Исследование влияния дефектов на электрофизические и магнитные свойства ртутьсодержащих металлооксидных купратов тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

На правах рукопису

/

мясоедов /

Юрій Миколайович ( 1 ^ ^ <-г

УДК 537.312.62,537.638.212.

ВПЛИВ ДЕФЕКТІВ НА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ТА МАГНІТНІ ВЛАСТИВОСТІ РТУТНОВМІСНИХ МЕТАЛООКСИДНИХ КУПРАТІВ

01.04.10- фізика напівпровідників і діелектриків

01.04.13- фізика металів

АВТОРЕФЕРАТ дисертації на здобуття вченого ступеня кандидата фізико-математичних наук

ЛЬВІВ 1996

Дисертацією є рукопис

Роботу виконано на кафедрі фізики напівпровідників Львівського.' державного університету ім. Івана'Франка

Науковий керівник : кандидат фіз.-мат. наук, професор

Луців Роман Васильович Офіційні опоненти: доктор фіз.-мат. наук, професор

Оболенський Михайло Олександрович кандидат фіз.-мат. наук, наук, співроб. Швайка Андрій Михайлович

Провідна організація: Інститут, металофізики НАН України

Захист відбудеться 18 трудня__1996 р. о 15 — год. на засіданні спеціалізованої Ради (Д.04.04.08) нри Львівскому державному університеті ім. І. Франка за адресою: 290005, м. Львів, вул. Драгоманова 50, аудиторія № 1, фізичний факультет.. .

З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Львівського державного університету ім.І.Франка (м. Львів, вул. Драгоманова, 5)

Автореферат розіслано “1І_“ <.‘Т,пгМгга 1996 р.

Вчений секретар

Спеціалізованої вчено: ради '

доктор фіз.-мат. наук професор ^ ‘ Блажиєвський Л.Ф.

ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ

Актуальність теми досліджень; Сімейство металооксидних купратш HgBa2Can-iCun02n+2+8 (НВССО або Hg-12(n-l)n, де п=1,2, 3...) є надзвичайно цікавим в науковому плані і перспективним з точки зору.гіракіич-чого застосування. Стехіометричній бездефектні НВССО є діелектриками, які при заповненні кисневих позиції в площині HgOg виявляють-металеві властивості, а при збільшенні концентрації дірок в шарі CuOj переходять в надпровідний стан. НВССО не тількі володіють найвищими на даний час температурами переходу з нормального в надпровідний гган (Тс= 97, 125 і 134К відповідно для Hg-1201, Hg-1212 і Hg-1223), але і виявляють ряд специфічних властивостей як в нормальному, так і надпровідному станах. Зокрема, вони характеризуються широкою областю легування дірками і значним зростанням Тс під дією тиску, яке майже вдвічі перевищує встановлене для полікристалів УВагСиз07-5 значення.

Структура ртутновмісних Металооксидних купратів в основних рисах, добре вивчена. Але незясованими залишаються питання впливу на електрофізичні і магнітні, властивості дефектів заміщення Hg на Си і впровадження кисню в позицію 1/2 0 0 ртутної площини. Крім того, існують розбіжності в даних різних авторів, які пов’язані з наявністю леткого компонента Hg в структурі нових металооксидів. Практичне застосування НВССО стримується також відсутністю даних пр деградації НВССО. Особливий характер будови площини (HgOj) з дефектною кисневою позицією свідчить про можливість формування змішаного шаРУ (Hgi-xMexObg), який може бути майже повністю окисленим, коли іони Hg заміщені на катіони з більшою валентністю. Це дозволить не тільки оптимізувати концентрацію- дірок в С11О2 площині і температуру переходу в надпровідний стан, але і підвищити стабільність НВССО.

Мета роботи. Метою дгіїюї роботи було вивчення впливу дефектів заміщення катіонної підсистеми та впровадження аніонів кисню на

електрофізичні та магнітні властивості ртутновмісшіх металооксидних купритів, дослідження закономірностей в зміні намагніченості гранульованих полікристалів на їх основі.

