Исследование термодинамических свойств точечных дефектов в соединениях A II B UI , находящихся в неравновесном состоянии тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ

1.1. Свойства и применение сульфида цинка

1.2. Общая характеристика основных промышленных методов получения сульфида цинка

1.3. Влияние технологических параметров на химические свойства сульфида цинка

1.4. Собственное разупорядочение в сульфиде цинка

1.4.1. Термодинамика точечных дефектов

1.4.2. Экспериментальные методы определения типа и концентрации точечных дефектов

ГЛАВА II. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА

2.1. Объекты и методы исследования

2.2. Методы исследования электрофизических характеристик сульфида цинка

2.3. Методика синтеза экспериментальных образцов

2.3.1. Отжиг сульфида цинка, полученного в заводских условиях

2.3.2. Получение сульфида цинка из оксалата цинка

2.3.3. Получение сульфида цинка из кристаллогидрата хлорида цинка

2.3.4. Анализ используемых образцов гпБ

ГЛАВА Ш. ИЗУЧЕНИЕ ТЕРМОДИНАМИКИ СОБСТВЕННЫХ

ТОЧЕЧЕНЫХ ДЕФЕКТОВ В

3.1. Разработка и аттестация методики эксперимента методом МФЭ

3.2. Разработка экспериментальной установки методом мгновенного фиксирования ЭДС (МФЭ)

3.3. Изучение избыточных термодинамических параметров в ZnS методом МФЭ

ГЛАВА IV. ИЗУЧЕНИЕ ВОЗМОЖНОСТИ НАХОЖДЕНИЯ АБСОЛЮТНЫХ КОНЦЕНТРАЦИЙ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ МЕТОДОМ МФЭ В СОЧЕТАНИИ С НЕЗАВИСИМЫМ МЕТОДОМ ТСЛ

4.1. Изучение типа и концентрации точечных дефектов в ZnS методом ТСЛ

4.2. Разработка программного обеспечения расчета концентрации дефектов

4.2.1. Методика разделения спектра на индивидуальные полосы

4.3. Расчет концентраций дефектов с использованием метода МФЭ и ТСЛ

Все структурно-чувствительные свойства кристалла определяются типом и концентрацией присутствующих в нем точечных дефектов.

Вследствие сильной зависимости свойств полупроводниковых материалов от содержания в них примесей и наличия точечных дефектов, кристаллы, используемые в микроэлектронике, должны иметь высокие чистоту и совершенство. Благодаря достигнутым в этой области успехам соединения АПВУ1 являются удобным объектом для изучения свойств точечных дефектов, чем и обусловлено использование в данной работе сульфида цинка в качестве объекта исследования. Кроме того, ZnS является основным материалом для получения электро-, фото-, катодо- и других электролюминофоров.

Как в нашей стране, так и за рубежом широким фронтом ведутся работы в области исследования структурных несовершенств в кристаллах, что подтверждается большим количеством публикаций по данной проблеме.

В настоящее время теория образования точечных дефектов достаточно хорошо разработана. В то же время надежных экспериментальных способов точного определения энергий залегания уровней и концентраций точечных дефектов, термодинамических параметров, связанных с их образованием в соединениях А В , не существует. В связи с этим получение указанных выше характеристик экспериментальными методами является актуальной научно-практической задачей.

Целью настоящей работы явилось изучение возможности экспериментального определения избыточных термодинамических параметров, связанных с образованием собственных точечных дефектов в соединениях а так же разработка на основе этих данных методов определения типа и абсолютных значений концентраций точечных дефектов. Для достижения поставленной це4 ли решены следующие задачи:

Усовершенствован и создан измерительный комплекс для прецизион А и™ vi ного измерения термодинамических параметров соединении А В методом мгновенного фиксирования электродвижущей силы (МФЭ).

2.Разработана методика определения термодинамических параметров соединений АПВУ1 и проведена ее аттестация.

3.Создана методика определения избыточных термодинамических параметров, связанных с образованием точечных дефектов в сульфиде цинка.

4.Изучены кинетика и механизм образования собственных точечных дефектов.

