Исследование кристаллов с дефокусированными атомными соударениями тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Некоторые часто встречающиеся обозначения

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

1.1. Точечные дефекты в щшсталлах

1.1.1. Энергетические характеристики точечных дефектов.

1.1.2. Радиационные дефекты в 1фисталлах

1.2. Зоны неустойчивости в 1фисталлах

1.3. Ориентационны©"Эффекты.

1.3.1. Фокусировка

1.3.2. Каналирование

1.4. Парные потенциалы взаимодействия

1.5. Прогнозирование влияния ионизирующего излучения на 'физические свойства диэлектрических и полупроводниковых материалов

1.6. Влияние облучения на некоторые физические свойства неметаллических кристаллов с различной кристаллической структурой

1.6.1. Флюорит.

1.6.2. Биксбйит.

1.6.3. Сфалерит ^.

1.6.4. Полуторный теллурид индия.

Глава П. РАСЧЕТ СТРУКТУРНЫХ ПАРАМЕТРОВ КРИСТАЛЛОВ С

РАЗЛИЧНОЙ СТЕПЕНЬЮ РЫХЛОСТИ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ

РЕШЕТКИ.

2.1. Пустоты в-плотнейшей укладке шаров и стехиометрические вакансии

2.2. Параметры решетки кристаллов с различной степенью заполнения в модели плотнешей упаковки.

2.3. Зарядовое состояние атома, выбиваемого из узла решетки в ионно-ковалентных щ>ис-таляах с различной степенью ионности

2.4. Расчет энергии фокусировки и длин пробега динамических краудионов в различных кристаллических структурах.

2.4.1, Дефокусировка атомных соударений

2.4.2. Дополнительная фокусировка.

2.5. Машинный расчет параметров фокусировки атомных соударений в кристаллах с СВ

2.5.1. Нейтральная модель

2.5.2. Ионная модель.

2.6. Структурный критерий радиационной стойкости

Глава Ш. МЕТОДИКА ЭКСПЕШШТАЛЬНЬК ИССЛЕДОВАНИЙ

3.1. Синтез SnSe и SnSe2 . Выращивание монокристаллов. Контроль образцов

3.2. Синтез BiF3 . Контроль образцов.

3.3. Промышленное сырье'.

3.4. Методика измерений физических параметров полупроводников при комнатной температуре

3.4.1. Измерение микротвердости.

3.4.2. Методика измерений электрических параметров

3.5. Методика исследования температурных зависимостей электрофизических параметров полупроводников .1^

3.5.1. Измерение температурной зависимости электропроводности в области низких температур

3.5.2. Измерение термостимулированной проводимости (ТСП).

3.6. Измерение спектров диффузного отражения

3.7. Измерение спектров ИК-поглощения

3.8. Методика экспериментов по облучению кристаллов ионизирующими частицами.133 :

3.8.1. Облучение потоком электронов

3.8.2. Облучение потоком нейтронов

3.9. Методика закалки и отжига кристаллов

3.9.1. Методика закалки

3.9.2. Отжиг кристаллов . . 135 '

Глава 1У. ЭКСПЕРШЖНТАЛЬНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ОБСУЖДЕНИЕ

4.1. Исследование спектров диффузного отражения в области 350-900 нм.

4.2. Исследование спектров инфракрасного поглощения в области 2000-400 см~^

4.2.1. Влияние термической обработки на ИК-пог-лощение кристаллов

4.2.2. Влияние нейтронного облучения на ИК-пог-лощение кристаллов

4.3. Исследование изменения электрофизических параметров монокристаллов SnSe и SnSe2 после воздействия различных видов облучения

4.4. Сопоставление расчетов с эксперименталь нями результатами . . ^

4.5. Экспериментальное исследование равновесных точечных дефектов в кристаллах типа Зп2Те3.

Однако применяющиеся в настоящее время полупроводниковые, и диэлектрические материалы в подавляющем большинстве не выдерживают больших потоков ионизирующих излучений без резкого ухудшения своих физических свойств. Так, например,р-Б1 изменяет величину электропроводности в 1000 раз при облучении дозой быстрых нейтронов 1*10"^ н/см2 [7], фотодиоды на основе Р6Б после облучения дозой эл/см2 изменяют свои мощностные характеристики на 40 % [8] , кристаллы сульфида -кадмия после облучения дозой 2•10^7 н/см2 уменьшают электропроводность в 500 раз, и при этом подвижность носителей падает почти в 3 раза, а после облучения дозой кв/см2 проводимость Сс1в уменьшается почти на порядок [9] ; проводимость флюорита 0x^2 при облучении электронами дозой до 1*1015 эл/см2 увеличивается более чем, на два порядка [10] .

В работах Кошкина с сотрудниками [7,11-13] было обнаружено, что в отличие от всех других известных в настоящее время полупроводниковых и диэлектрических кристаллов, полупроводники о решеткой типа Зп2Те3 : Зп2Те3 , Сга2Те3 и Сгаг $63 не претерпевают каких-либо существенных изменений после воздействия очень больших (до 1*10^ н/см2) флюэнсов быстрых ' нейтронов реактора и доз высокоэнергетических (до 100 МэВ) электронов и гамма-квантов.

Обнаружение явления радиационной стойкости кристаллов типа Зп2Те3 создает широкие возможности для изготовления разнообразных радиационностойких приборов на основе указанных материалов (см. [14]): радиационностойких терморезисторов, полупроводниковых детекторов больших мощностей дозы гамма- и электронного излучений, датчиков энерговыделения в реакторах.

В работах [7,12] было показано, что причиной радиационной стойкости этих кристаллов является наличие зон неустойчивости вакансии - атом в междоузлии и подавление цепочек фокусированных соударений, которые могли бы вывести выбитый атом за пределы зоны неустойчивости, что является следствием структурной рыхлости кристаллов типа Зп2Тез .

Было сделано предположение, что свойство радиационной стойкости хфисталлов есть следствие рыхлости кристаллической структуры, приводящей к дефокусировке атомных соударений,

В работах [15,16] было показано} также, что в структурах, обладающих высокой радиационной стойкостью, должен осуществляться и особый тип равновесных дефектов - неустойчивые пары Френкеля,

Основная цель данной работы количественная проверка этих утверждений, выработка структурного критерия радиационной стойкости неметаллических кристаллов и разработка общего метода кристаллохимического-анализа явлений фокусировки в кристаллах,

В этой связи конкретные задачи, поставленные в данной работе, состояли в следующем.

