Исследование коллективных возбуждений в двумерных электронных системах методом неупругого рассеяния света тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

На правах рукописи

СНЕЖКО ЕВГЕНИЙ ВИТАЛЬЕВИЧ

РАЗРАБОТКА МЕТОДИКИ АВТОМАТИЗИРОВАННОЙ НАСТРОЙКИ УСТРОЙСТВ ЗАПИСИ ПОЛИГРАФИЧЕСКОГО ИЗОБРАЖЕНИЯ

Специальность 05.13.06. - Автоматизация и управление технологическими процессами и производствами (полиграфическое производство)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Москва 2006

Работа выполнена на кафедре автоматизации полиграфического производства Московского государственного университета печати

Научный руководитель - доктор технических наук, профессор

Самарин Юрий Николаевич

Официальные оппоненты: доктор технических наук, профессор

Винокур Алексей Иосифович

кандидат технических наук, доцент Вартанян Сурен Даруйрович

Ведущая организация: Северо-Западный институт печати Санкт-Петербургского государственного университета технологии и дизайна.

Защита диссертации состоится «20» декабря 2006 г. в 15.30 на заседании диссертационного совета К 212.147.02 при Московском государственном университете печати по адресу: 127550, г. Москва, ул Прянишникова, д. 2а.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Московского государственного университета печати.

Автореферат разослан « /з^» ноября 2006 г.

Ученый секретарь

диссертационного совета

доктор технических наук, профессор

Агеев В.Н.

Общая характеристика работы

Актуальность исследования заключается в том, что даже дорогое высококлассное оборудование для записи полиграфического изображения требует настройки в соответствии с условиями его функционирования и специфики материалов, используемых при выполнении заказа. Для быстрого и качественного выпуска различной печатной продукции необходима как первичная настройка, выполняемая на заводе-изготовителе или сервисными службами, так и настройка оборудования в процессе его работы с постоянным контролем параметров его функционирования, что позволяет обеспечить высокое качество и повторяемость процессов.

Требования постоянного контроля параметров функционирования оборудования в полиграфическом производстве и необходимость их корректировки обусловливают наличие методик, контрольно-измерительного комплекса оборудования и алгоритмов его функционирования. В последнее время ведущие фирмы-производители полиграфического оборудования активно внедряют системы автоматизированной настройки и контроля процессов функционирования полиграфического оборудования: например, такие как система автоматизированного контроля оптической плотности краски в офсетной печати (система CCI фирмы MAN ROLAND) или система автокалибровки в цифровой печати (Intelligent-Toner Reproduction Auto Correction System) и т.д.

В связи с вышеизложенным целью диссертационной работы является исследование и разработка методов автоматизированной настройки устройств записи полиграфического изображения.

Для достижения сформулированной цели были решены следующие задачи:

- анализ основных факторов, влияющих на точность воспроизведения полиграфического изображения в лазерных записывающих устройствах, с выделением общих факторов для формовыводных и фотовыводных устройств;

- разработка методики автоматизированной настройки комплексов оборудования для изготовления фотоформ (фотовыводное устройство и проявочная машина), и печатных форм;

- разработка алгоритма построения математической модели проявочной секции и синтез системы термостатирования в проявочной машине по экспериментальным данным;

- разработка требований к настройке оборудования, учитывающих особенности воспроизведения различных типов растровых структур;

- экспериментальная проверка реализации разработанной методики и анализ возможности ее применения в других областях, например, в цифровой печати.

Методы исследования. Для решения поставленных задач, на основании комплексного анализа основных процессов, влияющих на точность воспроизведения полиграфического изображения, был использован регрессионный анализ. Применены методы идентификации (расчет математической модели по экспериментальным данным). Использован программный пакет Matlab.

При вычислении математических моделей по экспериментальным данным необходимо иметь информацию на входе исследуемого объекта и на его выходе (реакцию на входное воздействие). Для этого в ряде типографий проводились эксперименты по сбору данных об объекте управления.

Проведены экспериментальные проверки адекватности полученных моделей и методик.

Основные положения, выносимые на защиту.

1. Алгоритм автоматизированной настройки комплекса оборудования для получения фотоформы.

2. Методика построения математической модели и синтеза алгоритма управления системой термостатирования в проявочной секции проявочной машины по экспериментальным данным.

3. Алгоритм автоматизированной настройки формовыводного устройства.

4. Требования к точности настройки лазерных записывающих устройств, учитывающие особенности различных растровых структур, и методика их оценки.

Научная новизна результатов диссертационной работы заключается в том, что были выделены основные факторы, влияющие на точность воспроизведения полиграфического изображения на фотоформе, и в том числе те из них, по которым целесообразно осуществлять управление при синтезе системы автоматического управления. Разработан алгоритм автоматизированной настройки оборудования для получения фотоформ.

Определены требования к точности настройки оборудования для его работы при том или ином типе растрирования. Разработана методика анализа чувствительности относительной площади растровых элементов различных растровых структур в зависимости от изменения размера пятна лазера, а также алгоритм автоматизированной настройки формовыводных устройств.

Сформулированы общие положения методики автоматизированной настройки лазерных записывающих устройств и обоснована возможность применения данной методики к настройке цифровых печатных машин.

Практическая ценность. В работе предложены методики, которые могут быть использованы при реализации системы автоматического управления устройствами записи полиграфического изображения. Методика получения математической модели, характеризующей денситометрические показатели фотоформы и полученной в результате проведения многофакторного эксперимента, может быть использована при вычислении оптимальных параметров функционирования оборудования. Методика построения математической модели проявочной секции и синтеза регулятора по экспериментальным данным может быть использована при подборе алгоритма управления температурным режимом проявочной машины как на стадии ее изготовления, так и при корректировке алгоритма управления в конкретных условиях функционирования устройства. Разработанные требования к точности настройки оборудования могут быть использованы как в типографиях при выборе типа работ, так и фирмой-изготовителем лазерных записывающих устройств при

оценке возможностей выводного оборудования. Методика анализа чувствительности относительной площади растровых структур при изменении размера элементарной точки может быть использована для анализа растровых структур и при создании новых типов растров.

Общая структура и методика автоматизированной настройки устройств записи полиграфического изображения может быть реализована не только в фотовыводных и формовыводных устройствах, но и в цифровых печатных машинах.

Апробация работы. Положения диссертационной работы докладывались на научно-технических конференциях Московского государственного университета печати (58-я научно-техническая конференция МГУП, 2004 г., < юбилейная научно-техническая конференция молодых ученых МГУП, 2005 г.).

Результаты диссертации используются в учебном процессе для курсового проектирования по дисциплине «Технические средства переработки текстовой и иллюстрационной информации». На кафедре автоматизации полиграфического производства подготовлено соответствующее методическое пособие [1].

Диссертант в 2005 г. являлся ответственным исполнителем по договору между Московским государственным университетом печати и ООО «Диамант» о выполнении научно-исследовательских работ по теме: «Анализ характеристик функционирования фото- и формовыводных устройств и разработка методики их калибровки». Работа принята заказчиком с хорошей оценкой, что подтверждено наличием акта приемки-сдачи работ.

Публикации. По тематике работы опубликованы 7 научных статей, тезисы доклада на научно-технической конференции, а также одно учебно-методическое пособие.

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа содержит 147 страниц основного текста и 35 страниц приложения, состоит из введения, четырех глав, заключения, списка использованных источников и приложений.

Содержание работы

Во введении обоснована актуальность научно-исследовательской работы, сформулированы задачи и цель исследования, раскрыта научная новизна и практическая ценность работы, приведены положения, выносимые на защиту.

В первой главе диссертационной работы рассмотрены основные принципы формирования изображения в лазерных записывающих устройствах, типы устройств. Дана общая характеристика этапов формирования изображения, описаны основные факторы, влияющие на запись изображения в этих устройствах. По экспериментальным данным приводятся оценки факторов, влияющих на точность воспроизведения изображения.

Анализ этапов формирования изображения в лазерных записывающих устройствах позволил выделить основные факторы, влияющие на точность воспроизведения. Общим фактором для фотовыводных и формовыводных

устройств является количество энергии, передаваемой на формный материал (пленку или пластину). В отличие от процесса получения печатной формы при формировании фотоформы на характеристики воспроизводимых на фотоматериале элементов оказывают влияние также режимы последующей обработки: температура и время проявления.

На оптическую плотность D фотоформы влияют как режимы проявления (рис. 1), так и мощность лазера (рис. 2). Графики получены по экспериментальным данным при экспонировании пленки Kodak Gen5 Fast Process Sp 829, в устройстве Quazar, при изменении режимов проявления проявочной машины MultiLine Classic 550/720 фирмы GLUNZ&JENSEN и при использовании проявителя SRA.

Рис. 2. Изменение оптической плотности фотоматериала в зависимости от мощности лазера

Из рисунков видно, каким образом и в какой мере температура проявителя, время проявления и мощность лазера оказывают влияние на значение оптической плотности. На рис. 2 график получен при постоянных значениях времени и температуры проявления, точкой А показан рабочий режим.

Для исключения бессистемного подхода к настройке фотовыводного оборудования, а именно интуитивного воздействия на рассмотренные факторы (температура проявителя, время проявления, мощность лазера), предлагается организовать управление посредством регулирования количества энергии, переданной на формный материал, с учетом параметров процесса проявления.

Вторая глава посвящена описанию предложенной методики автоматизированной настройки комплекса оборудования для получения фотоформ. Данная методика основана на расчете требуемых управляющих воздействий по вычисленным регрессионным моделям. Предложена методика построения системы термостатирования проявочной секции по экспериментальным данным.

