Исследование времени жизни неосновных носителей в монокристаллах CdxHg1-xTe р-типа в условиях низких фоновых засветок и широком интервале температур тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Министерство науки, высшей шкоды и технической политики Российской Федерации.с Комитет по выспей школе. Московский ордена Трудового Красного Знамени физико-технический институт.

На правах рукописи

Мухитдинов Азиз Мирасбекович

УДК 621.315.592

Исследование времени жизни неосновных носителей в монокристаллах Р-типа в условиях

низких Фоновых засветок и широком интервале температур.

01.04.10- физика полупроводников и диэлектриков.

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.

Москва - 1992

Работа выполнена в НПО "ОРИОН".

Научный руководитель д.ф.-м.н., проф.

СТАФЕЕВ В.И.

Официальные оппоненты: д.ф.-м.н., проф.

ВОРОБЬЕВ Л.В.',

к.ф-м.н САТИНОВ Л.Д.

Ведуцая организация: Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометал-лической промышленности (г. Москва).

Запита состоится -й Ъ - Г.Ы&&сииг-19Я Я г. в Ж час. на заседании специализированного совета К.063.91.01 по присуждению ученой степени кандидата наук в Московской Физико-техническои институте по адресу: 141700, г.Долгопрудный Московской обл., Институтский пер. 9, МФТИ, 204 ауд. Нового корпуса.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке МФТИ. Автореферат разослан "

Ученый секретарь специализированного совета к.ф.-м.н

Коновалов Н.Д.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы.

Перспективным направлением развития ИК-микроФото-электроники является создание многоэлемгнтных и матричных Фотоприемников (МФП) на основе Фотодиодов из узкозонного твердого раствора кадмий-ртуть-теллур (КРТ), чувствительных к тепловому излучению в окнах прозрачности атмосферы: 3-6 и 0-14 мкм.

Важнейшим параметром полупроводникового материала, определяющим возможность создания приборов на его основе, является время жизни неосновных носителей заряда (ННЗ). Он определяет в диодах не только фоточувствительность, но и обратный темновой ток и, следовательно, иумы.

Однако экспериментальное исследование температурных зависимостей времени жизни ННЗ в р- Cdx . с целью

получения сведений о его рекомбинационных свойствах, оказывается сложной задачей. Во-первых, в материале исследуемого состава (0.2 < х < 0.3) велика концентрация равновесных носителей заряда. Во-вторых, в .силу того, что оптические переходы в КРТ являются прямыми,имеет место резкая зависимость коэффициента поглощения от длины волны излучения вблизи длинноволнового края, и высокое значение коэффициента погло-

k -I

цения в собственной полосе (оС ~ 10 см ). В-третьнх, отсутствие надежной, быстродействующей, высокочувствительной аппаратуры для проведения измерений при криогенных текпера-ратура х.

Цель работы.

Диссертационная работа посвящена исследованию времени жизни неосновных носителей заряда в КРТ р-гипа в пирогом интервале температур; фонового излучения и уровня возбухд«-'

ния, с целью определения рекомбинационных свойств исследуемых полупроводниковых материалов.

Конкретными задачами диссертационной работы были:

- разработка методики исследования времени жизни неосновных носителей заряда в Ср/^ Hg-^ ^Te р-типа проводимости в широком интервале температур;

- создание установки для исследования кинетики Фотопроводимости ' в монокристаллах и элитаксиалькых . слоях Cdx ty-j ' В иироком интервале времен и Фонового излучения ( от 1° до 160° при Т ~300 К) в интервале температур

?

10-300 К ;

- исследование рекомбинационных свойств монокристаллов и эпитаксиальных слоев Ся^ р-типа проводимости в широком интервале температур и фоновых засветок.

Научная новизна работы состоит в следующем:

- Проведен расчет влияния поверхностной рекомбинации на кинетику фотопроводимости в объемных монокристаллах КРТ. Установлены количественные соотношения между Фотопроводимостью монокристаллов КРТ, с определенными параметрами ННЗ в объеме полупроводника с заданной скоростью поверхностной рекомбинации, и характеристиками возбуждающего оптического излучения. Результаты расчета подтверждены экспериментально.

- Кз температурных измерений времени жизни ННЗ в КРТ Р-типа, пригодного для изготовления высококачественных Фотодиодов, проведенных в интервале температур 10 -300 К, установлено, что доминирующим механизмом рекомбинации является рекомбинация Шокли-Рида. Оценены энергетические уровни основных рекомбинационных центров в запрещенной зоне.

