Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца

Наумова, Юлия Юрьевна

Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца тема автореферата и диссертации по химии, 02.00.21 ВАК РФ

Наумова, Юлия Юрьевна АВТОР

кандидата химических наук УЧЕНАЯ СТЕПЕНЬ

Воронеж МЕСТО ЗАЩИТЫ

2004 ГОД ЗАЩИТЫ

02.00.21 КОД ВАК РФ

Диссертация по химии на тему «Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца»

Автореферат диссертации на тему "Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца"

На правах рукописи

НАУМОВА Юлия Юрьевна

МЕХАНИЗМ ФОРМИРОВАНИЯ И СВОЙСТВА ТОНКИХ ПЛЕНОК СТАННАТОВ СВИНЦА И ТВЕРДЫХ РАСТВОРОВ СТАННАТА-ТИТАНАТА СВИНЦА

02.00.21 - химия твердого тела

АВТОРЕФЕРАТ

диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук

Воронеж - 2004

Работа выполнена в Воронежском государственном университете

Научный руководитель: Научный консультант:

Официальные оппоненты:

Ведущая организация:

доктор физико-математических наук, профессор

Ховив Александр Михайлович

кандидат химических наук, доцент

Афиногенов Юрий Петрович

доктор химических наук, ведущий научный

сотрудник ИОНХ РАН

Кецко Валерий Александрович.

кандидат химических наук, доцент

ШапошникАлексей Владимирович

Воронежский государственный технический

университет

Защита состоится «15» июня 2004 года в 15 час. 00 мин. на заседании диссертационного совета Д 212.038.19 в Воронежском государственном университете по адресу: 394006 Воронеж, Университетская пл., д. 1, конференц-зал.

С диссертацией можно ознакомиться в библиотеке Воронежского государственного университета.

Автореферат разослан «&» мая 2004 года.

Ученый секретарь Диссертационного совета

кандидат химических наук, доцент у^г^ Крысин М. Ю.

ОБЩАЯ ХАРАКТЕРИСТИКА РАБОТЫ

Актуальность работы. Тонкие пленки сегнетоэлектрических фаз - один из актуальных объектов исследования в современной химии твердого тела, так как в этом случае решается важнейшая задача химии: изучение фундаментальных основ управляемого синтеза, заключающегося в установлении зависимости между составом, структурой и свойствами химических соединений. Настоящая работа развивает исследования сегнетоэлектрических тонких слоев на основе титаната свинца. Однако, в силу высокой температуры Кюри не может рассматриваться как

функциональный материал современной электроники, поэтому актуальной является задача поиска подходящей легирующей примеси для варьирования электрофизических свойств в широких пределах. Хорошо известно, что почти любое замещение РЬ или ТС атомами других элементов, которые могут образовывать перовскитовую решетку, приводит к снижению точки Кюри, так как происходит деформация элементарной ячейки, вызывающая изменение характера химической связи. В этом отношении перспективным является олово, которое может замещать титан, т. к. имеет с ним близкие физико-химические параметры, такие как размер иона, стабильная степень окисления. Применение олова в качестве элемента, замещающего титан, приводит к образованию изоморфных структур однако

механизм этого процесса изучен не достаточно.

Цель работы: изучение взаимосвязи состава, структуры и свойств тонкопленочного твердого раствора станната-титаната свинца, а также механизмов взаимодействия металлов и их оксидов друг с другом при синтезе веществ с заранее заданными свойствами.

Для достижения цели были сформулированы и решены следующие задачи:

1. Изучение взаимодействий в тонкопленочной гетероструктуре, содержащей свинец, олово и их оксиды на монокристаллическом кремнии, с целью получения станната свинца при термообработке в атмосфере кислорода и в вакууме.

2. Получение тонкопленочных твердых растворов станната-титаната свинца состава РЬ(БпоУПо5)Оз, обладающего нелинейными утчту.ктричегчгичи

свойствами.

РОС. НАЦИОНАЛЬНА? БИБЛИОТЕКА

апмервург ¿-о/ оэ год/***:)р^

3. Исследование физико-химических свойств (химического состава, кристаллической и микроструктуры) полученных пленок в зависимости от условий синтеза методами рентгенофазового анализа и растровой электронной микроскопии.

4. Изучение зависимости диэлектрических характеристик пленок от условий их формирования электрофизическими методами.

Научная новизна:

- впервые синтезированы тонкие пленки станната свинца отжигом в вакууме при T = 873 К гетероструктуры РЬ/БлО*^, в которой слой олова был сформирован методом магнетронного напыления и подвергнут термическому оксидированию в потоке кислорода, после чего на полученный оксид олова был нанесен свинец;

- впервые синтезированы тонкие пленки твердого раствора станната-титаната свинца состава отжигом в потоке кислорода при Т\ = 473 К, 72 = 973 К в течение 10 минут гетероструктуры с межфазными границами Бп/РЬ/Т^;

- установлен механизм формирования станната свинца и твердого раствора станната-титаната свинца состава РЬ(8по.5з'П<и5)Оз, заключающийся во взаимодействии металлического свинца с оксидами олова в гетероструктуре, содержащей титан;

- разработаны основы управляемого синтеза, позволяющие установить взаимосвязь между конфигурацией межфазных границ, составом, структурой и электрофизическими свойствами сформированных пленок.

Практическое значение работы заключается в возможности управляемого синтеза станнатов свинца и твердого раствора станната— титаната свинца состава обладающего полным набором

сегнетоэлектрических свойств, посредством изменения характера межфазных границ, способа напыления свинца и толщины металлических слоев в исходных гетероструктурах.

На защиту выносятся следующие положения: 1. Методика синтеза тонких пленок станната свинца и твердых растворов станната-титаната свинца, обладающих полным набором сегнетоэлектрических свойств: петлей диэлектрического гистерезиса, коэрцитивным полем Ес == 232,07 кВ/см, вектором остаточной поляризации

Р0 = 0,103 мкКл/см2 и температурами фазовых переходов Т\ = 493 К и Тг - 698 К.

2. Механизм формирования станнатов свинца и твердого раствора станната— титаната свинца, заключающегося во взаимодействии металлического свинца и оксидов олова в гетероструктурах, содержащих титан, приводящий к образованию поликристаллических слоев с перовскитной структурой.

3. Основы управляемого синтеза, позволяющего формировать тонкопленочные структуры в системе свинец-олово-титан-кислород с широким спектром электрофизических свойств: нелинейных диэлектрических и полупроводниковых.

4. Взаимосвязь между составом и структурой тонких пленок на основе станната-титаната свинца и их электрофизическими свойствами: количество фазовых переходов, наличие и отсутствие нелинейных диэлектрических свойств, высокочастотная проводимость.

Апробация работы. Основные результаты диссертационной работы доложены и обсуждены на двух Международных и трех Всероссийских научных конференциях: Third International Conference Single Crystal Growth, Strength Problems, and Head Mass Transfer (ICSC) (Obninsk, 1999); DC Национальная конференция по росту кристаллов «НКРК-2000» (Москва, 2000); Fourth International Conference Single Crystal Growth and Head & Mass Transfer (ICSC) (Obninsk, 2001); I Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» «ФАГРАН-2002» (Воронеж, 2002); X национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2002» (Москва, 2002).

Публикации. Основное содержание работы изложено в 17 публикациях, в том числе 7 статьях в рецензируемых научных журналах.

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, включающего 150 наименований. Работа изложена на 143 страницах текста, иллюстрирована 60 рисунками и содержит 12 таблиц.

ОСНОВНОЕ СОДЕРЖАНИЕ РАБОТЫ

В первой главе проведен анализ известных литературных данных по проблеме синтеза и твердых растворов в данной системе.

Несмотря на то, что станнат свинца является аналогом титаната свинца, синтез этого соединения оказывается весьма непростым: при атмосферном давлении перовскитоподобный станнат свинца получить невозможно, так как смесь РЬО + БпОг более устойчива, чем перовскит. Ранее РЬБпОз был синтезирован из оксидов свинца и олова только при высоком давлении. Однако, в кристаллах состава АВОз со структурой типа перовскита существует возможность изоморфного замещения металла положения В оловом. Станнат свинца состава РЬБпОз, не являющийся сегнетоэлектриком, применялся рядом исследователей в качестве компонента твердых растворов, образуемых на основе сегнетоэлектрика

Особое внимание уделено нелинейным диэлектрическим свойствам сегнетоэлектрических соединений и твердых растворов на их основе.

Отмечается, что сегнетоэлектрики находят широкое применение во многих областях науки и техники, нелинейные диэлектрические свойства обнаруживаются у все новых соединений, и иногда исследователи даже ставят перед собой цель получить материал с такими свойствами. Для понимания природы сегнетоэлектричества, создания полной микроскопической теории, а также для правильного направления исследований по изысканию новых сегнетоэлектрических материалов необходимо установление условий, благоприятных для возникновения спонтанной электрической поляризации в кристаллах и пленках. Практически наиболее важные сегнетоэлектрические твердые растворы со структурой типа перовскита, в силу простоты структуры и ряда других особенностей, являются удобными объектами для исследования влияния размеров, поляризуемостей и других особенностей ионов, входящих в твердый раствор, на сегнетоэлектрические свойства. Для понимания полиморфизма сегнетоэлектрических веществ важен кристаллохимический анализ структур простых оксидов, входящих в состав сложных оксидов. В низкотемпературных модификациях сегнетоэлектриков наблюдаемые структурные изменения в ряде случаев происходят в направлении приближения к структурным конфигурациям, наблюдаемым в простых оксидах. Для возникновения небольших структурных деформаций, происходящих при изменении температуры, необходимо, чтобы решетка сложного оксида обладала некоторой рыхлостью. При достаточно высоких температурах за счет большой энергии теплового движения частиц

осуществляется наиболее симметричная модификация. С понижением температуры оказывается возможным сближение частиц друг с другом. Энергия этого взаимодействия при свободе перемещения катиона внутри кислородного полиэдра уменьшается при уменьшении координационного числа катиона, т. е. при смещении катиона из симметричного положения. Последующие процессы, происходящие при фазовой перестройке, могут иметь сложный характер. Сегнетоэлектрики со структурой перовскита - это соединения, в которых преобладает ионный характер связей, и возникновение спонтанной поляризации связано с. резким усилением ковалентного характера связей в точке Кюри. Наличие частично ковалентных связей, наряду с ионными, несомненно, должно играть существенную, если не решающую, роль в возникновении спонтанной поляризации, так как она — следствие образования неравноценных по энергии и длине связей. Образование же неравноценных связей возможно только в смешанных ионно-ковалентных решетках вследствие насыщенности и направленности ковалентных связей. Изучение твердых растворов, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами, представляет значительный теоретический и практический интерес: их исследование позволит наиболее полно изучить влияние различных ионов на свойства сегнетоэлектриков и, таким образом, расширить представления о сегнетоэлектричестве.

