Компьютерное моделирование эволюции поверхности и захвата примеси при кристаллизации из молекулярного пучка тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

Введение

1 Механизмы формирования микрорельефа поверхности при кристаллизации из молекулярного пучка (обзор литературы)

1.1 Послойный рост кристалла. Элементарные процессы роста

1.2 Особенности кристаллизации по механизму образования зародышей 2Б-островков.

1.2.1 Модели зародышевого роста.

1.2.2 Экспериментальные данные.

1.3 Рост с участием примеси

1.3.1 Захват и сегрегация примеси.

1.3.2 Влияние примеси на рост кристалла.

В последние годы наиболее значительные успехи в области физики полупроводников связаны с созданием или использованием структур с пониженной размерностью. Уникальные электрофизические свойства систем с квантовыми нитями, квантовыми точками и ^-легированными слоями открывают возможности создания принципиально новых полупроводниковых приборов. Основным методом получения низкоразмерных структур в настоящее время является молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ). Этот метод, в сочетании с методами т-вйи контроля состояния поверхности, такими как дифракция быстрых электронов и сканирующая туннельная микроскопия, позволяет выращивать структуры атомного масштаба. Однако на пути управляемого синтеза таких структур стоит ряд проблем, связанных с недостаточным пониманием закономерностей формирования микрорельефа поверхности при росте. На частичное восполнение имеющихся пробелов и направлена данная работа.

Следует отметить, что основные закономерности которым подчиняется рост кристаллов из пара, в настоящее время достаточно хорошо изучены. Так, известно, что при типичных условиях кристаллизации полупроводников из газовой фазы реализуется послойный рост [1-3]. Согласно общим принципам послойного роста, встраивание атомов в кристалл происходит в изломах на ступенях, а их доставка к изломам осуществляется за счет поверхностной диффузии [1,4]. При этом, в зависимости от условий кристаллизации и разориентации подложки послойный рост может идти либо по механизму перемещения вицинальных ступеней, либо по механизму образования зародышей двумерных (2Б) кристаллических островков (спиральный рост в данной работе не рассматривается). Теория послойного роста, развитая в работах Бартона, Кабреры, Франка [4] и Чернова [5] описывает движение эшелона эквидистантных моноатомных ступеней. Непосредственное применение этой теории к описанию процессов формирования структур с пониженной размерностью невозможно, поскольку для МЛЭ основным механизмом роста в широком диапазоне условий кристаллизации является зародышевый механизм [6].

В последние годы был предложен ряд моделей зародышевого роста, в той или иной степени обобщающих, ставший уже классическим, подход работ [1,4,5]. Наибольшие успехи были достигнуты при описании субмо-нослойных стадий кристаллизации. В то же время практически неисследованными остались вопросы формирования сплошного кристаллического слоя и последующего роста отдельных кристаллических слоев. Эти задачи рассматривались лишь в рамках простейшего варианта метода ячеек [7], согласно которому каждому островку или пирамиде из 2Б-островков ставится в соответствие участок поверхности, не пересекающийся с участками других островков. В рамках метода ячеек рост каждого 2Б-островка может быть описан аналитически вплоть до заполнения выделенного участка поверхности. Однако моменты появления новых зародышей при этом полагаются фиксированными, что противоречит случайному характеру процесса зародышеобразования и не позволяет описать развитие микрорельефа поверхности при переходе от одноуровневого к многоуровневому росту.

Более широкими возможностями в плане учета случайного характера процесса зародышеобразования обладает компьютерное моделирование методом Монте-Карло, поскольку в этом методе рост кристалла рассматривается как последовательность случайных процессов осаждения, миграции, встраивания и т.д. [8]. Микроскопическая природа метода Монте-Карло делает его эффективным средством исследования деталей ростовых процессов, однако это же обстоятельство ограничивает размеры моделируемых систем и не позволяет представить картину роста в целом.

Таким образом, анализ предложенных к настоящему моменту времени моделей зародышевого роста показывает перспективность разработки комбинированного подхода, который бы сочетал аналитическое описание роста двумерных кристаллических островков и компьютерную имитацию случайного процесса их образования.