-5- Впервые обнаружено заполнение рекомбинационых центров в монокристаллах КРТ р-типа (х»0.3) при высоком уровне импульсного оптического возбуждения и связанная с этим нелинейная рекомбинация избыточных носителей.

- Из экспериментальных данных зависимости нестационарной Фотопроводимости от уровня возбуждения оценена концентрация центров рекомбинации, а также эффективное поперечное сечение захвата неосновных носителей в монокристаллах КРТ р-типа состава х»0.3.

- Показано, что изменение фонового излучения в пределах Ф JO« т iO« Фотон./(с*см2) не оказывает заметного влияния на время жизни избыточных, носителей в исследованных монокристаллах и эпитаксиальных слоях КРТ.

- Установлена взаимосвязь между параметрами неосновных носителей в исходных монокристаллах Ce/^Hfy^ ~fk и электрофизическими характеристиками р-п- переходов, созданных имплантацией ионов В+ в объемный материал р-типа (хггО.З). Показано, что полученные п+-р- переходы могут быть описаны классической теорией резкого р-n- перехода с учетом генерации-рекомбинации на центрах Шокли-Рида в слое пространственного заряда.

Практическая ценность работы заключается в разработке методик и измерительных установок для исследования времени жизни ННЗ в КРТ и статических характеристик приборов на его основе. Полученные в работе экспериментальные данные позволили выявить основные рекомбина-ционные механизмы и получить конкретные данные по временам жизни ННЗ в КРТ р-типа проводимости. Это позволяет прогнозировать предельно достижимые параметры ИК-Фото-

приемников на основе исследованного полупроводникового материала и наметить пути дальнейшего улучшения электрофизических параметров исходных кристаллов узкозонного твердого раствора Сй/^ Тб

На защиту выносятся:

1. Совокупность теоретических и экспериментальных результатов, доказывающих возможность корректного измерения объемного времени жизни НИЗ по кинетике фотопроводимости в монокристаллах С"5^ ^З'^-х.Т®- P-типа при поверхностном возбуждении сильнопоглоцаемым излучением с учетом поверхностной рекомбинации.

2. Температурные зависимости времени жизни ННЗ в исследованных монокристаллах и эпитаксиальных слоях КРТ Р-типа для состава х«0.2 объясняются преобладающим механизмом рекомбинации Шокли-Рида в интервале температур 10 < Т < 200 К и оже-рекомбинацией при 200 < Т < 300 К. Для образцов состава к&О.Э механизм рекомбинации Шокли-Рида является доминирующим во всем интервале исследования: 10 < Т < 300 К.

3. Экспериментальное доказательство возможности заполнения рекомбинационных центров в монокристаллах ^x^^fi-X^

р-типа (х«0.3) при высоком уровне импульсного оптического го . ,

возбуждения (1^^3*10 Фотон./(с#см )). Изменение Фонового

<8 4? 2

излучения в пределах Ф~10 -г 10 фотон./(с*см) не оказывает

заметного влияния на время жизни избыточных носителей в

исследованных монокристаллах КРТ (х»0.2 и х«0.3).

4. Свойства п*р- переходов, полученных имплантацией ионов В+ в объемный материал ^э^^^Тё р-типа С ха0.3 J, могут быть описаны классической теорией резкого р-п- перехода

с учетом генерации-рекомбинации на центрах Иокли-Рида в сдое пространственного заряда с измеренным эффективным значением времени жизни носителей заряда. Апробация работы.

Результаты диссертационной работы докладывались на

- VIII Всесоюзном симпозиуме по похупроводникам с узкгч запрещенной зоной и полуметаллам (Львов-1989),

- XIV Научно-техническом совещании по фотоэлектрическим полупроводниковым и тепловым приемникам излучения (Москва-1991),

- конференциях МФТИ, а также на научных семинарах 1'ПО "Орион".

Публикации. По результатам диссертации опубликованы 4 печатные работы.

Структура и объем диссертации. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения и списка литературы из 84 наименований. Общий объем -103 страницы, 26 рисунков, 2 таблицы.

СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ. Во введении обосновывается актуальность темы диссертации, излагается научная новизна работы, Формулируются цель работы, практическая значимость и положения выносимые на защиту.

Первая глава диссертации содержит литературный обзор теоретических и экспериментальных работ, посвященных исследовании процессов рекомбинации в KFT.

На основе обзора литературы установлено, что рекомбина-ционные свойства КРТ р-типа проводимости изучены значительно слабое, чем в материале п-типа. Практически отсутствую?