1. Выяснить, какие взаимодействия (кулоновские или упругие) определяют зону неустойчивости вакансия - атом в междоузлии в неметаллических кристаллах с различными типами химической связи.

2. Провести кристаллохимический анализ и аналитические расчеты параметров фокусировки, в том числе длины пробега краудионов атомных соударений в кристаллах с различными типами решетки.

3. Провести моделирование на ЭВМ явления фокусировки в кристаллах с различной структурной рыхлостью. Выработать структурный критерий радиационной стойкости.

4. Подобрать и освоить известные и разработать новый метод оценки радиационной стойкости неметаллических кристаллов.

5. Синтезировать ряд неметаллических материалов; вырастить монокристаллы некоторых из этих веществ.

6. Провести облучение материалов большими дозами ионизирующих излучений, определить степень изменения их свойств после облучения и проверить разработанный теоретически критерий радиационной стойкости экспериментально.

7. С целью установления основного типа равновесных дефектов в кристаллах Зп2Те3 выяснить влияние быстрой закалки на физические свойства этих полупроводников.

В соответствии с этими задачами были проведены расчетные и экспериментальные работы, приведшие к следующим выводам, которые впервые получены в данной работе и выносятся на защиту:

1. При ударном образовании пары Френкеля атом покидает свой узел в ионизованном состоянии для всех неметаллических кристаллов, имеющих хотя бы небольшую долю ионной компоненты связи. Поэтому зоны неустойчивости вакансия - атом в междоузлии в таких кристаллах определяется кулоновским взаимодействием между указанными дефектами.

2. Структурный критерий радиационной стойкости; высокой радиационной стойкостью обладают кристаллические структуры, в которых соблюдается условие: длина свободного пробега краудиона меньше радиуса зоны неустойчивости в любом данном кристаллографическом направлении.

3. Свойством подавлять фокусировку атомных соударений обладают рыхлые кристаллические структуры полупроводников и диэлектриков со стехиометрическими вакансиями вследствие разрушения атомных фокусирующих линз в таких структурах. Поэтому особо высокой радиационной стойкостью обладают полупроводники со структурой типа Оп2Те3 и диэлектрики структурного типа Мп20з • Кристаллы с деформированными (но не разрушенными) атомными линзами также обладают- повышенным радиационным ресурсом.

4. Термические дефекты решетки в полупроводниках Зп2Тез и &а21ез не закаливаются (в отличие от других полупроводников), и это является свидетельством того, что основным типом равновесных дефектов в этих кристаллах со стехиометрическими вакансиями являются неустойчивые пары вакансия ^ атом в междоузлии.

5. Многофононное инфракрасное поглощение в диэлектрических кристаллах определяется энгармонизмом колебаний атомов, соседствующих с вакансиями. Многофононная спектроскопия -удобный метод диагностики вакансий радиационного и термического происхождения.

Прикладная ценность полученных результатов определяется следующим:

I. Экспериментальное и расчетное доказательство нарушения фокусировки атомных соударений в кристаллах с рыхлой кристаллической структурой и разработанный структурный критерий радиационной стойкости 1фйсталлов дает возможность выбора диэлектрических и полупроводниковых материалов с повышенным радиационным ресурсом, а также прогнозировать новые материалы для работы в сфере действия больших потоков ионизирующих излучений.

2. Обнаружение многофононного инфращзасного поглощения, определяющегося вакансиями, создает ноеью возможности для обнаружения последних в кристаллах, а также для направленного улучшения прозрачности материалов в инфракрасной области спектра.

Материалы диссертации докладывались на следующих конференциях: на 7 Всесоюзной конференции по химической связи в полупроводниках и полуметаллах (1974 г., Минск), на II Всесоюзной конференции по радиационной физике твердого тела (1976 г., Севастополь), на Всесоюзном семинаре по радиационной физике полупроводников (1977 г., Ташкент), на У Всесоюз-. ном совещании по радиационной физике и химии ионных кристаллов (1983 г., Рига), на II Всесоюзном совещании "Полупроводниковые детекторы ядерного излучения на широкозонных материалах" (1983 г., Новосибирск). ,

Основное содержание диссертации изложено в следующих статьях:

1. Дмитриев 10.Н., Кулик В.Н., Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.М. "Неустойчивость точечных дефектов в кристаллах типа Зп2Те3 фтт, 1975, т.17, ]» 10, с.3685-3688.

2. Кошкин В.М., Забродский Ю.Р., Дмитриев Ю.Н. "Неустойчивые дефекты и химическая связь в кристаллах". В кн.: Химическая связь в гфисталлах и их физические свойства. - Минск: Наука и техника, 1976, с.43-49.

3. Дмитриев Ю.Н., Забродский Ю.Р., Кошкин'В.М. "Критерий радиационной стойкости неметаллических металлов". Депонирована в ОНЙИТЭЖМ г.Черкассы, гё 3209/79деп, 1979, 33 с.

4. Гайсинский В.Б., Дмитриев Ю.Н., Сысоев Л.А. "Механизм образования твердых растворов CdvxMgxS Кристаллография, 1981, т.26, Js I, с.206.

5. Тарнопольская P.A., Дмитриев Ю.Н., Кошкин В.М. "Вакансии и многофононное ИК-поглощение кристаллов". УФЖ, 1984, т.29, JS 3, с.469-470.

6. Кошкин В.М., Дмитриев Ю.Н., Забродский Ю.Р., Тарнопольская P.A., Улманис У.А. "Аномальная радиационная стойкость рыхлых кристаллических структур". ФТП, 1984, т.18, 8, с.1373-1378.

7. Дмитриев Ю.Н., Кошкин В.М., Тарнопольская P.A., Ул-манис У.А. "Инфращэасная диагностика радиационных и термических дефектов в кристаллах". ФТТ, 1984, т.26, № 8, с.2497--2499.

