Исследование влияния некоторых факторов роста на реальную структуру кристаллов KDP тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.18 ВАК РФ

Введение.

1. Литературные данные и постановка задачи.

1.1. Кристалл КОР.

1.1.1. Структура кристалла КОР.

1.1.2. Растворимость и рост кристалла КОР.

1.2. Рост кристаллов группы КВР из раствора; послойный рост, вицинальные холмики, образование макроступеней. Кристаллы, выращенные в традиционных режимах и с высокими скоростями.

1.3. Постановка задачи.

2. Методика эксперимента.

2.1. Выращивание кристаллов.

2.1.1. Метод изотермического испарения растворителя.

2.1.2. Метод изменения температуры: традиционные и быстровыращенные кристаллы.

2.2. Метод проекционной рентгеновской топографии по Лангу.

2.3. Приготовление образцов.

3. Ориентация ростовых дислокаций в кристалле КОР и ее связь с морфологией растущей поверхности.

3.1. Влияние ориентации растущей поверхности на ориентацию дислокаций.

3.2. Изменение картины распределения дислокаций при изменении температуры роста кристаллов.

3.2.1. Ориентация дислокаций в кристаллах, выращенных при температурах до 35°С. Резкие изломы. Изменение ориентации дислокаций внутри одного и того же сектора роста.

3.2.2. Дислокации в кристаллах КОР, выращенных при температурах около 45°С. Дислокации с изломами и дислокации, плавно изменяющие ориентацию в пределах одного сектора роста.

3.2.3. Дислокации в кристаллах, выращенных при температурах 55-60°С. Прямолинейные дислокации.

3.3. Обсуждение результатов.

3.3.1. Образование изломов.

3.3.2. Механизм плавного изменения ориентации дислокаций.

3.3.3. Прямолинейные дислокации.

3.3.4. Кристаллы КОР, выращенные скоростным методом при снижении температуры: иллюстрация предложенного механизма изменения ориентации дислокаций.

4. Ориентированные цепочки включений в кристаллах КОР.

4.1. Различные виды включений, наблюдавшиеся в кристаллах и механизмы их образования.

4.2. Ориентированные цепочки включений в скоростных кристаллах КОР - "волосы".

4.2.1. Расположение "волос" в кристалле: их форма и ориентация.

4.2.2. Дефектная структура кристаллов в областях расположения цепочек включений.

4.3. Обсуждение результатов.

4.3.1. Захват растущим кристаллом включений вдоль определенных направлений.

4.3.2. Образование цепочек включений в кристалле в направлении непараллельном растущей грани.

4.3.3. Захват включений изломами макроступеней.

5. Формирование полос зонарной неоднородности в кристаллах при послойном росте из раствора.

5.1. Образование полос зонарной неоднородности при росте кристаллов из раствора.

5.1.1. Влияние скачкообразного изменения пересыщения во время роста кристалла на образование неоднородностей.

5.2. Зонарные неоднородности при послойном росте кристалла.

5.2.1. Появление полос при изменении структуры растущей поверхности вследствие смены источников ростовых ступеней.

5.2.2. Образование полос роста в результате формирования макроступеней.

5.2.3. Возникновение полос роста вследствие изменения морфологии вицинальных холмиков.

Актуальность темы. Кристалл КОР - КН2РО4 - благодаря своим физическим свойствам широко применяется в нелинейной оптике и лазерной технике для изготовления модуляторов света, световых затворов для генерации гигантских световых импульсов твердотельных лазеров, а также ортогональных переключателей поляризации света, дискретных световых дефлекторов и нелинейных преобразователей частоты.

И хотя нелинейно-оптические свойства КОР не столь хороши как, например, свойства ВВО или КТР, он широко применяется в технике из-за своей высокой лазерной прочности, возможности получения кристаллов больших размеров (до 60x60 см в сечении), что обеспечивает возможность изготовления оптических элементов больших размеров, а также относительно низкой стоимости этих кристаллов. К кристаллам, используемым в качестве оптических элементов помимо требований наличия определенных физических свойств, таких, например, как нелинейные оптические характеристики и двулучепреломление, предъявляются требования высокой оптической однородности, которая может быть обеспечена в процессе кристаллизации.

