Исследование процессов фотостимулированной дисорбции с поверхности твердого тела тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ЛЛМгП'РАЦСШ ОРЛКНА ЛУКИНА И ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ашзш ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ

ЛАЗЯЙЗА. Элеонора Федоровна

ЯИЛКййШШ ПРОЦЕССОВ ОЮТОСТШУЛИРОБАННОЛ

ДЕСОРБЦИЯ С ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДОГО ТЕЛА Специальность 01.04.07 -физики твердого тела

Автореферат диссертации на соискание ученой степ ели доктора Зкэико-математических наук

На правах рукописи УДК 537.534

Ленинград 13Э0

Работа выполнена в Научно-исследоиательском институте физики Ленинградского государственного университета

Официальные оппоненты:

доктор физико-математических наук, профессор Э.С.ПАИШ'.С

доктор физико-математических наук, профессор Б.В.НОВИКОВ

доктор физико-математических наук, ведущий научниК сотрудник Ю.Н.ЛШП'ОВ

Ведущая организация: Научно-исследовательский

технологический институт г.Рязань

Защита диссертации состоится "_"__1990г.

в ч. и. на заселении Специализированного совета Д.063.57.3«! по защите диссертаций на соискание ученоП степени доктора физико-математических наук при Ленинградском государственном университете по адресу: 199034, Ленинград, Университетская наб.7/9.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке ЛГУ

Автореферат разослан "_"_1990г.

Ученый секретарь Специализированного совета, доктор фиэ.-мат.наук

В.А.Солоиьн1

оаш Ш'АКТШС'ША РАБОТЫ

Актуальность проблемы. В последние годы усилия многих исследователей направлены на изучение процессов, происходщцих да поверхности твердого тела при лазерном воздействии. К таким процессам относятся лазерный отжиг поверхности полупроводников, «¿отостимулированнке химические реакции на поверхности, фотости-муллрованная десорбция агомнь-х и молекулярных частиц. Энергия, необходимая для активации рассматриваемых процессов, поставляется, твердому телу световыми квантами. При этом важное значение приобретает вопрос выяснения механизмов передачи энергии поглощенного светового потока для активации поверхностных процессов.

Предлагаемая диссертационная работа посвящена исследованию процессов фатостимулировашой десорбции с поверхности твердого тела. В закономерностях фотостимулированной десорбции проявляется многообразие физико-химических взаимодействий в фэтовозбужденной электронно-молекулярной систе[|е на поверхности твердого тела. Актуальность исследования фотостимулированной десорбции и связанных о ней электронно-молекулярных процессов определяется их существенной ролью в фундаментальных и прикладных задачах современной физики поверхности и катализа. Изучение этих процессов при возбуждении твердого тела лазерным излучением приобретает важное значение в связи с возможностью использования лазерного излучения в различных областях науки и техники. Например, для развития технологии лазерного отжига иошю-дегировашшх полупроводниковых приборов, для осуществления фотостимулированных реакций на поверхности, для избирательного испарения компонент материалов, для создания новых приборов диагностики состояния поверхности при ее лазерном возбуждении. Изучение фотосяшулированной десорбции и выяснение ее физических механизмов позволят не только глубже понять специфику Зизико-хшжческих свойств поверхности твердого тела, но и послужат основой для разработка принципов их целенаправленного изменения.

Регистрация фотодесорбциошюго эффекта возмбкна как косвенными, так и прямит методами. Косвенные методы основаны на измерении каких-либо характеристик образцов, которые изменяются при десорбции (например, проводимость, работа выхода, фэгоэде), Прямые методы основаны на непосредственной регистрация фотодасор-

бированных частиц и измерении их характеристик. К началу диссертационной работы в литературе имелись отдельные сообщен я о регистрации фотодесорбционного эффекта прямыми методам в некоторых адсорбционных системах. Сведения об измерениях энергетических и пространственных распределений фотодесорбированных частиц в литературе отсутствовали.

Целью диссертационной работц является экспериментальное исследование закономерностей и физических механизмов процесса фото-стимулированной десорбции при оптическом возбувдеши электронной системы твердого тела на основе прямого анализа характеристик десорбируемых частиц и измерения электрофизических характеристик адсорбционных систем.

Методы исследований. В работе созданы установки и разработали методические приемы исследования фогодесорбцни, основанные на непосредственном масс-спектрометрическом и энергетическом анализе дасорбируемых частиц, возбуждаемых как излучением импульсных ламп, так и лазерным излучением в оптическом диапазоне длин волн, В десорбцаонных исследованиях использовалось лазерное излучение относительно низких ингенсивностей (плотность мощности падающего на поверхность излучения 10^-10® Вт/см2). Излучение рассматриваемой мощности не вызывает процессов плазмообразования и разрушения материала» а температура нагрева поверхности в импульсе, как правило, меньше температуры плавления. Полупроводниковые образцы в таких условиях сохраняют свои электрофизические свойства. Характеристики десорбируемых при этом атомных и молекулярных частиц содержат непосредственную информацию о закономерностях поверхностных электронно-молекулярных процессов, приводящих к фотости-мулированной десорбции.

Для получения более полной информации о свойствах адсорбционных систем и для контроля за состоянием поверхности применялись термодесорбционная ыаоо-спвктрометрия, измерения работы выхода,' $отоэдо, оже-элекгронная спектроскопия. Эксперименты проведены в оверхвысоковакуумных условиях ( Ю-7- Ю"8 Па), состав остаточных газов контролировался маос-спектромегрическп.

Объектами исследования служили поверхности металлических и полупроводниковых образцов. На металлических образцах (никель,

кадмий, тантал) исследовалась лазерная десорбция газовых молекул 00, СО2 из адсорбционного слоя и лазерное испарениа частиц собственного материала (атомы никеля, кадмия, тантала). Фотостямули-рованная десорбция исследовалась о поверхностей сулъфвда и с елани да кадмия (полупроводников группы А % , обладавдих большой ионностьп химических связей) и германия и кремния ( ковалентных полупроводников). Изучалась десорбция атомных и молекулярных частиц, входящих в состав исследуемого материала (Сс/ , 52 , , ££ , Се ), а также газовых молекул, адсорбированных на поверхности { СО, С02, Н20, И2). При окислении поверхностей германия и кремния изучалась также десорбция частиц, образовавшихся в результате поверхностной химической реакции ( в основном молекул и й&0 ).

