Исследование фотоиндуцированной электрической структуры концентрированного рубина тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

КАЗАНСКИЙ ОРДЕНА ЛЕНИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ имени В. И. УЛЬЯНОВА-ЛЕНИНА

На правах рукописи

НЕСМЕЛОЙ Юрий Евгеньевич

ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОИНДУДОРОВАНШй ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ СТРУКТУРЫ КОНЦЕНТРИРОВАННОГО РУБИНА

01.04.07 - физика твердого тела

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

КАЗАНЬ - 1991

Работа выполнена в физико-техническом институте имени Е. К. Завойского Казанского научного центра АН СССР

Научный руководитель: кандидат физико-математических наук вед. научный сотрудник Соловаров Н. К.

Официальные оппоненты: доктор физико-математических наук

научный сотрудник Вихнин В С. кандидат физико-математических наук доцент Казаков Б.Н.

Ведущая организация: Институт физики твердого тела и

полупроводников АН БССР С г. Минск)

Защита состоится " ¡2" С^Рк^^Л 1991 г. в ^час. на заседании Специализированного Совета Д 053.29.02 при Казанском государственном университете им- В.И. Ульянова-Ленина С420008, 1-. Казань, ул.. Ленина, 18)

С диссертацией можно ознакомиться в научной библиотеке Казанского государственного университета.

Автореферат разослан 1991 г.

Ученый секретарь Специализированного Совета,

профессор (Еремин М. В.)

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

ть работа Рубин - хорошо известный материал, достаточно подробно, с хорошо понятыми руктурньши и зонными свойствами. Однако статья Нао,

ass, Humphrey Ш, открыла еде одно направление следований рубина - явление возникновения внутрен:;г -о ектрического поля при оптическом облучении.

Дальнейшие исследования показали, что при облучен.-к в йине образуются электрические домены с полями, раплельными оси С^ и направленными противоположно друг угу.

В рамках осмысления этого эффекта подробно изучались оЯства фотоиндуцированноЯ электрической структуры рубина -зависимости от температуры, концентрации пркмэснмх ионов юма, интенсивности облучающего света, его спектрального ютава. Подробно изучалась фотопроводимость, ее [ектраяьные и временные характеристики, зависимость от ! личины внешнего электрического поля, приложенного к -разцу рубина. Была обнаружена абсолютная отрицательная згопроводшосгь рубина. На настоящее время рассмотрен ряд ■ханиздав отрицательной фотопроводимости рубана; построена шоменологическая теория образования электрической доменной груктурн в рубине.

Феноменологическая теория объясняет фотоиндуцированноэ эявление двух доменов при наличии в образце электрического >ля и отрицательной фотопроводимости рубина. Теория ¿ъясняет также гистерезис вольт-амперной характеристик» зри приложении к облучаемому образцу рубина электрического зля вдоль оси С ) в больших электрических полях. С другой гороны, на основе существующей фзноыонояогичэской теории рудно объяснить стартовый механизм появления доменов пектрического поля в рубине. Теорией не рассматривается а к же зависимость напряженности электрического .толя доменов г температуры и концентрации примесных ионов хрома э убине.

. Целью работы является - дальнейшее экспериментальное

исследование фотоэлектрической доменной структуры руби; катодом оптической спектроскопии и построен: микроскопической иоде ли- образования доменной структуры.

Научная новизна заключается в следувде) Экспериментально определено изменение интегрально] поглощения К -линии рубика при лазерном облучешл Обнаружена пространственная зависимость формы -лиш лшаиесцеиции к поглощения облученного образца. Исследовги динамика образования и релаксации доменной структуры рубине, влияние предыстории облучения образцов на скорос образоьаияя доменной структуры. Найденные экспериментальш ^акты вместе с уке имеовдкадся позволили построй' микроскопическую модель формирования фотоиндуцировакж эяоктрйчгской докениой структуры в рубине, объяснясь; оояшииство экспериментов.

Зф^кт образования доменной структуры в рубине п; оптическом облучении мокет быть применен для соэданш например, оптических запоминающие устройст! элэктроопгичёских приборов. Практическая ценное:

диссертации состоит в том, что результаты проведен!» спектроскопических исследований фотоэлектрической доменж структура рубина дат новые сведения о роли аномалы заряженных ионов хрома в процессе образования и релаксаи; электрической доызной структуры рубина. Получегн1 эхепэрииеитальнне данные позволили построй: еткросколзгчйсху» модель формирования электрической доменж структуры в рубине.

