Исследование процессов прохождения переходных токов монополярной инжекции в диэлектриках с моноэнергетическими ловушками тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

Глава I. АНАЛИЗ СОВРЕМЕННОГО СОСТОЯНИЯ ТЕОРИИ ТОКОВ МОНОПОЛЯРНОЙ ИНЖЕКЦИИ В ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ слоях.;. ю

1.1. Определение тока монополярной инжекции,условия его проявления.

1.2. Контактные явления.

1.3. Стационарный ток монополярной инжекции.

1.4. Переходной ток монополярной инжекции.

1.5. Постановка задачи исследования.

Глава 2. ТЕОРИЯ ПЕРЕХОДНОГО ТОКА В ДИЭЛЕКТРИКАХ ПРИ

ОГРАНИЧЕННОМ УРОВНЕ МОНОПОЛЯРНОЙ ИНЖЕКЦИИ.

2.1. Формулировка задачи.

2.2. Анализ возможных механизмов прохождения переходного тока монополярной инжекции через диэлектрические слои.

2.3. Анализ переходного тока монополярной инжекции в диэлектриках при линейном законе эмиссии.

2.4. Переходной ток в диэлектрических слоях при нелинейном законе монополярной инжекции.

2.5. Обсуждение результатов и выводы по главе

Глава 3. МЕТОДЫ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ ПЕРЕ' ХОДНЫХ ТОКОВ МОНОПОЛЯРНОЙ ИНЖЕКЦИИ В' ди

ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЯХ.

3.1. Компенсационный метод измерения переходных токов в диэлектрических слоях.

3.2. Мостовая измерительная схема с ключевыми мостовыми элементами.

3.3. Интегрирующий метод измерения переходного тока.

3.4. Импульсный компенсационный метод измерения напряжения плоских зон.

3.5. Метод установления механизма прохождения переходного тока, монополярной инжекдии в диэлектрических слоях.

3.6. Выводы по главе 3.

Глава 4. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИИ ПРОЦЕССОВ ПРОХОЖДЕНИИ ПЕРЕХОДНОГО ТОКА ЧЕРЕЗ ТОНКИЕ ПЛЕНКИ НИТРИДА КРЕМНИЯ - КОМПОНЕНТЫ МНОП-СТРУКТУР.

4.1. Локальные коротковременные токи в диэлектрических пленках - компонентах МНОП-струк-тур (Область сверхвысоких электрических полей).

4.2. Исследование переходного тока инжекции электронов в МНОП-структурах (Область вы -соких электрических полей).

4.3. Выводы по главе 4.

За последние три десятилетия возникло и интенсивно развивается новое направление физической электроники - диэлектри -ческая электроника, изучающее электрофизические процессы в диэлектриках и широкозонных полупроводниках.Перспективность этого направления связана с широким применением диэлектрических материалов в качестве активных и пассивных компонент приборов современной микроэлектроники, оптоэлектроники и квантовой электроники. Для большинства этих приборов характерен неста -ционарный режим работы, время переключения приборов микроэлектроники уже достигло пикосекундного диапазона [I]. В связи с этим возникла необходимость детального изучения нестационар -ных токов в диэлектрических слоях.

В частности, за последние два десятилетия интенсивно изучались процессы прохождения переходного инжекционного тока (ПИТ) в диэлектрических слоях. Поскольку процесс прохождения ПИТ сопровождается формированием объемного заряда, сосредоточенного на ловушках в диэлектрическом слое, то в настоящее время этот эффект широко используется в элементах памяти (см., например, [2]). Отметим, что кроме чисто практических задач по расчету электрических и энергетических характеристик при -боров с диэлектрическими компонентами, исследования процессов, возникающих при прохождении ПИТ, представляют большой физический и методический интерес, связанный с уникальной возможностью разделения во времени (и, поэтому, - отдельного изуче -ния) различных эффектов, определяющих характер измерения ПИТ.

