Многопараметровые электроемкостные исследования диэлектрических слоев тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.13 ВАК РФ

московский

ОРДЕ21А ЛЕНИНА И ОРДЕНА ОКТЯБРЬСКОЙ РЕЗОЛЮЦИИ ЗШРГЕИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ

Шевченко Василий Иванович

ННОГСПАРАМЕТРОВЫЕ аЛЕКТРСИЕКССТШЕ ИССЛЕДОВАНИЯ ДО ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ

(Специальность 01.04.13 - электрофизика)

АВТОРЕФЕРАТ диссергатттти на соискание ученой степени кандидата технических наук

На правах рукописи

Москва 1991

/

Работа выполнена в Саратовском сельскохозяйственном институте им. Н.И. Вавилова.

Научный руководитель д.т.н., профессор Пронин В.П.

Официальные оппоненты:

д.т.н., доцент Юркевич В.М.

к.ф.-м.н., доцент Янчекко Ю.Ф.

Ведущая организация - Санкт-Петербургский ордена Лешна электротехнический институт им. Ленина.

Защита состоится "20" 03 1992г., в на заседании специализированного Совета К.053.16.10 при МЭИ. Москва, Красноказарменная, 14, ауд. ¡Ь Р- %

Отзывы, заверенные печатью, просим направлять 'по адресу: 105835, ГСП, Москва, Е-250, Красноказарменная, 14. Совет МШ„

С диссертацией молено ознакомиться в библиотеке Московского энергетического института.

Автореферат разослан "/8" 02 139,2г.

Ученый секретарь специализированного Совета_____ к.т.н., доцент Бородкин Е.А.

ОБЩАЯ ХАРАКТЗЕГСТШ РАБОТЫ

Актуальность темп. Создание новых диэлектрических и композиционных материалов с заданными электрофизическими свойствами и исслс-доЕанна их изменения при различных внешних воздействиях требуют разработки оперативных бесконтактных методов определения тех или иных характеристик материала с усреднением по области г линейными размерами порядка единиц- миллиметров. Не менее Еах;па для практических целей и возмо;шость неразрушакдзго контроля таких параметров на определенной стадии технологического процесса.

Особый интерес для алокгрофязякл и сказала с ней облаете:;, а такие для физики диэлектриков продета вляит диэлектрическая проницаемость, толщина слоев и их вариации, особенности процессов накопления и релаксации заряда под дойстепом различных видов излучении и внешних условии. Для решения этих задач в большинстве случаев используются электромагнитные методы, основанные на взаимодействии электромагнитного поля с веществом. Широкими функциональными возможностями обладают элегароомкостны;": но год и реализованные на его основе измерительные средства. В нем используется регистрация изменения емкости датчика в зависимости о* электрофизических свойств исследуемого объекта.

Особенностью всех неразрушаюдпх методов исследования является зависимость от: 'ша измерительной системы от совокупности его электрических и геометрических характеристик. Поэтому принципиальной проблемой при их разработке является выделение информации об определяемой величине. На практике часто ставятся задачи одновременного определения нескольких параметров материала. Они решаются при помощи кногопараметровых систем, чащо всего реализованных на база различных модификаций радиоЕолнового метода. Применение радиоволиошх систем ограничивается особенностями взаимодействия высокочастотного электромагнитного поля с веществом. Кроме того, радиоЕолновые методы не позволяют проводит . исследования процессов накопления и релаксашш заряда днэлоктриков.

Значительно моньше разработок посеяцоно развитию элпктроеы-костннх многопараметровых систем, применении которых но ограничивается измеренном и контролем электрических и геометрических параметров диэлектрического материала, ВаяноГшм приложенном их является исследование распределений заряда и потенциала диулрктгл-ков. Причем адекватная интерпретация результатов в пто« слу ,ао

Еозмахна только при одновременном контрола электрофизических параметров носителя.

Таким образом, для исследования распределений и измерения электрофизических параметров, а такса заряда л потенциала диэлектрических и высокоомных полупроводниковых материалов наиболее эффективно применение электроемкостных систем. Поэтому задача соз-далик ¡.;втодо5 и автоматизированных средстЕ измерения на их основа является актуальной.

Целью длиной роботы является развитие многопарамзтрового электроемкостного метода и создание на его основа автоматизиронал--них систем для неразрукавдего исследования и контроля электрических и геоывтричзс:шх характеристик-диэлектрикоЕ и полупроводников, а гаю» исследование йн§оркацвоаных возмоааосгвП эгях оюгем и анализ метрологических свойств.

