Люменесценция и фотоэлектрические свойства полупроводниковых монокристаллов La2S3 и La2O2S, легированных редкоземельными ионами тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.

ГЛАВА I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР.

§1.1. Полуторный сульфид лантана t-la. S,.о

1.1.1. Структура энергетических зон f-Ld^^.

1.1.2. Фотоэлектрические свойства кристаллов

1.1.3. Спектрально-люминесцентные свойства fLazS3 iNd.i

§1.2. Оксисульфид лантана Lq^O^S

1.2.1.Спектрально-люминесцентные свойства bJ(L в LQzOzS.

1.2.2. Оксисульфиды Р.З. элементов, легированные и Тв.

ГЛАВА П. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ

§2.1. Исследование фотопроводимости высокоомных образцов.

§2.2. Исследование термостимулированной проводимости

§2.3. Методика исследования оптических и люминесцентных свойств кристаллов

ГЛАВА Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ J- LazS3, АКТИВИРОВАННЫХ

Vof И Се.

§3.1. Фотопроводимость и термостимулированная проводимость нелегированного ff- LCLZS$.

§3.2. Оптическое гашение собственной фотопроводимости нелегированного f~LcikS

§3.3. Излучательная рекомбинация в монокристаллах

§3.4. Монокристаллы г-La z з » легированные Nd и

3.4.1. Монокристаллы f : Md.

3.4.2. Люминесценция и фотопроводимость монокристаллов

Г- La*Ss 'Се

3.4.3. Перенос энергии возбуждения от Се к AId в кристалле f- Lq^ S3 ; Се : Ш.

ВЫВОДЫ.

ГЛАВА 1У. ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА

МОНОКРИСТАЛЛОВ LQzOZS , ЛЕГИРОВАННЫХ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫМИ ИОНАМИ ( М, £а ,Т6 ).

§4.1. Фотопроводимость кристаллов LOzO^S и

La^OzS:£u.

§4.2. Термостимулированная проводимость монокристаллов

Са&э .юз

4.3. Фотолюминесценция специально нелегированных монокристаллов La^Dz5.

4.4. Фотолюминесценция монокристаллов LO^D^S легированных Си и Тб.

4.5. Спектрально-люминесцентные свойства Ш в оксисульфиде лантана

4.6. Фотопроводимость и термостимулированная проводимость монокристаллов La^SiNd .:.1бз вывода.

В последнее время все больший интерес проявляется к исследованию полупроводниковых материалов, в состав которых входит редкоземельный (Р.З.) ион, к таким например, как и LnzO^X (Здесь La - Р.З. ион, х - ион халькогена). Важная особенность этих соединений заключается в том, что Р.З. активатор входит в регулярные узлы решетки в высокой концентрации вплоть до полного замещения ее катиона. При наличии полупроводниковых свойств это открывает принципиальную возможность эффективной накачки Р.З. ионов в таких матрицах не через узкие и слабые полосы их собственного поглощения, а путем оптического возбуждения в полосе фундаментального поглощения матрицы или ударного возбуждения примесных ионов свободными носителями, ускоренными электрическим полем. Кроме того, достаточно высокая фоточувствительность сульфидов Р.З. элементов ( itl^ S3 ) в сочетании со значительной шириной запрещенной зоны (2.0 -г 3.0 эВ) позволяет надеяться на использование этих материалов в оптоэлектронных устройствах, работающих во всем видимом диапазоне длин волн. Фоточувствительность оксисульфидов Р.З. элементов ( Lfl%OzS ) простираются в ультрафиолетовую область спектра (т.к. ширина запрещенной зоны 4.0 эв).

Однако вопрос о применении сульфидов и оксисульфидов Р.З. элементов в оптоэлектронике и лазерной технике сталкивается с малоизученно стью их полупроводниковых свойств. В литературе отсутствуют сведения о комплексном исследовании фотоэлектрических и люминесцентных свойств нелегированных кристаллов. При исследовании кристаллов LflxS3 и Ln^S , активированных Р.З. ионами, основное внимание уделялось спектрально-люминесцентным характеристикам активаторов в данных.матрицах. Не исследовано влияние полупроводниковой матрицы на спектрально-люминесцентные свойства активатора. Отсутствуют схемы энергетических уровней, объясняющие фотоэлектрические процессы в данных кристаллах.

Актуальность работы определяется необходимостью исследования фотоэлектрических и люминесцентных свойств новых широкозонных фоточувствительных материалов в связи с возможностью их использования в оптоэлектронике и лазерной технике.

Целью настоящей работы являлось комплексное исследование фотолюминесценции, оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов сульфидов и оксисульфидов редких земель, активированных трехвалентными Р.З. - ионами ( N& , Се\ £cl ,Т6 ) и их сопоставление с соответствующими свойствами специально нелегированных матриц для выяснения возможности увеличения эффективности возбуждения ионов NdL3 как при накачке в полосу поглощения сенсибилизирующего иона ( Св ), так и установления влияния полупроводниковой матрицы на спектрально-люминесцентные свойства Р.З. активатора.