Благодаря устойчивости соединения КН2РО4 в широком температурном интервале и его высокой растворимости в воде, кристаллы КВР оказались удобным модельным материалом для изучения процессов роста из раствора. Существование нескольких методов выращивания этих кристаллов, а именно метода снижения температуры и метода изотермического испарения растворителя с подпиткой и без нее, делает возможным изучение влияния различных факторов на процесс роста кристаллов. В последние годы все более широкое распространение получает выращивание крупных водорастворимых кристаллов по скоростной технологии, разработанной в Московском Государственном Университете. По этой методике кристаллы выращиваются с высокими скоростями (до 40 мм/сутки) при больших пересыщениях (до 20%). В подобных условиях многие процессы дефектообразования протекают гораздо интенсивнее, чем при традиционном выращивании кристаллов со скоростями порядка 1-2 мм в сутки. Вследствие этого быстровыращенные кристаллы характеризуются большей неоднородностью состава, в них чаще образуются включения маточного раствора, существуют особенности в формировании дислокационной структуры.

Большую роль в понимании этих процессов играют данные о кинетике роста и морфологии поверхности растущих граней кристалла. Проведение подобных исследований стало возможным с появлением прецизионных лазерно-интерференционных методик исследования поверхности. Были получены новые данные о роли дислокаций как источников ступеней роста и о влиянии гидродинамики на морфологию растущей поверхности и на реальную структуру кристалла.

Кристаллы группы KDP также активно исследовались методами рентгеновской топографии, в том числе in situ. В этих экспериментах изучалось влияние рН раствора, пересыщения и температуры роста на габитус и реальную структуру кристаллов. Были получены экспериментальные данные о характере дислокационной структуры, об активности дислокаций и роли разных типов дислокаций в процессе роста.

Однако несмотря на большое количество новых данных о роли дислокаций в образовании вицинальных холмиков все же не вполне ясны механизмы формирования дислокационной структуры кристалла в процессе роста в секторах роста граней призмы и дипирамиды. Не вполне ясно, какова связь дислокаций с образованием других дефектов. Большой интерес представляет изучение дислокационной структуры и механизмов образования дефектной структуры кристаллов, выращенных на «точечной» затравке, в том числе в сравнении с традиционно выращенными кристаллами.

Цель работы. Для определения оптимальных условий получения крупных оптически качественных кристаллов необходимо прояснить причины и механизмы образования дефектов в таких кристаллах. Особый интерес представляет исследование формирования дислокационной структуры в кристаллах КОР, поскольку дислокации являются одним из главных внутренних определяющих факторов процесса роста кристалла,, а также изучение механизмов возникновения дефектов различного типа как в быстровыращенных, так и в традиционных кристаллах. Для исследования формирования дислокационной структуры и других дефектов, возникающих в кристалле в процессе роста хорошо подходят методы проекционной рентгеновской топографии, позволяющие наблюдать и изучать макроскопическую картину распределения дефектов, в сочетании с оптической микроскопией, которая дает возможность изучения морфологии поверхности и относительно крупных дефектов.

В данной работе ставились следующие задачи:

- изучение характера дислокационной структуры кристаллов КБР в зависимости от температуры роста;

- изучение влияния условий роста и морфологии растущей поверхности на образование включений в быстровыращенных кристаллах КЮР;

- изучение механизмов образования полосчатых неоднородностей, связанных с особенностями реальной структуры кристалла, выращенного из раствора.