Во второй главе представлены методика синтеза тонкопленочных гетероструктур, содержащих титан, свинец, олово и их оксиды, а также экспериментальные установки, использованные для исследования физико-химических (химического состава, кристаллической и микроструктуры) и электрофизических свойств формируемых пленок.

Тонкопленочные гетероструктуры, содержащие слои титана, свинца и олова, получали методом магнетронного напыления на подложки монокристаллического кремния. Осаждение металлов производилось в едином технологическом цикле. Толщина исходных металлических пленок задавалась током разряда и временем напыления при режимах, приведенных в табл.1.

Было сформировано несколько типов исходных гетероструктур с различным характером межфазных границ, определяемым последовательностью металлических слоев и способом напыления свинца (8

- распыление свинца из твердой мишени, Ь — самораспыление свинца из собственного расплава).

Таблица 1

Режимы напыления слоев титана, свинца и олова в исходных гетероструктурах

Металл

условия РЬ

Тх из твердой мишени из жидкой мишени Бп

Давление, Па 0,16 0,27 0,27 0,213

Ток разряда, А 0,7 0,2 0,3 0,25

Напряжение разряда, В 500 450 500 600

Скорость напыления, нм/с 0,55 2,5 62,5 1,8

Распылением твердой мишени были синтезированы гетероструктуры РЬ^/Ту^ и РЬ^/Яп/Л/Бь В двух других группах образцов слой свинца осаждали самораспылением собственного расплава. Так были получены гетероструктуры с внешним слоем олова Бп*/РЬ/Б1 и БгАРЬ/ТОБ!, а также аналогичная выше описанной система с внешним слоем свинца Толщины слоев титана и олова в исходных гетероструктурах варьировались от 50 до 450 нм (при толщине слоя свинца 500 нм) и были выбраны таким образом с той целью, чтобы установить влияние содержания олова на формирование твердых растворов станната-титаната свинца в результате последующей термической обработки.

Отжиг полученных тонкопленочных гетероструктур осуществлялся в кварцевом реакторе печи резистивного нагрева в потоке кислорода и состоял из двух этапов: стабилизирующей обработки при Т= 473 К (в связи с тем, что в системе содержатся низкоплавкие металлы, необходимо частично перевести их в оксиды и насытить кислородом) и основного отжига при Т = 973-1123 К в течение 10 минут. Толщину пленок, полученных в результате отжига гетероструктур Рк/ЛП/Б!, РЬ^п/ТЬ^, Бп/РЬ*/Б1, БпМЛПП/Б!, измеряли по ступенькам и сколам с помощью оптического микроинтерферометра МИИ-4 и растрового электронного микроскопа CamScan S4. Структуру и фазовый состав поверхности пленок изучали методом рентгеновской дифрактометрии на дифрактометре ДРОН-ЗМ с

медным анодом (X = 0,154178 нм). Микроструктуру пленок исследовали на сколах образцов в растровом электронном микроскопе CamScan S4. Диэлектрические измерения проводили на переменном токе, используя электрическую схему типа моста Уитстона, петли диэлектрического гистерезиса наблюдали с применением модернизированной схемы Сойера — Тауэра, а также на других установках, позволяющих изучать сегнетоэлектричество в тонких слоях.

Третья глава посвящена синтезу тонких пленок станната свинца на монокристаллическом кремнии. Для исследования механизма формирования тонкопленочного станната свинца в процессе отжига в потоке кислорода сложной тонкопленочной гетероструктуры олово-свинец-кремний на первом этапе было исследовано взаимодействие в тонких пленках свинца с оксидами олова и олова с оксидами свинца в отсутствие окисляющей атмосферы при Т= 873 К. Установлено, что станнаты свинца в тонкопленочных гетероструктурах, полученных магнетронным напылением металлических слоев свинца на оксиды олова, в вакууме формируются при остаточном-давлении по следующей схеме:

причем последующая термообработка в потоке кислорода при атмосферном давлении не приводит к разложению образующихся станнатов свинца. Такой механизм формирования станнатов свинца подтверждается проведенным термодинамическим расчетом свободной энергии Гиббса. При взаимодействии олова с оксидом свинца станнаты свинца не образуются, а происходит формирование и восстановление свинца:

2РЬО + Бп —♦ БпОг + 2РЬ. Изменения фазового состава пленок, происходящие после каждого этапа обработки как в потоке кислорода, так и в вакууме, представлены в табл. 2.

Свойства слоев свинца, обусловленные способом их магнетронного осаждения (самораспыление расплава и распыление твердой мишени аргоном), определяют как свойства исходных гетероструктур, содержащих свинец и олово на подложках монокристаллического кремния, так и особенности химического взаимодействия в пленках при их отжиге в атмосфере кислорода. Осаждение свинца самораспылением из жидкой мишени на монокристаллический кремний формирует текстурированную пленку (рис. 1). Термообработка такой структуры Бп/РЬ1^ вплоть до Т =

823 К не приводит к окислению свинца, а взаимодействие металлического свинца с образовавшимися оксидами олова позволяет формировать станнаты свинца:

Таблица 2

Эволюция фазового состава тонких пленок, содержащих свинец и олово на монокристаллическом кремнии при отжиге в потоке кислорода и в вакууме

РЬБпОз, РЬгЭпО«, устойчивые при повышении температуры отжига до Г -1123 К. Изменение конфигурации межфазных границ (РЬ^/Бп/Б!) при сохранении способа осаждения свинца дает возможность получить в пленке станнаты свинца при той же температуре, но при Т= 1123 К они разлагаются на оксиды олова и свинца.

В случае распыления свинца из твердой мишени, не происходит текстурирования исходной пленки. Отжиг гетероструктуры с конфигурацией межфазных границ при Т = 823 К приводит к

одновременному образованию оксидов олова и свинца. Формирование станнатов свинца становится возможным лишь при Т = 1123 К. В том случае, когда отжигу подвергается структура с межфазными границами РЬ^п/Зь образование станнатов свинца не происходит и при высокой температуре, а пленка состоит из оксидов свинца и олова.

Рис. 1. Микрофотография скола исходной структуры

В четвертой главе приводятся результаты изучения механизма формирования тонкопленочного твердого раствора станната-титаната свинца на монокристаллическом кремнии. Для этого было сформировано несколько типов исходных гетероструктур, отличающихся как характером межфазных границ (различной последовательностью металлических слоев и способом напыления свинца), так и толщиной слоев металлов в исходной гетероструктуре. В результате отжига гетероструктуры с межфазными границами РЬ^/П/Б! (при толщине каждого металла 500 нм и самораспылении свинца) при Т = 973 К формируется поликристаллическая пленка титаната свинца с шероховатой и рыхлой структурой поверхности.

Для установления влияния содержания олова на формирование твердых растворов станната-титаната свинца в результате последующей термической обработки были сформированы несколько типов исходных гетероструктур с различным характером межфазных границ. На рис. 2 представлены дифрактограмма (а) и микрофотография скола (б) исходной гетероструктуры, содержащей титан, олово и свинец.

а б

Рис. 2. Дифрактограмма (а) и микрофотография скола (б) исходной тонкопленочной гетероструктуры PlASn/Ti/Si {dj, = 300 нм, ds„ = 200 нм, dn - 500 нм)

Термическая обработка структур' PbVSn/Ti/Si не привела к формированию твердых растворов. Полученная в результате отжига пленка характеризовалась в зависимости от содержания титана и олова, определяемого толщиной каждого Из металлов в исходной гетероструктуре, наличием преимущественно фаз титаната свинца (при избытке титана), либо станната свинца (при избытке олова). При сравнимом содержании титана и олова пленки состоят в основном из титаната свинца и оксида олова Очевидно, формирование твердого раствора станната-титаната свинца протекает по схеме, аналогичной предложенной и установленной для

станната свинца, т. е. для образования твердого раствора станната-титаната свинца необходимо наличие оксида олова и металлического свинца в гетероструктуре, содержащей титан. Другими словами, внешним слоем в исходной гетероструктуре должно быть олово для того, чтобы термическая обработка привела к синтезу твердого раствора станната-титаната свинца. Исследование особенностей формирования пленок сложного состава от содержания олова в исходных гетероструктурах со следующей конфигурацией межфазных границ: показало, что при

толщине слоя олова, составляющей 10% от толщины свинца (при неизменной толщине его слоя, равной 500 нм), в процессе быстрого отжига при Т=973 К формируется гетерофазная пленка, содержащая титанат свинца, станнат свинца и твердый раствор станната-титаната свинца состава РЬ(8п0,иТ{0,«)Оз (рис. 3). Структура пленки пористая, рыхлая, поверхность неровная, состоящая из «каналов», без разделения на отдельные частицы (рис. 4).

В результате отжига гетероструктур

формируется пленка, в которой доминирует твердый раствор титаната-станната свинца состава РЬ^по^ТадОз (рис. 5). Эта

пленка имеет более однородную

Рис. 3. Дифрактограмма пленки, полученной в результате отжига в потоке кислорода при Т=973 К гетерострукгуры 8по,1/РЬ^7ПоУ81

поверхность, чем в предыдущем случае, но по-прежнему пористую и рыхлую, с неплотно упакованными зернами (рис. 6).