Основные задачи диссертационно;"; работ заключаются е следующем:

1. Разработка и исследование принципов получения и селекции многомерного сигнала при реализации многопараметрокого элактро-емкостного метода.

2. Исследование различных моделей преобразователей с плосхо-параллельнкмк и копланарнымн электродами.

3. Исследование особенностЭ]" метрологических свойств и информационных еоз«о;шостоп электроемкоетнше многопараметровкх систем.

Разработка автоматизированных измерительных'систем для исследования диэлоктрпков и высокоомных полупроводников.

Практически ценность работы определяется тем, что применение разработанных и созданных устройств позволяет проводить одновременные измерения диэлектрической проницаемое?*; и голднны диэлектрика с учетом расстояния мекду зондом к контролируемым слоги; оценивать заряд диэлектрика, исключая еляяниа электрических и геометрических характеристик носителя; исследовать процессы накопления, перераспределения и релаксации заряда, происходиле при изменении других электрофизических параметров материала. Прибора могут использоваться для проведения научных исследований, осязанных с изучением электрофизических сеоксте диэлектрических и полу-

проводниковых материалов, однородности их характеристик вдоль траектории сканирования; процессов алоктризацип диэлектриков в поло коронного разряда с учетом изменения его электрических и геометрических характеристик; измерения размеров одиночных дефектов.

Кроме научно-исследовательских лабораторий, приборы такого типа применимы в условиях промышленного производства для контроля качества Еыпуокаемой продукции в надо диэлектрических и полупроводниковых пластин, когда необходимо без механического контакта датчика с исследуемой поверхностью протнтролироЕать вариация их электрофизических свойств вдоль нокоторой траектории.

Широкие функциональные возможности разработанных' устройств, использование в их состзео ЭВМ дая автоматизации измерений и обработки результатов позволяют существенно ускорить проведение измерений, поеысить качество интерпретации и достоверность получаемых результатов. Такие исследования выполнить другими существующими ерзд'твами затруднительно.

Рассмотренные модели электроемкостных систем с плоскш« кусочно однородным диэлектриком позволяют упростить разработку многоэлектродных преобразователей, предназначенных дал исследования гетерогенных диэлектриков. Полученное для этой модели решоние может быть использовано при исследовании других электротехнических систем, конструкции которых позволяют сформулировать аналогячн ную краевую задачу.

Аду^ндя новизну работы состоит в том, что

- теоретически л экспериментально обоснован многопараматровый электроемкостный матод измерения и контроля электрических и геометрических параметров диэлектриков, заключающийся в формировании в цепи измерительного электрода элоктроемкостного преобразователя многомерного сигнала посредством возбуждения в локальной области квазистатических электрических полай разного пространственного распределения, разделении отклика системы на составляющие с последующим использованием полученной информации для составления системы уравнений относительно измеряемых параметров;

- разработаны автоматизированные контрольно-измерительные системы для многопараметровых исследований диэлектрически: и вы-сокоомных полупроводниковых материалов, включающие в себя функциональный датчик и блок автоматизации, содержащий ЭВМ о соответствующим программным обеспечением и схемы сопряжения;

- исследованы модели типичных электроемкостны*. систем с многослойным диэлектриком, на основе которых получйли аппаратные функции многоэлектродных преобразователей, учитывающие их конструктивные особенности;

- исследованы метрологические свойства многоираметровых систем, оценены их предельные возможности.

На защиту выносятся эти положения.

Апробация работы. Результаты работы и ее отдельные разделы доложены и получили одобрение специалистов на Всесоюзных и республиканских конференциях, совещаниях, семинарах:

- Машинные методы решения краевых задач. Рига, 1985 г.;

- Математическое моделировгнио и экспериментальное исследование электрической релаксации в элементах интегральных схем. ¡Всесоюзное совещание-семинар. Одесса, 1986 г.;

- Методы и средства контроля полупроводниковых и диэлектрических структур. Всесоюзная конференция. Саратов, 1986 г.;

- Неразрушающие физические методы и средства контроля. Всесоюзная конференция. Москва, 1987 г.;

- Электреты и их применение в радиотехнике и электронике. Всесоюзная конференция. 1988 г.;

- Математическое моделирование физических полей. Научно-технический семинар. Саратов, 1988 г.;

- Практическая реализации машинных методов решения краевых задач. Научно-технический семинар. Пенза, 1989 г.;

- Математическое моделирование процессов и аппаратов. Научно-технический семинар. Иваново, 1990 г.;

- Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов. Научно-техническая конференция. Александров. 1990 г.;

- Актуальные проблемы прикладной математики. Конференция. Саратов, 1991 г.;

- других конференциях, совещаниях, семинарах.