При цьому вирішувались задачі : твердофазного синтезу власнодефек-тних ртутновмісних купратів (Нві-лСих)Ва2Си0^й та дослідження впливу їх структурних дефектів на виникнення надпровідного переходу; впливу “хімічного стиснення" кристалічної гратки при частковому заміщенні катіонів Ва на на її стабільність в нормальному стані і температуру переходу в надпровідннй стан (НцовРЬо 2)(Ва2)$гу)Си04*б з у=0.|, 0.2, 0.4; дослідження умов відпалу на електрофізичні і магнітні властивості полікристалів (Н£о.вРЬо.2)Ва2Са2Сиз08+з; дослідження впливу гідростатичного тиску на зміну властивостей (І І^оаРЬог)-12.23; вивчення особливостей зміни комплексної динамічної магнітної сприйнятливості Щ-вмісних купратів в залежності від температури і магнітних полів х-ґ(Т,Нлс,Нт>е); встановлення кореляцій між температурою переходу і потенціалами Мадепунга для дірок в сполуках НВССО.

Для вирішення поставлених задач було: розроблено методику дослідження структурних дефектів в Иу-вмісних мегалооксидннх купратах: виготовлено автоматизовану установку для вимірювання температурних і магнітопольовнх залежностей динамічної магнітної сприйнятливості та створено пакет програм для керування процесом вимірювання і обрахунку експериментальних даних; проведено вимірювання намагніченості полікристалічних зразків (Н§о8РЬо2)ВагСагСиз08+5 в температурному діапазоні 150 5: Т £ 4К і магнітних полях до 12 Т.

Наукова новизна. Наукова новизна роботи полягає в тому, що виаслі-док проведеннх досліджень:

- вперше отримана сполука (Ндо.8зСии і?)Ва2Си04*» з початком переходу з парамагнітного в діамагнітний стан при Твд»=125К;

- показано, що в результаті твердофазного синтезу утворюються власно-дефектні тверді розчини (Ь^і.хСих)Ва:СиОлй, в яких додаткове впровадження кисню в позицію 1/2 0 0 кристалічної гратки обумовлено дефектами заміщення Н{2 на Си;

- отримано тверді розчини (И8пйРЬм)(Ваі.«Згх)СиО^(і з “хімічним стисненням" кристалічної гратки при частковому заміщенні катіонів Ва на Бг і стабілізацією фази Не-1201 при 20% заміщенні Нц на РЬ;

-для полікристалів (НцокРЬо ЛВагСагСіїзОя+я виявлено область аномального гістерезису магнітної сприйнятливості і густини струму, досліджено машітопольові і температурні залежності коефіцієнту гармонік, за якими побудовано Н-Т діаграму стану;

-показано, що сила пінінгу магнітного потоку в полікристалах (НуочРЬиг)-1223 є вдвічі більшою, ніж в Ві- і ТІ- металооксидних купра-тах, але в 1.5 рази меншою, ніж в полікристалах УВагСизСЬ-а;

- вперше для полікристалів (Няи.вРЬоО-ШЗ спостерігалось збільшення густини критичного струму в залежності від гідростатичного тиску;

- в рамках іонної моделі, для гомологічного ряду НцВагСап-іСііпОгптб (п=1,2,3) встановлена кореляція між температурою переходу з нормального в надпровідний стан і різницею потенціалів Маделунга для дірок на позиціях іонів кисню в площинах (С11О2) і (ВаО).

Практичнії цінність. Наукопо-практнчне значення роботи полягає в тому, що отримані експериментальні результати і проведені розрахунки підтверджують виняткову роль структурних дефектів у формуванні надпровідних властивостей в ртутьвмісних металокеидних купратах. Структурні параметри отриманих сполук можуть буїи використані при розрахунках густини електронних станів, а дані по стабільності і магнітним властивостям - при практичному застосуванні.

Положення, що виносяться на захист.

1. Мезвичаііно велике значення Топ5=125К для одношарової по СиОг сполуки (Нр]8зСио.п)Ва2Си04+8 пояснено збільшенням ступеня заселеності позиції 1/2 0 0 в площині (HgO.fi) іонами кисню.