Еще один круг вопросов, связанных с получением структур с пониженной размерностью, касается проблем захвата и сегрегации примеси при МЛЭ. К моменту начала диссертационной работы целенаправленные исследования закономерностей захвата и сегрегации примеси при росте по зародышевому механизму не проводились, хотя можно предположить, что данным процессам должны быть свойственны некоторые специфические особенности. Установление этих особенностей, интересно как в научном, так и в практическом плане. Также представляет интерес исследование влияния примеси на рост. Существование такого эффекта хорошо известно из экспериментов по кристаллизации из растворов [1], однако его исследование применительно к МЛЭ началось сравнительно недавно и связано с развитием метода кристаллизации из молекулярных пучков с участием сурфактантов [9,10]. Под сурфактантом (от surface active agent) понимается примесь, легко сегрегирующая на поверхности роста и влияющая на характер протекания поверхностных процессов. В настоящее время достигнут значительный прогресс в понимании механизмов влияния примесей на отдельные процессы роста (поверхностная диффузия, зародышеобразование, встраивание в ступень и т.д.). Однако значительные пробелы в описании эволюции поверхности в целом остаются до сих пор. Для восполнения этих пробелов необходим детальный анализ влияния сурфактантов не только на процесс образования зародышей первого кристаллического слоя, но и на процессы разрастания 2Б-островков и образования зародышей новых слоев на их вершинах.

Цель работы. Исследование закономерностей формирования микрорельефа поверхности и особенностей захвата и сегрегации примеси при кристаллизации из молекулярного пучка по механизму образования зародышей двумерных кристаллических островков. Для достижения указанной цели планировалось решение следующих задач:

1. Построение комбинированной модели зародышевого роста, сочетающей аналитическое описание разрастания двумерных кристаллических островков и компьютерную имитацию случайного процесса заро-дышеобразования.

2. Обобщение данной модели для самосогласованного описания процессов роста 2Б-островков и процессов захвата и сегрегации примеси.

3. Анализ статистики зародышеобразования при кристаллизации из молекулярных пучков и компьютерное моделирование эволюции поверхности в широком диапазоне температур роста.

4. Изучение особенностей захвата и сегрегации примеси при росте двумерных кристаллических островков.

5. Компьютерное моделирование эволюции поверхности при кристаллизации из молекулярных пучков с участием сурфактантов.

Научная новизна работы.

1. Разработан оригинальный подход к моделированию эволюции поверхности при кристаллизации из молекулярных пучков по зародышевому механизму, позволяющий самосогласованно описать образование зародышей 2Б-островков и их разрастание. На основе разработанного подхода предложена процедура моделирования, сочетающая аналитическое описание роста 2Б-островков и компьютерную имитацию случайного процесса их образования.

2. В рамках предложенного подхода проведен анализ статистики зароды-шеобразования при кристаллизации из молекулярного пучка. Показано, что значительные флуктуации времени ожидания появления зародышей кристаллических слоев могут существовать даже при низких температурах кристаллизации.

3. Путем компьютерного моделирования эволюции поверхности удалось воспроизвести характерные картины осцилляций интенсивности зеркального рефлекса при дифракции быстрых электровнов в широком диапазоне температур роста. Впервые в рамках единого подхода удалось описать немонотонную (с максимумом) температурную зависимость времени затухания осцилляций интенсивности зеркального рефлекса.

4. Захват и сегрегация примеси описаны с учетом особенностей зародышевого механизма роста. Впервые показано, что увеличение числа одновременно растущих кристаллических слоев может приводить к существенному увеличению степени размытия профиля ¿-легирования, особенно в области низких температур.

5. Впервые самосогласованным образом описано влияние блокирования изломов атомами сурфактанта на образование зародышей новых кристаллических слоев и на разрастание уже существующих 2Б-островков. Показано, что в результате блокирования изломов сурфактантом возможно как уменьшение, так и увеличение шероховатости поверхности в зависимости от влияния сурфактанта на величины энергетических барьеров для встраивания атомов основного компонента в ступень сверху и снизу.

Практическая значимость работы.

1. Установленное в работе соответствие между температурой, при которой наблюдается наименьшее затухание ДБЭ-осцилляций, и температурой, при которой достигается минимум флуктуаций высоты пирамиды роста может быть использовано для выбора оптимальных, с точки зрения однородности микрорельефа поверхности, условий роста.

2. Полученная в работе зависимость эффективности захвата примеси от числа одновременно растущих кристаллических слоев может быть использована для совершенствования существующей технологии получения 5-легированных слоев.

Положения, выносимые на защиту.

1. Среднеквадратичное отклонение времени ожидания появления зародышей 2Б-островков и среднеквадратичное отклонение высоты пирамиды роста немонотонно зависят от температуры кристаллизации. Значения этих величин могут быть велики, в том числе и в области низких температур, что должно приводить к неоднородности формирующегося микрорельефа поверхности.

