МДП-структуры на основе антимонида индия в сильном электрическом поле тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.10 ВАК РФ

ВВЕДЕНИЕ.€

Основные обозначения и сокращения.ю

Глава I ВЛИЯНИЕ ПОПЕРЕЧНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ НА

СВОЙСТВА ВДП-СТРУКТУР (ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ).Н

§ I. Инлсекция, перенос и захват заряда в ЩП-структурах.Н

§ 2. Способы определения центроида заряда, накопленного в диэлектрике.

§ 3. Генерация состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик.

§ 4. Некоторые свойства кремниевых и германиевых ВДП-структур, содержащих пленки А^03 и пиролитического SiOz ./

§ 5. Электрофизические свойства ОДЦП-структур на основе TnSi .2.Ц

§ 6. Способы расчета энергетического спектра и поверхностного потенциала в области пространственного заряда полупроводников.

Постановка задач исследования.

Глава II РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ И ПОТЕНЦИАЛОВ

В ПОЛЯРИЗОВАННОЙ ВДП-СТРЖГУРЕ.

§ I. Описание поляризованной ВДП-структуры в приближении модели центроидов накопленного заряда.

§ 2. Расчет электростатического потенциала в ОПЗ

TnSQ в рамках классической статистики.

§ 3. Расчет электростатического потенциала и энергетического спектра в слое обогащения n-XnS£ с учетом размерного квантования в ОПЗ.

3.1 Описание методики самосогласованного расчета.СО

3.2 Выбор эффективной массы.С С

Основные результаты главы II.

Глава III ОПИСАНИЕ ПРОЦЕССОВ НАКОПЛЕНИЯ ЗАРЯДА В ЮТ-СТРУКТУРЕ С ЛОВУШЕЧНЫМ ДИЭЛЕКТРИКОМ

ПРИ НИЗКОЙ ТЕМПЕРАТУРЕ.

§ I. Накопление заряда в диэлектрике при положительном потенциале на полевом электроде.

§ 2. Захват в туннельном слое и его влияние на кинетику накопления заряда в объеме диэлектрика.

§ 3. Описание кинетики накопления заряда в ЩП-структурах с двухслойным диэлектриком при инжекции электронов из полевого электрода.

§ 4. Методика одновременного определения координаты центроида накопленного в диэлектрике заряда и высоты потенциального барьера, лимитирующего инжекцию.

Основные результаты главы III.

Глава 1У МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА. ИССЛЕДОВАНИЯ,

НЕОБХОДИМЫЕ ДЛЯ КОРРЕКТНОЙ ИНТЕРПРЕТАЦИИ РЕЗУЛЬТАТОВ ЭКСПЕРИМЕНТА В СИЛЬНОМ

ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ.Ю

§ I. Образцы.i

§ 2. Описание экспериментальной установки.fO7

§ 3. Температурная нестабильность напряжения плоских зон ВДП-структуры.

3.1 Обратимые измененияЛГ .US'

3.2 Влияние повышенной температуры на растекание заряда, накопленного в диэлектрике.

§ 4. Измерение напряжения плоских зон ВДП-струк-туры при наличии гистерезиса вольтфарадных характеристик.

Основные результаты главы 1У.

Глава У ЗАРЯДОВАЯ НЕСТАБИЛЬНОСТЬ ВДП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ

В СИЛЬНОМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ.135"

§ I. Зарядовая нестабильность ЩП-структур с подслоем анодного окисла TnSi .135"

1.1 Положительная поляризация ЩП-структуры

0). Определение эффективной массы электрона в запрещенной зоне анодного окисла In Si .5~

1.2 Отрицательная поляризация ЩП-структуры 0).т

1.3 Поляризация со сменой знака.-/5*

§ 2. Зарядовая нестабильность ЩП-структур с пленками ^г03 и возможные механизмы накопления заряда в диэлектрике.

§ 3. Исследование бокового "растекания" заряда в ЩП-структурах с пленками пиролитического

3.1 Особенность зарядовой нестабильности структур с подложкой р -типа.

3.2 Увеличение фотоответа в структурах металл-диэлектрик-полупроводник после сильнополевого воздействия.1G

Основные результаты главы У.

Глава У1 ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЕ ОПРЕДЕЛЕНИЕ ПАРАМЕТРОВ ЗОННОЙ ДИАГРАММЫ ЩП-СТРУКТУР НА ОСНОВЕ i*sl .т

§ I. Энергия активации ловушек в AiL

§ 2. Высота потенциального барьера

At-Atz05 .т

§ 3. Высота потенциального барьера

At - Si02 .<М

§ 4. Обсуждение моделей, объясняющих понижение высоты барьера At - пиролитический Si02 . 1В

Основные результаты главы У1.1%

Научный интерес к ЩЩ (металл-диэлектрик-полуцровод-ник)-структурам на основе узкозонных полупроводников типа вызван, в первую очередь, возмозкностью их использования в качестве фоточувствительных элементов ИК-диапазояа. Для области спектра (2-5) мкм перспективным полупроводниковым материалом является антимонид индия. Он характеризуется малой шириной запрещенной зоны (0,228 эВ при температуре Т = 80 К), высокой подвижностью электронов см^/В*с), значительным коэффициентом поглощения в собственной полосе

10^ см~^). Системы, предназначенные для формирования изображения в ИК-диалазоне, имеют важное народно-хозяйственное значение [ I] . Они позволяют следить за состоянием природных ресурсов, растительности и посевов, обнаруживать лесные пожары в самом начале их возникновения, используются в медицинском тепловидении и т.д. В настоящее время на основе ан-тимонида индия создаются много элементные фотоприемные устройства, чувствительность которых позволяет работать в режиме ограничения флуктуациями фона [2,3J .

Важнейшим применением фоточувствительных ВДП-структур является их использование в системах ПЗС и приборах с ин-жекцией заряда. Принцип работы таких элементов предусматривает подачу постоянного и импульсного напряжений на полевой электрод. Известно, что в ряде случаев это может привести к накоплению заряда в диэлектрике и соответствующему изменению рабочих параметров прибора.

Выявление закономерностей и физических механизмов надо

- ? пления заряда в диэлектрике под действием внешнего электрического поля дает возможность прогнозировать стабильность и надежность длительно функционирующих ВДП-фотоприемных устройств и других цриборов, созданных на базе ЩП-элементов.