Работы выполнялись в соответствии с планом научно-исследовательских работ (номера государственной регистрации отчетов: & 75002244, 1$ 76041053, № 78063822). Эта тематика входит в Координационные планы АН СССР по направлению "Физико-химические основы полупроводникового материаловедения" (раздел 2.21.1.5. "Разработка новых радиационностойких материалов на основе соединений типа полуторного теллурида индия. Исследование структурных дефектов в этих щшсталлах").

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ К ВЫВОДЫ

1. При ударном образовании пары Френкеля атом покидает свой узел в ионизованном состоянии для всех полупроводниковых кристаллов, имеющих хотя бы небольшую долю ионной компоненты сеязи. Поэтому зоны" неустойчивости вакансия - атом в междоузлии в таких кристаллах определяется кулоновским взаимодействием между .указанными дефектами.

2. Исследовано влияние закалки на физические свойства Оп2Те3 и (дга2Тез , обладающих рыхлой кристаллической решеткой.

Показано, что в отличие от классических полупроводниковых кристаллов с решеткой алмаза ( ) или сфалерита ((НТе ДпТе ), закалка практически не изменяет электропроводность Зг^ТЦ и (ха2Те3 , а такяе температурную зависимость последней.

Таким образом, экспериментально показано, что с помощью закалки нельзя "заморозить" термические дефекты е кристаллах с СВ: Зп2Тез и Сга2Тез , что связано с тем фактом, что основным типом дефектов в этих кристаллах являются неустойчивые пары вакансия - атом в междоузлии.

3. Предложен метод расчета параметров решетки кристаллов с различной степенью рыхлости по. кристаллохимическим ионным радиусам. Рассчитаны параметры ячейки для 85 веществс различной степенью заполнения октаэдрических и тетраэдрических позиций. Средняя абсолютная погрешность составляет 3,8 %, в то время, как расчет, традиционным методом по сумме ионных радиусов дает погрешность - 13 %.

Показано, что при использовании предложенного метода всегда соблюдается правило Магнуса-Гольдшмидта об устойчивости структур с тетраэдрической координацией в зависимости от отношения кристаллохимических радиусов компонентов.

4. В импульсном приближении получены аналитические выражения энергий фокусировки и длин пробегов динамических краудионов для веществ с различной кристаллической структурой.

5. Проведено машинное моделирование для выявления возможности фокусировки в различных кристаллических структурах.

Показано, что в решетках типа Зп2Теа и МП2.О3 образование цепочек фокусированных замещений не обнаруживается во всех главных кристаллографических направлениях, что.связано с наличием стехиометрических пустот в этих структурах, приводящих к дефокусировке атомных соударений.

6. На основании проведенных аналитических расчетов и моделирования на ЭШ сформулирован общий структурный критерий радиационной стойкости диэлектрических и полупроводниковых материалов: необходимым и достаточным условием высокой радиационной стойкости кристаллов является выполнение неравенства: < г0 (длина свободного пробега динамического крау диона меньше радиуса зоны неустойчивости в любом кристаллографическом направлении).

7. Предложенный критерий экспериментально проверен на 15 веществах с различной степенью рыхлости кристаллической структуры. Облучение различными видами ионизирующих излучений показало, что радиационная стойкость различных электрических и оптических параметров исследуемых кристаллов согласуется с предложенным критерием. Наиболее радиационно стойкими являются кристаллы со стехиометрическими вакансиями, в которых фокусировка атомных соударений полностью подавлена. Повышенной радиационной стойкостью обладают кристаллы, где подавлена только в некоторых кристаллографических направлениях, а также кристаллы с неразрушенными, но искаженными атомными линзами.~

8. Экспериментально исследовано влияние вакансий радиационного и термического происхождения на многофононное инфракрасное поглощение в кристаллах.

Показано, что вакансии в решетке существенно определяют ангармонизм колебаний в последней и являются ответственным! за многофононное инфракрасное поглощение.

Многофононное ИК-поглощение является чувствительным методом детектирования содержания вакансий в кристаллах.

В заключение я хочу выразить глубокую признательность моему научному руководителю, профессору, доктору физико-математических наук В.М.КОШКИНУ за выбор темы, руководство исследованием, за внимание и интерес к работе, за помощь, которую он оказывал в течение всего периода выполнения и написания диссертации, участие которого в данном исследовании невозможно переоценить.

Хочу поблагодарить кандидатов физико-математических наук Л.П.ГАЛЬЧИНЕЦКОГО и В.Н.КУЛИКА за помощь в проведении экспериментов, за полезные дискуссии и дружескую поддержку.

Выражаю благодарность кандидату технических наук У.А.УЛМАНИСУ за помощь в постановке и проведении радиационных экспериментов.

Искренне благодарен кандидату химических наук Р.А.ТАРНО-ПОЛЬСКОЙ за помощь в оптических измерениях.

Выражаю большую благодарность кандидату физико-математических наук Ю.Р.ЗАБР0ДСК0МУ за помощь в проведении расчетов.

Выражаю жцфеннюю признательность В.Л.ВИНШТЧЕНКО, кандидату технических наук В.Б.ГАЙСИНСКОМУ, К.А.КАТРУНОБУ, 'М.М.Ш4НЕВИЧ, кандидату физико-математических наук Э.А.РАЙША-НУ, Л.М.САТАНОВСКОМУ за помощь, оказанную ими на разных этапах работы над диссертацией, а также сотрудникам лаборатории полупроводниковых и оптических монокристаллов ВНИИ монокристаллов за дружескую помощь при выполнении работы.

1. Томпсон M. Дефекты .и радиационные повреждения е металлах: Пер. с англ. М.: Мир, 1971, 368 с.

2. Лейман К. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов: Пер. с англ. -М.: Атомиз-дат, 1979, 293 с.

3. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников. Киев: Наукова думка, 1979, 336 с.

4. Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы: Сб. статей; Пер., с англ. М.: Мир, 1980, 332 с.

5. Radiation stability of A^ B^ semiconductors. Rad.Ef.,1976,v. 29, В 1-2, pp 1-6.

6. Заитов Ф.А. Радиационные эффекты в поликристаллических фотослоях сульфида свинца. Докл. АН Аз.ССР, 1981, т.37,1. Js 12, с.35-37.

7. Галушка А.П., ЕрмолоЕИЧ И.Б., Корсунская Н.Е., Конозен-ко И.Д., Шейнкман М.К. Влияние -излучения и быстрых нейтронов на электрические свойства монокристаллов cas ФТТ, 1956, т.8, tè 4, c.I040-I048.

