Магнитные и магниторезистивные свойства поликристаллических Co/Cu/Co пленок, полученных магнетронным распылением тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ

ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ.

1.1. Гигантский магниторезистивный эффект многослойных пленок.

1.2. Буферные слои в многослойных пленках.

1.3. Изотермический отжиг в слоистых структурах.

ГЛАВА 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.

2.1. Магнетронный метод получения пленок.

2.2. Методика измерения магнетосопротивления.

2.3. Определение толщины слоев мультислойных пленок.

2.4. Измерение магнитных параметров пленок.

2.5. Методы исследования структуры и фазового состава пленок с помощью электронного микроскопа.

2.5.1. Метод электронной микродифракции.

2.5.2. Лоренцева электронная микроскопия.

ГЛАВА 3. ГИГАНТСКОЕ МАГНЕТОСОПРОТИВЛЕНИЕ

ТРЕХСЛОЙНЫХ ПЛЕНОК Со/СиСо.

3.1. Зависимость гигантского магнетосопротивления от толщины немагнитной прослойки.

3.2. Изотермический отжиг Со/Си/Со пленок.

3.2.1. Зависимость гигантского магниторезистивного эффекта от температуры отжига.

3.2.2. Влияние отжига на магниторезистивные петли и поле насыщения.

3.3. Влияние остаточных газов на ГМР эффект.

3.4. Влияние технологических условий на свойства Со/Си/Со пленок.

3.4.1. Магнитные и магниторезистивные петли гистерезиса осажденных пленок.

3.4.2. Магнитные и магниторезистивные петли гистерезиса отожженных пленок.

3.5. Влияние толщины буферного слоя на величину магнетосопротивления.

3.6. Магниторезистивный эффект многослойных пленок [Со/Си]п.

3.7. Выводы.

ГЛАВА 4. УГЛОВАЯ ЗАВИСИМОСТЬ ГИГАНТСКОГО

МАГНИТОРЕЗИСТИВНОГО ЭФФЕКТА В Со/Си/Со ПЛЕНКАХ.

4.1. Зависимость формы петель магниторезистивного гистерезиса от ориентации внешнего магнитного поля и плоскости пленки.

4.2. Определение магнитных параметров Со/Си/Со пленок.

4.2.1. Определение критических полей.

4.2.2. Определение поля насыщения и намагниченности насыщения.

4.2.3. Определение угла выхода вектора намагниченности из плоскости пленки.

4.3. Выводы.

В последние годы возрос интерес исследователей, инженеров, технологов к слоистым структурам, состоящим из различных полупроводниковых (полупроводниковых сверхрешеток) или магнитных (магнитных мультислоев) материалов. Практическая значимость этих материалов для электроники и оптоэлектроники связана с быстродействием, снижением энергетических потерь и небольшими размерами компонент устройств на этих структурах.

Для фундаментальной науки подобные структуры представляют интерес как совершенно новые типы искусственных материалов с необычными физическими свойствами. Большое значение имеет и то, что современные технологии позволяют получать тонкопленочные структуры с заданными физическими свойствами, путем конструирования этих материалов на атомном уровне. Интерес к слоистым структурам стимулирует развитие современных технологий, в первую очередь молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) и эпитаксии из металлоорганических соединений, и методов контроля состава и структуры поверхности на атомном уровне; например, таких как сканирующая туннельная микроскопия (СТМ), электронная оже -спектроскопия (ЭОС), дифракция быстрых электронов (ДОБЭ) и т. д.

Особенностью магнитных мультислоев, которая включила последние в число наиболее интересных материалов, является взаимосвязь их электрических и магнитных свойств. Так, в многослойных магнитных структурах наблюдается гигантское изменение сопротивления под действием магнитного поля.

Энергонезависимость, неограниченный срок службы, радиационная стойкость, широкий температурный диапазон, высокая чувствительность к магнитным полям, присущие элементам с гигантским магниторезистивным эффектом, делают их исключительно привлекательными для широких областей применения.

Магнитные структуры широко используются в современной микроэлектронике, электро- и радиотехнике, технике звуко- и видеозаписи, компьютерной технике, как материалы - носители информации с продольным и вертикальным способами записи.