5.Предложено совмещение двух независимых методов (МФЭ) и термо-стимулированной люминесценции (ТСЛ) определения точечных дефектов структуры Zr\S с целью расчета абсолютных значений их концентраций.

ВЫВОДЫ

На основании комплекса проведенных исследований и их результатов можно сделать следующие выводы:

1 .Разработан и создан измерительный комплекс для прецизионной реги

О С страции термодинамических параметров соединений А В методом МФЭ.

2 .Разработана методика определения термодинамических параметров соединений А В и проведена ее аттестация. Показано, что суммарная относительная погрешность анализа равна 2,72% при доверительной вероятности Р=0,95.

3. Впервые, методом МФЭ, определены избыточные термодинамические параметры, связанные с образованием точечных дефектов в

4. Впервые изучена кинетика образования точечных дефектов. Показано, что энергия активации образования доминирующих дефектов удовлетворительно совпадает с литературными данными по образованию пары дефектов Шоттки.

5.Предложена совмещенная методика (ТСЛ и МФЭ) определения дефектов структуры твердого тела, с целью расчета абсолютных значений концентраций. Показано, что используя термодинамические параметры, относящиеся к собственным дефектам, и данные по ТСЛ исследуемых образцов ХпЪ, можно определить тип дефектов и их ассоциатов, а также абсолютные концентрации.

1. Верещагин И.К. Об электролюминесцентных свойствах отдельных частиц поликристаллических образцов. - «Оптика и спектроскопия», 1966, т. 20, №6, с. 1066-1074.

2. Kilburn Т., Hoffman G.R., Hayes R.F. An accurate electroluminescent graphical output unit for a digital computer. «Ргос. ШЕ», 1978, v. 105B, №20, p. 136.3. lando S. A solid-state display device. «Ргос. IRE», 1962, v.50, №12, p.2469.

3. Xu Xurong, Wang Yanze, Zhao Guozhang, Xiong Guangnan, Li Changhua, Jin Dongming. On the mutual interaction of Mn and Er centers in the electroluminescence of ZnS-Mn, Er thin films. //J of Lumin., 24/25, 1981, p.905-908.

4. Fisher A. G. Electroluminescent lines in ZnS powder particles. II. Models and comparison with experience. J. Electrochem. Soc., 1963, v. 110, №7, p.733-748.

5. Риз. А. Химия кристаллов с дефектами. Пер. с англ. М., ИЛ, 1956.

6. Прикладная электролюминесценция. Под. ред. М.В. Фока. М. 1974.

7. Williams F. Е. Nature of luminescent centers in alkali halides and zinc sulfide phosphors. — «J. Opt. Soc. Am.», 1957, v. 47, № 10, p. 869—876.

8. Центры люминесценции и факторы, влияющие на процессы получения кри-сталлофосфоров. — «Известия АН СССР. Сер. физ.», 1951, т. 15, № 6, с. 730—736. Авт.: М. А. Горбачев а, М. А. Константинова-Шлезингер, Е. Г. Те-ремецкая, З.А. Трапезникова.

9. Ю.Черепнев А. А. Дисперсное состояние активатора в люминофорах.—«Известия АН СССР. Сер. физ.», 1951, т. 15, № 6, с. 742—747.

10. П.Риль Н., Ортман Г. Химизм образования центров свечения в цинксульфид-ных люминофорах. — «ЖОХ», 1955, т. 25, № 7, с. 1289—4303.

11. Electronics, 1982, 31, N17, 78.

12. Electronics, 1984, 57, N 6, 113.

13. Electronics, 1979, 24, N 12, 1081.

14. Electron Ceram 1981, 12.N 64, 5716.IEEF Trans 1981,N6, 917.3аявка Великобритании, N 21195566, 1983

15. Catell A.F., Inkson J.С., Kirton J. Electroluminescense in copper-free ZnS.Mn thin films. "J. Appl. Phys", 1987, 61, N 2, 722-733.

16. Хениш Г. Электролюминесценция. Пер. с англ., М., «Мир», 1964.

