Моделирование гетеропереходов на основе магнитного полупроводника монооксида европия тема автореферата и диссертации по физике, 01.04.07 ВАК РФ

Выводы

1. Определены компоненты гетероперехода Sr0,94O0,06-EuOi;06 е одинаковыми типами и близкими значениями периодов кристаллических решеток, а также принадлежащие одной пространственной группе Fm3m.

2. Предложен принципиально новый подход получения гетероперехода на основе двух монооксидов стронция и европия, кислородная составляющая которых является основной в формировании нестехиометрического состава компонентов.

3. Формирование контакта образования гетероперехода путем хемосорбции атомов стронция на «кислородную» плоскость (111) полубесконечного кристалла ЕиО позволило максимально сохранить структуру поверхностного слоя, его физические и химические свойства.

4. Методом функции Ерина в приближении сильной связи определены энергетический спектр и статические свойства гетероперехода.

5. Произведены оценки физических параметров и построены энергетические диаграммы гетероперехода в соответствии с классической моделью Андерсона.

6. Использование полученного гетероперехода Sro,940o,or,-EuO|.or, позволяет повысить температуру Кюри до 250-300 К в слое ЕиО и, при незначительных внешних напряжениях или облучении светом, даст высокую подвижность носителей заряда.

7. Предложенная модель гетероперехода более экономична, так как нестехиометрия компонентов гетероперехода регулировалась одним элементом - кислородом.

1. Миначев, X М Редкие земли в катализе/ХМ Миначев, Ю. С. Ходаков и др.- М: Наука, 1972.-262с.

2. Белов, К Н Редкоземельные ферромагнетики и антиферромашетики / К. П. Белов, М АБелянчикова, Р. ЗЛевитин, С. АЛикитин.- М: Наука, 1965.

3. Нагаев, Э. Л. Физика магнитных полупроводников /Э. Л. Нагаев М: Наука, 1979.

4. Бердышев, А. А Введение в квантовую теорию магнетизма / А А Бердышев; Урал. гос. ун-т.- Свердловск: Изд-во Урал, ун-та, I960.- Ч. 1,1969.- Ч 2,1969.- Ч 3,1970,- Ч 4,1971.

5. Кондорский, Е. И Зонная теория магнетизма /Е. И. Кондорский. М.: Изд-во Мое. ун-та им. М В. Ломоносова, 1986.-Ч 1,1987.-Ч 2.

6. Матгас, Д Теория магнетизма/ Д Матгас.- М: Мир, 1967.

7. Уайт, Р. Квантовая теория машетизма / Р. Уайт М.: Мир,1985.

8. Белов, К. Редкоземельные магнетики и их применение /К. Белов.- М: Наука, 1980.

9. Метфессель, 3. Магнитные полупроводники / 3. Мегфесеель, Д Матгас. М: Наука, 1972.- 405с.

10. У гай, Я. А Общая химия /Я. А Угай М: Высш. шк., 1984.

11. П.Губанов, В. А Магнетизм и химическая связь в металлах /В. А Губанов, А И Лихтенштейн, А В. Постников М: Наука, 1985 - 245с.

12. Губанов, В. А Использование Ха-мегода дискретного варьирования для расчета октаэдрических кластеров в окисле европия / В. А Губанов, Д Е. Эллис, А Дж. Фриман // ФТГ, 1977.- Т. 19.- Вып. 2.- С. 409-417.

13. Губанов, В. А, Кластерный подход для описания магнитных взаимодействий в твердом теле / В А Губанов, А ИЛихгенштейн // ЖСХ, 1983.- Т. 24.- С. 74-78.

14. Губанов, В. Квантовая химия в материаловедении /В. Губанов М: Наука,1987.

15. Губанов, В. А Квантовая химия твердого тела /В. А Губанов, Э. 3. Курмаев, А И Ивановский М: Наука, 1984 - 304с.