В кремниевых и германиевых ВДП-структурах эффекты зарядовой нестабильности достаточно подробно изучены Г 4,5] . Исследование системы металл-диэлектрик-полупроводник на основе Ги S6 требует разработки нового научного подхода к цро-блеме, что вызвано следующими причинами:

1) в структурах использован особый класс диэлектриков -синтезированных методами низкотемпературной технологии (при Т = (20-250) С);

2) рабочая температура элементов на основе Ти Si Т" —

80 К;

3) фундаментальные свойства 1и$ё (и, в частности, его зонная структура) существенно отличаются от полупроводников 1У группы.

Таким образом, изучение процессов накопления заряда в ВДП-структурах на основе InS£ в электрическом поле является актуальной научной задачей.

До настоящего времени исследования в этом направлении в основном содержали сведения о зарядовой нестабильности в области слабых электрических полей Е < 10® В/см (см., например, [6-8] ), Авторы подробно изучали механизмы гистерезиса вольт-фарадных характеристик (ВФХ), состояние границы

Раздела полуцроводншс-диэлектршс и ряд других явлений.

В то же время, систематического изучения структур в широком диапазоне полевых воздействий, включая область сильных полей Е. >, Ю В/см, Доведено не было. Свойства ВДП-структур на основе J*S£ с пленками , №г03 , а также с двухслойными диэлектрическими покрытиями, совсем не были исследованы в диапазоне сильных электрических полей.

Отсутствие указанных экспериментальных результатов, а также отсутствие общего (теоретического и экспериментального) подхода к исследованию ЩП-структур на основе узкозонных полупроводников с низкотемпературными диэлектриками в широком диапазоне полей, ограничивали возможность создания стабильных фоточувствительных ЩП-элементов, устойчивых к внеш-неполевым воздействиям.

Целью настоящей работы являлось исследование зарядовой нестабильности ЩП-структур на основе InSi в широком диапазоне электрических полей; выявление закономерностей и установление механизмов накопления заряда в диэлектрике в сильс ном ( Е 10 В/см) электрическом поле.

В ходе выполнения поставленной задачи разработан единый экспериментальный и теоретический подход к исследованию зарядовой нестабильности ЩП-структур на основе узкозонных соединений, содержащих как однослойные, так и многослойные диэлектрики, позволивший впервые описать основные закономерности изменения зарядового состояния ЩП-структур на основе In Si в широком диапазоне внешнеполевых воздействий.

На защиту выносятся следующие основные положения:

1. Установлено, что накопление заряда в низкотемпературных диэлектриках ЩП-структур на основе в сильном электрическом поле при Т — 80 К обусловлено механизмом туннелирования электронов через треугольный потенциальный барьер.

2. Создана методика одновременного определения положения центроида накопленного в диэлектрике заряда и характеристического поля Е0 в модели Фаулера-Нордгейма.

3. Из экспериментальных исследований накопления заряда в диэлектрике ВДП-структур на основе впервые для данных структур определены: а) эффективная масса электрона в запрещенной зоне анодного окисла (АО) Хц5& ; б) высота потенциального барьера на границе алюминия с низкотемпературными диэлектриками SiOz и А^О5 ; в) энергия активации объемных ловушек донорного типа в низкотемпературном Atz03 .

4. Предложена оригинальная методика и получены результаты самосогласованного расчета электростатического потенциала и энергетического спектра в слое обогащения n.-I*,S£ .

5. Предсказано и экспериментально обнаружено новое проявление зарядовой нестабильности фоточувствительных ЩП-структур - увеличение фотоответа после сильнополевого воздействия.

6. Показано, что среди исследованных образцов ЩП-структур с диэлектриками АО, 5сОг , А£г03 наиболее стабильной в области электрических полей |Е| >, 10^ В/см является структура InSe -SiO, - анодный At-At .

Основные обозначения и сокращения d , dQ - толщина диэлектрика

Е » Еох - напряженность электрического поля в диэлектрике Е0 - характеристическое поле в модели Фаулера-Нордгейма F - положение уровня Ферми < - модуль волнового вектора электрона Т - абсолютная температура t - время, длительность полевого воздействия

- напряжение плоских зон

- напряжение на полевом электроде ЩП-структуры, амплитуда импульса напряжения

Л\Г - энергия

- ширина запрещенной зоны Х1 , Хг - положение центроида заряда, накопленного в диэлектрике £ - диэлектрическая проницаемость ф - высота потенциального барьера, глубина ловушки

АО - анодный окисел

ВФХ - вольт-фарадная характеристика

ВДП - металл-диэлектрик-полупроводник

ОПЗ - область пространственного заряда и др. - и другие см. - смотрите

Результаты исследования токов термостимулированной деполяризации, полученные Е.И.Жмуриковым в [175] , в диссертации не обсуждаются. Результаты совместных публикаций [3, 208 ] , касающиеся разработки электронного тракта обработки сигнала с фотоприемников и измерения (в [208] ) параметров фотоприемников в режиме неравновесного обеднения, получены Н.И.Халиуллиным и также не обсуждаются в диссертации.

Самостоятельно соискателем сделано следующее:

I. Получены все экспериментальные результаты (кроме упомянутых, но также полученных при непосредственном участии соискателя).

2. Предложена конструкция установки для малоинерционных температурных измерений.

3. Разработаны новые методики, позволяющие в ВДП-струк-турах проводить а) совместное измерение Eq и , б) определение в рамках усовершенствованной модели Валдена, в) измерение уровня легирования подложки, г) самосогласованный расчет параметров слоя обогащения.

4. Составлена и отлажена программа для реализации методики самосогласованного расчета.

5. Предсказан эффект увеличения фотоответа после сильнополевого воздействия.

6. Теоретически рассмотрены процессы накопления заряда в ЩП-структурах с двухслойным диэлектриком и с переходным слоем полупроводник-диэлектрик под действием приложенного электрического поля.

Обсуждение полученных результатов проводилось с научным руководителем, которому автор искренне признателен за умелую организацию работы, помощь, оказанную при ее проведении, ценные замечания, высказанные в процессе обсуждений.

Автор также считает приятным долгом выразить глубокую благодарность всем сотрудникам, имевшим отношение.к данной работе. Особо хочется поблагодарить В.Н.Дроздова, В.Т. Леонтьева, Р.А.Соколова, Г.С.Хрящева, В.Н.Шпурик и других технологов за приготовление образцов, а также В.А.Усову за проведение эллипсометрических измерений.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

1. Сафронов Ю.П., Андрианов Ю.Г. Инфракрасная техника и космос. - М.: Советское радио, 1978. - 248 е., ил.