17. Hasegawa Н. Forming and luminescence in DC-electroluminescense devices of ZnS:Cu, Mn films. "Oyo buturi", 1990, 59,N 5, 653-660.

18. Георгобиани A.H. Влияние типа связи кристаллофосфоров на их способность к электролюминесценции, Опт. и спектр., 1962, т. 12, вып. 6, с. 746-749.

19. Inoguchi Т. Retrospect and prospect on research and development of electroluminescent panels, Springer Proc. in Phys. v.38. Electroluminescence. Springer Verlag, Berlin, 1989, p.2-7.

20. Uchiike H. Review, of flat panel displays: electroluminescent displays, liquid crystal displays, plazma displays, etc. — In: Springer Proc. in Phys., 1989, v. 38, Electroluminescence, p. 238-245. Springer-Verlag. Berlin, Heidelberg 1989.

21. Mailer G. 0. Basics ofelectron-impact-excited lHminescence devices, Phys. Stat. Sol., (a), 1984, v. 81, No 2, p. 597-608.

22. Alien J. W. Physical processes in high-field electrolilininescence, J. Lu-min., 1984, v. 31/32, p. 665-670.

23. Muller G. 0., Mach R. Physics of electroinminescence devices, J. Ln-min„ 1988, v. 40/41, p. 92-96.

24. Электролюминесцентные источники света. //Под. ред. И.К. Верещагина. -М., Энергоиздат, 1990.

25. Vecht A. A review of electroinminesceilt thin-film fabrication techniques, SID. Digest techn. pap., 1989, v. 20, p. 314.

26. Sana Y., Nunomura K., Koyama N., Utiumi, Sakuma H. A novel TFEL device using high dielectric constant multilayer ceramic substrate, Internal Display Research Conf. San Diego 1985, p. 173-176, IEEE Trans. Electron. Dev., 1986, v. 33, No 3, p. 1155-1158

27. Minami Т., Onto S., Nanto H., Takata S. A thin-film electrolumines cent device using a conventional dielectrical ceramics sheet, Proceed, of the SID, 1988, v. 29, p. 83-86

28. Minami T., Komano M., Nanto H., Takata S. New DC electroluminescent devices using ZnS.Mn phosphor ceramics, Proceed, of SID, 1988, v. 29, No I, p. 71-75

29. R. Parrot, C. Naud, D. Curie. External electric field effects on the zero-phonon lines of the 4E states of Mn2+ inZnS.

30. Tanaka Sh. Color electroinminescence in alkaline-earth snifide thin-films, J. Lumin., 1988, v. 40-41, p. 20-2334.0hnifhi H., Okuda T. Blue-green color TFEL device with sputtered SrS:Ce thin films, Proceed, of the SID, 1990, v. 31, No I, p. 31-36

31. Yoshioka T., Sano Y., Nunomura K., Tani 0. Characteristic of red electroluminescent devices asing CaSi-iSe, : En layers, Proceed, of the SID, 1990, v. 31, No I, p. 19-23

32. Tanaka Sh., Ohshio Sh., Niahiura J., Kawakami H., Yothiyama H. Kobayashi films, Appl. Phys. Lett., 1988, v. 52, No 25, p. 2101-2104.

33. Aoxara M., Kato K., Nakayama T., Ando K. CaS:En, F thin-film electroluminescent devices prepared by RF sputtering with hydrogen-argon mixture gas, Jap. J. Appl. Phys., 1990, v. 29, No 10, p. 1997-2002.

34. Tammura Y., Ohwaki J., Kozawaguchi H., Tsujiyama B. Bright blue electroluminescence in SrSiCeCIa thin films, Jap. J. Appl. Phys., 1986, Pt. 2, v. 25, No 2, p. 1105-1107

35. Ohwaki J., Yamauchi N., Kozawaguchi H., Tsujima B. The role of stacked insulated layers on thin-film electroluminescent devices, Jap. J. Appl. Phys,, v. 26, No 7, p. 1064-1068.

