Люминесценция ионно-имплантированных широкозонных полупроводниковых соединений GaN и ZnSe тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

Глава I. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР

§ 1.1. Механизмы излучательной рекомбинации и перспективы применения нитрида галлия

1.1.1. Механизмы излучательной рекомбинации неравновесных носителей заряда в ваА/

1.1.2. Перспективы применения и светоизлучающие структуры на основе ва/У.

Выводы.

§ 1.2. Механизмы излучателъной рекомбинации и перспективы применения селенида цинка

1.2.1. Механизмы излучателъной рекомбинации неравновесных носителей заряда в2л5е

1.2.2. Перспективы применения и светоизлучающие структуры на основе ИпЗе.

Выводы •.

§ 1.3. Метод ионной имплантации\и:':атжиг имплантированных слоев полупроводников

1.3.1. Ионная имплантация полупроводниковых соединений

1.3.2. Отжиг имплантированных слоев полупроводников

Глава П. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТОВ

§ 2.1. Возбуждение фото- и катодолюминесценции полупроводников

2.1.1. Глубина возбуждаемого слоя при катодо- и фотолюминесценции

2.1.2. Экспериментальная установка

§ 2.2. Ионная имплантация и отжиг

Глава Ш. ИССЛЕДОВАНИЕ КАТОДОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ ИОННО-ИМПЛАНТИРО

ВАННЫХ СЛОЕВ НИТРИДА ГАЛЛИЯ

§ 3.1. Ка то до люминесценция исходных образцов 6?аД/

3.1.1. Характеристика исходных образцов баА/

3.1.2. Спектры катодолюминесценции

§ 3.2. Катодолюминесценции ионно-имплантированных слоев а N <> не связанная с имплантированной примесью

3.2.1. Краевая полоса катодолюминесценции

3.2.2. Полосы люминесценции GйN , связанные с дефектами структуры

§ 3.3. Полосы катодолюминесценции баА/ > связанные с имплантированной примесью.

3.3.1. Фосфор

3.3.2. Магний

3.3.3. Кадмий

3.3.4. Цинк.

3.3.5. Алюминий

§ 3.4. Оптическое пропускание и проводимость ионно-имплантированных слоев £?аА/.

3.4.1. Спектры оптического пропускания

3.4.2. Проводимость ионно-имплантированного (ЗзА/

§ 3.5-. Исследование ионно-имплантированных слоев методом обратного рассеяния протонов

Резюме.ЮЗ

Глава 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ ЛЮШНЕСЦЕНЦИИ ИОННО-ИМПЛАНТИРОВАННЫХ СЛОЕВ СЕЛЕНИДА ЦИНКА.

§ 4.1. Люминесценция исходных образцов селенида цинка.

4.1.1. Характеристика исходных образцов

4.1.2. Спектры катодо- и фотолюминесценции

§ 4.2. Люминесценция Zn.Se, облученного к-квантами . . III

- ц.

§ 4.3. Фотолюминесценция ионно-имплантированных слоев

4.3.1. Общая характеристика спектров люминесценции ионно-имплантированного ZnSe.

4.3.2. Ионная имплантация аргона и водорода . XIV

4.3.3. Ионная имплантация цинка

4.3.4. Ионная имплантация кислорода и серы

§ 4.4. Оптическое пропускание ионно-имплантированного ZnSei

§ 4.5. Отжиг селенида цинка в вакууме и на воздухе

§ 4.6. фотолюминесценция ZnSe, легированного различными примесями.

Резюме.

Интерес к бинарным полупроводниковым соединениям определяется возможностью их использования в оптоэлектронике для создания активных оптических элементов: светодиодов, инжекционных лазеров, лазеров с продольной оптической накачкой. Все больший акцент в дальнейшей работе делается на поиск и создание материалов, эффективно излучающих свет в сине-фиолетовой области спектра. С этой точки зрения перспективны широкозонные полупроводниковые соединения типа АШВУ и АПВУ1, в том числе нитрид галлия и селе-нид цинка.

Основные требования, в частности, к перспективным светодиодам заключаются в высокой эффективноети преобразования электрической энергии в световую и малых рабочих напряжениях. Для этого необходимо создание достаточно тонких и хорошо проводящих слоев п~ и р-типа. С увеличением же ширины запрещенной зоны в полупроводниковых соединениях возрастает тенденция к самокомпенсации, вследствие чего равновесными методами легирования не удается инвертировать тип проводимости. Так, например, нитрид галлия получается низкоомным п -типа, а при легировании примесями П группы - полуизолирующим а-типа.

Одним из выходов из создавшейся трудности может быть применение сильно неравновесных методов легирования, например, ионной имплантации, достоинством которой является то, что концентрация примеси, вводимой с высокой степенью чистоты, не ограничена пределом растворимости. Немаловажную роль при изготовлении приборов играют и такие преимущества ионной имплантации, как возможность точного задания профиля концентрации примеси по глубине и по площади, подвергнутой легированию, и возможность создания очень тонких инвертированных слоев полупроводников. Однако наряду с преимуществами метод обладает рядом недостатков: I) создание большого количества дефектов структуры при облучении, 2) необходимость проведения отжига для устранения радиационных дефектов и активации примеси. Все это, вместе взятое, определяет интерес к исследованию ионной имплантации в широкозонные полупроводниковые соединения.

Люминесценция £аА/ как нелегированного, так и легированного различными примесями хорошо изучена, о чем свидетельствуют приводимые ниже литературные данные. Механизмы излучательной рекомбинации достаточно достоверно идентифицированы< вблизи края запрещенной зоны. Для излучательной рекомбинации донорно-акцеп-торных пар (ДАП) до сих пор не установлена природа акцепторов и не исключается влияние остаточных примесей.

Наиболее изученными примесями в нитриде галлия являются элементы П группы: Ве , Со£. Для них исследована примесная люминесценция и показана возможность компенсации низкоомной проводимости п-типа при равновесных методах легирования нитрида галлия. Приводимые в литературе оптимальные с точки зрения примесной люминесценции температуры источников легирования указывают на существование оптимальных концентраций примеси. В ряде работ была показана возможность получения примесной люминесценции методом ионной имплантации, и для цинка была определена оптимальная концентрация внедренных ионов.

