Лазерно-индуцированные физико-химические процессы и осаждение элементов из паров металлоорганических соединений тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.21 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ. 4

ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1 .Физические принципы, положенные в основу стимулирования физико-химических процессов лазерным излучением. 13

2.Обоснование применения лазерного излучения для управления физико-химическими процессами. 32

ГЛАВА II. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ УСТАНОВКИ И

МЕТОДИКИ ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТА.

1.Лазеры, применяемые для воздействия на вещество и для детектирования молекул. 40

2.Осаждение элементов на поверхность твёрдого тела под действием лазерного излучения. 69

3 .Лазерное инициирование твердофазных реакций. 102

ГЛАВА III. СТИМУЛИРОВАНИЕ ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСНОГО И НЕПРЕРЫВНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С02-ЛАЗЕРА НА МОЛЕКУЛЫ CF3I И ВС13.

1 .Фотохимический механизм диссоциации молекул CF3I в поле TEA С02-лазера. 108

2.Удаление примесей из ВС13 методом лазерной термохимии. 124

ГЛАВА IV. ОСАЖДЕНИЕ ПЛЁНОК ИЗ ПАРОВ КАРБОНИЛОВ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ.

1 .Осаждение атомов хрома (Сг) из паров карбонила хрома (Сг(СО)б) методом лазерной термохимии.

2.Осаждение элементов из паров карбонила молибдена (Мо(СО)б) при их фотохимической диссоциации излучением эксимерного KrF-лазера. 150

3.Осаждение элементов из паров карбонила железа (Fe(CO)5) при их фотохимической диссоциации излучением эксимерного KrF- лазера и ионного Аг+ - лазера . 171

ГЛАВА V. ЛАЗЕРНЫЙ СИНТЕЗ ТОНКИХ ПЛЁНОК И СЛОЁВ НА ПОВЕРХНОСТИ ТВЁРДОГО ТЕЛА ДЛЯ ФУНКЦИОНАЛЬНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ.

1 .Осаждение плёнок с магнитными свойствами из паров карбонила железа под действием излучения Аг+- лазера и синтез высокотемпературной сверхпроводящей керамики Y-Ba-Cu-О под действием излучения непрерывного С02- лазера. 205

2.Осаждение полупроводниковых тонких плёнок из паров карбонила железа под действием излучения Аг+-лазера. 212

3.Твёрдофазный синтез карбидосилицидов и силицидов железа под действием излучения импульсного YAG: Nd+3- лазера на поверхность кремния с осаждёнными на неё атомами из паров карбонила железа. 217

4.Лазерный твёрдофазный синтез слоёв из силицидов железа с узкой запрещённой зоной и их применение для сенсоров. 225

Одним из фундаментальных направлений современной физики и химии является направление, связанное с взаимодействием излучения с веществом. Создание когерентных источников излучения ультрафиолетового, видимого и инфракрасного диапазонов излучения - лазеров позволило по-новому воздействовать на вещество в различных фазовых состояниях. Высокая спектральная яркость и монохроматичность лазерного излучения позволяет селективно воздействовать на определённые степени свободы атомов и молекул на микроуровне, что приводит к процессам диссоциации и ионизации, которые при воздействии других источников энергии идут существенно медленнее или вообще не идут. К процессам диссоциации в первую очередь следует отнести газофазные химические реакции, так как они непосредственно связаны с такими важными технологическими процессами как лазерное разделение изотопов, лазерная очистка веществ от микропримесей и лазерохимическое осаждение элементов. Классические методы разделения изотопов и очистки веществ от микропримесей не всегда приемлемы, ввиду идентичности теплофизических параметров изотопных молекул и молекул примеси по сравнению с молекулами основного вещества. Как известно [1], инфракрасные спектры поглощения одного и того же вещества, содержащего различные изотопы этого вещества, отличаются от спектров поглощения моноизотопного вещества. Поэтому, воздействуя на определённый сорт молекул лазерным излучением, можно их диссоциировать на более простые молекулы, а далее продукты диссоциации удалять с помощью химических ловушек или методом центрифугирования. Следует отметить, что процессы, связанные с лазерным разделением изотопов, например, обогащение урана до 3 % содержания изотопа U [2], а Также разделение изотопов углерода С и

12 13

С с обогащением смеси изотопом С до 80 % и ряда других изотопов с использованием лазерного излучения, осуществляются с существенно меньшими экономическими затратами по сравнению с другими классическими методами. Для лазерной очистки веществ весьма эффективно применение как лазеров ультрафиолетового, так и инфракрасного диапазонов [3]. Суть лазерной очистки заключается в том, что и здесь также как и в процессе лазерного разделения изотопов осуществляется возбуждение и последующая диссоциация удаляемой примеси из сложной смеси молекул. Применение лазерной очистки веществ от примесей позволяет получить глубокую очистку (содержание примесей ниже 1 млн"1), которую нельзя достичь классическими методами, например, основанными на диффузии или центрифугировании, которые учитывают различие теплофизических параметров веществ, а не спектральных. с р

Создание мощных лазеров с длительностью импульса (10" -г 10",z) с позволило вводить энергию в молекулы через возбуждение внутренних степеней свободы, создавая распределение частиц с эффективной температурой существенно большей равновесной температуры термостата [4]. Так при возбуждении молекул в газовой фазе импульсным излучением СОг-лазера возможно осуществить диссоциацию молекул в определённом объёме на атомы и свободные радикалы, находящиеся в основных состояниях (электронных, колебательных) с концентрацией см"3 за время действия лазерного импульса. Это открывает новые возможности изучения элементарных процессов - измерение констант скорости химических реакций с участием атомов и свободных радикалов, что весьма важно для оптимизации вышеуказанных технологических процессов.