Исследования проводились на кристаллах сульфида и оксисульфида лантана ( ^ -кубическая модификация и LolxO^

3f которые интересны тем, что у иона отсутствуют электроны на внутренней Af -оболочке; в этом случае интерпретация процессов возбуждения Р.З. активаторов и их взаимодействие с матрицей не осложнены наличием внутрицентрового поглощения катиона решетки.

Кристаллы f - э <Г ~ ^ " * были синтезированы в Институте неорганической химии СО АН СССР (группа А.А.

3 ^

Камарзина), кристаллы La^O^S t LCLxOz$:A/d , La^S >£ul\

T6* - в Гиредмете, г.Москва (группа Н.М.Пономарева).

Научная новизна.

1. Показано, что впервые обнаруженная и исследованная люминесценция нелегированного монокристалла $ - обусловлена излучательными переходами в донорно-акцепторных (Д-А) парах.

2. Доказано существование переноса энергии от квазинепрерыв-но распределенных у дна зоны проводимости ловушек к ионами Not? в f-La^^Nd1*

3. Установлено, что в монокристаллах существует эффективный при низких температурах перенос энергии от иона

Сел к иону tfd* .

4. Обнаружены и идентифицированы наиболее интенсивные полосы, наблюдаемые в спектре ФЛ АгсС в кристаллах %QxPiS :A/cL при стационарном возбуждении, обусловленные переходами с верхних возбужденных состояний иона МсС3 на мультиплеты основного терма.

5. На основе анализа экспериментальных результатов построены зонные модели основных электронно-дарочных переходов в кристаллах г - , г - Aaz$3 -Се3' , mlaAS:

Практическая значимость работы заключается в получении информации о фотоэлектрических и люминесцентных свойствах нелегированных кристаллов f - JL0iSs и когОх£ , а также о влиянии полупроводниковых свойств данных матриц на спектрально-люминесцентные характеристики Р.З. активаторов, необходимой при создании активных сред твердотельных лазеров и для использования материалов в оптоэлектронике. Обнаруженный эффективный перенос энергии возбуждения от иона Се3 к иону А/М3* открывает дополнительные возможности использования кристаллов -у - A(lxS3 'Сб2*' A/ot** в лазерной технике.

На защиту выносятся:

1. Результаты исследования фотолюминесценции (ФЛ), фотопроводимости (ФП) и термостимулированной проводимости (ТСП) кристаллов у* - , как нелегированных, так и легированных Р.З. активаторами и Св**.

2. Доказательство существования переноса энергии возбуждения от квазинепрерывного набора ловушек, расположенных у дна зоны проводимости к ионам bfcL1 в кристалле у ~ ' tfcL** и от сенсибилизирующего иона Св* к ионам кристалле г -Lats3 ■■сезк!Vd1'.

3. Результаты комплексного изучения ФП, ФЛ и ТСП нелегированных монокристаллов La^O^S , а также активированных Р.З. ионами

С HCLK £ll\ T63f).

3 ^

4. Обнаружение в монокристаллах излучательных переходов с верхних возбужденных состояний иона Ж^3 наряду с переходами из метастабильного состояния на мульти

Ь у плеты основного терма J.J . Идентификация наиболее интенсивных полос стационарной ФЛ неодима в Lot:bfd?* ; установление рекомбинационного механизма переноса энергии возбуждения от матрицы к ионам f{(Lb при возбуждении в полосе фундаментального поглощения La^S .

5. Построение зонных схем основных электронно-дырочных переходов, объясняющих процессы генерации и рекомбинации носителей заряда в кристаллах f - , ^ - :Се^ , IqAS >

La^S'&'TS*:

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы докладывались на П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках (Одесса, 1982г.), на Ш Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников (Тбилиси, 1983г.), на совместном заседании секции "Лазерные люминофоры" и Московского семинара по физике и спектроскопии лазерных кристаллов (Москва, ИК АН СССР, 1984г.), а также на научных семинарах лаборатории люминесценции Физического института АН СССР им.П.Н.Лебедева. По материалам диссертации опубликовано 10 печатных работ.

Диссертационная работа состоит из Введения, 4 глав и Заключения.

Выводы по 1У главе

1. Обнаружены полосы ФП в нелегированном кристалле LOgfi^S в областях 270*280 нм, 290*295 нм и 380*400 нм. Первая полоса ФП обусловлена фундаментальным, остальные - примесным поглощением света.