2. Существуют кореляции между температурными зависимостями времени затухания ДБЭ-осцилляций и среднеквадратичного отклонения высоты пирамиды роста. Наиболее продолжительные ДБЭ-осцилля-ции наблюдаются при температуре, соответствующей минимальному разбросу высоты пирамиды роста в момент появления зародыша нового кристаллического слоя.

3. Сегрегация примеси при росте 2Б-островков может осуществляться за счет перескоков ад атомов примеси через движущиеся ступени. Уменьшение скорости перескоков приводит к преимущественному накоплению примеси на нижних террасах пирамиды роста, что может быть

10 причиной наблюдаемого в эксперименте ослабления сегрегации примеси при уменьшении температуры подложки и увеличении скорости роста.

4. При малых степенях покрытия поверхности сурфактантом блокирование изломов может быть причиной изменения асимметрии барьеров для встраивания атомов основного компонента в ступень сверху и снизу. При этом шероховатость поверхности в присутствии сурфактан-та может как увеличиваться, так и уменьшаться. Снижение барьера Швебеля для уменьшения шероховатости поверхности не является необходимым.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на Международной конференции "Физико-химические процессы в неорганических материалах" (Кемерово, 1998 г.), Международной конференции по росту и физике кристаллов (Москва, 1998 г.), IV Российской конференции по физике полупроводников (Новосибирск, 1999 г.), конференции молодых ученых Сибирского физико-технического института (Томск, 1998 и 1999 гг.), а также обсуждались на научных семинарах в Сибирском физико-техническом институте (Томск) и Институте физики полупроводников СО РАН (Новосибирск) .

Публикации. По материалам диссертации опубликовано 5 научных статей.

Заключение

В диссертации проведено исследование закономерностей формирования микрорельефа поверхности, захвата и сегрегации примеси при кристаллизации из молекулярного пучка по механизму образования зародышей двумерных кристаллических островков. Получены следующие основные результаты:

1. Разработан оригинальный подход к моделированию эволюции поверхности при кристаллизации из молекулярных пучков по зародышевому механизму, позволяющий самосогласованно описать образование зародышей 2Б-островков и их разрастание. На основе разработанного подхода предложена комбинированная модель, сочетающая аналитическое описание роста 2Б-островков и компьютерную имитацию случайного процесса их образования. С помощью предложенной модели исследованы статистические закономерности образования зародышей 2Б-островков при кристаллизации из молекулярных пучков. Показано, что при типичных для молекулярно-лучевой эпитаксии условиях кристаллизации могут существовать значительные флуктуации времени ожидания появления новых зародышей, в том числе и в случае низких температур при переходе к многоуровневому росту.

2. В рамках предложенного подхода проведено моделирование эволюции поверхности при различных температурах кристаллизации. Моделирование позволило воспроизвести типичные картины ДБЭ-осцилляций в широком диапазоне ростовых температур. Впервые в рамках единого подхода удалось описать немонотонную (с максимумом) зависимость времени затухания ДБЭ-осцилляций от температуры роста. Показано, что положению максимума на этой зависимости соответствует минимум флуктуаций высоты пирамиды роста в момент появления зародыша нового слоя. Средняя высота пирамиды в момент появления зародыша нового слоя при соответствующей температуре составляет 1 МС, то есть наблюдается двухуровневый рост.

3. Проведено моделирование процесса 6-легирования при росте по механизму образования двумерных зародышей. Обнаружено, что эффективность захвата примеси увеличивается с уменьшением числа одновременно растущих кристаллических слоев. Показано, что уменьшение скорости перескоков адатомов примеси через движущиеся ступени, ограничивающие зародыши, может быть причиной наблюдаемого в эксперименте ослабления сегрегации примеси при уменьшении температуры подложки и увеличении скорости роста. Установлено, что при низких температурах на нижней террасе наблюдается значительное накопление примеси, что требует учета латерального взаимодействия адатомов примеси для адекватного описания захвата и сегрегации примеси на стадии коалесценции зародышей.