Научная новизну. Систематические экспериментальные исследования фзтодесорбцноняых процессов на поверхности полупроводников, направленные на выяснение физического механизма фотодесорбции, были начаты автором диссертации в конца 60-х годов. В результате исследований установлены новые экспериментальные факты и основные физические закономерности, характеризующие процесс фотостимулиро-ванной десорбции. Ниже приведены наиболее важные оригинальные результаты, впервые полученные в диссертационной работе:

-прямыми масс-спекгромегрическами измерениями зарегистрирован эффект фотодесорбцга кислорода с поверхности сульфида кадмия,

-обнаружено и исследовано влияние внешнего электрического поля на интенсивность фотодесорбщи в системе сульфид кадмия -кислород,

-измерены энергетические распределения частиц собственного материала, десорбируемых с поверхностей сульфида и селенида кадмия при лазерном возбуждении, и обнаружено присутствие в десорб-ционном потоке термализованной и нетермализованной компонент,

-обнаружено изменение формы энергетических распределений десорбируемых частиц в зависимости от интенсивности излучения, величины энергии возбуждающих квантов и угла выхода частиц,

-измерены энергетические распределения газовых молекул 02, СО, С02, н20, Ну, десорбируемых о поверхности сульфида и селетда

кадмая, германия к кремния при лазерном гоэСуждении,

-показано, что в лазерно-стимулировашюй десорбции с атошо чистых поверхностей ковалонтных полупроводников (германии, кремний) преобладает выход подозсительных ионов собственного материала

-установлено, что характеристики лазерной десорбции к цорма энергетических распределений атомов германия и кремния изменяются в процессе окисления поверхностей образцов.

Доотогорносгь результатов определяется комплексным характеров исследований, использованием современных взажодополнявдгх методог Эксперименты выполнены в сверхвысоком вакууме с прлменышем масс-спектрометрии, тершдесорбцаоннои спектрометрии, фотоэлектрических и электронно-спектроскопических измерений. Полученные результаты воспроизводимы как на разных образцах одного материала (монокристаллы, плевки), так и на группах материалов, обладающих подобными физическими свойствами. В ряде случаев результаты подтверждены более поздними данными других авторов.

Практическое значение работы состоит в том, что в ней:

-развита методика определения молекулярного состава, энергетических и пространственных распределений лазерно-десорбаруемых частиц, которая может найти применение в научно-исследовательских лабораториях,

-созданная экспериментальная установка является чувствительным инструментом доя определения локального элементного состава поверхности твердого тела при ее лазерном возбуждении,

-получены рекомендации по режимам лазерной очистки с целью контролируемого получения атомло-чистых поверхностей в условиях сверхвысокого вакуума.

Основные защищаете положения:

I. Разработаны методические основы и создана экспериментальная установка для изучения фотостимулнровониой импульсной десорбции на основе прямого времяпролетного маоо-аиализа десорбируемых частиц,измерения их энергетических и пространственных распределений, объединяющая в одной экспериментальной камере ряд сов] емен-ннх методов диагностики состояния поверхности.

'¿. На задату выносится совокупность новых экспериментальных результатов, состоящих в маос-спекгрокетрическом изучении фотоде-сорбционного эффекта, в измерении распределений десорбируемкх ■частиц по кинетическим энергиям, в обнаружении термализованной и негермалкзованной компонент десорбционного потока с поверхности полупроводников, в установлении зависимости формы энергетического распределения фотодссорбируемкх частиц от интенсивности и даны волны излучения и от угла выхода деоорбируемых частиц.

3. При оптическом возбуждении поверхности полупроводника реализуются, по крайней мере, два механизма десорбции: фотоэлек-троннкй и тепловой, которые приводят к появлению нетермализованн-ой и термализованной компонент в десорбционном потоке.

В лазерной десорбции с металлических поверхностей преобладает десорбция, обусловленная тепловыл действием света.

4. Установлена прядая связь мезду интенсивностью фотодесорб-цвд и концентрацией фотоЕОзбу;к7,енянх носителей в приповерхностной области полупроводника, свидетельствующая об участии фотовоз-бугденной электронно-дырочной системы полупроводника в десорбционном процессе. Этот результат получен на основе параллельных исследований фотодесорбции и фотоэлектрических характеристик образцов, эффекта влияния на фото десорбцию внешнего электрического поля и ее спектральной чувствительности.

5. Сравнительными исследованиям! фотодесорбции с поверхностей конных и ковалентных полупроводников установлена корреляция между зарядом десорбируемой частицы и характером ее химической связи с поверхностью. При ионной связи преобладает десорбция нейтральных частиц, при ковалентной - десорбция положительных ионов.

В диссертации решена актуальная задача физики поверхности твердого тела - исследована фэтостимулированная десорбция путем прямого масс-анализа деоорбируемых частиц и измерения их энергетических и пространственных распределений. Экспериментально обоснован фотоэлектронный механизм десорбции с поверхности полупроводников и установлены закономерности его проявления в зависимости от ионности хемосорбционных связей, что способствует формированию новых представлений о физической природе фотостимулированных электронно-молекулярных процессов, происходящих на поверхности твердого тела.

Личный вклад автора. Диссертация написана по материалам исследований, выполненных на (¿дэическо.м факультете Л1У в период 1968-1989 гг. лично автором и совместно с руководимой группой аспирантов и сотрудников. Непосредственно автором созданы конструкции экспериментальных приборов, вшюлнен большой объем измерений, разработаны качественные модели и принципы интерпретации экспериментальных результатов. Автору принадлежит также постановка задач аспирантских работ, участие в их осуществлении, обработке и обсуздеяии экспериментальных данных. В работе принимали участие студенты старших курсов физического факультета ЛГУ при выполнении курсовых и дипломных работ.

Апробация работы. Результаты работы докладывались, обсудца-лись и были опубликованы в грудах следующих Всесоюзных конференций, школ, симпозиумов:

-14,15,16,17,18 и 19 Всесоюзные конференции по эмиссионной электронике. Ташкент(1970), Киев(1973), Махач-Кала(1376), Ленинграде 1978), Москва(1981), ТашкентС1984),

■ - 4, 5 и б Всесоюзные школы по физике поверхности полупроводников. Ленинград С1979), Одесса( 1982), 0дессаЦ987),

- 4, 5 и 6 Всесоюзные симпозиумы по вторичной и фотоэлектронной эмиссии. Ленинграде1981), Рязань(1983), ?язаль(1986).

-Всесоюзные школы по-физике поверхности. Ташкент(1983), Карпаты(1386),

- 6 Всесоюзное совещание по физике поверхности полупроводников. Киев(1977),

- 3 Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников. НовосибарскС1980),

- 5 Всесоюзный симпозиум по физике и техническому применению полупроводников А^В®. Вильнюс(1983),

- 6 Всесоюзная конференция по- нерезонансному взаимодействию оптического излучения о веществом. Вильнюс(1984).