2. В результаті твердофазного синтезу утворюються власнодефектні тверді розчини (І^і-хСи,)Ва:Си04<-5, в яких додаткове впровадження кисню в позицію 1/2 0 0 кристалічної гратки обумовлено збільшенням кількості дефектів заміщення Не на Си. -

3. Одночасна заміна Hg на Pb і Ва на Sr стабілізує фазу Hg-1201 в сполуці (Hgo.ePbo 2)(Bai.*Srx)CuOм.

4. Побудова Н-Т фазової діаграми стану для полікристалів (Hg,Pb)-1223 за температурною та магнітопольовою залежністю їх намагніченості. .

5. Встановлення кореляції між температурою переходу в надпровідний стан і різницею потенціалів Маделунга для дірок на позиціях кисню апікального і в площині СиОг для ртутьвмісних металооксидних купра-тів.

Апробація роботи. Результати досліджень доповідались на 13 міжнародних конференціях: III Всесоюзн. совещ. по ВТСП, Харьков,. 15-19 апреля 1991; Europ. Workshop on HTSC single crystals Growth and Physical properties, Kharkow, 14-20 Oct. 1991; Intern, conference ICEC & 1CMC-14, Kiev, 8-12 June 1992; Ukrainian-Franch Symp. Condensed Matter.: Scince & Industry, Lviv, 20-27 Febr. 1993; Ampere Workshop on magnetic resonances and microwave absorption in the high-Tc supercond. materials, Poznan, 10-13 April 1994; VII Europhys.conf. on defects in insulating mater., EURODIM-94, Lion ,5-8 Jule 1994; Powder diffraction and crystal chemistry, St. Petersburg, 20-23 June 1994; 4 Intern. Conf. "M2S-HTSC", Grenoble, 5-9 Yuly 1994; VIII Trilateral German-Russian-Ukrainian Seminar on High Temperature Supercon-ductivity, L'viv, Sept 1995; Intern, workshop MSU-HTSC IV, Moskow, 7-12 Oct. 1995; VI Intern, conf. "Chemystry of inter-metalic compound", Lviv 26*28 Sept. 1995; Мевдународ. конфер. СФА-95, Харьков, 25-28 Сент. 1995; международ. конфер. Материаловедеведение ВТСП, Харьков, 26-^9 Сент. 1995.

Публікації. Основні результати опубліковані у 9 друкованих працях, 5 з яких у реферованих виданнях. Отримано одне авторське свідоцтво на винахід. ,

Струїсгура роботи. Дисертаційна робота складається з вступу, пяти глав, висновків та списку цитованої літератури, викладених на 171 сторінці, які включають 119 сторінок машинопису, 51 рисунок, 8 таблиць, 110 бібліографічних посилань. , ‘

Особистий внесок автора. Автором самостійно виконані експерименти, проведена інтерпретація отриманих результатів, сформульовані основні

положення і висновки. Дослідження під гідростатичним тиском проводились спільно з співавторами Донецького ФТІ НАН України, вимірювання в великих магнітних полях - в Інституті фізики ПАН (м. Варшава).

КОРОТКИЙ ЗМІСТ РОБОТИ

V вступі обгрунтована актуальність геми дисертації, сформульовані мета і задачі роботи, наукова новизна, практична цінність результатів і положення, що виносяться ші захист, коротко викладено зміст роботи по розділах.

