Кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности полупроводниковых твердых растворов системы ZnSe-CdSe тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.04 ВАК РФ

Введение.

Глава 1. Литературный обзор.

1.1. Объемные свойства 2п8е, Сё8е и их твердых растворов.

1.1.1 Термодинамические характеристики.

1.1.2 Кристаллохимия и химическая связь

1.1.3 Химические свойства

1.1.4. Электрофизические и оптические свойства

1.2. Поверхностные свойства селенидов цинка и кадмия

1.2.1 Состояние поверхности.

1.2.2 Адсорбция газов и паров.

1.2.3 Каталитические и кислотно-основные свойства

1.3. Методы получения твердых растворов 2пхС<!1-х8е

1.3.1 Выращивание объемных кристаллов

1.3.2 Выращивание пленок

1.4. Методы исследования кислотно-основных свойств поверхности твердых адсорбентов и катализаторов

Глава 2. Методика эксперимента

2.1. Исследуемые объекты и их получение.

2.2. Идентификация твердых растворов

2.2.1. Рентгенографический анализ.

2.2.2. Определение плотности.

2.2.3. Термогравиметрический анализ

2.3. Рентгеновский фотоэлектронный анализ поверхности

2.4. Адсорбция молекул-зондов из газовой фазы

2.4.1. Выбор и получение адсорбатов

2.4.2. Адсорбционные измерения

2.5. Термодесорбционные измерения

2.5.1. Сущность метода и условия эксперимента

2.5.2. Термодесорбция с манометрической регистрацией

2.5.3. Термодесорбция с масс-спектрометрической регистрацией

2.5.4. Методика анализа термодесорбционных данных

2.6. Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР).

2.7. Метод инфракрасной спектроскопии (ИКС)

2.8. Исследование кислотно-основных свойств в жидких средах

2.8.1. Определение рН-изоэлектрического состояния

2.8.2. Исследование каталитической активности

Глава 3. Результаты эксперимента.

3.1. Идентификация твердых растворов.

3.1.1. Рентгенографические исследования.

3.1.2. Определение плотности.

3.1.3. Термогравиметрический анализ.

3.2. Адсорбция молекул-зондов КНз и С02.

3.3. Термодесорбция аммиака и диоксида углерода.

3.3.1. Масс-спектрометрическая термодесорбция.

3.3.2. Манометрический вариант.

3.4. Спектры ЭПР

3.5. ИК-спекгры адсорбированных молекул.

3.5.1. АдсорбцияNHs

3.5.2. Адсорбция С02.

3.6. Рентгеновский фотоэлектронный анализ.

3.6.1. РФЭ-спектры поверхности CdSe.

3.6.2. РФЭ-спектры поверхности ZnSe.

3.6.3. РФЭ-спектры поверхности твердого раствора Zno,5Cdo,5Se.l

3.6.4. Адсорбция кислорода.

3.7. Масс-спектрометрический анализ термодесорбции атмосферных газов

3.8. рН-изоэлектрического состояния.

3.9. Каталитическая активность.

Глава 4. Обсуждение результатов.

4.1. Состояние реальной поверхности полупроводников.

4.1.1. Химический состав поверхности и его изменение при различных обработках.

4.1.2. Состав десорбированной фазы.

4.2. Природа активных центров поверхности и механизм взаимодействия с молекулами-зондами.

4.2.1. Адсорбция аммиака.

4.2.2. Адсорбция диоксида углерода.

4.3. Кислотно-основные свойства поверхности системы ZnixCdi.xSe.

Выводы.

Общая характеристика работы

Актуальность темы. Возросший в последние десятилетия интерес к полупроводниковым твердым растворам халькогенидов цинка и кадмия обусловлен уникальными особенностями исходных бинарных соединений: высокой чувствительностью к различным излучениям в сочетании с радиационной устойчивостью, люминесцентными, пьезоэлектрическими и другими свойствами, а также возможностью их плавного изменения при варьировании состава компонентов. Полупроводники системы 2пхСс11х8е уже зарекомендовали себя в качестве рабочих элементов многих приборов опто- и микроэлектроники. Они используются для создания гетеропереходов и варизонных структур, лазерных излучающих элементов, люминесцентных и электролюминесцентных экранов, являются перспективными материалами для разнообразных фото- и пьезопреобразователей, детекторов ионизирующих излучений и т. д.

Другой важной сферой применения указанных материалов является полупроводниковый фотокатализ. Достигнуты определенные успехи в разработке преобразователей солнечной энергии на основе СёБе. Использование варизонных структур ЕПхСсЦ-хЗе позволит существенно расширить диапазон их спектральной чувствительности.

Как в той, так и в другой области существенную роль играет поверхность. Поэтому необходимо всестороннее изучение ее структуры, химического состава, степени и характера взаимодействия с различными средами. С этой стороны твердые растворы системы ZnxCdl-xSe практически не исследованы. Отсутствие данных о физико-химических свойствах их поверхности не позволяет в настоящее время ответить на ряд важнейших вопросов полупровод никовой техники и химической технологии. Практическая ценность названных объектов и отсутствие необходимой информации об их поверхности обусловливают необходимость выполненных в работе исследований и делают их актуальными.

Цель работы. Изучить химическое состояние, кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности полупроводников системы 2лхСс11х8е и определить возможности прогнозирования поверхностных свойств такого рода многокомпонентных систем.

Задачи, решенные в ходе диссертационной работы: отработана технология синтеза и получен ряд твердых растворов системы гпхСс!1.х8е; исследован химический состав поверхности твердых растворов; изучены адсорбционные и кислотно-основные свойства поверхности полупроводников системы 2пхСс11-х8е; выявлена природа активных центров поверхности и механизм их взаимодействия с адсорбатами (ИНзиСОг); изучены закономерности изменения поверхностных свойств от состава твердых растворов и определены возможности прогнозирования адсорбционных и каталитических свойств новых материалов.

Научная новизна. Впервые изучен химический состав, кислотно-основные и адсорбционные свойства поверхности твердых растворов системы ZnxCdl.xSe по отношению к аммиаку и диоксиду углерода.

• Химический состав поверхности, экспонированной в атмосфере, определяется присутствием адсорбированных молекул (Н2О, СО, СО2, углеводородов) и продуктами окисления кадмия и селена.

• Выявлена природа активных центров, поверхностных комплексов и предложены схемы механизмов адсорбции. В роли активных центров выступают главным образом координационно-ненасыщенные поверхностные атомы и ва-кансионные дефекты. Отмечено определенное влияние на их функциональные способности оксидной фазы и дефектности многокомпонентных систем.

• Выбранные адсорбаты (ЫНз и СО2) взаимодействуют с поверхностью твердых растворов преимущественно по донорно-акцепторному механизму с образованием комплексов типа: А^-ЫНз5"1", Аь'<- СОг* и В^-^СОг5". В последнем случае процесс сопровождается образованием анион-радикала В+-»С02~.

• Отмечены сходство и различие в поведении бинарных полупроводников и твердых растворов. Сходство проявляется в одинаковой природе активных центров и поверхностных соединений, механизмах и закономерностях адсорбционных процессов. Вместе с тем, обнаружены специфические особенности твердых растворов, наиболее ярко проявляющиеся при установлении зависимостей "поверхностное свойство—состав", которые носят экстремальный характер.

