Исследование фотоакустического эффекта в халькогенидных стеклообразных полупроводниках тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

■ * .■■ ■ ■■ -..... - - ■■'„.......—.---—------------------,------

На -равах рукописи УЖ 535.315.592.

Харионовекяй Александр Валентинович

ИССЛЕДОВАНИЕ ООТОАКУСТИЧБСКОГО ЭМША В ХАЛЬКОГЕНИДНЖ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКАХ

специальность 01.04.10 - физика полупроводников и диэлектриков

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических Наук

САНКТ-ПЕТЕРБУРГ.- 1991'

а

Работа выполнена в лаборатории микроэлектроники Кировского политехнического института.

м у чний руководитель; кандидат физико-математических наук, стяоший научный сотрудник Вьгаенко О.Ф

Официальнае оппоненты: доктор физико-математических наук Агекян В.Ф., кандидат физико-математических наук Муратиков К.Л.

Ведущая организация: Санкт-Пет.рбургсккй Государственная Технический Университет

Защита диссертации состоится « » фс-^рспХ в /5')0час.№ заседании специализированного совета Д.063.57.32 па защите диссертаций на соискание ученой степени доктора физико-математических наук при Санкт-Петербургской Государственном университете по адресу: 199164» Санк'. -Петербург, Университетская набережная,7/9.

С диссертацией «окно ознакомиться в' библиотеке Санкт-Петербургского Госуниверситета.

Автореферат разослан << $ 1991г.

Учекрй секретарь совета доктор физико-математических наук Соловьев В.А.

з.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Фотоакустический (ФА) эффект как 'фчзи-ческая основа широкой группы методов исследования самих разнообразных характеристик (опти»<*ских,тепловых,электронных,механических) конденсированных сред,в частности,полупроводников,получил в настоящее время широкое распространение. Соответственно, развиваются физические исследования и самого ФА эффекта .К настоящему времени установлено,что п. тепловых механизмов ФА эффекта в полупроводниках могут существовать и нётепловые источники звука. Мекду тем яетепловые механизмы ФА эффекта изучены к.достаточно, что препятствует построению адекватной теоретической модели ®А откл1!ка и усложняет ггрог эсс анализа полученных эксперименталь-ых данных. Кромэ того,исследование конкретной природы возникновения ФА эффекта в полупроводниках является важным для разлития фундаментальных представлений о взаимосвязи процессов,прот-кагациг в г"оадой и электронной подсистемах твердого тела.

С этой точки зрения актуальным является исследовшше ФА аффекта в халькогенвдных стеклообразных полупроводниках '„ХСП),такие особенности которых,как большая концентрация дефектов, оптическое возбуждение которых в соответствии с моделью Мотта-Дэвиса-Стрита должно вызывать возникновение или исчезновение искажений сетки стекла, изменение толщины пленочных и монолитных образцов ХСП при освещении, в том числе наблюдаемый эффект фотосжатия, могут приводить к нетривиальным механизмам ФА отклика. Интерес к ХСП обусловлен еще и тем, ч.э они имеют большое практическое применение в инфракрасной технике, в качестве матерплов передающих телевизионных трубок, в электрофотографии, в качестве сред для записи оптической информации, ячеек памяти, электронных переключателей.

Целью настоящей работы является экспериментальное и'бследси-/ вате ФА гк} "якта в ХСП с целью выяснения механизмов возникновения эффекта, а таюке возможностей его практического использования.

Научная новизна работы состоит в следующем:

- впервые проведено всестороннее иссле; жание ФА эффекта в халькогенк тшх стеклообразных полупроводниках;

-впервые в области слабого поглощения ХСП обнаружен отрицательный ФА эффект (сдвиг фазы измеряемого сигнала и-з 180° относительно ФА отклика,наблюдаемого в области собственного поглощения) и установлено, что он обусловлен сжатием освещаемой поверхности,а не связан с тепловым расширением образца вследствие безкзлуча-те. ьной рекомбинация фотоьозбуэдошшх носителей заря,г ;

-установлено,что амплитуда отрицательного ФА эффекта зависит от высоты поверхностного барьера (изгиба зон на поверхности полу" проводника) и увеличивается с ростом напряженности электрического поля в прииоьерякосг'ом слое}

- предложен механизм отрицательного ФА эффекта в ХСП, в соответствии с которым неравновесные носителя заряда,образующиеся

' при освещении, экранируют кулоновское взаимодействие меаду заряженными дефектами„находящийся в поле пространственного заряда?