Однако для таких перспективных примесей как Мд,Сс1 и Р оптимальные концентрации не определены. В связи с этим ставятся задачи: исследование люминесцентных свойств нитрида галлия и установление их зависимостей от параметров ионной имплантации (доза, концентрация и температура последующего отжига); определение степени оптической активации примеси в процессе ионной имплантации и отжига; исследование центров, включающих радиационные дефекты и обусловливающих длинноволновые полосы люминесценции.

Несмотря на обширные литературные данные о люминесценции селенида цинка, ряд вопросов остается неизученным или по ним существуют противоречивые мнения. В области экситонной люминесценции глубоким нейтральным акцептором, входящим в состав экситонног с/ примесного комплекса (ЭПК), обусловливающего линию (2.784 эВ), может являться нейтральная вакансия цинка ( VI ) или атом меди в П узле цинка (Сигп). В состав ДАП, дающих характерные 6? - и Р-полосы, согласно литературным данным, входят акцепторы ¿г^ и Л/з^/?' соответственно. Однако эти полосы ведут себя по-разному при высокотемпературном отзшге в расплаве цинка, что, видимо, указывает на участие разных точечных дефектов, а не только на различие примесных атомов. В длинноволновой области спектра, в основном, установлено влияние , а участие других точечных дефектов, таких как и изучено недостаточно хорошо. Вместе с тем показано, что полосы люминесценции в области 610 и 650 нм связаны с дефектами в подрешетке цинка, а полосы 54-6 и 585 нм - с дефектами в подрешетке селена.

Наряду с широким использованием метода ионной имплантации для создания светоизлучающих структур на основе , особенности дефектообразования при ионном облучении мало исследованы, и не показано влияние радиационных дефектов на люминесцентные свойства структур. Различная термообработка при одинаковой имплантации дает различные люминесцентные характеристики Т^пЗь , что указывает на участие различных собственных точечных дефектов.

В связи с этим интерес представляет исследование люминесценции селенида цинка, имплантированного ионами, влияющими на стехиометрию исходного материала, что позволило бы дифференцировать вклад различных собственных точечных дефектов и комплексов с участием примесных атомов.

В работе исследована катодолюминесценция эпитаксиальных слоев нитрида галлия, имплантированных ионами А/+, Р+ , Мд', 2п+,Со1* \ Аи+ в диапазоне доз ~ Ю12 * 6.Ю15 см~2. Определены оптическое пропускание и проводимость ионно-имплантированных слоев 6гЭ/\/. С целью идентификации доминирующих радиационных дефектов измерены спектры обратного рассеяния ионов Н+и Не+.

В диссертации проведено исследование влияния технологических особенностей на оптическое качество селенида цинка, выращенного из расплава по Бриджмену, и исследована фотолюминесценция совершенных монокристаллов Zя5e, ^-облученных и имплантированных ионами Н + , О^З*. Проведен анализ спектров фотолюминесценции ZtlSe , легированного Ге

Основные положения, выносимые на защиту, заключаются в следующем :

- установлено, что ионная имплантация приводит к компенсации исходной низкоомной проводимости нитрида галлия П -типа; доминирующими радиационными дефектами после высокотемпературного отжига бзА/ являются межузельные атомы 6? а ;

- оптимальные с точки зрения интенсивности люминесценции концентрации примесей в зависят от местоположения примесных атомов в кристаллической решетке и нестехиометричности ИСХОД

ТО о ных образцов; рост концентрации выше 10х см ° сопровождается увеличением энергии температурной активации примеси в процессе отжига, что приводит к уменьшению доли оптически активных примесных атомов;

- установлено, что в зависимости от влияния на стехиометрию кристалла имплантация различных ионов генерирует "вторичные" дефекты или в подрешетке Z/? , или в подрешетке 5е, что позволяет идентифицировать различные полосы фотолюминесценции селенида цинка; изоэлектронные «Те примеси О и ^ , увеличивающие нестехиометричность 2.П 5е , вызывают наибольшую деградацию спектров ФЛ.

Диссертация состоит из введения, четырех глав, заключения и библиографии.

Основные результаты работы можно сформулировать следующим образом:

X. Установлено, что ионная имплантация приводит к значительной компенсации исходной низкоомной проводимости GaN п - типа и генерации радиационных дефектов, создающих глубокие акцепторные уровни и эффективные каналы излучательной рекомбинации с энергией фотонов ~1,7 и~2,2 эВ. Полоса 1,7 эВ обусловлена центрами, включающими отдельные точечные дефекты. За полосу 2,2 эВ ответственны центры, представляющие собой комплексы точечных дефектов. Результаты исследования обратного рассеяния ионов свидетельствуют о высокой концентрации межузельных атомов галлия.

2, Определены оптимальные,с точки зрения интенсивности люминесценции, концентрации примесей в GaN , зависящие от местоположения примесных атомов в кристаллической решетке и нестехиомет-ричности исходных образцов. Для примесей П группы, занимающих уз

Тй -Ч лы галлия, оптимальная концентрация составляет ~ ЗЛО см , для фосфора, занимающего узел азота, ~ Ю19 см""^ (значение, близкое к концентрации V^ в исходном материале). Рост концентрации выше Ю19 см"~^ сопровождается увеличением энергии температурной активации, что приводит к уменьшению доли оптически активны! примесных атомов. Доля оптически активной примеси после оптимального отжига при Ю00°С существенно меньше, чем при равновесном легировании.

3. Установлено, что в зависимости от влияния на исходную стехиометрию кристалла имплантация различных ионов генерирует 'Ьто^ич-ные" дефекты или в подрешетке Z/? или в подрешетке Se . При облучении /-квантами, ионами И и Ah возникают дефекты в обеих подрешетках с преобладанием Vjn и усиливаются полосы люминесценции 580 и 640 нм. Ионная имплантация ZO уменьшает концентрацию Vin и доминируют "вторичные" дефекты в подрешетке Se , что приводит к усилению полосы 580 нм. Ионы 0*" и S* создают преимущественно п и * ответственный за фотолюминесценцию в области 580 нм. Изоэлектронные примеси О и S , увеличивающие нестехиометричность Znie, вызывают наибольшую деградацию люминесценции.