экспериментальные исследования влияния фонового излучения на время жизни ННЗ в KFT.

Вторая глава посвящена разработке методики и экспериментальной установки для исследования времени жизни носите-.лей заряда в КРТ в широком интервале температур. После проведения краткого сравнительного анализа различных методов измерения времени жизни ННЗ, с учетом специфических особенностей КРТ, был сделан вывод о целесообразности использования в качестве малоинерционного источника возбуждающего излучения полупроводникового лазера на арсениде галлия.

Методика измерения времени жизни ННЗ основана на решении нестационарного уравнения непрерывности:

*it Р-Ьх.г Т ^ >> где XJ - концентрация, jD - коэф. диффузии, f - время

ч Г9т

жизни, - темп генерации избыточных носи-

6 L 0,t>0

телей заряда. Решение уравнения (1) U(X}i) найдено для полубесконечного образца с граничными угяпяиями Э(/¿- \7(у £)

тт/ ^ dtiz.,2>

и t/(o<s)CJ=0 , причем, было использовано известное Фундаментальное решение оператора теплопроводности г-т--Ct -—--С.

VI Зх* дос.

Зависимости полного числа избыточных носителей от времени, отнесенной к единице поверхности, были получены с помощь» ЭВМ интегрированием U(oc}t) методом Сиипсона по X. от 0 до 5*L , где L -диффузионная длина неосновных носителей. Установлено, что при малой скорости поверхностной рекомбинации (S =1 см/с ), спад является строго экспоненциальным с постоянной времени равной объемному времени жизни С . При большой скорости поверхностной рекомбинации (S=10^см/с), начальный участок становится нелинейным, однако дальнейший

спад можно считать экспоненциальным с постоянной времени несколько меньшей, чем . Следовательно, даже при достаточно большой скорости поверхностной рекомбинации, используя экспериментальную зависимость спада Фотопроводимости построенную в полулогарифмическом масштабе, по наклону на линейном участке ножно определить Т* с ошибкой не превышающей 20 X истинного значения.

Установка для изучения Фотопроводимости в монокристаллах и эпитаксиальных слоях отличается от обычных

установок подобного типа тем, что применен отоковый метод охлаждения и отсутствует оптическая скамья. Этим обеспечивается не только надежность и простота в обращении,но и высокие технические характеристики установки:

- Время нарастания и спада оптического

импульса, не 6

- Максимальная мощность оптического импульса при длительности Т=1 мкс и скважности

0=1000, Вт 0,7

- Коэффициент модуляции излучения, X 100

- Длина волны излучения, мкм 0,9

- Температурный диапазон измерений, К ЮтЗОО

- Минимальная Фоновая , 43 освещенно.сть. Фотон./(с*см ) 10

В данной главе также кратко изложена методика подготовки экспериментальных образцов ^^х^Цч-х"^ ' В закл|0че_ нии приведены параметры исследованных монокристаллов и

эпитаксиальных слоев, полученные из спектральных измерений 2)

и эффекта Холла.

В третьей главе представлены экспериментальные результаты исследования времени жизни ННЗ в монокристаллах и

1) Автор признателен Косареву A.A. за помощь в подготовке образцов.

2) Данные измерения были выполнены Болтарем К.О. и Курносо-вой Е.И.

эпитаксиальных слоях KPT р-типа при низкой фоновой освещенности в интервале температур от комнатной до температуры жидкого азота.

Б первом разделе главы рассмотрено влияние поверхностной рекомбинации на кинетику фотопроводимости в монокристаллах ХРТ. Показано, что при комнатной температуре наблюдаемый характер релаксации (рис.1) полностью соответствует расчетным кривым, полученным в главе 2. Независимо от уровня возбуждения (штриховые линии), все кривые имеют более быстрый неэкспоненциальный спад в начале и становятся практически линейными примерно по прошествии двух Т , где Т - постоянная времени основной гармоники, т.е. линейного участка.

Скорость поверхностной рекомбинации оценивалась по известной Формуле:

JL + i-, (2,

rf г «где -постоянная спада Фотопроводимости, f - объемное время жизни, а, — ос 1+УГ) t' , где оС - коэффициент поглощения излучения, D - коэффициент диффузии электронов.

С уменьшением температуры (Т<250 К), время спада фотоответа снижается, а начальный участок релаксации становится прямолинейным (сплошные линии на рис.1), и влиянием поверхностной рекомбинации на кинетику Фотопроводимости можно пренебречь, из-за уменьшения объемного времени жизни.