- показано, что мехеничеекие напряжении в Приповерхностной области ХСП можно изменять внешним электрическим полей;

- впервые предлсзгано использовать фототепловой акустический эффект для определения таких физических характеристик полупро-

• водников, как коэффициент диффузии металлов в халъкогещщше стеклообразные полупроводники и толдана полупроводниковых- слоев,на-несенных на погутощащг1 подложки?

Защищаемые положения. „ , ■

1. Совокупность экспериментальных- фактов, подтверждающих наличие фототеплового механиз-.а в формировании ФА ьффекта в ХСП у механизм его возникновения, б соответствии с которым расширение приповерхностной области ХСП еоть результат выделения тепла при безизлучательной рекомбинации фотовозбувденньгх носителей наряда.

2. Совокупность эксперимеитвльчнх фактов, подтверждающих наличие нэтзплового механизма в формк l >с- ъшт ФА эффекта в ХСП и

модель этого механизма, в соответствии с которой, возникное чие фотодеформаций сжатия есть результат экранировки кулсновского взаимодействия между одноименно заряженными дефектами, располо-• генными в приповерхностной области пространственного заряда полупроводника . .

3. Использование спектральных зависимостей фотоакустичег лого эффекта для определения ширина запрещенной зоны халькогенидных стеклообраэных полупроводников, коэффициента диффузии металлов в эти полупроводники, толщина тонки? полупроводниковых пленок.

Достоверность полученных результатов годтвергдается и* воспроизводимостью при исследовании большого количества образцов, применением современных ексггериментальных методов и теоретических : редставлешгй и расчетов для интерпретации экспериментальных данных, согласие экспериментальных данных с расчетными, получег шми на оснований предложенных моделей.

Практическая значимость работы определяется получением новой информации о механизмах- форпяфовяния ФА эффекта в ХСП, 'соторая расширяет имеющиеся представления о механизмах взаимодействия света с твердым телом я применения ФА методов для определения физических характеристик полупроводников.

Апробация, результатов работы. Результаты проведе: не исследований обсуждались на: Вторе?.' Всесоюзном совещании "Фазико-ышия аморфных стеклообразных металичэсках сплавов" (Москва, 1985 г.). Всесоюзном совещании "Строение, • свойства и применение фосфатных, , фторидаых и халькогенидных стекол " (Рига, 1985 г.),Второй Всесоюзной научно-технической конференции " Материаловедение халькоге-нидных и кислородосодера«идах полупроводкпос ов " (Черновцы, 1986 г.), Всесоюзном семинара "Строогае и природа металлических и неметаллических стекол" (Ижевск, 1939 г.), Всесоюзной конференции "Строение, свойства к применение фосфатных, фторвднЫх й халькоге-нвдннх стекол" (Рига, 1990 г.),Второй Всесоюзной кой^рйКйй по физике стеклообразных твердых тел (Рига,1991 год).

Структура и объем диссертации. Диссертация содержит введение, четыре главы и заключение. Материал изложен на 178 страницах машинописного текста и включает 61 рисунок и пять таблиц. Список ли: ратури состоит из 144 наименований.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во введении обоснована актуальность проведенных исследований, сформулирована цель и научная значимость работ»;, основные & защищаемые положения.