На ззанту* выносятся: 1. Экспериментальные результаты иссладоваш фотоаняуцированаой электрической доменной структуры рубина:

- определение количества ионов хрома ССг3*), меняют зарядовое состояние ССг5* -» Сг4* или Сга* ) при интенсивис оптическом облучении рубина по изменению интегрально! поглощения Й-линии,

- обнаружение пространственной зависимости формы -лиш облученного образна,

- исследование динамики образования электрической доменнс структуры рубина,

- обнаружение влияния прегкстсрзи облучения образца па ' ксрость образования доленной структур!:! рубина,

- изучение релаксации доменной структура рубина.

Микроскопическая модель формирования электрической оменной структуры в рубине.

Апробация работы. Основные результаты диссертации

складывались на XXV Всесопзном совещании по физике нкэукх емперагур С Ленинград, 1988), XII Всесоюзной конференции ¡та мзике сегнетоэлектраков (Ростов-на-Дону, 19393, конференция Применение новейшик достияекчЯ физики коняенсирсьлшых :ред" (Ташкент, 1939), IX Всесоюзном снгаюэиумэ по пектроскопии кристаллов, активировании кояям» едкоземельных и переходных металлов (Ленинград, 1990). Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, ■рех глав, заключения и списка цитированной литературы, (бьем работы 104 страниц«, 32 рисунка, список литературы ¡ключает 107 библиографических наименований.

ЮДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

¡о введении обосновывается выбор теш диссертации, зпреяелены цели работы, научная новизна и практическая 1енность, сформулированы осно«киэ. положений, бшюся>.ко на ¡аашту.

1ервая глава является обзорной, в ней прзгодятся общие представления о рубине, ссбрани опубликованные экспериментальные результаты исследования фотоэлектрической юм&нноз структуры других авторов, рассмотрены приведенное ъ титературе механизмы отрицательной фотопроводимости рубина и феноменологическая кояаль форьшроваим доменной структуры в зубине.

Около 10 лет назад Шо, Шанг, Ни.-рЬгеу Ш обнаружили эффект расщепления линий люминесценции рубина при лазерном облучении. Е- и М-лишш люминесценции растоплялись так уо, как и при понеаении рубина во внешнее электрическое поля, направленное вдоль оси С3 (23. Расщеалекие линий рубина в электрическом поле возникает из-за того, это искя хрома, находящиеся в полоеонйях А и В в решетке корунда, при

- а -

приложении электрического поля по оси Сз перестают бы энергетически эквивалентными. Положения А и В ионов Сг3' решетке корунда отлячавтся противоположным смещением ион Сг34 вдоль оптической оси относительно плоскостей ион кислорода.

¡лао и «р. Ш интерпретировали расщепление лин шдшесценции, как образование на гранях образца обьемк зарядов, обусловливавших появление однородно электрического поля при лазерном облучении рубина.

Далькейаее исследование этого эффекта во внешн электрическом поле показало, что при облучении в руби образуются электрические домена с полями, параллельными о Сз и направленными противоположно друг другу [33.

При исследовании фотопроводимости рубина бил найд гистерезис вольт-амперной характеристики, причем на обрати ветви гистерезиса фототек принимал отрицательные значен С 33. Исследования спектральной зависимости фототока показа наличие знакопеременной резонансной фотопроводимости руби [41, что позволило предположить прыжковый механи Фотопроводимости рубина по метастабильному уровни гЕ.

Исследовались такте температурная и концентрационк зависимости величины возникающего в рубине электрическо поля доиенов [3,51.

На настоящее вреыя рассмотрено несколько мехашзм реализации отрицательной фотопроводимости рубина С4,6.7 Рубин - цбнтросикметричпый кристалл, поэто фотовольтацческий ток в нем возможен только при нарушен симметрии. Большинство предложенных механизмов возиикновен фототока в рубине, кроме [13, требует наличия в образ "затравочного" электрического поля, нарушаошего сишетр центросимштричных позиций А и В ионов хрома. Авторы [ происхождении фототока связываот с ростовой разноет концентрация ионов хрома в положениях А и В. В [4, рассматривается механизм отрицательней Фотопроводимос вследствие нарушения симметрии передачи энергии Еозбуаден между А и В ионами хрома на метастабильном уровне электрическом пола. Авторы 173 вводят дополнитель нарушение симметрии межцентровых переходов в ^^нтрическ

юяр; подробно рассматривает ряд механизме» резонансной п »резонансной отрицательной фотопрозодчмоста.