В общем случае могут быть реализованы качественно различные варианты возбуждения молекул в зависимости от соотношения длительности времени возбуждения и длительности времён, характеризующих молекулярные времена релаксации энергии. Самым коротким временем (10'10-И0"12) с [5, 6] является время межмодовой стохастизации энергии внутри молекулы в результате взаимодействия различных типов колебаний между собой внутри изолированной молекулы. А самым большим временем является время колебательно-поступательной (V-T) релаксации. Все химические процессы, протекающие за времена меньше времени V-T релаксации, принято считать фотохимическими. Эти процессы характеризуют неравновесную химию на микроуровне. Все химические процессы, протекающие на временах больших времени V-T релаксации, принято считать термохимическими, которые также характеризуются неравновесностью, но на макроуровне. Лазерные термохимические реакции это реакции, которые протекают под действием непрерывного инфракрасного (ИК) лазерного излучения (излучение СО2л л лазера) при плотности мощности ~ (10 -т- 10 ) Вт/см . Первые же работы [4, 7] показали, что кинетика протекания реакций под действием непрерывного ИК лазерного излучения существенно отличается от их протекания при обычном тепловом нагреве. Наиболее последовательное рассмотрение особенностей лазерных термохимических реакций дано в обзоре [8].

Особый интерес представляют процессы, индуцируемые лазерным излучением в гетерогенных условиях, например на границе раздела газ-твёрдое тело. Так при воздействии лазерного излучения на поверхность твёрдого тела (подложку), находящегося в атмосфере газа или паров вещества, осуществляются такие важные процессы для технологии как осаждение элементов из газовой фазы, сухое травление, легирование. Эти процессы могут протекать как за счёт чисто термохимических реакций, фотохимических, так и смешанных. Возможно протекание этих процессов как в объёме над поверхностью твёрдого тела, так и на его поверхности одновременно за счёт фотохимических и термохимических реакций. В этом случае важно установить роль каждого из процессов. Важной задачей является получение количественных данных о гетерогенных процессах, протекающих на границе раздела газ-твёрдое тело. Одними из первых работ по стимулированию химических реакций на поверхности твёрдого тела были работы [9-11]. Особый интерес представляют химические реакции, сопровождаемые процессами осаждения элементов из паров металлоорганических соединений под действием лазерного излучения (LCVD), в частности, паров карбонилов переходных металлов, так как эти металлы широко применяются в микроэлектронике для создания микроструктур функциональной электроники.

Следующим важным как с фундаментальной, так и прикладной точек зрения является твёрдофазный синтез веществ под действием лазерного излучения. Лазерный процесс отличается от других процессов технологической чистотой. В то же время лазерное излучение позволяет инициировать реакции в определённом объёме, при этом оставляя холодными стенки реактора, то есть осуществлять гомогенный как газофазный, так и твёрдофазный синтез соединений. Причём скорости лазерного синтеза соединений на несколько порядков выше, чем при его проведении классическими методами [12]. Лазерное излучение позволяет также синтезировать соединения не только в объёме, но и на поверхности твёрдого тела, то есть осуществлять гомогенный твёрдофазный синтез соединений, например силицидов [13].

Из перечисленных выше задач по лазерно-индуцированным процессам следует отметить, что для успешного их решения необходимо иметь количественные данные о них, а именно знать скорости их протекания, константы скорости этих процессов как в гомогенных фазах, так и гетерогенных, а также установить закономерности протекания этих процессов. В существующей литературе недостаточно количественных данных о лазерно-индуцированных процессах, так как их получение является весьма сложной задачей, что не позволяет всегда однозначно интерпретировать экспериментальные результаты. Поэтому выбранные автором настоящей диссертационной работы объекты и задачи, связанные с изучением лазерно-индуцированных процессов, являются актуальными.

Целью диссертационной работы является изучение физико-химических процессов при воздействии лазерного излучения как на гомогенную фазу (газовую или твёрдую), так и гетерогенную (газ-твёрдое тело), протекающих при разделении лёгких изотопов в газовой фазе, сверхглубокой очистке соединений от органических микропримесей, осаждении атомов переходных металлов, например таких как Cr, Mo, Fe и т.д., из паров их карбонилов на поверхность твёрдого тела, а также твёрдофазном синтезе материалов функциональной электроники.

Диссертация состоит из введения, пяти глав, основных результатов и выводов, а также списка цитируемой литературы.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ

1 .Впервые из экспериментальных данных по степени диссоциации молекул CF3I в поле импульсного TEA С02-лазера и кинетических данных по абсолютной концентрации 12, полученных методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии (ВРЛС), определено значение константы скорости элементарного процесса CF3 +1—>CF3I: K2=(1,0±0,3)x10'10cm3/c, которое близко к её газокинетическому значению. Этим показана перспективность высокочувствительного метода ВРЛС в изучении механизма диссоциации молекул под действием лазерного излучения, а также в изучении вторичных газофазных химических реакций с участием атомов галогенов и нестабильных радикалов.