Первая глаьа представляет собой литературный об: -р. В ней . рассмотрены основные способы регистрации ФА эффекта. Отмечено, что для этих целей используется два осноеных рода измерений¡измерение нестационарной температуры (обычно на поверхности объекта) и измерение упругих деформаций и смещений (тоже обычно на поьерх-ности объекта). Проведено сравнение рассмотренных способов регис-тращ. отмечены их достоинства и недостатки, описана современная теория фотоакустического эфф*. :та в полупроводниках, Показано, что помимо тепловых механизмов фа эффекта в полупроводниках могут существоать и нетепловые источники звука, возможность воз лкнове-' ния которых рассмотрена как в ряде теоре лческлх, так и экспери1 ментальных работ. Обсуждаются наиболее вероятные механизмы нетеплового ФА эффекта в ХСП. Проведен анализ работ, посвященных применению ФА эффекта для определения параметров полупроводников. В заключении главы сформулированы основные за. )чк исследовния и способы их решения.

Во второй главе диссертации содержатся описания экспериментальных методик, используемых в данной работе, включающих метода '■.зиерепия к приготовления обр зцов.

сш 'ей сплавов ХСП осуществлялся в вакууыи^ованнх. до Ю-3 мм рт.ст. кварцевых ампулах с последуюаим охлажден;; i расплавов на воздухе, либо, для обеспечения режима резкой закалки, охлаждением & холодную воду. Для исследований из синтезированного материала вырезались монолитные образцы размер^.. *5 мм, толадщой 0,2-0,8

мм,или .методом термического испарения в вакууме нашлялись тонкие пленки толщиной 0,2-2 мкм.

Для измерений ФЛ сигнала использовалось устройство, состоящее из консольно закрепленного пьезоэлемеята, тонкой пластинки из плавленного кварца, служащего резонатором, и образца.Регистрация упругих колебаний производилась Симорфттил пьезоэлементом в режиме механического резонанса системы. Источником монохроматического света слугам монохроматор МДР-23 с лампой ДКСЛ-1000. Модуляция светового потока производилась механическим-прерывателем в виде диска с отверстиями, вращаемого гистерезисным.двигателем, в диапазоне частот от 30 Гц до 4 кГц.

Описаны установки для проведения оптических измерений, измерения поверхностной проводимости и фотопроводимости1 а такие устройство измерения упругих деформаций в электрическом поле.

В третьей .главе приведены результаты исследования фототеплового механизма возникновения фотсакуетического эффекта в ХСП и возможностей применения эффекта для определения физических параметров полупроводниковых структур.

Для выбранного метода измерений ФА эффекта произведен теоретический расчет фото.теплового акустического сигнала для одноразмерной Модели теплового потока при облучении образца синусоидальным модулированном монохроматическим светом. Влиянием переноса носителей заряда вследствие малости |Я пренебрегалось. Б резуль-, татэ моделирования полученных уравнений на ЭВМ установлено,что й области малых зйачений коэфациентов поглощения (а <20-80 см*1) ашшгауда ФА сигнала,измеряемого пьезоэлектрической схемой регистрации, используемой в данной работе* долкнз быть мейыпэ всличйш ] ФА сигнала,рассчитанного по фототепловой теории Роэенцвейга-Герпо. В области больших значений коэффициентов поглощений результаты расчетов совпадают, что позволяет использовать фототек-, левую теорию для интерпретации результатов измерений в е'гст.! екек-трзльном диапазоне без каких-либо корректировок^ . '•'■'•.

Проведено экспериментальное исслэдоваяие фототешюзего а^ус^ тического еффекта* Установлена корреляция спектров ФА отклика ; и оптическоЬо погледвиня. ОбнарузшшУв различая в 'ндаёЬЦйй ,

э.

троь в области энергий bv связаны с тем, что в этом энергетическом диапазоне длина оптического поглощения, меньше длшш тепло-вой диффузии и в соответствии с теорией Розе.-цвейга-Гершо ФА отклик уже иг зависит от коэффициента поглощения.В области слабого поглощения также отмечена различие спектров ФА сигналов от спектров поглощения, что объяснено особенностью метода измерения.

Корреляция спектров поглощения и ФА сигнала в ХСП показана и непосредственным изменением коэффициента поглощения путем введения малых добавок серебра методом химического синтеза в стеклооб-pai.iHñ селенид мышьяка.

Установлен", что с увеличен..ем частоты модуляции света спектральное положение точки насыщения ФА сигнала смещаете« в область больших энергий падающих квантов света, что также соответствует модели фототеплового механизма возникновения ФА эффекта.