Большое внимание уделяется в настоящее время и магниторезистивным датчикам на основе многослойных металлических структур. Магнетосопротивление многослойных датчиков на основе Со и Ре более чем на порядок превосходит магнетосопротивление обычных магниторезистивных тонкопленочных материалов, что обусловлено антиферромагнитной связью между ферромагнитными слоями.

С начала исследования гигантского магнетосопротивления (ГМС), было замечено влияние буферного слоя на структуру мультислоев и ГМС. Это позволяет использовать различные буферные слои (Бе, Со, Си, Та, Ыи и др.) с различной кристаллической структурой для управления кристаллической ориентацией слоев в мультислоях. Использование буферных слоев может приводить к улучшению интерфейса, различной кристаллической структуре, и малым полям насыщения в магнитных пленках и, наконец, увеличению гигантского магнетосопротивления и чувствительности в мультислоях.

Тем не менее, необходимо решить еще целый ряд проблем для реального улучшения рабочих характеристик устройств на их основе. Для практического применения многослойных пленок необходим большой процент повторяемости свойств. Исследователи часто сталкиваются с трудностями в получении хорошо воспроизводимых свойств, так как это связано с сильной зависимостью магнитных и магниторезистивных свойств от технологических условий изготовления пленок. С другой стороны, такая зависимость позволяет целенаправленно изменять магнитные параметры, как в процессе создания пленок, так и в процессе термической обработки. Это возможно при четком представлении о механизмах формирования свойств тонкопленочных магнитных структур. Поэтому, необходимо исследовать структуру и состав многослойных пленок, сопоставляя эти данные с магнитными и магниторезистивными свойствами.

Целью диссертационной работы является исследование влияния технологических условий и внешних воздействий на структуру, магнитные и магниторезистивные свойства и установление взаимосвязи магниторезистивных свойств со структурой и магнитными параметрами трехслойных пленок Со/Си/Со.

В связи с этим были поставлены следующие задачи:

1. Исследовать влияние шероховатости подложки и толщины немагнитной прослойки (Си) на величину гигантского магнетосопротивления;

2. Исследовать роль давления рабочего газа (Аг) на величину гигантского магнетосопротивления и определить технологические параметры, при которых гигантское магнетосопротивление имеет максимальное значение.

3. Исследовать взаимосвязь гигантского магнетосопротивления, доли антиферромагнитно упорядоченных областей в смежных ферромагнитных слоях и поля насыщения в Со/Си/Со пленках.

4. Исследовать влияние отжига, толщины буферного слоя, ориентации внешнего магнитного поля относительно плоскости пленки, числа бислоев на магниторезистивный эффект.

5. Определить магнитные параметры Со/Си/Со пленок по магниторезистивным петлям гистерезиса.

На защиту выносятся следующие основные результаты:

1. Дисперсия вектора намагниченности в Со/Си/Со пленках зависит от типа и величины косвенной обменной связи между ферромагнитными слоями Со.

2. Для мелкозернистых, поликристаллических пленок Со/Си/Со установлена взаимосвязь между шероховатостью межфазных границ, долей антиферромагнитно связанных областей и величиной гигантского магниторезистивного эффекта.

3. Показано, что изменение величины гигантского магнетосопротивления, происходящее в Со/Си/Со пленках в результате отжига, обусловлено изменением структуры границ раздела, ростом размеров зерен и процессами диффузии.

Практическая ценность работы состоит в том, что ее результаты способствуют развитию представлений о взаимосвязи кристаллической и магнитной структур с гигантским магнетосопротивлением. Результат работы выявляет возможность управления магниторезистивными и магнитными свойствами пленок Со/Си/Со и содержит рекомендации о наиболее оптимальных параметрах и режимах получения таких структур.

Новизна исследований и полученных результатов.

1. Установлена связь между типом магнитного упорядочения в смежных слоях Со, величиной энергии косвенного обменного взаимодействия слоев Со и величиной угла дисперсии вектора намагниченности в Со/Си/Со пленках.

2. Определены технологические параметры (давление рабочего газа, толщина буферного слоя, температура отжига и т. д.), при которых структура ультрадисперсных, поликристаллических трехслойных пленок и межфазных границ соответствует максимальному значению магниторезистивного отношения.

3. Установлена взаимосвязь между магнитными и гальваномагнитными свойствами исследуемых образцов.