16. Zhykov V. P. The electronic structure and chemical bounding inrare-aerch chelcogenides acording to the Xr CW method/V. P. Zhykov, Y. AGubanov, J. Weber//J. Phys. and chem. Solids, 1981.-V. 42.-№4.-P. 631-639.

17. Тябликов, С. В. Методы квантовой теории магнетизма/ С. В. Тябликов- М: Наука, 1975.

18. Лихтенштейн, А. И. Метод переходного состояния в теории магнетизма /АН Лихтенштейн, В. А Губанов Свердловск: Изд-во УНЦ АН СССР, 1982 - 79 с.

19. Слэтер, Дж. Методы самосогласованного поля для молекул и твердых тел / Дж. Слэтер-М: Мир, 1978.-245с.

20. Бриллюэн, М., Распространение волн в пфиодических структурах / М Бриллюэн, Пароди Н-М:ИЛ, 1959.

21. Kohn, W., Solution of the schrodinger equation in periodic lattice with application to metallic lithium / W. Kohn, N. Rostoker // Phys. Rev., 1954.-'V. 94.- №5.- P. 1111-1120.

22. Каллуэй, Дж. Теория энергетической зонной структуры / Дж. Каллуэй: Пер. с англ.- М: Мир, 1969.-360 с.

23. Изюмов, Ю. А Примесный атом в ферромагнитном кристалле / Ю. А Изюмов, М В. Медведев // ЖЭТФ, 1965.-Т. 48.-Вып. 2.-С. 576-586.

24. Клименко, Н М. Расчеты молекулярных орбит сложных молекул /Н. М. Клименко, Е. Л. Розенберг, М Е. Дяткина//ЖСХ, 1967.- Т. 8.- № 5.- С. 950-973.

25. Dandekar, N. V. Study of the electronics structure of model (110) surfaces and interfaces of semi-infinite IH-V compound semiconductors. The GaSb-InAs system / N. V. Dandekar, A Madhukar, D.N.Lowy //Phys. Rev., 1980.-V. 21.-№ 12.-P. 5687-5689.

26. Харрисон, У. Электронная структура и свойства твердых тел / У. Харрисон- М: Мир, 1983.-Т.1.

27. Левин, А А Введение в квантовую химию твердого тела / А А Левин М: Химия, 1979240 с.

28. Преображенский, А А Машитные материалы и элементы / А А Преображенский, Е. Г. Бишарт- М: Высш. шк., 1986 352 с.

29. Самохвалов, А А Магнитные редкоземельные полупроводники / А А Самохвалов // В сб.: Редкоземельные полупроводники.- JL: Наука, 1977.

30. Бамбуров, В. Г., Введение в физико-химию ферромагнитных полупроводников / В.Г. Бамбуров, А С. Борухович, А А Самохвалов М.: Металлургия, 1988 - 205 с.

31. Мотг, Н Электронные процессы в некристаллических веществах / Н. Мотт, Э. Девис- М.: Мир, 1982.-Т. 1.-368 с.

32. Кабанов, В. Ф. Электрофизические процессы в пленках магнитного полупро-водника Eui.x SmxO/B. Ф.Кабанов: Дис. канд. физ.-мат. наук.- Саратов, 1994.

33. Нагаев, Э. Л. Магнетики со сложными обменными взаимодействиями / Э. Л Нагаев М: Наука, 1988.

34. Wachter, P. Europium chalcogenides: EuO, EuS, EuSe and EuTe / P. Wachter.-In: Hendbook on physics and chemistiy of rare earths / Ed K. Gchneider, L. Eiring. Amsterdam.- Narth Holland, 1978.-P. 634.

35. Оболончик, В. А Сюйствахалькогенидов европия/В. А Оболончик, Л. А Иванченко-Киев: Наук думка, 1980 92 с.

36. Гейзенберг, В. Физические принципы квантовой теории / В. Гейзенберг-Л-М: ИЛ, 1932.