4. С использованием предложенного подхода описано влияние блокирования изломов атомами сурфактанта на образование зародышей 2Б-островков и эволюцию поверхности при росте. Обнаружено, что, несмотря на увеличивающуюся (на начальной стадии роста) плотность 2Б-островков, блокирование изломов сурфактантом может способствовать как уменьшению, так и увеличению шероховатости поверхности в процессе роста. Показано, что основным фактором, определяющим характер развития микрорельефа поверхности в присутствии сурфактанта, является асимметрия барьеров для встраивания атомов основ

107 ного компонента в ступень сверху и снизу. При этом, как показывают результаты компьютерного моделирования, уменьшение барьера Шве-беля не является необходимым для подавления многоуровневого роста.

Работа проводилась при поддержке Российского фонда фундаментальных исследования (гранты N96-02-17711 и N98-02-16509)

1. Современная кристаллография. Т.З Образование кристаллов / Под ред. Б.К. Вайнштейна. — М.: Наука, 1980. — 407 с.

2. Шоу Д.У. Механизмы эпитаксиального роста полупроводников из газовой фазы // Рост кристаллов / Под. ред. К.Гудмана. — М.: Мир, 1977. — Т.1. — С. 11-74.

3. Лаврентьева Л.Г. Кинетика и механизмы роста кристаллов арсенида галлия при газофазовой эпитаксии // Изв. вузов. Физика. — 1980. — Т.23, N1. — Р.23-37.

4. Бартон Б., Кабрера Н., Франк Ф. Рост кристаллов и равновесная структура их поверхностей // Элементарные процессы роста кристаллов / Под ред. Г.Г. Лемлейна, A.A. Чернова. — М.: ИЛ, 1959. — С.11-109.

5. Чернов A.A. Слоисто-спиральный рост кристаллов // УФН. — 1961. — Т.73, N2. — С.277-331.

6. Herman М.А., Sitter Y. — Molecular beam epitaxy. — Springer, 1989. — 382 p.

7. Reiss H. Rotation and transition of islands in the growth of heteroepitaxial films //J. Appl. Phys. — 1968. — V.39, N11. — P.5045-5061.

8. Александров Л.Н., Бочкова Р.В., Коган А.Н., Тихонова Н.П. Моделирование роста и легирования полупроводниковых пленок методом Монте-Карло. — Новосибирск: Наука, 1991. — 168 с.

9. Copel М., Reuter М.С., Kaxiras Е., Tromp R.M. Surfactants in epitaxial growth // Phys. Rev. Lett. — 1989. — V.63, N6. — P.632-635.

10. Copel M., Reuter M.C., Horn-von Hoegen M., Tromp R.M. Influence of surfactants in Ge and Si epitaxy on Si(001) // Phys. Rev. B. — 1990. — V.42, N18. — P.11682-11689.

11. Трусов Jl.И., Холмянский В.А. Островковые металлические пленки. — М: Металлургия, 1973. — 321 с.

12. Walton D. Nucleation of vapor deposits //J. Chem. Phys. — 1962. — V.37, N10. — P.2182-2188.

13. Walton D., Rhodin T.N. Образование зародышей в ориентированных пленках // Монокристаллические пленки / Под ред. З.Г. Пинскера. — М.: Мир. — 1966. — С.44-57.

14. Stoyanov S. On the atomistic theory of nucleation rate // Thin Solid Films.1973. — V.18. — P.91-98.

15. Venaibles J. Rate equation approach to thin film nucleation kinetics // Philos. Mag. — 1973. — V.27. — p.697-738.

16. Bales G.S., Chrzan D.C. Dynamics of irreversible island growth during submonolayer epitaxy // Phys. Rev. B. — 1994. — V.50, N9. — P.6057-6067.

17. Blackman J.A., Mulheran P.A. Scaling behavior in submonolayer film growth: a one-dimentional model // Phys. Rev. B. — 1996. — V.54, N16.1. P.11681-11692.

18. Myers-Beaghton A.K., Vvedensky D.D. Nonlinear model for temporalevolution of stepped surfaces during molecular-beam epitaxy // Phys. Rev. B. — 1990. — V.42. — P.9720-9723.

19. Myers-Beaghton A.K., Vvedensky D.D. Generalized Burton-Cabrera-Frank theory for growth and equilibration on stepped surfaces // Phys. Rev. A.1991. — V.44, N4. — P.2457-2468.

20. Stoyanov S. Layer growth of epitaxial films and superlattice // Surf. Sci.1988. — V.199, N1-2. — P.226-242.

21. Stoyanov S., Michailov M. Non-steady effects in MBE-oscillations of the step density of the cristal surfaces // Surf. Sci. — 1988. — V.202. — P. 109-124.