36. Tiku Sh. K., Rustomji S. H. Dielectrics for bright EL displays, Proceed, of the SID, 1989, v. 30, No 2, p. 157-162.

37. R. Stevence., C.B. Thomas, W.M. Cranton. Enchancing the brightness of Thin fim electroluminescent displays by improving the emission process. //IEEE El. Dev. Lett. V.15№3, 1994. p.97.

38. Kobayashi H., Tanaka Sh., Sasakura H., Hamakawa Y. The electron injection mechanism of the electroinminescent ZnS:Tb films, Jap. J. Appl. Phys., 1973, v. 72, No 12, p. 1854-1861.

39. Muller G. 0. Basics ofelectron-impact-excited luminescence devices, Phys. Stat. Sol., (a), 1984, v. 81, No 2, p. 597-608.

40. Barrow W. A., Coovert R. E„ King C. N. Strontium sulphide: the host for a new high-effidence thin-film EL bine phosphor, SID Digest techn. papers 1984, No 15, p. 249-250.

41. Б.М. Синельников. Теоретические основы синтеза и эксплуатации неорганических электролюминофоров. Дисс. доктора химических наук, Ставрополь, 1985.

42. Бараненков И.В., Петров В.Н. Электролюминесцентные индикаторные устройства с памятью. //Зарубежная радиоэлектроника. 1985. - №9. - С.61-69.

43. Гурин. Анализ параметров тонкопленочных электролюминесцентных конденсаторов с разными диэлектрическими слоями. //Лазерная техника и оггго-электроника. М. -1992,- С. 74-77.

44. Smith D.H. Modeling AC thin-film electroluminescent devices. //Journal of luminescence. -1981. -№23. -p.209-235.

45. Васильченко В.П. Уровни захвата носителей в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS. //Журнал прикладной спектроскопии. 1996. - Т.63. №3. -с.461-465.

46. Goldenblum A., Oprea A, Bogatu V. Time behavior of currents in ZnS:Mn metal-insulator-semicondactor-insulator-metal structures. //J. Appl. Phys. 1994. -75(10).-p.5177-5184.

47. Самохвалов M.K. Вольт-яркостная характеристика и светоотдача тонкопленочных электролюминесцентных структур. //ЖТФ. 1996. - Т.66,№10.с. 139-144.

48. Neyts К.А., Corlatan D., De Visschere p., Van den Bossche J. Observation and simulation of space-charge effects and hysteresis in ZnS:Mn ac thin-film electroluminescent devices. //J.Appl. Phys. 1994. - 75(10). - p.5339-5346.

49. Howard W.E. J. Lumin., 1981, V.23, №1/2.

50. Howard W.E., Sahni O., Alt P.M. J. Appl. Phys. - 1982. - V.53, №1.

51. Howard W.E. The importance of insulater properties in A thin film electroluminescent device // JEEE Trans. Electron. Devices. 1977. - Vol. 24, 1 7. - P. 903908.

52. Y.Tsuchiya, S. Miyamoto, S. Okamoto, T. Kuki, T. Suzuki. Research on electroluminescent materials and its application to flat panel displays. //NHK lab. notes, № 4056 1992.

53. Yang K. W., Owen S. J. Mechanism of the negative-resistance characteristics in AC thin-film electroluminescent devices, IEEE Trans. Electr. Devices, 1983, v. 30, No 5, p. 452-468.

54. Venghaus H. Microstructure and light emission of AC-film electroluminescent device // J. Appl. Phys. 1982. - Vol. 53,1 6. - P. 4146-4751.

55. Abe A., Fujita Y., Tohda T. Large-scale highly resoluble AC thin film EL flat panel display // Nat. Techn. Report. 1984. - Vol. 30, N 1. - P. 186-192.

56. Kozawaguchi H., Tsujiyama В., Murasi K. Thin-film electroluminescent device employing TaO HF Sputterad Insulating film // Jap. J. Appl. Phys. 1982. - Vol. 21,1 7. - P. 1028-1031.

57. Nakada, Т. Tohma, Inorganic and organic electroluminescence, W&T verlag, Berlin, 1996, p.385

58. Тапака, H.Yoshiyama, J. Nishiura, S. Ohshio, H.Kawakami, H.Kobayashi, SID 88 Digest of Technical Papers, Anaheim (1988), p.296.