Феноменологическая теория 16] объясняет возникновение в эубшге электрической доменной структур« при выполнении .: /х условий - наличии в образце электрического аолл л юзкикновение при облучении рубина фототока, текущего против юля.

Кроме появления двух доменов электрического ноля а >бразце при облучении, теория качественно объясняет гистерезис вольт-амперной характеристики фототека в руоинв а Зольших электрических полях. Феноменологической теорией у? рассматривается стартовый механизм появления доу?»ров электрического поля в рубине. О круг проблем, объясняемых теорией' не попали концентрационная н температурная зависимости напряженности электрического поля доменов. Зо второй главе приведено описание экспериментальной установки, образцов и представлены результата спектроскопических исследований фэтоиндуцированкоЗ электрической структуры руоика.

3 2.1 описана экспериментальная установка и тссладзвавяые образцы руоила.

¿Л Количество аномально зарятапных ¡юнев хрома ССт**, Сгг+) в образце рубина после создания электрической доданной структуры. Число ионов Сг3+ контролировалось измерением интегрального оптического поглокония в области Е-линий. Особенностью эксперимента было то, что коэффициент поглощения з К-линиях ионов хрома в рубине изменяется г электрическом поле. Поэтому необходимо сравнивать действие внутренних электрических полей домеяоа и внешнего электрического поля на интегральный коэффициент поглощения в одном и том же образце. Получено, что при создании электрической доменкой структуры интегральное поглощение I? -линии образца рубина остается неизшннш, з то время как во внешнем электрическом поле поглощение Р. -линии того я.е образца увеличилось на 9.3 1 1.3 К. Следовательно, при образовании электрической доменной структура количество ионов Сг3* в образце уменьшилось на 9.5 %, что кохно связать с переходом части ионов Сг3+ в аномально заряженное

состояние Сг4\ Сг3*.

?.. 3 Пространственная зависимость относительны интенсивностей компонент й -линии облученных образцов. Эдес наблюдались спектры люминесценции и поглощения Я -лини малых областей образца. Изображение образца рубин проецировалось объективом на диафрагмированную аел конохроиатора. Таким образом сигнал снимался с площад поверхности образца 2x100 мкмг. Размер 2 тем обраэовг шириной ¡цели монохроматора, а размер 100 мкм - величине диафрагмы. Перемещение образца в направлении перпендикулярном оптической оси установки и аел иоиохроматорг, позволяло исследовать , пространственн> зависимость спектров люминесценции и поглощения облучение области.

При калом пространственном сдвиге областей наблюдем: обнаружено изменение относительных интенсивностей компонек й -линии. Ш считаем, что наблюдаемые пространственна изменения относительных интенсивностей расцепленных е внутреннем фотоивдуцированком электрическом поле коыпонеь иазно объяснить как проявление разной концентрации ионе Сг** в положениях А и В в доменах.

"¿Л_ Динамика образования фотоиндуцированной доменнс структура. Здесь представлены результаты исследова:-:; динамика формирования внутреннего электрического поля ир различных режимах лазерного облучения. В процессе облучен;: образца наблюдалась люминесценция й- и И-линий рубина. Ь начальном этапе облучения линии ушрялись и переходили неразрешенный триплет. Боковые компоненты триплет возрастали со временем облучения, а центральная уменьшала« В результате линии превращались в дублет. При далызейше облучении происходило плавное расхождение линий дублета.

Наша интерпретация наблюдаемой динамики состоит последовательном возникновении электрического поля одне величины у части доменов. Затем происходит быстрый рос числа доменов с таким полем до заполнения всей облучаемс области и в дальнейшем рост напряженности поля во все иоменах с одной скоростью до окончательно у^.гзн-ч-ившегос значения Е .