Перша глава містить огляд робіт, присвячених вивченню впливу структурних дефектів на електрофізичні та магнітні властивості ртутно-вмісішх металооксидних купратів. Підкреслюється, що стехіометричні бездефектні сполуки ртутного ряду є діелектриками, які набувають металеві і надпровідні властивості лише при збільшенні концентрації дірок на СиОз площину, що пов’язують із збільшенням заповнення іонами кисню позиції 1/2 1/2 0 в ртутній площині. Це відображається в зміні електрофізичних (інверсія знаку термо е.р.с з від’ємного на додатній, зменшення електроопору) і магнітних (виникнення переходу від парамагнітного в діамагнітний стан) властивостей полікристалів НВССО. Проаналізовано зміну електромагнітних властивостей-в залежності від температури, тиску і магнітних полів. Порівняно термодинамічні параметри сполук Нц-1201, 1^-1212 іНй-тЗ,

В другій главі описано застосування рентгенівських методів для дослідження дефектів структури і деградації досліджуваних сполук. Підкреслюються переваги розробленого безконтактного автоматизованого методу дослідження температурних і польових залежностей динамічної магнітної сприйнятливості для визначення електрофізичних параметрів з використанням гармонічного аналізу спектру електромагнітної хвилі, яка поглинається в полікристалічних зразках металооксидішх купратів. Приведено опис кріомагнітної частини установки, в якій для усунення температурного дрейфу, зменшення вібраційних шумів і наводок, а також збільшення амплітуди змінного магнітного поля використано систему коаксіально розташованих котушок і дюарів, заповнених рідким азотом.

Для збільшення достовірності і одночасного вимірювання декількох Параметрів виготовлено багатоканальний ІВМ сумісний модуль з АЦП, компаратором напруги і підсилювачем, опис якого наведено у додатку.

В третій главі в рамках іонної моделі показано, шо існує кореляція між температурою переходу в надпровідний стан і різницею потенціалів Маделунга ДУ„.р для дірок на позиціях апікального О,, і кисню О,, в площині СиОа. При зміні в кристалічній гратці кількості СиОі площин від п=1 до п=3 різниця потенціалів ДУа.Р оптимально легованих ртутно-вмісннх металооксндів лінійно зростає від 7.44 до 9.75 еВ, що корелює із збільшенням Тс від 95 до 133К. Перехід із нормального в надпровідний стан виникає в НеВагСиСЫ+й при 5 >0.05 внаслідок досягнення -енергетичним рівнем апікального кисню положення, при якому ДУа-р=6.3 еВ. Збільшення ступеню занятості кисневих позицій (8) в НцОй площині і концентрації дірок (р) до значення 5=р~0.15 на СиСь площину корелює із зростанням ДУа-р до 7.25 еВ , а Тс до 97К. З порівняння параболічних залежностей Т«(6) і Тс(ДУа.г.) для Нц-1201 встановлено область легування дірками СиОг площини Др^р"'"1- ртіп= =2\97=0.203, що відповідає зміні Ду».р в межах 2 еВ. Виключна роль енергетичного положення іонів апікального кисню свідчить на користь моделей, за допомогою яких описується динаміка дірок введених в (СиО2) площину.

В четвертій главі наведено результати дослідження впливу дефектів заміщення катіонної підсистеми сполуки НеВа:Си0.і+й на її електрофізичні властивості. За результатами рентгеноструктурного аналізу усі зразки безпосередньо після синтезу виявились вдаснодефектними з частковим заміщенням на Си. Збільшення дефектів по Не і кисню в результаті короткотривалого додаткового відпалу при Т=600“С привело до отримання сполуки складу (Нео.азСио.п)Ва2СиО^»й, в якій заселеність позиції 1/2 0 0 атомами кисню була вдвічі більшою, ніж в вихідному зразку. Різниця також спостерігалась в координаційних характеристиках статистичної суміші (Нц^Сщ). В (Нео.8зСив п)В<і2СиС>4+б, крім позицій атомів 02, які відповідають гантельному оточенню атомів Нц, заповненої

на 78%, виявилась заповненою на 26% одна з можливих позицій впровадження 1/2 0 0, яка забезпечує загальну октаедричну координацію при сумісній присутності всіх атомів в позиції 0 0 0.221 в елементарній комірці. Найбільш реальною представляється гіпотетична модель, в якій позиції 1/2 0 0 заповнені атомами кисню лише тоді, коли відбувається заміщення атомів Ну па Си. Підтвердженням цього є значення віддалі між дефектом заміщення і дефектом впровадження 1.9376 А, яке характерне для звязку Си-ОІ в ппоско-квидр'лтиій координації площини СиОг. Наявність статнепічних фрагментів з октаедрнчною координацією міді в поповнення до основних шарів квадратів СиОг, тобто наявність двох таких шарів в усередненій елементарній комірці, дозволяє пояснити підвищення 'Гс від 94К до І20К, яке характерне для двошарових по СиСЬ структур. Збільшення Тс в таких сполуках контролювалось двома незалежними методами: за температурною залежністю динамічної магнітної сприйнятливості (перехід з парамагнітного в діамагнітний стан) і оптичної генерації другої гармоніки.

