Исследование возбужденных состояний примесей халькогенов в Германии тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

р; «•• 1 О

- ^ Л

4 ^

На праплх руюпнси

ШТЕРЕНТ АС Ривера Максовиа

ИСа1ЕДОВАНИЕ ВОЗБУЖДЕННЫХ СОСТОЯНИЙ ПРИМЕСЕЙ ХАЛЬКОГЕНОВ В ГЕРМАНИИ

(О МИ. 10 - физика полупроводников и диалекгритов)

АВТОРЕФЕРАТ

диссертация на соискание ученой степени кандкягга фтиго математически* пяу*

Саигт-Петербург 1995г.

Работа выполнена и Саим-Пегербургсьом Государственном Техническом Университете.

Научные руководители:

Член-корреспондент АИИ РФ,

доктор фи-шо-математических наук,

профессор В.И.Ильин

кандидат фи1ико-матема1Ических наук,

доиент А.Ю.Ушаков

Официальные опноненты:

Заслуженный деятель науки и техники РФ,

доктор физико-математических наук,

профессор Ю.И.Уханов

кандидат физико-математических наук,

доиент Н.И.МихаЛлс

Ведущая организация - Фиэнко Технический Институт им.А.Ф.Иоффе (Саикг-Петербург)

на заседании диссертационного совега К 063.38 16 в Санкт-Петербургском Государственном Техническом Университете по адресу: 193251, Санкт-Петербург, Политехническая ул.29, II корп., ауд.

С диссертацией можно ознакомиться в фундаментальной библиотеке Технического Университета.

Ученый секретарь диссертационного совета, кандидат Фтико-матемятических

наух, доцент : О.А.Падсвяров

часов

Автореферат разослан 1995г.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Диссертационная работа посвящена исследованию энергетического спектра примесей тагко1еиов в германии оптическими и фотоэлектрическими методами. Основное внимание у пелена изучению переходов ионов халькошюв в возбужденные состояния.

Актуальность темы. Изучению примесей, создающих глубокие энергетические уровни в полупроводниках, посвящено большое число как экспериментальных, так и теоретических работ. Интерес к этой теме объясняется существенным влиянием таких примесей практически на все свойства полупроводника, в частности, на оптические и фотоэлектрические. Например, глубокие примесные состояния, являясь центрами рекомбинации и прилипания (в зависимости от особенностей легирования), применяются для управления временем жизни неосновных носителей заряда. Известно применение германия и кремния, легированных примесями, создаюшимй глубокие уровни, в фотоприемниках инфракрасного диапазона. > _

Начиная с 30-х годов, опубликовано сравнительно большое число теоретических работ, посвященных построению адекватной модели глубокого примесного центра, в которых рассчитывались энергетические спектры примесей, волновые функции электронов на внешних оболочках примесных атомов, сечения поглощения света и т.д. Однако, к настоящему времени пока не удалось гобиться совпадения расчетных значений с величинами, полученными из эксперимента. В связи с этим для построения теории глубокого примесного центра актуально накопление экспериментальных данных о различных строках поведения глубоких примесей. .

Халькогены в германии и кремнии являются типичными примесями, создающими глубокие энергетические состояния. Так как энергетические зазоры между создаваемыми халькогенами уровнями и лном зоны проводимости германия и кремния соответствуют окнам прозрачности атмосферы при 3,5 мкм и 10 мкм, эти примесные полупроводники 'пс-рспектигшн для использования их в качестве чувствительных элементов фотоприемников. Достаточно полно изучен кремний.

легированный халькогенами, в связи с работами по созданию матричных фотопреобразователси инфракрасного диапазона. Изучению этих примесей в 1ерманни посвящено значительно меньшее число работ. Значения энергий ионизации, полученные разными авторами, порой существенно различаются. Наименее всего изучены возбужденные состояния халькопенов в германии.