4. Показано, что в поликристаллических Со/Си/Со пленках увеличение шероховатости границ раздела приводит к уменьшению поля насыщения и величины гигантского магниторезистивного эффекта.

5. Разработана методика определения величины намагниченности насыщения образцов без определения толщины магнитных слоев по магниторезистивным кривым.

Личное участие автора в получении результатов состоит в следующем:

- введение в эксплуатацию установки для магнетронного распыления пленок;

- получение трехслойных и многослойных Со/Си/Со пленок магнетронным методом;

- измерение магнитных и магниторезистивных параметров;

- исследование структуры пленок;

- оценка магнитных и магниторезистивных параметров.

Апробация работы. Основные результаты работы докладывались на

Всероссийских межвузовских научно-технических конференциях «Фундаментальные и прикладные вопросы физики и математики». (Владивосток, ТОВМИ, 1999, 2000, 2002 гг.); Международной школе-семинаре «Новые магнитные материалы микроэлектроники» (Москва, 2000 гг.); Всероссийской Научной конференции студентов - физиков и молодых ученых (Екатеринбург - Томск, 2000 г.); четвертом Русско-Японском семинаре «Proceedings of the Semiconductor Surfaces» (Nagoya, Japan, 2000 г.); научных конференциях студентов, аспирантов и молодых ученых по физике при поддержке федеральной программы «Интеграция фундаментального образования», проект 742 (ИАПУ, Владивосток, 1999, 2000 гг.; ДВГУ, Владивосток, 1998, 1999, 2000 гг.).

Структура и объем диссертации. Диссертационная работа состоит из введения, четырех глав, заключения и списка литературы из 102 наименований. Общий объем диссертации составляет 143 страницы, в том числе 52 рисунка и 8 таблиц.

4.3. Выводы

1. При изменении угла между направлением внешнего магнитного поля и нормалью к плоскости плёнки обнаружена заметная модификация формы петель магниторезистивного гистерезиса, а также появление и исчезновение минимумов и максимумов на петлях перпендикулярного магниторезистивного гистерезиса. Если вектор намагниченности лежит в плоскости плёнки, то критерием того, что направление внешнего магнитного поля расположено перпендикулярно к плоскости плёнки является безгистерезисная кривая.

2. Установлена взаимосвязь между магнитными параметрами Со и Со/Си/Со пленок (намагниченностью насыщения 15, коэрцитивной силой Нс, полем насыщения Н5 и другими), измеренными по петлям магнитного и магниторезистивного гистерезиса.

3. Показано, что по петлям магниторезистивного гистерезиса многослойных пленок можно достаточно точно определить величины Нс, Н8 и 18. По величине поля насыщения, измеренной по перпендикулярной петле магниторезистивной кривой можно определить величину намагниченности пленки 15 без определения толщины и площади плёнки.

4. При использовании нескольких образцов, нанесённых на одну подложку, один из которых не имеет выхода намагниченности из плоскости плёнки (К1 Ф 0) или угол выхода намагниченности из плоскости известен, можно определить угол а выхода намагниченности из плоскости плёнки каждого образца.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Показано, что в трехслойных поликристаллических Со/Си/Со пленках угол дисперсии вектора намагниченности зависит от типа магнитного упорядочения и величины энергии косвенной обменной связи между ферромагнитными слоями.

2. Установлено, что величина косвенной обменной связи между смежными слоями кобальта (поле насыщения), доля антиферромагнитно связанных областей между слоями кобальта и величина магниторезистивного отношения зависят от плотности точечных дефектов в слоях, шероховатости межфазных границ и размера зерна.

3. Определены оптимальные технологические условия, при которых магнетосопротивление и поле насыщения (величина косвенной обменной связи между слоями кобальта) имеют максимальное значение. Установлено, что для поликристаллических Со/Си/Со пленок, полученных методом магнетронного распыления при базовом давлении 10~6 Topp, давление рабочего газа аргона должно быть 6.75 мТорр, а толщина буферного слоя железа 6 нм.

4. Установлена взаимосвязь (корреляция) между магнитными (коэрцитивной силой, долей антиферромагнитно связанных областей) и гальваномагнитными (магниторезистивным отношением и полем насыщения) параметрами.

5. Показано, что в многослойных пленках коэрцитивная сила определяется не только закреплением доменных стенок структурными дефектами, но и силой обменной связи между слоями Со.