Научная новизна полученных в диссертации результатов состоит в следующем:

- впервые предложена модель изменения ориентации ростовых дислокаций внутри одного ростового сектора. Показано, что изменение ориентации дислокаций связано с прохождением по растущей поверхности отдельных макроступеней или их групп;

- впервые наблюдались включения типа «волосы» в скоростных кристаллах КХ)Р, представляющие собой цепочки мелких включений. Показано, что их образование не связано с дислокациями, имеющими место в растущем кристалле. Предложена модель образования подобных включений, основанная на особенностях морфологии растущей поверхности. Показано, что условия формирования включений должны быть стабильны в течение достаточно длительного времени;

- показано, что на формирование полос неоднородностей в кристаллах КОР более существенное влияние, по сравнению с резкими колебаниями условий роста оказывает изменение дислокационной структуры кристалла в процессе роста.

Практическая значимость работы состоит в том, что изучение формирования реальной структуры кристаллов КОР, как традиционных, так и быстровыращенных, в зависимости от условий роста в конечном итоге позволяет сформулировать практические рекомендации для выращивания кристаллов высокого оптического качества. На защиту выносятся следующие положения:

- модели резкого и плавного изменения ориентации дислокаций в процессе роста внутри одного ростового сектора;

- обнаружение ранее не наблюдавшихся включений типа «волосы» и механизмы их образования;

- механизмы образования зонарных неоднородностей при росте кристаллов из растворов: изменение дислокационной структуры кристалла в процессе роста, которое может происходить даже при постоянных или плавно изменяющихся условиях роста; смена ведущего центра роста на грани; образование макроступеней; изменение морфологии вицинальных холмиков при изменении условий роста.

Апробаиш работы. Результаты работы докладывались на молодежном конкурсе научных работ ИК РАН (1994, 1995); XIV Конференции по росту кристаллов и эпитаксии (США, 1995); XI Международной конференции по росту кристаллов (Нидерланды, 1995); XVII Конгрессе и Генеральной Ассамблее Международного Союза Кристаллографов (США, 1996); X Международной летней школе по росту кристаллов (Италия, 1998); XII Международной конференции по росту кристаллов (Израиль, 1998). Публикации. Результаты исследований по теме диссертации опубликованы в 9 работах:

1.1.L.Smolsky, E.B.Rudneva. Proc. European Crystallographic Meeting, Enschede.

The Netherlands. 1992. p.370. 2. И.Л.Смольский, Е.Б.Руднева. Влияние морфологии растущих граней на ориентацию остовых дислокаций в кристаллах KDP. Кристаллография. Т.38, Вып.4. С.248-256. 1993. 3.1.L.Smolsky, E.B.Rudneva. Effect of the surface morphology on the grown-in dislocation orientations in KDP crystals. Phys. Stat. Sol. (a). V. 141. P.99-107. 1994.

4.1.L.Smolsky, N.P.Zaitseva, E.B.Rudneva, S.V.Bogatyreva. "Hair" inclusions formation in rapidly grown KDP crystals. ICCG XI. The Hague. The Netherlands. June 18-23. 1995. Abstracts. P.640. 5.I.L.Smolsky, N.P.Zaitseva, E.B.Rudneva. Influence of surface morphology on orientations of dislocations and liquid inclusions formations in KDP crystals. XIV Conference on crystal growth and epitaxy. California. June 4-7, 1995. Progr. and abstracts. P.40a.

6. I.L.Smolsky, A.E.Voloshin, E.B.Rudneva. Mechanisms of striation formation during growth of KDP family crystals. IUC XVII Congress and General Assembly. Seattle. Washington. USA. August 8-17,1996.Collected Abstracts. P.C-508.

Результаты работы позволяют сформулировать некоторые рекомендации по улучшению качества выращиваемых монокристаллов:

- для уменьшения вероятности появления полос роста, связанных с прохождением по поверхности групп макроступеней, кристаллы КОР следует выращивать при температурах выше 45 °С,

- поскольку включения "волосы" образуются благодаря морфологической неустойчивости граней, то их устранению будет способствовать выращивание кристаллов при пересыщениях, выше сг*, а также дополнительная очистка раствора от посторонних частиц и примесей, являющихся стопорами для ростовых ступеней,

- для уменьшения полосчатой неоднородности, вызванной изменениями в дислокационной структуре кристалла, необходимо в процессе роста поддерживать постоянное пересыщение, чтобы снизить конкуренцию ростовых холмиков, приводящую к появлению полосчатой неоднородности.