В заключение считаю своим приятным долгом выразить благодарность моим научным руководителям В.С.Вавилову, А.А.Гиппиусу и М.П.Кулакову за постоянное внимание и помощь в работе, Ю.А.Осипья-ну за полезное обсуждение результатов, а также В.А.Дравину, А.В.Кузнецову, Н.Г.Мартыненко, В.Я.Павлову, М.М.Слетову, А.В.Спи-цыну, А.В.Фадееву, В.Я.Чуманову за содействие в выполнении экспериментов.

Результаты проведенных исследований опубликованы в 7 работах [197-203], докладывались на Всесоюзной конференции по физике соединений (Новосибирск, 1981 г.), Европейской конференции по росту кристаллов (Прага, 1982 г.), УП Международной конференции по ионной имплантации (Вильнюс, 1983 г.), У Всесоюзном совещании "Физика и техническое применение полупроводников (Вильнюс, 1983 г.).

- 142

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

В соответствии с задачами, поставленными во введении, основная цель работы: во-первых, исследование фотолюминесценции нитрида галлия, ионно-имплантированного примесями, дающими высокую эффективность излучательной рекомбинации для определения оптимальных доз ионного внедрения; во-вторых, изучение особенностей ионной имплантации по сравнению с равновесными методами легирования и выделение вклада радиационных дефектов в рекомбинационные процессы; в-третьих, исследование механизмов вторичного дефекто-образования при ионном облучении селенида цинка, изменяющем стехиометрию исходного материала.

Для осуществления поставленных задач была создана установка для изучения фото- и катодолюминесценции с энергией электронов от 3 до 10 кэВ, позволяющая регистрировать спектры люминесценции в диапазоне от 300 до 830 нм при температурах 4.2, 77 и 300°К. Исследованы спектры катодолюминесценции в зависимости от уровня возбуждения и глубины возбуждаемого слоя ваЛ/, имплантированного ионами Л/*, Р\1А$\гпМ ,А£\ Аи в концентрации Ю*7 * Ю20 см"3 после отжига в потоке Л//У3 при температурах 800-Ю50°С и спектры фотолюминесценции 2.пЗе. , ^-облученного и имплантированного ионами Z/? , О*,

1.G., Parsons J*В«, Grew M.C, Nitrogen compounds of gallium. - J.Phys.Chem., 1932, v.6, p.2651.

2. Кданов Г.С., Лирман Г.В. Кристаллическая структурабаЛ/.-КЭТФ, 1936, т.6, с.1201.

3. Maruska Н.Р., Tietjen J.С. The preparation and properties of vapor-deposited single-crystalline gallium nitride. -Appl.Phys.Lett., 1969, v.15, p.327.

4. Logan R.A., Thurmond C.D. Heteroepitaxial thermal gradient solution growth of Gaff. J.Electrochem.Soc., 1972, v.119, p.1727.

5. Zetterstrom R.B. Synthesis and growth of single crystals of gallium nitride. J.Mater.Sci., 1970, v.5, N12, p.1102-1104.

6. Chu T.L., Ito K., Smoltzer R.K., Shirley S.C. Crystal growth and characterisation of gallium nitride. J.Electrochem. Soc., 1974, v.127, p.159.

7. Кесаманлы Ф.П. Нитрид галлия. Зонная структура, свойства и перспективы применения. ФТП, 1974, т.8. № 2, с.225.

8. Соколов Е.Б., Подденежный Е.Н., Оплеснин В.Л. Нитрид галлия -новый материал электронной техники. Зарубежная электронная техника, 1974.

9. Pankove J.I., Bloom S., Harbeke G. Optical properties of GaN. RCA Rev., 1975, v.36, p.163.

10. Brander R.W., Faulkner R., Wickenden D.K. Preparation and properties of epitaxial GaN. Conference of crystal growth and epitaxy from the vapor phase, Zurich, 1970.

11. Seiter W., Tempel A. Zur epitaxie von gallium nitrid auf korund in system GaCl (NH^)Ar. Kristall und technik, 1974, v. B9, s.1213.t- 1 12. Flagneyer R., Geist V., Seifert W. Untersechung von GaH.

12. Epitaxeschichten mit ionometrischen Methoden. Kristall undtechnik, 1976, v.11, К 3, s.303-312.13» Madar R., Michel D., Jacob G., Boulou M. Growth anisotropyin the GaU/AlgO^ system. J.Crystal Growth, 1977, v.40,p.239.

13. Иноуэ Морио, Кадзимура Кацу; Мацусита дэнки сангё к.к. Пат. Япония. Заявл. 56-31320, № 16.4.74, опубл. 49-43152. Приор. 20.7.81, МКИС 30 В 29/40, С 30 В 25/02. Способ выращивания из газовой фазы нитрида галлия.

14. Madar R., Jacob G., Hallais J., Fruchart R. High pressure solution growth of Gal. J.Crystal Growth, 1975, v.31, p.197-203.

15. Tietjen J.J., Clough R., Dreeben A.B. Vapor phase growth technique and system of severaus III-V compound semiconductors. RCA Laboratory, Princeton, New Jersey. Prepared under contract N 12-538, 1969.

16. Saxen A.H., Weisberg L.R., Mann W.B., Shima P.A. Implantation of into monocrystalline GaU films. The Intemat.

17. J.Appl.Rad.Isotopes, 1975, v.26, N 1, p.33.

18. Maruska H.P., Phines W.C., Stevenson D.A. GaN diodes. -Mat.Res.Bull., 1972, v.7, p.777.

19. Ilegems M. Vapor epitaxy of gallium nitride. J.Cryst:. Growth, 1972, v.13/14, p.360-364.

20. Ilegems M., Montgomery H.C. Electrical properties of n-type vapor-grown gallium nitride» J.Phys.Chem.Sol., 1973, v.34, p.885.

21. Pankove J.I., Hutchby J.A. Photoluminescence of ion-implanted GaH. J.Appl.Phys., 1976, v.47, p.5387.

22. Dingle R., Sell D.D., Stokowski S.E., Ilegems M. Absorption, reflectance and luminescence of GaU epitaxial layers. Phys. Rev., 1971, v. B4, p.1211.