37. Heisenberg, W. Zur Theorie des Ferromagnetismus / WHeisenberg. // Z. Phys., 1928.- Bd 49 S. 619.

38. Heisenberg, W. Uber die Spectra von Atomsystemen mitzwei Electronen / W. Heisenberg // Z. Phys, 1926.-Bd39.-S. 499.

39. Гудинаф, Д Магнетизм и химическая связь / Д Гудинаф М: ИД 1968.

40. Киттель,Ч. Квантовая теория твердых тел/Ч. Киттель-М: Наука, 1967.-491 с.

41. Passel, L. Neutron scattering from the Heisenberg ferromagnets: EuO and EuS / L. Passel, W. Dietrich, Als- Neilsen // J. The exchange interactions. Phys. Rev B, Solid State, 1976 - V. 14- № 11.- P. 4897-4909.

42. Cho, S. J. Spin-polarized energy bands in Eu chaleigenides bay APW method / S. J. Cho // Phys. Rev.- B, Solid State, 1970.-V. l.-№ 12.-P. 4589-4603.

43. Byrom, E. Electronic Structure and properties ofEuO and EuS in molecular-cluster approximation / E. Byrom, D. Ellis, A J. Freeman//Phys. Rev.- D, Solid State, 1976.-V. 11.- № 8,- P. 3558-3568.

44. Nagaev E. L. On the mechanism of chemisorption on magnetic semiconductors / E. L. Nagaev, G. L. Lasarev // Surface Sci., 1976.-V. 54.-P. 101-110.

45. Бердышев, А А. Ферромагнитные полупроводники, в которых обменная связь осуществляется через электроны проводимости / А А Бердышев // ФТГ, 1966 Т. 8 - С. 1382-1389.

46. Карпенко, Б. В. Косвенное взаимодействие через носители тока в полупроводниках / Б. В. Карпенко, А А Бердышев //ФТГ, 1963.- Т. 5.- С. 3397-3405.

47. Голубков, А В. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов / А В. Голубков, Е. В. Гончарова, Жузе, В. П. и др. JL: Наука, 1973 - 304 с.

48. Преображенский, А А Машитные материалы и элементы / А А Преображенский, Е. Г. Бишарт-//В сб.: Редкоземельные полупроводники-JL: Наука, 1977 С. 5-47.

49. Капустин, В. А. «Аномальные» явления переноса в халькогенидах европия / В. А. Капустин //В сб.: Редкоземельные полупроводники.-Л.: Наука, 1977 - С. 82-104.

50. Туров, Е. А Физические свойства машитоупорядоченных кристаллов / Е. А Туров М: Изд-во АН СССР, 1963.

51. Белов, К. П Ориентационные переходы в редкоземельных магаетиках / К. П Белов, А. К. Звездин, А М Кадомцева, Р. 3. Левитин-М.: Наука, 1979.

52. Изюмов, Ю. А Статическая механика машитоупорядоченных систем / Ю. А Изюмов,Ю. К Скрябин-М: Наука, 1987 263 с.

53. Джонс, Г. Теория зон Бриллюэна и электронные состояния в кристаллах / Г. Джонс М: Мир, 1969.

54. Вонсовский, С. В. Магнетизм/С. В. Вонсовский,- ML: Наука, 1971- 1032с.

55. Киреев,П. С. Физика полупроводников / П. С. Киреев- М.: Высш. шк., 1975 587с.

56. Степанов, Н Ф. Квантовая механика молекул и квантовая химия / Н Ф. Степанов, В. И Пупышев.- М: Изд-во МТУ, 1991.- 384 с.

57. Волькенштейн, Ф. Ф. Электронная теория катализа на полупроводниках / Ф. Ф. Волькеншгейн М.: Физматгиз, 1960.

58. Зейф, А. П.- // В сб.: Элементарные физико-химические процессы на поверхности многокристаллических полупроводников- Новосибирск. Наука, 1975- С. 6.

59. Киселев, В. Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках / В. Ф. Киселев.- М: Наука, 1970.- 399 с.