В главе описывается методика получения математической модели изменения оптической плотности от мощности лазера, времени проявления и температуры проявителя 0=/(РхТ). Данная методика реализована при помощи программной среды МАТЪАВ 6.0, которая позволяет получить уравнение регрессии вида:

0 = Ь„+Ьг1 + Ь2Т + Ь,Р + Ьп1Т + Ьп-1-Р+ (1)

+ Ь2,-Т-Р + Ь1Г12 + Ь22-Т2 + Ьп-Р\ где Р — мощность лазера , / — время проявления, Т — температура проявителя и й — оптическая плотность.

Для расчета математической модели (1) необходимы экспериментальные данные. Получение необходимого их количества требует от оборудования специального режима функционирования.

Применение данной модели при калибровке фотовыводного устройства поможет существенно сократить время калибровки, так как уменьшится число итераций, оптимизировать процесс получения фотоформы с точки зрения временных затрат, выбрать оптимальные режимы по длительности проявления. Существенно сократится также расход пленки при калибровке, то есть уменьшится брак по пленке. Возможность вычисления параметров 1,Т,Р позволяет автоматизировать процесс настройки комплекса оборудования для получения фотоформы.

Возможность применения предложенной методики подтверждена при настройке реального полиграфического оборудования. Данная настройка была разбита на два этапа. Первым этапом определены режимы проявления, для этого получена регрессионная модель £>=/(/, Т):

£> = 60 +6, ■¡ + Ь2-Т+Ьп I-Т+Ьп-I2 +Ьп Тг. (2)

Коэффициенты модели (2) представлены в таблице.

Ьо ¿1.1 с ''С С°с Ьи,± С ¿22,-1-"С1

-4,723 0,072 0,233 -8,21010" -6,407-10"4 -1,143-Ю"1

Данная модель получена при постоянном значении мощности лазера и варьировании параметров проявления (времени и температуры). Вычисленные значения модели (2) представлены на рис. 3.

■ ' ■ Экспериментальные

с пен ней модель

VI /

Рис. 3. Графики изменения оптической плотности, полученные по результатам эксперимента и по вычисленной модели

На рисунке представлены экспериментальные и вычисленные значения оптической плотности. По модели (2) произведена настройка проявочного процесса, а именно зафиксированы оптимальные значения температуры и времени проявления. Модель (2) применима в поле экспериментальных данных.

На втором этапе произведена окончательная более точная1 настройка путем задания требуемого значения мощности лазера, полученного по экспериментальным данным (рис. 2).

В работе предложена методика расчета коэффициентов компенсации градационной характеристики с применением интерполирования данных кубическим сплайном (рис. 4).

3 «■

К

й «■

Ж

гХ^ о . • о-

Вычисленные компенсационные значения

30 О 55 с: Входные данные (%)

Рис. 4. Градационная характеристики и ее компенсационные значения

Из рисунка видно, что компенсационные значения расположены на отображенной кривой экспериментальных данных.

С использованием того же аппарата интерполирования проведена минимизация полей градационной шкалы (рис.5).

Рис. 5. График с измеренными значениями тест объекта

По рисунку видно, что интерполяционные кривые полного градационного теста (все круглые точки) и уменьшенного (темные точки) накладываются практически на всем градационном интервале. Максимальное отклонение интерполяционных данных двух тест-объектов не превышает 2%.

Структурная схема системы автоматизированной настройки комплекса

Рис. 6. Структурная схема САФ.

На рисунке обозначены: Д — денситометр, ВУ - вычислительное устройство, РИП - растровый процессор изображения, ФНА - фотовыводное устройство; ПМ — проявочная машина, F - фотоформа, ТО — тест-объект.

Информация, передающаяся по связям: 5 — информация об оптической плотности и градационной характеристике, К — коэффициенты компенсации, Р - мощность лазера, t,T— время и температура проявления, /-информация с тест-объекта.

Работа автоматизированной системы настройки фотовыводного устройства осуществляется следующим образом. На основании передаваемой тест-объектом информации I при использовании денситометра Д получаем информацию об оптической плотности и градационной характеристике S. Далее информация S передается в вычислительное устройство ВУ, где по заданным алгоритмам вычисляются необходимые аппаратные значения параметров функционирования фотовыводного устройства и проявочной машины и программные значения растрового процессора изображения. Информация о мощности лазера Р из вычислительного устройства передается в ФНА, о времени и температуре проявки T,t в проявочную машину ПМ, о коэффициентах компенсации Л" в растровый процессор изображения РИП. Изменения в технологических процессах получения фотоформы будут зафиксированы денситометром, проанализированы в вычислительном устройстве на необходимость коррекции. Если коррекция не нужна, то устройства настроены и готовы к функционированию. Тест-объект целесообразно выводить регулярно (для каждого комплекта фотоформ), чтобы обеспечить постоянный контроль и настройку параметров работы выводного устройства.

Для реализации управления оптической плотностью D посредством изменения количества энергии необходимо точное поддержание температурного режима проявления. В работе предлагается методика автоматизированного расчета математической модели проявочной секции и синтеза алгоритма управления по экспериментальным данным.

В третьей главе дается обоснование методики автоматизированной настройки формовыводных устройств. Анализируются требования, предъявляемые к настройке оборудования, для различных типов изображений. На основании данного анализа предложены рекомендации по формированию тест-объекта.

Основным условием для точного воспроизведения полиграфического изображения является соответствие размеров пикселя на форме и в файле формата TIFF, который содержит бинарное изображение. Регулировка размера пикселя осуществляется посредством изменения количества энергии, переданной на пластину.

Для оценки влияния размера пятна лазера на точностные характеристики воспроизведения различных растровых структур решена задача анализа растров различных характеристик на всем градационном интервале. В устройствах вывода геометрия пятна лазера бывает различной: окружность, эллипс и квадрат, но при расчете анализируется только квадратная точка.

и

В зависимости от того, как пробельный элемент (пиксель) окружен запечатываемыми (черными) элементами, площадь пробельного элемента 5 будет изменяться. Вычисление площади пробельного элемента 5 происходит по определенным формулам, некоторые из них представлены на рис.7.

# #

5 = (е-Дс)с

(3)

(4)

5 = (с- Дс)2 (5)

Рис.7. Варианты сочетаний пробельного и запечатываемого пикселей

На рисунке с и Ас обозначают линейный размер пикселя и его приращение. Исследовано изменение относительной площади растровых структур в зависимости от изменения Дс от 0 до 5 мкм на всем градационном диапазоне от 0 до 100%.

При растрировании эллиптической точкой aHPS с линиатурой 153 Ipi, при разрешении вывода 2540 dpi изображение цифрового растра представлено на рис.8. _

Рис. 8. 50%-ное поле, растрирование эллиптической точкой

На рисунке представлен фрагмент 50%-ного поля цифрового растра, полученного в результате растрирования эллиптической точкой.

График изменения относительной площади градационных полей при увеличении размера пятна лазера, формирующего изображение, Ас на 5 мкм, представлен на рис. 9.

Приращение элементарной точки. 1*км а

Относительная площадь,%

Рис. 9. График приращения относительной площади растровой структуры, полученной при растрировании эллиптической точкой

. При увеличении пятна лазера размером 10 мкм на Дс, равное 5 мкм, можно выделить 45%-ное градационное поле, которое имеет наибольшее приращение относительной площади. • '

На основе анализа основных типов растрирования получены графики увеличения относительной площади различных градационных полей данных растровых структур (рис. 10).

'V 1 ' г.......э .....4 3 XXX

Рис. 10. Графики приращений относительной площади градационных полей

На рисунке представлены графики приращения относительной площади различных растровых структур. Цифрой 1 обозначен график, полученный при растрировании круглой точкой. Наиболее чувствительное к изменению пятна лазера 70%-ное поле имеет приращение 13%. Цифрой 2 обозначен график, полученный при растрировании эллиптической точкой. Наиболее чувствительное к изменению пятна лазера 45%-ное поле имеет приращение 9%. Цифрой 3- обозначен график, полученный при растрировании квадратной точкой. Наиболее чувствительное к изменению пятна лазера 75%-ное поле имеет приращение 12%. Цифрой 5 обозначена кривая, полученная при стохастическом растрировании точкой 10 мкм. Наиболее чувствительное к изменению пятна лазера 40%-ное поле имеет приращение 43%. Цифрой 4 обозначен график, полученный при стохастическом растрировании точкой 20 мкм. Наиболее чувствительное к искажению пятна лазера 40%-ное поле имеет приращение 34%.

Проведен анализ чувствительности относительной площади растровых элементов шахматных структур (рис. 11). _

к Я

Рис. 11. Расположение элементарных точек в шахматном порядке, заполнение 1x1,2x2, 3x3

На рисунке представлены структуры, имеющие наибольшую чувствительность к изменению размера пикселя.

На рис. 12 представлены графики приращения относительной площади различных растровых и шахматных структур с заполнением 1x1, 2x2 и 3x3 (рис. 11), которые обозначены цифрами 6, 7 и 8 соответственно.

Рис. 12. Графики приращений относительной площади градационных полей растровых и шахматных структур

Наибольшей чувствительностью к изменению размера пятна лазера обладает шахматная структура 1x1, следовательно, для настройки устройства целесообразно использовать данную структуру (рис.12).

В работе предложен алгоритм автоматизированной настройки формовы-водных устройств. Структурная схема системы автоматизированной настройки формовыводного устройства (САП) представлена на рис.13.

I-РИЛ

д л ВУ

1 Р [

I _

Рис. 13. Структурная схема САП

На рисунке обозначены: Д — денситометр или сканирующее устройство, ВУ - вычислительное устройство, РИП — растровый процессор изображения, ОР - формовыводное устройство, /•*— печатная форма, ТО - тест-объект.

Информация, передающаяся по связям: 5- информация об относительной площади растровых элементов тест-объекта и градационной характеристике, К — коэффициенты компенсации, Р — информация о количестве энергии, которую необходимо передать на пластину, / -информация с тест-объекта.