Поскольку на длине волны регистрации.амплитуды ФА сигнала Х= 525 нм глубина проникновения света в сульфиде мышьяка составляет приблизительно 1 мкм, а изменение частоты модуляции светового потока в экспериментальном диапазоне частот от 40 до 4 кГц по нашим расчетам позволяло изменять длту тепловой диффузии приблизительно от 120 мки до 12 мкм, то в соответствии с теорией Ро-зенцвейга-Гершо частотная зависимость амплитуды ФА сигнала додана бить лрямопропорциональяа и-1. Экспериментальные зависимости полностью подтвердили ато предположение.

Совокупность полученных экспериментальных данных и линейные лшсовые зависимости г. ллитуды ФА отклика в ХСП позволили утверждать,что в ХСП присутствует фототепловой механизм- возникновения ФА эффекта.

Рассмотрены применения ФА метода для определения сЕизичееетл параметров структур ХСП. Показано, что по энергетическому положению точки насыщения в спектральной зависимости ФА эффекта можно с достаточно высокой точностью определять ширину запрещенной зоны монолитных образцов ХСП. Отмечено, что данным способом нельзя определить энергетический зазор пленочных образцов ХСП, поскольку для тонких пленок толицша образца буд-т меньше длшш оптического поглощения, и точка насыщения ФА otjvju сдвинется в область бо-

лее высоких энергий относительно Е .

о

Показано применение ФА эффекта для определения толщины тонких полупроводниковых пленок.

Рассмотрено применение фотоакустичесного эффекта для исследования процесса диффузии . эгаллов в ХСП.. Установлено, что с увеличением времени и температуры легирования происходит уменьшение амплитуды ФА отслика в области энергий h!> , где ФА отклик определяется толщиной металлической пленки. Таким образом, уменьшение амплитуды ФА сигнала связан-" с уменьшением толщины, з значит и массы металлического покрытия, что подтверждает возможность регистрации процесса диффузии из металлической пленки в ХСП. Показано, что г!з спектральных зависимостей ФА сигнала мошо определять коэффициент диффузии легирующего материала.

В четвертой главе приведены результаты исследования Ш еф-фекта в ХСП нетепловой природы.

Отмечено, что помимо положительного,измеряемого в области собственного йоглодешя плупровод1тйка, преимущественно фототеплового акустического сигнала, з области слабого поглощения монолитных образцов ХСП, полученных в рениме резкой закалки, пленочных образцов, напыляемых при высоких скоростях осаждения, был обнаружен отрицательный ФА эффект, проявляющийся в сдвиге фазы измеряемого сигнала относительно положительного на 180°. Экспериментально показано, что отрицательный ©А отюпга обусловлен деформациями сжатия в приповерхностной области образца.

Изучено влияние низкотемпературного отяагга на отрицательный ФА эффект. Эксперемрнтальяо установлено, что в процессе отпита фотодеформация сжатая исчезают. Поскольку прй низкотемпературном, отяшге происходит залечивание яязкоэнергетических дефектов в ХСП,, то высказало предположение, что за возникновение отрицательного ФА эффекта ответственны дефекты, образующиеся при резкой закалке образцов. j ■'''•,;

С целью более детального изучения ¡влияния дефектов на спектральное распределение ФА эффекта в исследуемых образцах создавались фатоивдуцировякные дефекты. Исследование были выполнена как на монолитных» так и на пленочных оброазцах сульфида мнаьяка.

Фотоструктурные дефекты создавались облучением образцов интенсивным светом hf > 2,4 эВ в течение 40 мин, и выражались б сдвиге края полосы поглощения в длинноволновую область спектра и появлением индуцированного хвоста поглощения в области прозрачности.

Установлено, что после создания фотоструктурных превращений в спектральном распределении ФА сигнала в области прозрачности возникают индуцированные облучением деформации растяжения и только последуйтее воздействие внеишм электрическим полем независимо от полярности (t=20 шш. и напряженностью Ю4-10е В/см) приводит к появлению фотодеформаций сжатия.