- 5 Всесоюзный симпозиум по физике поверхности твердых тел.' Киев(1983),

- Всесоюзное совещание "Химическая связь, электронная структура и химические свойства полупроводников". Калиния(1985).

- I Всесоюзная конференция по диагностике поверхности. Каунас (1986),

- 9 Всесоюзный симпозиум "Улоктронные процессы на поверх-

ности полупроводников". Новосибирске1988),

- Всесоюзная конференция "НоБерхносгь-89Черноголовка( 1989),

- Всесоюзный симпозиум "Эмиссия с поверхности полупроводников, в том числе экзоэмиссия".дьвов(1Ш9).

Публикации. Ло материалам диссертации имеется 68 публикаций. Подготовленная к печати монография "Лазерная десорбция" будет опубликована в 1950г. в издательстве Ленинградского университета. Список основных публикаций по теме приведен в конце автореферата.

Диссертация состоит из шести глав, введения и заключения. Общий объем работы £60 страниц, включая 92 рисунка на 59 страницах, 6 таблиц и библиографию ( 351 наименование) на 35 страницах.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОШ

Введение содержит обоснование актуальности работы, в нем сформулирована основная цель диссертационного исследования, кратко рассмотрены экспериментальные методы решения поставленной задачи, перечислены новые полученные результаты и сформулированы защищаемые положения.

Первая глава. "Экспериментальные возможности изучения адсорбционных систем". Атомные и молекулярные частицы удерживаются на поверхности твердого тела силами адсорбционных взаимодействий. Энергетика этих взаимодействий и возникающие распределения электронной плотности определяются физико-химическими свойствами как твердого тела, так и частиц, вступающих с ним во взаимодействие. Непосредственная качественная и количественная информация о свойствах и характере поверхностных взаимодействий мояет быть получена при изучении закономерностей десорбции частиц о поверхности. В связи с этим, в первой главе рассмотрены основные методы десорбционных исследований, нашедшие наиболее широкое применение в современной экспериментальной физике: тердадесорбционная спектрометрия, электронно- и фого-стимулированяая десорбция, возбуждаемая в инфракрасном, оптическом, ультрафиолетовом и рентгеновском диапазонах. Кратко обсуядаэтся физические модели, используемые при анализе экспериментальных результатов и совокупность данных о свойствах адсорбционных систем, получаемых этими методами.

Основное внимание уделяется вопросам, связанным о исследованиями фотостимулированной десорбции, возбуждаемой излучениями

-га-

за оптическом диапазоне длин волн. Обзор результатов по лазерно-стимулированной десорбции с металлических поверхностей показал, что свойства энергетических распределений дессрбпруемнх частиц свидетельствуют о тепловом механизме наблюдаемой десорбции. Ир! этом говорят о лазерной тершдесорбщи.

Более подробно анализируются вопросы Лотодесорбции с нова* кости полупроводников, возникатацей в результате поглощения све вых квантов оптического диапазона в приповерхностной области, возбуждения электронной системы полупроводника и передачи энер1 этого возбуздения поверхностным частицам { (Тотозлвктронный мехе нязм десорбции). В результате анализа экспериментальных и теоре тхческнх работ по уотодесорбцт: показано, что основные выводы о свойствах аотодесорбщюнного процесса были получены по данным косвенных измерений (без прямой масс-спектрометрической регистр зции десорбируешх частиц), а теоретические представления Оазиро вались на электронной теории хемоеорбцяи для идеальной поверхно ти. Последняя основывается на чисто статистических соотношения резарядки адсорбционных центров и не приникает во внимание вопр сов энергетического обмена ме-эду электронно-дырочной системой п лупроводника и адсорбционным комплексом, динамики перестройки электронной структуры комплекса при пароходе между различными а сорбционными состояниям:! и связанного с этим изменения характер потенциального взаимодействия между адсорбентом и адсорбатом.

Далее показано, что новый этап фотодесорбционных исследова кий начался при использовании для возбуждения десорбции импульс ного лазерного излучения. При этом появилась возможность изучен не только масо-спектров фотостимулированной десорбции, но и рао пределений десорбируемых частиц по кинетическим энергиям и по углам выхода. Плотность мощности лазерных иШульсов, используем: для десорбционных исследований, составляет Ю4 - 106 Вт/см2, и воздействие таких импульсов не приводит к образованию поверхнос ной плазмы и к разрушению материала. При лазерном возбуждении ■ реализуются различные механизмы взаимздействия излучения о адсорбционной системой.

В ряде адсорбционных систем реализуется прямое резонансное возбуждение адсорбированных молекул { как правило при возбуждении инфракрасным излучением), Возникает резонансная ¿¡отодесорб-

ция, характеристики которой в основном определяются свойствами адсорбированных молекул и практически не зависят от свойств твердого тела, на поверхности которого происходит адсорбция.

ii случае полупроводникового адсорбента можно оиидать возбуждение десорбции как по фотоэлектронному, так и по тепловому механизмам. При этом начальной стадией является уртовозбуждение системы валентных электронов твердого тела, так что электронные свойства твердого тела в значительной мере будут проявляться в характеристиках ¿отостимулированной десорбции.

Цсрвые сообщения об измерении энергетических распределений частиц, десорбкруемнх с поверхности селенида кадмия при импульсном лазерном возбугсденшг, бьки опубликоваян нами в 1980 г. Несколько позднее появились сообщения зарубежных авторов об исследованиях, энергетических распределений лазерной десорбции с поверхностей кремния и арсенида галлия. В научной литературе развернулась дискуссия относительно .зпределящего механизма наблюдаемой десорбции, однако экспериментальных данных было недостаточно, чтобы аргументированно обосновать модель фотодесорбцион-ного процесса.

В связи с этим в диссертационной работе выполнены систематические сравнительные исследования закономерностей фотостимулиро-вакиой десорбции с поверхностей различных полупроводников и металлов и сделаны экспериментально обоснованные вывода об определяющих физических механизмах десорбция, реализуемых в конкретных адсорбционных системах.

Бтовая глава. "Развитие методов исследования фотодесорбцион-нкх процессов". Основой методов фотодесорбциошшх исследований, разработанных и используемых в диссертации, служит непосредственная тасс-спектромегричесяая регистрация десорбируемых частиц. Необходимость регистрации малых изменений парциальных давлений, вызываемых фотодесорбцией, предъявляет высокие требования к вакуумным условиям эксперимента.

