Люминесценция ассоциатов ионов примеси с интерстициалами и вакансиями в щелочно-галоидных кристаллах тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

РГб о

2 3 на? ¡с9^ци0на'11ьная академия наук

кыргызской республики

ИНСТИТУТ ФИЗИКИ

На правах рукописи

усаров абдыкаиым сапарович

УДК 535.343.2:539.21

люминесценция ассоциатов ионов примеси с интерстициалами и вакансиями в щелочно-галоидных кристаллах

01.04.07 — физика твердого тела

Автореферат

диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Бишкек — Ош — 1994

Работа выполнена в Институте физики АН Эстонии и Отеком Государственном Университете

Научные руководители: доктор физико-математических.

наук,профессор Зазубович С.Г. кандидат физико-математических наук,доцент Эгембердиев К.

Офлциальные оппоненты: доктор физико-математических

наук,профессор Кукетаев Т. кандидат физико -математических паук Умурзаков Б.

Ведущая организация: Институт ядерной физики АН

Республики Узбекистан

Защита состоится¿¿"марта 1994 г. в часов на заседании

специализированного совета д 01.93.12 в Институте флэшей Национальной Академии Наук Киргизской Республики по адресу: ■ 720071,г.Бишкек,Чуйский проспект 265а.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Национальной Академии Наук Кыргызской Республики.

Автореферат разослан _______"___ 1994 г.

Ученый секретарь снэциализарованаэго совета к.ф.- м.н.

Десятков Г.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность темы. Одной из основных и актуальных задач ради- ' ацнонной Физики твердых тел было и остается исследование структуры и свойств создаваемых ионизирующей радиацией собственных и примесных дефектов кристаллической реыетки и выяснение механизмов их создания и разрушения. Такие исследования особо важны как для теории радиационных дефектов в твердых гелах.так и для поисков радиа-ционно устойчивых материалов, необходимых для ядерной энергетики, а такке радизционно чувствительных материалов, нзходлщиа применение в качестве активных элементов оптических з^понинагашнх устройств, Мазеров и лазеров,сцинтилляторов и дозиметров, люминофоу ров различного назначения и т.д. .

Зелочно-галоидные кристаллы (ЦГК) являпгся простейшей модель» ионных твердых тел. В них легко создаются ионизирующей радиацией, электролитическим или аддитивным окрашиванием различные дефекты, число и тип которых можно легко регулировать. В связи с этим ЩГК вироко используются для детального экспериментального и теоретического исследования,необходимого для понимания физических явлений, происходящих в диэлектриках более сложной структуры.

Со времени появления классических работ Рентгена, Иоффе- Хиль-иа и Поля по окравиванив.ЩГК рентгеновскими лучами явление радиационного окрашивания было детально изучено со многих сотнях работах. В -частности, с достоверностью установлено создание ¿нитнных френкеловских дефектов к получены данные о существовании в !ЦГК сатионных френкелевских дефектов. Исследованием механизмов радиационного создания катитжных и анионных френкелевских дефектов занимались ногие авторы (Алукер, Биллер, йитол, Вильяме, ВеЯсбурд, Валбис, Ии, Катоыин, Кетлоу, Пули. Ч.Луцик, Й.Лущик. Сонг, Сайдо. Танимура, Херв, Хоббс» Чернов, йсарц, М.Элзкго, А.Зланго и др.).

Давно было отмечено', что присутствие в $ГК примэсей, как катион-ных, так и анионных, изменяет весьма существенно эффективность дефектообразовакия,сказываясь на вероятности реализации основного механизма генерации дефектов и особенно на стабилизации -первичных радиационных дефектов. Радиационные дефекты эффективно образуют агсоциаты с ионами примеси в ЗГК.что сказывает существенное влияние на радиационную окражизаекость кристаллов при температурах, когда первичные радиационные дефекты подвижны.

Введение в кристалл лшшесцируяцнх примесей и создание радиацией лииинесиирявиих дефектов позэолкло приманить рнсокочцчстеи-тельные лжнесценпше ыегоды для изучения структуры и свойств центров окраски, а также использовать примесные центры в качестве

лвминесцирувдих зондов для изучения различных происходящих в кристалле процессов.

В иеоблучениых ЩГК хорошо изучена внутрицентровая люминесценция одновалентных (£а+Лп+,Т1 ) и двухвалентных (Бе ,5п ,РЬ ) ртута-подобнкх ионов,имеющих электронную конфигурации основного состояния с , а также благородных ионов (Си+, Ав+, Аи+). Двухвалентные ртутенодобние ионы (А ) в ЩГК, как правило, ассоциированы с компенсирующей их избыточный заряд катионной вакансией , поэтоиу основные центры в ¿тих системах имеат структуру А . Искусственно в.зтих системах удается создать небольшое количество ионов А2Т не ассоциированных с дефектом.

В облученных ионизирующей радиацией кристаллах известны центры окраски, образующиеся при захвате электронов или дырок ионами активатора А+и А+. В результате захвата ионами и атомами примеси анионных и катиошшх Френкеловских дефектов, создавшихся при распаде экситонов, возникает ассоциати примесм с интерстициалами и вакансиями. Для некоторых дырочных и электронных примесных центров в $ГК, а также ассоциатов диполей РЬ и~ с ыеидоузельными атомами галоида в кристаллах КС1-РЬ и КВг-РЬ обнарувена и изучена внутрицентровая' люминесценция, а такяе излучение, возникающее при захвате ионами примеси -носителей заряда.

Необходимость детального изучения радиационных дефектов в 'ЩГК как модельных обьектав', а такие все расширявшиеся практические применения атих дешевых и'легко синтезируемых систем с варьируемыми ,в ынроких пределах свойствами и определяет актуальность темы настоящего исследования.

Цель работы - поиски и исследование поляризованной внутрицент-ровой люминесценции ассоциатов примесных центров с интерстициалами и вакансиями, изучение их структуры, а также процессов генерации-, миграция и аза»1иод«йствия с ионами и атомами примеси меадоузельных дефектов и вакансий в облученных рентгеновскими лучами кристаллах ■ КС 1.КВг и КЗ, активированных ионами олова,индия,свинца и меди. Автор зедицает:

- результаты комплексного исследования лкшинесцируюцих ассоциатов Ионов примеси (, 1п+.РЬ+,РЬ\5п+',Си°) с ивидоузелышми конами ; атомами галоида, анионными а катиэнными вакансиями в ЦКГ. ^ Интепреташы природ« наблюдаемых полос поглоцения в лцминейцении исслецозанных ассоциатов, характера взаимодействий дефектов, вход-я|их в состав ассоциатов, друг с другим. »• дстанаэлзнная закономерности созданий лвмнегцнррвих ассвпиатов разйык тиров и структуры, процьссвв-йк■фотб и термостимулираван-ззвкищц преБ1.а*%иий_п'раз1>й^еинй.