Работа автоматизированной системы настройки устройства прямой записи ' печатных форм осуществляется следующим образом. Измеряется тест-объект /, сформированный на печатной форме на основании информации 5 об относительной площади растровых элементов. Далее в вычислительном устройстве ВУ формируются входные воздействия на растровый процессор РИП и формовыводное устройство С1Р. В устройство записи печатной формы поступает корректирующая информация б количестве энергии Р, которую необходимо передать на пластину. В растровый процессор поступают значения коэффициентов компенсации К, необходимые для линеаризации градационной характеристики устройства записи.

В четвертой главе формулируются основные положения методики автоматизированной настройки устройств записи полиграфического изображения. Описывается реализация данной методики и по экспериментальным данным подтверждается достоверность разработанного метода.

На основе шахматных структур (рис.12) разработан тест-объект, позволяющий оценить точность размера воспроизведения пикселей на формном материале (рис.14).

^ Щтж. в'

Рис. 14. Тест-объект для определения точности воспроизведения пикселя

Так как относительная площадь всех шахматных растровых структур при идеальных условиях воспроизведения составляет 50%, то на фоне менее чувствительной к изменению размера пятна лазера шахматной структуры 8x8 более чувствительные растровые структуры будут выделяться при увеличении размера пикселя.

По результатам эксперимента выполняется анализ градационных характеристик растровых структур и оценивается информация с тест-объекта. Измерения проводятся при помощи денситометра с откалиброванным источником излучения на просвет. В результате измерений получаются значения относительной площади растровой точки градационной характеристики основных исследуемых растровых структур и тест-объекта. На рис. 15 представлены значения градационных характеристик основных растровых структур.

Рис. 15. Градационные характеристики основных типов растров

На рисунке приведены кривые, относящиеся к различным типам растрирования:! - стохастическое растрирование точкой 10 мкм, 2 - стохастическое растрирование точкой 20 мкм, 3 - растрирование эллиптической точкой, 4 -растрирование квадратной точкой, 5 - растрирование круглой точкой.

Значение относительной площади растровых элементов шахматных полей тест-объекта, начиная от поля 1x1 до поля 8x8: 83.5, 71, 62.5, 57.5 и 51.5% соответственно. Оптическая плотность фотоформы £>=4,3. По результатам измерения делается вывод, о необходимости уменьшения мощности лазера

(рис.16) для более точного воспроизведения пикселя.

1 2

Рис. 16. Градационные характеристики основных типов растров после уменьшения мощности лазера

Из рисунка видно, что отклонения градационных характеристик растров от идеальной характеристики уменьшились. Значение относительной площади растровых элементов шахматных полей тест-объекта от поля 1x1 до поля 8x8: 64.5, 61.5, 56, 53.5 и 50% соответственно. Оптическая плотность фотоформы £>=3,8.

Аналогичные исследования были проведены на формовыводном устройстве. Данные экспериментов в обоих случаях подтверждают достоверность разработанных методик.

На примере цифровой печати показана возможность применения разработанной методики в другой области. Это обосновано идентичностью факторов, по которым осуществляется управление точностью воспроизведения изображения. Особенность настройки машин цифровой печати заключается в том, что требуется обеспечить точное цветовоспроизведение. Для этого предложена методика настройки с использованием шкал баланса по серому, которая позволяет учесть эту особенность. Алгоритм автоматизированной настройки цифровой печатной машины (ЦГТМ) представлен на рис. 17.

Рис. 17. Алгоритм автоматизированной настройки ЦГТМ

Основные этапы предлагаемой методики настройки можно описать следующим образом:

- выводится тест-объект, который содержит информацию о градационной передачи, оптической плотности и точности автотипного синтеза цвета;

- проводится линеаризация градационной характеристики;

- анализируются шкалы баланса по серому;

- корректируется оптическая плотность красок (если необходимо).

В заключении представлены основные результаты работы:

1. На основании анализа процессов, протекающих при получении фотоформы, выделены основные факторы, оказывающие существенное влияние на. точность воспроизведения изображения. К данным факторам относятся: мощность лазера, время проявления и температура проявителя. Разработана методика получения математической модели, характеризующей зависимость оптической плотности фотоформы от этих факторов.

Данная математическая модель имеет полиномиальный вид и позволяет получать заданные значения оптической плотности, варьируя мощность лазера, при этом также учитываются режимы проявления.

С применением данной методики, получена математическая модель для фотовыводного устройства Quazar, проявочной машины MultiLine Classic 550/720 фирмы GLUNZ&JENSEN, типа пленки Kodak Gen5 Fast Process Sp 829 и проявителя SRA. Данная математическая модель позволяет оптимизировать параметры температуры и времени проявления в зависимости от количества энергии, передаваемой на фотоматериал. Получение данной математической модели позволяет реализовать возможность автоматического расчета параметров для получения заданного значения оптической плотности.

2. Предложена методика автоматизированной настройки заданного значения оптической плотности посредством варьирования мощности лазера в процессе функционирования оборудования. Данная настройка выполняется при фиксированных значениях времени и температуры проявления.

3. В комплексе оборудования, по получению фотоформ, для реализации возможности управления оптической плотностью посредством варьирования количества энергии, переданной на фотоматериал, необходимо обеспечить достаточно стабильную температуру проявления. Данная задача была решена с помощью методики построения математической модели по экспериментальным данным (идентификации) и автоматизированного синтеза алгоритма управления посредством современных программных систем расчета (MATLAB 6.0). Построение математической модели проявочной секции по экспериментальным данным позволяет учитывать условия функционирования проявочной машины при синтезе алгоритма управления.

Реализация данной методики позволила получить точность поддержания температуры в рамках коридора допустимых отклонений, равного 0.3 °С, и автоматизировать данный процесс.

Применяя методы автоматизированного расчета и поддержания параметров функционирования оборудования для получения фотоформ, в работе представлен алгоритм автоматизированной настройки данного комплекса оборудования (фотовыводное устройство и проявочная машина).

4. В результате исследования различных технологий формовыводных устройств и анализа способов формирования изображения на формной пластине разработан алгоритм автоматизированной настройки данных устройств.

Использование данного алгоритма не требует существенных конструктивных изменений формовыводных устройств. Принцип функционирования заключается в том, что по результатам измерения тест-объекта, формируется управляющее воздействие, которое увеличивает или уменьшает, количество энергии, переданное на формный материал.

5. Разработаны требования, предъявляемые к точности настройки записывающего оборудования различными растровыми структурами. Данные требования определяют необходимую точность воспроизведения пикселя на форме для основных типов растрирования (растрирование круглой точкой, растрирование квадратной точкой, растрирование эллиптической точкой и стохастическое растрирование). Например, увеличение элементарной точки на 5 мкм при разрешении вывода 2540 dpi относительная площадь растровой структуры, полученной в результате стохастического растрирования, увеличивается на 40%.

6. Предложен алгоритм, позволяющий проводить расчет чувствительности относительной площади растровых элементов в зависимости от изменения размера пикселя. Данный алгоритм основан на анализе битовой карты изображения, что дает возможность исследовать любые типы растров.

7. Подтверждена достоверность применения разработанных методик настройки записывающих устройств по экспериментальным данным. Произведены выводы растровых структур и тестовых шкал на фотовыводном и фор-мовыводном устройствах, результаты измерения которых соответствуют расчетам.

8. Проведен анализ возможности применения разработанной методики в других областях на примере цифровой печати, где реализована система экспонирование печатных форм в печатной машине. Также проведена оценка возможности применения данной методики в электрографии, так как факторы, по которым осуществляется управление точностью воспроизведения изображения, идентичны.

Публикации по теме диссертационной работы

1. Миронов A.B., Панкин П.В., Самарин Ю.Н., Снежко Е.В. Технические средства переработки текстовой и иллюстрационной информации: методические указания и задания по выполнению курсового проекта. - М: МГУП, 2006.-76 с. (4,0/1,0 пл.).

2. Самарин Ю.Н., Сиежко Е.В. Анализ чувствительности растровых структур к изменению размеров пятна лазера записывающего устройства // Ком-пьюАрт. - 2006. - № 9. - С. 73 - 76. (0,4/0,2 пл.).

3. Снежко Е.В. Методика калибровки фотовыводных устройств с применением математического моделирования // Вестник МГУП. — 2005. - № 12. -С. 170-176. (0,4 п.л.).

4. Снежко Е.В. Разработка алгоритма ввода и подготовки экспериментальных данных для идентификации // Вестник МГУП. — 2004. — № 1. - С. 63 - 68. (0,3 пл.).

5. Снежко Е.В. Определение математической модели проявочной секции в проявочной машине И Вестник МГУП. - 2005. - № 3. - С. 78 - 85. (0,4 пл.).

6. Снежко Е.В. Сравнительный анализ изменения основных растровых структур при искажении пятна лазера аналитически и по экспериментальным данным // Вестник МГУП. - 2006. - № 9. - С. 80 - 87. (0,3 п.л.)

7. Снежко Е.В. Анализ влияния размера пятна лазера на точностные характеристики записи изображения // Известия высших учебных заведений. Проблемы полиграфии и издательского дела. - 2006. - № 3 - С. 30 - 40. (0,6 пл.)

8. Снежко Е.В. Оценка чувствительности основных растровых структур к искажению пята лазера записывающего устройства // Известия высших учебных заведений. Проблемы полиграфии и издательского дела. - 2006. - № 4 -С. 25-33.(0,3 пл.)

9. Снежко Е.В. Методика калибровки фотовыводных устройств с применением математического моделирования: тез. докл. // Вестник МГУП. - 2005. - №11 (дополнительный). - С. 58 - 59. (0,1 п.л.)

Подписано в печать 15.11.06г. Формат 60x84/16. Печ.л. 1.0. Тираж 100 экз. Заказ №440/339 Отпечатано в РИО Московского государственного университета печати 127550, Москва, ул. Прянишникова,2а

Введение

1 Литературный обзор

1.1 Спектр возбуждений в трехмерных электронных системах

1.2 Спектр возбуждений в квазидвумерпых электронных системах

1.2.1 Внутриподзонные возбуждения.