2.Показана принципиальная возможность и перспективность удаления микропримесей из газовой смеси молекул в условиях её гомогенного термического разогрева непрерывным излучением С02-лазера, когда только основные молекулы (ВС13) поглощают лазерное излучение, а примесные молекулы (С0С12) не поглощают это лазерное излучение. Впервые на основании предложенной кинетической модели, описывающей процессы возбуждения и релаксации молекул ВС13 и СОС12 при термохимическом воздействии на смесь этих молекул излучением непрерывного С02-лазера, показано, что основной вклад в колебательное возбуждение молекул вносят процессы столкновения.

3.При осаждении элементов из паров карбонилов переходных металлов (Сг, Мо, Fe) под действием лазерного излучения как в условиях термохимической, так и фотохимической их диссоциации установлен диффузионный механизм роста толщины осаждённых плёнок. Объяснены причины отклонения роста толщины осаждённых плёнок от диффузионного механизма, которые проявлялись при осаждении элементов на кварцевую подложку из паров Мо(СО)б и Fe(CO)5 под действием излучения KrF-лазера.

4.Из сравнения скоростей осаждения фотофрагментов при фотодиссоциации карбонилов Мо(СО)б и Fe(CO)5 лазерным излучением и скоростей осаждения атомов Мо и Fe на поверхность твёрдого тела установлено, что механизм образования атомов Мо и Fe осуществляется в результате вторичных реакций адсорбированных исходных молекул карбонилов и фотофрагментов, протекающих на поверхности твёрдого тела, так как значения скоростей осаждения фотофрагментов существенно выше (минимум на порядок), чем значения скоростей осаждения указанных атомов металлов.

5.Впервые показана возможность по данным об элементном составе осаждённых плёнок из паров Мо(СО)6 под действием излучения эксимерного KrF-лазера, а также из паров Fe(CO)5 под действием излучения Аг+-лазера и эксимерного KrF-лазера на различных временах экспозиции поверхности твёрдого тела (Si02, Si) лазерным излучением получить информацию о процессах как на поверхности, так и в газовой фазе над поверхностью твёрдого тела. Установлено, что на начальных стадиях осаждения элементный состав плёнок отражает, в основном, процессы, протекающие на их поверхности, а на последующих, когда наблюдается отклонение от диффузионного механизма осаждения, отражает, в основном, газофазные процессы над поверхностью твёрдого тела (подложки).

6.Впервые проведен гомогенный твёрдофазный лазерный синтез высокотемпературной сверхпроводящей керамики типа Y-Ba-Cu-O под действием непрерывного излучения С02-лазера. Показано, что время синтеза высокотемпературной сверхпроводящей фазы в интервале температур (500+800) °С составляет ~ 1 мин. Тогда как при гетерогенном твёрдофазном синтезе этой керамики время синтеза составляет десятки часов в интервале температур (700+1100) °С.

7.Впервые получены тонкие плёнки с магнитными и полупроводниковыми свойствами при осаждении элементов (Fe, О, С) из паров карбонила железа на подложку из Si02 и Si под действием излучения Аг+-лазера. Показано, что в

249 осаждённых плёнках, в основном, содержатся оксидные фазы FeO и Fe203, которые и обуславливают их магнитные и полупроводниковые свойства. Осаждённая плёнка обладает достаточно узкой запрещённой зоной (~0,01 эВ).

8.Впервые методом твёрдофазного лазерного синтеза с применением импульсного YAG:Nd+3-vJia3epa в поверхностном слое кремния получен узкозонный полупроводниковый материал (карбидосилицид железа) с шириной запрещённой зоны ~ 0,1 эВ. Этим методом также получены двухфазные сплавы силицидов железа, состоящие из полупроводниковой и металлической фаз с эквивалентной шириной запрещённой зоны < 0,3 эВ, ширина которой может варьироваться в зависимости от температурного режима лазерного синтеза. Полученные сплавы могут применяться в качестве фото-термо-тензопреобразователей, а способ их получения может быть основой экологически чистой технологии производства полупроводниковых материалов.

1. Грунвалд Э., Дивер Д., Кин Ф. Мощная инфракрасная лазерохимия.- М., "Мир", 1981, 134 с.

2. Robinson С.Р., Jensen R.J. Uranium Enrichment.- Springer-Verlag, Berlin; Heidelberg; New York, 1979, 269 p.

3. Мур К. Применение лазеров в спектроскопии и фотохимии.- М., "Мир", 1988, 268 с.

4. Карлов Н.В., Конев Ю.Б., Прохоров A.M. Об использовании лазеров для селективного разрыва химических связей.- Письма в ЖЭТФ, т. 14, 1971, с. 178-181.

5. Летохов B.C. Лазерно-индуцированные процессы в спектроскопии, разделении изотопов и фотохимии.- УФН, т. 148, 1986, с. 123-141.

6. Bauer S.H., Chick Kuei-Ru. The molecular dynamics problem in multiphoton excitation.- Chem.Phys.Lett., v.45, 1977, p.529-532.

7. Басов Н.Г., Маркин Е.П., Ораевский A.H., Панкратов А.В. Фотохимическое действие инфракрасного излучения.- ДАН СССР, т.198, 1971, с.1043-1045.

8. Бункин Ф.В., Кириченко Н.А., Лукьянчук Б.С. Термохимическое действие лазерного излучения.- УФН, т. 138, 1982, с.45-94.

9. Aussenegg R., Leither A., Lippitsch M.E. Surface Studies with Lasers.- Springer-Verlag, Berlin; Heidelberg; New York; Tokyo, v.33, 1983.1 l.Bauerle D. Laser Processing and Diagnostics.- Springer-Verlag, Berlin; Heidelberg; New York; Tokyo, v.39, 1984.