59. Barrow, R. Coovert, E. Dickey, C. King, C. Laakso, S. Sun, R. Tuenge, W. Wen-tross, J. Kane, SID 1993 Digest, 1993, p.761.

60. Sinelnikov, N.I. Kargin, V.V. Gavrilov,. Processes of defect formation during synthesis of ZnS tablet targets, activated by rare earth halides.: Abstracts of World Ceramics Congress & Forum on New Materials. Florence, Italy, 1998.

61. Власенко Н.А. Фото- и электролюминесценция пленок, труды по электролюминесценции. Тарту, 1973, 3,3-68.

62. Bar V., Alexander Е., Brada J., Steinberder I. The effect of electric fields on the luminescence and conductivity of ZnS singlecrystals // J. Phys. Chem. solids. -1964. Vol. 25,1 12. - P. 1317-1328.

63. Ковтуненко П.В., Физическая химия твердого тела кристаллы с дефектами. -Москва. «Высшая школа», 1993 с.З.

64. Ван Бюрен Дефекты в кристаллах, Москва, 1962 с. 10

65. Френкель Я.И., Кинетическая теория жидкостей, Изд-во АН СССР 1945; Введение в теорию металлов, 3-е изд. ГИФМЛ, 1958

66. Успехи физики кристаллов, М., т. I, 1956; т. И, 1958; т. III, 1960; т. IV, 1961.

67. Вакансии и другие точечные дефекты в металлах и сплавах, Труды конференции, под ред. В.М. Розенберга, М., 1961.

68. Дислокации в кристаллах, Проблемы современной физики, ИЛ, №9 (1957).

69. Рид В.Т., Дислокации в кристаллах М., 1957.

70. Варма А., Рост кристаллов и дислокации, ИЛ, 1958.

71. Коттрел А.Х., Дислокация и пластическое течение кристаллов, М., 1958.

72. Инденбом В.Л., Дислокация кристаллов, Физическая энциклопедия, т.1, 1961.

73. Шек Г., Дислокация теории пластичности металлов, в сборнике Проблемы механики, вып. II (1959).85.0динг И.А., Теория дислокации металлов и ее применение, Изд-во АН ССС, 1959.

74. Надгорный Э.М., Осипьян Ю.А., Перкас Н.Д., Розенберг В.Н., Нитевидные кристаллы с прочностью, близкой к теоретической (обзор), УФН, 67, 625 (1959).

75. Элементарные процессы роста кристаллов, Сборник статей под ред. Г.Г. Леммлейна и A.A. Чернова, ИЛ, 1959.

76. Дислокации в кристаллах, Библиографический указатель под ред. В.Л. Ин-денбома, Изд-во АН СССР, 1960.

77. Классен-Неклюдова М.В., Механическое двойникование кристаллов, Изд-во АН СССР, 1960.

78. Некоторые вопросы физики пластичности металлов. Итоги науки. Физико-математические науки, №3, Сборник статей под ред. М.В. Классен-Неклюдовой, Изд-во АН СССР, 1960.

79. Дислокации и механические свойства кристаллов, Сборник статей под ред. М.В. Классен-Неклюдовой и В.Л. Инденбома, М., 1960.

80. Примеси и дефекты, Сборник статей под ред. Б.Н. Финкельштейна, М., 1960.

81. Структура металлов и свойства, Сборник статей под ред. M.JI. Бернштейна, М., 1957.

82. Wagner С., Schottky W. Z. Phyh. Chem., 1930, v. Bll, p.163.

83. Dunwald H., Wagner C. Z. Phyh. Chem., 1933, v. B22, p.212.

84. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов., M., Мир, 1969.

85. Brouwer G. Phil Res. Repts., 1954, v. 9, p. 336.

86. Гурвич A.M., Введение в физическую химию кристаллофосфоров., М., Высшая школа, 1971.

87. Georgobiani A.N., Kotljarewsky М.В. Proc. of summer School on optoelectronics and integr. opt. parts III, p. 1, - Praha, 1977.

