Короткоживущие состояния электронной и ионной подсистем и радиационные процессы в щелочногалоидных кристаллах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Список сокращений

ВВЕДЕНИЕ.

1. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА. МЕТОД ИМПУЛЬСНОЙ АБСОРБЦИОННОЙ СПЕКТРОСКОПИИ НА БАЗЕ

ИМПУЛЬСНЫХ УСКОРИТЕЛЕЙ ЭЛЕКТРОНОВ.

1.1. Экспериментальная техника МИАС

1.1.1. Генераторы импульсных пучков электронов

1.1.2. Регулировка параметров ускорителя

1.2. Абсорбционная спектроскопия с двойным (каскадным) возбуждением

1.3. Методика абсорбционной спектроскопии с временным разрешением (АСВР).

1.3.1. Установка на базе ЛУЭ

1.3.2. Установка "Импульс"

1.4. Выбор оптимального уровня сигнала

1.5. Анализ кинетики релаксации оптического поглощения . ,-■■•. ,. ,. <

1.6. Возможности методики АСВР

2. ПРОЦЕССЫ ОБРАЗОВАНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ

В ЩЕЛОЧНОГАЛОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ.^

2.1. Введение.

2.2. Экситонные механизмы образования дефектов

2.2.1. Диссоциативные механизмы образования дефектов.

2.2.2. Механизмы потенциального смещения

2.3. Распыление шелочногалоидных кристаллов фотонами и электронами

2.4. Влияние примесей гомологического аниона на процессы дефектообразования в ЩГК

2.5. Влияние гомологических катионных примесей на процессы образования стабильных и короткоживущих дефектов в ЩГК.

2.6. Влияние температуры на процессы образования короткоживущих и стабильных пар в ЩГК.

2.7. Некоторые соображения о механизмах образования френкелевских дефектов в ЩГК

2.8. Экспериментальное наблюдение эффекта "радиационной тряски" в ЩГК.

Основные результаты главы

3. ДВИЖЕНИЕ ЗОННЫХ И АВТОЛ 0КАЖ30ВАННЫХ ДЫРОК

В ЩЕДОЧНОГМОИДНЫХ КРИСТАЛЛАХ

3.1. Движение нерелаксированных дырок при температурах ниже температуры делокализации -центров.

3.2. Движение нерелаксированных дырок при температурах выше температуры делокализации V^ -центров.

3.3. Термически активированное движение дырок ( \/^-центров) в щелочногалоидных кристаллах.

3.4. Модель термически активированного движения дырок в ЩГК.

Основные результаты главы

4. КОРОТКОЖИВЩЙЕ СОСТОЯНИЯ ЭЛЕКТРОННОЙ И ИОННОЙ ПОДСИСТЕМЫ И СЦИНШШЦИОМЙ ПРОЦЕСС в ИЩОЧНОГМОИДНЫХ СЩНШИЯТОРАХ.

4.1. Энергетический выход радиолюминесценции

4.2. Влияние плотности возбуждения на сцинтилляционный процесс.

4.3. Вклад различных механизмов передачи энергии в сцинтилляционный импульс.

4.3.1. Экситонный механизм передачи энергии

4.3.2. Электронно-дырочный механизм передачи энергии.

4.3.2.1. Электронная рекомбинационная люминесценция без промежуточного захвата электрона ).

4.3.2.2. Дырочная рекомбинационная люминесценция ).

4.3.2.3. Электронная рекомбинационная люминесценция С рг )

4.3.3. Электронно-дырочный механизм передачи энергии. Сцинтилляторы на основе кристаллов со структурой СвСЬ.

4.4. Роль короткоживущих состояний в сцин-тилляционном процессе и требования к системе кристалл-активатор

Основные результаты главы

Актуальность проблемы. Научные исследования, ставящие перед собой целью выяснение элементарных механизмов радиационного воздействия на материалы, вот уже многие десятки лет ведутся на всех основных типах твердых тел. Естественно, что основная масса работ ведется на модельных для данного типа твердого тела объектах. Модельным объектом дяя твердых тел с ионным типом связи уже более 50 лет являются щелочногало-идные кристаллы (ЩГК). 0 существенной роли ЩГК как модельных объектов в физике ионных кристаллов и в физике твердого тела свидетельствует целый ряд новых и крайне важных явлений, обнаруженных впервые на этих кристаллах. Достаточно сказать, что на этих кристаллах было впервые экспериментально обнаружено явление автолокализации электронных возбуждений (дырок и экситонов), теоретически предсказанное Ландау для электронов СI ] и Френкелем дяя дырок и экситонов [2 ] .

Принципиальный интерес для физики твердого тела вообще и радиационной физики твердого тела в частности представляет также обнаруженный на ЩГК эффект распада низкоэнергетических электронных возбуждений на структурные дефекты (Лущик, Витол, Эланго, Херш, Пуули) [3,4^.

Автолокализация электронных возбуждений и высокая вероятность распада экситонов на френкелевские пары дефектов в ЩГК придают особую актуальность как в научном, так и в прикладном аспектах исследованиям механизмов и закономерностей миграции низкоэнергетических электронных возбуждений и распада их на структурные дефекты. В научном плане исследования процессов переноса энергии в системах с автолокализованными электронными возбуждениями представляют интерес для изучения широкого класса систем, перенос энергии в которых осуществляется полкронами малого радиуса. Изучение же процесса распада электронных возбуждений на структурные дефекты крайне важно для понимания механизмов безызлучательного рассеивания энергии в твердых телах.

Что же касается прикладной значимости таких исследований, то она определяется необходимостью решения таких актуальных для развития ядерной энергетики и радиационной технологии задач, как получение радиационно-стойких материалов, способных длительное время работать в сильных радиационных полях без существенных изменений основных физических параметров, с одной стороны, и разработка радиационно-чувствительных материалов, с другой.

Кроме того, при поиске материалов для разработки различных устройств на базе ионных кристаллов (сцинтилляторы, элементы оптоэлектроники и т.д.) необходимо учитывать ограничения, налагаемые на их быстродействие эффектом автолокализации электронных возбуждений.

Целенаправленный поиск решения вышеперечисленных практических задач немыслим без ясного понимания механизмов и закономерностей образования радиационных дефектов и переноса энергии в различных классах материалов, в том числе и в кристаллах с ионным типом связи.

Состояние проблемы и задачи исследований

Несмотря на большие успехи в понимании радиационных и ре-комбинационных процессов в ЩГК, достигнутые в последние 1015 лет, в чем большая заслуга советских ученых Антонова-Романовского В.В., Вайсбурда Д.И., Витола И.К., Воробьева A.A., Лийдья Г.Г., Лисицына В.М., Лущика Ч.Б., Мелик-Гайказян И.Я., Михальченко Г.А., Парфиановича И.А., Тале И.А., Шварца К.К., Эланго М.А., Яэк И.В. и др., механизм этих явлений до настоящего времени окончательно не установлен. Во многом зто определяется тем обстоятельством, что радиационные процессы в ЩГК продолжительное время изучались стационарными или квазистационарными методами. В то же время характерной особенностью ряда систем, в особенности ЩГК, является образование в них под действием радиации целого спектра короткоживущих состояний в электронной и ионной подсистемах [,5-73 • В электронной подсистеме особый интерес представляют зонные и автолокализованные дырки и свободные и автолокализованные экситоны (АЛЭ). В ионной же подсистеме ЩГК под действием радиации создаются короткоживу-щие френкелевские пары дефектов, причем, при низких температурах их концентрация на порядок больше, чем концентрация стабильных дефектов. Таким образом, от момента попадания частицы или кванта в кристалл до образования стабильных радиационных дефектов или испускания кванта активаторной люминесценции в кристалле осуществляется целый ряд промежуточных реакций с участием короткоживущих состояний дефектов в ионной и электронной подсистемах, возможности изучения которых стационарными методами крайне ограничены. Очевидна необходимость изучения промежуточных стадий радиационных процессов, связанных с ко-роткоживущими дефектами, для выяснения механизма радиационного воздействия на вещество. Однако, экспериментальные возможности для изучения этих процессов открылись лишь с привлечением к исследованиям твердого тела мощных импульсных ускорителей электронов в 60-х годах. Развитие методики АСВР на базе таких ускорителей дало мощный толчок в развитии исследований радиационных процессов в ЩГК (Шульман, Боаг, Уэта, Каблер, Вильяме, Ито, Лисицын, Вайсбурд). Все внимание, однако, при использовании этой методики для изучения ионных кристаллов было приковано к вопросу установления механизма распада электронного возбуждения на первичную Р-Н -пару дефектов. Механизм же влияния примесей и температуры на процессы образования радиационных дефектов с помощью методики АСВР был исследован явно недостаточно. В то же время»выяснение этих процессов необходимо для понимания механизма образования радиационных дефектов и, следовательно, для понимания механизма процессов, определяющих радиационную стойкость ионных кристаллов.