1. Рашкович Л.Н., Шекунов Б.Ю., Кузнецов Ю.Г. Гидродинамические эффекты при росте кристаллов ADP и KDP в растворе. II. Морфологическая устойчивость граней //Кристаллография.-1990.-Т. 35.-С. 165-169.

2. Рашкович Л.Н., Шекунов Б.Ю. Влияние примесей на кинетику роста и морфологию граней призмы кристаллов ADP и KDP // Рост кристаллов. 1990. Т. 18. С. 124-139.

3. Рашкович Л.Н., Шекунов Б.Ю., Кузнецов Ю.Г. Связь гидродинамики раствора с морфологической устойчивостью. Грань призмы кристалла KDP // 7-ая Всес. конф. по росту кристаллов: Тез. докл. Москва, 1988. Т.Н. С. 12-14.

4. Рашкович Л.Н., Шекунов Б.Ю. Гидродинамические эффекты при росте кристаллов ADP и KDP в растворе. I. Кинетика роста // Кристаллография.-1990.-Т. 35.-С. 160-164.

5. Chernov A.A., Rashkovich L.N. Spiral crystal growth with nonlinear dependence of step growth rate on supersaturation; the {101} faces of KH2P04 crystals in aqueous solution // J. of Crystal Growth. -1987.- V. 84.-№ 3.-P. 389-393.

6. Чернов A.A., Рашкович JI.H., Мкртчян A.A. Интерференционно-оптическое исследование поверхностных процессов роста кристаллов KDP, DKDP и ADP // Кристаллография.-1987.-Т. 32.-№ З.-С. 737-754.

7. Кузнецов Ю.Г., Чернов А.А., Векилов П.Г., Смольский И.Л. Кинетика роста граней (101) кристаллов NH4H2PO4 из водного раствора // Кристаллография. -1987. -Т. 32.-С. 994-1000.

8. Чернов А.А., Рашкович Л.Н. Спиральный рост кристаллов при нелинейной зависимости скорости ступеней от пересыщения: грани (100) кристаллов группы KDP в растворе // Доклады АН СССР.-1987.-Т.295.-С. 106109.

9. Бартон У.К., Кабрера Н., Франк Ф.Ч. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхностей // Элементарные процессы роста кристаллов / ML, 1959. С.11-109,

10. Смольский И.Л., Чернов А.А., Кузнецов Ю.Г., Парвов В.Ф., Рожанский В.Н. Вицинальная секториальность в секторах роста граней (011) кристаллов ADP // Кристаллография.-!985.-Т. 30.-№5.-С. 971-979.

11. Смольский И.Л., Чернов А.А., Кузнецов Ю.Г., Парвов В.Ф., Рожанский В.Н. Вицинальная секториальность и ее связь с кинетикой роста кристаллов ADP // ДАН СССР.-1984.-Т. 278.- № 2.-С. 358-361.

12. West J. // Z.Krist.-1930.-V. 74.-Р. 306.

13. Mullin J.W., Amatavivadhana A. Growth kinetics of phosphate crystals // J of Appl. Chem. -1967. V. 17.-P. 151-156.

14. Пунин Ю.О., Миренкова Т.Ф., Артамонова O.H., Ульянова Т.П. Растворимость КН2Р04 в водных растворах КОН и Н3Р04 // ЖНХ.-1975.-Т.ХХ,-Вып. 10.-С. 2813-2815.

15. Janssen-van Rosmalen R. Thesis. Technical University. Delft. 1977.

16. Неопубликованные данные Т.Фроста. Lawrence Livermore National Laboratory. USA. 1991-1992rr.