• Проведенный сравнительный анализ диаграмм "каталитическая активность—состав", "рН-изосостояния—состав" и "величина адсорбции—состав", "концентрация ПМЦ—состав" позволили не только подтвердить природу активных центров и механизм изученных адсорбционных процессов, но и наметить пути к поиску новых материалов - активных адсорбентов, катализаторов и первичных преобразователей для полупроводниковых сенсоров-датчиков.

На защиту выносятся следующие положения:

Результаты исследования химического состояния, адсорбционных и кислотно-основных свойств. Выводы о химическом составе поверхности полупроводников системы гпхСёьхЗе.

2. Природа активных центров поверхности. Влияние на их функциональные свойства оксидной фазы и дефектности многокомпонентных систем.

3. Предложенная схема механизма адсорбции молекул-зондов ЫНз и СО2.

4. Установленные специфические особенности в поведении поверхности твердых растворов.

5. Закономерности изменения поверхностных свойств с составом.

6. Предложенный способ предварительной оценки адсорбционной и каталитической активности полупроводниковых многокомпонентных систем на основании магнитных и кислотно-основных характеристик их поверхности.

7. Практические рекомендации по выбору активных катализаторов и чувствительных сенсоров-датчиков газового анализа на примеси М33 и СО2.

Практическая значимость работы

1. Найдены оптимальные условия синтеза твердых растворов системы ZnxCdixSe с минимальным разбросом параметров решетки.

2. Установлен температурный режим вакуумной обработки образцов твердых растворов ZnxCdbxSe без нарушения стехиометрии их поверхности.

3. Предложен способ предварительной оценки адсорбционной и каталитической активности полупроводниковых твердых растворов на основании магнитных и кислотно-основных характеристик поверхности.

4. С применением данного способа

• выявлены твердые растворы с повышенной чувствительностью к аммиаку и диоксиду углерода, содержащие соответственно 80 и 50 мол.% ZnSe;

• разработаны практические рекомендации по их использованию в чувствительных элементах сенсоров-датчиков на указанные газы;

• твердые растворы, содержащие 75 и 20 мол.% ZnSe, рекомендованы в качестве активных катализаторов реакций дегидрирования и дегидратации.

Апробация работы. Основные положения и результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на: III региональной научно-практической конференции молодых ученых, Томск, 1980; III научно-технической конференции-конкурсе молодых ученых г. Омска, посвященной 275-летию со дня рождения М.В. Ломоносова, Омск, 1986; VII Всесоюзной конференции "Химия, физика и техническое применение халькогенидов", Ужгород, 1988; V Всесоюзном семинаре "Физическая химия поверхности монокристаллических полупроводников", Новосибирск, 1989; V Всесоюзном совещании "Радиационные гетерогенные процессы", Кемерово, 1990; Школе-семинаре по теории полупроводников, Черновцы, 1990; Ш Международной научно-технической конференции "Динамика систем, механизмов и машин", Омск,1999; научных конференциях профессорско-преподавательского состава и аспирантов ОмПИ и ОмГАУ 1987-1999 г.

Результаты проведенных исследований опубликованы в 8 работах.

Выводы

1. Отработана технология и синтезированы твердые растворы полупроводников системы 2пхСс11х8е. На основе рентгенографического, термогравиметрического и денсиметрического анализов проведена их идентификация как твердых растворов замещения.

2. Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, ИКС, масс-спектрометрической термодесорбции исследован химический состав реальной поверхности образцов данной системы.

• После экспозиции в атмосфере на поверхности присутствуют адсорбированные молекулы воды, оксидов углерода, углеводородов.

• После обработки в окисляющем травителе (СЮз+НС1) поверхность 2п8е и твердых растворов содержит только адсорбированные газы. При этих же условиях химический состав поверхности Сд8е меняется: удаляется кадмий и появляются продукты окисления (8е0,8еО2,СсЮ).

• Термическая обработка в вакууме снижает содержание поверхностных примесей до пренебрежимо малого. На поверхности СсБе остается небольшое количество оксида кадмия.

3. С привлечением прямых адсорбционных измерений и методов термодесорбции, ИК-спектроскопии, радиоспектрометрии изучена адсорбция молекул МН3 и СО2 на образцах системы 2п8е-Сс18е.

• Установлена природа активных центров и структура поверхностных комплексов. Как и на других алмазоподобных полупроводниках, в роли активных центров выступают преимущественно координационно-ненасыщенные поверхностные атомы и дефекты вакансионного типа. Эти же центры ответственны за кислотно-основные свойства поверхности. Отмечено определенное влияние на их функциональные способности оксидной фазы.

• Подтверждено положение о независимости природы локальных активных центров от габитуса исследованной системы.

4. Предложена схема механизма адсорбционного взаимодействия аммиака и диоксида углерода.

• Показано, что при малых заполнениях аммиак адсорбируется по координационному механизму на льюисовских кислотных центрах, образуя комплексы типа

А <-ЫНз , а при больших заполнениях - на бренстедовских кислотных центрах (поверхностные ОН-группы) за счет водородной связи.

• Установлен двойственный характер адсорбции молекул СО2, образующих на поверхности адсорбентов структуры: А8"«—и В^-^ССЬ8". В последнем случае процесс сопровождается образованием анион-радикала В+-»СС>2".

• Выявлено участие поверхностных дефектов в образовании прочных форм связи и повышение их роли при переходе от бинарных компонентов к твердым растворам.

5. Отмечены сходство и различие в поведении бинарных полупроводников и твердых растворов. Сходство проявляется в одинаковой природе активных центров и поверхностных соединений, механизмах и закономерностях адсорбционных процессов. Вместе с тем, обнаружены специфические особенности твердых растворов, наиболее ярко проявляющиеся при установлении зависимостей "поверхностное свойство-состав", которые носят экстремальный характер.

6. Проведенный сравнительный анализ диаграмм "каталитическая активность-состав", "рН-изосостояния-состав" и "величина адсорбции-состав", "концентрация ПМЦ-состав" позволили не только подтвердить природу активных центров и механизм изученных адсорбционных процессов, но и наметить пути к поиску новых материалов - активных адсорбентов, катализаторов и первичных преобразователей для полупроводниковых сенсоров-датчиков.

В заключение автор считает своим приятным долгом выразить искреннюю благодарность научному руководителю д.х.н., профессору И.А. Кировской за помощь в работе.

1. Горюнова Н. А. Некоторые вопросы кристаллохимии соединений со структурой цинковой обманки// Изв. АН СССР. сер. физика. 1957. - Т. 21, № 1. - С. 120 -132.

2. Горюнова Н. А. Химия алмазоподобных полупроводников. Л.: ЛГУ, 1963. -222 с.

3. Горюнова Н. А. Семейство алмазоподобных полупроводников. М.: Знание, 1970.-44 с.

4. Олейник Г.С., Томашик В.Н., Мизецкая И.Б. Тройная взаимная система CdTe + ZnSe -» CdSe + ZnTe // Изв. АН СССР. сер. Неорган, материалы. 1978. - Т. 14, №3.- С. 441-445.

5. Томашик В.Н. Исследование физико-химического взаимодействия между халь-когенидами цинка и кадмия: Дис. канд. хим. наук Киев,1978,- 123 с.

6. Герасимов Я.И., Крестовников А.Н., Горбов С.И. Термодинамика в цветной металлургии. М: Металлургия . -1974. - Т. 6. - С. 91.