23. Dingle R.f Ilegems M. Donor-acceptor pair recombination in GalT. Sol.St.Commun., 1971, v.9, p. 175.

24. Grimmeis H.G., Monemar B. Low-temperature luminescence of GaH. J.Appl.Phys., 1970, v.41,p.4054.

25. Ilegems M., Dingle R., Logan R.A. Luminescence of Zn- and Cd- doped Gall. J.Appl.Phys., 1972, v.43, p.3797.

26. Ilegems M., Dingle R. Luminescence of Be- and Mg- doped GaN. J.Appl.Phys., 1973, v.44, H 9, p.4234.

27. Lagerstedt 0., Monemar B. Luminescence in epitaxial GaH:Cd.-J.Appl.Phys., 1974, v.45, p.2266.

28. Shwabe R., Zehe A., Hansel T. Strahlende recombination aus Uichtgleichgewichtszustanden in katodenstrahlangeregtem GaK.-Krist.und Techn., 1976, v.11, N 5, p.543-548.

29. Jones D., Lettington A.H. The electronic band structures of the wide band gap semiconductors GaN and АШ. Sol.St. Commun., 1972, v.11, p.701.

30. Dingle R., Sell D.D., Stokowski S.E., Dean P.J., Zetterstrom R.B. Absorption, reflectance and luminescence of Gad single crystals. Phys.Rev.B, 1971, v.3, p.497.

31. Monemar B. Fundamental energy gap of GaU from photoluminescence excitation spectra. Phys.Rev.9, 1974, v.10,H2,p.676.

32. Halsted R.E., Aven M. Photoluminescence of defect-exciton complexes in II-VI compounds. - Phys.Rev.Lett., 1965, v.14,1. H 1, p.64.

33. Панков К. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973, с.156.-Г45г

34. Thomas D.G., Gershenzon M., Trumbore P.A. Pair spectra and "edge" emission in gallium phosphide, Phys.Rev., 1964, v.133, N 1A p. A269.

35. Вавилов B.C., Макаров С.И., Чукичэв М.В. Катодолюминесценция нелегированного нитрида галлия. ФТП, 1979, т.13, № II,с.2153.

36. Maruska Н.Р., Stevenson D.A., Pankove J.I. Violet luminescence of Mg- doped Gall. Appl.Phys.Lett., 1973» v.22, p.303.

37. Pankove J.I., Duffy M.T., Miller E.A., Berkeyheiser J.E. Luminescence of insulating Be- doped and Li- doped GaH. -J.Lumin., 1973, v.8, p.89.

38. Pankove J.I., Hutchby J.A. Photoluminescence of Zn- implanted GaU. Appl.Phys.Lett., 1974, v.24, p.281.

39. Ogino J., Aoni M. Photoluminescence in P- doped GaH, Japan J.Appl.Phys., 1979, v. 18, IT 6, p. 1049.

40. Pankove J.I., Berkeyheiser J.E,, Miller E.A. Properties of Zn- doped GaU.I. Photoluminescence. J.Appl.Phys., 1974, v.45, p.1280.

41. Андреев B.M., Виданов А.П., Ольховикова Т.И., Оплеснин В.Л. Новые эффекты в Ga/V ¡Zn.- II Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам, Ленинград, 1979. Тезисы докладов.

42. Соломонов А.В. Кинетика люминесценции в нитриде галлия, легированном цинком. II Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам, Ленинград, 1979. Тезисы докладов.

43. Matsumoto T., Sano M., Aoki M. Pair luminescence from Zn-doped GaH. Jap.J.Appl.Phys., 1974, v.13, H 2, p.373.

44. Василщев A.M., Михайлов Л.H., Сидоров В.Г., Шагалов М.Д., Шалабутов Ю.К. Сине-фиолетовые светодиоды из GdN ФТП,1975, т.9, № 9, с.1808.

45. Соломонов А.В. Кандидатская диссертация. Ленинград, 1977.

46. Марасина Л.А., Пихтин А.Н., Пичугин И.Г., Соломонов А.В. Люминесценция нитрида галлия, легированного цинком. ФТП,1976, т.10, № 2, с.371.

47. Jacob G., Boulou H., Furtado M. Effect of growth parameters on the properties of GaIT:Zn epilayers. J.Cryst.Growth,1977, v.42, H , p.136.

48. Boulou M., Jacoh G., Bois D. Cathodoluminescence study of Zn- doped GaH. Revue de Physique Appliquée, 1978, v.13, H 11, p.555-563.

49. Toshio 0. f Masaharu A. Mechanism of yellow luminescence in GaH. Jap.J.Appl.Phys., 1980, v.19, H 12, p.2395.

50. Пихтин A.H., Соколов Е.Б., Соломонов А.В. Люминесцентные свойства гетероэпитаксиальных слоев Gâ^AB А/т- ФТП, 1979, т.13, № 10, с.2026.

51. Monemar В., Lagerstadt О. Properties of VPE- grown Gaïï, doped with Al and some iron group metals. J.Appl.Phys., 1979, v.50, H 10, p.6480.

52. Голстян В.Г., Кузнецов А.В., Муратова В.И., Чаплыгин Г.В. Исследование микронеоднородности эпитаксиальных слоев нитрида галлия на сапфире. Международная конференция по росту кристаллов, 1980, Москва, Расширенные тезисы, т.1, с.307.

53. Соколов Е.Б., Уваров Е.Ф., Храмцов А.П., Чегнов В.П., Чуки-чев М.В. Катодолюминесценция эпитаксиалъных слоев ОаА/ иЖА/,облученных быстрыми электронами.-ФТП,1982,т.16, Ш 5, с.933.

54. Каретников И.А., Мироненко Л.С., Бурунов А.Г., Кузнецов А.В. Оптические и электрические свойства эпитаксиалъных слоев нитрида галлия, облученных электронами с энергиями 0.1-1.0 МэВ. Труды Московского энергетического института, 198I,512, с.50.

55. Dingle R., Shaklee K.L., Leheny R.F., Zetterstrom R.B. Stimulated emission and laser action in Gall. Appl.Phys. Lett., 1971, v.19, N 1, p.5.

56. Catalano I.M., Cingolani A., Perrara M., Lugara M., Minafra A. Stimulated emission of GaU under high one and two quantum excitation. Sol.St.Commun., 1978, v.25, H 5, p.349.

57. Панков Дж.И., Миллер E.A., Беркихайзер Дж.Е. Люминесценция Ga/V.-Изв. АН СССР, сер.физ., 1973, т.37, № 3, с.556-559.