Исследовано влияние поверхностного заряжения на спектральное распределение ФА эффекта. Измерения выполнены на стеклообразном -селениде мышьяка. Изменение зарядового состояния поверхности, а, следовательно, и приповерхностного, изгиоа зон осуществлялось обработкой поверхности: механической шлифовкой, обработкой в растворе ЫаОН и в окислительной среде НИО .'На исследуемых поверхностях Vía ряду с ФА сигналом, ло вшгрямлензш ь точечном контакте контролировалось соотношение мескду влектронной и дырочной кошо- • центами поверхностной проводимости. Установлено,' что после обработки шлифованной Еоверхиоот-и се.чештдо мшпьякз в окислительной среде амплитуда отрицательного ФА аффекта увеличивается, вызывая*--одновременной снижение амплитуды сигнала в области собственного поглощения, Последующая обработка в 4*5 Н растворе ЫаОН приводит к противоположному изменени» спектральной зависимости ФА отклика. При этош наблюдается изменение соотношения ыеащу электронной а

П

II дырочной о^ компонентами поверхностной проводимости и при указанных выше способах обработки поверхности составляет а /а = 1,3

. р г.

после полировки 5 Н раствором ííaOií, с /а =1,8-2.0 при шлифовке к в /4п =2,5-3,0 после травления в HNC>3.

Известно /1/, что наименьшим приповерхностным-изгибом зон обладаю-! образцы с зеркальной псвзрхностыо (обработка е NaOH). Деструкция поверхности приводит к увеличению работы выхода алек/1/ Б.Т.Коломиэц, К.П.Корпев, А.С.КочемировскиЙ, А.В.Пивоваров», Т.Н.Мамонтова //ЖТф, Т.52, В.12, 1982, С.2424-242V.

трона, то есть к отрицательному зарякёшда поверхности. Также к отрицательному заряжению приводит травление в огатслительной среде НЙ0з. При этом происходит наибольшее увеличение изгиба зон.

Сделан вывод, что увеличение амплитуды отрицательного ФА отклика в оолее сильном приповерхностном поле можно объяснить тем, что стеклообразный селенид мышьяка представляет собой частично комленсировашкй полупроводник с большой концентрацией заряженных дскэлышх дефектов, а кулоновское взаимодействие мгзду заряженными дефектами, находящимися в электрическом поле, приво-

V

дит к появлению механических напряжений в приповерхностном слое. Появление неравновесных носителей заряда при освещении уменьшает напряженность электрического поля вблизи поверхности, уменьшает механические напряжения и регистрируется ФА сигнал Сжатия. Аналогичные процессы, происходящие в собственной полосе поглощения, вычитаются из ФА сигнала, обусловленного ойычнш тепловым расширением, что вызыбЗет пропорциональное снижение амплитуда ФА отклика в собственной полосе поглощения полупроводника. Подтверждением выта изложенного является наличие релаксацгш отрицательного ФА эффекта при соответствующих обработках поверхности, а такт.?в совпадение времен релаксации сг /о и отрицательного ФА эффекта. Это объясняется тем, что зарядовое состояние поверхности изменя-* ется не мгновешю и с соответствующей скоростью изменяется амплитуда отрш;отельного ФА от:метка.

Приведена оценка величиш упругих деформаций. Подученные значения относительной линейной деформации приповерхностного слоя вследствие /изменения кулоновского взаимодействия дефектов полем приповерхкосноро барьера оказались- сопоставимы при одинаковых, условиях аксперимента с величиной тепловнх деформаций приповерхностной области полупроводника вследствие диссипации энергии фо-товозбуждешшх носителей и составили ( 0,5-2 )*Ю-10.