Материал обсуждался:

- на расширенном научном семинаре кафедры физики Саратовского сельскохозяйственного института имени Н.И. Вавилова;

- на научном семинаре кафедры физики Московского института Пектронного машиностроения.

Публикации. Список работ, в которых опубликованы основные результаты, изложенные в диссертации, содержит 18 наименований, в том числе I статья в академическом журнале, 2 статьи в сборниках

научных работ, 3 информационных листга о НТД, а то:й:са тззисы докладов, опубликованные в трудах Всесоюзных и республиканских конференций, семинаров и совещаний.

Основные направления исследований, рассмотренные в работа, доведены до приборных конструкции, которые попользуются для научных исследований е Кишиневском госуниЕзрситето, СКТБ "Оптоэлектроника", Московском институте электронного машиностроиния, Саратовском сельскохозяйственном институте им. H.H. Вавилова.

Объем л структура диссертации. Работа состоит из веодонля, четырех глав, заключения и приложения. Объем работы составляй 104 страницы машинописного текста, с учетом таблиц, рисунков и списка литературы 168 страниц.

С0ДЕРЕАНН2 РАБОТЫ

Во вводенш-; обоснована актуальность теш исследования, определи~ ны еа цел", показана научная новизна и практическая ценность, сформулированы положения, выносимые на защиту.

В цорвой глпвд диссертации рассмотрены различные модификации электромагнитного метода исследования диэлектриков, основные принциш формирования многомерного сигнала и его селекции, проанализированы метрологические свойства многопараметровых измерительных систем.

Электромагнитные методы неразруиающого исследования диэлектриков основаны на взаимодействии электромагнитного поля с веществом. По способам возбуждения и характеристикам электромагнитного поля методы молено разделить на два класса: радиоволновыв и квазяэлакг-ростатические. Электромагнитные измерительные устройства обладают широкими информационными возможностями, поскольку их отклик зависит от всего комплекса электрических и геометрических параметров исследуемого объекта.

В основе электромагнитного мпо1'опарамотроЕого контроля лежит принцип разделения информации о параметрах диэлектрика. Он реализуется посредством селокции отклика по различным физическим признакам, в качестЕе которых, как правило, выступают характеристики поля. Интерпретация сигналов осуществляется на основе математической модели системы, позволяющей сформировать уравнения относительно подлежащих определению параметров.

Анализ метрологических свойств многопараметровых систем показал целесообразна ть разделения суммарной погрешности на аддитивную и мультипликативную составляющие.

- о -

Вторая глава посвящена вопросам ыахвштич^олого опиошая электроемкостных систем на основе соотношений» полученных из формулы Грина. Такой подход допускает фоушзшвш^ отсатя измерительного процесса путем введения некоторой агшйратыой функции применяемой элэктроемкостной системы.

В многоэлектродной электростатической сис" заряд к -го электрода определяется наличием объемных и поверхностных зарядов, диэлектрическими свойствами среды, а также значениями потенциалои на всех электродах.

V* $] ; V ¿у

Метрологические свойства системы зависят от аппаратной функции Ф , или , являющейся решением уравнения Лапласа в неоднородной среде с граничными условиями первого рода.

Модель электроемкозтной системы, предназначенной т..ш определения или контроля параметров диэлектриков, в наиболее общем случае представляется в виде двух плоскопаралпельнчх электродов, в плоскости одного из которых задано произвольное одномерное рао-пределение потенциала, а другой заземлен. Аппаратная функция для такой модели задается в виде ряда по собственным функциям краен (Л задачи.

На основе обобщенной модели получены аппаратные функции для частных случаев зондовых систем с однослойным диэлектриком, расположенным на подложке и меиду плоскопараллельныш электродами.

В третьей главе диссертации показана принишиальная возможность исп-ш>зования элоктроемкостного метода дли многопараметро-вых измерений. При возбуждении в локальной области квазистатических электрических полей посредством подачи на сигнальные эл." и-троди переменных напряжений индуцированный на измерительном электроде заряд представляется суммой составляющих, одуслошшш'х источниками поля:

Частичные емкости С^ ; } / К зависят от взаимного расположения и размеров электродон, что можно --«пэ^лропзать яо»отор.п1

лак'-" т^ом ""сгэми X , а тагсне от расстояния j -го электрода {^ = I, .,.,,'/ ) до некоторой базовой плоскости (например, поверхности -го слоя) ^ , толщины Нр и диэлектрической проницаемости if ( р= I, .71 ) :са;:дого слоя.