Практически не изученными с помощью такой информативной методики оказались также процессы миграции и захвата дырок в ионных кристаллах. В то же время большинство технических устройств на базе ЩГК работает в области комнатной температуры, где автолокализованные дырки имеют малое время жизни до захвата на дефект или рекомбинации с электронным центром захвата. Для оценки возможных ограничений в быстродействии этих устройств, вносимых миграцией -центров, необходимо знать время жизни -центров при этих температурах. Экстраполяция же полученных при низкой температуре данных до комнатных температур не всегда бывает корректна. Таким образом, к началу настоящей работы (1970 - 1971 г.) назрела ситуация, когда отсутствие систематических исследований короткоживущих состояний, возникающих в кристалле под действием радиации, оказалось серьезнейшим препятствием на пути дальнейшего прогресса в понимании механизма радиационных процессов в твердых телах вообще и в ионных кристаллах в частности. Это в равной мере относится как к процессам радиационного дефектообразовашш, так и к процессам переноса энергии возбуждения от основного вещества к центрам люминесценции в широком интервале температур. Одним из возможных путей выхода из этого положения является развиваемое в настоящей работе направление, связанное с изучением короткоживущих состояний электронной и ионной подсистем в исследуемых кристаллах методом абсорбционной спектроскопии с временным разрешением (АСВР).

Все вышеуказанное определило общую задачу работы, заключающуюся в систематическом изучении роли короткоживущих состояний электронной и ионной подсистем в наиболее актуальных радиационных процессах в ЩГК. Выполнение этой задачи потребовало решения следующих конкретных задач:

1. Исследовать образование и аннигиляцию короткоживущих френкелевских пар дефектов в ЩГК и влияние различных факторов (температура, наличие катионных и анионных примесей) на процесс образования радиационных дефектов.

2. Исследовать в широком интервале температур миграцию дырок в ЩГК. Разработать и экспериментально проверить механизм миграции зонных и автолокализованных дырок в различных щгк.

3. Исследовать кинетику релаксации спектров поглощения актуальных центров захвата и спектров люминесценции сцинтил-ляторов на основе ЩГК с целью выяснения механизма возбуждения сцинтилляций в этих кристаллах.

Основные научные результаты

Применение развиваемого в работе подхода к исследованию радиационных процессов в ЩГК позволило выяснить роль корот-коживущих состояний электронной и ионной подсистем в ряде таких актуальных для радиационной физики твердого тела процессов, как радиационное дефектообразование, миграция поляронов малого радиуса ( -центров), возбуждения сцинтилляций и т.д.

Наиболее существенные конкретные результаты, полученные в рамках настоящей работы, таковы:

1. В кинетике аннигиляции триплетных экситонов в ряде ЩГК обнаружена короткая компонента, совпадающая по длительности с короткими компонентами аннигиляции Р-Н -пар, причем вклад этой компоненты в релаксацию экситона увеличивается с ростом плотности возбуждения. Эти данные интерпретируются как экспериментальное.доказательство реализации в ЩГК механизма радиационно-стимулированных явлений - "радиационной тряски", теоретически предсказанного йнденбомом В.Л.

2. Предложен механизм влияния катионных ж анионных гомологических примесей на процесс образования дефектов в ЩГК.

3. Получено экспериментальное подтверждение механизма влияния температуры на эффективность накопления ё -центров в ЩЕК, разработанного Лисицыным В.М.

4. Предложена модель термически-активированной миграции У^ -центра и в результате сопоставления ее с экспериментальными данными получены параметры, характеризующие скорость миграции ^ -центров в ряде ЩГК.

5. Получены экспериментальные оценки вкладов различных механизмов передачи энергии в процесс возбуждения сцинтилляций в сцинтилляторах на основе ЩГК.

Защищаемые положения: Экспериментальное обнаружение нового механизма радиационно-стимулированных процессов, теоретически предсказанного Инденбомом В.Л., заключающегося во взаимодействии примесного или собственного дефекта с волной упругих напряжений, возникающей при аннигиляции короткоживущей френкелевской пары дефектов ("радиационная тряска");

- Механизм влияния примесей гомологических анионов и катионов на процессы дефектообразования в ЩГК;

- Модель и экспериментальные данные по кинетике миграции дырок в ЩГК, позволившие получить количественные данные о вероятности разрыва связи в -центре во время реориентационно-го прыжка и расстоянии, проходимом образовавшейся при этом зонной дырки до повторной автолокализации;

- Экспериментальные оценки вкладов различных механизмов передачи энергии от решетки к активатору в процесс возбуждения сцинтилляций в сцинтилляторах на основе ЩГК.

Практическая значимость. Полученные в результате развиваемого в работе подхода к изучению радиационных процессов в

ЩГК данные по "радиационной тряске" и влиянию различных факторов (температура, примеси) на эффективность дефектообразо-вания в этих кристаллах открывают новые возможности для целенаправленного поиска методов регулирования радиационных характеристик материалов (радиационной стойкости и радиационной чувствительности).

Установление механизма миграции -центров и полученные количественные оценки вклада различных механизмов передачи энергии от основы кристалла к центрам люминесценции позволяют оценить перспективность использования различных систем в качестве сцинтилляторов и пути улучшения качества известных сцинтилляционных детекторов на базе ЩГК.

Научная новизна работы. Полученные в работе результаты можно рассматривать как основу нового научного направления в радиационной физике ионных кристаллов - кинетика образования, миграции и аннигиляции короткоживущих радиационных дефектов электронной и ионной подсистем в радиационно-стимулированных процессах в ионных кристаллах.

Впервые в реальном эксперименте обнаружен новый механизм радиационно-стимулированных процессов - "радиационная тряска", теоретически предсказанный Инденбомом В. Л.; высказано и экспериментально подтверждено предположение о различии механизмов образования стабильных и короткоживущих френкелевских пар дефектов (Г-Н -центров); установлен механизм влияния гомологических анионных и катионных примесей на процессы образования анионных френкелевских дефектов; предложена модель миграции дырок, экспериментально определен ряд параметров, характеризующих скорость миграции дырок в ЩГК; с использованием полученных данных по кинетике миграции дырок проведены количественные оценки вклада различных механизмов передачи энергии в формирование сцинтилляционного импульса в сцинтил-ляторах на основе ЩГК.

Апробация работы. Результаты настоящей работы были представлены на следующих конференциях и семинарах: на 5 и 8 Всесоюзной конференции по синтезу, производству и использованию сцинтилляторов (Харьков, 1968, 1981); 2-5 Всесоюзном совещании по радиационной физике и химии ионных кристаллов (Рига, 1973, 1975, 1978, 1983); Всесоюзной конференции "Радиационные эффекты в твердых телах" (Ашхабад, 1977); III Всесоюзном симпозиуме по сильноточной электронике (Томск, 1978); Международной конференции по радиационной физике полупроводников и родственных материалов (Тбилиси, 1979); Всесоюзных совещаниях по люминесценции (Рига, 1979, Львов, 1978, Эзерниеки, 1980, Ленинград, 1981); X Уральском совещании по спектроскопии (Свердловск, 1980); III Всесоюзном совещании по химии твердого тела (Свердловск, 1981); Международной конференции по дефектам решетки в ионных кристаллах (Марсель, Франция, 1973); Международной конференции "Дефекты в диэлектрических кристаллах" (Рига, 1981); Всесоюзном совещании по радиационной физике твердого тела (Звенигород, 1981); Всесоюзной научной конференции "Физика диэлектриков" (Баку, 1982); Прибалтийских семинарах по физике ионных кристаллов (1976, 1977, 1980-1983).

Объем и структура. Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы.

Основные результаты работы

I. Впервые экспериментально обнаружен эффект "радиационной тряски", теоретически предсказанный Инденбомом В.Л., заключающийся во взаимодействии дефектов или примесей с упругой волной, возникающей при аннигиляции короткоживущей френкелев-ской пары дефектов. Эффект обнаружен по появлению короткого компонента в процессе релаксации триплетных автолокализован-ных экситонов (как в поглощении, так и в люминесценции), совпадающего по длительности с временами аннигиляции короткожи-вущих Р-Н -пар.

2. При изучении процессов генерации и аннигиляции френ-келевских дефектов в ЩГК а) получено экспериментальное подтверждение модели температурной зависимости эффективности накопления Я - Н -пар, теоретически разработанной Лисициным Б.М.; б) высказано предположение о различии механизмов образования стабильных и короткоживущих френкелевских пар дефектов Р -Ц ), и получены экспериментальные доводы в пользу справедливости этого предположения; в) получены экспериментальные данные, позволившие в значительной мере уточнить механизм влияния гомологических анионных и катионных примесей на эффективность накопления френкелевских дефектов.