22. Schwoebel R.L., Chipsey E.J. Step motion on crystal surface //J. Appl. Phys. — 1966. — V.37. — P.3682-3686.

23. Schwoebel R.L. Step motion on crystal surface. II // J. Appl. Phys. — 1969. — V.40, N2. — P.614-618.

24. Ghez R., Gilmer H. An analysis of combined surface and volume diffusion processes in crystal growth //J. Cryst. Growth. — 1974. — V.21. — P.93-109.

25. Ehrlich G., Hudda F.G. Atomic view of surface self-diffusion: tungsten on tungsten// J. Chem. Phys. — 1966. — V.44. — P.1039-1049.

26. Клауа M. Электронномикроскопические исследования поверхностной диффузии и образование зародышей золота на грани (111) кристалла серебра // Рост кристаллов. — Ереван: Изд. Ереванского университета. — 1975. — Т.Н. — С.65-69.

27. Tsong Т.Т. Direct observation of interactions between individual atoms on tungsten surface // Phys. Rev. B. — 1977. — V.6. — P.417-426.

28. Meyer J.A., Vrijmoeth J., Van der Vegt H.A., Vlieg. E. Importanceof additional step-edge barrier in determining film morphology during epitaxial growth // Phys. Rev. B. — 1995. — V.51. — P. 14790-14793.

29. Smilauer P., Harris S. Determination of step-edge barriers to interlayer transport from surface morphology during the initial stages of homoepitaxial growth // Phys. Rev. B. — 1995. — V.51. — P.14798-14801.

30. Markov I. Method for evaluation of the Ehrlich-Schwoebel barrier to interlayer transport in metal homoepitaxy // Phys. Rev. B. — 1996. — V.54. — P. 17930-17937.

31. Tersoff J., Denier van der Gon A.W., Tromp R.M. Critical island size for layer-by-layer growth // Phys. Rev. Lett. — 1994. — V.72. — P.266-269.

32. Clarke S., Vvedensky D.D. Origin of reflection high-energy electron diffraction intensity oscillations during molecular-beam epitaxy: a computational modeling approach // Phys. Rev. Lett. — 1987. — V.58, N21. — P.2235-2238.

33. Wilby M.R., Clarke S., KawamuraT., Vvedensky D.D. Anisotropic kinetics and bilayer epitaxial growth of Si(001) // Phys. Rev. B. — 1989. — V.40, N15. — P.10617-10620.

34. Smilauer P., Wilby M.R., Vvedensky D.D. Reentrant layer-by-layer growth: a numerical study // Phys. Rev. B. — 1993. — V.47, N7. — P.4119-4122.

35. Amar J.G., Family F. Step barrier for interlayer-diffusion in Fe/Fe(100) epitaxial growth // Phys. Rev. B. — 1995. — V.52, N19. — P.13801-13804.

36. Neave J.H., Joyce B.A., Dobson P.J., Norton N. Dynamics of film growth of GaAs by MBE from RHEED observations // Appl. Phys. A. — 1983. — V.31. — P. 1-8.

37. Van Hove J.M., Lent C.S., Pukite P.R. et al. Damped oscillation in reflection high-energy electron diffraction during GaAs MBE //J. Vacuum Sci. Technol. B. — 1983. — V.l. — P.741-749.

38. Dobson P.J., Joyce B.A., Neave J.H., Zhang J. Current understanding and application of the RHEED intensity oscillation technique //J. Cryst. Growth. — 1987. — V.81. — P.l-8.

39. Марков В.А., Пчеляков О.П., Соколов J1.B., Гайслер В.А. Сверхрешетки на основе кремния (111) и твердых растворов в системе германий-кремний // Письма в ЖТФ. — 1989. — Т.15, N18. — С.41-45.

40. Van Hove J.M., Cohen P.I. Reflection high-energy electron diffraction measurement of surface diffusion during the growth of gallium arsenide by MBE // J. Cryst. Growth. — 1987. — V.81., — P.13-18.

41. Kashchiev D., Kanter Yu.O. Oscillations of specular beam intensity in reflection diffraction from the surface of a growing epitaxial film // Phys. Stat. Sol.(a) — 1988. — V.110, N1. — P.61-76.

42. KawamuraT., Maksym P. A. RHEED from stepped surfaces and its relation to RHEED intensity oscillations observed during MBE // Surf. Sci. — 1985. — V.161. — P.12-24.