'За зміною параметрів тонкої структури кристалітів при кімнатній температурі визначена стабільність фази (^отоСиоіОВагСиС^+г;. Апроксимація часової залежності зміни профілю обраного рентгенівського піку добре описується кривою експоненційного розкладу, яка виходить на насичення хі !! діб і при подальшому експонуванні кристалітів на повітрі лишається незмінною на протязі 1 місяця. Показано, що стабільність фази Нц-1201 збільшується при заміщенні 20% Нц на РЬ і 5% Ва на Бг. Температура переходу при цьому залишається майже оптимальною (93К), а перше критичне поле зростає до 150 Ое. При 20% заміщенні Ва, кількість фази Н(Г-1201 в зразках і Тс зменшуються.

П’ята глава присвячена вивченню макроскопічних властивостей полікристалів, які представляють собою слабкозвя’зане середовище із гранул фази \\g-\223. В першій частині цієї глави показано, шо заміщення 20% Нд на РЬ стабілізує утворення високотемпературної фази Нц-1223, СиОх площина якої є в перелегованому стані. Про це свідчить від’ємне значення термо е.р.с. в області температур 120-295К і низька температура пере-

ходу в надпровідний стан Тс=125К, які змінюються при послідовних відпалах в атмосфері кисню і аргону (див. рис.1).

Т,К Т,К

Т, К Т, К

Рис.1. Температурні залежності термо е.р.с. (а), питомого опору (б), дійсної частини динамічної сприйнятливості (в), коефіцієнту гармонік (г) для полікристалів (Нд,РЬ)-1223 після синтезу (1) та послідовних відпалів в атмосфері 02 (2) і Аг(3).

В другій частині піпшс :іа температурною і магиітопольовоіо залежністю динамічної магнітної сприйнятливості (див. рис.2 а і б) розраховано параметри стану фази (Hg.Pl>)-1223 і міжгранульного середовища, за якими побудовано діаграму магнітне поле - температура (див. рис 2 в). Закріплення магнітного потоку в (Нц,РЬ)-І223 в порівнянні з іншими мета.тооксидннми купритами розраховано за лінією необоротності, яка побудована па рис.2 г » координатах (Н ігг) - (І-Т/Т ігг). Сила пінінгу в полікрисгалах ртутповмісиих кулратів є вдвічі більшою ніж в Ві- 2223 і (ТІ, РЬ) - 1223, оскільки показник ш в залежності (Н ігг)~(І-Т/Т ігг)'" для ((1 ^і.РЬ)-1223 г вдвічі меншим.

т, к Т,к

Рис.2. Температурні залежності реальної (а) і уявної (б) частин динамічної сприйнятливості в функції магнітного поля і Н-Т діаграма стануг,) для (Н£,РЬ)-1223; г) лінії необоротності.

В другому підрозділі глави показано, що безпосереднє вимірювання часової залежності намагніченості в функції температури і магнітного поля може бути використано для побудови Н-Т фазової діаграми за зміною коефіцієнта гармонік. При руйнуванні слабкозв'язаних струмові™ контурів магнітним полем або температурою випромінювання накопиченої енергії відбувається на всіх частотах кратних основній, і тому сумарний внесок від всіх гармонік підвищує чутливість і достовірність у визначенні температури фазової когерентності.