2. ВагЪе D.F. Imaging devices using the charge-coupled consept. Proc. IEEE, 1975, v.63, U 1, p.38-67.

3. Литовченко В.Г., Горбань А.П. Основы физики микроэлектронных систем металл-диэлектрик-полупроводник. Киев: Нау-кова думка, 1978. - 316 е., ил.

4. Гуртов В.А., Лебедева О.Ф. Физические принципы построения МОП-структур на кремнии и электрофизические процессы в них: Библиографический указатель отечественной и иностранной литературы за 1964-1978 гг. Новосибирск, 1979. -234 с.

5. Hung R.Y., Yon Е.Т. Surface study of anodized indium an-timonide. J.Appl.Phys., 1970, v.41, N 5, p.2185-2189.

6. Вавилов B.C., Плотников А.Ф., Шубин В.Э. Перезарядка ловушек оксида InSb в структурах Аи-оксид InSb InSb* -ФТП, 1971, т.5, вып.II, с.2064-2069.

7. Buxo J., Esteve D., Farre J., Sarrabayrouse G., Simon-ne J. A model for the large-amplitude hysteresis in MIS structures on InSb. Appl.Phys.Lett., 1978, v.33, N 11, p.969-971.

8. Fowler R.H., Hordheim L. Electron emission in intense electric fields. Proc. Roy. Soc., 1928, v.119, N A781, p.173-181.

9. Lenslinger M., Snow E.H. Fowler-Nordheim tunnelinginto thermally grown SiC^. J. Appl. Phys., 1969, v.40, H 1, p.278-283.

10. Schottky W. Halbleitertheorie der sperrschicht. Na-turwiss., 1938, Jg. 26, h. 52, s. 843.

11. Родерик Э.Х. Контакты металл-полупроводник : Пер. с англ./ Под ред. Г.В.Степанова. М.: Радио и связь, 1982. - 208 е., ил.

12. Френкель Я.И. К теории электрического пробоя в диэлектриках и электронных полупроводниках. ЖЭТФ, 1938, т.8, Jfc 12, с. I292-I30I.

13. Williams R. Photoemission of electrons from silicon into silicon dioxide.-Phys.Rev.,1965,v.140,N2A,p.A569-A575.

14. Kuhn M., Silversmith D.J. Ionic contamination and transport of mobile ions in MOS structures. J. Electrochem. Soc., 1971, v. 118, IT 6, p.966-970.

15. Nicollian E.H., Berglung C.N. Avalanche injection of electrons into insulating Si02 using MOS structures. -J. Appl. Phys., 1970, v. 41, И 7, p.3052-3057.

16. Eitan В., Frohman-Bentchkowsky D., Shappir J., Balog M. Electron trapping in Si02 an injection mode dependent phenomenon. - Appl.Phys.Lett., 1982,v.40,U6,p.523-525.

17. Svensson C., Lundstrom I. Trap assisted charge injection in MNOS structures. - J. Appl. Phys., 1973, v.44, И 10, p.4657-4663.

18. Чаплик А.В., Энтин М.В. Влияние локализованных состояний в барьере на туннелирование электронов. ЖЭТФ, 1974, т.67, £ 1(7), с. 208-218.

19. Weinberg Z.A., Hartstein A. Photon assisted tunneling from aluminum into silicon dioxide. Solid State Com-mun., 1976, v. 20, H 3, p. 179-182.

20. Lundstrom K.I., Svensson C.M. Properties of MHOS structures. IEEE Trans. Electron Dev., 1972, v. ED-19,1. N 6, p. 826-836.

21. Walden R.H. A method for the determination of high-field conduction laws in insulating films in the presence of charge trapping. J. Appl. Phys., 1972, v.43, H 3, p. 1178-1186.

22. Ногин B.M., Ройзин H.M. Механизм проводимости и дрейф поверхностного заряда в ЩП-структурах в сильных полях. Микроэлектроника, 1974, т.З, Jfc I, с. 35-41.

23. Arnett P.O. Transient conduction in insulators at high fields. J. Appl. Phys., 1975, v.46, F12, p.5236-5243.

24. Мальцев A.M., Масловский B.M., Нагин А.П., Поспелов

25. В.В., Сурис Р.А., фукс Б.И. Пространственное распределение объемного заряда в диэлектрике МНОП-структуры. -Микро электроника, 1976, т. 5, J? 3, с. 240-249.

26. Поспелов В.В., Тишин Ю.И. Фотоэлектрическая запись в

27. МНОП структурах. Микроэлектроника, 1977, т.6, }?- 5, с. 421-426.

28. Гергель В.А., Масловский В.М. Переходные процессы при захвате заряда в диэлектриках. Микроэлектроника, 1979, т.8, Л 4, с. 357-361.

29. Волков С.А., Овсюк В.Н. О механизмах проводимости нитрида кремния в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Микро электроника, 1981, т.10, №3, с. 227-234.

30. Kobayashi К., Ohta К. Electronic processes in metal-silicon nitride-silicon dioxide-silicon systems. Japan. J. Appi. Phys., 1972, v.11, U 4, p. 538-545.

31. Prohman-Bentchkowsky D., Lenzlinger M. Charge transport and storage in metal-nitride-silicon (MHOS) structures.-J. Appl. Phys., 1969, v.40, N 8, p. 3307-3319.

32. Deal B.E. , Snow E.H., Mead C.A. Barrier energies in metal-silicon dioxide-silicon structures. J. Phys. Chem. Solids, 1966, v.27, IT 11-12, p. 1873-1879.

33. Weinberg Z.A. On tunneling in metal-oxide-silicon structures. J.Appl.Phys., 1982, v.53, H 7, p.5052-5056.

34. Weinberg Z.A., Johnson W.C., Lampert M.A. High-fieldtransport in SiC>2 on silicon induced by corona charging of the unmetallized surface. J. Appl. Phys., 1976, v. 47, N1, p. 248-255.

35. Физический энциклопедический словарь. M.: Советская энциклопедия, 1983. - 928 е., ил.

36. Yun В.Н. Direct display of electron back tunneling in MHOS memory capacitors. Appl. Phys. Lett., 1973,v. 23, N 3, P. 152-153.

37. Maes H., Van Overstraeten R.J. Simple technique for determination of centroid of nitride charge in MHOS structures. Appl. Phys. Lett., 1975, v.27, N5, p.282-284.

38. DiMaria D.J. Determination of insulator bulk trapped charge densities and centroids from photоcurrent-voltage characteristics of MOS structures. J. Appl. Phys.,1976, v.47, К 9, p. 4073-4077.