йвдуд.ц>огаш212 в цепи х -го электрода ток представляется суммой трех составляющих, обусловленных соответственно изменением возбуждающего нппрпзепил Ц|(1) и частичных емкостей, аследстнна еозмоглых вариаций фактора Э£ и параметров Х^ ; , ^. 3 большинстве случаев Ж = С0М{ , поэтому составляющие тока записываются следующим образом

Таким образом, задача сводится к решению системы N-I уравнений относительно частичных емкостей Си , зависящих от 5С; sCoj* у«j*

hj и опредзляе:.:ых парэмегрos И\, .... Цт , U.....£т.

Если е системе присутствуют объемные или поезрхаосгяне квазистй-тичеокке заряды, то число уравнений равно М .

3 простейшем случае однослойного диэлектрика, расположенного на проводящей додлс~:ке, с целью одновременного определения его толщины я диэлектрической проницаемости целесообразно возбуждать продольное а поперечное по отношению к его поверхности поля на различных частотах. Увеличение шйорматиЕНОсти системы посредством введения параметрической модуляции частит.-ых менэлектродных, c.'uíoct-jh позволяет ввести в число контролируемых параметров расстояние ¿гл'Ду зондом и гепорхностью слоя и амплитуду его вариаций^

Сигнал, выделенный после частотной селекции, в гиде падения напряжения на входном импедансе измерительной цепи будет

U.i= кгUoi¿bxitoiCiSin.wit + -^-kvUíiítoi AClCOÓ(UÍ-Í2)t ---i-M.iZjxiiCiCoitwt+.QH; i=i; 2

Заесь: Uol- амплитуда енгнала i-го генератора; Zui - входной импеданс цэаи измерительного электрода па 1-й частота; un -круговая частота i -го сигнала; Ci - емкость манду сигнальным д измерительным копланарныш электродами; Сг - емкость мэаду подложкой и язмерительним электродом; ДCí — вариации соотватствукшу-х

емкосте;"; к; - коэффициент передачи цепи измерительного электрода на I -й частота.

Измерение амплитуд сигналсЕ на частотах £01 и 1Л±Л позволяет сформировать систему уравнений относительно частичных емкостеГ, Си и их изменении дС1 , которые, в свою очередь, зависят от неизвестных, подлежащих определении параметров: толщины слоя, диэлектрической проницаемости, зазора.

Показано, что при многспараметровых исследованиях диэлектриков предельные погрешности'не превышают Ю ¡3. Уменьшение числа контролируемых величин ведет к уменьшению погрешностей лиль в том случае, когда с высокой точностью известны исходные электрофизические параметры зондовой системы.

В четвертой главе диссертации, на основе математической модоли млюгопараметроЕок электроемкостноп системы, построена функциональная схема автоматизированного комплекса, обеспечивающего определение диэлектрической проницаемости и толщины слоя, а также расстояния между. зондом и .поверхностью диэлектрика. Он состоит из функционального датчика, блока усиления и селекции, устройства коммутации информационных каналов, АЦП и ЭВМ.

Представлены дев модификации многопарамотровых систом. Одна из них позволяет производить экспресс-исследования заряда диэлектрика с учетом одной из электрофизических характеристик - толщины или диэлектрической проницаемости. Другая, наиболее полно реализующая принципы многопараматрового электроемкостного метода, предназначена для автоматизированного контроля электрофизических параметров диэлектрика в локальной области. Ниже приведена структурная схема автоматизированного контрольно-изморитольного комплекса (см. рисунок).

Основным элементом прибора является "ёмкостный преобразователь, предназначенный для формирования многомерного сигнала, состоящий из трехэлектродного зонда I и подложки 2, на которой расположен образец 3. С преобразоЕатоля сигнал поступает в блок разделения информации,, где производятся частотная селекция и детектирование составляющих. Через программно-управляемый коммутатор и АЦП информация поступает в ЭВМ, где обрабатывается по алгоритму, построенному на базе матема- пческой модели зондоеой системы. Кроме того, -предусмотрено управление перемощенном образца с помощью ЭВМ. функциональный датчик комплекса ориентирован на работу с персоналы»»! компьютером типа ДНК.