2. Обнаружена интенсивная полоса ФЛ в области 430*460 нм в нелегированном кристалле LQ^O^ . При возбуждении кристалла электронным пучком в спектре люминесценции появляется полоса с максимумом в области 380*400 нм.

3. Предложена схема энергетических уровней и электронных переходов в кристалле LQiO^^S .

4. Установлено, что легирование кристалла Ld^O^S европием приводит к возникновению двух акцепторных уровней с энергиями ионизации 0.17 и 0.31 эВ в запрещенной зоне LQzOaS .

5. Установлен рекомбинационный механизм перезарядки примесных ионов Ы и 7Г в матрице LoxOzS .

6. Обнаружены излучательные переходы из верхних возбузвденных состояний иона МГв La AS при стационарном возбуждении светом с hy > 3.0 эВ. Проведена идентификация наиболее интенсивных полос ФЛ NcL

7. Установлен рекомбинационный механизм возбуждения иона ш в Lqa0&S при оптической накачке в полосу фундаментального поглощения матрицы.

3 +

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании проведенной работы можно сделать следующие выводы:

1. При 80 К обнаружена интенсивная ФЛ нелегированных кристаллов Т- Lqs S, ( Д =720*730 нм). Установлено, что эта ФЛ

О * 3 max обусловлена излучательными переходами в Д-А парах, причем в качестве доноров выступают ловушки с квазинепрерывными распределением вблизи дна зоны проводимости.

2. Исследованы спектры возбуждения неодима в "jp- Lq^S3 'А/с( . Доказано существование переноса энергии от квазинепрерывного набора ловушек к ионам Nd.

3. В кристаллах If- * ^ обнаружена полоса ФЛ с максимумом в области бЮ-г-620 нм, связанная с излучательным переходом

Sd^f иона Сеъ*.

4. В кристалле 'jf- кСГ*. S3 ; Св обнаружен эффективный при низких температурах перенос энергии возбуждения от иона Св к иону И3*.

5. В результате комплексного исследования ФП, ТСП, ФЛ и температурных зависимостей ФП и ФЛ предложены схемы энергетических уровней в кристаллах -Jf- LQzSa , f- LQ^^'.Ce, id^O^S и

La^O^S :£cl ' ТВ .

6. В монокристаллах LatOtS :Nd обнаружено излучение с верхних возбужденных состояний иона при стационарном возбуждении. Сделан вывод, что эти излучательные потери энергии не являются принципиальными, поскольку интенсивность этих излучатель-ных переходов мала по сравнению с переходами ** Рэ/^ **Ij , эти полосы ФЛ неодима возбутвдаются лишь светом с энергией квантов з* больше 3.0 эВ, и, кроме того, с ростом концентрации неодима интенсивность излучения из верхних возбужденных состояний существенно падает.

7. Проведена идентификация излучательных переходов, ответственных за наиболее интенсивные полосы в спектре стационарной ФЛ

LqAS - NcL . На основе сопоставления ФП, ТСП с температурной зависимостью ФЛ неодима в Lq^O^S 'NcL предложен рекомбина-ционный механизм переноса энергии возбуждения от матрицы к Р.З. иону.

8. Установлено, что легирование кристаллов Lq^O^ европием приводит к появлению акцепторных уровней с энергией ионизации 0.17 эВ и 0.31 эВ. На основе исследования кинетики свечения и Тв , спектров возбуждения и температурных зависимостей ФЛ предложена схема электронно-дырочных процессов перезарядки этих ионов при оптическом возбуждении в полосе фундаментального поглощения и при фотоионизации акцепторных центров.

В заключение выражаю глубокую благодарность научному руководителю, доктору физ.-мат.наук, профессору А.Н.Георгобиани за постановку задачи, постоянное внимание и помощь в работе.

Выражаю искреннюю благодарность за помощь и консультации В.И.Демину, за участие в обсуждении результатов И.М.Тигиняну, а также И.А.Щербакову, М.В.Глушкову и Ж.А.Пухлий за плодотворное сотрудничество.

Считаю своим долгом выразить благодарность А.А.Камарзину, В.В.Соколову и Н.М.Пономареву за изготовление кристаллов.

1. А.В.Голубков, Е.В.Гончарова, В.П.Дузе, Г.М.Логинов, В.М.Сергеева, И.А.Смирнов. Сб. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов. - Л., Наука, 1973, 304 с.

2. Meisel К. Kristallstrituren von Thorium ph.osph.iden,- Zeit-sehrift fur anorganishe und allgemeine Chemie, 1939, 240, p.300-312.

3. W.H.Zachariasen. Crystal Chemical Studies of the 5f-series of Elements. I.Hew Structure Types.-Acta Crystallogr., B, 1948, 1, p.265-268.

4. Y/eH.Zachariasen. Crystal Chemical Studies of the 5f series of Elements. VI. The CegS^-Ce^S^ type of StructurerActa Crystallogr., B, 1949, 2, p.57-60.