Поэтому, представляется актуальным теоретический и экспериментальный анализ задачи о прохождении переходных токов монополярной инжекции через диэлектрические слои, содержащие моноэнергетические центры захвата носителей. Однако, обзор ли -тературных данных, проведенный ниже, показал, что к настоящему времени еще не создана общая теория переходных токов мо -нополярной инжекции, описывающая все возможные механизмы релаксации тока (даже в рамках модели моноэнергетических цент -ров захвата). Не ясен также вопрос о возможном числе качест -венно отличающихся друг от друга возможных механизмов режк -сации тока к стационарному значению. Мало изучен вопрос о влиянии уровня инжекции носителей с границы на переходной процесс, и, в частности, - о влиянии нелинейного закона эмиссии на релаксацию тока. Недостаточное развитие теории сказывается также на существующих методиках измерения величин, характеризующих переходной процесс,и определения электрофизических параметров путем исследования ПИТ.

В соответствии со сказанным выше, целью настоящей диссертационной работы являлось

1. теоретический и экспериментальный (на примере модель -ных МДП-структур, изготовленных на основе пленок нитрида кремния) анализ процессов прохождения переходного тока монополярной инжекции в диэлектрических слоях при наличии моноэнергвти-ческих ловушек,

2. разработка новых методов измерения величин, характеризующих переходной процесс, установления механизма переходного процесса и определения электрофизических параметров диэлектрического слоя.

Диссертация состоит из введения, четырех глав и заключе

Основные результаты исследований опубликованы в работах [170-174, 176-178, 180,181,185,189].

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить глубокую благодарность своим научным руководителям старшему научному сотруднику кандидату физико-математических наук Э.Г.Косцову и старшему научному сотруднику доктору физико-математических наук В.К.Малиновскому за постоянное внимание, поддержку в работе и полезные обсуждения результатов. Хочется выразить признательность также Е.Е.Меерсону за содействие и помощь в проведении совместного эксперимента.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.:'Мир, 1973.

2. Адирович Э.И. Электрические поля и токи в диэлектри -ках.- Физ.тв.тела,I960,т.2, № 7, с.1410-1422.

3. Адирович Э.И., Атабаева А.Н., Рубинов В.М., Кабов Ю.М. Кремний как материал для диэлектрической электроники. Физ. и техника полупроводников, 1971,т.5, te II, с.2052-2057.

4. Адирович Э.И.,Арифов У.А.,Атабаева А.Н.,Клименко К.Ф., Лютович А.С.,рубинов В.М. Эмиссионные токи в кремниевых эпи-таксиальных слоях. В кн.: Проблемы диэлектрической элект -роники. Ташкент: ФАН, 1974, с.76-84.

5. Губанов А.И. Теория выпрямляющего действия полупроводников.-М.: ГИТТЛ, 1956, с.74-82.

6. Адирович Э.И. Влияние автоэлектронной эмиссии на распределение сильных полей в твердых телах. Изв. Afr'CCCP.Cep. физ., I960, т.26, № I, с.41-48.

7. Shokley W., Read W.T. Statistics of the recombination of holes and electrons.- Phys.Rev.,1952,vol.87,N 5,P*835-842.

8. Hall E.N. Electron-hole recombination in germanium. -Phys.Rev., 1952,vol.87, N 2,p.387

9. Блатт Ф.Д. Теория подвижности электронов в твердых телах. М.-Л.: ГИФМЛ, 1963,с.27-29,55-58.

10. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г. Физика полупроводников. М.: Наука, 1977.

11. Тамм И.Е.,Основы теории электричества. М.:Наука, 1976, с.416-418.

12. Бару В.Г., Индришенок В.И., Яснопольский Н.Л. К теории фоторазрядки диэлектрика. Учет рекомбинации. Радиотехника и электроника, 1968,т.13, te I, с.175-177.

13. Пекар С.И. Теория контакта металла с диэлектриком или полупроводником. Ж. эксп. и теор.физ.,1940,т.10, № II, с.1210-1224.

14. Simmons J.G. Bichardson-Schottky effect in solids. -Phys.Bev.Letters, 1965,vol.15, N 25,p.967-968.19» Shousha A,H.M. On the charge profiles in thin dielectric films. Phys.Letters, 1980,vol.A80,N p.305-308.