17. Петров Т.Г., Трейвус Е.Б., Касаткин А.П. Выращивание кристаллов из растворов. 2-е изд., перераб. и доп . Л.: Недра, 1983.- 200 с.

18. Чернов А. А. Процессы кристаллизации // Современная кристаллография : В 4 т. Т. 3. Образование кристаллов. -M.: Наука, 1980. С.7-232.

19. Беспалов В.И., Бредихин В.И., Ершов В.П. и др. Скоростное выращивание водорастворимых кристаллов и проблемы создания болыпеапертурных преобразователей света // Известия АН СССР: серия Физическая,-1987.-Т. 51.-№ 8.-С. 1354-1360.

20. Рашкович JI.H. Скоростное выращивание из раствора крупных кристаллов для нелинейной оптики // Вестник АН СССР.-1984.-Т. 9.-С. 15-19.

21. Loiacano G.M., Zola J.J., Kostecky G. Growth of KH2P04 crystals at constant temperature and supersaturation // J. of Crystal Growth.-1983.-V. 62.-P. 545556.

22. Bordui P.F., Zola J.J., Kostecky G., Loiacono G.M. Aqueous solution growth of KDP from «spliced» seeds // J. of Crystal Growth.-1985.-V. 71.-P. 269272.

23. Joshy M.S., Antony A.V. Oriented inclusions in single crystals of potassium dihydrogen phosphate // Kristall und Technik.-! 979.-В 14.-S. 527-530.

24. Zaitseva N.P., Rashkovich L.N., Bogatyreva S.V. Stability of KH2P04 and K(H,D)2P04 solutions at fast crystal growth rates // J. of Crystal Growth.-!995.-V. 148.-P. 276-282.

25. Synowiec Y. A method of calculation of limiting supersaturation of inorganic salt solutions // Kristall und Tecbnik.-1973.- B.8.- №> 6.-P. 701-708.

26. Рашкович JI.H., Мкртчян A.A., Чернов A.A. Интерференционно-оптическое исследование морфологии и кинетики роста грани (100) ADP из водного раствора//Кристаллография.-1985.-T. 30.-С. 380-387.

27. Чернов A.A., Рашкович Л.Н., Смольский И.Л., Кузнецов Ю.Г., Мкртчан A.A., Малкин А.И. Процессы роста кристаллов из водных растворов (группа KDP) // Рост кристаллов. 1986. Т. 15. С. 47.

28. Рашкович Л.Н., Чернов A.A., Шекунов Б.Ю. Гидродинамика и дислокационный рост кристаллов ADP // II Всесоюзной конференции "Моделирование роста кристаллов": Тез. докл.-Рига, 1987. С. 159.

29. Чернов A.A., Смольский И.Л., Парвов В.Ф., Кузнецов ТО.Г., Рожанский В.Н. Рентгенографическое исследование процессов роста кристаллов ADP // Кристаллография.-1980.-Т. 25.-№ 4.-С. 821-828.

30. Volmer M. Kinetik der Phasenbidung. Dresden. Steinkopf. 1939.

31. Кузнецов Ю.Г., Смольский И.Л., Чернов А.А., Рожанский В.Н. Реализация бездислокационного роста кристаллов ADP при рентгенотопографическом контроле in situ // ДАН СССР.-1981.-Т. 260.-С. 864867.

32. Малкин А.И., Чернов А.А., Алексеев И.В. Двумерное зарождение при росте кристаллов из растворов. Грань дипирамиды кристаллов ADP // Кристаллография.-1989.-Т. 34.-С. 968-973.

33. Chernov А.А., Zaitseva N.P., Rashkovich L.N. Secondary nucleation induced by cracking of a growing crystal: KH2P04 and KD2P04 // J. of Crystal Growth.-1990.-V. 102.-P. 793-800.