60. Бонч-Бруевич,В. JL Физика полупроводников/В. J1 Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников-М: Наука, 1990.-672 с.

61. Зенгуил, Э. Физика поверхности / Э. Зенгуил.- М.: Мир, 1990.-536 с.

62. Бехштедг, Ф. Повфхносги и граница раздела полупроводников / Ф. Бехштедг, Р. Эндерлайн-М: Мир, 1990.

63. Теория хемосорбции / Под ред. А М Бродского М: Мир, 1983 - 333 с.

64. Давыдов, С. Ю. Роль дефектов в формировании локальных состояний, наведенных атомами, адсорбированными на поверхности полупроводников / С. Ю. Давыдов // ФТД 1997-Т. 31.-№ 10.-С. 1236-1241.

65. Григан, А П Взаимодействие носителей тока с заряженными дефектами в сильно легированных магнитных полупроводниках / А. П. Григин, Э. JL Нагаев // ФТТ, 1975 Т. 17.-С. 2614.

66. Волькеннпейн, Ф. Ф. Электронные процессы на поверхности полупроводников при хемосорбции / Ф. Ф. Волькенштейн-М: Наука, 1987.

67. Киселев, В. Ф. Адсорбция и катализ на переходных металлах и их оксидах / В. Ф. Киселев-М: Наука, 1981,-399 с.

68. Яцимирский, К. Б. Химическая связь / КБ. Яцимирский, В. К Яцимирский-Киев: Вища школа, 1975 303с.

69. Рошнский, С. 3. Адсорбция и каталю на неоднородных поверхностях / С. 3. Рогинский-М: Изд-ю АН СССР, 1948.

70. Volkenstein, FJF. The Electronic Theory of Catalysis on Semiconductors / F. F. Volkenstein.-Fizmatgiz-Moscow, 1960.

71. Магг, H Ф. Электронные процессы в ионных кристаллах/КФ. Мотг, Р. В. Герни /Под ред А Ф. Иоффе.- М: ИЛ, 1950.- 304 с.

72. Киселев, В. Ф. Основы физики поверхности твердого тела / В. Ф. Киселев, С. Н Козлов, А В. Зотеев-М.: Изд-во Мое. гос. ун-та им. М В. Ломоносова, 1999 284 с.

73. Силин, А П Экситоны Ванье-Мотга в гетероструктурах узкощелевых полупроводников / А П. Силин, С. В. Шубников // ФТГ, 2000.- Т. 42.- Вып. 1.- С. 25.

74. Нокс, Н. Теория экситонов / R Нокс- М.: Мир, 1996.

75. Волькеншгейн Ф. Ф. Электроны и кристаллы / Ф. Ф. Волькенштейн- М.: Наука 1983-127с.

76. Дункен, X. Квантовая химия адсорбции на повфхности твердых тел / X. Дункен, В. Лыгин-М: Мир, 1980.- 288 с.

77. Киселев, В. Ф. Адсорбционные процессы на поверхности полупроюдников и диэлектриков/В. Ф. Киселев, О. В. Крылов М.: Наука, 1979.

78. Хауффе, К. Реакции в твердых телах и на их поверхности / К. Хауффе.-М: ИД 1963- Т. 1.

79. Хорного, Д Хемосорбции водорода/ Д Хорного, Т. Тоя //В кн.: Поверхностные свойства твердых тел / Под ред. М Грина- М.: Мир, 1972 С. 11-103.

80. Девисон, С. Поверхностные (Таммовские) состояния / С. Девисон, Д Левин М: Мир, 1973.-185 с.

81. Бир, Г. Л Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках / Г. Л Бир, Г. Е. Пикус.- М: Наука, 1972.- 393 с.

82. Пиментел, Г. Как квантовая механика объясняет химическую связь / Г. Пиментел, Р. Спратли: Пер. с англ.- М.: Мир, 1973.

83. Андо, Т. Электронные свойства двумерных систем / Т. Андо, А Раулер, Ф. Стерн М: Мир, 1995.