В лаборатории оптико-физических исслелований на кафедре физики полупроводников н нанозлектроники СПбГТУ при исследовании оптических и фотоэлектрических свойств германия, легированного халькогенами. наблюдались своеобразные проявления перехолов ионов халькогенов в возбужденные состояния. Детальное изучение этих явлений может дать существенно новую информацию о халькогенах в германии как типичных представителях глубоких примесей.

Основные задачи работы включали:

- создание экспериментальных установок. для выращивания методом направленной перекристаллизации монокристаллов германия с различным легированием, для исследований методом эффекта Холла и установки для оптических и фотоэлектрических исследований;

- выращивание монокристаллов германия, легированного серок, селеном и теллуром, с различной ' степенью компенсации мелким акцептором: 0,05-2. Определение предельной растворимости халькогенов В германии по результатам измерений аффекта Холла в диапазоне температур 77 - Э00К;

исследование спектров фотопроводимости и оптической прозрачности Ое:8, Ge.Se и Ое:Те при различных степени компенсации и температуре;

- исследование спектров фотолюминесценции Ое:Те и Ge-.Se в области энергий, соответствующих переходам из возбужденных состояний;

- теоретический анализ наблюдаемых особенностей в спектрах. Построение модели происходящих пронг-сов.

Надщн довита работы:

I.Впервые наблюдались переходу ионов халькогенов в германии в возбужденные состояния в области энергий 3.10-380 мэВ.

' -з-

2.0бнаружено, что в определенном интервале значений компенсации переходы в возбужденные состоят« сопровождаются отрицательным вкладом в фотопроводимость. Объяснены причины, приводящие к отрицательному вкладу в' фотоэффект возбужденных состояний серы и селена в германии.

3.Показана связь возбужденных состояний серы и селена с Ь-, а теллура с Г-минимумами зоны проводимости германия. *

4.Наблюдалась фотолюминесценция возбужденных ионов халькогеиов в германии.

5.Показано, что наблюдаемые переходы в возбужденные состояния связаны с изолированными атомами примеси, а не с комплексами.

Практическая ценность работы:

ГРатрабоганы и построены экспериментальные установки, представляющие интерес для исследователей, работающих в области физики полупроводников. ■ , .

2. Показана возможность использования германия, легированного хапькогенами, для - . из.отопления чувствительных элементов фото приемников ИК-диапазона на области- спектра, соответствующие окнам прозрачности атмосферы.

3.Результаты работы дали новую информацию о физических- явлениях с участием глубоких примесей в полупроводниках, полезную для построения адекватной модели глубокого примесного центра.

Основные, пшожснта.енносамые на зашвд;

¡.Обнаруженные в спектрах фотопроводимости и оптического поглощения германия, легированного халькогенами, особенности о области энергий 350-380 мэВ обусловлены переходами ионов халькогеиов, находящихся в узлах решетки германия, в возбужденные состояния.

2. Наблюдаемый считает в спектрах фотопроводимости и оптического поглощения Ое:Те соответствует возбужденному состоянию нона теллура ЫТг), а триплет * спектрах фотопроводимости и оптического поглощения Се.Э и бе:Бе соответствует возбужденным состояниям вопов этих примесей 2Р<>, ЭР„, ЗР±.

Э.Излучательный переход в основное состояние иона селена в германии происходит с участием Г0-фонона, в отличие от иона теллура, который переходит в основное состояние без участия оптических фононов.

4.0бнаруженные в спектрах особенности связаны с одиночными налькогенами, а не с комплексами.

5.Возбужденное состояние иона теллура лежит в Г-точке с-зоны германия, откуда возбужденный электрон переходит в состояния зоны проводимости, давая вклад в фототек; а возбужденные состояния ионов серы и селена локализованы под L-минимумом зоны проводимости германия, откуда с бйлыней вероятностью электроны возвращаются в основное состояние, не участвуя в фотоэффекте.