Приводится описание конструкций приборов, в которых бшга выполнены первые эксперименты по исследованию фотодесорбционного процесса. Разработанная методика измерений предусматривала тщательное обезгазкивашз стеклянных отпаянных приборов, в которых ( in situ. ) можно было термическим испарением, приготовлять исследуемые слои сульфида и селенида кадмия, параллельно с фэтоде-

сорбцией изучать электрические и фотоэлектрические характеристики образцов, проводить контролируемую адсорбцию. Возбуздсшио <То-тодесорбции осуществлялось излучением импульсной лампы-вспышки.

Следующим этапом явилась разработка и создание сверхвысоко-вакуумной цельнометаллической установки с безмасляной откачкой ( рабочий вакуум 1СГ7 - Ю-8 Па) для исследования закономерностей лазерно-стимулировандай десорбции. Приведено описание схемы, принципа действия и различных режимов установки Для воэбуздешя десорбции использовались наносекундаые импульсы излучешш рубинового и неодимового лазеров. Молекулярный состав первичных продуктов десорбции определялся с помощью времяпролетного масс-анализа-тора. Применен режим прямого пролета от образца до ьхода в масс-спектрометр. Измерение энергетических распределений осуществлялось с использованием двух участков пролета. Для получения вре-мяпролетных распределений частиц, десорбируемых одиночным лазерным импульсом, использовался специальный рексим синхронизацщ работы лазера, ионного вентиля, ионного источника масс-спектрометра и развертки регистрирующего осциллографа. Времяпролетные распределения эквивалентны распределениям десорбируемых частиц по скоростям.

Далее обсуздаются вопросы формирования сигнала при измерении времяпролетншс распределений, экспериментального определения приборной функции, которая характеризует преобразование формы исходного максвелловского распределения при регистрации в приборе, оценки чувствительности при измерении времяпролетных распределений нейтральных частиц в сравнении о чувствительностью относительно регистрации десорбируемых ионов. Показано, что предельным значением чувствительности можно считать регистрацию десорбции ~ Ш*"4' монослойного покрытия.

На дополнительных фланцах установки смонтированы устройства, позволяющие осуществлять контроль за состоянием поверхности современными методами, а также проводить обработки исследуемой поверхности в вакуумных условиях. К ним относятся: ионная пушка для очистки поверхности, фланцевый электронный спектрометр для измерения оже-спектров поверхности и для контроля за изменением работы выхода, устройство для реализации тершдесорбцпоиного эксперимента.

Возможности комплексного контроля за состоянием поверхности

проиллюстрированы на примере лазерной очистки поверхности кремния от оклела, В результате показано, что лазерная десорбция может служить не только инструментом для очистки поверхности, но и является чувствительным методом для определения ее элементного состава.

Развитые в диссертации методы исследования импульсной фото-дссорбцни, позволяющие, измерять непосредственно характеристики десорбируемых частиц и параллельно исследовать электрические и фотоэлектрические свойства образцов, с поверхности которых происходит десорбция, позволили голучить новые данные, характеризующие фотодесорбционный процесс и взаимодействие фотовоэбузден-ной электронной системы твердого тела о поверхностными атомами и молекулами.

Третья глава. "Десорбция и .юпарение, обусловленные тепловым действием света - лазерная геркодесорбция". Поглощение излучения оптического диапазона в твердом теле сопровождается возбуждением его электронной системы. Величина энергии, запасаемой в электронной система, определяется интенсивностью излучения, коэффициентом поглощения, длительностью светового импульса и временем казни возбужденных электронных состояний. В металлах время жизни возбужденных электронов мало { 1СГ^с ), и

при используемых параметрах источников излучения доля энергии, остающаяся в возбужденной электронной системе, мала. Остальная поглощенная энергия вследствие фэнонной релаксации возбужденных электронов идет на нагрев твердого тела. В связи с этим фото-стимулированная десорбция с металлических поверхностей в основном будет определяться эффектом теплового действия света.

В третьей главе обсуждаются вопросы теплового действия световых импульсов. Рассмотрены основные модели нагрева металлических и полупроводниковых образцов и полученные при их анализе температурные характеристики поверхности. Показано, что результаты расчетов температуры нагрева поверхности находятся в хорошем соответствии с экспериментальными данными. Воздействие светового импульса вызывает импульсный нагрев поверхности: длительность теплового импульса примерно в два - три раза превышает длительность светового.

Приведены результаты исследования лазерной термодиоорбщги с металлических поверхностей в системах М(1Я)-С0, /Л (Ш)-СО^, Та - СО, а также испарения атож® собственного материала с поверхностей никеля и кадяя, /¡спарекие частиц собственного материала происходит при плотности мощности излучения, превышающей значения, характерные для удаления молекул адсорбщхшашшх газов Обсуждаются результаты измерений зависимостей интснспэностн де-сорбционного сигнала, а теаие форщ времяпролстных распределений от плотности мощности излучения. Проведенный анализ экспериментальных данных показал, что фэрма изморенных распределений по скоростям соответствует максвелловской, что свидетельствует о квазиравновеешм термическом характере десорбции. ¡зависимость количества десорбируемкх частиц и температуры десорбционного лучка от плотности мощности излучения находится в соответствии с расчетом, выполненным для адсорбционной системы никель - СО.

В рассматриваемом интервале ннтснсивностей излучения температура не превшала температуры плавления. Совокупность экспериментальных фактов свидетельствует о термическом механизме десорбции с металлических поверхностей.

Существенным результатом проведенного исследования явилось установление основных свойств лазерной термодесорбцж, знание которых необходимо при анализе характеристик лазерно-стимулиро-ванной десорбция с шьерхности полупроводниковых образцов для выявления десорбционной компоненты, обусловленной тепловым действием света.

Четвертая глава. Исследование фотодесорбции кислорода с поверхности сульфида и селенида кадмия". Ута глава содержит основные результаты по масс-спектрометрической регистрации дотоде-сорбции кислорода при параллельном измерении электрических и фотоэлектрических характеристик адсорбентов - пленок сульфида и селенида кадмия при их освещении излучением импульсной лампы. ■

В параграфе "Изменение потенциала поверхности и фэтоэде при адсорбции и тормодесорбции кислорода" приведены результаты исследования приповерхностного изгиба зон вследствни зарядки хешеорбционнкх состояний на пленочных образцах различной структуры к его изменений при адсорбции и термодесорбщш кислорода. Методом терыодссорбпдонноМ вспышка установлено наличие двух

фаз хемосорбированного кислорода, характеризуемых энергиями связи ü,S и I,i¡ эВ (CdS ) и о,6 и 1,2 эВ ( Cd$>t ). Исследование изменения 'Готопотенциала и потенциала поверхности показали, что хсмосорбциокные состояния молекул кислорода имеют отрицатель-пил заряд, что находится в соответствии о акцепторными свойст- ■ ваш кислорода.