Научно практическая значимость работы. Полученные результат« могут быть полезны для теории примесных центров окраски в кристаллах, в частности,при рассмотрении процессов взаимодействия ка-k тионных и анионных френкеловских дефектов с ионами примеси.прн выяснении влияния дефектов кристаллической реиетки на люминесценции ргутеподобных центров и т.д. Эти результаты ваяны и для разработки новых высокочувствительных и селективных методов исследования процессов генерации радиационная дефектов в легированных кристаллах, их миграции и стабилизации примесью. Особенности лп-иицесцзнции прииескнх центров в $ГК ваано учитывать "такае при использовании их в качестве люминесцентных зондов для.исследования зкситонны:^ и электронно-дкрочних процессов в ионннх кристаллах,в частности.в детекторах и в дозиметрах ядерных излучений. Обнару-аение и исследование внутрицентровой люминесценции ассоциатов ионов и атомов принеси с анионными вакансиями имеет вавное практическое значение в связи с возмояностьв использования центров окраски такого типа в качестве активных элементов перестраиваемых лазеров.

Апробация работы и публикации. Полученные в диссертации реэупь-,таты долояены на XXYII Всесоизном совещании по льминзсценцни кристаллофосфоров (ЭзерниекиЛЗЗО ), на IU Всесоизном симпозиуме "Ляминесцентныз приемники и преобразователи рентгеновского'излучз-ния" (Иркутск,1982), на I и II Республиканских конференциях по физике твердого тела (Он, 1936, 19891. на UII Всесоизной конфереции по радиационной физике и химии неорганических материалов с Рига, 1989), на I научно-теоретической конференции молодых ученых ОвПИ (О»,1989), на I Республиканской конференции молодых ученых и преподавателей физики (Фрунзе,1990), на IU Всесоюзной конференции "Взакмодейгтвие излучения плазменных и электронных потоков с ве-«ествои"Д1»;ык-Ксл, 1990 ), ка йевдрароднок симпозиуме "Lualnescent Detectors and ТгапьCorners of lonlzinq Radtatlon"(Riga.l991). Основные результаты по теме днсертации излоаьны в-13 публикациях, список которых приведен в конце автореферата.

Еклад автора. Основные экспериментальные результаты получены лично автором, интерпретация результатов осуяествлена совместно с научными руководителями С.Г.Зазубович и Й.Згвмберднеенм.

Объем и структура диссертации. Диссертация состоит из введения. пяти глав, заклвченич и списка литературн из 336 наименований.Работа содернкт 172 страниц,в гпм числе 136страниц основно» го текста, 5 таблиц и 31 рисунок.

КРАТКОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

. Во -введении кратко рассмотрев актуальность проблемы, цель и задачи исследования и основные защищаемые поло«ения диссертации.

Первая глава носит обзорный характер. Кратко рассмотрены элементарные механизмы создания дефектов ионизирующей радиацией и процессы их взаимодействия с собственными (1.1) и прнимесными дефектами решетки (1.2). Параграф 1.3 посвящен описанию свойств ассоциатов люминесцируивих ионов примеси с радиационными дефектами в щелочно-галоидных кристаллах и обоснованию задач настоящего диссертационного исследования.

Во второй глава описаны основные экспериментальные методики,использованные в работе, обьекти исследования и способы их выращивания.

Колокристадлы КС1-1п. КС1-Си. КСМп, КС1-РЬ, КВг-РЬ и КЗ-РЬ выращивались в вакууме по методу Стокбаргера из сырья,очищенного по методу нестидесатикратной зонной перекристаллизации и содержали примесей гомологов (_На ,Вг~,3 кислородосодерващих примесей не более 10 , ионов 011 не более 10 и поливалентных катионов не более 10"8колярних долей.

При приготовлении кристаллов КС1-Сц, КС 1-1п. КС1-5п. КС1-РЬ, КВг-РЬ и КЗ-РЬ в качестве активаторов использовались соли СиС1, 1пС1, 5пС1", РЬС1г . РЬВг2 и РЫ2 , соответственно. Все работы по очистке сырья, синтезу активатооных солей и росту монокристаллов Производились совместно с сотрудниками химической лаборатории Института физики АН Эстонии.

Концентрация активетора в исследуемых кристаллах определялась абсорбционным методом по известной формуле Смакулы-Декстера и.как правило,не превосходила 1С' см".3 Исключение составляли обьекты,характер исследования которых предполагал наличие концентрационного ряда.

Кристалл ноиецалея в азотный или гелиевой иммерсионный криос-тат, иыеадй окма ну плавленного кварца. Центры окраски создавались облучением кристаллов при ??, 85, 295 или 4,2 К рентгеновскими лучами с помощью установки УРС-55А (трубки БСВЛТ-Сц'или Н, 18 вА, 80 ку) чорес ьериллиев'ов окно вакуумного криостата. Время зкспози-варьировались от 10' ццн до 10 часов. Оптические характеристики исследовались при 1,7—500 К.

■ |Ьи исследовании спектральных и поляризационных характеристик стационарного излучения возбуждение осуществляюсь путной ^ СВД -$20й) или дейт^риев^й (ДАС-400) лаыпачи. Необходимый спектральной

интервал возбувдавчего света выделялся нонохрокаторои СФ-4, а излечения - конохронатором БРМ-1. НМ-2 или системой оптических фильтров. Поляризаторов слумла призма Глана, а анализаторок-прнзма Аренса. ,)

Термическое обесцвечивание центров окраски проводилось методой импульсного прогрева кристалла, что позволяет одновременно следить за изнеиениз.ни всех полос оптического поглощения в исследуемом диа~ позоне. В ряде случаев для получения необходимой информации привлекались такие кинетический метод затирания излучения, метод термости-мулированной люминесценции, электронного парамагнитного резонанса, а такяе оптической подсветки центров окраски.

В третьей главе изловены н обсувдзны полученные данные об оптических ^термических харэкте^истиках и о структуре лкминесцирув-цих ассоциатов ионов индия (1п и 1п2+ ) с интерсткциалами и вакансиями [4,-/0].