6. Показано, что по петлям магниторезистивного гистерезиса Со/Си/Со пленок с точностью менее 10 % можно определить величину намагниченности насыщения без измерения толщины пленки.

131

В заключении выражаю глубокую благодарность научному руководителю доктору ф.-м. н., профессору Л. А. Чеботкевич, а также к. ф.-м. н. Ю. Д. Воробьеву, ведущему инженеру лаборатории пленочных технологий Л. П. Печниковой, сотрудникам кафедры общей физики, зав. кафедрой, к. ф.-м. н., доценту В. Д. Баурину.

1. Egelhoff W. F., Chen Jr. P. J., Powell C. J. et. al. The trade-off between large magnetoresistance and small coercivity in symmeric spin valves. J. Appl. Phys., 1996, 79(11), p. 8603 - 8606.

2. Farrow R. F. C., Lee С. H., Parkin S. S. P. Magnetic multilayer structures. -IBM J. Res. Develop., 1990, 34(6), p. 903 915.

3. Houdy Ph., Boher P., Giron F., Pierre F. Magnetic and structural properties of rf-sputtered Co/Fe and Co/Cr multilayers. J. Appl. Phys., 1991, 69(8), p. 5667 - 5669.

4. Устинов В. В., Ромашев Jl. Н., Минин В. И., Семериков А. В., Дель А. Р. Зависимость магнетосопротивления сверхрешеток Fe/Cr от ориентации внешнего магнитного поля. ФММ, 1995, т.8, № 5, с. 71 - 80.

5. Baibich М. N., Broto J. М., Fert A. et. al. Giant magnetoresistance of (001)Fe/(001)Cr magnetic superlattices. Phys. Rev. Letters, 1988, 6(21), p. 2472 - 2475.

6. Parkin S. S. P., Li Z. G., David J. Smith. Giant magnetoresistance in antiferromagnetic Co/Cu multilayers. Appl. Phys. Lett., 1991, 58(23), p. 2710-2712.

7. Hall M. J., Whitton E. D., Jardine D. В., Somekh R. E., Evetts J. E., Leake J. A. The effect of annealing on the giant magnetoresistance and magnetisation of sputter-deposited Co/Cu multilayers. J. Mag. and Mag. Mater., 1996,156, p. 119-120.

8. Kubinski D. J., Holloway H. Co/Cu multilayers with reduced magnetoresistive hysteresis. J. Mag. and Mag. Mater., 1997, 165,p. 104 107.

9. Emmerson C. M., Shen T. H. A study of Co/Cu multilayers grown on Si(lll) with silicide buffer layers. J. Mag. and Mag. Mater., 1996, 156, p. 15 - 16.

10. Willekens M. M. H., Rijks Th. G. S. M., Swagten H.J.M., de Jonge W. J. M. Interface intermixing and magnetoresistance in Co/Cu spin valves with uncoupled Co layers. J. Appl. Phys., 1995, 78(12), p. 7202 - 7209.

11. Parkin S. S. P., More N., Roche K. P. Oscillations in exchange coupling and magnetoresistance in metallic superlattice structures: Co/Ru, Co/Cr, and Fe/Cr. Phys. Rev. Lett, 1990, 64, p. 2304 - 2307.

12. Parker M. A., Hylton T. L., Cofley K. R., Howard J. K. Microstructural origin of giant magnetoresistance in a new sensor structure based on NiFe/Ag discontinuous multilayer thin films. J. Appl. Phys., 1994, 75(10), p. 6382 -6384.

13. Hossain S., Seale D., Qiu G., Jarratt J., Barnard J. A., FujiwaraH., Parker M. R. Hysteresis reduction in NiFeCo/Cu multilayers exhibiting large low-field giant magnetoresistance. J. Appl. Phys., 1994, 75(10), p. 7067 - 7069.

14. Jimbo M., Matsua M. Giant magnetoresistance in amorphous CoFeP sandviches.- In Proceed of ICMFS'94 and MRM'94, 1994, Dusseldorf, p. 7 10.

15. Dubois S., Beuken J.M., Piravx L., Duvail J.X., Fert A., George J. M., Maurice J. L. Perpendicular giant magnetoresistance of NiFe/Cu and Co/Cu multilayered nanowires. J. Mag. and Mag. Mater., 1997,165, p. 30 -33.