В третьому підрозділі приведені дані по дослідженню температурних залежностей непарних гармонік намагніченості полікристалів (Ну,РЬ)-1223. За залежністю непарних гармонік динамічної сприйнятлівості від магнітного поля визначена поведінка густини транспортного струму. Показано, що виникнення парамагнітного гістерезису в мапіітопольових залежностях густини струму при Н>НСіе визначається необоротною намагніченістю надпровідних гранул (див. рис.З.). Аномальний гістерезис густини струму в магнітному полі отримано також при вимірюванні традиційним чотирьохзондовим методом. Густина транспортного ■струму апроксимована залежністю:

|с(Н)=іо/(І+Н/Н*)р, (1)

де Іо=]с(Н=0), а Р змінюється від 2 до 4 в залежності від максимально догягнугого в експерименті поля. Зростання струму під дією тиску з ‘ швидкістю і!1п(.Іс)/<1Р= 0,2 кбар’1 є вдвічі більшим ніж в УВСО купритах. Незалежність при цьому ширини переходу ДТс від тиску свідчить на користь покращення джозефсонівських контактів між гранулами. Оцінка нелінійного характеру залежності ТС(Р] показала, що різке зростання Тс до 4 гПа може бути пояснено збільшенням концентрації дірок в СиОг площині. Густина внутрігранульного струму іс була оцінена за гістерезисом намагніченості! і розрахована за моделлю Біна. Показано, що .Іо гранул (!^,РЬ)-1223 з середнім розміром зерна 10 мкм спадає при зміні темпе-ратури від 4 до ЗОК по екслоиенціішому закону:

і с (Т) = А(Н) ехр(- ТП'о), (2) ’

від 3 10 6 А/см 2 до 5 10 5 А/см 2 в полі 0.5 Т.

Нп,Ое

Н0,Ое

-2,5

Г)

іс(Тг А ехр(-ТЛҐ0)

1- Н= 0.5 Т

2- Н= 1 Т

•^-8.___________________________________________________

Н0,Ое

40

т,к

60

іс.З. Польові залежності першої гармоніки магнітної спнйнятяивосгі (а і б), приведеної густини транспортного струму (в); залежність густини внутріграиульного струму від температури (г) для полікристала (ЩовРЬо:)-12 23

ОСНОВНІ висновки

Додаткове заповнення кисневих позицій в металооксиДному купраті ’ВаіСиО-нв приводить до збільшення іонного заряду кристалічної нтки і різниці потенціалів Маделунга ДУа.Р для дірок на позиціях кисню ікального і в мідній площині, зростанню концентрації дірок в площині

СиОгта виникненню металевих властивостей при кімнатній температурі і надпровідних при Т<95К.. .

2. Показано, що існує кореляція між температурою переходу в надпровідний стан і різницею потенціалів Маделунга ДУа-Р. Із збільішенням СиО; площин від п=1 до п=3 в ртутному гомологічному ряді Ну-12(п-1)п різниця потенціалів ДУ,.р лінійно зростає від 7.44 до 9.75еВ, що корелює із збільшенням Тс від 95 до ІЗЗК.

3. Збільшення кількості ртутних дефектів в (Нйі-Х'и.ОВа^СііО).,- при за-

міщенні Hg на Си сприяє заповненню іонами кисню позиції 1/2 0 0 в площині При 17% заміщенні катіонів Не на Си отримано метало-

оксидний купрат (НцоязСио.^ВагСиО-н* з початком переходу із парамагнітного в діамагнітний стан при Тс,да= 125К.

4. Заміщення (до 5%) Ва на Бг та на РЬ (до 20%) стабілізує фазу Н£-1201, збільшує перше критичне поле до 150 Ое при майже оптимальному (93К) значенні температури переходу.

5. Елекгрофізичні і магнітні властивості полікристалів з основною фазою Н§-І223 залежать від наявності макроскопічних дефектів із фаз нижчих гомологів ртутного ряду з п=1 і 2 і ненадпровідної фази ВаСиОг.