15. Shatzker M. Injection into insulators in the presense of space charge.- J.Appl.Phys.,1978,vol.49,N 9,p«4868-4872.

16. Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. Í.I.: ГИФМЛ, 1958.

17. Fowler R.H., Nordheim L. Electron emission in intense electric fields.-Proc.Roy.Soc. ,1928, v.A 119, Ni 781, p.173-181.23* Nordheim L. Die theorie der electron-emission der metalle. Phys.Zs.,1929,Bd 30, N 7,S.177-196.

18. Guth E., Mullin C.J. Electron emission of metals in electric fields. III. The transition from thermoionic to cold emission.- Phys.Eev.,1942,vol.61, Ser.II,p.339-348.

19. Lenzlinger M., Snow E.H. Fowler-Nordheim tunneling •into thermally grown SiOg.- J.Appl.Phys.,1969,vol.40, N 1, p.2^8-283.

20. Гершинский A.E., Косцов Э.Г. О механизме прохождения тока в тонкопленочных структурах М-Д-М. Физ.тв.тела,1967,т.9, № 6, с.1695-1701.

21. Гершинский А.Е., Косцов Э.Г. Об асимметрии прохождения тока через тонкопленочные системы МДМ. Физ.тв.тела,1968,т.10, № I, с.263-266.

22. Гершинский А.Е., Косцов Э.Г. О нестабильности величины тока в тонкопленочных структурах М-Д-М. Физ.тв.тела, 1967,т.9, № 12, с.3672-3675.

23. Bardeen J. Surface states and rectification at a metal semi-conductor contact. Phys.Eev.,1947,vol.71, N 10, p.717-727.

24. Смирнов Ю.П., Мамедов Н.Г. Исследование переходной области границы раздела Ai-Sio2* В кн.: Сб. научн. трудов по проблемам микроэлектроники. Физикоматематическая серия. М.: МИЭТ MB ССО РСФСР, 1974,вып.18, с.158-164.

25. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. М.:Мир, 1966.

26. Бьюб Р. Фотопроводимость твердых тел.- М.: Изд.иностранной литературы, 1962.

27. Roberts G.G., Tredgold E.H. Space charge injection into impurity semiconductors.- J.Phys.Chem.Solids, 1963»vol. 24, N 11,p.1263-1270.

28. Тиман Б.Л., Фесенко В.М., Гулевич Г.М. Инжекционные токи в широкозонных полупроводниках. Физ. и техника полупроводников, 1977, т.II, № 6, с.1195-1199.

29. Пискарев В.В., Яржембицкий В.Б. Примесная фотопроводимость в условиях монополярной инжекции. Изв.Вузов. Физика, 1978, № 10, с.126-128.

30. Тиман Б.Л., Фесенко В.М. Токи, ограниченные пространственным зарядом, при наличии доноров. Физ.и техника полупроводников, 1968,т.2, № 2, с.272-275.

31. Яснопольский Н.Л., Индришенок В.И., Крикунов Ж.А. Теория прохождения тока скозь тонкие слои диэлектриков (монополярных полупроводников). В кн.: Вопросы пленочной электроники. М.: Сов. радио, 1966, с.328-346.

32. Мотт Н., Герни Р. Электронные процессы в ионных кристаллах. М.: Изд.иностранной литературы, 1950, с.193-199.

33. Shockley W., Prim R.C. Space-charge limited emission in semiconductors.-Phys.Rev.,1953,v.90,N 5,P*753-758.

34. Schilling R.B., Schachter H. Neglecting diffusion in space-charge-limited carrents. J.Appl.Phys.,1967,vol.38,1. 2,p.841-844.

35. Яснопольский Н.Л., Индришенок В.И., Крикунов Ж.A. Роль диффузии носителей в прохождении тока сквозь слои ди -электриков. В кн.: Вопросы пленочной электроники. М.: Сов. радио, 1966, с.347-361.