8. Завадовская Е.К., Федоров В.А., Лисицын В.М. Изменение проводимости кристаллов СаР2.при облучении электронами. Изв. ВУЗов. Физика. 1971, Js 2, с. 128-130.

9. Кошкин В.M Г, Минкое Б.И., Гальчинецкий Л .П., Кулик В.Н. Термодинамика неустойчивых пар вакансия атом в междоузлии. ФТТ, 1973, т.16, В I, с.128-131.

10. Koshkin V.M. , Gal'chinetskii L.P. , Kulik V.N., Minkov B.I., Ulmanis U.A. Unstable equilibrium and radiation defectsin solids. Sol. State Commun., 1973,v.13, N I, p.1-4

11. Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.M., Кулаков В.M., Кулик В.Н., Руденко М.Й., Рябка П.М., Улманис У.А., Шаховцов В.И., Шиндич В.Л. Эффект радиационной устойчивости полупроводников со стехиометрическими вакансиями. ФТТ, 1972, т.14, В 2, с.646-648.

12. Кошкин В.М., Гальчинецкий Л.П., Кулик В.Н., Гусев Г.К., Улманис У.А. Детекторы ионизирующих излучений на основе радиационностойких кристаллических полупроводников типа 1п2Те5. Атомная энергия, 1977, т.42, 4, с.290-294.

13. Кошкин В.М., Забродский Ю.Р. Неустойчивые пары новый тип точечных дефектов в твердых телах. ДАН СССР, 1976, т.227, № 6, с.1323-1326.

14. Кошкин В.М., Забродский Ю.Р. Зона неустойчивости вакансия атом в междоузлии. ФТТ, 1974, т.16, В II, с.3480--3483.

15. Дамаск А., Дине Дж. Точечные дефекты в металлах: Пер. с англ. -М.: Мир, 1966, 292 с.

16. Itoh N. Interstitial and Trapped-Hole Gbnters in Alkali Halides. Cryst.Lattice Defects,1972,v.3,N 3,p.Il5-I43.

17. Saidoh M.; Itoh N. H-Center Interaction during Thermal Annealing in KOI.- J'.Phys. and Chem.Sol. , 1973, v.34» N 7, p. II65-II7I.

18. Оловянщикова A.M., Анненков 10.M. Расчет барьеров миграциимекдоузельных дефектов в 1фисталле КС1. Изв. ВУЗов. Физика, 1984, т.27, JS 3, с,106-108.

19. Маннинг Дж. Кинетика диффузии атомов в кристалле: Пер. с англ. М.: Мир, 1971, 278 с.

20. Точечные дефекты в твердых телах: Сб.статей; Пер. с англ. -М.: Мир, 1979, 382 с.

21. Иванов Н.А., Касилов В.И., Космач В.Ф., Кузнецов В.И., Лугаков П.Ф., Остроумов В.И., Ткачев В.Д. Образование областей разупорядочения в кремнии под действием -квантов высоких энергий. ФТП, 1975, т.9, № 12, с.2369-2371.

22. Физические процессы в облученных полупроводниках /Под ред. Смирнова Л.С. Новосибирск: Наука СО, 1977, 256 с.

23. Радиационно-активируемые процессы в кремнии. Колл. авт., Ташкент, Фан, 1977, с. Н9.

24. Pooley D. F-canter production in Alkali halides Ъу electron-hole recombination a subsequent IIO replacement sequence: a discussion of the electron-hole recom -bination. -Proc.Phys.Soc., 196?, v.87, N I,p.245-256.

25. Лущик Ч.Б., Витол И.К., Эланго М.А. Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах.-УФН, 1977, т.122, й 2, с.223-251.

26. Gibson J.В., Go land A.N., Milgram M., Vineyard G.H. Byna -mies of Radiation Damage. Phys.Rev., I960 120, N 4,p. 1229 1253.

27. Biget M., Rizk H., Va^da P., Besiis A. On the Spontané -ous Recombination Volume of Frenkel Defects in Irra -diated b.c.c. Metals,-Sol.State Commun., 1975, v.I6,1. N 7, p. 949 952.

28. Huges A.F., Pooley D. High Dose Proton Irradiation of Alkali Halides. J.Phys.Cs Sol.St.Phys., 1971, v.4, N 14, p. 1963-1976.

29. Balzer R. Volumenanderung von Alkalihalogenid -kristallen bei der Bildung von Gitterdefekten durch niederenergetische Strahlung. Z.Phya. ,1970, v.234, N 3, 242 - 260.

30. Tennenbaum A. Temperature dependence of low-energy га -diation damage. Phys.Letters ,1977,v.63A, N 2Д55-157.

31. Забродский Ю.Р. Зона неустойчивости точечных дефектов втвердых телах. Канд.диссертация, Харьков, 1979, 127 с.

32. Кошкин В.М., Забродский Ю.Р., Подорожанская Н.М. Зоны неустойчивости взаимодействующих точечных дефектов в периодических структурах. Вопросы атом. наук, и техн. Сер.: Физ. радиад. поврежд. и радиац. материаловед., Харьков, 1979, вып.З/П, с.21-26.

33. Смирнов Н.И. Деформация 1фисталлической решетки кремния, вызываемая бомбардировкой ионами бора и кислорода. ДАН СССР, 1975, т.225, Лк 3, с.621-623.

34. Смирнов Н.И. Расчет числа устойчивых пар вакансия меж-доузельный атом, создаваемых в мишени легкими ионами. -ФТП, 1976, т.10, 8, с.1596-1598.

35. Кузнецов A.C. Радиационные дефекты в кристаллах Mgo » возникающие в результате рентгеновского облучения. Труды ИФ АН ЭССР, Тарту, 1976, JS 45, C.I0I-IT9.

36. Гегузин Я.Е., Забродский Ю.Р., Кошкин В.М. "Охлопывание" треков в неметаллических 1фисталлах. ФТТ, 1979, т.21, № 6, с.1755-1760.

37. Фистуль В.И., Кошкин В.М., Забродский Ю.Р. Предвыделенияи образование зародышей новой фазы в конденсированных телах с большой зоной неустойчивости. ФТТ, 1977, т.19, й 3, с.668-671.