84. Tomasek, М. Symposium Electronic Phenomena in Chemosortion and catalysis on semiconductors/M.Tomasek, J. Kouteciy // Eds. Gruyter and Co.- Berlin, 1969.-B. 5.-S.41.

85. Ibach, H Electron Epectroscopy for Surface Analysis / H Ibach // Topies in current Physics V. 4-Springes, Berlin, Heidelberg, new Yorik, 1977.

86. Ley, L. Photoemission in Solids П / L. Ley, M Cardona// Topies in Applied Physics V. 27-Springes, Berlin, Heidelberg, new York, 1979.

87. Зи, С. Физика полупроводниковых приборов / С. Зи.- М.: Мир, 1984 Т. 1.- 455 с.

88. Зи, С. Физика полупроюдниковых приборов / С. Зи М: Мир, 1984 - Т. 2 - 455 с.

89. Пека, Г. П Физика поверхности полупроводников /Г. П Пека.- Киев. Изд-во КГУ, 1967190 с.

90. Ржанов, А. В. Электронные процессы на поверхности полупроводников / А В. Ржанов-М: Наука, 1971.- 480 с.

91. Кулак, А И Электрохимия полупроводниковых гетероструктур / А И Кулак.- Минск: Изд-во Университетское, 1988 -191 с.

92. Кулаков, А В. Квантовые обменные силы в конденсированных средах/А В. Кулаков.- М: Наука, 1990.-120 с.

93. Appelbaum, J. Electronic Structure of Solid Surface / J. Appelbaum // Surface Phys. of Materials-V. l,ed by J. MBlarely/Academic Press.-New York, 1975.-P. 79-119.

94. Зеегер, К Физика полупроводников / К. Зеегер: Пер. с англ.- М, 1977.

95. Давыдов, Ю. К К расчету высоты барьера Шоттки на начальной стадии формирования контакта (карбид кремния) (субмонослойная пленка металла) // ФЩ 1998.- Т. 32 - № 1 .С. 68-71.

96. Прохорова Т. А Электронные состояния на гетерогранице Sr ЕиО / Т. А Прохорова, В. А Панин, Ю. Ф. Головнев//Известия ТГУ. Серия Механика.- 2001- Т. 7, Вып. 2 - С. 151153.

97. Стриха, В. И. Полупроводниковые приборы с барьером Шоттки / В. И Стриха, Е. В. Бузанева, И. А Родзиевский- М: Наука, 1974 335 с.

98. Хейне, В. Теория псевдопогевдиала / В. Хейне: Пер. с англ. / Под ред. В. А Бонч-Бруевича,- М: Мир, 1973 557 с.

99. Торхов, Н А Токоперенос в структурах Ме-п-п+ с барьером Шоттки /НА Торхов, С. В. Еремеев //ФЩ 2000.- Т. 34.- Вьш. 1.-С. 106-112.

100. Стриха, В. И Теоретические работы контакта металл полупроводник /В. И. Стриха-Киев: Наукова думка, 1974 - 309 с.

101. Чипун, В. В. Высота барьера Шапки с тонким сильно легированным слоем полупроводника / В. В. Чипун // ФТП, 1995.-Т. 28.-Вып. З.-С. 563-566.

102. Monch, W. // In: Control of Semiconductor Interfaces, ed. I. Ohdomari et al. Elsevier, Amsterdam, 1994.-P. 169.

103. Бондаренко, В. Б. Естественные неоднородности высоты барьера Шопки / В. Б. Бондаренко, Ю. А Кудинов, С. Г. Ершов, В. В. Кораблев // ФТП, 1998.- Т. 32.- Вып. 5.- С. 554-555.

104. Милне, А Гетеропереходы и переходы металл полупроводник/А Милне, Д Фойхт-М: Мир, 1975.-392 с.

105. Белявский, В. И. Энергия связи мелких доноров в асимметричных системах квантовых ям / В. И. Белявский, М В. Гольдфарб, Ю. В. Копаев, С. В. Швецов // ФЩ1997.- № 3.- Т. 31.-Вып. З.-С. 302-307.