88. Schneider J., Rauber A. Sol. St. Com., 1967, v. 5, p.779.

89. Leutwein K., Sdhneider I. Nat. Forsch., 1971, Bd. 7a, S. 1236.

90. Lott K.P. Phys. Stat. Sol. (a), 1972, v. 9,p. K43.

91. Smith I.M., Vense W.E. Phys. Lett.,1970, v. 31 A, p. 147.

92. Laiho R., Ots A. Phys. Stat. Sol. (b), 1975, v. 71, p. K135.

93. Smith F.T. Phys. Stat. Sol. (a), 1969, v. 7, p. 1757.

94. Лахов B.M., Пилипенко Г.И., Гаврилов Ф.Ф. и др., Физика, химия и тех9 ftническое применение полупроводников А В , Тез. докл. IV Всес. конф. Киев, Наук, думка; 1976, с. 127.

95. Котляревский М.Б., Георгобиани А.Н., Михаленко В.Н., Там же, с. 120.

96. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б., В кн. Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников. Л., Изд-во Ленингр. ин-та ядерной физики, 1979.

97. Георгобиани А.Н., Котлревский М.Б., Михаленко В.Н., Кр. сообщ по физ., 1977, №4.

98. Илюхина З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф. и др., р. ФИАН, 1972, т.59, с.38.

99. Калеева З.П., Панасюк Е.И., Туницкая В.Ф. и др., ЖПС, 1969, т. 10, с.819.

100. Тимофеев Ю.П., Туницкая В.Ф., Филина Т.Ф., ЖПС, 1973, т. 19, с.469.

101. Георгобиани А.Н.,Котляревский М.Б., Деменьтьев Б.П. и др. Кр. содерж. Докл. IV Всес. Конф. «Взаимодействие атомных частиц с твердым телом». -Харьков, 1976, ч.И.

102. Бочков Ю.В., Георгобиани А.Н., Деменьтьев Б.П. и др. ФТП, 1976, т. 10 в. 2, С.316.

103. Георгобиани А.Н., Деменьтьев В.П., Котляревский М.Б. и др. Изв. Вузов. Физика, 1977, №10, с.61.

104. Appleton B.R., Feldmann L.C. J. Phys. Chem. Sol., 1972, v.33, p.507.

105. Тиман Б.Л., Ямпольский В.А., Николаева Э.П. и др., В сб. Проблемы физики соединений А2В6. Вильнюс: Изд-во Вильн. Ун-та, 1972.

106. Крегер Ф. Химия несовершенных кристаллов., М., Мир 1969, с.654.

107. Третьяков Ю.Д. Твердофазные реакции., М., Химия, 1978 с.358.

108. Чеботин В.Н. Физическая химия твердого тела. М. Химия, 1982 с.319.

109. Мильвидсский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в монокристаллах полупроводников. М. Металлургия, 1984 с. 255.

110. Гурвич A.M. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. М. Высшая школа, 1982 с. 376.

111. Орлов А.Н. Введение в теорию дефектов кристаллов, М. Высшая школа, 1983 с. 144.

112. Мейер К. Физико-химическая кристаллография, М. Металлургия, 1972 с. 497.

113. Кели А., Гровс Г. Кристаллография и дефекты в кристаллах, М. Мир, 1974 с. 492.

114. Третьяков Ю.Д. Химия нестехиометрических окислов, М., МГУ, 1974 с. 363.

115. Проблемы нестехиометрии /под ред. А. Рабенау, М. Металлургия, 1975 с. 303.

116. Коллонг Р. Нестехиометрия., М. Мир. 1974 с. 288.

117. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов, М. Мир, 1975 с. 396.

118. Нестехиометрические соединения /под ред. JI. Манделькорна, М. Химия, 1971 с. 607.

119. Мень А.Н., Воробьев Ю.П., Чуферов Г.И. Физико-химические свойства нестехиометрических окислов, М. Химия, 1973 с. 222.

120. Ковтуненко П.В., Хариф Я.Л. Нестехиометрия окислов щелочноземельных металлов //Усп. химия, 48, вып. 3, 1979 с. 440-480.