58. Pankove J.I., Miller Б.А., Berkeyheiser J.E. GaU blue light-emitting diodes. J.Lumin., 1972, v.5, IT 1, p.84.

59. Pankove J.I., Miller E.A., Berkeyheiser J.B. GaU yellow light-emitting diodes. J.Lumin., 1973, v.6, N 1, p.54.

60. Masurka H.P., Stevenson D.A. Mechanism of light production in metal-insulator-semiconductor diodes; GalhMg violet light-emitting diodes. Sol.St.Electronics, 1974, v.17, p.1171.

61. Pankove J.I., UV de electroluminescence from GaU. J.Lumin., 1972, v.5, p.482.

62. Pankove J.I., Uorris P.E. Luminescence of GaU (metal-insulator-semiconductor) diodes. RCA Rev., 1972, v.33, p.377.- 148 r • -t

63. Андреев B.M., Коган Л.М., Оплеснин В.Л., Петров М.Н., Соколов Е.Б. Характеристики светодиодов сине-голубого свеченияна основе нитрида галлия. II Всесоюзное совещание по широкозонным полупроводникам, Ленинград, 1979, Тезисы докладов.

64. Pankove J.I. Blue-green numerical display utilizing electroluminescent GaU* RCA Rev., 1973» v.34, H 2, p.336.

65. Pankove J.I. Blue anti-Stokes electroluminescence in GaH. -Phys.Rev.Lett., 1975, v.34, N 13, p.809.

66. Blau und grün emittierende dioden mit hohem Wirkungsgrad. -Punkschau, 1976, Ig 48, И 17, s.703.

67. Физика и химия соединений АПВУ1. Mi: Мир, 1970, с. 259.

68. Козловский В.И., Насибов А.С., Печенов А.П., Попов Ю.М., Та-ленский О.Н., Шапкин П.В. Лазерные экраны из монокристаллических слитков CdS , CcLSxS&i„x , Z/>5e. Квант. Электрон. 1977, т.4, № 2, с. 351.

69. Fischer A.G. The preparation and the properties of crystals of the ZnS-type from the melt. J.Electrochem.Soc., 1959, v.106, N 4, p.839.

70. Craford M.G. in: Progress in Solid State Chemistry/ J.O. McCaldin, G.Somorjai. Hew York: Pergamon, 1973, p.127.

71. Manasevit H.M., Simpson W.I. The use of metal-organics in- 149 i -i the preparation of semiconductor materials. J.Electrochem.

72. Soc., 1971, v.118, H 4, p.644.

73. Dupius R.D., Dapkus P.D. Very low threshold Ga^^Al^As GaAs double heterostructure lasers grown by metalioorganic chemical vapor deposition. Appl.Phys.Lett., 1978, v.32, H 8, p.473--475.

74. Cho A.Y. Film deposition by molecular beam techniques. -J.Vacuum Sci.Technol., 1971, v.8, N 5» p. S31.

75. Aven M., Halstead R.E. Diffusiin of electrically and optically active defect centers in II-VX compounds. Phys.Rev., 1964, v.137 IT 1A, p. A228.

76. Grimmeis H.G., Ovren C., Mach R., Ludwig W. Identification of deep centers in ZnSe. J.Appl.Phys., 1977, v.48, IT 12, p.5122.

77. Grimmeis H.G., Ovren C., Mach R. Electric and optical properties of the "Cu-red" center in ZnSe. J.Appl.Phys., 1979, v.50, N 10, p.6328.

78. Stringfellow G.B., Bube R.H, Photoelectric properties of ZnSe crystals. Phys.Rev., 1968, v.171, p.903.

79. Kosai K., Fitzpatrick B.J., Grimmeis H.G., Bhargava R.N., Heumark G.P. Shallow acceptors and p-type ZnSe. Appl.Phys. Lett., 1979, v.35, N 3, p.194.

80. Satoh S. , Igaki K. Thermally-stimulated current in zinc selenide heat treated in controlled partial pressures of constituent elements. Japan J.Appl.Phys., 1980, v.19, N 3, p.485.

81. Jones G., Woods G. The electrical properties of zinc selenide. J.Phys.D (Appl.Phys.), 1976, v.9, p.799.

82. Bouley J., Blanconnier P., Herman A., Henoc P.G.P., Noblanc J.P. Luminescence in highly conductive n-type ZnSe.-J.Appl.Phys., 1975, v.46, p.3549.

83. Leigh W.B., Besomi P., Wessels B.W. Electron mobility and carrier concentration of heteroepitaxial zinc selenide. -J.Appl.Phys., 1932, v.53» N 1, p.532.

84. Fujita S., Mimoto H., Nogushi T, Photoluminescence in ZnSe grown Ъу liquid-phase epitaxy from Zn-Ga solution. J.Appl. Phys., 1979, v.50, N 2, p.1079.

85. Blanconnier P., Hogrel J.F., Jean-Louis A.M., Sermage B. High purity ZnSe grown Ъу metalloorganic chemical vapor deposition epitaxy. J.Appl.Phys., 1981, v.52, p.6895-6900.

86. Aven M. High electron mobility in zinc selenide through low-temperature annealing. J.Appl.Phys., 1971, v.42, N 3,p.1204.1.

87. Robinson R.J., Kun Z.K. p-n junction zinc sulfo-selenide and zinc selenide light-emitting diodes. Appl.Phys.bett., 1975, v.27, N 2, p.74.

88. Neumark G.F., Herko S.P. Li doped ZnSe and problems of p-type conduction. J.Cryst.Growth, 1982, v.59, H 1, p.189.

89. Bhargawa R.H. The role of impurities in refined ZnSe and other II-VI semiconductors. J.Crystal Growth, 1982, v.59, N 1, p.15.

90. Russell R.J., Vincent В., Woods J. Precipitation effects in Indium doped Zinc selenide. Phys.St.Sol.A, 1981, v.63, Я 2, P.573.

91. Tows H., Venghaus H. Selective pair luminescence in semiconductors. Sol.St.Commun., 1979, v.30, IT 1, p.219.

92. Dean P.J., Herbert D.C., Werkhoven C.J., Pitzpatrick B.J., Bhargava R.H. Donor bound-exciton states in zinc selenide. -Phys.Rev.B, 1981, v.23, К 10, p.4888.

93. Tews H., Venghaus H., Dean P.J. Excited states of shallow acceptors in ZnSe. Phys.Rev.B, 1979, v.19, H 10, p.5178.

94. Venghaus H., Dean P.J. Shallow acceptor, donor, free exciton and bound-exciton states in zinc telluride. Phys, Rev.B, 1980, v.21, Ж 4, p.5196.