Б параграфе "Закономерности фотодесорбцни акцепторных молекул с поверхности сулырзда кадмия"обоуздаются эксперименты, в которкх масс-спектроштрически обнаружена фотодесорбция молекул кислорода и парабензоонона. Специфика cío то десорбции со слоев различной структуры (мопокристаллические, поликристаллические) свидетельствует о существенной роли диффузии молекул по границам зерен и другим нарушениям структзры в объем слоя. Проведены параллельные исследования зависимости от интенсивности излучения фотоэлектрических характеристик (люкс-амперных и релаксационных) образцов к фотодесорбцаоншго сигнала. Установлена корреляция в их изменении, свидетельствующая о том, что резкое возрастание эффективности яотодесорбцни наблюдается в том же диапазоне ин-тенсивностей излучения, в котором происходит быстрое увеличение концентрации фотовозбуздонных дырок.

Экспериментально обнаружен и исследован эффект влияния внешнего электрического поля на интенсивность фотодесорбцшг с поверхности сульфида кадмия. Наблюдается увеличение фотодесорбции, когда действие электрического поля способствует подходу фоговоз-бу;:дош!кх дырок к поверхности, при перешяе знака электрического поля Зотодесорбцля ослабляется.

Исследования температурной зависимости интенсивности фото-стимулированной десорбции с поверхности сульфида и оеленида кадмия показали, что при дополнительном подогреве образцов и при относительно высоких ингенсивяосгях излучения в десорбцлонном потоке может присутствовать компонента, обусловленная тепловым действием света. Иредмхсн способ выявления тепловой компоненты при сравнительном аначлзе термодссорбцкоиного спектра и температурной зависимости фогостимулированной десорбции.

В параграфе "Адсорбционные состояния и ^отодесорбция в системе сульфид кадмия - кислород" рассмотрена специфика 4орми-рования хемссорбционных состояний кислорода на поверхности сульфида кадмия. ¿вь хл.юсорЗппоннке !азы кислорода, обнаруженные

в экспериментах, могут быть связаны с разными адсорбционными состояниями на поверхности: в одном из них молекула кислорода локализована вблизи избыточного атома кадмия, в другом - на вакансии серы; Б последнем случае кислород взаимодействует не •с одним, а с несколькими блшсайвими атомами кадмия и энергия связи будет больше. Из-за акцепторных свойств кислорода образующаяся хемосорбцпонная связь характеризуется сильным смещением электронной плотности в сторону адсорбированной молекулы. Наличие хешсорбционных состояний, способных локализовать на поверхности избыточный заряд, является необходимым условием дая реализации фотоэлектронного механизма десорбции из этих состояний.

Выполненные эксперименты показали, что наблюдается прямая связь между интенсивностью фотодесорбдаи и концентрацией фотовоз-бувденных дырок в приповерхностной области полупроводника. Полученная закономерность свидетельствует о реализации в рассматриваемой адсорбционной системе фотоэлектронного механизма дгсорбции. По этоцу механизму происходят захват неравновесной фотовозбузден-ной дырки на поверхностное состояние адсорбционного происхождения, приводящий к нейтрализации адсорбционного комплекса, разрыву хеыосорбционной связи а к десорбции молекулы в нейтральной форма.

По уменьшении интенсивности фотодесорбцконного сигнала при облучении поверхности последовательными световыми импульаама определено сечение фотодесорбвди молекул 02 с поверхности сульфида кадмия, величина которого составляет: С = 210~18см2.

Пятая глава. "Десорбция атомов и молекул с поверхности ионных полупроводников щи лазерном возбуждении". В главе содержатся результаты экспериментальных исследований энергетических и угловых распределений фотодесорбируемых частиц собственного материала с атоыно-чистых поверхностей монокристаллов сульфида и се-ленида кадмия, а также адсорбированных на них газовых молекул. На основе найденных закономерностей обсуздаются физические механизм» лазерной десорбции с поверхности ионных полупроводников.

В параграфе "Закономерности лазерной фотодесорбции частиц собственного материала" представлены результаты исследования масс-спектров десорбцки и анергетнческнх распределений десорбируемых частиц.определенной, массы. Показано, что основными состав-лящеш десорбциоикого потока с поверхностей сульфида и селенида

кадмия являются нейтральные частицы: атомы кадмия и молекулы ^й и • Наиболее принципиальным экспериментальным результа- . том явилось установление присутствия в десорбцзонных потоках двух групп частиц - быстрых и медленных. Во времяпролетных распределениях как атомов металла, так и молекул металлоида регист-' рируются два максимума. Наиболее вероятная энергия медленных частиц 0,0о5 - 0,0о зВ не превышает значений, соответствующих возможным температурам нагрева поверхности, достигаемых под дей- ' ствием световых импульсов, а быстрых 0,15 - 0,4 эВ - скорее всего определяется нетермическиш процессами энергопередачи на поверхности.

Исследовано изменение формы энергетических распределений в зависимости от плотности мощности излучения в импульсе, температуры адсорбционной системы, величины энергии квантов излучения и направления выхода десорбируемых частиц. Проведенные эксперименты показали, что свойства быстрой и медленной компонент рас- . пределения по-разному изменяются в зависимости от перечисленных выше факторов: выход быстрых частиц наблюдается при энергиях квантов, соответствующих области собственного поглощения в адсорбенте; для быстрых частиц характерна резкая направленность цосербцют вдоль нормали к поверхности; увеличение интенсивности излучения и дополнительный нагрев образца со проводи евтея резким увеличением десорбции медленных частиц.

В параграфе "Лсследование десорбции газовых молекул" обсуж-цаются результаты исследования масс-спектров и времяпролетных распределений газовых молекул, десорбируемых с поверхности сульфида и селенида кадмия под действием лазерного излучения. Необхо-цимкм условием изучения десорбгам газовых молекул является тре-Зование высокой чувствительности экспериментальной установки, тоскольку из-за малых значений коэсМяцкента прилипания адсорбционные покрытия могут составлять доли монослойшго. Отмечается, сто выход газовых молекул наблюдается при плотности мощности изучения несколько меньшей, чем требовалась для десорбции частиц собственного материала.

Ьыла зарегистрирована, десорбция молекул Н^, Н^О, С02, СО и ).,. Энергетические распределения колекул Н^, Н^О и СС^ иыела )днн максимум, а значения энергий в максимума бкаг близки к знаниям, состевтсте^х^м те лзературе нагрева в импульсе. Однако

прямой корреляции между кинетической энергией частиц и температурой нагрева не наблюдается, что позволяет связать их появлеше с неравновесным термодесорбциокнъм механизмом, учитывающим различия значений коэффициентов аккомодации энергии для этих молекул.