34. Frank F.C. Crystal Growth from Solution. Layer Formation on Crystal Faces I. Discussion // Faraday Soc.-1949.- № 5.-P. 119-144.

35. Леммлейн Г.Г. Морфология и генезис кристаллов.- М.: Наука, 1973.327 с.

36. Bennema P., van der Eerden J.P., van Enckevort W.J.P., van der Hoek В., Tsukamoto K. Observation and interpretation of spirals for spiral growth from liquid state //Phys. Stat. Sol. (a).-1979.-V. 55.-№ 2.-P.403-413.

37. Chernov A.A., Rashkovich L.N., Mkrtchan A.A. Solution growth kinetics and mechanism: Prizmatic face of ADP // J. of Crystal Growth.-1986.-Y. 74,- № 2.-P. 101-112.

38. Rashkovich L.N. KDP-family single crystals. Adam Hilger. Bristol. N.Y., 1991. 202 p.

39. Vekilov P.G., Kuznetsov Yu.G., Chernov A. A. The effect of temperature on step motion; (101) ADP face //J. of Crystal Growth.-1992,-V. 121.-P. 44-52.

40. Ristic R.I., Garside J., Zizic B. Surface features of small ADP crystals // J. of Crystal Growth.-1974.-V. 24-25.-P. 641-645.

41. Dam В., Polman E., van Enckevort W.J.P. In situ observation of surface phenomena on {100} KDP related to growth kinetics and impurity action // Process. Technol. Proc. (Industrial Crystalliszation). 1984. P. 97-102.

42. Dam В., van Enckevort W.J.P. In situ observations of surface phenomena on {100} and {101} potassium dihydrogen phosphate crystals //J. of Crystal Growth.-1984.-V. 69.-P. 306-316.

43. Voloshin A.E., Smolsky I.L., Sorokin S.S. Quantitative analysis of weak deformation fields in crystals by X-ray plane wave topography // XVII ICCG: Collected Abstracts.-Seattle, USA, 1996. P. C-369.

44. Чернов A.A., Кузнецов Ю.Г., Смольский И.Л., Рожанский В.Н. Гидродинамические эффекты при росте кристаллов ADP из водных растворов в кинетическом режиме//Кристаллография 1986.-Т. 31.-С. 1193-1200.

45. Рашкович Л.Н., Шекунов Б.Ю. Влияние пересыщения на форму дислокационных холмов. Кристалл KDP // 7-ая Всес. конф. по росту кристаллов: Тез. докл. Москва, 1988. Т.П. С. 57-59.

46. Rashkovich L.N., Shekunov B.Yu. Morphology of growing vicinal surface: prismatic faces of ADP and KDP crystals in solutions // J. of Crystal Growth.-1990.-V. 100.-P. 133.

47. Zaitseva N.P., De Yoreo J.J., Dehaven M.R., Vital R.V., Montgomery K.E., M.Richardson, Athernon L.J. Rapid growth of large-scale (40-55 cm) KH2P04 crystals//J. of Crystal Growth.-1997.-V. 180.-P. 255-262.

48. Fujioka K, Matsuo S., Kanabe Т., Fujita H., Nakatsuka M. Optical properties of rapidly grown KDP crystal improved by thermal conditioning // J. of Crystal Growth.-1997.-V. 181.-P. 265-271.

49. Lang A.R. The projection topography: a new method in X-ray diffraction microradiography // Acta Crystallogr.-1959.-V. 12.-P. 249-250.

50. Пинскер З.Г. Динамическое рассеяние рентгеновских лучей в идеальных кристаллах,- М.: Наука, 1974.-368 с.

51. Penning P., Polder D. Philips Res. Rep.-1961 .-V.16.-P.419.

52. Kato N. J. Phys. Soe of Japan.-1963.-V.18.-№12.-P.1785.

53. KatoN. J. Phys. Soc of Japan.-1964.-V.19.-№1.-P.67.

54. Фишман Ю.М. Рентгеновское топографическое исследование дефектов и дифракционного контраста в кристаллах группы KDP. -Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат. наук.-М.-1972.