10. Стейнфелд Дж. Индуцируемые лазером химические процессы.- М., "Мир", 1984, 309 с.

11. D'Anna E., Leggieri G. and Luches A. Laser synthesis of thin films of metal silicides.- Thin Solid Films, v.218, 1992, p.95-108.

12. Noyes W.A., Leighton P.A. The Photochemistry of Gases.- Dover Publication, New York, 1966.15.0кабе X. Фотохимия малых молекул.- М., "Мир", 1981, 500 с.1 б.Кондратьев В.Н., Никитин Е.Е. Кинетика и механизм газофазных реакций.-М.,"Наука", 1975, 558 с.

13. Робинсон П., Холбрук К. Мономолекулярные реакции.- М.,"Мир", 1975, 380 с.

14. Акулин В.М., Карлов Н.В. Интенсивные резонансные взаимодействия в квантовой электронике.- М., "Наука", 1987, 308 с.

15. Делоне Н.Б. Взаимодействие лазерного излучения с веществом.- М., "Наука", 1989, 278 с.

16. Mulenko S.A. The dissociation mechanism of CH3I molecules in TEA CCVlaser field.- Rev.Roum.de Phys., T.34, 1989, p. 1017-1022.

17. Карлов H.B., Петров Ю.Н., Прохоров A.M., Стельмах O.M. Диссоциация молекул трихлорида бора излучением С02-лазера.- Письма в ЖЭТФ, т. 11, 1970, с.220-222.

18. Mayer S.W., Kwok М.А., Gross R.W.F., and Spencer D.J. Isotope separation with the cw hydrogen fluoride laser.- Appl.Phys.Lett., v. 17, 1970, p.516-519.

19. Yeung E.S. and Moor C.B. Isotope separation by photopredissociation.-Appl.Phys.Lett, v.21, 1972, p. 109-110.

20. Герцберг Г. Электронные спектры и строение многоатомных молекул.- М., "Мир", 1969, 772 с.

21. Карлов Н.В., Прохоров A.M. Лазерное разделение изотопов.- УФН, т. 118, 1976, с.583-609.

22. Никитин Е.Е. Теория элементарных атомно-молекулярных процессов в газах,- М., "Химия", 1970, 456 с. .

23. Самсонов Ю.Н., Петров А.К. Лазерные системы.- Новосибирск, "Наука", 1980, 192 с.

24. Жаботинский А.Н. Концентрационные автоколебания.- М., "Наука", 1974, 178 с.

25. Хаген Г. Синергетика.- М., "Мир", 1980, 404 с.

26. Прохоров A.M., Урсу И., Конов В.И., Михэилеску И.Н. Взаимодействие лазерного излучения с металлами.- М., "Наука", 1988, 537 с.

27. Бункин Ф.В., Кириченко Н.А., Лукьянчук Б.С. О принципиальной возможности селективного управления реакциями в лазерной термохимии.-Квантовая электроника, т.7, 1980, с.2658-2660.

28. Карлов Н.В., Прохоров A.M. Селективные процессы на границе раздела двух сред, индуцированные резонансным лазерным излучением.- УФН, т. 123, 1977, с.57-82.

29. Geoffroy G.L. and Wrighton M.S. Organometallic Photochemistry, Academic, New York, 1979.

30. Волькенштейн Ф.Ф. Физико-химия поверхности полупроводников.- М., "Наука", 1973,399 с.

31. Гольданский В.И., Намиот В.А., Хохлов Р.В. О возможности управления поверхностными явлениями с помощью лазерного излучения.- ЖЭТФ, т.70, 1976, с.2348-2359.

32. Hill G.H., Grunwald Е., and Keehn P. Megawatt Infrared Laser Chemistry of CC12F2. Derived from the Excitation of Two Distict Vibrational Modes.-J.Am.Chem.Soc., v.99, 1977, p.6521-6526.

33. Grunwald E., Olszyna K.J., Denver D.F., and Knishkowy B. Megawatt Infrared Laser Chemistry of CHC1F2. Photochemistry, Photophysics, and Molecular

34. Dynamics of Excitation.- J.Amer.Chem.Soc., v.99, 1977, p.6515-6521.

35. Калверт Дж., Пите Дж. Фотохимия.- М., "Мир", 1968, 671 с.

36. Качмарек Ф. Введение в физику лазеров.- М., "Мир", 1981, 540 с.

37. Муленко С.А., Лутошкин В.И., Костромина Н.А., Волков С.В. Изучение флуоресценции состояния 5Do иона европия в газовой фазе.- Теоретическая и экспериментальная химия, № 3, 1985, с.367-370.

38. Crumbaker Т.Е., Natoli J.Y., Berbezier I. and Derrien J. Growth of P-FeSi2 on silicon substrate by chemical beam epitaxy.- J.Cryst.Growth, v.127, 1993, p.158-164.

39. Волков C.B., Гурко А.Ф., Лутошкш B.I., Муленко С.А., Боцман А.В. Лазери в xiMii.- Вюник Академп Наук Укра'шскоУ РСР, № 8, 1986, с.65-77.

40. Fuss W., Kompa К. The impotance of spectroscopy for infrared multiphoton excitation.- Progr.Quant.Electron., v.7,1981, p.l 17-151.

41. Муленко С.А., Лутошкин В.И. Изучение элементарных процессов с участием радикалов СН3 и атомов I методом внутрирезонаторной лазерной спектроскопии. Журнал прикладной спектроскопии, т.42, 1985, с.559-566.