Энергетические распределения молекул 02 к СО характеризуйте; двумя максимумами. Прослечшвается аналогия о измеренными распределениями частиц собственного материала. Для молекул и СО были также исследованы закономерности изменения <|орг.ш врекяпролет-ных распределений в зависимости от плотности мощности изучения, температуры системы, величины энергия кванта и направления де-сорб'аи» Полученные зависимости находятся в соответствии с аналогичными характеристиками десорбции молекул Б г и 5 е2.

Определены значения сечений йотодесорбции молекул кислорода с поверхностей сульфида (~2-10_1®см2) и селенида 2 кадмия. Существенно отметить, что величина сечения йотодесорбцш молекул кислорода с поверхности сульфида кадмия при наносекунд-ном лазерном возбуждении находится в хорошем соответствии с величиной сечения при возбуждении импульсной лампой-вспышкой.

В параграфе " Физические механизмы лазерной десорбции с поверхности ионных полупроводников" суммируются основные 'свойства быстрой и медленной компонент десорбционного потока:

- Появление' быстрых частиц связано с <£отовозбувдением адсорбента в области собственного поглощения, когда в приповерхност-

' ной области создается высокая концентрация неравновесных фотовозбужденных электронов и дырок. При переходе к области несобственного поглощения в распределении преобладают медленные частицы.

- Обнаружено изменение ц,орш энергетических распределений в зависимости от направления выхода частиц с поверхности. Для быстрых частиц характерна преимущественная десорбция в направлении нормали к поверхности, а угловое распределение медленных частиц близко к косинусоидалькому закону.

- Относительное содержание медленных частиц в десорбшонном ■ потоке■существенно зависит от температуры образца - увеличивает-

■ ся при нагревании и сильно уменьшается при охлзвдении.

Перечисленные закономерности свидетельствуют, что при лазер-но-стймуллрОБаняой десорбции с поверхности ионных полупроводнике!

Сс/Й и С(/Вв выход быстрых частиц обусловлен фотоэлектронным механизмом десорбции, а медленных - тепловым действием света.

Для системы сулы/ад кадшгя - кислород обсудается качественная физическая модель <Тогодесорбцнонного процесса, основанная на взаимодействии сТотосозбу.аденнкх дырок с отрицательно заряженным адсорбционнкг« комплексом. При рассмотрении прослежено выпол- ■ пение условия энергетического баланса, принято во внимание изменение характера адсорбционного взаимодействия при нейтрализации хемссорбционного комплекса и возможность диссипации энергии воз-бу.данной десорблруемой частицы. В результате анализа обоснована возмо:хнссть фэргароваяяя двухломпонентного энергетического распределения десорбируемых частиц, выходящих с поверхности полупроводника при 1|отовозбуйдеши.

Шестая, глава. "Лазерная фотостикулированная десорбция с поверхности коваленгных полупроводников" содержит результаты ис-следовашгя масс-спектров и энергетических распределений частиц, десорбируемых как с атомно-чисткх поверхностей германия и кремния, так и с окисленных поверхностей этих материалов. Определена специфика механизмов лазерно-стимулироввдной десорбции с поверхности ковалентных полупроводников и прослежено их изменение в процессе окисления поверхностей, приводящим к образованию химических связей ионного типа.

Представлены результаты исследования масс-спектров лазерной десорбции с поверхности германия и кремния со слоем естественного окисла. Наблюдается преимущественная десорбция нейтральных частиц: адсорбированных молекул СО, СО2, Н^О, Н£ и частиц собственного материала в виде атомов 5( и Се , а также молекул ¿>0 и Се0 . измерены энергетические распределения каждой аз десорбци-онных компонент и прослежено их изменение в зависимости от Параметров лазерного излучения. Обнаружено, что средние значения кинетических энергий десорбируемых частиц существенно превышают значения, соответствующие температуре нагрева поверхности в импульсе, что свидетельствует в пользу нетермического механизма ¡¡отостимулировонной десорбции о окисленных поверхностей германия и кремния.

Обсу.кдаются такке реэультатн исследования лазерной десорбция с атомно-чистых поверхностей германия и кремния. Обнаружен преимущественный гнход цолотлтельних ;:снов собственного материала в

+ +

виде S/ и Ge . Характерно, что вшсод иоков наблюдается при плотностях мощности излучения, не приводящих к плавлению поверхности. Эмиссия ионов с поверхности (100) начинается при меньших плотностях мощности излучения, чем с поверхности (III).

Появление десорбции нейтральных атомов германия и кремния зарегистрировано при плотностях мощности излучения,превышающих значения, характерные для плавления поверхностей, вблизи порогов возбуждения лазерной плазмы.

В связи с обнаруженными различиями свойств лазерно-стимули-рованной десорбции с атомно-чистых и окислешшх поверхностей ко-валентных полупроводников были проведены" систематические исследования изменения десорбционных характеристик как в процессе очистки поверхности: от окисла, так и при контролируемом окислении атомно-чистой поверхности.

В процессе очистки поверхности германия от окисла при действии последовательных лазерных импульсов одинаковой интенсивности наблюдается исчезновение сигнала молекул GeO , а интенсивность сигнала атомов бе уменьшается и достигает стабильного уровня, ..лдт'орый составляет примерно IQ% от интенсивности исходного сигнала. Такое поведение свидетельствует о более высокой эффективности десорбции атомов германия с окисленной поверхности, чем с атомно-чистой. Наблюдается также и изменение энергетического распределения десорбируемых атомов германия при переходе от окисленной к атомно-чистой поверхности: распределение с окисленной поверхности содержит быструю и медленную компоненты, а с атомно-чистой - имеет один максимум, энергия которого соответствует температуре нагрева поверхности в импульсе. Такое изменение формы распределения свидетельствует о различии механизмов десорбционных процессов на этих поверхностях.

При окислении {¿nsitu ) поверхности кремния (100) просле->,:s'ho изменение характеристик лазерной десорбции и обнаружены следующие закономерности: - в десорбционном потоке с окисленной поверхности регистрируются молекулы моноокисла StO и атомы , - вшсод нейтральных атомов кремния с окисленной поверхности происходит при меньшей плотности мощности излучения, чем с атомно-чистой, - интенсивность выхода положительных ионов уменьшается ш мере окисления поверхности.

В процессе удаления поверхностного окисла последовательными

- т -

лазерными импульсами определены сечения фотодесорбции с окисленных поверхностей германия и кремния. Их значения для атомов Се и молекул составляют ~ ( 6 - 7 ) 10~19см2, а для атомов 5/ и . молекул ¿¡'О - ( I - 2 ) Ю~13см2. Прослеживается общая тенденция уменьшения сечения фотодесорбции с окисленных поверхностей германия и кремния по сравнению с десорбцией с поверхностей сульфида и селонпда кодатя.