Полученные данные по механизмам образования короткоживущих и стабильных дефектов и влиянию различных факторов на процессы дефектообразования в ЩГК позволяют значительно уточнить наши представления о механизмах радиационного дефектообразования в этих кристаллах, что очень важно для решения проблемы прогнозирования радиационной стойкости материалов.

3. Впервые проведено систематическое экспериментальное» изучение кинетики миграции дырок в ЩГК в широком интервале температур с высоким временным разрешением (10-400 К, 5*10~9 с), позволившее: а) количественно оценить расстояние, проходимое зонной дыркой до автолокализации с учетом обнаруженного нами потенциального барьера для захвата дырки на активатор ( 103-10^ $); б) предложить модель прыжковой миграции -центров в ЩГК с учетом возможности разрыва связи в момент прыжка, с образованием зонной дырки, хорошо описывающая экспериментальные данные; в) при сравнении модели с экспериментальными данными получить параметры, характеризующие скорость миграции -центров в ряде ЩГК; г) в температурной зависимости времени миграции -центров обнаружить отклонение от процесса с энергией активации

Е г ( Е ^ - энергия активации реориентационного прыжка -центра) к^0,5 Е^ ; д) на получить экспериментальные данные, являющиеся прямым экспериментальным подтверждением правильности предложенной модели миграции -центров.

Полученные результаты представляют принципиальный интерес для понимания процессов миграции электронных возбуждений в системах, в которых возможна автолокализаций.

4. Впервые проведено систематическое исследование взаимосвязи кинетики релаксации спейтров оптического поглощения и люминесценции для важнейших сцинтилляционных систем на базе ЩГК, позволившее: а) экспериментально определить параметры, характеризующие инерционность электронных и дырочных процессов в ЩГК, и еделать оценки вклада различных механизмов передачи энергии в формирование сцинтилляционного импульса в сцинтилляторах на основе ЩГК; б) экспериментально доказать дырочный механизм возбуждения сцинтилляций в одном из наиболее перспективных и наиболее изученных сцинтилляционных кристаллов С$1-№ и преимущественно электронный в в) на- основании сопоставления данных по АЭВРЛ хлоридов и иодидов щелочных металлов и данных по температурной зависимости интенсивности и кинетики затухания собственной люминесценции ЩГК, сделан вывод об основном канале безызлучательвых потерь энергии (в—»^-рекомбинации), ограничивающем выход л сцинтилляций в сцинтилляторах на основе ЩГК; г) предложены механизмы процессов, ответственных за падение сцинтилляционной эффективности ( ) при больших плотс/Р аБ ностях возбуждения ( ) в сцинтилляторах на основе ЩГК. с|х

Разработанная методика и полученные экспериментальные результаты могут быть использованы при оценке перспективности использования различных материалов в качестве сцинтилляторов и выборе методов улучшения качества известных сцинтилляционных детекторов на базе ЩГК.

Полученные результаты демонстрируют высокую информативность и перспективность предложенного в работе нового подхода к изучению радиационных процессов в твердых телах, заключающегося в систематическом изучении роли короткоживущих состояния электронной и ионной подсистем в этих процессах.

Автор считает своим приятным долгом выразить благодарность доктору физико-математических наук Алукеру Э.Д., под руководством которого он начал свою научную деятельность, за постоянное внимание и помощь на всех стадиях выполнения работы, что в значительной мере способствовало успешному ее завершению.

Автор благодарен своим коллегам Аксенову O.E., Балалае-ву Л.Ф., Гаврилову В.В., Дейчу Р.Г., Лурье А.Ф., Лусису Д. Ю., Мезиной И.П., Нестеровой С.Н., Рулеву Ю.П., Станкевичу В.А., Ушомирскому И.Е., Флерову В.И., Эцину С.С., совместно с которыми получены основные экспериментальные результаты и которые активно содействовали развитию основных положений диссертации, а также сотрудникам Томского Политехнического института Лисицыну В.М., Малышеву A.A., Яковлеву В.Ю., в совместной работе с которыми получены некоторые результаты, вошедшие в диссертационную работу.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

Вся совокупность описанных выше экспериментальных результатов позволяет сделать вывод о том, что в работе заложены основы нового направления в исследовании радиационных процессов в твердых телах: кинетика образования, миграции и аннигиляции короткоживущих радиационных дефектов электронной и ионной подсистем в радиационно-стимулированных процессах в ионных кристаллах . При этом методом оптической спектроскопии с временным разрешением изучен широкий круг явлений, связанных с образованием и аннигиляцией короткоживущих состояний в электронной и ионной подсистемах в щелочногалоидных кристаллах при воздействии на них коротких импульсов электронов.

Основное внимание в работе уделено изучению двух типов радиационных процессов: I. процессам образования радиационных дефектов в ионной подсистеме ( Р - Ц пар) в чистых и активированных гомологическими анионными и катионными примесями щелочногалоидных кристаллах в широком интервале температур; 2. процессам передачи энергии возбуждения от основы кристалла к примесным атомам и, следовательно, процессам формирования сцинтилляционного импульса в сцинтилляторах на основе щелочногалоидных кристаллов.

1. Landau L. Uber die bewegung der elektronen in kristallgitter. - Phys.Z.Sowjetunion, 1933, Bd.3, s.664-665.

2. Френкель Я.И. О поглощении света и прилипании электронов и положительных дырок в кристаллических диэлектриках. ЖЭТФ, 1936, т.6, с.647-665.

3. Suzuki Y., Ohtani H., Takagi Sh., Hirai M. Self-trapping of holes followed by STE and F centres formation in KI in picosecond range. J.Phys.Soc.Jap., 1931, v.50, p.3537-3538.

4. Kondo Y., Hirai M., Ueta M. Transient formation of color centers in KBr crystals under the pulsed electron beam. -J.Phys.Soc.Jap., 1972, v.33, p.151-157.

5. Bradford Y.N., Williams R.T., Faust W.L. Study of F center formation in KC1 on a picosecond time scale. Phys.Rev. Lett., 1975, v.35, p.300-304.

6. Лисицын B.M., Сигимов В.И., Яковлев В.Ю. Распад электронных возбуждений на пары френкелевских заряженных дефектов в KI . ФТТ, 1982, т.24, с.2747-2752.

7. Пикаев А.Н., Кабакчи С.А., Макаров И.Е., Ершов Б.Г. Импульсный радиолиз и его применение. М., Атомиздат, 1980.

8. Schulman Y .H., Boag Y.W. Color center formation by pulse irradiation of alkali halides. Phys.Status Solidi, 1963, v.3, p.516-522.

9. Ельчанинов А.С., Затулов Ф.Я., Ковальчук Б.М., Яковлев В.П. Генератор электронных пучков с наносекундной точностью включения. В кн.: "Мощные наносекундные импульсные источники„ ускоренных электронов".Под ред.Месяца Г.А.»Новосибирск,1974.

10. Lushchik Ch., Lushchik A., Vasil'chenko E. Excitons and point defect creation in alkali halides. Proc.Int.Conf. "Defects in Insulating Crystals", Riga, 1981, p.323-342.

11. Williams R.T. Intersystem crossing, polarization, and defect formation induced by optical excitation of self-trapped excitons in alkali halides. Phys.Rev.Lett., 1976,v.36, p.529-532.

12. Yoshinari Т., Iwano H., Hirai M. F-H center fromation by the optical conversion in self-trapped excitons in KC1 crystal . J.Phys.Soc.Jap., 1978, v.45, p.936-943.

13. Soda К., Itoh N. F-center formation at highly excited triplet states of self-trapped excitons in KC1. J.Phys.Soc. Jap., 1980, v.48, p.1618-1624.

14. Импульсные источники света. Под ред. Маршака И.С. М., Энергия, 1978.

15. Рейхель Т., Иедличка М. Фотоэлектронные катоды. М., Энергия, 1968.

16. Лурье A.M., Ситдиков A.M. Импульсный абсорбционный спектрометр. Изв. АН Латв.ССР, сер.физ.техн.наук,1983,№2, с.14-19.

17. Румшисский Л.З. Математическая обработка результатов эксперимента. М., Наука, 1971, 192 с.24* Williams R.T., Kabler M.N. Excited-state absorption spectroscopy of self-trapped excitons in alkali halides. Phys. Rev.B, 1974, vol.9, p.1897-1907.

18. Williams R.T., Bradford Y.N., Faust W.L. Short-pulse optical studies of exciton relaxation and F-center formation in NaCl, KC1, and HaBr. PhysJtev.B, 1978, v.18, p.7038-7057.