121. Приседский В.В., Климов В.В. Квазихимическое описание точечного безупорядочения в бинарных окислах типа АВ03 //ЖФХ, 50, 1986, №11, с. 2906-2912.

122. Курнаков Н.С. Растворы и сплавы. Избр. труды т.1. М., Изд-во АН СССР, 1960 с. 76-128.

123. Ормонт Б.Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников, М. Высшая школа, 1982 с. 528.

124. Ковтуненко П.В., Хариф Я.Л. Физико-химические основы технологии фоточувствительных окисно-свинцовых слоев. Электронная промышленность. 1981, вып. 7-8 (103-104) с. 69-73.

125. Хариф Я.Л., Кофтуненко П.В., Майер A.A. Расчет диаграмм состояния с применением модели квазиидеальных растворов. М. Металлургия, 1988 с. 88.

126. Зломанов В.П., Новоселова A.B. Р-Т-Х-Диаграммы состояния систем металл халькоген. М. Наука, 1987 с. 207.

127. У гай Я. А. Введение в химию полупроводников. М. Высшая школа, 1975 с. 333.

128. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых материалов. М. Высшая школа. 1970 с. 503.

129. Ковтуненко П.В. К вопросу о причинах повышения эмиссионной способности нестехиометрических окисей щелочно-земельных металлов при образовании твердых растворов. //ЖФХ, 47, 1973, №9 с.2332.

130. Шаскольская М.П. Кристаллография. М. Высшая школа, 1984 с. 375.

131. Химический энциклопедический словарь. М. Советская энциклопедия, 1983 с. 269.

132. Вишняков A.B., Тюрин O.A., Ковтуненко П.В. Растворимость серебра в халькогенидах кадмия //ЖНХ, 28, №5, 1983 с. 1274.

133. Хариф Я.Л., Аветисов И.Х., Ковтуненко П.В. Температурная инверсия растворимости Те в РЬТе //Неорганич. материалы, 22, №8, 1986 с. 1271.

134. Хариф Я.Л., Зайчук Т.В., Ковтуненко П.В. Температурная инверсия растворимости селена в селениде свинца //Неорганич. материалы, 22, №8, 1986 с. 1909.

135. Хариф Я.Л., Брежнев В.Ю., Ковтуненко П.В. Нестехиометрия кристаллического селенида кадмия // Неорганич. материалы, 23, №3, 1987 с. 394.

136. Хариф Я.Л., Кудряшов Н.И., Ковтуненко П.В. Исследование собственных точечных дефектов сульфида кадмия //Сб. Материал оведение халькогенид-ных и кислородосодержащих полупроводников, Черновцы, ЧТУ, 1986 с. 224.

137. Приседский В.В., Климов В.В., Комаров В.В. Протяженные дефекты в нестехиометрическом цирконате свинца //Сб. Ферритовые, сегнето-, пьезоэлектрические материалы и сырье для них. Харьков Изд-во ВНИИ монокристаллов, 1972 с. 14-26.

138. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л. Наука, 1972 с. 384.

139. Бокштейн Б.С. Диффузия в металлах. М. Металлургия, 1978 с. 248.

140. Старк Дж.П. Диффузия в твердых телах. М. Энергия, 1980 с. 239.

141. Гегузин Я.Е. Очерки о диффузии в кристаллах. М. Наука, 1974, с. 252.

142. Майер A.A. Теория и методы выращивания кристаллов. М. Изд-во МХТИ, 1970 с. 292.

143. Фролов Ю.Г. Курс коллоидной химии. М. Химия, 1982 с. 399.

144. Гегузин Я.Е. Физика спекания. М. Наука, 1967 с. 380.

145. Третьяков Ю.Д., Лепис X. Химия и технология твердофазных материалов. М. Изд-во МГУ, 1985 с. 350.

146. Зломанов В.П. Р-Т-Х-Диаграммы двухкомпонентных соединений. М. Изд-во МГУ, 1980 с. 150.

147. Термодинамика и материаловедение полупроводников /Под ред. В.М. Глазова. М. Металлургия, 1992 с. 298.