95. Новиков Б.В., Ропшшер Г., Талалаев В.Г. Управление толщиной безэкситонного приповерхностного слоя в кристаллах ZnSe. -ФТТ, 1979, т.21, й> 3, с.817.

96. Roppischer Н., Jacobs J., Hovikov B.Y. The influence of ZnSe Heat treatment on the exciton spectra of ZnSe single crystals. Phys,St.Sol., 1975, v.27, p.123.

97. Иванова Г.H., Недеогло Д.Д., Новиков Б.В., Талалаев В.Г. Люминесценция связанных экситонных комплексов в монокристаллах ZnSe. ФТТ, 1981, т.23, fâ 9, с.2693.

98. Рал X.W., Woods J. Pree exciton emission in forward biased ZnSe MIS diodes. J.Phys.C (Solid State Physics), 1Ô81, v.14» N 13, p.1863.

99. Водолазский П.В., Кияк Б.Р., Мацко М.Г., Носов В.Б., Петровский Г.Т., Шатилов А.В. 0 поверхностном характере допороговых термоструктурных изменений ZnSe под действием непрерывного излучения с А = 10.6 мкм. Укр.физ.ж., 1983, т.28, №с.625.

100. Era К., banger D.W. Luminescence of ZnSe near the band edge tinder strong laser light excitation. J.Lumin., 1970, v.1/2, p.514.

101. Брага Э.С., Гаугаш П.В., Дрожжов Ю.П., Иванова Г.Н., Касьян В.А., Недеогло Д.Д., Чукичев М.В. Рекомбинационное излучение ZnSe при электронном возбуждении. Ш1С, 1981, т.35, № 5, с.895.

102. Merz J.L., Kukimoto H., Nassau K., Shiever J.W. Optical properties of substitutional donors in ZnSe, Phys.Rev.B, 1965, v.6, N 2, p.545-556.

103. Dean P.J., Fitzpatrick B.J., Bhargava R.N. Optical properties of ZnSe doped with Ag and Au. Phys.Rev.B, 19Q2,

104. Stutius W* Nitrogen as shallow accetor in ZnSe grown by organometallic chemical vapor deposition. Appl.Phys.Lett., 1982, v.40, N 3, p.246.

105. Lee K.M., Le Si Dang, Watkins G.D. Optically detected magnetic resonance of the zinc vacancy in ZnSe. Sol.St. Commun., 1980, v.35» N 7, p.527-530.

106. Dunstan D.J., Nicholls J.E., Cavenett B.C., Davies J.J. Zinc-vacancy associated defects and donor-acceptor recombination in ZnSe. J.Phys.C: Sol.St.Physics, 1980, v.13,1. N 34, p.6409.

107. Werkhoven C.J., Fitzpatrick B.J., Herko S.P., Bhargava R.N., Dean P.J. High purity ZnSe grown by liquid phase epitaxy. -Appl.Phys.Lett., 1981, v.38, N 7, p.540-542.

108. Merz J.L., Nassau K., Shiever J.W. Pair spectra and shallow acceptors in ZnSe. Phys.Rev.B, 1973, v.8, p.1444.

109. Godlewski M., Lamb W.E., Cavenett B.C. ODMR investigations of recombination processes in ZnSetCu. Sol.St.Commun., 1981, v.39, N 4, p.595.

110. Godlewski M., Lamb W.E., Cavenett B.C. ODMR investigations of the nature of copper-green and copperred PL bands in ZnSe. J.Lumin., 1981, v^/25, p. 173.

111. Patel J.L., Davies J. J., Nichols J.E. Direct optically detected magnetic resonance observation of a copper center associated with the green emission in ZnSe. J.Phys.C (Sol.St.Physics), 1981, v.14, К 35, p.5545.

112. Wu Z.L., Merz J.L., Werkhoven C.J., Pitzpatrick B.J., Bhargava R.U. Shallow К acceptor in U+ implanted ZnSe, -Appl.Phys.Lett., 1982, v.40, К 4, p.345.

113. Reinberge A.R., Holton W.G., de Wit M., Watts R.K. Phosphorus and arsenic impurity centers in ZnSe. II. Optical and electrical properties. Phys.Rev.B, 1971, v.3, p.410.

114. Ваксман Ю.Ф., Корнеева H.H., Сердюк В.В. О влиянии примесей висмута и сурьмы на спектры фотолюминесценции монокристаллов селенида цинка. ЗШС, 1981, т.34, Ш 5, с.843.

115. Фок М.В, Разложение сложных спектров на индивидуальные полосы при помощи обобщенного метода Аленцева. Труды ФИАН СССР, 1972, т.59, с.З.

116. Scott M.D., Williams J.O., Goodfellow R.C. Epitaxial growth of ZnSe on (100) GaAs by open-tube transport of elemental vapors in Hg flows. J.Crystal Growth, 1981, v.51, U 2, p.267-272.

117. Detweiler R., Kulp B. Annealing of radiation damage in ZnSe. Phys.Rev., 1966, v.146, H 1, p.513.

118. Bryant P.J., Manning P.S. Selenium displacement and the infrared cathodoluminescence of zinc selenide. J.Physics С (Solid State Physics), 1972, v.5, N14, p.1914.

119. Спицын B.H., Пирогова Г.Н., Стельмах H.C., Рябов А.И. Короткоживущее оптическое поглощение в облученном ZnSe. -Изв.АН СССР, Неорган.материалы, 1978, т.14, Ш 3, с.427.tirradiated ZnSe. Phys.Rev.Lett., 1974, v.33» N 4, p.223.

120. Watkins G.D. EPR identification of zinc vacancy/zinc interstitial close pairs in irradiated ZnSe. Lattice defects in semiconductors, International Conference, Freiburg, 1974, p.338.

121. Watkins G.D. EPR of the isolated zinc vacancy in ZnSe. -Bull.Amer.Phys.Soc., 1969, v.14, N , p.312.

122. Werner Z., Mutsukura N., Machi Y. Investigation of the thermal stability of radiation defects in ZnSe by photoluminescence measurements. Phys.Semicond.Compounds,Proceeding 10 Conference, Jascowice, 1980, p.140.