19. Биллер В.К., Яковлев В.Ю. Радиационное создание дефектов в кристаллах КХ при облучении мощным потоком электронов нано-секундной длительности. ФТТ, 1980, т.22, с.2250-2252.

20. Suzuki Y., Hirai М. Picosecond spectroscopic studies on defect formation in alkali halides. Semicond.Insulat., 1983, v.5, p.445-455.

21. Dietrich K.B., Purdy A.E., Murray R.B., Williams R.T. Diffusion of self-trapped holes in alkali halide scintillators: Experiments in Nal-Tl and KI-T1. Phys .Rev.B, 1973, v.8,p.5894- 5901.

22. Tanimura К., I toil N. The hopping motion of the self «trapped exciton in NaCl. J.Phys.Chem.Solids, 1931, v.42, p.901-910.

23. Tanimura K., Itoh N. Comments on "Hole of impurities on the primary process for F-coloring in alkali halides". Rad. Eff«Lett., 1980, v.57, p.155-159.

24. Дине Д., Виньярд Д. Радиационные эффекты в тверд х телах. М., ИЛ., I960.

25. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные дефекты в полупроводниках. М., Атомиздат, 1969.

26. Томпсон М. Дефекты и радиационные повреждения в металлах. М., Мир, 1971.

27. Конобеевский С.Т. Действие облучения на материалы. М., Атомиздат, 1967.

28. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова А.Р. Механизм образования и миграции дефектов в полупроводниках. М., Наука, 1981.

29. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика полупроводников, Киев, "Наукова думка", 1979.37« Klinger M.I., Mashovets T.V. Ionization-enhanced processes in semiconductors. Cryst.Latt.Defects, 1981, v.9, p.113-126.

30. Rabin H., Klick C.C. Formation of F-centers at low and room temperatures. Phys.Rev., I960, v.117, p.1005-1010.

31. Varley J. A mechanism for the displacement of ions in an ionic lattice. Nature, 1954, v.174, p.886-887.

32. Klick C.C. Mechanism for coloration of alkali halides at low temperatures. Phys.Rev., I960, v.120, p.760-762.

33. Williams F .В. Theory of defect formation in alkali halides by ionizing radiation. Phys.Rev., 1962, v.126, p.70-72.

34. Dexter D.L. Varley mechanism for defect formation in alkali halides. -Phys.Rev., I960, v.118, p.934-935.

35. Саар А.М.Э., Эланго M.A. Создание центров окраски в кристаллах КС1 ультрамягкими рентгеновскими лучами. ФТТ, 1970, т.12, с.2993-2946.

36. Cruz-Vidal В.A., Gomberg H.J. The role of shell ionization in the formation of F-centers in alkali halides at

37. K. J.Phys.Chem.Solids, 1970, v.31, p.1273-1290. 45« SonderE. On the behaviour of interstitial produced by ionizing radiation in alkali halides. - Phys.Status Solidi, 1969, v.35, p.523-534.

38. Lus5ik б.В., Liidja O.G., Jack I.V. The mechanism of formation of color centres in crystals by ultraviolet irradiation. Proc.Intern.Сonf. on Semicond.Physics, Prague, I960,p.717-721.

39. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Г., Эланго M.A. Электронно-дырочный механизм создания центров окраски в ионных кристаллах. ФТТ, 1964, т.6, с.2256-2262.

40. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Г., Эланго М.А., Яэк И.В. Исследование процессов генерации радиационных дефектов в ионных кристаллах. В сб.: Радиационная физика I, Рига,Зинатне,1964,с.15-25.

41. Seitz P. Color centers in alkali halide crystals. Rev. Mod.Phys., 1954, v.26, p.7-34.

42. Вале Г.К., Гиндина P.M., Лущик Ч.Б., Эланго А.А. Тр. ША АН ЭССР, 1964, № 30, с.3-15.

43. Toriumi К., Itoh N. Behavior of defects Introduced by a nanosecond intense electron pulse at high temperatures in alkali halides. Phys.Status Solidi (b), 1981, v.107,p.375-386.

44. Pooley D. F-centre production in alkali halides by electron -hole recombination and subsequent 110 replacement sequence: a discussion of the electron-hole recombination. -Proc*Phys.Soc., 1966, v,87, c.245-256.

45. UO> replacement sequences in alkali halides and their relation to F-centre production by electron-hole recombination. p.257-262.

46. Тийслер Э.С., Лущик Ч.Б. Распад экситонов HaF-H -центры в кристаллах КЬг . ФТТ, 1969, т.II, с.3270-3275.

47. Бичевин В.В., Кяэмбре Х.Ф., Лущик Ч.Б., Тийслер Э.С. Экси-тонные и электронно-дырочные процессы в кристаллах КС1 при создании центров окраски ультрафиолетовой радиацией. -ФТТ, 1970, с.2888-2894.

48. Keller F.J., Patten 3?.W. ESR observation of Frenkel defect production by post-Irradiation electron-hole recombination in KOI. Solid State Commun, 19691 v.7, p«1603-1607•

49. Hall T.P.P., Hughes A.E., Pooley D. Optical studies of colour centres formed in KC1 by electron-hole recombination* J.Phys.C: Solid State Phys., 1976, v.9, p»439-444•

50. Лущик Ч.Б., Васильченко E.A., Колк Ю.В., Лущик Н.Е. Создание и преобразование дефектов в KCI-TL при аннигиляции электронных возбуждений. Тр. ИФ АН ЭССР, 1983, т.54, с.38-72.

51. Lushchik Ch., Kolk Yu., Lushchik A., Lushchik Ы., Tajirov M., Vasil'chenko E. Decay of excitons into long-lived F,H and <* ,x pairs in KC1. Phys.Status Solidi (b), 1982, v.114, p.103-111.

52. Williams H.T. Photochemistry of F-center formation in halide crystals. Semicond.Insulators, 1978, v.3, p.251-283.

53. Лущик Ч.Б., Васильченко E.A., Лущик А.Ч. Низкотемпературный распад экеитонов с рождением дефектов в ионных кристаллах. -Вопросы атомн.науки и техн. Сер.физ.радиац.повр. и радиац. материалов, 1981, в.К15), с.17-27.

54. Лущик Ч.Б., Васильченко Е.А., Лущик А.Ч., Тайиров М.М. Экси-тонные и примеснсиэкситонные механизмы создания F-Н -парв щелочногалоидных кристаллах. Тр. ИФ АН 0ССР, 1983, т.54, с.5-37.

55. Kondo Y., Hirai М., Yoshinari Т., Ueta М. Color center formation and bleaching in KC1 and HaCl by electron pulse at 15 К. J.Phys.Soc.Jap., 1971, v«30, p.440-448.

56. Ikezawa M., Shirahata К., Ko^ima Т. Coloration of alkali halide crystals by X-ray irradiation at low temperatures. -Sci«Rep. Tohoku Univ.I, 1969, v.52, p.45-48.

57. Кристофель H.H. О возможности дефектообразования из термически равновесного состояния автолокализованного экситона в щелочно-галоидных кристаллах. Физика твердого тела, 1979, т.21, с,2054-2057.

58. Вахидов Ш.А., Дкуманов С. Модель экситонного механизма образования дефектов в ионных кристаллах. 0 и С , 1979,т.47, с.1018-1020.

59. Block D., Wasiela A., Merle d'Anbique Y. EHDOR of the self-trapped exciton in KC1. J.Phys.Ci Solid State Phys., 1978, v.ll, p.4201-4211.

60. Song K.S., Leung C.H. Off-oentre configuration of the self-trapped exciton in KC1. J.Phys.C: Solid State Phys., 1979, v.12, p.L67-L70.

61. Smoluchowski R., Lazaret h О .W., Hatcher R.D., Dienes G.J. Mechanism of point-defect formation in ionic crystals. -Phys»Eev.bett., 1971, v.27, p.1288-1290,

62. Itoh N., Stoneham A.l., Harker A.H. Non-radiative de-excitation of highly excited self-trapped excitons in alkali halides: Mechanism of the F and H centre production. J. Phys.Soc.Jap., 1980, v.49, p.1364-1371.

63. Tanimura K., Eshita T., Itoh H. Generation of the free excitons by the optical excitation of self-trapped excitons in potassium iodides. Тез. Мезвдународн.конфер. "Дефекты в диэлектрических кристаллах", Рига, 1981, р.400-401.

64. Лущик Ч.Б., Эланго М.А. Экситонный механизм создания радиационных дефектов в ионных кристаллах. В кн.: "Радиационная физика неметаллических кристаллов", Минск, "Наука и техника", 1970, с.195-202.

65. Toyozawa Y. A proposed model of excitonic mechanism for defect formation in alkali halides. J.Phys.Soc.Jap., 1978, v. 44, p.482-488.