(*) (б)

Рис. 4. Микрофотографии скола (а) и поверхности (б) пленок после отжига в потоке кислорода при Т = 973 К гетерострукгуры БпоУРЬ'/ПоУБ!

олова

Увеличение содержания приводит после отжига к формированию в качестве основной фазы станната свинца но

кроме него в пленке содержатся фазы титаната свинца сложные станнат свинца и титанат свинца твердый раствор станната-титаната свинца

состава и оксид олова (рис 7)

в исходной гетероструктуре

Рис 5 Дифрактограмма пленки, полученной в результате отжига в потоке кислорода при Т = 973 К гетероструктуры

(Я) (б)

Рис 6 Микрофотографии скола (а) и поверхности (б) пленок после отжига в потоке кислорода при Т= 973 К гетероструктуры Бпо 5/РЬ1ТТ1о 5/Б1

Данная пленка имеет неоднородную, островную поверхность с отдельными рыхлыми образованиями (рис. 8)

того, были термическая

Кроме исследованы устойчивость сформировавшегося твердого раствора станната-титаната свинца и влияние на образование твердого раствора станната-титаната свинца

способа напыления свинца. Для

Рис 7 Дифрактограмма пленки, полученной в результате отжига в потоке кислорода при

Т=973 К гетероструктуры Бпо^ЬТПсм/З! этого все пленки, полученные при термообработке структур, в которых

свинец наносился из расплава, подвергли дополнительному отжигу при

температуре Т= 1073 К в течение 10 минут. Было обнаружено, что увеличение температуры отжига приводит к разложению твердого раствора станната-титаната свинца. При изменении способа напыления свинца в исходных гетероструктурах, было установлено, что отжиг при Т = 1023 К структуры РЬ'х/5по,5/Т1о з/Б! приводит к формированию двух основных фаз твердого раствора станната—титаната свинца и титаната свинца. Фазовый состав образцов, полученных в результате отжига гетер оструктуры 8по5/РЬ*/По5/51 при Т= 973 К, характеризовался наличием твердого раствора станната-титаната свинца состава РЬ(8поз5Т1о45)Оз-

(а) (б)

Рис 8. Микрофотографии скола (а) и поверхности (б) пленок после отжига в потоке кислорода при Т= 973 К гегеросгруктуры Бпо сДЧ/ЛПо 1/81

В пятой главе приводятся результаты исследования диэлектрических свойств формируемых пленок, которые так же, как и структура, определяются характером межфазных границ в исходных гетероструктурах. Пленка, полученная в результате отжига гетероструктуры с межфазными границами РЬ/Ть^Б! (при толщине каждого металла 500 нм и самораспылении свинца) при Т = 973 К, представляет собой поликристаллическую структуру титаната свинца На температурной зависимости диэлектрической проницаемости существует при Т = 723 К один максимум (рис. 9а), который соответствует фазовому переходу сегнетоэлектрической тетрагональной фазы в параэлектрическую кубическую фазу. Эта температура на 40 К ниже, чем температура Кюри для массивных образцов титаната свинца. Петля диэлектрического гистерезиса таких пленок имела вид, характерный для сегнетоэлектриков (рис. 10а) со значениями коэрцитивного поля и вектора

остаточной поляризации: Ес = 84,73 kB/см и Р<> = 0>64 мкКл/см2,

соответственно.

В результате отжига структуры Snoj/PbVïïoySi в потоке кислорода при Т= 1073 К в течение 10 минут формируется гетерофазная пленка, которая наряду с основной фазой титаната свинца содержит станнат свинца

PbSnC>3, твердый раствор титаната-станната свинца состава Pb(Sno,j5Tioi45)03 и оксид олова БпОг- Гетерофазность пленки подтверждает температурная зависимость диэлектрической проницаемости, в которой наблюдаются три максимума при Т= 503 К, 653 К и 773 К (рис. 9б). Первый относится к твердому раствору станната-титаната свинца состава второй - к станнату свинца третий - к титанату свинца Вид

петли диэлектрического гистерезиса этой пленки аналогичен виду петли, представленной на рис. 10а. Коэрцитивное поле Ес данной пленки составило 149,54 кВ/см, вектор остаточной поляризации Ро равен 0,084 мкКл/см2.

Пленка, полученная отжигом исходной структуры Sno.s/Pb/TioySi в потоке кислорода в течение 10 минут при температуре Т = 973 К, на температурной зависимости диэлектрической проницаемости обнаруживает фазовые переходы при температурах Т\ = 493 К и Ti — 700 К (рис. 9в). Отсутствие третьего максимума, относящегося к титанату свинца, связано с преобладанием твердого раствора титаната-станната свинца в формируемой пленке. Максимумы зависимости диэлектрической проницаемости от температуры на различных частотах, как и в предыдущем случае, при увеличении частоты измерения смещаются по шкале температур вверх на несколько градусов. Пленка обладает сегнетоэлектрическими свойствами со следующими значениями коэрцитивного поля и вектора остаточной поляризации: Ес = 232,07 кВ/см Р0 = 0,103 мкКл/см2 (рис. 10б).

Отжиг исходной гетероструктуры с большим содержанием олова приводит к формированию неоднородной пленки сложного состава, в которой не происходит взаимодействия между собой отдельных фаз. В этом случае на температурной зависимости диэлектрической проницаемости нет явных максимумов (рис. 9г), а при приложении внешнего

поля не разворачивается петля диэлектрического гистерезиса, что характеризует отсутствие в пленке сегнетоэлектрических свойств.

Рис. 9. Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры после отжига гггероструктур: a) PbVn/Si (Г= 973 К), б) Sno.i/PbVrioySi (Г= 1073 К), в) Sno.j/PbVrioySi (Г = 973 К), г) Pbs/SnoyTio,i/Si (Г- 1023 К) на частотах 1 - 1 кГц, 2 -10 кГц, 3 -100 кГц

В заключении сформулированы главные результаты. На основании полученных в работе результатов установлена зависимость состава, структуры и электрофизических свойств тонких пленок, содержащих станнат свинца и твердый раствор станната-титаната свинца от особенностей химического взаимодействия, обусловленного различным способом напыления свинца в исходные гетероструктуры при их отжиге в потоке кислорода.

Р , МкКл/сМ2 од

Рис. 10. Петли диэлектрического гастерезиса пленок, полученных в результате отжига в потоке кислорода в течение 10 минут при Т = 973 К гетероструктур: а) РЬ^/П/З^ б) БпоУРЬ'/ПоУЗ!

последовательности металлических слоев в исходной гетероструктуре, температура формирования станната свинца увеличивается до 1123 К. Это связано с тем, что при более низкой температуре (Т = 873 К) происходит практически независимое образование оксидов олова и свинца с последующим их взаимодействием, приводящим к синтезу станната свинца. Очевидно, что для формирования станната свинца из оксидов свинца и олова, требуется более высокая температура. Следовательно, формирование станната свинца происходит при взаимодействии оксидов олова с металлическим свинцом. Для образования твердого раствора станната-

титаната свинца необходимо присутствие оксидов олова и металлического свинца в гетероструктуре, содержащей титан.

Таким образом, изменяя конфигурацию межфазных границ, можно управлять составом, структурой и свойствами пленок, образующихся в процессе синтеза при термообработке исходных гетероструктур.

ВЫВОДЫ

1. Установлен механизм взаимодействия компонентов в гетероструктурах Pb/SnOx и Sn/PbO на монокристаллическом кремнии. Показано, что станнат свинца формируется при взаимодействии свинца с оксидом олова: При взаимодействии олова с оксидом свинца происходит окисление олова и восстановление свинца из его оксида:

2. Тонкие пленки, содержащие станнаты свинца, титанаты свинца и твердый раствор состава полученные при отжиге гетероструктур (свинец напылялся из собственного расплава), проявляют нелинейные диэлектрические свойства. Обнаружены два фазовых перехода при температурах Т\ = 493 К и Tj =

относящиеся к твердому раствору станната-титаната свинца и станнату свинца соответственно; коэрцитивное поле составило а вектор остаточной поляризации

мкКл/см2.

3. Установлены закономерности, связывающие между собой состав, структуру, электрофизические свойства пленок, содержащих твердый раствор станната-титаната свинца, и условия синтеза, определяемые характером межфазных границ металлических слоев на поверхности монокристаллического кремния и способом распыления свинца. Доказано, что твердый раствор станната-титаната свинца формируется в том случае, когда в исходной гетероструктуре была следующая последовательность металлических слоев и свинец распылялся из собственного расплава.

4. Изучены зависимости диэлектрических характеристик пленок от условий их формирования. При избытке титана (8по,1/РЬШоУ81) формируются преимущественно титанаты свинца и диэлектрические характеристики отвечают именно этой фазе (квадратная петля сегнетоэлектрического гистерезиса, точка Кюри). Увеличение содержания олова приводит к образованию гетерофазных смесей, в которых присутствуют и твердые растворы станната—титаната свинца: при этом петля сегнетоэлектрического гистерезиса «растягивается» и приобретает насыщение, а на температурной зависимости диэлектрической проницаемости обнаруживаются два = 698 К), а в некоторых случаях и три (Г1 = 503 К, — 653 К,Тз = 773 К) максимума, отвечающих разным фазам. При избытке олова в полученной пленке доминирует либо станнат свинца, либо оксид олова (IV). Варьируя состав и структуру, можно целенаправленно изменять температуру фазового перехода.

Основное содержание работы изложено в следующих публикациях:

1. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Взаимодействие свинца и олова с тонкими пленками их оксидов на поверхности монокристаллического кремния / А. М. Ховив, О. Б. Яценко, В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова (Наумова) и др. // Неорганические материалы. - 2004. - Т. 40, № 4. - С. 400-403.

2. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Формирование тонких слоев станнатов свинца на монокристаллическом кремнии / В. А. Логачева, Е. А. Туренко, А. М. Ховив, Ю. Ю. Якимова (Наумова) и др. II Неорганические материалы. - 2003. - Т. 39, № 10. - С. 1251-1259.

3. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Структура и свойства тонкопленочного титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. М. Ховив, В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова (Наумова) // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2002. - № 3. - С. 90-93.

4. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Особенности формирования поликристаллических пленок, содержащих свинец, титан и их оксиды, на поверхности монокристаллического кремния / А. М. Ховив, О. Б. Яценко, В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова (Наумова) // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2003. — №10.-С. 63-69.

5. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Оксидирование пленок титана в структуре в^Юг/Г! / В. А. Логачева, И. Н. Назаренко, Ю. Ю. Якимова (Наумова) // Конденсированные среды и межфазные границы. — 1999. — Т. 1, № 2.

- С. 203-206.

6. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Особенности термического оксидирования пленок олова, осажденных магнетронным способом на поверхность монокристаллического кремния / Ю. Ю. Якимова (Наумова), В. А. Логачева, А. М. Ховив, О. Б. Яценко // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2003. - Т. 5, № 3. - С. 322-327.

7. Наумова Ю. Ю. Фазовые переходы в тонких пленках на основе титанатов-станнатов свинца / А. М. Ховив, Ю. П. Афиногенов, В. А. Логачева, Ю. Ю. Наумова // Конденсированные среды и межфазные границы. - 2004. - Т. 6, № 1. - С. 107-112.

8. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Синтез и свойства тонких слоев в системе БиТЛ-РЬ / В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова (Наумова) //Химия. Теория и технология: Сб. науч. статей молодых ученых, аспирантов, соискателей, магистров и студентов хим. фак. - Воронеж, 2000. Вып. 3. -С. 112-116.

9. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Оксидирование тонкопленочного свинца / Ю. Ю. Якимова (Наумова), В. А. Логачева // Химия. Теория и технология: Сб. науч. статей молодых ученых, аспирантов, соискателей, магистров и студентов хим. фак. - Воронеж, 2000. Вып. 4.

- С. 77-80.

10. Yakimova (Naumova) Yu. Yu. Crystallization of Thin Layers Containing Titanium, Lead and Their Oxides, Their Structure and Elektrophysikal Properties / A. M. Khoviv, О. В. Yatsenko, V. A. Logacheva, Yu. Yu. Yakimova (Naumova) // Fourth International Conference Single Crystal Growth and Head & Mass Transfer (ICSC). Obninsk, 2001. -Vol. 2. -P. 463-473.

11. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Особенности формирования тонких пленок титаната свинца на монокристаллическом кремнии и структуре SiCVSi / А. М. Ховив, О. Б. Яценко, В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова (Наумова) и др.// Вестник ВГУ. Серия химия, биология. - 2001. - № 2. - С. 68-70.

12. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Исследование механизма взаимодействия в тонких пленках с оксидами титана и с оксидами свинца / В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова (Наумова) //Материалы I Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазньгх границах» «ФАГРАН-2002», Воронеж, 11-15 ноября 2002 г. - Воронеж, 2002. - С. 309.

13. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Особенности термического оксидирования пленок олова, осажденных магнетронным способом на поверхность монокристаллического кремния / Ю. Ю. Якимова (Наумова), А. Ю. Холодов, В. А. Логачева // Материалы I Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» «ФАГРАН-2002»,. Воронеж, 11-15 ноября 2002 г. - Воронеж, 2002. - С. 373.

14. Yakimova (Naumova) Y. Y. Mathematical Modeling of Self— Organizing of Transient Layers at Formation of Oxides on a Surface of Metals and Semiconductors / A. M. Khoviv, L. V. Rudakova, Y. Y. Yakimova (Naumova)

// Third International Conference Single Crystal Growth, Strength Problems, and Head Mass Transfer (ICSC). - Obninsk, 1999. - Vol. 2. - P. 248-249.

15. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Структура и свойства тонкопленочного титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. М. Ховив, В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова (Наумова) // IX Национальная конференция по росту кристаллов, Москва, 16-20 октября 2000 г.: Тез. докл. -М., 2000. - С. 338.

16. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Особенности формирования поликристаллических пленок, содержащих свинец, титан и их оксиды на поверхности монокристаллического кремния / О. Б. Яценко, В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова (Наумова), А. М. Ховив //X Национальная конференция по росту кристаллов «НКРК-2002», Москва, 24-29 ноября 2002 г.: Тез. докл. - М., 2002. - С. 596.

17. Якимова (Наумова) Ю. Ю. Рост пленок станнатов- свинца на монокристаллическом кремнии / О. Б. Яценко, В. А. Логачева, Е. А. Туренко, Ю. Ю. Якимова (Наумова) // X Национальная конференция по росту кристаллов «НКРК-2002», Москва, 24-29 ноября 2002 г.: Тез. докл. - М., 2002. - С. 597.

Заказ № 321 от 7 05 2004 г Тираж 100 экз Лаборатория оперативной полиграфии ВГУ

ч"

Содержание диссертации автор исследовательской работы: кандидата химических наук, Наумова, Юлия Юрьевна

Введение

Глава I. Фазовые превращения в тонкопленочных системах, содержащих станнаты свинца, титанаты свинца и их твердые растворы

1. Особенности синтеза РЬТЮз, РЬБпОз и твердых растворов в данной системе

2. Нелинейные диэлектрические свойства сегнетоэлектрических соединений АВОз и твердых растворов на их основе

3. Сравнительная характеристика химической связи и кристаллической структуры в оксидах титана, свинца и олова

3.1. Химические и некоторые физические свойства простых оксидов титана, свинца и олова

3.2. Термическая устойчивость оксидов титана, свинца и олова

3.3. Нестехиометрия и дефекты структуры в оксидах титана, свинца и олова

Глава II. Получение тонких пленок станнатов-титанатов свинца и методы исследования

1. Подготовка исходных подложек

2. Метод магнетронного напыления

3. Отжиг тонких пленок в печи резистивного нагрева

4. Оксидирование при пониженном давлении кислорода и фотонном нагреве подложек

5. Методики исследования образцов

5.1. Осциллографический метод исследования петель гистерезиса

5.2. Измерения на переменном токе

Глава III. Синтез и фазовый состав тонких пленок станнатов свинца

1. Взаимодействие в тонкопленочных структурах свинца с оксидами олова и олова с оксидами свинца

2. Фазовые превращения в тонкопленочных структурах, содержащих свинец и олово на монокристаллическом кремнии, в процессе отжига в потоке кислорода

2.1. Отжиг гетероструктур с межфазными границами олово-свинец-кремний

2.2. Отжиг гетероструктур с межфазными границами свинец-олово-кремний

Глава IV. Фазовый состав и микроструктура тонких пленок станнатов-титанатов свинца

1. Особенности взаимодействия в гетероструктуре РЬ/ВпАЛ/Б! при самораспылении свинца из собственного расплава

2. Зависимость состава и структуры формируемых пленок . от межфазных границ в исходной тонкопленочной гетероструктуре

3. Зависимость состава и структуры формируемых пленок от температуры отжига

4. Зависимость состава и структуры формируемых пленок от содержания олова

Глава V. Электрофизические свойства твердых растворов станнатов-титанатов свинца

1. Зависимость диэлектрических свойств формируемых пленок от последовательности металлических слоев в исходной тонкопленочной гетероструктуре

2. Зависимость диэлектрических свойств формируемых пленок от температуры отжига

3. Зависимость диэлектрических свойств формируемых пленок от содержания олова

Введение диссертация по химии, на тему "Механизм формирования и свойства тонких пленок станнатов свинца и твердых растворов станната-титаната свинца"

Актуальность. Тонкие пленки сегнетоэлектрических фаз - один из актуальных объектов исследования в современной химии твердого тела, так как в этом случае решается важнейшая задача химии: изучение фундаментальных основ управляемого синтеза, заключающегося в установлении зависимости между составом, структурой и свойствами химических соединений. Настоящая работа развивает исследования сегнетоэлектрических тонких слоев на основе титаната свинца. Класс сложных оксидов, к которому относится титанат свинца, отличается разнообразием и многочисленностью родственных соединений, технологичностью, широтой технических применений. Однако, в силу высокой температуры Кюри РЬТЮз не может рассматриваться как функциональный материал современной электроники, поэтому актуальной является задача поиска подходящей легирующей примеси для варьирования электрофизических свойств в широких пределах. Хорошо известно, что почти любое замещение РЬ или Тл атомами других элементов, которые могут образовывать перовскитовую решетку, приводит к снижению точки Кюри, так как происходит деформация элементарной ячейки, вызывающая изменение характера химической связи. В этом отношении перспективным является олово, которое может замещать титан, т. к. имеет с ним близкие физико-химические параметры. Применение олова в качестве элемента, замещающего титан, приводит к образованию изоморфных структур РЬТьЗп^Оз, а механизм этого процесса изучен не достаточно.

Для достижения цели были сформулированы и решены следующие задачи:

1. Изучение взаимодействий в тонкопленочной гетероструктуре, содержащей свинец, олово и их оксиды на монокристаллическом кремнии, при термообработке в атмосфере кислорода и в вакууме.

2. Получение тонкопленочных твердых растворов станната-титаната свинца состава РЬ(8п0.5^0.5)Оз, обладающего нелинейными диэлектрическими свойствами.

Методы исследования. Изучение физико-химических свойств тонкопленочных гетероструктур, содержащих оксида свинца, титана, олова, а также станнаты свинца и твердый раствор станната-титаната свинца на подложке монокристаллического кремния, проводили с применением комплекса современных методов и надежной статистической обработкой результатов измерений. Фазовый состав определялся методом рентгенофазового анализа, поверхностная морфология — методом растровой электронной микроскопии. Достоверность существования нелинейных диэлектрических свойств обеспечивалась применением совокупности электрофизических методов: измерением температурной зависимости диэлектрической проницаемости и электропроводности на переменном токе, используя электрическую схему типа моста Уинстона; наблюдением петли диэлектрического гистерезиса с применением модернизированной схемы Сойера - Тауэра, а также совпадением в частных случаях данных с известными из литературы.