Зависимость скорости образования доменной структуры о: феаистории облучения образца. Нага установлено, что жорость образования электрической доменной структуры при >аданной интенсивности лазерного свата существенно зависит зт предыстории облучения образца. Эксперимент ставился гледуювдм образок:

- при облучении образца светом малой интенсивности не 1роисходило образования электрической доменной структуры,

при облучении образца лазерным светом большой щтенсивности начинается быстрое формирование электрической хоменной структуры, й, -линия люминесценции превращается з ¡лаборазрешенный дублет, ширина компонент которого значительно больше ширины искодноЯ линии,

- при последующем облучении образца рубина светом малой «тенсивности (как и в начальной случае) происходит быстрое образование упорядоченной электрической доменкой структуры, появляющейся в большей величина расщепления и узости компонент дублета -линии.

Мы полагаем, что набявдаешй эффект обусловлен збразованием при большой интенсивности лазерного света сравнительно большого числа аномально зарягеяных ионов хрома в облучаемой области образца. Зто приводят к укирени» компонент дублета. Одновременно наличие интенсивной подсветки означает существование больиой электронной фотопроводимости, что. приводит к укеньшешт напряженности стационарного внутреннего пол;;

При последующем облучении светом калой мощности происходит быстрая концентрация аномально зарягенных ионов »рока в доменных стенках за счет прыгжовой проводимости к уменьшение количества аномально заряженных ионов хрома внутри доменов, что приводит к суженив компонент дуслета й -линии.

I

2.6 Двухступенчатая релаксация фооиндуцированной доменной структуры рубина. Здесь наблюдалось изменение -линии люминесценции со вргыэием послэ сблучекэт. Спектры я*шнесц«ши снимались прл 77К, в прскэжутках межяу записями спектра образец отогревался до комнатной температуры. Найдено, что сразу яе после облучения образца

спектр К -линий .чсыииесцеиции описывается суммой по меньше

г I

мере трек линий. Две боковые линии образуют дублет, величин расщепления которого -соответствует электрическому пол доменов. Компонента дублета незначительно уширены п сравнение с исходной линией. Третья линия, расположенная центре спектра, узшрена сильнее Спримерно в два раза) и е интенсивность почти на порядок меньше интенсивност компонент дублета. С течением времени центральная компонент относительно быстро уменьшается и исчезает. Одновременн происходит уменьшение ширин компонент дублета до ширин исходной линии. Расцепление компонент дублета уменьшаете значительно медленнее.

полагаем, что в облученном рубине при комнатно теетературе существует два качественно различных процесс релаксации:

- быстрый процесс Сс характерным временем несколько суток представляет собой упорядочение доменной структуры. Здес происходит темиовое пространственное перераспределен» зарядов, инициируемое созданной зародышевой домеио структурой;

- тадленный процесс (характерное время сотни суток происходят без пространственного перераспределения зарядов образце. Его естественно связать с восстановление иоряалтого зарядового состояния ионов хрома.

В третьей птаее представлена термализационная мод«>л формирования фотоиндуцированной электрической доменно структуры рубина. Предлагаемая микроскопическая моде л основана не трех положениях:

- наличии в образцах рубина доменов, образованных процессе роста кристалла. Предполагается, что отношени концентраций ионов хрома, занимающих разные позиции А или некоторых областях (доменах) образца не равно единиц СсА-/св=1' »=1). Условимся называть области, где у > 1, А домена,ча и где у < 1 - В - доменами;

- наличии при низких температурах в концентрированно рубине термализации метастабильного уровня £ . Т.е. наличи процесса быстрой спектральной миграции по контур неоднородно уширенного Е-уровня. При стационарно

- и -

возбуждении люминесценции через полосы поглощения в концентрированном рубине в результате такой миграции больше заселяется низкоэнергетическая часть неоднородного контура уровня £, что экспериментально проявляется в длинноволновом сдвиге максимума Я -линии люминесценции относительно й -линии поглощения;

1

- прыжковой проводимости по возбужденной в метастабильное состояние системе ионсв Сгэ* (41. Механизм этой проводимости состой'!' в прыжках электронов с возбужденных ионов Сг3* на аномально заряженные (АЭ) ионы Сг4* или с ионов Сг2* на возбужденные ионы Сг3*, В дальнейшем ин будем говорить "прыжок аномального заряда", подразумевая под этим перемещение аномального зарядового состояния ионов хрома (Сг*\ Сга*), имеющихся или создаваемых в образце облучением, вследствие фотостимулнрованкых прыжков электронов. ЛЗ иона Сгг* будем называть отрицательним АЗ или АЭ', АЗ ион Сг** будем называть положительным АЗ или АЗ* (по отношению к "обычному" зарядоЕсму состоянию Сг3*).