123. Durban D.J«, Hicholls J.E., Cavenett B.C., Davis J.J., Reddy K.V. Optically detected magnetic resonance of the V centre in ZnSe. Solid State Commun., 1977, v.24, К 9, p.677.

124. Lee K.M., Le Si Dang, Watkins G.D. Optically detected magnetic resonance of the zinc vacancy in ZnSe. Solid State Commun., 1980, v.35, Я 7, p.527-530.

125. Dunstan D.J., Nicholls J.E., Cavenett B.C., Davies J.J. Zinc vacancy-associated defects and donor-acceptor recombination in ZnSe. J,Phys.C, 1980, v. 13, Я 34, p.6409.

126. Спицын B.H., Рябов А.И., Стельмах H.C., Пирогова Г.Н. Влияние радиации на оптические свойства монокристаллов Ge , GaAs и Zh.Se. Изв. АН СССР, неорган, материалы, 1977, т.13,1. Ш I, с.27.

127. Kishida S., Matsuura К., Fukuma Н., Takeda P., Tsurumi I. Optical absorption bands in neutron irradiated ZnSe and

128. ZnS« nSe~ crystals.-Phys.Status Solidi(b) 1982,v.113,li1 ,p.05 0.5 K31.

129. Park Y.S., Shin B.K. Injection electroluminescence in phosphorus-ion-implanted ZnSe p-n junctbn diodes. J.Appl. Phys., 1974, v.45, p.1444.

130. Adachi S., Machi Y. Phosphorus ion-implantation into ZnSe single crystals. Jap.J.Appl.Phys., 1976, v.15, N 8,p. 1513.

131. Verity D., Davies J.J., Nicholls J.E., Bryant P.J. The application of optically detected magnetic resonance to the investigation of ion implanted semiconductors. J.Appl. Phys., 1981, v.50, N 2, p.737.

132. Георгобиани A.H., Котляревский M.Б., Ластовка В.В., Дементьев Б.П. Получение р-типа проводимости в монокристаллах ZnSe, имплантированных ионами + . Тезисы МИСиС, с.316.

133. Георгобиани А.Н., Котляревский М.Б. Люминесценция ионно1. П YTлегированных кристаллофосфоров группы А В . Изв. АН СССР, физич., 1979, т.4-3, №6, с.II.- 157

134. Shin В.К,, Park Y.S. Electrical characteristics of Al-implanted ZnSe. Appl.Phys.Lett., 1974, v.24, И 9,p.435.

135. Adachi S., Machi У. Boron- and fluorine- ion implantation into ZnSe single crystals. Jap.J.Appl.Phys., 1978, v.17, IT 1, p.136.

136. Mach R., Muller G.O. Physical concepts of high- field, thin- film electroluminescence devices. Phys.St.Sol.A, 1982, v.69, U 1, p.11.

137. Mishima Т., Quankun W., Takahashi K. Molecular beam epitaxial ZnSe:Mn de electroluminescent cell with very low threshold voltage. J.Appl.Phys., 1981, v.52, N 9, p.5797.

138. Dol T., Ohnishi H., Ieyasu K., Hamakava Y. Bright dc electroluminescence in ZnSe-ZnS-Mn thin films. J.Appl. Phys., 1980, v. 51, IT 8, p.4555.

139. Mach R., von Kallen J., Gericke W., Muller G.O.»Reinsperger G.U. ZnSejMn in AC thin film electroluminescence devices. -Phys.Status Solidi A, 1983, v.75, IT 2, p.489.

140. Zhong G.Z., Bryant I*.J. Low-voltage reverse biased diodes of erbium-implanted and neodymium-implanted zinc selenide.-J.Phys.D (Appl.Phys.), 1982, v.15, N 4, p.705.

141. Yamagychi M., Yamamoto A. Blue electroluminescence from a

142. ZnSe MIS structure. Jap.J.Appl.Phys., 1977, v.16, N 1, p.77-84.157« Lindhard J,, Scharff M. Energy dissipation Ъу ions in the KeV region. Phys.Rev., 1961, v.124, p.128.

143. Lindhard J., Scharff M., Schiott H.E. General consideration of heavy ions ranges. - Mat.Fys.Medd.Dan.Vid.Selsk., 1963, v.33, П4, p.3.

144. Schiott H.E. Range-energy ratio for low energy rons. -Mat.Fys.Medd.Dan.Vid.Selsk., 1966, v.35, N9, p.3.

145. Johnson W.S., Gibbons J.P. Statistical range distribution of ions in single and pultiple substrates. Appl.Phys.Lett., 1966, v.9, p.321.

146. Johnson W.S., Kleinfelder W.J., Gibbons J.P. Record of the IEEE 9th Annual Symposium on Electron Ion and Laser Beam Technology, Berkely, California (1967).

147. Физические процессы в облученных полупроводниках. Новосибирск, "Наука", 1977.

148. Gibbons J.P. Ion Implantation in Semiconductors. Part II. Damage Production and Annealing. Proc. IEEE, 1972, v.60, Ж 9, p.1062-1069.

149. Purtado M., Jacob G. Study on the influence of annealing effects in GalT VPE. J.Crystal Growth, 1983, v.64, И 2, p.257-267.

150. Богданкевич O.B., Дарзнек С.А., Елисеев П.Р. Полупроводниковые лазеры. М., "Наука", 1976, с. 202.

151. Kanter Н., Sternglass E.J. Interpretation of range measurements for kilovQlt electrons in solids. Phys.Rev., 1962, v.126, p.620.

152. Макаров B.B. Пространственное распределение плотности генерации электронно-дырочных пар при бомбардировке карбида кремния электронами с энергией до 20 кэВ. ФТП, 1975, т.9,б, с.1098.

153. Соломонов А.В. Глубина возбуждения катодолюминесценции в нитриде галлия. Известия ЛЭТИ, 1976, вып^205, с.98-100.

154. Панков 1. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. - с.46-47.

155. Буренков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей (теория, метод расчета, таблицы).-Минск: Изд-во БГУ им. В.И.Ленина, 1980.

156. Gibbons J.F., Johnson W.S., Mylroic S.W. Projected Range Staticstics, Semiconductors and Related Materials, 2 nd Edition, Dowden, Hutchinson & Ross Inc,m Strondsburg Pennsylvania, 1975.

157. Cunningham R.D., Brander R.W., Knee N.D., Wickenden D,K. Variation of photoluminescence with carrier concentration in GaH. Luminescence 1972, v.5, U 1, p.21.