16. Gambino R. J., McGuire T. R., Harper J. M. E., and Cyril Cabral. Giant magnetoresistance of dilute Cu(Co) granular films. J. Appl. Phys., 1994, 75(10), p. 6909-6911.

17. Veda Y., Hataya N., Zaman H. Magnetoresistance effect of Co/Cu multilayer film produced by electrodeposition method. J. Mag. and Mag. Mater., 1996,156, p. 350 - 352.

18. Lenczowski S. К. J., Schonenberger C., Gijs M. A. M., de Jonge W. J. M. Giant magnetoresistance of electrodeposited Co/Cu multilayers. J. Mag. and Mag. Mater., 1995,148, p. 455 - 465.

19. Schmeusser S., Rupp G., Hubert A. Optimization of giant magnetoresistance in ion beam sputtered Co/Cu multilayers. J. Mag. and Mag. Mater., 1997, 166, p. 267 - 276.

20. Zhang H., Cochrane R. W., Huai Y., Ming Mao, Bian X., Muir W. B. Effect of annealing on the giant magnetoresistance of sputtered Co/Cu multilayers. -J. Appl. Phys., 1994, 75(10), p. 6534 6536.

21. Касютич О. И., Федоскж В. М. Гигантское магнетосопротивление в мультислойных электроосажденных Со/Си пленках. ФММ, 1996, т. 82, в. 5, с. 90-97.

22. Kubinski D. J., Holloway Н. Giant magnetoresistance in Со/Си multilayers: Influence of Co thickness at the first antiferromagnetic maximum. J. Appl. Phys., 1996,79(9), p. 7395 - 7397.

23. Kubinski D. J., Holloway H. Giant magnetoresistance in Co/Cu multilayers with very thin Co layers: Reduced hysteresis at the second antiferromagnetic maximum. J. Appl. Phys., 1996, 79(3), p. 1661 - 1663.

24. Holloway H., Kubinski D. J. Giant magnetoresistance in Co/Cu multilayers with Co layers of alternating thickness: Reduction of magnetoresistance hysteresis. J. Appl. Phys., 1996, 79(9), p. 7090 - 7094.

25. Takahashi Y., Inomata K. Correlation between giant magnetoresistance and the antiferromagnetic volume fraction in superlattics. J. Appl. Phys., 1996, 79(11), p. 8598-8602.

26. Pollard R. J., Wilson M. J., Grundy P. J. Giant magnetoresistance in highly oriented sputter deposited (11 l)Co/Cu multilayers. J. Mag. and Mag. Mater., 1995,146,pi -4.

27. Parkin S. S. P., More N., and Roche K. P. Oscillation in Exchange Coupling and Magnetoresistance in Metalic Superlattice Structures: Co/Ru, Co/Cr and Fe/Cr. The American Physical Society, 1990, 64(19), p. 2304 - 2307.

28. Qiu Z.Q., Pearson J., and Bader S. P. Oscillatory interlayer magnetic coupling of wedged Co/Cu/Co sandwiches grown on Cu(100) by molecular beam epitaxy. Phys. Rev. B., 1992, 46, p. 8659 - 8662.

29. Bruno P. Oscillations of interlayer exchange coupling ferromagnetic-layers. Europhys. Lett., 1993, 23, p. 615-620.

30. Coehoorn R., Period of oscillatory exchange interactions in Co/Cu and Fe/Cu multilayer systems. Phys. Rev. B, 1991, 44, p. 9331 - 9337.

31. Johnson M. T., Purcell S. T., McGee N. W. E., Coehoorn R., J., de Stegge, Hoving W. Structural Dependence of the Oscillatory Exchange Interaction Across Cu Layers. Phys. Rev. Lett, 1992, 68, p. 2688 - 2691.

32. Modak A.R., David J., Smith S. S., Parkin P. Dependence of giant magnetoresistance on grain size in Co/Cu multilayers. Phys. Rev. B. 1994, 50, p. 4232-4235.

33. Bruno P. and Chappert C. Ruderman-Kittel theory of oscillatory interlayer exchange coupling. Phys. Rev. B., 1992, 46, p. 261 - 270.

34. Fullerton E. E., Kelly D. M., Gimpel J. and Schuller I. K. Roughness and giant magnetoresistance in Fe/Cr superlattices. Phys. Rev. Lett., 1992, 68, p. 859 - 862.