Показано, что центры с излучением 2.08 эВ в КС1—1п являются ас-социатами иона 1п с меядоузельныи атомом хлора (Н-центром) и ка-тиониой вакансией, т.е. НА( 1п+ и~)-центрами. Спектры излучения (1) и возбуждения (2) исследуемых центров качественно подобны соответ-ствуюиим спектрам 1п-центров И',2') , но сменены в длинноволновую сторону по отношении к последним (рис.1б). Они создеятся рентгеновской радиацией при температурах 4.2 и 83 К, а также при оптическом разрувечии созданных радиацией как электронных.так й дырочных центров при 80 К. Интенсивность полос поглощения 4,85' и 3,4 эЗ нарастает с дозой облучения пропорционально нарастании интенсивности излучения 2,08 зЗ. Количество центров с излучением 2.08 эВ в облученном при 4,2 К кристалле КС1-1п возрастает при прогреве кристалла до 60 К, т.е. в результате термической делокализации Н-цен-тров (рис.Iв).Пои 4.2 К и^лдчеиие 2.08 зВ поляризовано (кривая 3). Степень поляризации его полояительна (+5Я) при возбуждении в коротковолновое полосе поглощения и отрицательна (-54) в области длинноволновой полосы поглощения.

Для поникания процесса создания анизотропных центров с излучением !,75-1,70 зВ при термическом разрувении центров с излучением 2,03 зВ необходимо предположить, что в состав исследуемых центров входит еце один дефект, вероятнее всего катионная вакансия ^.Излучение 2,08 эВ. а такге полосы поглощения (возбуждения) Нд(1п%~)~ цектров б области 4.3е; зВ коано сопоставить с влектронньщи переходами мевду госгошмук и«на 1п+, розиущенного колекдяярккк иоком С1~ . занимавши« один анионный и един катионннй узел:СС121вс , а полоса поглощения около 3.4 зЗ обусловлена электронными переходами аекку ссстотшями иолеиулчриого йот 1С12 . размученного иоаом. 1л4 (рис. 1а).

- б -

Рис Л,а: разность спектров поглощения (I), изморенных при 80 К сразу после облучения КС 1-1п пои 80 К и после прогрева его до 190 К; б: спектры излучения (1.1') И возбуждения (2,2') НА( 1п )-(1,2 и 1п+(1',2')-центров в КС1-1п при .80 К; в:спектры излучения (1,1 ,1 ) /возбуждения (2),поляризации (3) , Излучения НА(1п ^)- центров в КС1-1п, облученном при 4,2 К до (1') и ^ослг прогрева до 40 К (1"), после Термической делокализации Н-центров Iпрогрев до 60 К) (1-3).

-»ЕЯ" '

Сопоставление оптических характеристик 1г£центров и На(1п*у,Гь центров позволяет заключить,что наличие 1С молекулярного иона рядои с ионом 1п+приводит к смещению спектра излучения и воз-букдений ^(Тп" у^)-цеирор в длинноволновую сторону по отноиеиив к 1п+- центрам (см.рис.1). + • ' •

Термическая диссоциация 11А(1п ч^ »-центров на 1п у*и И-центрк ' происходит около 120 К, а переориентации молекулярного иона С С121 относительно иона 1п -около 40 К. Создающиеся в результате термической диссоциации НА(1п" у" )-центров, диполи с эффективным отрицательным чарядо* захватываат аахо^ивииеся вблизи от них Ук-' центра, в результате чего образуются',}п+у~-центры.

Псказано, что полосы излучения облученного и прогретого кристалла К.С1 -1п в области 1,75-1,70 эВ обусловлены различили типами

анизотропных ассоцпатов ионов 1а"1'с радиационными дефектами: 1п центраии, а также Н (1п*)-центрамн, возцикаыцими при захвате ионзйй индия продуктов распада акситонов (например,в результате реакции

+ С1®- ''г( 1п2т)) в результате процессов в создаваемых ради эдией парах дефектов (например,СIп ).,.И),

Чи^ло центров с излучением 1,73 - 1,70 эй существенно' цреличи-^ает^ч пзи термйчасцой делокализации Н-центров (около135 И), такиа в области температур акол$ 120 И. когда термически раз^уиаг ртся НДЩ чеЛ-ччнц)ы. При это«', ;как уае отмечалось. $ резцль*гт

процесса в парах (1а V." ... } создается 1п ус - центры. Это объясняет значительное уненьяейие числа 0К- центров, детектируемое методом ЭПР, в области температур около 120 К, когда они еце терии-чески стабильны. Если ик-центры предварительно разрушены тем или иныи способаи, диссоциация Н^Игм^"*)- центров не сопровождается нарастанием числа 1п2+у~-центров.

Четвертая глава посвящена рассмотрений собственных и литературных данных о структуре й оптических характеристиках лвиинесци-рцацих ассоциатов ионов свинца СРЬ4" и РЬ1+ ) с интерстициалами и вакансиями в кристаллах КС1,ХВг и КЗ, активированных свинцом И2--М],

Показано, что полосы погловения 3,32 эВ, 2,81 зВ и 1,55 эВ, создаваемые рентгеновскими лучами при 90 К в кристалле КЗ-РЬ и возбув-даяаиеся в них полоса инфракрасной люминесценции (0,803 зВ и 0,723 эВ), а такее полосы излучения 2,01 эВ, 1.79 зВ и 1.2 зВ, возбуждавшиеся соответственно,в.областях 3,41 и 3,35 эВ, обусловлены Нг(РЬ>)~ центрами двух типов. Превращение одних Н2С?Ь ) в другие, возмоанО, связано с перескокоа ч~по отновению к иону РЬг*+. При 90 К рентгеновскими лучами прекуцвственно создаатся Й2(РЬ ) - центры первого типа с излучением 2,01 эВ С рис.2а). При 90 К это излучение поляризовано на 18 V.. В результате прогрева до 140 К центры с излучением 2,01 эВ превращаются в Н2СРЪ2+")-центра второго типа с излучением 1,79 аВ (рис.25). При 90 К это излучение поляризовано на 27 7.. Термическое разрушение этих цзнтров начинается при Т > 200 К. Оно сопровождается возникновением центров с излучением очоло 2,05 эВ, число которых (как и для центров с поглояднием при 3,72 ??) аости-

Рис.2. Спектры излучения (',1 ), возбуядения (2) и поляризации (3). измеренные при 90 К для а) Н2(РЬг*)(1), б) Иг(РЬ2+КП) и в) !Х,/РЬг+> центров кристалла КЗ-РЬ после облучения при 90 К и прогрева до з) 170, б) 200 и в) 250 К.

