Исследование процессов фотостимулирования десорбции с поверхности твердого тела тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ЛЛШГРАДйШ ОРДЕНА ЛШОДА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО У'О^ ^

КРАСНОГО ЗН,ШШ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСМТЕТ .

1/\

На правах рукописи УДК 537.534

ЛАЗНЫЗА Элеонора Федоровна

жхшдозша ¡шоцжсов фотосшшшрованшм

ДКССРНШ С ПОВЕРХНОСТИ ТВЁРДОГО ТЫЛА Специальность 01.04.07 -физики твердого тела

Автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Ленинград 1330

Работа выполнена в Научно-исследовательском институте физики Ленинградского государственного университета

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор а.С.ПАД'ЛИС

доктор физико-математических наук, профессор Б.В.НОВИКОВ

доктор физико-математических наук, ведущий научный сотрудник Ю.Н.ЛЕВИТОВ

Ведущая организация: Научно-исследовательский

технологический институт г.Гяэань

Защита диссертации состоится "_"__1990г.

в ч. м. на эаседении Специализированного совета Д.063.57.32 по защите диссертаций на соискание ученой степени доктора физико-математических наук при Ленинградском государственном университете по адресу: 199034, Ленинград, Университетская наб.7/9.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ЛГУ

Автореферат разослан "_"_1990г.

Ученый секретарь Специализированного совета, доктор фаз.-мат.наук

В.Д.Соловьгп

ОКЦАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность проблемы. Б последние годы усилия многих исследователей поправлены на изучение процессов, происходящих на поверхности твердого тела при лазерном воздействии. К таким процессам относятся лазерный отжиг поверхности полупроводников, фотостимулированнке химические реакция на поверхности, фото стимулированная десорбвдя атомных и молекулярных частиц. Энергия, необходимая для активации рассматриваемых процессов, поставляется, твердому телу световыми квантами. При этом важное значение приобретает вопрос выяснения механизмов передачи энергии поглощенного светового потока для активации поверхностных процессов.

Предлагаемая диссертационная работа посвящена исследованию процессов фотостимулированной десорбции о поверхности твердого тела. В закономерностях фотостимулированной десорбции проявляется многообразие физико-химических взаимодействий в фотовозбужденной электронно-молекулярной системе на поверхности твердого тела. Актуальность исследования фотостимулированной десорбции и связанных о ней электронно-молекулярных процессов определяется их существенной ролью в фундаментальных и прикладных задачах современной физики поверхности и катализа. Изучение этих процессов при возбуждении твердого тела лазерным излучением приобретает важное значение в связи с возможностью использования лазерного излучения в различных областях науки и техники. Например, для развития технологии лазерного отжига ионночиегированяых полупроводниковых приборов, для осуществления фотостимулированных реакций на поверхности, для избирательного испарения компонент материалов, для создания новых приборов диагностики состояния поверхности при ее лазерном возбуждении. Изучение фотостимулированной десорбции и выяснение ее физических механизмов позволят не только глубже понять специфику физико-химических свойств поверхности твердого тела, но и послужат основой для разработки принципов их целенаправленного изменения.

Регистрация фотодесорбпионного эффекта возможна как косвенными, так и прямыми методами. Косвенные методы основаны па измерении каких-либо характеристик образцов, которые изменяются при десорбции (например, проводимость, работа выхода, фотоэдо). Прямые методы основаны на непосредственной регистрация: фотодесор-

бированиых частиц и измерении их характеристик. К началу диссертационной работы в литературе имелись отдельные сообщен я о регистрации фотодесорбционного эффекта прямыми методами в некоторых адсорбционных системах. Сведения об измерениях энергетических и пространственных распределений фотодесорбированных частиц в литературе отсутствовали.

Целью диссертационной работу является экспериментальное исследование закономерностей и физических механизмов процесса фото-стимулированной десорбции при оптическом возбуждении электронной системы твердого тела на основе прямого анализа характеристик десорбируемых частиц и измерения электрофизических характеристик адсорбционных систем.

Методы исследований. В работе созданы установки и разработаны методические приемы исследования фотодесорбции, основанные на непосредственном масс-спектрометрическом и энергетическом анализе десорбируемых частиц, возбуждаемых как излучением импульсных ламп, так и лазерным излучением в оптическом диапазоне длин волн, В десорбционных исследованиях использовалось лазерное излучение относительно низких интенсивностей (плотность мощности падающего на поверхность излучения 10^-10® Вт/см2). Излучение рассматривав-мой мощности не вызывает процессов плазмообразования и разрушенш материала, а температура нагрева поверхности в импульсе, как правило, меньше температуры плавления. Полупроводниковые образцы в таких условиях сохраняют свои электрофизические свойства. Характеристики десорбируемых при этом атомных и молекулярных частиц содержат непосредственную информацию о закономерностях поверхностных электронно-молекулярных процессов, приводящих к фотости-мулированной десорбции.

Для получения более полной информации о свойствах адсорбционных систем и для контроля за состоянием поверхности применялис! термодесорбционкая маоо-спектрометрия, измерения работы выхода,' фотоэдо, оже-электронная спектроскопия. Эксперименты проведены в овврхвысоковакуумных условиях ( Ю-7- КГ8 Па), состав оотагочньп газов контролировался маоо-спехтрометрически.

Объектами исследования служили поверхности металлических и полупроводниковых образцов. На металлических образцах (никель,

кадмий, тантал) исследовалась лазерная десорбция газовых молекул 00, СО.? из адсорбционного слоя и лазерное испарение частиц собственного материала (атомы никеля, кадшя, тантала). Фотостимули-рованная десорбция исслодовалась с поверхностей сульфида и селе-Ш1да кадмия (полупроводников группы А~В , обладающих большой ионяостыэ химических связей) и германия и кремния ( ко валентных полупроводников). Изучалась десорбция атомных и молекулярных частиц, входящих в состав исследуемого материала (С с1 , $2 , Бе2 ,

, Се ), а такие газовых молекул, адсорбированных на поверх-носта ( 02, СО, С02, Н20, Н2). При окислении поверхностей германия и кремния изучалась также десорбция частиц, образовавшихся в результате поверхностной химической реакции { в основном молекул 5Ш и веО ).