39. Schauer H., Arnold E. Simple techniqe for charge centroid measurement in MHOS capacitors. J. Appl. Phys., 1979, v. 50, П 11, p. 6956-6961.

40. Садофьев Ю.Г. Исследование причин нестабильности параметров ЩП-структур : Автореф. дисс. . канд. физ.-мат. наук. Рязань, 1977. - 20 с.

41. Лысенко B.C., Назаров А.Н., Турчаников В.И. Элекрофизи-ческие свойства ЩП-структур, имплантированных ионами бора. В кн.: Проблемы физики поверхности полупроводников. Киев: Наукова думка, 1981, с. 127-152.

42. DiMaria D.J., Weinberg Z.A., Aitken J.M. Location of positive charges in SiOg films on Si generat by vuv photons, x rays, and high-field stressing. J. Appl. Phys.,1977, v. 48, П 3, p. 898-906.

43. Lai S.K., Young D.R. Effects of avalanche injection of electron into silicon dioxide-generation of fast and slow interface states. J. Appl. Phys., 1981, v.52,1. U 10, p. 6231-6240.

44. Goetzberger A., Lopez A.D., Strain R.J. On the formation of surface states during stress aging of thermal Si-Si02 interfaces. J. Electrochem. Soc., 1973, v. 120,1. 1, p. 90-96.

45. Jeppson K.O., Svensson C.M. Negative bias stress of MOS devices at high electric fields and degradation of MNOS devices. J. Appl. Phys., 1977, v.48, N5, p.2004-2014.

46. Suzuki E., Hayashi Y., Yanai H. A model of degradation mechanisms in metal-nitride-oxide-semiconductor structures. Appl. Phys. Lett., 1979, v.35, N 10, p.790-792.

47. Badihi A., Eitan В., Cohen I., Shappir J. Current induced trap generation in SiOg. Appl. Phys. Lett., 1982,v. 40, IT 5, p. 396-398.

48. Барабан А.П., Тарантов Ю.А., Коноров П.П., Трошихин А.Г. О природе поверхностных состоянии на границе Si-Si02, возникающих в сильных электрических полях. ФТП, 1980, т.14, вып.10, с. 2058-2060.

49. Tsujide Т., Nakanuma S., Ikushima Y. Properties of aluminum oxide obtained by hydrolysis of AlCl^. J. Electrochem. Soc., 1970, v. 117, IT 5, p. 703-708.

50. Багратишвили Г.Д., Беришвили 3.B., Габуния H.A., Сотки-лава Н.С., Шиошвили Ш.И. Свойства реактивных пленок окиси алюминия. Электронная техника. Сер.2. Полупроводниковые приборы, 1970, вып. 6(56), с. 57-63.

51. Balk P., Stephany P. Charge injection in MAOS sistems.

52. J. Electrochem. Soc., 1971, v. 118, N 10, p. 1634 -1638.

53. Chou IT.J., Tsang P.J. Charge Storage phenomena in Al -У -Al20^-Si02-Si structures. -Metal. Trans., 1971,v. 2, N 3, p. 659-665.

54. Sato S., Yamaguchi T. Study of charge storage behavior in metal-alumina-silicon dioxide-silicon (MAOS) field effect transistor. Solid-State Electron., 1974, v.17, N 4, P. 367-375.

55. Ковалевская Т.Е., Овсюк B.H., Ржанов А.В. Свойства структур Ge-AigO^, полученных методом реактивного катодного распыления. Микроэлектроника, 1975, т.4, Je 2*с. 185-188.

56. Садошьев Ю.Г. Накопление и растекание заряда в ВДП-стру-ктурах со слоями А12о^ и siog-ai^ на кремнии. Изв. вузов . Физика, 1978, J& 4, с. 7-14.

57. Duffy М.Т., Revesz A.G. Interface properties of Si -(Si02)-Al20^ structures. J. Electrochem. Soc., 1970, v. 117, К 3, P. 372-377.

58. Корзо В.Ф., Черняев B.H. Диэлектрические пленки в микроэлектронике. М.: Энергия, 1977. - 368 е., ил.

59. Калныня Р.П., Фелтынь И.А., Фрейберга Л.А., Эглитис И.Э. Влияние газа-носителя на процесс образования и свойства пиролитических пленок Si02. Изв. АН СССР. Неорг. матлы, 1969, т.5, № 9, с. 1540-1545.

60. Заугольникова Е.Г., Епанчинцев Г.Г., Черников А.П. Пассивирующие и диэлектрические свойства пиролитических пленок двуокиси кремния. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1977, вып.2(112), с. 80-87.

61. Горохов Е.Б., Каменкович Е.Л., Неизвестный И.Г., Покровская С.В. Электрофизические свойства ВДП-структур на основе Ge-SiOg-Si^-Ai. Микро электроника, 1976, т.5,4, с.354-358.

62. Заботин В.М., Козлов С.Н., Плотников Г.С. Влияние подслоя Ge02 на захват носителей заряда в системе германий--пиролитическая Si02. Микроэлектроника, 1977, т.6,$ 4, с. 359-364.

63. Волков С.А., Горохов Е.Б., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н. Исследование гистерезисных явлений в структурах Ai-Si02-Ge. Микроэлектроника, 1975, т.4, Дз 3, с. 248-253.

64. Ковалевская Т.И., Дроздов В.Н., Ржанов А.В., Свиташев

65. К.К. Физико-химические и электрофизические свойства системы германий-лиролитическая двуокись кремния. Микроэлектроника, 1974, т.З, № 5, с. 404-412.

66. Deal B.E., Fleming P.J., Castro P.L. Electrical properties of vapor-deposited silicon nitride and silicon oxide films on silicon. J. Electrochem. Soc., 1968, v. 115, ИЗ, p. 300-307.

67. Анохин Б.Г., Бакун А.В., Вейц В.В., Жукова Г.А., Мордко-вич В.Н., Носкова В.Т. Некоторые свойства слоев si°2» полученных окислением моносилана. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1970, $ 4(54), с.82-90.

68. Schmid К., Ryssel Н., Muller Н., Wiedeburg К.Н., Betz Н. Properties of AlgO^ and S±02 surface layers on InSb, investigated by back-scattering techniques. Thin Solid Films, 1973, v. 16, И 2, p. S11-S12.