38. Забродский Ю.Р. Зона неустойчивости точечных дефектов в квантовых кристаллах. КЭТФ, 1978, т.74, В 4, с.1521--1523.

39. Забродский Ю.Р. Рассеяние электронов на неустойчивых парах вакансия-атом е междоузлии. ФТТ, 1978, т.20, № 4, с.II96-1201.

40. Пугачева Т.О. Каскады и цепочки коррелированных атомных столкновений в кристаллах. Автореф. канд. диссерт., Ташкент, 1966.

41. Silsbee К.Н. Focusing in Collision Problem in Solids.- J.of Appl.Phys. , I957, v.28, N II, p. 1246-1250.

42. Leibfried G. Correlated Collisions in a Displacement

43. Spike. J.of Appl. Phys., 1959,v.30, К 9, p. I388-I396.

44. Nelson E.S., Thompson M.W. Atomic collision sequences in crystalls of copper, silver and gold revealed Ъу sputtering in energetic ion beam. Proc.Roy.Soc. ,1961, v.259, N 1299, p. 458-479.

45. Орлов A.H., Трушин Ю.В. Современные представления о структуре и эволюции радиационных каскадов в твердых телах.

46. В кн. Моделирование на ЭВМ дефектов в кристаллах. Л.: ФТИ АН СССР, 1979, с.8-39.■

47. Виньярд Дж. Динамика радиационного повреждения. УФН, 1961, т.74, J& 3, с.435-459.

48. Агранович В.П., Кирсанов В.В. Моделирование цепочек атом-атомных столкновений в ОЦК кристалле в широком интервале температур. ФТТ, 1970, т.12,3 9, с.2671-2682.

49. Schiffgeus J.O., Schwartz D.W., Ariyasu D.G., Caskaden S.F. Computer simulation of replacement sequences in copper. Rad.Eff., 1978, v.39, N 3-4, p. 221-231.

50. Куркин G.A., Одинцов Д.Д. Влияние вакансий на пробег фо-кусонов. ФТТ, I9S5, т.7, й 5, с.1573-1576.

51. Жуков Г.В., Коляда В.М. Фокусировка атомных столкновений в ЩК решетке при наличии одиночной вакансии. ФТТ, 1969, т.II, JS 8, с.2077-2078.

52. Михлин Э.Я., Нелаев В.В. Фокусирующее влияние вакансии на распространение цепочек атомных столкновений. Удлинение цепочек. ФТТ, 1972, т.14, № 7, с.2159-2161.

53. Гринчук П.П., Кирсанов В.В. Динамическое разрушение зон Гинье-Престона в процессе облучения. ФТТ, 1974, т.38, 1Ь 4, с.756-765.

54. Кирсанов В.В. Перенос примеси динамическими краудионами.-ФТТ, 1977, т.19, }Ь 4, C.II84-II88.

55. Liebfried G. Defects in Dislocations Produced Ъу Foeua -ing Collisions in f.c.c. Lattice. J. of Appl. Phys., i960, v.3I, N I, p. II7-I2I.

56. Джапаридзе O.K., Орлов A.H., Трушин Ю.В. Фокусирующиеся столкновения в .изолированных двухатомных цепочках. ЖТФ, 1982, т.52, 1Ь 6, с.1081-1086.

57. Balarin M. Fokussierungs Bedingung fur elastische Atom-stoBe in Graphit. Phys.stat. sol., 1962, v. 2 ,1. N I, p. 60 72.

58. Баларин M., Молчанов В.А., Тельковский В.Г. Анизотропия коэффициента катодного распыления и фокусированные столкновения в монокристаллах. ДАН СССР, 1962, т.147, й 2, с.331-333.

59. Лисицын-В.М., Лисицына Л.А. Фокусированные соударения в кристаллах Mg.^. -.Изв. ВУЗов. Физика. Томск, 1975,й I5637-75деп., 8с.

60. Лисицын В.М., Лисицына Л.А., Сигимов В.И. Пространственное разделение-компонентов первичных пар радиационных дефектов в ионных !фисталлах. ФТТ, 1977, т.19, J5 5,с.I495-1497.

61. Акилов Ю.З., Ленченко В.М. Каскады смещений атомов в Ge и Si (машинное моделирование). ФТП, 1974, т.8, № I, с.30-38.

62. Mac Donald R.J. Sputteried Atom Ejection Pattern from ( 100 ) Ge Surfaces. Phil.Mag. , 1970, v.21, N 171, P. 519 - 531.

63. Юрасова B.E., Левыкина Л.II., Бржезинский В.А. О распыле3 с;нии монокристаллов полупроводниковых соединений А В . -Изв. АН СССР. Сер.физ., 1965, т.28, № д, с.1431-1435.

64. Wehner G.K. Momentum Transfer in Sputtering by Ion Bombardment. J.of Appl.Phys., 1954, v.25, N 2, p.273-271.

65. Anderson G.S. Atom Ejection in Low Energy Sputtering of Single Crystals of f.c.c. Metals and Ge and Si.- J.of Appl. Phys., 1962, v.33, N 6, p. 2017-2025.

66. Эльтеков B.A., Самойлов B.H., Юрасова В.Е. Расчет на ЭШ угловой зависимости распыления монохфисталлов. Поверхность. Физ\, хим., механ., 1982, $ 3, с.43-49.

67. Шульга В.И. Угловые зависимости.и механизм распыления машинное моделирование. Поверхность. Физ., хим., механ., 1982, Я 3, с.38-42.

68. Гарбер Р.И., Федоренко А.И. ФокусироЕка атомных столкновений. УФН, 1964,.т.83, 1? 3, с.385-432.

69. Булгаков Ю.В. Нарушения, вносимые в кристалл ионной бомбардировкой и эффект Венера. ФТТ, 1964, $ 4, с.1182--II85.

70. Вахидов Ш.А., Джуманов G.O. 0 механизме распыления и образования дефектов е ионных кристаллах. Докл. АН Уз.ОСР, 1980, В 7, с.37-39.

71. Nelson R.S., Thompson N.W. The Penetration of Energetic Ions Through the Open-.Channels in Crystal Lattice.- Phil. Mag., 1963, v.8, N 94, p. 1677-1690.