Научная новизна. Систематические экспериментальные исследования фотодесорбционных процессов на поверхности полупроводников, направленные на выяснение физического механизма фотодесорбции, бшш начаты автором диссертации в конце 60-х годов. В результате исследований установлены новые экспериментальные факты и основные физические закономерности, характеризующие процесс фотоотимулиро-ванной десорбции. Ниже приведены наиболее важные оригинальные результаты, впервые полученные в диссертационной работе:

-прямыми масс-спектрометрическида измерениями зарегистрирован эффект фотодесорбпда кислорода с поверхности сульфида кадмия,

-обнаружено и исследовано влияние внешнего электрического поля на интенсивность фотодесорбции в системе сульфид кадмия -кислород,

-измерены энергетические распределения частиц собственного материала, десорбируемых с поверхностей сульфида и селенида кадмия при лазерном возбуждении, и обнаружено присутствие в десорб-ционном потоке термализованной и нетермализовалной компонент,

-обнаружено изменение формы энергетических распределений десорбируемых частиц в зависимости от интенсивности излучения, величины энергии возбуждающих квантов и угла выхода частиц,

-измерены энергетические распределения газовых молекул 02, СО, С02, НуО, II,, десорбируемых о поверхности сульфида и селенида

кадмия, германия и кремния при лазерном возбуждении,

-показано, что в лазерно-стимулцрованноп десорбции с атошо чистых поверхностей ковалентных полупроводников (германии, кремний) преобладает выход положительных ионов собственного материал«

-установлено, что характеристики лазерной десорбции к фэрка энергетических распределении атомов германия и кремния изменяются в процессе окисления поверхностей образцов.

Достовошость результатов определяется комплексшм характеро исследований, использованием современных взаимодополяявдих методо Эксперименты выполнены в сверхвысоком вакууме с применением масс-спектрометрии, термодесорбцлонной спектрометрии, фотоэлектргчес-ких и электронно-спектроскопических измерений. Полученные результаты воспроизводимы как на разных образцах одного материала (монокристаллы, пленки), гак и на группах материалов, обладающих подобными физическими свойствами, В ряде случаев результаты подтверждены более поздними данными других авторов.

Практическое значение работы состоит в том, что в ней:

-развита методика определения молекулярного состава, энергетических и пространственных распределений лазерно-десорбируемых частиц, которая может найти применение в научно-исследовательских лабораториях,

-созданная экспериментальная установка является чувствительным инструментом для определения локального элементного состава поверхности твердого тела при ее лазерном возбуждении,

-получены рекомендации по режимам лазерной очистки с целью контролируемого получения атомно-чистых поверхностей в условиях сверхвысокого вакуума.

Основные защищаемые положения:

I. Разработаны методические основы и создана экспериментальная установка для изучения фотостимулировшшой импульсной десорбции на основе прямого времяпролетного масс-анализа десорбируемых частиц,измерения их энергетических и пространственных распределений, объединяющая в одной экспериментальной камере ряд современных методов диагностики состояния поверхности.

'¿. На залогу выносится совокупность новых экспериментальных результатов, состоящих в масс-спектрометрическом изучении (¡отоде-сорбцпонного эффекта, в измерении распределений десорбируемых частиц по кинетическим энергиям, в обнаружении термализовадной и нетермализованной компонент десорбционного потока с поверхности полупроводников, в установлении зависимости формы энергетического распределения фотодссорбируемых частиц от интенсивности и длины волны излучения и от угла выхода десорбируемых частиц.

3. При оптическом возбуждении поверхности полупроводника реализуются, по крайней мере, два механизма десорбции: фотоэлектронный 'л тепловой, которые приводят к появлению нетермализованн-ой и терглатазованной компонент в десорбционном штоке.

В лазерной десорбции с металлических поверхностей преобладает десорбция, обусловленная тепловым действием света.

4. Установлена прямая связь мезду интенсивностью фотодесорб-щш и концентрацией фотовозбуяу.еняых носителей в приповерхностной области полупроводника, свидетельствующая об участии фотовоз-бугэденной электронно-дырочной системы полупроводника в десорб-ционном процессе. Этот результат получен на основе параллельных исследований фотодесорбции и фотоэлектрических характеристик образцов, аффекта влияния на фэ то десорбции внешнего электрического поля и ее спектральной чувствительности.

5. Сравнительными исследованиями фотодесорбвди с поверхностей конных и ковалентных далупроводникой установлена корреляция между зарядом десорбируемой частицы и характером ее химической связи с поверхностью. При ионной связи преобладает десорбция нейтральных частиц, при ковалентной - десорбция положительных ионов.

В диссертации решена актуальная задача физики поверхности твердого тела - исследована фотостимулированная десорбция путем прямого масс-анализа десорбируемых частиц и измерения их энергетических и пространственных распределений. Экспериментально обоснован фотоэлектронный механизм десорбции с поверхности полупроводников и установлены закономерности его проявления в зависимости от ионности хемосорбционных связей, что способствует формированию новых представлений о физической природе фэ то стимулировании электронно-молекулярных процессов, происходящих на поверхности твердого тела.

Личный вклад автора. Диссертация нашгсана по материала!.! ис следований, выполненных на физическом факультете Л1У в период 1968-1989 гг. лично автором и совмествно с руководимой группой аспирантов и сотрудников. Непосредствекно алголом созданы конст рукции экспериментальных приборов, вшолнен большой объем измер кий, разработаны качественные модели и принципы интерпретации экспериментальных результатов. Автору принадлежи так;ке постано: ка задач аспирантских работ, участие в их осуществлении, обработке и обсугдании экспериментальных данных. В работе принимали участие студенты старших курсов физического факультета Л1У при выполнении курсовых и дипломных работ.

Апробация работы. Результаты работы докладывались, обсувдались и были опубликованы в трудах следующих Всесоюзных конференций, школ, симпозиумов:

-14,15,16,17,18 и 19 Всесоюзные конференции по эмиссионной электронике. Ташкент(1970), Киев(1973), Махач-Кала(1976), Ленинграде 1978), Москва(1981), Ташкент(1984),

■ - 4, 5 и 6 Всесоюзные школы по физике поверхности полупроводников. Ленинграде1979), 0десса(1982), 0десса(1987),

- 4, 5 и 6 Всесоюзные симпозиумы по вторичной и фотоэлектронной эмиссии. Ленинград(1981), Рязань(1983), Рязань(1986).

- Всесоюзные школы по • физике поверхности. ТашкенгЦЭВЗ), Карпаты(1986),

- 6 Всесоюзное совещание по физике поверхности полупроводников. Киев(1977),

- 3 Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверх ности полупроводников, Новосибирск(1980),

- 5 Всесоюзный симпозиум по физике и техническому применен® полупроводников Вильнйс(1983),

- 6 Всесоюзная конференция по- нерезонансному взаимодействию оптического излучения о веществом. Вильнюс(1984).