42. Герцберг Г. Колебательные и вращательные спектры многоатомных молекул.- М., ИЛ, 1949, 648 с.

43. Mulenko S.A. The application of an intracavity laser spectroscopy method for elementary processes study in gas-phase reactions.- Rev.Roum.de Phys., T.32, 1987, p.173-178.

44. Mulenko S.A., Chaus A.I. Application of an Intracavity Laser Spectroscopy Based on Ar+-Laser for the Detection of Unstable Molecules in Liquid Phase.- Proc. ofthe 11 th Intern.Congr. "LASER 93", Springer-Verlag, 1993, p.853-856.

45. Mulenko S.A., Chaus A.I. Application of an Intracavity Laser Spectrometer Based on CW C02-Laser for the Detection of Molecules in Gas-Phase.- Proc. of the 10 th Intern.Congr."LASER 91", Springer-Verlag, 1991, p. 186-191.

46. Краснов K.C., Тимошинин B.C., Данилова Т.Г., Хандожко C.B. Молекулярные постоянные неорганических соединений.- "Химия", Ленинградское отделение, 1968, 256 с.

47. Hinkley E.D. Comment on Tunable Spin-Flip Laser and Infrared Spectroscopy.-Phys.Rev., v.3A, 1971, p.833-834. .

48. Atmanspacher H., Scheingraber H., and Vidal C.R. Dynamic of laser intracavity absorption.- Phys.Rev., v.32A, 1985, p.254-267.

49. Greiner N.R. Flash Photolysis of H202 vapor in the presence of D2, Ar, and H20 .The J.Chem.Phys., v.45, 1966, p.99-103.

50. Schurgers M. and Welge K.H. Absorptionkoefflzient von H202 und N2Ht zwischen 1200 und 2000 A.- Zeitschrift fur Naturforschung, v.23A, 1968, p.1508-1510.

51. Mulenko S.A. The Application CW C02-Laser for Synthesis of the High -Temperature Superconducting Y-BarCu-0 Ceramics.-Proc. of the 9 th Intern.Congr. "LASER 89", Springer- Verlag, 1990, p. 734-737.

52. Муленко С.А. Синтез высокотемпературной сверхпроводящей керамики Y-Ba-Cu-0 под действием излучения С02-лазера.- Письма в ЖТФ, т. 14, 1988, с.1875-1879.

53. Тесленко В.В. Индуцируемые лазером химические реакции осаждения из газовой фазы,- Успехи химии, т.59, 1990, с. 177-196.

54. Хаггерти Дж., Кеннон У. Индуцируемые лазером химические процессы.- М., "Мир", 1984, 184 с.

55. Ehrlich D.J., Osgood R.M., Jr., and Deutsch T.F. Laser Microphotochemistry for Use in Solid-State Eletronics.- IEEEJ.Quant.Electr., v.QE-16, 1980, p.1233-1243.

56. Карлов H.B., Кириченко H.A., Лукьянчук Б.С. Лазерная термохимия.-М.,1. Центрком", 1995, 366 с.

57. Wood Т.Н., White J.C., and Thacher B.A. Ultraviolet photodecomposition for metal deposition: Gas versus surface phase processes.- Appl.Phys.Lett., v.42, 1983, p.408-410.

58. Lax M. Temperature rise induced by a laser beam.- J.Appl.Phys., v.48, 1977, p.3919-3924.

59. Sparks M., and Jr.Loh E. Temperature dependence of absorptance in laser damage of metallic mirrors: I. Melting.- J.Opt.Soc.Am., v.69, 1979, p.847-858.

60. Ахманов С.А., Никитин С.Ю. Физическая оптика.- Из-во Московского университета, 1998, 655 с.

61. Draper C.W. Growth of Molybdenum "Cobwebs" Following Pulsed Laser Irradiation of Molybdenum Carbonyl and Straight-Chained Hydrocarbons.-J.Phys.Chem., v.84, 1980, p.2089-2090.

62. Allen S.D. and Trigubo A.B. Laser chemical vapor deposition of selected area Fe and W films.- J.Appl.Phys, v.54, 1983, p.1641-1643.

63. Allen S.D, Trigubo A.B, and Teisinger M.L. Summary Abstract: properties of several types of films deposited by laser CVD.- J.Vac.Sci.Technol, v.20, 1982, p.469-470.

64. Hanabusa M, Namiki A, Yoshihara K. Laser-induced vapor deposition of silicon.- Appl.Phys.Lett, v.35, 1979, p.626-627.

65. Leyendecker G, Bauerle D, Geittner P. and Lydtin H. Laser induced chemical vapor deposition of carbon.- Appl.Phys.Lett, v.39, 1981, p.921-923.

66. Leyendecker G, Noll H, Bauerle D, Geittner P, Lydtin H. Rapid

67. Determinanation of Apparent Activation Energies in Chemical Vapor Deposition.-J.Electrochem.Soc., v.130, 1983, p.157-160.

68. Houle F.A., Jones C.R., Baum Т., Pico C., and Kovac C.A. Laser chemical vapor deposition of copper.- Appl.Phys.Lett., v.46, 1985, p.204-206.

69. Baum Т.Н. and Jones C.R. Laser chemical vapor deposition of gold.-Appl.Phys.Lett., v.47, 1985, p.583-540.

70. Jackman R.B., Foord J.S., Adams A.E. and Lloyd M.L. Laser chemical vapor deposition of patterned Fe on silica glases: Observation and origins of periodic ripple structures.- J.Appl.Phys., v.59, 1986, p.2031-2034.