72. Томпсон M. Каналирование частиц e кристаллах. УФН, 1969, т.99, 2, с.297-317.

73. Линдхард И. Влияние кристаллической решетки на движение быстрых заряженных частиц. УФН, 1969, т.99, В 2,с.249-296.

74. Lehmann С., Leibfried G. Long-Range Channeling Effects in Inradiated Crystal. J. of Appl.Phys., I963, v.34, N 9, p. 2873 - 2878.

75. Robinson M.T., Oen O.S. Computer Studies of the Slowing Down of Energetic Atom in Crystal. Phys.Rev. ,1963,v. 132, N 6, p. 2385 2398.

76. Кумахов M.A. Влияние эффекта каналирования на радиационный каскад в твердом теле. В сб. Радиационная физика •1фИсталлов и р-п переходов. Минск: Наука и техника, 1972, с.18-27.

77. Гегузин Я.Е., Воробьева И.В. Эффект приповерхностного каналирования высокоэнергетических многозарядных ионов.-ФТТ, 1980, т.22, & 7, с.2010-2013.

78. Орлов А.Н., Трушин Ю.В. Энергии точечных дефектов в металлах, -М.: Энергоатомиздат, 1983, 80 с.

79. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов в кристаллах. -М.: Высшая школа, 1983, Г44 с.

80. Урусов B.C. Энергетическая кристаллохимия. -М.: Наука, 1975, 335 с.

81. Tenenbaum A. Effect of thermal vibration on low-energy collision cascades. Phil.Mag., 1978, v.37, N 6,p. 731 748.

82. Макаров А.А., Демкин H.A., Лященко Б.Г. Влияние температуры на длины цепочек атом-атомных столкновений в металлах. Вопр.атом.наук, и техн. Сер.физ. радиац. повр. и радиац. материаловед. Харьков: 1981, № 2/Г6, с.53-56.

83. Tenenbaum A. Formation of Frenkel pairs in electron irradiation copper: Rad.Effects, 1978, v.39, N 2,H9.

84. Tenenbaum A., Doan N.V. Point defects migration induced by subthreshold focused соHis ions.-J.Nucl.Mat.,1978, v.69, N 1-2, p. 771-775.

85. Fumi F.G.,.Tosi M.P. Ionic sizes and Born repulsive pa -rameters in NaCl-type alkali halids. I.Huggins-Mayerand Pauling forms. J.Phys.Chem.Sol.,1964,v.25,N I,p.31.

86. Fumi F.G., Tosi M.P. II.The generalized Huggins-Mayer form. J.Phys.Chem.Sol., 1964, v.25, N I, p. 45-52.

87. Beeler J.R., Besco D.G. Range and Damage Effects of Tun -nel Trajectories in Wurtzite Structure. J.of Appl.Phys., 1963, v.34, N 9, p. 2873-2878.

88. Хастед Дж.-Физика атомных столкновений:'Пер. с англ.1. М.: Мир, 1955, 710 с.

89. Erginsoy С., Vineyard G.M., Engbert A. Dynamics of Radiation Damage in a Body-Centered Cubic Lattice.- Phys. Rev., 1964, v.I33» N 24, p. 595-606.

90. Chudinov V.G., Gogolin V.P., Coshohitskii B.N., Prota -sov V.I. Simulation of Collision Cascade in Intermetal-lic V^if Compounds. Phys.Stat.Sol.(a),l983,v.79,N I,K57.

91. Фирсов 0.Б, Вычисление потенциала взаимодействия атомов.-ЖЭТФ, 1957, т.33, & 3, с.696-699.

92. Vajda P. An extended approximation of Born-Mayer scattering cross-section for radiation damage calculations.- Phys.Lett, 1965, v.19, N 3, p. 204-20595. Радиационные .эффекты в монокристаллах. Ташкент: Фан,1973, 199 с.

93. Naguib Н.М., Kelly R. Criteria for bombardment-induced structural changes in non-metallic solids.- Rad.Eff.,1975, v.25, N I, p. I-I2.

94. Leadbetter A.J ., Phillips P.A., Wright A.F. Effect of pile irradiation on silica and related materials.- Phil. Mag., 1976, v.34, N 3, p. 453-464.

95. Полинг Л. Природа химической связи. М.: ГХИ, 1947, 440 с.

96. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: Высшая школа, Г975, 302 с.

97. Воробьев А.А., Лисицын В.М. Радиационная устойчивость ионных кристаллических материалов. Кзв. ВУЗов. Физика, 1977, В 8, с.85-90.

98. Кузьмин И.И., Соловьев С.П., Закуркин В.В. Радиационно-индуцированные фазовые превращения е сегнетоэлектриках типа BaTiO^. Изв. АН СССР, сер.физ., 1969, т.ЗЗ, № 2, c.354-3j60.

99. Solov'ev S.P., Kuzmin I.I., Zakurkin V.V. Radiationinduced phase transformations in BaiiO, and PbTiO,. 3 3

100. Ferroelectrics, I97O, v.I, N I, p. 19-22.

101. Пенкаля Т. Очерки кристаллохимии: Пер. с полъск. Л.: Химия, 1974, 496 с.

102. Вахидов 1II.A., Гаппаров Н., Рейтеров В.М., Рустамов Я.,

103. Соколов В.А., Тавшунский Г.А., Трофимова Л.М. Свойства радиационного окрапшвания кристаллов типа флюорит и MgF^ ЖТФ, 1981, т.51, В II, с.2325-2329.

104. Черневская Э.Г. 0 прозрачности кристаллов Са?2и ВаЕ^при действии на них жесткого излучения. Опт. и спектр., 1961, т.II, % 4, с.513-517.

105. Kozo A., Moriatami О., Masuo N. Production efficiencyand perturbation of I-center in alkaline-earth fluorides induced by neutrons at low temperature. Ann.Repts. React.Inst .Kyoto Univ., 1980, v. 13, p.'180-184.

106. Архангельская B.A., Ерофеичев В.Г., Киселева M.H. Радиационное окрашивание и электрические свойства кристаллов PbF2. ФТТ, 1972, т.14, JS 12, с.3505-3508.