66. Toyozawa Y. Self-trapping and defect reaction. Semicond. Insulators, 1983, v.5, p.175-200.

67. Leung G.H., Song K.S. Model of excitonic mechanism for defect formation in alkali halides. Phys.Rev.B, 1978, v.18,p.922-929.

68. Song K*S., Leung C.E. Formation time of F-centers in alkali halides. Solid State Commun. , 1979, v.32, p.565-568.

69. Suzuki I., Okumura M., H irai M. Relaxation of 2p exciton and F center formation in picosecond range in RbBr, Rbl and KBr. J.Phys.Soc.Jap., 1979, v.47, p.184-192.

70. Itoh N., S tone ham A.M., Harker A.H. Initial production of defects in alkali halides: F and H centre production by non-radiative decay of the self-trapped exciton. J.Phys. Ci Solid State Phys., 1977, v.20, p.4197-4209.

71. Kabler M.H., Williams R.T. Vacancy-interstitial pair production via electron-hole recombination in halide crystals. Phys.Rev.B, 1978, v.18, p.1948-1960.

72. Лущик Ч.Б. Распад электронных возбуждений на структурные дефекты в ионных кристаллах. Матер. III Всесоюзного сове-щан. по радиац.физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1975, ч.1, с.75-76.

73. Куусманн И.Л., Лийдья Г.Г., Лущик Ч.Б. Люминесценция свободных и автолокализованных экситонов в ионных кристаллах. -Тр. ИФ АН ЭССР, 1976, т.46, с.5-80.

74. Suemoto Т., Kanzaki Ы. Relaxation processes from higher excited states of self-trapped excitons in condensed neon. -J.Phys.Soc.Jap., 1981, v.50, p.3664-3668.

75. Васильченко E.A., Тайиров M.M. Низкотемпературный распад экситонов на френкелевские дефекты и их туннельная перезарядка в КС1 , КС1-Е>ГиКСЫ. Тр. Ш АН ЭССР, 1982, т.53, с.172-192.

76. Tanimura К., Soda К., It oh Ы. Evolution of Frenkel pairs from excited states of self-trapped excitons in alkali ha-lides. Solid State Commun., 1980, v.36, p.745-750.

77. Tanimura K., Itoh N. Cascade excitation spectroscopic studies of defect formation in alkali halides. Semicond.Insulators, 1983, v.5, p.473-491.

78. Лущик Ч.Б., Васильченко E.A., Лущик А.Ч., Лущик Н.Е., Соо-вик Х.А., Тайиров М.М. ВУФ-спектроскопия экситонов и френкелевские дефектов в CsBr. Тр.ИФ АН ЭССР, 1980, т.51, с.7-38.

79. Agullo-Lopez F., Townsend P.D. Interstitial motion during radiation damage and sputtering processes. Phys.Status Solidi (b), 1980, v.97, p.575-580.

80. A1 Jammal Y., Townsend P.D. Possible structures for alkali ions on the surface of alkali halides. J.Phys.C: Solid State Phys., 1973, v.6, p.955-960.

81. Schmid A., Braunlich P., Rol P.K. Multiphoton-induced directional emission of halogen atoms from alkali halides. -Phys.Rev.Lett., 1975, v.35, p.1382-1385.

82. Townsend P.D., Browning R., Garlaut D.J., Kelly J.C., Mah-joobi A., Michael A.J., Saidoh H. Sputtering patterns and defect formation in alkali halides. Rad.Eff., 1976, v.30, p.55-60.110* Overeijnder H., Szymonski M., Haring A., De Vries A.E.

83. The mechanism of the electron sputtering process of alkali halides. Phys.Status Solidi (b), 1977, ▼•81, p.Kll-K14. Energy distribution of atoms sputtered from alkali halides by 540 eV electrons. - Rad.Effects, 1978, v.36, p.63-71.

84. Biersack J.P., Santner E. Sputtering of alkali halides under ion bombardment. Hue1.Instrum.Methods, 1982, ▼.198, p.29-32.

85. Szymonski M., de Tries A.E. Sputtering of alkali halides by electrons. Ins Desorption induced by electronic transition, DIETI, Springer series in Chem.Phys., Springer-Verlag, Berlin, 1983, v. 24, p.216-219.

86. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочногалоидных кристаллов. Рига, "Зинатне", 1979, 251 с.

87. Williams R.T. Discussion of the time and temperature dependence of F-center formation in alkali halides. Semicond. Insulators, 1983, v.5, p.457-472.

88. Roick E., Gaethke R., Zimmerer G., GUrtler P., Woodruff T. 0. Observation of surface sensitive luminescence in solid argon; relation of self-trapping and relaxation of excitons.- Preprint DESY SR-83-11. 1983.

89. Still P.В., Pooley D. F-centre production in mixed alkali halide crystals as evidence for the importance of a replacement collision sequence in P-centre production. Phys. Status Solidi, 1969, v.32, p.K147-K150.

90. Hirai M. The yield of color center formation in KBr doped with KI. Solid State Commun., 1972, v.10, p.493-495.

91. Maki M., Nagasawa N., Hlrai M. Effect of Br" ions on the F-center formation in KC1 crystals under UV light irradiation. Solid State Commun., 1975, v.17, p.1409-1413.

92. Васильченко E.A., Тайиров M.M. Низкотемпературный распад экситонов на френкелевские дефекты и их туннельная перезарядка в кс! , кс!-ьги кс 1-1. Тр. m ш эсср, 1982,т.53, с.I72-I9I.

93. Тайиров М.М. Экситонный и электронно-дырочный механизмы со-здания F-H и оС-1 пар в кристаллах КВг иКВг-С1 . Тр. m АН ЭССР, 1983, т.54, с.73-101.

94. Nakai J.f Kan'no К. UV-light induced processes of iodine impurities in potassium halides. Semioond.Insulators., 1983, v.5, p.505-515.

95. Wakita Sh. Luminescence of KBr-KI solid solutions under X-ray irradiation at liquid helium temperature. J.Phys.Soc. Jap., 1971, v.31, p.1505-1512.

96. Kan1 no K., Hakai Y. Defect formation with UV-laser irradiation in alkali halides. Semicond.Insulators,1983, v.5, p.493-504.

97. Itoh N., Saidoh M. Radiation-induced interstitial centers in alkali halides. Phys.Status Solidi, 1969, v.33,p.649-656.

98. Чернов С.А., Гаврилов В.В., Эцин С.С. Эффективность накопления и кинетика аннигиляции F-И -пар в чистых и активированных йодом кристаллах КС! в интервале температур 15-80 К. ФТТ, 1983, т.25, с. 1712-^X716.

99. Малышев А.А., Яковлев В.Ю. Релаксированные гетероядерные экситоны в кристалле KC1-I . ФТТ, 1982, с т.24,с. 2296-2299.

100. Лисицын В.М., Малышев А.А., Яковлев В.Ю. Локализованные примесью экситоны в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1983, т.25, с.3356-3360.

101. Гаврилов В.В., Чернов С.А., Эцин С.С. Кинетика аннигиляции френкелевских пар дефектов в КС! при 16 К. ФТТ, 1982, т.24, с.2481-2484.

102. Kondo Y., Hirai M., Yoshinari T., Ueta M. F center formation in KC1 by a pulsed electron beam at 10 К. J.Phys. Soc.Jap., 1969, v.26, p.1553.

103. Kan'no K., Itoh N., Hakai Y. Luminescence fr@m KC1-I at low temperature. J.Phys.Soc.Jap., 1979, v.47, p.915-921.

104. Itoh N. Interstitial and trapped-hole oenters in alkali halides. Cryst.Lattice Defects, 1972, v.3, p.115-143.

105. Гаврилов В.В., Нестерова С.H., Чернов С.А., Яковлев В.Ю.

106. О механизме распада экситона на пару френкелевских дефектов в ЩГК. ФТТ, 1981, т.23, с.2180-2182.

107. Лисицын В.М., Малышев А.А., Нестерова С.Н., Чернов С.А., Яковлев В.Ю. Распад элементарных возбуждений в кристаллах KCI-I ПрИ импульсном возбуждении электронами. « ФТТ, 1982, т.24. с.914-916.

108. Chernov S.A., Gavrilov V.V. The effects of homologous impurities on primary radiation defect accumulation in alkali halides. Preprint LAFI-035, Salaspils, 1981.

109. Sonder E., Sibley W.A. Defects creation by radiation in polar crystals. In: "Point defects in solids" ed. by Crawford Y.H. and Slifkin L.M., Plenum Press, N.Y. . 1972,p.201-290.

110. Provoost J., Debergh P., Hoebeck G. Formation of lattice defects by two-photon excitation in alkali halides. Phys. Status Solidi (b), 1982, v.113, p.657-663.