71. Weast R.C. and Astle M.J. Handbook of Chemistry and Physics.- CRC, Boca Raton, FL, 1980.

72. Салун B.C., Канаев И.Ф., Сербинов И.А., Решетников И.Е., Ормонт А.Б., Бывалин Д.А., Рябова JI.A., Малиновский В.К. Получение микроструктур карбида кремния лазерным пиролизом.- Письма в ЖТФ, т. 13, 1987, с.823-828.

73. Грибов Б.Г., Домрачев Г.А., Жук Б.В. и др. Осаждение плёнок и покрытий разложением металлоорганических соединений.- М., "Наука", 1981, 322 с.

74. Krauter W., Bauerle D., and Timberger F. Laser Induced Chemical Vapor Deposition of Ni by Deposition ofNi(CO)4.- Appl.Phys.Lett., v.A31, 1983, p. 1318.

75. Deutsch T.F., Ehrlich D.J., and Osgood, Jr. R.M. Laser photodeposition of metal films with microscopic features.- Appl.Phys.Lett., v.35, 1979, p. 175-177.

76. Ehrlich D.J., Osgood R.M., Jr., and Deutsch T.F. Spatially delineated growth of metal films via photochemical prenucleation.- Appl.Phys.Lett., v.38, 1981, p.946-948.

77. Ehrlich D.J. and Osgood R.M. Jr. UV photolysis of Van der Waals molecular films.- Chem.Phys.Lett.,v.79, 1981, p.381-388.

78. Andreatta R.W., Abele C.C., Osmundsen J.F., Eden J.G., Lubben D., and Creene J.E. Low-temperature growth of polycrystalline Si and Ge films by ultravioletlaser photodissociation on silane and germane.- Appl.Phys.Lett, v.40, 1982, p.183-185.

79. Ehrlich D.J, Osgood R.M, Jr., and Deutsch T.F. Direct Writing Refractory Metal Thin Film Structures by Laser Photodeposition.-J.Electronchem.Soc, v. 128, 1981, p.2039-2041.

80. Solanki R, Boyer P.K, Mahan J.E, and Collins G.J. Laser photodeposition of refractory metals.- Appl.Phys.Lett, v.38, 1981, p.572-574.

81. Solanki R, Boyer P.K, and Collins G.J. Low-temperature refractory metal film deposition.- Appl.Phys.Lett,v.41, 1982, p. 1048-1050.

82. Кислов H.A, Дерновский В.И, Маликов И.В, Аристов В.В. Исследование кинетики лазерно-химического осаждения плёнок из пентакарбонила железа.- Поверхность. Физика, химия, механика, т.6, 1985, с.96-100.

83. Кислов Н.А. Исследование процесса газофазного фотостимулированного лазерно-химического осаждения из карбонилов переходных металлов.-Поверхность. Физика, химия, механика, т.1, 1989, с. 119-126.

84. Fletcher T.R. and Rosenfeld R.N. Stadies on the Photochemistry of Chromium Hexacarbonyl in the Gas Phase: Primary and Secondary Processes.-J.Amer.Chem.Soc, v.107, 1985, p.2203-2212.

85. Seder T.A, Church S.P, and Weitz E. Wavelength Dependence of Excimer Laser Photolysis of Spectroscopy and Reactions of the Cr(CO)x (x=5, 4,3,2) Fragments.-J.Am.Chem.Soc, v. 108, 1986, p.4721-4728.

86. Mikami N, Oki R. and Kido H. Two-color multiphoton dissociation / ionization of jet-cooled Crin(acac)3 and Cr(CO)6. Appearance energies of Cr atom.-Chem.Phys, v.127, 1988, p.161-171.

87. Jackson R.L. and Tyndall W. Kinetic and mechanism of laser induced photochemical deposition from the group 6 hexacarbonyls.- J.Appl.Phys, v.64, 1988, p.2092-2102.

88. Jackson R.L, Tyndall G.W. and Sather S.D. CW and pulsed UV laser-induced deposition from Cr(CO)6, Mo(CO)6, and W(CO)6.- Appl.Surf.Sci, v.36, 1989,p.119-133.

89. Konstantinov L., Nowak R. and Hess P. KrF laser deposition of chromium films from Сг(СО)б: in situ detection of film growth by laser transmission experiments.-Thin Solid Films, v.218, 1992, p. 15-28.

90. Creighton J.R. Photodecomposition of Mo(CO)6 adsorbed on Si(100).-J.Appl.Phys, v.59, 1986, p.410-414.

91. Semancik S. and Estrup P.J. The kinetics of CO dissociation on Mo(OOl).-Surf.Sci., v.104, 1981, p.26-38.

92. Nanai L., Hevesi I, Bunkin F.V., Luk'yanchuk B.S.,Brook M.R., Shafeev G.A., Wu Z.C. and George T.F. Laser-induced metal deposition on semiconductors from liquid electrolytes.- Appl.Phys.Lett., v.54, 1989, p.736-738.

93. ЮО.Барре П. Кинетика гетерогенных процессов,- М., "Мир", 1976, 399 с.

94. Либенсон М.Н., Оксман Я.А., Семёнов А.А. Роль термохимических явлений в лучевой эрозии арсенида галлия.- ЖТФ, т.51, 1981, с.1468-1476.