55. Ando У., KatoN. J. of Appl. Cryst.-1970.-V.3-№2.-P.74.

56. Tanner B.K. X-ray Diffraction Topography.-Pergamon Press.-1976.-174p.

57. Фишман Ю.М. Рентгенотопографическое исследование дислокаций, возникающих в кристаллах дигидрофосфата калия при росте из раствора // Кристаллография.-1972.-Т. 17.-Ш.-С. 607-611.

58. Bhat N.L. X-ray topographic assessment of dislocations in crystals grown from solution // Prog. Crystal Growth and Charact.-1985.-V. 11.-P. 57-87.

59. Belouet C., Dunia E., Petroff J.F. X-ray topographic study of defects in KH2P04 single crystals and their relation with impurity segregation // J. of Crystal Growth.-1974.-V. 23.-P. 243-252.

60. Klapper H.? Fishman Yu.M., Lutsau V.G. Elastic energy and line directions of growth in dislocations in KDP crystals // Phys. Stat. Sol. (a).- 1974.-V. 21.-P.115-121.

61. Лоте И., Хирт Дж. Теория дислокаций: Пер. с англ.-М.: Атомиздат, 1972.-599с.

62. Инденбом B.JI., Алыпиц В.И., Чернов В.М. Дислокации в анизотропной теории упругости // Дефекты в кристаллах и их моделирование на ЭВМ / Под ред. Ю.А.Осипъяна. Л.: Наука, 1980,- С. 23-76.

63. Chernov A.A., Dimitrov V.S. Interaction between dislocations and sellular front of crystallization: (0001) Si02 face // J. of Crystal Growth.-1989.-V. 96.-P. 304.

64. Klapper H. Elastische Energie und Vorzugsrichtungen geradliniger Versetzungen in aus der Losung gewachsenenorganischen Kristallen. II. Tioharnstoff //Physica Stat. Sol. (a).-1972.-V. 14.-P. 443-451.

65. Klapper H., Kuppers H. Directions of dislocations lines in crystals of ammonium hydrogen oxalate hemihydrate grown from solution // Acta Cryst-1973.-V.29A.-P.459-503.

66. Bhat N.L., Roberts K.J., Sherwood J.N. // J. of Appl.Crystal.-1983.-V. 16.-P. 390.

67. Haussuhl S. Elastische und thermoelasische Eigenschaften von КН2Р04, KH2As04, NH4H2P04, NH4H2As04 und RbH2P04 // Z. fur Krist.-1964.-Bd. 120.-S. 401-414.

68. Characterization of crystal growth defects by X-ray methods / Ed. B.K.Tanner, D.K.Bowen.-N.Y. 1980. Plenum Press.

69. Van Enckevort W.J.P., Janssen-van Rosmalen R., van der Linden W.H. Evidence for spiral growth on the pyramidal faces of KDP and ADP single crystals // J. of Crystal Growth.-1980.-V. 49.-P. 502-514.

70. Смольский И.Л., Зайцева Н.П. Характерные дефекты и неоднородности в кристаллах группы KDP, выращенных с высокими скоростями//Рост кристаллов. 1991. Т. 19. С. 173-185.

71. Степанова Н.С., Портнов В.Н., Фридман С.С., Фишман Ю.М., Белюстин A.B. Влияние условий образования на реальное строение и внешнюю морфологию кристаллов KDP // Рост кристаллов. 1973. Т. 12. С. 129-133.

72. De Yoreo J.J., Rek Z.U., Zaitseva N.P., Woods B.W. Sources of optical distortion in rapidly grown crystals of KH2P04 // J. of Crystal Growth.-1996.-V. 166.-№ 1-4.-P. 291-297.

73. Хаимов-Мальков В.Я. Условия роста кристаллов, соприкасающихся с макропрепятствиями // Рост кристаллов. 1959. Т. 2. С. 26-39.