7. Полупроводниковые соединения, их получение и свойства / Абрикосов Н. X., Банкина В. Ф., Порецкая А. В., и др. Под ред. Н. X. Абрикосова М.: Наука, 1967. -176 с.

8. Оболончик В. А. Селениды. М.: Металлургия, 1973. - 189 с.

9. Грыцив В. И., Томашик В. Н., Томашик 3. Ф. Термодинамическая оценка взаил г:модействия соединений А В и халькогенидов олова//Известия АН СССР, Неорган. материалы. 1979. - Т. 15, № 1. - С. 42 - 44.

10. Лоренц М. Р. Термодинамика, приготовление материалов и выращивание кри-сталлов//Физика и химия соединений А2В6: Пер. с англ./Под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970. - С. 65 - 96.

11. Горюнова Н. А., Котович В. А., Франк Каменецкий В. А. О совместной кристаллизации гексагонального селенида кадмия с ZnSe, InAs и 1п2Без//Журн. техн. физики. - Т. 25, в. 14. - 1955. - С. 2419 - 2421.

12. Жердев Ю. В., Ормонт Б. Ф. О зависимости ширины запрещенной зоны в системе ZnSe CdSe от структуры и состава//Журн. неорган, химии. - Т. 5, в. 8. -1960. - С. 1796 - 1800.

13. Кристаллическая структура твердых растворов системы ZnSe CdSe / Шалимова К. В., Ботнев А. Ф., Дмитриев В. А., и др.//Кристаллография. - 1969. - Т. 14, в. 4. -С. 629-633.

14. Сирота H.H., Янович В.Д. Периоды идентичности и среднеквадратичные смещения ионов твердых растворов селенидов цинка и кадмия // Докл. АН СССР . -1972. Т. 204, №3. - С. 583 - 586.14 /

15. Рот В. Л. Кристаллография//Физика и химия соединений А В . М.: Мир, 1970. - С. 97 - 134.

16. О фазовом переходе в кристаллах селенида цинка / Кулаков М.П., Кулаковский В.Р., Савченко И.В., Фадеев A.B.// Физ. тв. тела. 1976. - Т. 18. - С. 909 - 910.

17. Спайс Дж. Химическая связь и строение. М.: Мир, 1966. - С. 248.

18. Угай Я.А., Домашевская Э.П. Природа химической связи в полупроводниковых2 6 2 6 соединениях AB// Всесоюз. совещ. по полупроводн. соед. А В и их применению: Тез. докл. Киев, 1966. - С. 4 -5.

19. Чижиков Д.М., Счастливый В.П. Селен и селениды М.:Наука, 1964.-320 с.

20. Корнеева И. В. Синтез и исследование некоторых физико химических свойств теллуридов и селенидов цинка и кадмия: Дис. канд. хим. наук. - М., 1960. - 192 с.

21. Анализ полупроводниковых сплавов/ Под ред. В.А. Оболончика. М.: Металлургия, 1975. - 239 с.

22. Мулдагалеева Р. А. Окисление селенидов и термическая устойчивость селенитов: Автореф. дис. канд. хим. наук. Караганда, 1985. - 15 с.

23. Степанова Н. Д., Калинкин И. П., Соколов В. А. Окисление ZnSe на воздухе // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1975. - Т. 11, № 6. - С. 1030 - 1034.

24. О кинетике и термодинамике процесса окисления селенида цинка/Галкин С. Н., Гальчинецкий Л. П., Дмитриев Ю. Н. и др.//Журн. неорган, химии,- 1989. Т. 34, № 12. - С. 3024 - 3029.

25. Пашинкин А. С. Некоторые вопросы окисления халькогенидов в связи с устойчивостью образующихся кислородсодержащих фаз//Химия и физика халькогенидов. Киев: Наукова думка, 1977. - С. 79 - 82.

26. Корнеева И. В., Новоселова А. В. О термическом разложении селенитов и се-ленатов цинка и кадмия //Журн. неорган, химии. 1959. - Т. 4, № 9. - С. 2220 -2227.

27. Taimni J.K. Thermolysis of selenides of gold, tin, iridium, molybdenum, indium, cadmium, bismuth, lead and zinc precipitated by sodium selenide // Raksn pal Ram. J. Pract. Chem. 1965. - Vol. 27, N. 3 - 4. - P. 171 - 178.

28. Сергеева Л. А,, Александрова Л. А., Алексеева В. Я. Окисление пленок А2В6 в колонке электронографа. Л., 1986. - 14 с. - Деп. в ВИНИТИ 12.03.86, № 1711 -В.

29. Чернышов А. И. Свойства реальной поверхности и вопросы получения халькогенидов цинка и некоторых твердых растворов: Автореф. дис. канд. хим. наук. Томск, 1979. - 16 с.

30. Горюнова Н. А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968. - 267 с.

31. Угай Я.А. Введение в химию полупроводников. М.: ВШ, 1975. - 302 с.

32. Aven М., Segal В. Carrier Mobility and Shall of Impurity states in ZnSe and ZnTe// Phys. Rev. 1963. - Vol. 130, N. 1. - P. 81 - 91.

33. Сухарев Ю.Г. Разработка и исследование пленочных диодных и триодных структур на основе халькогенидов кадмия и цинка: Дис. канд. техн. наук. -Одесса, 1970. 151 с.

34. Кот М.В., Тырзиу В.Г. Оптические свойства тонких слоев системы ZnSe-CdSe и ZnTe-CdTe, полученных методом "клин на клин" // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы. Кишинев, 1970. - С. 31 - 38.

35. Кировская И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Твердые растворы. Томск: Изд-во Томск, ун-та, 1984. - 113 с.

36. Вудбери Х.Х. Исследование диффузии и растворимости // Физика и химия соединений Ап В^: Пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. - С. 178 - 204.

37. Коломиец Б. Т., Линь Цзюнь тин. Спектральное распределение внутреннего фотоэффекта в системе ZnSe - CdSeV/Физ. тв. тела. - Т. 6, в. 1. - 1960. - С. 169 -171.

38. Слободан В.З. Гавалешко Н.П. Параметры зонной структуры и мера ионности твердых растворов соединений А2В6// Укр. физич. журн. — 1985. Т. 30, № 11.1. C. 1725.-1729.

39. Pietsch U. Bond charges and electronic charge transfer in ternary semiconductors // Phys. Status. Solidi. 1986. - В 134, N. 1. - P. 21 -27.

40. Structural defects and p-type conductivity in ZnSe // Fitzpatrick В., Neumark G., Bhargava R., Vermaak J // Physica, 1983, ВС 116, N 1-3: Proc. 12 bit. Conf. Defects Semiconductors, Amsterdam (31 Aug. 3 Sept.), 1982, - P. 487-491.

41. Ормонт Б.Ф. О роли современных структурно-динамических представлений в исследовании полупроводников М.: Изд-во АН СССРД961.-С.5-17.

42. Шишкин Ю.П. Закономерности поведения полупроводников и диэлектриков в связи с отклонением от стехиометрии // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1973. - Т. 9, № 7. - С. 1089 - 1093.

43. Hans Rau. Nonstoichiometry of ZnSe and CdSe // J. Phys. Chem. Solids. 1978. - V. 39,N. 8.-P. 879 - 872.

44. Смынтына B.A., Сердюк B.B. Нестабильность свойств поверхности и объема тонких слоев селенида кадмия // Электронная техника. Сер. 6. - М.: ЦНИИ Электроника, 1977. - вып. 5 (108) . - С.75 -80.