5. К.Ф.Караваев, Н.В.Кудрявцева, В.А.Чалдышев. Структура энергетического спектра электронов в кристаллах типа Рц . ФТТ, 1962, №4, с.3471-3481.

6. Г.Ф.Караваев. Исследование энергетического спектра и правил отбора для непрямых переходов электронов в кристаллах. Автореферат дисс. на соискание учен.ст.к.ф.-м.н., Томск, 1965г.

7. М.В.Андрияшик, В.И.Марченко. G6: Получение и исследование свойств соединений редкоземельных металлов. ОНТИ ИПМ АН УССР, Киев, 1975, с.18-25.

8. В.И.Марченко, М.В.Андрияшик, В.А.Сердюк, А.Г.Заяц. Исследование непрямых электронных переходов в кристаллах сесквихалько-генидов лантана. Оптика и спектроскопия, 1977, т.43, вып.5, с. 915-918.

9. А.И.Ансельм. Введение в теорию полупроводников. Л., Наука, 1978, 616 с.

10. Г.В.Лашкарьов, Ю.Б.Падерно, С.В.Радзиковская, В.П.Федорченко. Електричш властивост! SmzS3 . 1965, тХ, №5,с.520-524.

11. Т.П.Скорняков, А.А.Гризик, Н.М.Пономарев, Т.П.Чукина. Оптические исследования некоторых сульфидов /.& и Вт в ИК области. Ж. прикладной спектроскопии, 1972, т.17, с.814-818.

12. Ф.К.Волынец, Г.М.Дронова, Н.В.Векшина, И.А.Миронов. Стехиометрия и оптические свойства сульфидов лантана при горячем прессовании. Изв. АН СССР, серия: Неорганические материалы, 1977; т.13, №3, стр.526-527.

13. Г.В.Лашкарьов, Ю.Б.Падерно. Електричш властивост/ та.

14. NdSz . УФЖ, 1965, №5, с.566-568.

15. Г.В.Лашкарев, В.А.Оболончик, С.В.Радзиковская, В.П.Федорченко, Т.М.Михлин. Электрические свойства сульфидов и селенидов редкоземельных элементов состава /V^Xj • ЗЩ» 1970, т. 15, с.1560-1562.

16. В.Л.Константинов, Г.П.Скорняков, А.А.Камарзин, В.В.Соколов. Оптические свойства монокристаллов LqzS5 . Изв.АН СССР, серия: Неорган.материалы, 1978, т.14, №5, с.843-845.

17. В.П.Жузе, А.А.Камарзин, М.Г.Карин, К.К.Сидорин, А.И.Шелых. Оптические свойства и электронная структура сесквисульфидовредкоземельных металлов в области фундаментального поглощения.-ФТТ, 1979, т.21, вып.II, с.3410-3415.

18. В.И.Соколов, Г.П.Скорняков, А.А.Камарзин, Н.М.Пономарев. О природе края поглощения Lq^S^ . АН СССР, Уральский научный центр, Сб: Оптические исследования полупроводников, 1980,с.58-59.

19. З.Метфессель, Д.К.Маттис. Магнитные полупроводники. М., Мир, 1972, с.1-495.

20. Л.Н.Глурджидзе, Т.Д.Кехайов, Т.Л. Шалава, З.У.Джабуа, В.В.Са-надзе. Оптические свойства тонких пленок полуторного сульфида самария при 300 К. ФТТ, 1979, т.21, вып.П, с.3496-3499.

21. А.А.Камарзин, В.Ф.Камышлов, Э.Г.Косцов, Ю.Н.Маловицкий. Фотопроводимость сесквисульфидов редкоземельных металлов. Изв. АН СССР, сер.неорг.материалы, 1981, т.17, №12, с.2143-2145.

22. Л,В.Астафьева, Г.П.Скорняков, А.А.Камарзин, Ю.Н.Маловицкий. Фотопроводимость полуторного сульфида лантана. ФТТ, 1982, т.24, вып.2, с.647-649.

23. И.А.Смирнов. Редкоземельные полупроводники перспективы развития и применения. - Ж.Всесоюзного химического общества им. Д.Н.Менделеева, 1981, т.26, №6, с.2-11.

24. Т.М. Batirov, V.M.Eridkin, A.A.Kamarzin, Ju.U.Malovitskii, K.A.Verkhovskaya. Photoconductivity and Anomalous Photovoltaic effect in Cubic Piezoelectric La2Sу Phys.Stat.Sol.(a), 1981, 65, K163-165.

25. В.М.Фридкин. Фотосегнетоэлектрики . M., Наука, 1979, с.1-264.

26. В.И.Белиничер, Б.И.Стурман. Фотовольтаический эффект в средах без центра симметрии. УФН, 1980, 130, с.415-458.