36. Meirsschaut S. One-carrier space-charge-limited currents in solids, containing double-level centers. Sol. St. Electron. ,1976,vol.19, N 7,P*633-637.

37. Rizzo A., Minossi G., Tepore A. Space-charge-limited currents in insulators with two sets of traps distributed in energy: Theory and experiment.- J.Appl.Phys.,1977, vol.48, N 8,p.3415-3^24.

38. Парицкий JI.Г., Розенталь A.M. Монополярная иняекция в условиях неоднородного объемного распределения ловушек. -Физ.и техника полупроводников,1970,т.4,№ 3,с.537-541.

39. Sworakowski J. Space-charge-limited currents in solids with nonuniform spartial trap distribution. J.Appl. Phys.,1970,vol.14, N 1,p.292-295»

40. Hwang W., Kao K.C. A unified approach to the theory of current injection in solids with traps uniformly and non-uniformly distributed in space and in energy, and size ef -fects in anthracene films. Sol.St.Commun.,1972,vol.15, N 5, p.523-529.

41. Гильденблат Г.Ш., Кораченцев А.Я., Поташев Ю.Н. Влияние неоднородности диэлектрика на токи, ограниченные прост -ранственными зарядами,- Физ.и техника полупроводников,1977, т.II,112 6,с.Ю84-Ю87.

42. Schnittler Ch. The influence of spartial trap distribution on the SCLC characteristics of insulating films ahd related problems of trap analysis. Phys.St.Sol. (A),1979) vol.52, IT 1,p.K53-K56.

43. Розенталь А.И.,Парицкий Л.Г. Т003 в высокоомном полупроводнике при малых напряжениях.- Физ.и техника полупро -водников, 1971,т.5, № 12, с.2387-2390.

44. Frenkel J. On pre-breakdown phenomena in insulators and electronic semiconductors. Phys.Rev.,1938,vol.54, N 8, p.647-648.55* Hartke J.L. The three-dimentional Pool-Frankel ef -feet. J.Appl.Phys.,1968, vol.39, IT 10,p.4871-4873.

45. Adamec V., Calderwood J.H. Electrical conduction in dielectrics at high fields. J.Phys.D.,1975,vol.8,IT 5, p.551-560.57* Bobe W., Fritzsch L. Pool-Frenkel effect on centres with sereened Colomb potential. Phys.St.Sol.(B),1974,vol. 61, N 1,p.K35-K39.

46. Arnett P.C., Klein N. Pool-Frenkel conduction and the neutral trap. J.Appl.Phys.,1975,vol.46, N 3,p.1399-1400.59* Murgatroyd P.N. Theory of space-charge-limited current enhanced by Frenkel effect. J.Phys.D.,1970,vol.3,N 2, p.151-156.

47. Райкерус П.А. Токи в диэлектриках, ограниченные пространственным зарядом, при наличии ловушек, обладающих куло-новским потенциалом. Радиотехника и электроника,1971,т.16, № 4,с.609-б1£.

48. Панов Б.П., Вергунас Ф.И., Гаврилов В.В. О причине, вызывающей резкое нарастание тока в кристаллах Cds. Изв. Вузов. Физика, 1969, № 6, с.148-150.

49. Mead С.A. Eelctron transport mechanisms in thin insulating films.-Phys.Rev.,1962,vol.128,N 5,P«2088-2093»

50. Баранов A.B., Троян Л.А. Механизм электропроводности в структурах Ai-Si^-Ai. Изв.Дузов. Физика, 1973, № 10, с.20-24.

51. Винецкий В.Л., Файнгольд М.И. Теория вольт-амперной характеристики беспримесного диэлектрика и "определение" параметров псевдоловушек. Укр.физ.ж.,1981,т.26, № 4, с.541-548.

52. Косман М.С., Слепуов А.И. Токи инжекции и накопление поляризационного заряда в sbsi. Физ.тв.тела,1971,т.13,10, с.3084-3086.

53. Frank E.I., Simmons J.G. Space-charge effects on emission-limited current flow in insulators. J. Appl.Phys., 1967,vol.38, IT 2,p.832-84©.