- а -

гает максимума около 240-250 К, а затем резке уменьшается. Излучений 2,05 яВ возбуждается в области 3,43 зЗ и при 90 К оно поляризовано на 15 К (рис.2е ).

На основании сопсставлениа характерно гик излучеииа >1 поглощения облученных кристаллов КЭ~РМг моано сделать вывод о том, что полосы поглощения (во.?буадения) 3,42 и 3,33 эВ и излучения 2,01 зВ, 1.79 зВ и 1,2 эВ обусловлены электронными переходами между состояниями иона РЬ2*. возмущенного %сяекуларнкы :«нси □¿'1Яс. Полосы излучения 2,01 зВ и 1,79 зВ снизаны с переходами из тетрагональных (Т), а полосы излучения около 1,2 эВ из тригональных СХ) минимумов его триплетного ре-лаксироваиного возведенного состояния.

Полосы поглощения при 3,32 зВ, 2,81 зй и 1,55 аВ и полосы инфракрасного излучения при 0,803 эБ и 0.723 эй этих це_нтров обусловлены переходами меяду состояниями молекулярного иона [Зг1ч;, ьозмущенного ионом РЬ2+. Взаимное располовинив [Зг"1йси Р^оиазывает заметное влияние на релаксированное возбциденное состояние РЬг*. но гораздо меньшее на состояния молекулярного нона [Зг]й. . Вследствие этого существенных изменений в спектрах,свазанних с дере.хсдами в молекулярном ионе '[ З^]^.при'изменении структуры Н2(РЬ"+) -центра не наблюдается.

Проведенный нами детальный анализ показывает,что наблюдавшаяся в работах Харамн с сотрудниками инфракрасная люминесценция в чистых кристаллах КЗ, вероятнее всего, связана с молекулярными иона-, ми [3;1ЙС (Нг-центрами).

Полосы .поглоцения 3,72 |В и 3,43 эВ и изчучения 2,05 эВ вероятнее всего, связаны с 1>2/РЬ ) -центрами. При этом полоса 3,72 эБ обусловлена переходами между состояниями молекулярного иона Пд^д, возмувенного ионами РЬ2+. Полоса поглощения 3,43 зВ и излучения 2,05 зВ обусловлены электронными переходами ыехду состояниями иона РЬ2+, возмущенного молекулярным ионом I ЗзЗдсл-

Показано, что в облученных при 80 К кристаллах КС1-РЬ, КВг-РЬ и КЗ-РЬ до 220 К, сувествует несколько типов люнинесцируючих ассо-циатов иона РЬ с интерстициалами и катионнини вакансиями (рис.За). Сразу после облучения доминирует центры типа РЬ^Х^ (ассоциаты ионов РЬ+с ме«доузельньш ионом галоида Х[ и блиаайшей катионной вакансией

При дальнейшем прогрегании: КС1-РЬ до 155 К. КВг-РЬ до 145 К и ХЗ-^Ь до 119 К - образуются РЬ"Ч£ - 11103 - центры (зссоциаты ионов • РЬ* с бли«ай»ей катионной вакансией ч^). й погли прогрева кристалла до более высоких температур, цо ни«е 220 К, создаются ассоциаты ионов РЬ с более далекой катионной вакансией у'сРЬГу" 10011-центрн),

Действительно методом ЭПР йуиейкером было покатил, что при длительном облучении кристалла '[С! РЬС1 в нем создаются зсстш-

Рис.З. Спектры поглощения (еосбукдення) (1,1'). излучения (2.2',2"), поляризации (3,3*), измеренные при

К длл РЪ+у"ХТ

центров

:1 - 3) « для центров РЬ X ч~ -типа (1'- V ), (2") в Ш-РЬ(а), «Вг-РЬ Сб) и И-РЬ (в), о»лучениях' рентгеновскими личзми при 30 К (1-3), после прогрева до 230 К (I'-3') и после облучения при 295 К (2"). Полоса возбуждения при 3.54 эВ (1,1') ; появляется в результате частичного перекрытие исследуемого излучения с А полосой излучения ( 1,25 зВ) РЬ2+ центров (рис.Зв).

ты молекулярных ионов РЬС12 с меядоузклышли ионами хлора, обозначении;7. как РЬ+(С1£) - центры. Чаци било покгззно, что в их состав входит и блитйщая к иону РЬ+ катионная вакансия уТ

Термическое разрушение РЬ центров сопровождается появлени-

ем интенсивного п:1кз термссткмулированной лкниносценцин(ТСЛКрис.4). Этот пик ТС/! обусловлен, вероятно, рекомбинацией подвижных ионов с Р - или центрами, в результате чего создается поток злек^_

Рис.4. Зависимость числа центров РЬ Х^-тит (1\ и РЬ+Х ^-центров при 80 К от текпературы импульсного прогрева кристалла в КС1-РЬ(а), КВг-РЬ (б) и КЛ-РЬ (в), облученного при 80 К (3) и при 295 К (3'); зависимости интенсивности ТС Л, св г-занней с термической диссоциацией РЬ+<£ХГ~ центров кристалла, измеренные сразу после облучения кристаллов при К (2).

тронов,захват которых анионными вакансиями или диполями РЬ V сопро-вомдается электронной захватной лиминесценцией. Поскольку оптические характеристики РЬ+у~ и - центроь совпадают, то именно пик ТСЛ макет славить лвнминесцентным детектором РЬ+'^Х£- центров. Подобие оптических характеристик РЬ%~Х£ , РЬ'Ч"[11С1 и РЬ V 061 -центров обьясняется тем, что они в основном .обусловлены электронна переходами в молекулярном ионе РЬ Х~, а ассоциированные е РЬ Х2 дефекты (у~ или оказывают очень слабое влияние на уровни анергии этого иона.

Прогрев облученного при 80 К кристалла КС1-РЬ. КВг-РЬ и КЗ-РЬ , до 210-220 К приводит к сдвигу спектров (ср.кривые 1—1' и 2 —2, рис.3), В нем создаются ассоциаты ионов РЬ с анионной вакансией v (т.н. РЬ (1)-центры лазерно-активного типа). На основании данных ЭПР Вуаейкера, эти центры представляют собой ионы РЬ+, связанные с рас-полояенными на одной оси <100> блиаайцими анионной вакансией V* и ионом С1~, т.е. РЬ+С1|у* - центры.