35. Wang Y., Levy P. M., and Fry J.L. Interlayer magnetic coupling in Fe/Cr multilayered structures. Phys. Rev. Lett., 1990, 65, p. 2732 - 2735.

36. Bruno P., Chappert C. Oscillatory coupling between ferromagnetic layers separated by a nonmagnetic metal spacer. Phys. Rev. Lett., 1991, 67(12), p. 1602- 1605.

37. Randolph Q. Hood, Falicov L. M., and Penn D. R. Effects of interfacial roughness on the magnetoresistance of magnetic metallic multilayers. Phys. Rev. В., 1994, 49, p. 368-377.

38. Barnas J., Palasantzas G. Interface roughness effects in the giant magnetoresistance in magnetic multilayers. J. Appl. Phys., 1997, 82(8), p. 3950-3956.

39. С. Т. Рощенко И. Г. Шипкова. Особенности ГМС мультислойных поликристаллических пленок Со/Си. ФММ, 1998, т. 85, в. 1, с. 93 - 104.

40. Slonczewski J. С. Fluctuation mechanism for biquadratic exchange coupling in magnetic multilayers. Phys. Rev. Lett., 1991, 67(22), p.3172-3175.

41. Krebs J. J., Lubitz P., Chaiken A., Prinz G. A. Magnetic resonance determination of the antiferromagnetic coupling of Fe layers through Cr. -Phys. Rev. Let, 1989, 63(15), p. 1645 1648.

42. Jimbo M., Kanda Т., S. Goto, S. Tsunashima, and S. Uchiyama. Gaiant magnetoresistancein FeNiCo/Cu multilayers. Jpn. J. Appl. Phys. 1992, 31, p. 1348- 1350.

43. Tie Li, Hong-Lie Shen, Qin-Wo Shen, Shi-Chang Zou, Koichi Tsukamoto, Mamoru Okutomi. The influence of Ni buffer layer on the giant magnetoresistance in Co/Cu multilayers. J. Mag. and Mag. Mater., 2001, 224, p. 55 - 60.

44. Emmerson C.M., Shen Т.Н. A study of Со/Си multilayers growth on Si(l 11) with silicide buffer layers. J. Mag. and Mag. Mater., 1996, 156, p. 15-16.

45. Steams D.J. X-ray scattering from interfacial roughness in multilayer structures. J. Appl. Phys., 1992, 71(9), p.4286 - 4298.

46. Zhu Pei Syi, Peter M. Levy and John L. Fry. Interlayer magnetic coupling in metallic multilayer structures - Physical review, 1993, 49(21), p.15159- 15178.

47. C. Chappert and J.P. Renard. Long-perid oscillating interactions between ferromagnetic layers separated by a nonmagnetic metal: a simple physical picture. Europhysics Letters, 1991,15(5), p. 553 - 558.

48. U. Gradmann, H. J. Elmers. Ferromagnetic order despite antiferromagnetic coupling through finite size spacer layers. J. Mag. and Magn. Mater., 1994, 137, p. 44-50.

49. Saito Y., Kaito C., Naiki T. Structure of thin amorphous Mo films prepared, by vacuum-deposition. J. Cryst. Growth., 1986, v. 79, № 1 - 3, p. 436 - 442.

50. Hashimoto Т., Okamoto K., Fujiwara H., Itoh K., Kamiya M., Нага К. Texture and columnar grain structure in obliquely deposited Co-Ni films. -Thin Solid Films, 1991, v. 205, № 2, p. 146 152.

51. Tasaki A., Tagawa K., Kita E. Magnetic anisotropy of a cobalt thin film prepared by oblique incidence. Jap. J. of Appl. Phys., 1987, v. 26, № 12, p. 2037 - 2040.

52. M. El Harfaoui, H. Le Gall, J. Ben Youssef, S. Pogossian, A. Thiaville, P. Gogol, A. Qachaou, J. M. Desvignes. GMR versus interfacial roughnessinduced from different bufferes in (Co/Cu) ML J. Mag. and Mag. Mater., 1999,198-199, p. 107-109.

53. Nakahara S., McCoy R.J. Microstructural determination of fast diffusing species in thin film diffusions coupes. Thin Solid Films, 1982, 88, p. 285 -290.