27. М.В.Глушков, А.А.Мамедов, ак.A.M.Прохоров, Ж.А.Пухлий,3+

28. И.А.Щербаков. Резонансное возбуждение МГ в монокристалле полупроводника S3 . Письма в ЖЭТФ, 1980, т.31,вып.2, с.114-117.

29. Н.А.Власенко, Ж.А.Пухлий. Создание инверсной населенности в твердых телах путем ударного возбуждения примеси. Письма в ЖЭТФ, 1971, 14, с.449-451.

30. А.А.Каминский, С.Э.Саркисов, Чан Нгок, Г.А.Денисенко, А.А.Ка-марзин, В.В.Соколов, В.В.Клыпин, Ю.Н.Маловицкий. Фотолюминесценция ионов в широкозонном сульфиде L&tS3

31. Изв.АН СССР, сер:неорг.материалы, 1980, т.16, №8, с.1333-1345.

32. C.J.Lenford, R.A.Sarayan, J.B.Irenholme, M.J.Weber. Measurements for Heodymium Laser Glasses. IEEE, J.Quantum Electronic* 1979, v.QE-15, p.510-523»

33. А.А.Ка1линский. О возможности исследования штарковской структуры спектров ионов Tft3+в разупорядоченных фторидных кристаллических системах. ЖЭТФ, 1970, т.58, с.407-419.

34. С.Л.Казанский, А.Л.Натадзе, А.И.БЬюкин, Г.И.Хилько. Люминесценция кристаллов соединений АдВу-j, активированных ионами переходных металлов. Изв.АН СССР, сер.физическая, 1973, т.37, с.670-676.

35. Reut E.G., A.I.Ryskin, Virtual Recharge: Machanizm of Radia-tionless Transition in Scheelite and Fergusonite Type Crystals, Doped with Rare Earth Ions.-Phys.Stat.Sol.(a),1973,v.17,p.47-57.

36. А.А.Камарзин, А.А.Мамедов, В.А.Смирнов, В.В.Соколов, И.А.Щербаков. Деградация электронного возбуждения состоянияионов в монокристалле y-IQiS з .- Квантовая электроника, 1983, т.Ю, №3, с.569-573.

37. А.А.Камарзин, А.А.Мамедов, В.А.Смирнов, В.В.Соколов, И.А.Щербаков. Особенности спектрально-люминесцентных свойств ионов

38. Nd в монокристаллах полупроводника . Квантовая электроника, 1983, т.20, №3, с.557-561.

39. А.А.Камарзин, А.А.Мамедов, В.А.Смирнов, В.В.Соколов, Ю.П.Тимофеев, И.А.Щербаков. Концентрационное тушение и квантовый выход люминесценции Nd в полупроводниковых кристаллах3+т.26, вып.6, с.1664-1669.

40. W.H.Zachariasen. Crystal Chemical Studies of the 5f series of Elements. Acta Crystalogr., 1949, 2, р.бО-63.

41. Е.В.Васильев, А.М.Ткачук, А.В.Хилько, Н.М.Пономарев. Интенсивность оптических переходов в кристалле Lct&SiNd . -Оптика и спектроскопия, 1982, т.53, с.788-791.

42. В.В.Приходько, Н.П.Сощин. Спектры отражения и поглощения окси-сульфидов v7 , La , Nd и U . Тезисы докладов на П Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников, Л., 1979, с.45.

43. R.Y.Alves, R.A.Buchanan, K.A.Wickersheim, Е.А.С.Yates. Neodi-mium Activated Lanthanum Oxysulfide: A Hew High-Gain Laser Material.- J.Appl.Phys., 1971, v.42, N8, p.3043-3048.

44. А.А.Каминский. Лазерные кристаллы. М., "Наука", 1975, с.1--256.

45. P.N.Yocum, R.E.Shrader. The emission efficiency of Er3+ in (La,Y)202S hosts.- J.Luminescence, 1970, N1, p.814-822.

46. С.Х.Батыгов. Процессы окисления-восстановления в )f -облученных кристаллах Са -TR г М., Наука, 1970, с. 167-169.

47. С.Х.Батыгов, Ю.К.Воронько* Б.И.Денкер, А.А.Майер, В.В.Осико, В.К.Радюхин, М.Й.Тимошечкин. Центры окраски в кристаллах1. ФТТ, 1972, №4, с.977-980.з+

48. E.Banks, R.W.Schwartz. Phosphorescence Mechanizm in CdF2:Eu^ J.Ghem.Phys., 1969, 51, p.1956-1959.

49. А.М.Гурвич. Введение в физическую химию кристаллофосфоров. -М., Высшая школа, 1982, с.1-376.3+

50. Н.Forest, А.Соссо, H.Hersh. Energy Storage in La202S:Eu6 3+with direct 4f Eu^ excitation. J.Luminescence, 1970, 1?3, p.25-36.