45. Kazuo Shimizu. Electrical properties of Cadmium Selenide Evaporated Films // Jap. J. AppLPhys 1965. - V. 4, N. 9. - P. 627.

46. Александров И.Н., Быкова T.T. Эмиссия ионов с поверхности CdSe под действием лазерного излучения различных длин волн // Журн. техн. физики. 1980. -T.5G, в. 6. - С. 1266 -1269.

47. Кособуцкий П.С. Исследование влияния дефектов на оптические центры эксито-нов в монокристаллах ZnSe и смешанных ZnxCdixSe: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. Киев, 1980. - 17 с.

48. Василевская В.Н., Булах Б.М. Дефекты в кристаллах CdSe, выращенных из газовой фазы // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1974. - Т. 10, № 9. - С. 1733-1735.

49. Zmija J. at al. The effect of heat treatment in Zn, Cd and Se vapor on some optical and electrooptical properties of ZnSe crystals // Electron Technik. 1979 . - V. 12, N. 4. -P. 123-131.

50. Mizera E., Sundberg M., Werner P. Defect structure of ZnSe crystals investigated by electron microscopy // Phys. Status. Solidi. 1984. - V. 85, N. 1. - P. 83 -88.

51. Альберс В. Физическая химия дефектов // Физика и химия соединений Аи В^: Пер. с англ. / Под ред. С.А. Медведева. М.: Мир, 1970. - С. 175 - 178.

52. Смынтына В.А. Донорно-акцепторные комплексы в тонких слоях селенида кадмия// Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1983. - Т. 19, № 12. - С. 1977 -1980.

53. Surface vacancies in П-VI and Ш-V zinc blende semiconductors / Daw M.S., Smith

54. D.L., Swarts C.A., McGill T.C.// J. Vac. Sci. and Thechnol., 1981. V.19, N.3. - P. 508-512.

55. Полупроводниковые халькогениды и сплавы на их основе / Под ред. Н.Х. Абрикосова. М.: Наука, 1975. - 219 с.

56. Tchakpele К., Albert J.P., Gout С. Study of ideal vacancies in CdS and CdSe in the wurtzite structure // Physica, 1983, ВС 117-118, Pt 1: Proc. 16 Int. Conf. Phys. Semiconductors, Montpellier (6 10 Sept., 1982). - Pt 1. - P. 200-202.

57. Халькогениды цинка, кадмия, ртути / Под ред. А.В. Ванюкова, Г.В. Иденбаум. -М.: Металлургия, 1973. 162 с.

58. Меликов Э.Я., Хийе Я.В. Влияние вакуумного отжига на электрофизические свойства порошкообразных CdS и CdSe // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1982. - Т. 18, № 6. - С. 363 - 365.

59. Кировская И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Химический состав поверхности. Катализ. Иркутск: Изд-во Иркут. ун-та, 1988. - 169 с.

60. Ruda Н.Е. A theoretical analysis of electron transport in ZnSe // J. Appl. Phys. -1986. V.59, N.4. - P. 1220 - 1231.

61. Коваленко A.B., Борисенко Н.Д. Тип проводимости и глубоких центров захвата в кристаллах ZnSxSei.x //Физ. и техн. полупроводников 1994 - Т. 28, № 4. - С. 646-650.

62. Nitrogen doped p-type ZnSe film grown by MOVPE / Ohki A., Shibata N., Analo K., Katsui A. // J. Cryst. Growth. - 1988. - V. 93, N. 1-4. - P. 692 -696.

63. ТЕМ investigation of Ga and In doped ZnS, and In doped ZnSe / Loginov Y.Y., Brown P., Thompson N., at аШ. Ciyst. Growth.-1990.-V. 102, N.4.-P.827-840.

64. Eletrical characterization of Li-doped ZnSe grown by molecular-beam epitaxy / hnal K., Kunsisto E., Lilja J., et al // J. Cryst. Growth. 1992. - V. 117, N. 1-4. - P. 406409.

65. Electron mobility in heavily doped strongly compensated ZnSe crystals / Kasiyan V.A., Nedeoglo D.D., Simashkevich A.V., Timchenco J.N. // Phys. Status. Solidi. -1996. B136, N. 1. - P. 341 -347.

66. Ткачук П.Н., Чепелев B.B. Механизмы ренгенолюминесценции и рентгенопро-водимости в твердых растворах (ZnSe)ix (GaAs)x// Изв. АН СССР. Сер. Неорган. материалы. - 1989. - Т. 25, № 3. - С. 511 - 512.

67. Нелинейная рефракция и изменение холловской подвижности в сильно возбужденных кристаллах CdSe/Балтрамеюна Р.,Велецкас Д., Каптураускас И. и др.//Физ. и техн. полупроводаиков.-1996.-Т.20,№7.-С. 1243- 1247.

68. Reduction of compensation defect in ZnSe and ZnS by photoirradiation /Jchimura Masaya, Wada Takao, Swisuo Fujita, Swigeo Fujita // J. Cryst. Growth. 1992. - V. 117, N. 1-4.-P. 689-693.

69. Оконечников А.П., Мельник H.H. Дефектообразование в ZnSe при облучении а-частицами//Физ. и техн. полупроводников.-1994.-Т.28,№2.-С.221-227.

70. Exciton luminescence in Ideal Solid Solution (ZnxCdixSe Sistem, 0<x<l) /Nashibov AS., Korostelin Yu.V., Shapkin P.V. at al. // Solid States Communication . 1989. -V. 71,N. 10. -P. 867-869.

71. Localised exciton luminescence in ZnxCdixSe solid solution / Korostelin Yu.V., Syslina L.G., Shapkin P.V. // Solid States Communication . 1989. - V. 69, N. 7. -P. 789-791.

72. Ultrasound stimulated increase of fotosensitivity, and luminescence intensity of П-IV compound solid solution / Zdebskii A.P., Garayagdev G., Orazov K., Polisskti G.N. // Phys. Status. Solidi A.- 1989,- V. 116, N. 1. - P. k 91 - k 95.

73. Urbach rule in mixed single crystals of ZnxCdi.xSe / Samuel L., Brada Y., Burger A., Roth M. //Phys. Rev. B: Condens. Matter.-1987.-V.36, N.2.-P. 1168 -1173.

74. Electrical properties of ZnxCdi,xSe/ Bassam A.A1., Brinkman A.W., Rüssel G.J., Woods J.// J. Cryst. Growth. 1988. - V. 86, N. 1. - P. 667-672.

75. Марковский Л.Я., Пекерман Ф.М., Петошина А.Н. Люминофоры. М.-Л.: Химия.-1966,- 134 с.

76. Драпак И.Т. Структура красной полосы фотолюминесценции монокристаллов селенида цинка // Журн. прикл. спектроскопии. 1988. -Т. 48, № 6. - С. 1000 -1009.

77. Ермолович И.Б., Булах Б.М. Особенности температурного тушения люминесценции, обусловленной глубокими центрами в селениде кадмия // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1986. - Т. 22, № 5. - С. 729 - 732.

78. Transport and optical properties of low-resistivity CdSe/ Tenne R., Jager-Waldau R, Lux-Steiner M. at al //Phys. Rev. В.- 1990.- V.42, N.3.- P. 1763 -1772.