Научная новизна:

- впервые синтезированы тонкие пленки станната свинца отжигом в вакууме при Г = 873 К гетероструктуры Pb/Sn(VSi, в которой слой олова был сформирован методом магнетронного напыления и подвергнут термическому оксидированию в потоке кислорода, после чего на полученный оксид олова был нанесен свинец;

- впервые синтезированы тонкие пленки твердого раствора станната-титаната свинца состава Pb(Sno.55Tio.45)03 отжигом в потоке кислорода при Т\ = 473 К, Т2 = 973 К в течение 10 минут гетероструктуры с межфазными границами Sn/Pb/Ti/Si;

- установлен механизм формирования станната свинца и твердого раствора станната-титаната свинца состава Pb(Sno.55Tio.45)03> заключающийся во взаимодействии металлического свинца с оксидами олова в гетероструктуре, содержащей титан;

Практическое значение. Разработаны условия управляемого синтеза станнатов свинца и твердого раствора станната-титаната свинца состава Pb(Sno.55Tio.45)03 на кремнии, обладающего полным набором сегнетоэлектрических свойств и несколькими фазовыми переходами, что позволяет их использовать в качестве элементов памяти оперативных запоминающих устройств и высокоскоростных многопозиционных переключателей.

Национальная конференция по росту кристаллов «НКРК-2000» (Москва, 2000); Fourth International Conference Single Crystal Growth and Head & Mass Transfer (ICSC) (Obninsk, 2001); I Всероссийской конференции «Физико-химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах» «ФАГРАН-2002» (Воронеж, 2002); X национальной конференции по росту кристаллов «НКРК-2002» (Москва, 2002).

Структура и объем работы. Диссертация состоит из введения, пяти глав, заключения, списка литературы, включающего 150 наименований. Работа изложена на 143 страницах текста, иллюстрирована 57 рисунками и содержит 12 таблиц.

Заключение диссертации по теме "Химия твердого тела"

ВЫВОДЫ

1. Установлен механизм взаимодействия компонентов в гетероструктурах РЬ/БпО* и 8п/РЮ на монокристаллическом кремнии. Показано, что станнат свинца формируется при взаимодействии свинца с оксидом олова: 2РЬ + 38п02 —► 2РЬБпОз + Бп. При взаимодействии олова с оксидом свинца происходит окисление олова и восстановление свинца из его оксида: 2РЮ + Бп 8п02 + 2РЬ.

2. Тонкие пленки, содержащие станнаты свинца, титанаты свинца и твердый раствор состава РЬ(8п0.55Т10.45)Оз, полученные при отжиге гетероструктур 8п/РЬЛП/81 (свинец напылялся из собственного расплава), проявляют нелинейные диэлектрические свойства. Обнаружены два фазовых перехода при температурах Т\ = 493 К и Т2 = 698 К, относящиеся к твердому раствору станната-титаната свинца и станнату свинца соответственно; коэрцитивное поле составило Ес = 232,07 кВ/см, а вектор Л остаточной поляризации Р0 = 0,103 мкКл/см .

3. Установлены закономерности, связывающие между собой состав, структуру, электрофизические свойства пленок, содержащих твердый раствор станната-титаната свинца, и условия синтеза, определяемые характером межфазных границ металлических слоев на поверхности монокристаллического кремния и способом распыления свинца. Доказано, что твердый раствор станната-титаната свинца формируется в том случае, когда в исходной гетероструктуре была следующая последовательность металлических слоев Би/РЬ/П/Б! и свинец распылялся из собственного расплава.

4. Изучены зависимости диэлектрических характеристик пленок от условий их формирования. При избытке титана (Бпо^/РЬЛПоУЗ!) формируются преимущественно титанаты свинца и диэлектрические характеристики отвечают именно этой фазе (квадратная петля сегнетоэлектрического гистерезиса, точка Кюри). Увеличение содержания олова приводит к образованию гетерофазных смесей, в которых присутствуют и твердые растворы станната-титаната свинца: при этом петля сегнетоэлектрического гистерезиса «растягивается» и приобретает насыщение, а на температурной зависимости диэлектрической проницаемости обнаруживаются два (Т\ = 493 К и Тг = 698 К), а в некоторых случаях и три (Т\ = 503 К, Т2 = 653 К, Г3 = 773 К) максимума, отвечающих разным фазам. При избытке олова в полученной пленке доминирует либо станнат свинца, либо оксид олова (IV). Варьируя состав и структуру, можно целенаправленно изменять температуру фазового перехода.

ЗАКЛЮЧЕНИЕ

На основании полученных в работе результатов установлена зависимость состава, структуры и электрофизических свойств тонких пленок, содержащих станнат свинца и твердый раствор станната-титаната свинца от особенностей химического взаимодействия, обусловленного различным способом напыления свинца в исходные гетероструктуры при их отжиге в потоке кислорода.

В случае структуры олово-свинец-кремний оксиды олова, которые формируются на внешней границе раздела, при взаимодействии с металлическим свинцом, полученным самораспылением расплава, приводят к образованию станнатов свинца уже при температуре Т = 873 К. Это становится возможным потому, что свинец, напыленный из жидкой мишени, текстурирован и в связи с этим не окисляется вплоть до Т = 873 К. Если же свинец был получен распылением твердой мишени при сохранении последовательности металлических слоев в исходной гетероструктуре, температура формирования станната свинца увеличивается до 1123 К. Это связано с тем, что при более низкой температуре (Г = 873 К) происходит практически независимое образование оксидов олова и свинца с последующим их взаимодействием, приводящим к синтезу станната свинца. Очевидно, что для формирования станната свинца из оксидов свинца и олова, требуется более высокая температура. Следовательно, формирование станната свинца происходит при взаимодействии оксидов олова с металлическим свинцом. Кроме того, установлено, что для образования твердого раствора станната-титаната свинца необходимо присутствие оксидов олова и металлического свинца в гетероструктуре, содержащей титан.

Таким образом, изменяя конфигурацию и свойства межфазных границ, можно управлять составом, структурой и свойствами пленок, образующихся в процессе синтеза при термообработке исходных гетероструктур.

Список источников диссертации и автореферата по химии, кандидата химических наук, Наумова, Юлия Юрьевна, Воронеж

1. Логачева В. А. Синтез и физико-химические свойства тонкопленочных гетероструктур на основе титана, свинца и их оксидов: Дис. . канд. хим. наук / В. А. Логачева. - Воронеж, 2001. - 153 с.

2. Получение пленок титаната свинца, обладающих сегнетоэлектрическими свойствами / А. М. Ховив, А. С. Сидоркин, С. О. Яценко и др. II Неорганические материалы. 1998. - Т. 34, № 4. - С. 462-463.

3. Получение и свойства тонких сегнетоэлектрических пленок титаната свинца / А. С. Сидоркин, А. С. Сигов, А. М. Ховив. и др. II ФТТ. — 2000. -Т. 42,№.4.-С. 727-732.

4. Выращивание сегнетоэлектрических пленок титаната свинца на кремнии / О. Б. Яценко, В. А. Логачева, Е. А. Туренко и др. // IX Национальная конференции по росту кристаллов, Москва, 16-20 октября 2000 г.: Тез. докл. Москва, 2000. - С. 344.

5. Термическое оксидирование тонких пленок Ti и РЬ, напыленных на монокристаллический кремний / В. А. Логачева, Е. А. Туренко, А. М. Ховив и др. II Неорганические материалы. 2001. - Т. 37, № 5. -С. 560-563.

6. Сегнетоэлектрические пленки титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. С Сидоркин, А. С. Сигов, А. М. Ховив и др. II ФТТ. 2002. — Т. 44, №4.-С. 745-749.

7. Ховив А. М. Структура и свойства тонкопленочного титаната свинца на монокристаллическом кремнии / А. М. Ховив, В. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова II Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. — 2002. № 3. — С. 90-93.

8. Иона Ф. Сегнетоэлектрические кристаллы / Ф. Иона, Д. Ширане; Пер. с англ. JI. А. Фейгина и Б. К. Севастьянова; Под ред. JI. А.Шувалова. М.: Мир, 1965.-555 с.

9. Физика сегнетоэлектрических явлений I Г. А. Смоленский, В. А. Боков,

10. B. А. Исупов и др. Л.: Наука, 1985. - 396 с.

11. Веневцев Ю. Н. К вопросу о метастаннате свинца PbSn03 / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов II Журнал физической химии. 1956. — Т. 30, вып. 6. - С. 1324-1326.

12. Веневцев Ю. Н. Рентгеноструктурное исследование твердых растворов сегнетоэлектриков со структурой типа перовскита / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов II Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1956. - Т. 20, № 2.1. C. 178-184.

13. Веневцев Ю. Н. Рентгенографическое исследование системы PbTi03-«PbSn03» / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов, Т. Н. Шендрик II Кристаллография. 1956. - Т. 1, № 6. - С. 657-665.

14. Веневцев Ю. Н. Влияние различных факторов на температуру Кюри сегнетоэлектриков со структурой типа перовскита / Ю. Н. Веневцев, Г. С. Жданов, С. П. Соловьев II Изв. АН СССР. Сер. физическая. 1958. -Т. 22,№ 12.-С. 1476-1482.

15. Грановский В. Г. Характер химических связей в сегнетоэлектрических кристаллах АВ03 со структурой типа перовскита I В. Г. Грановский II Кристаллография. 1962. - Т. 7, вып. 4. - С. 604-607.

16. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Pb, Ba)Sn03, Pb(Ti, Sn)03 и Pb(Zr, Sn)03 I Г. А Смоленский., А. И. Аграновская, A. M. Калинина и др. IIЖТФ. 1955. - Т. 25, вып. 12. - С. 2134-2142.

17. Fujumoto S. Application of phenomenological analysis to ferroelectric stannated lead titanate under hydrostatic pressure (2) / S. Fujumoto, K. Kanai I I Ferroelectrics. 1994. -V. 154. - Issue 1-4, part 4. - P. 71-76.