- 5 Всесоюзный симпозиум по физике поверхности твердых тел.' Киев(19ВЗ),

- Всесоюзное совещание "Химическая связь, электронная структура и химические свойства полупроводников". Калинин(1985).

- I Всесоюзная конференция по диагностике поверхности. Каунас(1986),

- 9 Всесоюзный симпозиум "Электронные процессы на поверх-

эсти полупроводников". Новосибирск 1988),

- Всесоюзная конференция "ПоБерхность-89".Черноголовка(1989),

- Всесоюзный симпозиум "Эмиссия с поверхности полупроводни-эв, в том числе экзоэмиссия".львов(1989).

Публикации. По материалам диссертации имеется 68 публикаций, эдготовленная к печати монография "Лазерная десорбция" будет лудлпковала в 1990г. в издательстве Ленинградского университета, лисок основных публикаций по теме приведен в конце автореферата.

Диссертация состоит из шести глав, введения и заключения. Зщий объем работы 360 страниц, включая 92 рисунка на 59 страни-ах, 6 таблиц и библиографии ( 351 наименование) на 35 страницах.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБ01У

Введение содержит обоснован те актуальности работы, в нем формулирована основная цель диссертационного исследования, ратко рассмотрены экспериментальные методы решения поставленной адачи, перечислены новые полученные результаты и сформулированы ащищаемые положения.

Первая глава. "Экспериментальные возможности изучения ад-эрбционных систем". Атомные и молекулярные частицы удерживаются а поверхности твердого тела силачи адсорбционных взаимодействий, нергетика этих взаимодействий и возникающие распределения элек-ронной плотности определяются физико-химическими свойствами как вердого тела, так и частиц, вступающих с ним во взаимодействие, епосредственная качественная и количественная информация о войствах и характере поверхностных взаимодействий гложет быть элучена при изучении закономерностей десорбции частиц с поверх-эсти. В связи с этим, в первой главе рассмотрены основные методы есорбционных исследований, нашедшие наиболее широкое применение современной экспериментальной физике: термодесорбционная спек-рометрия, электронно- и фото-стимулированяая десорбция, возбуж-аемая в инфракрасном, оптическом, ультрафиолетовом и рентгенов-ком диапазонах. Кратко обсуждаются физические модели, аспользуе-ые при анализе экспериментальных результатов и совокупность данях о свойствах адсорбционных систем, получаемых этими методами.

Основное внимание уделяется вопросам, связанным с исследо-аниями фотостимулированной десорбции, возбуждаемой излучениями

в оптическом диапазоне длин волн. Обзор результатов по лазерно стимулированной десорбции с металлических поверхностей показал что свойства энергетических распределений десорбируемнх частин свидетельствуют о тепловом механизме наблюдаемой десорбции. 'lip этом говорят о лазерной гармодесорбции.

Более подробно анализируются вопросы ¿[отодесорбции с пове кости полупроводников, возникающей в результате поглощения св вых квантов оптического диапазона в приповерхностной области, возбуждения электронной системы полупроводника и передачи энер: этого возбуздения поверхностным частицам ( (Тотоэлектронный мех; низы десорбции). В результате анализа экспериментальных и теор* ткческих работ по «отодесорбции показано, что основные выводы < свойствах фотодесорбциокного процесса были получены по данным косвенных измерений (без прямой масс-спектрометрической регист] дай десорбируемнх частиц), а теоретические представления базирс вались на электронной теории хемо сорбции для идеальной поверхне ти. Последняя основывается на чисто статистических соотношения резарядки адсорбционных центров и не принимает во внимание вощ сов энергетического обмена между электронно-дырочной системой г лупро во дайка и адсорбционным комплексом, динамики перестройки электронной структуры комплекса при переходе между различии® £ сорбционными состояниями и связанного с этим изменения характер потенциального взаимодействия между адсорбентом и адсорбатом.

Далее показано, что новый этап <$отодесорбционных исследовг няй начался при использовании для возбуждения десорбции импульс ного лазерного излучения. При этом появилась возможность изучен не только масс-спектров фотостимулированной десорбции, но и рас проделений десорбируемнх частиц по кинетическим энергиям и по углам выхода. Плотнооть мощности лазерных импульсов,^используем для десорбционных исследований, составляет Ю4 - Ю6 Вт/см^, и воздействие таких импульсов не приводит к образованию поверхноо ной плазмы и к разрушению материала. При лазерном возбуждении • реализуются различные механизмы взаимодействия излучения о адсорбционной системой.

В ряде адсорбционных систем реализуется прямое резонансное возбуздение адсорбированных молекул ( как правило при возбуждении инфракрасным излучением). Возникает резонансная (1отодесорб-

шя, характеристики которой в основном определяются свойствами адсорбированных молекул и практически не зависят от свойств твердого тела, на поверхности которого происходит адсорбция.

В случае полупроводникового адсорбента можно озддать возбуждение десорбции как по фотоэлектронному, так и по тепловому механизма«. ilpii этом начальной стадией является фотовозбуждение системы валентных электронов твердого тела, так что электронные свойства твердого тола в значительной мере будут проявляться в характеристиках фотостимулированной десорбции.

Первые сообщения об измерении энергетических распределений частиц, десорбируешх с поверхности сеяеяида кадмия при импульсном лазерном возбуждении, были опубликованы наш в 1980 г. Несколько позднее появились сообщения зарубежных авторов об исследованиях, энергетических распределений лазерной десорбции с. поверхностей кремния и арсенида галлия. В научной литературе развернулась дискуссия относительно определяющего механизма наблюдаемой десорбции, однако экспериментальных данных было недостаточно, чтобы аргументированно обосновать модель фотодесорбциоя-ного процесса.

В связи с этим в диссертационной работе выполнены систематические сравнительные исследования закономерностей фотостимулиро-вакной десорбции с поверхностей различных полупроводников и металлов и сделаны экспериментально обоснованные выводы об определяющих физических механизмах десорбции, реализуемых в конкретных адсорбционных системах.

Бторая глава. "Развитие методов исследования фотодесорбцион-ных процессов". Основой методов фотодесорбционных исследований, разработанных и используемых в диссертации, служит непосредственная масс-спектрометрическая регистрация десорбируемых частиц. Необходимость регистрации малых изменений парциальных давлений, вызываемых фотодесорбцией, предъявляет высокие требования к вакуумным условиям эксперимента.