Проведено рассмотрение процессов взаишдействкя фотовозбужденной электронно-дырочной системы полупроводника с поверхност- -шли атомами и г.» л окулярными комплексами, в результате которого объяснены основные наблюдаемые свойства лазерно-стимулированной десорбции с поверхности германия и кремния и их окислов. Пока-' зано, что в фотостимулированной десорбции существенная роль принадлежит нетермическим процесс ил энергопередачи от фотовозбужденной электронно-дырочной системы к адсорбированной частице, которая со про воздается захватом фотовозбузденных носителей и перезарядкой поверхностных частиц.

В результате сравнительного анализа данных по фотодесорбции • с поверхностей ионных и ковалентных полупроводников и изменению десорбцконных характеристик при окислении германия л кремния установлена закономерность изменения характера лазерной десорбции от типа химической связи на поверхности, состоящая в том, что при ионной связи преобладает фотодесорбция нейтральных частиц, а при -ковалентноЯ - десорбция положительных ионов.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

Наиболее существенные выводы по работа мояно сгруппировать следующим образом:

1. Создана методическая база для исследования процессов фотостимулированной импульсной десорбции на основе непосредственного масс-спектрометрического и энергетического анализа до-сорбируемых частиц с привлечением современных методов диагностики состояния поверхности.

2. Развитая в работе методика исследования энергетических

п пространственных распределений частиц, десорбирусмых одиночны- . ми лазерным;! импульсами, позволяет определять их кинетические

- ш -

энергии, выделять группы термализованных и нетьрмалмзованных частиц и получать данные о процессах энергопередачи на поверхности.

3. Установлена прямая корреляция мевду концентрацией ¿ото-возбужденных носителей в полупроводнике и интенсивностью сТотодо-сорбцяи, свидетельствующая об определяющей роли фотовозбужденной электронной системы полупроводника в атоыно-молекулярных процессах на поверхности, приводящих к десорбции.

4. В энергетических распределениях лазерно-стабулированной десорбции нейтральных частиц с поверхности лонных полупроводников сульфида и селенида кадмия обнаружены термализованлая и не-термадизованная компоненты.

5. При оптическом возбуждении поверхности полупроводников реализуются, по крайней мере, два механизма - фотоэлектронный и тепловой. Фотоэлектронный механизм определяет десорбции кетерма-лизоваккых (быстрых) частиц, а тепловой - термализованных (медленных). Лазерная десорбция с металлических поверхностей в-основном обусловлена тепловым действием света.

6. Установлена корреляция менаду зарядом десорбируемой частицы и степенью ионности ее химической связи с поверхнсотью. В фотодесорбции при ионной связи на поверхности преобладает выход нейтральных частиц, а при коваяентной - десорбция положительных ионов.

ОСНШШЙ ПУБЛИКАЦИИ ПО ТИЛЕ ДИССЕРТАЦИЯ Обзорного характера:

I. Лазнева Э.Ф. Фотостимулированная десорбция с поверхности

полупроводников// Поверхность.1988Лёй.С.5-^2. Я. Лазнева Э.Ф. Экспериментальные исследования масс-спектров и энергетических распределений лазерной десорбции// Вопросы электроники твердого тела. Я.1983.Вып.10.С.50-81.

3. Лазнева Э.Ф. Механизмы лазерной десорбции// Вопросы электроники твердого тела. Л.1989.Вып.П.С.91-100.

4. Лазнева Э.Ф, Процессы испарения и десорбции с полупроводников при низких интенсивностях лазерного возбуждения// Тез,6 Все-совзн.сикп.ш вторичной к фотоэлектр.эмиссии.Рязань. 1986.С.84.

5. Лазнева Э.Ф. Применение методов энерго- и масс-анаяиза в

фотодссорбциошшх исследованиях// Тез.Всесоюзн.конф. "Диагностика поверхности". Каунас.1986.С,36.

6. лазнева Э.О. Применение лазерной десорбции для исследования поверхности// Тез .Всесоюзн.конф."Поверхность-бЭ". Черноголов-

ка.1£В9.СЛ72.

Оригинальные:

7. Быкова ¿.'Г..лазнева Э.Ф. ¿¡зменение адсорбционного равновесия на поверхности сульйяда кадмия под действием светового импуль-.. са//' йиз.к тсхн. полу пр. 1971. Т. 5, вып. 4. С. 774-776 .

Ь. Быкова Т. Г. .Лазнева c».i>. йотопрсводишсть эпитаксиальных слоев сульфида кадшя// «из.и техн.подупр.1972.Т.6,вып.З.С.566-587.

9. Быкова Т.Т..Лазнева О.Ф. Роль неразновесных неосновных носителей в процессе фотодесорбции с Ш5 // -йиз.и техн.полупр. IS72. Т. 6, вып. 7. С. 1069-1571.

Ю.Быкова Т.Т.,лазнева d.w. О природе мелких уровней прилипания в тонких слоях сульйзда кадмия// Смз.и техн.полупр.I972.T.6, вып.Э.С.1818-1821.

11.Быкова ТЛ', .Лазнева О.Ф. .Сергеева Л.А, .Харламов Ю.А. Исследо-ваште фотодесорбции кислорода с поверхности слоев сульфида кадмия различной структуры// Вопросы электроники твердого те-ла.Л.Х974.Вып.4.С.З-10.

12.Быкова Т.Т. .Лазнева Э.Ф. О механизме фотодесорбции кислорода со слоев сульфида кадмия// Вопросы электроники твердого тела. Л.1974.ВЫП.5.С.7-11.

13.Лазнева З.Ф. .Быкова 'Г.'Г. Роль неравновесных носителей в процессах фотодесорбции// Фотосорбционные и <]отокагалитическио явления в гетерогенных системах.Новосибирск.1974.Вып.4.С.102-107.

14.Быкова 'Г.Т. .Лазнева э.Ф. .Спивакова И.Я. Исследование взаимодействия парабензохшюна с поверхностью сульфида кадмия// Кинетика и катализ.1975.Т.16.Ü.756-760.

15.Быкова Т.Т. .Лазнева У.Ф. Фотостимулированная десорбция электроотрицательных молекул с поверхнеоти сульфида кадмия// Вестник Ленингр.ун-та.1975 Jf22.C. 53-59.

16.Быкова Т.Т.,Лазнева а.Ф.,Момолов С.А. Особенности отражения медленных электронов от поверхности слоев су.ты}ида кадияя// Письма в аТФ. 1^75.Т.Г,вшт. 2.С*92-97.