6. Встановлено, що в полікристалічних зразках з основною фазою (НВо.вРЬ().2)Ва2СаіСи}084-5:

- густина транспортного струму зменшується в магнітному полі за законом >=)о(І+Н/Н*)Л де постійна складова Н* змінюється від 15 до 56 Ое, а коефіцієнт р - від 2.4 до 3.2 в залежності від величини захопленого магнітного потоку. Збільшення густини струму під тиском з швидкістю гіІпУс)/(1Р= 0,2 кбар'1, що вдвічі більше ніж в УВСО купратах, і незалежність ширини переходу ДТС від тиску свідчать про покрашення джозефсонівських контактів між гранулами;

- густина критичного 'струму в надпровідних гранулах зменшується з температурою по експоненційному закону А(Н)ехр(-ТЯо) від 3 10й А/см2 (Т=4К) до 5 105 А/см2 (Т=30К) в полі Н=0,5Т і від 2 І О6 А/см2 до 2 Ю5 А/см1 в полі 1Т.

7. Наявність парних гармонік в спектрі Фур’є розкладу часової залежності намагніченості гранульованих полікристалів (Hgo.ePbo.2)Ba2Ca2 СизОв+6 пояснюється в рамках моделі контурних струмів, а аномальний гістерезис в залежності jc(H) - існуванням поверхневого барєру в гранулах. За температурною і польовою залежністю коефіцієнту гармонік намагніченості побудовано Н-Т діаграму стану і розраховано критичні параметри, які змінюються в межах: Нсц = 1-5 Ое, HC2j = 2-Ю Ое, Неї* =50--100 Ое в залежності від кількості макроскопічних дефектів.

8. Сила пінінгу магнітного потоку в (HgonPbo.2)Ba2'Ca2Cu308+5, яка розрахованаза за лінією необоротності, є вдвічі більшою ніж в полікристалах Ві-2223 і (ТІ, РЬ)- 1223, але в 1.5 рази меншою ніж в Y-123.

Основні результати дисертації опубліковані в роботах:

1. Луцив Р.В., Акссльруд Л.Г., Мясоедов Ю.Н., Матвиив М.В., Китьік И.В. Сверхпроводимость в (Hgo.83Cuo.i7)Ba2Cu04+g при температурах выше І20К// Физика низких температур.-1994.-20,-№б.-С.606-609.

2. Myasoedov Yu.N., Lutciv R.V., Kityk I.V., Davydov V.N., Bojko Ya. V. Increasing of Tc in the new HTSC HgBa2Cu04+s promouted by deflects// Radiation Effects and Defects in Solids.-1995,- 137.-P.347-349.

3. Луцив P.B., Мясоедов Ю.Н., Матвиив М.В. Влияние условий синтеза и отжига на сверхпроводящие свойства ртутьсодержащих ВТСП материалов // Физика низких температур,-1996.- 22.- С.590-592.

4. Луцив Р.В., Мясоедов Ю.Н., Аксельруд Л.Г., Матвиив М.В., Китык И.В. Дефекты и сверхпроводийость в HgBa2CuOW/ Функциональные материалы.-1994,- 1.-№1.-С.56-61.

5. D'yachenko A.I., Tarenkoy V.Yu., Abalioshev . A.V., Lutciv R.V,

Myasoedov Yu,N., Boiko Ya. V. Magnetic-field and high-pressure dependences of T and critical current in the polycrystalline HgBaCaCuO system//Physica C.- 1995,-251.-P.207-215. >

6. Мясоедов Ю.Н., Луцив P.B., Аксельруд Л.Г., Сарин В.А. Давыдов В.Н. Кристаллическая структура, магнитная восприимчивость, намагни-'геность и критические токи Bi1.8Pbo4Sr2Ca,.8Cu30io.5. В материалах III

Межгосударственной конференции: Материаловедение високотемпературних сверхпропроводников, с.35-36, т.З, Харьков, 5-9 апреля 1993.