95. Райченко Л.И. Математическая теория диффузии в приложениях.- Киев, "Наукова думка", 1981, 396 с.

96. ЮЗ.Лариков Л.Н., Исайчев В.И. Диффузия в металлах и сплавах.- Киев, "Наукова Думка", 1987, 509 с.

97. Ю4.Дьюли У. Лазерная технология и анализ материалов.- М., "Мир", 1986, 502 с.

98. Баграташвили В.Н., Должиков B.C., Летохов B.C., Рябов Е.А. Изотопически-селективная диссоциация молекул CF3I при повышенном давлени и под действием импульсного излучения С02-лазера.-Письма в ЖТФ, т.4, 1978, с.1181-1186.

99. Bittenson S., Houston P.I. Carbon Isotope Separation by Multiphoton Dissociation of CF3I.- J.Chem.Phys., v.67, 1977, p.4819-4824.

100. Андреева Т.Л. Кузнецова С.В., Маслов А.И., Собельман И.И., Сорокин В.Н. Исследования реакций возбуждённых атомов йода с помощью фотодиссоционного лазера. -Химия высоких энергий, т.6, 1972,с.418-424.

101. Avscough P.B. Rate of Recombination of Radicals. II. The Rate of

102. Recombination of Trifluormethyl Radicals.- The J.Chem.Phys,v.24, 1956, p.944- 946.

103. Термодинамические свойства индивидуальных веществ. под редакцией В.П.Глушко, т.1, Из-во АН СССР, М., 1962, 497 с.

104. И.Свердлов Л.М, Ковнер М.А, Крайнов Е.Н. Колебательные спектры многоатомных молекул. М, Из-во "Наука", 1970, 559 с.

105. М.Баграташвили В.Н, Должиков B.C., Летохов B.C., Макаров А.А, Рябов Е.А, Тяхт В.В. Многофотонное инфракрасное возбуждение и диссоциация молекул CF3I: эксперимент и модель. -ЖЭТФ, т.77, 1979, с.2238-2253.

106. Newton J.H, Person W.B. Dipol moment derivatives and infrared intensities. IV. Prediction of absolute infrared intensities of the fundamental vibrations of CF2 and CF3 radicals.- Chem.Phys, v.68, 1978, p.2799-2805.

107. Гурвич Л.В, Карачевцев Г.В. Кондратьев B.M, Лебедев Ю.А, Медведев В.А, Потапов В.К. Ходеев Ю.С. Энергия разрыва химических связей. Потенциалы ионизации и сродство к электрону, -М, "Наука", 1974, 351 с.

108. Stull D.R, Prophet Н. JANAF thermochemical tables.- 2 nd ed, Washington, 1971.

109. Рид P., Шервуд Т. Свойства газов и жидкостей. -Л, "Химия", 1971, 701с.

110. Braker W, Mossman A.L. Matheson Gas Data Book. Matheson Gas Products.

111. East Rutherford, New Jersey, 1971, 39 p.

112. Merrit J. A., Robertson L.C. Removal of phosgene impurity from boron trichloride by laser radiation.- J.Ghem.Phys., v. 67, 1977, p.3545-3548.

113. Kaufman Y.J., Oppenheim U.P. Time-resolved molecular excitation and effects induced by infrared radiation.- Appl.Opt., v. 16, 1977, p. 1931-1935.

114. Глушко В.П., Гурвич Jl.B., Бергман Г.А. и др. Термодинамические свойства индивидуальных веществ,- М., "Наука", 1979, 439 с.

115. Mulenko S.A. The removal of the impurity from BC13 with a laser thermochemical method.- Rev.Roum.Phys., T.34, 1989, p. 1023-1028.

116. Криксунов Л.З. Справочник по основам инфракрасной техники.-М., "Советское радио", 1978, 400 с.

117. Pascal P. Nouveau Fraite de Chimie Mineral.- Masson, Paris, v. 14, 1959.

118. Сыркин В.Г., Бабин B.H. Газ выращивает металлы.- М., "Наука", 1986, 190 с.

119. Mulenko S.A., Chaus A.I., Alexandrescu R., Voicu I. Deposition of Chromium Films by the Thermochemical Dissociation of Chromium Hexacarbonyl Vapor with cw C02-Laser.- Proc. of the 10 th Intern.Congr. "LASER 91", Springer-Verlag, 1991, p.360-363.

120. Ахманов С.А., Никитин С.Ю. Физическая оптика.-Из-во Московского университета, 1998, 655 с.

121. Шульце Г. Металлофизика.- М., " Мир", 1971, 503 с.

122. Власов Г.А., Заслонко И.С., Карасевич Ю.К., Смирнов В.Н. Реакции и конденсация атомов металлов в ударных волнах.- Кинетика и катализ, т.40, 1999, с. 676-687.

123. Самсонов Т.В, Булгакова Т.Г, Бурыкин A.JT. и др.Физико-химические свойства окислов.- М, "Металлургия", 1978, 456 с.

124. Alexandrescu R, Andrei A, Morjan I, Mulenko S, Stoica M. and Voicu I. Temporal evolution in UV-laser-induced deposition from Мо(СО)б-- Thin Solid Films, v.218, 1992, p.68-74.

125. M.M. Кириллова, Л.В. Номерованная, М.М. Носков. Оптические свойства монокристалла молибдена, ЖЭТФ, т.60, 1971,с.2252-2259.