69. Wilmsen C.W., Szpak S. MOS processing for III-V compound semiconductors : overview and bibliography. Thin

70. Solid Films, 1977, v.46, N 1, p. 17-45.

71. Манохина Г.А., Павлова 3.B., Кузнецов Ю.А. Диэлектрики в разработке и производстве приборов на антимониде индия.-Обзоры по электронной технике. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 1979, вып. 6(652). 59 с.

72. Gobeli G.W., Allen P.G. Photoelectric properties of cleaved GaAs, GaSt>, InAs, and InSb surfaces; comparison with Si and Ge. Phys. Rev., 1965, v. 137, N 1A, p. A245 - A254.

73. Вайнер Б.Г. ВДП-структуры на основе InSb в условиях сильного электрического поля. I. Особенности накопления заряда и методика его регистрации. Новосибирск, 1982.40 с. (Препринт, Ин-т физ. полупр. СО АН СССР, 6-82).

74. Murphy E.L., Good R.H. Thermionic emission, field emission, and the transition region. Phys. Rev., 1956,v. 102, N 6, p. 1464-1473.

75. Atalla M.M., Taimenbaum E., Scheibner E.J. Stabilization of silicon surfaces by thermally grown oxides. Bell System Techn. J., 1959, v. 38, H 3, p. 749-783.

76. Dewald J.P. The kinetics and mechanism of formation of anode films on single-crystal InSb. J. Electrochem. Soc., 1957, v. 104, N 4, p. 244-251.

77. Lile D.L., Anderson J.C. The application of polycrystal-line layers of InSb and PbTe to a field-effect transistor. Solid-State Electron., 1969, v.12, N9, p.735-741.

78. Pischer J.E. MOS capacitors for surface barrier elect-roreflectance measurements. -Rev, Sci. Instrum., 1971, v.42, N 6, p. 872-877.

79. Kim J.C. Interface properties of InSb MIS structures.

80. EE Trans, on Parts, Hybrids and Packaging, 1974, v. PHP-10, H 4, p. 200-207.

81. Anderson G.W., Schmidt W.A., Comas J. Composition, chemical bonding, and contamination of low temperature SiO^ insulating films. J. Electrochem. Soc., 1978, v. 125, N 3, p. 424-430.

82. Korwin-Pawlowski M.L., Heasell E.L. Characteristics of MOS capacitors formed on p-type InSb. Phys. Stat. So-lidi (a), 1974, v.24, N 2, p. 649-652.

83. Korwin-Pawlowski M.L., Heasell E.L. Thermal oxide layers on indium antimonide. Phys. Stat. Solidi (a), 1975,v. 27, H 2, p. 339-346.

84. Sewe 11 H., Anderson J.C. Slow states in InSb/SiO^. thin film transistors. Solid-State Electron., 1975, v. 18, IT 7/8, p. 641-649.

85. Shappir J., Margalit S., Kidron I. p-Channel MOS transistor in indium antimonide. IEEE Trans. Electron Dev., 1975, v. ED-22, IT 10, p. 960-961.

86. Olcaytug P., Riedling K., Pallmann W. C/V measurements on M.I.S. structures on n-InSb formed by room temperature reactive deposition of Si^lT^. Electronics Lett., 1980, v. 16, П 17, p. 677-678.

87. Shinoda Y., Kobayashi T. CVD A1203 films on III-V binary semiconductors. Japan. J. Appl. Phys., 1980, v.19, IT 6, p. L299-L301.

88. Волосов А.В., Кутузов M.K., Неустроев С.А., Раскин А.А., Соколов Е.Б. Некоторые свойства структур антимонид ин-дия-плазмохимическая двуокись кремния. Микроэлектроника, 1981, т.10,№ 2, с. 178-180.

89. Fufiyasu H., Suzuki M., Nakao К., Itoh S., Ohtsuki 0. Properties of metal-borosilicate glass-InSb oxide p-type-InSb structures. - Japan. J. Appl. Phys., 1977» v. 16, IT 8, p. 1473-1474.

90. Wilmsen C.W., Vasbinder G.C., Chan Y.K. Electrical conduction through thermal and anodic oxides of InSb. J. Vac. Sci. Technol., 1975, v. 12, N 1, p. 56-59.

91. Mueller R.K., Jakobson R.L. Photocontrolled surface conductance in anodized InSb. J. Appl. Phys., 1964, v.35, IT 5, p. 1524-1529*

92. Krag W.E., Phelan R.J., Dimmock J.O. Effects of light on the charge state of InSb MOS devices. - J. Appl. Phys., 1969, v.40, N 9, p. 3661-3667.

93. Вавилов B.C., Плотников А.Ф., Соколова А.А., Шубин В.Э. Инкекция электронов из полупроводника и металла в диэлектрик, обусловленная освещением структур Аи оксид inSb-inSb. - Краткие сообщ. по физике, 1971, № 4, с. 4047.

94. Pagnia Н. Photocurrents in InSb MOS devices. Phys. Lett. A, 1974, v. 48a, IT 4, p. 260-262.

95. Chang L.L., Howard W.E. Surface innersion and accumulation of anodized InSb. Appl. Phys. Lett., 1965, v.7, U 8, p. 210-212.

96. Чайкин В.И., Мацас Е.П., Снитко О.В., Малютенко В.К.

97. Формирование и свойства анодных окисных пленок на анти-мониде индия. Ш, 1976, т.21, № 4, с. 564-568.

98. Chang L.L. Orientation dependence of surface charge on anodized InSb. Solid-State Electron., 1967, v. 10,1. N 1, p. 69-70.

99. Etchells A., Fischer C.W. Interface state density and oxide charge measurements on the metal-anodic-oxide-InSb system . J. Appl. Phys., 1976, v. 47, N 10,p. 4605-4610.

100. Heiman P.P., Warfield G. The effects of oxide traps on the MOS capacitance. IEEE Trans. Electron Dev., 1965, v. ED-12, IT 4, p. 167-178.

101. Курышев Г.Л., Половинкин В.Г., Усова В.А. Спектр поверхностных состояний в ВДП-структурах на антимониде индия.-В кн.: Физические процессы в структурах металл-диэлектрик-полупроводник. Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1978,с. 33-36.

102. Антонюк Р.И., Арбузов С.Н., Колбин М.Н. Исследование перезарядки ловушек анодного окисла InSb. ФТП, 1982, т.16, № 3, с. 501-503.

103. Landan J.D., Visvanathan C.R. Characterization of improved InSb interfaces. J. Vac. Sci. Technol., 1979, v. 16, IT 5, p. 1474-1477.

104. Terman L.M. An investigation of surface states at a silieon/silicon oxide interface employing metal-oxide-silicon diodes. Solid-State Electron., 1962, v. 5, N 9/Ю, p. 285-299.