Для упрощенной наглядной модели термализационного механизма формирования внутреннего электрического поля в домене рассмотрим цепочку из трох ионов хрома, расположенных вдоль оптической оси образца на расстоянии г друг от друга. Центральный ион полагаем АЗ*, а крайние ионы- Сг3\ находящиеся ь куноновском поле ЛЗ*, назовем фотоэлектрически активными ионами (ФАЮ. На рисунке 1а, рядом с изображением крайних ионов, указано относительное положение энергий мечастаОилышх уровней фотоэлектрически 'активных ионов в электрическом поле АЗ*. Данная цепочка атомов находится в домене В, те. концентрация ионов хрома в положении 8 больше, чем в А - на рисунке уровни, соответствующие ионам В выглядят толще. 11 мы приняли, что для иоков хрома в позиции А энергия уровня Ё в электрическом поле, направленном справ« налево Сем. рис 1а) уменьшается, а в поле, направленной слева направо - увеличивается. Для ионов В все наоборот. Полагаем, что. в домэне существует ансамбль таких цепочек.

Принимая во внимание теркаиизацив кетастабильного уровня пола!аем. что в рассматриваемся двухуровневой системе при стационарной оптической накачки в полосу пог;н->цения

-О- *—. © <—* 0~

^ л

Ь-

А,

тг

л л

Л.

Де.

■О*—■ ©- -О-' Е.

С*

Дп Ьп

Рис. 1 Схема энергетических уровней ФАИ Сг3* в трехатомной цепочке. Е^- локальное поле АЗ иона хрома, Е - внутреннее поле домена, А - сдвиг энергии уровня ФАИ в локальном попе Ел, 5 - сдвиг уровня подрешетки в поле Е.

устанавливается термодинамическое равновесие с температурой решетки Т. Тогда, населенности ФАИ хрома справа и слева от АЗ иона хрома будут различны: в данном случае, для домена В. справа от АЗ* населенность будет больше, чем слева. Населенности ФАИ хрома справа и слева равны в двух случаях: когда г = 1 и Т ю.

Учтем наличие в концентрированном рубине прыжковой Проводимости по возбужденным в метастабильное состояние

•лснам хрома. Будем полагать, что вероятность прыжка не зависит от того, в какой позиции СА,В) находятся ионы цепочки и от знака АЗ иона хрома. Тогда, вероятность прыяка АЗ будет определяться населенностью ФАИ хрома. В данном случае, населенность <5>АИ хрома справа больше, и АЗ* прыгнет вправо. АЗ" в этих условиях прыгнет влево. Для домена А, т.е. где заселенность позиций хрома А больше, АЗ* будет прыгать влево, а АЗ" - впраБО. На границе ростовых доменов А и В возникнет область, содержащая АЗ ионы хрома только одного знака. Мы называем эту область доменной стенкой.

О возникновением электрического поля в домене происходит расщепление уровней рассматриваемой нами двухуровневой системы по схеме, указанной на рисунке 16. Электрическое поле снимает вырождение по положениям А, В, образуя четырехуровневую систему метастабильных уровней ФАИ хрома. Предполагая термализащда этой системы, получим, что асимметрия населеностей справа и слева зависит от величины электрического юля Е в домене - по мере роста электрического поля в домене уменьшается разность эаселенностей позиций А и В справа и слева от АЗ кока хрома.

Таким образом, германизация системы метастабильных уровней ФАН хрома вызывает в каждом домене при облучении два конкурирующих процесса:

- фотоиндуцировакнкй прыжковий ток АЗ к стенкам дсмена, в результате которого создается внутреннее электрическое поле;

- перераспределение населенностей метастабильных уровней ФАН хрома в разных позициях в созданном поле, препятствующее росту такого поля.