Структурная схзмз автсматизнроранного контрольно-измерительного комплекса для исследования диэлектриков: I - трзхзлек-тродаый зонд; 2 - подла:ка; 3 - ::с с лз дуемый материала; 4, 5 - г з не ¡жор;: на частотах 2 Иг ; 6 - излокгор-усилитель; 7 - коммутатор; 8 - АЦП; 9 - Э2.1; 10 - схема управления координатором; II - трзхпарны": координатор

Программное обеспечение состоит :;з драйгэров обмена с АЦП, управления кок:.:утатором п ::спол1:птольпы:.п механизма;.::* координатора, а татке программ рз^ення опсгзг.: соответствующих урагнс-няй и сервисного обзспзчзнпя. Комплекс мэ.гзт использоваться для одновременного определения до четнрэх параметров.

Присздзяы результаты ранения контрольных задач, которые пока-зивавт, "то ?сктпчзск::э аог?ззносга мяоголарамотровогс контроля составляет 3-5 %. Причем увеличение числа спрздалягг.пкс пзра:.:зтрон на оказынаат существенного елляния на погрешности, что подтвзр::;-даат сделанные в предыду-еГ: главе еыеоды. сто обуслоэлзно снп::;з-нием влияния ьульткшгикагпваоЕ с оставляла Г. полной погрешности.

Основные рззультаты тзорзтпчэс::пх и экспериментальных исследований, полученные в работа, сводятся к следующему.

I. На основе общих соотношений, получэнных из оормулы Грина, построена математическая модель электрической системы с кусочно-

однородным диэлектриком. Определена аппаратная функция электроем-ксстных преобразователей, учитывающая зазор мезду потенциальным и экраниррощп.'.: электродами.

2. Обоснован электроамкостный многопараметрошй метод иссле-довандя электрических к геометрических характеристик диэлектрических к полупроводниковых материалов. Установлены принципы формирования к селекция многомерного сигнала.

3. Исследованы зависимости емкости копланарных электродов от электрофизических параметров слоя л геометрических характеристик сгстеш.

4. Для элоктроемкостной многопараметровой системы с однослойным диэлектриком построена систома .уравнений-относительно диэлектрической проницаемости слоя, ого толщины, расстояния медду зондом и слоем, к такке.вариаций этого расстояния.

5. Разработана схема млогопараыетрового функционального датчика, содержащего электроамкостный многоэлектродный преобразова-

зль, схемы питания, усиления и селекции отюшка.

6. Проанализированы метрологические свойства многопараметро-шх систем.

7. При участии автора разработаны и созданы устройства для экспресс-измерений плотности заряда диэлектриков с учетом элект7 рофязических характеристик, а такае для автоматизированного изме рения электрических и геометрических параметров диэлектрических и полупроводниковых материалов.

8. Разработанные приборы применяются для научных иссладовани в Саратовском сельскохозяйственном институте им. Н.И. Вавилова, Кишиневском госуниверситоте, СХТБ "Оптоэлектроника", Московском институте электронного машиностроения.

Таким образом, лроведенные исследования показали, что развиваемый в работе многопараметровый электроемкосгный метод является наиболее приемлемым при исследовании различных диэлектричесю и полупроводниковых материалов, в тех случаях, когда априори неизвестны ни их характеристики, ни степень их изменения под во: действием внешних факторов. Реализующие данный метод приборные средства, наряду с относительной простотой, обеспечивают достат ную для многих лракти"еских целей точность и исключают неоднозначную интерпретацию получаемых результатов.

По материалам диссертации опубликованы следующие работы:

1. Пронин В.П., Шевченко В.И. Моделирование и оптимизация зондовых систем с копланарными электродата // ;>йшннке катоды решения краевых задач. - М., 1985. - С. 26.

2. Беляева Ю.Н., Пронин В.П., Шевченко В.И. Прибор для экспрессного исследования микрораспределений электрических свойств пленочных материалов // Методы и средства контроля полупроводниковых и диэлектрических структур: Тезисы докл. конференций. Сер. 8. Вып. 2(232) / ЦНИИэлектроники. - К., 1986. - С. 48-47,

3. Пронин В.П., Шевченко В.И. ".ногслараметровый электроемкостный контроль диэлектрических слоев на проводящей основе // "з-тоды и средства контроля полупроводниковых и диэлектрических структур: Тезисы докл. конференций. Сер. 8. Вып. 2 (232) / ЦНИИ-электроники. - М., 1986. - С. 49.