СущестЕЦзт несколько типов таких ассоциатов, различавшихся наличием и полоеением катионной вакансии относительно_оси РЬ С1 -ценгра.Сьектры разных типов РЬ+СГу^-центров (РЬ*С1 ^1101 г рЬ^СГидУ^ООП,'РЬ+С1-и^.) различаются'незначительно, что свидетельствует о том,что их1оптические характеристики в основном определяются электронными переходами меаду состояниями ассоцяата . РЬ+С1 Уд., а полохзкие угнало влияет на спектрч. Свойства этих . центров подробно рассмотрим в главе 5.

В облученных при 30 К и лрогрзтых до 2?О К кристаллах КС1-РЬ Существует несколько типов ассоциатов ионов РЬ2с интерстициалами и вакансиям. В области 3.15-2.8 зВ имеются по крайней м:ре три перекрывавшиеся полосы излучения, принадлежащие несколько разли-' чающимся по структуре центрам, обцим элзментом которых является ас-социат РЬ" СЦ. При температурах 155 К, когда происходит термическая диссоциация РЬ V С1 -центров, нарастает интенсивность излучения 2.8 аВ, вероятнее всего,из-за захвата подвижных ионов СГ диполями РЬ 1>~,при этом образуются РЬ центры.Иогно предположить, что

излучение 2,8 гВ обусловлено центрами.

В результате прогрева облученного при 30 К кристалла до 250-2?|) К полоса излучения смещается к 3.15 аБ.Зависимость интенсивности этой полоса излучения-от температуры импульсного прогрева кристалла близка к зависимости коэффициента поглощения а области

аШ

3 результата оптического разруйения при 80 И электронных центров (Р ,РЬ+1 в предварительно облученной при 80 К и прогрето« до 2?0 К кристалле.содермацин максимальное количество )- цент-

ров,вместо полосы 3.15 эВ появляется полоса 3.05 зВ.^то излучение преимущественно возбуадается около 4.2? эВ. Предполагается, что зто излучение РЬ + СЦ-центров.

Оптические характеристики всех описанных виие ассоциатов (РЬ ^С^-Д^РЬ^)- л Ро С^-центров) близки и хлшеделяются электронными переходами мкаду состояниями ассоциата РЬ^С^.Входяцие в состав этих центров другиэ дефекты иоано рассиатрльать как небольшое возмуаение.

Пятая гл^ва посвящена исследовании лвминвсценцик а процессов создания ассоциатов примеси с анионной вакансией (центров лазерно-активного типа) в кристаллах КС!-Р1С12, КЭг-РЬВг, и КЛ-РЬ32.

Рентгеновскими лучами при 65 К в кристаллах Ш-Си создаются Си-центры.Они термически разруааштся в области 265-300 К. При прогреве облученного при 85 К кристалла до Т > 220 К создаются Си°у*-ц«нтрц. Показано, что их создание обусловлено миграцией к атому Си не свободной анионной вакансии, а у*. находящейся в поле действия С«1,что аоано представить как процесс в более или менее близких парах (Си+- Вследствие аналогичного процесса в парах (Си -у«) создается Си+Уд-центры, которые захватывает электроны, освобоадаа*нвса при термическом разрушении Сц - центров, с образованием Сц°у*- центров (рис.5). Ноано предполонить, что пара (Си+ у*} и {Си°-у*} создаатса при низких температурах в резрьтате переноса Е-алектрона на ион примеси в созданных радиацией парах С Си - Е ) и (Са^-Р ). В кристаллах, содержащих Сил-центры, число Си ^увеличивается при Т>3?0 К из-за взаимодействия с Си^-центрами подвижных (^-центров - продуктов термической диссоциации молекулярных ионов С.

На основе анализа этих экспериментальных результатов, а также литературных данных высказано предположение о тон, что процессы, наблвданциеся а облученных иокизируиций радиацией челочно-галоид-ных кристаллах при Т < 300 К, обусловлена икграцией не ейободна*' анионных вакансий, а V*. находящихся в поле каких-либо де^-ктов ("ассоцирозанных" и*), и поэтому имеет небольвув энергий активации.Свободные у*, подвианые, азроатнев всего,при теи&ератцрах гораздо выше комнатной, в этих системах при Т ; 250 К 'практически' отсутствуют из-за взаимодействия с ними подвижных катионных ва-;. кансий и квидодзельних ионов галоида, а такие из-за образования ассоциатов с соседними собственными или пр!шег.ш«ыи дофокТаии кристаллг. ;скоЯ рсаетки.

В облученных при 230-233 К кристаллах КС 1-5« обнаружена центры

Рис.5.а- зависимость числа Си (1) и Си у*(2,2*) ^¡иров при 35 К ст тепературн импульсного прогрева КС1-Си .облученного при 85 К. 1-й»» =1.30 зЗ, Ь? -2.65 аВ. прогревом до МО I» разрушены .

2-Ы =1.87 зВ, ; 1'-поглощение при

и -центом ; к? -:2,е5 ай 2,85 аВ.

5- завксскость числа Си ^-центров 11-4) и Си -центров (2') от температуры мыпульного прогреве КС1—Си, / облученного при 295 К, измеренные при 85 К сразу после облучения (.11. после высвечивание центров при

85 (2) и ЮС ¡¡(3), после высеечн- ™> —

вания Р и Си -центров при 200 К (4).

5-температурная эзвисомости КСI,стимулируемой в г- полосе. в-зйвгси»мсть чис^-а Сил-ценгрив -2,75 зВ. 'п температуры импульсного прогрева КС1-Си (1). 2-крисая ТС Л облученного прр 85 К КС1-Си, измеренная для излучения 2,7 эВ.

с излучением около 2,12 эВ (рис.5). В результате высвечивания Р-цзнтров при температуре облучения число исследованных центрое значительно возрастает. При атом зависимость их числа от температуры облучения и высвечивания.а также термическая стабильность близки к полученным Д.Эумейкером методом ЗПР для Зп+(1) - центров. Рентгеновскими лучами при Т > 220 К создаются и 5р.+'- центры, не ассоциированные с дефектом, но их полосы излучения и возбуждения несколько сменены в длинноволновуы сторону по отношении к спектрам'исследуе-мого излучения 2,12 зВ Сем.рис.5).Оптическое разрушение ?- центров приводит к уменьшении числа 5п+- центров.