126. Samoriski В. and Chaiken J. Structure dependent competition between multiphoton absorption and intramolecular energy redistribution in organomolybdenum compounds: State selective production of molybdenum atoms.- J.Chem.Phys, v.90, 1989, p.4079-4090.

127. Briggs D. and Seah M.P. Practical Surface Analysis by Auger and X-ray Photoelectron Spectroscopy.- Wiley, Chichester, 1983.

128. Xu X. and Steinfeld J.I. UV-laser photodeposition of iron films from Fe(CO)s: role of gas-phase and surface dissociation processes.- Appl.Surf.Sci, v.45, 1990, p.281-300.

129. Куликов И.С. Изотопы и свойства элементов. М, "Металлургия", 1990, 112 с.

130. Gluck N.S, Wolga G.J, Bartosch C.E, Ho W, and Ying Z. Mechanisms of carbon and oxygen incorporation into thin metal films grow by laser photolysis of carbonyls.- J.Appl.Phys, v.61, 1987, p.998-1005.

131. HO.Andreoni W. and Varma C.M. Binding and dissociation of CO on transition-metal surface.- Phys.Rev.B, v.23, 1981, p.437-448.

132. Hl.Yardley J.T, Gitlin B, Nathanson G, and Rosan A.M. Fragmentation and molecular dynamics in the laser photodissociation of iron pentacarbonyl.-J.Chem.Phys, v. 74, 1981, p.370-378.

133. Mulenko S.A, Pogorelyi A.N, Dmitruk A.N, and Ovechko V.S. Laser Deposition of Thin Metallic Films from the Gas Phase with Optical Control.-Met.Phys.Adv.Tech, v. 16, 1997, p.647-660.

134. Kudryavtzev Yu.V., Dubowik J., Stobiecki F., Nemoshkalenko

135. V.V., Kucherenko A.Yu. Magnetooptical studies of Fe/Zr wedge-shaped multilayer.- Thin Solid Films, v.310, 1997, p. 10313-10317.

136. Mulenko S.A., Pogorelyi A.N., Alexandrescu R., Voicu I. Deposition of Elements from Fe(CO)s Induced with Laser Radiation.-Proc. of the 12 th Intern.Congr. "LASER 95", Springer-Verlag, 1995, p.1033-1036.

137. Voicu I., Alexandrescu R., Cireasa R., Morjan I., Dumitras D.C., Mulenko S., Pogorelyi A., and Andrei A. A Comparative Study of Iron-Based Film Deposition from Iron Pentacarbonyl at 248 nm and 488 nm.- Journ.de Physiq., v.5, 1995, p.679-686.

138. Скоков И.В. Оптические итерферометры.- M., "Машинстроение", 1979, 128 с.

139. Mulenko S.A., Pogorelyi A.N. Deposition of thin magnetic films from organometallic composition under the action of laser radiation.-J.Magn.Magn.Mater., v.157/158, 1996, p.299-300.

140. Wu M.K., Ashburn J.R., and Torng C.J. Superconductivity at 93 К in a New Mixed-Phase Y-Ba-Cu-O Compound System at Ambient Pressure.-Phys.Rev.Lett., v.58, 1987, p.908-910.

141. Thomas G.A. Far infrared spectra of polycrystalline Ba2YCu309.5.- Phys.Rev.B, v.36, 1987, p.846-849.

142. Wert С.A, Thomson R.M. Physics of Solids.- Mc Graw-Hill Book Company, New York-San Francisco-Toronto-London, 1964, 556 p.

143. Mulenko S.A., Ovechko V.S. Laser-induced formation of semiconductor films based on transition-metal silicides.- Proc. EUROPTO Series, v.3822, 1999, p.46-53.

144. Chevrier J, Natoli J.Y, Berbezier I, Ronda A. and Derrien J. Semiconducting silicide-silicon heterostructures.- Solid State Phenomena, v.32-33, 1993, p.39-50.

145. Стащук B.C., Горбань H.M. и Петренко T.A. Исключение влияния слоя окисла на оптические свойства железа. Оптика и спектроскопия, т.49, 1980, с.573-577.

146. Веденов А.А, Гладуш Г.Г. Физические процессы при лазерной обработке материалов.- М, "Энергоатомиздат", 1985, 206 с.

147. Кэй Д. и Лэби Т. Справочник физика-экспериментатора.- М, ИЛ, 1949, 298 с.

148. Кэй Д, Лэби Т. Таблицы физических и химических постоянных.- М, "Госиздат физ.-мат. лит.", 1962, 246 с.1 бО.Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов.- М, "Высшая школа", 1987, 238 с.

149. Mulenko S.A. Laser Deposition of Semiconductor Thin Films from Iron Carbonyl Vapours.- Металлофизика и новейшие технологии, т.23, 2001, с. 35-41.

150. Poate J.M. and Mayer J.W. Laser Anneling of Semiconductors.- Academic Press, New York, 1982, 78 p.

151. Григорьев И.С, Мейлихов Е.З. Физические величины.- М, "Энергоатомиздат", 1991, 1231 е.

152. Ренский А.Б, Баранов Д.С, Макаров Р.А. Тензометрические измерения строительных конструкций и материалов.- М, "Стройиздат", 1977, 556 с.

153. Профос П. Измерения в промышленности. Теоретические основы.- М, "Металлургия", 1990, 490 с.264

154. Mulenko S.A., Nishchenko M.M., Gorbachuk N.T. Laser-synthesis of disilicides based on iron and their application for photo-thermo-tensoconverters.- Proc. SPIE, v.4157, 2001, p.263-268.