Предложенный механизм отрицательного ФА еффекта позволил предсказать появление упругих деформаций в приповерхностной области полупроводника при модуляции ноля области пространстветюго заряда внешним электрическим полем. Действительно, как в монолитных, так и пленочных обрагцах ХСП были обнаружена упругие де-

формации в переменном электрическом поле* Установлено, что при малых амплитудах возбувдащего униполярного прямоугольного импульса упругая деформация линейно зависит от величины переменного поля. При напряженности импульсного электрического поля, превышающего напряженность встроенного электрического поля на границе полупроводник-металл, зависимость переходит в квадратичную. Впервые наш было обнаружено влияние постоянного напряжения смещения на величину упругой деформации. Установлено, что с увеличением величины отрицательного смещения при положительном возбуждающем ипудьсе деформации уменьшаются и при некотором значении постоянного поля происходит смена фазы упруг "-Й деформации по отношению к возбуадахяг^- • импульсам на 180°. Зависимость имеет линейный характер. Сделан вывод, что основную роль в возникновении эффекта исследуемых упругих деформаций_во внешнем электрическом поле играет поле области пространственного заряда контакта металл-полупроводник.

остановлено, что при- увеличении амплиту. и постоянного поля, когда приповерхностный :згиб зо.. в ХСП возрастает, происходит увеличение упругих деформаций. При умень-ении изгиба зон амплитуда деформаций уменьшается, п*юходат через нуль и происходит смеш знака деформг Таким образом подтвержден механизм отрицательного й аффекта в ХСП в соответствие с которым возникновение упругих нетепловых деформаций происходит вследствие изменения' напряженности электрического поля в приповерхностной области полупроводника.

Получено выражение, описывающее деформацию образца ХСЛ вс внешнем переменном электрическом поле. Моделирование процесс-с возникновения упругой деформации в ХСП под действием электрического поля на ЭВМ показало удовлетворительное совпадение теоретически х и экспериментальных результатов. По результатам расчето* произведена оценка величины напряженности поля в барьере ХСП-металл, равная 10s В/см, что находится в согласии с литературные данными,

В заключении сформулированы основное результаты работу.

Основные результаты •работы

1. Обнаружено, что при освещении ХСП Азо5ез, Аз233. ОБе3 модулированным светом в них возникает ФА аффект. Экспериментально показано, что основные закономерности эффекта: корреляция спектральных зависимостей ФА сигнала и коэффициента поглощения, частотная зависимость амплитуды ФА сигнала, линейная зависимость амплитуды ФЛ сигнала от интенсивности света подчиняются фототепловой теории. Таким образом установлено, что в области собственного поглощения в формирование ФА оклика в У^П вносит свой вклад '.'егоювой механизм, в соответствии с которым, .сширение освещйе-,ой поверхности полупроводника связана о выделением тепла в приповерхностной области вследствие безизлучательной рекомбинации фотовозбужденных носителей заряда.

2. Обнаружен отрицав .'Льнцй ФА аффект в объемных и пленочных образцах ХСП составов Аа^Бе^, Аз^, СеЕеэ. Экспериментально установлено, что отрицательный ФА'эффект обусловлен сжатием освещаемой поверхности, а не связчн с тепловым расширением образца вследствие безизлучагельиой рекомбинации фотовозбузденшх носителей заряда.

3. Установлено, что в процессе низкотемпературного отжига образцов ХСП происходит исчезновение фотодеформаций сжатия.

Установлена корреляция .¿езду соотношением электронной и дырочной компонентами поверхностной проводимости при обработках поверхности с величиной отрицательного ФА эффекта. Показано, что наблюдаемый прй заряжении поверхности отрицательный ФА сигнал зависит от изгиба зон на поверхности и увеличивается с ростом напряженности электрического поля в приповерхностном слое.

Предложен механизм отрицательного ФА еффекта, в соответствии с которым появление в припсверхно ?ном слое полупроводника неравновесных носителей заряда при освещении приводит к уменьшению механических напряжений,обусловленных кулоаовсюш взаимодействием между заряженными дефектами,находящимися в поле пространств--

енного заряда.

6. Показано, что непосредственная модуляция электрического поля в приповерхностной области ХСП внешним переменным электрическим полем приводит к возникновению динамических упругих деформаций в полупроводнике. Установлено, что величину механических напряжений в приповерхностном слое ХСП мокно изменять внешним постоянный электрическим полем.

7. Установлены основные закономерности упругих деформаций в электрическом поле, которые заключаются в следующем:

-линейная зависимость упругих деформаций от амплитуды возбуждающего влектричеекого поля ДО яапряженностей не превышающие значений напряженности поля контакта металл-полупроводник,

-квадратичная зависимость амплитуды упругих деформаций при налряженностях возбуадающего электрического поля вше значений напряженности встроенного олектрического поля на контакте.