7. Lutsiv R.V., Myasoedov Yu.N., Matviiv M.V.. Bojko Ya.V. EfFect of substitution of Hg for Cu on properties of Hg based HTSC. In proceedings

2 Intern. Symphos. High-Тс superconductivity tunneling phenomena, p. 116-120, Donetsk, 3-6 Sept. 1994.

8. Tarenkov V.Yu., Abalioshev A.V., Lutciv R.V, Myasoedov Yu.N., Boiko Ya. V. Magnetic-field and high-pressure dependences of T and critical current in HgBaCaCuO system. In proceedings 2 Intern. Symphos. High-Tc superconductivity tunneling phenomena, p.166-168, Donetsk, 3-6 Sept. 1994.

9. Сорока M.B., Мясоедов Ю.М., Яріш І.Л. Особливості намагнічуван- ня нового високотемпературного надпровідника HgosPhwBa^CaiC’uj Os+fi у слабких магнітних полях// Вісник ЛДУ.-1995,- С.72-75.

10. Гладышевский Р.Е., Мясоедов Ю.Н., Луцив Р.В. Способ обработки высокотемпературной металооксидной керамики,- Авт. свид.СССР. -1992,-№ 1769631.

Myasoedov Yu.N. Investigation of the defccts influence on (lie elcctrophysicnl and magnetic properties of the Iig-containing mctalooxidc cupratcs.

7'fiesis on search of then scientific degree of candidate of phisical and mathematical seinces, speciality 01.04.10 - phasic a of semecohductors and dielectrics.

01.04.13- physica of metals. Lviv State University, Lviv, 1996.

9 scientific papers containing studies of the structure defects influence on the electrophysical and magnetic properties of the Hg-contaming compounds HgBa:Ca„. іСипОЛп+2+5 . It is found that the increasing of the defects number such as substitution Hg by Cu in compounds (Hgi.xCux)Ba>Cu044S series leads to the fulling of 1/200 positions in the HgOe plane by oxygen. It leads to the holies concentration changing and superconducting transition temperature increasing. Magnetization behaviour of polycrystals with (Hg,Pb)-1223 as a main phase in the static (to 12T) and alternative (to 20 Oe) magnetic fields in the temperature range from 4 to 150K was studied. In the framework of the ionic model the correlation between Madehmg potentials difference for holies on the oxygen positions in the crystal frame of the Hg-containing compounds and the superconducting transition temperature was found. '

Мясоедов ІО.Н. Исследование влиянии дефектов па елекірофіпическіа->і магнитные своіістпа ртуп.содерждщнх мсталооксидных кунратов.

Диссертация па соискание учёной степени кандидата физико-математических наук по специальностям 01.04.10- физика полупроводников и диэлектриков, 01.04.13- физика металлов. Львовский государственный университет им. Ивана Франки, Львов, 1996.

Защищаются 9 научных работ, содержащих исследование влияния структурных дефектов на электрофизические и магнитные свойства соединений ргушого гомологического ряда НцВа2Са„-іСип02п^іб- Установлено, что увеличение количества дефектов замещения Ня на Си в соединениях (Щі хСиОВагСиО^б способствует заполнению ионами кислорода позиции 1/2 0 0 в плоскости ЩОа, что приводит к изменению концентрации дырок в медной плоскости и увеличению температуры сверхпроводящего перехода. Изучено поведение намагниче-пости поликристаллов с основной фазой (Нд, РЬ)-1223 в ітстояішьіх (до 12Т) и переменных (до 20 Ое) магнитных поля.-; при изменении температуры от 4 до 150К. В рамках ионной модели установлена корреляция между разностью потенциалов Маделунга для дырок на позициях кислорода в кристаллической рсшетке.соединений ртутного рада и темпера п>рой перехода в сверхпроводящее состояние.

Ключові слова: ртутновмісні металооксидні купрати, структурні дефекта, намагніченість, динамічна магнітна сприйнятливість, гратка.

Підписано до друку 13.11.96. Форіщт 60x84/16. Пьлір друк. Друк офсетл. Уьовц.друк.врк. 1,25. Обл.-вид.ерк. 1,25. Уиова.фарб.відб. 1,3. Тнреа 100. Зан. 286. ,

Мошиїшо-о'ісетіїа лабораторія Львівського держуніверситету Іи. Івена Франка. 290602 Львів, вул. Уаїверсігаеїська, І.