Таким образом, полученные экспериментальные данные полностью подтверждают теоретические расчеты выполненные в пункте 2.1, а при обработке поверхности образцов по ука-

S

занной методике, скорость поверхностной рекомбинации

3 U

по порядку величины равна 10 fio см/с, и сказывается на кинетике Фотопроводимости лишь в кристаллах с относительно большим временем жизни - порядка нескольких микросекунд.

Во втором разделе рассматриваются температурные зависимости времени хизни НИЗ для образцов КРТ р-типа состава

« а

х=0.2 при низкой фоновой освешенности(Ф~10 фотон./(с*см ). В интервале от температуры примерно 100 К до -»200 К время хизни ННЗ растет с увеличением температуры для всех исследованных образцов, ниже 100г130 К (для разных образцов) не зависит от температуры. Такое поведение времени хизни хорошо согласуется с теорией рекомбинации Шокли-Рида через центры рекомбинации в запрещенной зоне. Из наклона кривых Т(Т) оценена энергия активации центров: она равна ~0.04 т С.05 эВ для разных кристаллов. В области собственной проводимости экспериментальным точкам хорошо соответствует кривая для ударной рекомбинации.

Изучение рекомбикациоккых свойств материала с х»0.Э показало, что основные механизмы рекомбинации здесь такие хе как в кристаллах с ха0.2. Вместе с тем, в ряде исследованных образцов была обнаружена явная зависимость кинетики Фотопроводимости от уровня оптического возбуждения. На рис.1 представлены экспериментальные кривые релаксации фотопроводимости при высокой(атриховые) и низкой(сплошные линии) температуре для разной интенсивности оптического возбуждения с

х=с0.3. Максимальная мощность оптического импульса I ~

х

10 2 3x10 фотон./(с*см ). При высокой температуре релаксацию

можно аппроксимировать прямой линией, причем наклон этой

прямой не зависит от уровня возбуждения. С уменьшением

температуры (Т<250 К) только начальный участок кривой спада

соответствует прямой, а дальнейший спад становится существенно

нелинейным (сплошные линии на рис.1). В этом случае характер

релаксации зависит от уровня возбуждения.

250 Ш

425 т т,к

-10 №

0,2 0,6 1,0 4 6 8

Рис.1. Экспериментальные кривые релаксации Фотопроводимости

10 1/ т'к

при разном уровне возбуждения.Т=300 К-штриховые,Т=80 К-сплошные линии. Верхняя вкала на оси абсцисс соответствует Т=300 К.

Рис.2. Температурные зависимости времени жизни ННЗ в р-Н^ХТ« ( х<с0.3 ) при разной концентрации неравновесных носителей заряда :

43 -3 3

-5x10 см ; О - 1x10 см

На рис. 2 приведены экспериментальные температурные

зависимости времени жизни ННЗ в этом же образце (концентрация

« -3 2

дырок 4.4x10 см , подвижность -450 см /В*с при Т=77 К) для

разной интенсивности возбуждения. Как видно из рисунка, для малого уровня возбуждения не зависит от температуры при ТОО К, и растет с увеличением температуры вплоть до Т=300 К, что согласуется с теорией рекомбинации Оокли-Рида. При высоком уровне возбуждения, экспериментальные точки удовлетворительно согласуются с расчетной зависимостью времени жизни для межзонного излучатель;.ого процесса Тд , расчитанной по Формуле Холла (сплошная кривая на рис.2).

Для качественного объяснения полученного результата использована модель электронных переходов в узкозонном полупроводнике с одним уровнем рекомбинации в запрещенной зоне. При достаточно высокой температуре в процессе восстановления равновесной проводимости главную роль играют межзонные рекомбинационкые переходы. С понижением температуры. наряду с переходами через центры рекомбинации возможны и прямые переходы зона-зона при высоких концентрациях избыточных носителей. Концентрация избыточных носителей оценивалась по абсолютной величине фототока.

Согласно этой модели и полученным экспериментальным

<г к) 43

данным, концентрация центров лежит в пределах 10 < 5x10 -2

см . Это позволяет оценить сечение захвата для этих центров рекомбинации из соотношения:

С - _i_ , <э>

г е T,0<^>íMfc'

где Vü- тепловая скорость электронов. Найденное таким

-И

образом сечение захвата для электронов С>е составляет 10 i

-43 z 10 см .