54. Розенталь А.И., Калда А.А. Теория тока, ограниченного объемным зарядом^с учетом эффектов Ричардсона-Шоттки и Пула-Френкеля, В кн.: Проблемы диэлектрической электрони -ки. Ташкент: ФАН, 1974, с.263-269.

55. Zahn M., Pao S.-C., Tsang C.F. Effects of excita -tion rize-time and charge injection conditions on the transient field and charge behaviour for unipolar conduction.-J.Electrostatics,1976,vol.2, N 1,p.59-78.

56. Тиман Б.Л., Фесенко В.М. Переходные процессы в диэлектриках при больших напряженностях электрического поля. -Физ.и техника полупроводников,1968,т.2, № II, с.1692-1694.

57. Gregory B.L., Jordan A.G. Experimental investigation of single injection in compensated silicon at low temperatures.-Phys.Eev.A, 1964,vol.134,N 5,p.1378-1386.

58. Kassing R., Lenz H. Determination of the capture rate Cn of the gold acceptor level from single injection n+-i-n+ silicon SCLC diodes.- Phys.St.Sol.(A),1974,vol.25,N 1, p.131-139*

59. Kassing R., Lenz H. Properties of the gold acceptor state in silicon.-Phys.St.Sol. (A),1974,vol.26, N 1,p.155-165.

60. Dudeck I., Kassing R. New results of the transient behaviour of single injection SCLC diodes with one deep level. -Phys.St.Sol.(A),1975,vol.30, U 2,p.489-493

61. Бару В.Г., Темницкий Ю.Н. Переходные фотоинжекцион-ные токи в изоляторе, ограниченные пространственным заря -дом и контактом. Физ. и техника полупроводников, 1971,т.5,1. II, с.2142-2150.

62. Boudry M.R. Computed transient solution for the M.S.M. diode with traps.-Electron.Lett.,1968,vol.4, IT 10,p.193-195«95« Rosental A. Time dependence of space-charge conduction. -Phys. Lett, A,. 1973,vol.46, N 4,p.270-272.

63. Arnett P.O. Transient conduction in insulators at high fields. J.Appl.Phys.,1975,vol.46, N 12,p.5236-5243.99* Yun B.H. Direct display of electron back tunneling in MNOS devices.-Appl.Phys.Lett.,1973,vol.23, N 3,p.152-153

64. Yun B.H. Measurements of charge propagation in Si^ films.-Appl.Phys.Lett., 1974,vol.25,N 6,p.340-342.

65. Walden E.H. A method for the determination of high-field conduction laws in insulating films in the presence of charge trapping.-J.Appl.Phys.,1972,vol.43,N 3,p.1178-1186.

66. Wintle H.J. Absorption currents end steady currents in polymer dielectrics.-J.Non-Cryst.Solids,1974,vol.15,N 3, p.471-486.

67. Tabak M.D., Schaife M.E. Transition from emission-limited to space-charge-limited photoconductivity.-J.Appl. Phys.,1970,vol.41, N 5,p.2114-2116.

68. Тарантов Ю.А., Булавинов B.B., Барабан А.П., Коно-ров П.П. Электронные процессы на поверхности кремния в системе электролит-диэлектрик-полупроводник. Поверхность,1982, Ш 6,с.34-41.

69. Taylor D.M., Lewis T.J. Electrical conduction in polyethylene terephthalate and polyethylene films.- J.Phys. D,1971,vol.4,N 9,p.1346-1357.

70. Побережец И.И.Дарук П.Е. ТОПЗ при ограниченной эмиссионной способности инжектирующего контакта. Физ. и техника полупроводников, 1983,т.17,№ 6,c.I02I-I024.

71. Conti M., Vanin A. Oxide and nitride conduction mechanisms in MNOS structures.- Thin Solid Films,1972,vol.14, N 2,p.211-220.109« Maes H.E., Van Overstraeten R.J. Low-field transi -ent behaviour of MOS devices.-J.Appl.Phys.,1976,vol.47,N 2, p.664-666.