79. Даныпина В. В. Адсорбционные взаимодействия водорода и оксида углерода (П) на поверхности бинарных соединений типа А2В6: Дис. канд. хим. наук Омск, 1986. - 136 с.

80. Кировская И. А. Химическое состояние реальной поверхности соединений типа А2В6 /Неорган, материалы. 1989. - Т. 25, № 9. - С. 1472 - 1476.

81. Кировская И. А. Поверхностные свойства алмазоподобных полупроводников. Адсорбция газов. Иркутск: Изд-во Иркут. ун-та, 1984. - 140 с.

82. Тонкопленочные поликристаллические варизонные структуры на основе соединений А2В6 / Горкун О.Ю., Колежук К.В., Комащенко В.Н., Фаленчук А.Д. и др. // Укр. физич. журнал . 1989. - Т. 34, № 1. - С. 122-126.

83. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Адсорбция водорода и кислорода селенидом цинка // Кинетика и катализ . -1964. Т. 5, № 3. - С. 546-547.

84. Майдановская Л. Г., Кировская И. А. Теплоты адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки//Журн. физич. химии. 1966. - Т. 40, № 3. - С. 609-613.

85. Кировская И. А., Майдановская Л. Г. Кинетика адсорбции газов на полупроводниках типа цинковой обманки //Журн. физич. химии. 1968. - Т. 42, № 11. - С. 2911-2915.

86. Кировская И. А., Майдановская Л. Г., Соловьева Н.В. Адсорбция смесей газов на изоэлектронных аналогах германия //Журн. физич. химии. 1968. - Т. 42, № 5. -С. 1196-1200.

87. Адсорбция окиси углерода на полупроводниках типа цинковой обманки / Кировская И. А., Майдановская Л. Г., Князева Э.И. и др. // Журн. физич. химии. -1970. Т. 44, № 5. - С. 1260 - 1266.

88. Кировская И. А. Об адсорбции смесей близких и различных по электронной природе газов на изоэлектронных аналогах германия // Журн. физич. химии. -1970. Т. 44, № 1. - С. 159 - 165.

89. Кировская И. А., Пименова Л. Н., Крюков В.А. Адсорбция компонентов реакции разложения муравьиной кислоты на поликристаллах селенида цинка //Журн. физ.химии. 1974. - Т. 48, № 11. - С. 2825 - 2829.

90. Кировская И. А. Адсорбционные, каталитические и электрофизические свойства полупроводников со структурой цинковой обманки: Автореф. дис. канд. хим. наук. Томск, 1964. - 16 с.

91. Кировская И. А., Муликова Г.М., Юрьева A.B. Об адсорбции паров воды на GaAs, ZnSe и их твердых растворах //Журн. физ.химии. 1974. - Т. 48, № 5. -С. 1227-1229.

92. Кировская И. А., Шмидт Е.А. Адсорбция газов и их смесей на пленках селенида цинка //Журн. физ.химии. — 1975. Т. 49, № 2. - С. 428 - 430.

93. Взаимодействие водорода и двуокиси углерода на поверхности алмазоподобных полупроводников/И.А. Кировская, Л.Н. Пименова, И.В. Вотякова, H.H. Шаран-гович //Журн. физич. химии, 1978.- Т. 52, № 9,- С. 2356 2360.

94. Кировская И. А., Зелева Г.М. О взаимодействии водорода и кислорода на поверхности алмазоподобных полупроводников//Журн. физич. химии. 1978. - Т. 52,№ 7.-С. 1744-1747.

95. Кировская И. А., Пименова Л. Н. Магнитные исследования адсорбции на поверхности алмазоподобных полупроводников //Сорбция и хроматография. М.: Наука.-1979.-С. 54-57.

96. Пименова Л. Н. Адсорбционные взаимодействия водорода и двуокиси углерода на халькогенидах цинка и их твердых растворах: Дис. канд. хим. наук. Томск, 1975.-157 с.

97. Магнитные исследования поверхностных свойств бинарных алмазоподобных полупроводников/ И. А. Кировская, Л. Н. Пименова, В. В. Сараев и др. //Журн. физич. химии, 1980. Т. 54, № 1. - С. 130 - 134.

98. Даныпина В.В., Кировская И.А. О механизме взаимодействия водорода с поверхностью соединений типа А2В6 //Журн. физич. химии, 1988. Т. 62, № 8. - С. 1648-1651.

99. Юрьева А. В. Кислотно-основные свойства поверхности бинарных и более сложных алмазоподобных полупроводников. Дис. канд. хим. наук. Омск, 1981.-128 с.

100. Kirovskaya I. A., Zelyeva G. М., Yuryeva А. V. Thermodesorptive Analysis of GaAs and ZnSe Surfaces//Talanta. Short Comnran.-1985.- V.32, №1.- P.57- 59.

101. Майдановская Л.Г., Кировская И.А. Исследование электропроводности и адсорбции газов на полупроводниках со структурой цинковой обманки // Кинетика и катализ. -1964. Т. 5, № 6. - С. 1049-1055.

102. Электрофизические исследования поверхности селенида цинка / Кировская И.А., Пименова Л.Н., Чернышев А.И., Вотякова И.В. и др. / Омский политехи. ин-т-1985-12е.- Деп. вОНИИТЭХим5.05.85,№541 хп-85 Деп.

103. Пименова Л.Н., Чернышев А.И. Влияние газовых сред на электропроводность монокристаллов селенида цинка // Томск, гос. ун-т. 1980. - 14 с. - Деп. в ВИНИТИ 15.09.80, № 4038-80 Деп.

104. Юрьева A.B., Кировская И.А., Сараев B.B. Исследование кислотно-основных свойств поверхности твердых растворов системы ZnSe-GaAs методом ЭПР // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы.- 1984. Т. 58, № 1. - С. 162 - 164.

105. Ludeke R. Anomalous oxydation properties of ZnSe (100) surface // Solid State Commun. 1977. - V. 24, N. 10. - P. 725-729.

106. Сердюк В.В., Смынтъша В.А. Нестабильность свойств поверхности и объема тонких слоев селенида кадмия в присутствии кислорода // Физика, химия и техническое применение полупроводников А2В6. Одесса. - 1976.- С. 180-182.

107. Быкова Т.Т., Лазнева Э.Ф. Фотоактивированная десорбция кислорода с поверхности сульфида и селенида кадмия // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. 1979. -Т.43,№3.-С. 473-477.

108. Вашпанов Ю.А., Смынтына В.А., Сердюк В.В. Свойства реальной поверхности тонких пленок селенида кадмия, легированных атомами индия и селена // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. - № 1. - С. 93-98.

109. Смынтына В.А., Турецкий А.Е., Чемересюк Г.Г. Аномальная температурная зависимость электропроводности пленок CdS // Журн. физич. химии, 1985. Т. 59, № 1. - С. 125-128.

110. Смынтына В.А. Кинетика электронно-молекулярных процессов на поверхности полупроводниковых пленок // Поверхность. Физика, химия, механика. 1985. № 9. - С. 54-59.

111. Адсорбционные и другие свойства твердых растворов на основе халькогенидов цинка и кадмия / Г. М. Зелева, И. А. Кировская, А.И. Чернышев, В.В. Могилева, Е. М. Буданова. М, 1977 - 12 с. - Деп. в ВИНИТИ, М., 30.06.77 г., № 3844 - 77 Деп.