51. C.W.Struck, W.H.Ponger. Dissociation of Eu^+ Charge-Transfer2+

52. State in J202S and La202S into Eu and a Free Hole.- Phys. Rev.(B), 1971, v,4, N1, p.22-31.-т

53. С.W.Struck, W.H.Fonger. Role of the Charge-Transfer States in Feeding and Thermally Empting the ^D States of Eu^+ in Jttrium and Lanthanum Oxysulfides. J.of Luminescence, 1970, 1/2, p.456-469.

54. W.H.Fonger, СЛ7.Struck. Energy Loss and Energy Storage fromthe Eu^+ Charge Transfer States in J and La Oxysulfides.

55. J.Electrochemical Soc., 1971, v.118, N2, p.273-280.3+ 5

56. W.H.Fonger, C.W.Struck. Eu^ D Resonance Quenching to the Charge Transfer States in JgOgS, LagOgS and LaOCl.- J.Chem., Phys., 1970, v.52, N2, p.6364-6372.

57. W.I.Dobrov, R.A.Buchanan. Photoconductivity and Luminescence in Lanthanum Oxysulfide. Appl.Phys.Lett., 1972, N5, v.21, p.201-203.

58. В.А.Большухин, Н.П.Сощин. Энергетическая зонная модель оксисуль-фидов Р.З., активированных ионами лантаноидов. Тезисы докладов на Ш Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников, Тбилиси, 1983, с.84.

59. С.М.Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках.

60. М., Госуд.издательство физико-математической литературы, 1963, с.1-494.

61. L.I.Grossweiner. A Note on the Analysis of First Order Glow Curves. J. Appl.Phys., 1953, v.24, N10, p.1306-1307.

62. P.N.Keating. Thermally Stimulated Emission and Conductivity Peaks in the Case of Temperature Dependent Trapping Cross Sections.-Proc.of Phys.Soc., 1961, v.176, pt6 (I), N505,p.1403-1415.

63. Booth A.H. Calculation of electron trap depths from thermolu-minescence maxima.- Canad J.Chem., 1954, .32, p.214-215.

64. Hoogenstraaten W. Electron Traps in Zinc-Sulphide Phosphores; Philips Des.Rep., 1958, p.515-693.

65. Garlick G.P.J., Gibson A.P. The Electron-Trap Mechanism of Luminescence in Sulphide and Silicate Phosphores. Proc.Phys. Soc., 1948, 60, p.1, N337, p.574-590.

66. A.Halperin, A.A.Braner.Evaluation of Thermal Activation Energies from Glow Curves. Phys.Rev., 1960, v.117,N2, p.408-415.

67. Ч.Б.Лущик. К теории термического высвечивания. ДАН СССР, 1955, т.101, №4, с.641-644.

68. T.A.T.Cowell, J.Woods. The evaluation of thermally stimulated current curves. Brit.J.Appl.Phys., 1967, v.18, N6, p.1045--1051.

69. Haering R.R., Adams E.N. Theory and Application of Thermally Stimulated Currents in Photoconductors. Phys.Rev., 1960, N117, p.451-454.

70. К.Е.Миронов, А.А.Камарзин. Халькогениды редкоземельных металлов. Сб: Тугоплавкие соединения редкоземельных металлов, -Новосибирск, Наука, 1979, с.161-168.

71. Н.В.Подберезская, Н.В.Кожельяк, В.В.Бакакин, С.В.Борисов. Уточнение кристаллические структуры f- и ^f- sm^s^ соотношение структуры типов и циркона- Ж.структ. химии, 1979, т.20, №6, с.1092-1095.

72. Л.Б.Кузьмин, В.С.Куцев, Е.М.Логинова, Н.М.Пономарев, В.И.Сол-датов. Использование гомогенных состояний для получения крупноблочных образцов о.ксисульфида лантана. Научные труды Ги-редмета, сер.: Редкие металлы и их сплавы, М., 1981, 106, с. 66- 71.

73. А.Н.Георгобиани, А.А.Камарзин, Е.С.Логозинская, Ж.А.Пухлий. -Оптическое гашение фотопроводимости в монокристаллах г-La. S, ФТП, 1983, т.17, вып.2, с.316-318.

74. А.Н.Георгобиани, М.В.Глушков, Е.С.Логозинская, Ж.А.Пухлий, И.М.Тигиняну, И.А.Щербаков. Излучательная рекомбинация в монокристаллах y-LCL^ S3 . Препринт ФИАН, 1982, №181, с Л-18.