Апрпбанкц ряКоти Основные результаты диссертационной работы докладывались на проблемных семинарах: "Примеси, дефекты и де1радациоотпле явления в полупроводниковых материалах и приборах" (Санкт-Петербург, 1990г.), "Физика и технология полупроводниковых материалов и приборов" (Санкт-Пеггербург, 1995г.); на ХУШ Международной конференции по дефектам в полупроводниках (Sendai, Japan, 1995г.); обсуждались на научных семинарах на кафедре физики полупроводников и наноэлекгроникя СПбГТУ.

Публикации. По материалам диссертация опубликовано 10 научных работ, список которых приведен в конце автореферата.

Структура и объем ^frpratmy. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка цитируемой литературы, включающего 94 наименования. Работа содержит 143 страниц машинописного текста, в том числе 4 таблицы я 45 рисунков.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

Во Введен^ обоснована актуальность темы, сформулированы основные задачи работы, показана ее научная новизна и практическая

значимость полученных результатов, даны сведения о структуре и содержании работы и приведены положения, выносимые на защиту.

Глава 1-Обзор литературы, Описано современное состояние проблемы глубоких примесей в полупроводниках. Уделено внимание влиянию многодолинной структуры зоны проводимости на энергетический спектр примеси. Приведены экспериментальные и теоретические результаты определения положения уровней атомов и ионов халькогенов в кремнии и германии. Данные по кремндо и германию рассматриваются параллельно ввиду сходства структуры зовы проводимости этих двух полупроводников и того, что примеси халькогенов в кремнии достаточно хорошо изучены, что нельзя сказать о германии. Значительное место уделено описанию оптических и фотоэлектрических свойств примесных полупроводников. Приведены имеющиеся в литературе сведения о возбужденных состояниях примесей халькогенов в германии и кремнии. Сделан вывод о целесообразности дальнейшего исследования возбужденных состояний халькогенов в германия.

Глава 2.Мегпцика эксперимента. Описываются построенные нами для данной работа: установка для выращивания кристаллов методом направленной перекристаллизации; холловская установи для контроля выращенных образцов; установка для оптических я фотоалектригчесхпх исследований. Анализируются факторы, определяющие точность получаемых результатов.

В построенной нами градиентной ггечн температура задается и поддерживается тиристорным регулятором с точностью порядка 1 градус. Градиент темперазуры порядка 20 град>Ь<. Скорость движения печи относительно выращиваемого кристалла 2 смАчас.

Для получения качественных мояокрвсгаллических образцов заданного состава и не содержащих посторонних примесей тщательно контролировались все стадии технологического процесса. Для управления зарядовым состоянием примесей халькогенов в качестве исходного материала применялся монокряспллнчеехяй германий р-типа с концентрапией галлия 7x10» - 2x1015 см-J. кристаллизация

нронодилась а фафигових лодочках, пометенных в вахуумированные кварцевые ампулы. Ампулы с заготовками перед отпайкой прогревались в течение получаса дня удаления кислорода. Затем после охлаждения в них вводился халькоген в количестве порядка 10 мг на 40 г германия в заготовке. По завершении процесса роста ампулы с выращенными кристаллами извлекались из печи при температура порядка 800°С и попчсртались закалке в воде« что обеспечивало концентрацию халькогена, равную величине преданной растворимости. Контролировалась монокрнсгалличжхггь выраженного материала. Выращенные слитки разрешались на пластины. На образны наносились никелевые контакты.

Построенная нами двухчастотиая хаповсхая установка обеспечивает за1!нсь па явухкоордшиглюм самописце температурных зависимостей козффнниента Хана и удельного сопротивления в диапазоне от температуры жидкою азота до кошшшй. Таким образом контролировались содержание халькоген», степень компенсации и оперши ионизации.