Приводится описание конструкций приборов, в которых были выполнены первые эксперименты по исследованию фотодесорбционного процесса. Разработанная методика измерений предусматривала тщательное обезгаживание стеклянных отпаянных приборов, в которых ( in situ. ) можно било термическим испарением приготовлять исследуемые слои сульфида и селенида кадмия, параллельно с фотоде-

сорбцией изучать электрические и фотоэлектрические характеристики образцов, проводить контролируемую адсорбцию. Возбуждение (То— тодесорбции осуществлялось излучением импульсной лампы-вспышки.

Следующим этапом явилась разработка и создание сверхвысоко-вакуумной цельнометаллической установки с безмасляной откачкой

7 сз

( рабочий вакуум 10 - 10 На) для исследования закономерностей лазерно-стиадулированной десорбции. Приведено описание схемы, принципа действия и различных режимов установки. Аля возбуздения десорбции использовались наносекундные импульсы излучения рубинового и неодшлового лазеров. Молекулярный состав первичных продуктов десорбции определялся с помощью времяпролетного масс-анализа-тора. Применен режим прямого пролета от образца до входа в масс-спектрометр. Измерение энергетических распределений осуществлялось с использованием двух участков пролета. Для получения вре-мялролетных распределений частиц, десорбируемых одиночным лазерным импульсом, использовался специальный ражим синхронизации работы лазера, ионного вентиля, ионного источника масс-спектрометра и развертки регистрирующего осциллографа. Времяпролетные распределения эквивалентны распределениям десорбируемых частиц по скоростям.

Далее обсуздаются вопросы формирования сигнала при измерении времяпролетннх распределений, экспериментального определения приборной функции, которая характеризует преобразование формы исходного ыаксвелловского распределения при регистрации в приборе,оценки чувствительности при измерении времяпролетннх распределений нейтральных частиц в сравнении с чувствительностью относительно регистрации десорбируемых ионов. Показано, что предельным значением чувствительности можно считать регистрацию десорбции ~ Ю*"4' монослойного покрытия. '

На дополнительных фланцах установки смонтированы устройства, позволяющие осуществлять контроль за состоянием поверхности современными методами, а также проводить обработки исследуемой поверхности в вакуумных условиях. К ним относятся: ионная пушка для очиотки поверхности, ранцевый электронный спектрометр для измерения оже-спвктров поверхности и для контроля за изменением работа Выхода, устройство для реализации термодесорбцнонного эксперимента.

Возможности комплексного контроля за состоянием поверхности

проиллюстрированы на примере лазерной очистки поверхности кремния от о клала. В результате показано, что лазерная десорбция может служить не только инструментом для очистки поверхности, но и является чувствительным методом для определения ее элементного состава.

Развитые в диссертации методы исследования импульсной фото-дссорбщи, позволяющие, измерять непосредственно характеристики десорбируемых частиц и параллельно исследовать электрические и фотоэлектрические свойства образцов, с поверхности которых происходит десорбция, позволили получить новые данные, характеризующие фотодесорбционный процесс и взаимодействие фоговозбузден-ной электронной системы твердого тела с поверхностными атомами и молекулами.

Третья глава. "Десорбция и испарение, обусловленные тепловым дойствием света - лазерная термодесорбция". Поглощение излучения оптического диапазона в твердом теле сопровождается возбуждением его электронной системы. Величина энергии, запасаемой в электронной системе, определяется интенсивностью излучения, коэффициентом поглощения, длительностью светового импульса и временем низни возбужденных электронных состояний. В металлах время жизни возбужденных электронов, мало ( ), и

при используемых параметрах источников излучения доля энергии, остающаяся в возбужденной электронной системе, мала. Остальная поглощенная энергия вследствие фэнонной релаксации возбужденных электронов идет на нагрев твердого тела. В связи с этим фото-стимулированная десорбция с металлических поверхностей в основном будет определяться эффектом'теплового действия света.

В третьей главе обсуздаготся вопросы теплового действия световых импульсов. Рассмотрены основные модели нагрева металлических и полупроводниковых образцов и полученные при их анализе температурные характеристики поверхности. Показано, что результаты расчетов температуры нагрева поверхности находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными. Воздействие светового импульса вызывает импульсный нагрев поверхности: длительность теплового импульса примерно в два -• три раза превышает длительность светового.

Приведены результаты исследования лазерной термодесорбции с металлических поверхностей в системах Mi (Iii)-СО, tfi (lil)-GO^, 'Га - СО, а также испарения атомов собственного материала с поверхностей никеля и кадшя. Испарение частиц собственного материала происходит при плотности мощности излучения, превышающей значения, характерные для удаления молекул адсорбированных газов Обсугхдаются результаты измерений зависимостей интенсивности де-сорбционного сигнала, а такхе форш времяпролстных распределений от плотности мощности излучения. Проведенный ан&ыгз экспери-моитальных данных показал, что форма изморенных распределений по скоростям соответствует максвелловской, что свидетельствует о квазиравловесном термическом характере десорбции. Зависимость количества десорбируемкх частиц и температуры десорбционного пучка от плотности мощности излучения находится в соответствии с расчетом, выполненным для адсорбционной системы никель - СО.

3 рассматриваемом интервале интонсивностей излучения температура не превышала температуры плавления. Совокупность экспериментальных фактов свидетельствует о термическом механизме десорбции с металлических поверхностей.

Существенным результатом проведенного исследования явилось установление основных свойств лтзерной термодесорбции, знание которых необходимо при анализе характеристик лазерно-стимулиро-ванной десорбции с поверхности полупроводниковых образцов для выявления десорбционной кошоненты, обусловленной тепловым действием света.

Четвертая глава. "Исследование фотодесорбции кислорода с поверхности сульфида и селенида кадмия". Эта глава содержит основные результаты по масс-спектрометрической регистрации фотодесорбции кислорода при параллельном измерении электрических и фотоэлектрических характеристик адсорбентов - пленок сульфида и селенида кадмия при их освещении излучением импульсной лампы. •

В параграфе "Изменение потенциала поверхности и фотозде при адсорбции и тормодесорбции кислорода" приведены результаты исследования приповерхностного изгиба зон вследствии зарядки хемосорбционных состояний на пленочных образцах различной структуры и его изменений при адсорбции и теркодесорбции кислорода. Методом терыодесорбцаонной вспышки установлено наличие двух

фаз хемосорбировшшого кислорода, характеризуемых энергиями связи 0,8 и I ,о пБ (Сс]5 ) и 0,6 и 1,2 эВ \CdSt ). Исследование изменения фотопотелциала и потенциала поверхности показали, что хемосорбцпоинце состояния молекул кислорода имеют отрицательны;; заря;;, что находится в соответствии о акцепторными свойст- ■ вами кислорода.