105. Berglund C.N. Surface states at steam-grov/n silicon-silicon dioxide interfaces. IEEE Trans. Electron Dev., 1966, v. ED-13, H Ю, p. 701-705.

106. Суслов JI.А., Мурель А.В., Шитова Э.В. О свойствах границы раздела диэлектрик-полупроводник ВДП-структур на основе inSb. Электронная техника. Сер. 6. Материалы, 1981, вып. 11(160), с. 60-62.

107. Nicollian Е.Н., Goetzberger A. The Si-Si02 interface -electrical properties as determined by the metal-insulator-silicon conductance technique. Bell Syst. Techn. J., 1967, v. 46, N 6, p. 1055-1133.

108. Gray P.V., Brown D.M. Density of Si02-Si interface states. Appl. Phys. Lett., 1966, v.8, IT 2, p. 31-33.

109. Nakagawa Т., Fujisada H. Method of separating histere-sis effects from MIS capacitance measurements. Appl. Phys. Lett., 1977, v. 31, N 5, p. 348-350.

110. I. Давыдов В.Н., Лоскутова Е.А. Генерация поверхностныхсостояний в МОП-структурах из n-inSb. В кн.: Физика соединена с. 28-29.соединений АШВУ. Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1981,

111. Давыдов В.Н. Влияние электрического поля на характеристики МОП-структур из антимонида индия. Изв. вузов. Физика, 1982, f 8, с. 127.

112. Курышев Г.Л., Халиуллин Н.И., Постников К.О. Генерационные процессы в ВДП-структурах на InSb в режиме неравновесного обеднения. ФТП, 1981, т.15, вып.4,с. 654-658.

113. Sakurai Т., Suzuki Т., Moguchi Y. Formation and properties of anodic oxide films of InSb. Japan. J. Appl. Phys., 1968, v. 7, И 12, p. 1491-1496.

114. Арбузов C.H. Электропроводность анодных окислов InSb.

115. В кн.: УП Всесоюзный симпозиум по электронным процессам на поверхности полупроводников и границе раздела полупроводник-диэлектрик. Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1980, ч.1, с. 20-21.

116. Благодаров А.Н., Бородзюля В.Ф., Голубев В.В., Тарнаши-нский А.А. Электрофизические свойства анодных окисных пленок на поверхности антимонида индия. Изв. вузов. Физика, 1981, J6 4, с. 79-83.

117. Большакова Т.В., Волков А.С., Афанасьев А.К., Кокин Е.П., Петручук И.И., Сурин Ю.В. Эффекты нестабильности вольт-фарадных характеристик ВДП-структур на основе антимонида индия. Электронная техника. Сер. 6. Материалы, 1976, й 5(98), с. 61-65.

118. Вайнер Б.Г., Колосанов В.А., Курышев Г.Л. Кинетика накопления заряда в ВДП-структурах на основе антимонида индия. В кн.: Новые принципы построения ЩП интегральных и функциональных схем. Киев: Об-во "Знание", 1978, с. 39-40.

119. Вайнер Б.Г., Колосанов В.А., Курышев Г.Л. О зарядовой нестабильности ЩЩ-структур на основе InSb. В кн.: Тонкие диэлектрические пленки и ЩП-структуры. Новосибирск: ИФП СО АН СССР, 1978, с. 74-82.

120. Вайнер Б.Г., Колосанов В.А., Курышев Г.Л. Накопление заряда в ВДП-структурах на основе InSb. ФТП, 1979, т.13, вып.4, с. 735-740.

121. Schrieffer J.R. Semiconductor surface physics. Philadelphia : Univ. of Pennsylvania Press, 1957, p. 55.

122. Сандомирский В.Б. О зависимости ширины запрещенной зоны в полупроводниковых пленках от их толщины и температуры. ЖЭТФ, 1962, т.43, № 6, с. 2309.

123. Саченко А.В., Тягай В.А. Оценка важности квантования при расчете приповерхностного заряда в сильном электрическом поле. УФЖ, 1966, т.II, & 3, с. 258-263.

124. Dorda G. Surface quantization in semiconductors. Fest-korperprobleme, 1973, v. 13, p. 215-239.

125. Ando Т., Fowler A.B., Stern F. Electronic properties of two-dimensional systems. Rev. Modern Phys., 1982,v. 54, N 2, p. 437-672.

126. Цидильковский И.М. Зонная структура полупроводников. -М.: Наука, 1978. 328 е., ил.

127. Kane Е.О. Band structure of indium antimonide. J. Phys. Chem. Solids, 1957, v. 1, H 4, p. 249-261.

128. Takada У., Arai K., Uchimura N., Uemura Y. Theory of electronic properties in n-channel inversion layers on narrow-gap semiconductors. 1. Subband structure of InSb. J. Phys. Soc. Japan, 1980, v. 49, IT 5, p. 18511858.

129. Ando T. Density-functional calculation of sub-band structure in accumulation and inversion layers. -Phys. Rev В., 1976, v. 13, IT 8, p. 3468-3477.

130. Beinvogl W., Koch J.F. Spectroscopy of electron subband levels in an inversion layer on InSb. Solid State Commun., 1977, v. 24, N 9, p. 687-690.

131. Stern F., Howard W.E. Properties of semiconductor surface inversion layers in the electric quantum limit, -Phys. Rev., 1967, v. 163, IT 3, p. 816-835.

132. Das Sarma S. Energy levels of n-chaimel accumulation layer on InP surface. Solid State Commun., 1982, v.41, К 6, p. 483-485.

133. Stern P. Iteration methods for calculating self-cosis-tent fields in semiconductor inversion layers. J. Comput. Phys., 1970, v. 6, К 1, p. 56-67.

134. Stem P. Self-consistent results for n type Si inversion layers. - Phys. Rev. B, 1972, v. 5, N 12, p. 4891 - 4899.

135. Germanova K., Marinova K., Trayanov A. On the electric suhbands in n inversion layers on ( 111 ) Ge. -Phys. Stat. Solidi ( Ь ), 1982, v. 112, N 2, p. 575580.

136. Гутов В.И., Квон З.Д., Неизвестный И.Г., Овсюк В.Н., Ржанов Ю.А. Приповерхностная область пространственного заряда германия в условиях размерного квантования. -Поверхность. Физика, химия, механика, 1982, № 9, с.71 76.

137. Marques G.E., Sham L.J. Theory of space-charge layers in narrow-gap semiconductors. Surface Sci., 1982, v. 113» H 1-3, p. 131-136.