72. Svensson C., Lundstrom I. Trap-assisted charge injection in LINOS structures.-J.Appl.Phys. ,1973,vol.44, N 10, p.4657-4663.

73. Frohman-Bentchkowsky D., Lenzlinger M. Charge transport and storage in metal-nitride-oxide-silicon (MNOS) structures.- J.Appl.Phys.,1969,vol.40, N 8,p.3307-3319«

74. Gritsenko V.A., Meerson E.E., Sinitsa S.P. Unsteady silicon nitride conductivity in high electric fields.- Phys. St.Sol.(A),1978,vol.48, N 1,p.31-37»

75. Lundstrom K.I., Svensson C.M. Properties of MNOS structures.-IEEE Trans.Electron Devices,1972,vol.ED-19,N 6, p.826-836.

76. Wintle H.J. Time-dependent photocurrents in polyethylene. -J.Polym.Sci.,1974,vol.12, N 10,p.2135-2151«115» Honig E.P., de Koning B.E. Transient and the alternating electric currents in thin organic films«- J.Phys.G, 1978,vol.11, N 15,P«3259-3271.

77. Faroog M.V., Hirsch J. High field absorption current and space charge measurements on thin films of AsgS^« Sol. St.Commun.,1974,vol.15, N 8,p.1417-1419«

78. Pulfrey D.L., Wilcox P.S., Young L. Dielectric properties of Ta20^ thin films•-J.Appl.Phys.,1969,vol.40, N 19, p.3891-3898«

79. Nathoo V., Mason P.E. High-field transient behaviour of thin BP sputtered Al-AlgO^-Al films.-J.Phys.C, 1975, vol.8, N 16,p.L351-L356.

80. Гергель B.A., Масловский B.M. Переходные процессы при захвате заряда в диэлектриках. Микроэлектроника,1979, т.8, № 4, с.357-361.

81. Gritsenko V.A., MeersonE.E., Mogilnikov К.P., Si-nits а S.P. High-field conductivity of amorphous insulator films.-Phys.St.Sol.(A),1979,vol.52,И 1,p.47-57«

82. Вайнер Б.Г., Колоссанов В.А., Курышев Г.Л. Накопление заряда в МДП-структурах на основе insb « Физ. и техника полупроводников, 1979,т.13, Ш 4,с.735-740.

83. Ногин В.М., Ройзин Н.М. Механизм проводимости и дрейф поверхностного заряда в МДП-структурах. Микроэлектроника, 1974,т.3,№ I,с.35-41.

84. Агафенов А.И., Плотников А.Ф., Селезнев В.Н. Пере -ходные процессы в МНОП-структурах и их связь с нестабильностью электрических характеристик приборов. Ж.техн.физ., 1983,т.53, Ш 4,с.1089-1095.

85. Jonscher A,K. Movement of charge carriers in lossy dielectrics. J.Phys.D, 1980,vol.13, N 7,р«Ы37-Ы41.

86. Гершун А.С., Тиман Б.Л. Исследование закономерное -тей нестационарного тока в системах металл-диэлектрик-металл. Докл.АН СССР, 1967,т.173, Ш 2,c.3I0-3II.

87. Гершун А.С., Тиман Б.Л. Нестационарные процессы,протекающие в системах металл-диэлектрик-металл в постоянном электрическом поле. Физ.и техника полупроводников, 1968,т.2, N2 4-,с .4-88-4-91.

88. Гершун А.С., Тиман Б.Л. Перенос вакансий и электрические процессы в кристаллах сульфида кадмия. Физ.тв.тела, 1968,т.10, № 5, с.1583-1585.

89. Brown F.C. Temperature dependence of electron mobility in AgCl.-Phys.Rev.,1955,vol.97, N 2,p.355-362.

90. Sandomirsky V.B., Musakhanova N.M. Time-of-flight technique in semiconductors with controlled variation of effective mobility.- Sol.St.Commun.,1981,vol.40,N 5,p.607-608.