Б параграфе "Закономерности фотодесорбции шсцепторных молекул с поверхности сульфида кадагая"обсуздаются эксперименты, в которых масс-спактромотрически обнаружена фотодесорбция молекул кислорода и парабонзохинона. Специфика фото десорбции со слоев различной структуры (мопокристаллические, поликристаллические) свидетельствует о существенной роли диффузии молекул по границам зерен и другим нарушениям структуры в объем слоя. Проведены параллельные исследования зависимости от интенсивности излучения фотоэлектрических характеристик (люкс-амперных и релаксационных) образцов и фотодосорбционного сигнала. Установлена корреляция в их изменении, свидетельствующая о том, что резкое возрастание эффективности йотодосорбщш наблюдается в том же диапазоне ин-тенсивностей излучения, в котором происходит быстрое увеличение концентрации фоговозбуздонных дырок.

Экспериментально обнаружен и исследован эффект влияния внешнего электрического поля на интенсивность фотодесорбции с поверхности сульфида кадмия. Наблюдается увеличение фотодесорбции, когда действие электрического шля способствует подходу фотовоз-бу:;деннкх дырок к поверхности, при перемене знака электрического поля фотодесорбция ослабляется.

Исследования температурной зависимости интенсивности фото-сгимулированной десорбции с поверхности сульфада и оеленида кадмия показали, что при дополнительном подогреве образцов и при этлосительно высоких интенсивностях излучения в десорбционном потоке может присутствовать компонента, обусловленная тепловым действием света. Предложен способ выявления тепловой компоненты при сравнительном анализе термодссорбционного спектра и температурной зависимости фотостимуларованной десорбции.

В параграфе "Адсорбционные состояния и фотодесорбция в системе сульфид кадмия - кислород" рассмотрена специфика формирования хемссорбционных состояний кислорода на поверхности сульфида кадмия. две хлюсорбшонные фазы кислорода, обнаруженные

в экспериментах, могут быть связаны с разными адсорбционными состояниями на поверхности: в одном из них молекула кислорода локализована, вблизи избыточного атома кадмия, в другом - на вакансии серы; В последнем случае кислород взаимодействует не •с одним, а с несколькими ближайшими атомами кадмия и энергия связи будет больше. Из-за акцепторных свойств кислорода образующаяся хемосорбционная связь характеризуется сильным смещением электронной плотности в сторону адсорбированной молекулы. Наличие хемосорбционных состояний, способных локализовать на поверхности избыточный заряд, является необходимым условием для реализации фотоэлектронного механизма десорбции из этих состояний.

Выполненные эксперименты показали, что наблюдается прямая связь между интенсивностью фотодесорбции и концентрацией фотовоз. бузденяых дырок в приповерхностной области полупроводника. Полученная закономерность свидетельствует о реализации в рассматриваемой адсорбционной системе фотоэлектронного механизма десорбции По этому механизму происходит захват неразновесной фотовозбузден-ной дырки на поверхностное состояние адсорбционного происхождения, приводящий к нейтрализации адсорбционного комплекса, разрыву хемосорбционяой связи и к десорбции молекулы в нейтральной форме.

По уменьшению интенсивности фотодесорбционного сигнала при облучении поверхности последовательны.™ световыми импульсажг определено сечение фотодесорбции молекул 02 с поверхности сульфида кадмия, величина которого составляет: С - 2'10~18см2.

' Пятая глава. "Десорбдая атомов и молекул с поверхности ионных полупроводников щи лазерном возбуждении". В главе содержатся результаты экспериментальных исследований энергетических и угловых распределений фотодесорбируемых частиц собственного материала с атоыно-чистых поверхностей монокристаллов сульфида и се-ленида кадмия, а также адсорбированных на них газовых молекул. На основе найденных закономерностей обсуждаются физические механизмы лазерной десорбции с поверхности ионных полупроводников.

В параграфе "Закономерности лазерной фотодесорбцки частиц собственного материала" представлены результаты исследования масс-спектров десорбции и энергетических распределений десорби-руеыых частиц, определенной массы. Показано, что основными составляющими десорбционного потока с поверхностей сульфида и селенида

кадмия являются нейтральные частицы: атомы кадмия и молекулы S2 и Sea . Наиболее принципиальным экспериментальным результа-. том явилось установление присутствия в десорбцнонных потоках двух групп частиц - быстрых и медленных. Во времяпролегннх распределениях как атомов металла, так и молекул металлоида реглет-' рируются два максимума. Наиболее вероятная энергия медленней частиц 0,035 - 0,06 эВ не превышает значений, соответствующих возможным температурам нагрева поверхности, достигаемых под дей- ' стянем световых импульсов, а быстрых 0,15 - 0,4 эВ - скорее всего определяется нетермическими процессами энергопэредачи на поверхности.

Исследовано изменение формы энергетических распределений в зависимости от плотности мощности излучения в импульсе, температуры адсорбционной системы, величины энергия квантов излучения а направления выхода десорбируемых частиц. Проведенные эксперименты показали, что свойства быстрой и медленной компонент pao- . гсределения ло-разно:лу изменяются в зависимости от перечисленных вшо факторов: выход быстрых частиц наблюдается при энергиях квантов, соответствующих области собственного поглощения в адсорбенте; для быстрых частиц характерна резкая направленность цосербции вдоль нормали к поверхности; увеличение интенсивности излучения и дополнительный нагрев образца сопровождаются рез-аил увеличением десорбции медленных частиц.

В параграфе "Исследование десорбции газовых молекул" обсуя-щются результаты исследования масс-спектров и врешшролетных распределении газовых молекул, десорбируемых о поверхности сульфида и селенпда кадмия под действием лазерного излучения. Необхо-цплкм условием изучения десорбтаи газовых молекул является тре-¡ование высокой чувствительности экспериментальной установка, юскольку из-за малых значений коэффициента прилипания адсорб-йонные покрытия могут составлять доли моноелоИного. Отмечается, 1то выход газовых молекул наблюдается при плотности мощности из-сучения несколько меньшей, чем требовалась для десорбции частиц юбетвенного материала.

Ъшщ зарегистрирована десорбция молекул Н2, Н^О, С02, СО и Энергетические распределения шлекул Н^, H¡p и С02 имели 'д:ш маис л;,гл.;, а зла чыи:я энергий в максимума быпг близки к зНа-'енпяи, соответствующим температуре нагрева в импульсе. Однако

прямой корреляции мавду кинетической энергией частиц и температурой нагрева не насЗлюдается, что позволяет связать их появление с неравновесным термодесорбщоннкм механизмом, учитывающим различия значений коэффициентов аккомодации энергии для этих молекул.