111. Kagawa K., Hakaya T. F center fromation in KBr crystal at LNT by Ng laser light irradiation. J.Phys.Soc,Jap., 1975. v.38, p.901.

112. Kagawa K. Trapped-hole centers in KBr crystals induced by Eg laser light irradiation. J.Phys.Soc.Jap., 1976, v.41, p.507-512.

113. Tanimura K., Okada T. Effects of the Na+ impurity on the relaxation of an exciton in KBr at low temperatures. -Phys.Rev.B, 1976, v.13, p.1811-1816.

114. Tanimura K. The H-center interaction with a Rb+ ion during irradiation and thermal annealing in KBr. J.Phys.Chem. Solids, 1978, v.39, p.735-741.

115. Даулетбекова А.К., Акилбеков А.Т., Эланго А.А. Влияние примесей лития и натрия на радиационное дефектообразование в области температур 4,2-300 К в кристалле КВг . ФТТ, 1982, т.24, с.2920-2924.

116. Лущик Ч.Б., Гиндина Р.И., Лущик Н.Е., Тайиров М.М., Шупке-ев К.Ш. Распад экситонов с рождением анионных и катионных дефектов в KCbNa. Труды ИФ АН ЭССР, 1982, J* 53, с.146-171.

117. Чернов С.А., Гаврилов В.В., Эцин С.С. Влияние примесей гомологического катиона на процессы образования радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах. Изв. АН Латв.ССР, сер.физ.техн.наук, 1983, $6, с.27-34.

118. Dauletbekova A., Elango A. Conversion of Р-Нд pairs into ос -1д pairs in KBr-Li and KBr-Na X-rayed at 80 K. Phys. Status Solidi (b), 1981, vol.108, p.299-305.

119. Нечаев А.Ф. Радиолиз монокристаллов К Br , легированных катионами малого радиуса. Диссертация на соискание ученой степени кандидата химических наук. Л., 1975.

120. Agullo-Lopez P., Lopez F.J., Jaque F. Role of cation impurities on radiation-induced processes in alkali halides. -Cryst.Lett»Defects Amorph.Mater., 1982, v.9, p.227-252.

121. Agullo-Lopez F., Townsend P.D. Role of impurities on the primary processes for F-colouring in alkali halides. Rad. Eff.Lett., 1980, v«50, p.79-85.

122. Алукер Э.Д., Гаврилов B.B., Чернов C.A. Процессы генерации и разрушения Р -центров в кристалле КС1 при импульсном облучении. ФТТ, 1977, т. 19, с.1198-1199.

123. Ueta M. Color center studies In alkali halides by pulsed electron beam irradiation. J.Phys.Soc.Jap., 1967» v.23, p.1265-1279.

124. Чернов С.А., Эцин С.С. Генерация радиационных дефектов в щелочногалоидных кристаллах с катионными примесями. Тез. докл. Пятого Всесоюзного совещ. по радиац. физике и химии ионных кристаллов, Рига, 1983, с.163-164.

125. Lttty F. Зд centers in alkali halide crystals. Ins "Physics of the color centers", ed. by Fowler W.B., Acad.Press, N.Y., London, 1968, p.181-242.

126. Sonder Б. Radiation annihilation of F-aggregate centers in KC1. Phys.Rev.B, 1972, v.5, p.3259-3269. Temperature dependence of Frenkel-pair production from F-aggregate center destruction. - Phys.Rev.B, 1975» v.12,p.1516-1521.

127. Soc.Jap., 1975, v.39, p.155-161.

128. Schoemaker D. g and hyperfine components of V^ centers. -Phys.Rev.B, 1973, v.7, p.786-801.

129. Meyer B.K., Spaeth J.M. F-H-centre production from Ag+ centres in CsCl. Semicond.Insulators, 1983, v.5, p.543-554.

130. Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Лурье А.М., Чернов С.А. Температурная зависимость эффективности образования F -центров в кристаллах KCl при импульсивном возбуждении. ФТТ, 1976, т.18, с.611-612.

131. Алукер Э.Д., Гаврилов В.В., Чернов С.А. Процессы генерации и разрушения F -центров в кристалле KCl при импульсном облучении. ФТТ, 1977, т.19, с,1198-1199.

132. Чернов С.А., Гаврилов В.В. Влияние температуры на эффективность радиационного накопления F -центров в щелочногало-идных кристаллах. ФТТ, 1979, т.21, с.2529-2531.

133. Котомин Е.А., Чернов С.А. К температурной зависимости эффективности накопления F -центров в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1980, т.22, с.1515-1517.

134. Чернов С.А. О температурной зависимости эффективности генерации френкелевских дефектов в щелочногалоидных кристаллах. -ФТТ, 1980, т.22, с.1888-1890.

135. Tanimura К., Murakami Т., Itoh N. Restoration of fluorescence from the lowest Singlet state in the self-trapped exciton by perturbation with monovalent cation impurities in alkali halides. J.Phys.Soc.Jap., 1982, v,51,p.888-897.

136. Лисицын B.M. Образование радиационных дефектов при распаде электронных возбуждений в кристаллах со сложной структурой решетки. Диссертация на соискание ученой степени доктора физ.-мат. наук, Томск, 1979.

137. Инденбом В.Л. Новая гипотеза о механизме радаадионно стимулированных процессов. Письма в ЖТФ, 1979, т.5,с.489-492.

138. Tanimura K. Electronic structure of the relaxed exciton trapped by an alkali impurity in KBr. J.Phys.C: Solid State Phys., 1978, v.ll, p.3835-3845.

139. Purdy A.E., Murray R.B., Song K.S., Stoneham A.M. Studies of self-trapped exciton luminescence in KC1. Phys.Rev.В, 1977, v. 15, p.2170-2176.

140. Schubert M., Vogler К. Experimental and theoretical investigation on the picosecond deactivation process of excited F-centres in KC1. Phys.Status Solidi (b), 1980, v.101, p.267-273.

141. Лущик АЛ. Электронные возбуждения и радиационные дефектыв кристаллах CsBr,RbBr и КС! . Диссертация на соискание ученой степени кандидата физ.-мат.наук. Тарту, 1979.

142. Алукер Э.Д., Мезина И.П. Горячие дырки и радиолюминесценция KCL-Tt. Изв. АН Латв.ССР, сер.физ.техн.наук, 1969, Jfe 2, с.21-24.

143. Киик Р.А., Лийдья Г.Г., Лущик Ч.Б., Соовик Т.А. Экситонные процессы в щелочногалоидных кристаллах. Тр. ИФА АН ЭССР, 1969, № 36, с.3-56.

144. Пунг Л.А., Халдре Ю.Ю. Исследование электронных и дырочных процессов в ионных кристаллах по неизотермической релаксации ЭПР и рекомбинационной люминесценции. Тр. ИФА АН ЭССР, 1970, J& 38, с.50-84.

145. Халдре Ю.Ю. Захват дырок примесными центрами и рекомбина-ционная люминесценция кристаллов NaCl-Cu и NaCi-CU;Acj. -Изв. АН ЭССР, 1976, Jfc 46, с.120-142. .

146. Hadley W.B., Polick S., Kaufman R.G., Hersh H.N. Energy-storage and luminescence in KI-T1 at low temperatures. -J.Chem.Phys., 1966, v.45, p.2040-2048.

147. Алукер Э.Д., Аксенов O.E., Романенко Н.Л. Захват горячих дырок в KC1-TL. -ФТТ, 1969, т.II, с.3403-3404.

148. Лущик Ч.Б., Ваеильченко Е.А., Лущик Н.Е., Пунг Л.А. Релак-сированные и нерелаксированные возбуждения в кристаллахтипа NaCl . Тр. ИФА АН ЭССР, 1972, Л 39, с.3-46.

149. Алукер Э.Д., Чернов С.А. Миграция дырок в щелочногалоидных кристаллах. В кн.: Радиационная физика, в.7, Рига, Зинатне, 1973, с.9-59.

150. Алукер Э.Д., Калнинь Ю.Х. Оценка величины смещения горячих дырок в KCl-Tt. -ФТТ, 1971, т.13, с.641-642.

151. Осминин B.C. Оптическая делокализация дырок с -центров в KCl-Tt Зависимость от концентрации активатора. ФТТ, 1974, т.16, с.560-561.

152. Аксенов О.Е. Низкотемпературная ионизация активатора в КС1-Т1при фотовозбуждении в области междузонных переходов. -Изв. АН Латв.ССР, сер.физ.техн.наук, 1978, №3, с.140-145.

153. Алукер Э.Д., Рулев Ю.П., Станкевич В.А., Чернов С.А. Нере-лаксированные дырки в щелочногалоидных кристаллах. Изв. АН СССР, сер.физ., 1974, т.38, с.1230-1234.