1.2.2 Межподзонные возбуждения.

1.3 Квазидвумерные электронные системы в квантующем магнитном поле.

1.3.1 Электрон в магнитном поле.

1.3.2 Целочисленный квантовый эффект Холла.

1.3.3 Дробный квантовый эффект Холла.

1.4 Спектр магнетовозбуждений в двумерной электронной системе

1.5 Двойные электронные слои.

1.G Спектр возбуждений двойных электронных слоев.

2 Образцы и экспериментальная техника

2.1 Теоретические основы иеупругого рассеяния света электронами в полупроводниках.

2.2 Экспериментальная методика.

2.3 Образцы.

2.4 Управление концентрацией в двумерных электронных системах

3 Комбинированные циклотронные возбуждения в одиночных квантовых ямах

3.1 Комбинированные возбуждения в ультраквантовом пределе.

3.2 Комбинированные возбуждения в состоянии холловского ферромагнетика

3.3 Циклотронная спиновая волна.

3.4 Спин-триплетпые возбуждения в четных целочисленных состояниях КЭХ.

4 Межподзонные магнетовозбуждения в одиночных квантовых ямах

4.1 Межподзонные магнетовозбуждения с нулевым обобщенным импульсом.

4.2 Взаимодействие межподзонных берпштейновских мод с главными межподзопными возбуждениями зарядовой и спиновой плотности.

4.3 Взаимодействие главных и бернштейповских мод с LO-фоп-онами.

4.4 Аптифазные межподзонные моды.

4.5 Межподзонные возбуждения в параллельном магнитном поле.

4.6 Межподзонные возбуждения в наклонном магнитном поле.

5 Коллективные и одночастичные возбуждения в двойных квантовых ямах с туннельной связью

5.1 Одночастичные возбуждения в двойных квантовых ямах.

5.2 Плазменные возбуждения в двойных квантовых ямах

5.3 Влияние параллельного магнитного поля на плазменные возбуждения в двойных квантовых ямах.

5.4 Магнетоплазменпые возбуждения в двойных квантовых ямах.

Исследование полупроводниковых иизкоразмерных электронных систем в течение последних десятилетий является одним из наиболее актуальных и интенсивно развивающихся направлений в физике твердого тела. В первую очередь, это связано с открытием принципиально новых фундаментальных физических явлений - целочисленного и дробного квантового эффекта Холла [1, 2]. Кроме того, достигнутый прогресс в области технологии приготовления образцов позволил уменьшить характерные размеры элементов полупроводниковых структур до масштаба, сравнимого с межатомным расстоянием, а число электронов, участвующих в работе полупроводниковых устройств, достигло нескольких десятков и даже единиц. Поэтому внедрение технологии столь высокого уровня оказалось тесно связано с развитием квантомеханической теории низкоразмерных электронных систем. Специфика такого рода объектов заключается в том, что из-за пространственного ограничения роль кулоновских корреляций между электронами в них существенно возрастает.

Для описания сильно взаимодействующих многоэлектронных систем обычно используется представление об элементарных возбуждениях, как квазичастицах, предложенное Ландау еще в 1941 году [3]. В рамках теории квазичастиц электроны или квазиэлектроны заполняют в р-про-странстве такой же объем с радиусом рр, как и свободные электроны, а возбужденные состояния описываются слабо взаимодействующими квазичастицами с зарядами —е и +е, спином /г/2, соответствующими эффективными массами и временами жизни. Концепция квазичастиц успешно применяется для описания пространственно-анизотропных мпогоэлек-тронпых систем на базе электронов на поверхности жидкого гелия, кремниевых МДП структур и полупроводниковых гетероструктур с квантовыми ямами. В результате ограничения движеиия в одном из пространственных направлений энергетический спектр таких систем разбивается на совокупность подзон размерного квантования. Если энергетические масштабы, связанные с поперечным квантованием, превышают все другие характерные энергии (энергию Ферми и тепловую энергию) электронная система становится двумерной, а ее плотность состояний - константой, зависящей только от эффективной массы электронов. Спектр возбуждений двумерной электронной системы обладает рядом уникальных особенностей. Появляются новые ветви возбуждений: внутри нижайшей размерноквантованиой подзоны (внутриподзопные или собственно двумерные) и с изменением индекса подзоны (межподзонные), исследование которых дает прямую информацию о природе многочастичиого кулоновского взаимодействия в двумерных электронных системах.

В последнее время в исследовании двумерных систем возникло новое направление - электронные системы с пространственным разделением заряда или двойные электронные слои. Физической реализацией двойных слоев является полупроводниковая гетероструктура с двумя симметрично легированными квантовыми ямами, разделенными узким потенциальным барьером. Наличие двух слоев в приводит к появлению дополнительной степени свободы - псевдоспина, связанной с возможностыо электронов изменять слоевой индекс. Кулоповские корреляции между электронами разных слоев могут приводить к таким интересным физическим явлениям как кулоповское увлечение, ферромагнетизм, сверхпроводимость и Вигнеровская кристаллизация.

Несмотря на обширную теоретическую литературу, посвященную возбуждениям в одиночных и двойных электронных слоях, экспериментальные работы сводятся, по существу, к магнитотранспортным исследованиям основного состояния. Это связано с тем, что большинство возбуждений иеактивиы в процессах поглощения электромагнитного излучения и не детектируются стандартными методами ИК-спектроскопии. Поэтому все большую актуальность приобретают исследования двумерных систем методом неупругого рассеяния света. В отличие от активационпого транспорта, дающего информацию о структуре состояний вблизи уровня Ферми, неупругое рассеяние света является наиболее точным методом для исследования всего энергетического спектра двумерных электронных систем. Более того, это - прямой метод исследования дисперсии электронных возбуждений.

Целью диссертационной работы является описание спектра и дисперсии коллективных возбуждений и магпетовозбуждений в одиночных и двойных электронных слоях методом пеупругого рассеяния света. Для этого разработай новый многосветоводпый метод, позволяющий измерять сигнал неупругого рассеяния света с большими импульсами передачи в сильных магнитных полях (до 20 Т) и при низких температурах (до 30 мК).

Научную новизну работы составляют следующие результаты, выносимые на защиту

1. Измерены энергии комбинированных возбуждений в двумерных электронных системах, связанных с одновременным изменением орбитального и спинового квантового числа. Обнаружено новое возбуждение спиново-зарядового типа. Измерены обменные поправки к энергиям комбинированных возбуждений в ультраквантовом пределе и в состояниях четного и нечетного целочисленного квантового эффекта Холла. Показано, что комбинированные возбуждения в состояниях четного целочисленного квантового эффекта Холла являются нижайшими по энергии.

2. Исследована модификация спектра межподзониых возбуждений магнитным полем. Экспериментально проверен аналог теоремы Кона для межподзониых возбуждений. Обнаружены новые ветви меж-подзоиных магнетовозбуждений, связанные с многокомпонентной природой основного состояния электронной системы с несколькими заполненными уровнями Ландау. Измерены дисперсионные зависимости межподзониых возбуждений, и получена информация о коллективных свойствах двумерных электронных систем, о взаимодействии коллективных возбуждений различной природы и о взаимодействии электронных и фононных подсистем квантовых ям.

3. Исследовано влияние параллельного магнитного поля на энергии межподзониых возбуждений и магнетовозбуждений. Показано, что форма дисперсионной зависимости межподзонных возбуждений при произвольной ориентации магнитного поля определяется только перпендикулярной компонентой магнитного поля. Параллельная же компонента сдвигает дисперсионную зависимость в импульсном пространстве. Используя параллельное магнитное поле измерена дисперсия межподзонных магнетовозбуждений в области импульсов, недостижимых в стандартных экспериментах по неупругому рассеянию света.

4. Обнаружен новый класс одночастичных возбуждений в двойных электронных слоях с туннельной связью между слоями. Измерен закон дисперсии и зависимость энергий данных возбуждений от степени разбалансировки слоев. Предложен новый спектроскопический метод определения степени разбалансировки двойных слоев. Измерены щели в спектре коллективных и одночастичных возбуждений, связанные с туннельным расщеплением.

5. Исследованы плазменные моды в симметричиом и асимметричном состояниях двойных слоев, а также модификация этих мод при переходе от симметричного к асимметричному состоянию. Обнаружена и исследована новая коллективная мода - туннельный плазмон. Измерен закон дисперсии туннельного и акустического плазмонов, зависимость их энергии от электронной плотности, расстояния между слоями и степени пространственной асимметрии двойных слоев.

6. В перпендикулярном магнитном поле обнаружена гибридизация акустического и оптического плазмонов с циклотронной модой и исследованы свойства гибридных магнетоплазменных возбуждений в двойных электронных слоях. Изучен спектр коллективных магне-товозбуждепий в двойных электронных слоях с туннельной связью. Обнаружены магнетовозбуждения, соответствующие электронным переходам с одновременным изменением номеров уровней Ландау и индексов туннельных подзон - туннельные Бернштейновские моды.

Научная и практическая ценность работы определяется полученными новыми экспериментальными результатами, дающими информацию об энергетическом спектре двумерных электронных систем в одиночных и двойных квантовых ямах, роли кулоновского взаимодействия в таких системах. Эти результаты важны не только для более глубокого понимания фундаментальных вопросов физики низкоразмерных структур, но и с точки зрения практических применений при разработке каскадных лазеров, фотодетекторов, СВЧ генераторов и приемников, а также других оптоэлектронных приборов.

Апробация работы. Результаты представленных в диссертации исследований докладывались на 25-й Международной конференции по физике полупроводников (Осака 2000 г.), на 14-й Международной конференции по электронным свойствам двумерных систем (Прага 2001 г.), на VI Российской конференции по физике полупроводников (Санкт-Петербург 2003 г.), на VII Российской конференции по физике полупроводников (Звенигород 2005 г.), а также на научных семинарах ИФТТ РАН и MPI-FKF (Штуттгарт, Германия).