Установка азя оптических и фотоэлектрических исследований обеспечивает запись на лвухкоорпннатном самописце спектров прозрачности, фотопроводимости и фотолюминесценции в диапазоне энергий 80-800 мэВ. Большинство измерений проведено при температурах 54 К я 77К. Фотолюминесценция возбуждалась импульсной ксеионовой лампой,

тоааа_ж1!фсца . Аоли. Дк кмгтротя предельной растворимости халькогснов в и-рчзннн и степени компенсации выращенный материал исследовался метолом эффекта Хапа. При введении халькогенов в високоомный ис холимй 1срманий получался материал п-типа, а завпсимт'стн коэффициента Хеша от температуры соответствовали двух »рядным донорам. Введение » ампулухалькогена в количествах, больших 10 мг. не приводило к увеличению измеренной концентрации ирнмсси, я вызывало образование структурных дефектов. Измеренные значения иреяелыюй растворимости составили порядка 2х1015 см-3 ига серы и селена, и порядка 10" от' для теллура. Контрольные кристаллы, вырешенные из выгокоомного материала без введения

халькопена, имели концентрацию примеси, мало отличающуюся от исходного материала. При легировании халысогенами исходного германия р-типа значения концентрации примеси галлия и предельной растворимости халькопена о пределах точности измерений не изменялись, что свидетельствует о том, что галлий и халькоген оставались в электрически активном виде. Это дало возможность приготовлять образцы с нужной степенью компенсации, контролируя концентрацию галлия в исходном материале.

Значение холлопской подвижности при температура*; вблизи азотной порядка 2x104 смг/В-с. Удельное сопротивление при температуре жидкого азота в образцах со средней степенью компенсации достигало 2x105 Омсм. Термические значения энергий ионизации были близки к полученным в последующих акснеримснтах оптическим..

Глава 4. Оптичесчие и фотоэлектрические исследования германия.

легнроаааного_халмогенамн. Приведены результаты измерений

спектральных зависимостей фотопроводимости и оптической прозрачности кристаллов ОеЯ, Ge.Se и Се:Те. Изучено влияние на вид спектров степени компенсация и температуры. На основе полученных данных построена модель, объясняющая особенности спектров в области энергий переходов ионов халысогенов в германии в возбужденные состояния. Произведена нденггафихадаа возбужденных состояний. Показано, что результаты оптических и фотоалеетрических измерений соответствуют одиночным помам халысогенов, а не комплексам.

Первая часть этой главы посвящена исследованию примеси теллура п германии. Наши фотоэлектрические и оптические измерения показали, чю энергетические зазоры дояорных уровней» создаваемых теллуром в закрещенной зоне германия, относительно диа зоны проводимости составляют 95 мэВ и 280 мэВ для атома и иона теллура, соответственно, что согласуется с известными данными другах авторов. В определенном интервале компенсации на фоне обычной примесной фотопроводимости нами был обнаружен максимум фотоэффекта при энергии 375 мэВ. На РисЛа представлен спектр фотопроводимости образна Ое:Те со степенью компенсации порядке единкпы при температуре 77К.

<*■) (?)

Рис.(.Спектры фотопроводимости при 77К. ■) Ое:Те при к - 1; б) Се: Бе при к - ОД

В образцах со степенью компенсации, равной единице, пик превышал фон в 10 раз. Ширина пика была порода величины кТ при температуре жидкого азота. Снижение температуры откачкой паров азота сопровождалось ростом амплитуды и сужением пика, а также смешением его в область больших энергий, что соответствует отрицательному температурному коэффициенту ширины запрещенной зоны германия. При температуре жидкого азота уровень, соответствующий нейтральному теллуру (с энергией ионизации 93 мэВ), ионизован, и фотопроводимость начинается при энергии 280 мэВ. При снижении температуры ниже 77К в образцах с малой компенсацией ( <0,1 ) происходит ?<шолненнс верхнего уровня и фотоэффект начинается с энергии 95 мэВ. При степени компенсации, равной двум, пик отсутствовал при всех температурах, и фотопроводимость начиналась с 450 мэВ, что соответствует переходам из валентной зоны па уровень иона теллура.