112. Зелева Г. М., Кировская И. А., Рязанов В. Н. Магнитные исследования механизма взаимодействия водорода, кислорода и их смеси на поверхности образцов системы ZnSe CdSe. - Томск, 1989. - 9с,- Деп. в ОНИИТЭХИМ г. Черкассы, № 3185/79.

113. Stephens R.E., Кее В., Frevich D. The efficiencies of some solids as catalysts the photosynthesis of hydrogen peroxide //J. Phys. Chem-1955- V.59, N.9.- P. 966 -969.

114. Саката Тадаеси. Фотокатализаторы // Energy Concerv. 1987. - V. 39, N. 1.- P. 42-52. (яп., реферат англ. и русск.)

115. Hanïman A. Photochemical aspects of solar energy conversion // Photochem. (London).- 1985. V. 16. - P. 537-532.

116. Mandai K.C. Fermi level shift with photovoltages at zinc modified CdSe surfaces // J. Mater. Sei. Lett. 1996. - V. 9, N. 10. - P. 1203-1204.

117. Preparation and photochemical properties of cadmium sulphide zinc sulphide, incorporated into interbayer of hidrotalcite // Sato Tsugio, Okiyama Hiroshi, Endo Tadashi, at al. /React. Solids. -1990. -V.8, N. 1-2. - P. 63-72.

118. Licht S.L. A description of energy conversion in photo-electrochemical solar sells //Nature. -1987. V. 330, N. 6144. - P. 148-151.

119. Чопра К., Дас С. Тонкопленочные солнечные элементы: Пер. с англ. /Под ред. М.М. Колтуна. М.: Мир, 1986. - 435 с.

120. Gratzel М. Photocataiysis with colloidal semiconductors and polycrystalline films //Photocatal. and Eviron. Trends and Appl.: Proc. NATO Adv. Study Inst. Palermo,1987. Dordrecht etc., 1988. - P. 367-398.

121. Кировская И.А., Юрьева А.В., Даныпина В.В. Исследование поверхностной активности алмазоподобных полупроводников в процессе их диспергирования // Журн. физич. химии, 1982. Т. 56, №> 4. - С. 911 - 915.

122. Кислотно-основные свойства поверхностей соединений типа А3В5 и А2В6 /Кировская И. А., Юрьева А. В., Даныпина В. В., Хомич В. А.//Обл. научн. конф., посвященная 150-летию со дня рождения Д. И. Менделеева: Тез. докл. -Омск, 1984. С. 18 - 19.

123. Лоренц М. Р. Термодинамика, приготовление материалов и выращивание кри-сталлов//Физика и химия соединений А2В6: Пер. с англ./Под ред. С. А. Медведева. М.: Мир, 1970. - С. 65 - 96.

124. Получение твердых растворов соединений А2В6 твердофазным замещением /Булах Б.М., Друзь Б.Л., Евтухов Ю.Н., Сальков Е.А. //Химия, физика и техническое применение халькогенидов: Тез. докл. УП Всес. конф. 27-29 сент. 1988 г.- Ужгород, 1988,- Ч. 1- С. 25.

125. Булах Б.М., Друзь Б.Л., Евтухов Ю.Н. Особенности твердофазного замещения в монокристаллах соединений А2В6 //7 Всесоюз. конф. по росту кристаллов: Симп. по молекулярно-лучевой эггитаксии (14-19 ноября): Расшир. тез. докл.- М.,1988.-Т. 1,-С. 290-291.

126. Piper W.W., Polish S.J. The growth of single crystals of A2B6 compound from the vapour phase // J. Appl. Phys.- V. 32.- P. 1278-1332.

127. Давыдов A.A., Глебкин A.H. Усовершенствованный процесс выращивания кристаллов соединений А2В6 //Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1972. - Т. 8, № 10. - С. 1730 - 1733.

128. Владыко М.Н., Колчин АА. Кристаллизация соединений А2В6 методом CVD //7 Всесоюз. конф. по росту кристаллов: Симп. по молекулярно-лучевой эпитаксии (14-19 ноября): Расшир. тез. докл. М., 1988. - Т. 1. - С. 158-159.

129. Экситонная люминесценция идеальных твердых растворов (система ZnxCdi.xSe, 0<х<1) / Насибов А.С., Суслина Л.Г., Коростелин Ю.В., Шапкин П.П. и др. // Письма в ЖЭТФ. 1989. - Т.49, № 7. - С. 381-384.

130. Nitsche R. The growth of single crystals of binnary and ternary chalcoginides by chemical transport reactions //J. Phys. Chem. Solids. I960-V. 17, N. 1-2- P. 163165.

131. Growth of ZnSe single crystals by iodine transport /Koyama T., Yodo Т., Oka H. at al. // J. Cryst. Growth. 1988,- V. 91, N. 4,- P. 639-646.

132. Кулаков МЛ., Колесников H.H. Исследование некоторых свойств расплавов ряда соединений группы А2В6 //Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1989. -Т. 25, №6.-С. 938-941.

133. Мизецкая И.Б. Основные направления исследования полупроводниковых материалов на основе А2Вб и А4В6 //Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1979. -Т. 15,№6.-С. 1103-1105.

134. Parker S.G., Pinnel J.E., Swink L.N. Epitaxial ZnSe on GaAs and Ge by HBr transport //J. Phys. Chem. Solids. 1971,- V. 32, N. 1,- P. 139-147. (Пер. в сб. Материалы для оптоэлектроники.- М.: Мир, 1976,- С. 345-360.)

135. Калинкин И.П., Алесковский В.Б., Симашкевич А.В. Эпитаксиальные пленки соединений А2В6.- Л. : ЛГУ, 1978,- 310 с.

136. Физико-химические исследования поликристаллических пленок твердых растворов ZnxCdixSe /Буденная Л.Д., Дубровин И.В., Комащенко В.Н. и др. // Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1990. - Т. 26, № 6. - С. 1177 - 1180.

137. Кот М.В., Тырзиу В.Г. О методике получения тонких слоев переменного состава полупроводниковых систем типа А2В6-А2В6 //Полупроводниковые соединения и их твердые растворы. Кишинев, 1970. - С. 28-30.

138. Seki H., Koukitu A. Solid composition of alloy semiconductors grown by MOVPE, MBE, VPE and ALE //J.Cryst.Growth.-1989.-V.98,N. 1-2.-P. 118-126.

139. Herman I.P. Laser-assisted deposition of thin films from gas-phase and surfase-adsorbed molecules //Chem. Rev.- 1989,- V.89, N.6.- P. 1323-1357.

140. Губайдуллин В.И., Дрозд B.E., Алесковский В.Б. Механизм химической сборки пленок селенида кадмия на поверхности твердых тел //Журн. физич. химии, 1991. Т. 65, № 2. - С. 501 - 503.

141. Molecular beam epitaxy of cubic ZnxCdi-xSe and CdxMnixSe and related superlattices /Samarth N., Luo H., Furdyna J.K. at al. //Surface Sci.- 1990.- V.228, N. 1-3,- P. 226-229.

142. Алексанян A.O., Ганыпин B.A., Коркишко Ю.Н. Получение и исследование диодных слоев в монокристаллах халькогенвдов цинка //Химия, физика и техническое применение халькогенидов: Тез. докл. УП Всес. конф. 27-29 сент. 1988 г.Ужгород, 1988,- Ч. Ш С. 323.

143. Танабе К. Твердые кислоты и основания .- М.: Мир, 1973- 183 с.