43. Peng L.M., Whelan M.J. Dynamical RHEED from MBE growing surfaces // Surf. Sci. Lett. — 1990. — V.238. — P.L446-L452.

44. Voigtlánder В., Weber Т., Smilauer P., Wolf D.E. Transition from island growth to step-flow growth for Si/Si(100) epitaxy // Phys. Rev. Lett. — 1997. — V.78, N11. — P.2164-2167.

45. Latyshev A.V., Krasilnikov А.В., Aseev A.L. In situ reflection electron microscope observation of two-dimensional nucleation on Si(lll) during epitaxial growth // Thin Solid Films. — 1996. — V.281-282. — P.20-23.

46. Altman M.S., Chung W.F., Franz T. LEEM determination of critical terrace widths for Si/Si(lll) step flow growth // Surf. Rev. and Lett.— 1998. — V.5, N1 — R27-30.

47. Rosenfeld G., Servaty R., Teichert Ch. et al Layer-by-layer growth of Ag on Ag(lll) induced by enhanced nucleation: a model study for surfactant-mediated growth // Phys. Rev. Lett. — 1993. — V.71, N6. — P.895-898.

48. Kunkel R., Poelsema В., Verheij L.K., Comsa G. Reentrant layer-by-layer growth during molecular-beam epitaxy of metal-on-metal substrates // Phys. Rev. Lett. — 1990. — V.65, N6. — P.733-736.

49. Joyce B.A., Dobson P.J., Neave J.H., Zhang J. The determination of MBE growth mechanisms from dynamic RHEED techniques// Surf. Sci. — 1986. — V.174, N1. — P. 1-9.

50. Vrijmoeth J., Van der Vegt H.A., Meyer J.A., Vlieg. E., Behm R.J. Surfactant-induced layer-by-layer growth of Ag on Ag(lll): origin and side effects // Phys. Rev. Lett. — 1994. — V.72, N24. — P.3843-3846.

51. Марков В.А., Соколов JI.В., Пчеляков О.П., Стенин С.И., Стоянов С. Молекулярно лучевая эпитаксия с синхронизацией зарождения / / Поверхность. — 1991. — N4. — С. 70-79.

52. Yanovitskaya Z.Sh., Neizvestny I.G., Shwartz N.L., Katkov M.I., Ryzhenkov I.P. Desynchronization mode of 2D-island creation on the vicinal surface during MBE growth // Appl. Surf. Sci. — 1998. — V.123-124. — P. 729-733.

53. Pchelyakov О.P., Markov V.A., Sokolov L.V. Investigation and control of the surface processes during semiconductor nanostructures formation by MBE // Brazillian Journal of Physics. — 1994. — V.24, N1. — P.77-85.

54. Iyer S.S., Metzger R.A., Allen F.A. Sharp profiles with high and low doping levels in silicon grown by molecular beam epitaxy //J. Appl. Phys. — 1981. — V.52. — P.5608-5612.

55. Jorke H. Surface segregation of Sb on Si(100) during molecular beam epitaxy growth // Surf. Sci. — 1988. — V.193, N3. — P.569-578.

56. Andrieu S., d'Avitaya F.A., Pfister J.C. Surface segregation mechanism during two-dimensional epitaxial growth: the case of dopants in Si and GaAs molecular-beam epitaxy //J. Appl. Phys. — 1989. — V.65, N7. — P2681-2687.

57. Niitzel J.F., Abstreiter G. Segregation and diffusion on semiconductor surfaces // Phys. Rev. B. — 1996. — V.53, N20. — P.13551-13558.

58. Barnett S.A., Green J.E. Si MBE: a model for temperature dependent incorporation probabilities and depth distributions of dopants exhibiting strong surface segregation // Surf. Sci. — 1985. — V.151, N4. — P.931-940.

59. Tabe M., Kajiyama K. Kinetics of antimony doping in silicon molecular beam epitaxy // Jap. J. Appl. Phys. — 1983. — V.22., N3 — P423-428.

60. Перов A.C., Перова В.И. Образование примесных концентрационных переходов при росте эпитаксиальных слоев кремния / / Кристаллография. — 1989. — T.34, N5. — С.1249-1253.

61. Рузайкин M.П., Эрвье Ю.Ю. О роли эффекта оттеснения примеси ступенью на начальной стадии ее захвата при кристаллизации из молекулярного пучка // Кристаллография. — 1996. — Т.41, N4. — С.597-601.