18. Samara G. A. The relaxational properties of compositionally disordered AB03 perovskites / G. A. Samara II J. Phys.: Condens. Matter. 2003. - V. 15. — P. 367-411.

19. Bellaiche L. Virtual crystal approximation revisited: Application to dielectric and piezoelectric properties of perovskites / L. Bellaiche, D. Vanderbilt II Physical review B. 2000. - V. 61, № 12. - P. 7877-7882.

20. Prosandeev S. A. On the average charge of the oxygen vacancy in perovskites necessary for kinetics calculations / S. A. Prosandeev II J. Phys.: Condens. Matter. 2002. - V. 14. - P. 745-748.

21. Direct current field adjustable ferroelectric behavior in (Pb, Nb)(Zr, Sn, Ti)03 antiferroelectric thin films / J.-W. Zhai, H. Chen, E. V. Colla et al. II J. Phys.: Condens. Matter. 2003. - V. 15. - P. 963-969.

22. Viehland D. Incommensuration in antiferroelectric tin-modified lead lead zirconate titanate / D. Viehland, Z. Xu, D. A. Payne II Ferroelectrics. 1994. — V. 151.-Issue 1-4,part l.-P. 151-157.

23. Xu Z. Incommensurate-commensurate phase transformation in antiferroelectric tin-modified lead lead zirconate titanate / Z Xu, D. Viehland, D. A. Payne II Journal of Materials Research. 1995. - V. 10. - Issue 2. - P. 453-460.

24. Yang T. Effects of compositional variations on antiferroelectric-ferroelectric phase transition of PZST ceramics / T. Yang, X. Yao, L. Zhang II Journal of Inorganic Materials. 2000. - V. 15. - P. 807-814.

25. Ellis D. E. Theoretical interpretation of metal substitution effects in PZT and PZST / D. E. Ellis, O. V Gubanova II Ferroelectrics. 1994. - V. 153. - Issue 1-4, part 3.-P. 61-66.

26. Ki H. Y. Electric fatigue and leakage characteristics in Sn modified lead zirconate titanate thin films IKY. Ki, J. H. Jang II Key Engineering Materials. 2002. - V. 214-215. - P. 95-100.

27. Hyuk Jang J. Electric fatigue in antiferroelectric and ferroelectric Pb(Zr, Sn, Ti)Nb03 thin films prepared by sol-gel process / J. Hyuk Jang, K. Hyuk Yoon II Japanese Journal of Applied Physics. 1998. - V. 37. - Issue 9B, part 1.-P. 5162-5165.

28. Hyuk Jang J. Effect of antiferroelectric buffer on electric fatigue and leakage in ferroelectric Pb(Zr, Sn,Ti)Nb03 thin films / J. Hyuk Jang, K. Hyuk Yoon II Thin Solid Films. 2001. - V. 401. - P. 67-72.

29. Pai N. Compositional dependence of electrical properties in PLZST thin films / N. Pai, B. Xu, L. E. Cross I I Integrated Ferroelectrics. 1998. - V. 22. -Issue 1-4, part2.-P. 501-513.

30. Шварцман В. В. Фазовые состояния и сегнетоэлектрические свойства керамики Pb(Zr, Sn, Ti)03 / В. В. Шварцман, С. Е. Аксенов, Е. Д. Политова IIЖТФ. 2000. - Т. 70, вып. 11. - С. 42^7.

31. Хи В. Synthesis of lead zirconate titanate stannate antiferroelectric thick films by sol-gel processing / B. Xu, L. E. Cross, D. Ravichandran II Journal of the American ceramic Society. 1999. - V. 82. - Issue 2. - P. 306-312.

32. Akiyama Y. Field-induced antiferroelectric-to-ferroelectric phase transition of lead niobium zirconate titanate stannate ceramics / Y. Akiyama, E. Fujisawa II Japanese Journal of Applied Physics. 1997. - V. 36. - Issue 9B, part 1. -P. 5997-6000.

33. Nam Y. W. Effect of PbO content on dielectric and electric field induced strain properties in Y-modified lead zirconate titanate stannate / Y. W. Nam, К. H. Yoon II Materials Research Bulletin. 1998. - V. 33. - Issue 2. -P. 331-339.

34. Akiyama Y Development of (Pb, Nb)(Zr, Sn, Ti)03 film using a sol-gel process and resulting antiferromagnetic properties / Y Akiyama, S. Kimura, I. Fujimura II Japanese Journal of Applied Physics. 1993. - V. 32. - Issue 9B, part 1. -P. 4154-4157.

35. Lee S. G. Pyroelectric properties of lead antimony stannate-lead titanate-lead zirconate ceramics modified with La and Mn / S. G. Lee, Y. H. Lee, C. Y Park II Japanese Journal of Applied Physics. 1993. - V. 32. - Issue 5S, part 1. — P. 2014-2019.

36. De Graef M. In situ domain multiplication and migration in the antiferroelectric ceramic PLSnZT / M. De Graef, D. R. Clarke, J. S. Speck II Regular paper.

37. Логачева В. А. Синтез и свойства тонких слоев в системе Si-Ti-Pb /

38. B. А. Логачева, Ю. Ю. Якимова II Химия. Теория и технология: Сб. научных статей молодых ученых, аспирантов, соискателей, магистров и студентов хим. факультета. — Воронеж: ВГУ. — 2000. — Вып. 3. —1. C. 112-116.

39. Дулъкин Е. А. Влияние постростовой дефектной системы на ориентацию плоской межфазной границы в кристаллах РЬТЮз / Е. А. Дулъкин, В. Г. Гаврилянченко И Письма в ЖТФ. 1997. - Т. 23, № 21. - С. 40-44.

40. Бесконечная анизотропия пьезоэффекта в сегнетокерамике на основе РЬТЮз / Е. А. Дулъкин, Л. И. Гребенкина, Д. И. Макаръев и dp. II Письма в ЖТФ. 1999. -Т. 25, вып. 22. - С. 21-25.

41. Размерный эффект в изометрических кристаллах PbTi03 / В. Г. Гаврилянченко, В. Д. Комаров, А. В. Лейдерман и др. II ФТТ. — 1998. -Т. 40,№8.-С. 1546-1547.

42. Влияние кристаллохимических особенностей на электрические свойства титаната свинца / С. В. Титов, Л. А. Шилкина, О. Н. Разумовская и др. II Неорганические материалы. 2001. - Т. 37, № 7. - С. 849-856.

43. Probing the polarity of ferroelectric thin films with x-ray standing waves / M. J. Bedzyk, A. Kazimirov, D. L. Marasco et al. II Physical review B. 2000. - V. 61, № 12. - P. 7873-7876.

44. Ai R. Influence of speeds of cooling on crystalline orientation of sputtered pellicles PbTi03 and (Pb, La)Ti03 / R. Ai, K. Wasa, Y. Ichikawa II Hyomen kagaku. 2000. - V. 21, № 8. - P. 456-461.

45. Глинчук M. Д. Динамическая диэлектрическая восприимчивость сегнетоэлектрических тонких пленок и их многослойных структур / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А. Стефанович II ФТТ. — 2002. Т. 44, вып. 5. -С. 912-922.

46. Особенности строения, диэлектрических и оптических свойств CdTiOj / Ю. В. Кабиров, М. Ф. Куприянов, Я. Дец и dp. II ФТТ. 2000. - Т. 42, вып. 7.-С. 1291-1295.

47. Кабиров Ю. В. Структурные фазовые переходы CdTi03 / Ю. В. Кабиров, Б. С. Кульбужев, М. Ф. Куприянов И ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 10. -С. 1890-1893.

48. Самойлова Т. Б. Влияние тепловых эффектов на нелинейность планарных конденсаторов на основе пленок титаната стронция на сапфире в поле СВЧ / Т. Б. Самойлова, К. Ф. Астафьев И ЖТФ. 2000. - Т. 70, вып. 6. -С. 90-97.

49. Диэлектрическая проницаемость пленочного титаната стронция в составе структуры БгТЮз/АЬОз I A.M. Прудан, Е. К. Гольман, А. Б. Козырев и др. II Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. № 9. С. 8-12.

50. Влияние отжига на диэлектрическую проницаемость пленочного титаната стронция в составе структуры SrTi03/Al203 / А. М. Прудан, Е. К. Гольман, А. Б. Козырев и др. II ФТТ. 1998. - Т. 40, № 8. - С. 1473-11478.

51. Дедык А. И. Избыточный объемный заряд в титанате стронция /

52. A. И. Дедык, Л. Т. Тер-Мартиросян II ФТТ. 1998. - Т. 40, № 2. -С. 245-247.

53. Свойства титаната стронция в многослойной структуре ЗгТЮз/СеОг/АЬОз / А. М. Прудан, Е. К. Голъман, А. Б. Козырев и др. II ФТТ. 1997. - Т. 39, № 6. - С. 1024-1029.

54. Вендик О. Г. Феноменологическое описание зависимости диэлектрической проницаемости титаната стронция от приложенного электрического поля и температуры / О. Г. Вендик, С. 77. Зубко // Журнал технической физики. 1997. - Т. 67, № 3. - С. 29-33.

55. ЭПР-исследование примесей в пленках титаната стронция / М. Д. Глинчук, И. 77. Быков, А. М. Слипенюк и др. II ФТТ. — 2001. Т. 43, вып. 5.-С. 809-812.

56. Критические концентрации в виртуальном сегнетоэлектрике 8гТЮ3 с примесью Ва / М. Е. Гужва, В. Клееман, В. В. Леманов и др. И ФТТ. — 1997. Т. 39, № 4. - С. 704-710.

57. Гужва М. Е. Спонтанная фоторефракция в Бг^СаДЮз (д: = 0,014) / М. Е. Гужва, В. Клееман, П. А Марковин II ФТТ. 1997. -Т. 39, № 4. -С. 711-713.