144. Топчиева К.В. Связь кристаллических свойств алюмосиликатов с химическими свойствами поверхности // Ученые записки МГУ 1955- Т. 174. - С. 75-100.

145. Benesi H.A. Acidity of catalyst surfaces . П Amine titration using Hammet indicators // J. Phys. Chem. 1957. - V. 61, N. 7.- P. 970-973.

146. Tsuchiya Susumu, Katsube Hiroaki, Sakata Yoshihiso. The existence of basic sites on the surfaces of titanium oxide // Chem. Express. 1990. - V. 5, N. 3. - P. 161-164.

147. Murrell L.L. Dispenriere N.C. A modify Benesi titration procedure useful to quantity the Lewis and Brensted sites of solid asids // J. Catal 1989 - V. 117, N. 1- P. 275280.

148. Ларичева В. С. О кислотно-основных и каталитических свойствах оксидов бериллия, магния, цинка и кадмия: Автореф. дис. канд. хим. наук. Томск, 1971. - 16 с.

149. Ramirez de la Piscina P.,Homs N.,Borrull F. Surfase basicity modification of y-alumina: study by thermometric titration // Thermochim. Acta. 1989. - V. 138, N.2. - P. 303-308.

150. Крылов O.B., Фокина E.A. Об измерении кислотао-щелочных свойств поверхности // Проблемы кинетики и катализа. 1955. -Т. 8. - С.248-252.

151. Richardson R.L., Benson S.W. A study of the surface acidity of cracking catalysts // J. Phys. Chem. 1957. - V.61,N 4. - P.405-411.

152. Крылов O.B. О каталитическом действии твердых оснований // Физика и физи-ко-химия катализа. М. :Изд-во АН СССР, 1960. - С. 273-278.

153. Голдштейн М. Определение кислотности поверхности // Экспериментальные методы исследования катализа. М.:Мир, 1972. - С. 362-402.

154. Mamory A. The oxidation activity and acid-base properties of mixed oxide catalysts, containing titania // Bull. Chem. Soc. Jup.-1976-V. 490. P. 1328-1334.

155. Определение числа активных центров на поверхности природных дисперсных алюмосиликатов различного строения/ М.В.Сычев, М.А.Лукашевич, В.В.Гончарук, Н.Г.Васильев // Укр. химич. журн. 1985. - Т.51, № 3. - С. 256260.

156. Auroux A.,Gervasini A Microcalorimetric study of the acidity and basisity of metal oxide surfaces // J. Phys. Chem. 1990. - V.94, N. 16. - P. 6372-6373.

157. Karge H.G. Kosters H., Wada Y. Dehidration of cyclohexanol as a test reaction for zeolite acidity // Proc. 6-th Int. Zeolite Conf.; Reno; 10-15 July 1983. Guildford, 1984.-P. 308-315.

158. Нечипоренко А.П., Буренина T.A., Кольцов С.И. Индикаторный метод исследования поверхностной кислотности твердых веществ // Журн. органич. химии. 1985,- Т. 55, № 9.- С. 1901-1902.

159. Киселев А. В., Лыгин В. И. Инфракрасные спектры поверхностных соединений и адсорбированных веществ. М.: Наука, 1972. - 459 с.

160. Peri J. В. IR study of adsorption of ammonia on dry т.-alumina // J. Phys. Chem. -1965.- V. 69, N.I.- P. 231-239.

161. Peni J. B. Infrared Study of Adsorption of Carbon Dioxide, Hydrogen Chloride and, Other Molecular on "Acid" Sites on Dry Silica Alumina and y-Alumina//J. Phys. Chem. 1966. - V. 70, № 10. - P. 3168 - 3180.

162. Bertsch L., Habgood H. W. An infrared spectroscopic study of the adsorption of water and carbon dioxide by Linde Molecular sieve X//J. Phys. Chem. 1963. V. - 67, № 8.-P. 1621-1628.

163. Крылов O.B., Киселев В.Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах-М.: Химия, 1981-288 с.

164. Литтл Л. Инфракрасные спектры адсорбированных молекул: Пер. с англ./Под ред. В. И. Лыгина. М.: Мир, 1969. - 514 с.

165. Киселев А.В., Китиашвили Д.Г., Лыгин В.И. Исследование молекулярной адсорбции и ионизации адсорбированных цеолитами молекул азобензола и п-диметиламинбензола методом УФ-спектроскопии // Кинетика и катализ 1973 -Т. 14, В. 1.-С. 262-265.

166. О связи между кислотностью поверхности и химическим сдвигом РФЭС для катализаторов V-P-O / В.АЗажигалов, Н.Д.Коновалова, Ю.П. Зайцев и др. // Поверхность: физика, химия, механика- 1987 -№ 10 -С. 55-56.

167. Luminescent probes of acidity in heterogeneous catalysts/P.Szedlacsek, S.L.Suib, G.S.Koermer et al.//J.Chem.Soc.Chem. Commun.- 1990.- N21,- P. 1531- 1532.

168. Pfeifer H. Hightly resolved solid- state proton magnetic resonance studies of zeo-Htes//J.Chem. Soc. Faraday Trans., Pt. 1.-1988.-V. 84, N. 11P. 3777- 3783.

169. Формирование кислотных свойств пористых боросиликатных стекол при модифицировании ионами алюминия и бора / M. Н. Захарова, А. Д. Мотина, Е. В. Лукина и др. // МГУ, 1987. 15с. - Деп. в ВИНИТИ 17.06.87, № 4358-В-87.

170. Улучшение характеристик полупроводниковых лазеров с продольной накачкой электронным пучком на основе монокристаллов ZnSe/И. В. Акимова, А. В. Ду-денкова, В. И. Козловский, П. В. Шапкин и др.// Квант, электроника. —1982. Т 9, № 10. - С. 2099 - 2102.

171. Монокристаллы твердых растворов ZnSeixTex, ZnixCdxSe, ZnxCdi XS для лазеров с накачкой электронным пучком/А. М. Ахекян, В. И. Козловский, Ю. В. Ко-ростелин, П. В. Шапкин и др.//Квант. электроника. 1985. - Т. 12, № 5. - С. 1113-1116.

172. Хейкер Д. М., Зевин Л. С. Рентгеновская дифрактометрия. М.: Гос. изд-во физ. -мат. лит-ры, 1963.-380 с.

173. Миркин С. Е., Справочник по рентгеноструктурному анализу. М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит-ры, 1961. 863 с.

174. Горелик С. Е., Расторгуев Л. Н., Скаков Ю. А. Рентгенографический и электро-нооптический анализ. Приложения М.гМеталлургия, 1970- 107 с.

175. Гинье А. Рентгенография кристаллов. -М.: Гос. изд-во физ.-мат. лит-ры, 1961. -322 с.

176. Кребс Г. Основы кристаллохимии неорганических соединений. М.: Мир, 1971. -304 с.

177. Ярош Э. М. Структура и физические свойства соединений VixFex02 и FeV206: Дис. канд. физ.-мат. наук. Омск, 1987. - 171 с.

178. Вертхайм Г. Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия твердых тел: Пер. с англ./Под ред. В. И. Раковского. М.: Мир, 1981. - С. 195 - 235.

179. Warekois Е.Р., Lavine М.С., Mariana A.N., Gatos H.C. Crytailographic polarity in the II- VI compounds//! Appl. Phys. V. 33, № 2. - 1962. - P. 690 - 696.