8. Проведен анализ возможностей практического применения фототеплового акустического"эффекта для определения физических, параметров ХСП и показано, что ФА вффект мокет быть использован:

а) для определения ширины запрещенной зоны ХСПг

б) для определения толщины тонких пленок полупроводников, нанесенных на поглощающие подложкиг

в)для определения коэффициента диффузии металлов в ХСП.

Основные материалы «иссертации опубликованы в следующих печатных работах?

1. Рыков В.В., Рыкова Т.С., Хорионовский A.B. //Фотодеформация стеклообразного сульфида мышьяка. //В кн.¡Тезисы докладов II Всесоюзного совещания "Физико-химия аморфных стеклообразных металлических сплавов". М. 1985. С.105.

2. Рыков В.В., Пазш A.B., Морозов В.А., Харионовский A.B. //Зависимость электропроводности .и фотодеформацик халькогениднше

.. стекол от влияния рентгеновского излучения и термической обработки,.//В кн.: Тезисы докладов Всесоюзного совещащш "Строение, свойства и применение фбефатныж., ^орвдных'я' тпькогенидных стек-

ол". Т,2. Рига. 1985. С.19-20.

' 3. Круглов В.И., Рыков В.В., Рыкова Т.С., Харионовский A.B. //фотодеформация стеклообразного As2S3. // ФГГ. 1986. Т.29. В.5. с.1547-1549.

\. Круглов В.И.,Рыков В.В..Харионовский A.B. //Фотодеформация халькогенидных стеклообразных полупроводников. //В кн.:Сборник тезисов докладов II научно-технической конференции "Материаловедение х^лькогенидных и кнслорсдосодержащих полупроводников". 'Г.2. Черновцы. 1986. С.54.

5. Пазин A.B., Рыков В.В. .Морозов В.А., Харионовский A.B. //Закалочные дефекты в халькогонидных стеклообразных полупроводчиках// В kh.j Сборник тезисов докладов II всесоюзной научно-технической конференции ''Матер1адоведение халькогенидных и кисло-родосодержаадх полупроводников" Т.2, Черновцы. 1986. С.139.

6. Рыко.а Т.е..Харионовский A.B..Рыков В.В. //Исследование малых добавок серебра в '3.jSe3 методом .фотоакустической спектроскопии.// В'кн.:Тезисы докладов Всесоюзного семинара "Строение и природа металлических и неметаллических стекол". Ижевск. 1989. С.71.

7. Харионовский A.B.»Рыжова Т,С.«Рыков В.В. //Исследование влияния добавок металлов в ХСП методом фотоакустической спектроскопии// В кн.:Сборник тезисов докладов Всесоюзной конференции •'Строение, свойства и ггаяленеше фосфатных, фторидннх и халькоге-.'Шдных стекол". Рига. 1990.С.2 / .

8. Рыков В.В.,Харионовский А.В, //Способ измерения толщины топких пленок, нанесенных на подлогасу. // А.С» Ко.1670385 1991г.

9.Рыков В.В..Харяоноь^кий A.B..Ршенко О.Ф. //Влияние способа обработки поверхности на фотоакустический аффект з стеклообразном As^Se . //В кн. :Тезисы докладов II Всесоюзной конференции ■10 яизике отеклообраэгшх твердых тел. Рига. 1991 С,76.

;О.Рыков В.В.. Харисновокий. A.B., Кчбешов A.B., Рыкова Т.С. / /гстсйкустичест;й1 метод исследования диффузии металлов в ХСП. ,/'й ich. ¡Тезисы докладов г Всесоюзной конференции по физике стек-юобразных твердых тел. Рига. 1991 С.85.

И.Рыков В.В., Харионовский A.B., Чзрменш В.В.. //Упругие

деформации в електрическом поле. //В кн. »Тезисы докладов 2 Всесоюзной конференции по физике стеклообразных твердш: те.,. Рига. 1991 С.153