62. Hervieu Yu.Yii., Ruzaikin M.P. Surface processes of impurity incorporation during MBE growth // Surf. Sei. — 1998. — V.408. — P.57-71.

63. Jorke H., Kibbel H. Boron delta doping in Si and Sio^Geo^ // Appl. Phys. Lett. — 1990. — V.57, N17. — P.1763-1765.

64. Bliznakov G. Sur le mécanisme de l'action des additifs adsorbants dans la croissance cristalline // Adsorption et croissance cristalline / Edition du Centre Nat. de la Recherche Sei. — Paris, 1965. — P.291-300.

65. Cabrera N., Vermillyea D.A. The growth of crystals from solution // Growth and perfection of crystals / Ed. by Doromus R., Roberts В., Turnbull D. — New-York, 1958. — P.393-410.

66. Troost S. Influence of surface-active agents on the crystal growth of sodium triphosphate hexahydrate //J. Cryst. Growth. — 1968. — V.l, N3,4. — P.340-343.

67. Voigtländer В., Zinner A., Weber T., Bonzel H.P. Modification of growth kinetics in surfactant-mediated epitaxy // Phys. Rev. B. — 1995. — V.51, N12. — P. 7583-7591.

68. Horn-von Hoegen M., Copel M., Tsang J.S. , Reuter M.C., Tromp R.M. Surfactant-mediated growth of Ge on Si(lll) // Phys. Rev. B. — 1994. — V.50, N15. — P.10811-10822.

69. Horn-von Hoegen M., Müller В.H., Al-Falou A. Strain relief by microroughness in surfactant-mediated growth of Ge on Si(001) // Phys. Rev. B. — 1994. — V.50, N16. — P. 11640-11652.

70. Hwang I.S., Chang T.C., Tsong T.T. Growth mechanism and morphology of Ge on Pb covered Si(lll) surfaces // Surf. Sci. — 1998. — V.410. — P.L741-L747.

71. Vasek J.E., Zhang Z., Sailing C.T., Lagally M.G. Effects of hydrogen impurities on the diffusion, nucleation, and growth of Si on Si(OOl) // Phys. Rev. B. — 1995. — V.51, N23. — P.17207-17210.

72. Dentel D., Bischoff J.L., Angot T., Kubler L. The influence of hydrogen during the growth of Ge films on Si(OOl) by solid source molecular beam epitaxy // Surf. Sci. — 1998. — V.402-404. — P.211-214.

73. Okada M., Muto A., Ikeda H., Zaima S., Yasuda Y. Nucleation and growth of Ge on Si(lll) by MBE with additional atomic hydrogen irradiation studied by scanning tunneling microscopy //J. Cryst. Growth. — 1998.1. V.188. — P. 119-124.

74. Falta J., Schmidt T., Hille A., Materlik G. Surfactant adsorption site and growth mechanism of Ge on Ga-terminated Si(lll) Phys. Rev. B. — 1996.

75. V.54, N24. — P.R17288-R17291.

76. Massies J., Grandjean N. Surfactant effect on the surface diffusion length in epitaxial growth // Phys. Rev. B. — 1993. — V.48, N11. — P.8502-8505.

77. Grandjean N., Massies J. Kinetics of surfactant-mediated epitaxy of III-V semiconductors // Phys. Rev. B. — 1996. — V.53, N20. — P.R13231-R13234.

78. Dabiran A.M., Seutter S.M., Cohen P.I. Direct observation of the strain-limited island growth of Sn-doped GaAs(lOO) // Surf. Rev. and Lett. — 1998. — V.5, N3-4 — P.783-795.

79. Okada Y., Harris J.S. Jr. Basic analysis of atomic-scale growth mechanisms for molecular beam epitaxy of GaAs using atomic hydrogen as a surfactant // J. Vacuum Sci. Technol. B. — 1996. — V.14, N3. — P.1725-1728.

80. Esch S., Hohage M., Michely T., Comsa G. Origin of oxygen induced layer-by-layer growth in homoepitaxy on Pt(lll) // Phys. Rev. Lett. — 1994. — V.72, N4. — P.518-521.

81. Van der Vegt H.A., Breeman M., Ferrer S., Etgens V.H., Torrelles X., Fajardo P., Vlieg. E. Indium-induced lowering of the Schwoebel barrier in the homoepitaxial growth of Cu(100) // Phys. Rev. B. — 1995. — V.51, N20. — P. 14806-14809.