При точной компенсации ростовой разницы концентраций ненов Сг3+ в положениях А и В за счет термализационнсго перераспределения населенностей метастабильных уровней в домене устанавливается электрическое поле Е и прыжковый ток исчезает. Величина электрического поля в дсмене в высокотемпературном приближении ие зависит от температуры:

ёгсГ+7)

&'лее реалистическая гидель рассматривает не

трехатомнке цепочки, а случайное распределение ФАИ хрома в окресяости АЗ иона хрома. Несмотря на это, выражение для установившегося электрического поля в домене имеет тот же ей д.

В заключении кратко сформулированы основные результаты работы и выводы.

1. Определено количество аномально заряженных ионов хрома, возникающих при мойном оптическом облучении рубина по изменение интегрального поглощения в К(-линии. Число образовавшихся аномально заряженных ионов хрома составляет около 10% общего числа ионов Сг*+, изоморфно замещающих ионы А1,+

2. Обнаружена пространственная зависимость относительных интенсивностей компонент й -линии облученных образцов. Пространственное изменение интенсивностей компонент й -линий поглощения и люминесценции связывается с разной концентрацией ионов хрома в позициях А и В в ростовых доменах.

3. Изучена динамика образования фотоиндуцированной доменной структуры в рубине. Обнаружено двухэтапное формирование доменной структуры. На первом этапе в образце возникают области с "промежуточным" полем Еа и происходит быстрое увеличение этих областей до заполнения всей облучаемой области образца. На втором этапе происходит дальнейший рост напряженности поля во всей облучаемой области образца до величины стационарного насыщенного поля £ .

4. Найдена зависимость скорости образования доменной структуры от предыстории облучения образца. Показано, что предварительное облучение образца светом большой мощности существенно ускоряет процесс создания упорядоченной доменной структуры в рубине.

5. Исследован процесс релаксации доменной структуры б рубине и обнаружено два качественно различных процесса релаксации. Быстрый процесс представляет собой упорядочение доменной структуры. Во время этого процесса происходит высокотемпературное пространственное перераспределение зарядов в облученной части образца, приводящее к установлению поля доменов на всех ионах Сг*\ Медленный процесс связывается с восстановлением нормального зарядового состояния ионов хрома Сг"4 из аномально заряженных ионов Сга* и Сг4+.

- IS -

6. Построена микроскопическая модель, описывавшая формирование фотоиндуцировапной электрической доменной структуры в рубине. Модель:

а) дает стартовый механизм роста внутреннего электрического поля в доменах и его ограничение, "

б) объясняет независимость величины установившегося значения поля от температуры и обратно пропорциональную температуре скорость установления поля,

в) объясняет зависимость величины внутреннего поля от внешнего при облучении во внешнем электрическом поле,

г > качественно описывает наблюдаемую вольт-амперную характеристику фототока в рубине.

Цитируемая литература

1. Liao P. F. , Glass A.M., Humphrey L. М. Optically generated pseudo-Stark effect in ruby// Phys. Rev. B.-1980. -V. 22,ИЗ. -

P. 2275- 2281.

2. Kaiser W., Sugano S. , Wood D.L, Splitting of the emission lines of ruby by an external electric field// Phys. Rev.Lett. - 1961.-V.6.H11.-P.605-607.

3. Басун С. A. , Каплянский A. A., Феофилов С. П. Фотоэлектрическая доменная структура в кристаллад рубина// ЖЭТФ. -1984. -Т. 87, N6. - С. 2047-2063.

4. Басун С. А. , Капля некий А. А., Феофилов С. П. Знакопеременная резонансная фотостимулироваиная электрическая проводимость по ионан хрома в рубине// Письма в ЖЭТФ. -19S6. -Т. 43,N7. -С. 344-347.

3. Басун С. А., Каплянский А. А., Феофилов С. П. Критическая концентрационная зависимость электрической неустойчивости кристаллов оптически возбужденного рубина// ФТТ. -1986. -Т. 23, N3. -С. 929-932.

0. Дьяконов М. И. , Фурман А. С. Фотоэлектрическая доменная структура. Теория// ЖЭТФ. -1934. -Т. 37,!©. -С. 2063-2075.

7. Новиков В, Н., Стурман б. И. Теории абсолютной отрицательной фотопроводимости в рубкке// ЙЗТФ.-1988.-Т. 94,

N7. -С. 226-233.