91. Marshall J.M., Owen A.E. The hole drift moMlity in vitreous selenium.- Phys.St.Sol.(A),1972,vol.12, N 1,р.181-191.

92. Kondrasiuk J., Lipinski A., Szymanski A. Charge carrier drift mobility determination in thin insulator films. -Mater.Sei.,1975,vol.1, N 2,p.27-33'

93. Kershaw R., Miller L.S. High-field injection cur -rent in sulphur.- Sol.St.Commun.,1978,vol.25, N 12,p.1153-1156.

94. Simhony М., Shaulof A. Investigation of trapping in iodine single crystals by repeating carrier injection.-Phys. Rev.,1966,vol.146, N 2,p.598-600.

95. Lemke H. Zur zeitabhängigkeit raumladungsbegrenzter injektionsströme in halbleitern.-Phys.St.Sol.,1966,vol.16,1. N 2,p.413-426.

96. Losee D.L. Admittance spectroscopy of deep impurity levels: ZnTe Schottky "barriers.- Appl.Phys.Lett.,1972,vol.21, IT 2jp.54-56.

97. Kobayashi A., Mori T. Electron traps in CdS single crystals obtained by admittance spectroscopy on the Hetero-and'Schottky junctions.- Appl.Phys.,1979,vol.18, N 4,p.345-352.

98. Wessels B.W. Determination of deep levels in Cu-do-ped GaP using transient current spectroscopy.-J.Appl.Phys., 1976,vol.47, N 3,p.1131-1133.

99. Balland В., BlondeauR., Pinard P. Transient current trap spectroscopy (TOTS) in GaAs/GaAlAs heterojunctions.-Sol. St.Commun.,1978,vol.26, N 11,p.679-683.

100. Кардона M. Модуляционная спектроскопия.-М.:Мир,1972.

101. Lanrenceau P., Dreyfus G., Lewiner J. New principle for the determination of potential distribution in dielectrics.- Phys.Rev.Lett.,1977,vol.38, N 1,p.46-49.

102. Розно А.Г., Громов В.В. Измерение плотности распределения объемного заряда в твердых диэлектриках. Письма в JOTi>,I97$,T.5, № II,с.648-651.

103. Sessler G.M., West J.E., Berkley D.A. Determination of spatial distribution of charges in thin dielectrics.-Phys. Rev.Lett.,1977,vol.38, N 7,p.368-371.

104. Лыук П., Пийльма M., Кире Я. О новом методе обнаружения объемного заряда, инжектированного в диэлектрик из электрического контакта.- Изв.АН СССР.Физика, математика, 1969,т.18, № I,c.I09-II2.

105. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия,1973.

106. Милне А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир,1977, с.241-246.

107. Frohman-Bentchkowsky D. The metal-nitride-oxide-silicon (MNOS) transistor characteristics and application.- Proс.IEEE,1970,vol.53, N 8,p.1207-1219«

108. Багинский Й.Л., Косцов Э.Г. Особенности определения подвижности носителей заряда в изоляторах путем исследования переходного тока. Физ. и техника полупроводников,1981,т.15, № II, с.2209-2215.

109. Багинский И.Л., Косцов Э.Г. Переходной ток монопо -лярной инжекции в диэлектриках при наличии сильного захвата.- Новосибирск,1980. 21 с. (Препринт/ ИА ид СО АН СССР:124).

110. Baginskii I.L., Kostsov e.g. Transient single-in -ejection currents in dielectrics at fast trapping. Phys.St. Sol.(A) ,1981,vol.1,p.271-279«

111. Багинский И.Л., Косцов Э.Г. Теория переходного тока в диэлектриках при ограниченном уровне монополярной инжекции.- Новосибирск, 1^83. 41 с. (Препринт/ИАиЭ СО АН СССР:2П).

112. Багинский И.Л., Косцов Э.Г. Переходной ток в диэлектрических слоях при нелинейном законе монополярной инжекции.- Новосибирск,1983. 29 с. (Препринт/ ИАиЭ СО АН СССР:216).