В четвертом разделе обсуждаются температурные зависимости времени жизни ННЗ в эпитаксиальных слоях KFT ( х=г0.2 и х=0.Э ) р-типа, выращенные на подложке кадмий-теллур методом жидкофазной эпитаксии при низком уровне воз5увдения.

В четвертой главе представлены результаты исследования времени жизни ННЗ в монокристаллах М^^Тв. р-типа

( х«0.2 и «»0.3 ) в интервале температур от комнатной до гелиевой при разном уровне фонового освещения.

Немонотонное поведение t(T) выше 77 К подробно обсуждалось в главе 3; было установлено, что в примесной области ( Т < 200 К для состава ха0.2 ) время жизни ННЗ определяется рекомбинацией Шокли-Рида.

Из экспериментальных зависимостей времени жизни ННЗ при глубоком охлаждении монокристаллов KFT р-типа с х .2 установлено, что примерно от Т=100 К до 10 К все зависимости Т" (Т) имеют "плато", где время жизни не зависит от температуры, Та кии образом, и в области гелиевых температур доминирующим механизмом остается рекомбинация Шокли-Рида через "глубокие" центры в запрещенной зоне с энергией £" = 0.04 i0.05 эВ.

Результаты исследования более оирокоэонного материала (х « 0.3 ) показали, что здесь время жизни ННЗ определяется рекомбинацией Шокли-Рида практически во всем диапазоне исследования, т.е. от комнатной температуры до 10 К.

Во втором разделе главы рассмотрено влияние Фонового излучения на'время жизни ННЗ. Из экспериментальных зависимостей, полученных для одних и тех же кристаллов при

разном уровне фонового излучения установлено, что увеличение

« « г

фонового освещения от ~10 до -10 фотон./Чс*см ) не приводит

к заметному влиянию на время жизни ННЗ в исследованных монокристаллах р-типа проводимости.

Для всех исследованных образцов не обнаружено увеличение времени жизни неосновных носителей в области гелиевых температур характерное при прилипании ННЗ на мелкие уровни.

В пятой заключительной главе рассматриваются резуль-

+

таты исследования статических характеристик п-р- переходов, полученных имплантацией ионов бора В+ в объемный материал ^х^-Ч-х"^®' (хаО.З) р-типа. Эти исследования были предприняты с целью проследить влияние параметров ННЗ на характеристики Фотодиодов. Основное внимание было уделено изучению вольт-фарадных характеристик(ВФХ), т.к. емкостные характеристики в настоящее время исследованы значительно слабее,

чеи вольт-амперные и фотоэлектрические характеристики.

Первый раздел главы посвящен разработке и созданию высокочувствительной установки для измерения ВФХ полупроводниковых приборов на основе Со(х Н^^^Тё с рабочей частотой 10 МГц. Т.к. синхронный детектор с требуемыми параметрами

промышленность не выпускает, нами был разработан лабораторный 1)

синхродетектор. Приведена его принципиальная электрическая схема.

Далее кратко изложены методы изготовления Фотодиодов. В третьем разделе главы обсуждаются результаты исследования статических ВАХ и ВФХ полученных п+-р- переходов.

ВАХ измерялись при Т~79 К в условиях фоновой засветки

о

с аппертурой 180 . Температура Фона Т ~300 К.Характеристики

<t>

приборов созданных на одной подложке отличались значениями тока насыщения Т и дифференциального сопротивления при нулевом смещении Нс с разбросом до 10* . Начальный участок обратной ветви ВАХ практически горизонтален (0 < 0.1 В) и характеризуется типичными значениями тока насыщения I ~20 нА и дифференциального сопротивления Ro~100 МОм.

Было исследовано несколько десятков приборов, их характеристики практически совпадают друг с другом у структур с одинаковыми параметрами исходных полупроводниковых подложек. Экспериментальная ВФХ в области напряжений 0 <

1С

< 1 В

практически линейна с наклоном -1/2. Следовательно, в области напряжений 0 < 1 В полученные приборы могут быть описаны классической теорией резкого р-п- перехода.

В заключительном разделе главы полученные экспериментальные данные по времени жизни ННЗ в монокристаллах CdK и'статические характеристики п+-р- переходов,

1) ~

Автор благодарит Шимакского И.В. за помощь в разработке и наладке сикхродетектора.