158. Baranov В., Daweritz L. Vapor phase epitaxial growth of Ga^^Jl^Ji on sapphire. Phys.Stat.Sol. (a), 1976, v.38, U 2, p. K111.

159. Пихтин A.H. оптические переходы в полупроводниковых твердых растворах. ФТП, 1977, т.II, № 3, с.425.

160. Пихтин А.Н., Соколов Е.Б., Соломонов А.В., Чегнов В.П. Люминесцентные свойства гетероэпитаксиальных слоев Ga^Af^A/. -ФТП, 1979, т.13, № 10, с.2026-2028.

161. Сох G.A., Cummis D.O., Kawabe К., Tredgold R.H. On the preparation, optical properties and electrical behaviourof aluminium nitride.-J.Phys.Chem.Sol.,1967,v.28,H4,p.543-548.

162. Пастрняк И., Пачесова С., Шанда Я., Роса Я. Люминесценция центров кислорода в hiN . Изв.АН СССР, физич., 1973, т.37, Ш 3, с.599.

163. Винецкий В.Л., Смирнов Л.С. О компенсации проводимости радиационными дефектами в полупроводниках. ФТП, 1971, т.5, te I, с.176-178.

164. Мейер Дж., Эриксон Л., Дэвис Дж. Ионное легирование полупроводников. М.: Мир, 1973. - 148 с.

165. Gosele V., Strunk Н. High temperature diffusion of phosphorus and boron in silicon via vacancies or via self-inter-stitials. Appl.Phys., 1979, v.20, N 4, p.265-273.

166. Матвеев Ю.А., Мордкович B.H., Петров Н.А. Особенности взаимодействия ионов малых энергий с поверхностью полупроводника. -ФТП, 1980, т.14, № 7, с.1418-1420.

167. Иноземцев С.А., Матвеев Ю.А., Мордкович В.Н., Петров Н.А.,

168. Щербина С.М. Исследование взаимодействия ионов малых энергийш vс поверхностью соединений А В . ФТП, 1982, т.16, fe 3, с.523-525.

169. А.с. 428485 (СССР) Состав для полировки полупроводниковых соединений АПВУ1 (Ю.А.Осипьян, Г.К.Струкова).

170. Кулаков М.П., Фадеев А.В. О стехиометрии кристаллов селени-да цинка, получаемых из расплава. Изв. АН СССР, Неоргант материалы, 1981, т.17, № 9, с.1565.

171. Бочков Ю.В., Илюхина З.П., Лепнев Л.С., Туницка'я В.Ф. Фотолюминесценция сульфида цинка с ионно-имплантированной примесью неона. 1ПС, 1978, т.30, № 2, с.263-266.

172. Бочков Ю.В., Демин В.И., Лепнев Л.С., Туницкая В.Ф. Влияние облучения монокристаллов Zh S ионами неона на интенсивности полос фотолюминесценции. 1ПС, 1980, т.33, te 6,с. 1040-1044.

173. Бочков Ю.В., Георгобиани А.Н., Дементьев Б.П., Котляревский М.Б., Носков Д.А., Рамазанов П.Е. Управление стехиомет1. П YTрией полупроводников А В ионным легированием. ФТП, 1976, т.10, Ш 2, с.316-319.

174. Vermaak J.S., Petruzzelo J. Void formation in annealed Iî+-implanted ZnSe. J.Appl.Phys., 1984, v.55, N4, p.1215-1217.

175. Зуев A.П., Кулаков M.П., Фадеев A.В., Кирейко В.В. Содержание кислорода в кристаллах Zn S ,2п£е. и CdS , выращенных из расплава. Изв.АН СССР, неорган.материалы, 1981, т.17, № 7, C.II59-II6I.

176. Барановский С.Д., Эфрос А.Л., Размытие краев зон в твердых растворах. ФТП, 1978, т.12, П> II, с.2233-37.

177. Суслина Л.Г., Плюхин А.Г., Федоров Д.Л., Арешкин А.Г. Уши-рение экситонных состояний в твердых растворах полупроводников. ФТП, 1978, т.12, Ш II, с.2238-43.

178. Мах Р., Суслина Л.Г., Арешкин А.Г. Влияние неупорядоченности твердого раствора на экситонные состояния кристаллов

179. ZnSxSei-,с . фТП, 1982, т.16, fâ 4, с.649-652.

180. M.P.Kulakov, A.V.Fadeev, I.Sh.Khasanov. Melt growth of ZnSe, CdSe and CdS crystals for laserscreen producing, -Mat.of European meeting on crystal growth, Prague, 1982,p.75.

181. И.Ш.Хасанов, Кузнецов A.B., Гиппиус A.A., Семилетов С.А. Катодолюминесценция GaN , легированного методом ионной имплантации. ФТП, 1983, т.17, fä 2, с.294.

182. Хасанов И.Ш., Кулаков М.П., Негрий В.Д. Фотолюминесценция ионно-имплантированных слоев селенида цинка. Материалы Международной конференции по ионной имплантации полупроводников и других материалов, Вильнюс, 1983, с.30.

183. Кулаков М.П., Меерович Г.А., Уласюк В.Н., Фадеев A.B., Хасанов И.Ш. Лазерные экраны из ZnSe , полученного методом Бриджмена. Изв. АН СССР, неорган.мат., 1983, тЛ9, Nh II, с.1807.

184. Кулаков М.П., Фадеев A.B., Хасанов И.Ш. Фотолюминесценция расплавных кристаллов ZnSe, легированных различными примесями. Тезисы докл. Всесоюзного совещания "Физика и техни1. ГТ YTческое применение полупроводников А В Вильнюс, 1983, т.1, с.76.

185. Кулаков М.П., Фадеев A.B., Хасанов И.Ш. Люминесценция и применение в оптоэлектронике расплавных кристаллов некоторых АНВ*1. Тезисы докл. Всесоюзного совещания "Физика и техни1. П YTческое применение полупроводников A BJi", Вильнюс, 1983, т.З, с.99. •

186. Хасанов И.Ш., Гиппиус A.A., Кузнецов A.B., Петров H.H., Слетов М.М. Катодолюминесценция GaM, легированного Zn в процессе эпитаксиального роста и методом ионной имплантации. Черноголовка, 1983. - (Препринт/ Институт физики твердого тела АН СССР).