.

- С.155-157. "У'

7. Лисецкая Е.К., Файнер i'.Í.Iil./Загорушсо Ю.А., Герасименко A.C., Карпова А.П. Перераспределение примесей в кристаллах селенида цинка при зонно-диффузионном отжиге/Дрпсталлографкя.

- 1990.- Т.35.- JSI.-C.239-24I.

8. Лисецкая Е.К., Файнер М.Ш., Кулик В.Н. Влияние методов выра-цдавания на однородность пропускания Ж излучения крупногабаритных кристаллов селенида цинка//Синтез и исследование оптических материалов: Сб. науч. тр. /ВНИИ монокристаллов.-Харьков, 1987.- ЯЭ.-С.ПЗ-П6.

9. Влияние термообработки на инфракрасное поглощение в кристал-

лах селенида цинка /В.К. Комарь, Е.К.Лисецкая, Ю.А.Загоруйко

и др. // Тез. докл. : У11 Всесоюзн. совещ. по кристаллическим

оптическим материалам.-Ленинград . -I989.-C.57.

Ю.Лисецкая Е.К., Герасименко A.C., Загоруйко Ю.А.,Файнер М.Ш., Карпова A.D. , Комарь В.К. Влияние отжига на инфракрасное поглощение н селенаде цинка//Оптические и сцинтилляцион-ные материалы: CÖ. науч. тр./ ВНИИ монокристаллов.-Харьков, 1989.- JS22.-C.98.-I00.

ПЛумакова С.П., Тихомирова H.A.,Гинзберг A.B., Лисецкая Е.К., Комарь В.К. Визуализация ростовых неоднородностей полупроводников с помощью жидких кристаллов//11исьма в ЖТФ.-1987,--Т .13.-JÍ22.-С .1379-1384.

12.Визуализация дефектов структуры, возникающих под действием лазерного излучения в' селениде цинка, с помощью жидких кристаллов / Е.К.Лисецкая, В.К.Комарь, М.Ш.Файнер и др.

// Тез. докл. : У11 Всесоюзная конф. по взаимодействию оптического излучения с веществом.-Ленинград. - I988.-C.58.

13. Исследование поглощения ИК излучения в оптических элемен-

' тах из кристаллического селенида цинка с помощью жидкокристаллических терыоиндикаторов /В.К.Комарь, Е.К.Лисецкая, Л.Н.Лисецкий и др. /Дез. докл. : 711 Всесоюзн. конф. по взаимодействию оптического излучения с веществом.- Ленинград. -1988.-С.57.

14.ÄBT. свид. М702480/23-26 (СССР)./Кухтина H.H.,Лисецкая Е.К., Бороденко Ю.А., Носачев Б.Г. - Приоритет от 27.10.89г.

15<Авт. сввд. М710781/26 (СССР)./ Бороденко D.A., Кухтина H.H., Лисецкая Е.К. . Рыжиков В.Д. - Приоритет от 27.03.90г.

Ответственный за выпуск Л.П.Гальчинецкий

Подписано в печать 23.07.90 г. БД 22891 форма® 60x84 1/16. Офсетн. печать. Усл.п.л. 1,0. Уч.-изд. л. 1,0. Тиран 100. Заказ № 52.

Ротапринт ВНИИ монокристаллов Харьков, пр.Ленина, 60 30-83-97