1 Литературный обзор

6 Заключение

В диссертационной работе дано наиболее полное на сегодняшний день рассмотрение межподзонных и циклотронных ветвей коллективных возбуждений и магиетовозбуждений в одиночных и двойных квантовых ямах, которые безусловно не исчерпывают все многообразие возможных степеней свободы сильно коррелированной двумерной электронной системы. Не были затронуты внутриуровневые возбуждения в дробных состояниях КЭХ и возбуждения в системе композитных фермионов. Недавние работы в этом направлении продемонстрировали большое расхождение между энергией циклотронного резонанса на композитных ферми-онах и энергиями паджидкостных возбуждений, полученных методом неупругого рассеяния света [139, 46]. Природа этого расхождения на данный момент не ясна. Другая существенная проблема в экспериментах по неупругому рассеянию света - появление так называемых 'магне-торотонных' резонаисов [140, 141, 142]. Попытки приписать их процессам с масштабным нарушением закона сохранения импульса не подтверждаются ни теоретическими расчетами, ни экспериментами на сверхвысококачественных квантовых ямах с электронной подвижностью до 2 х 107 см2/(В-с) [100]. Недостаточное качество гетероструктур с двойными квантовыми ямами пока пе позволяет исследовать неупругое рассеяние света на голдстоуновской моде в ферромагнитном состоянии v = 1. Дальнейший прогресс в технологии роста гетероструктур с одиночными и двойными квантовыми ямами возможно позволит решить эти и другие экспериментальные проблемы.

Ниже кратко сформулированы основные результаты полученные в диссертационной работе:

1. Исследованы комбинированные возбуждения в двумерных электронных системах, связанные с одновременным изменением орбитального и спинового квантового числа. Измерены их энергии и длинноволновые дисперсионные свойства.

2. Измерены кулоновские поправки к энергиям комбинированных возбуждений в ультраквантовом пределе.

3. Измерено время затухания этих возбуждений в зависимости от фактора заполнения электронов па 0-м уровне Ландау.

4. Измерена магнитополевая зависимость эффективного ^-фактора электронов в холловском ферромагнитном состоянии.

5. Впервые экспериментально наблюдалась циклотронная спиновая волна, которая является противофазным колебанием спиновых подсистем двумерной электронной системы с циклотронной частотой.

6. Измерены поправки второго порядка малости (по отношению ку-лоновской энергии к циклотронной) к энергии комбинированных возбуждений в состояниях четного целочисленного эффекта Холла. Показано, что комбинированные возбуждения являются нижайшими по энергии в этих состояниях.

7. Исследована модификация спектра межподзонных возбуждений магнитным полем. Экспериментально проверен аналог теоремы Кона для межподзонных возбуждений.

8. Обнаружены новые ветви межподзонных магнетовозбуждений, которые являются противофазным колебанием электронных подсистем на разных уровнях Ландау.

9. Измерены дисперсионные свойства межподзонных возбуждений. Исследовано взаимодействие электронных возбуждений разной природы и взаимодействие электронных и фононных возбуждений.

10. Исследовано влияние параллельного магнитного поля на дисперсионные свойства двумерных диполей. Предложен новый метод исследования дисперсионных зависимостей межподзонных возбуждений.

11. Обнаружен новый класс одночастичпых возбуждений в двойных электронных слоях с туннельной связью между слоями. Предложен спектроскопический метод определения степени разбалансиров-ки двойных слоев, на основе поведения энергий одночастичных возбуждений в параллельном магнитном поле.

12. Исследованы плазменные моды в двойных электронных слоях с туннельной связью между слоями. Измерены дисперсионные зависимости плазменных возбуждений в состояниях с различной пространственной симметрией.

13. Измерены дисперсионные зависимости гибридных магнетоакустического и магнетооптического плазмонов в асимметричных двойных электронных слоях.

14. Исследовано взаимодействие гибридных плазменных мод с различными типами Бериштейновских мод.

15. Исследован спектр коллективных магнетовозбуждений в двойных электронных слоях с сильной туннельной связью.

16. Обнаружены магнетовозбуждения, соответствующие электронным переходам с изменением номеров уровней Ландау и индексов туннельных подзон.

Автор искренне признателен научному консультанту и соавтору И.В.Кукушкину за постоянное внимание и содействие в работе. Автор также признателен другу и соавтору В.Е.Кирпичеву за неоценимую помощь в выполнении экспериментальных исследований. Хочу поблагодарить сотрудников лаборатории Неравновесных Электронных Процессов и теоретического отдела ИФТТ: С.В.Товстонога, А.Б.Ванькова, В.Е.Бисти, С.М.Дикмана за постоянные научные дискусии и обсуждения, которые оказали существенную помощь автору в написании диссертационной работы. Особая благодарность руководителю ЛНЭП В.Д.Кулаковскому и главному научному сотруднику ЛНЭП В.Б.Тимофееву за создание атмосферы доброжелательности и сотрудничества в стенах лаборатории.

7 Список публикаций по теме дисссертационной работы

По теме диссертационной работы опубликовано 19 работ в ведущих отечественных и зарубежных журналах. Основные результаты представлены в следующих отечественных изданиях: ЖЭТФ, Письма в ЖЭТФ, УФН.

1. V. Е. Kirpichev, L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, К. v. Klitzing, К. Eberl, W. Wegscheider, "Direct observation of the intersubband Bernstein modes. Many-body coupling with spin and charge density excitations.", Phys. Rev. В 59, R12751-12754 (1999).

2. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, K. v. Klitzing, K. Eberl, "Magnetic-field-induced dispersion anisotropy of intersubband excitations in an asymmetrical quasi-two-dimensional electron system", Phys. Rev. В 61, 1712-1715 (2000).

3. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, K. v. Klitzing and K. Eberl, "Interaction between intersubband Bernstein modes and coupled plasmon-phonon modes", Phys. Rev. В 61, 12717-12720 (2000).

4. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, K. v. Klitzing and K. Eberl, "Modification of the intersubband excitation spectrum in a two-dimensional electron system under perpendicular magnetic field", Phys. Rev. Lett. 86, 1837-1840 (2001).

5. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, J. H. Smet, K. v. Klitzing and W. Wegscheider, "Cyclotron spin-flip excitations in the extreme quantum limit", Phys. Rev. В 63, 201402-1-4(11) (2001).

6. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, J. H. Smet, K. v. Klitzing, V. Umansky, and W. Wegscheider, "Cyclotron Spin-Wave in the 2D Electron System", Письма в ЖЭТФ том 74, вып. 5, 300-303 (2001).

7. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, J. H. Smet, K. v. Klitzing, V. Umansky, and W. Wegscheider, "Cyclotron spin-flip excitations in the 2D-electron system", Physica E 12, 574-576 (2002).

8. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, D. V. Kulakovskii, K. v. Klitzing, and K. Eberl, "Pseudomomentum of a dipole in a two-dimensional system", Phys. Rev. В 66, 073306-1-4 (2002).

9. JI. В. Кулик, И. В. Кукушкин, В. Е. Кирпичев, С. В. Товстоног В. Е. Бисти К. ф. Клитципг и К. Эберл, "Межподзонные коллективные возбуждения квазидвумерпой электронной системы во внешнем магнитном поле", ЖЭТФ том 122, вып. 5(11), стр. 1-15 (2002).

10. С. В. Товстоног, И. В. Кукушкин, J1. В. Кулик, В. Е. Кирпичев, "Акустические магнитоплазмепиые возбуждения в двойных электронных слоях", Письма в ЖЭТФ том 76 вып. (8), стр. 511-515 (2002).

11. S. V. Tovstonog, L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, A. V. Chaplik, J. H. Smet, К. V. Klitzing, D. Schuh, and G. Abstreiter "Acoustical and optical magnetoplasma excitations in a bilayer electron system", Phys. Rev. В 66, 241308-1-4(11) (2002).

12. С. В. Товстоног, JI. В. Кулик, В. Е. Кирпичев, И. В. Кукушкин, В. Дитче, К. фон Клитципг, "Элементарные возбуждения в двойных электронных слоях с туннельной связью", Письма в ЖЭТФ том 78 вып. (10) стр. 1151-1155 (2003).

13. С. В. Товстоног, Л. В. Кулик, В. Е. Кирпичев, И. В. Кукушкин, В. Дитче, К. фон Клитцинг, "Коллективные возбуждения в двойных квантовых ямах с сильной туннельной связью", Письма в ЖЭТФ том 79 вып. (1) стр. 54-58 (2004).

14. L. V. Kulik, S. V. Tovstonog, V. Е. Kirpichev, I. V. Kukushkin, W. Dietsche, M. Hauser, and K. v. Klitzing, "Symmetry driven plasmon transformations in a bilayer electron system", Phys. Rev. В 70, 033304-1-4 (2004).

15. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, S. V. Tovstonog, V. E. Kirpichev, V. E. Bisti, W. Dietsche, M. Hauser, and K. v. Klitzing, "Dipole excitations in a bilayer electron system in a parallel magnetic field", Phys. Rev. В 71, 165303-1-4 (2005).

16. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, S. Dickmann, V. E. Kirpichev, A. B. Van'kov, A. L. Parakhonsky, J. H. Smet, K. v. Klitzing, and W. Wegscheider, "Cyclotron spin-flip mode as the lowest-energy excitation of unpolarized integer quantum Hall states", Phys. Rev. В 72, 073304-1-4 (2005).

17. Л. В. Кулик, И. В. Кукушкин, В. Е. Кирпичев, С. В. Товстоног,

В. Е. Бисти," Межподзонные возбуждения однослойных и двуслойных электронных систем в параллельном магнитном поле", ЖЭТФ том 128, вып. 4, стр.831-843 (2005).