75. A.U.Georgobiani, M.V.Glushkov, E.S.Logozinskaya, Zh.A.Pukhlii, I.M. Tiginyanu, I.A.Shcherbakov. Radiative Recombination in-La^S^ Single Crystals.-Phys.Stat.,Sol(a),1983,v.76,p.311-317

76. А.Н.Георгобиани, М.В.Глушков, Е.С.Логозинская, Ж.А.Пухлий, И.М. Тигиняну, И.А.Щербаков. Фотолюминесценция монокристаллов1.- . Тезисы докладов Ш Всесоюзной конференции и химии редкоземельных полупроводников, Тбилиси, 1983, с.25-26.

77. А.Н.Георгобиани, Е.С.Логозинская, Ж.А.Пухлий. Исследование фотопроводимости в монокристаллах 'J"- . Тезисы док-лодов П Республиканской конференции по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках, Одесса, 1982, с.85-86.

78. A.Serpi. Trap distribution, in ZnIn2S^ from photoconductivity ana lysis.-J.Phys.D:Appl.Phys.,1976, v,9, p.1881-1822.

79. Губанов А.И. Квантово-электронная теория аморфных полупроводников. M.-JI. Изд-во АН СССР, Ленингр.отд., 1963, с. 1-250.

80. Mott Ж.Е,Electrons in Disordered Structures. Adv.Phys., 1967, 16, p.49-144.

81. Cutler M., Leavy Y.F«, Fitzpatric R.L. Electronic Transport in Semimetallic Cerium Sulfide. Phys.Rev., 1964, 122, p.1143 -- 1152.

82. Cutler M., Mott N.E. Observation of Anderson Localization in an Electron Gas.-Phys.Rev., 1969, v.181, N3, p.1336-1340.

83. M.Cutler, J.F.Leavry. Electronic Transport in High-Resistivetу Сerium-Sulfide. Phys. Rev., 1964, v.133, N4A, p.1153- 1162.

84. А.Роуз. Основы теории фотопроводимости. (ред.С.М.Рывкина).-М., Мир, 1966, с.1-192с.

85. R.H.Buble. Photoconductivity and Crystal Imperfections in Cadmium Sulfide Crystals. Part II. Determination of Characteristic Photoconductivity Quantities. J. of Chem.Phys., 1955, v,33, N1, P*18-25.

86. D.G.Thomas, J#J.Hppfield, W.M.Augustyniak. Kinetics of Radiative Recombination at Randomly Distributed Donors and Acceptors. Phys.Rev., 1965, 140, 1 A202-220.

87. F.E.Williams. Theory of the Energy Levels of Donor-Acceptor Pairs.- J.Phys.Chem.Solids, 1960, J2, 265-275.

88. D.G.Thomas, M.Gershenzon, F.A.Trumbore. Pair Spectra and "Edge?! Emission in Gallium Phosphide. Phys.Rev., 1964, 133, A269-279.

89. P.A.Trumbore, D.G.Thomas. Hew pair spectra in Gallium Phosphide. Phys.Rev., 1965, Jil, АЮ30-1033.

90. P.M.Ryan, R.C.Miller. Photоluminescence and Pair Spectrum in Boron Phosphide.- Phys.Rev., 1966, jh|8, p.858-862.

91. Michio Tajima, Masaharu Aoki. Shapes of Pair Spectra Involving the Ge-acceptor in GaP. Japanese J.Appl.Phys., 1975, 14, 11, p.1695-1703.

92. K.Era, S.Shionoya, Y.Y/ashizawa, H.Ohmatsu. Mechanism of BroadBand Luminescences in ZnS Phosphors. II Characterestics of Pair Emission Type Luminescence. - J.Phys.Chem.Solids, 1968, 29, p.1843-1957.

93. В.В.Осипов, М.Г.Фойгель. Теория межпримесной излучательной рекомбинации в слаболегированных полупроводниках. ФТП, 1976, 10, вып.З, с.522-531.

94. R.E.Haltead, M.Aven, H.D.Coghill. Fluorescent Emission Spectra in II-VI Compounds.- J.Electrochem.Soc., 1965, 112, 177-181.

95. Vasuhiko Shiraki, Toshkazu Shimada, Kiichi F.Komatsubara. Edge Emission of Ion-Implanted CdS. J.Phys.Chem.Solids, 1977, 2&t p. 937-941.

96. З.А.Трапезников, В.В.Щаенко. Некоторые оптические свойства новых цинксульфидных фосфоров, активированных редкоземельными элементами.-ДАН СССР, 1956, 106, т.2, с.230-232.

97. В.Е.Орановский, З.А.Трапезников. Исследование спектров электро-и фотолюминесценции фосфоров, активированных Р.З. элементами.

98. Оптика и спектр., 1958, т.5, вып.З, с.302-306.з+100.\Y.W.Anderson. Itr as a recombination centeri in ZnS. -Phys.Rev., 1964, v.136, p.556-560.