Энергетические распределения молекул ц СО характеризуйте, двумя максимумами. Прослеживается аналогия с измеренными распределениями частиц собственного материала. Для молекул и СО были также исследованы закономерности изменения ¿[ормы времяпролег-ных распределении в зависимости от плотности мощности излучения, температуры система, величины энергия кванта и направления де-сорб:с:и. Полученные зависимости находятся в соответствии с аналогичными характеристиками десорбции молекул 5 2 и -5е£.

Определены значения сечений Фотодесорбции молекул кислорода с поверхностей сульфида 2-КГ^см2) и селенида 2•Ю-1''см2) кадмия. Существенно отметить, что величина сечения фотодесорбции молекул кислорода с поверхности суль^ада каддия при наносекунд-ном лазерном возбуждении находится в хорошем соответствии с величиной сечения при возбуждении импульсной лампой—вспылкой.

В параграфе " Физические механизмы лазерной десорбции с поверхности ионных полупроводников" суммируются основные Свойства быстрой и медленной компонент десорбщонного потока:

- Появление' быстрых частиц связано с фотовозбудцением адсорбента в области собственного поглощения, когда в приповерхносг-

' ной области создается высокая концентрация неравновесных Люто-возбужденннх электронов и дырок. При переходе к области несобственного поглощения в распределении преобладают медленные частицы,

- Обнаружено изменение формы энергетических распределений в зависимости от направления выхода частиц с поверхности. Для быстрых частиц характерна преимущественная десорбция в направлении нормали к поверхности, а угловое распределение медленных частиц близко к косинусоидатьному закону.

- Относительное содержание медленных частиц в десорбшонном ' потоке, существенно зависит от тешературы образца - увеличивает-

■ ся пра нагревании и сильно уменьшается при охлаждении.

Перечисленные закономерности свидетельствуют, что при лазер ао-отакулированной десорбции с поверхности ионных полупроводнике;

Сс15 и С[/¿в выход быстрых частиц обусловлен фотоэлектронным механизмом десорбции, а медлишых - тепловым действием света.

Для системы сульфид кадмия - кислород обсу..;дается качественная Омическая модель 'отодесорбдаонного процесса, основанная на взаимодействии сотоЕозбу.кдеиных дырок с отрицательно зарякен-нш адсорбционным комплексом. При рассмотрении прослежено выполнение условия энергетического баланса, принято во внимание изменении характера адсорбционного взаимодействия при нейтрализации хемосорбционного комплекса и возможность диссипации энергии возбужденной десорбируемой частицы. В результате анализа обоснована возмо;хнссть формирования двухкомпонентного энергетического распределения десорбирусмых частиц, выходящих с поверхности полупроводника при фотовозбуздешш.

Шестая глава. "Лазерная фотостимулировашая десорбция с поверхности ковалектных полупроводников" содерскит результаты исследования масс-спектров и энергетических распределений частиц, десорбируемих как с атомно-чистых поверхностей германия и кремния, так и с окисленных поверхностей этих материалов. Определена специфика механизмов лазерно-стимулированной десорбции с поверхности ковалентных полупроводников и прослежено их изменение в процессе окисления поверхностей, приводящим к образованию химических связей ионного типа.

Представлены результаты исследования масс-спектров лазерной десорбции с поверхности германия и кремния со слоем естественного окисла. Наблюдается преимущественная десорбция нейтральных чао-тиц: адсорбированных молекул СО, С02, Н^О, Н2 и частиц собственного материала в виде атомов и С>& , а также молекул&>0 и СеО , Измерены энергетические распределения каждой из десорбци-онных компонент и проелгаено их изменение в зависимости от параметров лазерного излучения. Обнаружено, что средние значения кинетических энергий десорбируемнх частиц существенно превышают значения, соответствующие температуре нагрева поверхности в им- • пульсе, что свидетельствует в пользу нетермического механизма ;}отостимуллрованной десорбции о окисленных поверхностей германия и кремния.

Обсуждаются такке результаты исследования лазерной десорбция с атомно-чистых поверхностей германия и кремния. Обнаружен преимущественный выход "нолотлтельнах ионов собственного материала в

виде Si и Gß . Характерно, что выход ионов наблюдается при плотностях мощности излучения, но приводящих к плавлению поверхности. ■ Эмиссия ионов с поверхности (100) начинается при меньших плотностях мощности излучения, чем с поверхности (III).

Появление десорбции нейтральных атомов германия и кремния зарегистрировано при плотностях мощности излучения,превышающих значения, характерные для плавления поверхностей, вблизи порогов возбуждения лазерной плазмы.

В связи о обнаруженными различиями свойств лазерно-стицули-рованной десорбции с атомно-чистых и окисленных поверхностей ко-валентных полупроводников были проведены систематические исследования изменения десорбциояяых характеристик как в процессе очистки поверхности от окисла, так и при контролируемом окислении атомно-чистой поверхности.

В процессе очистки поверхности германия от окисла при действии последовательных лазерных импульсов одинаковой интенсивности наблюдается исчезновение сигнала молекул GsQ , а интенсивность сигнала атомов Ge уменьшается и достигает стабильного уровня, , .-Который составляет примерно 10$ от интенсивности исходного сиг' нала. Такое поведение свидетельствует о более высокой эффективности десорбции атомов германия с окисленной поверхности, чем с атомно-чистой. Наблюдается также и изменение энергетического распределения десорбируемых атомов германия при переходе от окисленной к атомно-чистой поверхности: распределение с окислен' ной поверхности содержит быструю и медленную компоненты, а с атомно-чистой - имеет один максимум, энергия которого соответствует температуре нагрева поверхности в импульсе. Такое изменение форш распределения свидетельствует о различии механизмов . десорбционных процессов на этих поверхностях.

При окислении (in&ttu ) поверхности кремния (100) просле-л;е'но изменение характеристик лазерной десорбции и обнаружены следующие закономерности: - в десорбвдонном потоке с окисленной поверхности регистрируются молекулы моноокисла St'O и атомы 5/ , - выход нейтральных атомов кремния с окисленной поверхности Происходит при меньшей плотности мощности излучения, чем с атомно-чистой, - интенсивность выхода положительных конов уменьшается по мере окисления поверхности.

В процессе удаления поверхностного окисла последовательными

- т -

лазерными импульсам определены сечения фотодесорбции с окисленных поверхностей германия и кремния. Их значения для атомов Се и молекул составляют - ( 6 - 7 ) Ю-19см2, а для атомов 5/ и . молекул б/О - ( I - 2 ) Прослеживается общая тенден-

ция уменьшения сечения фотодесорбции с окисленных поверхностей германия и кремния по сравнению с десорбцией с поверхностей сульфида и селенида кадмия.