154. Пунг Л.А. Динамика нерелаксированных и автолокализованных дырок в щелочногалоидных кристаллах. Тр. ИФ АН ЭССР, 1979, № 50, с.7-33.

155. Kadchenko V.N., Elango l.A. Diffusion parameters of hot holes created by ionizing radiation in NaCl(Ag). Phys. Status Solidi (a), 1978, v.46, p.315-319.

156. Kaufman R.G., Hadley W.G., Hersh H.N. The scintillation mechanism in thallium doped alkali ahlides. IEEE Trans. Nucl.Sci., 1970, v.NS-17, p.82-85.

157. Пунг Л.А., Рейфман С.П. О миграции нерелаксированных дырок в ионных кристаллах. Тр. ИФ АН ЭССР, 1979, Л» 49,с. 90-98.

158. Алукер Э.Д., Флеров В.Н., Чернов С.А. Влияние температуры на вероятность автолокализации и захвата дырок примесными центраш в щелочногалоидных кристаллах. ФТТ, 1979, т.21, с. 3360-3365.

159. Алукер Э.Д., Флеров В.И., Чернов С.А. Радиационная генерация "^-центров в щелочногалоидных кристаллах. В кн.: "Радиационная физика полупроводников и родственных материалов", Тбилиси, 1980, с.602-605.

160. Aluker E.D., Chernov S.A. Unrelaxedhole motion in alkali halides. Preprint LAFI-053, Salaspils, 1982.

161. KotominE., S eh luge r A., Tale I. Electronic structure of thallous centres and recombination in KC1 crystal-» -Solid State Commun., 1983, v.46, p.625-629.

162. Castner T.G., KSnzig W. The electronic structure of V-cen-ters. J.Phys.Chem.Solids, 1957, v.3, p.178-195.

163. Lushchik Ch., Lushchik N., Pung L., Vasilchenko E. Two mechanisms of exciton and hole migration in CsBr. "Color centers in ionic crystals", Intern.Conf., Roading, England, 1971, p.129.

164. Kabler M.N. Hole centers in halide lattice. In; Point defects in solids. N.Y. Plenum Press, 1972, p.327-380.

165. Keller P.J., Murray R.B. Preferential thermal reorientation of V^-centers in potassium iodide. Phys.Rev.Lett., 1965, v.15, p.198-200.

166. Keller F.J., Murray R.B., Abraham M.M., Weeks R.A. Preferential thermal reorientation of V^-centers in potassium chloride. Phys.Rev., 1967, v.154, p.812-816.

167. Pellaux J.P. Determination des energies de migration thermique des centres V^ dans Csl. Helv.Phys.Acta, 1976,v.49, p.700-701.

168. Алукер Э.Д., Чернов С.А. Релаксированные и нерелаксированные дырки в ионных кристаллах. В кн.: Химия твердого тела. Свердловск, УШ, 1978, в.2, с.71-89.

169. Keller F.J., Murray R.B. Thermal motion of holes in potassium iodide. Phys.Rev., 1966, v.150, p.670-679.

170. Neubert T.J., Reffner J.A. Thermal bleaching of Clg-cen-ters. J.Chem.Phys., 1962, v.36, p.2780-2782.

171. Dietrich H.B., Murray R.B. Kinetics of the diffusion of self-trapped holes in alkali halide scintillators. J. Lumin., 1972, v.5, p.155-170.

172. Алукер Э.Д., Лурье A.M., Станкевич В.А., Чернов С.А. Миграция дырок в КС1-Т1. Изв. АН Латв.ССР, сер.^из.техн. наук, 1973, Л 4, с. 14-22. Движение дырок в KI-TIпри высоких температурах. - Изв. АН Латв.ССР, сер.физ.техн.наук, 1973, jfi 4, c.IIO-113.

173. Антонов-Романовский В.В. Введение в кинетику фотолюминесценции кристаллофосфоров. М., Наука, 1966.

174. Алукер Э.Д., Дейч Р.Г., Пирогов Ф.В., Чернов С.А. Кинетика термически активированного движения дырок в щелочногалоид-ных кристаллах. ФТТ, 1980, т.22, с.3689-3694.

175. Kalnin Yu.H. Diffusion recombination theory in the case of particles generation. J.Luminesc., 1978, v.16, p.311-321.

176. Пирогов Ф.В. К вопросу о влиянии существования автолокали-зованных и зонных дырок на кинетику захвата дырок активатором в активированных ЩГК. Изв. АН Латв.ССР, сер.физ.техн. наук, 1979, » 6, с.45,48.

177. Yamaka В., Sawamoto К., Ishida Т. Photoinduced Hall effect of V-centers inKI. J.Phys.Soc.Jap., 1956, v.11,p. 176-177.

178. Barland M., Duval E., Nouailhat A. Migration of Vk-centers in Сsi crystals. J .Phys .C , 1981, v.14, p.4237-4245.

179. Dresner J., Heyman M. Mobilities of electrons and holes in CaP2. Phys.Rev.B, 1971, v.3, p.2689-2693.

180. Вяземский B.O., Ломоносов И.И., Писаревский А.Н., Протопопов Х.В., Рузин В.А., Темрин Е.Д. Сцинтилляционный метод в радиометрии. M., 1961.

181. Hofstadter R. Alkali halide scintillation counters. Phys. Rev., 1948, v.74, p.100-101.

182. Лущик Ч.Б., Соовик Т.А. Некоторые проблемы физики неорганических сцинтилляторов. Тр. ИФА АН ЭССР, 1966, № 34,с.68-88; Монокристаллы, сцинтилляторы и органические люминофоры, Харьков, 1969, в.5, с.30-36.

183. Бирке Д. Сцинтилляционные счетчики. ИЛ., 1955.

184. Алукер Э.Д. Исследование процессов тушения люминесценции щелочногалоидных кристаллофосфоров. Радиационная физика У, Рига, Зинатне, 1967, с.7-77.

185. Murray R.B. Energy transfer in alkali halide scintillators by electron-hole diffusion and capture. IEEE Trans.Hucl. Sci., 1975, v.NS-22, p.54-57.

186. Watts H.V., Heiffel L., Oestreich M.D. Scintillation properties of pure alkali halides at low temperatures. -Nucl.Electronics. Vienna, IAEA, 1962, p.3-14.

187. Михальченко Г.А. Радишшминесценция щелочногалоидных кристаллов. Диссертация на соискание ученой степени доктора химических наук, Л., 1970, 430 с.

188. Перцев А.К., Писаревский А.Н., Сошин А.Д. Применение ФЭУ в одноэлектронном режиме для измерения абсолютного выхода сцинтиллятора. ЖПС, 1964, т.1, с.175-177.

189. Рогожин Л.А. Спектрально-кинетические исследования механизмов сцинтилляционного процесса в сцинтилля.торах на основе ионных кристаллов. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук, M., 1980.

190. Панова А.Н., Шахова К.В., Ширан Н.В., Тиман Б.А., Золото-вицкая Э.С., Фидельман Б.М. Распределение натрия, фото- и радиолюминесценция в кристаллах СsX-Ncu- Монокристаллы, сцинтилляторы и неорганические люминофоры, Харьков, 1969, в.5, с.293-298.

191. Плеханов В.Г., 0'Коннель-Бронин А.А. Экспериментальное проявление поляризационного взаимодействия экситонов с фононами в пшрокозонном диэлектрике NqX . Письма в ЖЭТФ, 1975, т.27, с.30-33.

192. Ikezawa M., Kojima T. Luminescence of alkali halide crystals induced by UV-light at low temperature. J.Phys.Soc. Jap., 1969, v.27, p.1551-1563.

193. Васильева H.H. ,Моргенштерн З.Л. Люминесценция неактивированных щелочных йодидов. Изв. АН СССР, 1961, т.25,с. 47-50.

194. Kayal А »H., Mori Y., Jaccard С., Rossel J. Luminescence processes in Gsl doped with Na+ and K+ ions. Solid State Commun., 1980, v.35, p.457-460.

195. Тринклер Jh3., Триннлер М.Ф. А-люминесценция Nal-Tl при низких температурах. Тезисы докл. Всесоюзного совещания по люминесценции, Ленинград, 1981, с.85.

196. Аверкиев В.В., Лихачев В.Н., Ляпидевский В.К., Прорвич В.А. Быстрый и медленный перенос энергии возбуждения от основы вещества к центрам свечения. Экспериментальные методы ядерной физики высоких и низких энергий. М., Атомиздат, 1982, с.3-12.

197. Wakita Sh., Suzuki Y., Ohtani К., Tagawa S., Hirai M. Temperature dependence of the lifetimes of the state of STE in KI, NaCl, KBr and RbBr crystals. J.Phys.Soc.Jap., 1981, v.50, p.3378-3385.