54. C. Christides, S. Stcivroyiannis, N. Boukos, A. Travlos, and D. Niarchos. Microstructural modification in Co/Cu giant-magnetoresistance multilayers -J. Appl. Phys, 1998, 83(7), p. 3724 3730.

55. Kok K.Y., Hall M.J., Leake J.A. Microstructural characterisation of Co/Cu multilayers using X-ray diffraction. J. Mag. and Mag. Mater., 1996, 156, p. 51 -52.

56. Болтушкин A.B., Федосюк B.M., Касютич О.И. Влияние отжига на магнитные свойства мультислойных Со/Си и Co/Pd плёнок. ФММ, 1993, т.75, в. 6, с. 58-61.

57. Oepen Н.Р., Knappman S., Wulfhekel W. Ferro- and para-magnetic properties of ultrathin epitaxial Co/Cu film. J. Mag. and Mag. Mater., 1995, 148, p. 90 - 92.

58. Laidler H., Pape I, Gregory C.I., Hickey B.J., Tanner B.K. X-ray and magnetoresistance measurements of annealed Co/Cu multilayers. J. Mag. and Mag. Mater., 1996,154, p. 165 - 174.

59. Королев Б.И. Основы вакуумной техники М.: Госэнергоиздат., 1958, 407 с.

60. Данилин Б.С., Сырчин В.К. Магнетронные распылительные системы. -М.: Радио и связь., 1982, 73 с.

61. Данилин Б.С. Вакуумное нанесение тонких пленок. М.: Энергия., 1967,311 с.

62. Ильин Э.В., Писаренко И.В. Структура и магнитные свойства многослойных Co-Ti/Mo пленок. Тезисы докладов III Всероссийской научной конференции студентов- физиков, Екатеринбург. 1995, с. 77 - 78.

63. Шкляровский И.Н. Оптика и спектроскопия, 1958, 5, в. 5, 617 с.

64. Баранов А.Г., Гладков Ю.А., Судаков Н.И., Аюрзанайн Б.А. К вопросу измерения толщины тонких магнитных пленок фотометрическим методом Аппаратура и методы исследования тонких магнитных пленок. Красноярск. 1968, с. 59 -63.

65. Физика тонких пленок / Под. ред. Фраккомба М.Х., Гофмана Р.У. М.: Изд-во Мир, 1973, т.VI, 392 с.

66. Томас Г., Гориндж М.Д. Просвечивающая электронная микроскопия материалов. / Под. ред. Вайнштейна Б.К. М.: Наука., 1983, 317 с.

67. Хирш П., Хови А., Николсон Р., Пэшли Д., Уэлан М. Электронная микроскопия тонких кристаллов. / Под. ред. Утевского JI.M. М.: Мир., 1968, 573 с.

68. Миркин Л. И. // Справочник по рентгено-структурному анализу поликристаллов. М.: Ф.-М.Л, 1961, 700 с.

69. Воробьев Ю.Д. Влияние поверхностных и объемных неоднородностей на коэрцитивную силу тонких магнитных пленок // Дис. канд. физ.-мат. н.: 539.216:537.622. Владивосток. 1985, 165 с.

70. Буравихин В.А., Попов В.И. Зависимость ширины междоменных границ ферромагнитных пленок от величины угла поворота вектора намагниченности в гранулах. Физика магнитных пленок. Иркутск, 1967, с. 677 -681.

71. Плотников B.C. Релаксация структуры и начальная стадия кристаллизации пленок аморфных ферро- и ферримагнитных сплавов

72. ПМ-М и ПМ-РЗ // Дис. канд. физ.-мат. н.: 532.782:539.23/539.27. Владивосток, 1986, 230 с.

73. Wigen P., Zhou Li, Stamps R., et al. Compositional control of interlayer magnetic coupling in Co/Ru/Co(Ag) and Co/Cu/Co(Ag) trilayers films. J. Mag. and Mag. Mater., 1997,165, p. 465 - 467.

74. Чеботкевич Л.А., Воробьев Ю.Д., Буркова И.Н. Магнитные свойства и межфазные границы трехслойных Со/Си/Со пленок. Сб. трудов XVI Международной школы-семинара «Новые магнитные материалы микроэлектроники». Москва, 1998, ч. 2, с. 426 - 427.