При 80 К излучение 2,12 эВ поляризовано о направлении <100>. Степень поляризации его достигает +55 '/.. и деполяризация излучения начинается поело 20С К (р;:с.5). Температурное туаение излучения 2,12 эВ отсутствует по крайней мере до 400 К. Излучение 2.12 эВ в кристаллах КСМп. вероятнее всего, принадлеаит 5п V- центрам со структурой Лазернс-актиепого типа (т.н.5п+(1) - центрам). В процессе создания центрое к иону олова при температурах 220-260 К мигрируют не свободная, а возмущенная им анионная вакансия (уХ>.

Близость спектральных характеристик четытпх известных Яг/"- центров:

^(пга.Еп^иппКЗ^и Удуказизаот на то, что они в основной

Рис.б. Спектры «¿лучаниа (!,!'), возбуждения 12.2'), наведенного поглощения (?.") я пияяризации <'У> излучения ^ За V -центров с 1-3,2 ) и - центров (1 .2 ) о Ш-Бп.

80 К. 1-3, 2-кристалл с ^ С10 си облучен при 270 К,» Р-центрц высвечены при 270 К; й

¡' ;< л . г'*

кристалл с = 10 си и облучен при 80 К,прогрет до 250 К.

обусловлены злеклронииии переходам в иааах он', а дафскт С V~,^^) и взаимодействующие о ионии 5п пени галоида играьзт риль аезиудениа.

Как узе отмечалось выше, в результате прогрева облучоьиогс рентгеновскими лучани при 80 И кристалла К С1—Р Ь до 21С-220 К в нем создастся РЬ+(1) - центры лазчрно-активного типа, предстаслидщие собой ориентированные вдоль оси <Ю0> ассоциаты [РЬ^СГ^!, возмущенные- катионнай вакансией (СГ-бликайщий к РЬ*" ион гзлоида). Полученные нам!! зависимости интенсивности излучония 1,22 аВ при 80 К от температуры импульсного прогрева кристалла качественно согласуются с данными ЗПР для Ри+(1) - центров. Подобнее зависимости получены нами и для излучений 1,12 аВ и 1,15 аЬ ь кристаллах КВг-?Ь и КЗ-РЬ, соответственно .(рис.б).Следовательно «они предполоаить, что полосы излучения 1,22 аВ. 1.21 зВ, 1,)5 зВ в кристаллах КС 1-РЬ, КВг-РЬ и КЗ-РЬ, соответственно, лринадлезаг РЬ+(1)-центрам, РЬ*Ч I Ьцентры образуются благодаря миграции к диполю РЬ+ и^г не свободной, а возмущенной им анионной вакансии, т.е благодаря процессу в более или иенее близких парах (РЬ%С",.. возникающих из-за аффективного распада акситонив на анионные Френкелев-ские дефекты в непосредственной близости о; Центров.

Основываясь на результатах ОДумейкера. согласно который ь разных условиях создания разные Р/Х^о^- центры, мы измерили спектраль-нне и поларизацимн.ше характеристики их яыминесцоицил Сик.рис.З). Оказалось, что спектры разных типов РЬ* ¡(¿чГ- центров токе различаете а незначительно. Это говорит о том, что их оптические характеристика определится электронными переходами иеаду состоаниаки ассоциата СРВЧГи*!, а входящув в их состав катионнув вакансии

ыовно рассматривать как слабое возкувение. Более заметны различия в поляризационных спектрах.

Полоса излучения создаваемых рентгеновскими лучами в кристалле КС 1-РЬ при 295 К РЬ^СГи*- центров имеет максимум при 1,245 эВ. После прогрева этого кристалла до 380-400 К спектр излучения РЬ CГvX- цечтров смещается до 1,23 з.). Созданные таким образом центры весьма стабильны: интенсивность их излучения совераенно ко изменяется с процессе высвечивания кристалла интенсивным светом лаипн накаливания в течение нескольких часов при комнатной температуре. Тувение зтог? излучения не наблюдается по крайней пере до 400 К. Оно поляризовано на +20 У.. Возможно, эти РКЧГуХ- центры не возмдцены V,;.т.е.являются полный аналогоа лазерно-активных центров. Они термически разрушаются при Т > 400 К. По-видимоку.при этом происходит ионизации РЬ , поскольку удаление от кона РЬ бива-кансии или V/ привело бы к снесения спектров излучения и возбуждения в длинноволновую сторону, т.к. при зтон создавались бы РЬ* С£- центры.

В кристаллах КВг-РЬ и КЗ-РЬ тоне сузествуют РЬ+- центры аналогичной структуры. Центры на основе молекулярного иона РЬ Х^ люми-кесцнрдат в области 1,20-1,21 эВ и 1,17-1,15 еВ, а центры лазерно-активного типа на основе РЬ+СГ</* - в области 1,21 и 1,15 зВ соответственно (см.рис. 36 и Зв). К настоящему времени излучение РЬ*(I) центров (в области 1.4 - 1,1 зВ) обнаружено во фторидах щелочноземельных элементов и в кристаллах КМдР . В последнем случае лазерная активность РЬ>(1) - центров уже установлена. Представляет интерес исследование лазерной активности РЬ*(1) - центров в ЦГК.

ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВНВ0ДЫ

I. Созданы и исследованы примесные центры окраски с поляризованной внутрицентрпвой люминесценцией при 2.08эВ в КС1-1п. Установлено.что эти центры эффективно создаются рентгеноескими лучами при 4,2 или 80 К, з также при термическом освобождении около 60 К Н-центрпв (молекулярных ионов или при иг оптическом созда-

нии в рекоыбинационных процессах. Показано, что зти центры представляет с о б о Л ассоциаты ипна примеси (1п+) с Н-пентрами и катион-ной вакансией (Н4С 1п+^)-центры).

2.Обнаружена и исследована поляризованная внутрицентров.дя лвжи-несценцяя (в области 1.?5 - 1.70 зВ) нескольких типов ассошвтов йоное йнтерстициалами к вакансиями в облученных рентгеновски-кй'-лучаки кристал.'-гх КС1-1п. Изучены процессы оптического и термического создания и разрушения этих ассоциатов и их связь с Н.Пп"^)

центрами. В частности, показано, что в процессе взаимодействия возникавших при термической диссоциации )-цектров диполей с ближайаими и„-цеитрами эффективно создаются In vr-центры.