148. Ивановский Г.Ф., Петров В.Н. Ионно-плазменная обработка материалов. М. Радио и связь, 1986 с. 298.

149. Третьяков Ю.Д. Химия и технология ВТСП основные направления развития //Журнал ВХО им. Д.И. Менделеева, 34, 1989 с. 436(4).

150. Комаров В.Ф., Олейников H.H., Третьяков Ю.Д. и др. Термодинамические свойства твердых растворов на основе гематита в системе железо-кислород. Неорганические материалы, 1967, т.З, №6, с. 1064-1072.

151. Олейников H.H., Саксонов Ю.Г., Третьяков Ю.Д. Неорганические материалы, 1965, №1, с.246.

152. Комаров В.Ф., Олейников H.H., Саксонов Ю.Г., Третьяков Ю.Д. Исследование твердых растворов со структурой шпинели в системе железо-марганец-кислород. Известия АН СССР. Неорганические материалы, 1965 т.1, №3, с. 395-404.

153. Булгакова Т.И. Зайцев О. С. Исследование равновесия ферритов с газовой фазой Н2-Н20. ЖФХ, 1965, №39, с. 1253-1256.

154. Зайцев О.С., Булгакова Т.И. Охлаждение ферритов в Равновесной газовой среде. -Вестник Московского ун-та, сер. хим., 1965, №2, с.63,68.

155. Шашкина A.B., Герасимов Я.И. Равновесие твердого раствора FeO-MgO с водородом и активности компонентов раствора. ЖФХ, 1953, т.27, вып. 3, с. 399-410.

156. Щепепкин A.A., Стафеева Н.М., Богословский В.Н. и др. Исследование равновесных условий при восстановлении магниимарганцевых ферритов. -ЖФХ, 1948, 22, вып. 6, с. 731-745.

157. Попов Г.П., Чуваров Г.И. Исследование механизма и условий равновесия восстановления феррита никеля водородом. -ЖФХ, 1963, т. 37, №3, с.586-594.

158. Авербух Б.Д., Брайкина Д.З., Антонов В.К. и др. -ДЖХ, 1963, т.37, вып. 10,11, с. 2436.

159. Судавцова B.C., Баталии Г.И. Применение Метода ЭДС для определения активностей в металлических растворах. -Укр. хим. журнал, 1975, т.41, №1, с.40-44.

160. Егоркин В.В., Аллахвердов Г.Р., О скачке потенциала на границе металл-электролит. ЖФХ, 1977, т.51, с.645-647.

161. Егоркин В.В., Аллахвердов Г.Р. Исследование твердых растворов методом погружения. -ЖФХ, 1977, т.51, №11, с. 2980-2983.

162. Егоркин В.В., Аллахвердов Г.Р. Импульсный метод исследования термодинамических свойств растворов. -Сб. тр. /ВНИИ химреактивов и особо чистых веществ. -М„ 1978, №40, с. 82-95.

163. Куценок И.Б., Гейдерих В.А. Регистрация ионов разного заряда в водных растворов методом мгновенного фиксирования ЭДС. -Электрохимия, 1981, т. 17, №3, с.353-356.

164. Куценок И.Б. Метотод мгновенного фиксирования ЭДС для исследования термодинамических свойств интерметаллических соединений. Сб. научн. тр., Термодинамические свойства интерметаллических фаз /Ин-т проблем материаловедения АН СССР, -Киев, 1982, с.92-98.

165. Куценок И.Б., Гейдерих В.А., Волуев В.А. Применение метода МФЭ для исследования термодинамических свойств твердых сплавов. -Вестник МГУ, 1980, серия Химия, т.21, №6, с.554-558.

166. Аббасов A.C., Азизов Т.Х., Алиева H.A. и др. Исследование термодинамических свойств теллуридов меди. -Деп. в ВИНИТИ, 1976, №1587-76.

167. Герасимов Я.М., Куценок Н.Б., Гейдерих В.А. Исследование термодинамических свойств теллуридом меди методом мгновенного фиксированного ЭДС электрохимического элемента. -Докл. АН СССР, 1979, №3, с. 633-635.121