58. Леманов В. В. Фазовые переходы в твердых растворах на основе ЗгТЮз /

59. B. В. Леманов II ФТТ. 1997. - Т. 39, № 9. - С. 1645-1651.

60. Гужва М. Е. Диэлектрические исследования фазовых переходов в сегнетоэлектрике СсШ03 и твердом растворе Зг^СёДЮз / М. Е. Гужва,

61. B. В. Леманов, П. А Марковин II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 11.1. C. 2058-2065.

62. Приседский В. В. Материалы с особыми диэлектрическими свойствами (сегнетоэлектрики АпВ1У03): Учеб. Пособие / В. В. Приседский, А. Г. Петренко. Киев: УМК ВО, 1988. - 76 с.

63. Квятковский О. Е. Поляризационный механизм сегнетоэлектрической неустойчивости решетки в кристаллах / О. Е. Квятковский IIФТТ. — 1997. -Т. 39, №4.-С. 687-693.

64. Dorfman S. Comparative study of 001. surface relaxations of perovskite titanates / S. Dorfman, D. Fuh, E. Kotomin II Thin Solid Films. 1998. -V. 318.-P. 65-68.

65. Полярное состояние в твердом растворе SrTi03 КТа03 / В. В. Леманов,

66. B. А. Трепаков, П. П.Сырников и др. II ФТТ. 1997. - Т. 39, № 10.1. C. 1838-1840.

67. Диэлектрическая проницаемость и фазовые переходы в системе 8гТЮз-КТаОз / В. А. Трепаков, В. С. Вихнин, П. П. Сырников и др. II ФТТ. 1997. - Т. 39, № 11. - С. 2040-2045.

68. Квятковский О. Е. Квантовые эффекты в виртуальных и низкотемпературных сегнетоэлектриках / О. Е. Квятковский II ФТТ. — 2001. Т. 43, вып 8. - С. 1345-1362.

69. Леманов В. В. Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов SrTi03-PbTi03 / В. В. Леманов, Е. П. Смирнова, Е. А. Тараканов II ФТТ. -1997. Т. 39, № 4. - С. 714-717.

70. Павлов А. Н. Пьезорезистивный эффект в поликристаллических сегнетоэлектриках-полупроводниках / А. Н. Павлов, И. П. Раевский И ФТТ. -2002. Т. 44, вып. 9. - С. 1671-1675.

71. Мясоедов А. В. Положительный температурный коэффициент сопротивления в свинецсодержащей керамике титаната бария /

72. A. В. Мясоедов, С. Р. Сырцов IIЖТФ. 1997. - Т. 67, № 9. - С. 126-127.

73. Свойства пленок Ва^г^/ГЮз, выращенных методом ВЧ магнетронного распыления на сапфире с подслоем SrTi03 / Е. К. Гольман,

74. B. И. Голъдрин, В. Е. Логинов и др. II Письма в ЖТФ. 1999. - Т. 25, вып. 14.-С. 1-5.

75. Аномалии медленной кинетики поляризации релаксорного сегнетоэлектрика в температурной области размытого фазового перехода / В. В. Гладкий, В. А. Кириков, Е. В. Пронина и др. // ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 11.-С. 2052-2057.

76. Тополов В. Ю. Эффективные электромеханические свойства сегнетопьезоактивных композитов «кристалл-керамика» на основе (PbixCajn03 / В. Ю. Тополов, С. В. Глушанин II Письма в ЖТФ. 2002. -Т. 28, вып. 7.-С. 38-45.

77. Мягкие полярные моды и фазовые состояния твердых растворов Са^РЬДЮз / А. А. Волков, Г. А. Командин, Б. П. Горшунов и др. II ФТТ. — 2004. Т. 46, вып. 5. - С. 899-912.

78. Sicron N. The relation between the local and the average structure of rhombohedral ferroeletric PbHfo.9Tio.1O3 / N. Sicron, E. A. Stern, Y. Yacoby II Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2000. - V. 61. - P. 243-249.

79. Козаков А. Т. Особенности аномальной электронной эмиссии с поверхности сегнетоэлектрических пленок состава PbTi03 и Pb(Zr,Ti)03 / А. Т. Козаков, А. В. Никольский, И. В. Новиков II Письма в ЖТФ. 1997. -\ Т. 23, № 16.-С. 55-61.

80. Влияние нейтронного облучения на температуру Кюри-Вейсса антисегнетоэлектрической пленки цирконата свинца / Д. В. Куликов, Д. А. Лесных, Ю. В. Трушин и др. II Письма в ЖТФ. 2002. - Т. 28, вып. 15.-С. 17-23.

81. Дипольное упорядочение и устойчивость сегнетоэлектрического и антисегнетоэлектрического состояний в цирконате свинца / А. В. Лейдерман, И. Н. Леонтьев, О. Е. Фесенко и др. II ФТТ. 1998. -Т. 40, №7.-С. 1324-1327.

82. Электронный парамагнитный резонанс на энантиоморфных центрах в кристаллах PbZr03 : Gd3+ / А. В. Лейдерман, В. Г. Залетов, О. Е. Фесенко и др. И ФТТ. -1999. -Т. 41, вып. 7.-С. 1279-1281.

83. Наведенные светом собственные дефекты в керамике PLZT / В. В. Лагута, М. Д. Глинчук, А. М. Слипенюк и др. II ФТТ. 2000. - Т. 42, вып. 12.-С. 2190-2196.

84. Electric-field temperature phase diagram of the relaxor ferroelectric lanthanum-modified lead zirconate titanate / V. Bobnar, Z. Kutnjak, R. Pirc et al. II Physical review B. - 1999. - V. 60, № 9. - P. 6420-6427.

85. Гуреев Д. M. Исследование условий селективного лазерного спекания керамических порошковых материалов системы цирконата-титаната свинца / Д. М. Гуреев, Р. В. Ружечко, И. В. Шишковский II Письма в ЖТФ. 2000. - Т. 26, вып. 6. - С. 84-89.

86. Явление усталости в эпитаксиальных пленках цирконата-титаната свинца / В. Я. Шур, Н. Ю. Пономарев, Н. А. Тонкачева и др. И ФТТ. 1997. -Т. 39, №4.-С. 694-696.

87. Growth of highly oriented of Pb(Zr<, Tii^)03 film on porous silicon / Q. Chen, W. B. Wu, C. L. Mak et al. И Thin Solid Films. 2001. - V. 397. - P. 1-3.

88. Park S. M. Laser ablation of a Pb(Zr^Ti|J03 target in a pulsed oxygen jet / S.M. Park, J. Y. Moon II Applied Surface Science. 2001. - V. 174. -P. 87-92.

89. Механизм высокочастотного распыления сложных оксидов / В. М. Мухортое, Г. Н. Толмачев, Ю. И. Головко и др. II ЖТФ. 1998. - Т. 68, №9.-С. 99-103.

90. Антоненко А. М. Влияние доменной структуры на электромеханические свойства сегнетокерамики ЦТС и МНВТ / А. М. Антоненко, А. Ю. Кудзин, М. Г. Гавшин II ФТТ. 1997. - Т. 39, № 5. - С. 920-921.

91. Самополяризация и миграционная поляризация в тонких пленках цирконата-титаната свинца / И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, Е. А. Тараканов и др. II ФТТ. 2002. - Т. 44, вып. 4. - С. 739-744.

92. Влияние отжига на самополяризованное состояние в тонких сегнетоэлектрических пленках / И. П. Пронин, Е. Ю. Каптелов, Е. А. Тараканов и др. IIФТТ. 2002. - Т. 44, вып. 9. - С. 1659-1664.

93. Ярмаркин В. К. Диэлектрическая релаксация в тонкопленочных структурах металл-сегнетоэлектрик PZT-металл / В. К. Ярмаркин, С.П. Тесленко II ФТТ. 1998. - Т. 40, № 10.-С. 1915-1918.

94. Lee J. Y Orientation control and electrical properties of sputtered Pb(Zr, Ti)03 / J. Y Lee, B. S. Lee II Materials Science and Engineering. 2001. - V. B79. -P. 86-89.

95. Development of PZT sputtering method for mass-production / T. Masuda, Y Miyaguchi, M. Tanimura et al II Applied Surface Science. 2001. -V. 169-170.-P. 539-543.

96. Кинетика фазовых превращений при термическом отжиге в тонких золь-гель пленках PZT / В. Я. Шур, Е. Б. Бланкова, А. Л. Субботин и др. II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 5. - С. 869-873.

97. Шур В. Я. Эволюция фрактальной поверхности аморфных пленок цирконата-титаната свинца при кристаллизации / В. Я. Шур, С.А.Негашев, A. Л. Субботин И ФТТ. 1999. - Т. 41, вып. 2. -С. 306-309.

98. Гольцман Б. М. Влияние подвижных заряженных дефектов на диэлектрическую нелинейность сегнетоэлектрических тонких пленок PZT / Б. М. Гольцман, В. К. Ярмаркин, В. В. Леманов И ФТТ. 2000. -Т. 42, вып. 6. - С. 1083-1086.

99. Барьерные фотовольтаические эффекты в сегнетоэлектрических тонких пленках PZT / В. К. Ярмаркин, Б. М. Гольцман, М. М. Казанин и др. II ФТТ. 2000. - Т. 42, вып. 3. - С. 511-516.

100. Zr/Ti ratio dependence of the deformation in the hysteresis loop of Pb(Zr,Ti)03 thin films / E. G. Lee, J. K. Lee, J.-Y. Kim et al I I J. Mater. Sci. Lett. 1999. -V. 18.-P. 2025-2028.

101. Cho S. M. Effect of annealing conditions on the leakage current characteristics of ferroelectric PZT thin films grown by sol-gel process / S. M. Cho, D. Y. Jeon II Thin Solid Films. 1999. - V. 338, № 1-2. - P. 149-154.

102. Highly (111) oriented lead zirconate titanate thin films deposited using a non-polymeric route / M. H. M. Zai, A. Akiba, H. Goto et al. II Thin Solid Films. -2001.-V. 394.-P. 97-101.