Проведено рассмотрение процессов взаимодействия фотовозбужденной электронно-дырочной системы полупроводника с поверхност- -ними а?оыа\та и молекулярными комплексами, в результате которого объяснены основные наблюдаемые свойства лаэерно-стимулированной десорбции с поверхности германия и кремния и их окислов, Пока-' зано, что в сТо то стимулирование й десорбции существенная роль принадлежит нетермическим процессам энергопередачи от фото возбужденной электронно-дырочной системы к адсорбированной частице, которая сопровождается захватом фотовозбузденных носителей и переза- ! рядкой поверхностных частиц.

В результате сравнительного анализа данных по фэтодесорбцни • с поверхностей ионных а коваяентных полупроводников и изменении десорбционных характеристик при окислении германия и кремния установлена закономерность изменения характера лазерной десорбции от типа химической связи на поверхности, состоящая в том, что при ионной связи преобладает фотодесорбция нейтральных частиц, а при .ковалентной - десорбция положительных ионов.

ОСНОВНЫЕ РйЗУЛЬТАШ РАБОТЫ

Наиболее существенные выводы по работе можно сгруппировать следующим образом:

1. Создана методическая база для исследования процессов фотостимулированной импульсной десорбции на основе непосредственного масс-спектрометрического и энергетического анализа десорбируемнх частиц с привлечением современных методов диагностики состояния поверхности.

2. Развитая в работе методика исследования энергетичеоких

и пространственных распределений частиц, десорбируемнх одиночны- . ш лазерными импульсаш, позволяет определять их кинетические

- гг -

энергии, выделять группы термализованных и нетьрм&тизованных частиц и получать данные о процессах энергопередачи на поверхности.

3. Установлена прямая корреляция мевду концентрацией фотовозбужденных носителей в полупроводнике и интенсивностью «отодо-сорОцик, свидетельствующая об определявшей роли фотовозбузденной электронной системы полупроводника в атомно-молекулярных процессах на поверхности, приводящих к десорбции.

4. В энергетических распределениях лазерно-стимулированной десорбции нейтральных частиц с поверхности ионных полупроводников сульфида и соленида кадмия обнаружены термализованная и не-терматизованная компоненты.

5. Лри оптическом возбуждении поверхности полупроводников реализуются, по крайней мере, два механизма - фотоэлектронный и тепловой. Фотоэлектронный механизм определяет десорбция нетерма-лизованных (быстрых) частиц, а тепловой - термализованных (медленных). Лазерная десорбция с металлических поверхностей в.основном обусловлена тепловым действием света.

6. Установлена корреляция мезду зарядом десорбируемой частицы и степенью ионности ее химической связи с поверхнсотью. В фотодесорбцяи при ионной связи на поверхности преобладает выход нейтральных частиц, а при ковалентной - десорбция положительных иолов.

ОСНОВНЫЕ ПУВШМда 110 ТШЕ ДИССЕРТАЦИЙ Обзорного характера:

£. Лазнева Э.Ф. Фотостимулированная десорбция с поверхности полупроводников// Поверхность. 1988.КЗ.С.5-22.

2. Лазнева Э.Ф. Экспериментальные исследования масс-спектров и энергетических распределений лазерной десорбции// Вопросы электроники твердого тела. Л.19Ь8.Вып.Ю.С.58-61.

3. Лазнева Э.Ф. Механизмы лазерной десорбции//Бопросы электроники твердого тела. Л.1989.Вып.11.С.91-100,

4. Лазнева Э.Ф. Процессы испарения и десорбции с полупроводников при низких интенсивностях лазерного возбуждения// Тез.6 Все-совзи.снмп.ш вторичной й фотоэлектр.эмиссии,Рязань. 1986.С.84.

5. Лазнева Э.Ф. Применение методов энерго- и масс-анализа в

фотодосорбцнонкых исследогалиях// Теэ.Всесоюэн.кояф."Диагностика поверхности". 1\аунасЛ986.С,36.

6. лазнова Э.О. Применен:!о лазерной десорбции для исследования . поверхности// Тез.Бсесоюзн.конф."Г1оверхяосгь-89". Черноголовка Л£89.С.172.

Оригинальные:

7. Быкова V.T. .jiasHGEa Э.ф. Изменение адсорбционного равновесия на поверхности сульфида кадмия под действием светового импуль-.. са// Физ.и техн. пэлупр.1971.'Г. 5,вып. <1.0.774-776.

В. Быкова Т.Т. .Лазиева о.О. Фотопроводимость эштаксиальных слоев сулы}ида кадмия// ¿из.;: техн.полупрЛ972.Т.6,вып.З.С.586-587.

9. Быкова V.T. (Лазлева 0.4). Голь неравновесных неосновных носителей в процессь фотодесорбции с CdS // Физ.и техн.полупр. 1972.Г.6,вып.7.С.1369-1371.

Ю.Быкова 'i'.T. .Лаэнева O.w. О природе мелких уровней прилипания в тонких слоях сульйяда кадмия// Физ.и техн.полупр.1972.Т.6, вып.9.С.I3IB-I82I.

11.Быкова Т.Т.,Лазнева З.Ф..Сергеева Л.А. .Харламов Ю.А. Исследование фотодесорбцпи кислорода с поверхности слоев сульфида кадмия различной структуры// Вопросы электроники твердого те-ла.Л ,1974.Выл.4.С.З-Ю.

12.Быкова ТЛ'.,Лазнева Э.Ф. О механизме фэ годе сорбции кислорода со слоев сульфида кадмия// Вопросы электроники твердого тала. Л.1974.Вып.5.С.7-П.

13.Лазнева Э.Ф. .Быкова 'Г.Т. Роль неравновесных носителей в процессах фотодесорбции// Фотосорбционные и фотокаталитическио явления в гетерогенных системах.НовосибйрскЛ974.Вып.4.С.Ю2-107.

14.Быкова Т.Т. .Лазнева ЭЛ. .Спивакова И.Я. Исследование взаимодействия парабензохинона с поверхностью сульфида кадмия// Кинетика и катализ.1975.T.I6.0.756-760.

15.Быкова 'i'.T. .Лазнева Э.Ф. Фотостимулированная десорбция электроотрицательных шлекул с поверхнсоти сульфида кадмия// Вест** ник Ленингр. ун-та.1975..'('22.С. 53-69.