180. Бриггс Д., Сих M. П. Анализ поверхности методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. М.: Мир, 1987. 326 с.

181. Рапопорт Ф. М., Ильинская Л. А. Лабораторные методы получения чистых газов. М.: Госхимиздат, 1963. - 419 с.

182. Грег С., Синг К. Адсорбция, удельная поверхность, пористость. М.: Мир, 1970. -407 с.

183. Кировская И. А. Адсорбционные процессы. Иркутск: Изд-во Иркут. ун-та, 1995. - 304 с.

184. Вудраф Д., Делчар Т. Современные методы исследования поверхности: Пер. с англ./Под. ред. В. И. Раховского М.: Мир, 1989. - 564 с.

185. Якерсон В.И., Розанов В В. Исследование взаимодействия адсорбат-адсорбент и механизма гетерогенно-каталитических реакций методом термодесорб-ции//Пробл. кинетики и катализа М.: Наука, 1979 - В. 17 - С. 128 - 149.

186. Winterbottom R. H., Application of thermal desorption methods in Studies of Catalysis // Surface Sei. 1973. - V. 36, №1,- P. 195 - 224.

187. Скутин Е.Д. Кинетика электронных и адсорбционных процессов на поверхности арсенида галлия: Дис. канд. физ.-мат. наук.- Омск, 1996 122 с.

188. Вертц Дж., Болтон Дж. Теория и практические приложения метода ЭПР. М.: Мир, 1975. - 548 с.

189. Эксперементальные методы исследования катализа/Под ред. Р. Андерсона. М.: Мир, 1972. - 328 с.

190. Даныпина В. В., Кировская И. А. Спектроскопическое исследование механизма адсорбции СО на поверхности соединений типа А2В6//Применение оптической спектроскопии в адсорбции и катализе: Тез. докл. X Всес. Школы-семинара. -Л., 1988.-С. 165.

191. Герцберг Г. Колебательные спектры многоатомных молекул/: Пер. с нем. М.: ИЛ, 1949. - 324 с.

192. Драго Р. Физические методы в химии: Пер. с англ./Под ред. О. А. Реутова. М.: Мир, 1981. Т. 1, - 424 с; Т. 2. - 456 с.

193. Накамото К. Инфракоасные спектры неорганических и координационных соединений. -М.: Мир, 1966. -411 с.

194. Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников/Луфт Б. Д., Перевощиков В. А., Возмилова Л. Н. И др./ Под ред. Б. Д. Луфт. М.: Радио и связь, 1989. - 136 с.

195. Майдановская Л. Г. О водородном показателе изоэлекгрического состояния ам-фотерных катализаторов//Каталитические реакции в жидкой фазе. Алма-Ата: Изд-во АН Каз. СССР, 1963, - С. 212 - 217.

196. Кинетика испарения CdSe и CdTe в вакууме и ее связь с электронными процессами в кристалле/Пикус Г. Я., Тальнова Г. Н., Тетеря В. П., Тычкина С. В.//Проблемы физики соединений А2В6. Вильнюс, 1972. - Т. 1. - С. 260 - 265.

197. Наканиси К. Инфракрасные спектры и строение неорганических соединений. VI: Мир, 1965. 216 с.

198. ЛеконгЖ. Инфракрасное излучение. М.: Физматгиз., 1958. - 584 с.

199. Зайцев Б. Е. Спектроскопические методы в неорганической химии. М.: Химия, 1973 - 185 с.

200. Беллами Л. Инфракрасные спектры сложных молекул: Пер. с англ. М.: И. Л., !963. - 580 с.

201. Гордон А., Форд Р. Спутник химика: Пер. с англ. М.: Мир, 1976. - С. 350 -354. (541 с.)

202. Химия. Справочное руководство: Пер. с нем. /Под ред. Ф. Г. Гаврюченкова, М. И. Курочкиной, А. А. Потехина, В. А. Рабиновича. Л.: Химия, 1975.

203. Пикус Г. Я., Тальнова Г. Н. Особенности испарения и изменения состава тонких кристаллов и пленок соединений А В при вакуумном отжиге//Физика тв. тела. -1982. Т. 24, в. 1. - С. 307 - 309.

204. Кировская И. А., Даныпина В В., Буданова Е. М. Влияние адсорбированных газов на электрофизические и магнитные характеристики селенида цинка// там же .-С. 63.

205. Кировская И. А. Физико химическое состояние реальной поверхности группы алмазоподобных полупроводников: Дис. д-ра хим. наук. - М.: МГУ, 1988. - 408 с.

206. Дитина 3. 3., Страхов JI. П. Исследование поверхности селенида кадмия методом ЭПР//Физ. тв. тела, 1967. Т. 9, №> 9. - С. 2539 - 2543.

207. Дитина 3. 3., Казеннов Б. А., Страхов JI. П. Парамагнитные центры на поверхности сульфида кадмия//Физ. и техн. полупроводников, 1967. Т. 1, № 11. - С. 1730-1731.

208. Наумов Н. П. Влияние термообработки на структуру и поверхностное сопротивление тонких пленок теллурида кадмия. М.: 1983. - 9 с. - Деп. в ВИНИТИ 1984 г., № 379 - 84 Деп.

209. Au С. Т., Hirsch W., Hirschnalol W. Adsorption of Carbon Monoxide and Carbon Dioxide on Annealed and Defect Zine Oxide (0001) Surfases Studied by Photoelectron Spectroscopy (XPS and UPS) // Surfases Sei, 1988. V. 197. - p. 391 - 401.

210. Денисенко Л. А. Исследование поверхностных соединений на окиси цинка методом ИК спектроскопии: Автореф. дис. канд. физ.-мат. наук. - Л., 1984. - 16 с.

211. Кировская И. А., Филимонова В. М. Адсорбция двуокиси углерода на монокристаллах арсенида галлия // Журн. физ. химии. 1971. - Т.45, № 11. - С. 28092812.

212. Киселев В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970. - 400 с.

213. Киселев В. Ф., Крылов О. В. Адсорбционные процессы на поверхности полупроводников и диэлектриков. М.: Наука, 1978. - 256 с.

214. Киселев В. Ф., Крылов О. В. Электронные явления в адсорбции и катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979. - 236 с.

215. Буданова Е.М., Кировская И.А., Юрьева A.B. Механохимические исследования поверхности твердых растворов системы ZnxCdi-xSe// Динамика систем, механизмов и машин: Тез. докл. Ш Междунар. науч.-техн. конф. 26-28 окт. 1999 г. -Омск, 1999. С. 361-362.

216. Кировская И. А. Прогнозы поведения твердых растворов алмазоподобных полу-проводников//Журн. физич. химии, 1985. Т. 59, № 1. - С. 194 - 196.

217. Кировская И. А. Возможные пути регулирования свойств поверхности алмазоподобных полупроводников и некоторые аспекты их практической реализации// Изв. АН СССР. Сер. Неорган, материалы. 1994. - Т. 30, № 2. - С. 147 - 152.

218. Кировская И. А. Прогнозы поведения поверхности многокомпонентных полупроводников// Динамика систем, механизмов и машин: Тез. докл. Ш Междунар. науч.-техн. конф. 26-28 окт. 1999 г. Омск, 1999. - С. 356-357.

219. Кировская И. А., Старцева O.A. Полупроводниковый анализатор: Патент № 5652 от 16.12.97. Б.И. 1997. - № 12.