Амплитуда пика была пропорциональна доле ионов теллура, а его малая ширина свидетельствует о том, что эта особенность в спектре порождена переходами электронов в возбужденное состояние, а оттуда в зону проводимости, что приводит к положительному нриращению фототока. В соответствии с измеренными значениями энергии ионизации иона теллура и энергии перехода в возбужденное состояние соответствующий уровень оказывается лежащим на фоне зоны проводимости германия выше абсолютного минимума (Рис.2)

германии при 77К.

Спектры оптического поглощения подобны спектральным зависимостям фотопроводимости и имеют максимум при той ' же энергии 375 мэВ. В максимуме иика сечение поглощения возрастает на порядок по сравнению с величиной для переходов примесь - зона и достигает значения Ю-13 см-2.

Показано, что возбужденное состояние локализовано в Г-точке зоны Бришгюэна германия. Проведена вдепгификацпя наблюдаемой

особенности путем сравнения с теоретическими данными Faulkner [1]. С учетом локализации возбужденного состояния и величины энергетического зазора сделан вывод, что данный пик обусловлен переходом иона теллура из основного в Ь(Тг) состояние, отщепленное допинно-орбитальным взаимодействием. Такой переход разрешен 'Симметрией, но запрещен правилами огбора в дипольном приближении. Однако, в случае гл>боких примесей, как показано рядом авторов, определяющими оказываются соображения симметрии.

Во второй части плавы изложены результаты исследования возбужденных состояний серы и селена в германии. На РисЛб изображена типичная спектральная зависимость фотопроводимости Ge:Se при 77 К и степени компенсации порядка 0,5. В области энергий 350-370 мэВ мы наблюдали резкое снижение фототека на фоне обычного примесного фотоэффекта. 6 этой области различаются три перекрывающиеся спектральные линии шириной порядка кТ, связанные с переходами в возбужденные состояния. Особенность в спектре наблюдается в узком интервале компенсации и наиболее сильно проявляется при степени компенсации порядка 0,5. При малых уровнях компенсации (<0,1 ) красная граница фотоэффекта соответствует энергетическому зазору между уровнем атома селена и дном зонм проводимости германия 248 мэВ и совпадает с результатами других авторов. При компенсации порядка единицы, копи фотоэффект обусловлен переходами с уровня иона селена в зону проводимости, особенность отсутствует и фотопроводимость начинается с 372 мэВ.

Энергии, соответствующие трем спектральным линиям, равны 353 мэВ, 362 мэВ и 368 мэВ. В спектрах поглощения обнаруживаются максимумы при тех же значениях энергии. Коэффициент поглощения в этой области достигает максимального значения яри степени компенсации порядка единицы. Полученные данные свидетельствуют о принадлежности . возбужденных состояний иону селена. Энергетические состояния селена в германии, соответствующие нашим данным, изображены на Рис.3.

-И-

£-£е

3 Р0 ($е)

77К

Рис.3.Энергетическая диаграмма состояний примеси селена в германии при 77К.

Согласно нашим результатам, возбужденные состояния расположены вблизи от абсолютного минимума зоны проводимости германия в Ь-точке на расстоянии 4 мэВ, 10 мэВ и 19 мэВ. В работе показано, что снижение фотоэффекта на фоне примесной фотопроводимости, обусловленной перекодами с верхнего уровня в с-зону, наблюдаемое при подходе к энергии 350 мэВ, объясняется конкурирующими переходам« электронов с иона селена в возбужденные состояния. Тем более, что сечение поглощения для этих переходов, по нашим результатам, на порядох превышает попющение для переходов с уровня атома селена в зону проводимости. Энергетический зазор между возбужденным ■остоянием и зоной проводимости германия, как следует из наших данных, невелик, и то, что электроны не забрасываются термически в зону проводимости, свидетельствует о малом времени жизни в возбужденном состоянии. *В результат возбуждение электрона сопровождается снижением фотоэффекта. ;

Для идентификации переходов полученные значения энергаи сравнивались^ теоретическими данными Faulkner [1], рассчитанными в приближении эффективной массы с учетом анизотропии зоны проводимости германия. Малые величины энергетических зазоров , . допускают применение приближения эффективной массы. Наши результаты находятся в хорошем согласии с данными Faulkner ддя состояний 2Р0, ЗР0 н ЗР±.