107. Hanafi Z.M. , Ibrahim Е.M.H. , Ismail Е.М. Effect of Radiation of Electrical. Conductivity and Infrared Absorption Spectra of Indium Oxide. Egypt. J.Phys., I977sv.8

108. Физико-химические свойства окислов. Справочник /Под ред. Самсонова Г.В. М.: Металлургия, 1978, 471 с.

109. ПО. Забродский Ю.Р., Кошкин В.М. Образование долгоживущих точечных дефектов из неустойчивых пар вакансия атом в междоузлии. - ФТТ, 1976, т.18, & 10, с.2857-2862.

110. Report of Ann.Phys. S.Commision, Rev.Mod.Phys.,1975, v.47, N 3, S 3 - S 44.

111. Clinard F.W., Bunch J.M., Ranken W.A. Neutron irradia -tion damage in Al2 O3 and 12 Oy ~ Radiat. Eff. and

112. Tritium Techno1. Fus. Reac.Proc.Int.Conf., Gaflihburg, Tehn., 1975, v.2, N I, p. 498-516.

113. ИЗ. Вайнер B.C., Вейнгер А.И., Полонский Ю.А. Исследование ^-центров в методом ЭПР. ФТТ, 1976, т.18, J& 2, с.409-412.

114. Александров В.И., Калабухов В.Ф., Ломанов S.E., Осико В.В., Татаринцев В.И. Влияние примесей и условий отжига на оптические свойства монокристаллов Zr02 и Hfo?-Изв. АН ССОР. Неорг.матер., 1977, т.13, й 12, с.2192--2196.

115. Спицын В.И., Рябов А.И., Стельмах Н.С., Пирогова Г.Н. Влияние радиации на оптические свойства монокристаллов Ge , GaAs и ZnSe, Изв. АН СССР. Неорг.матер., 1977, т.13, В I, с.27-30.

116. Спицын В.И., Пирогова Г.Н., Стельмах Н.С., Рябов А.И. Короткоживущее оптическое поглощение в облученном ZnSe. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1978, т.14, JS 3, с.427-431.

117. Михайлов М.М., Дворецкий М.И. Исследование спектров диффузного отражения окиси цинка, облученной электронами. -Ш1С, 1901, т.34, к 3, с.548-549.

118. Амосов А.В., КорнеЕ В.В., Насельский С.П., Павлова й.А. Радиационно-оптические свойства керамики из диоксида щэемния. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 1983, т.19, № I, с.142-146.

119. S. ГорюноЕа Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. -М.: Советское радио, I9S8, 268 с.

120. FinkmanE., Tauc J., Kershaw R. , Wold A. Lattice dyna -mics of tetrahedrally bonded semiconductors containing ordered vacant sites. Phys.Rev.,1975,v.II, N 10, p. 3785-3794.

121. Кошкин B.IvT., Атрощенко Л.В., Гальчинецкий Л.П., Шахов-цов В.И., Руденко М.К. Полупроводниковый кристаллический . материал /Изобретение й 293395, 1939. Ш, 1977, № 31, с.218.

122. Бокий Г.Б. Кристаллохимия. ~М.: Наука, 1971, 400 с.

123. Пирсон У. Кристаллохимия и физика металлов и сплавов.

124. В 2-х частях. М.: Мир, 1977, ч.1-420 е., ч.2 - 472 с.

125. Кошкин В.М., Атрощенко Л.В., Фрейман Ю.А. Примеси в полупроводниках со стехиометрическими вакансиями. ДАН СССР, I9S8, т.183, ñ I, с.83-86.

126. Атрощенко Л.В., Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.М., Палат-ник Л.С. Отклонения от стехиометрии и растворение примесей в полупроводниковых соединениях типа В^Сд^. Изв. АН СССР. Неорг. материал., 1965, т.1, й 12, с.2140-2150.

127. Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники /Под ред. Радауцана С.И. Кишинев; Штиин-ца, 1980, 181 с.

128. Кошкин В.М., Манюкова Л.Г., Сысоев Л.А. О температурах плавления ковалентных полупроводников со стехиометрическими вакансиями. Изе. АН СССР. Неорг. матер., 1968, т.4, Гр. 10, с.1633-1639.

129. Кошкин В.М., Фрейман Ю.А., Гальчинецкий Л.П. О релаксации кристаллической решетки вблизи вакансии. ФТТ, 1969, т.II, J¡? I, с.212-214.

130. Нараи-Сабо И. Неорганическая кристаллохимия: Пер. с венгерок., Будапешт, АН Венгрии, 1969, 496 с.

131. Ормонт Б.Ф. Введение в "физическую химию и кристаллохимию полупроводников. -М.: Высшая школа, 1973 , 656-е.

132. Палатник Л.С., Комник Ю.Ф., Кошкин В.М. Кристаллохимия соединений с тетраэдрической координацией атомов. Кристаллографйя, 1962, т.7, Js 4, с.563-567.

133. Ландау Л.Д. Собр. научн. трудов, т.1, М.: Наука, 1971, с.81.

134. Палатник Л.С., Кошкин В.М., Комник Ю.Ф. Об изоэлектрон-ных рядах полупроводниковых соединений. Кристаллография, 1962, т.7, J& I, с.124-125.

135. Franklin A.D. Born model calculation of defects energies in CaF2.-J.Phys.Chem.Sol.,I968,v.29, N 5,p.823-841.

136. Бацанов С.С. Структурная рефрактометрия. M.: Высшая школа, 1976, 304 с.

137. Nelson R.S. Focused Collision Sequences in (Tungsten and Molybdenum.-Phil.Mag.,1963,v.8,Ш 88, p.693-705.

138. Кирсанов В.В., Орлов А.H. Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах. УФН, 1984, т.142,1. J& 2, с.219-264.

139. Turrens I.MeC.,Chadderton L.T. Dynamics of Radiation

140. Damage in Face-Centered-Cubic Alkali Halids. -Phys. Rev., 1967, v.159, N 3, p. 671-682.

141. Абрикосов H.X., ШелимоЕа Л.Е. Полупроводниковые мате4 fiриалы на основе соединений А В . М.: Наука, 1975, 195 с.

142. Чияиков Д.М., Счастливый В.П. Селен и селениды. М.: Наука, 1964, 320 с.

143. Степанов И.В., Васильева М.А. Управление тепловым фактором при выращивании оптических монокристаллов. В кн.: Рост кристаллов. М.: Изд-во АН СССР, 1961, т.З, с.223--238.