106. Чуприков, 11 Я Матрица переноса одномерного уравнения Шредингера / Н Я Чуприков // ФЩ 1992.- Т. 26.- № 12.- С. 2040-2047.

107. Чуприков, К Я Туннелирование в одномерной системе N одинаковых потенциальных барьеров // ФТП, 1996.- Т. 30.- Вып. 3.- С. 443453.

108. Андерсон, Т. Г. Туннелирование электронов в гетеросгруктурах с одиночным барьером и симметричными спейсерами в продольном магнитном поле / Т. Г. Андерсон, Ю. В. Дубровский, И. А Ларкин и др. // ФТП, 1995.- Т. 29.- Вып. 9.- С. 1546-1553.

109. Родерик, Э. X Контакты металл полупроводник / Э. X. Родерик- М: Радио и связь, 1982.-215 с.

110. Брудный, В. К Локальная злектронейтральность и закрепление химического потенциала в твердых растворах соединений Ш-IV: границы раздела /В.Н. Брудный, С. Н Гриняев.//ФЩ 1998.-Т. 32.-№3.-С. 315-318.

111. Степанов, В. Е. Новые материалыэлекгроннойтехники/В. Е. Сгепанов/Подред. Ф. А Кузнецова Новосибирск: Наука, 1990 - С. 26.

112. Губанов, А. И Теория контакта двух полупроводников с проводимостью одного типа/ А И Губанов // ЖГФ, 1951.-Т. 21.-С. 304.

113. Губанов, А И. К теории контактных явлений в полупроводниках / А И Губанов // ЖГФ, 1952.- Т. 22.- Вып. 5.- С. 729.

114. Губанов, А И К теории полупроводников со смешанной проводимостью / А И Губанов // ЖЭТФ, 1951-т. 21-Вып. 1.-С.79.

115. Kroemer, Н. Theory of a Wide- Gap Emitter for Transistors / H. Kroemer // Proc ERE, 1957-V.45.-P. 1535.

116. Шарма, Б. Л Полупроводниковые гетеропереходы /Б. JL Шарма, Р. К. Пурохит М: Сов. Радио, 1979.

117. Anderson, R. L. Experiments on Ge-GaAs Heterojunctions / R. L. Anderson // Solid State Electron, 1962.-V. 5,- P. 341.

118. Shockley, W. Theory of p-n Junctions in Semiconductors and p-n Junction Transistors / W. Shockley //Bell Syst Tech. J., 1949.-V. 28.-P. 435.

119. Александров, С. E. Электрические и фотоэлектрические свойства анизотипных гетеропереходов n- Gaxini.x/ р Si / С. Е. Александров, В. А Зыков, Т. А Гаврикова и др. // ФТП, 1998.- Т. 32.- Вып. 4.- С. 497.

120. Алешкин, В. Я. Спектры электронов и дырок и правила отбора для оптических переходов в гетеросгруюуре Gei.xSix /Ge / В .Я. Алешкин, Н А Бекин // ФТП, 1997 Т. 31 .-№2.-С. 171-178.

121. Прохорова Т. А Электронная структура границы раздела SrO ЕиО / Прохорова Т. А, Головнев Ю. Ф., Панин В. А-Тула: Изд-во Тул. ун-та. Серия Механика, 2001.- Т. 7, вып. 2-С. 65-69.

122. Агапов, Б. Л Реконструкция и электронные состояния гетерограницы Ga2Se3-GaAs / Б. Л Агапов, И Н. Арсентьев, Н П Безрядин и др. // ФТП, 1999.- Т. 33.- Вьш. 6.- С. 712-715.

123. Неклюдов, П. В. Особенности формирования гетерограниц (Al, Ga) Sb/ InAs при молекулярно-пучковой эпитаксии / П В. Неклюдов, С. В. Иванов, Б. Я Мельцер, П. С. Копьев//ФТП, 1997.-Т.31.-№ 10.-С 1242-1245.