82. Minoda H., Yagi K. REM studies of surfactant-mediated epitaxy // Advances in the understanding of crystal growth mechanisms / Ed. by Nishinaga T. et.al. — Elsevier Science B.V., Amsterdam, 1997. — P.293-307.

83. Lin X.W., Liliental-Weber Z., Washburn J., Weber E.R. Sn submonolayer-mediated Ge heteroepitaxy on Si(001) // Phys. Rev. B. — 1995. — V.52, N23. — P. 16581-16587.

84. Iimura Y., Kawabe M. Be doping effect on growth kinetics of GaAs grown by MBE// Jap. J. Appl. Phys. — 1986. — V.25. — P.L81-L84.

85. Kalf M., Comsa G., Michely T. How sensitive is epitaxial growth to adsorbates? // Phys. Rev. Lett. — 1998. — V.81., N.6. — P.1255-1258.

86. Iwanari S., Takyanagi K. Surfactant epitaxy of Si on Si(lll) mediated by Sn // Jap. J. Appl. Phys. — 1991. — V.30, N118. — P.L1978-L1981.

87. Kandel D., Kaxiras E. Surfactant mediated crystal growth of semiconductors // Phys. Rev. B. — 1995. — V.75, N14. — P.2742-2745.

88. Markov I. Kinetics of nucleation in surfactant-mediated epitaxy // Phys. Rev. B. — 1996. — V.53, N7. — P.4148-4155.

89. Kandel D. Initial stages of thin film growth in the presence of island-edge barriers // Phys. Rev. B. — 1997. — V.78, N3. — P.499-502.

90. Smilauer P., Mizushima K. Activated Si-H exchange at Si-island edges on Si(OOl) // Phys. Rev. Lett. — 1998. — V.81, N25. — P.5600-5603.

91. Zhang Z., Lagally M.G. Atomic-scale mechanisms for surfactant-mediated layer-by-layer growth in homoepitaxy // Phys. Rev. B. — 1994. — V.72, N5. — P.693-696.

92. Markov I. Kinetics of surfactant-mediated epitaxial growth // Phys. Rev. B. — 1994. — V.50, N15. — P.11271-11274.

93. Феллер В. Введение в теорию вероятностей и ее приложения. Т.1. — М.: Мир, 1984. — 527 с.

94. Соболь И.М. Метод Монте-Карло. — М.: Наука, 1972. — 64 с.

95. Ланс Дж. Н. Численные методы для быстродействующих вычислительных машин. — М.: ИЛ, 1962. — 208 с.

96. Kodiyalam S., Khor К.Е., Das Sarma S. Calculated Schwoebel barriers on Si(lll) steps using an empirical potential // Phys. Rev. B. — 1996. — V.53, N.15. — P.9913-9922.

97. Рузайкин М.П., Филимонов C.H., Эрвье Ю.Ю. Имитационное моделирование эволюции структуры поверхности при росте кристаллов из молекулярного пучка // Изв. вузов. Физика. — 1997. — N8. — Р. 103109.

98. Лаврентьева Л.Г., Катаев Ю.Г. Эпитаксиальный арсенид галлия II. Анизотропия распределения примесей. // Арсенид галлия, в.2 / Под ред. Кривова М.А., Лаврентьевой Л.Г. — Томск.: Изд-во Томского унта, 1969. — С.46-50.

99. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. On the kinetics of doping during MBE // Phys. Low-Dim. Struct. — 1998. — N7/8. — P.91-100.

100. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. The dopant incorporation and surface119segregation during 2D islands growth in MBE: A computer simulation study // Phys. Low-Dim. Struct. — 1998. — N9/10. — P.141-151.

101. Osten H.J. Kinetic suppression of islanding in impurity-mediated heteroepitaxial growth of germanium on silicon // Appl. Phys. Lett. — 1994. — V.64, N18. — P.2356-2358.

102. Котляревский B.M., Рузайкин М.П., Эрвье Ю.Ю. Моделирование миграции ад атомов в плотных многокомпонентных слоях / / Изв. вузов. Физика. — 1998. — N6. — Р.89-94.

103. Filimonov S.N., Hervieu Yu.Yu. Growth kinetics in surfactant mediated MBE: effects of blocking of kinks // Phys. Low-Dim. Struct. — 2000. — N1/2. — P. 81-92.

104. Филимонов C.H. О влиянии плотности зародышей на развитие микрорельефа поверхности при кристаллизации из молекулярного пучка // Изв. вузов. Физика. — 1999. — N3. — Р.27-32.