Исследование образцов с примесью серы дало аналогичные результаты. Спектры фотопроводимости и поглощения образцов Ge:S практически идентичны спектрам образцов с селеном, но линии, связанные с переходами ионов серы в возбужденные состояния, смещены по шкале энергий в сторону меньших значений приблизительно на 1 мэВ, т.е. энергии связи возбужденных состояний иона этой примеси с зоной проводимости германия соответственно больше, что согласуется с меньшим атомным весом серы.

Для . выяснения возможной связи наблюдаемых особенностей в спектрах с комплексами было изготовлено несколько образцов со смешанным легированием теллуром и селеном. Исследованию таких образцов посвящена третья часть главы. Результирующий спектр может быть получен простым суммированием вкладов обеих примесей. Если бы особенности были связаны с комплексами Se+Te, то это привело бы к появлению в спектре каких-то качественно новых элементов, что не наблюдалось. Сделан вывод о том, что при использованной нами технологии выращивания, основанной на введении примеси при перекристаллизации германия с последующей закалкой, пары халькогенов не образуются.

фотолюминесценции германия, легированного халькогенами, было предпринято с целью получения дополнительной информации об энергетическом спектре и особенносгах поведения примесей халькогенов в германии. В области энергий порядка энергий переходов в возбужденные состояния получены спектры фотолюминесценции Ое:Тс v и Ge:Se.. : синглет при 370 мэВ для теллура и триплет в области 315 - 331 мэВ для селена. Полученные спектральные

зависимости подобны спектрам оптического поглощения, но линии излучения смещены в сторону меньших энергий: порядка 5 моВ для иона теллура Те+ и порядка -37 мэВ дня иона селена Бе+. В случае селена наблюдаемый стоксовский сдвиг может быть объяснен участием в переходах в основное состояние Г0-фонона, имеющего в германии энергию 37,7 мэВ. Электрон, отдавший столь значительную энергию, уже не может быть термически заброшен в зону проводимости при 77К. Таким образом, в случае селена резонансные переходы в возбужденные состояния эффективно конкурируют с переходами непосредственно в зону и проявляются отрицательным вкладом в фотопроводимость.

На основании полученных в работе результатов высказана гипотеза, объясняющая причины отличия свойств теллура от легких хачькогенов большей силой обрУуемых ими с атомами германия химических связей, что приводит к смещению их положения относительно позиции замещаемого атома при изменении зарядового состояния или переходе в возбужденное состояние. Предложен способ проверки гипотезы в экспериментах по одноосной деформации.

Обсуждается применимость исследованных в работе материалов для создания преобразователей изображения на диапазон 3,5 мкм.

В 1аклкы£ШШ кратко сформулированы основные результаты, полученные в работе.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ РАБОТЫ

1 .Исследованы энергетические спектры примесей халькогенов в германии методами эффекта Холла, фотопроводимости, прозрачности и фотолюминесценции. Получены уточненные значения энергий ионизации, сечения поглощения для примесных переходов, предельной растворимости серы,' селена и теллура в германии. Отработаны технологические приемы выращивания качественных кристаллов, легированных халькогенами и компенсирующей примесью галлия в заданом отношении. Впервые обнаружены оптические переходы Попов халькогенов я возбужденные состояния, наблюдаемые в спектрах

примесных фотопроводимости и поглощения в виде пиков большой амплитуды и шириной порядка кТ на фоне примесных переходов.

2.Наблюдаемые возбужденные состояния ионов серы и селена дают отрицательный вклад в примесную фотопроводимость, а иона теллура - положительный. Показано, что это обусловлено различным положением возбужденных состояний относительно дна зоны проводимости германия - у нона -теллура выше абсолютного минимума, а у ионов серы и селена под дном зоны.