18. В. Е. Бисти, В. Е. Кирпичев, JI. В. Кулик, И. В. Кукушкин, "Дисперсионные свойства плазменных возбуждений в туннельно связанных двухслойных электронных системах", Письма в ЖЭТФ том 83 вып. (б) стр.300-304 (2006).

19. JI. В. Кулик, В. Е. Кирпичев, "Спектроскопия неупругого рассеяния света электронных систем в одиночных и двойных квантовых ямах", УФН 176, стр.365-382 (2006).

1. К. von Klizing, G. Dorda, and M. Pepper, "New Method for High-Accuracy Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance", Phys.Rev.Lett. 45, 494-497 (1980).

2. D. C. Tsui, H. L. Stormer, and A. C. Gossard, "Two-Dimensional Magnetotransport in the Extreme Quantum Limit", Phys.Rev.Lett. 48, 1559-1562 (1982).

3. JI. Д.Ландау, "Теория сверхтекучести гелия II", ЖЭТФ 11 592— 602 (1941); Л. Д. Ландау и Е. М. Лифшиц, Статистическая физика, издательство "Наука"(1964).

4. Д. Пайнес, Элементарные возбуждения в твердых телах, издательство "Мир", Москва (1965).

5. Т. Ando, А. В. Fowler, F. Stern, "Electronic properties of two-dimensional systems", Rev. Mod. Phys. 54, 437-672 (1982).

6. F. Stem, "Polarizability of a Two-Dimensional Electron Gas", Phys. Rev. Lett. 18, 546-548 (1967).

7. С. С. Grimes and G. Adams, "Observation of Two-Dimensional Plasmons and Electron-Ripplon Scattering in a Sheet of Electrons on Liquid Helium", Phys. Rev. Lett. 36, 145-148 (1976).

8. S. J. Allen, Jr., D. C. Tsui, and R. A. Logan, "Observation of the Two-Dimensional Plasmon in Silicon Inversion Layers", Phys. Rev. Lett. 38, 980-983 (1977).

9. T. N. Theis, J. P. Kotthaus, and P. J. Stiles, "Wavevector dependence of the two-dimensional plasmon dispersion relationship in the (100) silicon inversion layer", Solid State Commun. 26, 603-606 (1978).

10. H. Ehrenrich, and M. H. Cohen, "Self-consistent field approach to the many-electron problem", Phys. Rev. 115, 786-790 (1959).

11. I. V. Kukushkin, J. H. Smet, S. A. Mikhailov, D. V. Kulakovskii, K. von Klitzing, and W. Wegscheider, "Observation of Retardation Effects in the Spectrum of Two-Dimensional Plasmons", Phys. Rev. Lett. 90, 156801 (2003).

12. D. A. Dahl, and L. J. Sham, "Electrodynamics of quasi-two-dimensional electrons", Phys. Rev. B. 16, 651-661 (1977).

13. A. G. Eguiluz, Т. K. Lee, J. J. Quinn, K. W. Chiu, "Interface excitations in metal-insulator-semiconductor structures", Phys. Rev. B. 11, 4989-4993 (1975).

14. А. С. Tselis, J. J. Quinn, "Theory of collective excitations in semiconductor superlattice structures", Phys. Rev. В 29, 3318-3335 (1984).

15. A. Pinczuk, S. Schmitt-Rink, G. Danan, J. P. Valladares, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, "Large exchange interactions in the electron gas of GaAs quantum wells", Phys. Rev. Lett. 63, 1633-1636 (1989).

16. D. Gammon, В. V. Shanabrook, J. C. Ryan, D. S. Katzer, and M. J. Yang, "Exchange and correlation in the nonhomogeneous electron gas in semiconductor heterojunctions", Phys. Rev. Lett. 68, 1884-1887 (1992).

17. S. Ernst, A. R. Goni, K. Syassen, and K. Eberl, "Collapse of the Hartree term of the Coulomb interaction in a very dilute 2D electron gas", Phys. Rev. Lett. 72 4029-4032 (1994).

18. J. K. Jain and S. Das Sarma, "Elementary electronic excitations in a quasi-two-dimensional electron gas", Phys. Rev. В 36, 5949-5952 (1987).

19. О. Gunnarson and В. I. Lundqvist, "Exchange and correlation in atoms, molecules, and solids by the spin-density-functional formalism", Phys. Rev. В 13, 4274-4298 (1976).

20. D. C. Tsui, H. L. Storrner, J. С. M. Hwang, J. S. Brooks, M. J. Naughton, "Observation of a fractional quantum number", Phys. Rev. В 28, 2274-2275 (1983).

21. А. М. Chang, М. A. Paalanen, D. С. Tsui, Н. L. Stormer, J. С. М. Hwang, "Fractional quantum Hall effect at low temperatures", Phys. Rev. В 28, 6133-6136 (1983).

22. R. B. Laughlin, "Anomalous Quantum Hall Effect: An Incompressible Quantum Fluid with Fractionally Charged Excitations", Phys.Rev.Lett. 50, 1395-1398 (1983).

23. V. L. Pokrovskii, A. L. Talapov, "A simple model for fractional Hall effect", J. Phys. C, 18, L691-L694 (1985).

24. F. D. M. Haldane, "Fractional Quantization of the Hall Effect: A Hierarchy of Incompressible Quantum Fluid States", Phys. Rev. Lett. 51, 605-608 (1983).

25. В. I. Halperin, P. A. Lee, N. Read, "Theory of the half-filled Landau level "Phys. Rev. В 47 7312 (1993).

26. R. Shankar, "Hamiltonian theory of gaps, masses, and polarization in quantum Hall states", Phys. Rev. В 63 085322 (2001).

27. A. Lopez, E. Fradkin, "Fractional quantum Hall effect and Chern-Simons gauge theories", Phys. Rev. В 44, 5246 (1991).

28. A. Lopez, Е. Fradkin, "Universal properties of the wave functions of fractional quantum Hall systems", Phys. Rev. Lett. 69, 2126 (1992).

29. A. Lopez, E. Fradkin, "Response functions and spectrum of collective excitations of fractional-quantum-Hall-effect systems", Phys. Rev. B, 47 7080 (1993).

30. Э. И. Рашба, В. Б. Тимофеев, "Квантовый эффект Холла", ФТП 20, 977-1024 (1986).

31. R. Е. Prange, S. М. Girvin, "The Quantum Hall Effect", 1990, New York: Springer.

32. T. Chakraborty, P. Pietilainen, "The Fractional Quantum Hall Effect", 1988, New York: Springer.

33. I. V. Kukushkin and V. B. Timofeev, "Magneto-optics of strongly correlated two-dimensional electrons in single heterojunctions", Advances in Physics 45, 147-242 (1996).

34. W. E. Lamb, "Fine Structure of the Hydrogen Atom", Phys. Rev. 85, 259 (1952); L. P. Gor'kov, I. E. Dzyaloshinskii, ЖЭТФ 53, 717 (1967).

35. В. R. Johnson, J. O. Hirschfelder, and K.-H. Yang, "Interaction of atoms, molecules, and ions with constant electric and magnetic fields", Rev. Mod. Phys. 55 109 (1983).

36. И. В. Лернер, Ю. Е. Лозовик, "Экситон Мотта в квазидвумерных полупроводниках в сильном магнитном поле", ЖЭТФ 78, 11671175 (1978).

37. A. Pinczuk, В. S. Dennis, D. Heiman, С. Kallin, L. Brey, С. Tejedor, S. Schmitt-Rink, L. N. Pfeiffer, K. W. West, "Spectroscopic measurement of large exchange enhancement of a spin-polarized 2D electron gas", Phys. Rev. Lett. 68, 3623 (1992).

38. C. Kallin and В. I. Halperin, "Excitations from a filled Landau level in the two-dimensional electron gas", Phys. Rev. В 30, 5655 (1984).

39. W. Kohn, "Cyclotron Resonance and de Haas-van Alphen Oscillations of an Interacting Electron Gas", Phys. Rev. 123, 1242-1244 (1961).

40. S. L. Sondhi, A. Karlhede, S. A. Kivelson, and E. H. Rezayi, "Skyrmions and the crossover from the integer to fractional quantum Hall effect at small Zeeman energies", Phys. Rev. В 47, 16419 (1993).

41. A. Comtet, T. Jolicoeur, S. Ouvry, F. David Topological Aspects of Low Dimensional Systems (Springer-Verlag Berlin and Les Editions de Physique Les Ulis, 2000).

42. Ю. А. Бычков, С. В. Иорданский, Г. М. Элиашберг,"Двумерные электроны в сильном магнитном поле", Письма в ЖЭТФ 33, 152155 (1981).

43. R. L. Willett, Н. L. StEormer, D. С. Tsui, А. С. Gossard, and J. Н. English, "Quantitative experimental test for the theoretical gapenergies in the fractional quantum Hall effect", Phys. Rev. В 37, 84768479 (1988).

44. M. Kang, A. Pinczuk, B. S. Dennis, M. A. Eriksson, L. N. Pfeiffer, and K. W. West "Inelastic Light Scattering by Gap Excitations of Fractional Quantum Hall States at 1/3 < v < 2/3", Phys. Rev. Lett. 84, 546-549 (2000).

45. R. P. Feynman Statistical Mechanics (Benjamin Reading Mass, 1972) Chap. 11.

46. J. P. Longo and C. Kallin, "Spin-flip excitations from Landau levels in two dimensions", Phys. Rev. В 47, 4429-4439 (1993).

47. S. M. Girvin, A. H. MacDonald, P. M. Platzman, "Collective-Excitation Gap in the Fractional Quantum Hall Effect", Phys. Rev. Lett. 54, 581-583 (1985).

48. S. M. Girvin, A. H. MacDonald, P. M. Platzman, "Magneto-roton theory of collective excitations in the fractional quantum Hall effect", Phys. Rev. В 33, 2481-2494 (1986).