полученных на их основе, сравниваются с известными теоретическими моделями, описывающими произведение В-А. Показано,

в

что экспериментальным данным хорошо соответствует модель, в которой основной вклад в темновой ток р-п- перехода вносят процессы генерации-рекомбинации в слое ОПЗ. Полученная по значению величина Ro-A отличается от измеренной не более, чем 30 X. Это позволяет предсказывать на основании измеренной температурной зависимости времени жизни ННЗ в исходном материале качество получаемых из него Фотодиодов. В заключении перечислены основные результаты:

1. Проведен расчет влияния поверхностной рекомбинации на кинетику Фотопроводимости в объемных монокристаллах КРТ. Установлены количественные соотношения между фотопроводимостью монокристаллов KFT, с заданными параметрами ННЗ в объеме полупроводника с определенной скоростью поверхностной рекомбинации, и характеристиками возбуждающего оптического излучения. Результаты расчета подтверждены экспериментально.

2. Разработана методика и создана установка для исследования рекомбинационных свойств уэкозонного твердого раствора

р-типа проводимости.

3. Проведены исследования времени жизни ННЗ в КРТ р-типа, в интервале температур 10-300 К. Установлено, что доминирующим механизмом рекомбинации является рекомбинация Шокли-Рида. Определены энергетические уровни основных рекомбинационных центров в запрещенной зоне.

4. Обнаружено заполнение рекомбинационых центров -в монокристаллах КРТ р-типа (х«0.3) при высокое уровне импульсного оптического возбуждения и связанная с этим нелинейная рекомбинация избыточных носителей. Из экспериментальных

данких оценена концентрация центров рекомбинации, -а также эффективное поперечное сечение захвата неосновных носителей в монокристаллах КРТ р-типа состава х«0.3.

5. Показано, что изменение фонового излучения о пределах

{3 if 2

Ф = 10 т 10 фотон./(с#см ) не оказывает заметного

влияния на время жизни избыточных носителей в исследован

них монокристаллах и эпитаксиальных слоях КРТ.

в. Разработана методика и изготовлена измерительная

установка для исследования ВФХ р-п- переходов на основе

7. Исследованы вольт-амперные(ВАХ) и вольт-ФарадныеСВЮС) характеристики п+-р- переходов, полученных имплантацией ионов бора В+ в объемный материал Сс/^. Wt^ ^Te (х «»0.3) р-типа проводимости.

0. Установлена взаимосвязь между параметрами неосновных носителей в исходных монокристаллах КРТ и статическими характеристиками р-п- переходов на их основе.

Показано, что п+-р- переходы полученные имплантацией +

ионов В в объемный материал КРТ р-типа (х«0.3) могут быть описаны классической теорией резкого р-п- перехода с учетом генерации-рекомбинации на центрах Шокли-Рида в слое пространственного заряда с измеренным эффективным значением времени жизни носителей заряда.

Основные результаты опубликована в работах:

1. Мухитдинов А. П., Шиманский И. В., Стафеев В. И, Вольт-Фарадные характеристики п+-р-переходов на основе

< * «0- 3), - Оптические и »лектроннце средства обработки информации : Междувед. сб. - М.: МФТИ, 1990, с. 20-21.

-182. Мухитдинов А. М., ¡Симанский Н. В., Стафеев В. И. С -V характеристики п+-р-переходов на основе (х^О-З).

- Матер. VIII Всес. симп. по полупроводникам с узкой запре-ценной зоной и полуметаллам. Львов, 1991, Ч. 2, с. 29-30.

3. Мухитдинов А. Н., Стафеев В. И. Рекомбинация носителей заряда в Ccí^Те р-типа проводимости. - Вопр. оборон, техники. Сер.11, 1992, в.2(133).

4. Мухитдинов А. М., Стафеев В. И. Бремя жизни неосновных носителей заряда в эпитаксиальных слоях Те. Р-типа проводимости. - ФТП, 1992, т.26, в.10, с.1630-1832.

Ротапринт МФТИ. Тирах 100 экз.

Заказ к Учгг.

РОССИЙСКАЯ АКАДЕМИЯ НАУК ОРДЕНА ТРУДОВОГО КРАСНОГО ЗНАМЕНИ. ИНСТИТУТ РАДИОТЕХ1ГИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ

На правах рукописи

ФЕТИСОВ Юрий Константинович

МАГНИТОСТАТИЧЕСКИЕ ВОЛНЫ В ПЛАНАМИ МАГНИТНЫХ СТРУКТУРАХ С НЕСТАЦИОНАРНЫМИ И НЕОДНОРОДНЫМИ ПАРАМЕТРАМИ

Специальность - 01.04.10 (физика полупроводников и диэлектриков)

АВТОРЕФЕРАТ диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Москва - 1992