103. Kim W. S. Influence of preferred orientation of lead zirconate titanate thin film on the ferroelectric properties / W. S. Kim, J.-K. Yang, H.-H. Park II Applied Surface Science. 2001. - V. 169-170. - P. 549-552.

104. Особенности электрофизических свойств при размытых фазовых переходах в многокомпонентной сегнетопьезокерамике на основе цирконата-титаната свинца / А. И. Бурханов, А. В. Шилъников, Ю. Н. Мамаков и др. И ФТТ. 2002. - Т. 44, вып. 9. - С. 1665-1670.

105. Рентгеноструктурные и оптические исследования монокристаллов PbZr0.958Tio.o4203 в электрических полях до 4-10 V/m / А. В. Лейдерман, КН. Леонтьев, В. Ю. Тополов и др. II ФТТ. 1998. - Т. 40. №2. -С. 327-329.

106. Исупов В. А. Сосуществование фаз в твердых растворах цирконата-титаната свинца / В. А. Исупов II ФТТ. — 2001. Т. 43, вып. 12. — С. 2166-2169.

107. Monoclinic-tetragonal phase transition in Pb(Zr!^TiJ03 studied by infrared spectroscopy / E. B. Araujo, K. Yukimitu, J.C. S. Moraes et al II J. Phys.: Condens. Matter. 2002. - V. 14. - P. 5195-5199.

108. Hoon Oh S. Two-dimensional thermodynamic theory of epitaxial Pb(Zr, Ti)03 thin films / S. Hoon Oh, Jang M. Hyun I I Physical review B. 2000. - V. 62, №22.-P. 14757-14765.

109. Hoon Oh S. Epitaxial Pb(Zr, Ti)03 thin films with coexisting tetragonal and rhombohedral phases / S. Hoon Oh, Jang M. Hyun 11 Physical review B. -2001.-V. 63.-P. 1-4.

110. Тополов В. Ю. Новая моноклинная фаза и упругие эффекты в твердых растворах PbZr^TlA / В. Ю. Тополов, А. В. Турик IIФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 8.-С. 1525-1527.

111. Kang M.-G. Recovery of plasma-induced damage in PZT Thin Film with 02 gas annealing / M.-G. Kang, K.-T. Kim, C.-l Kim II Thin Solid Films. 2001.- V. 398-399. P. 448-453.

112. Design and fabrication of aspherical bimorph PZT optics / Т. C. Tseng, S.-J. Chen, Z. C. Yeh et al. // Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A. -2001. -V. 467^68. P. 294-297.

113. Глинчук M. Д. Расчет фазовых диаграмм твердых растворов сегнетоэлектриков / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А Стефанович II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 5. - С. 882-887.

114. Описание сегнетоэлектрических фазовых переходов в твердых растворах релаксоров в рамках теории случайных полей / М. Д. Глинчук, Е. А. Елисеев, В. А Стефанович и др. II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 7. -С.1247-1254.

115. Электрофизические свойства твердых растворов систем Pb(Ti, Zr)034(PbB',aB"a03)„ / Л. А. Резниченко, С. И. Дудкина, А. Я. Данцигер и др.1. Л=1

116. Неорганические материалы. 2001. - Т. 37, № 10. - С. 1250-1253.

117. Тополов В. Ю. Межфазные границы и высокая пьезоактивность кристалла *PbTi03-(l-*)Pb(Zn1/3Nb2/3)03 / В. Ю. Тополов, А. В. Турик II ФТТ. 2001.- Т. 43, вып. 6. С. 1080-1085.

118. Мамин Р. Ф. К теории фазовых переходов в релаксорах / Р. Ф. Мамин II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып. 7. - С. 1262-1267.

119. Вакуленко А. А. Кинетика фазовых переходов в твердых телах под нагрузкой / А. А. Вакуленко, С. А. Кукушкин // ФТТ. 2000. - Т. 42, вып. 1. -С. 172-175.

120. Корженевский А. Л. Аномальная диффузия света в сегнетоэлектриках с размытым фазовым переходом / А. Л. Корженевский, Л. С. Камзина II ФТТ.-1998.-Т. 40, №8.-С. 1537-1541.

121. Кинетика начальной стадии фазового перехода первого рода в тонких пленках / В. Н. Децик, Е. Ю. Каптелов, С. А. Кукушкин и др. II ФТТ. — 1997. Т. 39, № 1. - С. 121-126.

122. Слезов В. В. Кинетика распада твердого раствора с образованием новой фазы сложного стехиометрического состава / В. В. Слезов, Ю. П. Шмельцер II ФТТ. 2001. - Т. 43, вып 6. - С. 1101-1109.

123. Лазарев В. Б. Химические и физические свойства простых оксидов металлов / В. Б. Лазарев, В. В. Соболев, И. С. Шаплыгин\ Отв. редактор И. В. Тананаев. М.: Наука, 1983. - 239 с.

124. Рипан Р. Неорганическая химия: В 2 т. / Р. Рипан, И.Четяну; Пер. с румынского И. Б. Берсукера и Н. И. Беличука; Под ред. В. И. Спицина и И. Д. Колли.-М.: Мир, 1971.-Т. 1.-560 с.

125. Спиваковский В. Б. Аналитическая химия олова: Серия «Аналитическая химия элементов» / В. Б. Спиваковский; Главный редактор А. П. Виноградов. М.: Наука, 1975. - 252 с.

126. Лазарев В. Б. Электропроводность окисных систем и пленочных структур / В. Б. Лазарев, В. Г. Красов, И. С. Шаплыгин\ Отв. редактор Н. М. Жаворонков. М.: Наука, 1979. - 168 с.

127. У гай Я. А. Введение в химию полупроводников: Учеб пособие для вузов. /Я. А. У гай. 2-е изд., перераб и доп. - М.: Высшая школа, 1975. - 302 с.

128. У гай Я. А. Общая и неорганическая химия: Учеб для вузов. 2-е изд., испр. /Я. А. Угай. М.: Высшая школа, 2000. - 527 с.

129. Ормонт Б. Ф. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников / Б. Ф. Ормонт. 2-е изд., перераб и доп. - М.: Высшая школа, 1973. - 656 с.

130. Физические величины: Справочник. / А. П. Бабичев, Н. А. Бабушкина,

131. A. М. Братковский и др.', Под ред. И. С. Григорьева, Е. 3. Мейлихова. -М.: Энергоатомиздат, 1991. 1232 с.

132. Физико-химические свойства окислов: Справочник. / Под ред. Г. В. Самсонова. М.: Металлургия, 1969. — 456 с.

133. Нестехиометрические соединения / Под ред. Л. Манделькорна; Пер. с англ. под ред. К. В. Астахова. — М.: Химия, 1971. 608 с.

134. Кофстад П. Отклонение от стехиометрии, диффузия и электропроводность в простых окислах металлов / П. Кофстад; Пер. с англ. О. Е. Каширенинова; Под ред. Н. Н. Семенова. М.: Мир, 1975. — 399 с.

135. Третьяков Ю. Д. Химия нестехиометрических окислов / Ю. Д. Третьяков. — М.: Изд-во Московского ун-та, 1974. — 364 с.

136. Равновесие собственных дефектов в диоксиде олова / К. 77. Богданов, Д. Ц. Димитров, О. Ф. Луцкая и др. II Физика и техника полупроводников. 1998. - Т. 32, № 10. - С. 1158-1160.

137. Хансен М. Структура двойных сплавов: Справочник: В 2 т. / М. Хансен, К. Андерко; Пер. с англ. П. К. Новикова и др.; Под ред. И. Л. Гогельберга. 2-е изд., перераб. М.: Металлургиздат, 1962. - Т. 2. — 609 с.

138. Корнилов И. И. Диаграммы равновесия металлов IV группы титана, циркония и гафния / И. И. Корнилов, 77. Б. Будберг И Диаграммы состояния металлических систем: Обзор исследований. — М.: Наука, 1968. -С. 125-136.

139. Данилин Б. С. Магнетронные распылительные системы / Б. С. Данилин,

140. B. К. Сырчин. М.: Радио и связь. 1982. - 72 с.

141. Фесенко Е. Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество / Е. Г. Фесенко. М.: Атомиздат, 1972. - 248 с.

142. Вест А. Химия твердого тела. Теория и приложения: В 2-х ч. / А. Вест; Пер. с англ. А. Р. Кауля и И. Б. Куценка; Под ред. Ю. Д. Третьякова. М.: Мир, 1988.-4.2.-336 с.

143. Третьяков Ю. Д. Твердофазные реакции / Третьяков Ю. Д. М.: Химия, 1978.-С. 40-41.

144. Краткий справочник физико-химических величин / Под ред. А. А. Равделя и А. М. Пономаревой. 8-е изд., перераб. - Л.: Химия. Ленинградское отделение, 1983. - 232 с.

145. Крыжановский Б. П. Характер нарушения стехиометрии и электропроводность моноокиси олова / Б. П. Крыжановский,

146. A.Я.Кузнецов // Журнал физической химии. 1961. — Т. 35, № 1. — С. 80-83.

147. Взаимодействие свинца и олова с тонкими пленками их оксидов на поверхности монокристаллического кремния / А. М. Ховив, О. Б. Яценко,

148. B. А. Логачева и др. II Неорганические материалы. 2004. — Т. 40, № 4.1. C. 400-403.

149. Формирование тонких слоев станнатов свинца на монокристаллическом кремнии / В. А. Логачева, Е. А. Туренко, А. М. Ховив и др. II Неорганические материалы. 2003. - Т. 39, № 10. - С. 1251-1259.

150. Лайнс М. Сегнетоэлектрики и родственные им материалы / М. Лайнс, А. Гласс; Пер. с англ. под ред. В. В. Леманова и Г. А. Смоленского. М.: Мир, 1981.-736 с.

151. Ховив А. М. Фазовые переходы в тонких пленках твердых растворов титаната-станната свинца / А. М. Ховив, Ю. 77. Афиногенов, В. А. Логачева и др. // Конденсированные среды и межфазные границы. 2004. - Т. 6, № 1.-С. 107-112.