16.Быкова Т.Т. .Лазнева Э.Ф. .Комолов С.А. Особенности отражения медленных электронов от поверхности слоев сульфида кадияя// Письма в j л\»>. К 7 5 .'i'. I, в ил. 2. J i 92-97.

17.Ьшгаиа ТЛ.,Лазнева эл. Наблпдешю электронно-стиму-тарсвая-

кого изменения состояния адсорбционного слоя на поверхности сульфида кадмия./ Письма в ЛФ.1975.Т.1,еш1.12.С.Ь6В-072.

18. Быкова Т.Т. .Лазнева З.Ф., Комолов O.A. Изменение фотопотен-щала и потенциала поверхности CdS в процессе терыодесорб-ции кислорода// Журн.техн.физ.1976.Т.46,вып.3.0.632-634.

19. Быкова Т.Т. .Лазнева Влияние адсорбции кислорода на ве-величину потенциала поверхности CdS jj Вестник Ленингр. ун-та. 1976.-'¿22. С. 57-61.

SO. Быкова Т.Т. .Лазнева О.Ф. ,'Гавасиев А.£. Десорбция кислорода со слоев селенида кадмия, стимулированная лазерным излучением// Письма в аТФ.1977.1.3,вып.10.467-470.

21. Быкова Т.Т., Лазнева ,1'авасиев A.ä>. .Чебраков Ю.В. Исследование процессов, происходящих при взаимодействии лазерное излучения с поверхностью селенида кадмия// Вестник Ленингр. ун-та.1978.Ж6.С.61-66.

22. Быкова Т.Т.,Лазнева Э.Ф. Фотоактивированная десорбция кисло; да с поверхности сульфида и селенида кадмия// Из в. АН СССР ci физ. 1979. Т. 437Ш. С. 473-477.

23. Быкова Т.Т. .Лазнева Э.Ф. Влияние нагрева на стимулированную светом десорбцию с поверхности CdS и CdSe //.'¿ург. техн.фкз 1979.Т.49.ВЫП.4.С.828-831.

24. Быкова Т.Т.,Лазнева Э.Ф. Иизменениэ потенциала поверхности CdSe в процессе термодесорбции кислорода/'/дурн.техн.физ. 1981.Т.51,вып.1.С.168-171.

25. Дазнева Э.Ф..Александров й.Н. энергетическое распределение нейтральных частиц, десорбируемых с поверхности CdSe под действием света// Гез.З.Всесоюзн.симп. го электронным проце сам на поверхности полупроводников.йэвосибирск. 1980.С. 282.

26. Лазнева Э.Ф.,Тульев A.B.,Александров H.H. Энергетические распределения нейтральных компонент селенида кадмия, испар; мых год действием лазерного излучения// лурн.техн.физ.1981. Т.51,вып.8.С.1690-1694,

26, Лазнева Э.Ф..Быкова Г,Т. Фотодесорбция и адсорбционные состояния на поверхности в системе CdS-Q^// вестник Ленингр. ун-tf а. 1981,№4.С.52-57.

27. Лазнева Э.Ф.»Александров H.H. Сравнительное исследовани лазерного испарения монокристаллов CdSe я металлического Cd, Поверхность.19Ь2.№.С.148-1ЬО.

29. Лазнева Э.Ф..Александров И.Н..Сергеева Л.И. Десорбция атомов и молекул с поверхности селенида кадмия под действием' освещения// ki3B.AH ссср сер.физ.1982.Т.46.Н2.С.2284-2287.

30. лазнева Э.Ф..Выкова ГЛ. Фотодесорбция о поверхности полупроводников и диэлектриков// Электроника поверхности. Л.1982. выпЛ.ОЛ44-154.

31. Лазнева Э.Ф.,'Гуриев A.M. ,Федоров11.Н. О механизме десорбции молекул кислорода с поверхнсоти сульфида и селенида кадмия

при лазерном воздействии// Всесоюзная школа по физике поверх- • ности. Черноголовка.1983.С. III.

32. Лазнева У.О. ,Туриев д.Ы. Исследование масс-спектров и энергетических распределений частиц, десорбируемых о поверхности при лазерном облучении// Вестник Ленингр.ун-та.IS84.MQC.28.

33. Лазнева Э.Ф./Гуриев A.M. Установка для одновременного масс-и энергоанализа продуктов десорбции, возбуждаемой импульсным лазером// Приборы и техн.экспер.1984.й4.С,125-127.

34. Лазнева У. Ф. /Гуриев A.M. Угловая зависимость энергетических . распределений частиц, испаряемых с поверхности GdS при оптическом возбуждении// Поверхность .1986. J«7. С. 10-12.

35. Лазнева Э.Ф. ,Туриев А.М. Десорбция молекул кислорода о поверхности соединений А^В6 в зависимости от энергии возбуждающих квантов// Деп.ВШЫШ от Юиюля 1984.№4931-84-деп. 7с.

36. Лазнева Э.Ф,,Туриев A.M. Энергетические распределения фотоде-сорбированного кислорода с поверхности CdS и CdS>e при пере-•ходе к собственному поглощению// Поверхность. 1986.Ji6.С.142-144.

37. Лазнева Э.Ф.,Федоров И.Н. Исследование иопарения и десорбции с поверхности никеля при лазерном воздействии// Письма в ¿ЯФ. 1986.Т.7,вып.7.С.393-397.

38. Лазнева Э.Ф.,Туриев A.M..Федоров И.Н. Ыасс-спектрометричес-кий анализ фотодесорбции с поверхности германия// Вестник Ленкнгр.ун-та. 1987.М8. С. 23-27.

39. Лазнева Э.Ф.,Федоров И.Н. Фотостимулированная десорбция газовых молекул с поверхности германия// Вестник Ленингр.ун-та. I9d7j:4.C.ü3-d7.

40. Лазнева Э.Ф..Федоров И.Н. Испарение с поверхности кремния при лазерном е03бу:::деш1и//Ш1сьма в ¿£№.1968.1.14.С.637-541,

41. Лазнева Э.Ф.,Баршев И.В..Артамонова Т.0.,Кошлов С.А. Лазерная-очистка поверхности кремния/У Письма в ¿'£ФЛ9оЪ.Т.14, вып. 21.С.2004-2008.

42. Лазнева Э.Ф. ,Федоров И,Н. Исследование лазергай десорбции с поверхности кремния на начальной стадии окисления// Поверхность.1989.М.С. 154-155.

М 30002. Подписано к печати ll.01.e0. Заказ 209. Формат 60*84/16. Объем 1,5 п.л. Тираж 100. Бесплатно.

Ломоносовская типография Ленупризпата 1&6510, г. Ломоносов, пр. Юного ленинпа, 9.