198. Денкс В.П. Влияние электрического поля на фотолюминесценцию ионных кристаллов. ФТТ, 1966, т.8, с.1479-1482.

199. Лутцик Ч.Б., Денкс В.П., Илъмас Э.Р., Кинк Р.А., Лийдья Г.Г., Соовик Т.А., Трофимова (Эксина) Т.Н., Яэк И.В. Электронные возбуждения ионных кристаллов и явления фото-, катодо- и радиолюминесценции. Тр. ИФА АН ЭССР, 1966, Л 34,с. 89-114.

200. Emkey W.L., Romberger А.В., Van Sciver W.J. Stimulated luminescence of KI single crystals. Phys.Rev.B, 1981, v.23, p.1709-1712.

201. Emkey W.L., Romberger А.В., Van Sciver W.J. Thermal dissociation of photoproduced excitons at the UV band edge in Nal. Phys.Rev.B, 1979, v.20, p.5326-5329.

202. Чорний З.П., Лыскович А.Б. О зависимости спектрального состава радиолюминесценции от интенсивности возбуждающей радиации. 0 и С, 1965, т.19, с.446-448.

203. Gwin R., Murray R.B. Scintillation process in Csl-Tl. I. Comparison with activator saturation model. II. Emission spectra and the possible role of self-trapped holes. -Phys.Rev., 1963, V.131, p.501.512.

204. Белозерский Г.Н., Гриднев K.A., Писаревский A.M. О форме сцинтилляционных импульсов от кристаллов Csl-Tt . ПТЭ, 1961, № I, с.73.

205. Реало Э.Х., Соовик Т.А. О нарасталии и затухании сцинтилляций в активированных таллием щелочных иодидах. Тр. ИФА АН ЭССР, 1966, № 31, с.275-277.

206. Ляпидевский В.К., Прорвич В.А. Исследование зависимости времени нарастания сцинтилляционного импульса в кристаллах Csl от концентрации активатора и плотности ионизации. -ПТЭ, 1978, » 5, с.69-71.

207. Barton J.С. Decay characteristics of inorganic scintillators, J.Phys.E, 1978, v.ll, p.1173-1178.

208. Михальченко Г.А. Радиолюминесценция и послесвечение щелоч-ногалоидных кристаллофосфоров. Радиационная физика У, Рига, Зинатне, 1967, с.103-122.

209. Murray R.B., Meyer A. Scintillation responee of activated inorganic crystals to various charged particles. Phys. Rev., 1961, V.122, p.815-826.

210. Salamon M.H., Ahlen S.P. Nal-Tl responce to relativistic Ne, Ar and Pe ions. Phys.Rev.B, 1981, v.24, p.5026-5036.

211. Altman M.R., Dietrich H.В., Murray R.B., Rock T.J. Scintillation responce of Nal-Tl and KI-T1 to channeled ions. -Phys.Rev.B, 1973, v.7, p.1743

212. Горбачев Б.H., Киик P.A., Лийдья Г.Г. О зависимости эффективности экситонного и электронно-дырочного механизмов передачи энергии в щелочных иодидах от интенсивности возбуждения. Тр. ИФА АН ЭССР, 1964, » 28, с.80-92.

213. Алукер Э.Д., Томкус И.О., Чернов С.А. Установка для изучения спектрально-кинетических характеристик люминесценции при электронном возбуждении. ПТЭ, 1968, № 4, с. 184-186.

214. Алукер Э.Д., Чернов С.А. Влияние интенсивности возбуждения на выход катодолюминесценции Csl-Tl . Монокристаллы, сцинтилляторы и органические люминофоры. Харьков, 1969,в.5, с.287-292.

215. Чернов С.А. Кинетика катодолюминесценцииCsI-Tl при температуре жидкого азота. Изв. АН ЛССР, сер.физ.техн.наук, 1969,4, с.125-126.

216. Алукер Э.Д., Чернов С.А., Лурье А.М. Исследования катодолюминесценции ка-п. Изв. АН ЛССР, сер.физ.техн.наук, 1970, » I, с.84-87.

217. Чернов С.А. Влияние плотности возбуждения на катодолюминес-ценцию щелочногалоидных кристаллофосфоров. Диссерт. насоиск.учен.степени канд.физ.-мат.наук, Рига, 1969.

218. Чернов С.А., Алукер Э.Д. Нелинейные эффекты в катодолюминесценции щелочногалоидных кристаллофосфоров. Радиационная физика У1, Рига, Зинатне, 1970, с.163-196.

219. Birkmire R.W., Murray R.B., Luntz М. .Scintillation responce of nonactivated and activated Nal to random and channeled ions; Influence of the luminescence mechanism. Phys»Rev. B, 1977, v.15, p.31-36.

220. Matsunami I., Ohwaki T., Itoh N., Horino Y. Ion-induced high density exciton in ionic crystals. Nucl.Instrum. Meth., 1982, v.194, p.39-43.

221. Kimura К», Imamura M. Emission spectra of excitons created in a single crystal of KBr by irradiation of heavy ionson 4*2 K. Phys.Lett., 1978, V.67A, p.159-161.

222. Реало Э.Х., Соовик Т.А. Фотосцинтилляции в активированных щелочных йодидах при возбуждении в области фундаментального поглощения. Тр. ИФА АН ЭССР, 1966, № 34, с.115-128.

223. Лущик Ч.Б., Лийдья Г.Г., Соовик Т.А., Яэк И.В. 0 механизме люминесценции щелочногалоидных 1фисталлов при возбуждении ультрафиолетовой радиацией и жесткими излучениями. Тр. ИФА АН ЭССР, 1961, № 15, с.103-126.

224. Кинк P.A., Лийдья Г.Г. Об электронно-дырочной компоненте радиолюминесценции щелочногалоидных сцинтилляторов. Тр. ИФА АН ЭССР, 1966, т.31, с.142-159.

225. Зазубович С.Г., Эгембердиев Ж.Э. Фотостимулированная дырочная рекомбинационная люминесценция кристалла KCt-SnCl^ . Тр. ИФА АН ЭССР, 1979, В 50, с.119-132.

226. Ishikane H., Kawanishi M. The scintillation processes in Nal-Tl. Jap•J.Appl.Phys., 1975, v.14, p.64-69.

227. Дейч Р.Г. Кинетика движения, дырок в щелочногалоидных кристаллах. Диссертация на соискание ученой степени канд. физ.-мат. наук, Саласпилс, 1982;

228. Волков В.Г. Оценка фосфоресценции, возникающей в NqI-TI после возбуждения тормозным излучением бетатрона. ПТЭ, 1981, » 2, с.65-67.

229. Абдувалиев А.С., Волков Н.Г., Ляпидевский В.К., Прорвич В.А., Шамовский Л.М. Зависимость времени нарастания сцинтилляционного импульса в Csl от концентрации активатора и температуры. ПТЭ, 1975, № I, с.61-63.

230. Sidler Т., Pellaux J.P., Nouailhat A., Aegerter М.А. Study of V^-centers in Gsl crystals. Solid State Commun., 1973, v.3, p.479-482.

231. Mori Y., Kayal A.H., Jaccard C., Aegerter M.A. Optical and ESR studies on an IR absorption band in Csl-Ha after X-ray irradiation. Solid State Commun., 1980, v.34,p.315-319.

232. Алукер Э.Д., Дейч Р.Г., Чернов С.А. Кинетика люминесценции сцинтилляционного кристалла CsT~ N(X при импульсном возбуждении. Тез. Всесоюзн.совещ. по люминесценции, Л., 1981, с.140.

233. Алукер Э.Д., Чернов С.А. Передача энергии к центрам люминесценции в щелочнохалоидных свднтилляторах. Тез. докл. У111 Всесоюзн.конфер. по сцинтилляторам. Харьков, 1981, с.4-5.

234. Алукер Н.Л., Гаврилов В.В., Дейч Р.Г., Чернов С.А., Эцин C.G. Некоторые особенности сцинтилляционного процесса в Csl-Na . Изв.АН ЛССР, сер.физ.техн.наук, 1982, №4, с.57-64.

235. Алукре Э.Д., Чернов С.А. Миграция энергии и энергетический выход сцинтилляций в щелочногалоидных сцинтилляторах. -Препринт ИФ АН ЛССР, Саласпилс, 1982, ЛАФИ-049.

236. Алукер Э.Д., Чернов С.А. Миграция энергии и энергетический выход сцинтилляций в щелочногалоидных сцинтилляторах.

237. В межв.сб.: "Исследования, по химии, технологии и применению радиоактивных веществ", Ленинград, 1983, с.44-65.