138. Pals J.A. Quantization effects in semiconductor inversion and accumulation layers. Phil. Res. Repts. Suppl., 1972, N 7, p. 1-84.

139. Maserjian J., Peterson G., Svensson C. Saturation capacitance of thin oxide MOS structures and the effective surface density of states of silicon. Solid-State Electron., 1974, v. 17, N 4, p. 335-339.

140. Stern I*. Calculated energy levels and optical absorption in n-type Si accumulation layers at low temperature.-Phys. Rev. Lett., 1974, v.33. И 16, p. 960-963.

141. Baraff G.A., Appelbaum J.A. Effect of electric and magnetic fields on the self- consistent potential at the surface of a degenerate semiconductor. Phys. Rev.

142. B, 1972, v. 5, H 2, p. 475-497.

143. Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971. - 480 е., ил.

144. Жирифалько Л. Статистическая физика твердого тела. -М.: Мир, 1975. 382 е., ил.

145. Киреев П.С. Физика полупроводников. М.: Высшая школа, 1975. - 584 е., ил.

146. Margalit S., Shappir J. Tunneling in field induced diode in indium antimonide. Solid-State Electron., 1976, v. 19, U 9, p. 789-807.

147. Корн Г., Корн Т. Справочник по математике для научных работников и инженеров. М.: Наука, 1973. - 832с., ил.

148. Wright G.B., Lax В. Interband magneto reflection in InSb. - Bull. Am. Phys. Soc., 1961, v. 6, IT 1,p. 18.

149. Sanderson R.B. Par infrared optical properties of indium antimonide. J. Phys. Chem. Solids, 1965, v. 26, IT 5, p. 803-810.

150. Cardona M., Shaklee K.L., Pollak F.H. Electroreflectan-ce at a semiconductor-electrolyte interface. Phys. Rev., 1967, v. 154, IT 3, p. 696-720.

151. Bagguley D.M.S., Robinson M.L.A., Stradling R.A. Cyclotron resonance in p-type InSb at millimetre wavelengths.

152. Phys. Lett., 1963, v. 6, IT 2, p. 143-145.

153. Добровольский В.Н., Ншщцзе Г.К., Гавриленко В.И. Емкость области пространственного заряда у поверхности сурьмянистого индия при вырождении электронного газа.-УФЖ, 1975, т.20, Jfc II, с. 1824-1827.

154. Palik E.D., Teitler S., Wallis R.P. Free carrier cyclotron resonance, Faraday rotation, and Voigt double refraction in compound semiconductors. J. Appl. Phys., 1961, v. 32 (Suppl.), IT 10, p. 2132-2136.

155. Gnadinger A.P., Talley H.E. Quantum mechanical calculation of the carrier distribution and the thickness of the inversion layer of a MOS field-effect transistor. -Solid-State Electron., 1970, v. 13, N9, p. 1301-1309.

156. Варданян A.A., Касаманян З.А. Поверхностные состояния в улучшенной модели потенциала поверхности. Изв. АН Арм. ССР. Физика, 1977, т.12, вып.2, с. 129-133.

157. Флюгге 3. Задачи по квантовой механике. T.I. М.: Мир, 1974. - 344 е., ил.

158. Chang L.L., Esaki L., Jona F. Electron tunneling from metal to InSb. Appl. Phys. Lett., 1966, v. 9, N 1, p. 21-33.

159. Gorczyca I. Effect of hydrostatic pressure on the band structure of InSb. A pseudopotential calculation. -Phys. Stat. Solidi(b), 1982, v.112, IT 1, p. 97-104.

160. Математическое обеспечение графопостроителей. I уровень: Инструкция, оперативно-информационный материал./ Под ред. Ю.А.Кузнецова. Новосибирск: ВЦ СО АН СССР, 1976. -118 с., ил.

161. Никифоров А.Ф., Уваров В.Б. Специальные функции математической физики. М.: Наука, 1978. - 320 е., ил.

162. Форсайт Две. , Малькольм М., Моулер К. Машинные методы математической физики. М.: Мир, 1980. - 280 е., ил.

163. Itsumi М. Positive and negative charging of thermally grown SiC>2 induced by Fowler-Uordheim emission. J. Appl. Phys., 1981, v. 52, IT 5, p. 3491-3497.

164. Костин В,В. Особенности зарядовой нестабильности ВДП-структур на основе InSb : Дипломная работа./ Научи, рук. Б.Г.Вайнер. Новосибирск: НГУ, 1982. 57 е., ил.

165. Зи С.М. Физика полупроводниковых приборов. М.: Энергия, 1973. - 656 е., ил.

166. Халм К. Антимонид индия. В кн.: Материалы, используемые в полупроводниковых приборах./ Под ред. К.Хогарта. М. : Мир, 1968, с. 147-208.

167. Zwerdling S., Lax В., Roth L.M. Oscillatory magneto-absorption in semiconductors. Phys. Rev., 1957, v. 108, И 6, p. 1402-1408.

168. Kaiser W., Pan H.Y. Infrared absorption of indium anti-monide. Phys. Rev., 1955, v. 98, N 4, p. 966-968.

169. Малютенко В.К., Москаль Д.Н., Чайкин В.И. Электрофизические свойства системы InSb анодный окисел. - УФК, 1977, т. 22, JS 3, с. 493-497.

170. Усова В.А., Шпурик В.Н. Исследование параметров пленок естественного окисла на поверхности InSb методами элли-псометрии и инверсионной вольтамперометрии. В кн.: 2

171. Всесоюзная конференция "Эллипсометрия метод исследования физико-химических процессов на поверхности твердых тел": Тезисы докладов. Новосибирск: 00 АН СССР, 1981, с. 56.

172. Doyle W.P. Absorption spectra of solids and chemical bonding 1. Arsenic, antimony and bismuth trioxides. -J. Phys. Chem. Solids, 1958, v.4, N 1/2, p. 144-147.

173. Ковалевский В.В., Плотников А.Ф., Подлесных Л.С. Собственная фотопроводимость кристаллов InSb с защитными пленками. ФТП, 1976, т.10, № II, с. 2138-2144.

174. Pickard P.S., Davis M.V. Analysis of electron trapping in alumina using thermally stimulated electrical currents. J. Appl. Phys., 1970, v.41, N 6, p.2636-2643.

175. Михо В.В., Федчук А.П., Стамбольская Л.М. Влияние электрического поля на параметры примесных центров в А12о^. ФТТ, 1972, т.14, № 10, с. 3107-3109.