124. Алешкин, В. Я Определение плотности состояний в квантовых ямах и ансамблях квантовых точек вольт-фарадным методом / В. Я. Алешкин, Н А Бекин, М. Н. Буянова и др. // ФЩ 1999.-Т.ЗЗ.-Вьш. 10.-С. 1246-1252.

125. Кабанов, В. Ф. Исследование фотоэлектрических свойств пленок магнитного полупроводника Eu,.xSnO / В. Ф. Кабанов // ФТП, 1992.- Т. 26.- Вып. 10.- С. 1837.

126. Крёмер, Г. Критический обзор теории гетеропереходов / Г. Крёмер- В кн.: Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Под ред. J1 Ченга и К. Плога.-М: Мир, 1989.- 274-347 с.

127. Алешкин, В. Я Исследование квантовых ям C-V- методом / В. Я Алешкин, В. Е. Демидов, Б. Н Звонков и др. // ФТП, 1991.-Т. 25.-С. 1047.

128. Алешкин, В. Я Харакгеризация электрофизическими и оптическими методами гетеросгруктур GaAs/InxGai.xAs с квантовыми точками / В. Я Алешкин, Д М. Гапонова, С. А Гусев, и др. // ФТП, 1998.-Т. 32.-Вып. 1.-С. 116-118.

129. Алферов, Ж. И. История и будущее полупроводниковых гетеросгруктур / Ж. И. Алферов // ЖГП, 1998.- Т. 32.- Вып. 1.- С. 3-18.

130. Кринчик, Г. С. Физика магнитных явлений / Г. С. Кринчик-М: Изд-во Мое. ун-та им. М В. ЛомоносоваД985.- 336 с.

131. Физико-химические свойства окислов. Справочник / Ред. Г. В. Самсонов.-М: Металлургия, 1979.-471 с.

132. Физика и химия редкоземельных элементов. Справочник / Ред. К. Гшнтайднер и Л. Айринга.- М: Металлургия, 1982 335 с.

133. Еременко, В. В. Введение в оптическую спектроскопию магнетиков / В. В. Еременко-Киев: Изд-во Наукова думка, 1975.

134. Лидоренко, Н С. Введение в молекулярную электронику / НС. Лидоренко- М: Энергоагомюдат, 1984 320 с.

135. Прохорова, Т. А. Особенности хемосорбции на поверхности магнитного полупроводника ЕиО / Т. А Прохорова, В. А Панин, Ю. А Головнев.- Тула: Изд-ю Тул. гос. ун-та.- Серия Физика, 2002 (в печати).

136. Карпович, И. А Фотоэлектронные явления в слоях GaAs с встроенной на поверхности квантовой гетероямой / И А Карпович, В. Я Алешкин, А В. Аншон, Н В. Байдуев и др. // ФЩ 1992.-Т.26.-Вьш. 11.-С. 1886-1893.

137. Shottky, W. Halbletertheorie der Spetrschicht//Naturwissen schaflen, 1938.- В. 26.- S. 843.

138. Самохвалов, А А Магнитные свойства EuO при низких температурах / А А Самохвалов, В. Г. Бамбуров, А А Ивакин, П В. Волькенштейн и др. // ФТТ, 1966 Т. 8 - С. 2450-2454.

139. Крылов, П. Н. Влияние термополевой ионизации на формирование барьера Шотгки металл (аморфный кремний) / П Н Крьшов // ФТД 2000, Т. 34.- Вып. 3.- С. 306-310.

140. Ткач, П В. Спектр электрона в квантовой сверхрешетке цилиндрической симметрии / R В. Ткач, И В. Пронишин, А М Маханец // ФТТ, 1998.- Т. 40.- Вып. 3.- С. 557-561.

141. Молекулярно-лучевая эпитаксия и гетеросгруктуры: Пер. с англ. / Под ред. Я Ченга и К Плога. М: Мир, 1989.- 584 с.