3.Спектр возбужденных состояний' иона теллура представляет собой синглет, а ионов серы и селена - триплет. Показано, что возбужденное состояние иона теллура локализовано в Г-, а ионов серы и селена в L-точках зоны Бриллюэна германия.

^Сопоставлением энергетического спектра ионов халькогенов с теоретическими расчетами Faulkner состояния идентифицированы как ls(T2) для "иона теллура, а для ионоа ссры и селена как 2Р0,ЗР0 и ЗР±. .

5.Исследованы спектры фотолюминесценции примесного германия в области переходов с участием. возбужденных состояний ионов халькогенов. Вид спектров фотолюминесценции подобен спектрам поглощения, но излучательный переход иона селена сопровождается испусканием фотона с энергией, меньшей на энергию оптического фонона, чем при поглощении.

6.Исследованы спектры фотопроводимости образцов германия, легированного одновременно теллуром и селеном. Они представляют собой линейную комбинацию спектров для одиночных примесей, пропорционально дате введенных халькогенов. Это свидетельствует о связи наблюдаемых особенностей в спектрах с одиночными атомами примеси, а не с комплексами.

7.Наибольшие амплитуды особенностей в спектрах фотопроводимости, обусловленных переходами в возбужденные состояния, соответствуют компенсации теллура галлием в равных Количествах, то есть при максимальном количестве ионов теллура; а в случае селена и <~еры - степени компенсации 0.5. Это объясняется тем, что переходы в возбужденные состояния ионов теллура происходят на фоне оптических переходов электронов с уровня иона теллура; а в случае серы и селена

прояалм в спектрах наблюдаются на фоне переходов электронов ■ с уровней нейтральных атомов. халькогена, то есть в формировании вида спектра фотопроводимости .принимают участие как нейтральные, так и ионизованные ьтомы примеси.

Основные результаты диссертации опубликованы в следующих работах:

1 Л.Ю.Ушаков, Н.Б.Радчук, Р.М.Штеренгас. Фотопроводимость, связанная с примесью теллура в германии,- ФТП, т.29, в.З (1995), с.483-486.

2.А.Ю.Ушаков, Н.Б.Радчук, Р.М.Штеренгас. Возбужденные состояния серы и селена в германии.- ФТП. т.29, в.4 (1995), с.754-756.

3.А.Ю.Ушаков, Р. М Штеренгас. Фотолюминесценция ионов халькогенов в германии,- Письма в ЖТФ, т.21, в. 14 (1995), с.92-94.

4.P.M.Штеренгас. Н.Б.Радчук, А.Ю.Ушаков. Энергетические спектры примесей халько!енов в германии,- Рос.Конф. "Инновационные наукоемкие технологии для России", Санкт-Петербург, 1995. Тездокл. ч,9, с. 129.

5.P.M.Штеренгас, Н.Б.Радчук, А.Ю.Ушаков. Примесная фотолюминесценция халькогенов в германии.- Там же, с.)30.

6.А.Ю.Ушаков, Н.Б.Радчук, Р.М.Штеренгас. Портативная холловская. установка.- Там же, с. 146.

7.Н.Б.Радчук, Л.С.Свешкова, А.Ю.Ушаков, Р.М.Штеренгас. Дистанционные оптические датчики температуры,- Там хе, с.143.

8.Н.Б.Радчук, Е.Л.Смирнова, А.Ю.Ушаков, Р.М.Штеренгас. Регистрация слабых потоков видимого и ИК-излучения в энергетике.- Сем. "Новые технологии и научные разработки в энергетике", Новосибирск, 1994. Тез.дохл. в.), с.24.

9.А,К).Ушаков, Н.Б.Радчук, Р.М.Штеренгас. Устройство для бесконтактного измерения температуры,- Патент России No.1835055, 1993. Приоритет от 20.02.91.

10.A.Yu.Ushakov. N.B Radchuk, R.M.Shtercngas. Excited . states of chalmpen impurities in Ge.- i 8th International Couference on Defects iu Semiconductors. Seodai, Japan, 1995 Abstract, p. 128.