3. На примере лшиинесцируюцих в удобной для исследования видимой области спектра Си%£-цеНтров в KCl-Си изучены особенности процессов фототермического создания ассоциатов иона CAf) или атома Сй") принеси с анионной вакансией у*(центров типа ft'v/или й'(1)) в ЦГК,являющихся активными элементами перестраиваемых твердотельных лазеров. С использованием Сц'и^-центров в качестве люминесцентных зондов получена информация'и о процессах миграции анионной вакансии в 2ГК. Сделан вывод о том. что в облученных ионизируащей радиацией кристаллах, когда эффекты, обусловленные движением ч*, на-Мадаютсл при 220-225 К, двигаются не свободные, изолированные анионные вакансии, а вакансии находяаиеса в поле какого-либо дефекта, т.е. процесс происходит в паре (дефект +v«} и поэтому требует мень-аей анергии активации, чем двиаение свободной v«. Процессы, обусловленные миграцией свободных v/ в этих кристаллах, как следует из опытов нз необлученных кристаллах, должны наблюдаться при температурах выие комнатной. Однако в облученных кристаллах из-за взаимодействия с v« подвивных дефектов (v^.U^.Xr ) и из-за "охлопывания" пар {дефект одиночных анионных вакансии к комнатной температуре уке практически не остается и наблюдать их двикение в облученных иоинзирув^ей радиацией кристаллах ьевозмоано.

4; Обнарцаен* знцтрицентроваа ламинасценциа центров окраски со структурой лазе;ш-активного типа-ассоциатоз ионов Sa с анионной вакансией wie т.н. 5п+уа+или Sn*"i 1 )-центров) в кристалле KCl-Sn.Установлено.что они эазактипно создаются около 250 К.в результате облучения кристалла рентгеновскими лучами и последующего оптического ■ разрузения F-центров.

5. Обнаруяено несколько шпов лыиинесцирушдох ассоциатов ионов свинца (!ЧЛ РЬ^" > с меадоузелышыи иэнша галоада (ХГ) и с кати-онннии (vj) и анионными (^¡вакансиями в облученных рентгеновскими лучами ЦГК.Изучали оптические свойства,детальная структура, про. цессц создания, разрушения,а гаме Фото- и термоьтимудирозанных взаимных презракзиий этих ассоциатор. Показано, что исследуемые центры ион;т обьодиншь и три группы, каадад su кагорах содормт несколько члэнои: U ишри на пенозе молекулярного йена PÜ* Х^ i 2) центра на осйоес ¡даоля ; 3) центра лазери^-актного типа на основе ассоциатов Pb'XTv; . Люминесцентные свойства рааних членов какдпй группы близки и обусловлена злектриниычи переходами менд^ сос нашими основного ассоциага. Вхидякн«'В-coc'vat э|ях центров другие дефекты играят роль небольшого возмущенна.

6. Показано,что две полосы инфракрасного излучения С с максимумами при 0,803 и 0,723 эБ), обнаруженные Харами с сотрудниками в облученных рентгеновскими лучами кристаллах KJ-Pb, и Полосы излучения с максимумами при 2.01, 1.79 и около 1,2 эВ, обусловлены llj'Pb ^-центрами двух типов (ассоциатаки ионов РЙ**с молекулярными ионами UJlot,занимающими анионный а) и катионный (с) узлы кристаллической реме тки. Инфракрасные полосы излучения связаны с молекулярным ионом 1„. возиуиенным ионом РВ*Л, а более коротковолновые полосы - с электронными переходами между состояниями иона Plf*, возмуеенныии молекулярным ионом 3Ä.Высказано предположение о той, что дее полосы инфракрасного излучения (при 0,805 аВ и 0.734 эВ), наблсдавшиеся в неактивированном кристалле КЗ при аддитивном (в парах йода) или электролитическом окрашивании,такне связаны с -ионами.

СПИСОК РАБОТ, ОПУБЛИКОВАННЫХ -ПО ТЕМЕ ДИССЕРТАЦИЙ

С.Г.Зазубович. Й.СЛсаров. Фототермичекое создание Cu'v* - центт ров и подвииность анионных вакансий в облученном рентгеновскими лучами KCl-CuCl.Тез.докл. IU Всесовзного симпозиума. "Люминесцентные приемники и преобразователи рентгеновского излучения", Иркутск, 1932, С.17.

2. Zazubovich S., Usarov ñ. and Egooberdieo Zh.. Photothersal Creation of Cii° «/¿Centres and HobI 1 Ity of finlon Vacancies in

■ X Irradiated KCl:Cu Crystals. //Phys. Stat. Sol (b). 118, 1983. P. 769-798.

3. С.Г.Зазубович, В.П.Нагирный, Т.Й.Соовик, А.С.Усаров, В.Эгем-бердиев Поляризованная лвминесценция активированных ЦГК как детектор процессов с участием интерстициалов и вакансии. Тез. докл. I Республиканской конференции по физике твердого тела.

'0и. 1986 г. С. 50-51.

4. йвимова С., SJcapoB fi.C. Поляризованная лакинесценцня Нд(1п+) -центров в KCl-In и КВг-1п.//0пт. иСпекто., Т.63, В.5. 1987 г., -С. 1054-1057.

5. Зазубович С.Г., Чсаров ft.С. Поляризованная'люминесценция ассо-цнатов нонов Sn+ с анионной вакансией в KCl-Sn. Оптика и спектроскопия. Т.57. В.2. 1989, -С. 461-463.

8. Зазубович С.Г.. Нагирный В.П., Когск Ю.В.. 9саров A.C., Згек-бердиев S. Поляризованная люминесценция ассоцизтоз прямее« с вакансиями и ¡(нгерстициалами в кристаллах KCl-Sn.KCl-In и KCl-Ga. Тез,докл.II Республиканской конференции по физике твердого тела. 0». 1983. С. 3Ü-3S.

- Г7 -

7, Зазубович С.Г., 1'саров ft.С. Поляризованная люминесценция ас-социатов примеси с анионной вакансией в ЦГК. Тез.докл. VII

■ Всесоюзной конференции по радиационной физике и химии неорганических материалов. Рига, 1939. -С. 270-271.

8, Ясаров ft.С., .Згеибердиев S. Ассоциаты ионов принеси с радиационными дефектами в ЦГК. Тез.докл. I Научно-теоретической конференция молодых -ученых, посвященная 70-летии Великой Октябрской социалистической революции. Ои, !389, С.22-23.

9, Зазубович С.Г.. Ударив А.С., Эгеиоерднвв 1. КС1-РЬС1Л крис-таллында PbCl^ ,■ Pbiy"Clt вана РЬ*(П -• типтердеги борборлор-дун ламинесценцкясы. Тез.докл. 1аа окуиуитуялардин яана оку-туучулардцн физика бовнча I-нумурияттак конференииясы. Фрунзе, 1990, -С.76-78.