17.Бнкоьа Т.1.,Лазнера ИаЛтадеше алектронно-стрляровав-

но го изменения состояния адсорбционного слоя на поверхности сульфида кадмия./ Письма в Л^Х .Еш.Х^.С.Ьба-чЗУг.

18. Быкова Т.Т. .Лазнева 3.0., Комолое С.А. Изменение фогопоген-циала и потенциала поверхности CdS в процессе термодесорбции кислорода// Журн.техн.физ.1976.'Г.40,вып.З.С.632-634.

19. Быкова Т.Т. .Лазнева Э.й. Влияние адсорбции кислорода на ве-величину потенциала поверхности CdS // Вестник Ленингр. ун-та. 1976. &22. С. 57 -61.

20. Быкова Т.Т. .Лазнева О.Ф..Тавасиев A.w. Десорбция кислорода со слоев селенида кадмия, стимулированная лазерным излучен» ем// Письма в да.1977Л'.3,вып.10.0.467-470.

21. Быкова Т,Т.» 'Дазнева Э.4. .Тавасиев А.Ф. .Чебраков Ь.В. Иссле дование процессов, происходящих при взаимодействии лазерног излучения с поверхностью селенида кадмия// Вестник Ленингр. ун-та. 1978 .Ш. С. 61 -68.

22. Быкова Т.Т.«Лазнева Э»4>. Фотоактивированная десорбция кисло да с поверхности сульфида и селенида кадмия// Изв.АН СССР с фйЗ.1979.Т.437й3.С.473-477.

23. Быкова Т.Т. Дазнева Ü.4. Влияние нагрева на стимулированную

1 ■ светом десорбцию с поверхности CdS и Cdèe. //¿урн.техн.физ

1979.Т.49,вып.4.С.828-831.

24. Быкова Г.Т.,Лазнева Э.ф. Низменение потенциала поверхности CdSe в процессе термодесорбции кислорода/'/лурн.техн.физ. Х981.Т.51,вып.1.С.168-171.

25. Лазнева Э.Ф.,Александров /1.Н. энергетическое распределение нейтральных частиц, десорбируемых с поверхности Cd Se шд действием света// Тез.З.Всесоюзн.симп. по электронным проце сам на поверхности полупрошдников.Новосибирск.1980.С.282.

25. Лазнева Э.Ф..Тульев A.B.,Александров й.Н. Энергетические распределения нейтральных компонент селенида кадмия, испар! та. вод действием лазерного излучения//' лурн.техн.физ.1981, T« 51,вып.В.С.1690-1694.

26. Лазнева Э.Ф.»Быкова Т.Т. Фотодесорбция и адсорбционные состояния на поверхности в системе GdS-<j,,JJ Вестник Ленингр. ун-tf а. 1981. M. С. 52-57.

27. Лазнева Э.Ф.»Александров И.Н, Сравнительное исследовани лазерного испарения монокристаллов CdSg и металлического Cd, Поверхность,I9ü2Jtö.С.148-150.

29. Лазнева Э.Ф.,,Александров И.Н. .Сергеева JL.ll, Десорбция атомов и молекул с поверхности селеяида кадмия под действием' освещения// Изв.АН СССР сер.физ. 1982.Т.46..1Ы2. С. 2284-2287.

30. Лазнева Э.Ф. .Быкова Т. Т. Фотодесорбция о поверхности полупроводников и диэлектриков// Электроника поверхности. Л.1982. внп.1.0.144-154.

31. Лазнева Э.Ф.,Гуриев A.il. .»'едоровИ.Н, 0 механизме десорбции молекул кислорода с поверхнсоги сульфида и селенида кадмия

при лазерном воздействии// Всесоюзная школа по физике поверх- ■ ности. Черноголовка. 1983, О. III,

32. Лазнева а.С?. /Гуриев A.M. Исследование масс-спектров и энерге- ' тических распределений частиц, десорбируемых о поверхности

при лазерном облучении// Вестник Ленингр,ун-та.I984.M0C.28.

33. Лазнева а.Ф..'Гуриев A.M. Установка для одновременного масс-и энергоанализа продуктов десорбции, возбуждаемой импульсным лазером// Приборы и техн.экспер.1984.М.С.125-127.

34. Лазнева Э.Ф. ,'Гуриов А.М. Угловая зависимость энергетических , распределений частиц, испаряемых с поверхности GdS при оптическом возбуздешш// Поверхность. 1985.№7.С. 10-12.

35. Лазнева Э.Ф.,Туриев A.M. Десорбция молекул кислорода о поверхности соединений А^В6 в зависимости от энергии возбуждающих квантов// Деп. ВИН/ПИ от Юиюля 19Б4.М931-в4-деп. 7с.

36. Лазнева Э.Ф,,Гуриев А.М. Энергетичеокие распределения фотоде-сорбированюго 1шслорода о поверхности CdS и Gc/Se при переходе к собственному поглощению// Поверхность. 1986.Ш.С, 142144.

37. Лазнева Э.Ф.,Федоров И.Н. Исследование испарения и десорбции с поверхности никеля при лазерном воздействии// Письма в ЖК5. 1986.Т.7,вып.7.С.393-397.

38. Лазнева Э.Ф./Гуриев A.M.,Федоров И.Н. Масс-спектрометричес-кий анализ фотодесорбции с поверхности германия// Вест!шк Ленингр. ун-та. 1987.Н8. С. 23-2?.

39. Лазнева Э.Ф.,Федоров И.Н. Фо то стимулированная десорбция газовых молекул с поверхности германия// Вестник Ленннгр.ун-та. I9tt7.£4.C.8o-<37.

40. Лазнева Э.Ф,,Федоров И.Н. Испарение о поверхности кремния при лазерном возбу::;дешш//Ш1Сьма в Л*Ф.19Б8.Т. 14.0.537-641,

41, Лаэнева Э.Ф.,Баршев И.В.,Артамонова Т.О.,Комзлов С.А. Лазерная очистка поверхности кремния// Письма в <д'Гй.19Ь8.Т.14. вш1. 21. С . 2004-2008.

42, Дазнева 3.4?.,Федоров И,Н. Исследование лазерной десорбции с поверхности кремния на начальной стадии окисле!шя// Поверхность. 1969.М.С.154-155.

М 30002. Поаписаяо к печати 11.01.90. Заказ 209. Формат 60x84/16. Объем 1,5 п.л. Тираж 100. Бесплатно.

Ломоносовская типография Ленуприздата 180310, г. Ломоносов, пр. Юного ленинаа, В.