75. Буркова И.Н., Корнилов А.В. Влияние подложки и буферного слоя на магниторезистивный эффект. Сб. докладов региональной научной конференции студентов, аспирантов и молодых ученых по физике. Владивосток, 1999, с. 50 - 51.

76. Bertero G.A., Sinclair R. Structure-property correlations in Pt/Co multilayers for magneto-optic recording. J. Mag. and Mag. Mater., 1994, 134, p. 173 - 184.

77. Чеботкевич Jl.A., Воробьев Ю.Д., Буркова И.Н., Корнилов А.В. Структура и магнитные свойства отожженных пленок Со/Си/Со. ФММ, 2000, 89(3), с. 56-61.

78. Звездин А.К., Уточкин С.Н. О процессах намагничивания и механизме кинетичеких аномалий в магнитных наноструктурах. Письма в ЖЭТФ, 1993, 57(7), с. 418-423.

79. С. Н. Marrows, В. J. Hickey, М. Herrman, S. Мс. Vitie, J. N. Chpman. Effect of gas damage on coupling and anisotropy in sputtered Co/Cu multilayers. J. Mag. and Mag. Mater., 1999,198 - 199, p. 408 - 411.

80. Федосюк B.M., Макутин Г.В., Козин H.H., Касютич О.И. Структура и магнитные свойства мультислойных Со/Си пленок. ФММ, 1993, 75(5), с. 76-78.

81. Chebotkevich L.A., Vorobyev Yu.D., Kornilov A.V. Influence of Thermal Treatment Temperature and Buffer Layer Thickness on Magnetoresistance. -Phys. Low Dim. Struct., 2000,11/12, p. 45 - 49.

82. Технология тонких плёнок. / Под ред. Л. Майссела и Р. Глэнга. М.: Советское радио, 1977, т. 2., 768 с.

83. Chebotkevich L.A., Vorobyev Yu. D., Burkova I. N., Kornilov A.V. Structure and Magnetic Properties of Annealed Co/Cu/Co films. The Physics of metals and metallography. 2000, 89(3), p. 263 - 268.

84. Maesaka A., Sugawara N., Okabe A., Itabashi М. Influence of microstructure on thermal stability о spin-velve multilayes. J. Appl. Phys., 83(3), p. 7628 - 7634.

85. D.O. Smith, E.E. Huber, M.S. Cohen and G.P. Weiss. J. Appl. Phys., 1960, 31(5), p. 523 - 525. (Перевод в сб. Тонкие магнитные плёнки, ГИТЛ УССР, Киев, 1963, с. 177 - 183.

86. Воробьев Ю.Д., Буркова И.Н., Чеботкевич JI.A. Коэрцитивная сила и магнетосопротивление пленок Со/Си/Со ФММ, 2000, т. 89, № 4, с. 26-31.

87. Zhang S., Dimitrov D.V., Hadjipanayis G.C., Cai J.W., Chien C.L. Coercivity induced by random field at ferromagnetic and antiferromagnetic interfaces J. Mag. and Mag. Mater. 1999, v. 198-199, p. 468 - 470.

88. Осуховский В.Э., Воробьев Ю.Д., Чеботкевич JI.A. и др. Определение вкладов в коэрцитивную силу тонких магнитных пленок от объемных и поверхностных неоднородностей ФММ, 1984, т. 57, № 2, с. 254 - 260.

89. Пынько В.Г., Мушаилов Э.С., Пынько Г.П. Измерение намагниченности насыщения и толщины ТМП методом вращающих моментов. «Аппаратура и методы исследования тонких магнитных плёнок». Красноярск: ин-т физики СО АН СССР. 1968, с. 72 - 75.

90. Ratzke К., Hall M.J., Jardine D.B. et. al. Evolution of microstructure and magnetoresistance in Co/Cu multilayers during annealing J. Mag. and Mag. Mater., 1999, v. 204, p. 61 - 67.

91. Воробьев Ю.Д., Чеботкевич Л.А., Корнилов A.B. Угловая зависимость перпендикулярного магниторезистивного. Материалы ХХХХШ Всероссийской межвузовской научно - технической конференции143

92. Фундаментальные и прикладные вопросы физики и математики». Владивосток: ТОВМИ, 2000, т.2. с. 47 51.