4. Беляева Ю.Н., Пронин В.П., Шэзченко В.И. Прибор для исследования электрических зарядов // Инф. лист 327-86 о НТД. Саратов: ШТй, 1986.

5. Беляева Ю.Н., Проник З.П., Шевченко З.И. Разработка метода и устройства для экспрессной спзнки микрораспре делений электрн-ческих свойств диэлектрических и полупроводниковых слсэз // Наука - производству: Перечень законченных Щ'.Р сотрудников Сарат. СХИ

в XI'пятилетке. - Саратов, 1987. - С. 35-38.

6. Пронин В.П., Шевченко В.И. Кногопараметровый электрое;.!-костный контроль диэлектрических и выоокоомных полупроводниковых слоев // Неразрушаящие физические методы и средства контроля. Тез. докл. НТ конференции. - I'.., 1987. - С. 39.

7. Цроага В.П., Шевченко В.И. Кс:.тедсванпе поля кспланарных электродов над слоистым диэлектриком на проводящей подложке // 1/лгематическое моделирование йизических полей. - Саратов, 1988. -С. 25.

3. Пронин З.П., Шевченко В.И. !.'ногопараме?ровый электрее.м-костный контроль диэлектрических слсэз // Дефектоскопия, 1988. -Ге 7. - С. 19-26.

9. Многопараметровые исследования газораспределения электрических свойств диэлектриков / К.Г. Нестероз, В.П. Пронин, М.З.Са-талина, В.И. Шевченко // Тезисы докл. УП Всесоюзной НТ конференции по физике диэлектриков. - Томск, 1988. - С. 115.

10. Определение и анализ поля в электроемкозгкых зондовых системах методом электростатической индукции/Й.Д.Арсентьев, К.Г. Не-

стеров, В.П. Пронин, В.И. Шевченко // Практическая реализация машинных .методов решения краевых задач. - Пенза, 1989. - С. 22.

11. Прибор для экспресс-исследований распределений заряда и рельефа поверхности тонких диэлектрических пленок /Ю.Д. Арсентьев, К.Г. Нестеров, В.П. Пронин, В.И. Шевченко // Практическая реализация машинных методов решения краевых задач. - Пенза,

1989. - С. 23.

12. Пронин В.П., Шевченко В.И. Аналого-цифровой комплекс для многопараметровых исследований диэлектриков // Практическая реализация машинных .методов решения краевых задач. - Пенза, 1989. -С. 23.

13. Пронин В.П., Савинов Д.Н.,. Шевченко В.И. Исследование распределений электрических свойств в растительных биологических объектах // Практическая реализация машинных методов решения крае вых задач. - Пенза, 1989. - С. 24.

14. Прибор для исследования распределения электрического заря да в диэлектриках и рельефа поверхности / Ю.Д. Арсентьев, К.Г. Не стеров, В.П. Пронин, М.В. Шаталина, В.И. Шевченко // Инф. лист

й 586-89 о НТД. Саратов: ЦНТИ, 1989.

15. Пронин В.П., Шевченко В.И. Автоматизированный измерительный комплекс -для контроля параметров диэлектриков // Инф. лист .

й 567-89 о НТД. Саратов: ЦНТИ, 1989.

16. Пронин В.П., Шевченко В.И. Моделирование и исследование электрических систем с плоским многослойным диэлектриком // Математическое моделирование процессов и аппаратов: Тез. докл. НТ семинара. - Иваново, 1990. - С. 23.

17. Шевченко В.И. Предельные возможности многофакторных электроемкостных систем в электрофизике // Математическое моделирование процессов и аппаратов: Тез. докл.-НТ семинара. - Иваново,

1990. - С. 24.

18. Экспериментальная аппаратура для многофакторного исследования распределений электрических зарядов и свойств диэлектрических материалов / Ю.Д. Арсентьев, К.Г. Нестеров, В.П. Пронин, М.В. Шаталина, В.И. Шевченко // Труды Всесоюзной конференции "Реальная структура и свойства ацентричных кристаллов". Часть 2. - Благовещенск. 1990. - С. 344-352.

ПоДИШМШ) К 1К'ЧЛТ» Л -- /о/"

1К'Ч .1 _Тщк.ж /СО З-^ла ¿¿(у

Типографий МУП, Кр:ин<ж:м.1|>мгнж1н, 13.'