49. A. H. MacDonald, H. C. A. Oji, and S. M. Girvin, "Magnetoplasmon Excitations from Partially Filled Landau Levels in Two Dimensions", Phys. Rev. Lett. 55, 2208-2211 (1985).

50. T. J. Gramila, J. P. Eisenstein, A. H. MacDonald, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, "Mutual friction between parallel two-dimensional electron systems", Phys. Rev. Lett. 66, 1216-1219 (1991).

51. D. Yoshioka, A. H. MacDonald, and S. M. Girvin, "Fractional quantum Hall effect in two-layered systems", Phys. Rev. В 39, 19321935 (1989).

52. P. M. Plazman, T. Lenosky, "Possibilities for superconductivity in two-dimensional GaAs bilayers", Phys.Rev.B 52, 10327-10329 (1995).

53. H. C. A. Oji, A. H. MacDonald, and S. M. Girvin, "Superlattice magnetoroton bands", Phys.Rev.Lett. 58, 824-827 (1987).

54. A. Bertoni, P. Bordone, R. Brunetti, C. Jacoboni, and S. Reggiani, "Quantum Logic Gates based on Coherent Electron Transport in Quantum Wires", Phys. Rev. Lett. 84, 5912-5915 (2000).

55. S. Das Sarma and P. I. Tamborenea, "Vertex-Correction-Driven Intersubband Spin-Density Excitonic Instability in Double Quantum Well Structures", Phys. Rev. Lett. 73 1971-1974 (1994).

56. P. G. Bolcatto and C. R. Proetto, "Spin-Density and Charge-Density Excitations in the Paramagnetic Phase of Semiconductor Double Quantum Well Systems", Phys. Rev. Lett. 85 1734-1737 (2000).

57. J. P. Eisenstein, G. S. Boebinger, L. N. Pfeiffer, K. W. West, and Song He, "New fractional quantum Hall state in double-layer two-dimensional electron systems", Phys. Rev. Lett. 68,1383-1386 (1992).

58. Y. W. Suen, L. W. Engel, M. B. Santos, M. Shayegan, and D. C. Tsui, "Observation of a nu =1/2 fractional quantum Hall state in a double-layer electron system", Phys. Rev. Lett. 68, 1379-1382 (1992).

59. Y. W. Suen, H. C. Manoharan, X. Ying, M. B. Santos, and M. Shayegan, "Origin of the v = 1/2 fractional quantum Hall state in wide single quantum wells", Phys.Rev.Lett. 72, 3405-3408 (1994).

60. T. Chakraborty and P. Pietilainen, "Fractional Quantum Hall Effect at Half-Filled Landau Level in a Multiple-Layer Electron System", Phys. Rev. Lett. 59, 2784-2787 (1987).

61. H. A. Fertig, "Energy spectrum of a layered system in a strong magnetic field", Phys. Rev. В 40, 1087-1095 (1989).

62. S. He, X. C. Xie, S. Das Sarma, and F. C. Zhang, "Quantum Hall effect in double-quantum-well systems, Phys. Rev. В 43, 9339-9342 (1991).

63. M. Kellogg, J. P. Eisenstein, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, "Vanishing Hall Resistance at High Magnetic Field in a Double-Layer Two-Dimensional Electron System", Phys. Rev. Lett. 93 036801 (2004).

64. X. G. Wen and A. Zee, "Neutral superfluid modes and "magnetic" monopoles in multilayered quantum Hall systems", Phys. Rev. Lett. 69, 1811 (1992).

65. X. G. Wen and A. Zee, "Tunneling in double-layered quantum Hall systems", Phys. Rev. В 47, 2265-1814 (1993).

66. Z. F. Ezawa and A. Awazaki, "Quantum Hall liquid, Josephson effect, and hierarchy in a double-layer electron system", Phys. Rev. В 47, 7295-7311 (1993);

67. Z. F. Ezawa and A. Awazaki, "Meissner effect in quantum Hall state Josephson junction", Phys. Rev. Lett. 70, 3119-3122 (1993);

68. Z. F. Ezawa and A. Awazaki, "Lowest-Landau-level constraint, Goldstone mode, and Josephson effect in a double-layer quantum Hall system", Phys. Rev. В 48, 15189-15197 (1993).

69. S. Q. Murphy, J. P. Eisenstein, G. S. Boebinger, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, "Many-body integer quantum Hall effect: Evidence for new phase transitions", Phys. Rev. Lett. 72, 728-731 (1994).

70. P. 3. Витлина, А. В. Чаплик, "Плазменные колебания многокомпонентных двумерных систем", ЖЭТФ 81, 1011-1021 (1981).

71. S. Das Sarma and A. Madhukar, "Formation of an anomalous acoustic plasmon in spatially separated plasmas", Surf. Sci. 98 563-570 (1980).

72. S. Das Sarma and A. Madhukar, "Collective modes of spatially separated, two-component, two-dimensional plasma in solids", Phys. Rev. B. 23 805-815 (1981).

73. G. Fasol, R. D. King-Smith, D. Richards, and U. Ekenberg N. Mestres and K. Ploog, "Intrawell and interwell coupling of plasmons in multilayer modulation-doped GaAs/AlxGaixAs quantum wells", Phys. Rev. B. 39 12695-12703 (1989).

74. A. S. Bhatti, D. Richards, and H. P. Hughes D. A. Ritchie, J. E. F. Frost, and G. A. C. Jones, "Plasmon dispersion and electron heating in a drifting two-dimensional electron gas", Phys. Rev. B. 51, 2252-2258 (1995).

75. D. S. Kainth, D. Richards, H. P. Hughes, M. Y. Simmons, and

76. D. A. Ritchie, "Temperature-dependent Landau damping of the acoustic plasmon in a bilayer system", Phys. Rev. B. 57, R2065-R2068 (1998);

77. D. S. Kainth, D. Richards, A. S. Bhatti, H. P. Hughes, M. Y. Simmons,

78. E. H. Linfield, and D. A. Ritchie, "Angle-resolved Raman spectroscopy of the collective modes in an electron bilayer", Phys. Rev. В 59, 20952101 (1999).

79. G. E. Santoro and G. F. Giuliani, "Acoustic plasmons in a conducting double layer", Phys. Rev. В 37, 937-940 (1988).

80. L. Liu, L. Swierkowski, D. Neilson, and J. Szymanski, "Static and dynamic properties of coupled electron-electron and electron-hole layers", Phys. Rev. В 53, 7923-7931 (1996).

81. К. Flensberg and В. Y.-K Hu, "Linear-response theory of Coulomb drag in coupled electron systems", Phys. Rev. В 52, 14761-14774 (1995).

82. G. Gumbs, G. R. Aizin, "Tunneling density of states and plasmon excitations in double-quantum-well systems", Phys. Rev. В 51, 70747084 (1995).

83. R. Decca, A. Pinczuk, S. Das Sarma, S. Dennis, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, "Absence of spin-density excitations in quasi two-dimensional electron systems", Phys. Rev. Lett. 72 1506-1509 (1994).

84. Д. Пайнс, Ф. Нозьер, Теория квантовых э/сидкостей, из-во "Мир", 1967.

85. P. A. Wolff, Light Scattering Spectra of Solid ed. by G. B. Wright, Springer, New York, Heidelberg, Berlin, (1968).

86. P. M. Platzman, N. Tzoar, "Nonlinear Interaction of Light in a Plasma", Phys. Rev. 136, A11-A16 (1964).

87. P. M. Platzman, P. A. Wolff, Waves and Interaction in Solid, State Plasmas, Academic Press, New York (1973) (Ф. Платцман, П. Вольф, Волны и взаимодействия в плазме твердого тела, из-во "Мир" (1975)).

88. Abstreiter G, Cardona M, Pinczuk A in Light Scattering in Solid IV (Ed. M Cardona, G Guntherodt) (Berlin: Springer-Verlag, 1984).

89. I. Kukushkin at al., "Reduction of the electron density in GaAs-AlxGaixAs single heterojunctions by continuous photoexcitation", Phys.Rev.B 40, 4179-4182 (1989).

90. G. Finkelstein, H. Shtrikman, and I. Bar-Joseph, "Optical Spectroscopy of a Two-Dimensional Electron Gas near the Metal-Insulator Transition", Phys. Rev. Lett. 74, 976-979 (1995).

91. G. M. Summers, R. J. Warburton, J. G. Michels, R. J. Nicholas, J. J. Harris, and С. T. Foxon, "New phases of the 2D electron system in the ultra-quantum limit observed by cyclotron resonances", Phys. Rev. Lett. 70 2150-2153 (1993).

92. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, J. H. Smet, K. v. Klitzing, and W. Wegscheider, "Cyclotron spin-flip excitations in the extreme quantum limit", Phys. Rev. B. 63, 201402-201405 (2001).

93. A. Usher, R. J. Nicholas, J. J. Harris, and С. T. Foxon, "Observation of magnetic excitons and spin waves in activation studies of a two-dimensional electron gas", Phys. Rev. В 41, 1129-1134 (1990).

94. A. Schmeller, J. P. Eisenstein, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, "Evidence for Skyrmions and Single Spin Flips in the Integer Quantized Hall Effect", Phys. Rev. Lett. 75, 4290-4293 (1995).

95. V. Т. Dolgopolov, A. A. Shashkin, А. V. Aristov, D. Schmerek, W. Hansen, J. P. Kotthaus, and M. Holland, "Direct Measurements of the Spin Gap in the Two-Dimensional Electron Gas of AlGaAs-GaAs Heterojunctions", Phys. Rev. Lett. 79, 729-732 (1997).

96. A. P. Smith, A. H. MacDonald, and G. Gumbs, "Quasiparticle effective mass and enhanced g factor for a two-dimensional electron gas at intermediate magnetic fields", Phys. Rev. В 45, 8829-8832 (1992).