99. Tanaka S., Kabayashi H., Sasakura H., Hamakawa Y. Evidence for2+the direct impact excitation of Mn centers in electroluminescent ZnS:Mn filus. .- J.Appl.Phys., 1976, v.47, p.5391-5393.

100. Dexter D.L. A theory of Sensitized Luminescence in solids . -J.Chem.Phys., 1953, v.21, p.836-850.

101. Brewer R.M., Nicol M. Energy Transfer from Ce^+ to in Pentaphosphate Crystals.- J.Luminescence, 1980, 21, p.367-372.

102. E.G.Scharmer, M.Leiss, G.Huber. Efficient energy transfer from band excitation to in Се.- J.Phys.Ci Solid State Phys., 1982, 15, p.1071-1076.

103. В.В.Соколов, А.А.Камарзин, К.Е.Миронов, Л.Н.Трушникова, Н.Г.Кононова, Ю.А.Стонога. Оксисульфиды редкоземельных элементов типа Lq((?S(40 . Тезисы доклада на Ш Всесоюз. конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников, Тбилиси, 1983, с.101.

104. А.Н.Георгобиани, В.И.Демин, Е.С.Логозинская. Исследование фотолюминесценции и фотопроводимости монокристаллов f" iQt% ;Св ,f- LazS3 'hJd. и f- Ldi$3 ' Cef Nd . Препринт ФИАН, №98, 1984, с.1-26.

105. A.B.Голубков, Е.В.Гончарова, В.Дузе, Г.М.Логинов, В.М.Сергеева, И.А.Смирнов. Сб.: Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов. Л., Наука, 1973, с.1-304.

106. Н.В.Старостин, П.Ф.Груздев, В.А.Ганин, Т.Е.Чеботарева. Расчет состояний иона Сб в кристаллах типа флюорита. Оптика и спектроскопия, 1973, т.35, вып.З, с.476-481.

107. R.Lang. The spectrum of tribly ionized cerium. Canad J. of Research, 1935, 13A, p.1-4.

108. R.Lang. The spectrum of trebly ionized ceriumrCanad J. of Research, 193б, 14A, p.127-130.

109. B.Blanzat, J.P.Denis, C.Pannel, C.Barthon. Etude spectroscop ique et R.P.E. du pentaphoshate de cerium. -Materials Research Bulletin, 1977, v.12, H5, p.455-461.

110. E.G.Scharmer, M.Leiss, G.Muber. Liminesсence and energy transfer in La2SyCe, 2fd, and L&2Sj:0e, J, of Luminescence, 1981, 24/25, p.751-754.

111. M.Leiss. photoluminescence in semiconducting binary sesquisulphide crystals of La, Gd, J. J.Phys.C.Solid State Phys., 1980, 13, p.151-157.

112. П4.А.М.Амирян, Л.С.Гайгерова, М.И.Гайдук, В.Ф.Золин, Н.И.Морозов, Н.П.Сощин. Термолюминесценция оксисульфида иттрия, активированного европием и другими редкими землями. Ж.прикладной спектроскопии, 1973, т.19, вып.З, с.433-436.

113. С.Х.Еашыгов, Р.Т.Микаэлян, В.В.Осико, М.М.Фурсиков, В.Т.Удовен-чик. О влиянии примесей на оптические свойства лазерных кристаллов COIFa, Dy . - Изв.АН СССР, сер.неорганическиематериалы, 1967, 3, с.760-768.

114. I.Y.Saunders. The relationship between thermally stimulated luminescence and thermally stimulated Conductivity. Brit. J.Appl.Phys., 1967, v. 18, p.1219-1220.

115. А.М.Амирян, Я.М.Бабич, Т.В.Бабкина, Л.Н.Зорина, Э.Н.Муравьев, С.И.Нарышкина, Н.Л.Сощин. К сравнению спектров &UL* в оксидах и оксисульфидах редкоземельных элементов. Сб.: Спектроскопия кристаллов, Л., Наука, 1973, с.168-172.

116. П8.А.Н.Георгобиани, В.И.Демин, Е.С.Логозинская. Фотолюминесценция и фотопроводимость монокристаллов Препринт

117. ФИАН, №97, М., 1984, с.1-20.

118. Г.П.Бородуленко, М.В.Глушков, Г.А. Какабадзе, Е.С.Логозинская, Н.М.Пономарев, Ж.А.Пухлий, И.А.Щербаков. Фотолюминесцентные свойства

119. ДS -Nd . Тезисы доклада Ш Всесоюзной конференции по физике и химии редкоземельных полупроводников, Тбилиси, 1983, с.26-27.з+

120. Y.R.Henddrson, M.Muramoto, John.В.Gruber. Spectrum of Nd^ in Lanthanide Oxide Crystals. J.Chem.Phys., 1967, v.46, П7, p.2515-2520.