113. DiMaria D.J. Determination of insulator bulk trapped charge densities and centroids from photocurrent-voltage characteristics of MOS structures.-J.Appl.Phys.,1976,vol.47, N 9,P«4073-4077«

114. Багинский И.JI. Вольт-амперные характеристики диэлектриков с ловушками при неоднородном освещении. Автометрия, 1981, № 5,с.68-73.

115. Лайне М., Гласс А. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы. М.: Мир, 1981, с.164-171.

116. Багинский И.Л., Косцов Э.Г., Меерсон Е.Е. Экспери -ментальные исследования процесса коротковремянного накопления заряда в диэлектрических слоях. Новосибирск, 1982. - II с. (Препринт/ ИАиЭ СО АН СССР: 176).

117. Baginskii I.L., Kostsov E.G., Meerson Е.Е. Pulse technique for flat-band voltage measurements in MIS structures.- Phys.St.Sol.(A),1983,vol.77, N 2,p.K99-K102.

118. Pao H.C., O'Connel M. Memory behaviour of an MNS capacitor.- Appl.Phys.Lett.,1968,vol.12, N 8,p.260-262.

119. Lundkwist L., Lundstrom I., Svensson C. Discharge of MNOS structures.- Sol.St.Electron.,1973,vol.16, N 7,p.811-823184. Muller J., Schick B. Transient responses of a pulsed

120. MIS capacitor. - Sol.St.Electron.,1970,vol.13, N 10,p.1319-1332.ои на границе раздела": Тез.докл.- Баку: изд. Аз.ПИ,1982,с.17-19.

121. Воробьев Г.А., Мухачев В.А.,Руднев А.Н. О механизме пробоя диэлектрической пленки моноокиси кремния. Ж.техн. физ. ,1968,т.38, № II, с.1966-1972.

122. Lehovec К., Fedotowsky A. Charge retention of MNOS devices limited Ъу Frenkel-Poole detrapping.- Appl.Phys. Lett.,1978,vol.32, N 5,P«335-338.

123. Косцов Э.Г. Влияние особенностей микрорельефа по -верхности электродов на характер нарушения электрической прочности диэлектрических пленок. Изв.^узов. Физика, 1970,№ 7, с.32-36.

124. Багинский И.Л., Косцов Э.Г. Эффект резкого возрастания импульсного тока в диэлектрических слоях при воздействии сильных электрических полей. Автометрия,1978I,с.78-85.

125. Чане В.Г., Мор К.Х.,ред. Электрический взрыв полу -проводников. М.:Мир,1965.

126. Кольдяев В.И., Свиташев К.К. Математические модели физических процессов инкекции и релаксации заряда в диэлектрических слоях МДП-транзисторов с памятью. Новосибирск,1981. - 83 с. (Препринт / ИФП СО АН СССР: 59-81).

127. Ross Е.С., Walmark J.Т. Theory of the switching behaviour of MS memory transistor.- RCA Rev.,1962,vol.30, N 2, p.365-361.i -(203^193» Dorda G-«, Pulver M. Tunnel mechanism in MNOS structures.- Phys.St.Sol.(A),1970,vol.1, N 1,p.71-79»

128. Ferris-Prabhu A.V. Maximum tunneling distance in MHOS devices.- Phys.St.Sol. (A),1972,vol.11, N 1,p.81-86.195» Ferris-Prabhu A.V. Tunneling theories of non-viol-ative semiconductor memories.- Phys.St.Sol. (A),1976,vol.33, N 1,p.243-250.

129. Maes H., Van Overstraeten R.J. Simple technique for determination of centroid of nitride charge in MNOS structures.- Appl.Phys.Lett. ,1975,vol.27, N 5,P»282-284.

130. Мальцев А.Й., Масловский B.M., Нагин А.П., Поспе лов B.B., Сурис Р.А., Фукс Б.И. Пространственное распределение объемного заряда в диэлектрике МНОП-отруктуры. Микро -электроника,1976,т.5, № 3, с.240-249.

131. Svensson C., Lundstrom I. Theory of thin-oxide M.N.O.S. memory transistor.- Electron.Lett.,1970,vol.6, Ы 20,p.645-647