10. Зазубович С.Г., Нагирный В.П., Уолк В.В., Усзров ft.С. Люминесценция и процессы создания ассоциатов ионов индия с радиационными дефектами в КС 1-1п.// Физика диэлектриков и полупроводников. Материалы 11-ой республиканской конференции по Физике твердого тела. 0а, 1990 г, -С. 57-84.

И. Зазубович С.Г., 9саров ft,С. Лшиинесценциа РЬ+( 1 )-ценгриь лазер-но-активного типа в щелочне-галоидных кристаллах. Тез.докл.IU Всесоюзной конференции "Взаимодействия излучения, плазменных я электронных потоков с веществом". Нсык-Кол, 1390 г.-С.

12. Зазубович С.Г.Лсаров ft.С.,Згембердиев 3. Люнинесцирувндае ассоциаты ионов сгинца с интерстициалами к вакансиями в KCl-FbCl // Труды ИФ ЙЙ Эстонии.1990 г.Т.67,-С.121-125.

13. EseaberJiev Zh., Isicailov К., Usarov A., Zazubovich S. and Заапзоп R. Luainescint Associates of ГЬ 'J D!poles with Interstitial Iodine Atoms in K3;PbJ Crystals.// Phys. Stat. Sol Cb). 183, 103!, P.183-190.

14. Egeniberdiev Zh., Usarov A.S. and Zazubovich Luairif^.'ence of Lead Ions Associated with Interstitial® and Vacancies In Alkali Huli'Jes.// Phys. Stat. Sol (b) 164, 1991 . P. 195 206.

15. Egesberdiev V:,, iiaciinyi V., Usarov A.S. and Zasubovtch S. Luainescent Associates of Lead Ions vith Interstitial and Vacancies in Alkali Hal ides.Abstract of International SyEpu.mih *Lualne„;c>nt Diitectois and transforaors of Ionizing Padiation, RiOJ. 199!, P. 23.

2f"

Р Е 3 D И Е

Катуу заттардкн радиациялык физикасынын практикалык актуалдуу ма-селелеринин бкри - кристаллдык торчодогу иондоштуруучу радиациянын тааснринде пайда болгон оздук жана комулмалык дефекттердин тузулуиун, касиеттерин изилдоо, алардын яаралуу жана бузулуу (ажыроо) механизм-дерин тувундуруу болгон жана болуп калэ берет.'Мындай изилдоолор катуу телолордогу радиациялык дефектердин теориясы учун кандай озгсчо мааки-ге ев болсо, оыол зле ядролук энергетика дчун аарыл болгон раднацияга тируктуу натеркалдарды издоо учун оптикалык зеке тугуучу тузрувгтор-дун активдуу элеыенти катары колдонулган радиациялык сезгнч «атериал-дарды изилдоо учун, лаэерлер мазерлер, сцинтилляторлор жана дозикетр-лер, турдуу колдокулуштагы, люминофорлор учун да озгсчо мааниге зз.

Иштин мэксаты - калайдын. кнднйдин, коргошундун, жездин иондору иенен актирцэштирилген, рентген нуру менен нурдантылган KCl, КБг, КЗ кристаллдзрындзгы поляризацияланган ички борбордук люминесценцияны издоо жана изилдоо.

Йл люмннесценния кошулна (прнмесноР) центрлердин интерстициалдар жана вакансиялар менен тузгон ассоциаттарга таандык. Оаондой эле бул ассоциаттардын сгруктурасын генерация, миграция працесстерин, туйун-дор аралнк дефекттердин жана еакансиялердын коиулмалардын иондору, атокдору менен оз-ара аракеттенуусун изилдоо кирет.

Корситулгон имте, рентген нурлары менен нурдантылган ¡¡¡ГКдагы ко-шулмалардыи иондорунун галоиддин туйундор аралык иондору жана атом-дору axii;. [Xj^jtX'lj) пенен, дагы катиондук (v~) жана аниондук ivjt ) вакансиялар кенен тузгон нурдануучу ассоциаттардын бир нече туру табалган жана изилденген. Ошол ассоциаттардын'оптикалик касиет-тери, так тузулуиу жана алардын жаралуу, акыроо процесстери, онондой яле фото-, термостимуляцияланган оз-ара кубулуулары изилденген.

Центрлерди ар бири бир канча члендердеи тург.ан группага: 1) ЙХд колекулярдык иондун негизиндёги центрлер: 2) A*Xit - дипол-дун негизиндеги цестрлер; 3) й'Т'у/ассоцкаттар негизиндеги лазердик активдуу типтеги центрлер; 4) центрлер болуу кумкун зкени кор-

сотулгон. Ар турдуу цеигрлэрдин касиеттери Сири-бирине окись. жана не-гизги эссоцнаттын гана абалдан абалга электрондук отуулору иснен ¡гарт--талган. Снол центрлердин составына кирген байка Дсфекпер кичкиъ гана толкундэнууну ty.ur.

S B M a A R Y

Invertigation of both strueturu amipropertlei of irradiation-induced own and inpurity defects of crystalline lattice, as tiell 33 revealing the aechanisas of their creation and destruction is ove of the nost actucel practic prableas of the radiation physics of solids. Such investigations are very isportant for the theory of radiation defects in solids, as «ell as for the search of radiation-' stable materials for nuclear energetics and radlatin-sensitlvs na-terlals, that nay be used as active'elements of optical aesoring ds-vlces, aasers, lasers, scintillator, dosiasters etc.

The ala of tnls uork is the search and investigation of polarized intracenter luminescence of iapurIty centers associated with inter-atitlals and vacancies, study of their sturucture as well as processes of generation,aigration and interaction betveen the impurities, interstitial defects and vacancies In X- irradiated KC1, KBr and K3 crystals doped, with ions of tin, Indiuts, lead and copper.

Several types of luainescent associates of lopurityions ( lit"",Int PObt Snt Cu^ with hallde ions and atoas i C XJ J *, [XJ£„lX~]J),as well as with cation (vD and anion (v^i vacancies are found in X-ir-radiated alkali halidss, Optical properties of these associates;their detail stuctyre, processes of their creation, destruction, as uell aa photo and thercostInulated autual trausforaations are studied. It is shown, that studied centers aay be collected in several groups, each containing several types: centers on the basis of flXJ solecuhr ion; centers on the basis of and ifX£ dipoles; centers of the laser-acti99 type onthe basis of A^X'v^associabes.

It is found, that luminescent properties of different cenUrs ara siailar and are due to electron transitions between the states of the ictin associate. Other defects being present in those centers, act as a snail perturbation,