176. Но P., Lehovec К., Fedotowsky L. Charge motion on silicon oxide surfaces. -Surface Sci,1967,v.6,N4,p.440-460.

177. Heimaim P.A., Olsen J.E. A sensitive method for measuring surface conductivity of insulators. J. Appl. Phys., 1982, v. 53, N 1, p. 546-549.

178. Hofstein S.R., Zaininger K.H., Warfield G. Frequency response of the surface inversion layer in silicon. -Proc. IEEE, 1964, v. 52, N 8, p. 971-972.

179. Nicollian E.H., Goetzberger A. Lateral a. c. current flow model for metal insulator - semiconductor capacitors. - IEEE Trans. Electron-Dev., 1965, v. ED-12,1. И 3, p. 108-117.

180. Imamura K. Effect of high electric field pulse on C-V characteristics of anodized InSb MOS diode. Japan. J. Appl. Phys., 1980, v. 19, Iff 3, p. 571-572.

181. Вайнер Б.Г., Дроздов В.Н., ^урышев Г.Л. Особенности зарядовой нестабильности ВДП-структур p-inSb-Si02-Ai.о с:

182. В кн.: Физика соединений А В : Тез докл. Всес. конф. Новосибирск : ИФП СО АН СССР, 1981, с. 7-8.

183. Goetzberger A. Ion drift in the fringing field of MOS capacitors. Solid - State Electron., 1966, v. 9, H 9, p. 871-878.

184. Блаут-Блачев А.Н., Иглицын М.И., Ивлева B.C., Селянин

185. В.И. Исследование рекомбинационных свойств InSb п-типа.-ФТП, 1975, т.9, вып.2, с. 374-376.

186. Zitter R.H., Strauss A.J., Attard A.E. Recombination processes in p-type indium antimonide. Phys. Rev., 1959, v. 115, N 2, p. 266-273.

187. Hofstein S.R. Proton and sodium transport in Si02 films. IEEE Trans. Electron Dev., 1967, v. ED-14, N 11, p. 749-759.

188. Burshtein Z., Levinson J. Photo induced tunnel currents in Al-Al20-j-Au structures. - Phys. Rev. B, 1975, v. 12, N 8, p. 3453-3457.

189. Tantraporn W. Electron current through metal insulator - metal sandwiches. - Solid-State Electron., 1964, v. 7, П 1, p. 81-91.

190. Korneffel В., Ludwig W. Energy-momentum dispersion in A120,j tunneling structures. Phys. Stat. Solidi (a), 1972, v. 9, N1, p. 201-206.

191. Kadlec J., Gundlach K.H. Photosensitive tunnelling conductance in A1-(A1 oxige)-Al sandwich structures. Thin Solid Films, 1972, v. 11, И 1, p. 175-182.

192. Вайнер Б.Г., Курышев Г.Л. Зарядовая нестабильность ЩП-структур на основе InSb с диэлектриками Si02 и ai2o^. -Новосибирск, 1982. 28 с. (Препринт, Ин-т физ. полупр. СО АН СССР, 1-82).

193. Shatzkes М. Injection into insulators in the presence of space charge. J. Appl. Phys., 1978, v. 49, N 9, p. 4868-4872.

194. Gershinskii A.E., Khoromenko A.A., Edelman P.L. Reduction of thermally grown Si02 by A1 films. Phys. Stat. Solidi (a), 1974, v. 25, H 2, p. 645-651.

195. Хороменко A.A. Исследование технологического процессавакуумной металлизации тонкопленочных микроприборов : Автореф. дисс. . канд. техн. наук. Новосибирск : ИФП СО АН СССР, 1974, - 20 с.

196. Nelson O.L., Anderson D.E. Potential barrier parameters in thin-film Al-Al^-metal diodes. J. Appl. Phys., 1966, v. 37, N 1, p. 77-82.

197. Hickmott T.W. Dipole layers at the me.tal-Si02 interface.-J. Appl. Phys., 1980, v. 51, N 8, p. 4269-4281.

198. Ройзин Я.О., Дроздов B.H. Электрические свойства пленок двуокиси кремния, полученных окислением силана кислородом. Новосибирск, 1979. - 17 с. - Рукопись представлена ИФП СО АН СССР. Деп. в ЦНИИ "Электроника", №6285-79.

199. Кэй Дзк., Лэби Т. Таблицы физических и химических постоянных. М.: Гос. изд. физ.-мат. лит., 1962. - 248 с.

200. Thorp J.M. The dielectric behavior of vapors adsorbed on porous solids. J. Phys. Chemistry, 1962, v. 66, N 6, p. 1086-1092.

201. Huber E.E., Kirk C.T. Work function changes due to the chemisorption of water and oxigen on aluminum. Surface Sci., 1966, v. 5, N 4, p. 447-465.

202. Вайнер Б.Г., Курышев Г.Л. Механизмы зарядовой нестабильности в ВДП-структурах на основе InSb с диэлектриками, синтезированными при низкой температуре. Микроэлектроника, 1981, т.10, № 4, с. 327-332.

203. Вайнер Б.Г., Еурышев Г.Л. Определение высоты барьера ai-ai2o3 и положения центроида накопленного заряда в ВДП-структурах на основе InSb. Микроэлектроника, 1981, т.10, J6 4, с. 367-369.

204. Вайнер Б.Г., Курышев Г.Л. Расчет поверхностного потенциала в InSb с учетом квантования электронного газа в ОПЗ. В кн.: Физика соединений А'Ъ5: Тез. докл. Всес. конф. Новосибирск : ИФП СО АН СССР, 1981, с. 9-10.

205. Вайнер Б.Г., Курышев Г.Л. Квантование электронного газа в приповерхностном слое узкозонных полупроводников типа- В кн.: Всесоюзная школа по физике, химии и механике поверхности : Тез. оригин. докл. Черноголовка : ИФТТ АН СССР, 1981, с. 25.

206. Вайнер Б.Г., Курышев Г.Л., Халиуллин Н.И. Регистрация ИК-излучения с помощью ВДП-приемников на основе inSb.-В кн.: Когерентные методы в акустических и оптических измерениях. Владивосток: ДВНЦ АН СССР, 1981, с.206-208.

207. Вайнер Б.Г., Костин В.В., Курышев Г.Л. Увеличение фотоответа в структурах металл-диэлектрик-полупроводник (ВДП) после приложения сильного электрического поля. -ФТП, 1983, т.17, вып.10, с. 1885-1886.