- 16 -

Основное содержание диссертации опубликовано в следующих работах:

1. Несмелов ß. Е. Ячейка для проведения оптических измерений при низких температурах в электрических полях до 500 кВ/см// Спектроскопические исследования диэлектриков и сегнетоэлектриков. -Казань: Препринт КФАН СССР, 1988. -С. 37-39.

2. Несмелов Ю. Е. Люминесценция и поглощение концентрированного рубина при воздействии электрического поля и лазерного облучения. Механизм отрицательной фотопроводимости рубинам Спектроскопические исследования диэлектриков и сегнетоэлектриков.-Казань: Препринт КФАН СССР, 1988. -С.27-35.

3. Владимирцев Ю. В., Куркин Н. Н., Несмелов Ю. Е., Соловаров Н. К. О формировании (фотоэлектрической структуры в рубине// IX Всесоюзный симпозиум по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов: Тез. докл. - Ленинград,1990.-С. 164.

4. Владимирцев D.B. , Куркин H.H., Несмелов Ю. Е. , Солеваров Н. К. Неоднородность фотоиндуцированной электрической структуры рубина// XII Всесоюзная конференция по физике сегнетоэлектриков: Тез. докл. -Ростов-на-Дону,1989. -Т. 2. -С. 107.

5. Владимирцев Ю, В. , Куркин H.H., Несмелов Ю. Е. , Соловаров Н. К. Динамика образования фотоэлектрической структуры рубина// ШС.~ 1989.-Т. 31, N1.-С. 143-146.

6. Куркин H.H., Несмелов D.E. , Соловаров Н. К. Термализационньй механизм формирования фотоиндуцированной электрической доменной структуры рубина7 АН СССР. Казан.фил. ФТИ.-М. ,1989. -46с. -Доп. в ВИНИТИ 5. 07. 89.Н4459-В89.

7. Kurkin N.N. , Itesmelov Yu. E., Solovarov N. K. Thermliza-tional mechanism of photoinduced electric domain structure formation in ruby// J.of Phys.Cond.Matter, in press.

8. Владимирцев Ю. В. , Куркин H. Н. , Несмелов Ю. Е. , Соловаров Н. К. Релаксация фотоиндуцированной электрической структуры рубина// ФГГ. -1091. -Т. 33, N1. -С. 304-306.

9. Владимирцев 0. В. , Куркин Н. Н., Несмелов В. Е., Соловаров Н. К. Процесс образования фотоиндуцированной доменной структуры в концентрированном рубине при 77К// ХХУ Всесоюзное совещание по физике низких температур: Теэ. докл. -

- 17 -

Ленинград, 1938. -Ч. 2. -С. 309-210.

10. Куркин Н, Н., Несмелов Ю. Е. , Соловаров Н. К. Термализаии-онная модель формирования фотоиндуцированных электрических доменов в рубине// XII Всесоюзная конференция по физике сег-нетоэлектриков: Тез. докл. -Ростос-на-Дону, 1989. - Т. 2. -С. 117.

11. Куркин H.H., Несмелов O.E., Соловаров Н.К. Влияние пространственной неоднородности распределения иоков хрома на создание фотоэлектрической структуры в рубине// Применение нивейших достижений физики конденсированных сред. - Ташкент: Препринт ОТФ и С'КБ с 0П АН УзССР, 1989. -С. 83-86.

12 Куркин H.H., Несмелов В.Е., Соловаров Н.К. Термализаци-онная модель низкотемпературной фотоэлектрической неустойчивости рубина// IX Всесоюзный симпозиум по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов: Тез. докл.-Ленинград, 1990.-С.163.

13. Несмелов D.E., Владимирцев Ю. В., Куркин H.H., Соловаров Н. К. Динамика лазерного возбуждения внутреннего электрического пол: в руйнне// Республиканская конференция молодых ученых: Тез.докл. - Казань,1987.-С.128-129.

14. Владимирцев Ю. В. , Куркин H.H., Нескелов Ю. Е., Соловаров Н. К. Двухступенчатая релаксация фотоиндуцнрованной доменной структуры рубина// Материалы конференции молодых ученых КШ-90. - Казань; Препринт Ш АН СССР, 1990. -С. 59 -62.

/