97. H. C. A. Oji and A. H. MacDonald, "Magnetoplasma modes of the two-dimensional electron gas at nonintegral filling factors", Phys. Rev. В 33, 3810-3818 (1986).

98. С. Kallin and В. I. Halperin, "Many-body effects on the cyclotron resonance in a two-dimensional electron gas", Phys. Rev. В 31 36353647 (1985).

99. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, J. H. Smet, K. v. Klitzing, V. Umansky, and W. Wegscheider, "Cyclotron spin-flip excitations in the 2D-electron system", Physica E 12, 574-576 (2002).

100. M. Dobers, К. von Klitzing, G. Weimann, "Electron-spin resonance in the two-dimensional electron gas of GaAs — AlxGa\-xAs heterostructures", Phys. Rev. В 38, 5453-5456 (1988).

101. S. Dickmann and I. V. Kukushkin, "Zero-momentum cyclotron spin-flip mode in a spin-unpolarized quantum Hall system", Phys. Rev. В 71 241310-241313 (2005).

102. Т. Ando, "Theory of intersubband cyclotron combined resonances in the silicon space-charge layer", Phys. Rev. В 19, 2106-2116 (1979).

103. W. Beinvogl and J. F. Koch, "Intersubband-Cyclotron Combined Resonance in a Surface Space-Charge Layer", Phys. Rev. Lett. 40 1736-1739 (1978).

104. E. Batke, G. Weimann, and W. Schlapp, "Quenching of collective phenomena in combined intersubband-cyclotron resonances in GaAs", Phys. Rev. B, 43, 6812-6815 (1991).

105. G. Brozak, В. V. Shanabrook, D. Gammon, and D. S. Karzer, "Collective intersubband spin- and charge-density excitations in tilted magnetic fields", Phys. Rev. В 47, 9981-9984 (1993).

106. D. A. Broido and L. J. Sham, "Effective masses of holes at GaAs-AlGaAs heterojunctions", Phys. Rev. В 31, 888-892 (1985).

107. О. V. Volkov, V. E. Zhitomirskii, I. V. Kukushkin, W. Dietsche, K. v. Klitzing, A. Fischer, and K. Eberl, "Magneto-optical spectroscopy of two-dimensional holes in GaAs/AlxGal-xAs single heterojunctions", Phys. Rev. В 56, 7541-7548 (1997).

108. V. E. Kirpichev, L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, K. v. Klitzing, K. Eberl, and W. Wegscheider, "Direct observation of the intersubband Bernstein modes: Many-body coupling with spin- and charge-density excitations", Phys. Rev. В 59, R12751-R12754 (1999).

109. I. K. Marmorkos and S. Das Sarma, "Interacting intersubband excitations in parabolic semiconductor quantum wells", Phys. Rev. В 48, 1544-1561 (1993).

110. L. Wendler, R. Pechstedt, "Magnetoplasmon-phonon coupling in semiconductor quantum well", J. Phys.: Condens. Matter 2, 8881 (1990).

111. P. Hohenberg and W. Kohn, "Inhomogeneous Electron Gas", Phys. Rev. 136, B864-B871 (1964);

112. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, K. v. Klitzing and K. Eberl, "Interaction between intersubband Bernstein modes and coupled plasmon-phonon modes", Phys. Rev. В 61, 12717-12720 (2000).

113. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, K. v. Klitzing, and K. Eberl, "Modification of the Intersubband Excitation Spectrum in a Two-Dimensional Electron System under a Perpendicular Magnetic Field", Phys. Rev. Lett. 86, 1837-1840 (2001).

114. В. E. Бисти, "Межподзонные коллективные возбуждения в квазидвумерных системах в сильном магнитном поле", Письма в ЖЭТФ 69, 543-547 (1999).

115. В. Е. Бисти, "Структура межподзониых коллективных возбуждений в квазидвумерных системах в магнитном поле", Письма в ЖЭТФ том 73 стр.25-28 (2001). Sov. Phys.-JETP Lett. 73, 25 (2001)].

116. A. Parlangeli, Р. С. M. Christianen, J. С. Maan, I. V. Tokatly, C. B. Soerensen and P. E. Lindelof, "Optical observation of the energy-momentum dispersion of spatially indirect excitons", Phys. Rev. В 62, 15323-15326 (2000).

117. L. V. Butov, C. W. Lai, D. S. Chemla, Yu. E. Lozovik, K. L. Campman, and A. C. Gossard, "Observation of Magnetically Induced Effective-Mass Enhancement of Quasi-2D Excitons", Phys. Rev. Lett. 87, 216804-216807 (2001).

118. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, K. v. Klitzing, K. Eberl, "Magnetic-field-induced dispersion anisotropy of intersubbandexcitations in an asymmetrical quasi-two-dimensional electron system", Phys. Rev. В 61, 1712-1715 (2000).

119. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, V. E. Kirpichev, D. V. Kulakovskii, K. v. Klitzing and K. Eberl, "Pseudomomentum of a dipole in a two-dimensional system", Phys. Rev. В 66, 073306-073309 (2002).

120. С. В. Товстоног, И. В. Кукушкин, JI. В. Кулик, В. Е. Кирпичев, "Акустические магнитоплазменные возбуждения в двойных электронных слоях", Письма в ЖЭТФ 76, 511-515 (2002).

121. J. К. Jain and S. Das Sarma, "Elementary electronic excitations in a quasi-two-dimensional electron gas", Phys. Rev. В 36, 5949-5952 (1987).

122. С. В. Товстоног, JI. В. Кулик, В. Е. Кирпичев, И. В. Кукушкин, В. Дитче, К. фон Клитцинг, "Элементарные возбуждения в двойных электронных слоях с туннельной связью", Письма в ЖЭТФ 78, 1151-1155 (2003).

123. L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, S. V. Tovstonog, V. E. Kirpichev, V. E. Bisti, W. Dietsche, M. Hauser, and K. v. Klitzing, "Dipole excitations in a bilayer electron system in a parallel magnetic field", Phys. Rev. В 71, 165303-1-4 (2005).

124. J. A. Simmons, S. K. Lyo, J. F. Klem, M. E. Sherwin, and J. R. Wendt, "Submicrometer control of two-dimensional magnetotunneling in double-well heterostructures", Phys. Rev. В 47, 15741 (1993).

125. N. E. Harff, J. A. Simmons, S. K. Lyo, J. F. Klem, G. S. Boebinger, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, "Magnetic breakdown and Landau-level spectra of a tunable double-quantum-well Fermi surface", Phys. Rev. В 55, R13405 (1997).

126. В. E. Висти, В. E. Кирпичев, JI. В. Кулик, И. В. Кукушкин, "Дисперсионные свойства плазменных возбуждений в туннелыю связанных двухслойных электронных системах", Письма в ЖЭТФ 83, 300-304 (2006).

127. S. Das Sarma, Е.Н. Hwang, "Plasmons in Coupled Bilayer Structures", Phys. Rev. Letters 81, 4216-4219 (1998).

128. L. V. Kulik, S. V. Tovstonog, V. E. Kirpichev, I. V. Kukushkin, W. Dietsche, M. Hauser, and K. v. Klitzing, "Symmetry driven plasmon transformations in a bilayer electron system", Phys. Rev. В 70, 033304-1-4 (2004).

129. C.-M. Ни, C. Schiiller, and D. Heitmann, "Space-asymmetry-induced plasmon mode mixing and anticrossing in coupled bilayer structures", Phys. Rev. В 64, 073303-073307 (2001).

130. С. В. Товстоног, Л. В. Кулик, В. Е. Кирпичев, И. В. Кукушкин, В. Дитче, К. фон Клитцинг, "Коллективные возбуждения в двойных квантовых ямах с сильной туннельной связью", Письма в ЖЭТФ 79, стр. 54-58 (2004).

131. G. Ft. Aizin and Godfrey Gumbs., "Magnetoplasmon excitations in double-quantum-well systems in a parallel magnetic field", Phys. Rev. B54, 2049-2058 (1996).

132. Shuh-Jen Cheng and Rolf R. Gerhards., "Coupled two-layer plasmon modes induced in a single quantum well by in-plane magnetic fields", Phys. Rev. В 65, 085307-085316 (2002).

133. E. Batke, D. Heitmann, J. P. Kotthaus, and K. Ploog, "Nonlocality in the Two-Dimensional Plasmon Dispersion", Phys. Rev. Lett. 54 2367-2370 (1985).

134. S. V. Tovstonog, L. V. Kulik, I. V. Kukushkin, A. V. Chaplik, J. H. Smet, К. V. Klitzing, D. Schuh, and G. Abstreiter "Acoustical and optical magnetoplasma excitations in a bilayer electron system", Phys.Rev.В 66, 241308-241311 (2002).

135. С. В. Товстоног, В. Е. Бисти, "Плазмоны в двойных квантовых ямах в параллельном магнитном поле", Письма в ЖЭТФ 78, 1237-1241 (2003).

136. I. V. Kukushkin, J. Н. Smet, К. von Klitzing, and W. Wegscheider, "Cyclotron resonance of composite fermions", Nature 415 409-412 (2002).

137. A. Pinczuk, J. P. Valladares, D. Heiman, A. C. Gossard, J. H. English, C. W. Tu, L. Pfeiffer, and K. West, "Observation of roton density ofstates in two-dimensional Landau-level excitations", Phys. Rev. Lett 61 2701-2704 (1988).

138. M. Kang, A. Pinczuk, B. S. Dennis, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, "Observation of Multiple Magnetorotons in the Fractional Quantum Hall Effect", Phys. Rev. Lett. 86, 002637-002640 (2001).

139. S. Luin, V. Pellegrini, A. Pinczuk, B. S. Dennis, L. N. Pfeiffer, and K. W. West, "Observation of Soft Magnetorotons in Bilayer Quantum Hall Ferromagnets", Phys. Rev. Lett. 90 236802-236805 (2003).