144. Фистуль В.И. Введение в физику полупроводников. М.: Высшая школа, 1975, 296 с.

145. Жузе В.П.Сергеева В.М., Шелых А.И. Электрические свойства in2Te^ полупроводника с дефектной структурой. -ФТТ, i960, т.2, № 12, с.2858-2871.

146. Громышев A.B., Луценко Э.Л., Синицкий В.В. Терморегули-рущее устройство для нагрева с постоянной скоростью. -ПТЭ, 1970, J5 5, с.206-207.

147. Бойко И.И., Рашба Э.И., Трофименко А.П. Термически стимулированная проводимость е полупроводниках. ФТТ, i960, т.2, ib I, с.109-117.

148. Антонов-РоманоЕский В.В. Определение коэффициента поглощения порошкообразных фосфоров. ЖЭТФ, 1954, т.26, № 4, с.459-472.

149. Волгин Ю.Н., Ковалев В.П., Уханов Ю.И. Применение метода диффузного отражения для изучения 1фая оптического поглощения полупроводников и диэлектриков. ФТП, 1970,т.4, 1S 12, с.2400-2408.

150. Шапиро И.П. Определение ширины запретной зоны из спектров диффузного отражения. Опт. и спектр., 1958, т.4, J& 2, с.256-260. '

151. Кортюм Г., Браун В., Герцог Г. Принципы и методика измерения в спектроскопии диффузного отражения. УФН, 1965, т.85, JS 2, с.365-380.

152. Давиташвили Т.Ш. Центры окраски в облученных кристаллах Li # Nací и KCl . В сб.: Радиационная физика неметаллических кристаллов. Киев: Наукова думка, 1967, с.287-291.

153. Финч А.,- Гейтс П., Редклиф К., Джексон Ф., Бентли Ф. Применение длинноволновой ИК-спектроскопии в химии: Пер. с англ. М.: Мир, 1973, 286 с.

154. Смит А. Прикладная ИК-спектроскопия: Пер. с англ. М.: Мир, 1982, 328 с.

155. Жижин-Г-.Н., Маврин Б.Н., Шабанов В.Ф. Оптические колебательные спектры кристаллов. М.: Наука, 1984, 232 с.

156. Ван Бюрен. Дефекты в кристаллах: Пер. с англ. М.: ИЛ, 1932, 584 с.

157. Лыков A.B. Теория теплопроводности. М.: Высшая школа, 1967, 600 с.

158. Физика и химия соединении А2В^: Пер, с англ. М.: 1972, 624 с.

159. Борн М., Кунь X. Динамическая.теория кристаллических решеток: Пер. с англ. М.: ИЛ, 1958, 488 с.

160. Пуле А., Матье S. П. Колебательные спектры и симметрия кристаллов: Пер. с француз. - М.: Мир, 1973, 450 с.

161. Рейсленд Дж. Физика фононов: Пер. с англ. М.: Мир, 1975, 368 с.

162. Srivastava S.P., Singh E.D. Multiphonon absorption bands in MgO. Chem.Phys.Lett., 1971, v.10, N 4, P. 387 - 391.

163. Кошкин B.M., ТиманБ.Л., Гальчинецкий Л.П. Особенности кристаллохимических и тепловых свойств полупроводников со стехиометрическими вакансиями. УФК, 1967, т.12,12, с.2065-2068.

164. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузии и электропроводность в простых окислах металлов: Пер. с англ. -М.: Мир, 1975, 396 с.

165. Каминский Б.Т., Плыгунов A.C., Прокофьева Г.Н. Инфракрасные спектры окислов титана, циркония и гафния. -УХЕ, 1973, т.39, гё 9, с.946-947.

166. Бацанов O.G., Григорьева Г.Н., Соколова Н.П. Оптические свойства окислов редкоземельных металлов. 1СХ, 1962, т.З, Л 3, с.339-342.

167. Линник С.П., Юрасова В.Е. Распыление двухкомпонентныхсоединений и сщшеов. Поверхность. Физ., хим., механ., 1982, tè 3, с.25-37.

168. Aukerman L.W. Radiation-Produced Energy Levels in Com -pound Semiconductors.- J.of Appl.Phys.,1959, v.30, N 8, p. 1239 1243.

169. Урусов B.C. Эффективные параметры электронных оболочек атомов и ионов. ЖСХ, 1962, т.З, JS 4, с.437-447.

170. Оксенгендяер Б.Л. Теоретические аспекты дефектообразова-ния в твердых телах. В сб.: Влияние несовершенств структуры на свойства кристаллов. - Ташкент, Фан, 1979, с.11-48.

171. Винецкий В.Л., Ентинзон И.Р., Холодарь Г.А. О "пороговой ' энергии образования дефектов Френкеля быстрыми частицами. ФТП, Ï979, т.13, й 5, с.912-918.

172. Кошкин В.М., Эккерман В.М. Новый Еакансионный механизм диффузии. ФТТ, 1974, т.16, В 12, с.3728-3730.

173. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л.: Наука, 1972, 384 с.

174. Палатник Л.С., Атрощенко Л.В., Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.М. Об эффекте отклонения от стехиометрии в полупроводнике В^с^ДАН COOP, 1965, т.165, № 4, с.809--012.

175. Ломер У.М. Дефекты в чистых металлах. В кн.: Успехифизики металлов: Пер. с англ. М.: ГНТИЛИЩ, 1963, т.5, с.299-372.

176. Кошкин В.М., Гальчинецкий Л.П., Корин А.И. Электропроводность сильно легированных полупроводников типа т-. фз1-. ФТП, 1971, т.5, J? 10, с.1983-1985.

177. Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.М., Кулик В.Н., Улманис У.А. Радиационностойкий полупроводниковый материал Ga^ej. -Электронная техника. Сер.: Материалы, 1975, № 10, с. 29-34.

178. Mac Key J.W., Klontz Е.Е. Review of radiation effects in germanium. Rad.Effects, 1971, v.9, N 1-2,p.27-36.

179. Эккерман В.M., Гальчинецкий Л.П., Кошкин В.М.'Самодиффузия и диффузия кадмия в щшеталле 1п2Те5. ФТТ, 1974, T.I6, 5, с.1551-1552.