74. Клия M.О., Соколова И.Г. Захват растущим кристаллом капель эмульсии при кристаллизации из растворов // Кристаллография.-1959.-Т. 3.-№ 2.-С. 219-224.

75. Janssen-van Rosmalen R., Bennema P. The role of hydrodynamics and supersaturation in the formation of liquid inclusions in KDP // J. of Crystal Growth.-1977.-V.42.-P.224-227.

76. Van Enckevort W.J.P., Janssen-van Rosmalen R., Klapper H., van der Linden W.H. Growth phenomena of KDP crystals in relation to the internal structure // J. of Crystal Growth.-1982.-V. 60.-P. 67-78.

77. Joshy M.S., Antony A.V. Nucleation in supersaturated potassium dihydrogen orthophosphate solutions // J. of Crystal Growth.-1979.-V. 46.-P. 7-9.

78. Brooks R., Horton A.T., Torgesen J.L. Occlusion of mother liquor in solution-grown crystals //J. of Crystal Growth.-1968.-V. 2.-P. 279-283.

79. Joshi M.S., Paul B.K. Effect of supersaturation and fluid shear on the habit and homogeneity of potassium dihydrogen phosphate crystals // J . of Crystal Growth.-1974.-V. 22.-P. 321-327.

80. Rodriguez R., Aguilo M., Tejada J. Unstable growth of ADP crystals // J.of Crystal Growth.-1979.-V .47.-P. 518-526.

81. Frank F.C. Capillary equilibria of dislocated crystals // Acta Crystal-1951.-V. 4.-P. 497-501.

82. Takasu S., Shimanuki S. Tunnel-like Defects of Flux Grown Magnetic Garnets (Y3Fe3012) // J. of Crystal Growth.-1974.-V. 24-25.-P. 641-645.

83. Sunagawa I., Bennema P. Modes of vibration in step trains: rhythmical bunching //J. of Crystal Growth.-1979.-V. 46.-P. 451-457.

84. Sunagawa I., Bennema P. Observation of the influence of stress fields on the shape of growth and dissolution spirals // J. of Crystal Growth.-1981.-V. 53.-P. 490-504.

85. Inomata Y., Komatsu H., Mimoto M., Inoue Z. The direct observation of a cluster of screw dislocations in silicon carbide // J. of Crystal Growth.-1968.-V. 2.-P. 322-323.

86. De Yoreo J.J., Land T.A., Dair B. Growth morphology of vicinal hillocks on the {101} of KH2P04: from step-flow to layer-by-layer growth // Physical Review Letters.-1994.-V.73,- № 6.-P. 838-841.

87. Zerfoss S., Lawson S. //Am. Mineralogist-1956.-V. 41.-P. 598.

88. Noor J. W., Dam B. The growth spiral morphology on {100} KDP related to impurity effects and step kinetics // J. of Crystal Growth.-1986.-V. 76.-P. 243-250.

89. Смольский И.Л., Малкин А.И., Чернов A.A. Кинетика и нерегулярность роста граней призмы и дипирамиды кристаллов ADP // Кристаллография,- 1986.-Т. 31.-Вып. 4.-С. 769-775.

90. Filippov А.Р., Gaidukov G.N., Maksimov S.K. Elastic fields of a dislocation inclined to a free surface // Phys. Stat. Sol. (a).-1985.-V. 90.-P. 215-224.

91. Fishman Yu.M., Lutsau V.G. X-ray dynamical diffration contrast due to inhomogeneous impurity distribution // Phys. Stat. Sol. (a).-1970.-V. 3.- № 2.-P. 829837.

92. Смольский И.Л., Малкин А.И., Кузнецов Ю.Г., Чернов А.А., Гуссак Я. Д., Коган А.Я. Лазерно-интерференционный рентгенотопографический спектрометр для исследования роста граней кристаллов из раствора // Кристаллография.-1985.-Т. 30.З.-С. 570-574.